TW554023B - Polishing composition - Google Patents
Polishing composition Download PDFInfo
- Publication number
- TW554023B TW554023B TW089116932A TW89116932A TW554023B TW 554023 B TW554023 B TW 554023B TW 089116932 A TW089116932 A TW 089116932A TW 89116932 A TW89116932 A TW 89116932A TW 554023 B TW554023 B TW 554023B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- acid
- polishing
- group
- phosphate
- component
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
554023 A7 ______ B7 五、發明說明(1) 本發明係關於一種磨光用組合物,其適用於記憶硬碟 表面的最終磨光,於製造該記憶硬碟即磁碟受質中(以下 簡單地引述爲”受質”),其係使用於記憶裝置而用於例 如電腦。更明確的說本發明係關於一種磨光用組合物其可 預防形成細微凹處、微突出物及其它表面缺陷,其在最終 磨光中帶有些微表面殘餘物,在各種受質的產生方法中, 而該各種受質可由下列所代表:例如N i - P硬碟、N i - F e硬碟、鋁硬碟、碳化硼硬碟及碳硬碟,且同時其能 夠磨光該受質以提供卓越的磨光表面以用於具有高容量及 高紀錄密度的記憶硬碟。此記憶硬碟菜係一種記憶裝置而 用於例如電腦者’其每年傾向爲小尺寸且大的容量,且目 前最廣汎使用的受質,爲將無電N i - P電鍍施用於空白 材料者。在此,空白材料爲具有鋁或其它受質的基底材料 ,採用鑽石硏磨輪經由車床加工成形,經由使用P V A硏 磨輪作重疊,而此P V A硏磨輪之製備可經由固化S i C 硏磨料材料,或經由其它方法,以給予平行性或平坦性。 然而’經由該成形方法,不可能完全地移除相對大的 波紋。同時,此無電N i - P電鍍將形成亦沿著該空白材 料波紋’且此波紋傾向保持在受質內。執行磨光以去除此 受質波紋且使表面平坦。 進一步的,隨著在記憶硬碟上高容量的趨勢,紀錄密 度改良之速率爲每一年數十%。據此,於記憶硬碟上經由 預先決定量資料紀錄所佔據的空間趨向於逐漸狹窄,且紀 錄所須要的磁力趨向於弱。據此,最近,須將頭部的飛行 i Ί.--------r---IT--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) rTfr 554023 經濟部智慧財i局員X消費合作汪印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) Λ7 _B7_____ 五、發明說明(2) 高度降至最低,其係介於磁頭與記憶硬碟之間的空間。目 前’頭部飛行高度入降低至最多1 . 0微英寸(約 〇·025#m)之水準。 進一步的,有時於磨光之後在受質上,可施用所謂的 織構(textunng ),以形成同中心的圓形刻線,以預防讀 或寫資料的磁頭黏住記憶硬碟,或預防在受質表面上經由 磨光而形成在不同於記憶硬碟旋轉方向的特定方向上的刻 線’其係使在記憶硬碟上的磁場趨向於非均勻者。最近, 爲進一步降低飛行高度,已有提出進行光織構以在受質上 形成較薄刻線,或使用不具有刻線的非織構受質其而未執 行織構。已發展出一技藝以支持該磁頭低飛行高度的趨勢 ’且此低飛行高度磁頭的趨勢已進一步的改良。 磁頭沿著記憶硬碟表面形狀飛行,其係以非常高速度 旋轉。若數μ m的凹處存在記憶硬碟表面,其可能發生資 料不可完全地書寫在硬碟上,因此導致資料缺掉或紀錄資 料的失敗,所謂的”小塊錯誤”,其將會導致錯誤。 在此,”凹處”可爲最初存在於受質上的凹痕或經由 磨光而形成在受質表面上的凹痕。在這些之中,細微凹處 係直徑在少於約1 0 // m的凹痕。 據此,其係重要的以降低受質的表面粗糙度,且同時 必須完全地移除相對大的波紋、微突出物、凹處及其它表 面缺陷,如在形成記憶硬碟之前步驟的磨光方法中。 爲達該目的,迄今爲止已普遍使用單一的磨光修整, 其經由使用磨光用組合物(以下由本質上引述爲”淤漿” ^--- :---T --------r---訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554023 A7 B7 五、發明說明(3) )而其中包含氧化鋁或其它各種硏磨料、水及各種磨光力口 速劑。例如,J P — B — 6 4 — 4 3 6及 J P _ B — 2 - 2 3 5 8 9揭示一種記憶硬碟磨光用組合 物,其製成淤漿係經由將例如硝酸鋁、硝酸鎳或硫酸鎳作 爲磨光加速劑加入且混合入水與氫氧化鋁中。進一步的, J P — B - 4 一 3 8 7 8 8揭示用於鋁磁碟的酸性磨光用 組合物,其中包含水、氧化鋁硏磨料材料的細微粉末、葡 萄糖酸或乳酸作爲磨光加速劑、及膠體狀氧化鋁作爲表面 改良劑。 然而,針對任何一項該磨光用組合物,經由單一的步 驟磨光,已非常難於滿足所有須求而在受質表面上去除表 面缺陷或相對大的波紋,以降低表面粗糙度至非常低水準 在預定期間之中,且可預防形成微突出物、細微凹處及其 它表面缺陷。據此,已硏究一種其中包含二步驟或更多步 驟的磨光方法。 所欲求之表面粗糙度之程度取決於生產受質的方法, 最終紀錄容量如記憶硬碟及其它條件。取決於所欲求之表 面粗糙度之程度,可使用方法其包含多於兩步驟的磨光。 當在二步驟中執行磨光方法,在第一步驟之中的磨光 主要將用以去除在受質表面上相對大的波紋、大的凹處及 其它表面缺陷,即爲了調整形狀。據此,須要一種磨光用 組合物,其針對上述的波紋或表面缺陷具有大的矯正能力 ,而將不能經由在第二步驟中的最終磨光移除的深刮痕作 最小化,而不在降低表面粗糙度。因此,爲增加貯存移除 尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) "" (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) -----L---—訂---I----- 554023 瘦齊部智慧財轰笱員工消費合阼往印製 A7 B7 五、發明說明(4) 速率,使用相對大粒度的硏磨料作爲組合物中的硏磨料材 料。 在第二步驟中的磨光即最終磨光’係用以使受質的表 面粗糙度最小化。據此,磨光用組合物須要能夠將表面粗 糙度最小化,且可預防形成微突出物、細微凹處或其它表 面缺陷,而不是具有如在第一步驟磨光中須要的針對大的 波紋或表面缺的高矯正能力。 