JPS63169006A - チツプ型コイル - Google Patents
チツプ型コイルInfo
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- JPS63169006A JPS63169006A JP62001509A JP150987A JPS63169006A JP S63169006 A JPS63169006 A JP S63169006A JP 62001509 A JP62001509 A JP 62001509A JP 150987 A JP150987 A JP 150987A JP S63169006 A JPS63169006 A JP S63169006A
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- coil
- electrodes
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁芯に端子電極を直接形成したチップ型コ
イルに関し、特にそのQ劣化の防止手段に関する。
イルに関し、特にそのQ劣化の防止手段に関する。
第5図は、従来のチップ型コイルの一例を示す斜視図で
ある。巻線部2aの上下両側にフランジ部2b、2cを
有しフェライト等から成る磁芯(コア)2の当該巻線部
2aに巻線4を巻き、下側のフランジ部2Cの左右両端
部付近に、当該コイルをプリント基板等に実装するため
の一対の端子電極6a、6bを直接形成し、巻線4の両
端部を両端子電極6a、6bに半田等(図示省略)で電
気的に接続している。この端子電極6a、6bは、例え
ば、銀ペーストや銀−パラジウムペースト等の導電性ペ
ーストを、フランジ部2Cの表面に印刷し焼成して形成
される。
ある。巻線部2aの上下両側にフランジ部2b、2cを
有しフェライト等から成る磁芯(コア)2の当該巻線部
2aに巻線4を巻き、下側のフランジ部2Cの左右両端
部付近に、当該コイルをプリント基板等に実装するため
の一対の端子電極6a、6bを直接形成し、巻線4の両
端部を両端子電極6a、6bに半田等(図示省略)で電
気的に接続している。この端子電極6a、6bは、例え
ば、銀ペーストや銀−パラジウムペースト等の導電性ペ
ーストを、フランジ部2Cの表面に印刷し焼成して形成
される。
ところが上記のようなチップ型コイルにおいては、端子
電極6a、6bの導電性が良く、かつそれらを磁芯2に
直接形成しているため、端子電極6a、6bにおけるう
ず電流積によってQ劣化が生じるという問題があった。
電極6a、6bの導電性が良く、かつそれらを磁芯2に
直接形成しているため、端子電極6a、6bにおけるう
ず電流積によってQ劣化が生じるという問題があった。
即ち、第6図に示すように、巻線4に生じる磁束8は、
フランジ部2Cに形成された端子電極6a、6bをも通
ることになり、この時に端子電極6a、6b内にうず電
流が流れる。うず電流iは一般的に、rot i =
−k (dB /dt)で表すことができ、kは導電
率で比抵抗ρの逆数、Bは磁束密度である。この場合、
従来の端子電極6a、6bは、銀や銀−パラジウム等か
ら成り、導電率kが大きいため、うず電流iも大きくな
り、これによるエネルギー損がコイルのQ劣化として表
れていた。
フランジ部2Cに形成された端子電極6a、6bをも通
ることになり、この時に端子電極6a、6b内にうず電
流が流れる。うず電流iは一般的に、rot i =
−k (dB /dt)で表すことができ、kは導電
率で比抵抗ρの逆数、Bは磁束密度である。この場合、
従来の端子電極6a、6bは、銀や銀−パラジウム等か
ら成り、導電率kが大きいため、うず電流iも大きくな
り、これによるエネルギー損がコイルのQ劣化として表
れていた。
また、銀などから成る電極の表面には、半田付は時の恨
くわれ防止等のために、ニッケル、スズ、半田、銅等の
金属メッキを施すのが好ましいが、上記のようなチップ
型コイルにおいては、端子電極6a、6bの表面に金属
メッキを施すと、それによってQ劣化が一段と大きくな
るため、金属メッキを施すことができないという問題も
あった。
くわれ防止等のために、ニッケル、スズ、半田、銅等の
金属メッキを施すのが好ましいが、上記のようなチップ
型コイルにおいては、端子電極6a、6bの表面に金属
メッキを施すと、それによってQ劣化が一段と大きくな
るため、金属メッキを施すことができないという問題も
あった。
そこでこの発明は、これらの点を改善したチップ型コイ
ルを提供することを目的とする。
ルを提供することを目的とする。
この発明のチップ型コイルは、前述したような端子電極
が、導電性材料に絶縁物を混合したものから成ることを
特徴とする。
が、導電性材料に絶縁物を混合したものから成ることを
特徴とする。
導電性材料に絶縁物を混合することにより、端子電極の
比抵抗を上げることができ、それによって当該端子電極
におけろうず電流が小さくなるため、当該チップ型コイ
ルのQ劣化が防止されるミしかも、端子電極でのQ劣化
を防止することによって、金属メッキによるQ劣化が許
容されるようになるため、端子電極に金属メッキを施す
ことも可能となる。
比抵抗を上げることができ、それによって当該端子電極
におけろうず電流が小さくなるため、当該チップ型コイ
ルのQ劣化が防止されるミしかも、端子電極でのQ劣化
を防止することによって、金属メッキによるQ劣化が許
