JP3334684B2

JP3334684B2 - 電子部品及び無線端末装置

Info

Publication number: JP3334684B2
Application number: JP18286999A
Authority: JP
Inventors: 邦昭清末; 広実崎田; 勝美佐々木; 賢蔵磯崎
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-06-29
Filing date: 1999-06-29
Publication date: 2002-10-15
Anticipated expiration: 2019-06-29
Also published as: JP2001015342A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れる電子部品及び製造方法及び無線端末装置に関するも
のである。特に、絶縁性の基体上に導電膜を設けた電子
部品及び無線端末装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１７は従来のインダクタンス素子を示
す側面図である。図１７において、１は四角柱状また
は、円柱状の基台、２は基台１の上に形成された導電
膜、３は導電膜２に設けられた溝、４は導電膜２の上に
積層され、電着膜で構成された保護材である。

【０００３】この様な電子部品は、溝３の間隔などを調
整することによって、所定の特性に調整する。

【０００４】先行例としては、特開平７−３０７２０１
号公報，特開平７−２９７０３３号公報，特開平５−１
２９１３３号公報，特開平１−２３８００３号公報，実
開昭５７−１１７６３６号公報，特開平５−２９９２５
０号公報，特開平７−２９７０３３号公報等がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、保護材
４を電着膜のみで構成した場合に、電着膜自体の機械的
強度（硬度）が小さく、製造途中や実装の際に、コイル
状に形成された導電膜２に電着膜を介して力が加わり、
コイル状の導電膜２が曲がったりすることによって、シ
ョート等が発生したり、導電膜２が切断したりして、素
子としての特性が劣化するという問題点があった。

【０００６】また、素子が小型化されていくとますま
す、前述の様な問題点は顕著に表れてくる。

【０００７】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、保護材の改良によって、素子特性の劣化の防止かも
しくは素子の実装の向上の少なくとも一方を実現できる
電子部品及び無線端末装置を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、基台上に設け
られた導電膜に設けられた溝を設け、基台の端部に設け
られた一対の端子部と、溝を覆うように前記導電膜上に
設けられた保護材とを備えた電子部品であって、保護材
は、導電膜側に設けられた電着膜と、前記電着膜上に設
けられた絶縁層とを有し、絶縁層は塗布により構成さ
れ、しかも電着膜よりも絶縁層の方が硬度が高い構成と
した。

【０００９】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基台と、
前記基台上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けら
れた溝と、前記基台の端部に設けられた一対の端子部
と、前記溝を覆うように前記導電膜上に設けられた保護
材とを備えた電子部品であって、保護材は、導電膜側に
設けられた電着膜と、前記電着膜上に設けられた絶縁層
とを有し、前記絶縁層は塗布により構成され、しかも前
記電着膜よりも前記絶縁層の方が硬度が高いことによっ
て、均一でしかも絶縁性の高い電着膜の上に更に絶縁層
を設けることによって、製造途中や実装の際に導電膜に
ダメージが加わることを防止でき、ショートや断線など
を防止できる。

【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、電着膜の膜厚を１０μｍ〜３０μｍとしたことによ
って、電着膜の膜厚を１０μｍ以上とすることによっ
て、良好な絶縁性能を有し、しかも膜厚を３０μｍ以下
とすることによって、保護材の表面形状を良好にし、実
装の際の吸着特性を向上させることができるとともに、
自己共振周波数ｆ０を向上させるとともにＱ値の劣化を
防止できる。

【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１におい
て、絶縁層の膜厚を５μｍから２０μｍとしたことによ
って、保護材の強度と実装性の向上を行うことができ
る。

【００１２】請求項４記載の発明は、請求項１におい
て、電着膜の厚みを１とした場合に絶縁層の厚みを０．
１〜１としたことによって、強度を保ちつつ実装性を向
上させる。

【００１３】請求項５記載の発明は、請求項１におい
て、電着膜の構成材料はアクリル系樹脂、エポキシ系樹
脂、フッ素系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂
の内少なくとも一つを用いたことによって、均一でしか
も十分な絶縁性能を有することができる。

【００１４】請求項６記載の発明は、絶縁層の構成材料
はエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の内少なくとも一つ
としたことによって、電着膜の補強を簡単に行え、しか
も十分な絶縁性能を得ることができる。

【００１５】請求項７記載の発明は、請求項１におい
て、絶縁層の硬度を鉛筆硬度で４Ｈ〜９Ｈとしたことこ
とによって、絶縁層にクラックが生じることを防止で
き、導電膜等の保護を確実に行える。

【００１６】請求項８記載の発明は、請求項１〜７にお
いて、基台を底面が略正方形状の角柱状とした事によっ
て、簡単な構成で、しかも素子の転がりを抑制できるの
で、コスト面で非常に有利になると共に、基台の作製が
容易になり、生産性が向上し、しかも実装性も向上す
る。

【００１７】請求項９記載の発明は、請求項１〜８にお
いて、長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３としたときに、Ｌ１＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）のサイズを有することによって、小型で、しかも素子折
れ等が発生に難いので、実装性にも優れ、しかも非常に
小さな回路基板を構成できる。

【００１８】請求項１０記載の発明は、請求項１〜９に
おいて、基台の端面に導電膜を介して端子部を設けたこ
とによって、端子部の特性を良好にすることができ、電
気特性を向上させることができる。

【００１９】請求項１１記載の発明は、請求項１〜９に
おいて、導電膜と溝によって、インダクタンス成分を形
成することによって、コイル状の導電膜に製造途中や実
装の際にダメージが加わることを防止でき、断線やショ
ートによるコイル特性の悪化を防止できるチップインダ
クタを作製することができる。

【００２０】請求項１２記載の発明は、請求項１〜９に
おいて、導電膜の代わりに抵抗膜を用いた事によって、
製造途中や実装の際に抵抗膜にダメージが加わることを
防止できるので、抵抗の特性劣化を防止できるチップ抵
抗器を作製することができる。

【００２１】請求項１３記載の発明は、請求項１〜９に
おいて、導電膜を少なくとも２分する溝を設け、容量成
分を有する事によって、製造途中や実装の際に導電膜に
ダメージが加わることを防止できるので、容量の特性劣
化を防止できる、チップコンデンサを作製することがで
きる。

【００２２】請求項１４記載の発明は、表示手段と、デ
ータ信号もしくは音声信号の少なくとも一方を送信信号
に変換するか受信信号をデータ信号もしくは音声信号の
少なくとも一方に変換する変換手段と、前記送信信号及
び前記受信信号を送受信するアンテナと、各部を制御す
る制御手段を備えた無線端末装置であって、発信回路，
フィルタ回路，アンテナ部及び各段とのマッチング回路
周辺部等の少なくとも一つに請求項１〜１３いずれか１
記載の電子部品を用いたことによって、製造の途中や実
装の際に特性が劣化を用いることができるので、端末の
特性劣化や製造上における不良率を低減でき、生産性を
向上させることができる。

