CN117412633A - 显示设备 - Google Patents

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柳济吉
崔元奎
崔廷毫
金武谦
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Abstract

提供了一种显示设备。所述显示设备包括：导电图案，包括顶表面、与顶表面相对的底表面以及将顶表面连接到底表面的侧表面；第一粘结层，在导电图案上；第一基底，在第一粘结层上；驱动电路，在第一基底之上，驱动电路包括至少一个晶体管；发光器件，被配置为通过驱动电路而被驱动；接触孔，形成在第一粘结层和第一基底中，以部分地暴露导电图案的顶表面；导电线，在第一基底之上，导电线通过接触孔将驱动电路电连接到导电图案；第二基底，在第一粘结层下面；以及第二粘结层，在第二基底与第一粘结层之间，其中，在平面图中，导电图案的至少一部分不与第二粘结层叠置。

Description

显示设备
本申请是于2018年2月28日提交到国家知识产权局的发明名称为“显示设备”的第201810165433.0号中国专利申请的分案申请。
技术领域
本公开总体涉及一种显示设备及制造该显示设备的方法，更具体地，涉及一种具有面积减小的外围区域的显示设备和制造该显示设备的方法。
背景技术
显示设备包括，例如，液晶显示器、有机发光显示器、等离子体显示器、场发射显示器、电泳显示器、电润湿显示器等。显示设备通常包括显示面板和控制显示面板的操作的控制器。用于驱动显示面板的控制器的一部分作为独立于显示面板的组件可以被包括，并且控制器的该部分可以连接到形成在显示面板上的焊盘。消费者也会需求边框小的显示设备。当边框增大时，显示图像的显示区域看起来相对小，与显示区域相比显示设备可能显得过大。
在本部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，因此，它可以包含不形成对于本领域普通技术人员而言已知的现有技术的信息。
发明内容
一些示例性实施例能够通过将外部电路端子连接到在显示设备的显示面板的背表面处被暴露的导电图案来提供一种具有面积最小化的(或者面积减小的)外围区域的显示设备。
一些示例性实施例能够通过将在显示设备的显示面板的背表面处被暴露的导电图案连接到外部电路端子来提供一种制造具有面积最小化的(或者面积减小的)外围区域的显示设备的方法。
将在下面的详细描述中阐述另外的方面，并且部分地，所述另外的方面将通过本公开而明显，或者可以通过本发明构思的实施而了解。
根据一些示例性实施例，显示设备包括显示区域和与显示区域相邻的外围区域。显示设备还包括第一柔性基底、驱动电路、导电图案、导电线、发光器件和支撑基底。第一柔性基底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面在外围区域中包括延伸到第一柔性基底中的空腔。驱动电路在第一表面上并且包括至少一个晶体管。导电图案在空腔中并且被空腔部分地暴露。导电线将导电图案电连接到驱动电路。发光器件在显示区域中并且被电连接到驱动电路。支撑基底在第二表面上。在与第二表面垂直的视图中，支撑基底与导电图案间隔开。
根据一些示例性实施例，一种制造包括显示区域和外围区域的显示设备的方法包括：在载体基底上形成第二柔性基底；在外围区域中在第二柔性基底上形成导电图案；在第二柔性基底上形成第一柔性基底；在第一柔性基底的第一表面上形成包括至少一个晶体管的驱动电路和将导电图案电连接到驱动电路的导电线；在显示区域中形成电连接到驱动电路的发光器件；通过去除载体基底以及第二柔性基底的至少一部分来暴露导电图案；在第一柔性基底的第二表面上形成支撑基底，使得导电图案被暴露，第二表面与第一表面相对。
前述的一般描述和以下详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图示出了发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思的原理。
图1是根据一些示例性实施例的显示设备的示意性平面图。
图2是根据一些示例性实施例的图1的显示设备的背表面的一部分的示意图。
图3是根据一些示例性实施例的沿着第一方向截取的图1的显示设备的局部剖视图。
图4是根据一些示例性实施例的沿着第二方向截取的图1的显示设备的局部剖视图。
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G、图5H、图5I、图5J和图5K是根据一些示例性实施例的图1的显示设备在不同制造阶段的剖视图。
图6是根据一些示例性实施例的显示设备的外围区域的示意性剖视图。
图7是根据一些示例性实施例的显示设备的外围区域的示意性剖视图。
图8是根据一些示例性实施例的显示设备的外围区域的示意性剖视图。
图9A、图9B和图9C是根据一些示例性实施例的图8的显示设备在不同制造阶段的剖视图。
图10A和图10B是根据一些示例性实施例的显示设备的外围区域的示意性剖视图。
图11A和图11B是根据一些示例性实施例的图10A的显示设备在不同制造阶段的剖视图。
图12A、图12B和图12C是根据一些示例性实施例的图10A的显示设备在不同制造阶段的剖视图。
图13是根据一些示例性实施例的显示设备的外围区域的示意性剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各个示例性实施例的彻底的理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者有一个或多个等效布置的情况下实施各个示例性实施例。在其它情况下，为了避免不必要地模糊各个示例性实施例，以框图形式示出公知的结构和器件。此外，各个示例性实施例可以不同，但不一定是独有的。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，示例性实施例的特殊的形状、结构和特性可以在另一个示例性实施例中实现。
