JPH113820A

JPH113820A - インダクタンス素子及び無線端末装置

Info

Publication number: JPH113820A
Application number: JP9156334A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Sakida; 宏実崎田; Kenzo Isozaki; 賢蔵磯崎; Kuniaki Kiyosue; 邦昭清末; Mitsuo Kamimera; 光男上米良
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-06-13
Filing date: 1997-06-13
Publication date: 1999-01-06
Anticipated expiration: 2017-06-13
Also published as: JP3097603B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、生産性を向上させ、小型化及び実
装性を向上させることができるインダクタンス素子及び
無線端末装置を提供することを目的としている。【解決手段】基台１１の上に導電膜１２を形成し、導
電膜１２に溝１３を形成し、溝１２の上に保護材１４を
形成し、この保護材１４を電着膜で構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れるインダクタンス素子及び無線端末装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】図１７は従来のインダクタンス素子を示
す側面図である。図１７において、１は四角柱状の基
台、２は基台１の上に形成された導電膜、３は導電膜２
に設けられた溝、４は導電膜３の上に積層された保護材
である。

【０００３】この様な電子部品は、溝３の間隔などを調
整することによって、所定の特性に調整する。

【０００４】先行例としては、特開平７−３０７２０１
号公報，特開平７−２９７０３３号公報，特開平５−１
２９１３３号公報，特開平１−２３８００３号公報，実
開昭５７−１１７６３６号公報，特開平５−２９９２５
０号公報，特開平７−２９７０３３号公報等がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構
成では、保護材４をレジストなどを塗布することによっ
て構成していたので、インダクタンス素子自体を小型化
していくと、保護材４が端子部よりも大きく突出するこ
とがあり、実装性が悪く、しかも一つ一つレジストなど
を塗布しなければならないので、生産性も向上しなかっ
た。

【０００６】本発明は、小型化及び実装性を向上させた
り、生産性を向上させることができるインダクタンス素
子及び無線端末装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基台と、前記
基台の上に形成された導電膜と、前記導電膜に設けられ
た溝と、前記溝を覆うように設けられた保護材とを備え
たインダクタンス素子であって、保護材を電着膜で構成
した。

【０００８】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基台と、
前記基台の上に形成された導電膜と、前記導電膜に設け
られた溝と、前記溝を覆うように設けられた保護材とを
備えたインダクタンス素子であって、保護材を電着膜で
構成したことによって、保護材を薄く均一に形成でき、
素子の小型化を行うことができ、配線との隙間を小さく
することができる。また、一度にたくさんの素子の保護
材を形成できるので、生産性を向上させることができ
る。

【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、溝内において、保護材が導電膜と基台の少なくとも
一部を覆う様に設けたことによって、導電膜の角部が露
出する確率が極めて低くなり、導電膜の保護を確実に行
うことができる。

【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１，２にお
いて、導電膜の角部の保護材の厚みを他の部分よりも厚
くしたことによって、放電しやすい導電膜の角部を覆う
ことができ、しかもメッキ膜が角部に付着することはな
い。

【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１〜３にお
いて、粗面化された導電膜の表面に電着膜を設けたこと
によって、導電膜と保護材の密着強度を向上させること
ができる。

【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１〜３にお
いて、導電膜の上に更に他の金属膜を設け、前記金属膜
の上に保護材を設けたことによって更に均一な膜厚の保
護材を形成できるので、より素子の小型化には適する。

【００１３】請求項６記載の発明は、請求項１〜５にお
いて、保護材に熱処理を施したことによって、保護材の
表面をなめらかにすることができ、しかも導電膜をより
確実に覆う様になり、耐食性などを向上させることがで
きる。

【００１４】請求項７に記載の発明は、請求項１〜５に
おいて、保護材に絶縁性の粒子を保持させたことによっ
て、例え製造中や実装中に熱が加わったとしても、導電
膜の角部における保護材の膜厚低下を防止できる。

【００１５】請求項８記載の発明は、音声を音声信号に
変換する音声信号変換手段と、電話番号等を入力する操
作手段と、着信表示や電話番号等を表示する表示手段
と、音声信号を復調して送信信号に変換する送信手段
と、受信信号を音声信号に変換する受信手段と、前記送
信信号及び前記受信信号を送受信するアンテナと、各部
を制御する制御手段を備えた無線端末装置であって、受
信手段及び送信手段を構成するフィルタ回路やマッチン
グ回路を構成するインダクタンス素子として、請求項１
〜８いずれか１記載のインダクタンス素子を用いたこと
によって、回路基板などを小さくすることができ、装置
の小型化を行うことができると共に、インダクタンス素
子の実装性が向上するので、装置の不良率が低下する。

【００１６】請求項９に係る発明は、基台上に導電膜を
形成し、前記導電膜の一部を取り除き、その後に前記導
電膜上に電着膜を形成することによって、一度にたくさ
んの素子に保護材を形成できるので、生産性が向上す
る。

【００１７】請求項１０に係る発明は、請求項９におい
て導電膜を取り除く際に基台も露出させ、前記導電膜及
び基台の少なくとも一部に電着膜を形成したことによっ
て、確実に導電膜を保護することができ、導電膜の腐食
などを防止できる。

【００１８】請求項１１に係る発明は、請求項１０にお
いて、導電膜を取り除く際にレーザを用いて、基台の一
部も取り除いたことによって、簡単に溝を設けることが
でき、しかも確実に導電膜を切除することができる。

【００１９】請求項１２に係る発明は、基台と、前記基
台上に形成され、導電性材料か抵抗材料の少なくとも一
方で構成された形成膜と、前記形成膜の少なくとも一部
を覆う保護材とを備え、前記保護材を電着膜で構成した
ことによって、保護材を薄く均一に形成でき、素子の小
型化を行うことができ、配線との隙間を小さくすること
ができる。また、一度にたくさんの素子の保護材を形成
できるので、生産性を向上させることができる。