容されるようになるため、端子電極に金属メッキを施す
ことも可能となる。
第1図は、この発明の一実施例に係るチップ型コイルを
示す縦断面図である。第5図あるいは第6図と同等部分
には同一符号を付し、以下においては従来例との相違点
を主に説明する。
示す縦断面図である。第5図あるいは第6図と同等部分
には同一符号を付し、以下においては従来例との相違点
を主に説明する。
この実施例においては、例えば銀ペースト等の導電性ペ
ースト中に、絶縁物、例えばアルミナ、シリカ、酸化チ
タン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、
酸化亜鉛、ジルコニア、フェライト粉末等の絶縁性酸化
物あるいはS i、NいAIN等の絶縁性窒化物、ある
いはSiC等の絶縁性炭化物を混合したものを、磁芯2
のフランジ部2cに直接印刷し焼成することによって、
前記端子電極6a、6bに対応する端子電極16a、1
6bを形成している。
ースト中に、絶縁物、例えばアルミナ、シリカ、酸化チ
タン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、
酸化亜鉛、ジルコニア、フェライト粉末等の絶縁性酸化
物あるいはS i、NいAIN等の絶縁性窒化物、ある
いはSiC等の絶縁性炭化物を混合したものを、磁芯2
のフランジ部2cに直接印刷し焼成することによって、
前記端子電極6a、6bに対応する端子電極16a、1
6bを形成している。
以上のようにすることによって、端子電極16a、16
bの比抵抗を実用上差し支えない範囲で上げることがで
き、それによって当該端子電極16a、16bにおける
うず電流が小さくなるため、当該コイルのQ劣化が防止
され、Qの優れたチップ型コイルが得られる。
bの比抵抗を実用上差し支えない範囲で上げることがで
き、それによって当該端子電極16a、16bにおける
うず電流が小さくなるため、当該コイルのQ劣化が防止
され、Qの優れたチップ型コイルが得られる。
例えば、端子電極16a、16bの比抵抗ρと当該コイ
ルのQとの関係は第2図に示すようになり、端子電極1
6a、16bの比抵抗ρを例えば50μΩ・cm程度以
上に上げると、Q劣化を非常に効果的に防止することが
できる。ちなみに5゜μΩ・cm程度の比抵抗は、例え
ば恨ペーストにアルミナ粉を10wt%程度混合するこ
とによって得られる。また第3図からも分かるように、
端子電極16a、16bの比抵抗ρを上げると、特に高
周波域におけるQの向上が顕著になる。
ルのQとの関係は第2図に示すようになり、端子電極1
6a、16bの比抵抗ρを例えば50μΩ・cm程度以
上に上げると、Q劣化を非常に効果的に防止することが
できる。ちなみに5゜μΩ・cm程度の比抵抗は、例え
ば恨ペーストにアルミナ粉を10wt%程度混合するこ
とによって得られる。また第3図からも分かるように、
端子電極16a、16bの比抵抗ρを上げると、特に高
周波域におけるQの向上が顕著になる。
しかも、端子電極16a、16bでのQ劣化を防止する
ことによって、金属メッキによるQ劣化が幾分(例えば
端子電極16a、16bでのQ劣化を抑えた程度)許容
されるようになるため、端子電極16a、16bに各種
の金属メッキ(例えばニッケル、スズ、半田、銅等のメ
ッキ)を施すことも可能となる。
ことによって、金属メッキによるQ劣化が幾分(例えば
端子電極16a、16bでのQ劣化を抑えた程度)許容
されるようになるため、端子電極16a、16bに各種
の金属メッキ(例えばニッケル、スズ、半田、銅等のメ
ッキ)を施すことも可能となる。
その−例を第4図に示すと、この実施例においては、例
えばアルミナの含有量が20wt%で比抵抗が68μΩ
・cmの銀電極材から成る端子電極16a、16bの表
面に、例えば1μm以下の厚みでニンケル層17をメッ
キ(例えば電解メッキ)し、更にその上にスズ層18を
メッキ(同上)したものである。
えばアルミナの含有量が20wt%で比抵抗が68μΩ
・cmの銀電極材から成る端子電極16a、16bの表
面に、例えば1μm以下の厚みでニンケル層17をメッ
キ(例えば電解メッキ)し、更にその上にスズ層18を
メッキ(同上)したものである。
その結果、ニッケルメッキを施したことにより銀電極の
半田によるくわれが城少し、固着力等の改善ができた。
半田によるくわれが城少し、固着力等の改善ができた。
またスズメッキを施したことにより、半田付着性も向上
した。つまり、コイルの性能(Q)を損なわずに端子電
極部分の性能が向上した。
した。つまり、コイルの性能(Q)を損なわずに端子電
極部分の性能が向上した。
尚、上記のような端子電極は、磁芯に直接それを形成す
る場合の全てに有効であり、磁芯の形状は必ずしも図示
例のようなものに限定されるものではなく任意である。
る場合の全てに有効であり、磁芯の形状は必ずしも図示
例のようなものに限定されるものではなく任意である。
従って例えば、つぼ型コア等においても上記と同様の効
果が得られる。
果が得られる。
以上のようにこの発明によれば、端子電極におけるうず
電流を小さくして、当該コイルのQ劣化を防止すること
ができる。しかもそれに伴って、当該端子電極上に各種
の金属メッキを施すことも可能となる。
電流を小さくして、当該コイルのQ劣化を防止すること
ができる。しかもそれに伴って、当該端子電極上に各種
の金属メッキを施すことも可能となる。
第1図は、この発明の一実施例に係るチップ型コイルを
