JP2001185425A

JP2001185425A - 電子部品の製造方法及び無線端末装置

Info

Publication number: JP2001185425A
Application number: JP36718699A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Sakida; 広実崎田; Kazuhiro Takeda; 和弘竹田; Kenzo Isozaki; 賢蔵磯崎; Kiyoto Hayashi; 清人林
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-12-24
Filing date: 1999-12-24
Publication date: 2001-07-06
Anticipated expiration: 2019-12-24
Also published as: JP3693542B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高精度で生産性の良い電子部品の製造方法及
び無線端末装置を提供することを目的とする。【解決手段】基台１１の全面に導電膜１２を形成し、
導電膜１２に溝１３を形成し、導電膜１２のほぼ全面に
保護材１４を形成し、保護材１４の内で基台１１の端面
上の部分及び溝１３を覆う部分を残して、他の保護材１
４を除去し、他の保護材１４を除去した部分に端子部１
５，１６を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れる電子部品の製造方法及び無線端末装置に関するもの
である。特に、絶縁性の基台上に導電膜又は抵抗膜を設
けた電子部品の製造方法及び無線端末装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】図１０は従来のインダクタンス素子を示
す側面図である。図１０において、１は四角柱状また
は、円柱状の基台、２は基台１の上に形成された導電
膜、３は導電膜２に設けられた溝、４は導電膜２の上に
積層された保護材である。

【０００３】この様な電子部品は、溝３の間隔などを調
整することによって、所定の特性に調整する。

【０００４】先行例としては、特開平７−３０７２０１
号公報，特開平７−２９７０３３号公報，特開平５−１
２９１３３号公報，特開平１−２３８００３号公報，実
開昭５７−１１７６３６号公報，特開平５−２９９２５
０号公報等がある。

【０００５】また、インダクタンス素子のＱ値などを向
上させるために、インダクタンス素子の両端面に端子電
極等を設けない構成を有するものが提案されている。

【０００６】この様な構造では、前述の通り、インダク
タンス素子で発生した磁束効率の障害となるインダクタ
ンス素子端部の導電性端子の厚さをできるだけ薄くする
か０とすることによって、Ｑ値を向上できると共に、イ
ンダクタンス素子の端面に端子電極を設けていないの
で、インダクタンス素子の端部方向に突出する半田など
の接合材の長さを短くすることができ、高密度の実装に
も適している。

【０００７】例えば、特開平１１−２３８６３３号公報
の様に、端面に絶縁塗料を設けるフィレットレス型のイ
ンダクタが提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構
成では、基台に導電膜を形成した後に、基台端面上の導
電膜の上に絶縁塗料を形成した後に、溝等を導電膜に施
して、コイル部を形成し、更にその後に絶縁塗料をコイ
ル部を覆うように形成し、そのコイル部を覆う絶縁塗料
と基台の端面上に設けられた絶縁塗料との間に設けられ
た隙間に電極を形成する方法であるので、絶縁塗料を基
台の端面上及びコイル部を覆う絶縁塗料を別々に設ける
工程が必要となり、工数が多くかかり、生産性が悪いと
いう問題点があった。

【０００９】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、高精度で生産性の良い電子部品の製造方法及び無線
端末装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、基台の全面に
導電膜を形成し、導電膜に溝を形成し、導電膜のほぼ全
面に保護材を形成し、保護材の内で基台の端面上の部分
及び溝を覆う部分を残して、他の保護材を除去し、他の
保護材を除去した部分に端子部を形成した。

【００１１】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基台の全
面に導電膜を形成し、前記導電膜に溝を形成し、前記導
電膜のほぼ全面に保護材を形成し、前記保護材の内で前
記基台の端面上の部分及び溝を覆う部分を残して、他の
保護材を除去し、前記他の保護材を除去した部分に端子
部を形成した事を特徴とする電子部品の製造方法とした
ことによって、端面上の保護材と溝を形成した部分の保
護材を一つの工程で作製できるので、生産性が向上す
る。また、この構成によって、保護材を精度良く取り除
くことで、非常に精度の良い端子部を形成できるので、
確実に素子の実装性を向上させることができ、しかもＱ
値等の劣化を防止することができる。

【００１２】請求項２記載の発明は、基台の全面に導電
膜を形成し、前記導電膜に溝を形成し、前記基台の端面
上に形成された前記導電膜の部分及び前記溝を形成した
前記導電膜の部分を開口させるように被覆部材を形成
し、前記保護材を前記開口部分に形成し、その後に前記
被覆部材を取り除き、前記被覆部材を取り除いた部分に
端子部を形成した事を特徴とする電子部品の製造方法と
したことによって、端面上の保護材と溝を形成した部分
の保護材を一つの工程で作製できるので、生産性が向上
する。また、この構成によって、保護材を精度良く取り
除くことで、非常に精度の良い端子部を形成できるの
で、確実に素子の実装性を向上させることができ、しか
もＱ値等の劣化を防止することができる。更に、保護材
を除去しない構成であるので、保護材除去の際に、他の
部材にダメージを加えることはないので、特性の劣化を
生じない。