最近,爲了降低加工成本,已經由p v A磨刀石而改 良空白材料的加工,且設計使降低空白材料在使用磨光用 組合物之前的表面粗糙度,從而賦予品質,使在磨光;έ前 受質的表面粗糙度或波紋,至如在第一步驟之磨光之後的 品質水準。若執行該加工,在第一步驟之中磨光將成爲不 必要,且僅須要所謂的修整磨光。 因此,作爲降低受質的表面粗糙度之方式,已普遍使 用具有相對小粒度的硏磨料,如在磨光用組合物中的硏磨 料材料,或使用其中內含界面活性劑的磨光用組合物,不 論第一步驟或第二步驟的磨光。例如, JP — Α - 5 - 32959 (先前之技藝1)揭示一種磨 光用組合物而其中包含水、氧化鋁硏磨料及氟類界面活性 劑,JP — A — 5 - 59351 (先前之技藝2)揭示一 種針對金屬材料的磨光用組合物,其中包含水、氧化鋁硏 磨料,水溶性金屬鹽作爲磨光加速劑及氟類界面活性劑, 或JP - A— 5 — 112775 (先前之技藝3)揭示一 種金屬材料用的磨光用組合物,其中包含水、氧化鋁硏磨 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----—tT--------- 554023
經濟部智慧財產笱員!-凊費合作f£印K 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 五、發明說明(5) 料、氟類界面活性劑及氨基酸。 然而,就本案發明人所知,當使用一種磨光用組合物 而其中包含其具有相對地小粒度的氧化鋁硏磨料,尤其是 平均粒度在最多2 // m者、水、水溶性金屬鹽或氨基酸、 及氟類界面活性劑,已有問題在貯存移除速率非常低且不 充份作實際之生產,且細微凹處或刮痕易於形成,因爲此 組合物的磨光能力小。 進一步的,甚至若未形成缺陷如凹處,很可能發生硏 磨料顆粒之沉積在受質表面上而其係不可經由淸洗而移除 者,或發生殘餘物黏住,此係因爲硏磨料的粒度小。據此 ,已難以得到充分的表面品質。 本發明目的之一在解決上述問題,且提供一種磨光用 組合物其造成相較於慣常的磨光用組合物較少的表面殘餘 物,且其帶有高貯存移除速率且能形成卓越的處理的表面 ,而可預防形成細微凹處、微突出物及其它表面缺陷,在 用於記憶硬碟的受質作最終磨光之中。本發明提供磨光用 組合物,以針對使用於記憶硬碟的磁碟受質,其中包含: (a )水; (b )至少一種磷酸酯化合物,其係選自一類群,此 類群中包括乙氧化烷醇的磷酸酯及乙氧化芳醇的磷酸酯; (c )至少一種磨光加速劑,其係選自一類群,此類 群中包括無機酸及有機酸、及其鹽類,除了成分(b )的 磷酸酯化合物之外; (d )至少一種硏磨料,其係選自一類群,此類群中 ---— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----r---tr---------' 554023 A7 ------- B7 五、發明說明(6) 包括氧化鋁、二氧化矽、氧化鈽、氧化锆、氧化鈦、氮化 矽及二氧化錳。 目前,本發明將作詳細敘述。以下描述係用以增進對 本發明之了解,且並非用以限制本發明。 磷酸酯化合物 作爲本發明磨光用組合物成分中之一項的乙氧化烷醇 的磷酸酯及乙氧化芳醇的磷酸酯,爲醇類之磷酸酯化合物 而其可得自醇或酚衍生物與環氧乙烷之反應,且彼可以任 意的比例含有單酯、二酯及三酯。進一步的,此類磷酸酯 化合物可使其以複數合倂使用,採用任意的比例而其範圍 係不致減損本發明效應者。 進一步的,乙氧化烷醇的磷酸酯的烷基基團較佳者具 有碳數在1 2至1 8,且乙氧化芳醇的磷酸酯的芳基基團 較佳者爲苯基基團,或苯基基團其在苯環上的氫經取代以 隨意的取代基,更佳者爲苯基基團或苯基基團其在苯環上 的氫經取代以C 1 — 1。院基基團。 加入該磷酸酯化合物之環氧乙烷(以下稱爲” E〇” )的莫耳無特別限制,但較佳範圍在3至1 5。經由將 E〇控制在上述範圍之中,有可能調整貯存移除速率與抑 制表面缺陷之平衡。 進一步的,磷酸酯化合物在磨光用組合物中之含量通 常在0 · 00 1至2wt%’較佳者在0 · 005至1 w t %,更佳者在0 . ◦ 1至〇 · 6 w t %,基於組合物 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----r---訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作让印裂 554023 A7 B7 五、發明說明(7) 請 先 閱 讀 背 面 之 注 事 項 再 填 本 頁 之總重。若此含量增加,在磨光受質上的表面殘餘物傾向 於降低,或形成細微凹處及其它表面缺陷將傾向於降低。 然而,若其增加太多,貯存移除速率或加工能力很可能會 惡化,且易於形成細微凹處或刮痕。另一方面,若含量太 少,將趨向於難以得到本發明降低表面殘餘物的效應或本 發明抑制形成凹處及其它表面缺陷的效應。 磨光加速劑 經濟邨智慧財查局員二肖費^泎?£印製 此至少一種磨光加速劑,其係選自一類群,此類群中 包括無機酸及有機酸、及'其鹽類,除了/上述之磷酸酯化合 物之外,作爲本發明磨光用組合物成分中的一項,可爲選 自一類群的至少一種成分,此類群中包括硝酸、亞硝酸、 硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、扁桃酸 、丙二酸、抗壞血酸、麩氨酸、乙醛酸、蘋果酸、乙醇酸 、乳酸、葡萄糖酸、琥珀酸、酒石酸及檸檬酸,及其鹽類 及衍生物。尤其是,其中包括硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、 硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(ΙΠ )、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、 硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(ΙΠ )、硫酸 銨、氯化鋁、氯化鐵(m )、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、 氨基磺酸鎳及氨基磺酸銨。此類磨光加速劑可使其以複數 合倂使用,採用任意的比例而其範圍係不致減損本發明效 應者。 在磨光用組合物中磨光加速劑之含量變化係取決於所 使用磨光加速劑的類型。然而,其通常在0 . 0 1至3 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554023 $工濟邹智慧时4局員工消費合作钍印製 Α7 Β7 五、發明說明(8) wt%,較佳者在0·1至25wt%,更佳者在〇·5 至2 0 w t %,基於組合物之總重。經由增加磨光加速劑 之含量,貯存移除速率傾向增加。然而,若含量過高,磨 光用組合物的化學作用趨向於強,從而使微突出物、細微 凹處或其它表面缺陷易於形成在受質表面上。另一方面, 若含量太低,貯存移除速率趨向於小,且無趨勢可得到足 夠的在受質表面上抑制細微凹處、微突出物及其它表面缺 陷的效應。 硏磨料 - ----- f 本發明磨光用組合物成分中的一項硏磨料的主要硏磨 料材料者,爲氧化鋁、二氧化矽、氧化鈽、氧化鈦、氮化 矽、氧化銷及二氧化錳。當須要時此類硏磨料可視需要地 合倂使用。當彼作混合使用時,混合之方法或其比例並無 特別限制。 此氧化銘包括之α -氧化錦、5 -氧化銘、0 —氧化 鋁、/c 一氧化鋁及其它形態上不同者。進一步的,有一種 由彼製備方法命名的所謂的燻過的氧化鋁。 此二氧化矽包括膠體狀二氧化矽、燻過的二氧化矽及 各種其它型態而其具有不同之本質或製備方法者。 此氧化鈽包括三價及四價者而其區別在彼氧化反應數 目,且其包括六方晶形系、等軸晶系及面心立方系者,而 其區別在彼結晶系統。 此氧化锆包括單斜晶系統、四方晶系及非結晶形者而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁)
