CN1186787C - 电感元件 - Google Patents
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Abstract
一种实现小型化也能保持高Q值的电感元件,该元件包括柱状基体(7),卷绕在该基体(7)上的线圈(13),设于基体(7)的端部并与线圈(13)连接的端子电极,以及覆盖线圈(13)的相对介电常数为6.0以下的保护材料(16)。
Description
技术领域
本发明涉及移动通信器、电源及其它电子设备使用的电感元件。
背景技术
作为传统的电感元件之一例,日本实用新型公开公报1986年第144616号示出了如图12的立体图所示的片状线圈。该片状线圈由在卷绕部分4的两端设有凸缘2、3的基体1及卷绕在基体1上的线圈6构成。在各凸缘部分2、3形成有槽5,线圈6的端部保持在各槽5内。若采用该结构,将片状线圈安装到电路基片上时,由于片状线圈不存在方向性,故安装性能改善,电路基片的生产能力提高。此外,因为线圈6不突出于作为接合部分的凸缘之外,故可以提高安装性能。
作为另外的传统例子,例如在日本发明专利公开1996年第124748号公报、第124749号公报、第213248号公报、日本实用新型公开1991年第1510号公报及日本发明专利公开1997年第306744号公报示出了在基体上卷绕有线圈的电感元件。在日本发明专利公开1998年第172832号公报公开了在卷绕线圈的卷绕部分与成为端子的两端凸缘之间设有锥部的电感元件。
但是,若采用如上所述的构成,随着电感元件趋向小型化,必须使线圈的直径变细,存在Q值显著下降的问题。
此外,在上述传统例中,设于基体两端的端子颜色一般为银色,基体颜色一般为白色,进行图像识别以判别是否合格品时往往会认错,存在生产能力差的问题。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于,提供一种线圈型的、即使小型化也能改善Q值等特性的电感元件。
此外,本发明的目的在于,提供一种便于进行端子电极的判定、能提高生产率的电感元件。
本发明的电感元件具有柱状的基体、卷绕在该基体上的线圈、设于基体两端并与线圈连接的端子电极以及覆盖线圈的保护材料,保护材料具有6.0以下的相对介电常数。若采用该构成,因为使用相对介电常数为6.0以下的保护材料,所以能提高Q值。
本发明的电感元件其端子电极最表层的颜色与基体及保护材料的颜色最好为不同的颜色。此时,图像识别时的误认极少,生产率进一步提高。而上述传统例子中误认的原因可以认为在于,因为基体及端子电极两者的颜色类似,所以端子电极形成得比规定的大。在本发明的情况下,因为两者的颜色不相同,故可以减少误认。
附图说明
图1所示为本发明一实施例中的电感元件的立体图。
图2所示为上述电感元件的基体的立体图。
图3所示为说明上述电感元件的端子构成的剖面图。
图4所示为上述电感元件的端子附近的局部剖视图。
图5所示为示出上述电感元件的线圈状态的局部俯视图。
图6所示为说明上述电感元件的线圈状态的局部剖视图。
图7为示出频率与Q值之关系的曲线图。
图8所示为说明上述电感元件卷绕部分处锥部的局部剖视图。
图9为示出上述电感元件的保护材料的相对介电常数与Q值之关系的曲线图。
图10为示出上述电感元件基体的体积电阻率与Q值之关系的曲线。
图11所示为说明上述电感元件的端子与线圈的连接的俯视图。
图12所示为传统电感元件的立体图。
具体实施方式
以下通过实施例,详细说明本发明的电感元件。
如图1所示,本发明的电感元件由在基体7上卷绕线圈13构成。首先说明基体7。
基体7使用氧化铝等的非磁性材料,或铁氧体等磁性材料。基体7使用非磁性材料时,对应频率在100MHz以上为理想,尤其是作为非磁性材料使用上述的氧化铝或含有氧化铝的材料时,在性能方面及成本等方面非常有利。另一方面,基体7使用铁氧体等的磁性材料时,在性能方面、加工性方面及成本方面有利。
基体7理想的是具有10.0以下的相对介电常数。更理想的是6.0以下。通过使基体7的相对介电常数为10.0以下,自振频率f0提高,结果是Q值提高。另外,基体7的相对介电常数的最低值,因为能充分发挥作为基体7功能的是氟系树脂,故2.4为理想。即,理想的相对介电常数为2.4以上。
