JP2947266B1

JP2947266B1 - インダクタンス素子及び無線端末装置

Info

Publication number: JP2947266B1
Application number: JP10109086A
Authority: JP
Inventors: 広実崎田; 邦昭清末; 和弘竹田; 賢蔵磯▲さき▼
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-04-20
Filing date: 1998-04-20
Publication date: 1999-09-13
Anticipated expiration: 2018-04-20
Also published as: JPH11307345A

Abstract

【要約】【課題】本発明は、生産性が良く、小型で、損失（高
Ｑ値）が小さなインダクタンス素子及び無線端末装置を
提供することを目的としている。【解決手段】基台１１上に形成された導電膜１２と、
導電膜１２に設けられた溝１３と、溝を覆う保護材１４
と、基台１１を挟み込む一対の端子部１５，１６を備え
たインダクタンス素子であって、端子部１５，１６とし
てシート状体かあるいは板状体を用い、しかも基台１１
の両端面に設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れるインダクタンス素子及び無線端末装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】図１５は従来のインダクタンス素子を示
す側面図である。図１５において、１は四角柱状また
は、円柱状の基台、２は基台１の上に形成された導電
膜、３は導電膜２に設けられた溝、４は導電膜３の上に
積層された保護材である。

【０００３】この様な電子部品は、溝３の間隔などを調
整することによって、所定の特性に調整する。

【０００４】先行例としては、特開平７−３０７２０１
号公報，特開平７−２９７０３３号公報，特開平５−１
２９１３３号公報，特開平１−２３８００３号公報，実
開昭５７−１１７６３６号公報，特開平５−２９９２５
０号公報，特開平７−２９７０３３号公報等がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上のよ
うな構成では、インダクタンス素子は、ある程度のＱ値
を得ることができるものの、近年の様に携帯無線機器等
の電子機器の小型化及び高性能化または、電力の使用量
の削減等が求められてくると、前述のようなインダクタ
ンス素子では、十分な特性を得ることはできなかった。

【０００６】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、生産性が良く、小型で、損失が小さな（高Ｑ値）イ
ンダクタンス素子及び無線端末装置を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基台の上に導
電膜を形成し、その導電膜に溝を形成してインダクタン
ス成分を形成し、その後に、基台の両端にシート状ある
いは板状の端子部を設けた事を特徴とする。

【０００８】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基台と、
前記基台上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けら
れた溝と、前記基台を挟むように前記基台の端面に取り
付けられた一対の端子部と、前記基台上に設けられた保
護材とを備え、前記端子部として、導電性の板状体かも
しくはシート状体を用いるとともに、前記端子部にて前
記基台と前記保護材を挟み込んだ事によって、生産性を
向上させることができ、しかも高Ｑ値を得ることができ
る。

【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、基台の端子部との接合部位は、基台の端面のみであ
ることによって、更にＱ値を向上させることができる。

【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１，２にお
いて、溝を覆う保護材を電着膜とした事によって、薄く
しかも確実な素子の保護を行うことができ、しかも一度
に沢山の素子に保護材を形成できるので、生産性が向上
する。

【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１〜３にお
いて、端子部の面積よりも基台の断面積を小さくすると
ともに、前記端子部の外端部と基台の表面との間に隙間
を設けた事によって、端子部を精度良く形成すること
で、基台に多少の寸法誤差が生じても、素子の幅及び高
さを均一化することができる。

【００１２】請求項５記載の発明は、請求項４におい
て、隙間に保護材を設けたことによって、保護材の突出
を防止でき、実装性を向上させることができる。

【００１３】請求項６記載の発明は、請求項１〜５にお
いて端子部の厚さの最低限度を０．０８ｍｍ以上とする
ことによって、端子部にある程度の強度を持たせること
ができ、端子部の取り扱いを容易にすることができる。

【００１４】請求項７記載の発明は、請求項１〜６にお
いて、端子部に他の部分よりも突出した外部接触部を設
け、前記外部接触部以外を保護材で覆ったことによっ
て、素子の耐候性を向上させることができ、しかも素子
に方向性を持たせることができる。

【００１５】請求項８記載の発明は、請求項１〜７にお
いて、基台を角柱状とし、端子部を方形板状とした事に
よって、基板上に実装する際に素子の転げ等が発生せ
ず、実装性を向上させることができ、しかも、基台の形
状がシンプルになるので、コスト面製造面で非常に有利
になる。

【００１６】請求項９に係る発明は、請求項１〜８にお
いて、導電膜の表面粗さを１μｍ以下としたことによっ
て、更にＱ値の低下を防止できるので、更に高いＱ値を
有する素子を得ることができる。

【００１７】請求項１０に係る発明は、請求項１〜８に
おいて、基台の表面粗さを０．５μｍ以下としたことに
よって、更にＱ値の低下を防止できるので、更に高いＱ
値を有する素子を得ることができる。

【００１８】請求項１１に係る発明は、請求項１〜８に
おいて、長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３としたときに、Ｌ１＝０．５〜２．１ｍｍＬ２＝０．２〜１．５ｍｍＬ３＝０．２〜１．５ｍｍのサイズを有することによって、小型で、しかも素子折
れ等が発生に難いので、実装性にも優れ、しかも非常に
小さな回路基板を構成できる。

【００１９】請求項１２記載の発明は、断面略正方形状
の角柱状体をなす基台と、前記基台上に設けられた導電
膜と、前記導電膜に設けられ、前記基台の側面に設けら
れたスパイラル状の溝と、前記基台の両端面にそれぞれ
設けられた方形状の一対の端子部と、前記溝を覆うよう
に前記基台の側面に設けられた保護材とを備え、前記端
子部は板状体もしくはシート状体で構成され、前記基台
の端面上のみに設けたことによって、生産性を向上させ
ることができ、高Ｑ値を得ることができ、しかも実装性
や耐候性を向上させることができる。

