CN1208322A - 带有电线的电子设备及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子设备,比如芯片线圈,该种线圈包括以高度可靠方式紧密连接在电极上且能够以稳定方式连接到印刷线路板上的电线。磁心的两端,为多片结构的电极,该多层结构包括由银钯合金或类似材料制成的高导电层;由镍制成的焊接屏障层;和由锡或焊料制成的易焊层。电线的两端埋入易焊层,使得电极总体结构具有大致平整的表面。通过热压焊接过程,使得电线的末端与焊接屏障层以固相焊接连接,与易焊层以钎焊连接。

Description

带有电线的电子设备及其制造方法

本发明涉及一种带有电线(诸如绕线式芯片线圈)的电子设备及其制造方法。

本发明还涉及一种带有用作电感元件的电线的电子设备的制造方法。具体说来，本发明涉及一种制造带有某种电线的电子设备制造方法，这种电线是绝缘的，缠绕在线圈心上，其末端同线圈心上的电极相接。

图5表示的是一个传统的芯片线圈。此线圈由缠绕在磁铁材料制成的磁心1上的电线5制成，电线5的末端5a通过热压缩焊接方法，比如说丝焊法处理，同磁心1上各自的电极2相连。电极2由诸如银或银一钯合金材料组成。当电线的末端5a同各自的电极2相接时，其连接部位在电极表面形成一凸起，这一凸起使得芯片线圈在装配到印刷线路板上时不稳定。也就是说，芯片线圈容易倾斜，最槽糕的情况下可能会倒在线路板上。这种芯片线圈的另一问题在于电线的末端5a暴露在大气中，导致被氧化。这就使得装配芯片线圈时，难以焊接电线末端。

一种可能提高装配位置稳定性的办法是在磁心1两端开设凹槽3。这样由电线末端5a可以被连接在凹槽3内。可是磁心1的形状变复杂了，要制造这样复杂的结构较为困难。

绝缘线通常包括电线和镀层两部分。电线是由金属制成的，比如说铜，表面镀层通常为绝缘材料比如聚酯酰亚胺。绝缘线同电线通过一定的方法，比如脉冲加热，连接在一起。接下来结合图11说明脉冲加热法进行焊接的过程。

图11中画出了线圈设备磁心51和磁心51上表面的电极52的截面。绝缘线53的一末端置于电极52上。

当被加热到500℃的压焊咀56下移时，电线53压迫电极52。电线53a被压平，通过热压焊接同电极52连接。

在这种连接技术中，如果电极52由高熔点金属比如银、铜或镍制成，绝缘层53b低于电极52熔点的温度下熔化，电线53a和电极52直接相互连接。这一技术的另一特点是电线53a被压平。

然而，虽然电极52上的电线53a被压平，但是电极52表面和电线53a仍有一定的高度差。当线圈设备装配到印刷线路板上，电极52的表面与印刷线路板接触，上述的高度差会使得线圈设备不稳定或使焊接不可靠。

在很多情况下，线圈设备的电极52表面电镀一层低熔点金属如锡或焊料，这样在电极52上形成一低熔点电极层，从而保证电极易于焊接。例如，如图12所示，制造电极52时，在磁芯51上面布满一层填充有银的湖状物，然后烘干，形成基层52a，再在基层52a上电镀镍形成保护基层52a免受焊接腐蚀的电镀镍层52b，最后形成使电极52易于被焊接的低熔点金属电极层52c。

对于具有以上结构的线圈设备，当用加热到大约500℃的压焊咀54焊接时，电极层52c被压焊咀54加热到高于这种低熔点金属的熔点的温度。在焊接过程中，电导线53a被以足以使之被压缩的压力挤压。这样一来，绝缘层53b和处于最高层由低熔点金属制成的电极层52C都熔化成液体，电导线53a被压平。