基体7理想的是具有1011Ωm以上的体积电阻率值。更理想的是1014Ωm以上。通过使体积电阻率为1011Ωm以上,可以抑制基体7中流过的电流,从而可以提高效率,提高Q值。这一点如图10所示,从体积电阻率为1011Ωm以上时看到Q值提高可以说明。但图10所示的关系,是将电感元件的尺寸设定为长1.6mm、宽0.8mm、高0.8mm,线圈13的卷绕数为10匝,保护材料16的厚度为70μm至80μm,并使基体7的体积电阻率作种种变化而求出的。基体7的体积电阻率通过改变氧化铝的含量等来使其发生变化。
作为基体7所使用的材料,使用镁橄榄石、多铝红柱石、冻石等含有氧化铝的材料为宜。通过使用这些材料,可以获得具有10.0以下的相对介电常数或1011Ωm以上体积电阻率的基体7。
如以上说明过的那样,通过使基体7的相对介电常数或体积电阻率中的至少一个为上述范围内的值,即使电感元件非常小型化,也能阻止Q值的下降倾向,能防止Q值的劣化。
以下使用图2对基体7的形状进行说明。基体7由卷绕着线圈13的卷绕部分8和分别设于卷绕部分8两端的凸缘9、10构成。卷绕部分8及凸缘部分9、10为大致正方形的长方体。此外,卷绕部分8比凸缘部分9、10低,卷绕部分8的直径也比凸缘部分9、10的直径小。为了防止卷绕到卷绕部分8上时线圈13的包膜等受伤引起短路,棱角部8a最好经过倒角或圆锥加工等。此时,作为棱角部8a的倒角,曲率半径为0.08mm-0.15mm为宜。如果倒角的曲率半径不到0.08mm,则线圈13受损的几率增大,而如果曲率半径超过0.15mm,则卷绕状线圈13的直径变小,有可能引起Q值的劣化。
另外,使棱角部8a呈尖锐状态时,一旦将线圈13卷绕在卷绕部分8上,棱角部8a与线圈13的固定强度提高,可以防止发生线圈13错位等现象,所以,在比线圈13的受损更重视线圈13的错位防止的情况下,使棱角部8a尖锐为宜。此时,如果采取例如加厚设于线圈13的包膜厚度,稍稍加大线圈13的线径等措施,可以在抑制线圈13受损的情况下,提高线圈13的固定强度。
此外,通过在凸缘部分10与卷绕部分8的边界处设置圆锥部分11,可以使线圈13易于卷绕,可以防止线圈13的包覆受损。同样,凸缘部分9与卷绕部分8的边界处也设置圆锥部分12。
线圈13在卷绕部分8上有间隙地卷绕,或紧贴着卷绕。留有间隙地卷绕时,可以防止Q值的劣化,而紧贴着卷绕时,匝数增多,可以提高电感。作为线圈13,用银、银合金、铜、铜合金、金、金合金、铝、铝合金等导电材料中的至少一种构成较好,其中,特别是考虑到成本、强度及使用方便等方面时,用铜或铜合金为理想。
设于凸缘部分9、10表面的端子部14、15如图3及图4所示,由端子电极和接合层构成。
端子电极包括形成于基体7上的导电材料的底膜100、形成于底膜100上的导电膜101a、以及层叠在导电膜101a之上的导电膜101b。此时,当基体7由难于进行电解电镀的陶瓷、例如氧化铝、铁氧体等构成时,通过非电解电镀在基体7上形成底膜100,或者在基体7之上涂布导电糊之后再烧结,可以方便地在基体7上形成底膜100。在该底膜100之上通过电解电镀形成导电膜101a,可以在短时间内形成厚膜端子电极。
在端子电极的导电膜101a与导电膜101b之间,夹入线圈13松开的端部。由于该构成,接合强度大幅度提高,线圈13从端子部14、15处脱落等情况的发生几率极少。另外,在本实施例中,导电膜101a、101b均用260℃时不熔融的材料构成。
至少,导电膜101b用260℃、最好是300℃时不熔融的材料,即熔点为260℃以上、最好为300℃的材料构成。此外,材料以金属材料为宜。通过用260℃不熔融的材料构成导电膜101b,在一般将电子元件等接合到电路基片等上时接合材料发生熔融的温度下,导电膜101b不会发生熔融,即使通过倒转等进行热处理,线圈13也不会发生脱开。