【００２０】請求項１３記載の発明は、柱状の基台を作
製し、前記基台上に導電膜を形成し、前記導電膜の一部
を取り除くように前記基台に溝を形成し、前記基台の両
端に板状体かもしくはシート状体の端子部を貼り付け、
その後に少なくとも前記溝を覆うように保護材を設けた
事によって、生産性が向上し、しかも高Ｑ値を得ること
ができる。

【００２１】請求項１４記載の発明は、請求項１３にお
いて、保護材を電着法による電着膜とした事によって、
薄くしかも確実な素子の保護を行うことができ、しかも
一度に沢山の素子に保護材を形成できるので、生産性が
向上する。

【００２２】請求項１５記載の発明は、表示手段と、デ
ータ信号もしくは音声信号の少なくとも一方を送信信号
に変換するか受信信号をデータ信号もしくは音声信号の
少なくとも一方に変換する変換手段と、前記送信信号及
び前記受信信号を送受信するアンテナと、各部を制御す
る制御手段を備えた無線端末装置であって、発信回路，
フィルタ回路，アンテナ部及び各段とのマッチング回路
周辺部等の少なくとも一つに請求項１〜１２いずれか１
記載のインダクタンス素子を用いたことによって、装置
内部の基板等を小型化でき、しかもＱ値が高いので、損
失が非常に小さくなるので、電力の削減を行うことがで
き、長時間の動作を行うことができる。

【００２３】以下、本発明におけるインダクタンス素子
及び無線端末装置の実施の形態について説明する。

【００２４】図１，図２はそれぞれ本発明の一実施の形
態におけるインダクタンス素子を示す斜視図及び側断面
図である。

【００２５】図１において、１１は絶縁材料などをプレ
ス加工，押し出し法等を施して構成されている基台、１
２は基台１１の上に設けられている導電膜で、導電膜１
２は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台１１上に形成される。

【００２６】１３は基台１１及び導電膜１２に設けられ
た溝で、溝１３は、レーザ光線等を導電膜１２に照射す
ることによって形成したり、導電膜１２に砥石等を当て
て機械的に形成されたり、レジストなどを用いた選択的
エッチングによって形成されている。

【００２７】１４は基台１１及び導電膜１２の溝１３を
設けた部分に塗布された保護材、１５，１６はそれぞれ
基台１１の端面上（好ましくは端面上のみ）にそれぞれ
取り付けられた端子部で、端子部１５と端子部１６の間
には、基台１１が挟み込まれている。すなわち、基台１
１における端子部１５，１６との接合部位は、基台１１
の端面のみとなり、基台１１の側面と端子部１５，１６
は非接触とすることが基本である。

【００２８】本発明の特徴は、端子部１５，１６を導電
材料で構成された板状体あるいはシート状体ので構成す
る点である。この様な構成によって、端子部１５，１６
をメッキ膜などで構成するよりもはるかに工程が簡単に
なり、しかも高いＱ値を得るインダクタンス素子を得る
ことが出来る。端子部１５，１６の具体的な構成材料と
しては、導電性のあるセラミック材料，樹脂材料，金属
材料等を用いることが出来るが、特に金属材料は加工性
及びコスト面などで有利になる。金属材料としては、Ｆ
ｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ等の単体や、それらの合金あるい
は、ステンレスなどの複合合金等が用いられる。それら
金属材料のなかでも、コスト面等や加工性を考慮すると
ＣｕあるはＣｕと他の成分の合金などを用いることが好
ましい。

【００２９】端子部１５，１６と基台１１との接合は、
導電性接着材（高温半田等）を用いて接合したり、超音
波や溶接などで行われる。

【００３０】また、本実施の形態のインダクタンス素子
は、実用周波数帯域が１〜６ＧＨｚと高周波数域に対応
し、しかも非常に高いＱ値（３５以上）を有しており、
そのインダクタンス素子の長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３
は以下の通りとなっていることが好ましい。

【００３１】Ｌ１＝０．５〜２．１ｍｍ（好ましくは
０．６〜１．６ｍｍ）Ｌ２＝０．２〜１．５ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）Ｌ３＝０．２〜１．５ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）（なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。）Ｌ１が０．５ｍｍ以下であると、必要とするインダクタ
ンスを得ることができきない。また、Ｌ１が２．１ｍｍ
を超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電
子回路等が形成された基板など（以下回路基板等と略
す）回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基
板等を搭載した電子機器等の小型化を行うことができな
い。また、Ｌ２，Ｌ３それぞれが０．２ｍｍ以下である
と、素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実
装装置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ
等が発生することがある。また、Ｌ２，Ｌ３が１．５ｍ
ｍ以上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等
の小型化、ひいては装置の小型化を行うことができな
い。

【００３２】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。

【００３３】まず、基台１１の形状について説明する。
基台１１は角柱状もしくは円柱状とすることが好まし
く、図１，２に示す様に基台１１を角柱状とすることに
よって、実装性を向上させることができ、素子の転がり
等を防止できる等の効果を有する。また、基台１１を角
柱状とする中でも特に四角柱状とすることが非常に実装
性や、素子の回路基板上での位置決めを容易にする。な
お、更に好ましくは底面が正方形の直方体とすることが
更に実装性等を向上させることができる。更に、基台１
１を角柱状とすることによって構造が非常に簡単になる
ので、生産性がよく、しかもコスト面が非常に有利にな
る。

【００３４】また、基台１１の形状を円柱状とすること
によって、後述するように基台１１上に導電膜１２を形
成し、その導電膜１２にレーザ加工等によって溝を形成
する場合、その溝の深さなどを精度よく形成することが
でき、特性のばらつきを抑えることができる。

