CN108735783A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置，所述显示装置包括显示面板和设置在显示面板上的输入感测单元。显示面板包括基体层、第一信号线、发光元件、第一封装无机层和信号垫。第一信号线与显示区域和非显示区域叠置，并连接到设置在显示区域中的晶体管。第一封装无机层设置在发光元件的第二电极上，并与显示区域和非显示区域叠置。信号垫电连接到第一信号线，并设置在非显示区域中。信号垫通过由第一封装无机层所限定的第一接触孔连接到第一信号线。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。更具体地，本发明的示例性实施例涉及一种能够减少由湿气导致的缺陷的显示装置以及一种制造该显示装置的方法。
背景技术
已经开发了应用于诸如电视机、移动电话、平板电脑、导航单元、游戏单元等多媒体装置的各种显示装置。作为显示装置的输入装置，广泛使用键盘或鼠标。另外，近来，在显示装置中使用触摸面板作为输入装置。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种能够减少由湿气导致的缺陷的显示装置。
本发明的示例性实施例提供了一种制造包括设置在显示面板上的输入感测单元的显示装置的方法。
本发明的示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，包括显示区域和非显示区域；以及输入感测单元，设置在显示面板上。显示面板包括：基体层；第一信号线，与显示区域和非显示区域叠置并连接到设置在显示区域中的晶体管；发光元件；第一封装无机层，设置在发光元件上并与显示区域和非显示区域叠置；以及信号垫，电连接到第一信号线并设置在非显示区域中。发光元件包括第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光层。信号垫通过由第一封装无机层所限定的第一接触孔连接到第一信号线。
在示例性实施例中，输入感测单元直接设置在显示面板上。输入感测单元包括：感测电极；第二信号线，连接到感测电极；以及至少一个绝缘层，与显示区域和非显示区域叠置。
在示例性实施例中，显示面板还包括设置在非显示区域中的虚设垫。第 二信号线包括与显示区域和非显示区域叠置的线部分以及连接到线部分并与虚设垫叠置的垫部分。所述至少一个绝缘层设置在虚设垫与第二信号线的垫部分之间。
在示例性实施例中，第二信号线的垫部分通过由第一封装无机层和所述至少一个绝缘层所限定的第二接触孔连接到虚设垫。
在示例性实施例中，虚设垫与第一信号线设置在同一层中。
在示例性实施例中，所述至少一个绝缘层设置在信号垫与第一信号线之间，第一接触孔进一步穿透所述至少一个绝缘层。
在示例性实施例中，信号垫与第二信号线设置在同一层中。
在示例性实施例中，感测电极包括第一感测电极和与第一感测电极交叉的第二感测电极。
在示例性实施例中，第一感测电极和第二感测电极中的每个包括传感器部分和连接部分，连接部分中的每个连接彼此相邻的传感器部分。
在示例性实施例中，第一感测电极的连接部分通过由所述至少一个绝缘层所限定的第二接触孔连接到第一感测电极的相邻的传感器部分。
在示例性实施例中，显示面板还包括设置在非显示区域中的虚设垫。第二信号线包括与显示区域和非显示区域叠置的线部分以及连接到线部分并与虚设垫叠置的垫部分。第二信号线的垫部分通过由第一封装无机层所限定的第二接触孔连接到虚设垫，并且所述至少一个绝缘层不与第二信号线的垫部分叠置。
在示例性实施例中，感测电极具有网格形状。
在示例性实施例中，显示装置还包括抗反射单元以降低外部光的反射率。抗反射单元设置在第一封装无机层上。
在示例性实施例中，感测电极包括第一感测电极和与第一感测电极交叉的第二感测电极，所述至少一个绝缘层设置在第一感测电极与第二感测电极之间。
在示例性实施例中，输入感测单元还包括与感测电极叠置的虚设电极。
在示例性实施例中，感测电极包括第一感测电极和分别对应于第一感测电极的第二感测电极，第二感测电极中的每个包括与第一感测电极设置在同一层中并设置为彼此分隔开的多个传感器部分。
在示例性实施例中，第二信号线包括第一线部分和第二线部分，第一线 部分与第一感测电极设置在同一层中并连接到第一感测电极和传感器部分，第二线部分与第一感测电极设置在不同的层上并通过由所述至少一个绝缘层所限定的第二接触孔连接到第一线部分之中与传感器部分连接的一些第一线部分。
在示例性实施例中，感测电极与第二信号线设置在同一层中，至少一个绝缘层直接覆盖感测电极和第二信号线。
在示例性实施例中，第一封装无机层完全设置在基体层上。
在示例性实施例中，显示面板还包括：第二封装无机层，设置在第一封装无机层上；以及封装有机层，与显示区域叠置并设置在第一封装无机层与第二封装无机层之间。
在示例性实施例中，输入感测单元包括第一感测电极和第二感测电极。第一感测电极包括第一传感器部分和连接第一传感器部分的第一连接部分。第一感测电极设置在限定于显示面板上的基体表面上。第二感测电极包括第二传感器部分和连接第二传感器部分的第二连接部分。第二感测电极设置在限定于显示面板上的基体表面上。第一传感器部分与第二传感器部分设置在同一层中，第一连接部分和第二连接部分中的一者与第一传感器部分设置在同一层中，第一连接部分与第二连接部分交叉，使得绝缘层设置在第一连接部分与第二连接部分之间。
在示例性实施例中，输入感测单元直接设置在显示面板上。输入感测单元包括具有网格形状的感测电极和连接到感测电极的第二信号线。第二信号线包括与感测电极包含有相同的材料的层。
在示例性实施例中，输入感测单元包括至少一个绝缘层、第一感测电极和第二感测电极，第二感测电极在与第一感测电极交叉的同时与第一感测电极绝缘。所述至少一个绝缘层使第一感测电极与第二感测电极绝缘。所述至少一个绝缘层包括聚合物。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在显示面板上的偏振膜。输入感测单元包括基体膜和设置在基体膜的至少一个表面上的感测电极。偏振膜设置在显示面板与输入感测单元之间。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在显示面板上的偏振膜。输入感测单元包括基体膜和设置在基体膜的至少一个表面上的感测电极。输入感测单元设置在显示面板与偏振膜之间。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在显示面板上的偏振膜。输入感测单元包括基体膜和设置在基体膜的下表面上的感测电极。偏振膜设置在显示面板与输入感测单元之间。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在显示面板上的偏振膜。输入感测单元包括基体膜、设置在基体膜上的基体绝缘层以及设置在基体绝缘层上的感测电极。输入感测单元设置在显示面板与偏振膜之间。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在显示面板上的偏振膜。输入感测单元包括基体膜、设置在基体膜的下表面上的感测电极以及连接到感测电极的信号线。输入感测单元设置在显示面板与偏振膜之间，信号线的垫部分通过导电构件电连接到显示面板的输入垫。
在示例性实施例中，输入感测单元包括设置在限定于显示面板上的基体表面上的感测电极以及设置在感测电极的上侧或下侧的一侧上的绝缘层。绝缘层包括高折射率绝缘层和低折射率绝缘层，低折射率绝缘层设置得比高折射率绝缘层更邻近感测电极。
本发明的示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，包括第一区域、第二区域以及设置在第一区域与第二区域之间并具有曲率的第三区域；以及输入感测单元，设置在显示面板上。显示面板包括基体层、第一信号线、发光元件、封装无机层和信号垫。基体层与第一区域、第二区域和第三区域叠置。第一信号线与第一区域、第二区域和第三区域叠置，并连接到设置在第一区域中的晶体管。发光元件设置在第一区域中并包括第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光层。封装无机层设置在第二电极上并与第一区域和第二区域叠置。信号垫电连接到第一信号线并设置在第二区域中。信号垫通过由封装无机层限定的接触孔连接到第一信号线。
在示例性实施例中，输入感测单元包括：感测电极，设置在第一区域中；第二信号线，连接到感测电极并与第一区域、第二区域和第三区域叠置；以及至少一个绝缘层，与第一区域、第二区域和第三区域叠置。输入感测单元直接设置在显示面板上。
在示例性实施例中，显示面板还包括设置在第三区域中并包括彼此堆叠的多个有机绝缘图案的堤。堤沿着与第三区域中所限定的弯曲轴基本上平行的方向延伸。开口区域通过封装无机层来限定以对应于堤。
在示例性实施例中，第一区域包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域。显示面板还包括设置在非显示区域中的坝部，显示区域设置在坝部内侧。
在示例性实施例中，显示面板还包括设置在坝部外侧的裂缝坝部。裂缝坝部沿着第一信号线延伸所沿的方向延伸，并且开口区域通过封装无机层来限定以与裂缝坝部叠置。
本发明的示例性实施例提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在包括与显示区域和非显示区域叠置的封装无机层的显示面板的封装无机层上形成第一导电图案；在封装无机层上形成绝缘层，以与显示区域和非显示区域叠置并覆盖第一导电图案；形成第一接触孔以暴露第一导电图案；形成设置在显示面板的非显示区域中的第二接触孔，以暴露设置在封装无机层下方的虚设垫；以及在绝缘层上形成第二导电图案，以连接到第一导电图案和虚设垫。
在示例性实施例中，形成第一接触孔的步骤和形成第二接触孔的步骤通过同一工艺来执行。
在示例性实施例中，在形成第二导电图案的步骤中，第二导电图案包括通过第二接触孔连接到虚设垫的信号垫。
在示例性实施例中，形成第一接触孔的步骤包括去除绝缘层的与第一导电图案叠置的部分。形成第二接触孔的步骤包括去除绝缘层的与虚设垫叠置的部分，并去除封装无机层的与虚设垫叠置的部分。
在示例性实施例中，去除绝缘层的与第一导电图案叠置的部分的步骤和去除绝缘层的与虚设垫叠置的部分的步骤通过同一工艺来执行。
在示例性实施例中，第一导电图案包括第一连接部分。第二导电图案包括均通过第一接触孔连接到多个第一连接部分中的相应的第一连接部分的第一传感器部分、与第一连接部分交叉的第二连接部分以及连接到第二连接部分的第二传感器部分。
根据以上所述，至少一个封装无机层完全沉积在显示面板上。完全沉积的封装层具有均匀的厚度和致密的膜密度。因此，封装无机层对于设置在其下面的有机层具有大的结合力。因此，可以防止湿气渗透到封装无机层与设置在封装无机层下面的有机层之间，可以防止封装无机层被分离。
在示例性实施例中，完全沉积的至少一个封装无机层提供了更平坦化的 基体表面。输入感测单元设置在基体表面上。输入感测单元的信号线设置在台阶差减小的非显示区域中，因此输入感测单元可以具有均匀的厚度。因此，可以减小施加到与输入感测单元的信号线的台阶差叠置的区域的应力。另外，完全沉积的封装无机层为输入感测单元提供了平面化的基体表面，从而可以改善连续形成在显示面板上或连续附着到显示面板的输入感测单元的灵敏度和机械稳定性。
由于在不使用掩模的情况下形成封装无机层，所以可以降低制造成本，可以缩短制造时间。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，本发明的上述和其它示例性实施例、特征和优点将变得容易明显，在附图中：
图1是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的透视图；
图2A至图2F是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图3是示出根据本发明的显示面板的示例性实施例的剖视图；
图4A和图4B是示出根据本发明的显示面板的示例性实施例的平面图；
图5是示出根据本发明的像素的示例性实施例的等效电路图；
图6是示出根据本发明的显示面板的示例性实施例的放大剖视图；
图7A至图7D是示出根据本发明的薄膜封装层的示例性实施例的剖视图；
图7E至图7G是示出形成薄膜封装层的比较实施例的工艺的视图；
图7H和图7I是示出形成根据本发明的薄膜封装层的示例性实施例的工艺的视图；
图8A是示出根据本发明的显示面板的一部分的示例性实施例的放大剖视图；
图8B是示出根据本发明的显示面板的垫区域的示例性实施例的放大平面图；
图8C是沿图8B的线III-III'截取的剖视图；
图8D是示出根据本发明的显示面板的一部分的示例性实施例的放大剖视图；
图8E是示出根据本发明的显示面板的垫区域的示例性实施例的剖视图；
图8F是示出根据本发明的显示面板的一部分的示例性实施例的放大剖 视图；
图8G是示出根据本发明的显示面板的垫区域的示例性实施例的剖视图；
图9是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图10A和图10B是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图11A是示出根据本发明的输入感测单元的第一导电层的示例性实施例的平面图；
图11B是示出根据本发明的输入感测单元的第二导电层的示例性实施例的平面图；
图11C是沿图10A的线IV-IV'截取的剖视图；
图11D和图11E是沿图10A的线V-V'截取的剖视图；
图12A是示出根据本发明的显示装置的垫区域的一部分的示例性实施例的放大平面图；
图12B和图12C是沿图12A的线VI-VI'截取的剖视图；
图12D是示出根据本发明的显示装置的垫区域的一部分的示例性实施例的放大平面图；
图12E是沿图12D的线VI-VI'截取的剖视图；
图13A是示出根据本发明的显示装置的垫区域的另一部分的示例性实施例的放大平面图；
图13B和图13C是沿图13A的线VII-VII'截取的剖视图；
图14A至图14E是示出根据本发明的制造显示装置的方法的示例性实施例的剖视图；
图15A至图15F是示出根据本发明的制造显示装置的方法的示例性实施例的剖视图；
图16A至图16C是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图17A是示出根据本发明的输入感测单元的交叉区域的示例性实施例的透视图；
图17B是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图17C是示出根据本发明的显示装置的垫区域的一部分的示例性实施例的剖视图；
图17D是示出根据本发明的显示装置的垫区域的另一部分的示例性实施 例的剖视图；
图18是示出包括在根据本发明的显示装置中的输入感测单元的交叉区域的示例性实施例的平面图；
图19A是示出包括在根据本发明的显示装置中的输入感测单元的交叉区域的示例性实施例的平面图；
图19B是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图20A是示出包括在根据本发明的显示装置中的输入感测单元的交叉区域的示例性实施例的平面图；