【００２３】以下、本発明における電子部品及び無線端
末装置の実施の形態についてインダクタンス素子を例に
挙げて具体的に説明する。

【００２４】図１，図２はそれぞれ本発明の一実施の形
態におけるインダクタンス素子を示す斜視図及び側断面
図である。

【００２５】図１において、１１は絶縁材料などをプレ
ス加工，押し出し法等を施して構成されている基台、１
２は基台１１の上に設けられている導電膜で、導電膜１
２は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台１１上に形成される。

【００２６】１３は基台１１及び導電膜１２に設けられ
た溝で、溝１３は、レーザ光線等を導電膜１２に照射す
ることによって形成したり、導電膜１２に砥石等を当て
て機械的に形成されたり、レジストなどを用いた選択的
エッチングによって形成されている。

【００２７】１４は基台１１及び導電膜１２の溝１３を
設けた部分に塗布された保護材、１５，１６はそれぞれ
基台１１の端部にそれぞれ取り付けられた端子部で、端
子部１５と端子部１６の間には、基台１１が挟み込まれ
ている。すなわち、基台１１における端子部１５，１６
との接合部位は、基台１１の端部となり、基台１１の側
面と端子部１５，１６は非接触とすることが基本であ
る。

【００２８】また、本実施の形態のインダクタンス素子
は、実用周波数帯域が１〜６ＧＨｚと高周波数域に対応
し、しかも非常に高いＱ値（３５以上）を有しており、
そのインダクタンス素子の長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３
は以下の通りとなっていることが好ましい。

【００２９】Ｌ１＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは
０．３〜０．８ｍｍ）Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）（なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。）Ｌ１が０．２ｍｍ以下であ
ると、必要とするインダクタンスを得ることができな
い。また、Ｌ１が２．０ｍｍを超えてしまうと、素子自
体が大きくなってしまい、電子回路等が形成された基板
など（以下回路基板等と略す）回路基板等の小型化がで
きず、ひいてはその回路基板等を搭載した電子機器等の
小型化を行うことができない。また、Ｌ２，Ｌ３それぞ
れが０．１ｍｍ以下であると、素子自体の機械的強度が
弱くなりすぎてしまい、実装装置などで、回路基板等に
実装する場合に、素子折れ等が発生することがある。ま
た、Ｌ２，Ｌ３が１．０ｍｍ以上となると、素子が大き
くなりすぎて、回路基板等の小型化、ひいては装置の小
型化を行うことができない。

【００３０】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。

【００３１】まず、基台１１の形状について説明する。

【００３２】基台１１は角柱状もしくは円柱状とするこ
とが好ましく、図１，２に示す様に基台１１を角柱状と
することによって、実装性を向上させることができ、素
子の転がり等を防止できる等の効果を有する。また、基
台１１を角柱状とする中でも特に四角柱状とすることが
非常に実装性や、素子の回路基板上での位置決めを容易
にする。なお、更に好ましくは底面が正方形の直方体と
することが更に実装性等を向上させることができる。更
に、基台１１を角柱状とすることによって構造が非常に
簡単になるので、生産性がよく、しかもコスト面が非常
に有利になる。

【００３３】また、基台１１の形状を円柱状とすること
によって、後述するように基台１１上に導電膜１２を形
成し、その導電膜１２にレーザ加工等によって溝を形成
する場合、その溝の深さなどを精度よく形成することが
でき、特性のばらつきを抑えることができる。

【００３４】次に基台１１の面取りについて図３を用い
て説明する。

【００３５】図３は基台１１を示す斜視図である。

【００３６】基台１１の角部１１ｂ，１１ｃには面取り
が施されており、その面取りした角部１１ｂ，１１ｃの
それぞれの曲率半径Ｒ１及び角部１１ａの曲率半径Ｒ２
は以下の通りに形成されることが好ましい。

【００３７】０．０３＜Ｒ１＜０．１５（ｍｍ）０．０１＜Ｒ２（ｍｍ）Ｒ１が０．０３ｍｍ以下であると、角部１１ｂ，１１ｃ
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部１１ｂ，１１ｃに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、Ｒ１が０．１５ｍｍ以上であると、角部１１
ｂ，１１ｃが丸くなりすぎて、前述のマンハッタン現象
を起こしやすくなり、不具合が生じる。更にＲ２が０．
０１ｍｍ以下であると、角部１１ａにバリなどが発生し
やすく、素子の特性を大きく左右する導電膜１２の厚み
が角部１１ｆと平坦な部分で大きく異なることがあり、
素子特性のばらつきが大きくなる。

【００３８】次に基台１１の構成材料について説明す
る。基台１１の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。

【００３９】体積固有抵抗：１０¹³Ωｍ以上（好ましく
は１０¹⁴Ωｍ以上）熱膨張係数：５×１０^-4ｍ／℃以下（好ましくは２×１
０^-5／℃以下）［２０℃〜５００℃における熱膨張係
数］比誘電率：１ＭＨｚにおいて１２以下（好ましくは１０
以下）曲げ強度：１３００ｋｇ／ｃｍ²以上（好ましくは２０
００ｋｇ／ｃｍ²以上）密度：２〜５ｇ／ｃｍ³（好ましくは３〜４ｇ／ｃｍ³）基台１１の構成材料が体積固有抵抗が１０¹³Ωｍ以下で
あると、導電膜１２とともに基台１１にも所定に電流が
流れ始めるので、並列回路が形成された状態となり、自
己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってしまい、高周波
用の素子としては不向きである。

【００４０】また熱膨張係数が５×１０^-4／℃以上であ
ると、基台１１にヒートショック等でクラックなどが入
ることがある。すなわち熱膨張係数が５×１０^-4／℃以
上であると、上述の様に溝１３を形成する際にレーザ光
線や砥石等を用いるので、基台１１が局部的に高温にな
り、基台１１にクラックなどが生じることあるが、上述
の様な熱膨張係数を有することによって、大幅にクラッ
ク等の発生を抑止できる。

【００４１】また、誘電率が１ＭＨｚにおいて１２以上
であると、自己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。

【００４２】曲げ強度が１３００ｋｇ／ｃｍ²以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。

【００４３】密度が２ｇ／ｃｍ³以下であると、基台１
１の吸水率が高くなり、基台１１の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が５ｇ／ｃ
ｍ³以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上述の範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台１１への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。

【００４４】この様に基台１１の体積固有抵抗，熱膨張
係数，誘電率，曲げ強度，密度を規定することによっ
て、自己共振周波数ｆ０やＱが低下しないので、高周波
用の素子として用いることができ、ヒートショック等で
基台１１にクラック等が発生することを抑制できるの
で、不良率を低減することができ、更には、機械的強度
を向上させることができるので、実装装置などを用いて
回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の優
れた効果を得ることができる。