在本实施形态中,端子电极做成3层(底膜100、导电膜101a、导电膜101b),但也可以做成2层或4层以上。将端子电极做成2层时,例如做成一个兼用作底膜100和导电膜101a的导电膜,再在该导电膜之上设置导电膜101b,或者,不需要底膜100时,在基体7上直接层叠导电膜101a及导电膜101b。此外,要使端子电极本身具有耐气候性时,要进行基体7的保护时,或者要提高端子电极与基体7的贴合强度时,做成3层以上的多层膜较宜。
作为底膜100、导电膜101a及导电膜101b的构成材料,可以使用在铜、银、金等的导电性金属材料及铜合金、银合金、金合金等的导电性合金材料及在这些导电性材料中添加了其它元素的材料。尤其是,用烧结法形成银或银合金的底膜100,再在底膜100之上通过电解电镀等形成铜或铜合金的导电膜101a,在生产率及成本方面非常有利,而且能增大基体7与端子电极的接合强度。
导电膜101a用银、铜、银合金、铜合金、焊料、锡、镍、镍合金、金、金合金之中的至少一种构成为宜,导电膜101b用银、铜、银合金、铜合金、镍、镍合金、金、金合金、锡-银合金、锡-铋合金、锡-银-铋之中的至少一种构成为宜。尤其是,用锡-银合金、锡-铋合金或锡-银-铋之中的至少一种来构成导电膜101b,就成为不需要铅的所谓无铅合金的构成,能提供对环境非常有利的电子元件。
作为特别理想的实施形态,通过烧结法等形成银或银合金的底膜100,用电解电镀法等的电镀法在底膜100之上形成银或银合金的导电膜101a。接着,通过热压接合或超声波焊接等方法在导电膜101a上接合线圈13,然后用熔点在260℃以上的铜或铜合金形成导电膜101b。
理想的是,底膜100的厚度为2μm-30μm,导电膜101a的厚度为10μm-30μm,导电膜101b的厚度为3μm-100μm。更理想的底膜100、导电膜101a及导电膜101b的厚度分别为2μm-10μm、18μm-22μm、20μm-30μm。
端子电极之上形成的接合层当附着有将元件与布线图电接合用的焊锡时是不需要的,但一般来说,为了增强与电路基片的接合强度,还是设置接合层为好。
接合层由耐蚀层102与接合表层103构成。作为接合层至少接合表层103是必需的,耐蚀层102则按需设置。作为耐蚀层102,用镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pd)等耐腐蚀性的金属或其合金经电镀法等形成。设置该耐蚀层102,可以显著提高端子电极的耐腐蚀性。在耐蚀层102上,通过电镀法等设有焊锡等导电性接合材料构成的接合表层103。
除了线圈13的端部之外几乎将其全部覆盖的保护材料16(图1)由环氧树脂等具有耐气候性的材料构成。作为保护材料16的构成材料,另外还可以使用抗蚀剂(resist),通过使用抗蚀剂,可以方便地形成保护材料16,提高生产率。此外,作为保护材料16,也可以用阳离子系树脂或阴离子系树脂构成的电淀积膜来制成。使用该电淀积膜,可以在大量的元件上一下子形成保护材料16,所以能显著提高生产率。
设置覆盖线圈13的保护材料16时,用安装机的喷嘴容易吸附元件,且线圈13不会因喷嘴而发生变形、断线。作为保护材料16使用绝缘材料,可以对线圈13之间进行可靠的绝缘。此外,作为保护材料16使用表面光滑的树脂材料,可以进一步提高喷嘴的吸附性能,抑制安装错误的发生。这样,以往不适合作为安装元件的线圈式电感元件,通过设置保护材料16,可以显著提高安装性能。
作为保护材料16,可以做成将热收缩性的树脂材料构成的管状体套装在基体7上的结构。这样,可以大大提高尺寸精度,可以可靠保护线圈。此外,可以简化工序,控制不合格品的发生。具体方法是,首先准备由热收缩性材料构成的、剖面为圆形或方形或椭圆等且直径大于基体7的管状体。将该管状体套装在基体7上,进行热处理,使管状体收缩,就将管状体可靠设置在基体7上。
保护材料16的相对介电常数在6.0以下为宜,最好为4.0以下。在本实施形态中,用保护材料16基本完全覆盖线圈13,做成覆盖基体7的4个侧面的结构。此时,相对介电常数到6.0为止时Q值是提高的,但一旦相对介电常数超过6.0,则Q值不再提高。尤其对于如本实施形态这样非常小型的电感元件,因为线圈13的线径非常细,故特别容易发生Q值劣化。因此,保护材料16的相对介电常数是非常重要的因素。着眼于这一点,使保护材料16的相对介电常数在6.0以下最好在4.0以下,则即使是非常小型的电感元件,也能防止Q值发生劣化。保护材料16的相对介电常数的最低值如石蜡等所代表的那样2.0以上为宜,更理想的是,因为能充分发挥作为保护材料16的作用的是氟系树脂,所以相对介电常数设为2.4以上。通过这样确定保护材料16的相对介电常数,即使在基体7的4个侧面设置保护材料16,也能防止Q值劣化,且能可靠保护线圈13。