【００３５】次に基台１１の面取りについて図３を用い
て説明する。図３は基台１１を示す斜視図である。

【００３６】基台１１の角部１１ｂ，１１ｃには面取り
が施されており、その面取りした角部１１ｂ，１１ｃの
それぞれの曲率半径Ｒ１及び角部１１ａの曲率半径Ｒ２
は以下の通りに形成されることが好ましい。

【００３７】０．０３＜Ｒ１＜０．１５（ｍｍ）０．０１＜Ｒ２（ｍｍ）Ｒ１が０．０３ｍｍ以下であると、角部１１ｂ，１１ｃ
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部１１ｂ，１１ｃに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、Ｒ１が０．１５ｍｍ以上であると、角部１１
ｂ，１１ｃが丸くなりすぎて、前述のマンハッタン現象
を起こしやすくなり、不具合が生じる。更にＲ２が０．
０１ｍｍ以下であると、角部１１ａにバリなどが発生し
やすく、素子の特性を大きく左右する導電膜１２の厚み
が角部１１ｆと平坦な部分で大きく異なることがあり、
素子特性のばらつきが大きくなる。

【００３８】次に基台１１の構成材料について説明す
る。基台１１の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。

【００３９】体積固有抵抗：１０¹³Ωｍ以上（好ましく
は１０¹⁴Ωｍ以上）熱膨張係数：５×１０^-4／℃以下（好ましくは２×１０
^-5／℃以下）［２０℃〜５００℃における熱膨張係数］比誘電率：１ＭＨｚにおいて１２以下（好ましくは１０
以下）曲げ強度：１３００ｋｇ／ｃｍ²以上（好ましくは２０
００ｋｇ／ｃｍ²以上）密度：２〜５ｇ／ｃｍ³（好ましくは３〜４ｇ／ｃｍ³）基台１１の構成材料が体積固有抵抗が１０¹³Ωｍ以下で
あると、導電膜１２とともに基台１１にも所定に電流が
流れ始めるので、並列回路が形成された状態となり、自
己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってしまい、高周波
用の素子としては不向きである。

【００４０】また熱膨張係数が５×１０^-4／℃以上であ
ると、基台１１にヒートショック等でクラックなどが入
ることがある。すなわち熱膨張係数が５×１０^-4／℃以
上であると、上述の様に溝１３を形成する際にレーザ光
線や砥石等を用いるので、基台１１が局部的に高温にな
り、基台１１にクラックなどが生じることあるが、上述
の様な熱膨張係数を有することによって、大幅にクラッ
ク等の発生を抑止できる。

【００４１】また、誘電率が１ＭＨｚにおいて１２以上
であると、自己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。

【００４２】曲げ強度が１３００ｋｇ／ｃｍ²以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。

【００４３】密度が２ｇ／ｃｍ³以下であると、基台１
１の吸水率が高くなり、基台１１の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が５ｇ／ｃ
ｍ³以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上述の範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台１１への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。

【００４４】この様に基台１１の体積固有抵抗，熱膨張
係数，誘電率，曲げ強度，密度を規定することによっ
て、自己共振周波数ｆ０やＱが低下しないので、高周波
用の素子として用いることができ、ヒートショック等で
基台１１にクラック等が発生することを抑制できるの
で、不良率を低減することができ、更には、機械的強度
を向上させることができるので、実装装置などを用いて
回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の優
れた効果を得ることができる。

【００４５】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台１１を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台１１の加工時のプレス圧力を２〜５ｔ，焼成温
度を１５００〜１６００℃，焼成時間１〜３時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Ａｌ₂Ｏ₃が９２重量％以上，ＳｉＯ₂が６重量
％以下，ＭｇＯが１．５重量％以下，Ｆｅ₂Ｏ₃が０．１
％以下，Ｎａ₂Ｏが０．３重量％以下等が挙げられる。

【００４６】また、基台１１の構成材料として、フェラ
イト等の磁性材料で構成してもよい。基台１１をフェラ
イト等の磁性材料で構成すると、高いインダクタンス
（大体１８ｎＨ〜５０ｎＨ）を有する素子を形成するこ
とができる。

【００４７】次に基台１１の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜１２の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。

【００４８】基台１１の表面粗さは０．１５〜０．５μ
ｍ程度、好ましくは０．２〜０．３μｍ程度がよい。図
４は基台１１の表面粗さと剥がれ発生率を示したグラフ
である。図４は下記に示すような実験の結果である。基
台１１及び導電膜１２はそれぞれアルミナ，銅で構成
し、基台１１の表面粗さをいろいろ変えたサンプルを作
製し、その各サンプルの上に同じ条件で導電膜１２を形
成した。それぞれのサンプルに超音波洗浄を行い、その
後に導電膜１２の表面を観察して、導電膜１２の剥がれ
の有無を測定した。基台１１の表面粗さは、表面粗さ測
定器（東京精密サーフコム社製５７４Ａ）を用いて、
先端Ｒが５μｍのものを用いた。この結果から判るよう
に平均表面粗さが０．１５μｍ以下であると、基台１１
の上に形成された導電膜１２の剥がれの発生率が５％程
度であり、良好な基台１１と導電膜１２の接合強度を得
ることができる。更に、表面粗さが０．２μｍ以上であ
れば導電膜１２の剥がれがほとんど発生していないの
で、できれば、基台１１の表面粗さは０．２μｍ以上が
好ましい。導電膜１２の剥がれは、素子の特性劣化の大
きな要因となるので、歩留まり等の面から発生率は５％
以下が好ましい。