图20B是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图21是示出包括在根据本发明的显示装置中的输入感测单元的交叉区域的示例性实施例的平面图；
图22A是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图22B是示出图22A中所示的输入感测单元的区域“FF”的平面图；
图22C和图22D是沿图22B的线VIII-VIII'截取的剖视图；
图23A至图23F是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图24A是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图24B是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图24C是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图25A和图25B是示出根据本发明的输入感测单元的一部分的示例性实施例的平面图；
图25C是沿图25A和图25B的线X-X'截取的剖视图；
图26A是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图26B是示出根据本发明的输入感测单元的第一导电层的示例性实施例的平面图；
图26C是示出根据本发明的输入感测单元的第二导电层的示例性实施例的平面图；
图27A是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图27B是示出根据本发明的传感器块的示例性实施例的平面图；
图27C是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图28是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图29是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图30A是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图30B是沿图30A的线XI-XI'截取的剖视图；
图30C是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图30D至图30F是沿图30C的线XI-XI'截取的剖视图；
图31是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的平面图；
图32是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图33是示出根据本发明的输入感测单元的示例性实施例的剖视图；
图34A至图34C是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图35A至图35C是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图36A和图36B是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图36C是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图36D是示出根据本发明的显示面板的示例性实施例的平面图；
图36E是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图；
图37A至图37C是示出了根据本发明的显示装置的示例性实施例的透视图；
图38A和图38B是示出了根据本发明的显示装置的示例性实施例的透视图；
图39是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的透视图；
图40A是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的透视图；
图40B是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的平面图；
图41A是沿图40B的线XII-XII'截取的剖视图；
图41B和图41C是沿图40B的线XIII-XIII'截取的剖视图；
图42是示出应用于根据本发明的显示装置的薄膜封装层的示例性实施例的平面图；
图43A是示出与图41A对应的显示装置的剖视图；
图43B是示出与图41B对应的显示装置的剖视图；以及
图44是示出应用于根据本发明的显示装置的薄膜封装层的示例性实施例的平面图。
具体实施方式
同样的标号始终表示同样的元件。在附图中，为了清楚起见，夸大每个 元件的厚度、比例和尺寸。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意和所有组合。
术语第一、第二等的使用不表示任何顺序或重要性，而是使用术语第一、第二等来将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。将理解的是，除非上下文另有明确规定，否则单数形式“一个、“一者”和“所述”包括复数指示物。
为了便于描述，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的除了图中所描绘的方位之外的不同方位。
将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是，当一个元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者在它们之间可以有中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
在这里使用的“大约”或“近似”包括陈述的值，并意味着：考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围之内。例如，“大约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进 一步理解的是，除非在这里如此明确地定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与在相关领域背景下和本发明中的它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释。
在此参照作为理想化的实施例的示意图的剖面图来描述示例性实施例。这样，将预料到由例如制造技术和/或公差的引起的图示的形状的变化。因此，在此描述的实施例不应被解释为受限于在此示出的区域的具体形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。在示例性实施例中，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的锐角可以被倒圆。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，它们的形状不意图说明区域的精确形状并且不意图限制权利要求的范围。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的透视图。如图1中所示，显示装置DD可以通过显示表面DD-IS显示图像IM。显示表面DD-IS基本平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的表面。显示表面DD-IS的法线方向(即，显示装置DD的厚度方向)表示第三方向轴DR3。
在每个构件或单元中，通过第三方向轴DR3将前表面(或上表面)与后表面(或下表面)区分开。然而，第一方向轴DR1至第三方向轴DR3是相对于彼此的，因此由第一方向轴DR1至第三方向轴DR3所表示的方向可以改变为任何其它方向。在下文中，第一方向至第三方向对应于分别由第一方向轴DR1至第三方向轴DR3所指示的方向，因此用与第一方向轴DR1至第三方向轴DR3的附图标记相同的附图标记指定第一方向至第三方向。
在本发明的示例性实施例中，显示装置DD包括平坦的显示表面，但是其不应限于此或由此限制。显示装置DD可以包括弯曲型显示表面或三维(“3D”)型显示表面。3D型显示表面可以包括指向彼此不同的方向的多个显示区域。在示例性实施例中，3D型显示表面可以是多边柱型显示表面。
在示出的示例性实施例中，显示装置DD可以是刚性显示装置。根据示例性实施例，显示装置DD可以是柔性显示装置。在示出的示例性实施例中，可以应用于移动电话终端的显示装置DD将被描述为代表性示例。虽然未在附图中示出，但是设置(例如，安装)在主板上的电子模块、相机模块和电源模块与显示装置DD一起布置在支架/壳体中，以形成移动电话终端。根据示出的示例性实施例的显示装置DD可以应用于诸如电视机、监视器等的大型电子产品以及诸如平板电脑、汽车导航单元、游戏单元、智能手表等的中 小型电子产品，但是其不应限于此或由此限制。
如图1中所示，显示表面DD-IS包括显示图像IM的显示区域DD-DA和设置为与显示区域DD-DA相邻的非显示区域DD-NDA。图像IM不显示在非显示区域DD-NDA中。图1示出了图标图像作为图像IM的示例。
如图1中所示，例如，显示区域DD-DA可以具有四边形形状。非显示区域DD-NDA设置为围绕显示区域DD-DA。然而，根据其它示例性实施例，显示区域DD-DA的形状和非显示区域DD-NDA的形状可以相对于彼此设计。
图2A至图2F是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。图2A至图2F示出了由第二方向轴DR2和第三方向轴DR3所限定的截面。在图2A至图2F中，简单示出了显示装置DD，以示出包括在显示装置DD中的功能面板和/或功能单元的堆叠关系。
根据本发明的示例性实施例的显示装置DD可以包括显示面板、输入感测单元、抗反射单元和窗单元。显示面板、输入感测单元、抗反射单元和窗单元中的至少一个或更多个可以通过连续工艺来设置或者通过粘合构件附着到彼此。图2A至图2F示出了作为粘合构件的光学透明粘合构件OCA。以下使用的粘合构件可以包括传统粘合剂或压敏粘合剂。在本发明的示例性实施例中，抗反射单元和窗单元可以用其它元件代替或可以被省略。
在图2A至图2F中，在输入感测单元、抗反射单元和窗单元之中，与其它单元通过连续工艺来设置的单元将被称为“层”。在输入感测单元、抗反射单元和窗单元之中，与其它单元通过粘合构件来设置的单元将被称为“面板”。面板包括提供基体表面的基体层，例如，合成树脂膜、复合材料膜、玻璃基底等，而使用术语“层”来表示的单元可以省略基体层。换句话说，使用术语“层”表示的单元设置在由其它单元提供的基体表面上。
输入感测单元、抗反射单元和窗单元可以分别被称为输入感测面板ISP、抗反射面板RPP和窗面板WP，或者被称为输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL。
参照图2A，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL、抗反射面板RPP和窗面板WP。输入感测层ISL直接设置在显示面板DP上。在本发明中，元件B直接设置在元件A上的表述表示在元件A与元件B之间不存在中间粘合层/粘合构件。在设置元件A之后，通过连续工艺将元件B设置在由元件A提供的基体表面上。
显示面板DP和直接设置在显示面板DP上的输入感测层ISL可以被定义为显示模块DM。光学透明粘合构件OCA设置在显示模块DM与抗反射面板RPP之间以及抗反射面板RPP与窗面板WP之间。
显示面板DP产生图像，输入感测层ISL获得外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。虽然未在附图中示出，但是根据示例性实施例的显示模块DM还可以包括设置在显示面板DP的下表面上的保护构件。保护构件和显示面板DP可以通过粘合构件彼此结合。图2B至图2F中所示的显示装置DD还可以包括保护构件。
根据本发明的示例性实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板，但是其不应限于此或由此限制。在示例性实施例中，例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。在示例性实施例中，量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点、量子棒等。在下文中，有机发光显示面板将被描述为显示面板DP。
抗反射面板RPP降低从窗面板WP上方入射的外部光的反射率。根据本发明的示例性实施例的抗反射面板RPP可以包括延迟器和偏振器。在示例性实施例中，例如，延迟器可以设置为膜或液晶涂层形式，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以设置为膜或液晶涂层形式。膜型延迟器或偏振器可以包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂层型延迟器或偏振器可以包括以预定的方向排列的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器或保护膜可以被定义为抗反射面板RPP的基体层。
根据本发明的示例性实施例的抗反射面板RPP可以包括滤色器。滤色器具有预定的布置。滤色器的布置可以通过考虑包括在显示面板DP中的像素的颜色来确定。抗反射面板RPP还可以包括与滤色器相邻的黑矩阵。
根据本发明的示例性实施例的抗反射面板RPP可以包括相消干涉结构。在示例性实施例中，相消干涉结构可以包括例如设置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。被第一反射层反射的第一反射光和被第二反射层反射的第二反射光可以彼此相消干涉，因此降低外部光的反射率。
根据本发明的示例性实施例的窗面板WP包括基体膜WP-BS和光阻挡图案WP-BZ。基体膜WP-BS可以包括玻璃基底和/或合成树脂膜。基体膜WP-BS不应限于单层结构。基体膜WP-BS可以包括通过粘合构件彼此结合的两个或 更多个膜。
光阻挡图案WP-BZ与基体膜WP-BS部分地叠置。光阻挡图案WP-BZ设置在基体膜WP-BS的后表面上，以限定显示装置DD的边框区域，即，显示装置DD的非显示区域DD-NDA(参见图1)。
光阻挡图案WP-BZ可以是通过涂布法设置的彩色有机层。虽然未在附图中示出，但是窗面板WP还可以包括设置在基体膜WP-BS的前表面上的功能涂层。功能涂层可以包括各种层，诸如，抗指纹层、抗反射层、硬涂层等。在图2B至图2F中，简单地示出了窗面板WP和窗层WL，而没有将基体膜WP-BS与光阻挡图案WP-BZ区分开。
如图2B和图2C中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测面板ISP、抗反射面板RPP和窗面板WP。可以改变输入感测面板ISP和抗反射面板RPP的堆叠顺序。
如图2D中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL。可以从显示装置DD去除粘合构件，输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL可以通过连续工艺设置在由显示面板DP提供的基体表面上。可以改变输入感测层ISL和抗反射层RPL的堆叠顺序。
