CN1245819A - 双面涂覆的压敏粘合片及其使用方法 - Google Patents

双面涂覆的压敏粘合片及其使用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1245819A
CN1245819A CN99118348A CN99118348A CN1245819A CN 1245819 A CN1245819 A CN 1245819A CN 99118348 A CN99118348 A CN 99118348A CN 99118348 A CN99118348 A CN 99118348A CN 1245819 A CN1245819 A CN 1245819A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pressure sensitive
sensitive adhesive
workpiece
adhesive layer
adhesion sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN99118348A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1147555C (zh
Inventor
野口勇人
峰浦芳久
江部和义
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of CN1245819A publication Critical patent/CN1245819A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1147555C publication Critical patent/CN1147555C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/061—Work supports, e.g. adjustable steadies axially supporting turning workpieces, e.g. magnetically, pneumatically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y10T156/1184—Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

公开了一种双面涂覆的压敏粘合片,它包括一片可收缩的基片和施涂在其两个侧面上的压敏粘合剂层,至少一层所述压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。该压敏粘合片能有效地高精度加工工件。具体地说,在研磨极薄或大直径硅晶片时,该压敏粘合片通过减少变形和搬运碎裂,适合于能以高产率制造高厚度精度的IC芯片的方法,并能在相同状态下进行背面研磨和切割。本发明还提供一种使用上述压敏粘合片的高可靠性半导体的制造方法。

Description

双面涂覆的压敏粘合片 及其使用方法
本发明涉及一种双面涂覆的压敏粘合片。更具体地说，本发明涉及一种双面涂覆的压敏粘合片，用于加工或保护临时固定在硬板上的易碎工件。
近年来，IC卡得到推广应用，因此需要降低其厚度。目前需要将半导体芯片的厚度从通常的约350微米降至50-100微米或更薄。
通常在晶片表面形成电路图案后研磨晶片的背面。在研磨晶片背面时在电路表面粘附压敏粘合片，以便保护电路表面并固定晶片。在这种用途中通常使用包括涂覆压敏粘合剂的软基片的压敏粘合片。但是，在这种基于软基片的压敏粘合片中，粘合时所施加的张力以残留的应力积聚。当晶片具有大的直径或被研磨成很小的厚度时，压敏粘合片的残留应力超过晶片的强度，结果消除该残留应力所产生的力使晶片变形。另外，研磨后，当用软基片固定晶片时，晶片容易破碎的性能导致在搬运过程中晶片碎裂。因此，研制了将晶片固定在硬物(如石英板或丙烯酸板)上并研磨晶片的方法。
为了将易碎的硬物(如打印头、玻璃/环氧树脂板、玻璃或陶瓷)切割成小芯片，将该易碎的硬物固定在硬的承载材料上进行切割。使用双面涂覆的压敏粘合片将这种切割件固定在硬的承载材料上。但是，用常规双面涂覆的压敏粘合片粘合在一起的两层硬物难以分开。当粘附很脆的材料(如晶片)时，无损伤地将其分开是不可能的。
因此，需要开发一种双面涂覆的压敏粘合片，它适用于将任何半导体晶片或上述各种切割件固定在硬材料上。
另外，在半导体晶片的加工中，在背面研磨和切割过程中均需要表面保护片和用于固定晶片的压敏粘合片。从工艺控制的观点看这是繁琐的。此外，在上述两个步骤之间搬运晶片，由于晶片的易碎性会导致晶片碎裂。
因此，还需要开发一种方法，它能在同一状态(configuration)下实施一系列加工步骤(包括上述晶片背面研磨、切割和搬运)，能便于工艺控制并能防止晶片碎裂。
根据现有技术的上述状况提出了本发明。本发明的目的是提供一种双面涂覆的压敏粘合片，它使工件能以高精度有效地进行加工，尤其提供一种双面涂覆的压敏粘合片，它通过降低变形并减少搬运碎裂(这种变形和碎裂是极薄或大直径硅晶片的研磨中常发生的)使之适用于高产率高厚度精度的IC芯片的制造方法，并能在同一状态下进行背面研磨和切割。本发明的另一个目的是提供一种高可靠性半导体的制造方法，在该方法中使用上述双面涂覆的压敏粘合片。
本发明双面涂覆的压敏粘合片包括一片可收缩的基片和施涂在其两个侧面上的压敏粘合剂层，至少一层压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。
在本发明中最好两层压敏粘合剂层均是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。另外，所述可收缩的基片最好带有许多微小的切割线(即凹线)。本发明双面涂覆的压敏粘合片最好在临时固定在硬板上的工件的加工过程中用于固定或保护该工件。
也就是说，本发明双面涂覆的压敏粘合片最好用于依次包括下列步骤的方法中：
将要加工的工件粘附在上述双面涂覆的压敏粘合片的一层可能量辐照固化的压敏粘合剂层上，并将另一层压敏粘合剂层粘附在硬板上，从而将该工件固定在该硬板上；
加工该工件；
用能量辐照该可能量辐照固化的压敏粘合剂层，以固化该压敏粘合剂同时收缩所述可收缩的基片；以及
从已辐照并固化的可能量辐照固化的压敏粘合剂层上剥离经加工的工件。
在上述使用方法中，最好两层压敏粘合剂层均是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。另外，所述可收缩的基片最好带有许多微小的切割线。
在上述使用方法中，所述工件最好是表面带有电路图案的半导体晶片，并且所述加工是研磨晶片的背面。
所述工件可以是表面带有电路图案的半导体晶片，并且所述加工可以是将所述晶片切割成元件芯片。
另外，所述工件可以是表面带有电路图案的半导体晶片，所述加工可以是研磨该晶片的背面并将该晶片切割成元件芯片，并且加工次序可以是任意的次序。
本发明双面涂覆的压敏粘合片能将各种工件临时固定在硬板上，从而在加工过程中对该工件进行固定和保护。同时，在进行所需的加工和保护后，本发明双面涂覆的压敏粘合片能通过简单操作容易从硬板上剥离工件。因此，即使将双面涂覆的压敏粘合片用于研磨例如极薄或大直径的半导体晶片的背面，也可提高晶片的厚度精度，从而降低晶片的变形。另外，可防止晶片搬运过程中的碎裂。结果，本发明双面涂覆的压敏粘合片能以高产率制造各种电子元件和半导体芯片。
此外，可在相同的本发明晶片状态下实施一系列包括加工和搬运的步骤，从而可便于工艺控制。
图1是本发明双面涂覆的压敏粘合片的剖面图；
图2是将工件粘附在本发明双面涂覆的压敏粘合片上的示意图；
图3是将带有粘附的工件的双面涂覆的压敏粘合片固定在硬板上的示意图；
图4是已加工工件的示意图；
图5是能量辐照并且基片收缩后复合物状态的示意图；
