JPH0556841B2 - - Google Patents
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- JPH0556841B2 JPH0556841B2 JP62001509A JP150987A JPH0556841B2 JP H0556841 B2 JPH0556841 B2 JP H0556841B2 JP 62001509 A JP62001509 A JP 62001509A JP 150987 A JP150987 A JP 150987A JP H0556841 B2 JPH0556841 B2 JP H0556841B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁芯に端子電極を直接形成したチ
ツプ型コイルに関し、特にそのＱ劣化の防止手段
に関する。
ツプ型コイルに関し、特にそのＱ劣化の防止手段
に関する。
第５図は、従来のチツプ型コイルの一例を示す
斜視図である。巻線部２ａの上下両側にフランジ
部２ｂ，２ｃを有しフエライト等から成る磁芯
（コア）２の当該巻線部２ａに巻線４を巻き、下
側のフランジ部２ｃの左右両端部付近に、当該コ
イルをプリント基板等に実装するための一対の端
子電極６ａ，６ｂを直接形成し、巻線４の両端部
を両端子電極６ａ，６ｂに半田等（図示省略）で
電気的に接続している。この端子電極６ａ，６ｂ
は、例えば、銀ペーストや銀−パラジウムペース
ト等の導電性ペーストを、フランジ部２ｃの表面
に印刷し焼成して形成される。
斜視図である。巻線部２ａの上下両側にフランジ
部２ｂ，２ｃを有しフエライト等から成る磁芯
（コア）２の当該巻線部２ａに巻線４を巻き、下
側のフランジ部２ｃの左右両端部付近に、当該コ
イルをプリント基板等に実装するための一対の端
子電極６ａ，６ｂを直接形成し、巻線４の両端部
を両端子電極６ａ，６ｂに半田等（図示省略）で
電気的に接続している。この端子電極６ａ，６ｂ
は、例えば、銀ペーストや銀−パラジウムペース
ト等の導電性ペーストを、フランジ部２ｃの表面
に印刷し焼成して形成される。
ところが上記のようなチツプ型コイルにおいて
は、端子電極６ａ，６ｂの導電性が良く、かつそ
れらを磁芯２に直接形成しているため、端子電極
６ａ，６ｂにおけるうず電流損によつてＱ劣化が
生じるという問題があつた。
は、端子電極６ａ，６ｂの導電性が良く、かつそ
れらを磁芯２に直接形成しているため、端子電極
６ａ，６ｂにおけるうず電流損によつてＱ劣化が
生じるという問題があつた。
即ち、第６図に示すように、巻線４に生じる磁
束８は、フランジ部２ｃに形成された端子電極６
ａ，６ｂをも通ることになり、この時に端子電極
６ａ，６ｂ内にうず電流が流れる。うず電流ｉは
一般的に、rot ｉ＝−ｋ（dB／dt）で表すことが
でき、ｋは導電率で比抵抗ρの逆数、Ｂは磁束密
度である。この場合、従来の端子電極６ａ，６ｂ
は、銀や銀−パラジウム等から成り、導電率ｋが
大きいため、うず電流ｉも大きくなり、これによ
るエネルギー損がコイルのＱ劣化として表れてい
た。
束８は、フランジ部２ｃに形成された端子電極６
ａ，６ｂをも通ることになり、この時に端子電極
６ａ，６ｂ内にうず電流が流れる。うず電流ｉは
一般的に、rot ｉ＝−ｋ（dB／dt）で表すことが
でき、ｋは導電率で比抵抗ρの逆数、Ｂは磁束密
度である。この場合、従来の端子電極６ａ，６ｂ
は、銀や銀−パラジウム等から成り、導電率ｋが
大きいため、うず電流ｉも大きくなり、これによ
るエネルギー損がコイルのＱ劣化として表れてい
た。
また、銀などから成る電極の表面には、半田付
け時の銀くわれ防止等のために、ニツケル、ス
ズ、半田、銅等の金属メツキを施すのが好ましい
が、上記のようなチツプ型コイルにおいては、端
子電極６ａ，６ｂの表面に金属メツキを施すと、
それによつてＱ劣化が一段と大きくなるため、金
属メツキを施すことができないという問題もあつ
た。
け時の銀くわれ防止等のために、ニツケル、ス
ズ、半田、銅等の金属メツキを施すのが好ましい
が、上記のようなチツプ型コイルにおいては、端
子電極６ａ，６ｂの表面に金属メツキを施すと、
それによつてＱ劣化が一段と大きくなるため、金
属メツキを施すことができないという問題もあつ
た。
そこでこの発明は、これらの点を改善したチツ
プ型コイルを提供することを目的とする。
プ型コイルを提供することを目的とする。
この発明のチツプ型コイルは、前述したような
端子電極が、導電性材料に、磁芯とは異なる材料
から成りかつ非磁性の絶縁物を混合したものから
成ることを特徴とする。
端子電極が、導電性材料に、磁芯とは異なる材料
から成りかつ非磁性の絶縁物を混合したものから
成ることを特徴とする。