【００４９】図５は本発明の一実施の形態におけるイン
ダクタンス素子に用いられる基台の表面粗さに対する周
波数とＱ値の関係を示すグラフである。図５は以下のよ
うな実験の結果である。まず、表面粗さが０．１μｍ以
下の基台１１と、表面粗さが０．２〜０．３μｍの基台
１１と、表面粗さが０．５μｍ以上の基台１１のそれぞ
れのサンプルを作製し、それぞれのサンプルに同じ材料
（銅）で同じ厚さの導電膜を形成した。そして、各サン
プルにおいて、所定の周波数ＦにおけるＱ値を測定し
た。図５から判るように基台１１の表面粗さが０．５μ
ｍ以上であると、導電膜１２の膜構造が悪くなることが
原因と考えられるＱ値の低下が見られる。特に高周波領
域で顕著にＱ値の劣化が見られる。また、自己共振周波
数ｆ０（各線の極大値）も基台１１の表面粗さが０．５
μｍのものは、低周波側にシフトしている。従ってＱ値
の面及び自己共振周波数ｆ０の面から見れば基台１１の
表面粗さは０．５μｍ以下とすることが好ましい。

【００５０】以上の様に、導電膜１２と基台１１との密
着強度，導電膜のＱ値及び自己共振周波数ｆ０の双方の
結果から判断すると、基台１１の表面粗さは、０．１５
μｍ〜０．５μｍが好ましく、さらに好ましくは０．２
〜０．３μｍが良い。

【００５１】なお、本実施の形態では、導電膜１２と基
台１１の接合強度を基台１１の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台１１と導電膜１
２の間にＣｒ単体またはＣｒと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜１２と基台１１の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台１１の表面粗
さを調整し、その上その基台１１の上に中間層及び導電
膜１２を積層する場合では、より強力な導電膜１２と基
台１１の密着強度を得ることができる。

【００５２】次に導電膜１２について説明する。導電膜
１２としては、８００ＭＨｚ以上の高周波信号に対して
Ｑ値が３５以上であり、しかも自己共振周波数が１〜６
ＧＨｚ程度のものが好ましい。この様な特性の導電膜１
２を得るためには、材料及び製法等を選択しなければな
らない。

【００５３】以下具体的に導電膜１２について説明す
る。導電膜１２の構成材料としては、銅，銀，金，ニッ
ケルなどの導電材料が挙げられる。この銅，銀，金，ニ
ッケル等の材料には、耐候性等を向上させために所定の
元素を添加してもよい。また、導電材料と非金属材料等
の合金を用いてもよい。構成材料としてコスト面や耐食
性の面及び作り易さの面から銅及びその合金がよく用い
られる。導電膜１２の材料として、銅等を用いる場合に
は、まず、基台１１上に無電解メッキによって下地膜を
形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所定の銅膜を
形成して導電膜１２が形成される。更に、合金等で導電
膜１２を形成する場合には、スパッタリング法や蒸着法
で構成することが好ましい。

【００５４】更に、本実施の形態の様に、導電膜１２を
例えば銅などで構成し、その膜厚を厚くして自己発熱を
抑える場合、導電膜１２に形成される溝１３の幅Ｋ１と
溝１３と溝１３の間の導電膜１２の幅Ｋ２は以下の関係
を有する事が好ましい。

【００５５】２０μｍ＞Ｋ１＞１５μｍ２００μｍ＞Ｋ２＞１００μｍ特に前述の様に長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３を、Ｌ１＝０．５〜２．１ｍｍ（好ましくは０．６〜１．６
ｍｍ）Ｌ２＝０．２〜１．５ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）Ｌ３＝０．２〜１．５ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）（なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。）としたインダクタンス素子とした場合、上述のＫ１，Ｋ
２は上述の範囲とすることによって、電気抵抗を小さく
することができ、しかも導電膜１２に形成される溝１３
を精度良く形成することができ、更に導電膜１２の膜厚
を厚くした場合に確実に溝１３を形成することができ
る。

【００５６】導電膜１２は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜を複数積層して構成しても良い。例えば、基台１１の
上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属膜
（ニッケル等）を積層する事によって、やや耐候性に問
題がある銅の腐食を防止することができる。

【００５７】導電膜１２の形成方法としては、メッキ法
（電解メッキ法や無電解メッキ法など），スパッタリン
グ法，蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。

【００５８】導電膜１２の表面粗さは１μｍ以下が好ま
しく、更に好ましくは０．２μｍ以下が好ましい。導電
膜１２の表面粗さが１μｍを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのＱ値が低下する。図６は本発明の一実施の
形態におけるインダクタンス素子に用いられる導電膜の
表面粗さに対する周波数とＱ値の関係を示すグラフであ
る。図６は下記の様な実験を通して導き出された。ま
ず、同じ大きさ同じ材料同じ表面粗さで構成された基台
１１の上に銅を構成材料とする導電膜１２の表面粗さを
変えて形成し、それぞれのサンプルにて各周波数におけ
るＱ値を測定した。図６から判るように、導電膜１２の
表面粗さが１μｍ以上であれば高周波領域におけるＱ値
が低くなっていることが判る。更に導電膜１２の表面粗
さが０．２μｍ以下であれば特に高周波領域におけるＱ
値が、非常に高くなっていることがわかる。

【００５９】以上の様に導電膜１２の表面粗さは、１．
０μｍ以下が良く、更に好ましくは、０．２μｍ以下と
することによって、導電膜１２の表皮効果を低減させる
ことができ、特に高周波におけるＱ値を向上させる事が
できる。