除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供一些示例性实施例的不同的细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本公开的精神和范围的情况下，不同附图的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(以下单独地或统一地称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重排。
在附图中使用剖面线和/或阴影一般是为了提供相邻元件之间的清晰的边界。如此，除非详细说明，否则剖面线或阴影的存在或缺失均不表达或表示对元件的特殊材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或者要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可以被放大。当示例性实施例可以不同地实施时，可以采用不同于所描述的顺序来执行特定的工艺顺序。例如，可以几乎同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件被称作“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。然而，当元件被称作“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以相互垂直，或者可以表示相互不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个/种”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个/种”可以理解为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个/种或更多个/种的任意组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。
尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述不同元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用来将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。
为了描述的目的，在这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另一(其它)元件的关系。空间相对术语旨在包含设备在使用、操作和/或制造中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外清楚指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。此外，术语“包含”、“包括”、“含有”和/或“含”在本说明书中使用时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如这里使用，术语“基本上”、“大约”和其它类似的术语被用作近似的术语而不是作为程度的术语，照此它们被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。
这里参照作为理想示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述不同的示例性实施例。如此，将预期出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状变化。因此，这里公开的示例性实施例不应该被理解为受限于区域的具体示出的形状，而是包括例如由制造导致的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域在本质上是示意性的，并且这些区域的形状可以不示出装置的区域的实际形状，如此，不旨在限制性的。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非这里明确地如此定义，否则诸如在常用字典中定义的那些术语应该被解释为具有与其在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度形式化的意义进行解释。
图1是根据一些示例性实施例的显示设备的示意性平面图。图2是根据一些示例性实施例的图1的显示设备的背表面的一部分的示意图。图3是根据一些示例性实施例的沿着第一方向X截取的图1的显示设备的局部剖视图。图4是根据一些示例性实施例的沿着第二方向Y截取的图1的显示设备的局部剖视图。
参照图1至图4，显示设备1包括：第一柔性基底110，具有第一表面110S1和与第一表面110S1相对的第二表面110S2，第二表面110S2包括凹部110CC；驱动电路单元(或驱动电路)DC，设置在第一柔性基底110的第一表面110S1上且包括至少一个晶体管(例如，晶体管T1)；导电图案160，设置在包括在第二表面110S2中的凹部110CC中且被部分地暴露；导电线CL，将导电图案160电连接到驱动电路单元DC；发光器件OLED，由驱动电路单元DC驱动；以及支撑基底180，设置在第一柔性基底110的第二表面110S2上以不与导电图案160叠置。当“在第一柔性基底110的第一表面110S1上”被认定为“在第一柔性基底110上方”时，“在第一柔性基底110的第二表面110S2上”可以被解释为“在第一柔性基底110之下”。
