CN1271948A - 电子零件及无线终端装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电子零件及无线终端装置,本发明的电子零件是在基材11的表面形成导电膜12,在导电膜12上设槽13,又设置覆盖槽的保护材料14,在基材11的两端设端子部15、16构成的。对端子部15、16的长度P1～P8作出了规定,还对端子部15、16的表面光洁度和构成材料及保护材料的构成作出了规定,目的在于提供生产容易程度、安装性能、零件特性等至少有一项能够得到提高的电子零件及使用该零件的无线终端装置。

Description

电子零件及无线终端装置
本发明涉及移动通信等电子设备使用的、特别是适合高频电路等使用的电子零件及使用该零件的无线终端装置。本发明特别涉及在绝缘性基材上设置导电膜的电子零件及无线终端装置。
图17是表示已有的电感元件的侧视图。已有的电感元件由方柱形或圆柱形的基材1上形成的导电膜2、设在导电膜2上的槽3、以及叠层于导电膜2上并用电沉积膜构成的保护材料4构成。
这样的电子零件，利用调整槽3的间隔等的方法，可以得到预定的电学特性。
已有的这种电子零件的例子，在日本专利局的特开平7-307201号公报、特开平7-297033号公报、特开平5-129133号公报、特开平1-238003号公报、实开昭57-117636号公报、特开平5-299250号公报等上有记载。
但是，随着元件的小型化，就出现元件的安装性能变坏，或是电学特性变坏的问题。
又，在用电沉积膜构成保护材料4的情况下，由于电沉积膜本身的机械强度(硬度)小，在制造过程中和元件安装时，通过电沉积膜对导电膜2加力，或引起导电膜2断裂，或使元件的性能劣化。特别是在导电膜2形成线圈状的情况下，由于发生短路等问题，或线圈状的导电膜2发生弯曲，影响很大。
近年来，随着装置的小型化，元件越是变得小，上述问题越是显著表现出来。
本发明的电子零件的特征在于，具备基材、在所述基材上设置的导电膜、在所述导电膜上设置的槽、以及在所述基材的两个端面上设置的一对端子部，所述一对端子部相对的方向、即长度方向上电子零件的长度L1与所述一对端子部各自在长度方向的剖面的长度P5、P6的关系如下：
0.07＜P5/L1＜0.35
0.07＜P6/L1＜0.35
又，本发明的无线终端装置是将上述本发明的电子零件使用于发送电路、滤波器电路、天线部分、以及各级的耦合电路外围部分中的至少一个电路的装置。
图1是本发明一实施形态的电感元件图。
图2是本发明一实施形态的电感元件的侧剖面图。
图3是本发明一实施形态的电感元件中使用的基材的立体图。
图4是本发明一实施形态的电感元件中使用的基材的表面光洁度和导电膜剥离的发生率的关系曲线图。
图5是本发明一实施形态的电感元件中使用的基材的表面光洁度和频率及Q值的关系曲线图。
图6是本发明一实施形态的电感元件中使用的导电膜表面光洁度和频率及Q值的关系曲线图。
图7是本发明一实施形态的电感元件中设置有保护材料的部分的放大剖面图。
图8是本发明一实施形态的电感元件中设置保护材料的工序图。
图9表示所谓「曼哈顿现象」。
图10是表示本发明一实施形态的电子零件的端子部分膜厚与电极润湿现象发生时间的的关系曲线。
图11是本发明一实施形态的电子零件的端子部分的膜厚与元件的Q值的关系曲线。
图12是表示本发明一实施形态的无线终端装置的立体图。
图13是表示本发明一实施形态的无线终端装置的方框图。
图14是表示电子零件的应力测定方法的概略图。
图15是表示本发明一实施形态的电子零件的绝缘层膜厚与特性不良的发生率的关系曲线。
图16是表示本发明一实施形态的电子零件的绝缘层膜厚与表面形状的关系曲线。
图17是表示已有的电感元件的侧视图。
下面以电感元件为例具体说明本发明的电子零件及无线终端装置的实施形态。
在图1中，基材11是利用对绝缘材料等进行压力加工、挤压等方法制造。设置于基材11上面的导电膜12利用镀膜法、溅射、CVD、蒸镀法等方法形成于基材11上。
设在基材11及导电膜12上的槽13是利用激光光束等照射导电膜12形成，或利用砂轮等机械方法形成，或利用抗蚀剂等通过选择性刻蚀形成。
在基材11及导电膜12的槽13的部分涂布的保护材料14由14a及14b二层构成。在基材11的两端形成端子部15与端子部16。
又，本实施形态的电感元件，其实用频带对应于1～6GHz的高频频带，而且具有非常高的Q值(20以上：800MHz)。这种电感元件的长度L1、宽度L2、高度L3最好是具有如下关系：
L1＝0.2～2.0mm(最好是0.3～0.8mm)
L2＝0.1～1.0mm(最好是0.1～0.4mm)
L3＝0.1～1.0mm(最好是0.1～0.4mm)
(还有，L1、L2、L3各自的尺寸公差最好是在0.02mm以下。)
如果L1小于0.2mm，则不能得到需要的电感。又，如果L1大于2.0mm，则元件本身变大，形成电子电路等的基板(下面简称“电路基板”)等不能实现小型化，进而装有该电路基板等的电子设备等也就不能够实现小型化。又，如果L2、L3分别小于0.1mm，则元件本身的机械强度太差，在用安装装置等在电路基板等上面进行安装时，有可能发生元件折断等情况。又，如果L2、L3大于1.0mm，则元件过大，不能够实现电路基板的小型化，进而也就不能够实现装置的小型化。