图6是基片带有切割线的双面涂覆的压敏粘合片使用方式的示意图；
图7是将半导体晶片粘附在本发明双面涂覆的压敏粘合片上的示意图；
图8是将带粘附的半导体晶片的双面涂覆的压敏粘合片固定在硬板上的示意图；
图9是半导体晶片背面研磨后复合物状态示意图；以及
图10是能量辐照并且基片收缩后复合物状态示意图。
下面参照附图对本发明作详细说明。
现在参照附图1，本发明双面涂覆的压敏粘合片10包括可收缩的基片1，以及施涂在该基片两个侧面上的压敏粘合剂层2a和2b。
尽管所述可收缩的基片无特别的限制，但是它最好是可热收缩的膜。
用于本发明中的可收缩膜的收缩比较好为10-90％，最好为20-80％。
可收缩膜的收缩比(SR)可根据收缩前的尺寸和收缩后的尺寸用下式算得：
    SR＝[(收缩前的尺寸)-(收缩后的尺寸)]/(收缩前的尺寸)×100
当使用热收缩膜时，上述收缩比的数据是由在120℃加热前后测得的膜尺寸算得的数据。
已知有各种收缩膜。一般来说本发明可使用各种收缩膜，只要对工件无不利影响(例如离子污染)即可。合适的收缩膜的例子包括单轴或双轴取向的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚乙烯膜、聚苯乙烯膜、聚丙烯膜、尼龙膜、聚氨酯膜、聚偏二氯乙烯膜、聚氯乙烯膜等。
上述收缩膜的厚度一般为5-300微米，较好为10-200微米。
较好将聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的热收缩膜作为收缩膜。
所述收缩膜可以是单层任何一种上述收缩膜，或者是上述收缩膜的层压物。当层压收缩膜时，该层压物最好由不同收缩比的膜组成。当将不同收缩比的膜组成的层压物用作可收缩的基片1时，如图5和图10所示低收缩比的一侧会发生突出的变形，使得工件仅靠点接触粘附，从而非常有助于剥离工件。
用作可收缩基片1的收缩膜可带有许多微小的切割线(即凹线)。
切割线的间隔(切割间距)取决于各个工件的尺寸。切割的间距较好是工件底面最大长度的0.01-2倍，最好是0.1-1倍。切割的间距一般为0.1-20mm，最好为1-10mm。
切割线的形状无特别的限制。例如，切割线的图形可以是格子状、同心圆和放射状或其组合。同样，切割线可以具有任何无规的形状。切割线可布满可收缩的基片1的整个表面。
如下面将描述的那样，在使用本发明双面涂覆的压敏粘合片10时，在适当的步骤后用能量辐照可能量辐照固化的压敏粘合剂层。当使用紫外光作为辐照能源时，构成可收缩基片1的所有膜均应是紫外光可透过的。
本发明双面涂覆的压敏粘合片10包括上面所述的可收缩的基片1，以及涂覆在其两个侧面上的压敏粘合剂层2a和2b，至少一层(一层或两层)压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。具体地说，要求施涂在要粘附工件的侧面上的压敏粘合剂层2a是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。另一层压敏粘合剂层2b(即施涂在粘附于硬板上的压敏粘合剂层)最好由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成，尽管这不是特别的限制。
当压敏粘合剂层2a和2b均是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的时，最好挑选这些可能量辐照固化的压敏粘合剂，使固化后压敏粘合剂层2a的弹性模量(弹性模量2a)高于固化后压敏粘合剂层2b的弹性模量(弹性模量2b)。弹性模量2a较好是弹性模量2b的至少2倍，最好是弹性模量2b的至少5倍。
选择固化后压敏粘合剂层2a、2b的上述弹性模量，促进了可收缩基片1的收缩造成的双面涂覆的压敏粘合片10的变形，并且有助于片材在工件一侧的压敏粘合剂层2a的突起变形，使工件仅靠点接触粘附，从而大大便于工件的剥离。
所述可能量辐照固化的压敏粘合剂一般包含丙烯酸压敏粘合剂和可能量辐照聚合的化合物作为主要组分。
例如，分子中具有至少两个可光致聚合的碳-碳双键并可通过光辐照转化成三维网络结构的低分子量化合物(参见日本公开专利申请No 85-196,956和85-223,139)被广泛地作为可能量辐照聚合的化合物加入可能量辐照固化的压敏粘合剂中。其具体的例子包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇一羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯和市售的低聚丙烯酸酯类。
另外，除上述丙烯酸酯基化合物以外，可将聚氨酯丙烯酸酯基低聚物用作可能量辐照聚合的化合物。聚氨酯丙烯酸酯低聚物可通过异氰酸酯封端的聚氨酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应制得，所述聚氨酯预聚物是用多异氰酸酯化合物(如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1，4-苯二亚甲基二异氰酸酯或二苯甲烷-4，4-二异氰酸酯)涂覆多醇化合物(如聚酯或聚醚化合物)获得的，所述(甲基)丙烯酸酯的例子有丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、甲基丙烯酸2-羟丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯或聚乙二醇甲基丙烯酸酯。
在可能量辐照固化的压敏粘合剂中可能量辐照聚合的化合物与丙烯酸压敏粘合剂的混合比较好为每100重量份丙烯酸压敏粘合剂使用50-200重量份可能量辐照聚合的化合物。在这种情况下，制得的压敏粘合片的初始粘合强度是大的，在用能量辐照压敏粘合剂层以后该粘合强度急剧下降。因此在已加工工件和可能量辐照固化的丙烯酸压敏粘合剂层的界面上进行剥离变得容易，从而能获得加工工件。
可能量辐照固化的压敏粘合剂层2a可由带有可能量辐照聚合的基团作为侧链的可能量辐照固化的共聚物组成。这种可能量辐照固化的共聚物表现出令人满意的粘性和能量辐照固化性能。带有可能量辐照聚合的基团作为侧链的可能量辐照固化的共聚物的详细情况可参见例如日本的公开专利申请No.93-32,946和96-27,239。
在用能量辐照前，上述丙烯酸可能量辐照固化的压敏粘合剂与工件具有令人满意的粘合强度，在用能量辐照后该粘合强度急剧下降。也就是说，在用能量辐照前工件可通过令人满意的粘合强度得到固定，但是用能量辐照后，形成的工件可容易地剥离。
另一层压敏粘合剂层2b(即施涂在与硬板相粘附一侧的压敏粘合剂层)可由各种常规的压敏粘合剂组成。对这些压敏粘合剂毫无限制，例如，可使用可取下的压敏粘合剂，如橡胶、丙烯酸、聚硅氧烷、聚氨酯和聚乙烯基醚基压敏粘合剂。但是，在本发明中，压敏粘合剂层2b最好由上述可辐照固化的压敏粘合剂组成。
各个压敏粘合剂层2a和2b的厚度一般约为3-100微米，较好约10-50微米，尽管取决于所用材料的性能。
上述本发明双面涂覆的压敏粘合片10适用于在半导体晶片背面研磨过程中进行表面保护和晶片固定。同时，当加工(例如切割)易碎的硬工件(如玻璃/环氧基片、玻璃或陶瓷)时，可使用双面涂覆的压敏粘合片10将工件临时固定在硬板上。合适的硬板的例子包括玻璃板、石英板和塑料板(如丙烯酸、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和聚碳酸酯硬板)。根据ASTM D 883测得的硬板的硬度较好至少为70MPa。硬板的厚度尽管取决于所用材料的性能，但是一般约为0.1-10mm。当使用紫外光作为辐照能源时，该硬板是由透紫外光性材料组成的。
下面将参照附图更详细地描述本发明双面涂覆的压敏粘合片的使用方法。
先看图2，工件3被粘附在双面涂覆的压敏粘合片10的可能量辐照固化的压敏粘合剂层2a上。该工件3是例如待加工的上述半导体晶片、易碎的硬物(如玻璃/环氧基片、玻璃和陶瓷)和各种电子元件及光学部件中的任何一种，但是，工件3不限于这些例子。