【００２０】請求項１３に係る発明は、請求項１２にお
いて、形成膜に基台の少なくとも一部が露出する部分を
設け、この露出する部分を覆うように保護材を設けたこ
とによって、確実に形成膜の保護を行うことができるの
で、耐食性等が向上する。

【００２１】請求項１４に係る発明は、請求項１２，１
３において、基台の中央部を両端部より段落ちさせ、そ
の段落ちさせた部分に保護材を設けたことによって、簡
単にしかも精度良く保護材を設けることができる。

【００２２】請求項１５に係る発明は、請求項１２〜１
４において、形成膜に設けられた角部の保護材の厚みを
他の部分よりも厚くしたことによって、放電しやすい形
成膜の角部を覆うことができ、しかもメッキ膜等が角部
に付着することはない。

【００２３】請求項１６に係る発明は、請求項１２〜１
５において、粗面化された形成膜の表面に保護材を設け
たことによって、形成膜と保護材の密着強度を向上させ
ることができる。

【００２４】請求項１７に係る発明は、請求項１２〜１
６において、保護材に熱処理を施したことによって、保
護材の表面をなめらかにすることができ、しかも形成膜
をより確実に覆う様になり、耐食性などを向上させるこ
とができる。

【００２５】以下、電子部品として、インダクタンス素
子を例示して本実施の形態を説明する。

【００２６】図１，図２はそれぞれ本発明の一実施の形
態におけるインダクタンス素子を示す斜視図及び側面図
である。

【００２７】図１において、１１は絶縁材料などをプレ
ス加工，押し出し法等を施して構成されている基台、１
２は基台１１の上に設けられている導電膜で、導電膜１
２は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台１１上に形成される。１３は基台１１及び導電膜
１２に設けられた溝で、溝１３は、レーザ光線等を導電
膜１２に照射することによって形成したり、導電膜１２
に砥石等を当てて機械的に形成されている。１４は基台
１１及び導電膜１２の溝１３を設けた部分に設けられ、
電着膜で構成された保護材、１５，１６はそれぞれ端子
電極が形成された端子部で、端子部１５と端子部１６の
間には、溝１３及び保護材１４が設けられている。な
お、図２は、保護材１４の一部を取り除いた図である。

【００２８】また、本実施の形態のインダクタンス素子
は、実用周波数帯域が１〜６ＧＨｚと高周波数域に対応
するとともに、３３０ｎＨ以下の微小インダクタンスを
有し、しかもインダクタンス素子の長さＬ１，幅Ｌ２，
高さＬ３は以下の通りとなっていることが好ましい。

【００２９】Ｌ１＝０．５〜２．５ｍｍ（好ましくは
０．６〜１．７ｍｍ）Ｌ２＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは０．３〜０．９
ｍｍ）Ｌ３＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは０．３〜０．９
ｍｍ）Ｌ１が０．５ｍｍ以下であると、自己共振周波数ｆ０が
下がってしまうとともにＱ値が低下してしまい、良好な
特性を得ることができない。また、Ｌ１が２．５ｍｍを
超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電子
回路等が形成された基板など（以下回路基板等と略す）
回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基板等
を搭載した電子機器等の小型化を行うことができない。
また、Ｌ２，Ｌ３それぞれが０．２ｍｍ以下であると、
素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実装装
置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ等が
発生することがある。また、Ｌ２，Ｌ３が２．０ｍｍ以
上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等の小
型化、ひいては装置の小型化を行うことができない。な
お、Ｌ４（段落ちの深さ）は５μｍ〜５０μｍ程度が好
ましく、５μｍ以下であれば、保護材１４の厚さ等を薄
くしなければならず、良好な保護特性等を得ることがで
きない。また、Ｌ４が５０μｍを超えると基台の機械的
強度が弱くなり、やはり素子折れ等が発生することがあ
る。

【００３０】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。図３は導電膜
を形成した基台の断面図、図４（ａ）（ｂ）はそれぞれ
基台の側面図及び底面図である。

【００３１】まず、基台１１の形状について説明する。
基台１１は、図３及び図４に示す様に、回路基板等に実
装しやすいように断面が四角形状の中央部１１ａと中央
部１１ａの両端に一体に設けられ、しかも断面が四角形
状の端部１１ｂ，１１ｃによって構成されている。な
お、端部１１ｂ，１１ｃ及び中央部１１ａは断面四角形
状としたが、五角形状や六角形状などの多角形状でも良
い。中央部１１ａは端部１１ｂ，１１ｃから段落ちした
構成となっている。本実施の形態では、端部１１ｂ，１
１ｃの断面形状を略正四角状とすることによって、回路
基板等へのインダクタンス素子を装着性を良好にした。
また、本実施の形態では中央部１１ａに横向きに溝１３
を形成することによって、どのように回路基板等に実装
しても方向性が無いために、取り扱いが容易になる。ま
た、中央部１１ａには素子部（溝１３や保護材１４）が
形成されることとなり、端部１１ｂ，１１ｃには端子部
１５，１６が形成される。

【００３２】なお、本実施の形態では、中央部１１ａ及
び端部１１ｂ，１１ｃをともに略正四角形状としたが、
正五角形状等の正多角形状にしてもよい。さらに、本実
施の形態では、中央部１１ａと端部１１ｃ，１１ｂそれ
ぞれの断面形状を正四角形というように同一にしたが、
異なっても良い。すなわち、端部１１ｂ、１１ｃの断面
形状を正多角形状とし、中央部１１ａの断面形状を他の
多角形状としたり、円形状としても良い。中央部１１ａ
の断面形状を円形とすることによって、良好に溝１３を
形成することができる。