如图2E和图2F中所示，显示装置DD可以不单独地包括抗反射单元。
如图2E中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL-1和窗面板WP。与图2A至图2D中所示的输入感测面板ISP或输入感测层ISL不同，根据示出的示例性实施例的输入感测层ISL-1还可以包括抗反射功能。
如图2F中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP-1、输入感测层ISL和窗面板WP。与图2A至图2E中所示的显示面板DP不同，根据另一示例性实施例的显示面板DP-1还可以包括抗反射功能。
稍后将描述各自具有抗反射功能的输入感测层ISL-1和显示面板DP-1的详细描述。由于与输入感测层ISL-1相同的原因，通过本发明的示例性实施例提供的输入感测面板ISP可以具有抗反射功能，并且稍后将描述其细节。
在图2A至图2F中，输入感测单元与显示面板完全叠置。如图2A中所示，输入感测单元可以与显示区域DD-DA完全叠置。
然而，在本发明的示例性实施例中，输入感测单元可以与显示区域DD-DA的一部分叠置或者仅与非显示区域DD-NDA叠置。输入感测单元可以是但不限于感测用户的触摸事件的触摸感测面板或感测用户指纹的指纹信 息的指纹感测面板。下文中描述的感测电极可以具有根据输入感测单元的用途而改变的间距和宽度。触摸感测面板的感测电极可以具有几毫米至几十毫米，指纹感测面板的感测电极可以具有几十微米至几百微米。
图3是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板DP的剖视图。图4A和图4B是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板DP的平面图。图5是示出根据本发明的示例性实施例的像素PX的等效电路图。图6是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板DP的放大剖视图。在下文中描述的显示面板DP可以应用于参照图2A至图2F描述的显示装置DD。
参照图3，显示面板DP包括基体层BL、设置在基体层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED以及薄膜封装层TFE。虽然未单独示出，但是显示面板DP还可以包括诸如抗反射层、折射率控制层等的功能层。
基体层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层设置在用于制造显示面板DP的工作基底上。然后，导电层和绝缘层设置在合成树脂层上。当去除工作基底时，合成树脂层对应于基体层BL。在示例性实施例中，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，但是其不应限于此或由此限制。在示例性实施例中，基体层BL可以包括玻璃基底、金属基底或有机-无机复合材料基底。
电路元件层DP-CL包括至少一个绝缘层和电路元件。在下文中，包括在电路元件层DP-CL中的绝缘层将被称为中间绝缘层。中间绝缘层包括至少一个中间无机层和至少一个中间有机层。电路元件包括信号线、像素的驱动电路等。在示例性实施例中，可以通过例如针对绝缘层、半导体层和导电层的涂布工艺、沉积工艺等以及使用光刻工艺对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化的工艺来设置电路元件层DP-CL。
显示元件层DP-OLED包括发光元件。显示元件层DP-OLED可以包括有机发光二极管。发光元件可以包括有机发光二极管。显示元件层DP-OLED还可以包括有机层，如，像素限定层。
薄膜封装层TFE封装显示元件层DP-OLED。薄膜封装层TFE包括至少一个绝缘层。根据本发明的示例性实施例的薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机层(在下文中，被称为“封装无机层”)。根据本发明的示例性实施例的薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机层(在下文中，被称为“封装有机层”)和至少一个封装无机层。
封装无机层保护显示元件层DP-OLED不受湿气和氧的影响，封装有机 层保护显示元件层DP-OLED不受诸如灰尘的异物的影响。在示例性实施例中，例如，封装无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层，但是其不应限于此或由此限制。在示例性实施例中，封装有机层可以包括丙烯酰类有机层，但是其不应限于此或由此限制。
参照图4A，当在平面图中观看时，显示面板DP包括显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。在示出的示例性实施例中，非显示区域DP-NDA可以沿着显示区域DP-DA的边缘限定。显示面板DP的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA分别对应于图1和图2A中所示的显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA。
显示面板DP可以包括驱动电路GDC、多条信号线SGL(在下文中，被称为信号线)、多个信号垫(pad，或称为“焊盘”)DP-PD(在下文中，被称为信号垫)和多个像素PX(在下文中，被称为像素)。像素PX布置在显示区域DP-DA中。像素PX中的每个包括有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素驱动电路。驱动电路GDC、信号线SGL、信号垫DP-PD和像素驱动电路可以包括在图3中所示的电路元件层DP-CL中。
驱动电路GDC可以包括扫描驱动电路。扫描驱动电路产生多个扫描信号(在下文中，被称为扫描信号)，并将扫描信号顺序地施加到稍后描述的多条扫描线GL(在下文中，被称为扫描线)。扫描驱动电路还可以将控制信号施加到像素PX的驱动电路。
扫描驱动电路可以包括通过与设置驱动电路的工艺相同的工艺(例如，低温多晶硅工艺或低温多晶氧化物工艺)设置的多个薄膜晶体管。
信号线SGL包括扫描线GL、数据线DL、电源线PL和控制信号线CSL。扫描线GL中的每条连接到像素PX中的对应像素，数据线DL中的每条连接到像素PX中的对应像素。电源线PL连接到像素PX。控制信号线CSL可以将控制信号施加到扫描驱动电路。
信号线SGL与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA叠置。信号线SGL可以包括垫部分和线部分。线部分与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA叠置。垫部分连接到线部分的端部。垫部分设置在非显示区域DP-NDA中，并且与信号垫DP-PD中的相应的信号垫叠置。稍后将描述其细节。在非显示区域DP-NDA中，布置有信号垫DP-PD的区域可以被称为垫区域NDA-PD。
连接到像素PX的线部分基本上形成信号线SGL的大部分。线部分连接 到像素PX的晶体管T1和T2(参照图5)。线部分可以具有单层或多层结构，可以设置为单一体，并且可以包括两个或更多个部分。两个或更多个部分可以设置在彼此不同的层上并且经由通过设置在所述两个或更多个部分之间的绝缘层所限定的接触孔彼此连接。
显示面板DP还可以包括设置在垫区域NDA-PD中的虚设垫IS-DPD。由于虚设垫IS-DPD通过与信号线SGL的工艺相同的工艺来限定，所以虚设垫IS-DPD可以与信号线SGL设置在同一层中。虚设垫IS-DPD可以选择性地包括在如图2A和图2D至图2F中所示的含有输入感测层ISL或ISL-1的显示装置DD中并且可以从如图2B和图2C中所示的含有输入感测单元ISU(参照图9)(例如，输入感测面板ISP)的显示装置DD中省略。
虚设垫IS-DPD可以与布置在图2A和图2D至图2F中所示的输入感测层ISL和ISL-1上的信号线的垫部分叠置。虚设垫IS-DPD可以是浮置电极。虚设垫IS-DPD可以与显示面板DP的信号线SGL电绝缘。稍后将对其进行详细描述。
图4A还示出了电连接到显示面板DP的电路基板PCB。电路基板PCB可以是刚性电路基板或柔性电路基板。电路基板PCB可以直接与显示面板DP结合或者通过另一电路基板连接到显示面板DP。
电路基板PCB可以包括设置在其上的时序控制电路TC以控制显示面板DP的操作。另外，电路基板PCB可以包括设置在其上的输入感测电路IS-C以控制输入感测单元ISU或输入感测层ISL。时序控制电路TC和输入感测电路IS-C中的每个可以以集成芯片(“IC”)的形式直接安装在电路基板PCB上。在本发明的示例性实施例中，时序控制电路TC和输入感测电路IS-C中的每个可以以一个IC的形式设置(例如，安装)在电路基板PCB上。电路基板PCB可以包括电连接到显示面板DP的电路基板垫PCB-P。虽然未在附图中示出，但是电路基板PCB还包括信号线以电连接电路基板垫PCB-P、时序控制电路TC和/或输入感测电路IS-C。
如图4B中所示，根据本发明的示例性实施例的显示面板DP还可以包括设置在非显示区域DP-NDA中的芯片安装区域NDA-TC。具有芯片形式的时序控制电路TC(参照图4A，在下文中，被称为“控制电路芯片”)设置在芯片安装区域NDA-TC中。
第一芯片垫TC-PD1和第二芯片垫TC-PD2可以布置在芯片安装区域DA-TC中。第一芯片垫TC-PD1连接到数据线DL，第二芯片垫TC-PD2通过信号线连接到信号垫DP-PD。控制电路芯片TC的端子可以连接到第一芯片垫TC-PD1和第二芯片垫TC-PD2。所以，数据线DL可以通过控制电路芯片TC电连接到信号垫DP-PD。
在本发明的示例性实施例中，控制信号线CSL和电源线PL中的一条或更多条可以连接到控制电路芯片TC。虽然未在附图中示出，但是第一芯片垫TC-PD1和第二芯片垫TC-PD2的剖面结构可以与后面参照图8A至图8G和图13A至图13C所描述的信号垫中的一个的剖面结构基本上相同。
图5示出了一条扫描线GL、一条数据线DL、电源线PL以及连接到该扫描线GL、该数据线DL和该电源线PL的像素PX。然而，像素PX的构造不应限于图5中所示出的构造。
有机发光二极管OLED可以是前表面发光型或后表面发光型。像素PX包括第一晶体管T1(或开关晶体管)、第二晶体管T2(或驱动晶体管)和电容器Cst作为驱动有机发光二极管OLED的像素驱动电路。将第一电源电压ELVDD施加到第二晶体管T2，并将第二电源电压ELVSS施加到有机发光二极管OLED。第二电源电压ELVSS可以低于第一电源电压ELVDD。
第一晶体管T1响应于施加到扫描线GL的扫描信号来输出施加到数据线DL的数据信号。电容器Cst充有与从第一晶体管T1提供的数据信号相对应的电压。第二晶体管T2连接到有机发光二极管OLED。第二晶体管T2响应于保持在电容器Cst中的电荷量来控制流经有机发光二极管OLED的驱动电流。
然而，像素PX的构造不应限于图5中所示的等效电路图。也就是说，像素PX还可以包括多个晶体管和多个电容器。在示例性实施例中，有机发光二极管OLED可以连接在电源线PL与第二晶体管T2之间。
图6是示出与图5中所示的等效电路图相对应的显示面板DP的一部分的放大剖面图。
参照图6，电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和薄膜封装层TFE顺序地堆叠在基体层BL上。在示出的示例性实施例中，电路元件层DP-CL包括无机层的缓冲层BFL、第一中间无机层10、第二中间无机层20以及有机层的中间有机层30。无机层和有机层不应限于特定的材料，并且可以选择性地设置或省略示出的示例性实施例的缓冲层BFL。
第一晶体管T1的半导体图案OSP1(在下文中，被称为“第一半导体图案”)和第二晶体管T2的半导体图案OSP2(在下文中，被称为“第二半导体图案”)设置在缓冲层BFL上。在示例性实施例中，例如，第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2可以包括非晶硅、多晶硅和金属氧化物材料中的至少一种。
第一中间无机层10设置在第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2上。第一晶体管T1的控制电极GE1(在下文中，被称为“第一控制电极”)和第二晶体管T2的控制电极GE2(在下文中，被称为“第二控制电极”)设置在第一中间无机层10上。第一控制电极GE1和第二控制电极GE2可以通过与扫描线GL(参照图5)的光刻工艺相同的光刻工艺来制造。
第二中间无机层20设置在第一中间无机层10上以覆盖第一控制电极GE1和第二控制电极GE2。第一晶体管T1的输入电极DE1(在下文中，被称为“第一输入电极”)和输出电极SE1(在下文中，被称为“第一输出电极”)以及第二晶体管T2的输入电极DE2(在下文中，被称为“第二输入电极”)和输出电极SE2(在下文中，被称为“第二输出电极”)设置在第二中间无机层20上。
第一输入电极DE1和第一输出电极SE1分别通过由第一中间无机层10和第二中间无机层20限定的第一接触孔CH1和第二接触孔CH2连接到第一半导体图案OSP1。第二输入电极DE2和第二输出电极SE2分别通过由第一中间无机层10和第二中间无机层20限定的第三接触孔CH3和第四接触孔CH4连接到第二半导体图案OSP2。根据本发明的另一个示例性实施例，第一晶体管T1和第二晶体管T2的一部分可以变化为具有底栅结构。
中间有机层30设置在第二中间无机层20上以覆盖第一输入电极DE1、第二输入电极DE2、第一输出电极SE1和第二输出电极SE2。中间有机层30可以提供平坦的表面。
显示元件层DP-OLED设置在中间有机层30上。显示元件层DP-OLED可以包括像素限定层PDL和有机发光二极管OLED。像素限定层PDL可以包括有机材料。第一电极AE设置在中间有机层30上。第一电极AE通过由中间有机层30限定的第五接触孔CH5连接到第二输出电极SE2。开口OP通过像素限定层PDL来限定。第一电极AE的至少一部分通过像素限定层PDL的开口OP被暴露。然而，本发明不限于此，在本发明的另一个示例性实施例 中可以省略像素限定层PDL。
像素PX可以设置在显示区域DP-DA(参照图4B)中。显示区域DP-DA可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。在示出的示例性实施例中，发光区域PXA被限定为对应于第一电极AE的通过开口OP暴露的部分。
在本发明的示例性实施例中，发光区域PXA可以与第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个叠置。开口OP可以扩大，并且稍后描述的第一电极AE和发光层EML可以扩大。
空穴控制层HCL可以公共地设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。虽然未单独示出，但是类似空穴控制层HCL的公共层可以公共地限定在像素PX(参照图4A)中。