下面对具有上面所述结构的电感元件的各部分进行详细说明。
首先对基材11的形状进行说明。
基材11最好是方柱形或圆柱形。如图1、图2所示将基材11做成多边柱形，具有使元件适于安装，又可以防止元件滚动等效果。又，将基材11做成多边柱形时取方柱形特别适于安装，而且元件在电路基板上容易定位。还有，更加理想的是，做成剖面为正方形的长方体能够进一步提高安装性能等。还有，将基材11做成多边柱形会使结构变得非常简单，因此，生产容易，而且成本方面也非常有利。
又，基材11采用圆柱形，如下所述在基材11上形成导电膜12，在该导电膜12上利用激光加工形成槽时，这种槽的深度等能够以高精度形成，能够抑制线圈特性的偏差。
下面利用图3对基材11的倒角进行说明。
图3是基材11的立体图。
对基材11的角部11b、11c实施倒角，该倒角的角部11b、11c的曲率半径分别为R1，而角部11a的曲率半径为R2，最好是R1与R2满足如下关系：
0.01＜R1＜0.15(单位mm)
0.01＜R2(单位mm)
如果R1小于0.01mm，则角部11b、11c为尖角，稍微有碰撞等情况发生时，角部11b、11c就会发生破碎等。该破碎会导致特性劣化等情况发生。又，假如R1大于0.15mm，则角部11b、11c变得过于圆钝，容易引起所谓「曼哈顿现象」，产生不利的情况。又假如R2小于0.01mm，则角部11a容易发生毛刺等情况，在很大程度上左右着元件特性的导电膜12的厚度在角部11f与平坦部分有很大的不同，元件特性的偏差将会变大。
下面对基材11的结构材料加以说明。基材11的结构材料最好是满足下述特性。
体固有电阻：1013Ωm以上(最好是1014Ωm以上)
热涨系数：5×10-4/℃以下(最好是2×10-5/℃以下)
(这里所述的热涨系数值是20℃～500℃时的数值)
相对介电常数：在1MHz为12以下(最好是10以下)
弯曲强度：1300kg/cm2(最好是2000kg/cm2以上)
密度：2～5g/cm3(最好是3～4g/cm3)
基材11的结构材料如果体固有电阻小于1013Ωm，则与导电膜一起，基材11也开始有电流流过，因此成了形成并联电路的状态，自振频率f0及Q值变低，用作高频元件不适合。
又，热涨系数如果大于5×10-4/℃，则由于热冲击等原因，基材11有可能发生裂纹。也就是说，热涨系数一旦大于5×10-4/℃，由于如上所述在形成槽13时使用激光光束或砂轮，基材11局部产生高温，在基材11上会发生裂纹等。基材11具有上面所述的热涨系数时，可以大大减少裂纹等的发生。
又，如果相对介电常数在1MHz为12以上，则自振频率f0及Q值变低，不适合用作高频元件。
弯曲强度如果小于1300kg/cm2，则用安装装置在电路基板上进行安装时时，可能发生元件折断的情况。
如果密度小于2g/cm3，则基材11的吸水率变高，基材11的特性显著变坏，作为元件的特性也将变坏。又，如果密度大于5g/cm3，则基材的重量变大，安装或其他情况下会发生问题。特别是如果将密度设定于上述范围内，则吸水率又小，基材11又几乎不会有水进入，而且重量也轻，用装片机等安装装置在基板上进行安装时也不会发生问题。
这样对基材11的体固有电阻、热涨系数、介电常数、弯曲强度、密度进行规定，①使自振频率f0及Q值不降低。②能用作高频元件。③可以抑制由于热冲击等原因而在基材11上产生裂纹等的情况，降低不合格率。④还可以提高机械强度。其结果是，能够使用安装装置等在电路基板上进行安装，因此能够得到提高生产效率等理想效果。
能够得到上述各项特性的材料，可以举出以氧化铝为主要成分的陶瓷材料。但是，只是使用以氧化铝为主要成分的陶瓷材料也不能得到上述各项特性。也就是说，上述各项特性因制作基材11时的压制压力和烧结温度以及添加物的不同而不同，因此必须对制作条件等进行适当调整。具体的制作条件，可以举出如基材11加工时的压制压力为2～5吨、烧结温度1500～1600℃、烧结时间1～3小时等条件。氧化铝材料的具体成分可以举出例如Al2O3为92重量％以上，SiO2为6重量％以下，MgO为1.5重量％以下，Fe2O3为0.1重量％以下，Na2O为0.3重量％以下等。
又，基材11也可以采用铁氧体等磁性材料构成。如果采用铁氧体等磁性材料构成基材11，则能够形成具有高电感量(18nH～50nH)的元件。在这种情况下，最好是使用适合上述体固有电阻值范围的高电阻铁氧体。
下面对基材11的表面光洁度加以说明。还有，下面的说明中出现的表面光洁度全部意味着是中心线平均光洁度。导电膜12的说明等中出现的光洁度也是中心线平均光洁度。基材11的表面光洁度应该是0.15～0.5微米左右，最好是0.2～0.3微米左右。
图4是基材11的表面光洁度与导电膜12的剥离发生率的关系曲线图。图4是如下所述试验的结果。基材11及导电膜12分别用氧化铝、铜构成，使用光洁度不同的各种基材11制作试样，在该各试样上以相同的条件形成导电膜12，对各试样进行超声波清洗，其后对导电膜12的表面进行观察，测定导电膜12有否剥离。基材11的表面光洁度测定使用(东京精密サ-フコム社制造的574A型)表面光洁度测定器，使用的探针前端的半径R为5微米。由测定结果可知，若平均表面光洁度(Ra)为0.15微米以下，则形成于基材11上的导电膜12的剥离发生率为5％左右，能够得到良好的基材11与导电膜12的粘合强度。还有，如果表面光洁度在0.2微米以上，则几乎不会发生导电膜12剥离的情况。因此基材11的表面光洁度最好是0.2微米以上。导电膜12的剥离是元件特性劣化的重大原因，因此从成品率等角度出发，要求剥离的发生率最好是5％以下。