从图9所示的保护材料16的相对介电常数与Q值之关系曲线可知,保护材料16的相对介电常数一旦为6.0以上,Q值即不见提高。获得该关系曲线的条件为,元件尺寸是长1.6mm、宽0.8mm、高0.8mm,线圈13的匝数为10匝,基体7由含氧化铝的绝缘材料构成,保护材料16的厚度为70μm至80μm。并通过改变保护材料16中的二氧化硅等的添加量以改变保护材料16的相对介电常数,从而求出图9所示的关系。
接着说明线圈13与端子部14、15的关系。线圈13如图5所示,由卷绕在卷绕部分8上的环卷部分13和引出部分13b构成,环卷部分13a与引出部分13b由弯折点G而分离。该弯折点G位于通常卷绕在卷绕部分8上状态的环卷部分13a与将线圈13引出以与设于端子部14、15上的端子电极接合的引出部分13b的分界处。通过将该弯折点G处的弯折角θ2设定为90度-160度,环卷部分13a不会发生松弛,且能高效实现引出部分13b与端子部14、15的接合。更理想的是,弯折角θ2的范围为125度-145度。
本发明的要点如图6所示,使环卷部分13a的外端与设于端子部14、15上的端子电极的间隔LV为80μm以上,最好为100μm以上。通过使该间隔LV为80μm以上,可以防止因端子电极产生的涡流引起Q值下降,防止作为元件的效率下降。尤其是,通过使间隔LV为100μm以上,可以防止显著的Q值下降。在先前所例举的现有技术中有设置间隙的记载,但对于空开多大的间隙则完全没有记载。在本实施形态中,进行了各种研究后发现,若考虑到元件的小型化,间隔LV必须在80μm以上。
图7为示出频率与Q值之关系的曲线图。在图7中,A线示出间隔LV为34.2μm时的曲线,B线示出间隔LV为102.9μm时的曲线。从该曲线图可知,间隔LV若超过100μm,高频区域的Q值就相当高。经过各种研究的结果表明,如上所述,间隔LV若在80μm以上,则可获得充分的特性。
另外,间隔LV为环卷部分13a的外端部与端子电极间的元件长度方向的距离,未考虑元件高度方向的距离。如图6所示,线圈13在几乎所有的场合,在导线部13c的周围设有绝缘性的包覆膜13d。上述的间隔LV指的是导线部13c的端子电极侧的端部与端子电极的端部之间的间隔。
以下说明圆锥部分11、12。如上所述,作为设置80μm以上间隔LV的手段,通过使绕线机等的设定最佳化来进行,但有时,线圈13会发生松弛,使环卷部分13a异常靠近端子电极,间隔LV变为80μm以下。
在本实施形态中,设置圆锥部分11、12,可以防止环卷部分13a异常靠近端子电极。即,由于设置圆锥部分11、12,即使环卷部分13a发生松弛,该圆锥部分11、12也起挡块的作用,故几乎不会发生环卷部分13a异常靠近端子电极的情况。因此,间隔LV在80μm以上。此时,各圆锥部分11、12的长度LX分别为90μm以上,最好为100μm以上。由于该构成,即使线圈13的直径在可使用范围内发生变化,也足以使间隔LV在80μm以上。
图8所示的圆锥部分11、12的形成角度θ1在100度-170度为宜,更理想的是110度-130度。通过这样确定形成角度θ1,在圆锥部分11、12与卷绕部分8及端子部14、15的分界处不会形成锐利的棱角部,且作为挡块能充分起作用。
在图6所示的端子部14、15和卷绕部分8之间的阶梯差LW与线圈13的直径d的关系中,理想的是直径d满足下式:
(0.5×阶梯差LW)<直径d<(0.98×阶梯差LW)
满足该关系,就能足以使间隔LV达到80μm以上。
以下说明电感元件的制造方法。