发光层EML设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以设置在与开口OP对应的区域中。也就是说，发光层EML可以在被划分为多个部分后设置在每个像素PX中。发光层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发光层EML可以产生预定颜色的光。
在示出的示例性实施例中，被图案化的发光层EML示出为代表性示例，但是发光层EML可以被公共地设置在像素PX中。在这种情况下，例如，发光层EML可以产生白光。在示例性实施例中，例如，发光层EML可以具有被称为串联的多层结构。
电子控制层ECL设置在发光层EML上。虽然未单独示出，但是电子控制层ECL可以公共地设置在像素PX(参照图4A)中。第二电极CE设置在电子控制层ECL上。第二电极CE可以公共地设置在像素PX中。
薄膜封装层TFE设置在第二电极CE上。薄膜封装层TFE公共地设置在像素PX中。在示出的示例性实施例中，薄膜封装层TFE直接覆盖第二电极CE。在示例性实施例中，盖层可以进一步设置在薄膜封装层TFE与第二电极CE之间以覆盖第二电极CE。在这种情况下，薄膜封装层TFE可以直接覆盖盖层。
在本发明的示例性实施例中，有机发光二极管OLED还可以包括共振结构，以控制由发光层EML产生的光的共振距离。共振结构设置在第一电极AE与第二电极CE之间，并且具有根据由发光层EML产生的光的波长所确定的沿着图6中的竖直方向所取的厚度。
图7A至图7D是示出根据本发明的示例性实施例的薄膜封装层TFE的剖视图。图7E至图7G是示出形成根据比较实施例的薄膜封装层TFE的工艺的视图。图7H和图7I是示出形成根据本发明的示例性实施例的薄膜封装层TFE的工艺的视图。参照图3描述的关于薄膜封装层TFE的描述可以应用于以下描述。
参照图7A，根据本发明的示例性实施例的薄膜封装层TFE可以包括n个(n是等于或大于2的自然数)封装无机层IOL1至IOLn，所述封装无机层IOL1至IOLn包括接触第二电极CE(参照图6)的第一封装无机层IOL1。
薄膜封装层TFE可以包括n-1个封装有机层OL1，并且所述n-1个封装有机层OL1可以与n个封装无机层IOL1至IOLn交替地布置。所述n-1个封装有机层OL1可以具有比n个封装无机层IOL1至IOLn的平均厚度大的平均厚度。
n个封装无机层IOL1至IOLn中的每个可以具有一种材料的单层结构或者彼此不同的材料的多层结构。n-1个封装有机层OL1可以通过沉积有机单体来设置。在示例性实施例中，有机单体可以包括例如丙烯酸类单体，但是有机单体不应限于此或由此限制。
在示例性实施例中，例如，薄膜封装层TFE可以包括顺序地堆叠在第二电极CE上的氮氧化硅层/有机单体层/氮化硅层。另一个无机层可以设置在氮化硅层上，并且氮化硅层可以具有在不同条件下沉积的多层结构(例如，双层结构)。
如图7B中所示，薄膜封装层TFE可以包括第一封装无机层IOL1、第一封装有机层OL1、第二封装无机层IOL2、第二封装有机层OL2和第三封装无机层IOL3。
第一封装无机层IOL1可以具有第一子层S1和第二子层S2的双层结构。在示例性实施例中，例如，第一子层S1可以是氟化锂层，第二子层S2可以是氧化铝层。在示例性实施例中，例如，第一封装有机层OL1可以是第一有机单体层，第二封装无机层IOL2可以是第一氮化硅层，第二封装有机层OL2可以是第二有机单体层，第三封装无机层IOL3可以是第二氮化硅层。
如图7C中所示，薄膜封装层TFE可以包括第一封装无机层IOL10、第一封装有机层OL1和第二封装无机层IOL20。第一封装无机层IOL10和第二封装无机层IOL20中的每个可以具有双层结构。在示例性实施例中，例如， 第一子层S10可以是氟化锂层，第二子层S20可以是氧化硅层。第二封装无机层IOL20可以包括在彼此不同的条件下沉积的第一子层S100和第二子层S200。第一子层S100可以在低功率条件下沉积，第二子层S200可以在高功率条件下沉积。例如，第一子层S100和第二子层S200中的每个可以是氮化硅层。
如图7D中所示，薄膜封装层TFE可以包括相继顺序地堆叠的多个封装无机层。薄膜封装层TFE可以包括第一封装无机层IOL1、第二封装无机层IOL2和第三封装无机层IOL3。在封装无机层之中，至少一个封装无机层可以包括例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。在示例性实施例中，例如，第一封装无机层IOL1和第三封装无机层IOL3可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
在封装无机层之中，至少一个封装无机层可以是六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)层。HMDSO层可以吸收应力。第二封装无机层IOL2可以是HMDSO层。第二封装无机层IOL2可以吸收第一封装无机层IOL1和第三封装无机层IOL3的应力。因此，薄膜封装层TFE可以变成柔性的。
在薄膜封装层TFE仅包括封装无机层的情况下，可以在一个室中执行连续的沉积工艺，因此可以简化形成薄膜封装层TFE的工艺。这是因为在薄膜封装层TFE包括封装有机层和封装无机层的情况下，需要至少一次在室之间转移用于薄膜封装层TFE的母基底(未示出)的过程。在封装无机层中的一个为HMDSO层的情况下，薄膜封装层TFE可以具有柔性。
在下文中，将参照图7E至图7I描述形成根据比较实施例和根据本发明的示例性实施例的薄膜封装层TFE的工艺。将包括第一封装无机层IOL1、封装有机层OL1和第二封装无机层IOL2的薄膜封装层TFE描述为代表性示例。
如图7E和图7H中所示，对限定在母基底MS中的多个单元区域DP-C(在下文中，被称作单元区域)执行相同的工艺，以在单元区域DP-C的每个中形成显示面板DP(参照图2A至图2F)或显示模块DM(参照图2A至图2F)。在完成制造工艺之后，切割母基底MS以分离设置在单元区域DP-C中的显示面板DP或显示模块DM。
可以通过沉积工艺来设置第一封装无机层IOL1、封装有机层OL1和第二封装无机层IOL2。在示例性实施例中，例如，可以通过喷墨方法来设置封装有机层OL1。在下文中，通过沉积工艺设置的第一封装无机层IOL1将被 描述为代表性示例。
参照图7E和图7F，掩模MSK与母基底MS对齐，通过掩模MSK限定多个开口M-OP(在下文中，被称为开口)。开口M-OP中的每个可以对应于图3和图4A中示出的显示区域DP-DA或者比显示区域DP-DA稍宽的区域。在将掩模MSK与之对齐的母基底MS装载到沉积室中之后，在母基底MS上沉积无机材料。
图7F中所示的初始显示面板DP-I具有其中设置有图3中所示的显示面板DP的显示元件层DP-OLED的结构。由于在掩模MSK与初始显示面板DP-I之间限定了预定的间隙，所以无机材料沉积在比对应于开口M-OP的区域宽的区域中。也就是说，无机材料可以不仅沉积在显示区域DP-DA中，而且沉积在非显示区域DP-NDA(参照图4B)中。因此，提供了具有图7G中所示的形状的第一封装无机层IOL1。
参照图7G，由于第一封装无机层IOL1的第二区域IOL1-2与掩模MSK叠置，所以沉积在第二区域IOL1-2中的无机材料的量相对地小于第一封装无机层IOL1的第一区域IOL1-1中的量。第二区域IOL1-2具有比第一区域IOL1-1的第一厚度TH1小的第二厚度TH2。第二区域IOL1-2的第二厚度TH2随着与第一区域IOL1-1的距离的增大而变小。
另外，第二区域IOL1-2具有比第一区域IOL1-1的膜密度小的膜密度。这是因为在沉积封装无机层之前，用于去除残留有机材料的灰化气体(例如，N2O)存在于掩模MSK周围并干扰无机材料的沉积。
与第一区域IOL1-1相比，具有大体上薄的厚度和大体上小的膜密度的第二区域IOL1-2对于其下层具有相对弱的结合力。当湿气渗透到第一封装无机层IOL1与下层之间时，第一封装无机层IOL1会与下层分离。在下层是有机层的情况下，第一封装无机层IOL1会容易地与下层分离。由于中间有机层30或像素限定层PDL设置在第一封装无机层IOL1的下方，所以第一封装无机层IOL1会比第二封装无机层IOL2更容易与下层分离。
根据示出的示例性实施例，薄膜封装层TFE的至少一个封装无机层整体地设置在显示面板DP上，以防止与封装无机层分离。如图7H中所示，无机层可以完全沉积在母基底MS上而不使用掩模。无机层不仅被设置在单元区域DP-C中，而且被设置在单元区域DP-C之间的边界区域中。所以，封装无机层可以以均匀的厚度(例如，第一厚度TH1)沉积在初始显示面板DP-I 的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA中。在示出的示例性实施例中，将第一封装无机层IOL1描述为代表性示例，但是期望将第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2中的一个或更多个沉积在显示面板DP的整个表面上。在下文中，将参照图8A至图8G描述根据封装无机层IOL1和IOL2的沉积结构的垫区域NDA-PD的剖面结构。
图8A是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板DP的一部分的放大剖视图。图8B是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板DP的垫区域NDA-PD的放大平面图。图8C是沿图8B的线III-III'截取的剖视图。图8D是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板DP的一部分的放大剖视图。图8E是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板DP的垫区域NDA-PD的剖视图。图8F是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板DP的一部分的放大剖视图。图8G是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板DP的垫区域NDA-PD的剖视图。
图8A至图8G示出了在图7A中所示的薄膜封装层TFE中“n”为2的薄膜封装层TFE。图8B示出了图4A和图4B的区域AA的放大图。图8E和图8G示出对应于图8C的剖面。在本发明的示例性实施例中，一条信号线和对应于所述一条信号线的信号垫通过由至少一个封装无机层所限定的接触孔彼此电连接，所述至少一个封装无机层与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA完全叠置。
如图8A至图8C中所示，第一封装无机层IOL1完全设置在显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA之上。封装有机层OL设置在第一封装无机层IOL1上。封装有机层OL与非显示区域DP-NDA的一部分以及显示区域DP-DA完全叠置。封装有机层OL可以不与垫区域NDA-PD叠置。第二封装无机层IOL2设置在封装有机层OL上。第二封装无机层IOL2可以与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA完全叠置。
第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2中的每个可以如参照图7H和图7I所描述的那样沉积。例如，封装有机层OL可以使用图7E中所示的掩模MSK来沉积或通过喷墨方法设置。然而，第一封装无机层IOL1、第二封装无机层IOL2和封装有机层OL的制造方法不应限于特定的方法。
图8B单独示出了控制信号线CSL的线部分CSL-L和垫部分CSL-P以及数据线DL的线部分DL-L和垫部分DL-P。垫部分CSL-P和DL-P的面积可 以大于相同长度的线部分CSL-L和DL-L的面积。在示例性实施例中，例如，垫部分CSL-P和DL-P具有四边形形状，但是垫部分CSL-P和DL-P的形状可以在制造工艺期间变化。
如图8C中所示，控制信号线CSL(参照图8B)的垫部分CSL-P设置在第一中间无机层10上，数据线DL的垫部分DL-P设置在第二中间无机层20上。中间有机层30覆盖数据线DL的垫部分DL-P。在垫区域NDA-PD(参照图4A)中，第一封装无机层IOL1设置在中间有机层30上。第一封装无机层IOL1与第二封装无机层IOL2在垫区域NDA-PD中彼此接触。
多个信号垫DP-PD(在下文中，被称为信号垫)设置在第二封装无机层IOL2上。信号垫DP-PD中的每个连接到控制信号线CSL和数据线DL的垫部分CSL-P和DL-P的相应的垫部分。一个信号垫DP-PD可以通过由第二中间无机层20、中间有机层30、第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2所限定的第一接触孔CNT1电连接到控制信号线CSL的垫部分CSL-P。其它信号垫DP-PD可以通过由中间有机层30、第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2所限定的第二接触孔CNT2电连接到数据线DL的垫部分DL-P。
接触孔所贯穿的绝缘层的数量可以根据剖面中信号线的垫部分的位置来确定。虽然未单独示出，但是扫描线的垫部分可以与控制信号线CSL的垫部分CSL-P设置在同一层中并连接到相应的信号垫。
在示出的示例性实施例中，第二封装无机层IOL2设置在垫区域NDA-PD的最上位置处，但是可以进一步设置其它有机层和/或无机层。在这种情况下，信号垫DP-PD设置在位于垫区域NDA-PD的最上位置处的“有机层或无机层”上。
如图8D和图8E中所示，第一封装无机层IOL1不与垫区域NDA-PD叠置，第二封装无机层IOL2与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA完全叠置。第一封装无机层IOL1可以使用图7E中所示的开口掩模MSK来沉积。封装有机层OL设置在第一封装无机层IOL1上。封装有机层OL的边缘可以位于第一封装无机层IOL1的边缘内侧。例如，封装有机层OL可以使用开口掩模MSK来沉积或者通过喷墨方法来设置。第二封装无机层IOL2设置在封装有机层OL上。在垫区域NDA-PD中，第二封装无机层IOL2可以接触中间有机层30。另外，第二封装无机层IOL2可以接触由封装有机层OL暴露的第一封装无机层IOL1。第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2可 以对封装有机层OL进行封装。
在本发明的示例性实施例中，封装有机层OL可以使用图7E中所示的开口掩模MSK来沉积。在这种情况下，第一封装无机层IOL1的边缘可以与封装有机层OL的边缘对齐。
一个信号垫DP-PD可以通过由第二中间无机层20、中间有机层30和第二封装无机层IOL2所限定的第一接触孔CNT1电连接到控制信号线CSL的垫部分CSL-P。其它信号垫DP-PD可以通过由中间有机层30和第二封装无机层IOL2所限定的第二接触孔CNT2电连接到数据线DL的垫部分DL-P。
如图8F和图8G中所示，第一封装无机层IOL1与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA完全叠置，第二封装无机层IOL2不与垫区域NDA-PD叠置。第一封装无机层IOL1可以不使用掩模来沉积，第二封装无机层IOL2可以使用开口掩模MSK来沉积。