【００１３】請求項３記載の発明は、基台の端面部の少
なくとも一部を除いて前記基台上に導電膜を形成し、前
記導電膜に溝を形成し、前記導電膜のほぼ全面及び前記
基台の端面にむき出しになった部分に保護材を形成し、
前記保護材の内で前記基台の端面上の部分及び溝を覆う
部分を残して、他の保護材を除去し、前記他の保護材を
除去した部分に端子部を形成した事を特徴とする電子部
品の製造方法とする事によって、端面上の保護材と溝を
形成した部分の保護材を一つの工程で作製できるので、
生産性が向上する。また、この構成によって、保護材を
精度良く取り除くことで、非常に精度の良い端子部を形
成できるので、確実に素子の実装性を向上させることが
でき、しかもＱ値等の劣化を防止することができる。ま
た、基台の端面上に導電膜が存在しない部分を設けるこ
とができるので、Ｑ値の劣化を更に防止できる。

【００１４】請求項４記載の発明は、基台の端面部の少
なくとも一部を除いて前記基台上に導電膜を形成し、前
記基台の端面上の部分及び前記溝を形成した前記導電膜
の部分を開口させるように被覆部材を形成し、前記保護
材を前記開口部分に形成し、その後に前記被覆部材を取
り除き、前記被覆部材を取り除いた部分に端子部を形成
した事を特徴とする電子部品の製造方法とする事によっ
て、端面上の保護材と溝を形成した部分の保護材を一つ
の工程で作製できるので、生産性が向上する。また、こ
の構成によって、保護材を精度良く取り除くことで、非
常に精度の良い端子部を形成できるので、確実に素子の
実装性を向上させることができ、しかもＱ値等の劣化を
防止することができる。更に、保護材を除去しない構成
であるので、保護材除去の際に、他の部材にダメージを
加えることはないので、特性の劣化を生じない。また、
基台の端面上に導電膜が存在しない部分を設けることが
できるので、Ｑ値の劣化を更に防止できる。

【００１５】請求項５記載の発明は、導電膜に変えて抵
抗膜を設けた事を特徴とする請求項１〜４いずれか１記
載の電子部品の製造方法とする事によって、抵抗器でも
確実にフィレットレス構造を容易に生産することができ
る。

【００１６】請求項６記載の発明は、表示手段と、デー
タ信号もしくは音声信号の少なくとも一方を送信信号に
変換するか受信信号をデータ信号もしくは音声信号の少
なくとも一方に変換する変換手段と、前記送信信号及び
前記受信信号を送受信するアンテナと、各部を制御する
制御手段を備えた無線端末装置であって、発信回路，フ
ィルタ回路，アンテナ部及び各段とのマッチング回路周
辺部等の少なくとも一つに請求項１〜５いずれか１記載
の電子部品の製造方法によって作製された電子部品を用
いたことを特徴とする無線端末装置とする事によって、
精度良く端子部を形成できるので、Ｑ値劣化を防止で
き、装置の特性劣化を防止でき、しかも高密度実装を行
えるので、装置内部の回路基板などを小型化できる。

【００１７】以下、本発明における電子部品及び無線端
末装置の実施の形態についてインダクタンス素子を例に
挙げて具体的に説明する。

【００１８】図１，図２はそれぞれ本発明の一実施の形
態におけるインダクタンス素子を示す側面図及び底面図
である。

【００１９】図１において、１１は絶縁材料などをプレ
ス加工，押し出し法等を施して構成されている基台、１
２は基台１１の上に設けられている導電膜で、導電膜１
２は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台１１上に形成される。

【００２０】１３は基台１１及び導電膜１２に設けられ
た溝で、溝１３は、レーザ光線等を導電膜１２に照射す
ることによって形成したり、導電膜１２に砥石等を当て
て機械的に形成されたり、レジストなどを用いた選択的
エッチングによって形成されている。