【００３３】さらに、本実施の形態では、中央部１１ａ
を端部１１ｂ，１１ｃより段落ちさせることによって、
保護材１４を塗布した際に、その保護材１４と回路基板
等が接触することなどを防止していたが、特に保護材１
４の厚みや実装される回路基板等の状況（回路基板等の
実装される部分に溝が形成されていたり、回路基板等の
電極部が盛り上がっている等）によって、中央部１１ａ
を段落ちさせなくてもよい。中央部１１ａを端部１１
ｂ，１１ｃから段落ちさせないと、基台１１の構造が簡
単になり、生産性が向上し、さらに中央部１１ａの機械
的強度も向上する。この様に段落ちさせない場合でも、
断面四角形状の四角柱形状としてもよいし、さらに断面
を多角形状とする角柱とすることもできる。

【００３４】また、図４（ａ）に示す様に基台１１の端
部の高さＺ１及びＺ２は下記の条件を満たすことが好ま
しい。

【００３５】｜Ｚ１−Ｚ２｜≦８０μｍ（好ましくは５
０μｍ）Ｚ１とＺ２の高さの違いが８０μｍ（好ましくは５０μ
ｍ以下）を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図５に示す。図５に示すよ
うに、基板２００の上にインダクタンス素子を配置し、
端子部１５，１６それぞれと基板２００の間に半田２０
１，２０２が設けられているが、リフローなどによって
半田２０１，２０２を溶かすと、半田２０１，２０２の
それぞれの塗布量の違いや、材質が異なることによる融
点の違いによって、溶融した半田２０１，２０２の表面
張力が端子部１５と端子部１６で異なり、その結果、図
５に示すように一方の端子部（図５の場合は端子部１
５）を中心に回転し、インダクタンス素子が立ち上がっ
てしまう。Ｚ１とＺ２の高さの違いが８０μｍ（好まし
くは５０μｍ以下）を超えると、素子が傾いた状態で基
板２００に配置されることとなり、素子立ちを促進す
る。また、マンハッタン現象は特に小型軽量のチップ型
の電子部品（チップ型インダクタンス素子を含む）にお
いて顕著に発生し、しかもこのマンハッタン現象の発生
要因の一つとして、端子部１５，１６の高さの違いによ
って素子が傾いて基板２００に配置されることを着目し
た。この結果、Ｚ１とＺ２の高さの差を８０μｍ以下
（好ましくは５０μｍ以下）となるように、基台１１を
成形などで加工することによって、このマンハッタン現
象の発生を大幅に抑えることができた。Ｚ１とＺ２の高
さの差を５０μｍ以下とすることによって、ほぼ、マン
ハッタン現象の発生を抑えることができる。

【００３６】次に基台１１の面取りについて説明する。
図６は本発明の一実施の形態におけるインダクタンス素
子に用いられる基台の斜視図である。図６に示されるよ
うに、基台１１の端部１１ｂ，１１ｃそれぞれの角部１
１ｅ，１１ｄには面取りが施されており、その面取りし
た角部１１ｅ，１１ｄのそれぞれの曲率半径Ｒ１及び中
央部１１ａの角部１１ｆの曲率半径Ｒ２は以下の通りに
形成されることが好ましい。

【００３７】０．０３＜Ｒ１＜０．１５（ｍｍ）０．０１＜Ｒ２（ｍｍ）Ｒ１が０．０３ｍｍ以下であると、角部１１ｅ，１１ｄ
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部１１ｅ，１１ｄに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、Ｒ１が０．１５ｍｍ以上であると、角部１１
ｅ，１１ｄが丸くなりすぎて、前述のマンハッタン現象
を起こしやすくなり、不具合が生じる。更にＲ２が０．
０１ｍｍ以下であると、角部１１ｆにバリなどが発生し
やすく、中央部１１ａ上に形成され、しかも素子の特性
を大きく左右する導電膜１２の厚みが角部１１ｆと平坦
な部分で大きく異なることがあり、素子特性のばらつき
が大きくなる。

【００３８】次に基台１１の構成材料について説明す
る。基台１１の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。

【００３９】体積固有抵抗：１０¹³Ωｃｍ以上（好まし
くは１０¹⁴Ωｃｍ以上）熱膨張係数：５×１０^-4Ωｃｍ以下（好ましくは２×１
０^-5Ωｃｍ以下）［２０℃〜５００℃における熱膨張係
数］誘電率：１ＭＨｚにおいて１２以下（好ましくは１０以
下）曲げ強度：１３００ｋｇ／ｃｍ²以上（好ましくは２０
００ｋｇ／ｃｍ²以上）密度：２〜５ｇ／ｃｍ³（好ましくは３〜４ｇ／ｃｍ³）基台１１の構成材料が体積固有抵抗が１０¹³Ωｃｍ以下
であると、導電膜１２とともに基台１１にも所定に電流
が流れ始めるので、並列回路が形成された状態となり、
自己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってしまい、高周
波用の素子としては不向きである。

【００４０】また熱膨張係数が５×１０^-4Ωｃｍ以上で
あると、基台１１にヒートショック等でクラックなどが
入ることがある。すなわち熱膨張係数が５×１０^-4Ωｃ
ｍ以上であると、上述の様に溝１３を形成する際にレー
ザ光線や砥石等を用いるので、基台１１が局部的に高温
になり、基台１１にクラックなどが生じることあるが、
上述の様な熱膨張係数を有することによって、大幅にク
ラック等の発生を抑止できる。

【００４１】また、誘電率が１ＭＨｚにおいて１２以上
であると、自己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。

【００４２】曲げ強度が１３００ｋｇ／ｃｍ²以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。

【００４３】密度が２ｇ／ｃｍ³以下であると、基台１
１の吸水率が高くなり、基台１１の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が５ｇ／ｃ
ｍ³以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上記範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台１１への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。