显示设备1包括显示图像的显示区域DA和围绕显示区域DA的至少一部分的外围区域PA。在显示区域DA中，可以布置多个发光器件OLED。在外围区域PA中，可以布置焊盘和导电线CL，焊盘用于连接到面板的外部的驱动单元，导电线CL用于将电信号传输到驱动发光器件OLED的驱动电路单元DC。
根据一些示例性实施例，导电图案160可以布置在显示面板DP的背表面上，使得导电图案160的至少一部分被暴露到外部。导电图案160可以包括分别连接到用于驱动布置在显示区域DA上的多个像素的多条导电线CL的多个导电图案160。多个导电图案160可以包括连接到传输扫描信号的扫描线的导电图案、连接到传输数据信号的数据线的导电图案和连接到用于施加驱动电压的电压线的导电图案中的至少一个。显示面板DP的背表面表示与其上显示图像的表面相对的表面。
参照图3，第一柔性基底110布置在导电图案160上。由于导电图案160暴露在显示面板DP的背表面处，所以第一柔性基底110可以覆盖导电图案160，使得导电图案160的下表面160LS被暴露。换言之，第一柔性基底110可以覆盖导电图案160的上表面160US和侧表面，但是不能覆盖导电图案160的下表面160LS。根据一些示例性实施例，第一柔性基底110可以包括位于与第一表面110S1相对的第二表面110S2上的凹部110CC，导电图案160的至少一部分可以布置在凹部110CC中。因此，导电图案160的至少一部分可以被埋在第一柔性基底110中。
第一柔性基底110可以包括任何合适的材料。例如，第一柔性基底110可以包括聚合物树脂，例如，聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。根据一些示例性实施例，第一柔性基底110可以包括具有好的弯曲特性的PI，并且可以具有几微米(μm)到几十微米(μm)的厚度。
包括至少一个晶体管T1的驱动电路单元DC可以设置在第一柔性基底110的第一表面110S1上，晶体管T1可以包括包含例如非晶硅、多晶硅、有机半导体材料等的有源层142以及与有源层142绝缘的栅电极144。根据一些示例性实施例，晶体管T1还可以包括源电极146S和漏电极146D。源电极146S和漏电极146D可以分别通过接触孔C1和接触孔C2电连接到有源层142。
为了确保有源层142和栅电极144之间绝缘，栅极绝缘层133可以在有源层142和栅电极144之间。栅极绝缘层133可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料。层间绝缘层135可以在栅电极144上并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料，源电极146S和漏电极146D可以在层间绝缘层135上。
除了晶体管T1之外，驱动电路单元DC还可以包括执行开关功能的晶体管T2、多个晶体管和执行各种其它功能的至少一个电容器。驱动电路单元DC可以电连接到发光器件OLED以驱动发光器件OLED。
缓冲层131可以在晶体管T1和第一柔性基底110之间，并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料。缓冲层131可以增大第一柔性基底110的上表面的平滑度和/或防止、最小化或减少杂质从第一柔性基底110等渗透到晶体管T1的有源层142中。
平坦化层137可以设置在晶体管T1上。例如，当如图3中所示有机发光器件设置在晶体管T1上方时，平坦化层137可以使包括晶体管T1的驱动电路单元DC的上表面平坦化。平坦化层137可以由诸如亚克力、PI、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料形成。尽管在图3中缓冲层131、栅极绝缘层133、层间绝缘层135和平坦化层137是单层，但是它们可以是多层。
导电线CL可以设置在第一柔性基底110的第一表面110S1上。导电线CL电连接到驱动电路单元DC和导电图案160，以将驱动电路单元DC电连接到导电图案160。驱动电路单元DC可以包括多个晶体管、电容器和连接它们的连接线，因此，导电线CL可以是将扫描信号、数据信号或者电压施加到驱动电路单元DC的线。如图4中所示，导电线CL可以包括相互分离(或间隔开)的多条导电线CL，导电图案160可以包括分别连接到多条导电线CL并且相互分离的多个导电图案160。
多条导电线CL可以是扫描线、数据线和驱动电压线中的一种，或者可以是扫描线、数据线和驱动电压线的组合。多条导电线CL可以布置在同一层上或者在不同层上。多条导电线CL相互绝缘。尽管图4中未示出，但多条导电线CL可以与包括在连接器171中的端子对准并且采用导电粘合剂177连接到所述端子。图4没有示出导电粘合剂177、连接器171、柔性印刷电路板(PCB)173和保护层179，因此，仅示出了布置在外围区域PA中的一些组件。
根据一些示例性实施例，导电线CL可以设置在其上设置有晶体管T1的源电极146S和漏电极146D的同一层上，并且可以包括与用于形成源电极146S和漏电极146D的材料相同的材料。例如，导电线CL可以是传输数据信号的数据线，并且可以包括包含钛(Ti)的第一层、包含铝(Al)的第二层和包含Ti的第三层。然而，实施例不限于此或由此限制，导电线CL可以以单层或多层结构由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种形成。然而，实施例不限于此或由此限制，导电线CL可以布置在其上布置有栅电极144的同一层上，并且可以包括与用于形成栅电极144的材料相同的材料。例如，栅电极144和导电线CL可以由Mo形成。
尽管在图1至图4中没有示出，但是导电线CL可以从显示区域DA延伸到外围区域PA，并且导电线CL的至少一部分可以在平面图(例如，当在与第一柔性基底110的第一表面110S1垂直的方向上观察时)中与导电图案160叠置。
第一柔性基底110的至少一部分和绝缘结构IS可以布置在导电线CL和导电图案160之间，导电线CL和导电图案160可以通过在绝缘结构IS和第一柔性基底110中形成的接触孔CH相互电连接。尽管在图3中绝缘结构IS被示出为包括缓冲层131、栅极绝缘层133和层间绝缘层135，但是实施例不限于此或由此限制。绝缘结构IS可以指包括缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层和附加绝缘层中的至少一个的层。换言之，除了图3之外的附图中示出的绝缘结构不限于包括缓冲层131、栅极绝缘层133和层间绝缘层135的结构。
发光器件OLED可以在层间绝缘层135上方设置在显示区域DA中。尽管发光器件OLED在图3中是有机发光器件，但是实施例不限于此或由此限制，发光器件OLED的位置也不限于在层间绝缘层135上方。
发光器件OLED包括像素电极151、对电极155和包括发射层的中间层153。像素电极151通过在平坦化层137中形成的孔与源电极146S和漏电极146D中的一个接触，并且电连接到晶体管T1。
像素限定层139可以设置在平坦化层137上。像素限定层139通过包括通过其暴露像素电极151的至少中心部分的孔来限定像素。像素限定层139通过增大像素电极151的边缘和设置在像素电极151上方的对电极155之间的距离来防止在像素电极151的边缘上发生电弧。像素限定层139可以由例如PI或者HMDSO的有机材料形成。
像素电极151可以是包括反射层的反射电极。例如，反射层可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)和铬(Cr)中的至少一种。透明电极层或半透明电极层还可以形成在反射层上，并且可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种形成。根据一些示例性实施例，像素电极151可以包括ITO/Ag/ITO的三层。
发光器件OLED的中间层153包括有机发射层，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。然而，实施例不限于此或由此限制，中间层153还可以包括各种其它功能层。换言之，中间层153不限于上述结构，并且可以具有各种其它结构中的任意结构。中间层153可以包括覆盖多个像素电极151的单层，或者可以包括各个对应于多个像素电极151的图案化的层。
为了发射白光，有机发射层可以具有其中堆叠有红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层的多层结构，或者具有包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料的单层结构。具有这样的有机发射层的有机发光器件还可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，从而发出全彩色。
对电极155可以是透明(或半透明)电极。例如，对电极155可以包括Ag、Al、Mg、Li、Ca、Cu、LiF/Ca、LiF/Al、MgAg和CaAg中的至少一种，并且可以由具有几纳米(nm)至几十纳米(nm)的厚度的薄膜形成。根据一些示例性实施例，发光器件OLED可以为朝向显示面板DP的前表面(即，在第三方向Z上)发射光的顶部发射型。
封装层(未示出)可以布置在发光器件OLED上以覆盖发光器件OLED。封装层可以保护发光器件OLED免受外部的湿气、氧和/或其它污染物的影响。
支撑基底180可以设置在第一柔性基底110的第二表面110S2上。这里，“在第二表面110S2上”表示与其上设置有第一柔性基底110的发光器件OLED的侧面相对的侧面。支撑基底180可以具有比第一柔性基底110高的刚度，并且可以包括诸如PES、PAR、PEI、PEN、PET、PPS、聚烯丙基化物、PI、PC或CAP的聚合物树脂。根据一些示例性实施例，支撑基底180可以包括PEN或者PET，并且可以具有比包括PI的第一柔性基底110厚的厚度。
粘结层181可以设置在支撑基底180和第一柔性基底110之间。如稍后将描述的，支撑基底180是在驱动电路单元DC和发光器件OLED形成在第一柔性基底110上之后形成在第一柔性基底110的第二表面110S2上的组件。例如，可以使用粘结层181将支撑基底180附着到第一柔性基底110的第二表面110S2。
支撑基底180不设置在设置有导电图案160的区域中。换言之，支撑基底180可以设置成使导电图案160被暴露。换言之，支撑基底180和导电图案160可以被布置成在平面图中彼此不叠置。
其下表面160LS在显示面板DP的背表面处(即，在第一柔性基底110处)暴露的导电图案160电连接到柔性PCB 173，以将主电路单元(或主电路)174电连接到导电图案160。根据一些示例性实施例，导电图案160和柔性PCB 173可以通过连接器171相互电连接，导电粘合剂177可以设置在连接器171和导电图案160之间。电子芯片175可以设置在柔性PCB 173上。
然而，在图3中示出的用于将导电图案160连接到主电路单元174的结构仅仅是示例，实施例不限于此或由此限制。例如，根据另一示例性实施例，电子芯片175可以设置在导电图案160上，电子芯片175和主电路单元174可以通过柔性PCB 173相互电连接。可以使用连接器等而不是导电粘合剂177作为连接方式。
根据一些示例性实施例，用于保护暴露的金属等的保护层179可以设置在导电图案160以及柔性PCB 173的至少一部分上。保护层179可以是包括硅等的无机绝缘层。如图2中所示，保护层179可被设置为覆盖柔性PCB 173的边缘的至少一部分。
参照图3，保护层179和电子芯片175设置在柔性PCB 173的外部，例如，在柔性PCB173下方。在这种情况下，电子芯片175的下表面175S可以这样被设置：从下表面175S到第一柔性基底110的第二表面110S2的距离小于从保护层179的下表面179S到第二表面110S2的距离。通过这样做，保护层179用作保护电子芯片175免受外部冲击的缓冲器。电子芯片175的下表面175S可以比保护层179的下表面179S靠近第一柔性基底110的第二表面110S2的距离可以是确定的高度Δh。换言之，保护层179的下表面179S和第一柔性基底110的第二表面110S2之间的距离h1可以大于电子芯片175的下表面175S和第一柔性基底110的第二表面110S2之间的距离h2。作为基体位置的第一柔性基底110的第二表面110S2表示第二表面110S2的除了其上设置有凹部110CC的部分之外的部分。
参照图3，第一柔性基底110的除了包括凹部110CC的部分之外的部分可以具有第一厚度t1，导电图案160可以具有第二厚度t2，第二厚度t2可以具有大约700nm或者更小的值，但是大于0nm。第一柔性基底110的在导电图案160上方的部分具有第三厚度t3。尽管在图3中第三厚度t3与第一厚度t1和第二厚度t2之差基本相同，但实施例不限于此或由此限制。换言之，第三厚度t3可以根据导电图案160埋在第一柔性基底110中的程度和第一柔性基底110的上表面的弯曲形状而变化。
根据一些示例性实施例，第一柔性基底110可以包括光敏有机材料。在这种情况下，不管第三厚度t3的值如何，可以采用光刻等在第一柔性基底110中容易地形成与用于将导电线CL连接到导电图案160的接触孔CH对应的孔。通过与接触孔CH对应的孔，导电图案160可以被部分暴露。然而，根据另一实施例，第一柔性基底110可以包括除了光敏有机材料之外的有机材料。在这种情况下，第三厚度t3可以具有比第一厚度t1相对小的值，例如，几纳米到几百纳米的值。
通过将第三厚度t3设置为相对小，使用例如等离子体处理和灰化完全去除第一柔性基底110的与接触孔CH对应的部分，因此，与接触孔CH对应的孔可以形成在第一柔性基底110中。用于形成第一柔性基底110的有机材料(例如，PI)的粘度可以是20000厘泊(cP)或更小，但是大于0cP，因此第三厚度t3的值小。换言之，覆盖导电图案160的第一柔性基底110可以采用具有低粘度的有机材料形成，使得第一柔性基底110的位于导电图案160上方的部分的第三厚度t3具有相对小的值。根据一些示例性实施例，第一柔性基底110的位于导电图案160上方的部分的第三厚度t3可以是导电图案160的第二厚度t2的大约四分之一，并且可以具有大约150nm或者更小的值，但大于0nm。以这种方式，第一柔性基底110的位于导电图案160上的部分可以利用等离子体处理和灰化容易地被去除；然而，示例性实施例不限于此或由此限制。在另一实施例中，第三厚度t3可以为0，这将在后面进行描述。
根据一些示例性实施例，显示设备1包括暴露在显示面板DP的背表面的导电图案160，并将柔性PCB 173连接到导电图案160。因此，显示设备1的外围区域PA的面积可以被最小化或者至少被减小。
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G、图5H、图5I、图5J和图5K是根据一些示例性实施例的图1的显示设备在不同制造阶段的剖视图。因此，将结合图3和图5A至图5K来描述显示设备1的制造工艺。
参照图5A，在包括玻璃等的载体基底100上形成第二柔性基底120，然后在第二柔性基底120上形成导电图案160。第二柔性基底120可以包括与用于形成第一柔性基底110的材料相同的材料。例如，第二柔性基底120可以包括PI，并且可以具有大约0.1μm或者更小的厚度t120。通过将第二柔性基底120形成为具有大约0.1μm或者更小的厚度t120，当去除载体基底100时，第二柔性基底120也会被去除。这将在后面进行描述。
参照图3和图5B，在第二柔性基底120上形成第一柔性基底110以覆盖导电图案160。第一柔性基底110可以包括PI。第一柔性基底110可以具有可以为几到几十μm的第一厚度t1。换言之，第一柔性基底110的第一厚度t1可以比第二柔性基底120的厚度t120大。可以通过导电图案160在第一柔性基底110的第二表面110S2中形成凹部110CC。换言之，导电图案160的至少一部分可以被埋在第一柔性基底110的凹部110CC中。在这种情况下，导电图案160可以具有第二厚度t2，第一柔性基底110的对应于凹部110CC的部分可以具有第三厚度t3。
参照图5C，可以在第一柔性基底110上形成缓冲层131和晶体管T1的有源层142。缓冲层131可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料，并且可以为单层或多层结构。有源层142可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物。
参照图5D，可以在缓冲层131上形成栅极绝缘层133以覆盖有源层142，可以在栅极绝缘层133上形成栅电极144。在形成栅电极144之后，可以在栅极绝缘层133上形成层间绝缘层135以覆盖栅电极144。栅极绝缘层133和层间绝缘层135可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料，并且可以为单层或多层结构。栅电极144可以是由Mo形成的单层，但实施例不限于此或由此限制。
参照图5E，可以在栅极绝缘层133和层间绝缘层135中形成分别用于将源电极146S和漏电极146D连接到有源层142的接触孔C1和接触孔C2。同时，可以在位于导电图案160上方的缓冲层131、栅极绝缘层133和层间绝缘层135的一部分中分别形成用于形成接触孔CH的孔；然而，示例性实施例不限于此或由此限制。例如，用于形成接触孔CH的孔可以在一个工艺或者多个单独的工艺中形成。然而，注意的是，由于缓冲层131、栅极绝缘层133和层间绝缘层135中的每个可以包括无机材料，所以可以采用单一光刻工艺在缓冲层131、栅极绝缘层133和层间绝缘层135中同时形成接触孔C1和接触孔C2以及所述孔。
参照图5F，可以在第一柔性基底110中形成穿过其暴露导电图案160的上表面的一部分的孔。当第一柔性基底110是光敏有机材料时，可以采用光刻在第一柔性基底110中形成孔。因此，分别形成在缓冲层131、栅极绝缘层133、层间绝缘层135和第一柔性基底110中并且在平面图中互相叠置的孔被结合以形成用于将导电线CL连接到导电图案160的接触孔CH。
当第一柔性基底110为除了光敏有机材料之外的有机材料时，第一柔性基底110的与凹部110CC对应的区域的第三厚度t3可以具有相对小的值，例如，大约150nm或者更小的值。通过将第三厚度t3设置为相对小，可以采用等离子体处理和灰化来容易地去除第一柔性基底110的通过分别形成在缓冲层131、栅极绝缘层133、层间绝缘层135中的孔暴露的部分。
参照图5G，可以在层间绝缘层135上形成晶体管T1的源电极146S和漏电极146D以及导电线CL。导电线CL可以是传输数据信号的数据线，并且可以包括包含Ti的第一层、包含Al的第二层和包含Ti的第三层。然而，实施例不限于此或由此限制，导电线CL可以由各种材料中的任意材料以单层或者多层结构形成。导电线CL可以采用与用于形成栅电极144的工艺相同的工艺而不采用与用于形成源电极146S和漏电极146D的工艺相同的工艺形成，导电线CL可以是传输各种信号的线，诸如，扫描线、驱动电压线等，从而不是数据线。
参照图5H，可以在层间绝缘层135上形成平坦化层137以覆盖包括例如晶体管T1和晶体管T2的驱动电路单元DC。可以在显示区域DA中的平坦化层137上形成像素电极151，然后形成包括用于暴露像素电极151的中心部分的孔的像素限定层139。可以在通过像素限定层139中的孔暴露的像素电极151上形成包括发射层的中间层153，然后形成对电极155。以这种方式，发光器件OLED可以形成在显示区域DA中。
参照图5I和图5J，可以从载体基底100下面朝向载体基底100辐射激光，从而将载体基底100和第二柔性基底120从第一柔性基底110去除。正如结合图5A所提到的，第二柔性基底120可以具有大约0.1μm或者更小的厚度t120，第二柔性基底120可以在载体基底100被去除时被去除。换言之，第二柔性基底120的特性可以通过激光辐射而发生变化，照此，第二柔性基底120和第一柔性基底110之间的粘合性会被破坏。这样，第二柔性基底120可以用作与载体基底100同时去除的牺牲层；然而，示例性实施例不限于此或由此限制。也就是说，第二柔性基底120可以从载体基底100单独去除。尽管如此，通过去除载体基底100和第二柔性基底120，导电图案160可以通过显示面板DP的背表面被暴露，如图5J中所示。
参照图5K，可以采用粘结层181在第一柔性基底110的第二表面110S2上形成支撑基底180。支撑基底180不形成在第一柔性基底110的设置有导电图案160的部分上。因此，导电图案160可以不被支撑基底180覆盖，并且可以暴露在显示面板DP的背表面处。
返回参照图3，连接器171和柔性PCB 173可以采用导电粘合剂177连接到暴露的导电图案160。可以形成保护层179以保护连接器171、导电粘合剂177以及柔性PCB 173的至少一部分。此外，可以在柔性PCB 173上形成电子芯片175，可以在支撑基底180上形成主电路174。主电路174可以通过柔性PCB 173连接到电子芯片175。
在下文中，将根据一些实施例来描述仅示出显示设备的外围区域PA的一些结构的不同附图。诸如显示区域DA(参见如图3)和结合到显示面板DP(参见如图3)的外部电路端子的其它结构可以与结合图3所描述的结构相同，或者可以是基于已知技术从结合图3所描述的结构修改的结构。
图6和图7是根据各种示例性实施例的显示设备的外围区域的示意性剖视图。
参照图6，显示设备2包括包含位于第二表面110S2上的凹部110CC的第一柔性基底110，导电图案160设置在凹部110CC中。换言之，导电图案160的至少一部分可以被埋在第一柔性基底110中。粘结层161可以设置在导电图案160和第一柔性基底110之间。粘结层161可以防止导电图案160容易地从第一柔性基底110分离。以这种方式，粘结层161可以覆盖导电图案160的侧表面和上表面，以防止导电图案160容易地从第一柔性基底110分离。换言之，导电图案160与粘结层161之间的结合性以及粘结层161与第一柔性基底110之间的结合性可以比导电图案160与第一柔性基底110之间的结合性大。粘结层161可以包括满足这种条件的材料。
根据一些示例性实施例，粘结层161可以包括能够与金属和包括有机材料的第一柔性基底110强烈结合的无机绝缘材料。例如，无机绝缘材料可以是SiNx、A-Si:H等。根据一些示例性实施例，粘结层161可以包括诸如六甲基二硅氮烷(HMDS)、HMDSO等的有机材料。
参照图7，粘结层161'可以设置为不仅覆盖导电图案160的上表面和侧表面，而且覆盖第一柔性基底110的第二表面110S2的整个区域(或者其的某部分)。在这种情况下，粘结层161'也可以设置在支撑基底180和第一柔性基底110之间。
参照图6和图7，第一柔性基底110设置在粘结层161或161'上，绝缘结构IS设置在第一柔性基底110的第一表面110S1上，导电线CL设置在绝缘结构IS上。导电线CL可以通过在绝缘结构IS、第一柔性基底110和粘结层161或161'中形成的接触孔CH连接到导电图案160。显示设备2和显示设备3的制造方法与结合图5A至图5K描述的方法基本上相同或相似，并且还可以包括在结合图5B描述的操作之前形成粘结层161或161'的操作。换言之，粘结层161或161'可以形成在第二柔性基底120(参见如图5A)上，以覆盖导电图案160，然后可以形成第一柔性基底110。
在结合图5J描述的工艺中，载体基底100和第二柔性基底120被去除，粘结层161或161'可以防止与第二柔性基底120在一起的导电图案160由于导电图案160和第一柔性基底110之间的结合性弱而从第一柔性基底110分离。在载体基底100和第二柔性基底120被去除之后，支撑基底180可以形成在第一柔性基底110的第二表面110S2上，粘结层181可以设置在第一柔性基底110和支撑基底180之间。根据在第一柔性基底110上形成支撑基底180的方法，可以省略粘结层181。
图8是根据一些示例性实施例的显示设备的外围区域的示意性剖视图。图9A、图9B和图9C是根据一些示例性实施例的图8的显示设备在不同制造阶段的剖视图。
参照图8，显示设备4包括包含位于第二表面110S2上的凹部110CC的第一柔性基底110，导电图案160设置在凹部110CC中。第二柔性基底120设置在第一柔性基底110的第二表面110S2上。第二柔性基底120可以包括与用于形成第一柔性基底110的材料相同的材料。例如，第一柔性基底110和第二柔性基底120可以包括PI。第二柔性基底120的厚度t120可以小于第一柔性基底110的第一厚度t1，第二柔性基底120可以不布置在第一柔性基底110的设置有导电图案160的部分上。换言之，第二柔性基底120可以设置在第一柔性基底110的第二表面110S2上，使得导电图案160被暴露。
支撑基底180可以设置在第二柔性基底120的下表面上，粘结层181可以设置在第二柔性基底120和支撑基底180之间。支撑基底180可以包括具有比第一柔性基底110和第二柔性基底120的刚度大的刚度的材料。支撑基底180的厚度可以比第二柔性基底120的厚度t120大。支撑基底180可以不设置在设置有导电图案160的区域上，并且可以设置成使第二柔性基底120的至少一部分被暴露。
参照图9A，在图8的显示设备4的制造方法中，在结合图5A至图5H顺序地描述的工艺之后，可以从载体基底100下面朝向载体基底100辐射激光。在图9A中还没有去除的第二柔性基底120'可以具有比图5A的第二柔性基底120大的厚度。
参照图9B，载体基底100以及第二柔性基底120'的一部分可以被去除。此时，仅第二柔性基底120'的一部分120”可以与载体基底100一起被去除。换言之，第二柔性基底120保留在第一柔性基底110的第二表面110S2上。
参照图9C，在第一柔性基底110的第二表面110S2上的第二柔性基底120的位于导电图案160下方的区域可以被去除，使得导电图案160被暴露。第二柔性基底120可以采用光刻或者采用机械方法被去除。返回参照图8，支撑基底180可以采用粘结层181形成在第二柔性基底120的下表面上。
图10A和图10B是根据一些示例性实施例的显示设备的外围区域的示意性剖视图。图11A和图11B是根据一些示例性实施例的图10A的显示设备在不同制造阶段的剖视图。
参照图10A，显示设备5包括具有第一表面110S1'和与第一表面110S1'相对的第二表面110S2的第一柔性基底110'，第二表面110S2包括孔110H。图3的驱动电路单元DC可以设置在第一柔性基底110'的第一表面110S1'上，并且可以包括诸如图3的至少一个晶体管T1。显示设备5还可以包括：导电图案160，设置在包括在第二表面110S2中的孔110H中并部分地被暴露；导电线CL，将导电图案160电连接到驱动电路单元DC；图3的发光器件OLED，由驱动电路单元DC驱动；以及支撑基底180，设置在第一柔性基底110'的第二表面110S2上以不与导电图案160叠置。
图10A的显示设备5的其它结构与图3的显示设备1的那些结构基本相同。换言之，图10A的显示设备5与图3的显示设备1的不同之处仅在于：第一柔性基底110'包括孔110H而不是凹部110CC，导电图案160被设置在孔110H中。
认识到，由于导电图案160包括金属并且第一柔性基底110'包括诸如PI的有机材料，所以在导电图案160和第一柔性基底110'之间会产生气泡。换言之，由于导电图案160和第一柔性基底110'之间的结合性弱，导电图案160会从第一柔性基底110'容易地分离。然而，当第一柔性基底110'没有设置在导电图案160的上表面上，而是包括包含无机材料的图3的缓冲层131的绝缘结构IS直接设置在其上时，由于导电图案160与绝缘结构IS之间的结合性强，所以导电图案160可以不从图3的显示面板DP分离。
参照图10B，第一柔性基底110'可以包括多个孔110H，多个导电图案160分别设置在多个孔110H中，导电图案160的上表面可以直接接触绝缘结构IS。以这种方式，可以容易地形成用于将设置在绝缘结构IS上的导电线CL连接到导电图案160的接触孔CH。这样，可以采用单个光刻工艺在绝缘结构IS中形成接触孔CH，导电线CL可以形成在绝缘结构IS上。因此，导电图案160和导电线CL可以相互连接。
参照图11A，可以在载体基底100上形成第二柔性基底120和导电图案160，然后可以在第二柔性基底120上沉积用于形成第一柔性基底110'的有机材料110”。有机材料110”可以覆盖导电图案160的上表面和侧表面，有机材料110”在导电图案160上的部分可以具有相对小的厚度t。例如，厚度t可以为大约150nm或者更小。在形成有机材料110”之后，有机材料110”可以进行等离子体处理。有机材料110”可具有约20000cp或者更小的粘度，使得有机材料110”在导电图案160上的部分形成具有小的厚度t。
参照图11B，在对有机材料110”进行等离子体处理之后，执行灰化以去除有机材料110”的沉积在导电图案160上的部分，从而形成第一柔性基底110'。第一柔性基底110'可以包括与设置有导电图案160的部分对应的孔110H。
图12A、图12B和图12C是根据一些示例性实施例的图10A的显示设备在不同制造阶段的剖视图。
参照图12A和图12B，可以在载体基底100上形成第二柔性基底120和导电图案160，然后可以对导电图案160进行疏水处理。采用疏水处理，导电图案160的至少上表面160US可以被构造成获得疏水的特性。换言之，导电图案160的上表面160US被制成疏水的。
参照图12C，可以在第二柔性基底120上形成第一柔性基底110'。第一柔性基底110'可以由具有低粘度的材料形成，并且可以不形成在经历了疏水处理的导电图案160的上表面160US上。换言之，第一柔性基底110'可以包括与设置有导电图案160的区域对应的孔110H。
返回参照图10A，可以在第一柔性基底110'上形成绝缘结构IS，可以在绝缘结构IS中形成接触孔CH。然后可以在绝缘结构IS上形成导电线CL。可以去除载体基底100和第二柔性基底120。然后，可以在第一柔性基底110的第二表面110S2上形成支撑基底180。
图13是根据一些示例性实施例的显示设备的外围区域的示意性剖视图。
参照图13，显示设备6包括包含位于第二表面110S2上的孔110H的第一柔性基底110'，导电图案160设置在孔110H中。第二柔性基底120设置在第一柔性基底110'的第二表面110S2上。第二柔性基底120可以包括与用于形成第一柔性基底110'的材料相同的材料。例如，第一柔性基底110和第二柔性基底120可以包括PI。第二柔性基底120可以不设置在设置有导电图案160的区域上。换言之，第二柔性基底120可以设置在第一柔性基底110'的第二表面110S2上，使得导电图案160被暴露。
可以在第二柔性基底120的下表面上设置支撑基底180，可以在第二柔性基底120和支撑基底180之间设置粘结层181。支撑基底180可以包括具有比第一柔性基底110和第二柔性基底120大的刚度的材料。支撑基底180可以不设置在设置有导电图案160的部分上，并且可以设置成使得第二柔性基底120的至少一部分被暴露。
参照图3，柔性PCB 173等可以连接到图13的暴露的导电图案160，因此，可以将导电图案160电连接到用于控制显示设备6的主电路单元174。
根据不同的示例性实施例，显示设备可以包括暴露在显示面板DP的背表面的导电图案160，以将柔性PCB 173等连接到导电图案160。以这种方式，显示设备的外围区域PA的面积可以被最小化或者至少被减小。此外，根据制造显示设备的各种方法，导电图案160可以不容易从显示面板DP分离，并且用于将导电线CL连接到导电图案160的接触孔CH可以容易地形成。
虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是通过该描述，其它实施例和修改将是显而易见的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所给出的权利要求以及各种明显的修改和等同布置的更宽的范围。

Claims (12)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
导电图案，包括顶表面、与所述顶表面相对的底表面以及将所述顶表面连接到所述底表面的侧表面；
第一粘结层，在所述导电图案上；
第一基底，在所述第一粘结层上；
驱动电路，在所述第一基底之上，所述驱动电路包括至少一个晶体管；
发光器件，被配置为通过所述驱动电路而被驱动；
接触孔，形成在所述第一粘结层和所述第一基底中，以部分地暴露所述导电图案的所述顶表面；
导电线，在所述第一基底之上，所述导电线通过所述接触孔将所述驱动电路电连接到所述导电图案；
第二基底，在所述第一粘结层下面；以及
第二粘结层，在所述第二基底与所述第一粘结层之间，
其中，在平面图中，所述导电图案的至少一部分不与所述第二粘结层叠置。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中，所述导电图案的所述至少一部分不与所述第二基底叠置。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述导电图案的所述底表面的一部分在所述第一粘结层和所述第二粘结层不叠置的区域中被所述第二基底暴露。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第二粘结层暴露所述导电图案的所述底表面的所述一部分。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一粘结层覆盖所述导电图案的所述顶表面和所述侧表面。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一粘结层从所述导电图案的所述侧表面延伸，并且直接接触所述第二粘结层的顶表面。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一基底包括聚酰亚胺。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二基底包括聚酰亚胺。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一粘结层包括硅。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中，所述导电线的至少一部分与所述导电图案叠置。
11.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
连接器，在所述导电图案下面；以及
导电粘合剂，在所述导电图案与所述连接器之间。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
柔性印刷电路板，连接到所述连接器，
其中，所述柔性印刷电路板的一部分与所述第二基底叠置。
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