【００６０】更に導電膜１２と基台１１の密着強度は、
導電膜１２を形成した基台１１を４００℃の温度下に数
秒間放置した後に基台１１から導電膜１２がはがれない
程度以上であることが好ましい。素子を基板等に実装し
た際に、素子には自己発熱や他の部材からの熱が加わる
ことによって、素子に２００℃以上の温度が加わること
がある。従って、４００℃で基台１１からの導電膜１２
のはがれが発生しない程度の密着強度であれば、たとえ
素子に熱が加わっても、素子の特性劣化等は発生しな
い。

【００６１】次に保護材１４について説明する。保護材
１４としては、耐候性に優れた有機材料、例えばエポキ
シ樹脂などの絶縁性を示す材料や電着膜が用いられる。
また、保護材１４としては、溝１３の状況等が観測でき
るような透明度を有する事が好ましい。更に保護材１４
には透明度を有したまま、所定の色を有することが好ま
しい。保護材１４に赤，青，緑などの、導電膜１２や端
子部１５，１６等と異なる色を着色する事によって、素
子各部の区別をする事ができ、素子各部の検査などが容
易に行える。また、素子の大きさ、特性、品番等の違い
で保護材１４の色を変えることによって、特性や品番等
の異なる素子を誤った部分に取り付けるなどのミスを低
減させることができる。

【００６２】特に保護材１４を電着膜で構成することに
よって、非常に薄くて絶縁性を確保でき、しかも耐熱性
も向上させることができる。すなわち、エポキシ樹脂や
レジストなどを塗布する方法であると、保護材１４の部
分が大きく盛り上がり、回路基板等に実装する場合、素
子の端子部と回路基板の配線の間に隙間が生じることが
あり、十分な電気的接合を行うことができないことがあ
るが、電着膜で保護材１４を形成することによって、薄
くしかも均一な保護材１４を形成できるので、素子を回
路基板などに実装したときに、端子部と配線との間の隙
間が非常に小さくなり、配線と基盤の端子間の電気的接
合は十分に行うことができる。

【００６３】また、レジストなどを塗布する方法である
と、一つ一つの素子にそれぞれテープなどを用いて塗布
しなければならないので、工程が多くなり生産性が向上
せず、製造コストも低減することはできないが、本実施
の形態の様に、電着膜で保護材１４を作製することによ
って、一度にたくさんの素子に保護材１４を設けること
ができるので、生産性が向上し越すとも低減させること
ができる。

【００６４】保護材１４の具体的構成材料としては、ア
クリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フッ素系樹脂，ウレタ
ン系樹脂，ポリイミド系樹脂などの樹脂材料の少なくと
も１つで構成された電着樹脂膜によって構成されてい
る。また、保護材１４を電着膜で構成する場合、カチオ
ン系，アニオン系のどちらかを選択する場合には、導電
膜１２の構成材料、電着膜の構成材料、インダクタンス
素子の使用用途などを考慮して決定することが好まし
い。保護材１４は異なる材料で構成された電着膜を積層
して構成しても良いし、同一材料を積層しても良く、更
には、複数の電着膜を溝部１３の上に並列して設けても
よい。

【００６５】保護材１４を電着膜で構成する場合、保護
材１４の厚さが数十ミクロンで２０Ｖ以上の耐圧を有す
ることが好ましく、しかもハンダの融点である１８３℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。なお、１８３℃で保護材１４が軟化する程度のもの
は不具合は生じない。

【００６６】また、図７（ａ）に示す様に電着膜で構成
された保護材１４は、導電膜１２と基台１１の少なくと
も一部の双方を覆うように設けることが好ましい。この
様に保護材１４を設けることによって、導電膜１２をほ
ぼ覆うことができ、しかも導電膜１２と外気などとの接
触確率を極めて小さくすることができるので、導電膜１
２の腐食や電流の漏洩等を防止することができる。図７
（ｂ）に示す様に保護材１４を導電膜１２のみに設ける
場合では、導電膜１２の角部１２ｚがむき出しになる可
能性が高く、導電膜１２の腐食の原因となることがあ
る。

【００６７】従って、図７（ａ）に示す様に、導電膜１
２の角部１２ｚをオバーして基台１１の少なくとも一部
も保護材１４で覆うように構成することによって、確実
な導電膜１２の保護を覆うことができる。

【００６８】また、図７（ａ）に示す様に導電膜１２の
外方の角部１２ｐ上に形成される保護材１４の一部１４
ｚは他の部分よりも膜厚を厚くすることが好ましい。一
部１４ｚを厚くすることによって、角部１２ｐが他の部
分との間で放電することなどを防止でき、インダクタン
ス素子としての特性の劣化を防止できる。

【００６９】また、特殊用途などに用いられるインダク
タンス素子には、導電膜１２と保護材の密着強度を持た
せることが重要になってくる場合がある。この場合に
は、導電膜１２の表面を化学的エッチングすることによ
って粗面化し、その粗面化した表面に電着膜で構成した
保護材１４を設けることが好ましい。前述したように、
導電膜１２の表面の粗面化を行うとＱ値の低下を招く危
険はあるが、特殊用途等の場合、Ｑ値よりも保護材１４
と導電膜１２の密着強度を向上することが重要な場合が
あるので、このときは、用途などを考慮して導電膜１２
の粗さを適宜決定する必要がある。

【００７０】また、導電膜１２を銅を含む材料で構成し
た場合、電着膜である保護材１４は不均一な膜厚で形成
されることがあるので、この場合には、導電膜１２の上
にＮｉ等の金属膜を形成し、その金属膜の上に保護材１
４を形成しても良い。

【００７１】次に、電着膜で構成された保護材１４の形
成方法について説明する。図８に示す様に１００は容器
で、容器１００中には、水，電着樹脂，ｐＨ調整剤など
の調整剤及び他の添加剤などを混合した溶液１０１が収
納されている。１０２は電極板、１０３はインダクタン
ス素子、１０４，１０５はそれぞれ保持部材で、保持部
材１０４，１０５は、インダクタンス素子１０３の両端
がはまりこむ孔が設けられている。保持部材１０５には
通電部６が設けられており、この通電部６はインダクタ
ンス素子１０３に接触している。