【００４５】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台１１を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台１１の加工時のプレス圧力を２〜５ｔ，焼成温
度を１５００〜１６００℃，焼成時間１〜３時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Ａｌ₂Ｏ₃が９２重量％以上，ＳｉＯ₂が６重量
％以下，ＭｇＯが１．５重量％以下，Ｆｅ₂Ｏ₃が０．１
％以下，Ｎａ₂Ｏが０．３重量％以下等が挙げられる。

【００４６】また、基台１１の構成材料として、フェラ
イト等の磁性材料で構成してもよい。基台１１をフェラ
イト等の磁性材料で構成すると、高いインダクタンス
（大体１８ｎＨ〜５０ｎＨ）を有する素子を形成するこ
とができる。

【００４７】次に基台１１の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜１２の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。

【００４８】基台１１の表面粗さは０．１５〜０．５μ
ｍ程度、好ましくは０．２〜０．３μｍ程度がよい。図
４は基台１１の表面粗さと剥がれ発生率を示したグラフ
である。図４は下記に示すような実験の結果である。基
台１１及び導電膜１２はそれぞれアルミナ，銅で構成
し、基台１１の表面粗さをいろいろ変えたサンプルを作
製し、その各サンプルの上に同じ条件で導電膜１２を形
成した。それぞれのサンプルに超音波洗浄を行い、その
後に導電膜１２の表面を観察して、導電膜１２の剥がれ
の有無を測定した。基台１１の表面粗さは、表面粗さ測
定器（東京精密サーフコム社製５７４Ａ）を用いて、
先端Ｒが５μｍのものを用いた。この結果から判るよう
に平均表面粗さが０．１５μｍ以下であると、基台１１
の上に形成された導電膜１２の剥がれの発生率が５％程
度であり、良好な基台１１と導電膜１２の接合強度を得
ることができる。更に、表面粗さが０．２μｍ以上であ
れば導電膜１２の剥がれがほとんど発生していないの
で、できれば、基台１１の表面粗さは０．２μｍ以上が
好ましい。導電膜１２の剥がれは、素子の特性劣化の大
きな要因となるので、歩留まり等の面から発生率は５％
以下が好ましい。

【００４９】図５は本発明の一実施の形態におけるイン
ダクタンス素子に用いられる基台の表面粗さに対する周
波数とＱ値の関係を示すグラフである。図５は以下のよ
うな実験の結果である。まず、表面粗さが０．１μｍ以
下の基台１１と、表面粗さが０．２〜０．３μｍの基台
１１と、表面粗さが０．５μｍ以上の基台１１のそれぞ
れのサンプルを作製し、それぞれのサンプルに同じ材料
（銅）で同じ厚さの導電膜を形成した。そして、各サン
プルにおいて、所定の周波数ＦにおけるＱ値を測定し
た。図５から判るように基台１１の表面粗さが０．５μ
ｍ以上であると、導電膜１２の膜構造が悪くなることが
原因と考えられるＱ値の低下が見られる。特に高周波領
域で顕著にＱ値の劣化が見られる。また、自己共振周波
数ｆ０（各線の極大値）も基台１１の表面粗さが０．５
μｍのものは、低周波側にシフトしている。従ってＱ値
の面及び自己共振周波数ｆ０の面から見れば基台１１の
表面粗さは０．５μｍ以下とすることが好ましい。

【００５０】以上の様に、導電膜１２と基台１１との密
着強度，導電膜のＱ値及び自己共振周波数ｆ０の双方の
結果から判断すると、基台１１の表面粗さは、０．１５
μｍ〜０．５μｍが好ましく、さらに好ましくは０．２
〜０．３μｍが良い。

【００５１】なお、本実施の形態では、導電膜１２と基
台１１の接合強度を基台１１の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台１１と導電膜１
２の間にＣｒ単体またはＣｒと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜１２と基台１１の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台１１の表面粗
さを調整し、その上その基台１１の上に中間層及び導電
膜１２を積層する場合では、より強力な導電膜１２と基
台１１の密着強度を得ることができる。

【００５２】次に導電膜１２について説明する。

【００５３】導電膜１２としては、８００ＭＨｚ以上の
高周波信号に対してＱ値が３５以上であり、しかも自己
共振周波数が１〜６ＧＨｚ程度のものが好ましい。この
様な特性の導電膜１２を得るためには、材料及び製法等
を選択しなければならない。

【００５４】以下具体的に導電膜１２について説明す
る。

【００５５】導電膜１２の構成材料としては、銅，銀，
金，ニッケルなどの導電材料が挙げられる。この銅，
銀，金，ニッケル等の材料には、耐候性等を向上させた
ために所定の元素を添加してもよい。また、導電材料と
非金属材料等の合金を用いてもよい。構成材料としてコ
スト面や耐食性の面及び作り易さの面から銅及びその合
金がよく用いられる。導電膜１２の材料として、銅等を
用いる場合には、まず、基台１１上に無電解メッキによ
って下地膜を形成し、その下地膜の上に電解メッキにて
所定の銅膜を形成して導電膜１２が形成される。更に、
合金等で導電膜１２を形成する場合には、スパッタリン
グ法や蒸着法で構成することが好ましい。

【００５６】更に、本実施の形態の様に、導電膜１２を
例えば銅などで構成し、その膜厚を厚くして自己発熱を
抑える場合、導電膜１２に形成される溝１３の幅Ｋ１と
溝１３と溝１３の間の導電膜１２の幅Ｋ２は以下の関係
を有する事が好ましい。

【００５７】２０μｍ＞Ｋ１＞１５μｍ２００μｍ＞Ｋ２＞１００μｍ特に前述の様に長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３を、Ｌ１＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）（なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。）としたインダクタンス素子
とした場合、上述のＫ１，Ｋ２は上述の範囲とすること
によって、電気抵抗を小さくすることができ、しかも導
電膜１２に形成される溝１３を精度良く形成することが
でき、更に導電膜１２の膜厚を厚くした場合に確実に溝
１３を形成することができる。

【００５８】導電膜１２は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜を複数積層して構成しても良い。例えば、基台１１の
上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属膜
（ニッケル等）を積層する事によって、やや耐候性に問
題がある銅の腐食を防止することができる。

【００５９】導電膜１２の形成方法としては、メッキ法
（電解メッキ法や無電解メッキ法など），スパッタリン
グ法，蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。