下面参照图3，另一层压敏粘合剂层2b粘合在硬板4上，使工件3被固定在硬板4上。或者，先将另一层压敏粘合剂层2b粘附在硬板上，随后将工件3粘附在可能量辐照固化的压敏粘合剂层2a上。在这种情况下，为防止在压敏粘合剂层2b和硬板4之间产生气泡，最好在真空中将压敏粘合剂层2b粘附在硬板4上。
随后，进行工件3所需的加工。对于半导体晶片，所述加工是例如背面研磨或切割成元件芯片。对于玻璃/环氧基片，所述加工是形成电路或按电路切割成芯片。对于玻璃或陶瓷，所述加工是例如切割或蚀刻。在进行加工的同时，对与压敏粘合剂层2a相接触的工件3的一面进行表面保护。
图4表示例如在作为工件3的半导体晶片或玻璃/环氧基片上形成电路并按每一电路切割成芯片。
尽管切割条件无特别限制，但是最好使热收缩基片1受到完全切割并分开。这种切割减少了粘附面积，从而能缩短剥离时间。切割的深度最好使切口的末端位于粘附在硬板4上的压敏粘合剂层中。原因是如果硬板4上无割痕，则该硬板4可根据需要重复多次使用。
接着，用辐照能源从硬板4那一侧辐照，从而进行固化，使可能量辐照固化的压敏粘合剂层2a的粘合强度下降，同时利用适当的方法使可收缩基片1收缩。例如，如果使用热收缩基片，则通过适当地加热使可收缩基片1收缩。结果，如图5所示，由于基片1的收缩，在已加工工件3’和已固化的可能量辐照固化的压敏粘合剂层2a之间产生剪力，该剪力引起剥离。经加工的工件3’从已固化的可能量辐照固化的压敏粘合剂层2a上的剥离由粘结部分的四周向中央扩展。最终在整个粘结部分上产生剥离。
另外，压敏粘合剂层2b也随可收缩基片1的收缩而变形，从而使双面涂覆的压敏粘合片10能容易地从硬板4上取下。尤其当压敏粘合剂层2b是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的时，通过能量辐照使其与硬板4的粘合强度下降，从而能容易地将双面涂覆的压敏粘合片10从硬板4上取下。
如上所述，在本发明双面涂覆的压敏粘合片中，可收缩的基片1可带有许多微小的切割线6。在这种情况下，当对工件3进行所需的加工后可收缩的基片1例如受热收缩时，可能量辐照固化的压敏粘合剂层2a随之变形，从而使与已加工的工件3’的接触面积下降，结果粘合强度降低(见图6)。因此，可容易地将双面涂覆的压敏粘合片10从已加工的工件3’上取下。
本发明双面涂覆的压敏粘合片10尤其适用于包括下面步骤的半导体晶片的背面研磨方法中。
参见图7，将表面带有电路图案的半导体晶片5的电路表面粘附在本发明双面涂覆的压敏粘合片10的可能量辐照固化的压敏粘合剂层2a上。
随后，参见图8，将另一层压敏粘合剂层2b粘附在硬板4上，使半导体晶片5被固定在硬板4上。
在固定于硬板4上的状态下，将半导体晶片5的背面研磨至所需的厚度(参见图9)。
接着，用上面所述方法用辐照能源进行辐照并收缩所述可收缩的基片，从而能从经辐照和固化的可能量辐照固化的压敏粘合剂层2a上剥离半导体晶片5(参见图10)。
或者，在研磨半导体晶片5的背面后如图4所示切割晶片，接着用辐照能源辐照之，以便使基片收缩。这样，在同一状态下进行背面研磨和切割，以便进行工艺控制。此外，可将晶片固定在硬板上的同时在各步骤之间进行晶片的搬运，从而能防止晶片的碎裂。
或者，与上面相反，在本发明中可在晶片切割后，在元件芯片固定在硬板上的同时研磨元件芯片的背面。
由上面描述可见，上述本发明双面涂覆的压敏粘合片能将各种要加工的工件临时固定在硬板上，从而在加工过程中固定并保护之。同时，在所需的加工和保护后，通过简单的操作本发明双面涂覆的压敏粘合片就能使已加工的工件从片材上剥离。因此，即使将双面涂覆的压敏粘合片用于研磨例如极薄的或大直径半导体晶片的背面，也能提高晶片的厚度精度，从而减少晶片的变形。另外，可防止晶片搬运时的碎裂。结果，本发明双面涂覆的压敏粘合片能以高产率制造各种电子元件和半导体晶片。此外，在本发明中可在相同的状态下进行一系列步骤，包括加工和搬运，从而可有助于工艺控制。
实施例
下面将参照实施例对本发明作进一步说明，这些实施例不对本发明范围构成任何限制。
实施例1
1(1)将100重量份丙烯酸压敏粘合剂(丙烯酸正丁酯和丙烯酸的共聚物)、200重量份分子量为7,000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、10重量份交联剂(异氰酸酯型)和10重量份可能量辐照固化的反应引发剂(二苯酮型)混合在一起，制得可能量辐照固化的压敏粘合剂组合物(其紫外光辐照后的弹性模量为1.5×108Pa)。
1(2)在一片经剥离处理的25微米厚聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上涂覆上面步骤1(1)获得的压敏粘合剂组合物，涂层厚度为10微米并在100℃加热1分钟，形成可能量辐照固化的压敏粘合剂层。接着，将该可能量辐照固化的压敏粘合剂层粘附在可热收缩的聚乙烯膜(厚度35微米，在120℃的收缩比为65％)上。从而获得一侧粘附在压敏粘合剂层上的片材。
1(3)在另一片经剥离处理的25微米厚聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上涂覆上面步骤1(1)获得的压敏粘合剂组合物，涂层厚度为10微米并在100℃加热1分钟，形成另一层可能量辐照固化的压敏粘合剂层。
1(4)将上面步骤1(2)获得的一侧粘附在压敏粘合剂层上的片材的热收缩聚乙烯膜那一侧粘附在步骤1(3)中形成于PET膜上的压敏粘合剂层上，制得双面涂覆的压敏粘合片。
实施例2
重复实施例1的步骤，但是施加在片材一侧的压敏粘合剂组合物是可取下的压敏粘合剂，它是由100重量份丙烯酸压敏粘合剂(丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羟乙酯的共聚物)和10重量份交联剂(异氰酸酯型)组成的。
实施例3
用与实施例1相同的方法制得双面涂覆的压敏粘合片，但是用可热收缩的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度30微米，120℃收缩比为40％)代替可收缩基片。
实施例4
重复实施例3的步骤，但是施加在片材一侧的压敏粘合剂组合物是可取下的压敏粘合剂，它是由100重量份丙烯酸压敏粘合剂(丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羟乙酯的共聚物)和10重量份交联剂(异氰酸酯型)组成的。
实施例5
用与实施例1步骤1(1)和1(2)的方法制得一侧粘附在压敏粘合剂层上的片材。使用辊刻花模在该片材的热收缩膜一侧刻出纵横交错的2mm间距的格子切割线，使切割线深达压敏粘合剂部分。随后，在一片经剥离处理的25微米厚聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上涂覆与上面步骤1(1)相同的可能量辐照固化的压敏粘合剂，使涂层的厚度为10微米并将其在100℃加热1分钟。将形成的可能量辐照固化的压敏粘合剂层粘附在片材带切割线的热收缩膜一侧，制得包括带切割线的收缩膜的双面涂覆的压敏粘合片。
实施例6
6(1)将100重量份丙烯酸压敏粘合剂(丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸2-羟乙酯的共聚物)、150重量份分子量为1,000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、5重量份交联剂(异氰酸酯型)和10重量份可能量辐照固化的反应引发剂(二苯酮型)混合在一起，制得可能量辐照固化的压敏粘合剂组合物(其紫外光辐照后的弹性模量为9.0×108Pa)。