【００７２】電極板１０２及び通電部１０６に所定の電
圧を加えると、インダクタンス素子１０３の両端部を除
く部分に電着膜が形成される。これは、インダクタンス
素子１０３の端子部１５，１６は、保持部材１０４，１
０５に入り込んでおり、溶液１０１とは余り接触してい
ないからである。なお、本実施の形態では、保持部材１
０４，１０５に端子部１５，１６を入り込ませたが、フ
ォトレジスト等の他のマスク部材を端子部１５，１６に
設ける構成にしてもよい。

【００７３】以上の様に、電着膜で構成された保護材１
４を有するインダクタンス素子を作製した後に、素子に
熱処理を加えることが好ましい。この熱処理によって、
保護材１４の表面がなだらかになって、表面粗さが小さ
くなり、確実に保護材１４を覆うようになる。また、熱
処理を加えると、導電膜１２の角部の保護材１４の厚さ
が薄くなることがあるが、この場合には、溶液１０１の
中に絶縁性の粒子（例えば金属酸化物など）を混入させ
て、電着膜で構成された保護材１４の中にこの絶縁性の
粒子を保持させることによって、導電膜１２の角部の保
護材１４の厚さを抑えることができる。

【００７４】次に端子部１５，１６について説明する。
端子部１５，１６は前述の様に、導電材料で構成された
板状体あるいはシート状体を用いており、この端子部１
５と端子部１６の間に基台１１を挟み込んでいる。この
時、端子部１５，１６としては、耐候性を向上させるた
めに、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｒなどの耐食性の大きな材料をコ
ーティングしてもよいし、回路基板との接合が良好とな
るように、半田などの導電材料をコーティングしても良
いし、更には、耐食性の大きな材料を先ず端子部１５，
１６上に密着させてコーティングし、回路基板との接続
性を良好にする材料をその上にコーティングしても良
い。

【００７５】端子部１５，１６はインダクタンス素子の
幅Ｌ２及び高さＬ３を決定している。すなわち、図９に
示す様に、端子部１５，１６の幅及び高さは、インダク
タンス素子の幅Ｌ２及び高さＬ３に相当する。図９から
わかるように、基台１１の断面積は端子部１５，１６の
断面積よりもわずかに小さくなるように構成され、しか
も基台１１は端子部１５，１６からはみ出さないサイズ
を有している。更に図９に示す様に、基台１１に端子部
１５，１６を取り付ける場合には、基台１１の表面と端
子部１５，１６の外端面までの距離ｔ１，ｔ２はそれぞ
れ以下の関係を満たす事が好ましい。

【００７６】０＜ｔ１÷Ｌ２＜０．１０＜ｔ２÷Ｌ３＜０．１上記条件を満たすことによって、基台１１の大きさを小
さくすることなく、高いインダクタンスや高いＱ値を実
現でき、しかもｔ１，ｔ２の隙間に保護材１４を設ける
ことができ、端子部１５，１６の外端部から突出せず良
好な実装性を有することができる。

【００７７】なお、Ｌ２＝Ｌ３の場合には、当然のごと
くｔ２＝ｔ１とする事が好ましい。また、図２に示す様
に端子部１５，１６の高さＺ１及びＺ２は下記の条件を
満たすことが好ましい。

【００７８】｜Ｚ１−Ｚ２｜≦８０μｍ（好ましくは５０μｍ）Ｚ１とＺ２の高さの違いが８０μｍ（好ましくは５０μ
ｍ以下）を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図１０に示す。図１０に示
すように、基板２００の上にインダクタンス素子を配置
し、端子部１５，１６それぞれと基板２００の間に半田
２０１，２０２が設けられているが、リフローなどによ
って半田２０１，２０２を溶かすと、半田２０１，２０
２のそれぞれの塗布量の違いや、材質が異なることによ
る融点の違いによって、溶融した半田２０１，２０２の
表面張力が端子部１５と端子部１６で異なり、その結
果、図１０に示すように一方の端子部を中心に回転し、
インダクタンス素子が立ち上がってしまう。Ｚ１とＺ２
の高さの違いが８０μｍ（好ましくは５０μｍ以下）を
超えると、素子が傾いた状態で基板２００に配置される
こととなり、素子立ちを促進する。また、マンハッタン
現象は特に小型軽量のチップ型の電子部品（チップ型イ
ンダクタンス素子を含む）において顕著に発生し、しか
もこのマンハッタン現象の発生要因の一つとして、端子
部１５，１６の高さの違いによって素子が傾いて基板２
００に配置されることを着目した。この結果、Ｚ１とＺ
２の高さの差を８０μｍ以下（好ましくは５０μｍ以
下）となるように、基台１１を成形などで加工すること
によって、このマンハッタン現象の発生を大幅に抑える
ことができた。Ｚ１とＺ２の高さの差を５０μｍ以下と
することによって、ほぼ、マンハッタン現象の発生を抑
えることができる。

【００７９】次に端子部１５，１６の厚さについて説明
する。図２に示す端子部１５，１６それぞれの厚みＰ
２，Ｐ１は下記の条件を満たすことが好ましい。

【００８０】Ｐ１÷Ｌ１＜０．１２Ｐ２÷Ｌ１＜０．１２上記条件を満たすことによって、基台１１の長さを長く
することができ、それにともなって、インダクタンスを
高くする事が可能になり、Ｑ値を向上させることができ
る。なお、Ｐ１，Ｐ２が上記範囲内においても、現実的
に端子部１５，１６の厚みは、その強度や扱い易さ等を
考慮すると、０．０８ｍｍ以下とすることは好ましくな
い。従って、Ｌ１が小さくなってきて、例えばＬ１が
０．６ｍｍの場合は、Ｐ１，Ｐ２は０．０７２ｍｍとな
り、０．０８ｍｍよりも薄くなってしまうが、この場合
には、端子部１５，１６の厚さは、多少Ｑ値が低くなっ
ても０．０８ｍｍとすることが好ましい。