图5是本发明一实施形态的电感元件使用的基材的表面光洁度和频率及Q值的关系曲线。图5表示下述试验结果。首先，制作表面光洁度分别为0.1微米以下、0.2～0.3微米、0.5微米以上的基材11的试样。各试样使用相同的材料(铜)以相同的厚度形成导电膜。然后在各试样测定规定频率F下的Q值。由图5可知，如果基材11的表面光洁度大于0.5微米，则能够发现Q值下降的情况发生，而Q值下降被认为是导电膜12的膜结构变坏引起的。特别是在高频区域，能够看到Q值明显变坏。又，基材11的表面光洁度为0.5微米时，其自振频率f0(Q值为0的点)向低频侧移动。因此，从Q值及自振频率f0的角度看来，基材11的表面光洁度最好是取0.5微米以下。
如上所述，根据导电膜12与基材11的粘合强度以及导电膜的Q值及自振频率f0两方面的结果判断，基材11的表面光洁度为0.15微米～0.5微米为好，更理想的是0.2微米～0.3微米。
还有，在本实施形态中，导电膜12与基材11的粘合强度可以利用调整基材11的表面光洁度的方法使其提高，但是也可以不调整表面光洁度，而利用在基材11与导电膜12之间设置碳素单体或在碳素中添加规定的元素的材料、金属材料、Cr单体或Cr与其他金属的合金的至少一种构成的中间层的方法提高基材11与导电膜12之间的粘合强度。当然，如果对基材11的表面光洁度进行调整，又在该基材11上层积中间层及导电膜12，则能够得到更大的导电膜12与基材11的粘合强度。
下面对导电膜12进行说明。
导电膜12最好是对于800MHz以上的高频信号，其Q值大于20，而且自振频率为1～6GHz。为了得到具有这样特性的导电膜12，必须对材料及制造方法进行选择。
下面对导电膜12进行具体说明
导电膜12的结构材料有例如铜、银、金、镍等导电性材料。为了提高耐候性能，也可以在该铜、银、金、镍等材料中添加其他元素。也可以使用导电性材料与其他非金属材料等的合金。从成本、耐蚀性能以及加工性能方面考虑，最好是使用铜及其合金作为其结构材料。在使用铜等作为导电膜12的结构材料的情况下，首先利用化学镀在基材11上形成底膜，在该底膜上用电镀方法形成规定的铜膜，从而形成导电膜12。又，在用合金等形成导电膜12的情况下，最好是采用溅射方法、蒸镀方法及烧结方法。
还有，在本实施形态中利用例如铜等构成导电膜12，在将其膜的厚度制作得较大以抑制自身发热的情况下，在导电膜12上形成的槽13的宽度K1与槽13和槽13之间的导电膜12的宽度K2最好是满足下述关系：
30微米＞K1＞10微米
300微米＞K2＞10微米
特别是如上所述，长度L1、宽度L2、高度L3满足下述关系，即
L1＝0.2～2.0mm(最好是0.3～0.8mm)
L2＝0.1～1.0mm(最好是0.1～0.4mm)
L3＝0.1～1.0mm(最好是0.1～0.4mm)
(而且最好是L1、L2、L3的尺寸公差小于0.02mm。)的电感元件中，将K1、K2取上述范围可以使电阻减小。而且能够高精度地在导电膜12上形成槽13，还能够在导电膜12的膜厚比较厚的情况下可靠地形成槽13。
导电膜12可以是单层结构，也可以是多层结构。也就是说也可以采用结构材料不同的导电膜多层叠层的结构。例如在基材11上首先形成铜膜，然后在其上叠层形成耐候性能良好的金属膜(镍等)，借助于此，可以防止耐候性方面稍微有些问题的铜的腐蚀。
导电膜12的形成方法有例如烧结方法、镀膜方法(电镀方法和化学镀的方法等)、溅射方法、CVD法、蒸镀方法等。其形成方法中以便于大量生产、而且膜厚偏差小的镀膜方法更为理想。
导电膜12的表面光洁度最好是1微米以下，更为理想的是0.2微米以下。导电膜12的表面光洁度如果大于1微米，则会由于趋肤效应而在高频范围Q值下降。图6是本发明一实施形态的电感元件使用的导电膜的表面光洁度与频率和Q值的关系曲线。图6是通过下述试验得出的。首先，在相同大小、相同材料、相同表面光洁度构成的基材11上改变以铜为结构材料的导电膜12的表面光洁度形成导电膜12，对各试样在各种频率下测定Q值。从图6可知，在导电膜12的表面光洁度大于1微米时，高频区域的Q值下降。而如果导电膜12的表面光洁度小于0.2微米，则特别是高频区域的Q值非常高。
如上所述，导电膜12的表面光洁度小于1.0微米是合适的，更理想的是取0.2微米以下，这样可以使导电膜12的趋肤效应减小，特别是可以使高频区域的Q值得到提高。
而导电膜12与基材11的粘合强度最好是达到把形成导电膜12的基材11在400℃的温度下放置数秒钟后导电膜12不会从基材11剥落的程度。在将元件安装于基板上时，元件本身发热而且也受到其他元器件来的热量，因此元件有时候被加热到200℃以上的温度。因此如果具有在400℃不发生导电膜12从基材11剥离的粘合强度，则即使对元件进行加热，也不会发生元件特性劣化等情况。
下面利用图7对保护材料14进行说明。保护材料14最好是利用多层绝缘层叠层构成。