導電性材料に絶縁物を混合することにより、端
子電極の比抵抗を上げることができ、それによつ
て当該端子電極におけるうず電流が小さくなるた
め、当該チツプ型コイルのＱ劣化が防止される。
子電極の比抵抗を上げることができ、それによつ
て当該端子電極におけるうず電流が小さくなるた
め、当該チツプ型コイルのＱ劣化が防止される。
しかもこの絶縁物は非磁性のものであるため、
このような絶縁物を端子電極中に混合しても、そ
の影響で端子電極内に磁束が引き込まれて多くの
磁束が端子電極を通るようになるのを避けること
ができる。従つて、上記の比抵抗増加によるＱ劣
化防止を実効あるものとすることができる。
このような絶縁物を端子電極中に混合しても、そ
の影響で端子電極内に磁束が引き込まれて多くの
磁束が端子電極を通るようになるのを避けること
ができる。従つて、上記の比抵抗増加によるＱ劣
化防止を実効あるものとすることができる。
第１図は、この発明の一実施例に係るチツプ型
コイルを示す縦断面図である。第５図あるいは第
６図と同等部分には同一符号を付し、以下におい
ては従来例との相違点を主に説明する。
コイルを示す縦断面図である。第５図あるいは第
６図と同等部分には同一符号を付し、以下におい
ては従来例との相違点を主に説明する。
この実施例においては、例えば銀ペースト等の
導電性ペースト中に、磁芯２とは異なる材料から
成りかつ非磁性の絶縁物、例えばアルミナ、シリ
カ、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニ
ツケル、酸化銅、酸化亜鉛、ジルコニア等の絶縁
性酸化物あるいはSi3N4、A1N等の絶縁性窒化
物、あるいはSiC等の絶縁性炭化物を混合したも
のを、磁芯２のフランジ部２ｃに直接印刷し焼成
することによつて、前記端子電極６ａ，６ｂに対
応する端子電極１６ａ，１６ｂを形成している。
導電性ペースト中に、磁芯２とは異なる材料から
成りかつ非磁性の絶縁物、例えばアルミナ、シリ
カ、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニ
ツケル、酸化銅、酸化亜鉛、ジルコニア等の絶縁
性酸化物あるいはSi3N4、A1N等の絶縁性窒化
物、あるいはSiC等の絶縁性炭化物を混合したも
のを、磁芯２のフランジ部２ｃに直接印刷し焼成
することによつて、前記端子電極６ａ，６ｂに対
応する端子電極１６ａ，１６ｂを形成している。
以上のようにすることによつて、端子電極１６
ａ，１６ｂの比抵抗を実用上差し支えない範囲で
上げることができ、それによつて当該端子電極１
６ａ，１６ｂにおけるうず電流が小さくなるた
め、当該コイルのＱ劣化が防止され、Ｑの優れた
チツプ型コイルが得られる。
ａ，１６ｂの比抵抗を実用上差し支えない範囲で
上げることができ、それによつて当該端子電極１
６ａ，１６ｂにおけるうず電流が小さくなるた
め、当該コイルのＱ劣化が防止され、Ｑの優れた
チツプ型コイルが得られる。
また、絶縁物を混合することによつて、却つて
多くの磁束が端子電極１６ａ，１６ｂ内を通るよ
うになると、それによつて端子電極における磁束
密度が増大してＱ劣化がもたらされるので、上記
の比抵抗増加によるＱ劣化防止の効果が減殺され
てしまうが、上記絶縁物は非磁性のものであるた
め、このような絶縁物を端子電極１６ａ，１６ｂ
中に混合しても、その影響で端子電極１６ａ，１
６ｂ内に磁束が引き込まれて多くの磁束が端子電
極を通るようになるのを避けることができる。従
つて、上記の比抵抗増加によるＱ劣化防止を実効
あるものとすることができる。
多くの磁束が端子電極１６ａ，１６ｂ内を通るよ
うになると、それによつて端子電極における磁束
密度が増大してＱ劣化がもたらされるので、上記
の比抵抗増加によるＱ劣化防止の効果が減殺され
てしまうが、上記絶縁物は非磁性のものであるた
め、このような絶縁物を端子電極１６ａ，１６ｂ
中に混合しても、その影響で端子電極１６ａ，１
６ｂ内に磁束が引き込まれて多くの磁束が端子電
極を通るようになるのを避けることができる。従
つて、上記の比抵抗増加によるＱ劣化防止を実効
あるものとすることができる。
例えば、端子電極１６ａ，１６ｂの比抵抗ρと
当該コイルのＱとの関係は第２図に示すようにな
り、端子電極１６ａ，１６ｂの比抵抗ρを例えば
50μΩ・cm程度以上に上げると、Ｑ劣化を非常に
効果的に防止することができる。ちなみに
50μΩ・cm程度の比抵抗は、例えば銀ペーストに
アルミナ粉を10wt％程度混合することによつて
得られる。また第３図からも分かるように、端子
電極１６ａ，１６ｂの比抵抗ρを上げると、特に
高周波域におけるＱの向上が顕著になる。
当該コイルのＱとの関係は第２図に示すようにな
り、端子電極１６ａ，１６ｂの比抵抗ρを例えば