【００６０】導電膜１２の表面粗さは１μｍ以下が好ま
しく、更に好ましくは０．２μｍ以下が好ましい。導電
膜１２の表面粗さが１μｍを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのＱ値が低下する。図６は本発明の一実施の
形態におけるインダクタンス素子に用いられる導電膜の
表面粗さに対する周波数とＱ値の関係を示すグラフであ
る。図６は下記の様な実験を通して導き出された。ま
ず、同じ大きさ同じ材料同じ表面粗さで構成された基台
１１の上に銅を構成材料とする導電膜１２の表面粗さを
変えて形成し、それぞれのサンプルにて各周波数におけ
るＱ値を測定した。図６から判るように、導電膜１２の
表面粗さが１μｍ以上であれば高周波領域におけるＱ値
が低くなっていることが判る。更に導電膜１２の表面粗
さが０．２μｍ以下であれば特に高周波領域におけるＱ
値が、非常に高くなっていることがわかる。

【００６１】以上の様に導電膜１２の表面粗さは、１．
０μｍ以下が良く、更に好ましくは、０．２μｍ以下と
することによって、導電膜１２の表皮効果を低減させる
ことができ、特に高周波におけるＱ値を向上させる事が
できる。

【００６２】更に導電膜１２と基台１１の密着強度は、
導電膜１２を形成した基台１１を４００℃の温度下に数
秒間放置した後に基台１１から導電膜１２がはがれない
程度以上であることが好ましい。素子を基板等に実装し
た際に、素子には自己発熱や他の部材からの熱が加わる
ことによって、素子に２００℃以上の温度が加わること
がある。従って、４００℃で基台１１からの導電膜１２
のはがれが発生しない程度の密着強度であれば、たとえ
素子に熱が加わっても、素子の特性劣化等は発生しな
い。

【００６３】次に保護材１４について説明する。

【００６４】保護材１４としては、複数の絶縁層を積層
して構成することが好ましい。

【００６５】例えば、導電膜１２上に直接電着膜１４ａ
を形成した後に、電着膜１４ａの上に他の絶縁層１４ｂ
（エポキシ樹脂等）を形成することが好ましい。この構
成によって、電着膜１４ａは、導電膜１２における溝１
３との境界部に形成される角部１２ｐを確実に覆うこと
ができ、しかも比較的均一に形成できるので、角部と角
部間の放電，ショート等による電気的特性等の劣化は生
じ可能性は少ない。しかしながら電着膜１４ａでは、電
着膜１４ａ自体の硬度や耐久性などが問題になることが
あり、この問題を解決するために、硬度や耐久性の大き
な絶縁層１４ｂ電着膜１４ａの上に設けることによっ
て、電気的特性及び耐久性の双方を向上させることがで
きる。

【００６６】電着膜１４ａの膜厚は１０〜３０μｍとす
ることが好ましく、膜厚が１０μｍを下回るとたとえ
ば、実装した際の近接した部品などとの絶縁性が低下
し、インダクタンス値などの変動などが生じるという点
で不具合が生じ、膜厚が３０μｍを上回ると、保護材１
４表面の平坦の度合いが悪くなり、自己共振周波数ｆ０
の低下とＱ値の低下を生じるという点で不具合が生じ
る。

【００６７】電着膜１４ａの具体的構成材料としては、
アクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フッ素系樹脂，ウレ
タン系樹脂，ポリイミド系樹脂などの樹脂材料の少なく
とも１つで構成されている。また、電着膜１４ａとし
て、カチオン系，アニオン系のどちらかを選択する場合
には、導電膜１２の構成材料、電着膜の構成材料、イン
ダクタンス素子の使用用途などを考慮して決定すること
が好ましい。電着膜１４ａは異なる材料で構成された電
着膜を積層して構成しても良いし、同一材料を積層して
も良く、更には、複数の電着膜を溝部１３の上に並列し
て設けてもよい。

【００６８】また、電着膜１４ａとしては、厚さが数十
ミクロンで２０Ｖ以上の耐圧を有することが好ましく、
しかもハンダの融点である１８３℃で、燃焼したり、蒸
発しない特性を有するものが好ましい。なお、１８３℃
で電着膜１４ａが軟化する程度のものは不具合は生じな
い。

【００６９】また、図７（ａ）に示す様に電着膜で構成
された電着膜１４ａは、導電膜１２と基台１１の少なく
とも一部の双方を覆うように設けることが好ましい。こ
の様に保護材１４を設けることによって、導電膜１２を
ほぼ覆うことができ、しかも導電膜１２と外気などとの
接触確率を極めて小さくすることができるので、導電膜
１２の腐食や電流の漏洩等を防止することができる。図
７（ｂ）に示す様に電着膜１４ａを導電膜１２のみに設
ける場合では、導電膜１２の角部１２ｚがむき出しにな
る可能性が高く、導電膜１２の腐食の原因となることが
ある。

【００７０】従って、図７（ａ）に示す様に、導電膜１
２の角部１２ｚをオバーして基台１１の少なくとも一部
も電着膜１４ａで覆うように構成することによって、確
実な導電膜１２の保護を覆うことができる。

【００７１】また、図７（ａ）に示す様に導電膜１２の
外方の角部１２ｐ上に形成される保護材１４の一部１４
ｚは他の部分よりも膜厚を厚くすることが好ましい。一
部１４ｚを厚くすることによって、角部１２ｐが他の部
分との間で放電することなどを防止でき、インダクタン
ス素子としての特性の劣化を防止できる。

【００７２】また、特殊用途などに用いられるインダク
タンス素子には、導電膜１２と電着膜１４ａの密着強度
を持たせることが重要になってくる場合がある。この場
合には、導電膜１２の表面を化学的エッチングすること
によって粗面化し、その粗面化した表面に電着膜で構成
した電着膜１４ａを設けることが好ましい。前述したよ
うに、導電膜１２の表面の粗面化を行うとＱ値の低下を
招く危険はあるが、特殊用途等の場合、Ｑ値よりも電着
膜１４ａと導電膜１２の密着強度を向上することが重要
な場合があるので、このときは、用途などを考慮して導
電膜１２の粗さを適宜決定する必要がある。

【００７３】また、導電膜１２を銅を含む材料で構成し
た場合、電着膜１４ａは不均一な膜厚で形成されること
があるので、この場合には、導電膜１２の上にＮｉ等の
金属膜を形成し、その金属膜の上に電着膜１４ａを形成
しても良い。

【００７４】次に、電着膜１４ａの形成方法について説
明する。

【００７５】図８に示す様に１００は容器で、容器１０
０中には、水，電着樹脂，ｐＨ調整剤などの調整剤及び
他の添加剤などを混合した溶液１０１が収納されてい
る。１０２は電極板、１０３はインダクタンス素子、１
０４，１０５はそれぞれ保持部材で、保持部材１０４，
１０５は、インダクタンス素子１０３の両端がはまりこ
む孔が設けられている。保持部材１０５には通電部１０
６が設けられており、この通電部１０６はインダクタン
ス素子１０３に接触している。