6(2)在一片经剥离处理的25微米厚聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上涂覆上面步骤6(1)获得的压敏粘合剂组合物，涂层厚度为10微米并在100℃加热1分钟，形成可能量辐照固化的压敏粘合剂层。接着，将该可能量辐照固化的压敏粘合剂层粘附在可热收缩的聚乙烯膜(厚度35微米，在120℃的收缩比为65％)上。从而获得一侧粘附在压敏粘合剂层上的片材。
6(3)将100重量份丙烯酸压敏粘合剂(丙烯酸正丁酯和丙烯酸的共聚物)、200重量份分子量为7,000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、10重量份交联剂(异氰酸酯型)和10重量份可能量辐照固化的反应引发剂(二苯酮型)混合在一起，制得可能量辐照固化的压敏粘合剂组合物(其紫外光辐照后的弹性模量为1.5×108Pa)。
6(4)在一片经剥离处理的25微米厚聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上涂覆上面步骤6(3)获得的压敏粘合剂组合物，涂层厚度为10微米并在100℃加热1分钟，形成另一种可能量辐照固化的压敏粘合剂层。
6(5)将上面步骤6(2)获得的一侧粘附在压敏粘合剂层上的片材的可热收缩聚乙烯膜那一侧粘附在步骤6(4)中形成于聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的压敏粘合剂层上，制得双面涂覆的压敏粘合片。
实施例7
用下面方法制得收缩比互相不同的收缩膜的层压物。
将100重量份丙烯酸压敏粘合剂(丙烯酸正丁酯和丙烯酸的共聚物)和10重量份交联剂(异氰酸酯型)和混合在一起，制得压敏粘合剂组合物。
在一片经剥离处理的25微米厚聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上涂覆上面获得的压敏粘合剂组合物，涂层厚度为5微米并在100℃加热1分钟，形成压敏粘合剂层。接着，将该压敏粘合剂层粘附在可热收缩的聚乙烯膜(厚度30微米，在120℃的收缩比为40％)上。从而获得一侧粘附在压敏粘合剂层上的片材。
剥去得到的片材的经剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，将露出的压敏粘合剂层粘附在可热收缩的聚乙烯膜(厚度35微米，在120℃的收缩比为65％)上。从而获得收缩膜的层压物。
用与实施例1相同的方法制得双面涂覆的压敏粘合片，但是用上面相互收缩比不同的层压膜(厚度70微米)代替实施例1的可热收缩聚乙烯膜。
比较例1
用与实施例1相同的方法制得两侧均带有可取下的压敏粘合剂层的双面涂覆的压敏粘合片，但是用实施例2的可取下的压敏粘合剂代替可能量辐照固化的压敏粘合剂组合物。
比较例2
用与实施例1相同的方法制得双面涂覆的压敏粘合片，但是用不可收缩的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度25微米，在120℃的收缩比为1％)代替可收缩的基片。
用下列方法评价如此制得的双面涂覆的压敏粘合片，结果列于表1。
评价方法
(1)用作研磨保护带：
将实施例和比较例制得的各种压敏粘合片一侧的剥离膜剥离，将其粘附在直径和厚度分别为6英寸(150mm)和700微米的硅晶片的电路一侧的表面上。此时，各种双面涂覆的压敏粘合片的可能量辐照固化的压敏粘合剂层粘附在硅晶片上。但是，条件是与硅晶片相粘附的是实施例6中经紫外光辐照后弹性模量为9.0×108Pa的可能量辐照固化的压敏粘合剂层，实施例7中在120℃收缩比为40％的那一侧的可能量辐照固化的压敏粘合剂层，以及比较例1中可取下的压敏粘合剂层。
接着，剥去另一层剥离膜，将露出的压敏粘合剂层真空粘附在玻璃板(200mm×200mm×1.15mm厚)上。
粘附后，将晶片背面研磨至晶片厚度降至50微米。研磨后，用紫外光对玻璃一侧(比较例1除外)辐照1分钟，将各个试样放置在表面加热至120℃的热板上。使用环氧粘合剂将一个钩子固定在各个晶片的上部并用通用拉伸试验机测定玻璃表面上的剥离强度(剥离速度：700mm/min)。结果列于表1。
另外，肉眼观察加热后片材的情况。结果列于表2。
(2)用作切割带：
剥去各个实施例和比较例制得的压敏粘合片一侧的剥离膜，并将其粘附在硅晶片的镜面(#2000镜面)上，该晶片的直径和厚度分别为6英寸和350微米。此时，各个双面涂覆的压敏粘合片的可能量辐照固化的压敏粘合剂层粘附在硅晶片上。但是条件是对于实施例6和7及比较例1，硅晶片粘附的压敏粘合剂层与上面(1)所述的相同。
随后，剥去另一层剥离膜，在真空中将露出的压敏粘合剂层粘附在玻璃板(200mm×200mm×1.15mm厚)上。
粘附后，使用带27HECC切割刀的DAD2H/6T切割设备(Disco Corporation制)将晶片切割成边长为10mm的正方形，使未切割部分距玻璃板底面1.16mm。切割后，用紫外光对玻璃一侧辐照1分钟(比较例1除外)，将各个试样放置在表面加热至120℃的热板上。使用环氧粘合剂将一个钩子固定在各个芯片的上部并用通用拉伸试验机测定玻璃表面上的剥离强度(剥离速度：700mm/min)。结果列于表1。
另外，肉眼观察加热后片材的情况。结果列于表2。
(3)用在研磨、搬运和切割顺序中：
剥去各个实施例和比较例制得的压敏粘合片一侧的剥离膜，并将其粘附在硅晶片的电路一侧的表面上，该晶片的直径和厚度分别为6英寸和700微米。此时，各个双面涂覆的压敏粘合片的可能量辐照固化的压敏粘合剂层粘附在硅晶片上。
但是条件是对于实施例6和7及比较例1，硅晶片粘附的压敏粘合剂层与上面(1)所述的相同。
随后，剥去另一层剥离膜，在真空中将露出的压敏粘合剂层粘附在玻璃板(200mm×200mm×1.15mm厚)上。
粘附后，将晶片研磨至其厚度降至50微米。将相同状态下固定的研磨晶片搬运至切割步骤。
使用带27HECC切割刀的DAD2H/6T切割设备(Disco Corporation制)将如此研磨的晶片切割成边长为10mm的正方形，使未切割部分距玻璃板底面1.16mm。切割后，用紫外光对玻璃一侧辐照1分钟(比较例1除外)，将各个试样放置在表面加热至120℃的热板上。使用环氧粘合剂将一个钩子固定在各个芯片的上部并用通用拉伸试验机测定玻璃表面上的剥离强度(剥离速度：700mm/min)。结果列于表1。
另外，肉眼观察加热后片材的情况。结果列于表2。
(4)用在切割、搬运和研磨顺序中：
剥去各个实施例和比较例制得的压敏粘合片一侧的剥离膜，并将其粘附在硅晶片的电路一侧的表面上，该晶片的直径和厚度分别为6英寸和700微米。此时，各个双面涂覆的压敏粘合片的可能量辐照固化的压敏粘合剂层粘附在硅晶片上。
但是条件是对于实施例6和7及比较例1，硅晶片粘附的压敏粘合剂层与上面(1)所述的相同。
随后，剥去另一层剥离膜，在真空中将露出的压敏粘合剂层粘附在玻璃板(200mm×200mm×1.15mm厚)上。
使用带27HECC切割刀的DAD2H/6T切割设备(Disco Corporation制)将晶片切割成边长为10mm的正方形，使未切割部分距玻璃板底面1.16mm。切割后，将以相同状态固定的切割晶片搬运至研磨步骤。
将晶片研磨至其厚度降至50微米。研磨后，用紫外光对玻璃一侧辐照1分钟(比较例1除外)，将各个试样放置在表面加热至120℃的热板上。使用环氧粘合剂将一个钩子固定在各个芯片的上部并用通用拉伸试验机测定玻璃表面上的剥离强度(剥离速度：700mm/min)。结果列于表1。
另外，肉眼观察加热后片材的情况。结果列于表2。
                     表1评价结果
                           评价条件
    (1)g/150mmφ     (2)g/10mm正方形     (3)g/10mm正方形     (4)g/10mm正方形
  实施例1     20     5     5     5
  实施例2     40     20     18     18
  实施例3     40     10     10     10
  实施例4     80     40     39     40