554023 A7 _______ B7 五、發明說明(9) 其區別在彼結晶系統。進一步的’有由彼製備方法命名的 所謂的燻過的氧化銷。 此氧化鈦包括單氧化鈦、三氧化二鈦、二氧化鈦及其 它型態而其區別在彼結晶系統。進一步的,有由彼製備方 法命名的所謂的燻過的二氧化鈦。 此氮化砂包括α -氮化砂、々一氮化砂、非結晶形的 氮化矽及其它形態上不同者。 此二氧化錳包括α -二氧化錳、0 —二氧化錳、r — 二氧化錳、(5 —二氧化錳、ε —二氧化錳、7/ —二氧化錳 及其它形態上不同者而其區別在彼形態/學。 上述的硏磨料係用於經由機械的作用而將待磨光之表 面(即受質表面)作磨光,而作爲硏磨料顆粒。在這些之 中,二氧化矽之粒度通常在〇 · 〇〇5至0 · 5//m,較 佳者在0 · 0 1至0 · 3 μ m其係經由B E T方法測量表 面積而得到平均粒度。同樣地,氧化鋁、氧化銷、氧化鈦 、氮化矽或二氧化錳之粒度通常在〇 · 〇 1至2 // m,較 佳者在0 · 0 5至1 · 5 // m,其爲經由雷射繞射系統粒 度測量裝置LS — 2 30 (由製作Coulter Co.,U.S. A.)所 測量的平均粒度。進一步的,氧化鈽之粒度通常在 0 . 01 至 0 · 5//m,較佳者在 0 · 05 至 0 · 45 // m其爲經由掃描示電子顯微鏡觀察到的平均粒度。若此 類硏磨料之平均粒度超過上述相應的範圍,將有問題在於 此磨光表面之表面粗糙度趨向於大的,或易於形成刮痕。 另一方面,若平均粒度小於相應的範圍,貯存移除速率趨 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-12 - 554023 Α7 ___Β7 五、發明說明(1()) 向於極度瓜低,其係不實用的。 在磨光用組合物中硏磨料含量之通常在〇 · 1至5 0 w t %,較佳者在1至2 5 w t %,基於組合物之總重。 若硏磨料之含量太低,微突出物、細微凹處或其它表面缺 陷易於形成在受質表面上,且貯存移除速率有時會降低。 另一方面,若含量太高,趨向於難以維持均勻分散在磨光 用組合物中,且在磨光用組合物中的黏度趨向於過高,從 而有時會使操作趨向於困難。 zK. / 作爲本發明磨光用組合物成分之一的水,可使用任何 一項工業水、離子交換水、蒸餾水、純水及超純水。然而 ,考量磨光用組合物之穩定性及在磨光方法金屬雜質的不 當性,宜使用去離子水、離子交換水、蒸餾水、純水或超 純水,僅可能的移除雜質。 磨光用組合物 本發明磨光用組合物之製備通常係經由將上述相應的 成分分散或溶解水中,即經由在所欲求量之水中混合且分 散一種硏磨料,此硏磨料係選自一類群,此類群中包括氧 化鋁、二氧化矽、氧化鈽、氧化銷、氧化鈦、氮化矽及二 氧化錳,且進一步的將磷酸酯化合物及磨光加速劑溶解於 其中。將此類成分分散或溶解在水中之方法係隨意的。例 如,彼可經由超音波分散或經由葉片型攪拌器作攪拌。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 554023
經濟部智慧財產笱員工肖費合阼f£印S A7 B7 五、發明說明(11) 於製備上述磨光用組合物中,爲安定或維持產物之品 質’可進一步的加入各種已知的添加劑,此係取決於作處 理物件的類型,處理條件或其它需要用於磨光處理者。 該進一步添加劑之實施例包括如下。 (a )纖維素如纖維素、羧基甲基纖維素及羥乙基纖 維素, (b )水溶性醇類,如乙醇、丙醇及乙二醇, (c )有機聚陰離子材料,如木質素磺酸鹽及聚丙烯 酸酯, (d )水溶性聚合物(乳化劑),,如聚乙烯醇, (e )螯合劑,如二甲基乙二肪、雙硫腿、8 —羥基 _啉、乙醯基丙酮、甘氨酸、EDTA及NTA, (f )殺真菌劑如精胺酸鈉及碳酸氫鉀,及 (g )羧酸類型或磺酸類型界面活性劑、二醇類型或 矽酮類型消泡劑,及脂肪酸類型分散劑。 進一步的,上述的硏磨料、磷酸酯化合物或磨光加速 劑、其適用於在本發明磨光用組合物者,可使用作爲針對 除了上述的目的之外的目的之輔助添加劑,如爲預防硏磨 料沈降者。 本發明磨光用組合物可製備爲具有相對高濃度的標準 溶液形式,而使其可以彼形式儲存或運送,且可稀釋以使 用於實際磨光操作。上述濃度較佳範圍爲當實際上磨光操 作所用者。當組合物以該標準溶液的形式製備,當然’其 在儲存或運送狀態爲液體而具有高濃度。基於操作效率之 本紙張汶度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ——.!爨.—訂---------$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554023 A7 B7 五、發明說明(12) 觀點,宜使組合物以濃縮形式製備。 考量爲何本發明磨光用組合物呈現較少表面殘餘物及 小表面粗糙度,相較於慣常的磨光用組合物而其中內含院 基苯磺酸鹽或氟類界面活性劑者,且能降低形成細微凹處 、微突出物或其它表面缺陷,而展現其具有小的表面粗縫 度的磨光表面,詳細的機制尙未淸楚地瞭解,但其可採用 N i _ P鍍層過的受質作爲實施例而說明如下。 首先,具有適當地凝聚硏磨料微粒功能的磷酸酯化合 物,從而以相對的弱凝聚力而使小硏磨料微粒凝聚。一般 而言,當磨光用組合物之磨光能力爲低,,趨向形成細微凹 處。然而,採用本發明磨光用組合物,具有相對地小粒度 的磨光微粒將以相對地弱力作凝聚,且於磨光處理期間此 凝聚逐步地離解,從而使對處理表面的損害小,且可得到 其具有小的表面粗糙度的處理表面。進一步的,表面缺陷 如細微凹處(處理張力存在的部分),將不會經由上述的 凝聚硏磨料微粒的機械作用及磨光加速劑的化學作用作選 擇地處理而放大該缺陷,從而使可得到均勻處理的表面。 同時,考量經由磨光或在組合物中的硏磨料形成之表面切 屑被磷酸酯化合物覆蓋,從而使其傾向幾乎沒有沈積在受 質表面上,且從而將降低表面缺陷如微突出物之形成。 