【００２１】１４は保護材で、保護材１４は基台１１側
面上に設けられた導電膜１２上及び基台１１端面上の導
電膜１２上にそれぞれ設けられている。

【００２２】１５，１６はそれぞれ基台１１の少なくと
も側面上にそれぞれ取り付けられた端子部である。

【００２３】また、インダクタンス素子の長さＬ１，幅
Ｌ２，高さＬ３は以下の通りとなっていることが好まし
い。

【００２４】Ｌ１＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは
０．３〜０．８ｍｍ）Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）（なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。）Ｌ１が０．２ｍｍ以下であると、必要とするインダクタ
ンスを得ることができない。また、Ｌ１が２．０ｍｍを
超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電子
回路等が形成された基板など（以下回路基板等と略す）
回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基板等
を搭載した電子機器等の小型化を行うことができない。
また、Ｌ２，Ｌ３それぞれが０．１ｍｍ以下であると、
素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実装装
置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ等が
発生することがある。また、Ｌ２，Ｌ３が１．０ｍｍ以
上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等の小
型化、ひいては装置の小型化を行うことができない。

【００２５】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。

【００２６】まず、基台１１の形状について説明する。

【００２７】基台１１は角柱状もしくは円柱状とするこ
とが好ましく、図１，２に示す様に基台１１を角柱状と
することによって、実装性を向上させることができ、素
子の転がり等を防止できる等の効果を有する。また、基
台１１を角柱状とする中でも特に四角柱状とすることが
非常に実装性や、素子の回路基板上での位置決めを容易
にする。なお、更に好ましくは底面が正方形の直方体と
することが更に実装性等を向上させることができる。更
に、基台１１を角柱状とすることによって構造が非常に
簡単になるので、生産性がよく、しかもコスト面が非常
に有利になる。

【００２８】また、基台１１の形状を円柱状とすること
によって、後述するように基台１１上に導電膜１２を形
成し、その導電膜１２にレーザ加工等によって溝を形成
する場合、その溝の深さなどを精度よく形成することが
でき、特性のばらつきを抑えることができる。なお、図
示していないが、基台１１の中央部に段差部を全周に渡
って設け、この段差部の中に、導電膜１２と溝１３を設
けてコイル部を設けてもよい。

【００２９】次に基台１１の面取りについて図３を用い
て説明する。

【００３０】図３は基台１１を示す斜視図である。

【００３１】基台１１の角部１１ｂ，１１ｃには面取り
が施されており、その面取りした角部１１ｂ，１１ｃの
それぞれの曲率半径Ｒ１及び角部１１ａの曲率半径Ｒ２
は以下の通りに形成されることが好ましい。

【００３２】０．０３＜Ｒ１＜０．１５（ｍｍ）０．０１＜Ｒ２（ｍｍ）Ｒ１が０．０３ｍｍ以下であると、角部１１ｂ，１１ｃ
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部１１ｂ，１１ｃに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、Ｒ１が０．１５ｍｍ以上であると、角部１１
ｂ，１１ｃが丸くなりすぎて、マンハッタン現象を起こ
しやすくなり、不具合が生じる。更にＲ２が０．０１ｍ
ｍ以下であると、角部１１ａにバリなどが発生しやす
く、素子の特性を大きく左右する導電膜１２の厚みが角
部１１ｆと平坦な部分で大きく異なることがあり、素子
特性のばらつきが大きくなる。

【００３３】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。また、
アルミナ材料の具体的な材料としては、Ａｌ₂Ｏ₃が９２
重量％以上，ＳｉＯ₂が６重量％以下，ＭｇＯが１．５
重量％以下，Ｆｅ₂Ｏ₃が０．１％以下，Ｎａ₂Ｏが０．
３重量％以下等が挙げられる。

【００３４】更に、基台１１の構成材料として、フェラ
イト等の磁性材料で構成してもよい。基台１１をフェラ
イト等の磁性材料で構成すると、高いインダクタンスを
有する素子を形成することができる。

【００３５】次に導電膜１２について説明する。

【００３６】以下具体的に導電膜１２について説明す
る。

【００３７】導電膜１２の構成材料としては、銅，銀，
金，ニッケルなどの導電材料が挙げられる。この銅，
銀，金，ニッケル等の材料には、耐候性等を向上させた
めに所定の元素を添加してもよい。また、導電材料と非
金属材料等の合金を用いてもよい。構成材料としてコス
ト面や耐食性の面及び作り易さの面から銅及びその合金
がよく用いられる。導電膜１２の材料として、銅等を用
いる場合には、まず、基台１１上に無電解メッキによっ
て下地膜を形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所
定の銅膜を形成して導電膜１２が形成される。更に、合
金等で導電膜１２を形成する場合には、スパッタリング
法や蒸着法で構成することが好ましい。

【００３８】更に、本実施の形態の様に、導電膜１２を
例えば銅などで構成し、その膜厚を厚くして自己発熱を
抑える場合、導電膜１２に形成される溝１３の幅Ｋ１と
溝１３と溝１３の間の導電膜１２の幅Ｋ２は以下の関係
を有する事が好ましい。