封装有机层OL设置在第一封装无机层IOL1与第二封装无机层IOL2之间。封装有机层OL可以不与垫区域NDA-PD叠置。封装有机层OL的边缘可以位于第二封装无机层IOL2的边缘内侧。第二封装无机层IOL2可以覆盖封装有机层OL的边缘。
在本发明的示例性实施例中，封装有机层OL和第二封装无机层IOL2可以使用相同的开口掩模MSK来沉积。在这种情况下，第二封装无机层IOL2的边缘可以与封装有机层OL的边缘对齐。
在垫区域NDA-PD中，第一封装无机层IOL1可以接触中间有机层30。
一个信号垫DP-PD可以通过由第二中间无机层20、中间有机层30和第一封装无机层IOL1所限定的第一接触孔CNT1电连接到控制信号线CSL的垫部分CSL-P。其它信号垫DP-PD可以通过由中间有机层30和第一封装无机层IOL1所限定的第二接触孔CNT2电连接到数据线DL的垫部分DL-P。
参照图8A至图8G描述的显示面板DP共同地包括完全设置在显示面板上的至少一个封装无机层。在垫区域NDA-PD的剖面中，与显示面板完全叠置的封装无机层设置在垫部分CSL-P和DL-P与信号垫DP-PD之间。
完全设置的封装无机层具有均匀的厚度和致密的膜密度。因此，封装无机层对于设置在其下面的有机层具有大的结合力。因此，可以防止湿气渗透到封装无机层与设置在封装无机层下面的有机层之间，并且可以防止封装无机层被分离。
在图8A至图8C中所示的显示面板DP中，可以防止第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2分别与中间有机层30和封装有机层OL分离。在图8D和图8E中所示的显示面板DP中，可以防止第二封装无机层IOL2与中间有机层30和封装有机层OL分离。在图8F和图8G中所示的显示面板DP中，可以防止第一封装无机层IOL1与中间有机层30分离。
虽然未单独示出，但是图4B中所示的第一芯片垫TC-PD1和第二芯片垫TC-PD2中的每个可以具有与参照图8A至图8G描述的垫部分CSL-P和DL-P中的一个的剖面结构对应的剖面结构。第一芯片垫TC-PD1和第二芯片垫TC-PD2可以与信号垫DP-PD设置在同一层中，并且第一芯片垫TC-PD1和第二芯片垫TC-PD2中的每个可以通过接触孔连接到与其叠置的垫部分。
图9是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。图10A和图10B是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的平面图。图11A是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的第一导电层IS-CL1的平面图。图11B是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的第二导电层IS-CL2的平面图。图11C是沿着图10A的线IV-IV'截取的剖视图。图11D和图11E是沿着图10A的线V-V'截取的剖视图。
在图9中，简单示出了显示面板DP以示出输入感测单元ISU的堆叠关系。设置在输入感测单元ISU上的抗反射单元和窗单元没有示出。
在示出的示例性实施例中，将具有参照图2A描述的“层形状”的输入感测单元ISU描述为代表性示例。与具有“面板形状”的输入感测单元ISU不同，具有“层形状”的输入感测单元ISU直接设置在由显示面板DP提供的基体表面上，并且省略基体层。因此，可以减小显示模块DM的厚度。在示出的示例性实施例中，基体表面可以是薄膜封装层TFE的上表面。
输入感测单元ISU可以具有多层结构，而不论其形状(面板或层)如何。输入感测单元ISU包括感测电极、连接到感测电极的信号线以及至少一个绝缘层。在示例性实施例中，例如，输入感测单元ISU可以通过静电电容方法感测外部输入。然而，输入感测单元ISU的操作不应限于特定的方法，根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU可以通过电磁感应方法或压敏方法来感测外部输入。
如图9中所示，根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU可以包括第一导电层IS-CL1、第一绝缘层IS-IL1、第二导电层IS-CL2和第二绝缘层IS-IL2。第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个可以具有在第三方向DR3上堆叠的层的单层结构或多层结构。具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。在示例性实施例中，例如，金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝和它们的合金。在示例性实施例中，例如，透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(“ITZO”)等的透明导电氧化物材料。在示例性实施例中，例如，透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。
具有多层结构的导电层可以包括多层金属层。例如，多层金属层可以包括钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个包括多个图案。在下文中，第一导电层IS-CL1包括第一导电图案，第二导电层IS-CL2包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括感测电极和信号线。
感测电极的堆叠结构和材料可以通过考虑灵敏度来确定。一般来说，电阻-电容(“RC”)延迟影响灵敏度，但是由于与包括透明导电层的感测电极相比，包括金属层的感测电极具有相对小的电阻，所以在包括金属层的感测电极中RC值降低。因此，对限定在感测电极之间的电容器充电所需要的时间被缩短。包括透明导电层的感测电极可以不被用户察觉，并且与包括金属层的感测电极相比，可以增大输入区域从而增大电容。
包括金属层的感测电极可以具有稍后描述的网格形状，以防止感测电极被用户察觉。可以调节薄膜封装层TFE的厚度，使得由显示元件层DP-OLED的组件产生的噪声不对输入感测单元ISU造成影响。第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的每个可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的每个可以包括无机材料、有机材料或复合材料。
第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的至少一个可以包括无机层。在示例性实施例中，例如，无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的至少一个可以包括有机层。在示例性实施例中，例如，有机层可以包括丙烯酰类树脂、甲基丙烯酰类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、 硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
如图10A中所示，输入感测单元ISU可以包括第一感测电极IE1-1至IE1-5、连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、第二感测电极IE2-1至IE2-4、连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4。虽然未在附图中示出，但是输入感测单元ISU还可以包括设置在第一感测电极IE1-1至IE1-5与第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的边界区域中的光学虚设电极。
由于图9中所示的薄膜封装层TFE包括参照图7H和图7I描述的至少一个封装无机层，所以基体表面可以更平坦。因此，尽管输入感测单元ISU的组件通过连续工艺来设置，但是也可以降低输入感测单元ISU的缺陷率。由于第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4布置在减小了台阶差的非显示区域DD-NDA中，所以薄膜封装层TFE可以具有均匀的厚度。因此，施加到与在第一信号线SL1-1至SL1-5与第二信号线SL2-1至SL2-4之间存在台阶差的区域叠置的区域的应力可以减小。
第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4彼此交叉。第一感测电极IE1-1至IE1-5布置在第一方向DR1上，并且第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每个具有在第二方向DR2上延伸的形状。第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以通过互电容法和/或自电容法来感测外部输入。如另一种方式，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以通过互电容法计算外部输入的坐标并通过自电容法重新计算外部输入的坐标。
第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每个包括第一传感器部分SP1和第一连接部分CP1。第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个包括第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。在第一传感器部分SP1之中，设置在第一电极的两端处的两个第一传感器部分可以具有比设置在中心部分处的第一传感器部分的尺寸小的尺寸(例如，可以是设置在中心部分处的第一传感器部分的尺寸的1/2)。在第二传感器部分SP2之中，设置在第二电极的两端处的两个第二传感器部分可以具有比设置在中心部分处的第二传感器部分的尺寸小的尺寸(例如，可以是设置在中心部分处的第二传感器部分的尺寸的1/2)。
图10A示出了第一感测电极IE1-1至IE1-5以及第二感测电极IE2-1至IE2-4，但是第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极的IE2-1至IE2-4的 形状不应限于特定的形状。在本发明的另一示例性实施例中，例如，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有传感器部分与连接部分彼此没有区别的形状(例如，条形形状)。在图10A中，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2具有菱形形状，但是第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的形状不应限于菱形形状。作为另一示例，例如，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有除了菱形形状之外的多边形形状。
在一个第一感测电极中，第一传感器部分SP1沿着第二方向DR2布置，在一个第二感测电极中，第二传感器部分SP2沿着第一方向DR1布置。第一连接部分CP1中的每个连接彼此相邻的第一传感器部分SP1，并且第二连接部分CP2中的每个连接彼此相邻的第二传感器部分SP2。
第一信号线SL1-1至SL1-5分别连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的一端。第二信号线SL2-1至SL2-4连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的两端。在本发明的示例性实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5可以连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的两端。另外，第二信号线SL2-1至SL2-4可以分别仅连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的一端。
根据示出的示例性实施例，与第二信号线SL2-1至SL2-4分别仅连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的一端的输入感测单元ISU相比，可以改善灵敏度。由于第二感测电极IE2-1至IE2-4比第一感测电极IE1-1至IE1-5长，所以会在第二感测电极IE2-1至IE2-4中发生感测信号(或传输信号)的电压降，因此会降低灵敏度。根据示出的示例性实施例，由于通过连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的两端的第二信号线SL2-1至SL2-4提供感测信号(或传输信号)，所以可以防止发生感测信号(或传输信号)的电压降，并且可以防止降低灵敏度。
第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可以包括线部分SL-L和垫部分SL-P。垫部分SL-P可以与垫区域NDA-PD对齐。垫部分SL-P可以与图4A中所示的虚设垫IS-DPD叠置。
输入感测单元ISU可以包括信号垫DP-PD。信号垫DP-PD可以与垫区域NDA-PD对齐。信号垫DP-PD可以与图8A至图8G中所示的垫部分CSL-P和DL-P叠置。
根据本发明的示例性实施例的第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可以被替换为单独制造的电路基板。
如图10B中所示，第一信号线SL1-1至SL1-5的垫部分SL-P和第二信号线SL2-1至SL2-4的垫部分SL-P可以设置在彼此不同的区域中，使得信号垫DP-PD设置在第一信号线SL1-1至SL1-5的垫部分SL-P与第二信号线SL2-1至SL2-4的垫部分SL-P之间。由于两组垫部分SL-P设置为彼此分隔开，所以第一信号线SL1-1至SL1-5的垫部分SL-P和第二信号线SL2-1至SL2-4的垫部分SL-P可以容易地连接到电路基板。在这种情况下，将电路基板的连接到第一信号线SL1-1至SL1-5的垫部分SL-P和第二信号线SL2-1至SL2-4的垫部分SL-P的垫分为彼此分开的两组，从而减少电路基板的垫之间的短路。
在本发明的示例性实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4的位置可以相对于彼此改变。与图10A不同，第一信号线SL1-1至SL1-5可以设置在输入感测单元ISU的左侧，第二信号线SL2-1至SL2-4可以设置在输入感测单元ISU的右侧。
参照图11A，第一导电层IS-CL1包括第一连接部分CP1。另外，第一导电层IS-CL1可以包括第一信号线SL1-1至SL1-5(参照图10A和图10B)的第一线部分SL1-11至SL1-51以及第二信号线SL2-1至SL2-4(参照图10A和图10B)的第一线部分SL2-11至SL2-41。