【００８１】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下その製造方法について説明する。

【００８２】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、基台１１を作製する。次にその
基台１１全体にメッキ法やスパッタリング法などによっ
て導電膜１２を形成する。次に導電膜１２を形成した基
台１１にスパイラル状の溝１３を形成する。溝１３はレ
ーザ加工や切削加工によって作製される。レーザ加工
は、非常に生産性が良いので、以下レーザ加工について
説明する。まず、基台１１を回転装置に取り付け、基台
１１を回転させ、そして基台１１にレーザを照射して導
電膜１２及び基台１１の双方を取り除き、スパイラル状
の溝を形成する。このときのレーザは、ＹＡＧレーザ，
エキシマレーザ，炭酸ガスレーザなどを用いることがで
き、レーザ光をレンズなどで絞り込むことによって、基
台１１に照射する。更に、溝１３の深さ等は、レーザの
パワーを調整し、溝１３の幅等は、レーザ光を絞り込む
際のレンズを交換することによって行える。また、導電
膜１２の構成材料等によって、レーザの吸収率が異なる
ので、レーザの種類（レーザの波長）は、導電膜１２の
構成材料によって、適宜選択することが好ましい。

【００８３】溝１３を形成した後に、基台１１の両端に
板状体あるいはシート状体に加工された端子部１５，１
６を接合する、この時、端子部１５，１６を基台１１に
接合する場合には、高温半田などの導電性接合材を用い
る。なお、他の接合方法としては、基台１１の端面に形
成された導電膜１２と同材料で構成された端子部１５，
１６を当接させて、超音波などによって接合したり、溶
接等で端子部１５，１６を基台１１に接合する事もでき
る。

【００８４】この時点でも、製品は完成するが、前述の
様に保護材１４をエポキシ樹脂等を塗布したり、あるい
は電着膜を形成したりすることによって設け、素子全体
の耐候性を向上させる。

【００８５】次に第２の実施の形態について説明する。
図１１は本発明の第２の実施の形態におけるインダクタ
ンス素子の側面図である。

【００８６】図１１において、図１，図２と同一番号
は、同様の部材である。図１１に示すインダクタンス素
子と図１に示すインダクタンス素子の違いは、端子部１
５，１６の形状と保護材１４を形成する範囲に違いがあ
る。

【００８７】図１１に示すインダクタンス素子は、図１
２に示す様に、端子部１５，１６の対向する２辺が他の
辺よりも長く形成されている点である。すなわち図１２
において、斜線部が図９に示す端子部１５，１６よりも
長くなっている部分を外部接触部７００としている。

【００８８】また、保護材１４を端子部１５，１６上に
設け、外部接触部７００上のみが保護材１４が形成され
ていない点である。

【００８９】この様な構成によると、インダクタンス素
子を実装する際に方向性が存在することになるが、保護
材１４を広く設けることができるので、素子の耐候性等
を向上させることができる。

【００９０】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。

【００９１】図１３及び図１４はそれぞれ本発明の一実
施の形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロッ
ク図である。図１３及び図１４において、２９は音声を
音声信号に変換するマイク、３０は音声信号を音声に変
換するスピーカー、３１はダイヤルボタン等から構成さ
れる操作部、３２は着信等を表示する表示部、３３はア
ンテナ、３４はマイク２９からの音声信号を復調して送
信信号に変換する送信部で、送信部３４で作製された送
信信号は、アンテナを通して外部に放出される。３５は
アンテナで受信した受信信号を音声信号に変換する受信
部で、受信部３５で作成された音声信号はスピーカー３
０にて音声に変換される。３６は送信部３４，受信部３
５，操作部３１，表示部３２を制御する制御部である。

【００９２】以下その動作の一例について説明する。先
ず、着信があった場合には、受信部３５から制御部３６
に着信信号を送出し、制御部３６は、その着信信号に基
づいて、表示部３２に所定のキャラクタ等を表示させ、
更に操作部３１から着信を受ける旨のボタン等が押され
ると、信号が制御部３６に送出されて、制御部３６は、
着信モードに各部を設定する。即ちアンテナ３３で受信
した信号は、受信部３５で音声信号に変換され、音声信
号はスピーカー３０から音声として出力されると共に、
マイク２９から入力された音声は、音声信号に変換さ
れ、送信部３４を介し、アンテナ３３を通して外部に送
出される。

【００９３】次に、発信する場合について説明する。ま
ず、発信する場合には、操作部３１から発信する旨の信
号が、制御部３６に入力される。続いて電話番号に相当
する信号が操作部３１から制御部３６に送られてくる
と、制御部３６は送信部３４を介して、電話番号に対応
する信号をアンテナ３３から送出する。その送出信号に
よって、相手方との通信が確立されたら、その旨の信号
がアンテナ３３を介し受信部３５を通して制御部３６に
送られると、制御部３６は発信モードに各部を設定す
る。即ちアンテナ３３で受信した信号は、受信部３５で
音声信号に変換され、音声信号はスピーカー３０から音
声として出力されると共に、マイク２９から入力された
音声は、音声信号に変換され、送信部３４を介し、アン
テナ３３を通して外部に送出される。

【００９４】なお、本実施の形態では、音声を送信受信
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う装置についても同様な効果を得ることができる。