  实施例5     10     3     5     5
  实施例6     15     5     5     3
  实施例7     20     5     5     3
  比较例1   晶片破裂   晶片破裂   晶片破裂   晶片破裂
  比较例2   晶片破裂   晶片破裂   晶片破裂   晶片破裂
                     表2双面涂覆的压敏粘合片的剥离情况
                     评价条件
  (1)     (2)     (3)     (4)
  实施例1   无规     ←     ←     ←
  实施例2   玻璃侧     ←     ←     ←
  实施例3   无规     ←     ←     ←
  实施例4   玻璃侧     ←     ←     ←
  实施例5   无规     ←     ←     ←
  实施例6   玻璃侧     ←     ←     ←
  实施例7   玻璃侧     ←     ←     ←
  比较例1   晶片破裂     ←     ←     ←
  比较例2   晶片破裂     ←     ←     ←
玻璃侧：双面涂覆的压敏粘合片变形，朝晶片(芯片)一侧突出，并且双面涂覆的压敏粘合片粘附在玻璃一侧，未保留在晶片(芯片)一侧。
无规：双面涂覆的压敏粘合片无规变形。该双面涂覆的压敏粘合片同时保留在晶片(芯片)一侧和玻璃一侧，但是通过空气压力吹拂就可容易剥离。

Claims (15)

1.一种双面涂覆的压敏粘合片，它包括一片可收缩的基片和施涂在其两个侧面上的压敏粘合剂层，至少一层所述压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。
2.如权利要求1所述的双面涂覆的压敏粘合片，其特征在于所述两层压敏粘合剂层均是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。
3.如权利要求1所述的双面涂覆的压敏粘合片，其特征在于所述可收缩的基片带有许多微小的切割线。
4.如权利要求2所述的双面涂覆的压敏粘合片，其特征在于所述可收缩的基片带有许多微小的切割线。
5.如权利要求1所述的双面涂覆的压敏粘合片，它用于在临时固定在硬板上的工件的加工过程中固定或保护该工件。
6.如权利要求2所述的双面涂覆的压敏粘合片，它用于在临时固定在硬板上的工件的加工过程中固定或保护该工件。
7.如权利要求3所述的双面涂覆的压敏粘合片，它用于在临时固定在硬板上的工件的加工过程中固定或保护该工件。
8.如权利要求4所述的双面涂覆的压敏粘合片，它用于在临时固定在硬板上的工件的加工过程中固定或保护该工件。
9.一种双面涂覆的压敏粘合片的使用方法，它包括：
将要加工的工件粘附在双面涂覆的压敏粘合片的一层可能量辐照固化的压敏粘合剂层上，所述压敏粘合片包括一层可收缩的基片和施涂在其两个侧面上的压敏粘合剂层，至少一层所述压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的，并将另一层压敏粘合剂层粘附在硬板上，从而将该工件固定在该硬板上；
加工该工件；
用能量辐照该可能量辐照固化的压敏粘合剂层，使之固化并同时收缩所述可收缩的基片；以及
从已辐照并固化的可能量辐照固化的压敏粘合剂层上剥离经加工的工件。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述两层压敏粘合剂层均是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述可收缩的基片带有许多微小的切割线。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于所述可收缩的基片带有许多微小的切割线。
13.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述要加工的工件是表面带有电路图案的半导体晶片，并且所述加工是研磨晶片的背面。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述要加工的工件是表面带有电路图案的半导体晶片，并且所述加工是将所述晶片切割成元件芯片。
15.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述要加工的工件是表面带有电路图案的半导体晶片，所述加工是研磨该晶片的背面并将该晶片切割成元件芯片，并且加工次序可以是任意的次序。
CNB991183487A 1998-08-26 1999-08-26 双面涂覆的压敏粘合片及其使用方法 Expired - Fee Related CN1147555C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP240170/1998 1998-08-26
JP24017098 1998-08-26
JP109806/1999 1999-04-16
JP10980699A JP3784202B2 (ja) 1998-08-26 1999-04-16 両面粘着シートおよびその使用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1245819A true CN1245819A (zh) 2000-03-01
CN1147555C CN1147555C (zh) 2004-04-28

Family

ID=26449521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB991183487A Expired - Fee Related CN1147555C (zh) 1998-08-26 1999-08-26 双面涂覆的压敏粘合片及其使用方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6398892B1 (zh)
JP (1) JP3784202B2 (zh)
KR (1) KR100655036B1 (zh)
CN (1) CN1147555C (zh)
DE (1) DE19940390A1 (zh)
GB (1) GB2340772B (zh)
HK (1) HK1023786A1 (zh)
MY (1) MY123333A (zh)
SG (1) SG82017A1 (zh)
TW (1) TW513480B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1320634C (zh) * 2004-03-25 2007-06-06 Lg电线株式会社 带收缩性离型膜的切割膜及使用其的半导体组件制造方法
CN100365791C (zh) * 2002-11-29 2008-01-30 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 用于加工晶圆的方法和设备及包括分离层和支持层的晶圆
CN100452369C (zh) * 2005-03-18 2009-01-14 夏普株式会社 半导体器件及其制造方法
CN1977014B (zh) * 2004-04-30 2011-06-22 3M创新有限公司 成卷稳定的双面压敏粘合带组件
CN101740352B (zh) * 2008-11-26 2012-04-11 日东电工株式会社 切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺
CN103035483A (zh) * 2012-08-28 2013-04-10 上海华虹Nec电子有限公司 一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法
