JP2000195721A

JP2000195721A - 電子部品及び製造方法及び無線端末装置

Info

Publication number: JP2000195721A
Application number: JP10367091A
Authority: JP
Inventors: Kuniaki Kiyosue; 邦昭清末; Masanobu Kuroki; 政信黒木; Hiromi Sakida; 広実崎田; Kenzo Isozaki; 賢蔵磯崎
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-12-24
Filing date: 1998-12-24
Publication date: 2000-07-14
Anticipated expiration: 2018-12-24
Also published as: JP3283838B2

Abstract

(57)【要約】【課題】生産性が良いか、素子立ち現象の発生を抑制
の少なくとも一方が実現可能な電子部品及び製造方法及
び無線端末装置を提供することを目的とする。【解決手段】基台１１の表面に導電膜１２を形成し、
基台の側面に溝１３を設け、溝１３を覆うように保護材
１４を設け、基台１１の両端に端子部１５，１６を設け
た電子部品であって、端子部１５，１６の膜厚を導電膜
１２よりも厚くし、好ましくは端子部１５，１６の膜厚
を導電膜１２の膜厚の１．５〜７倍とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れる電子部品及び製造方法及び無線端末装置に関するも
のである。特に、絶縁性の基体上に導電膜を設けたイン
ダクタンス素子及び製造方法及び無線端末装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】図１４は従来のインダクタンス素子を示
す側面図である。図１４において、１は四角柱状また
は、円柱状の基台、２は基台１の上に形成された導電
膜、３は導電膜２に設けられた溝、４は導電膜３の上に
積層された保護材である。

【０００３】この様な電子部品は、溝３の間隔などを調
整することによって、所定の特性に調整する。

【０００４】先行例としては、特開平７−３０７２０１
号公報，特開平７−２９７０３３号公報，特開平５−１
２９１３３号公報，特開平１−２３８００３号公報，実
開昭５７−１１７６３６号公報，特開平５−２９９２５
０号公報，特開平７−２９７０３３号公報等がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらますます
素子の小型化を行っていくと、素子立ち現象（マンハッ
タン現象）の発生の問題や生産性の問題等が生じてく
る。

【０００６】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、生産性が良いか、素子立ち現象の発生を抑制の少な
くとも一方が実現可能な電子部品及び製造方法及び無線
端末装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基台の上に導
電膜を形成し、その導電膜に溝を形成し、基台の両端部
に端子膜を形成し、溝を覆うように保護材を設けた電子
部品であって、端子部の厚さを導電膜の厚さよりも厚く
し、更に好ましくは、端子部の厚さＰ１，Ｐ２それぞれ
を導電膜の厚さの１．５〜７倍とした。

【０００８】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基台と、
前記基台上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けら
れた溝と、前記基台を挟むように前記基台の端面に取り
付けられた一対の端子部と、前記基台上に設けられた保
護材とを備え、前記端子部の厚さを前記導電膜の厚さよ
りも厚くした事によって、端子部を突出させることが容
易になるので、生産性が向上すると共に素子立ち現象の
発生を抑制できる。

【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、端子部の厚さＰ１，Ｐ２それぞれを導電膜の厚さの
１．５〜７倍としたことによって、更に素子立ち現象を
抑える事ができる。

【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１，２にお
いて、端子部の厚さＰ１，Ｐ２それぞれを３０μｍ〜１
４０μｍとしたことによって、素子立ち現象の発生を抑
制できる。

【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１〜３にお
いて、端子部が基台の端面上と前記基台の側面上に設け
られた保護材上の双方に設けられた事によって、素子立
ち現象を抑えることができ、しかも回路基板などとの接
合性を向上させることができる。

【００１２】請求項５記載の発明は、請求項４におい
て、端子部の保護材表面からの突出量Ｐ３，Ｐ４それぞ
れを２０μｍ〜１２０μｍとした事によって、更に、素
子立ち現象を抑えることができ、しかも回路基板などと
の接合性を向上させることができる。

【００１３】請求項６記載の発明は、請求項４におい
て、基台の側面に露出した端子部の長さＰ５，Ｐ６それ
ぞれを３０μｍ〜１００μｍとしたことによって、更
に、素子立ち現象を抑えることができ、しかも回路基板
などとの接合性を向上させることができる。

【００１４】請求項７記載の発明は、請求項１〜６にお
いて、端子部を導電膜上に端子膜を積層した構成とした
事によって、簡単な構成で、端子部を容易に突出させる
事ができるので、生産性が向上するとともに、素子立ち
現象を抑えることができる。

【００１５】請求項８記載の発明は、請求項１〜７にお
いて、端子膜上に耐食膜か接合膜の少なくとも一つを設
けた事によって、耐食性を向上させることができるか、
回路基板などとの接合性を向上させる事ができる。

【００１６】請求項９記載の発明は、請求項１〜８にお
いて、導電膜の表面粗さを１μｍ以下としたことによっ
て、Ｑ値を向上させることができる。

【００１７】請求項１０記載の発明は、請求項１〜８に
おいて、基台の表面粗さを０．５μｍ以下としたことに
よって、Ｑ値を向上させることができる。

【００１８】請求項１１記載の発明は、請求項１〜１０
において、保護材を電着膜で構成した事によって、薄く
しかも確実な素子の保護を行うことができ、しかも一度
に沢山の素子に保護材を形成できるので、生産性が向上
する。

【００１９】請求項１２記載の発明は、端子部の全部或
いは少なくとも一部をメッキ法にて形成したことによっ
て、成膜時間などを調整することによって、容易に所望
の突出量を確保できるので、生産性が良くなる。

【００２０】請求項１３記載の発明は、請求項１〜１２
において、基台を底面が略正方形状の角柱状とした事に
よって、簡単な構成で、しかも素子の転がりを抑制でき
るので、コスト面で非常に有利になると共に、基台の作
製が容易になり、生産性が向上し、しかも実装性も向上
する。

【００２１】請求項１４記載の発明は、請求項１〜１３
において、長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３としたときに、Ｌ１＝０．５〜１．１ｍｍＬ２＝０．２〜０．６ｍｍＬ３＝０．２〜０．６ｍｍのサイズを有する事によって、小型で、しかも素子折れ
等が発生に難いので、実装性にも優れ、しかも非常に小
さな回路基板を構成できる。

【００２２】請求項１５記載の発明は、請求項１〜１４
において、導電膜と溝によって、インダクタンス成分を
形成することによって、構成が簡単でしかも素子立ちの
発生しにくい、インダクタンス素子を提供できる。