【００３９】２０μｍ＞Ｋ１＞１５μｍ２００μｍ＞Ｋ２＞１００μｍ特に前述の様に長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３を、Ｌ１＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．４
ｍｍ）（なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。）としたインダクタンス素子とした場合、上述のＫ１，Ｋ
２は上述の範囲とすることによって、電気抵抗を小さく
することができ、しかも導電膜１２に形成される溝１３
を精度良く形成することができ、更に導電膜１２の膜厚
を厚くした場合に確実に溝１３を形成することができ
る。

【００４０】導電膜１２は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜１２を複数積層して構成しても良い。例えば、基台１
１の上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属
膜（ニッケル等）を積層する事によって、やや耐候性に
問題がある銅の腐食を防止することができる。

【００４１】導電膜１２の形成方法としては、メッキ法
（電解メッキ法や無電解メッキ法など），スパッタリン
グ法，蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。

【００４２】次に保護材１４について説明する。

【００４３】保護材１４としては、耐候性に優れた有機
材料、例えばエポキシ樹脂などの絶縁性を示す材料や電
着膜が用いられる。また、保護材１４としては、溝１３
の状況等が観測できるような透明度を有する事が好まし
い。

【００４４】特に保護材１４を電着膜で構成することに
よって、非常に薄くて絶縁性を確保でき、しかも耐熱性
も向上させることができる。すなわち、エポキシ樹脂や
レジストなどを塗布する方法であると、保護材１４の部
分が大きく盛り上がり、回路基板等に実装する場合、素
子の端子部と回路基板の配線の間に隙間が生じることが
あり、十分な電気的接合を行うことができないことがあ
るが、電着膜で保護材１４を形成することによって、薄
くしかも均一な保護材１４を形成できるので、素子を回
路基板などに実装したときに、端子部と配線との間の隙
間が非常に小さくなり、配線と基板の端子間の電気的接
合は十分に行うことができる。

【００４５】また、レジストなどを塗布する方法である
と、一つ一つの素子にそれぞれテープなどを用いて塗布
しなければならないので、工程が多くなり生産性が向上
せず、製造コストも低減することはできないが、本実施
の形態の様に、電着膜で保護材１４を作製することによ
って、一度にたくさんの素子に保護材１４を設けること
ができるので、生産性が向上しコストも低減させること
ができる。

【００４６】保護材１４の具体的構成材料としては、ア
クリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フッ素系樹脂，ウレタ
ン系樹脂，ポリイミド系樹脂などの樹脂材料の少なくと
も１つで構成された電着樹脂膜によって構成されてい
る。また、保護材１４を電着膜で構成する場合、カチオ
ン系，アニオン系のどちらかを選択する場合には、導電
膜１２の構成材料、電着膜の構成材料、インダクタンス
素子の使用用途などを考慮して決定することが好まし
い。保護材１４は異なる材料で構成された電着膜を積層
して構成しても良いし、同一材料を積層しても良く、更
には、複数の電着膜を溝部１３の上に並列して設けても
よい。

【００４７】保護材１４を電着膜で構成する場合、保護
材１４の厚さが数十ミクロンで２０Ｖ以上の耐圧を有す
ることが好ましく、しかも半田の融点である１８３℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。なお、１８３℃で保護材１４が軟化する程度のもの
は不具合は生じない。

【００４８】また、特殊用途などに用いられるインダク
タンス素子には、導電膜１２と保護材１４の密着強度を
持たせることが重要になってくる場合がある。この場合
には、導電膜１２の表面を化学的エッチングすることに
よって粗面化し、その粗面化した表面に電着膜で構成し
た保護材１４を設けることが好ましい。

【００４９】また、導電膜１２を銅を含む材料で構成し
た場合、電着膜である保護材１４は不均一な膜厚で形成
されることがあるので、この場合には、導電膜１２の上
にＮｉ等の金属膜を形成し、その金属膜の上に保護材１
４を形成しても良い。

【００５０】なお、保護材１４の厚みとしては５〜４５
μｍ程度の厚みとすることが好ましい。

【００５１】以下、本実施の形態の特徴部分について説
明する。

【００５２】保護材１４は基台１１の端面上に設けられ
た導電膜１２上と基台１１の側面上に設けられた導電膜
１２上にそれぞれ設けられている。

【００５３】特に保護材１４を端部に設けることによっ
て、基台１１端面上に設けられた導電膜１２の保護を行
うことになり、導電膜１２の耐候性や他の材料等よる浸
食などを防止することができる。また、保護材１４を基
台１１端面上に設けられた導電膜１２上に形成する事に
よって、端子部１５，１６が基台１１端面上に存在しな
いかあるいは所定の面積のみ存在することになるので、
基台１１端面上に形成される導電材料の厚みを薄くする
ことができるのでＱ値などを向上させることが得きると
共に、半田などの接合材が基台端面から大きく突出しな
いので、高密度実装にも適している。