【００４４】この様に基台１１の体積固有抵抗，熱膨張
係数，誘電率，曲げ強度，密度を規定することによっ
て、自己共振周波数ｆ０及びＱ値が低下しないので、高
周波用の素子として用いることができ、ヒートショック
等で基台１１にクラック等が発生することを抑制できる
ので、不良率を低減することができ、更には、機械的強
度を向上させることができるので、実装装置などを用い
て回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の
優れた効果を得ることができる。

【００４５】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台１１を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台１１の加工時のプレス圧力を２〜５ｔ，焼成温
度を１５００〜１６００℃，焼成時間１〜３時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Ａｌ₂Ｏ₃が９２重量％以上，ＳｉＯ₂が６重量
％以下，ＭｇＯが１．５重量％以下，Ｆｅ₂Ｏ₃が０．１
％以下，Ｎａ₂Ｏが０．３重量％以下等が挙げられる。

【００４６】次に基台１１の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜１２の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。

【００４７】基台１１の表面粗さは０．１５〜０．５μ
ｍ程度、好ましくは０．２〜０．３μｍ程度がよい。図
７は基台１１の表面粗さと剥がれ発生率を示したグラフ
である。図７は下記に示すような実験の結果である。基
台１１及び導電膜１２はそれぞれアルミナ，銅で構成
し、基台１１の表面粗さをいろいろ変えたサンプルを作
製し、その各サンプルの上に同じ条件で導電膜１２を形
成した。それぞれのサンプルに超音波洗浄を行い、その
後に導電膜１２の表面を観察して、導電膜１２の剥がれ
の有無を測定した。基台１１の表面粗さは、表面粗さ測
定器（東京精密サーフコム社製５７４Ａ）を用いて、
先端Ｒが５μｍのものを用いた。この結果から判るよう
に平均表面粗さが０．１５μｍ以下であると、基台１１
の上に形成された導電膜１２の剥がれの発生率が５％程
度であり、良好な基台１１と導電膜１２の接合強度を得
ることができる。更に、表面粗さが０．２μｍ以上であ
れば導電膜１２の剥がれがほとんど発生していないの
で、できれば、基台１１の表面粗さは０．２μｍ以上が
好ましい。導電膜１２の剥がれは、素子の特性劣化の大
きな要因となるので、歩留まり等の面から発生率は５％
以下が好ましい。

【００４８】図８は基台の表面粗さに対する周波数とＱ
値の関係を示すグラフである。図８は以下のような実験
の結果である。まず、表面粗さが０．１μｍ以下の基台
１１と、表面粗さが０．２〜０．３μｍの基台１１と、
表面粗さが０．５μｍ以上の基台１１のそれぞれのサン
プルを作製し、それぞれのサンプルに同じ材料（銅）で
同じ厚さの導電膜を形成した。そして、各サンプルにお
いて、所定の周波数ＦにおけるＱ値を測定した。図８か
ら判るように基台１１の表面粗さが０．５μｍ以上であ
ると、導電膜１２の膜構造が悪くなることが原因と考え
られるＱ値の低下が見られる。特に高周波領域で顕著に
Ｑ値の劣化が見られる。また、自己共振周波数ｆ０（各
線の極大値）も基台１１の表面粗さが０．５μｍのもの
は、低周波側にシフトしている。従ってＱ値の面及び自
己共振周波数ｆ０の面から見れば基台１１の表面粗さは
０．５μｍ以下とすることが好ましい。

【００４９】以上の様に、導電膜１２と基台１１との密
着強度，導電膜のＱ値及び自己共振周波数ｆ０の双方の
結果から判断すると、基台１１の表面粗さは、０．１５
μｍ〜０．５μｍが好ましく、さらに好ましくは０．２
〜０．３μｍが良い。

【００５０】また、表面粗さは、端部１１ｂ，１１ｃと
中央部１１ａでは、平均表面粗さを異ならせた方が好ま
しい。すなわち、平均表面粗さ０．１５〜０．５μｍの
範囲内で端部１１ｂ，１１ｃの平均表面粗さを中央部１
１ａの平均表面粗さよりも小さくすることが好ましい。
端部１１ｂ，１１ｃは導電膜１２を積層することによっ
て上述の様に端子部１５，１６が構成されるので、端部
１１ｂ，１１ｃの表面粗さを中央部１１ａより小さくす
ることによって、端部１１ｂ，１１ｃ上に形成される導
電膜１２の表面粗さを小さくできるので、回路基板等の
電極との密着性を向上させることができ、確実な回路基
板等とインダクタンス素子の接合をおこなうことができ
る。また、中央部１１ａには導電膜１２を積層し溝１３
を形成するので、溝１３をレーザ等で形成する際に導電
膜１２が基台１１からはがれ落ちないように導電膜１２
と基台１１の密着強度を向上させなければないので、端
部１１ｂ，１１ｃよりも中央部１１ａの表面粗さを大き
くした方が好ましい。特にレーザで溝１３を形成する場
合、レーザが照射された部分は他の部分よりも急激に温
度が上昇し、ヒートショック等で導電膜１２が剥がれる
ことがある。従って、レーザで溝１３を形成する場合に
は導電膜１２と基台１１の接合密度を他の部分よりも向
上させることが必要である。

【００５１】この様に中央部１１ａと端部１１ｂ，１１
ｃとの表面粗さを異ならせることによって、回路基板等
との密着性及び溝１３の加工の際の導電膜１２のはがれ
を防止することができる。

【００５２】なお、本実施の形態では、導電膜１２と基
台１１の接合強度を基台１１の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台１１と導電膜１
２の間にＣｒ単体またはＣｒと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜１２と基台１１の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台１１の表面粗
さを調整し、その上その基台１１の上に中間層及び導電
膜１２を積層する場合では、より強力な導電膜１２と基
台１１の密着強度を得ることができる。

【００５３】次に導電膜１２について説明する。導電膜
１２としては、３３０ｎＨ以下の微少インダクタンスを
有し、しかも８００ＭＨｚ以上の高周波信号に対してＱ
値が３０以上のものが好ましい。この様な特性の導電膜
１２を得るためには、材料及び製法等を選択しなければ
ならない。