【００２３】請求項１６記載の発明は、柱状の基台を作
製し、前記基台上に導電膜を形成し、前記導電膜の一部
を取り除くように前記基台に溝を形成し、前記基台の両
端面に設けられた導電膜を露出するように保護材を形成
し、その後に、露出した導電膜上に薄膜形成技術にて端
子部を前記導電膜の厚さの１．５〜７倍の膜厚で形成し
た事によって、端子部を突出させることが容易になるの
で、生産性が向上すると共に素子立ち現象の発生を抑制
できる。

【００２４】請求項１７記載の発明は、請求項１６にお
いて、保護材を電着法による電着膜とした事によって、
薄くしかも確実な素子の保護を行うことができ、しかも
一度に沢山の素子に保護材を形成できるので、生産性が
向上する。

【００２５】請求項１８記載の発明は、表示手段と、デ
ータ信号もしくは音声信号の少なくとも一方を送信信号
に変換するか受信信号をデータ信号もしくは音声信号の
少なくとも一方に変換する変換手段と、前記送信信号及
び前記受信信号を送受信するアンテナと、各部を制御す
る制御手段を備えた無線端末装置であって、発信回路，
フィルタ回路，アンテナ部及び各段とのマッチング回路
周辺部等の少なくとも一つに請求項１〜１５いずれか１
記載の電子部品を用いたことによって、素子立ち現象を
抑えることができる電子部品を搭載したので、不良率が
非常に小さくなり、生産性が向上すると共に、非常に小
型の装置を得ることができる。

【００２６】以下、本発明における電子部品及び製造方
法及び無線端末装置の実施の形態についてインダクタン
ス素子を例に挙げて具体的に説明する。

【００２７】図１，図２はそれぞれ本発明の一実施の形
態における電子部品の一例として挙げたインダクタンス
素子を示す斜視図及び側断面図である。

【００２８】図１において、１１は絶縁材料などをプレ
ス加工，押し出し法等を施して構成されている基台、１
２は基台１１の上に設けられている導電膜で、導電膜１
２は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台１１上に形成される。

【００２９】１３は基台１１及び導電膜１２に設けられ
た溝で、溝１３は、レーザ光線等を導電膜１２に照射す
ることによって形成したり、導電膜１２に砥石等を当て
て機械的に形成されたり、レジストなどを用いた選択的
エッチングによって形成されている。

【００３０】１４は基台１１及び導電膜１２の溝１３を
設けた部分に塗布された保護材、１５，１６はそれぞれ
基台１１の端面上（好ましくは端面上のみ）にそれぞれ
取り付けられた端子部で、端子部１５と端子部１６の間
には、基台１１が挟み込まれている。すなわち、基台１
１における端子部１５，１６との接合部位は、基台１１
の端面のみとなり、基台１１の側面と端子部１５，１６
は非接触とすることが基本である。

【００３１】また、本実施の形態のインダクタンス素子
は、実用周波数帯域が１〜６ＧＨｚと高周波数域に対応
し、しかも非常に高いＱ値（３５以上）を有しており、
そのインダクタンス素子の長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３
は以下の通りとなっていることが好ましい。

【００３２】Ｌ１＝０．５〜１．１ｍｍ（好ましくは
０．６〜１．０ｍｍ）Ｌ２＝０．２〜０．６ｍｍ（好ましくは０．３〜０．５
ｍｍ）Ｌ３＝０．２〜０．６ｍｍ（好ましくは０．３〜０．５
ｍｍ）（なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。）Ｌ１が０．５ｍｍ以下であると、必要とするインダクタ
ンスを得ることができきない。また、Ｌ１が１．１ｍｍ
を超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電
子回路等が形成された基板など（以下回路基板等と略
す）回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基
板等を搭載した電子機器等の小型化を行うことができな
い。また、Ｌ２，Ｌ３それぞれが０．２ｍｍ以下である
と、素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実
装装置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ
等が発生することがある。また、Ｌ２，Ｌ３が０．６ｍ
ｍ以上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等
の小型化、ひいては装置の小型化を行うことができな
い。

【００３３】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。

【００３４】まず、基台１１の形状について説明する。
基台１１は角柱状もしくは円柱状とすることが好まし
く、図１，２に示す様に基台１１を角柱状とすることに
よって、実装性を向上させることができ、素子の転がり
等を防止できる等の効果を有する。また、基台１１を角
柱状とする中でも特に四角柱状とすることが非常に実装
性や、素子の回路基板上での位置決めを容易にする。な
お、更に好ましくは底面が正方形の直方体とすることが
更に実装性等を向上させることができる。更に、基台１
１を角柱状とすることによって構造が非常に簡単になる
ので、生産性がよく、しかもコスト面が非常に有利にな
る。

【００３５】また、基台１１の形状を円柱状とすること
によって、後述するように基台１１上に導電膜１２を形
成し、その導電膜１２にレーザ加工等によって溝を形成
する場合、その溝の深さなどを精度よく形成することが
でき、特性のばらつきを抑えることができる。

【００３６】次に基台１１の面取りについて図３を用い
て説明する。図３は本発明の一実施の形態における電子
部品の一例として挙げたインダクタンス素子に用いられ
る基台の斜視図である。

【００３７】基台１１の角部１１ｂ，１１ｃには面取り
が施されており、その面取りした角部１１ｂ，１１ｃの
それぞれの曲率半径Ｒ１及び角部１１ａの曲率半径Ｒ２
は以下の通りに形成されることが好ましい。

【００３８】０．０３＜Ｒ１＜０．１５（ｍｍ）０．０１＜Ｒ２（ｍｍ）Ｒ１が０．０３ｍｍ以下であると、角部１１ｂ，１１ｃ
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部１１ｂ，１１ｃに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、Ｒ１が０．１５ｍｍ以上であると、角部１１
ｂ，１１ｃが丸くなりすぎて、前述のマンハッタン現象
を起こしやすくなり、不具合が生じる。更にＲ２が０．
０１ｍｍ以下であると、角部１１ａにバリなどが発生し
やすく、素子の特性を大きく左右する導電膜１２の厚み
が角部１１ｆと平坦な部分で大きく異なることがあり、
素子特性のばらつきが大きくなる。

【００３９】次に基台１１の構成材料について説明す
る。基台１１の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。