50μΩ・cm程度以上に上げると、Ｑ劣化を非常に
効果的に防止することができる。ちなみに
50μΩ・cm程度の比抵抗は、例えば銀ペーストに
アルミナ粉を10wt％程度混合することによつて
得られる。また第３図からも分かるように、端子
電極１６ａ，１６ｂの比抵抗ρを上げると、特に
高周波域におけるＱの向上が顕著になる。
しかも、端子電極１６ａ，１６ｂでのＱ劣化を
防止することによつて、金属メツキによるＱ劣化
が幾分（例えば端子電極１６ａ，１６ｂでのＱ劣
化を抑えた程度）許容されるようになるため、端
子電極１６ａ，１６ｂに各種の金属メツキ（例え
ばニツケル、スズ、半田、銅等のメツキ）を施す
ことも可能となる。
防止することによつて、金属メツキによるＱ劣化
が幾分（例えば端子電極１６ａ，１６ｂでのＱ劣
化を抑えた程度）許容されるようになるため、端
子電極１６ａ，１６ｂに各種の金属メツキ（例え
ばニツケル、スズ、半田、銅等のメツキ）を施す
ことも可能となる。
その一例を第４図に示すと、この実施例におい
ては、例えばアルミナの含有量が20wt％で比抵
抗が68μΩ・cmの銀電極材から成る端子電極１６
ａ，１６ｂの表面に、例えば1μｍ以下の厚みで
ニツケル層１７をメツキ（例えば電解メツキ）
し、更にその上にスズ層１８をメツキ（同上）し
たものである。
ては、例えばアルミナの含有量が20wt％で比抵
抗が68μΩ・cmの銀電極材から成る端子電極１６
ａ，１６ｂの表面に、例えば1μｍ以下の厚みで
ニツケル層１７をメツキ（例えば電解メツキ）
し、更にその上にスズ層１８をメツキ（同上）し
たものである。
その結果、ニツケルメツキを施したことにより
銀電極の半田によるくわれが減少し、固着力等の
改善ができた。またスズメツキを施したことによ
り、半田付着性も向上した。つまり、コイルの性
能Ｑを損なわずに端子電極部分の性能が向上し
た。
銀電極の半田によるくわれが減少し、固着力等の
改善ができた。またスズメツキを施したことによ
り、半田付着性も向上した。つまり、コイルの性
能Ｑを損なわずに端子電極部分の性能が向上し
た。
尚、上記のような端子電極は、磁芯に直接それ
を形成する場合の全てに有効であり、磁芯の形状
は必ずしも図示例のようなものに限定されるもの
ではなく任意である。従つて例えば、つぼ型コア
等においても上記と同様の効果が得られる。
を形成する場合の全てに有効であり、磁芯の形状
は必ずしも図示例のようなものに限定されるもの
ではなく任意である。従つて例えば、つぼ型コア
等においても上記と同様の効果が得られる。
以上のようにこの発明によれば、導電性材料に
絶縁物を混合することにより、端子電極の比抵抗
を上げることができ、それによつて当該端子電極
におけるうず電流が小さくなるため、当該チツプ
型コイルのＱ劣化を防止することができる。
絶縁物を混合することにより、端子電極の比抵抗
を上げることができ、それによつて当該端子電極
におけるうず電流が小さくなるため、当該チツプ
型コイルのＱ劣化を防止することができる。
しかもこの絶縁物は非磁性のものであるため、
このような絶縁物を端子電極中に混合しても、そ
の影響で端子電極内に磁束が引き込まれて多くの
磁束が端子電極を通るようになるのを避けること
ができる。従つて、上記の比抵抗増加によるＱ劣
化防止を実効あるものとすることができる。
このような絶縁物を端子電極中に混合しても、そ
の影響で端子電極内に磁束が引き込まれて多くの
磁束が端子電極を通るようになるのを避けること
ができる。従つて、上記の比抵抗増加によるＱ劣
化防止を実効あるものとすることができる。
また、端子電極でのＱ劣化を防止することによ
つて、金属メツキによるＱ劣化が許容されるよう
になるため、端子電極上に各種の金属メツキを施
すことも可能となる。
つて、金属メツキによるＱ劣化が許容されるよう
になるため、端子電極上に各種の金属メツキを施
すことも可能となる。
第１図は、この発明の一実施例に係るチツプ型
コイルを示す縦断面図である。第２図は、第１図
のようなチツプ型コイルにおける端子電極の比抵
抗とコイルのＱとの関係を示すグラフである。第
３図は、第１図のようなチツプ型コイルにおける
周波数とコイルのＱとの関係を示すグラフであ
る。第４図は、この発明の他の実施例に係るチツ
プ型コイルを示す縦断面図である。第５図は、従
来のチツプ型コイルの一例を示す斜視図である。
第６図は、第５図のチツプ型コイルを磁束と共に
示す縦断面図である。 ２……磁芯、４……巻線、１６ａ，１６ｂ……
端子電極、１７……ニツケル層、１８……スズ
層。
コイルを示す縦断面図である。第２図は、第１図
のようなチツプ型コイルにおける端子電極の比抵
抗とコイルのＱとの関係を示すグラフである。第
３図は、第１図のようなチツプ型コイルにおける