【００５４】以下具体的に導電膜１２について説明す
る。導電膜１２の構成材料としては、銅，銀，金，ニッ
ケルなどの導電材料が挙げられる。この銅，銀，金，ニ
ッケル等の材料には、耐候性等を向上させために所定の
元素を添加してもよい。また、導電材料と非金属材料等
の合金を用いてもよい。構成材料としてコスト面や耐食
性の面及び作り易さの面から銅及びその合金がよく用い
られる。導電膜１２の材料として、銅等を用いる場合に
は、まず、基台１１上に無電解メッキによって下地膜を
形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所定の銅膜を
形成して導電膜１２が形成される。更に、合金等で導電
膜１２を形成する場合には、スパッタリング法や蒸着法
で構成することが好ましい。また、構成材料に銅及びそ
の合金を用いた場合導電膜１２の形成厚みは１５μｍ以
上が好ましい。厚みが１５μｍより薄いと、導電膜１２
のＱ値が小さくなり所定の特性を得ることができにく
い。図９は、導電膜１２の膜厚とＱ値の関係を示すグラ
フである。導電膜１２の構成材料としては銅を用い、基
台１１の材料及び表面粗さ等は、同じ条件にし、その基
台１１の上に形成する導電膜１２の厚さを変化させ、そ
れぞれの場合におけるＱ値を測定した。図９から判るよ
うに導電膜１２の厚さが１５μｍ以上であると、Ｑ値は
３０を超えている。また、導電膜１２の膜厚は１５μｍ
以上の領域では、Ｑ値はあまり向上せず、又、コスト面
や不良率の低減のために導電膜１２の膜厚は３５μｍ以
下とすることが好ましい。なお、導電膜１２の膜厚は２
１μｍ以上が更に好ましい。

【００５５】導電膜１２は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜を複数積層して構成しても良い。例えば、基台１１の
上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属膜
（ニッケル等）を積層する事によって、やや耐候性に問
題がある銅の腐食を防止することができる。

【００５６】導電膜１２の形成方法としては、メッキ法
（電解メッキ法や無電解メッキ法など），スパッタリン
グ法，蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。

【００５７】導電膜１２の表面粗さは１μｍ以下が好ま
しく、更に好ましくは０．２μｍ以下が好ましい。導電
膜１２の表面粗さが１μｍを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのＱ値が低下する。図１０は導電膜１２の周
波数とＱ値の関係を示すグラフである。図１０は下記の
様な実験を通して導き出された。まず、同じ大きさ同じ
材料同じ表面粗さで構成された基台１１の上に銅を構成
材料とする導電膜１２の表面粗さを変えて形成し、それ
ぞれのサンプルにて各周波数におけるＱ値を測定した。
図１０から判るように、導電膜１２の表面粗さが１μｍ
以上であれば高周波領域におけるＱ値が低くなっている
ことが判る。更に導電膜１２の表面粗さが０．２μｍ以
下であれば特に高周波領域におけるＱ値が、非常に高く
なっていることがわかる。

【００５８】以上の様に導電膜１２の表面粗さは、１．
０μｍ以下が良く、更に好ましくは、０．２μｍ以下と
することによって、導電膜１２の表皮効果を低減させる
ことができ、特に高周波におけるＱ値を向上させる事が
できる。

【００５９】更に導電膜１２と基台１１の密着強度は、
導電膜１２を形成した基台１１を４００℃の温度下に数
秒間放置した後に基台１１から導電膜１２がはがれない
程度以上であることが好ましい。素子を基板等に実装し
た際に、素子には自己発熱や他の部材からの熱が加わる
ことによって、素子に２００℃以上の温度が加わること
がある。従って、４００℃で基台１１からの導電膜１２
のはがれが発生しない程度の密着強度であれば、たとえ
素子に熱が加わっても、素子の特性劣化等は発生しな
い。

【００６０】次に保護材１４について説明する。保護材
１４は電着法で形成された絶縁膜で構成される。保護材
１４を電着膜で構成することによって、非常に薄くて絶
縁性を確保でき、しかも耐熱性も向上させることができ
るので、図１等に示すようなＬ４の段落ちを形成しない
素子に特に有効である。すなわち、段落ちを用いない素
子の場合、従来の様にレジストなどを塗布する方法であ
ると、保護材の部分が大きく盛り上がり、回路基板等に
実装する場合、素子の端子部と回路基板の配線の間に隙
間が生じることがあり、十分な電気的接合を行うことが
できないことがあるが、電着膜で保護材１４を形成する
ことによって、薄くしかも均一な保護材１４を形成でき
るので、素子を回路基板などに実装したときに、端子部
と配線との間の隙間が非常に小さくなり、配線と基盤の
端子間の電気的接合は十分に行うことができる。

【００６１】また、従来の様に、レジストなどを塗布す
る方法であると、一つ一つの素子にそれぞれテープなど
を用いて塗布しなければならないので、工程が多くなり
生産性が向上せず、製造コストも低減することはできな
いが、本実施の形態の様に、電着膜で保護材１４を作成
することによって、一度にたくさんの素子に保護材１４
を設けることができるので、生産性が向上しコストも低
減させることができる。

【００６２】保護材１４の具体的構成材料としては、ア
クリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フッ素系樹脂，ウレタ
ン系樹脂，ポリイミド系樹脂などの樹脂材料の少なくと
も１つで構成された電着樹脂膜によって構成されてい
る。また、保護材１４を電着膜で構成する場合、カチオ
ン系，アニオン系のどちらかを選択する場合には、導電
膜１２の構成材料、電着膜の構成材料、インダクタンス
素子の使用用途などを考慮して決定することが好まし
い。保護材１４は異なる材料で構成された電着膜を積層
して構成しても良いし、同一材料を積層しても良く、更
には、複数の電着膜を溝部１３の上に並列して設けても
よい。