【００４０】体積固有抵抗：１０¹³Ωｍ以上（好ましく
は１０¹⁴Ωｍ以上）熱膨張係数：５×１０^-4／℃以下（好ましくは２×１０
^-5／℃以下）［２０℃〜５００℃における熱膨張係数］比誘電率：１ＭＨｚにおいて１２以下（好ましくは１０
以下）曲げ強度：１３００ｋｇ／ｃｍ²以上（好ましくは２０
００ｋｇ／ｃｍ²以上）密度：２〜５ｇ／ｃｍ³（好ましくは３〜４ｇ／ｃｍ³）基台１１の構成材料が体積固有抵抗が１０¹³Ωｍ以下で
あると、導電膜１２とともに基台１１にも所定に電流が
流れ始めるので、並列回路が形成された状態となり、自
己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってしまい、高周波
用の素子としては不向きである。

【００４１】また熱膨張係数が５×１０^-4／℃以上であ
ると、基台１１にヒートショック等でクラックなどが入
ることがある。すなわち熱膨張係数が５×１０^-4／℃以
上であると、上述の様に溝１３を形成する際にレーザ光
線や砥石等を用いるので、基台１１が局部的に高温にな
り、基台１１にクラックなどが生じることあるが、上述
の様な熱膨張係数を有することによって、大幅にクラッ
ク等の発生を抑止できる。

【００４２】また、誘電率が１ＭＨｚにおいて１２以上
であると、自己共振周波数ｆ０及びＱ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。

【００４３】曲げ強度が１３００ｋｇ／ｃｍ²以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。

【００４４】密度が２ｇ／ｃｍ³以下であると、基台１
１の吸水率が高くなり、基台１１の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が５ｇ／ｃ
ｍ³以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上述の範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台１１への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。

【００４５】この様に基台１１の体積固有抵抗，熱膨張
係数，誘電率，曲げ強度，密度を規定することによっ
て、自己共振周波数ｆ０やＱが低下しないので、高周波
用の素子として用いることができ、ヒートショック等で
基台１１にクラック等が発生することを抑制できるの
で、不良率を低減することができ、更には、機械的強度
を向上させることができるので、実装装置などを用いて
回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の優
れた効果を得ることができる。

【００４６】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台１１を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台１１の加工時のプレス圧力を２〜５ｔ，焼成温
度を１５００〜１６００℃，焼成時間１〜３時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Ａｌ₂Ｏ₃が９２重量％以上，ＳｉＯ₂が６重量
％以下，ＭｇＯが１．５重量％以下，Ｆｅ₂Ｏ₃が０．１
％以下，Ｎａ₂Ｏが０．３重量％以下等が挙げられる。

【００４７】また、基台１１の構成材料として、フェラ
イト等の磁性材料で構成してもよい。基台１１をフェラ
イト等の磁性材料で構成すると、高いインダクタンス
（大体１８ｎＨ〜５０ｎＨ）を有する素子を形成するこ
とができる。

【００４８】次に基台１１の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜１２の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。

【００４９】基台１１の表面粗さは０．１５〜０．５μ
ｍ程度、好ましくは０．２〜０．３μｍ程度がよい。図
４は基台１１の表面粗さと剥がれ発生率を示したグラフ
である。図４は下記に示すような実験の結果である。基
台１１及び導電膜１２はそれぞれアルミナ，銅で構成
し、基台１１の表面粗さをいろいろ変えたサンプルを作
製し、その各サンプルの上に同じ条件で導電膜１２を形
成した。それぞれのサンプルに超音波洗浄を行い、その
後に導電膜１２の表面を観察して、導電膜１２の剥がれ
の有無を測定した。基台１１の表面粗さは、表面粗さ測
定器（東京精密サーフコム社製５７４Ａ）を用いて、
先端Ｒが５μｍのものを用いた。この結果から判るよう
に平均表面粗さが０．１５μｍ以下であると、基台１１
の上に形成された導電膜１２の剥がれの発生率が５％程
度であり、良好な基台１１と導電膜１２の接合強度を得
ることができる。更に、表面粗さが０．２μｍ以上であ
れば導電膜１２の剥がれがほとんど発生していないの
で、できれば、基台１１の表面粗さは０．２μｍ以上が
好ましい。導電膜１２の剥がれは、素子の特性劣化の大
きな要因となるので、歩留まり等の面から発生率は５％
以下が好ましい。

【００５０】図５は本発明の一実施の形態におけるイン
ダクタンス素子に用いられる基台の表面粗さに対する周
波数とＱ値の関係を示すグラフである。図５は以下のよ
うな実験の結果である。まず、表面粗さが０．１μｍ以
下の基台１１と、表面粗さが０．２〜０．３μｍの基台
１１と、表面粗さが０．５μｍ以上の基台１１のそれぞ
れのサンプルを作製し、それぞれのサンプルに同じ材料
（銅）で同じ厚さの導電膜を形成した。そして、各サン
プルにおいて、所定の周波数ＦにおけるＱ値を測定し
た。図５から判るように基台１１の表面粗さが０．５μ
ｍ以上であると、導電膜１２の膜構造が悪くなることが
原因と考えられるＱ値の低下が見られる。特に高周波領
域で顕著にＱ値の劣化が見られる。また、自己共振周波
数ｆ０（各線の極大値）も基台１１の表面粗さが０．５
μｍのものは、低周波側にシフトしている。従ってＱ値
の面及び自己共振周波数ｆ０の面から見れば基台１１の
表面粗さは０．５μｍ以下とすることが好ましい。

【００５１】以上の様に、導電膜１２と基台１１との密
着強度，導電膜のＱ値及び自己共振周波数ｆ０の双方の
結果から判断すると、基台１１の表面粗さは、０．１５
μｍ〜０．５μｍが好ましく、さらに好ましくは０．２
〜０．３μｍが良い。

【００５２】なお、本実施の形態では、導電膜１２と基
台１１の接合強度を基台１１の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台１１と導電膜１
２の間にＣｒ単体またはＣｒと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜１２と基台１１の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台１１の表面粗
さを調整し、その上その基台１１の上に中間層及び導電
膜１２を積層する場合では、より強力な導電膜１２と基
台１１の密着強度を得ることができる。

【００５３】次に導電膜１２について説明する。導電膜
１２としては、８００ＭＨｚ以上の高周波信号に対して
Ｑ値が３５以上であり、しかも自己共振周波数が１〜６
ＧＨｚ程度のものが好ましい。この様な特性の導電膜１
２を得るためには、材料及び製法等を選択しなければな
らない。