第一连接部分CP1、第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51以及第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41可以通过同一工艺来限定。第一连接部分CP1、第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51以及第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41可以包括相同的材料并且可以具有相同的堆叠结构。第一连接部分CP1可以通过与第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41的工艺不同的工艺来设置。第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41可以具有相同的堆叠结构，但是第一连接部分CP1可以具有与第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41的堆叠结构不同的堆叠结构。
在本发明的示例性实施例中，第一导电层IS-CL1可以包括第二连接部分CP2(参照图10A)。在这种情况下，第一连接部分CP1由第二导电层IS-CL2设置。因此，第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每个可以设置为单一体。
虽然未在图11A中示出，但是第一绝缘层IS-IL1至少覆盖第一连接部分CP1。在示出的示例性实施例中，第一绝缘层IS-IL1可以与显示区域DD-DA完全叠置。第一绝缘层IS-IL1还可以与非显示区域DD-NDA的至少一部分叠置。在非显示区域DD-NDA中，第一绝缘层IS-IL1可以覆盖第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41。
在示出的示例性实施例中，第一绝缘层IS-IL1可以与显示区域DD-DA和垫区域NDA-PD叠置。第一绝缘层IS-IL1可以与显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA完全叠置。第一绝缘层IS-IL1可以通过参照图7H和图7I所描述的工艺来设置。
部分地暴露第一连接部分CP1的第一连接接触孔CNT-I以及部分地暴露第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41的第二连接接触孔CNT-S可以通过第一绝缘层IS-IL1来限定。
如图11B中所示，第二导电层IS-CL2包括第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个可以设置为单一体。第一传感器部分SP1与第二感测电极IE2-1至IE2-4分隔开。
第二导电层IS-CL2可以包括第一信号线SL1-1至SL1-5(参照图10A和图10B)的第二线部分SL1-12至SL1-52、第一信号线SL1-1至SL1-5的垫部分SL-P、第二信号线SL2-1至SL2-4(参照图10A和图10B)的第二线部分SL2-12至SL2-42以及第二信号线SL2-1至SL2-4的垫部分SL-P。第二导电层IS-CL2可以包括信号垫DP-PD。
第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2可以通过同一工艺来设置。第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2可以包括相同的材料并可以具有相同的结构。第一信号线SL1-1至SL1-5的第二线部分SL1-12至SL1-52、第一信号线SL1-1至SL1-5的垫部分SL-P、第二信号线SL2-1至SL2-4的第二线部分SL2-12至SL2-42、第二信号线SL2-1至SL2-4的垫部分SL-P以及信号垫DP-PD可以通过与第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2的工艺相同的工艺或 不同的工艺来设置。
虽然未在图11B中示出，但是第二绝缘层IS-IL2可以与显示区域DD-DA完全叠置。第二绝缘层IS-IL2还可以与非显示区域DD-NDA的至少一部分叠置。在示出的示例性实施例中，第二绝缘层IS-IL2可以暴露垫区域NDA-PD。
如图11C中所示，第一传感器部分SP1通过第一连接接触孔CNT-I电连接到第一连接部分CP1。第一连接部分CP1可以包括具有比第一传感器部分SP1的电阻低的电阻的材料。
第一连接部分CP1与第二连接部分CP2交叉，并且期望使当在平面图中观看时第一连接部分CP1的沿着图11C的水平方向的宽度最小化，以减小寄生电容的影响。第一连接部分CP1可以包括具有低电阻的材料以改善灵敏度，并且可以包括与第一信号线SL1-1至SL1-5(参照图10A和图10B)的第一线部分SL1-11至SL1-51(参照图11A和图11B)的金属材料相同的金属材料。
在示出的示例性实施例中，第一绝缘层IS-IL1可以是聚合物层，例如，丙烯酸聚合物层。在示例性实施例中，第二绝缘层IS-IL2可以是聚合物层，例如，丙烯酸聚合物层。即使如图9至图11D所示将输入感测单元ISU直接设置在显示面板DP上，聚合物层也可以改善显示装置DD的柔性。为了改善柔性，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有网格形状并且可以包括金属材料。在示例性实施例中，例如，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以被称为金属网格图案。
图11D示出第一信号线SL1-1至SL1-5中的三条第一信号线SL1-1至SL1-3作为代表性示例。参照第一信号线SL1-1，第一线部分SL1-11和第二线部分SL1-12可以通过第二连接接触孔CNT-S彼此电连接。因此，可以减小第一信号线SL1-1的电阻。出于同样的原因，图11A和图11B中所示的第二信号线SL2-1至SL2-4包括第一线部分和第二线部分。
在本发明的另一示例性实施例中，可以省略第一线部分SL1-11和第二线部分SL1-12中的一个。可以省略第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分和第二线部分中的一个。如图11E中所示，可以省略第一线部分SL1-11。第一信号线SL1-1仅包括图11D的第二线部分SL1-12。第一信号线SL1-1可以包括金属层SL1-12M和直接设置在金属层SL1-12M上的透明导电层SL1-12T。在这种情况下，感测电极(例如，图11C的第一传感器部分SP1)可以包括 金属层，但是不包括透明导电层。
图12A是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的垫区域NDA-PD的一部分的放大平面图。图12B和图12C是沿图12A的线VI-VI'截取的剖视图。图12D是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的垫区域NDA-PD的一部分的放大平面图。图12E是沿着图12D的线VI-VI'截取的剖视图。图13A是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的垫区域的另一部分的放大平面图。图13B和图13C是沿着图13A的线VII-VII'截取的剖视图。
图12A和图12D示出了图10A的区域BB的放大图。图13A示出了图10A的区域CC的放大图。将第一信号线SL1-1至SL1-5的一条信号线和第二信号线SL2-1至SL2-4的两条信号线示出为代表性示例。将一条控制信号线CSL和两条数据线DL示出为代表性示例。
参照图12A和图12B，第一信号线SL1-5的垫部分SL-P和第二信号线SL2-1和SL2-2的垫部分SL-P设置在第一绝缘层IS-IL1上。第一信号线SL1-5的垫部分SL-P和第二信号线SL2-1和SL2-2的垫部分SL-P分别与相应的虚设垫IS-DPD叠置。在下文中，将设置在彼此不同的层上的两个虚设垫IS-DPD示出为代表性示例，但是根据其它示例性实施例，虚设垫IS-DPD可以设置在同一层中。两个虚设垫IS-DPD与垫部分SL-P之间的对应关系不应限于特定的示例。
第一信号线SL1-5(参照图10A)的垫部分SL-P可以通过由第二中间无机层20、中间有机层30、第一封装无机层IOL1、第二封装无机层IOL2和第一绝缘层IS-IL1所限定的第三接触孔CNT3电连接到相应的虚设垫IS-DPD。第二信号线SL2-1和SL2-2的垫部分SL-P中的每个可以通过由中间有机层30、第一封装无机层IOL1、第二封装无机层IOL2和第一绝缘层IS-IL1所限定的第四接触孔CNT4电连接到相应的虚设垫IS-DPD。
图12C示出了与图12B中所示的垫区域NDA-PD不同的根据另一示例性实施例的垫区域NDA-PD的剖面。与图12B中所示的通过单个工艺来限定的第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4不同，图12C中所示的第三接触孔CNT30和第四接触孔CNT40通过多个工艺来限定。当在剖面中观看时，第三接触孔CNT30的内侧表面具有阶梯形状。
在示例性实施例中，第三接触孔CNT30具有随着从第二中间无机层20 向上到中间有机层30、第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2而线性增大的直径。第三接触孔CNT30的直径在第二封装无机层IOL2与第一绝缘层IS-IL1之间非线性地增大。当在剖面在观看时，第四接触孔CNT40的内侧表面具有阶梯形状。
图12D和图12E示出了与图12A和图12B中所示的垫区域NDA-PD不同的根据另一示例性实施例的垫区域NDA-PD。根据示出的示例性实施例，第一信号线SL1-5(参照图10A)的垫部分SL-P和第二信号线SL2-1和SL2-2的垫部分SL-P分别与相应的虚设垫IS-DPD叠置，但是不电连接到相应的虚设垫IS-DPD。也就是说，省略第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4。
在参照图12A至图12E描述的显示装置DD中，至少一个封装无机层完全设置在显示面板DP上。图12A至图12E示出了具有参照图8A描述的薄膜封装层TFE的显示装置DD，但是根据本发明的示例性实施例的显示装置DD可以包括图8D和图8F中所示的薄膜封装层TFE。在垫区域NDA-PD的剖面中，完全叠置的封装无机层设置在虚设垫IS-DPD与垫部分SL-P之间。另外，第一绝缘层IS-IL1设置在虚设垫IS-DPD与垫部分SL-P之间。
如图13A和图13B中所示，信号垫DP-PD可以与控制信号线CSL的垫部分CSL-P和数据线DL的垫部分DL-P叠置。与参照图8A至图8G描述的信号垫DP-PD不同，根据示出的示例性实施例的信号垫DP-PD设置在第一绝缘层IS-IL1上。换句话说，信号垫DP-PD可以与输入感测单元ISU的信号线SL1-1至SL1-5和信号线SL2-1至SL2-4设置在同一层中。信号垫DP-PD可以通过第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2电连接到垫部分CSL-P和DL-P。第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以分别对应于图12B中所示的第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4。
如图13C中所示，当在剖面中观看时，第一接触孔CNT10和第二接触孔CNT20中的每个的内侧表面可以具有阶梯形状。第一接触孔CNT10和第二接触孔CNT20可以分别对应于图12C中所示的第三接触孔CNT30和第四接触孔CNT40。在示例性实施例中，在第一绝缘层IS-IL1和第二封装无机层IOL2之间出现台阶差，但是其不应限于此或由此限制。
在参照图13A至图13C描述的显示装置DD中，当在垫区域NDA-PD的剖面中观看时，第一绝缘层IS-IL1和至少一个完全设置的封装无机层设置在垫部分DL-P与信号垫DP-PD之间。第一接触孔CNT1和CNT10以及第二 接触孔CNT2和CNT20穿过第一绝缘层IS-IL1和至少一个封装无机层。
参照图13A至图13C描述的信号垫DP-PD被设置为电连接图4A中所示的信号线SGL和电路基板垫PCB-P。与上述不同，设置参照图12A至图12E描述的虚设垫IS-DPD，以改善输入感测单元ISU的垫部分SL-P与电路基板垫PCB-P之间的粘接可靠性。通过使用包括在电路元件层DP-CL中的虚设垫IS-DPD，输入感测单元ISU的垫区域可以设置为具有与显示面板DP的垫区域的堆叠结构类似的堆叠结构。由于显示面板DP的垫区域NDA-PD具有均匀的堆叠结构，所以显示面板DP与电路基板PCB之间的粘接可靠性得到改善。
虽然未单独示出，但是图4B中所示的第一芯片垫TC-PD1和第二芯片垫TC-PD2中的每个的剖面结构可以与参照图13A至图13C描述的信号垫DP-PD中的一个的剖面结构相同。第一芯片垫TC-PD1和第二芯片垫TC-PD2可以与信号垫DP-PD设置在同一层中并通过接触孔连接到分别与第一芯片垫TC-PD1和第二芯片垫TC-PD2叠置的垫部分。
图14A至图14E是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置DD的方法的剖视图。图14A至图14E中所示的剖面对应于图11C、图11D、图12B和图13B的剖面，图14A至图14E示出了与图11C、图11D、图12B和图13B的剖面相关的制造工艺。
参照图14A，通过连续工艺在显示面板DP的基体表面上设置第一导电图案。在示出的示例性实施例中，由第二封装无机层IOL2提供基体表面。
图14A中示出了将第一连接部分CP1和第一线部分SL1-11作为第一导电图案的示例。设置第一导电层之后，通过光刻工艺对第一导电层进行图案化来形成第一导电图案。
参照图14B，在基体表面上设置第一绝缘层IS-IL1以与显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA叠置并覆盖第一导电图案。在示例性实施例中，例如，可以通过沉积、涂覆或印刷方法来设置第一绝缘层IS-IL1。在示例性实施例中，可以使用无机材料通过参照图7H和图7I描述的方法来设置第一绝缘层IS-IL1。
参照图14C，可以限定接触孔CNT-I、CNT-S和CNT1至CNT4。在本发明的示例性实施例中，可以通过曝光和显影工艺来限定接触孔CNT-I、CNT-S和CNT1至CNT4。在本发明的示例性实施例中，可以通过激光钻孔法来限 定接触孔CNT-I、CNT-S和CNT1至CNT4。
可以将接触孔CNT-I和CNT-S限定为暴露第一导电图案。可以将第一连接接触孔CNT-I限定为部分地暴露第一连接部分CP1。另外，可以将第二连接接触孔CNT-S设置为部分地暴露第一线部分SL1-11至SL1-31。