示す縦断面図である。第2図は、第1図のようなチップ
型コイルにおける端子電極の比抵抗とコイルのQとの関
係を示すグラフである。第3図は、第1図のようなチッ
プ型コイルにおける周波数とコイルのQとの関係を示す
グラフである。 第4図は、この発明の他の実施例に係るチップ型コイル
を示す縦断面図である。第5図は、従来のチップ型コイ
ルの一例を示す斜視図である。第6図は、第5図のチッ
プ型コイルを磁束と共に示す縦断面図である。 2・・・磁芯、4・・・巻線、16a、16b・・・端
子電極、17・・・ニッケル層、18・・・スズ層。
示す縦断面図である。第2図は、第1図のようなチップ
型コイルにおける端子電極の比抵抗とコイルのQとの関
係を示すグラフである。第3図は、第1図のようなチッ
プ型コイルにおける周波数とコイルのQとの関係を示す
グラフである。 第4図は、この発明の他の実施例に係るチップ型コイル
を示す縦断面図である。第5図は、従来のチップ型コイ
ルの一例を示す斜視図である。第6図は、第5図のチッ
プ型コイルを磁束と共に示す縦断面図である。 2・・・磁芯、4・・・巻線、16a、16b・・・端
子電極、17・・・ニッケル層、18・・・スズ層。
Claims (2)
- (1)磁芯に端子電極を直接形成したチップ型コイルに
おいて、当該端子電極が導電性材料に絶縁物を混合した
ものから成ることを特徴とするチップ型コイル。 - (2)前記端子電極の表面に金属メッキが施されている
特許請求の範囲第1項記載のチップ型コイル。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62001509A JPS63169006A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | チツプ型コイル |
US07/246,827 US5003279A (en) | 1987-01-06 | 1988-01-05 | Chip-type coil |
PCT/JP1988/000002 WO1993013532A1 (en) | 1987-01-06 | 1988-01-05 | Chip type coil |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62001509A JPS63169006A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | チツプ型コイル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63169006A true JPS63169006A (ja) | 1988-07-13 |
JPH0556841B2 JPH0556841B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11503451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62001509A Granted JPS63169006A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | チツプ型コイル |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5003279A (ja) |
JP (1) | JPS63169006A (ja) |
WO (1) | WO1993013532A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2017139378A (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | Tdk株式会社 | コイル部品 |
JP2017139379A (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | Tdk株式会社 | コイル部品 |
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DE19710462C2 (de) * | 1997-03-13 | 1999-05-20 | Siemens Matsushita Components | Elektrisches Bauelement, insbesondere Chipinduktivität |
TW373197B (en) * | 1997-05-14 | 1999-11-01 | Murata Manufacturing Co | Electronic device having electric wires and the manufacturing method thereof |
US6087921A (en) * | 1998-10-06 | 2000-07-11 | Pulse Engineering, Inc. | Placement insensitive monolithic inductor and method of manufacturing same |
JP3262107B2 (ja) | 1999-08-26 | 2002-03-04 | 株式会社村田製作所 | コイル部品及びその製造方法 |
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