【００６３】保護材１４を電着膜で構成する場合、保護
材１４の厚さが数十ミクロンで２０Ｖ以上の耐圧を有す
ることが好ましく、しかもハンダの融点である１８３℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。なお、１８３℃で保護材１４が軟化する程度のもの
は不具合は生じない。

【００６４】また、図１５（ａ）に示す様に電着膜で構
成された保護材１４は、導電膜１２と基台１１の少なく
とも一部の双方を覆うように設けることが好ましい。こ
の様に保護材１４を設けることによって、導電膜１２を
ほぼ覆うことができ、しかも導電膜１２と外気などとの
接触確率を極めて小さくすることができるので、導電膜
１２の腐食や電流の漏洩等を防止することができる。図
１５（ｂ）に示す様に保護材１４を導電膜１２のみに設
ける場合では、導電膜１２の角部１２ｚがむき出しにな
る可能性が高く、導電膜１２の腐食の原因となることが
ある。

【００６５】従って、図１５（ａ）に示す様に、導電膜
１２の角部１２ｚをオバーして基台１１の少なくとも一
部も保護材１４で覆うように構成することによって、確
実な導電膜１２の保護を覆うことができる。

【００６６】また、図１５（ａ）に示す様に導電膜１２
の外方の角部１２ｐ上に形成される保護材１４の一部１
４ｚは他の部分よりも膜厚を厚くすることが好ましい。
一部１４ｚを厚くすることによって、角部１２ｐが他の
部分との間で放電することなどを防止でき、インダクタ
ンス素子としての特性の劣化を防止できる。

【００６７】また、特殊用途などに用いられるインダク
タンス素子には、導電膜１２と保護材の密着強度を持た
せることが重要になってくる場合がある。この場合に
は、導電膜１２の表面を化学的エッチングすることによ
って粗面化し、その粗面化した表面に電着膜で構成した
保護材１４を設けることが好ましい。前述したように、
導電膜１２の表面の粗面化を行うとＱ値の低下を招く危
険はあるが、特殊用途等の場合、Ｑ値よりも保護材１４
と導電膜１２の密着強度を向上することが重要な場合が
あるので、このときは、用途などを考慮して導電膜１２
の粗さを適宜決定する必要がある。

【００６８】また、導電膜１２を銅を含む材料で構成し
た場合、電着膜である保護材１４は不均一な膜厚で形成
されることがあるので、この場合には、導電膜１２の上
にＮｉ等の金属膜を形成し、その金属膜の上に保護材１
４を形成しても良い。

【００６９】次に、電着膜で構成された保護材１４の形
成方法について説明する。図１６に示す様に１００は容
器で、容器１００中には、水，電着樹脂，ｐＨ調整剤な
どの調整剤及び他の添加剤などを混合した溶液１０１が
収納されている。１０２は電極板、１０３はインダクタ
ンス素子、１０４，１０５はそれぞれ保持部材で、保持
部材１０４，１０５は、インダクタンス素子１０３の両
端がはまりこむ孔が設けられている。保持部材１０５に
は通電部６が設けられており、この通電部６はインダク
タンス素子１０３に接触している。

【００７０】電極板１０２及び通電部１０６に所定の電
圧を加えると、インダクタンス素子１０３の両端部を除
く部分に電着膜が形成される。これは、インダクタンス
素子１０３の両端は、保持部材１０４，１０５に入り込
んでおり、溶液１０１とは余り接触していないからであ
る。

【００７１】以上の様に、電着膜で構成された保護材を
有するインダクタンス素子を作製した後に、素子に熱処
理を加えることが好ましい。この熱処理によって、保護
材１４の表面がなだらかになって、表面粗さが小さくな
り、確実に保護材１４を覆うようになる。また、熱処理
を加えると、導電膜１２の角部の保護材１４の厚さが薄
くなることがあるが、この場合には、溶液１０１の中に
絶縁性の粒子（例えば金属酸化物など）を混入させて、
電着膜で構成された保護材１４の中にこの絶縁性の粒子
を保持させることによって、導電膜１２の角部の保護材
１４の厚さを抑えることができる。

【００７２】また、保護材１４は、図１１に示すように
溝１３の角部１３ａと保護材１４の表面までの長さＺ１
が５μｍ以上となるように形成することが好ましい。Ｚ
１が５μｍより小さいと特性劣化や放電などが発生し易
くなり素子の特性が大幅に劣化することが考えられる。
また、溝１３の角部１３ａは特に放電などが発生しやす
い部分であり、この角部１３ａ上に厚さ５μｍ以上の保
護材１４が形成されることが非常に好ましい。また、保
護材１４を形成した後に再びメッキを施して電極膜等を
形成することがあるが、角部１３ａ上に５μｍ以上の保
護材１４が形成されていないと、電極膜等が付着すると
不具合が生じる保護材１４上に電極膜等が形成されるこ
とになり、特性の劣化が生じる。

【００７３】次に端子部１５，１６について説明する。
端子部１５，１６は、導電膜１２のみでも十分に機能す
るが、様々な環境条件等に順応させるために、多層構造
とすることが好ましい。

【００７４】図１２は端子部１５の断面図である。図１
２において、基台１１の端部１１ｂの上に導電膜１２が
形成されており、しかも導電膜１２の上には耐候性を有
するニッケル，チタン等の材料で構成される保護層３０
０が形成されており、更に保護層３００の上には半田等
で構成された接合層３０１が形成されている。保護層３
００は接合層と導電膜１２の接合強度を向上させるとと
もに、導電膜の耐候性を向上させることができる。本実
施の形態では、保護層３００の構成材料として、ニッケ
ルかニッケル合金の少なくとも一方とし、接合層３０１
の構成材料としては半田を用いた。保護層３００（ニッ
ケル）の厚みは２〜７μｍが好ましく、２μｍを下回る
と耐候性が悪くなり、７μｍを上回ると保護層３００
（ニッケル）自体の電気抵抗が高くなり、素子特性が大
きく劣化する。また、接合層３０１（半田）の厚みは５
μｍ〜１０μｍ程度が好ましく、５μｍを下回ると半田
食われ現象が発生して素子と回路基板等との良好な接合
が期待できず、１０μｍを上回るとマンハッタン現象が
発生し易くなり、実装性が非常に悪くなる。