【００９５】上記で説明したインダクタンス素子（図１
〜図１２に示すもの）は、発信回路，フィルタ回路，ア
ンテナ部及び各段とのマッチング回路周辺部等の高いＱ
を必要とする箇所の少なくとも一つに用いられ、その数
は、一つの無線端末装置に数個〜４０個程度用いられて
いる。上述の様なインダクタンス素子を用いることによ
って、装置内部の基板等を小型化でき、しかもＱ値が高
いので、損失が非常に小さくなるので、電力の削減を行
うことができ、長時間の動作を行うことができる。

【００９６】

【発明の効果】本発明は、基台の上に導電膜を形成し、
その導電膜に溝を形成してインダクタンス成分を形成
し、その後に、基台の両端にシート状あるいは板状の端
子部を設けた事によって、生産性が向上し、小型で高い
Ｑ値を得ることができる。

【００９７】また、無線端末装置において、上記インダ
クタンス素子を搭載したことによって、装置内部の基板
等を小型化でき、しかもＱ値が高いので、損失が非常に
小さくなるので、電力の削減を行うことができ、長時間
の動作を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す斜視図

【図２】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側断面図

【図３】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の斜視図

【図４】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の表面粗さと剥がれ発生率を示し
たグラフ

【図５】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の表面粗さに対する周波数とＱ値
の関係を示すグラフ

【図６】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる導電膜の表面粗さに対する周波数とＱ
値の関係を示すグラフ

【図７】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子の保護材を設けた部分の拡大断面図

【図８】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子の保護材を設ける工程を示した図

【図９】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子の端子部の正面図

【図１０】マンハッタン現象を示す図

【図１１】本発明の第２の実施の形態におけるインダク
タンス素子の側面図

【図１２】本発明の第２の実施の形態におけるインダク
タンス素子の端子部の正面図

【図１３】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示す斜視図

【図１４】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示すブロック図

【図１５】従来のインダクタンス素子を示す側面図

【符号の説明】

１１基台１２導電膜１３溝１４保護材１５，１６端子部３０スピーカー３１操作部３２表示部３３アンテナ３４送信部３５受信部３６制御部７００外部接触部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者磯▲さき▼ 賢蔵大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01F 17/00 H01F 27/29

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台を挟むよう
に前記基台の端面に取り付けられた一対の端子部と、前
記基台上に設けられた保護材とを備え、前記端子部とし
て、導電性の板状体かもしくはシート状体を用いるとと
もに、前記端子部にて前記基台と前記保護材を挟み込ん
だ事を特徴とするインダクタンス素子。
【請求項２】基台の端子部との接合部位は、基台の端面
のみであることを特徴とする請求項１記載のインダクタ
ンス素子。
【請求項３】溝を覆う保護材を電着膜とした事を特徴と
する請求項１，２いずれか１記載のインダクタンス素
子。
【請求項４】端子部の面積よりも基台の断面積を小さく
するとともに、前記端子部の外端部と基台の表面との間
に隙間を設けた事を特徴とする請求項１〜３いずれか１
記載のインダクタンス素子。
【請求項５】隙間に保護材を設けたことを特徴とする請
求項４記載のインダクタンス素子。
【請求項６】端子部の厚さの最低限度を０．０８ｍｍ以
上とすることを特徴とする請求項１〜５いずれか１記載
のインダクタンス素子。
【請求項７】端子部に他の部分よりも突出した外部接触
部を設け、前記外部接触部以外を保護材で覆ったことを
特徴とする請求項１〜６記載のインダクタンス素子。
【請求項８】基台を角柱状とし、端子部を方形板状とし
た事を特徴とする請求項１〜７いずれか１記載のインダ
クタンス素子。
【請求項９】導電膜の表面粗さを１μｍ以下としたこと
を特徴とする請求項１〜８いずれか１記載のインダクタ
ンス素子。
【請求項１０】基台の表面粗さを０．５μｍ以下とした
ことを特徴とする請求項１〜８いずれか１記載のインダ
クタンス素子。
【請求項１１】長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３としたとき
に、Ｌ１＝０．５〜２．１ｍｍＬ２＝０．２〜１．５ｍｍＬ３＝０．２〜１．５ｍｍのサイズを有する事を特徴とする請求項１〜８いずれか
１記載のインダクタンス素子。
【請求項１２】断面略正方形状の角柱状体をなす基台
と、前記基台上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設
けられ、前記基台の側面に設けられたスパイラル状の溝
と、前記基台の両端面にそれぞれ設けられた方形状の一
対の端子部と、前記溝を覆うように前記基台の側面に設
けられた保護材とを備え、前記端子部は板状体もしくは
シート状体で構成され、前記基台の端面上のみに設けた
ことを特徴とするインダクタンス素子。
【請求項１３】柱状の基台を作製し、前記基台上に導電
膜を形成し、前記導電膜の一部を取り除くように前記基
台に溝を形成し、前記基台の両端に板状体かもしくはシ
ート状体の端子部を貼り付け、その後に少なくとも前記
溝を覆うように保護材を設けた事を特徴とするインダク
タンス素子の製造方法。
【請求項１４】保護材を電着法による電着膜とした事を
特徴とする請求項１３記載のインダクタンス素子の製造
方法。
【請求項１５】表示手段と、データ信号もしくは音声信
号の少なくとも一方を送信信号に変換するか受信信号を
データ信号もしくは音声信号の少なくとも一方に変換す
る変換手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受信
するアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた無線
端末装置であって、発信回路，フィルタ回路，アンテナ
部及び各段とのマッチング回路周辺部等の少なくとも一
つに請求項１〜１２いずれか１記載のインダクタンス素
子を用いたことを特徴とする無線端末装置。