结果是，在利用压焊咀54挤压的过程中，液态的低熔点金属被液态的绝缘镀层53b挤向电导线53a的两侧。在上述过程中，当低熔点金属被熔化的绝缘镀层53b挤开的时候，如果熔化了的绝缘镀层53b粘到压焊咀54上，当压焊咀54上移到其初始位置时被去除，那么，在可导电电线53a一侧的区域A有时会暴露镀镍层52b。如果镀镍层52b部分暴露，当线圈设备通过焊接装配到印刷电路板上时，由于镀镍层52b焊接湿润度较低而焊接不成功。

既使是图12所示区域A中不暴露镀镍层52b的情况下，在低熔点金属被熔化了的绝缘层53b挤到一侧后，如果熔化了的绝缘层53b粘到压焊咀54上，当压焊咀54上移到其初始位置时被去除，可导电电线53a的绝缘层53b所在的电极52表面上会形成焊口52d。如果形成这样的焊口，在焊接时，就不能很好地连接。

因而，本发明的一个目的是提供一种包含能以稳定方式装配的电线电子设备以及制造这种设备的方法。

本发明的另一个目的是提供一种电子设备。这种设备包含一种能够紧密连接到电极上同时不易被氧化的电线。

本发明还有一个目的，就是提供一种电子设备，这种设备包含一根以稳定和高度可靠方式同电极连接的线。同时本发明还提供制造这种电子设备的方法。

本发明还有一个目的是提供一种制造线圈设备的方法，这种线圈能够将绝缘线同电极连接起来，以将绝缘线埋入电极的方式实现与外电路的连接，从而以很稳定的方式与外电路相连接而不会出现焊接不牢固或者其它传统技术中发生的问题。

为实现上述目的，本发明提供了具有如下特征的设备：包括一根紧密连接到绝缘基座上电极的电线，电极包括至少一层由高熔点材料制成的焊接屏障层、至少一层由低熔点材料制成的易焊层；上述电线通过热压方法埋入易焊层，通过这种埋入方法，所制成的结构大致为平面。

在本发明的电子设备中，被压平的电线埋入易焊层中，使得电极的绝缘结构表面平整没有突出部分。因而可以将此电子设备平稳地装配到线路板上而不会出现电子设备倾斜或倒下的情况。

本发明的电子设备中，易焊层表面和电线表面完全地覆盖另一易焊层，这样一来，电极表面变得更平，电极表面受保护而不致被氧化。

另一方面，本发明提供了一种制造电子设备的方法。其步骤为：在绝缘基层上加工一电极，电极包括至少一层由高熔点材料制成的焊接屏障层，屏障层表面覆盖由低熔点材料制成的易焊层；边加热边将电线向电极挤压，使得电线和焊接屏障层通过固相焊接连接起来，电线和易焊层通过钎焊连接。

本发明所述的这种制造方法中，易焊层通过受热而熔化，通过压力被压缩，电线沉入易焊层。这样一来，电极就有了一个大致为平面的结构，电线和焊接屏障层通过固相焊接彼此相互连接，电线和易焊层也通过钎焊在此连接。这种技术使得电线同电极能够可靠连接。在电线表面覆盖诸如聚酯酰亚胺之类绝缘材料的情况下，绝缘层在上述加工过程中受热而熔化或蒸发。因而无需再去除这一镀层。

在上述的连接加工过程中，最好能加热电线和电极，这样，在很短的时间内，其温度升高到一个高于焊层熔点而低于焊接屏障层熔点的数值。然后，在较短的时间内将温度冷却到低于易焊层熔点的数值。虽然各个时间极限，诸如加热、保温、缓冷都依电线的直径和材料而定，其数值常被设定为几秒种之内，最好在1秒以内。