CN103998549A (zh) * 2011-07-19 2014-08-20 3M创新有限公司 可热脱粘的粘合剂制品以及制备和使用此类制品的方法
CN108611010A (zh) * 2018-03-30 2018-10-02 东莞市澳中电子材料有限公司 一种易清除的双面uv保护胶带及其制备方法
CN113169132A (zh) * 2018-11-21 2021-07-23 三井金属矿业株式会社 半导体封装体的制造方法和其中使用的粘合片

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105226B2 (en) * 1998-08-26 2006-09-12 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
US6114015A (en) * 1998-10-13 2000-09-05 Matsushita Electronic Materials, Inc. Thin-laminate panels for capacitive printed-circuit boards and methods for making the same
US6783620B1 (en) * 1998-10-13 2004-08-31 Matsushita Electronic Materials, Inc. Thin-laminate panels for capacitive printed-circuit boards and methods for making the same
JP4275254B2 (ja) 1999-06-17 2009-06-10 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4137310B2 (ja) * 1999-09-06 2008-08-20 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4392732B2 (ja) 2000-02-07 2010-01-06 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4230080B2 (ja) 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
JP2002033296A (ja) * 2000-04-26 2002-01-31 Lintec Corp シリコンウエハ用の補強材および該補強材を用いたｉｃチップの製造方法
JP3768069B2 (ja) * 2000-05-16 2006-04-19 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの薄型化方法
JP2002075937A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法
JP2004510334A (ja) * 2000-09-27 2004-04-02 ストラスバウ チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法
DE10048881A1 (de) 2000-09-29 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers
JP4109823B2 (ja) * 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
DE10052293A1 (de) * 2000-10-20 2002-04-25 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren zum Aufbringen eines Substrats
JP2002164414A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Shinkawa Ltd 半導体ペレット処理方法及び装置
JP2002203822A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Lintec Corp 脆性部材の加工方法および両面粘着シート
DE10065686C2 (de) * 2000-12-29 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Handhabung eines dünnen Halbleiterwafers oder Substrats
JP2002270560A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Lintec Corp ウエハの加工方法
JP4482243B2 (ja) * 2001-03-13 2010-06-16 株式会社新川 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
US7282104B2 (en) * 2001-11-07 2007-10-16 Axalto Sa Method of fixing a sealing object to a base object
DE10157153A1 (de) * 2001-11-22 2003-09-04 Tesa Ag Verfahren zur Herstellung haftklebriger Stanzprodukte
JP2003218063A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Canon Inc ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法
JP3911174B2 (ja) * 2002-03-01 2007-05-09 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法および半導体素子
TWI226084B (en) * 2002-03-28 2005-01-01 Mitsui Chemicals Inc Adhesive film for protection of semiconductor wafer surface and method of protecting semiconductor wafer with the adhesive film
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
JP2004083633A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及び研磨テープ用接着テープ
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2004319045A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Lintec Corp 光ディスク製造用シートおよび光ディスク
JP4283596B2 (ja) * 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4646508B2 (ja) * 2003-10-01 2011-03-09 日東電工株式会社 両面接着テープ又はシートおよびその製造方法
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4833519B2 (ja) * 2004-03-31 2011-12-07 古河電気工業株式会社 両面粘着シート