當經由本發明磨光用組合物執行磨光處理,在磨光處 理之前及/或之後,宜採用漂洗組合物進行漂洗處理,而 此漂洗組合物可自本發明磨光用組合物移除硏磨料。在磨 光之前經由採用漂洗組合物作處理,可補充磨光用組合物 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ——l·——訂--------- 經齊部智慧財產苟員X澝費合作钍印製 554023 A7 _B7 五、發明說明(13) 化學的效應。進一步的,經由於磨光處理之後採用漂洗組 合物作處理,將可能有效地移除切屑或各種殘留在受質表 面上的磨光用組合物成分。 目前,本發明將參照實施例進一步詳細敘述。然而, 須瞭解本發明並不限於記述如下的實施例的特定結構。 實施例1至7及比較例1至5 製備磨光用組合物 作爲硏磨料,經由攪拌器將氧化鋁分散於水中,以得 到硏磨料濃度在1 0 w t %的淤漿。然,後,將一種磨光加 速劑及至少一種磷酸酯化合物,其係選自一類群’此類群 中包括乙氧化烷醇的磷酸酯及乙氧化芳醇的磷酸酯,如確 認於表1者,加入其中而其用量如確認於表1者’接著作 混合以得到實施例1至7及比較例1至5的磨光用組合物 。在比較例1至3中,未加入磷酸酯化合物,且在比較例 4及5中,取代磷酸酯化合物,分別地加入鈉聚苯乙烯磺 酸鹽及四級銨鹽。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----r---訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554023 A7 B7 五、發明說明(, 表1 磨光 加速劑 用量 (w t % ) 磷酸酯 化合物1 量 (w t % ) 實施例1 硝酸鋁 1 · 0 A 0 . 1 實施例2 硝酸鋁 1 . 0 A 0 . 2 實施例3 硫酸銘 0 . 5 A 0 . 1 實施例4 琥珀酸 0 . 2 A 0 . 1 實施例5 硝酸鋁 1 . 0 B 0 . 1 實施例6 硝酸鋁 1 . 0 G 0 . 1 實施例7 硝酸鋁 1 . 0 D 0 . 1 實施例8 硝酸鋁 1 . 0 E 0 . 1 實施例9 硝酸鋁 1 . 0 F 0 . 1 比較例1 硝酸鋁 1 .0 一 一 比較例2 硫酸鋁 1 . 0 — — 比較例3 琥珀酸 1 . 0 — — 比較例4 硝酸鋁 1 . 0 聚苯乙烯磺酸鈉 0 . 8 比較例5 硝酸鋁 1 . 0 四級銨鹽 1 . 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經資邹智慧財轰笱員1-凊費全阼?1-印製
1 Α:乙氧化壬基酚之磷酸酯(10Ε〇) Β:類乙氧化壬基酚之磷酸酯(9ΕΟ) C:乙氧化二壬基酚之磷酸酯(10ΕΟ) D:乙氧化烷醇之磷酸酯(烷基=C:12-15,3E〇) E:乙氧化烷醇之磷酸酯(烷基=C:12-15,6E〇) F:之乙氧化烷醇之磷酸酯(烷基=C:12-15,9E〇) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554023 經齊部智慧財i曷員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(15) 製備用於磨光試驗的受質- 使用實施例1至7及比較例1至5的磨光用組合物, 用於製備磨光試驗的受質。以評估二步驟磨光(修整磨光 ),用於磨光試驗的受質之製備,可於下列條件首先執行 第一步驟磨光。 磨光條件(第一步驟) 工作: 3.5”,無電1^;[一?受質 工作數目: 十張硬碟 , 磨光機器: 雙面磨光機器(桌直徑:6 4 0 m m ) 磨光墊: Politex DG(由 Rodel Inc·,U.S.A.製作) 處理壓力: 80g/cm2 轉述: 6 0 r p m 磨光用組合物: DISKLITE — 3 4 7 1 (由Fujimi公司製 作) 組合物之稀釋: 1 : 2純水 磨光用組合物進 料速率: l〇〇cc/min 磨光時間: 5分鐘 磨光試驗 然後,使用實施例1至7及比較例1至5的磨光用組 合物,針對其已完成第一步驟磨光的受質,於以下條件之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) ' · ϋ _ϋ ϋ ·ϋ ϋ ϋ ϋ 心:WJ· ϋ n ϋ ϋ I . 554023 A7 B7 五、發明說明(16) 下執行第二步驟磨光(修整磨光)。 磨光條件(筮二 步驟) 工作: 3.5”無電1^丨—?受質 (第一步驟 磨光完成) 工作數目: 十片硬碟 磨光機器: 雙面磨光機器(表直徑:6 4 0mm) 磨光墊: Polilex DG (由 Rodel Inc·, U.S.A·製作) 處理壓力: 6 〇 g / c m 2 桌面旋轉: 6 0 r p m , 磨光用組合物進 料速率: lOOcc/min 磨光時間: 5分鐘 於磨光之後 ,將受質連續地淸洗且乾燥’ 且經由微差 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經齊邨智慧財產局員工消費合作社印製 干涉顯微鏡(放大:5 0倍),檢驗受質表面是否存在微 突出物或細微凹處。其評估標準如下,且得到結果如展示 於表2。 ◎:目視觀察無細微凹處。 〇:目視觀察無實際上細微凹處。 X :實際上目視觀察到細微凹處,且彼視爲有問題的 水準。 進一步的,經由掃描示電子顯微鏡(放大 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554023 A7 ___B7______ 五、發明說明(17) 2 0,0 0 0 )檢驗受質表面,且目視評估其硏磨料顆粒 吸附或黏住的殘餘物之程度。其評估標準如下,且得到結 果展示於表2。 ◎:觀察實際上無殘餘物。 〇:稍微地觀察到殘餘物,但彼未達實際上有問題的 水準。 X :實際上觀察到殘餘物,且彼達到實際上有問題的 水準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
绶濟邨智慧財產笱員X消費合作钍印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554023 A7 _____B7 五、發明說明(18) 表2