周波数とコイルのＱとの関係を示すグラフであ
る。第４図は、この発明の他の実施例に係るチツ
プ型コイルを示す縦断面図である。第５図は、従
来のチツプ型コイルの一例を示す斜視図である。
第６図は、第５図のチツプ型コイルを磁束と共に
示す縦断面図である。 ２……磁芯、４……巻線、１６ａ，１６ｂ……
端子電極、１７……ニツケル層、１８……スズ
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁芯に端子電極を直接形成したチツプ型コイ
ルにおいて、当該端子電極が、導電性材料に磁芯
とは異なる材料から成りかつ非磁性の絶縁物を混
合したものから成ることを特徴とするチツプ型コ
イル。 ２ 前記端子電極の表面に金属メツキが施されて
いる特許請求の範囲第１項記載のチツプ型コイ
ル。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62001509A JPS63169006A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | チツプ型コイル |
| PCT/JP1988/000002 WO1993013532A1 (en) | 1987-01-06 | 1988-01-05 | Chip type coil |
| US07/246,827 US5003279A (en) | 1987-01-06 | 1988-01-05 | Chip-type coil |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62001509A JPS63169006A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | チツプ型コイル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169006A JPS63169006A (ja) | 1988-07-13 |
| JPH0556841B2 true JPH0556841B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11503451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62001509A Granted JPS63169006A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | チツプ型コイル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5003279A (ja) |
| JP (1) | JPS63169006A (ja) |
| WO (1) | WO1993013532A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5402321A (en) * | 1991-05-27 | 1995-03-28 | Tdk Corporation | Composite device having inductor and coupling member |
| JP3116696B2 (ja) * | 1993-12-10 | 2000-12-11 | 株式会社村田製作所 | インダクタ |
| US6087920A (en) | 1997-02-11 | 2000-07-11 | Pulse Engineering, Inc. | Monolithic inductor |
| DE19710462C2 (de) * | 1997-03-13 | 1999-05-20 | Siemens Matsushita Components | Elektrisches Bauelement, insbesondere Chipinduktivität |
| TW373197B (en) * | 1997-05-14 | 1999-11-01 | Murata Manufacturing Co | Electronic device having electric wires and the manufacturing method thereof |
| US6087921A (en) * | 1998-10-06 | 2000-07-11 | Pulse Engineering, Inc. | Placement insensitive monolithic inductor and method of manufacturing same |
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