另一方面，本发明提供了这样一种制造线圈设备的制造方法：该设备具有绝缘材料制成的磁心，绝缘线缠绕在芯心上，电极在磁心的外表面上，绝缘电线的两末端分别同各自的电极相连。该方法的特征在于：绝缘电线同电级通过如下步骤连接起来，第一，低压压缩把绝缘电线以较低压力压向电极，此时加热温度高于绝缘线上绝缘层的熔点。第二，高压压缩，其过程如下所述，以相对较高的压力将电线压向电极，使其变平，从而埋入电极中。此时的加热温度数值应高于电极顶部熔点而低于其凝固点温度值。此高压步骤可以在高于或低于低压压缩步骤的温度值的情况下进行。

最有利的情况是：线圈设备的电极包括一层底层，通过装涂一层可导电糊状物(填充有银的糊状物)，然后烘干而成；包括一焊接屏障层，用具有强抗腐蚀能力的材料，比如镍在底层表面形成；还包括一层易焊层。用易焊接金属材料，比如锡或焊料，在焊接屏障层外表面形成。

图1表示的是按照本发明的一个芯片线圈的第一个实施例，图1A和图1B分别表示其立体图和俯视图。图1C为沿图1B中线C-C的剖面图；

图2表示的是本发明制造方法一个实施例的剖面图。其中图2A表示的是热压过程进行前的瞬间状态。图2B表示的是热压过程中的状态；

图3为对第一实施例进行改进的剖面图；

图4为表示的是本发明第二实施例的芯片线圈制造方法。其中图4A表示热压加工前的瞬间状态，图4B表示热压加工完成后的瞬间状态；

图5表示的是传统技术制作的芯片线圈的立体图；

图6表示的是传统技术制作的另一种芯片线圈的立体图；

图7为根据本发明第三实施例的将绝缘电线与第一电极相连的加工步骤的截面示意图；

图8为按照本发明第三实施例制造方法获得的线圈设备的立体图；

图9为一图表，大致描述了图7实施例中适用的压力和温度；

图10为一截面图，表示了按照本发明另一实施例高压挤压的过程；

图11为截面图，表示了按照传统技术连接绝缘电线和电极的过程；

图12为截面图，表示的是按照传统技术，将绝缘线同低熔点金属制成的电极连接时出现的问题。

本发明所述电子设备及制造方法的最佳实施例在下面结合附图加以说明。

第一实施例

图1描述了本发明芯片线圈的第一实施例。本芯片线圈中，电线15缠绕在陶瓷心10的主体部位，线15的末端16通过热压焊接同位于陶瓷心10两端突出部分12上的电极13紧密连接。

如图1C所示，每个电极13都是这样形成的，首先，将高导电率材料如银或银钯合金，涂于芯10上，烘干，形成高导电率层13a。在高导电层13a上电镀一层镍从而形成焊接屏障层13b。然后，在焊接屏障层13b的表面上电镀锡或焊料从而形成易焊层13c。

电线15由直径在20-60μm的导体铜外覆聚酯酰亚胺而制成。线15的末端16以热压的方式，同各自的电极13以埋入方式连接。接下来讲述连接电线15和电极13的过程。

如图2A中所示，线的末端16置于各自的电极13之上，由加热装置20从上而下进行挤压，于足末端16被加热装置20加热。两末端16被同时加热和挤压。在不到1秒的时间里，加热装置20的温度升高到一个高于易焊层13c熔点(锡的熔点为231℃，焊料的熔点为183℃)而低于焊接屏障层13b熔点(镍的熔点为1455℃)的数值，更佳的温度值为高于500℃。保持此温度数值1秒或更短时间。加热装置20的温度在不到1秒的时间内下降到低于易焊层13c的熔点温度。然后移走加热装置20。比如，可以用脉冲加热装置代替装置20。应用这种加热装置，可以在准确控制加热和压力条件下通过脉冲电流进行加热。铜和银的熔点分别为1083℃和960.5℃。