例如最好是在导电膜12上直接形成电沉积膜14a之后，在电沉积膜14a上形成其他绝缘层14b(环氧树脂等)。利用这种结构，电沉积膜14a可以可靠地覆盖形成于导电膜12的槽13的边界部的角部12p，而且能够比较均匀地形成，因此角部与角部之间的放电、短路等造成电气性能劣化的可能性小。但是，只有电沉积膜14a，则存在有电沉积膜14a本身的硬度和耐久性能等的问题。为了解决该问题，在电沉积膜14a上设置硬度高和耐久性能好的绝缘层14b，以此可以使电学特性以及耐久性能两者都得到提高。还有，使金属氧化物(最好是钛的氧化物颗粒)、碳素颗粒或氧化铝颗粒等分散在电沉积膜14a内，以此可以提高电沉积膜14a的硬度。
电沉积膜14a的厚度最好是取10～30微米。假如取10微米以下的膜厚，则安装时与邻近的零件等之间的绝缘性能下降，产生电感变化等不良情况。膜厚如果大于30微米，则保护材料14的表面平坦程度变坏，自振频率f0和Q值下降。
电沉积膜14a的具体结构材料是丙烯系树脂、环氧系树脂、氟系树脂、聚氨酯系树脂、聚酰亚胺系树脂等树脂材料中的至少一种或这些树脂的改性树脂构成的。又，电沉积膜14a选用阳离子系、阴离子系树脂材料中的某一种时，最好是考虑导电膜12的结构材料、电沉积膜的结构材料、电感元件的用途等再进行决定。电沉积膜14a也可以是以不同的材料构成的电沉积膜叠层构成，也可以是相同的材料叠层构成，还可以把多层电沉积膜并列设置于槽部13之上。
又，电沉积膜14a最好是厚度数十微米，具有20V以上的耐压，而且在共晶焊料的熔点183℃下具有不燃烧、不蒸发的特性。还有，如果在183℃下电沉积膜14a发生软化，则特别不合适。
又，如图7(a)所示构成的电沉积膜14a最好是设置得能够把导电膜12与基材11两者的至少一部分加以覆盖。这样设置保护材料14，可以大致将导电膜12加以覆盖，而且能够使导电膜12与外部气体等接触的几率减少到极少。结果，能够防止导电膜12的腐蚀和电流的泄漏等情况发生。如图7(b)所示只在导电膜12上设置电沉积膜14a的情况下，导电膜12的角部12z露出的可能性较大，常常成为导电膜12腐蚀的原因。
因此，可以如图7(a)所示利用电沉积膜14a将基材11的至少一部分及包括导电膜12的角部12z加以覆盖的结构，对导电膜12进行可靠的保护。
又，如图7所示，导电膜12的靠外边的角部12p上形成的保护膜14的一部分14z最好是做得比其他部分厚。将保护膜14的一部分14z做得厚，可以防止角部12p与其他部分之间的放电等情况发生，防止作为电感元件的性能变坏。
将电沉积时的电流密度、相对的电极的距离等加以调整能够达到把保护膜14的一部分14z做得厚的效果。
对于使用在特殊用途等的电感元件，有时候很重要的是要加大导电膜12与电沉积膜14a的粘合强度。在这种情况下，最好是利用化学刻蚀方法使导电膜12的表面粗化，在该粗化的表面形成电沉积膜14a。如上所述，一旦使导电膜12的表面粗化，有导致Q值下降的危险，但是在特殊用途等情况下，有时候提高电沉积膜14a与导电膜12的粘合强度比Q值还重要。这时必须考虑用途等方面适当地决定导电膜12的粗细程度。
又，在使用含铜的材料构成导电膜12的情况下，由于有时候形成的电沉积膜14a的膜厚不均匀，在这种情况下，也可以在导电膜12上形成Ni等金属膜，再在该金属膜上形成电沉积膜14a。
下面对电沉积膜14a的形成方法加以说明。
如图8所示，在容器100中放入水、电沉积树脂、pH调整剂等调整剂及其他添加剂等混合的溶液101。在支持构件104、105上设置将电感元件103的两端嵌入的孔。在支持构件105上设置通电部分106，该通电部分106与电感元件103接触。
在电极板102及通电部分106施加规定的电压，则在电感元件103的除了两端部的部分形成了电沉积膜。这是由于电感元件103的端子部15、16进入支持构件104、105中，与溶液101的接触少。还有，在本实施形态中是把端子部分15、16嵌入支持构件104、105的，但是也可以采用预先在端子部分15、16上设置光刻胶等其他掩模材料进行电沉积的结构。
如上所述，在制作具有电沉积膜14a的电感元件之后，最好对元件进行热处理。利用这种热处理的方法，使电沉积膜14a的表面变光滑，提高表面光洁度，使电沉积膜14a可靠地覆盖导电膜12。有时一旦进行了热处理，导电膜的角部12p的电沉积膜14a的厚度会变薄，在这种情况下，在溶液101中混入绝缘性的微小颗粒(例如金属氧化物等)，使电沉积膜14a中保持有这种绝缘性颗粒，能够防止导电膜12的角部的电沉积膜14a的厚度变薄。
在具有如上所述结构的电沉积膜14a上再次涂布绝缘层14b。该绝缘层14b最好是由机械强度比电沉积膜14a大的(特别是硬度大的)材料构成。利用这样的结构，即使电绝缘性能优异的电沉积膜14a由例如机械强度小的材料构成，也能够得到足够的机械强度。
这时，绝缘层14b的膜厚最好是取5微米～20微米。如果膜厚小于5微米，则问题在于，保护材料14的强度差，在安装等情况下会给线圈状导电膜13造成破坏，可能发生线圈状导电膜13断线、性能变坏的情况。如果膜厚超过20微米，则产生的问题是，保护材料14的表明容易产生圆角，安装时可能导致元件位置的稳定性变坏，同时在安装等情况下容易产生吸附不可靠的情况。
下面利用图14～16对上述绝缘层14b的膜厚规定的根据进行详细说明。