【００５４】以下具体的に導電膜１２について説明す
る。導電膜１２の構成材料としては、銅，銀，金，ニッ
ケルなどの導電材料が挙げられる。この銅，銀，金，ニ
ッケル等の材料には、耐候性等を向上させために所定の
元素を添加してもよい。また、導電材料と非金属材料等
の合金を用いてもよい。構成材料としてコスト面や耐食
性の面及び作り易さの面から銅及びその合金がよく用い
られる。導電膜１２の材料として、銅等を用いる場合に
は、まず、基台１１上に無電解メッキによって下地膜を
形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所定の銅膜を
形成して導電膜１２が形成される。更に、合金等で導電
膜１２を形成する場合には、スパッタリング法や蒸着法
で構成することが好ましい。

【００５５】更に、本実施の形態の様に、導電膜１２を
例えば銅などで構成し、その膜厚を厚くして自己発熱を
抑える場合、導電膜１２に形成される溝１３の幅Ｋ１と
溝１３と溝１３の間の導電膜１２の幅Ｋ２は以下の関係
を有する事が好ましい。

【００５６】２０μｍ＞Ｋ１＞１５μｍ２００μｍ＞Ｋ２＞１００μｍ特に前述の様に長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３を、Ｌ１＝０．５〜２．１ｍｍ（好ましくは０．６〜１．６
ｍｍ）Ｌ２＝０．２〜１．５ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）Ｌ３＝０．２〜１．５ｍｍ（好ましくは０．３〜０．８
ｍｍ）（なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの寸法誤差は０．
０２ｍｍ以下が好ましい。）としたインダクタンス素子
とした場合、上述のＫ１，Ｋ２は上述の範囲とすること
によって、電気抵抗を小さくすることができ、しかも導
電膜１２に形成される溝１３を精度良く形成することが
でき、更に導電膜１２の膜厚を厚くした場合に確実に溝
１３を形成することができる。

【００５７】導電膜１２は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜を複数積層して構成しても良い。例えば、基台１１の
上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属膜
（ニッケル等）を積層する事によって、やや耐候性に問
題がある銅の腐食を防止することができる。

【００５８】導電膜１２の形成方法としては、メッキ法
（電解メッキ法や無電解メッキ法など），スパッタリン
グ法，蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。

【００５９】導電膜１２の表面粗さは１μｍ以下が好ま
しく、更に好ましくは０．２μｍ以下が好ましい。導電
膜１２の表面粗さが１μｍを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのＱ値が低下する。図６は本発明の一実施の
形態における電子部品の一例として挙げたインダクタン
ス素子に用いられる導電膜の表面粗さに対する周波数と
Ｑ値の関係を示すグラフである。図６は下記の様な実験
を通して導き出された。まず、同じ大きさ同じ材料同じ
表面粗さで構成された基台１１の上に銅を構成材料とす
る導電膜１２の表面粗さを変えて形成し、それぞれのサ
ンプルにて各周波数におけるＱ値を測定した。図６から
判るように、導電膜１２の表面粗さが１μｍ以上であれ
ば高周波領域におけるＱ値が低くなっていることが判
る。更に導電膜１２の表面粗さが０．２μｍ以下であれ
ば特に高周波領域におけるＱ値が、非常に高くなってい
ることがわかる。

【００６０】以上の様に導電膜１２の表面粗さは、１．
０μｍ以下が良く、更に好ましくは、０．２μｍ以下と
することによって、導電膜１２の表皮効果を低減させる
ことができ、特に高周波におけるＱ値を向上させる事が
できる。

【００６１】更に導電膜１２と基台１１の密着強度は、
導電膜１２を形成した基台１１を４００℃の温度下に数
秒間放置した後に基台１１から導電膜１２がはがれない
程度以上であることが好ましい。素子を基板等に実装し
た際に、素子には自己発熱や他の部材からの熱が加わる
ことによって、素子に２００℃以上の温度が加わること
がある。従って、４００℃で基台１１からの導電膜１２
のはがれが発生しない程度の密着強度であれば、たとえ
素子に熱が加わっても、素子の特性劣化等は発生しな
い。

【００６２】次に保護材１４について説明する。保護材
１４としては、耐候性に優れた有機材料、例えばエポキ
シ樹脂などの絶縁性を示す材料や電着膜が用いられる。
また、保護材１４としては、溝１３の状況等が観測でき
るような透明度を有する事が好ましい。更に保護材１４
には透明度を有したまま、所定の色を有することが好ま
しい。保護材１４に赤，青，緑などの、導電膜１２や端
子部１５，１６等と異なる色を着色する事によって、素
子各部の区別をする事ができ、素子各部の検査などが容
易に行える。また、素子の大きさ、特性、品番等の違い
で保護材１４の色を変えることによって、特性や品番等
の異なる素子を誤った部分に取り付けるなどのミスを低
減させることができる。

【００６３】特に保護材１４を電着膜で構成することに
よって、非常に薄くて絶縁性を確保でき、しかも耐熱性
も向上させることができる。すなわち、エポキシ樹脂や
レジストなどを塗布する方法であると、保護材１４の部
分が大きく盛り上がり、回路基板等に実装する場合、素
子の端子部と回路基板の配線の間に隙間が生じることが
あり、十分な電気的接合を行うことができないことがあ
るが、電着膜で保護材１４を形成することによって、薄
くしかも均一な保護材１４を形成できるので、素子を回
路基板などに実装したときに、端子部と配線との間の隙
間が非常に小さくなり、配線と基盤の端子間の電気的接
合は十分に行うことができる。

【００６４】また、レジストなどを塗布する方法である
と、一つ一つの素子にそれぞれテープなどを用いて塗布
しなければならないので、工程が多くなり生産性が向上
せず、製造コストも低減することはできないが、本実施
の形態の様に、電着膜で保護材１４を作製することによ
って、一度にたくさんの素子に保護材１４を設けること
ができるので、生産性が向上しコストも低減させること
ができる。

【００６５】保護材１４の具体的構成材料としては、ア
クリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フッ素系樹脂，ウレタ
ン系樹脂，ポリイミド系樹脂などの樹脂材料の少なくと
も１つで構成された電着樹脂膜によって構成されてい
る。また、保護材１４を電着膜で構成する場合、カチオ
ン系，アニオン系のどちらかを選択する場合には、導電
膜１２の構成材料、電着膜の構成材料、インダクタンス
素子の使用用途などを考慮して決定することが好まし
い。保護材１４は異なる材料で構成された電着膜を積層
して構成しても良いし、同一材料を積層しても良く、更
には、複数の電着膜を溝１３の上に並列して設けてもよ
い。