【００７６】電極板１０２及び通電部１０６に所定の電
圧を加えると、インダクタンス素子１０３の両端部を除
く部分に電着膜が形成される。これは、インダクタンス
素子１０３の端子部１５，１６は、保持部材１０４，１
０５に入り込んでおり、溶液１０１とは余り接触してい
ないからである。なお、本実施の形態では、保持部材１
０４，１０５に端子部１５，１６を入り込ませたが、フ
ォトレジスト等の他のマスク部材を端子部１５，１６に
設ける構成にしてもよい。

【００７７】以上の様に、電着膜１４ａを有するインダ
クタンス素子を作製した後に、素子に熱処理を加えるこ
とが好ましい。この熱処理によって、電着膜１４ａの表
面がなだらかになって、表面粗さが小さくなり、確実に
導電膜１２を覆うようになる。また、熱処理を加える
と、導電膜１２の角部の電着膜１４ａの厚さが薄くなる
ことがあるが、この場合には、溶液１０１の中に絶縁性
の粒子（例えば金属酸化物など）を混入させて、電着膜
１４ａの中にこの絶縁性の粒子を保持させることによっ
て、導電膜１２の角部の電着膜１４ａの厚さが薄くなる
ことを防止できる。

【００７８】以上の様に構成された電着膜１４ａの上
に、絶縁層１４ｂを再度塗布する。この絶縁層１４ｂは
好ましくは、電着膜１４ａよりも機械的強度の大きな
（特に硬度の大きな）材料で構成することが好ましく、
この様な構成によって、電気的絶縁性に優れた電着膜１
４ａが例え、機械的強度の弱い材料で構成されていたと
しても、十分な機械的強度を得ることができる。

【００７９】このとき、絶縁層１４ｂの膜厚は５μｍ〜
２０μｍとすることが好ましく、膜厚が５μｍを下回る
と、保護材１４の強度が悪く、実装の際などに、コイル
状の導電膜１３にダメージを与え、コイル状導電膜１３
の断線などが生じ、特性の劣化を生じるという問題点が
あり、膜厚が２０μｍを上回ると保護材１４の表面に丸
みが生じ易くなり、実装した際の安定性が悪くなる事が
あるとともに、実装などの際に吸着ミス等が発生しやす
いという問題点がある。

【００８０】上記絶縁層１４ｂの膜厚限定の根拠につい
て、図１４〜図１６を用いて詳細に説明する。

【００８１】まず、図１４に示すように先端がＲ０．０
５ｍｍのピン１００を電子部品１０１に加圧力０．５ｋ
ｇで押し付けたときの特性不良発生率を求めた。この時
電子部品の電着膜１４ａは２０μｍとし、絶縁層１４ｂ
の膜厚を変化させて、上記実験を行った結果は図１５の
とおりである。図１５からわかるように、絶縁層１４ｂ
の厚さが５μｍ以上であると、ほとんど不良品が発生し
ていないことがわかる。この時の電子部品の不良の原因
としては、断線やショートなどが発生している事が分か
った。

【００８２】次に、図１６からわかるように、素子の長
さが０．６ｍｍ、高さ及び幅を０．３ｍｍとした電子部
品の場合、絶縁層１４ｂの膜厚が２０μｍ以上である
と、湾曲度が０．１５に近づき、ほとんど円筒状になっ
てしまい、吸着特性が非常に悪くなることがわかった。

【００８３】絶縁層１４ｂの具体的構成材料としては、
例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等が挙げられ
る。この様な材料は比較的硬度が大きく、コイル状の導
電膜１３の保護を確実に実現できる。

【００８４】また、電着膜１４ａと絶縁層１４ｂの膜厚
比率は、電着膜１４ａを１とした場合に、絶縁層１４ｂ
は０．１〜１．０としたほうが好ましい。比率が０．１
より小さいと絶縁層１４ｂの膜厚が薄すぎて、所定の強
度を得ることができず、さらに、絶縁層１４ｂが１より
大きいと、表面形状が悪くなり、吸着ミスや実装性が悪
くなる。

【００８５】また、絶縁層１４ｂの表面粗さは中心線平
均粗さで２μｍ以下とすることが好ましい。表面粗さが
２μｍを超えてしまうと、吸着特性などが悪くなる。

【００８６】更に、絶縁層１４ｂの硬度は、鉛筆硬度４
〜９Ｈとなるようにすることが好ましい。絶縁層１４ｂ
の硬度が４Ｈを下回ると、前述のように、導電膜１２等
の保護を確実に行うことができない。また、硬度が９Ｈ
を超えると、絶縁層１４ｂに吸着の際にクラックなどが
生じることがある。

【００８７】また、絶縁層１４ｂの絶縁抵抗は１０¹⁰Ω
ｍ以上（さらに好ましくは１０¹²Ωｍ以上）とすること
が好ましく、この絶縁抵抗よりも小さいと、Ｑ値の劣化
などを生じる。

【００８８】また、基体１１の角部における保護材１４
の厚みは少なくとも５μｍ以上好ましくは１０μｍ以上
とし、５０μｍ以下とすることが好ましい。

【００８９】次に端子部１５，１６について説明する。

【００９０】端子部１５，１６は、図２に示すように、
基台１１がむき出しになった端面に及び保護材１４上に
設けられており、この様に、基台１１上に直接端子部１
５，１６を形成するようにする事によって、端子部１
５，１６と基台１１間の接合強度を向上させることがで
きる。なお、導電膜１２を基台１１の端面まで形成し、
その端面上に形成された導電膜１２上に端子部１５，１
６を設けても良く、この様な構成の場合には、導電膜１
２は比較的良好な表面を有するので、その導電膜１２の
上に設けられる端子部１５，１６は良好な特性を得るこ
とができる。

【００９１】基台１１の長手方向における端子部１５，
１６それぞれの長さＰ５，Ｐ６は以下の関係を満たすこ
とが好ましい。なお、Ｌ１は前述したように素子の全長
を表す。

【００９２】０．１＜Ｐ５÷Ｌ１＜０．３０．１＜Ｐ６÷Ｌ１＜０．３Ｐ５÷Ｌ１及びＰ６÷Ｌ１が０．１以下の場合には、素
子を回路基板上に実装した場合に、回路基板上に設けら
れた電極などとの接合面積が小さくなり、接合強度が劣
化したり、マンハッタン現象などが生じる可能性があ
り、０．３以上の場合には、端子部１５，１６間が近接
してしまい、回路基板上などに実装した際に、端子部１
５，１６間が回路基板上などで短絡してしまう可能性が
ある。

【００９３】次に、端子部１５，１６の表面粗さは１μ
ｍ〜１０μｍ（好ましくは１μｍ〜５μｍ）とする事が
好ましい。すなわち、端子部１５，１６の表面粗さが１
μｍ以下であると、回路基板などに設けられた電極との
接合面積が小さくなってしまい、接合強度が小さくなっ
てしまい、表面粗さが１０μｍ以上であると、端子部１
５，１６上に他の導電膜などを形成する際に、その導電
膜の特性が劣化してしまう。