【００５４】図１，２に示す実施の形態１の場合、基台
１１の端面上に設けられた保護材１４は基台１１の側面
までは延在しておらず、しかも端子部１５，１６は、基
台１１の側面のみに形成されている。この様な構成であ
れば、基台１１の端面に存在する導電性材料の厚みは、
導電膜１２の厚みのみとなり、磁束のながれを阻害する
物体が僅かであるので、Ｑ値の低下を防止でき、しかも
回路基板などに実装した際に、基台１１の端面には端子
部１５，１６が存在しないので、基台１１の端面方向に
向かって、半田などの接合材が突出することはないの
で、高密度実装を容易に行うことができる。また、基台
１１の端面に設けられた導電膜１２上に保護材１４が設
けられているので、容易に端子部１５，１６が基台１１
端面上に設けられた導電膜１２上に形成されるのを防止
できるので、生産性などが向上する。

【００５５】図４，５に示す実施の形態２と、図１，２
に示す実施の形態１の相違点は、端子部１５，１６を基
台１１の端面上の導電膜１２の上まで延在させた点であ
る。

【００５６】図４，５に示す実施の形態では、基台１１
の端面上の導電膜１２上にも端子部１５，１６を設けた
ことによって、回路基板などとの接合の際に、半田等の
接合材との接触面積を広くする事ができるので、接合性
を向上させることができる。なお、この実施の形態の場
合、基台１１の端面上に多少端子部１５，１６が存在す
ることになり、図１，２に示す実施の形態よりはＱ値の
劣化を防止する効果は低減するが、やはり、保護材１４
が基台１１端面上の導電膜１２に保護材１４が設けられ
ている分、導電膜１２の保護を行うことができ、特性の
劣化等を防止できる。なお、実施の形態２の場合、基台
１１端面の面積の５０％以下（好ましくは３０％以下）
となるように端子部１５，１６の基台１１端面上におけ
る形成面積を特定する事で、Ｑ値の劣化を防止できる。
なお、上記接合性を向上させるためには、基台１１端面
の面積の２％以上好ましくは５％以上端子部１５，１６
の形成面積を確保する事が望ましい。

【００５７】図６，７に示す実施の形態３では、基台１
１の端面上に設けた導電膜１２上に形成した保護材１４
を更に、基台１１側面上の導電膜１２上まで延在させた
例である。この様な構成であれば、確実に端子部１５，
１６が基台１１端面上の導電膜１２の上に存在しないよ
うに構成できるので、Ｑ値の向上などを確実に行うこと
ができる。

【００５８】なお、本実施の形態１，２，３の場合、端
子部１５，１６の最表面と基台１１側面に設けられた保
護材１４の最表面をほぼ同じ高さとしたが、回路基板な
どとの接合性を向上させる場合には、少なくとも、基台
１１側面上に設けられた保護材１４の最表面よりも端子
部１５，１６の最表面が外方へ突出するように、端子部
１５，１６の形成厚さを厚くするなどして構成すること
が望ましい。

【００５９】また、上述の様に、端子部１５，１６を保
護材１４よりも突出させる構成であると、端子部１５，
１６の形成条件などが厳しくしないと端子部１５，１６
それぞれの突出高さが異なり、素子が傾いて実装させる
事等が考えられる場合には、実施の形態１，２，３の様
に、端子部１５，１６の最表面と保護材１４の最表面を
ほぼ同じにするか、あるいは、多少端子部１５，１６の
最表面を保護材１４の最表面よりもやや窪ませる事が好
ましく、この場合には接合強度等に多少問題が生じる可
能性はあるが、これらは、実装の際の諸条件を調整する
ことによって、容易に解決できる。

【００６０】また、本実施の形態１，２，３では、端子
部１５，１６はそれぞれ基台１１の側面全周に渡って環
状に設けたが（実施の形態１，２，３の場合には四角柱
状の基台１１の例を示しているので、基台１１の４側面
の全て）、少なくとも一部に（実施の形態１，２，３の
場合には、例えば基台１１の１側面上のみに設ける等）
設けることで、素子を実装する際に方向性が生じて多少
実装特性が劣化するものの、高密度実装を行うことがで
きる。

【００６１】また、本実施の形態１，２，３において
は、基台１１の端面上に導電膜１２を介して保護材１４
を設けたが、基台１１の端面上に導電膜１２を設けず
に、基台１１の端面上に直接保護材１４を設けても良
い。この様な構成によって、基台１１端面上に導電性部
材が存在しないので、Ｑ値などの特性を確実に向上させ
ることができる。