【００６６】保護材１４を電着膜で構成する場合、保護
材１４の厚さが数十ミクロンで２０Ｖ以上の耐圧を有す
ることが好ましく、しかもハンダの融点である１８３℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。なお、１８３℃で保護材１４が軟化する程度のもの
は不具合は生じない。

【００６７】また、図７（ａ）に示す様に電着膜で構成
された保護材１４は、導電膜１２と基台１１の少なくと
も一部の双方を覆うように設けることが好ましい。この
様に保護材１４を設けることによって、導電膜１２をほ
ぼ覆うことができ、しかも導電膜１２と外気などとの接
触確率を極めて小さくすることができるので、導電膜１
２の腐食や電流の漏洩等を防止することができる。図７
（ｂ）に示す様に保護材１４を導電膜１２のみに設ける
場合では、導電膜１２の角部１２ｚがむき出しになる可
能性が高く、導電膜１２の腐食の原因となることがあ
る。

【００６８】従って、図７（ａ）に示す様に、導電膜１
２の角部１２ｚをオバーして基台１１の少なくとも一部
も保護材１４で覆うように構成することによって、確実
な導電膜１２の保護を覆うことができる。

【００６９】また、図７（ａ）に示す様に導電膜１２の
外方の角部１２ｐ上に形成される保護材１４の一部１４
ｚは他の部分よりも膜厚を厚くすることが好ましい。一
部１４ｚを厚くすることによって、角部１２ｐが他の部
分との間で放電することなどを防止でき、インダクタン
ス素子としての特性の劣化を防止できる。

【００７０】また、特殊用途などに用いられるインダク
タンス素子には、導電膜１２と保護材の密着強度を持た
せることが重要になってくる場合がある。この場合に
は、導電膜１２の表面を化学的エッチングすることによ
って粗面化し、その粗面化した表面に電着膜で構成した
保護材１４を設けることが好ましい。前述したように、
導電膜１２の表面の粗面化を行うとＱ値の低下を招く危
険はあるが、特殊用途等の場合、Ｑ値よりも保護材１４
と導電膜１２の密着強度を向上することが重要な場合が
あるので、このときは、用途などを考慮して導電膜１２
の粗さを適宜決定する必要がある。

【００７１】また、導電膜１２を銅を含む材料で構成し
た場合、電着膜である保護材１４は不均一な膜厚で形成
されることがあるので、この場合には、導電膜１２の上
にＮｉ等の金属膜を形成し、その金属膜の上に保護材１
４を形成しても良い。

【００７２】次に、電着膜で構成された保護材１４の形
成方法について説明する。図８に示す様に１００は容器
で、容器１００中には、水，電着樹脂，ｐＨ調整剤など
の調整剤及び他の添加剤などを混合した溶液１０１が収
納されている。１０２は電極板、１０３はインダクタン
ス素子、１０４，１０５はそれぞれ保持部材で、保持部
材１０４，１０５は、インダクタンス素子１０３の両端
がはまりこむ孔が設けられている。保持部材１０５には
通電部１０６が設けられており、この通電部１０６はイ
ンダクタンス素子１０３に接触している。

【００７３】電極板１０２及び通電部１０６に所定の電
圧を加えると、インダクタンス素子１０３の両端部を除
く部分に電着膜が形成される。これは、インダクタンス
素子１０３の端子部１５，１６は、保持部材１０４，１
０５に入り込んでおり、溶液１０１とは余り接触してい
ないからである。なお、本実施の形態では、保持部材１
０４，１０５に端子部１５，１６を入り込ませたが、フ
ォトレジスト等の他のマスク部材を端子部１５，１６に
設ける構成にしてもよい。

【００７４】以上の様に、電着膜で構成された保護材１
４を有するインダクタンス素子を作製した後に、素子に
熱処理を加えることが好ましい。この熱処理によって、
保護材１４の表面がなだらかになって、表面粗さが小さ
くなり、確実に保護材１４を覆うようになる。また、熱
処理を加えると、導電膜１２の角部の保護材１４の厚さ
が薄くなることがあるが、この場合には、溶液１０１の
中に絶縁性の粒子（例えば金属酸化物など）を混入させ
て、電着膜で構成された保護材１４の中にこの絶縁性の
粒子を保持させることによって、導電膜１２の角部の保
護材１４の厚さが薄くなることを防止できる。

【００７５】なお、本実施の形態において、保護材１４
の端部は、基台１１の端面に設けられた導電膜１２の表
面とほぼ一致させるように構成したが、図１１に示すよ
うに、保護材１４の端部が導電膜１２の表面よりも多少
内側に位置するように構成しても良い。この時、保護材
１４の端部と導電膜１２の表面の間隔Ｐ７は素子の全長
Ｌ１を１とした場合に、０．１以下となるように構成す
ることが好ましい。

【００７６】また、図１１に示す導電膜１２の角部１２
Ｘを保護する様に、保護材１４の端部が基台１１の端面
１１Ｌに設けられた保護材１４の表面まで達するように
設けることで、角部１２ｚを保護材１４によって覆うこ
とができるので、角部１２Ｘが欠けたりする事はなく、
安定した特性を得ることができる。

【００７７】次に端子部１５，１６について説明する。
端子部１５，１６は、図２に示すように、基台１１の端
面に設けられた導電膜１２上に所定の導電材料を設けた
構成となっている。この端子部１５，１６のそれぞれの
膜厚Ｐ１，Ｐ２はそれぞれ導電膜１２の膜厚の１．５倍
から７倍に設定されている。この様に、端子部１５，１
６の膜厚を規定することによって、端子部１５，１６と
回路基板などに設けられたランドパターン等との接合を
確実にできるとともに、生産性が良く、しかも素子立ち
現象を抑える事ができる。

【００７８】端子部１５，１６の膜厚Ｐ１，Ｐ２の具体
的な寸法としては、３０μｍ〜１４０μｍ（特に好まし
くは４０μｍ〜６０μｍ）が挙げられる。端子部１５，
１６の膜厚が３０μｍ以下であると、基台１１端面から
突出する突出量が小さいために、回路基板等のランドパ
ターン等との接合性がうまくいかないことがあり、１４
０μｍを超えると、素子立ち現象の発生する確率が高く
なり、しかも端子部１５，１６の形成時間が長くなり、
生産性が悪くなる。