可以将接触孔CNT3和CNT4限定为暴露虚设垫IS-DPD。可以将接触孔CNT1和CNT2限定为暴露信号线SGL的垫部分CSL-P和DL-P。可以将第一接触孔CNT1和第三接触孔CNT3限定为穿透第二中间无机层20、中间有机层30、第一封装无机层IOL1、第二封装无机层IOL2和第一绝缘层IS-IL1。可以将第二接触孔CNT2和第四接触孔CNT4限定为穿透中间有机层30、第一封装无机层IOL1、第二封装无机层IOL2和第一绝缘层IS-IL1。
可以通过单个工艺(例如，同一光刻工艺或同一激光钻孔工艺)基本上同时限定接触孔CNT-I、CNT-S和CNT1至CNT4。可以依据接触孔CNT-I、CNT-S和CNT1至CNT4的类型通过多个工艺来限定接触孔CNT-I、CNT-S和CNT1至CNT4。在示例性实施例中，可以基本上同时限定第一接触孔CNT1和第三接触孔CNT3，可以基本上同时限定第二接触孔CNT2和第四接触孔CNT4，并且可以基本上同时限定第一连接接触孔CNT-I和第二连接接触孔CNT-S。
参照图14D，可以在第一绝缘层IS-IL1上设置第二导电层。设置第二导电层之后，通过光刻工艺对第二导电层进行图案化以形成第二导电图案。
可以在第一绝缘层IS-IL1上设置第一传感器部分SP1和第二连接部分CP2。例如，可以通过同一光刻工艺来设置连接到第一线部分SL1-11至SL1-31的第二线部分SL1-12至SL1-32。
可以设置通过第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2连接到信号线SGL的垫部分CSL-P和DL-P的信号垫DP-PD。可以通过同一工艺来限定第一传感器部分SP1、第二连接部分CP2、第二线部分SL1-12至SL1-32和信号垫DP-PD。
参照图14E，可以在第一绝缘层IS-IL1上设置第二绝缘层IS-IL2以覆盖第二导电图案。第二绝缘层IS-IL2可以与显示区域DD-DA完全叠置并且可以与非显示区域DD-NDA的一部分叠置。第二绝缘层IS-IL2可以暴露信号垫DP-PD和输入感测单元ISU的垫部分SL-P。
在本发明的另一示例性实施例中，第二绝缘层IS-IL2可以被替换为诸如 粘合构件的其它构件。在前述示例性实施例中，可以省略形成第二绝缘层IS-IL2的工艺。
图15A至图15F是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置DD的方法的剖视图。在图15A至图15F中，将主要描述与参照图14A至图14E描述的显示装置DD的制造方法不同的特征。
如图15A中所示，设置第一导电图案。可以通过与参照图14A描述的工艺相同的工艺来设置第一导电图案。如图15B中所示，设置第一绝缘层IS-IL1。可以通过与参照图14B描述的工艺相同的工艺来限定第一绝缘层IS-IL1。
如图15C中所示，通过第一绝缘层IS-IL1来限定上接触孔CNT1-1至CNT4-1。可以通过同一工艺来限定第一连接接触孔CNT-I和第二连接接触孔CNT-S，以暴露第一导电图案。可以通过第一曝光和显影工艺来限定上接触孔CNT1-1至CNT4-1以及第一连接接触孔CNT-I和第二连接接触孔CNT-S。
如图15D中所示，设置下接触孔CNT1-2至CNT4-2以对应于上接触孔CNT1-1至CNT4-1。可以通过第二曝光和显影工艺来设置下接触孔CNT1-2至CNT4-2。形成下接触孔CNT1-2至CNT4-2的工艺包括去除封装无机层的至少与虚设垫IS-DPD叠置的部分。
在这种情况下，可以通过使用掩模来保护第一连接接触孔CNT-I和第二连接接触孔CNT-S免受第二曝光和显影工艺的影响。下接触孔CNT1-2至CNT4-2中的一些接触孔穿透第二中间无机层20、中间有机层30、第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2，下接触孔CNT1-2至CNT4-2中的其它接触孔穿透中间有机层30、第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2。
通过参照图15C和图15D描述的工艺，可以限定当在剖面中观看时均具有阶梯形状的第一接触孔CNT10至第四接触孔CNT40。
然后，如图15E所示，可以在第一绝缘层IS-IL1上设置第二导电图案。可以通过与参照图14D所描述的工艺相同的工艺来设置第二导电图案。然后，如图15F中所示，可以设置第二绝缘层IS-IL2。可以通过与参照图14E所描述的工艺相同的工艺来限定第二绝缘层IS-IL2。
图16A至图16C是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。在图16A至图16C中，将省略与参照图1至图15F所描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。
图16A示出了对应于图11C的剖面。根据示出的示例性实施例，第一传 感器部分SP1和第二连接部分CP2直接设置在薄膜封装层TFE上。第一绝缘层IS-IL1设置在薄膜封装层TFE上以覆盖第一传感器部分SP1和第二连接部分CP2。设置在第一绝缘层IS-IL1上的第一连接部分CP1通过第一连接接触孔CNT-I电连接到第一传感器部分SP1。
在根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU中，当与参照图11A至图11D描述的输入感测单元ISU相比时，第一导电层IS-CL1的第一导电图案和第二导电层IS-CL2的第二导电图案彼此相对地改变。然而，第一信号线SL1-1至SL1-5(参照图10A)的垫部分SL-P(参照图10A)和第二信号线SL2-1至SL2-4(参照图10A)的垫部分SL-P可以由设置在相比第二导电层IS-CL2上方位置处的第一导电层IS-CL1来提供。
换句话说，设置在第一绝缘层IS-IL1上的第一导电层IS-CL1可以包括第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线部分SL1-11至SL1-51(参照图11A)、第一信号线SL1-1至SL1-5的垫部分SL-P、第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线部分SL2-11至SL2-41(参照图11A)和第二信号线SL2-1至SL2-4的垫部分SL-P。因此，根据示出的示例性实施例的垫区域NDA-PD的剖面结构可以与参照图12A至图13C描述的垫区域NDA-PD的剖面结构基本上相同。
在示例性实施例中，为了改善柔性，第一绝缘层IS-IL1可以是聚合物层，例如，丙烯酸聚合物层。在示例性实施例中，第二绝缘层IS-IL2可以是聚合物层，例如，丙烯酸聚合物层。
如图16B中所示，输入感测单元ISU还可以包括直接设置在薄膜封装层TFE上的缓冲层IS-BFL。在示例性实施例中，缓冲层IS-BFL可以包括无机材料，例如，氮化硅层。设置在薄膜封装层TFE的最上位置处的无机层可以包括氮化硅，薄膜封装层TFE的氮化硅层和缓冲层IS-BFL可以在不同的沉积条件下进行设置。虽然未单独示出，但是缓冲层IS-BFL可以被应用于根据稍后描述的其它示例性实施例的输入感测单元。
图16C示出对应于图11C和图11D的剖面。如图16C中所示，可以省略图11D中所示的第二线部分SL1-12。第一信号线SL1-1仅包括图11D的第一线部分SL1-11。第一信号线SL1-1可以包括透明导电层SL1-11T和直接设置在透明导电层SL1-11T上的金属层SL1-11M。第一传感器部分SP1、第二连接部分CP2和第二传感器部分SP2(未示出)可以包括透明导电层SL1-11T，但是不包括金属层SL1-11M。
透明导电层SL1-11T和金属层SL1-11M通过顺序地形成初始透明导电层和初始金属层并顺序地对初始金属层和初始透明导电层进行图案化来设置。在设置第一绝缘层IS-IL1之后，通过第一绝缘层IS-IL1限定第一连接接触孔CNT-I。然后，可以设置第一连接部分CP1。
图17A是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的交叉区域的透视图。图17B是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。图17C是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的垫区域NDA-PD的一部分的剖视图。图17D是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的垫区域NDA-PD的另一部分的剖视图。下面描述的输入感测单元ISU的交叉区域对应于图10A的区域EE。在图17A至图17D中，将省略与参照图1至图16B所描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。
参照图17A和图17B，输入感测单元ISU包括设置在交叉区域处的绝缘图案IS-ILP。绝缘图案IS-ILP可以设置在图10A中所示的每个交叉区域处。与如图9至图13C中所示的包括与显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA完全叠置的第一绝缘层IS-IL1的输入感测单元ISU不同，根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU包括分别设置在交叉区域处的绝缘图案IS-ILP。
在示例性实施例中，绝缘图案IS-ILP可以包括包含光敏材料、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氮化硅、氮化铝和氧化钽中的至少一种的材料。绝缘图案IS-ILP可以包括除了所述材料之外的有机材料或无机材料。
第一连接部分CP1设置在绝缘图案IS-ILP上以连接第一传感器部分SP1。虽然未单独示出，但是绝缘层可以进一步设置在薄膜封装层TFE上以覆盖第一感测电极IE1-1至IE1-5(参照图10A)和第二感测电极IE2-1至IE2-4(参照图10A)。该绝缘层对应于参照图9至图13C描述的第二绝缘层IS-IL2。
由于将参照图9至图13C描述的输入感测单元ISU的第一绝缘层IS-IL1替换为绝缘图案IS-ILP，所以可以改变垫区域NDA-PD的剖面结构。图17C和图17D示出了对应于图12B和图13B的剖面。与图12B和图13B中示出的不同，从虚设垫IS-DPD与垫部分SL-P之间省略(即，未设置)第一绝缘层IS-IL1，并且从垫部分CSL-P和DL-P与信号垫DP-PD之间省略(即，未设置)第一绝缘层IS-IL1。
图18是示出包括在根据本发明的示例性实施例的显示装置中的输入感测单元ISU的交叉区域的平面图。图19A是示出包括在根据本发明的示例性 实施例的显示装置中的输入感测单元ISU的交叉区域的平面图。图19B是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。图20A是示出包括在根据本发明示例性实施例的显示装置中的输入感测单元ISU的交叉区域的平面图。图20B是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。图21是示出包括在根据本发明的示例性实施例的显示装置中的输入感测单元ISU的交叉区域EE'的平面图。
图18至图21示出了与图10A中所示的交叉区域不同的交叉区域。在图18至图21中，将省略与参照图1至图15F所描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。
如图18中所示，输入感测单元ISU可以包括布置在一个交叉区域中的多个第一连接部分CP1-1和CP1-2。在示出的示例性实施例中，将两个第一连接部分CP1-1和CP1-2示出为代表性示例。两个第一连接部分CP1-1和CP1-2不与第二连接部分CP2交叉。
两个第一连接部分CP1-1和CP1-2可以减小相应的感测电极的电阻。即使两个第一连接部分CP1-1和CP1-2中的一个由于例如静电而断开，也可以防止相应的感测电极断开。由于两个第一连接部分CP1-1和CP1-2不与第二连接部分CP2交叉，所以可以减少发生在它们之间的寄生电容。
图18示出了图10A中未示出的光学虚设电极DMP-L。通过与第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的工艺相同的工艺来设置光学虚设电极DMP-L，因此光学虚设电极DMP-L可以包括与第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的材料相同的材料以及与第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的堆叠结构相同的堆叠结构。光学虚设电极DMP-L用作浮置电极并且不与第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2电连接。由于光学虚设电极DMP-L，第一传感器部分SP1与第二传感器部分SP2之间的边界区域的可视性会下降。虽然未单独示出，但是光学虚设电极DMP-L可以应用于下文描述的根据其它示例性实施例的其它输入感测单元。
如图19A和图19B中所示，输入感测单元ISU包括布置在一个交叉区域中的多个第一连接部分CP1-1和CP1-2。第一连接部分CP1-1和CP1-2中的一个或更多个可以包括多个图案P1、P2和P3。
第一图案P1和第二图案P2可以由第一导电层IS-CL1(参照图9)设置，第三图案P3可以由第二导电层IS-CL2(参照图9)设置。第一图案P1和第 二图案P2中的每个可以通过第一连接接触孔CNT-I电连接第三图案P3和第一传感器部分SP1。
通过第二传感器部分SP2限定开口SP2-OP。第三图案P3设置在开口SP2-OP中。第一图案P1和第二图案P2可以包括具有比第三图案P3的电阻低的电阻的材料。第三图案P3以及第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以通过同一工艺来设置，因此第三图案P3以及第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有相同的堆叠结构并且可以包括相同的材料。第三图案P3以及第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以包括透明导电材料。第一图案P1和第二图案P2可以包括金属材料。
与如图10A中所示的在第二方向DR2上延伸的第一连接部分CP1不同，第一图案P1和第二图案P2在与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的倾斜方向上延伸。由于人类视觉的特性，用户对倾斜方向的感知比对第一方向DR1和第二方向DR2的感知相对地差，所以用户相对少地察觉包括金属材料的第一图案P1和第二图案P2。
在示出的示例性实施例中，开口SP2-OP通过第二传感器部分SP2来限定，但是开口SP2-OP可以限定在根据其它示例性实施例的第二连接部分CP2中。在这种情况下，第三图案P3设置在通过第二连接部分CP2限定的开口中。