【００６２】更に、本実施の形態１，２，３では、基台
１１の両端の端面にそれぞれ保護材１４を設けたが、少
なくとも一方設けることで、少なくとも基台１１の一方
の端面に形成された導電膜１２や基台１１等の特性劣化
等を防止できる。更にこの構成によれば、素子の所定の
方向を基台１１の一方の端面に設けられた保護材１４を
目印にすることによって、決める事ができるので、実装
の時などに都合がよい。

【００６３】また、本実施の形態１，２，３では、端子
部１５，１６を形成する導電膜１２の部分は、他の部分
とほぼ同じ厚さとしたが、端子部１５，１６を形成する
導電膜１２の部分を他の部分よりも薄くし、端子部１
５，１６を厚く形成することによって、端子部１５，１
６の膜特性を良好にすることができ、電気的特性などを
向上させることができる。

【００６４】更に、実施の形態１，２，３では、基台１
１の側面上の保護材１４と基台１１の端面上の保護材１
４は完全に分離して設けられていたが、各保護材を一体
に形成しても良い。例えば素子全体に保護材１４を形成
し、少なくとも基台１１の側面上に保護材１４が存在し
ない開口を設け、その開口に端子部１５，１６を形成し
ても良く、この構成によって、開口の形状を適宜決定す
ることによって、端子部１５，１６の形状を任意に設計
することができ、使用環境や回路基板の状態などによっ
て、好ましい端子部１５，１６形状とすることができ
る。

【００６５】端子部１５，１６の構成としては、例え
ば、下記の様な構成が考えられる。

【００６６】（１）導電膜１２と同じ材料で端子部１
５，１６を構成し、端子部１５，１６は塗布やメッキ法
等によって形成される。

【００６７】（２）導電膜１２と異なる材料で端子部１
５，１６を構成し、端子部１５，１６は塗布やメッキ法
などで構成する。

【００６８】（３）導電膜１２上に耐食性を有する耐食
膜を形成し、その耐食膜を端子部１５，１６とし、メッ
キ法などの薄膜形性技術で端子部１５，１６を形成す
る。

【００６９】（４）導電膜１２上に接合性を有する接合
膜を形成し、その接合膜を端子部１５，１６とし、メッ
キ法などの薄膜形性技術で端子部１５，１６を形成す
る。

【００７０】（５）導電膜１２上に耐食性を有する耐食
膜と接合性を有する接合膜を順に積層して形成し、その
積層体を端子部１５，１６とし、メッキ法などの薄膜形
性技術で端子部１５，１６を形成する。

【００７１】（６）保護材１４間に露出した導電膜１２
自体を端子部１５，１６とする。

【００７２】耐食膜としては例えば、Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ，
Ｃｒ等の腐食しにくい金属膜や、それら金属材料の合金
膜（Ｎｉ−Ｃｒ等）等の耐食膜を膜厚０．５〜３μｍの
膜厚で構成することが良い。特に、Ｎｉ単体か若しくは
Ｎｉ合金を用いることが、特性面やコスト面等で優れて
いる。

【００７３】更に、接合膜としては半田や鉛フリーの接
合材（Ｓｎ単体もしくはＳｎにＡｇ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｂ
ｉ，Ｉｎの少なくとも一つを含ませた鉛フリー半田等）
で構成された接合膜を５〜１０μｍの膜厚で形成しても
良い。

【００７４】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下その製造方法について説明する。

【００７５】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、例えば数素子から数十素子分の
基台１１を作製し次にその基台１１全体にメッキ法やス
パッタリング法などによって導電膜１２をほぼ全面に形
成するか、或いは、基台１１の端面の全面を除いて或い
は基台１１の端面の一部を除いて導電膜１２を形成す
る。ここで、導電膜１２を基台１１のほぼ全面に形成す
るという意味合いは、基台１１上の全面に導電膜１２を
形成したつもりであるが、製造工程の不具合などによっ
て、導電膜１２の欠陥等が生じ、一部導電膜１２が形成
されていない部分が存在する場合でも、本実施の形態の
含まれると言うことである。

【００７６】次に導電膜１２を形成した基台１１にスパ
イラル状の溝１３を所定間隔で一つ或いは複数個設け、
そのスパイラル状の溝１３を挟むように基台１１を切断
し、基台１１に導電膜１２と溝１３を形成した半完成の
素子を作製する。

【００７７】溝１３はレーザ加工や切削加工によって作
製される。レーザ加工は、非常に生産性が良いので、以
下レーザ加工について説明する。まず、基台１１を回転
装置に取り付け、基台１１を回転させ、そして基台１１
にレーザを照射して導電膜１２及び基台１１の双方を取
り除き、スパイラル状の溝１３を形成する。

【００７８】このときのレーザは、ＹＡＧレーザ，エキ
シマレーザ，炭酸ガスレーザなどを用いることができ、
レーザ光をレンズなどで絞り込むことによって、基台１
１に照射する。