【００７５】以上の様に構成されたインダクタンス素子
は、特性劣化が無く、しかも，実装性及び生産性が非常
によい。

【００７６】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下その製造方法について説明する。

【００７７】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、基台１１を作製する。次にその
基台１１全体にメッキ法やスパッタリング法などによっ
て導電膜１２を形成する。次に導電膜１２を形成した基
台１１にスパイラル状の溝１３を形成する。溝１３はレ
ーザ加工や切削加工によって作製される。レーザ加工
は、非常に生産性が良いので、以下レーザ加工について
説明する。まず、基台１１を回転装置に取り付け、基台
１１を回転させ、そして基台１１の中央部１１ａにレー
ザを照射して導電膜１２及び基台１１の双方を取り除
き、スパイラル状の溝を形成する。このときのレーザ
は、エキシマレーザ，炭酸ガスレーザなどを用いること
ができ、レーザ光をレンズなどで絞り込むことによっ
て、基台１１の中央部１１ａに照射する。更に、溝１３
の深さ等は、レーザのパワーを調整し、溝１３の幅等
は、レーザ光を絞り込む際のレンズを交換することによ
って行える。また、導電膜１２の構成材料等によって、
レーザの吸収率が異なるので、レーザの種類（レーザの
波長）は、導電膜１２の構成材料によって、適宜選択す
ることが好ましい。

【００７８】溝１３を形成した後に、溝１３を形成した
部分（中央部１１）に保護材１４を図１６に示すような
装置を用いて電着法によって作製する。

【００７９】この時点でも、製品は完成するが、特に端
子部１５，１６にニッケル層や半田層を積層して、耐候
性や接合性を向上させることもある。ニッケル層や半田
層は、メッキ法等によって保護材１４を形成した半完成
品に形成する。

【００８０】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。

【００８１】図１３及び図１４はそれぞれ本発明の一実
施の形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロッ
ク図である。図１３及び図１４において、２９は音声を
音声信号に変換するマイク、３０は音声信号を音声に変
換するスピーカー、３１はダイヤルボタン等から構成さ
れる操作部、３２は着信等を表示する表示部、３３はア
ンテナ、３４はマイク２９からの音声信号を復調して送
信信号に変換する送信部で、送信部３４で作製された送
信信号は、アンテナを通して外部に放出される。３５は
アンテナで受信した受信信号を音声信号に変換する受信
部で、受信部３５で作成された音声信号はスピーカ３０
にて音声に変換される。３６は送信部３４，受信部３
５，操作部３１，表示部３２を制御する制御部である。

【００８２】以下その動作の一例について説明する。先
ず、着信があった場合には、受信部３５から制御部３６
に着信信号を送出し、制御部３６は、その着信信号に基
づいて、表示部３２に所定のキャラクタ等を表示させ、
更に操作部３１から着信を受ける旨のボタン等が押され
ると、信号が制御部３６に送出されて、制御部３６は、
着信モードに各部を設定する。即ちアンテナ３３で受信
した信号は、受信部３５で音声信号に変換され、音声信
号はスピーカー３０から音声として出力されると共に、
マイク２９から入力された音声は、音声信号に変換さ
れ、送信部３４を介し、アンテナ３３を通して外部に送
出される。

【００８３】次に、発信する場合について説明する。ま
ず、発信する場合には、操作部３１から発信する旨の信
号が、制御部３６に入力される。続いて電話番号に相当
する信号が操作部３１から制御部３６に送られてくる
と、制御部３６は送信部３４を介して、電話番号に対応
する信号をアンテナ３３から送出する。その送出信号に
よって、相手方との通信が確立されたら、その旨の信号
がアンテナ３３を介し受信部３５を通して制御部３６に
送られると、制御部３６は発信モードに各部を設定す
る。即ちアンテナ３３で受信した信号は、受信部３５で
音声信号に変換され、音声信号はスピーカー３０から音
声として出力されると共に、マイク２９から入力された
音声は、音声信号に変換され、送信部３４を介し、アン
テナ３３を通して外部に送出される。

【００８４】上記で説明したインダクタンス素子（図１
〜図１２、図１５、図１６に示すもの）は、送信部３４
や受信部３５の中のフィルタ回路やマッチング回路など
に用いられており、その数は、一つの無線端末装置に数
個〜４０個程度用いられている。上述の様に、保護材１
４を電着膜で構成したことによって、インダクタンス素
子が非常に小型化することができるので、装置の小型化
を行うことができ、更には、インダクタンス素子の実装
性も向上し、装置の不良率も低減する。

【００８５】以上の様に、インダクタンス素子、特にチ
ップ型のインダクタンス素子に電着膜から構成された保
護材を設けて、優れた特性を有することについては説明
したが、インダクタンス素子に限らず、コンデンサや抵
抗器等の電子部品にも応用でき、同様の効果を得ること
ができる。なお、特に電子部品の中でも、チップ部品で
はインダクタンス素子と同様に顕著な効果を得ることが
できる。

【００８６】コンデンサの場合、誘電体材料で構成され
た基台の上に少なくとも一対の導電膜を離して設け、そ
の導電膜の少なくとも一部を電着膜で構成された保護材
で覆う構成とする。また、導電膜の少なくとも一部と、
導電膜間にむき出しになった基台を覆うように電着膜で
構成された保護材を設けても良い。