細微凹處 表面殘餘物 實施例1 ◎ ◎ 實施例2 ◎ ◎ 實施例3 ◎ 〇 實施例4 ◎ 〇 實施例5 ◎ ◎ 實施例6 ◎ ◎ 實施例7 ◎ / ◎ 實施例8 ◎ ◎ 實施例9 ◎ ◎ 比較例1 X X 比較例2 X X 比較例3 X X 比較例4 ◎ X 比較例5 ◎ X (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------tr---------. ^齊邨智慧財轰笱員!.肖費-dn作让印製 如顯見於表2,在其中未加入磷酸酯化合物的比較例 1至3中,實際上觀察到細微凹處及表面殘餘物,且在其 中加入除了磷酸酯化合物以外的界面活性劑之比較例4及 5中,實際上觀察到表面殘餘物,雖然預防了細微凹處的 形成。進一步的,針對比較例4及5,必須增加界面活性 劑用量以得到預防形成細微凹處的效應。然而,在其中加 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554023 A7 B7 五、發明說明(19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 入磷酸酯化合物的實施例1至9中,在各案例中預防了細 微凹處的形成,且實際上未觀察到表面殘餘物。明顯的由 實施例1至9磨光用組合物的結果,在修整磨光中有可能 得到卓越的磨光表面。 如敘述於前者,本發明磨光用組合物係針對使用於記 憶硬碟的磁碟受質的一種磨光用組合物,其包含(a )水 ,(b )至少一種磷酸酯化合物,其係選自一類群,此類 群中包括乙氧化烷醇的磷酸酯及乙氧化芳醇的磷酸酯,( c )至少一種磨光加速劑,其係選自一類群,此類群中包 括無機酸及有機酸,及其鹽類,且係除,了成分(b )的磷 酸酯化合物之外,及(d )至少一種硏磨料,其係選自一 類群,此類群中包括氧化鋁、二氧化矽、氧化姉、氧化銷 、氧化鈦、氮化矽及二氧化錳。 從而其可能得到磨光用組合物,相較於慣常的磨光用 組合物,幾乎不在表面形成殘餘物,在針對使用於記憶硬 碟的質受作修整磨光時,提供大的貯存移除速率且能預防 形成細微凹處、微突出物及其它表面缺陷,且其可能展現 卓越的磨光表面。 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 本發明磨光用組合物中成分(b )的磷酸酯化合物之 含量在0 · 0 0 1至2 w t %,基於組合物之總重,從而 使其可能將形成在磨光受質表面上的殘餘物降至最低,且 抑制細微凹處及其它表面缺陷的形成。 本發明磨光用組合物中成分(c )磨光加速劑的含量 在0 . 0 1至3 0 w t %,基於組合物之總重,從而使可 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 554023 A7 _____Β7_ 五、發明說明(2〇) 能增加貯存移除速率且抑制在受質表面上的細微凹處、微 突出物及其它表面缺陷。 進一步的,本發明磨光用組合物中成分(d )硏磨料 的含量在0 · 0 1至5 0 w t %,基於組合物之總重,從 而使可能在受質表面上抑制形成微突出物、細微凹處及其 它表面缺陷,且抑制貯存移除速率的降低,且有可能維持 硏磨料在組合物中的均勻可分散性,且抑制在組合物中黏 度過度的增加。 申請於1999年9月21日的japanese Patent AppUcaUon Ν ο · 1 1 — 2 6 6 5 1, 1 的全部揭示,包 括說明、申請專利範圍及摘要全部倂入本文作爲參考文獻 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----r---訂--------- Ί 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 554023 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 附件一: 第891 16932號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 種針對使用於記憶硬碟的磁修正 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 合物,其包含 (a )水 (b )至 類群中包括乙 (c )至 群中包括無機 磷酸酯化合物 (d )至 包括氧化鋁、 矽及二氧化錳 其中以該 物之含量爲0 速劑之含量爲 磨料之含量爲 2 ·如申 分(b )的磷 基基團爲苯基 其混合物,或 數在1至2 0 少一種磷酸酯化合物,其係選自一類群,此 氧化烷醇的磷酸酯及乙氧化芳醇的磷酸酯; 少一種磨光加速劑,其係選自一類群,此類 酸及有機酸,及其鹽類,除了成分(b)的 之外;及 少一種硏磨料,其係選自一類群,此類群中 二氧化矽、氧化鈽、氧化鉻、氧化鈦、氮化 組合物之總重計,成分(b )的磷酸酯化合 • 001至2wt%,成分(c)的磨光加 0 · 01至3〇wt%,且成分(d)的硏 0 · 01 至 50wt%〇 請專利範圍第1項之磨光用組合物,其中成 酸酯化合物爲乙氧化芳醇的磷酸酯而其中芳 基團、壬基苯基基團或二壬基苯基基團、或 乙氧化烷醇的磷酸酯而其中烷基基團具有碳 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、1T 554023 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 .如申請專利範圍第1項之磨光用組合物,其中該 成分(c )的磨光加速劑爲至少一種成分,其係選自一類 群,此類群中包括硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨 基磺酸、甘氨酸、甘油酸、扁桃酸、丙二酸、抗壞血酸、 麩氨酸、乙醛酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡萄糖酸、琥 珀酸、酒石酸及檸檬酸,及其鹽類與衍生物。 4 .如申請專利範圍第3項之磨光用組合物,其中該 成分(c )的磨光加速劑爲至少一種成分,其係選自一類 群,此類群中包括硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉/硝 酸鉀,硝酸鐵(m ),亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫 酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(Π )、硫酸銨、氯化鋁 、氯化鐵(m)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳 及氨基磺酸鏡。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C. 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -2-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26651199A JP4273475B2 (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 研磨用組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW554023B true TW554023B (en) | 2003-09-21 |
Family
ID=17431931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089116932A TW554023B (en) | 1999-09-21 | 2000-08-21 | Polishing composition |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6423125B1 (zh) |
JP (1) | JP4273475B2 (zh) |
CN (1) | CN1288920A (zh) |
GB (1) | GB2354524B (zh) |
TW (1) | TW554023B (zh) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4009986B2 (ja) | 2000-11-29 | 2007-11-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、およびそれを用いてメモリーハードディスクを研磨する研磨方法 |
CN1277775C (zh) * | 2001-06-04 | 2006-10-04 | 日本板硝子株式会社 | 玻璃基板的制造方法及玻璃基板、以及具有此玻璃基板的有机场致发光元件 |
JP4003116B2 (ja) | 2001-11-28 | 2007-11-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP4095798B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2008-06-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US6755721B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-06-29 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Chemical mechanical polishing of nickel phosphorous alloys |
JP2003338469A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Fujitsu Ltd | 研磨剤、研磨方法および洗浄方法 |
JP4095833B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2008-06-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
GB2393447B (en) * | 2002-08-07 | 2006-04-19 | Kao Corp | Polishing composition |
GB2395486B (en) | 2002-10-30 | 2006-08-16 | Kao Corp | Polishing composition |
TWI313707B (en) * | 2003-04-17 | 2009-08-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | Cerium-based abrasive |
JP2004331852A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Tama Kagaku Kogyo Kk | 分散安定性に優れた研磨剤スラリー及び基板の製造方法 |
WO2004104122A2 (en) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Showa Denko K.K. | Polishing composition for magnetic disks comprising a surface cleaning agent and polishing method |
US20050022456A1 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-03 | Babu S. V. | Polishing slurry and method for chemical-mechanical polishing of copper |
EP1648974A4 (en) * | 2003-07-30 | 2008-04-23 | Climax Engineered Mat Llc | AQUEOUS SUSPENSIONS AND METHODS FOR THE CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION OF COPPER |
US7186653B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-03-06 | Climax Engineered Materials, Llc | Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing |
JP2005138197A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
US20050108947A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Mueller Brian L. | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride |
JP4974447B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2012-07-11 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2005179421A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Nissan Chem Ind Ltd | 研磨用組成物 |
JP4249008B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2009-04-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
KR100599327B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2006-07-19 | 주식회사 케이씨텍 | Cmp용 슬러리 및 그의 제조법 |