【００７９】端子部１５，１６は、メッキ法やスパッタ
リング法等の薄膜形成技術によって、形成されることが
好ましい。端子部１５，１６を薄膜形成技術で構成する
ことによって、薄膜形成の際の条件などによって、比較
的精度の良い膜厚管理が行える。特に本実施の形態の場
合、基台１１の端面に導電膜１２が設けられているの
で、メッキ法によって、端子部１５，１６を形成するこ
とが好ましい。メッキ法にて端子部１５，１６を形成す
ることによって、緻密で、結晶性の良い膜を形成するこ
とができ、しかも生産性が非常に良くなる。

【００８０】端子部１５，１６は図２に示すように、一
部が保護材１４の上に乗るように構成されている。すな
わち、保護材１４の端面部付近上に端子部１５，１６が
突出した構成となっている。この様な構成によって、更
に、回路基板などとの接合性が向上し、実装性が向上す
ると共に、素子立ち現象の発生を一層抑える事ができ
る。この時に保護材１４からの突出量Ｐ３，Ｐ４は２０
μｍ〜１２０μｍ（好ましくは、３０μｍ〜７０μｍ）
とする事が好ましい。突出量Ｐ３，Ｐ４が２０μｍ以下
であると、接合性が悪くなり、実装性があまり向上せ
ず、しかも素子立ち現象が発生する確率が高くなり、１
２０μｍを超えると、膜付け時間が長くなり、生産性が
悪くなる。突出量Ｐ３，Ｐ４は保護材１４の表面の内で
端面近傍の表面から突出量を示している。なお、保護材
１４全体の最大突出高さよりも、端子部１５，１６の突
出高さが高いことが好ましい。

【００８１】また、端子部１５，１６の基台１１側面に
おける幅Ｐ５，Ｐ６はそれぞれは３０μｍ〜１００μｍ
とする事が好ましい。Ｐ５，Ｐ６がそれぞれ３０μｍ以
下であると、回路基板等との接合性があまり良くなく、
１００μｍを超えると、素子立ち現象の発生が大きくな
る。幅Ｐ５と幅Ｐ６はＰ５／Ｐ６＝０．９〜１．１の関
係になるように調整することで、素子立ち現象の割合を
抑えることができる。

【００８２】次に端子部１５，１６の具体的膜構造につ
いて図１０を用いて説明する。まず、基台１１端面にむ
き出しになった導電膜１２上に端子膜３００を導電材料
にて構成する。この時、好ましくは導電膜１２と同一材
料で端子膜３００を構成することが好ましく、この様な
構成によって、密着性の向上やヒートサイクルに対し
て、強くなるといったような効果を得ることが可能とな
る。また、端子膜３００はメッキ法で構成することによ
って、各条件を調整することで、精度の良い膜厚管理を
行うことができる。

【００８３】また、端子部１５，１６の耐候性を向上さ
せる様にするには、端子膜３００の上に、Ｔｉ，Ｎｉ，
Ｗ，Ｃｒ等の腐食しにくい金属膜や、それら金属材料の
合金膜（Ｎｉ−Ｃｒ等）等の耐食膜３０１を膜厚２〜７
μｍの膜厚で構成することが良い。

【００８４】更に、端子部１５，１６と回路基板などと
の接合性を向上させるためには、端子膜３００或いは耐
食膜３０１の上に半田や鉛フリーの接合材（ＳｎにＡ
ｇ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ｉｎの少なくとも一つを含ませ
た鉛フリー半田等）で構成された接合膜３０２を５〜１
０μｍの膜厚で形成しても良い。

【００８５】ここで、端子部１５，１６の構成の一例を
まとめると、・導電膜１２＋端子膜３００・導電膜１２＋端子膜３００＋耐食膜３０１・導電膜１２＋端子膜３００＋接合膜３０２・導電膜１２＋端子膜３００＋耐食膜３０１＋接合膜３
０２となり、それぞれの合計膜厚は３０μｍ〜１４０μｍと
なるように調整される。更に別の観点から見ると、上述
で説明したように、端子部１５，１６の膜厚は、導電膜
１２の１．５倍から７倍の間に設定することが好まし
い。

【００８６】なお、端子部１５，１６の構成としては、
上述の構成に新たな膜を追加してもよい。

【００８７】また、図２に示す様に端子部１５，１６の
高さＺ１及びＺ２は下記の条件を満たすことが好まし
い。

【００８８】｜Ｚ１−Ｚ２｜≦８０μｍ（好ましくは５
０μｍ）Ｚ１とＺ２の高さの違いが８０μｍ（好ましくは５０μ
ｍ以下）を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図９に示す。図９に示すよ
うに、基板２００の上にインダクタンス素子を配置し、
端子部１５，１６それぞれと基板２００の間に半田２０
１，２０２が設けられているが、リフローなどによって
半田２０１，２０２を溶かすと、半田２０１，２０２の
それぞれの塗布量の違いや、材質が異なることによる融
点の違いによって、溶融した半田２０１，２０２の表面
張力が端子部１５と端子部１６で異なり、その結果、図
９に示すように一方の端子部を中心に回転し、インダク
タンス素子が立ち上がってしまう。Ｚ１とＺ２の高さの
違いが８０μｍ（好ましくは５０μｍ以下）を超える
と、素子が傾いた状態で基板２００に配置されることと
なり、素子立ちを促進する。また、マンハッタン現象は
特に小型軽量のチップ型の電子部品（チップ型インダク
タンス素子を含む）において顕著に発生し、しかもこの
マンハッタン現象の発生要因の一つとして、端子部１
５，１６の高さの違いによって素子が傾いて基板２００
に配置されることを着目した。この結果、Ｚ１とＺ２の
高さの差を８０μｍ以下（好ましくは５０μｍ以下）と
なるように、基台１１を成形などで加工することによっ
て、このマンハッタン現象の発生を大幅に抑えることが
できた。Ｚ１とＺ２の高さの差を５０μｍ以下とするこ
とによって、ほぼ、マンハッタン現象の発生を抑えるこ
とができる。

【００８９】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下その製造方法について説明する。

【００９０】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、基台１１を作製する。次にその
基台１１全体にメッキ法やスパッタリング法などによっ
て導電膜１２をほぼ全面に形成する。次に導電膜１２を
形成した基台１１にスパイラル状の溝１３を形成する。
溝１３はレーザ加工や切削加工によって作製される。レ
ーザ加工は、非常に生産性が良いので、以下レーザ加工
について説明する。まず、基台１１を回転装置に取り付
け、基台１１を回転させ、そして基台１１にレーザを照
射して導電膜１２及び基台１１の双方を取り除き、スパ
イラル状の溝を形成する。このときのレーザは、ＹＡＧ
レーザ，エキシマレーザ，炭酸ガスレーザなどを用いる
ことができ、レーザ光をレンズなどで絞り込むことによ
って、基台１１に照射する。更に、溝１３の深さ等は、
レーザのパワーを調整し、溝１３の幅等は、レーザ光を
絞り込む際のレンズを交換することによって行える。ま
た、導電膜１２の構成材料等によって、レーザの吸収率
が異なるので、レーザの種類（レーザの波長）は、導電
膜１２の構成材料によって、適宜選択することが好まし
い。なお、砥石などを用いて溝１３を形成しても良い。