【００７９】更に、溝１３の深さ等は、レーザのパワー
を調整し、溝１３の幅等は、レーザ光を絞り込む際のレ
ンズを交換することによって行える。また、導電膜１２
の構成材料等によって、レーザの吸収率が異なるので、
レーザの種類（レーザの波長）は、導電膜１２の構成材
料によって、適宜選択することが好ましい。なお、砥石
などを用いて溝１３を形成しても良い。

【００８０】溝１３を形成した後に、電着法やディップ
法などを用いて、保護材１４を形成する。この保護材１
４を形成する方法を以下に説明する。

【００８１】（方法１）基台１１の全面に導電膜１２を
形成し、溝１３を形成した後に、少なくとも導電膜１２
全体に保護材１４を形成し、端子部１５，１６を形成し
ようとする部分に、切削や高エネルギービーム等を照射
して、導電膜１２をむき出しにする。むき出しになった
導電膜自体を端子部１５，１６とするか、或いは導電膜
１２がむき出しになった部分に塗布やメッキ法などを用
いて端子部１５．１６を形成する。また、基台１１の端
面の全面を除いて或いは基台１１の端面の一部を除いて
導電膜１２を形成した場合には、基台１１の端面の少な
くとも一部はむき出しになるので、この場合には、保護
材１４は基台１１上に直接形成される。

【００８２】（方法２）他の方法として、溝１３を形成
した後に、保護材１４を形成してはいけない導電膜１２
上にレジストなどを塗布し、その後に電着法などで保護
材１４を形成し、保護材１４を形成した後に、レジスト
を取り除いて、導電膜１２をむき出しにし、むき出しに
なった導電膜１２自体を端子部１５，１６とするか、或
いは導電膜１２がむき出しになった部分に塗布やメッキ
法などを用いて端子部１５．１６を形成する。また、基
台１１の端面の全面を除いて或いは基台１１の端面の一
部を除いて導電膜１２を形成した場合には、基台１１の
端面の少なくとも一部はむき出しになるので、この場合
には、保護材１４は基台１１上に直接形成される。

【００８３】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台１１の上に導電膜１２を形成する電子部品でも同様な
効果を得ることができる。

【００８４】また、導電膜１２を抵抗膜とすることによ
って、小型のチップ抵抗器を作製することができ、導電
膜１２にスパイラル状の溝１３を設けるのではなく、環
状の溝等を設けることによって、導電膜１２を少なくと
も２分する事によって、チップコンデンサとしても使用
することができる。

【００８５】図８及び図９はそれぞれ本発明の一実施の
形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロック図
である。図８及び図９において、２９は音声を音声信号
に変換するマイク、３０は音声信号を音声に変換するス
ピーカー、３１はダイヤルボタン等から構成される操作
部、３２は着信等を表示する表示部、３３はアンテナ、
３４はマイク２９からの音声信号を復調して送信信号に
変換する送信部で、送信部３４で作製された送信信号
は、アンテナ３３を通して外部に放出される。３５はア
ンテナ３３で受信した受信信号を音声信号に変換する受
信部で、受信部３５で作成された音声信号はスピーカー
３０にて音声に変換される。３６は送信部３４，受信部
３５，操作部３１，表示部３２を制御する制御部であ
る。

【００８６】以下その動作の一例について説明する。

【００８７】先ず、着信があった場合には、受信部３５
から制御部３６に着信信号を送出し、制御部３６は、そ
の着信信号に基づいて、表示部３２に所定のキャラクタ
等を表示させ、更に操作部３１から着信を受ける旨のボ
タン等が押されると、信号が制御部３６に送出されて、
制御部３６は、着信モードに各部を設定する。即ちアン
テナ３３で受信した信号は、受信部３５で音声信号に変
換され、音声信号はスピーカー３０から音声として出力
されると共に、マイク２９から入力された音声は、音声
信号に変換され、送信部３４を介し、アンテナ３３を通
して外部に送出される。

【００８８】次に、発信する場合について説明する。

【００８９】まず、発信する場合には、操作部３１から
発信する旨の信号が、制御部３６に入力される。続いて
電話番号やメールアドレス等に相当する信号が操作部３
１から制御部３６に送られてくると、制御部３６は送信
部３４を介して、電話番号に対応する信号をアンテナ３
３から送出する。その送出信号によって、相手方との通
信が確立されたら、その旨の信号がアンテナ３３を介し
受信部３５を通して制御部３６に送られると、制御部３
６は発信モードに各部を設定する。即ちアンテナ３３で
受信した信号は、受信部３５で音声信号に変換され、音
声信号はスピーカー３０から音声として出力されると共
に、マイク２９から入力された音声は、音声信号に変換
され、送信部３４を介し、アンテナ３３を通して外部に
送出される。