【００８７】抵抗器の場合、絶縁材料で構成された基台
の上に炭素系等の抵抗膜を形成し、その抵抗膜上に電着
膜で構成された保護材を設ける構成とする。この抵抗器
の場合、図１に示すインダクタンス素子の導電膜の代わ
りに抵抗膜を設けた構成がよい。即ち、抵抗器おいて、
その抵抗値を調整するために、スパイラル状の溝を形成
し、その溝を覆うように保護材を設けることが好まし
い。

【００８８】この様に電子部品（特にチップ部品）に関
しては、基台の上に抵抗膜か導電膜の少なくとも一方か
ら構成された形成膜を設け、その形成膜の上に電着膜で
構成された保護材を設けることによって、素子の小型化
に対応できる等の上述のインダクタンスと同じ様な効果
を得ることができる。

【００８９】

【発明の効果】本発明は、基台と、前記基台の上に形成
された導電膜と、前記導電膜に設けられた溝と、前記溝
を覆うように設けられた保護材とを備えたインダクタン
ス素子であって、保護材を電着膜で構成することによっ
て、素子の小型化や、実装性の向上や生産性の向上を行
うことができる。

【００９０】また、上記インダクタンス素子を搭載した
無線端末装置は、装置の小型化を行うことができ、装置
の不良率を小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す斜視図

【図２】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側面図

【図３】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる導電膜を形成した基台の断面図

【図４】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台を示す図

【図５】マンハッタン現象を示す側面図

【図６】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の斜視図

【図７】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の表面粗さと剥がれ発生率を示し
たグラフ

【図８】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の表面粗さに対する周波数とＱ値
の関係を示すグラフ

【図９】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる導電膜の膜圧と、Ｑ値の関係を示すグ
ラフ

【図１０】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子に用いられる導電膜の表面粗さに対する周波数と
Ｑ値の関係を示すグラフ

【図１１】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子の保護材を設けた部分の側面図

【図１２】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子の端子部の断面図

【図１３】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示す斜視図

【図１４】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示すブロック図

【図１５】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子を示す部分断面図

【図１６】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子に保護材を形成する状態を示す図

【図１７】従来のインダクタンス素子を示す側面図

【符号の説明】

１１基台１１ａ中央部１１ｂ，１１ｃ端部１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ角部１２導電膜１２ｚ角部１３溝１４保護材１４ｚ一部１５，１６端子部３０スピーカー３１操作部３２表示部３３アンテナ３４送信部３５受信部３６制御部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上米良光男大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基台と、前記基台の上に形成された導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記溝を覆うように
設けられた保護材とを備えたインダクタンス素子であっ
て、保護材を電着膜で構成したことを特徴とするインダ
クタンス素子。
【請求項２】溝内において、保護材が導電膜と基台の少
なくとも一部を覆う様に設けたことを特徴とする請求項
１記載のインダクタンス素子。
【請求項３】導電膜の角部の保護材の厚みを他の部分よ
りも厚くしたことを特徴とする請求項１，２いずれか１
記載のインダクタンス素子。
【請求項４】粗面化された導電膜の表面に保護材を設け
たことを特徴とする請求項１〜３いずれか１記載のイン
ダクタンス素子。
【請求項５】導電膜の上に更に他の金属膜を設け、前記
金属膜の上に保護材を設けたことを特徴とする請求項１
〜３いずれか１記載のインダクタンス素子。
【請求項６】保護材に熱処理を施したことを特徴とする
請求項１〜５いずれか１記載のインダクタンス素子。
【請求項７】保護材に絶縁性の粒子を保持させたことを
特徴とする請求項１〜５いずれか１記載のインダクタン
ス素子。
【請求項８】音声を音声信号に変換する音声信号変換手
段と、電話番号等を入力する操作手段と、着信表示や電
話番号等を表示する表示手段と、音声信号を復調して送
信信号に変換する送信手段と、受信信号を音声信号に変
換する受信手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送
受信するアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた
無線端末装置であって、受信手段及び送信手段を構成す
るフィルタ回路やマッチング回路を構成するインダクタ
ンス素子として、請求項１〜８いずれか１記載のインダ
クタンス素子を用いたことを特徴とする無線端末装置。
【請求項９】基台上に導電膜を形成し、前記導電膜の一
部を取り除き、その後に前記導電膜上に電着膜を形成す
ることを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
【請求項１０】導電膜を取り除く際に基台も露出させ、
前記導電膜及び基台の少なくとも一部に電着膜を形成し
たことを特徴とする請求項１０記載のインダクタンス素
子の製造方法。
【請求項１１】導電膜を取り除く際にレーザを用いて、
基台の一部も取り除いたことを特徴とする請求項１０記
載のインダクタンス素子。
【請求項１２】基台と、前記基台上に形成され、導電性
材料か抵抗材料の少なくとも一方で構成された形成膜
と、前記形成膜の少なくとも一部を覆う保護材とを備
え、前記保護材を電着膜で構成したことを特徴とする電
子部品。
【請求項１３】形成膜に基台の少なくとも一部が露出す
る部分を設け、この露出する部分を覆うように保護材を
設けたことを特徴とする請求項１２記載の電子部品。
【請求項１４】基台の中央部を両端部より段落ちさせ、
その段落ちさせた部分に保護材を設けたことを特徴とす
る請求項１２，１３いずれか１記載の電子部品。
【請求項１５】形成膜に設けられた角部の保護材の厚み
を他の部分よりも厚くしたことを特徴とする請求項１２
〜１４いずれか１記載の電子部品。
【請求項１６】粗面化された形成膜の表面に保護材を設
けたことを特徴とする請求項１２〜１５いずれか１記載
の電子部品。
【請求項１７】保護材に熱処理を施したことを特徴とす
る請求項１２〜１６いずれか１記載の電子部品。