【００９４】また、端子部１５，１６の比抵抗値は１×
１０^-4Ωｃｍ以上（好ましくは５×１０^-4Ωｃｍ以上）
とする事が電気的特性を向上させるために有効である。

【００９５】更に、端子部１５，１６の結晶粒径は、フ
レーク状体である場合には１〜５μｍ（好ましくは２〜
３μｍ）であることが結晶性上あるいは電気的特性上有
効であり、球状体の場合には、０．１μｍ〜０．８μｍ
（好ましくは０．２μｍ〜０．５μｍ）であることが、
結晶性上あるいは電気的特性上有効である。

【００９６】また、基台１１の端面上に形成される端子
部１５，１６の最大厚みＰ１，Ｐ２はそれぞれ１０μｍ
〜３０μｍ（好ましくは１８μｍ〜２５μｍ）とする事
が好ましい。Ｐ１，Ｐ２が１０μｍ以下であると端子部
１５，１６の電極食われ時間が短くなってしまうという
問題が生じる可能性がある。これは回路基板などに素子
を実装してリフロー等を行う際に、短時間でリフローを
行わなければ、端子部１５，１６に電極食われ現象が発
生して、素子と回路の接合に不具合が生じる。従って、
リフロー等の加熱時間を短くしなければならないが、加
熱時間が短くなってしまうと、素子と回路基板を接合す
る接合材が十分に融解せず接合強度等に問題が生じる。

【００９７】半田ディップ試験（３５０℃）において、
電極喰われ時間ＴとＰ１，Ｐ２（ｔ）の関係は、図１０
に示すようになっている。図１０から判るように、Ｐ
１，Ｐ２の膜厚が１０μｍ以下であれば、７．５ｓｅｃ
以下で半田食われ現象が発生するので、前述のように、
十分に接合材が融解しないので、十分な接合強度を得る
ことはできないので、Ｐ１，Ｐ２の膜厚は１０μｍ以上
とすることが好ましい。また、Ｐ１、Ｐ２が３０μｍ以
上であると、基台１１の長さが短くなってしまい、Ｑ値
が劣化してしまうことになる。図１１に示すように、Ｐ
１，Ｐ２の厚さをｔａとした場合に、ｔａが大きくなる
と、必然的に基台１１の長さが短くなっていくので、Ｑ
値の劣化を生じることになる。従って、Ｐ１，Ｐ２は３
０μｍを超えると、基台１１自体の長さが短くなり、Ｑ
値劣化を招くことになるので、Ｐ１，Ｐ２は３０μｍ以
下とすることが好ましい。

【００９８】更に、基台１１の側面上であって、保護材
１４上に形成される端子部１５，１６の最大厚みＰ３，
Ｐ４はそれぞれ１０μｍ〜２５μｍ（好ましくは１５μ
ｍ〜２０μｍ）とする事が好ましい。Ｐ３，Ｐ４が１０
μｍより小さいと、図１０に示すように、電極食われ現
象が発生する時間が短くなるので、Ｐ３，Ｐ４は１０μ
ｍ以上であることが好ましい。更に、図１１に示すよう
に、Ｐ３，Ｐ４（図１１のｔｂ）を大きくすることによ
って、基台１１の太さが、細くなり、Ｑ値劣化が生じる
ので、Ｐ３，Ｐ４は２５μｍ以下であることが好まし
い。また、図１１から判るように、ｔｂが大きくなると
ｔａよりもＱ値劣化が著しく生じる事になるので、Ｐ
３，Ｐ４それぞれの厚みはＰ１，Ｐ２よりも薄くするこ
とが、Ｑ値劣化を防止する上で好ましい。具体的に説明
すると、Ｐ１，Ｐ２の厚みをそれぞれ３０μｍとした場
合に、Ｐ３，Ｐ４それぞれの厚みは３０μｍよりも小さ
く、しかも１０μｍ以上の膜厚で構成することが好まし
い。

【００９９】基台１１の端面側の角部上に形成される端
子部１５，１６の厚みＰ７，Ｐ８は１０μｍ〜２０μｍ
とする事が好ましく、Ｐ７，Ｐ８が１０μｍより小さい
と、電極食われ現象が発生する時間が短くなるので好ま
しくなく、膜厚Ｐ１〜Ｐ４よりも薄くすることが、角部
上に設けられた端子部１５，１６が突出しないので、実
装性を向上させることができる。具体的には、Ｐ７，Ｐ
８は２０μｍ以下とすることが好ましい。

【０１００】また、端子部１５，１６は全面的に曲面状
となっており端子部１５，１６にエッジが存在しないよ
うに構成することによって、屑の発生などを抑えるよう
に構成することが好ましい。

【０１０１】また、端子部１５，１６の耐候性を向上さ
せる様にするには、端子部１５，１６の上に、Ｔｉ，Ｎ
ｉ，Ｗ，Ｃｒ等の腐食しにくい金属膜や、それら金属材
料の合金膜（Ｎｉ−Ｃｒ等）等の耐食膜を膜厚０．５〜
３μｍの膜厚で構成することが良い。特に、Ｎｉ単体か
若しくはＮｉ合金を用いることが、特性面やコスト面等
で優れている。

【０１０２】更に、端子部１５，１６と回路基板などと
の接合性を向上させるためには、端子部１５，１６或い
は耐食膜の上に半田や鉛フリーの接合材（Ｓｎ単体もし
くはＳｎにＡｇ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ｉｎの少なくとも
一つを含ませた鉛フリー半田等）で構成された接合膜を
５〜１０μｍの膜厚で形成しても良い。

【０１０３】上記耐食膜及び接合膜を端子部１５，１６
上に形成する事を前提として、端子部１５，１６に関係
する長さＰ１〜Ｐ８が決められており、端子部１５，１
６のみの場合には、前述のＰ１〜Ｐ８の長さで形成さ
れ、耐食膜か接合膜の少なくとも一つを端子部１５，１
６上に形成する場合には、そのＰ１〜Ｐ８に示される長
さに、耐食膜，接合膜の厚みがＰ１〜Ｐ８に加わること
になる。

【０１０４】以上の様な端子部１５，１６を構成する一
つの手段として、導電ペーストを基台１１の端面に塗布
し、加熱処理などを施して端子部１５，１６を形成する
方法がある。以下塗布型端子部の形成方法について、説
明する。

【０１０５】まず、導電ペーストについては、少なくと
も導電材料、樹脂材料、溶剤を有しており、導電材料と
しては例えば金，銀，銅等の導電性を示す金属粒子を用
いることができ、特に銀粒子は特性面、加工性の面、コ
ストの面等で特に優れている。金属粒子としてフレーク
状のものを用いる場合には１〜５μｍ（好ましくは２〜
３μｍ）であることが有効であり、球状体の場合には、
０．１μｍ〜０．８μｍ（好ましくは０．２μｍ〜０．
５μｍ）が好ましい。樹脂材料としては、フェノール，
エポキシ樹脂等の少なくとも一つが用いられ、溶剤とし
ては、ブチルカルビトール等が好適に用いられる。