首先通过干式冲压或挤压成形制作基体7。此时用挤压法制作基体7时,用切削加工等制作卷绕部分8及凸缘部分9、10。在凸缘部分9的整个面(在本实施形态中是4个侧面9a及1个端面9b)上形成底膜100,然后在该底膜100上通过电解电镀等形成导电膜101a。此时,在本实施形态中,是在凸缘部分9的整个面上形成底膜100及导电膜101a,但考虑到Q值及安装性,也可以做成仅在侧面9a形成,仅在端面9b形成或仅在侧面9a的局部且形成为环状等各种各样的形态。另外,对于凸缘部分10,也同样地在凸缘部分10的整个面(在本实施形态中是4个侧面10a及1个端面10b)形成底膜100,然后在该底膜100之上通过电解电镀等形成导电膜101a。
然后在卷绕部分8上卷绕线圈13。此时,卷绕数考虑元件的电感等来决定。另外,为了提高Q值,在相邻线圈13之间设置间隙,可以提高Q值。在底膜100、导电膜101a与线圈13之间,最好除了线圈13端部之外设有规定的间隔。
接着,通过热压接合法将线圈13的端部与导电膜101a相接合。该接合除了热压接合之外,还可以使用激光焊接、点焊、利用由焊锡或导电性树脂构成的导电性粘接剂进行的接合等。
接着在线圈13上设置保护材料16。此时,设置保护材料16但至少要使端子部14、15露出。作为保护材料16使用热收缩性材料构成的管状体时,在管状体套装在基体7上之后进行热处理,使管状体收缩。
接着通过电解电镀等电镀法,使用在260℃不发生熔融的材料来形成导电膜101b,覆盖线圈13与导电膜101a的接合部。由于该构成,线圈13与导电膜101a的接合部被高熔点材料覆盖,故即使加热,也不容易脱开,而且可以使接合强度相当大。此外,由于用导电膜101b覆盖该接合部,可以缓和因该接合部产生的阶梯差,所以,将元件安装到电路基片等上时,元件的落座良好,安装性改善。
如果不需要接合层时,工序到此为止就可,必需有接合层时,还必需以下的工序。
首先,用Ni或Ti等耐腐蚀材料通过电镀法或溅镀法等形成耐蚀层102,在该耐蚀层102之上,通过电镀法形成由普通焊锡或无铅焊锡等导电性接合材料构成的接合表层103。在本实施形态的情况下,由该耐蚀层102和接合表层103形成接合层。另外,作为接合层,因为按使用环境等的不同,耐蚀层可以省略,故至少接合表层是必需的。通过在端子电极之上设置该接合层,可以可靠提高线圈13与端子电极的接合强度。这样就形成由端子电极与接合电极构成的端子部14、15,完成电感元件。
另外,在本实施形态中,将凸缘部分9、10及卷绕部分8的剖面形状做成大致正方形,但剖面形状也可以是正五边形、正六边形等的大致正多边形,或者大致圆形也行。即,只要是将电感元件安装在电路基片上时不会发生方向性的剖面形状均行。
电感元件的尺寸如图1所示分别用P1、P2、P3表示高度、宽度及长度时,理想的是使P1、P2及P3满足以下范围,即;
0.4mm<P1<1.2mm,0.4mm<P2<1.2mm,0.9mm<P3<2.0mm。更理想的范围是,0.7mm<P1<1.2mm,0.7mm<P2<1.2mm,1.5mm<P3<2.0mm。
如果P1及P2在0.4mm以下,因基体7的机械强度较弱,故进行绕线时元件容易折断,此外,线圈13的卷绕直径太小,不能获得规定的特性。还有,线圈13被剧烈弯曲,故线圈13容易破损,且包覆膜13d容易发生剥离。因此,P1及P2超过0.4mm为宜。另外,当P1及P2的尺寸超过0.7mm时,上述不良情况的发生几率更低,更理想。另一方面,当P1及P2的尺寸在1.2mm以上时,元件本身过大,安装面积变大,电路基片等就不能实现小型化,进而不能进行装置的小型化。
如果长度P3在0.9mm以下,则线圈13的匝数受限,不能获得规定的电感。此外,若要增多线圈13的匝数,则必须减细线圈13的直径,用自动绕线机等将线圈13卷绕在基体7上时线圈会发生断线。因此,P3的长度以超过0.9mm为宜。又,P3超过1.5mm则上述不良情况发生的几率更低。另一方面,若P3超过2.0mm,则元件本身过大,安装面积变大,不能实现电路基片等的小型化,进而不能实现装置的小型化。
在本实施形态中,如图1所示,将线圈13的两端在基体7的同一侧面的两端Z1接合,但也可以将线圈13一个端部接合在基体7的指定侧面上,而将线圈13另一端部接合在与基体7指定侧面相反侧的侧面上,或者也可以接合在与指定侧面靠近的侧面上。由于这些构成,电感可以最佳化,Q值提高,并且可以减小公差。