首先，如图14所示，用前端半径为0.05mm的针头100以0.5kg的压力对电子零件101加压压紧，求这时电子零件特性变坏的发生率。这时电子零件的电沉积膜14a取20微米，改变绝缘层14b的厚度进行上述试验。试验结果如图15所示。由图15可知，绝缘层14b的厚度如果超过5微米，则几乎不发生电子零件特性不良的情况。还了解到，这时电子零件特性不良的原因是发生断线和短路等情况。
接着，从图16可知，元件长度取0.6mm、高度及宽度取0.3mm的电子零件，如果绝缘层14b的厚度大于20微米，则表面的弯曲度接近0.15，几乎成圆筒状，吸附在安装机器上的性能很不好。
绝缘层14b的具体结构材料有例如环氧系树脂和丙烯系树脂等。这样的材料硬度较大，能够可靠地保护导电膜13。
又，电沉积膜14a与绝缘层14b的厚度比例，以电沉积膜14a为1，最好是取绝缘层14b为0.1～1.0。比例小于0.1，则绝缘层14b的厚度太薄，得不到规定的强度，而如果绝缘层14b的厚度比例大于1，则表面形状变坏，发生吸附不可靠的情况，安装性能变坏。
又，绝缘层14b的表面光洁度最好是平均光洁度在2微米以下。表面光洁度如果大于2微米，吸附特性等性能就会变坏。
而且，绝缘层14b的硬度最好是取铅笔芯硬度的4～9H。如果绝缘层14b的硬度小于4H，如上所述，就不能可靠地保护导电膜12等。而如果硬度超过9H，在吸附时有可能在绝缘层14b上发生裂纹。
又，绝缘层14b的绝缘电阻最好是取1010欧姆米以上(更加理想的是取1012欧姆米以上)，如果小于这一绝缘电阻值，则会发生Q值劣化等情况。
又，基材11的角部的保护材料14的厚度至少取5微米以上，最好是取10微米以上、50微米以下。
端子部15、16如图2所示，利用在基材11上直接形成端子部15、16的方法，可以提高端子部15、16与基材11的结合强度。还有，也可以一直到基材11的端面都形成导电膜12，在形成于该端面上的导电膜12上设置端子部15、16。采用这样的结构时，由于导电膜12具有比较好的表面，因此在该导电膜12上设置的端子部15、16能够得到良好的特性。还有，这时下面说明的表示端子部15、16的尺寸的P1～P8不包含导电膜12的厚度。
基材11的长度方向上的端子部15、16的长度P5、P6最好是分别满足下述关系式，而L1如上所述，是表示元件的全长。
0.07＜P5/L1＜0.35
0.07＜P6/L1＜0.35
P5/L1及P6/L1小于0.07的情况下，在将元件安装于电路基板上时与电路基板上的电极等的接合面积小，可能发生结合强度劣化或发生“曼哈顿现象”等。上述比值大于0.35时，端子部15、16相互接近，在电路基板等上面进行安装时端子部15、16之间可能发生短路。
还有，端子部15、16的表面光洁度最好是0.3微米～10微米(最好是0.5微米～3微米)。也就是说，端子部15、16的表面光洁度如果小于0.3微米，则与设置于电路基板等上面的电极的接合面积小，结合强度也小。如果表面光洁度大于10微米，则在端子部15、16上形成其他导电膜等时，该导电膜的性能就会变坏。
又，端子部15、16的比电阻值取5×10-4欧姆厘米以下(最好是1×10-4欧姆厘米以下)对于提高电学特性是有效的。
而且，端子部15、16使用的导电性材料的结晶颗粒直径，在呈片状的情况下最好是1～5微米(更加理想的是2～3微米)，呈球状的情况下最好是0.1微米～2.0微米(更加理想的是0.2～1.0微米)。
又，形成于基材11端面上的端子部15、16的最大长度P1、P2最好分别为10微米～40微米(更加理想的是20～35微米)。如果P1、P2为10微米以下，则可能发生端子部15、16的电极润湿时间短的问题。其理由是，在将元件安装于电路基板等上面进行回流焊接等焊接时，如果不以较短的时间进行回流，则在端子部15、16会发生电极润湿现象，元件与电路的接合不好。因此必须把回流等的加热时间缩短，但是加热时间一缩短，连接元件与电路基板的焊接材料不能够充分熔化，焊接强度等会发生问题。
在(350℃的)焊料浸渍试验中，电极润湿时间T与P1、P2的长度(t)的关系如图10所示。由图10可知，如果P1、P2的长度为10微米以下，则在7.5秒钟以下发生电极润湿现象。如果如上所述为了防止发生焊料润湿现象而以较短的时间结束焊接，则由于焊接材料没有充分熔化，因此不能够得到足够的焊接强度。也就是说，P1、P2的长度最好是取10微米以上。
又，如果P1、P2的长度大于40微米，由于产品的外形尺寸是固定的，所以不得不缩短基材11的长度。结果是Q值变差了。如图11所示，P1、P2的长度ta如果变大，则基材11的长度必然变短，因此发生Q值变坏的情况。所以P1、P2最好是取40微米以下。图11中只是画到ta为25微米的情况，而考虑实际使用的Q值，则最好是ta小于40微米。
还有，在基材11的侧面，在保护材料14上形成的端子部15、16的最大厚度P3、P4最好是分别取10微米～40微米(更加理想的是15微米～35微米)。P3、P4如果小于10微米，则如图10所示，发生电极润湿现象的时间变短。又如图11所示，如果加大P3、P4(图11中的tb)，则不得不将基材11做得细，Q值就会变坏，因此最好是P3、P4小于40微米。图11中只是画到tb为25微米的情况，而考虑实用的Q值，tb最好是取40微米以下。