【００９１】溝１３を形成した後に、電着法などを用い
て、溝１３の両端面１１Ｌ上に設けられた導電膜１２の
全部或いは一部が露出するように保護材１４を形成す
る。

【００９２】次に、メッキ法などを用いて、基台１１の
端面に露出した導電膜１２上に端子膜３００を形成す
る。

【００９３】この時点でも、製品は完成するが、前述の
様に、仕様等によって、耐食膜３０１や接合膜３０２を
設ける。

【００９４】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。

【００９５】図１２及び図１３はそれぞれ本発明の一実
施の形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロッ
ク図である。図１２及び図１３において、２９は音声を
音声信号に変換するマイク、３０は音声信号を音声に変
換するスピーカー、３１はダイヤルボタン等から構成さ
れる操作部、３２は着信等を表示する表示部、３３はア
ンテナ、３４はマイク２９からの音声信号を復調して送
信信号に変換する送信部で、送信部３４で作製された送
信信号は、アンテナを通して外部に放出される。３５は
アンテナで受信した受信信号を音声信号に変換する受信
部で、受信部３５で作成された音声信号はスピーカー３
０にて音声に変換される。３６は送信部３４，受信部３
５，操作部３１，表示部３２を制御する制御部である。

【００９６】以下その動作の一例について説明する。先
ず、着信があった場合には、受信部３５から制御部３６
に着信信号を送出し、制御部３６は、その着信信号に基
づいて、表示部３２に所定のキャラクタ等を表示させ、
更に操作部３１から着信を受ける旨のボタン等が押され
ると、信号が制御部３６に送出されて、制御部３６は、
着信モードに各部を設定する。即ちアンテナ３３で受信
した信号は、受信部３５で音声信号に変換され、音声信
号はスピーカー３０から音声として出力されると共に、
マイク２９から入力された音声は、音声信号に変換さ
れ、送信部３４を介し、アンテナ３３を通して外部に送
出される。

【００９７】次に、発信する場合について説明する。ま
ず、発信する場合には、操作部３１から発信する旨の信
号が、制御部３６に入力される。続いて電話番号に相当
する信号が操作部３１から制御部３６に送られてくる
と、制御部３６は送信部３４を介して、電話番号に対応
する信号をアンテナ３３から送出する。その送出信号に
よって、相手方との通信が確立されたら、その旨の信号
がアンテナ３３を介し受信部３５を通して制御部３６に
送られると、制御部３６は発信モードに各部を設定す
る。即ちアンテナ３３で受信した信号は、受信部３５で
音声信号に変換され、音声信号はスピーカー３０から音
声として出力されると共に、マイク２９から入力された
音声は、音声信号に変換され、送信部３４を介し、アン
テナ３３を通して外部に送出される。

【００９８】なお、本実施の形態では、音声を送信受信
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う装置についても同様な効果を得ることができる。

【００９９】上記で説明したインダクタンス素子（図１
〜図１１に示すもの）は、発信回路，フィルタ回路，ア
ンテナ部及び各段とのマッチング回路周辺部等の高いＱ
を必要とする箇所の少なくとも一つに用いられ、その数
は、一つの無線端末装置に数個〜４０個程度用いられて
いる。上述の様なインダクタンス素子を用いることによ
って、装置内部の基板等を小型化でき、素子立ち現象な
どを抑えることができるので、回路基板などの不良率が
極めて小さくなり、生産性が非常によくなる。

【０１００】

【発明の効果】本発明は、基台の上に導電膜を形成し、
その導電膜に溝を形成し、基台の両端部に端子膜を形成
し、溝を覆うように保護材を設けた電子部品であって、
端子部の厚さを導電膜の厚さよりも厚くし、更に好まし
くは、端子部の厚さＰ１，Ｐ２それぞれを導電膜の厚さ
の１．５〜７倍とした事によって、生産性が良いか、素
子立ち現象の発生を抑制の少なくとも一方が実現可能と
なる。

【０１０１】また、無線端末装置において、上記電子部
品を搭載したことによって、装置内部の基板等を小型化
でき、装置内部の基板等を小型化でき、素子立ち現象な
どを抑えることができるので、回路基板などの不良率が
極めて小さくなり、生産性が非常によくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子を示す斜視図

【図２】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子を示す側断面図

【図３】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子に用いられる基台の斜
視図

【図４】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子に用いられる基台の表
面粗さと剥がれ発生率を示したグラフ

【図５】本発明の一実施の形態におけ電子部品の一例と
して挙げたるインダクタンス素子に用いられる基台の表
面粗さに対する周波数とＱ値の関係を示すグラフ

【図６】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子に用いられる導電膜の
表面粗さに対する周波数とＱ値の関係を示すグラフ

【図７】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子の保護材を設けた部分
の拡大断面図

【図８】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子の保護材を設ける工程
を示した図

【図９】マンハッタン現象を示す図

【図１０】本発明の一実施の形態における電子部品の一
例として挙げたインダクタンス素子の部分拡大断面図

【図１１】本発明の一実施の形態における電子部品の一
例として挙げたインダクタンス素子の部分拡大断面図

【図１２】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示す斜視図

【図１３】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示すブロック図

【図１４】従来のインダクタンス素子を示す側面図

【符号の説明】

１１基台１２導電膜１３溝１４保護材１５，１６端子部３０スピーカー３１操作部３２表示部３３アンテナ３４送信部３５受信部３６制御部３００端子膜３０１耐食膜３０２接合膜