不用脉冲加热，也可用超声波射线来完成上述加热操作。

在上述连接程序中，线15末端16的绝缘镀层受热熔化或蒸发。线的末端16表面熔化变软，易焊层13c亦熔化。线的末端16被压平沉入易焊层13c(参见图1c)。在这种状态下，线的末端16同焊接屏障层13b通过固相焊接在接触平面17a相互连接。线的末端16和易焊层13c在接触平面17b通过钎焊连接。

连接完成后，电线末端16同易焊层13c大致平齐，电极3没有突出部分。这种结构使得线圈芯片平稳地装配到印刷电路板上不会出现倾斜或倒下的情况。而且，由于电线末端16同电极13以固相焊接和钎焊连接，连接很稳固。还有，电线末端16的绝缘镀层在受热过程中去除，无需另外工序去除镀层。加热时间很短，电线15盘曲部分内的绝缘层不会被破坏。

有些情况下，如图1C所示，熔化了的易焊层13c向电线的末端16流动，于是电线末端16被其覆盖。这会使得电极13的表面更平整，并能防止电线末端16被氧化。特别是，连接完成后，如果象图3所示那样，在电极13表面以电镀或类似形式形成另一锡或焊料易焊层13d，那么，电极13表面的平整程度进一步提高，电线末端16就更不易被氧化。在易焊层13d是由电镀方式形成的情况下，由于电镀槽是具有还原作用，电线末端16被还原。结果是，由于易焊层13d出现和还原作用的协同效应，可焊性增强。

第二实施例：

图4描述了本发明芯片线圈的第二实施例。第二实施例与第一实施例不同之处在于：磁芯10上的电极13’具有双层结构，由镍制成的焊接屏障层13b和由锡或焊料制成的易焊层13c。电线的末端16是以与第一实施例相似的热压焊接方法焊接。这样，电线末端16和焊接屏障层13b以固相焊接方式在接触平面17a相互连接。电线末端16和易焊层13c通过钎焊方式在连接平面17b相互连接。而且，如同第一实施例，电线末端16以埋入方式同电极连接，从而使整体结构平整。完成上述连接后，整体电极结构上可能会覆盖另一层由锡或焊料构成的易焊层。

第三实施例：

图7A-7D为截面图，表示了本发明第三实施例制造线圈设备的过程。图8为接本发明第三实施例制造方法生产的线圈设备的透视图。

首先，描述图8所示的芯片式线图设备的结构。

芯片式线圈31包括由一种介质材料、磁性材料或如绝缘陶瓷或塑料等绝缘材料制成的磁芯32。芯32，包括缠绕着电线33的缠绕线部分32a和位于缠绕线部分32a两端且较绕线部分32a厚度大的电极32b。第一和第二电极34和35分别位于电极部位32b和32c的上表面上，这样就可以通过第一和第二电极34和35与外界进行连接。

制造如上述芯片型线圈设备31的方法，按照本发明实施例，其特征是连接绝缘线33和第一和第二电极34和35的工序，其它工序可以应用已有技术完成。也就是说，通过将绝缘电线33缠绕在芯32的外表面形成缠绕部分的工序和在芯32的电极部分32b、32c上表面制造电极34、35的工序可通过已有技术完成。

连接绝缘电线33的末端至第一和第二两电极34和35的工序，是本发明的主要特点，下面将详细叙述。在下面的叙述中，为便于讲述，只考虑连接绝缘线33一个末端到第一电极34的情况，虽然，在实际情况下，两个末端都同电极相连接。

首先，如图7a所示，将绝缘电线33放置于线圈设备芯32电部位32b上表面上形成的第一电极34上。第一电极34为多层结构，包括底层34a、镀镍层34b及镀锡层34c。底层34a是通过涂上一层糊状物(比如说充满银的糊状物)然后烘干而成。另外的办法，底层34a可以采用蒸发、电镀、喷溅涂覆或其它可行技术而完成。