又，从图11可知，tb变大比ta变大更显著地导致Q值变坏，因此，将P3、P4的厚度分别做得比P1、P2薄是防止Q值变坏的理想的办法。具体地说，在将P1、P2的厚度分别做成30微米时，使P3、P4的厚度分别小于30微米，而且最好是以10微米以上的厚度构成。
基材11的端面一侧的角部上形成的端子部15、16的厚度P7、P8最好是取7微米～38微米。如果P7、P8小于7微米，则电极润湿现象发生的时间变短，这是不理想的。又，如果P7、P8比P1～P4薄，则设置于角部上的端子部15、16不凸出，不能够提高安装性能。具体地说，P7、P8最好是取38微米以下。
又，端子部15、16的剖面最好是完全弯曲呈曲面状，在端子部15、16上不存在棱角，这样的结构对于抑制碎屑的发生等情况是理想的结构。
又，为了提高端子部15、16的耐候性能，可以在端子部15、16上设置膜厚为0.5～3微米的钛、镍、钨、铬等的耐腐蚀金属膜，或这些金属材料的合金膜(Ni-Cr等)等耐腐蚀膜。特别是使用纯Ni或Ni合金，在性能和成本等方面都是理想的。
还有，为了提高端子部15、16与电路基板等的接合性能，也可以在端子部15、16或上述耐腐蚀膜上用焊料或无铅焊接材料(纯锡或在锡中添加银、铜、锌、铋、铟中的至少一种的无铅焊料等)形成5～30微米厚度的焊接膜。
通常，电子零件以在端子部15、16上形成上述耐腐蚀膜及焊接膜为前提，决定与端子部15、16有关的长度P1～P8。在只用端子部15、16作为成品的情况下，产品尺寸以上述P1～P8的长度形成。在端子部15、16上形成耐腐蚀膜和焊接膜中的至少一种时，在该P1～P8所示的长度上要加上耐腐蚀膜、焊接膜的厚度。也就是说，以耐腐蚀膜和焊接膜的至少一种叠层于端子部15、16上的总长度作为P1～P8的长度。
作为构成上述端子部15、16的一种手段，有一种方法是将导电膏涂布于基材11的端面，然后进行加热等处理形成端子部15、16。下面对涂布型端子部的形成方法进行说明。
首先，导电膏至少包含导电性材料、树脂材料、以及溶剂。作为导电性材料，可以使用例如金、银、铜、镍等显示出导电性的金属颗粒，特别是银颗粒在性能、加工性能、成本等方面都特别优异。使用片状时，金属颗粒的粒径最好是1～5微米(更加理想的是2～3微米)，使用球状时，金属颗粒的粒径最好是0.1微米～2.0微米(更加理想的是0.2微米～0.5微米)。树脂材料可以使用酚醛树脂、丙烯树脂、环氧树脂等，溶剂可以使用二甘醇-乙醚丁酯(butyl carbitol)等。
导电膏的理想配比是导电性材料50～70重量％、树脂材料10～20重量％、溶剂20～30重量％。该导电膏中还可以包含粘度调整材料等调整材料。
利用浸渍方法使具有上述构成的导电膏附着于基材11的端部，或通过辊筒等使其附着于基材11的端部。这时，在使用浸渍方法的情况下，把导电膏的粘度调整为10～30Pa·s左右，在使用辊筒的情况下调整为20～50Pa·s左右。
在将导电膏涂布于基材11上之后，以150℃～230℃左右的温度进行30～60分钟的热处理，形成端子部15、16。这时的端子部15、16的P1～P8的长度等以上面所述长度形成。在其上根据需要设置耐腐蚀膜和焊接膜等。
又如图2所示，最好是使端子部15、16的高度Z1及Z2满足下面所述条件。
|Z1-Z2|≤80微米(最好是50微米)
Z1与Z2的高度差如果超过80微米，则将元件安装于基板上，用焊料等将其连接在电路基板上时，由于焊料等的表面张力的作用，元件被拉向一端，元件将竖立起来，这种所谓“曼哈顿现象”发生的几率非常高。下面利用图9对所谓“曼哈顿现象”进行说明。
如图9所示，在基板200上配置元件时，分别在端子部15、16与基板200之间放置焊料201、202。回流炉等加热使焊料201、202熔化时，由于焊料201、202的涂布量不同或熔化时间不同，就会有在端子部15与端子部16熔化的焊料201、202的表面张力也不同的情况发生。结果，元件如图9所示以一边的端子部为中心旋转，元件竖立起来。
如果Z1与Z2的高度差超过80微米(理想的是50微米以下)，元件就会以倾斜的状态配置在基板上，将促进元件竖立。又，特别是在小型、重量轻的片状电子零件(包括片状电感元件)的情况下，发生所谓“曼哈顿现象”的情况更加显著。
本发明人着眼于曼哈顿现象的发生原因之一、即由于端子部15、16的高度不同而在基板200上倾斜配置元件的情况，加工时将Z1与Z2的高度差限制在80微米以下(理想的是50微米以下)，结果能够大幅度抑制该曼哈顿现象的发生。而且通过将Z1与Z2的高度差限制在50微米以下，则大致能够抑制曼哈顿现象的发生。
还有，端子部15、16的具体结构可以举出例如下面所述的结构。
(1)以在基材的端面上直接使包含银等的导电膏固化形成的导体膜作为端子部15、16。
(2)在上述(1)中，一直到基材的端面上都设置导电膜12，再在该导电膜12上叠层设置导体膜作为端子部15、16。
(3)在上述(1)、(2)中，在导体膜上还设置耐腐蚀膜或焊接膜中的至少一种作为端子部15、16。
(4)一直到基材的端面都设置导电膜12，以形成于该导电膜12上的焊接层和耐腐蚀膜的至少一种作为端子部15、16。
又，下面对端子部15、16与槽13形成的螺旋状导体12(线圈)的关系加以说明。