US7015064B1 (en) 2004-04-23 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Marking wafers using pigmentation in a mounting tape
US7135385B1 (en) 2004-04-23 2006-11-14 National Semiconductor Corporation Semiconductor devices having a back surface protective coating
DE102004036794A1 (de) * 2004-07-29 2006-03-23 Konarka Technologies, Inc., Lowell Aufbereitung eines Substrats
US7101620B1 (en) 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
DE102004058456A1 (de) * 2004-12-03 2006-06-08 Disco Hi-Tec Europe Gmbh Verfahren zur Formkorrektur eines mit einer Schicht und/oder einer Klebefolie versehenen, dünngeschliffenen Wafers
TWI333672B (en) * 2005-03-29 2010-11-21 Furukawa Electric Co Ltd Wafer-dicing adhesive tape and method of producing chips using the same
JP4754278B2 (ja) * 2005-06-23 2011-08-24 リンテック株式会社 チップ体の製造方法
JP5404992B2 (ja) * 2006-03-20 2014-02-05 電気化学工業株式会社 仮固定用組成物、部材の仮固定方法とそれに用いる基材
DE102006025671B4 (de) * 2006-06-01 2011-12-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von dünnen integrierten Halbleitereinrichtungen
US8030138B1 (en) 2006-07-10 2011-10-04 National Semiconductor Corporation Methods and systems of packaging integrated circuits
CN101506948B (zh) * 2006-09-12 2012-12-12 日东电工株式会社 切割/芯片焊接膜
DE102007010710A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Q-Cells Ag Carriersystem und Verfahren zum Prozessieren einer Mehrzahl von Substraten, die am Carriersystem fixiert sind
US8282754B2 (en) 2007-04-05 2012-10-09 Avery Dennison Corporation Pressure sensitive shrink label
MY154794A (en) 2007-04-05 2015-07-31 Avery Dennison Corp Pressure sensitive shrink label
SG148884A1 (en) * 2007-06-15 2009-01-29 Micron Technology Inc Method and system for removing tape from substrates
US7749809B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
US8048781B2 (en) * 2008-01-24 2011-11-01 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
US20100015329A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts
JP2010263041A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Nitto Denko Corp ダイアタッチフィルム付きダイシングテープおよび半導体装置の製造方法
AU2011209848B2 (en) 2010-01-28 2016-01-28 Avery Dennison Corporation Label applicator belt system
DE102010043871A1 (de) * 2010-11-12 2012-05-16 Tesa Se Klebmasse und Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung
KR20120133890A (ko) * 2011-06-01 2012-12-11 동우 화인켐 주식회사 유리 접합용 접착제 조성물, 이를 이용한 유리 접합체 및 화상표시장치
WO2013031710A1 (ja) * 2011-08-31 2013-03-07 綜研化学株式会社 インプリントモールド固定用粘着シート、インプリント装置およびインプリント方法
JP2014011242A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Nitto Denko Corp Ｌｅｄの製造方法
JP2014011243A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Nitto Denko Corp Ｌｅｄの製造方法
CN104812859B (zh) * 2012-07-26 2018-03-02 3M创新有限公司 可热脱粘的粘合剂制品
KR101527184B1 (ko) * 2013-10-14 2015-06-09 도레이첨단소재 주식회사 전자 부품 공정용 양면 점착 백 테이프 및 이를 이용한 전자 부품의 분리방법
WO2015056303A1 (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 三菱電機株式会社 半導体素子の製造方法、ウエハマウント装置
WO2016014482A1 (en) 2014-07-22 2016-01-28 Blue Photon Technology & Workholding Systems L.L.C. Method and devices to minimize work-piece distortion due to adhering stresses and changes in internal stresses

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5714029A (en) 1984-03-12 1998-02-03 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Process for working a semiconductor wafer
JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60223139A (ja) 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