【０１０６】導電ペーストの配合割合としては、導電材
料５０〜７０重量％、樹脂材料１０〜２０重量％、溶剤
２０〜３０重量％とする事が好ましい。なお、この導電
ペーストに外割で、粘度調整材等の調整材料を含ませて
も良い。

【０１０７】以上の様に構成された導電ペーストをディ
ップ法により基台１１の端部に付着させたり、導電ペー
ストをローラなどを介して基台１１の端部に付着させ
る。この時、ディップ法の場合には、導電ペーストの粘
度を１０〜３０ＰａＳ程度に調整し、ローラを用いる場
合には、２０〜５０ＰａＳ程度の調整する。

【０１０８】基台１１に導電ペーストを塗布した後に、
１５０℃〜２３０℃程度の温度で３０〜６０分間熱処理
を行って、端子部１５，１６を形成する。この時の端子
部１５，１６のＰ１〜Ｐ８の寸法等は、前述の説明の通
りであり、これに耐食膜や接合膜などが必要に応じて設
けられる。

【０１０９】また、図２に示す様に端子部１５，１６の
高さＺ１及びＺ２は下記の条件を満たすことが好まし
い。

【０１１０】｜Ｚ１−Ｚ２｜≦８０μｍ（好ましくは５０μｍ）Ｚ１とＺ２の高さの違いが８０μｍ（好ましくは５０μ
ｍ以下）を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図９に示す。図９に示すよ
うに、基板２００の上にインダクタンス素子を配置し、
端子部１５，１６それぞれと基板２００の間に半田２０
１，２０２が設けられているが、リフローなどによって
半田２０１，２０２を溶かすと、半田２０１，２０２の
それぞれの塗布量の違いや、材質が異なることによる融
点の違いによって、溶融した半田２０１，２０２の表面
張力が端子部１５と端子部１６で異なり、その結果、図
９に示すように一方の端子部を中心に回転し、インダク
タンス素子が立ち上がってしまう。Ｚ１とＺ２の高さの
違いが８０μｍ（好ましくは５０μｍ以下）を超える
と、素子が傾いた状態で基板２００に配置されることと
なり、素子立ちを促進する。また、マンハッタン現象は
特に小型軽量のチップ型の電子部品（チップ型インダク
タンス素子を含む）において顕著に発生し、しかもこの
マンハッタン現象の発生要因の一つとして、端子部１
５，１６の高さの違いによって素子が傾いて基板２００
に配置されることを着目した。この結果、Ｚ１とＺ２の
高さの差を８０μｍ以下（好ましくは５０μｍ以下）と
なるように、基台１１を成形などで加工することによっ
て、このマンハッタン現象の発生を大幅に抑えることが
できた。Ｚ１とＺ２の高さの差を５０μｍ以下とするこ
とによって、ほぼ、マンハッタン現象の発生を抑えるこ
とができる。

【０１１１】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下その製造方法について説明する。

【０１１２】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、数素子から数十素子分の基台を
作製し次にその基台１１全体にメッキ法やスパッタリン
グ法などによって導電膜１２をほぼ全面に形成する。次
に導電膜１２を形成した基台１１にスパイラル状の溝１
３を所定間隔で複数個設け、そのスパイラル状の溝１３
を挟むように基台を切断し、基台１１に導電膜１２と溝
１３を形成した半完成素子を作製する。溝１３はレーザ
加工や切削加工によって作製される。レーザ加工は、非
常に生産性が良いので、以下レーザ加工について説明す
る。まず、基台１１を回転装置に取り付け、基台１１を
回転させ、そして基台１１にレーザを照射して導電膜１
２及び基台１１の双方を取り除き、スパイラル状の溝を
形成する。このときのレーザは、ＹＡＧレーザ，エキシ
マレーザ，炭酸ガスレーザなどを用いることができ、レ
ーザ光をレンズなどで絞り込むことによって、基台１１
に照射する。更に、溝１３の深さ等は、レーザのパワー
を調整し、溝１３の幅等は、レーザ光を絞り込む際のレ
ンズを交換することによって行える。また、導電膜１２
の構成材料等によって、レーザの吸収率が異なるので、
レーザの種類（レーザの波長）は、導電膜１２の構成材
料によって、適宜選択することが好ましい。なお、砥石
などを用いて溝１３を形成しても良い。

【０１１３】溝１３を形成した後に、電着法などを用い
て、まず導電膜１２上に電着膜１４ａを形成し、その上
に絶縁層１４ｂを形成することによって、基台１１の両
端面を除いた部分（基台１１の側面部分）に保護材１４
を形成する。

【０１１４】次に、基台１１の両端面に導電ペーストを
塗布して、熱処理などを施すか、メッキ法などによっ
て、端子部１５，１６を形成する。

【０１１５】この時点でも、製品は完成するが、前述の
様に、仕様等によって、耐食膜や接合膜を設ける。

【０１１６】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。

【０１１７】また、導電膜１２を抵抗膜とすることによ
って、小型のチップ抵抗器を作製することができ、導電
膜１２にスパイラル状の溝１３を設けるのではなく、環
状の溝等を設けることによって、導電膜１２を少なくと
も２分する事によって、チップコンデンサとしても使用
することができる。

【０１１８】図１２及び図１３はそれぞれ本発明の一実
施の形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロッ
ク図である。図１２及び図１３において、２９は音声を
音声信号に変換するマイク、３０は音声信号を音声に変
換するスピーカー、３１はダイヤルボタン等から構成さ
れる操作部、３２は着信等を表示する表示部、３３はア
ンテナ、３４はマイク２９からの音声信号を復調して送
信信号に変換する送信部で、送信部３４で作製された送
信信号は、アンテナ３３を通して外部に放出される。３
５はアンテナ３３で受信した受信信号を音声信号に変換
する受信部で、受信部３５で作成された音声信号はスピ
ーカー３０にて音声に変換される。３６は送信部３４，
受信部３５，操作部３１，表示部３２を制御する制御部
である。

【０１１９】以下その動作の一例について説明する。

【０１２０】先ず、着信があった場合には、受信部３５
から制御部３６に着信信号を送出し、制御部３６は、そ
の着信信号に基づいて、表示部３２に所定のキャラクタ
等を表示させ、更に操作部３１から着信を受ける旨のボ
タン等が押されると、信号が制御部３６に送出されて、
制御部３６は、着信モードに各部を設定する。即ちアン
テナ３３で受信した信号は、受信部３５で音声信号に変
換され、音声信号はスピーカー３０から音声として出力
されると共に、マイク２９から入力された音声は、音声
信号に変換され、送信部３４を介し、アンテナ３３を通
して外部に送出される。