端子部15、16与槽13的端部采用隔着保护材料14相对的结构，借助于此，可以把螺旋状导体12的形成长度做得长，因此在需要高电感量的情况下是有效的。也就是说，由槽13形成的线圈状的导体表面不与端子部15、16直接接触，而隔着保护材料14相对，只在导体12的端面与端子部15、16直接接触，因此能够增加线圈状导体的圈数，设定较高的电感值。
还有，在本实施形态中对使用导电膏形成端子部15、16的例子作出了说明，但是也可以采用镀金方法形成端子部、耐腐蚀膜、焊接膜中的至少一个，从而形成端子部15、16。
还有，在本实施形态中采用在基材11的整个端面形成端子部15、16的结构，但是也可以采用去除基材11的端面上形成的端子部的至少一部分的结构，借助于此可以提供所谓无焊脚型(filletless)的电子零件。
下面对具有上述结构的电感元件的制造方法加以说明。
首先，将氧化铝等绝缘材料利用模压成型或挤压方法制作数个到数十个元件用的棒状基材。接着在整个该基材11上用镀膜或溅射等方法在大致整个面上形成导电膜12。然后在形成了导电膜12的基材11上以规定的间隔设置多条螺旋状槽13，再将基材切断，在切断面之间夹有螺旋状槽13，这样制成在基材11上形成导电膜12与槽13的半成品元件。
槽13利用激光加工或切削加工方法制成。激光加工方法生产效率非常高，因此下面对激光加工方法进行说明。首先把基材11装在旋转装置上，使基材11旋转，然后对基材11照射激光，去除导电膜12及基材11表面的一部分，形成螺旋状槽。这时使用的激光可以是YAG激光器、准分子激光器、二氧化碳激光器等。利用透镜等将激光聚焦照射于基材11。还有，槽13的深度等利用调整激光功率的方法加以调整，槽13的宽度等利用更换使激光聚焦用的透镜的方法进行调整。又，激光的吸收率因导电膜12的构成材料不同而不同，因此激光的种类(激光波长)最好根据导电膜12的构成材料适当进行选择。除了利用激光外，还可以使用砂轮等形成槽13。
形成槽13之后利用电沉积方法等首先在导电膜12上形成电沉积膜14a，再在其上形成绝缘层14b，又在基材11的除了两个端面以外的部分(基材11的侧面部分)形成保护材料14。
接着，在基材11的两端面涂布导电膏，实施热处理等方法，或再利用镀膜等方法形成端子部15、16。
在这一时刻，虽然成品完成了，但是如前所述，还将根据规格等设置耐腐蚀膜和焊接膜。
还有，本实施形态对电感元件进行了说明，但是对于在绝缘基体上面形成导电膜的其他电子零件也能够得到相同的效果。
又，利用以导电膜12作为电阻膜的方法，可以制作小型的片状电阻。又可以利用设置环形槽代替导电膜12的螺旋状槽13，将导电膜12分为至少2部分的方法，将其作为片状电容器使用。
图12及图13分别为表示本发明一实施形态的无线终端装置的立体图及方框图。在图12及图13，29是将声音变换为音频信号的麦克风，30是将音频信号变换为声音的扬声器，31是拨号按钮等构成的操作部，32是表示信息接收等的显示部，33是天线，34是将来自麦克风29的音频信号调制变换为发送信号的发送部，发送部34生成的发送信号通过天线33向外部送出。35是将天线33接收的信号变换为音频信号的接收部，接收部35生成的音频信号由扬声器30变换为声音。36是对发送部34、接收部35、操作部31及显示部32进行控制的控制部。
下面对其工作的一个例子进行说明。
首先，在接收到信息的情况下，从接收部35向控制部36输出接收到的信号，控制部36根据该接收到的信号在显示部32显示规定的字符(character)等，一旦操作部31按下表示接收到来的信号的按钮，信号就被送到控制部36，控制部36就设定各部分为接收模式。即以天线33接收的信号由接收部35变换为音频信号，音频信号由扬声器30变换为声音输出，同时从麦克风29输入的声音被变换为音频信号，通过发送部34经天线33传送到外部。
下面对发送信号的情况进行说明。
首先，在发送信号的情况下，从操作部31向控制部36输入表示想要发送的信号。接着，相当于电话号码的信号从操作部31传送到控制部36来，控制部36就通过发送部34把与电话号码对应的信号从天线33发出。如果利用该发送信号建立了与对方的通信，表示该情况的信号就通过天线33，经过接收部35被送到控制部36，控制部36就设定各部分为发送模式。亦即天线33接收的信号由接收部35变换为音频信号，音频信号由扬声器30作为声音输出，同时从麦克风29输入的声音被变换为音频信号，通过发送部34经天线33向外部输出。
还有，在本实施形态中，示出了以声音作为发送接收对象的例子，但是并不限于声音，对于实施文字数据等声音以外的数据发送或接收中的至少一种的装置，也能够得到相同的效果。
本发明的电子零件(图1～图11所示)可用于发送电路、滤波器电路、天线部分、以及与各级的耦合电路的外围部分等需要高Q值地方的至少一处，一个无线终端装置中使用数个乃至四十个左右。使用本发明的电子零件，可以使装置内部的基板等小型化，而且将上述电子零件安装于电路基板等上面时，也由于不会发生电子零件特性变坏等情况，使得电路基板等的次品发生率极小，使无线终端装置的生产效率变得非常高。

Claims (27)

1.一种电子零件，其特征在于，具备
基材、
在所述基材上设置的导电膜、
在所述导电膜上设置的槽、以及