DE3639266A1 (de) * 1985-12-27 1987-07-02 Fsk K K Haftfolie
US4729971A (en) * 1987-03-31 1988-03-08 Microwave Semiconductor Corporation Semiconductor wafer dicing techniques
JP2601956B2 (ja) 1991-07-31 1997-04-23 リンテック株式会社 再剥離型粘着性ポリマー
GB2263195B (en) * 1992-01-08 1996-03-20 Murata Manufacturing Co Component supply method
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
JPH0762304A (ja) * 1993-08-31 1995-03-07 Sekisui Chem Co Ltd 粘着テープの製造方法
JP2984549B2 (ja) 1994-07-12 1999-11-29 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物およびその利用方法
DE19520238C2 (de) * 1995-06-02 1998-01-15 Beiersdorf Ag Selbstklebeband
JP3177149B2 (ja) * 1996-03-15 2001-06-18 リンテック株式会社 粘着テープ用基材、該基材を用いた粘着テープ、および該基材の製造方法
JP3388674B2 (ja) * 1996-04-19 2003-03-24 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧接着剤組成物およびその利用方法
JPH10150007A (ja) * 1996-11-18 1998-06-02 Toyo Chem Co Ltd 半導体ウエハ固定用シート
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100365791C (zh) * 2002-11-29 2008-01-30 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 用于加工晶圆的方法和设备及包括分离层和支持层的晶圆
CN1320634C (zh) * 2004-03-25 2007-06-06 Lg电线株式会社 带收缩性离型膜的切割膜及使用其的半导体组件制造方法
CN1977014B (zh) * 2004-04-30 2011-06-22 3M创新有限公司 成卷稳定的双面压敏粘合带组件
CN100452369C (zh) * 2005-03-18 2009-01-14 夏普株式会社 半导体器件及其制造方法
CN101740352B (zh) * 2008-11-26 2012-04-11 日东电工株式会社 切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺
CN103998549A (zh) * 2011-07-19 2014-08-20 3M创新有限公司 可热脱粘的粘合剂制品以及制备和使用此类制品的方法
CN103998549B (zh) * 2011-07-19 2016-10-12 3M创新有限公司 可热脱粘的粘合剂制品以及制备和使用此类制品的方法
CN103035483A (zh) * 2012-08-28 2013-04-10 上海华虹Nec电子有限公司 一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法
CN103035483B (zh) * 2012-08-28 2015-10-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法
CN108611010A (zh) * 2018-03-30 2018-10-02 东莞市澳中电子材料有限公司 一种易清除的双面uv保护胶带及其制备方法
CN113169132A (zh) * 2018-11-21 2021-07-23 三井金属矿业株式会社 半导体封装体的制造方法和其中使用的粘合片

Also Published As

Publication number Publication date
GB2340772A (en) 2000-03-01
CN1147555C (zh) 2004-04-28
DE19940390A1 (de) 2000-03-16
MY123333A (en) 2006-05-31
KR20000017531A (ko) 2000-03-25
US6398892B1 (en) 2002-06-04
GB9920154D0 (en) 1999-10-27
KR100655036B1 (ko) 2006-12-07
GB2340772B (en) 2002-08-14
HK1023786A1 (en) 2000-09-22
JP3784202B2 (ja) 2006-06-07
JP2000136362A (ja) 2000-05-16
SG82017A1 (en) 2001-07-24
TW513480B (en) 2002-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1147555C (zh) 双面涂覆的压敏粘合片及其使用方法
KR101250149B1 (ko) 피절단체로부터의 다이싱 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법
CN1168132C (zh) 用于生产半导体器件的方法
CN1145202C (zh) 用于晶片背磨的表面保护片及其使用方法
CN1219840C (zh) 可能量束固化的热剥离压敏粘结剂片材和使用该压敏粘结剂生产切割小片的方法
CN100337322C (zh) 切割芯片焊接薄膜及固定碎片工件的方法
CN1219841C (zh) 可能量束固化的热剥离压敏粘结剂片材和使用该压敏粘结剂生产切割小片的方法
CN1173000C (zh) 用于粘合晶片的压敏粘合剂片
CN101657890B (zh) 带粘接剂芯片的制造方法
CN1864248A (zh) 晶片加工带及其制造方法
CN1667839A (zh) 薄膜器件的供给体及其制造方法、转印方法
CN1912038A (zh) 粘合片及其制造方法、以及制品的加工方法
CN1906737A (zh) 晶片加工用带
CN1255522A (zh) 用于半导体晶片加工的压敏粘合片
US6939741B2 (en) IC chip manufacturing method
CN1254743A (zh) 压敏粘合片及其使用方法
CN1592953A (zh) 半导体芯片的制造方法
CN1679157A (zh) 半导体晶片的保护结构、半导体晶片的保护方法以及所用的层压保护片和半导体晶片的加工方法
CN1320075C (zh) 可热固化粘合剂组合物,制品,半导体器械和方法
KR101034438B1 (ko) 관통구조를 갖는 박막화 회로기판의 제조방법과 보호용점착테이프
CN1606144A (zh) 半导体加工用粘着片及半导体加工方法
JP2009130333A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3787526B2 (ja) Ｉｃチップの製造方法
JP3965055B2 (ja) Ｉｃチップの製造方法
JP2003301151A (ja) 両面粘着シートおよびその使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee