JPS6225187A - メモリ−ハ−ドデイスクの研磨用組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、コンピュータやワードプロセッサ等のメモリ
ーハードディスクを研磨する組成物に関する。

この種のメモリーハードディスクは、アルミニウムの基
板の表面を研磨して、平滑にした基板表面に記憶用磁気
媒体の層を形成している。また。

最近では、アルミニウムの基板の表面に、化学ニッケル
めっきとも言われる無＠解ニッケルめっきに記憶用磁気
媒体の層を形成したメモリーハードディスクが試作され
た。

そして、いずれのメモリーハードディスクにおいても、
研磨には、水に酸化アルミニウムの研磨剤を懸濁した一
般用研磨スラリーが用いられた。

ところが、一般用研磨スラリーは、メモリーハードディ
スクには、研磨層が少なくて研磨能率が低く、また、オ
レンジビールのような表面欠陥が発生して研磨品質が低
く、実用的とは言い難い。

ソコで、メモリーハードディスクの研磨用組成物の開発
が要望された。

本発明の目的は、上記のような要望に答え、研磨能率と
研磨品質が高いメモリーハードディスクの研磨用組成物
を提供することである。

本発明者は、水に酸化アルミニウムの研磨剤を懸濁した
スラリーに、硝酸ニッケル又は硝酸アルミニウムの１種
の化合物を添加したところ、また。

硝酸ニッケルと硝酸アルミニウム又は硫酸ニッケルと硝
酸アルミニウムの２種の化合物を混合して添加したとこ
ろ、これらのスラリーは、メモリーハードディスクの研
磨用組成物として優れていることを発見したのである。

本発明は、上記の発見に基いて完成したものである。即
ち、水と、酸化アルミニウムの研磨剤。

及び、硝酸ニッケル又は硝酸アルミニウムの１種の研磨
促進剤、若しくは・、＠酸ニッケル又は硫酸ニッケルト
硝酸アμミニウムの２ａの研１ｍ？　促進剤からなるメ
モリーハードディスクの研磨用組成物である。

次に５本発明の実施例について説明する。

本例のメモリーハードディスクの研磨用組成物ハ、純水
にα型酸化アルミニウム（α−ＡｌｚＯｘ）の研磨剤を
懸濁し、これに次に列挙する研磨促進剤を添加したスラ
リーである。

研磨促進剤 （１）　　硝酸ニッケＡ／　（Ｎｉ　（Ｎｏ、　）、・
ｇＨ２０）（２）　　硫酸アルミニウム（Ａ（Ｊ　ＣＮ
０ｘ）ｓ　・りＥＩｔＯ）（３）硫酸ニッケ／Ｉ／（Ｎ
ｉ８０４・、４　Ｈ，０）と硝酸アルミニウム（Ａｌ（
ＮＯｘ　）ｓ　・５＞Ｉｔｚｏ）（４）　　硝酸ニッケ
／！／　（Ｎ　ｉ　（ＮＯｓ　）を俤為０）と硝酸アル
ミニウム（（ＡＮ　（ＮＯｓｈ　・りＵ、Ｏ）このヌワ
リー中の研磨促進剤の重量渡合は７〜２０％である。

また、研磨剤の重量割合は２〜３０％であり。

研磨剤の平均粒子径は０７〜／ＡＯμｍであり、研磨剤
の最大粒子径は２０μｍ以下である。

また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは、粒状ｙ）ヘ−
マ（）　（Ａｃｔ’ｓ　１ｌｔｏ、　ＡＮＯ（０４１）
）ヲｉ　／　ＯＯ〜１．！００°Ｃ″′Ｃ，！〜３時間
仮焼し、その後、粉砕して整粒したものでおる。

本例の研磨用組成物を用いてメモリーハードディスク？
研磨する場合は、従来の研磨用組成物？用いる場合と同
様であり、研磨用組成物をメモリーハードディスクの研
磨する面とその面を摺動する研磨バットの表面の間に供
給する。

次に、本発明の効果を確認する比ｒ！実験について説明
する。

本発明の研磨用組成物には、純水にα型酸化ア７Ｌ／ミ
ニウム（α−ＡｌｚＯｘ）の研磨剤を懸濁し、こねに次
に示す研磨促進剤を次に示す重虜割合添加したスラリー
を用いる。

研磨促進剤とその重量割合 （１）　　硝酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＯ３ｈ・乙１ｆ２０
）　　　　　　１０％（２）　　硝（ｔ’ｙｔレミニ’
ｙ　ム（Ａｅ（ＮＯ，）、ｌ’Ｈ２０）　　　　１０％
（５、１）硫酸ニッケル（Ｎ　ｓ　Ｓ　Ｏ４・ｇＨ！ｏ
）　　　　　　　ｑ％と硝酸アルミニウム（Ａ６　（Ｎ
Ｏｘ　）３・９Ｈ２０）乙％の合計１０％（３，り硫酸
ニッケＡ／　（Ｎ　ｉ　８０４弓１輸ｏ）　　　　　　
　　２％と硝９７　ルミ＝　＋７　ム（Ａｇ（ＮＯ３）
３−９１１４０）３’；’ｎｏ合計Ｓ％（４，１）硝酸
ニッケＡ／　（Ｎｉ　（ＮＯ，）２　・６Ｈ２０）　　
　　　　グ％と硝酸アルミニウム（Ａｎ（”０ｓ）ｘ・
９Ｈ，０）６％の合計７０％（４，２）硝酸ニッケル（
Ｎｉ（Ｎｏ３）２・４　Ｈ！０　）　　　　　　　、２
％と１ｉＦＨｔ）２７　ｔレミ＝　’ｙ　ム（ｈｅ　（
ＮＯｓ）、・デｆ（，０）　３％の合′！４ｒ５％従来
の研磨用組成物には１本発明の研磨用組成物において研
磨促進剤を添加していないスフｙ−を用いる。