US7470295B2 (en) * | 2004-03-12 | 2008-12-30 | K.C. Tech Co., Ltd. | Polishing slurry, method of producing same, and method of polishing substrate |
CN1985361A (zh) * | 2004-07-23 | 2007-06-20 | 日立化成工业株式会社 | Cmp研磨剂以及衬底的研磨方法 |
US20060021972A1 (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Lane Sarah J | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride |
JP2006077127A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
WO2006105020A1 (en) | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Dihydroxy enol compounds used in chemical mechanical polishing compositions having metal ion oxidizers |
US20060280860A1 (en) * | 2005-06-09 | 2006-12-14 | Enthone Inc. | Cobalt electroless plating in microelectronic devices |
US8353740B2 (en) * | 2005-09-09 | 2013-01-15 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
US7708904B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-05-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
US7410899B2 (en) * | 2005-09-20 | 2008-08-12 | Enthone, Inc. | Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications |
SG136886A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-29 | Asahi Glass Co Ltd | Method for producing glass substrate for magnetic disk, and magnetic disk |
JP4957284B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2012-06-20 | 旭硝子株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスク |
JP4822348B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2011-11-24 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
CN101239785B (zh) * | 2008-02-26 | 2010-11-17 | 孙韬 | 大屏幕薄膜晶体管模组减薄液的生产方法 |
JP5376934B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-12-25 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用リンス剤組成物 |
CN101463230B (zh) * | 2009-01-16 | 2011-12-28 | 清华大学 | 一种用于硬盘盘基片的抛光组合物 |
CN101864590B (zh) * | 2010-04-26 | 2012-02-22 | 南京三乐电子信息产业集团有限公司 | 一种钼栅网电解抛光用的电解液及其制备方法和应用 |
JP5710158B2 (ja) * | 2010-06-18 | 2015-04-30 | 山口精研工業株式会社 | 研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法 |
SG191038A1 (en) * | 2010-12-06 | 2013-07-31 | Moresco Corp | Composition for polishing glass substrate, and polishing slurry |
CN102533116B (zh) * | 2010-12-10 | 2015-06-17 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
JP5896992B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2016-03-30 | バンドー化学株式会社 | 研磨フィルム |
WO2013067696A1 (en) * | 2011-11-09 | 2013-05-16 | Rhodia (China) Co., Ltd. | Additive mixture and composition and method for polishing glass substrates |
CN103059810B (zh) * | 2012-12-19 | 2014-07-16 | 青岛文创科技有限公司 | 一种研磨液 |
JP5893700B1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-23 | 花王株式会社 | 酸化珪素膜用研磨液組成物 |
CN105385359B (zh) * | 2015-12-17 | 2018-07-13 | 常州时创能源科技有限公司 | 晶体硅酸性抛光液的添加剂及其应用 |
CN106757038A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 佛山市南海铂朗助剂科技有限公司 | 一种环保光亮剂及光亮液 |
CN111378379B (zh) * | 2018-12-29 | 2022-08-05 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