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年１０月１日（１９９９．１０．
１）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基台の上に導
電膜を形成し、その導電膜に溝を形成し、基台の両端部
に端子膜を形成し、溝を覆うように保護材を設けた電子
部品であって、端子部の厚さを導電膜の厚さよりも厚く
し、端子部を基台の端面上と基台の側面上に設けられた
保護材上の双方に設けた。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００８】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基台と、
前記基台上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けら
れた溝と、前記基台を挟むように前記基台の端面に取り
付けられた一対の端子部と、前記基台上に設けられた保
護材とを備え、前記端子部の厚さを前記導電膜の厚さよ
りも厚くするとともに、前記端子部の一部を前記基台の
側面上に形成された保護材上に設けた事によって、端子
部を突出させることが容易になるので、生産性が向上す
ると共に素子立ち現象の発生を抑制でき、回路基板等と
の接合性を向上させることができる。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１〜３にお
いて、保護材を電着膜で構成した事によって、薄くしか
も確実な素子の保護を行うことができ、しかも一度に沢
山の素子に保護材を形成できるので、生産性が向上す
る。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】請求項１１記載の発明は、基台と、前記基
台上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けられた溝
と、前記基台を挟むように前記基台の端面に取り付けら
れた一対の端子部と、前記基台上に設けられた保護材と
を備え、前記端子部の厚さを前記導電膜の厚さよりも厚
くするとともに、前記保護材を電着膜で構成した事によ
って、端子部を突出させることが容易になるので、生産
性が向上すると共に素子立ち現象の発生を抑制できると
ともに、薄くしかも確実な素子の保護を行うことがで
き、しかも一度に沢山の素子に保護材を形成できるの
で、生産性が向上する。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２０】請求項１３記載の発明は、請求項１〜１２
において、基台を底面が略正方形状の直方体とした事に
よって、簡単な構成で、しかも素子の転がりを抑制でき
るので、コスト面で非常に有利になると共に、基台の作
製が容易になり、生産性が向上し、しかも実装性も向上
する。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２３】請求項１６記載の発明は、柱状の基台を作
製し、前記基台上に導電膜を形成し、前記導電膜の一部
を取り除くように前記基台に溝を形成し、前記基台の両
端面に設けられた導電膜を露出するように保護材を形成
し、その後に、露出した導電膜上に薄膜形成技術にて端
子部を前記導電膜の厚さの１．５〜７倍の膜厚で形成す
るとともに、前記端子部を保護材の上まで形成させる事
によって、端子部を突出させることが容易になるので、
生産性が向上すると共に素子立ち現象の発生を抑制でき
る。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２４】請求項１７記載の発明は、柱状の基台を作
製し、前記基台上に導電膜を形成し、前記導電膜の一部
を取り除くように前記基台に溝を形成し、前記基台の両
端面に設けられた導電膜を露出するように電着膜にて保
護材を形成し、その後に、露出した導電膜上に薄膜形成
技術にて端子部を前記導電膜の厚さの１．５〜７倍の膜
厚で形成する事によって、薄くしかも確実な素子の保護
を行うことができ、しかも一度に沢山の素子に保護材を
形成できるので、生産性が向上する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者崎田広実大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者磯崎賢蔵大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E070 AA01 AB10 BA07 CC03 CC10 DA15 EA01 EB03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台を挟むよう
に前記基台の端面に取り付けられた一対の端子部と、前
記基台上に設けられた保護材とを備え、前記端子部の厚
さを前記導電膜の厚さよりも厚くした事を特徴とする電
子部品。
【請求項２】端子部の厚さＰ１，Ｐ２それぞれを導電膜
の厚さの１．５〜７倍としたことを特徴とする請求項１
記載の電子部品。
【請求項３】端子部の厚さＰ１，Ｐ２それぞれを３０μ
ｍ〜１４０μｍとしたことを特徴とする請求項１，２い
ずれか１記載の電子部品。
【請求項４】端子部が基台の端面上と前記基台の側面上
に設けられた保護材上の双方に設けられた事を特徴とす
る請求項１〜３いずれか１記載の電子部品。
【請求項５】端子部の保護材表面からの突出量Ｐ３，Ｐ
４それぞれを２０μｍ〜１２０μｍとした事を特徴とす
る請求項４記載の電子部品。
【請求項６】基台の側面に露出した端子部の長さＰ５，
Ｐ６それぞれを３０μｍ〜１００μｍとしたことを特徴
とする請求項４記載の電子部品。
【請求項７】端子部を導電膜上に端子膜を積層した構成
とした事を特徴とする請求項１〜６いずれか１記載の電
子部品。
【請求項８】端子膜上に耐食膜か接合膜の少なくとも一
つを設けた事を特徴とする請求項１〜７いずれか１記載
の電子部品。
【請求項９】導電膜の表面粗さを１μｍ以下としたこと
を特徴とする請求項１〜８いずれか１記載の電子部品。
【請求項１０】基台の表面粗さを０．５μｍ以下とした
ことを特徴とする請求項１〜８いずれか１記載の電子部
品。
【請求項１１】保護材を電着膜で構成した事を特徴とす
る請求項１〜１０記載の電子部品。
【請求項１２】端子部の全部或いは少なくとも一部をメ
ッキ法にて形成したことを特徴とする請求項１〜１１い
ずれか１記載の電子部品。
【請求項１３】基台を底面が略正方形状の角柱状とした
事を特徴とする請求項１〜１２いずれか１記載の電子部
品。
【請求項１４】長さＬ１，幅Ｌ２，高さＬ３としたとき
に、Ｌ１＝０．５〜１．１ｍｍＬ２＝０．２〜０．６ｍｍＬ３＝０．２〜０．６ｍｍのサイズを有する事を特徴とする請求項１〜１３いずれ
か１記載のインダクタンス素子。
【請求項１５】導電膜と溝によって、インダクタンス成
分を形成することを特徴とする請求項１〜１４いずれか
１記載の電子部品。
【請求項１６】柱状の基台を作製し、前記基台上に導電
膜を形成し、前記導電膜の一部を取り除くように前記基
台に溝を形成し、前記基台の両端面に設けられた導電膜
を露出するように保護材を形成し、その後に、露出した
導電膜上に薄膜形成技術にて端子部を前記導電膜の厚さ
の１．５〜７倍の膜厚で形成した事を特徴とする電子部
品の製造方法。
【請求項１７】保護材を電着法による電着膜とした事を
特徴とする請求項１６記載の電子部品の製造方法。
【請求項１８】表示手段と、データ信号もしくは音声信
号の少なくとも一方を送信信号に変換するか受信信号を
データ信号もしくは音声信号の少なくとも一方に変換す
る変換手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受信
するアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた無線
端末装置であって、発信回路，フィルタ回路，アンテナ
部及び各段とのマッチング回路周辺部等の少なくとも一
つに請求項１〜１５いずれか１記載の電子部品を用いた
ことを特徴とする無線端末装置。