在所述基材的端面上设置的一对端子部，所述一对端子部相对的方向、即长度方向上电子零件的长度L1与所述一对端子部各自在长度方向的剖面的长度P5、P6的关系如下：
0.07＜P5/L1＜0.35
0.07＜P6/L1＜0.35
2.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，所述端子部的表面光洁度为中心线平均值，是0.3微米～10微米。
3.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，构成所述端子部的导电性材料是片状的，其晶粒直径为1～5微米。
4.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，所述基材与构成所述端子部的材料的形状是球状的，其晶粒直径为0.1微米～2.0微米。
5.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，在所述基材的端面部分的所述端子部的膜厚为10微米～40微米。
6.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，所述端子部设置于所述基材的端面和与所述端面相邻的侧面，所述侧面上形成的端子部的厚度为10微米～40微米。
7.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，所述导电膜也设置于所述基材的端面上，隔着所述端面上的导电膜，设置所述端子部。
8.根据权利要求7所述的电子零件，其特征在于，在所述端子部上还形成耐蚀膜和接合膜中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，在所述端子部上形成耐蚀膜和接合膜中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，所述端子部由导电膏形成。
11.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，所述基材的剖面大致为正方形。
12.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，所述电子零件的长度L1、宽度L2、高度L3的数值为：
L1＝0.2～2.0mm(最好是0.3～0.8mm)
L2＝0.1～1.0mm(最好是0.1～0.4mm)
L3＝0.1～1.0mm(最好是0.1～0.4mm)
13.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，设置保护材料覆盖所述槽。
14.根据权利要求13所述的电子零件，其特征在于，使所述端子部从所述基材端面延伸到设置于所述基材侧面的所述保护材料上，同时在所述端子部与所述导电膜之间夹有所述保护材料。
15.根据权利要求14所述的电子零件，其特征在于，所述端子部与所述槽的最端部隔着所述保护材料相对。
16.根据权利要求14所述的电子零件，其特征在于，槽的端子部的侧端部与端子部隔着保护材料相对。
17.根据权利要求13所述的电子零件，其特征在于，所述保护材料由设置于所述导电膜侧的电沉积膜与设置于所述电沉积膜上的绝缘层构成。
18.根据权利要求17所述的电子零件，其特征在于，所述电沉积膜的膜厚为10～30微米。
19.根据权利要求17所述的电子零件，其特征在于，所述绝缘层的膜厚为5～20微米。
20.根据权利要求17所述的电子零件，其特征在于，所述电沉积膜的膜厚与所述绝缘层的膜厚之比为0.1～1.0。
21.根据权利要求17所述的电子零件，其特征在于，所述电沉积膜的构成材料是丙烯系树脂、环氧系树脂、氟系树脂、聚氨酯系树脂、聚酰亚胺系树脂中的至少一种。
22.根据权利要求17所述的电子零件，其特征在于，所述绝缘层的构成材料是环氧系树脂、丙烯系树脂中的至少一种。
23.根据权利要求17所述的电子零件，其特征在于，所述绝缘层的硬度比所述电沉积膜的硬度大。
24.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，所述电子零件主要具有电感。
25.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，所述导电膜是电阻膜。
26.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于，具有至少将所述导电膜一分为二的槽。
27.一种无线终端装置，其特征在于，具备显示手段、信号变换手段、天线、以及对各部分进行控制的控制手段，在发送电路、滤波器电路、天线部分、以及与各级的耦合电路的外围部分等的至少一个电路中使用下述电子零件，所述电子零件具备
基材、
在所述基材上设置的导电膜、
在所述导电膜上设置的槽、以及
在所述基材的端面上设置的一对端子部，
所述一对端子部相对的方向、即长度方向上电子零件的长度L1与所述一对端子部各自在长度方向的剖面的长度P5、P6的关系如下：
0.07＜P5/L1＜0.35
0.07＜P6/L1＜0.35
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