底层34a之上的镍层34b用作焊接保护层，保护底层34a不受焊剂腐蚀。也可以用铜或铁代替镍来实现这种目的。

镀镍层34b外表面上形成的镀锡层34c作为易焊层，当安装线圈设备时易于焊接。除了锡以外，焊料及其他易于焊接的材料也可用作镀层作为易焊层。

本实施例中，绝缘电线33包括由铜制成外镀绝缘层33b的可导电电线33a绝缘镀层33b用聚酯酰亚胺或类似材料制成。应用聚酯酰亚胺制造绝缘层33b时，在温度达到或超过330℃时，会熔化。

当绝缘电线33同第一电极34连接时，将绝缘电线33放在第一电极34上，当压焊咀36被加热到温度高到足已熔化绝缘镀层33b时，移去压焊咀36。在本具体实施例中，压焊咀36被加热到500℃或更高。在上述过程中，移去压焊咀36是为了使绝缘电线33以较低压力压向第一电极34，本过程中的最佳压力数值取决于绝缘线33的直径和材料，因而最佳压力值不能统一确定。在绝缘电线由铜制成，直径为40μm的情况下，压力值最好设定在30-50克力。这样，本发明中的低压过程就是按照上述方式进行的。

在低挤压过程中，由于压焊咀36被加热到足以熔化绝缘层的温度，绝缘层33b熔化，结果是，如图7b所示，第一电极34上的熔化了的绝缘层33b流动到可导电电线33a的两侧，于是可导电电线33a较低一边与电极34的最高层镀锡层34c直接接触。

在上述低压挤压过程中，如图7b所示，大体上不会破坏可导电电线33a的形状，因为压焊咀36施加的压力足够小。也就是说，低压挤压是在一种可导电电线33a不被压平的压力情况下进行的。

而且，在低压挤压过程中，由于镀锡层34c不与压焊咀36直接接触，并且由于压焊咀36施加的压力很小，而且如图9所示，挤压过程进行时间很短，虽然绝缘层33b熔化，但镀锡层34c不熔化。也就是说，准确地选择了压力大小和挤压时间使得绝缘层33b熔化而镀锡层34c不熔化。

紧接着低压挤压过程，高压挤压是在较高压力下进行。在高压挤压过程中，可导电电线33a被以足够高的压力压向第一电极34使其扁平而埋入第一电极34中。至于高压挤压的过程将结合图7c和7d作更详细说明。

在高压挤压过程中，如图7c所示，冲着压焊咀36向下施加的压力增大使得可导电电线33a扁平，也就是说，在高压挤压过程中，压焊咀36施加到可导电电线33a上的压力经过了选择使得可导电电线33a扁平并埋入第一电极34中，

于是，在上述高压挤压过程，电线33a被压平并埋入第一电极34中，如图7d所示。

为达到较优的效果，高压挤压过程中的温度被调整到低于第一和第二电极顶层的熔点，具体说来，为低于镀锡层34c的熔点，高于镀锡层34c的凝固点。在本具体实施例中，温度被设定在230℃，如果高压挤压过程中的温度设置于上述范围内，就能够使电极34的镀锡层34c足够软，从而使可导电电线33a埋入第一电极34中。

如果高压挤压过程中的温度被设定到一个高于镀锡层34c熔点的数值，那么在此过程中镀锡层34c熔化，熔化的锡被绝缘层33b挤向两侧。结果是，镀镍层34b的一部分有可能暴露在外，并有可能在除去绝缘层33b后出现焊口。

高压挤压过程中，最佳的压力值取决于可导电电线33a的直径和材料，因而是不可作统一要求。当可导电电线材料为铜，直径为40μm时，最佳压力设定为300克力左右。

完成上述高压挤压过程后，将压焊咀36上移。于是，粘到压焊咀36底面36a的绝缘层33b被自第一电极带走。如图7d所示，绝缘层33b被带走后，电极34表面平整，不存在焊口。

图9描述了在低压挤压过程和高压挤压过程中，压力和温度的变化情况。由图9中可以看出，低压挤压过程后需要立即进行高压挤压过程。这样，绝缘线33的末端与电极34连接后，电极34有一平整的表面。