【００９０】なお、本実施の形態では、音声を送信受信
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う装置についても同様な効果を得ることができる。

【００９１】上記で説明した電子部品の製造方法によっ
て製造された電子部品は、発信回路，フィルタ回路，ア
ンテナ部及び各段とのマッチング回路周辺部等の高いＱ
を必要とする箇所の少なくとも一つに用いられ、その数
は、一つの無線端末装置に数個〜４０個程度用いられて
いる。上述の様な電子部品を用いることによって、精度
良く端子部を形成できるので、Ｑ値劣化を防止でき、装
置の特性劣化を防止でき、しかも高密度実装を行えるの
で、装置内部の回路基板などを小型化できる。

【００９２】

【発明の効果】本発明は、基台の全面に導電膜を形成
し、前記導電膜に溝を形成し、前記導電膜のほぼ全面に
保護材を形成し、前記保護材の内で前記基台の端面上の
部分及び溝を覆う部分を残して、他の保護材を除去し、
前記他の保護材を除去した部分に端子部を形成した事に
よって、端面上の保護材と溝を形成した部分の保護材を
一つの工程で作製できるので、生産性が向上する。ま
た、この構成によって、保護材を精度良く取り除くこと
で、非常に精度の良い端子部を形成できるので、確実に
素子の実装性を向上させることができ、しかもＱ値等の
劣化を防止することができる。

【００９３】また、無線端末装置において、上記電子部
品を搭載したことによって、精度良く端子部を形成でき
るので、Ｑ値劣化を防止でき、装置の特性劣化を防止で
き、しかも高密度実装を行えるので、装置内部の回路基
板などを小型化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側面図

【図２】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す底面図

【図３】基台を示す斜視図

【図４】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側面図

【図５】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す底面図

【図６】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側面図

【図７】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す底面図

【図８】本発明の一実施の形態における無線端末装置を
示す斜視図

【図９】本発明の一実施の形態における無線端末装置を
示すブロック図

【図１０】従来のインダクタンス素子を示す側面図

【符号の説明】

１１基台１２導電膜１３溝１４保護材１５，１６端子部３０スピーカー３１操作部３２表示部３３アンテナ３４送信部３５受信部３６制御部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者磯崎賢蔵大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者林清人大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E062 FF01 FF09 5E070 AA01 AB02 AB05 BA07 BB01 CB03 CB12 CC01 CC03 EA01 EB01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基台の全面に導電膜を形成し、前記導電膜
に溝を形成し、前記導電膜のほぼ全面に保護材を形成
し、前記保護材の内で前記基台の端面上の部分及び溝を
覆う部分を残して、他の保護材を除去し、前記他の保護
材を除去した部分に端子部を形成した事を特徴とする電
子部品の製造方法。
【請求項２】基台の全面に導電膜を形成し、前記導電膜
に溝を形成し、前記基台の端面上に形成された前記導電
膜の部分及び前記溝を形成した前記導電膜の部分を開口
させるように被覆部材を形成し、前記保護材を前記開口
部分に形成し、その後に前記被覆部材を取り除き、前記
被覆部材を取り除いた部分に端子部を形成した事を特徴
とする電子部品の製造方法。
【請求項３】基台の端面部の少なくとも一部を除いて前
記基台上に導電膜を形成し、前記導電膜に溝を形成し、
前記導電膜のほぼ全面及び前記基台の端面にむき出しに
なった部分に保護材を形成し、前記保護材の内で前記基
台の端面上の部分及び溝を覆う部分を残して、他の保護
材を除去し、前記他の保護材を除去した部分に端子部を
形成した事を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４】基台の端面部の少なくとも一部を除いて前
記基台上に導電膜を形成し、前記基台の端面上の部分及
び前記溝を形成した前記導電膜の部分を開口させるよう
に被覆部材を形成し、前記保護材を前記開口部分に形成
し、その後に前記被覆部材を取り除き、前記被覆部材を
取り除いた部分に端子部を形成した事を特徴とする電子
部品の製造方法。
【請求項５】導電膜に変えて基台上に抵抗膜を設けた事
を特徴とする請求項１〜４いずれか１記載の電子部品の
製造方法。
【請求項６】表示手段と、データ信号もしくは音声信号
の少なくとも一方を送信信号に変換するか受信信号をデ
ータ信号もしくは音声信号の少なくとも一方に変換する
変換手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受信す
るアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた無線端
末装置であって、発信回路，フィルタ回路，アンテナ部
及び各段とのマッチング回路周辺部等の少なくとも一つ
に請求項１〜５いずれか１記載の電子部品の製造方法に
よって作製された電子部品を用いたことを特徴とする無
線端末装置。