本発明と従来の上記の研磨スラリーにおいて。

研磨剤の重量割合は２％であり、研磨剤の平均粒子径は
４３μｍであり、研磨剤の最大粒子径は２０μｍ以下で
ある。

また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは１粒状のベーマ
イト（Ａ１２０．−１４，０．　Ａ７）Ｏ（ＯＴ４）　
）　２　／　１５０°Ｃで３時間仮・“免し、その後、
粉砕して整粒したものである。

ａ、無電解ニッケル・りんめつき メモリーハードディスクにハ、アルミニウムの／３０ｆ
ｌ外径の円輪板状基板の両面に、そハそれ。

３０μｍ（ｑさの無電解ニッケル・りん（Ｎｉ−Ｐ）め
つき■を形成したものを用いる。めっき層の化学組成は
、ニッケルがり０〜７２％であり、りんが５〜７０％で
ある。

このディスクは１両面間時研１杵機に装填し、ディスク
の両面のめつキ層にそれぞれスウエードクロスの研磨バ
ットを当接し、ディスクと両研磨バットを相対的に摺動
して、１０分間研磨する。研磨の間、ディスクと両研磨
バットの間に本発明の研磨スラリー又は従来の研磨スラ
リーを０．　／　ｌ　７ｍ　ｉ　ｎの割合で供給する。

なお、研磨圧はｓ　Ｏｆ／♂である。

研磨の後、ディスク画面のめつき層の研磨表面を検査し
て表面欠陥の有無を調べる。次に、ディスクの厚さを計
測し、研磨による両面のめつき層の厚さ減少量を算出し
て、研磨量を求める。

この実験結果は、第１表に示す通りである。

この第１表から明らかなように１本発明の研磨スラリー
は、従来のそれに比し、無電解ニッケル・りんめつき層
の研磨量が多くて研磨能率が高く、　　　□また１表面
欠陥が認められず、研磨表面の品質が高い。

ｂ、無電解ニッケル・はう素めっき メモリーハードディスクには、アルミニウムの／３０ｔ
ｍ外径の円輪板状基板の両面に、それぞれ。

３０μｎ１厚さの無電解ニッケμ・°はり素（Ｎｉ−Ｂ
）めっき層を形成したものを用いる。めっき層の化学組
成は、ニッケ〜がり９．Ｏ〜りｑ、５％であり。

はり素がｏ、　ｓ　−／、ｏ％である。

このディヌクは、上記の無電解ニッケル・りんめつき層
の研磨実験におけるのと同様に研磨する。

この実験結果は、第２表に示す通りである。

この第２表から明らかなよりに１本発明の研磨スラリー
は、従来のそれに比し、無電解ニッケル・はう素めっき
層の研磨量が多くて研磨能率が高く。

また、表面欠陥が認められず、研磨表面の品質が高い。

０、アルマイト メモリーハードディスクには、無電解ニッケルめっき層
に代えて硫酸アルマイト層を形成したもの？用いる。

このディスクは、無電解ニッケルめっき層の研Ｓ実験に
おけるのと同様に研磨する。その結果は。

第３表に示す通りである。

第３表　　研磨促進剤と研磨結果 この第３表から明らかなように、本発明の研磨スラリー
は、従来のそれに比し、アルマイト層の研磨能率が高く
、また、研磨表面の品質が高い。

ｄ、アルミニウム メモリーハードディスクには、無電解ニッケルメっき層
やアルマイト層を形成していないアルミニウムの基板そ
のものを用いる。

このディスクは、同様に研磨し、その結果は。

第を表に示す通りである。

第μ表　　研磨促進剤と研磨結果 この第ｑ表から明らかなように１本発明の研磨スラリー
は、従来のそれに比し、アルミニウムの研磨能率が高く
、また、研磨表面の品質が高い。

発明の効果 本発明の研磨用組成物は、メモリーハードディスクを、
従来品に２けるよりも、高能率かつ高品質に研磨するこ
とができる。

特許出願人　　不二見研磨材工業株式会社′；〕）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）水と、酸化アルミニウムの研磨剤、及び、硝酸ニ
   ッケル又は硝酸アルミニウムの１種の研磨促進剤、若し
   くは、硝酸ニツケル又は硫酸ニツケルと硝酸アルミニウ
   ムの２種の研磨促進剤からなるメモリーハードディスク
   の研磨用組成物。
2. （２）研磨促進剤の重量割合が１〜２０％である特許請
   求の範囲第１項記載のメモリーハードディスクの研磨用
   組成物。
3. （３）研磨剤の重量割合が２〜３０％であり、研磨剤の
   平均粒子径が０．７〜４．０μｍであり、研磨剤の最大
   粒子径が２０μｍ以下である特許請求の範囲第１項又は
   第２項記載のメモリーハードディスクの研磨用組成物。