按照本实施例所提供的制造方法。如上所述，电线33a被压平然后埋入第一电极34。从而使第一电极34在同绝缘线33连接后具有平整的表面。因而，将线圈设备同印刷线路板或类似设备相连接时，可以高度可靠的方式通过焊接或类似方法把电极同印刷线路板连接起来。

而且，由于镀锡层34c暴露在可导电电线33a的外面，从而可以获得更好的焊接性能。

虽然上述实施例中，高压挤压过程是在低于低压过程的温度下进行的，高压挤压过程的温度也可以高于低压挤压过程。例如，在绝缘层33b由尿烷树脂制成时，尿烷树脂在280℃熔化，而在此温度下镀锡层不变软。这种情况下，尿烷树脂在低压挤压过程熔化，镀锡层在高压挤压过程中在高于低压挤压过程的温度下变软，从而如上述实施例那样，保证可导电电线埋入第一电极的镀锡层。

虽然上述第三实施例描述了第一和第二两电极形成包括填充银的可导电糊制成的底层34a、镀镍层34b和镀锡层34c的多层结构，两电极也可以形成单层结构。

这也就是说，两电极可以由单种材料制成，绝缘线可以通过低压和高压过程同两电极电连接。与上述第三实施例相同，在本例中，首先进行低压过程时，可导电电线不变平，绝缘层熔化被挤向两侧。在高压过程时，压焊咀36向可导电电线33a施加一相对较高压力，从而电线33a埋入电极24中如图10中所示。为确保电线33a被埋入，需要高压过程的温度高于使由单种材料制成的电极24变软的温度值。也就是说，高于凝固点温度，同时要低于第一电极24的熔点温度值。

同样，在本例中，在首先进行的低压过程中，绝缘层33b熔化，流向电线33a的两侧。当压焊咀36在完成了低压过程之后的高压过程后上移，由于绝缘层33b粘到压焊咀36的底面而被带走。因而，如图10右侧所示，完成高压挤压过程后，在第一电极24的结构中，电线33a与第一电极24相连，从而连接部分的表面变平。

虽然上述实施例线圈设备是这样的：磁芯两端有一对电极，磁芯上缠绕着电线33，电线33两端同各自的电极连接。本发明同时也适用于如下结构的线圈设备：电极只位于磁芯32一侧，绝缘线末端同电极相连。而且，同绝缘线末端相连的电极数目也没有限制。

虽然在上述实施例中，低压过程的温度设定一个绝缘层33b熔化而镀锡层或低熔化金属层几乎不熔化的数值，低压过程的温度也可以设定在一个使低熔点金属层34熔化的数值。在将低压过程中的温度设定为使低熔点金属层34c熔化的温度时，低熔点金属层34可通过下述过程被冷却到高于其凝固点的温度，这样，低熔点金属层34c变软，从而保证在高压过程中电线33a埋入电极中，就象上述实施例描述的那样。冷却过程可以在高压过程中进行，也可在此之前进行。

电线33a也可以由铜以外的材料制成。例如，可以用镍或银。而且绝缘层33b的绝缘材料也不限于聚酯酰亚胺、尿烷树脂，其它合适的合成树脂也是可以用的。

其它实施例：

虽然已结合实施例对本发明进行了说明但本发明并不局限于上述的详细说明。在不超出本发明的精神和范围的情况下，可以各种方法对本发明所述电子设备及其制造方法进行改进。

比如，本发明不但可以应用于象第一至第三实施例那样水平的位置装配的芯片线圈中，而且可以用于垂直装配的芯片线圈中(这种情况下，线圈的轴线与其装配平面垂直)。而且，可以不用磁芯10，而用电介质心或陶瓷、树脂制成的绝缘芯来形成绝缘底座结构。还有，本发明不仪适用于芯片线圈，而且适用于绕线电感器。而且，本发明可适用于多种电子设备，包括其它种类的电子功用设备，比如电容器。