JP7471118B2 (ja) | 2019-03-29 | 2024-04-19 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP2024514473A (ja) * | 2021-03-29 | 2024-04-02 | インテグリス・インコーポレーテッド | 化学機械平坦化(cmp)のための懸濁液とそれを用いる方法 |
CN113930769A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-01-14 | 广东腐蚀科学与技术创新研究院 | 一种钛合金酸洗抛光液及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61278587A (ja) | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fujimi Kenmazai Kogyo Kk | 研磨用組成物 |
JPS6225187A (ja) | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Fujimi Kenmazai Kogyo Kk | メモリ−ハ−ドデイスクの研磨用組成物 |
JPH0284485A (ja) | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Showa Denko Kk | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
JPH10204416A (ja) | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
US6280489B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-08-28 | Nihon Micro Coating Co., Ltd. | Polishing compositions |
-
1999
- 1999-09-21 JP JP26651199A patent/JP4273475B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-21 TW TW089116932A patent/TW554023B/zh active
- 2000-08-28 US US09/648,483 patent/US6423125B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-12 GB GB0022349A patent/GB2354524B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-21 CN CN00128846.6A patent/CN1288920A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1288920A (zh) | 2001-03-28 |
GB0022349D0 (en) | 2000-10-25 |
GB2354524B (en) | 2003-06-11 |
GB2354524A (en) | 2001-03-28 |
US6423125B1 (en) | 2002-07-23 |
JP4273475B2 (ja) | 2009-06-03 |
JP2001089749A (ja) | 2001-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW554023B (en) | Polishing composition | |
TW562851B (en) | Polishing composition and rinsing composition | |
JP4003116B2 (ja) | 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
TWI239990B (en) | Polishing composition | |
TW500783B (en) | Polishing composition | |
TW562852B (en) | Polishing composition and method for producing a memory hard disk | |
JP3998813B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
US5997620A (en) | Polishing composition | |
TW500785B (en) | Polishing composition and method for producing a memory hard disk | |
TW530084B (en) | Polishing composition and method for producing a memory hard disk | |
JP5890088B2 (ja) | 研磨剤組成物 | |
JP2002294225A (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法 | |
JP4068499B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP4202183B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP4202157B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP4141514B2 (ja) | リンス用組成物 | |
JP2003170349A (ja) | 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
JP4074126B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2000273445A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2005008875A (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 | |
JP2000053948A (ja) | 研磨液組成物 | |
GB2384003A (en) | Polishing method for memory hard disks | |
TW200426208A (en) | Polishing composition and polishing method |