【０１２１】次に、発信する場合について説明する。

【０１２２】まず、発信する場合には、操作部３１から
発信する旨の信号が、制御部３６に入力される。続いて
電話番号に相当する信号が操作部３１から制御部３６に
送られてくると、制御部３６は送信部３４を介して、電
話番号に対応する信号をアンテナ３３から送出する。そ
の送出信号によって、相手方との通信が確立されたら、
その旨の信号がアンテナ３３を介し受信部３５を通して
制御部３６に送られると、制御部３６は発信モードに各
部を設定する。即ちアンテナ３３で受信した信号は、受
信部３５で音声信号に変換され、音声信号はスピーカー
３０から音声として出力されると共に、マイク２９から
入力された音声は、音声信号に変換され、送信部３４を
介し、アンテナ３３を通して外部に送出される。

【０１２３】なお、本実施の形態では、音声を送信受信
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う装置についても同様な効果を得ることができる。

【０１２４】上記で説明した電子部品（図１〜図１１に
示すもの）は、発信回路，フィルタ回路，アンテナ部及
び各段とのマッチング回路周辺部等の高いＱを必要とす
る箇所の少なくとも一つに用いられ、その数は、一つの
無線端末装置に数個〜４０個程度用いられている。上述
の様な電子部品を用いることによって、装置内部の基板
等を小型化でき、しかも回路基板などの上に上記電子部
品を実装しても、電子部品の特性劣化等が生じることは
ないので回路基板などの不良率が極めて小さくなり、生
産性が非常によくなる。

【０１２５】

【発明の効果】本発明は、基台上に設けられた導電膜に
設けられた溝を設け、基台の端部に設けられた一対の端
子部と、溝を覆うように前記導電膜上に設けられた保護
材とを備えた電子部品であって、保護材は、導電膜側に
設けられた電着膜と、前記電着膜上に設けられた絶縁層
とを有し、絶縁層は塗布により構成され、しかも電着膜
よりも絶縁層の方が硬度が高い構成としたことで、素子
特性の劣化の防止かもしくは素子の実装の向上の少なく
とも一方を実現できる。

【０１２６】また、無線端末装置において、上記電子部
品を搭載したことによって、装置内部の基板等を小型化
でき、しかも回路基板などの上に上記電子部品を実装し
ても、電子部品の特性劣化等が生じることはないので回
路基板などの不良率が極めて小さくなり、生産性が非常
によくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子を示す図

【図２】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子を示す側断面図

【図３】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子に用いられる基台の斜
視図

【図４】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子に用いられる基台の表
面粗さと剥がれ発生率を示したグラフ

【図５】本発明の一実施の形態におけ電子部品の一例と
して挙げたるインダクタンス素子に用いられる基台の表
面粗さに対する周波数とＱ値の関係を示すグラフ

【図６】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子に用いられる導電膜の
表面粗さに対する周波数とＱ値の関係を示すグラフ

【図７】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子の保護材を設けた部分
の拡大断面図

【図８】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子の保護材を設ける工程
を示した図

【図９】マンハッタン現象を示す図

【図１０】本発明の一実施の形態における電子部品の端
子部の膜厚と電極食われ現象が発生する時間の関係を示
したグラフ

【図１１】本発明の一実施の形態における電子部品の端
子部の膜厚と素子のＱ値の関係を示したグラフ

【図１２】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示す斜視図

【図１３】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示すブロック図

【図１４】電子部品の応力測定方法を示す概略図

【図１５】本発明の一実施の形態における電子部品の絶
縁層の膜厚と特性不良発生率の関係を示すグラフ

【図１６】本発明の一実施の形態における電子部品の絶
縁層の膜厚と表面形状の関係を示したグラフ

【図１７】従来のインダクタンス素子を示す側面図

【符号の説明】

１１基台１２導電膜１３溝１４保護材１４ａ電着膜１４ｂ絶縁層１５，１６端子部３０スピーカー３１操作部３２表示部３３アンテナ３４送信部３５受信部３６制御部

フロントページの続き審査官重田尚郎 (56)参考文献特開平11−3820（ＪＰ，Ａ) 特開平10−116739（ＪＰ，Ａ) 特開平10−12421（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 17/04 H01C 7/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台の端部に設
けられた一対の端子部と、前記溝を覆うように前記導電
膜上に設けられた保護材とを備えた電子部品であって、
保護材は、導電膜側に設けられた電着膜と、前記電着膜
上に設けられた絶縁層とを有し、前記絶縁層は塗布によ
り構成され、しかも前記電着膜よりも前記絶縁層の方が
硬度が高いことを特徴とする電子部品。
【請求項２】電着膜の膜厚を１０〜３０μｍとしたこと
を特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】絶縁層の膜厚を５〜２０μｍとしたことを
特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項４】電着膜の厚みを１とした場合に絶縁層の厚
みを０．１〜１．０としたことを特徴とする請求項１記
載の電子部品。
【請求項５】電着膜の構成材料はアクリル系樹脂、エポ
キシ系樹脂、フッ素系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂の内少なくとも一つを用いたことを特徴とする
請求項１記載の電子部品。
【請求項６】絶縁層の構成材料はエポキシ系樹脂、アク
リル系樹脂の内少なくとも一つとしたことを特徴とする
請求項１記載の電子部品。
【請求項７】絶縁層の硬度を鉛筆硬度で４Ｈ〜９Ｈとし
たことを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項８】基台を底面が略正方形状の角柱状とした事
を特徴とする請求項１〜７いずれか１記載の電子部品。
【請求項９】長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３としたとき
に、Ｌ１＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）のサイズを有する事を特徴とする請求項１〜８いずれか
１記載のインダクタンス素子。
【請求項１０】基台の端面に導電膜を介して端子部を設
けたことを特徴とする請求項１〜９いずれか１記載の電
子部品。
【請求項１１】導電膜と溝によって、インダクタンス成
分を形成することを特徴とする請求項１〜９いずれか１
記載の電子部品。
【請求項１２】導電膜の代わりに抵抗膜を用いた事を特
徴とする請求項１〜９いずれか１記載の電子部品。
【請求項１３】導電膜を少なくとも２分する溝を設け、
容量成分を有する事を特徴とする請求項１〜９いずれか
１記載の電子部品。
【請求項１４】表示手段と、データ信号もしくは音声信
号の少なくとも一方を送信信号に変換するか受信信号を
データ信号もしくは音声信号の少なくとも一方に変換す
る変換手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受信
するアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた無線
端末装置であって、発信回路，フィルタ回路，アンテナ
部及び各段とのマッチング回路周辺部等の少なくとも一
つに請求項１〜１３いずれか１記載の電子部品を用いた
ことを特徴とする無線端末装置。