由以上描述可以看出，本发明具有多种优点，具体说来，在本发明中，绝缘底座上的电极至少包括高熔点材料制成的焊接屏障层和低熔点材料制成的易焊层；电线的末端通过热压过程埋入易焊层，通过这种过程，电极表面大致平整，无突出部分，这种结构使得线圈设备能够稳定地装配到印刷电路板上。特别是如果电线末端的表面在与电极连接后覆盖另外一层易焊层，那么电线末端能够抗氧化并且易焊性能提高。

而且，在本发明的连接过程中，电线末端在被加热的同时被压向电极，这样一来，电线与焊接屏障层通过固相焊接连接起来，电线与易焊层则通过钎焊相互连接。从而使电线和电极以高度可靠的方式连接。因而，本发明电子设备的连接具有高可靠性能和抗机械冲击和振动的性能。而且，电线的绝缘层在连接过程中受热熔化或蒸发，因而不需要另外的去除镀层的工序。

本发明所述制造线圈设备制造方法中，首先进行低压挤压过程，以相对较低的压力和足以熔化绝缘层的温度向着电极方向挤压绝缘电线的末端，从而将绝缘镀层熔化并将熔化的绝缘层挤向电线两侧。按下来是高压挤压过程，对电线施加高压使得电线的末端变平而被埋入电极中。于是，所形成连接的表面平整，此处的电线与电极的连接高度可靠。从而实现了高度可靠性能的电连接，可以将线圈设备同印刷线路板以高度可靠的方式通过焊接而连接起来。

而且，本发明中，高压挤压过程是在低于电极顶层熔点而高于电极顶层凝固点的温度下进行的，从而使电极的表面在高压挤压过程中变软，保证电线末端埋入电极中。

Claims (8)

1、一种包括与绝缘底座上形成的电极紧密连接的电线的电子设备，其特征在于：所述电极包括至少一层高熔点材料制成的焊接屏障层和一层由低熔点材料制成的易焊层；所述电线通过热压过程埋入所述易焊层，所形成的结构具有基本平的表面。

2、根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于：所述易焊层表面和电线被另外一层易焊层覆盖。

3、一种制造电子设备的方法，其特征在于包括以下步骤，在绝缘底座上制造电极，所述电极包括至少一层由高熔点材料制成的焊接屏障层和置于所述焊接屏障层表面上的一层低熔点材料制成的易焊层；及加热电线的同时，将电线压向电极，使得电线与焊接屏障层通过固相焊接连接起来，使得电线与易焊层通过钎焊连接起来。

4、根据权利要求3所述一种制造电子设备的方法，其特征在于：在所述加热可导电电线同时将其压向电极的过程中，加热可导电电线和电极，使其温度在很短时间内达到高于易焊层熔点而低于焊接屏障层熔点的温度值，然后在很短的时间内将其冷却至低于易焊层熔点的数值。

5、一种制造线圈装置的方法，所述线圈设备包括绝缘材料制成的磁心、缠绕在磁心的绝缘电线、磁心外表面上形成的电极、绝缘电线末端同各自电极相连，其特征在于：绝缘电线与电极的连接过程包括：低压挤压过程，以相对较低的压力和足以熔化绝缘电线绝缘层的温度将绝缘电线压向电极；接下来是高压挤压过程，以相对较高的压力将电线压向电极，将电线压平，然后将压平的电线埋入电极中。

6、根据权利要求5所述的线圈设备的制造方法，其特征在于：所述高压挤压过程中的温度值设定为高于电极顶端熔点而低于其凝固点数值。

7、根据权利要求5或6所述的线圈设备的制造方法，其特征在于：所述高压挤压过程的操作温度比低压挤压过程的操作温度低。

8、根据权利要求5可6所述的线圈设备的制造方法，其特征在于：所述高压挤压过程的操作温度高于低压过程的操作温度。

Images