线圈13与端子部14、15的接合也可以是如图11所示的接合。即,从端子部14、15电连接设有伸向基体7中心的突出部分14a、15a,并在该突出部分14a、15a上,通过热压接合及粘接剂等接合有线圈13的端部。由于该构成,可以提高Q值,且可以实现小的公差。
接着说明端子电极及基体的颜色。端子电极最表层为接合表层103,基本为银色或白色。在本实施形态中,在覆盖线圈13的保护材料16与端子电极之间露出基体7(未图示),使保护材料16与基体7双方的颜色与端子电极最表层的颜色不相同。具体是,使保护材料16的颜色为黑色,基体7的至少表面为黑色,而端子电极最表层为银色或白色。这样,因为端子电极的最表层为银色或白色而其它部分为黑色,因此,通过图像识别来检查端子电极的形成宽度等时,可以很好地进行判断,生产率提高。
另外在本实施形态中,保护材料16与基体7为同一种颜色,但也可以使用与端子电极最表层颜色不相同的颜色并使两者颜色不相同。此外,基体7及保护材料16的颜色为黑色,但如果是与最表层颜色不同的颜色,也可以使用红、蓝、绿等的颜色。
使基体7带有颜色时,也可以在基体7中混合规定的添加物及着色剂。但因基体7中加入添加物而特性明显变差时,最好在基体7表面涂布规定颜色的涂料等。
Claims (16)
1.一种电感元件,其特征在于,具有柱状的基体、卷绕在所述基体上的线圈、设于所述基体两端并与所述线圈连接的端子电极以及覆盖所述线圈的保护材料,使所述保护材料的相对介电常数为6.0以下,分别用P1、P2、P3表示电感元件的高度、宽度及长度时,P1、P2、P3分别满足下式:
0.4mm<P1<1.2mm
0.4mm<P2<1.2mm
0.9mm<P3<2.0mm。
2.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于,所述基体的体积电阻率为1011Ωm以上。
3.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于,所述基体的相对介电常数为10.0以下。
4.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于,所述基体的形状为方柱体,所述线圈的一个端部在所述基体的一个侧面上与端子电极接合,且所述线圈的另一端部在与所述一个侧面不同的侧面上与端子电极接合。
5.根据权利要求4所述的电感元件,其特征在于,在所述基体的中央设有低阶梯部分。
6.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于,端子电极设有伸向基体中心部的突出部分,线圈与所述突出部分接合。
7.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于,端子电极最表层的颜色与基体及保护材料两者的颜色不相同。
8.根据权利要求7所述的电感元件,其特征在于,基体及保护材料的颜色相同。
9.根据权利要求8所述的电感元件,其特征在于,基体及保护材料的颜色为黑色。
10.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于,在端子电极处,两个导电性膜夹着线圈端部,其中与基体不相连的导电性膜的构成材料的熔点为260℃以上。
11.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于,所述端子电极与线圈的环卷部分的间隔LV为80μm以上。
12.根据权利要求11所述的电感元件,其特征在于,所述基体包括卷绕部分和设于该卷绕部分两端的凸缘部分,在所述凸缘部分的卷绕部分侧端部设有圆锥部分。
13.根据权利要求1所述的电感元件,其特征在于,所述线圈具有螺旋状卷绕在基体上的环卷部分及成一体地设于环卷部分与端子电极之间的引出部分,引出部分相对环卷部分的角度为90-160度。
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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