如图20A和图20B中所示，第一连接部分CP1可以通过多个第一连接接触孔CNT-I(在下文中，被称为第一连接接触孔)电连接到第一传感器部分SP1中的每一个。如图20A和图20B中所示，第一连接部分CP1的左端通过两个第一连接接触孔CNT-I电连接到设置在其左侧处的第一传感器部分SP1，第一连接部分CP1的右端通过两个第一连接接触孔CNT-I电连接到设置在其右侧处的第一传感器部分SP1。
如上所述，由于第一连接部分CP1通过第一连接接触孔CNT-I电连接到第一传感器部分SP1，所以可以减小接触电阻。连接部分与传感器部分之间通过连接接触孔的连接关系可以应用于本发明的其它示例性实施例。
与如图10A中所示的在第二方向DR2上延伸的第一连接部分CP1不同，图21中所示的第一连接部分CP1在与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的倾斜方向上延伸以降低可视性。输入感测单元ISU还可以包括静电释放图案ESD-P。图21示出了两个静电释放图案ESD-P作为代表性示例。静电释放图 案ESD-P可以通过第一连接接触孔CNT-I连接到第二传感器部分SP2。
静电释放图案ESD-P的一端可以与第一传感器部分SP1叠置。顶点可以设置在静电释放图案ESD-P的与第一传感器部分SP1叠置的一端处以容易地释放静电。换句话说，静电释放图案ESD-P可以具有针形，并且静电释放图案ESD-P的顶点部分可以与第一传感器部分SP1叠置。
当在平面图中观看时，静电释放图案ESD-P被设置为与第一连接部分CP1相比更邻近第一传感器部分SP1。换句话说，静电释放图案ESD-P被设置为距离第一连接部分CP1与第二连接部分CP2交叉的点较远。静电被引到顶点，因此可以防止第一连接部分CP1断开。
在本发明的示例性实施例中，静电释放图案ESD-P可以通过第一连接接触孔CNT-I连接到第一传感器部分SP1。静电释放图案ESD-P的设置有顶点的一端可以与第二传感器部分SP2叠置。
图22A是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的平面图。图22B是示出图22A中所示的输入感测单元ISU的区域“FF”的平面图。图22C和图22D是沿着图22B的线VIII-VIII'截取的剖视图。图22A对应于图10A。在图22A至图22D中，将省略与图1至图15F中的元件相同的元件的详细描述。在下文中，将简单地示出电路元件层DP-CL。参照图16A至图21描述的示例性实施例可以应用于在下文中描述的输入感测单元ISU。
如图22A中所示，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有网格形状。由于第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4具有网格形状，所以可以减小感测电极与显示面板DP(参照图9)的电极之间的寄生电容。另外，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4不与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置，因此第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4不会被用户察觉。
在示例性实施例中，具有网格形状的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以包括可以用低温工艺施用的材料，诸如银、铝、铜、铬、镍、钛等，但是它们不应限于此或由此限制。虽然输入感测单元ISU通过连续工艺来设置，但是可以防止有机发光二极管OLED(参照图6)被损坏。
如图22B和图22C中所示，第一传感器部分SP1与非发光区域NPXA叠置并且不与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以被限定为与图6中所示的发光区域PXA相同。
第一传感器部分SP1的网格线可以限定多个网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB(在下文中，被称为网格孔)。网格线可以具有钛/铝/钛的三层结构。网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB可以以一对一的方式对应于发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。
根据由有机发光二极管OLED产生的光的颜色，可以将发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B分组为多个组。图22B示出了根据发光颜色被分为三组的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。
根据从有机发光二极管OLED的发光层EML发出的光的颜色，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有彼此不同的面积。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以根据有机发光二极管的类型来确定。
网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB可以被分组为具有彼此不同的面积的多个组。根据相应的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B，可以将网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB分组为三个组。
在上述实施例中，网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB分别对应于发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。然而，根据其它示例性实施例，网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB中的每个可以对应于发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之中的两个或更多个发光区域。
另外，如上所述，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B具有不同的面积。然而，根据其它示例性实施例，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有相同的尺寸，并且网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB可以具有相同的尺寸。当在平面图中观看时的网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB的形状不应限于图22B的形状。也就是说，例如，网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB可以具有与菱形形状不同的多边形形状。例如，当在平面图中观看时，网格孔IS-OPR、IS-OPG和IS-OPB的形状可以具有带有圆角的多边形形状。
如图22D中所示，根据本发明的示例性实施例的第一传感器部分SP1可以具有多层结构。第一传感器部分SP1可以包括顺序地堆叠(彼此接触)的透明导电氧化物层SP-T和网格线层SP-M。透明导电氧化物层SP-T可以与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B(参照图22B)叠置。透明导电氧化物层SP-T和网格线层SP-M的堆叠顺序不应限于此或由此限制。虽然未在附图中示出，但是由第二导电层IS-CL2设置的其它导电图案(例如，第二传感器部 分SP2(参照图10A和图22A)和第二连接部分CP2(参照图10A和图22A))可以具有与第一传感器部分SP1的堆叠结构相同的堆叠结构。
图23A至图23F是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。在图23A至图23F中，将省略与图1至图15F中的元件相同的元件的详细描述。参照图16A至图22D描述的示例性实施例可以应用于下面描述的输入感测单元ISU。
图23A至图23F示出对应于图22C的剖视图。在示出的示例性实施例中，示出了具有网格形状的感测电极作为代表性示例，但是感测电极的形状不应限于网格形状。图23A至图23C具体地示出了参照图2A至图2F描述的具有“层”形状的抗反射单元。
参照图23A，抗反射单元RPU包括直接设置在第二绝缘层IS-IL2上的黑矩阵BM和滤色器CF。分别地，黑矩阵BM与非发光区域NPXA叠置，滤色器CF与发光区域PXA叠置。滤色器CF包括多个滤色器组。在示例性实施例中，例如，滤色器CF可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。然而，本发明不限于此，例如，滤色器CF可以包括灰色滤色器。
在示出的示例性实施例中，黑矩阵BM包括阻挡光的材料。在示例性实施例中，例如，黑矩阵BM可以包括具有高的光吸收率的有机材料。黑矩阵BM可以包括黑色染料或颜料。在示例性实施例中，黑矩阵BM包括光敏有机材料，例如，如染料和颜料的着色剂。黑矩阵BM可以具有单层结构或多层结构。
黑矩阵BM和滤色器CF可以形成台阶差。根据黑矩阵BM和滤色器CF的形成顺序，黑矩阵BM可以覆盖滤色器CF的部分，或者滤色器CF可以覆盖黑矩阵BM的部分。滤色器CF可以在与黑矩阵BM叠置的区域中彼此叠置。
滤色器CF不仅透射由有机发光二极管OLED产生的光，而且还降低从外部源(未示出)入射到其的光(在下文中，被称为“外部光”)的反射率。当外部光穿过滤色器CF时，外部光的量被减少到大约1/3。外部光的穿过滤色器CF的部分消失，而外部光的其它部分被设置在滤色器CF下方的组件(例如，显示元件层DP-OLED和薄膜封装层TFE)反射。反射光再次入射到滤色器CF。当反射光穿过滤色器CF时，反射光的亮度被降低。所以，仅一部分外部光被显示装置DD反射。也就是说，外部光的反射率被降低。
参照图23B，抗反射单元RPU可以包括与显示区域DD-DA(参照图22A)和非显示区域DD-NDA(参照图22A)叠置的含金属层ML1和ML2以及与显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA叠置的介电层IL1和IL2。在示例性实施例中，抗反射单元RPU包括两个含金属层ML1和ML2以及两个介电层IL1和IL2。含金属层ML1和ML2对应于反射层，介电层IL1和IL2控制相消干涉的条件。
含金属层ML1和ML2可以与介电层IL1和IL2交替地堆叠。然而，含金属层ML1和ML2以及介电层IL1和IL2的堆叠顺序不应被具地体限制。含金属层ML1和ML2中的第一含金属层ML1可以包括具有大约30％或更高吸收率的金属材料。第一含金属层ML1可以是具有大约1.5至大约1.7的折射率(n)以及大约1.5至大约7的吸收系数(k)的材料。第一含金属层ML1可以包括铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、钴(Co)、氧化铜(CuO)、氮化钛(TiNx)和硫化镍(NiS)中的一种或更多种。第一含金属层ML1可以是但不限于是包含上述金属材料中的一种金属材料的金属层。含金属层ML1和ML2之中的第二含金属层ML2可以包括金属材料。
在示例性实施例中，例如，介电层IL1和IL2之中的第一介电层IL1和第二介电层IL2可以包括氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氟化锂(LiF)、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、氮化硅(SiNx)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铌(Nb2O5)、碳氮化硅(SiCN)、氧化钼(MoOx)、氧化铁(FeOx)和氧化铬(CrOx)中的至少一种。
从外部入射的光OIL的一部分被第一含金属层ML1反射(在下文中，被第一含金属层ML1反射的光将被称为“第一反射光RL1”)，从外部入射的光OIL的其它部分被第二含金属层ML2反射(在下文中，被第二含金属层ML2反射的光将被称为“第二反射光RL2”)。第一介电层IL1控制穿过第一介电层IL1的光的相位，使得第一反射光RL1与第二反射光RL2之间的相位差变成大约180度。因此，第一反射光RL1和第二反射光RL2彼此相消干涉。
第一含金属层ML1、第二含金属层ML2、第一介电层IL1和第二介电层IL2的厚度和材料可以被选择为满足第一反射光RL1与第二反射光RL2彼此相消干涉的条件。
参照图23C，抗反射单元RPU可以包括以预定的方向取向的液晶。在示例性实施例中，例如，抗反射单元RPU可以包括在一个方向上具有倾斜角的 盘状液晶层。抗反射单元RPU可以具有偏振器的功能。抗反射单元RPU可以包括多个液晶层。
上述抗反射单元RPU直接设置在输入感测单元ISU上，但是抗反射单元RPU的堆叠顺序可以被改变。
图23D具体示出了参照图2E描述的具有抗反射单元的功能的输入感测层ISL-1。第二绝缘层IS-IL2可以包括黑矩阵BM和滤色器CF。在本发明的示例性实施例中，不是第二绝缘层IS-IL2，而是第一绝缘层IS-IL1可以包括黑矩阵BM和滤色器CF。黑矩阵BM和滤色器CF的详细描述如同参照图23A所述的。
图23E具体示出了参照图2F所述的具有抗反射单元的功能的显示面板DP-1。如图23E中所示，包括在薄膜封装层TFE中的封装有机层OL可以包括黑矩阵BM、滤色器CF和平坦化层FL。黑矩阵BM与滤色器CF之间的布置可以与图23A中示出的抗反射层RPL相同，因此将省略其细节。平坦化层FL使因黑矩阵BM和滤色器CF而出现台阶差的上表面平坦化，以提供平坦的上表面。平坦化层FL可以是但不限于有机单体层。
如图23E，在前表面发光型显示装置中，黑矩阵BM和滤色器CF可以代替显示面板的有机层、输入感测单元的有机层或窗单元的有机层。显示面板的有机层、输入感测单元的有机层或窗单元的有机层设置在显示元件层DP-OLED上。因此，显示面板、输入感测单元或窗单元具有抗反射功能。
在图23F中所示的显示面板DP-1中，与图23E中所示的显示面板DP-1相比，可以省略平坦化层FL。第一绝缘层IS-IL1可以包括有机材料，并可以使得因黑矩阵BM和滤色器CF而出现台阶差的上表面平坦化，以提供平面化的上表面。
图24A是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的平面图。图24B是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。图24C是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。在图24A至图24C中，将省略与参照图1至图15F描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。参照图22A至图23F描述的示例性实施例可以应用于下面描述的显示装置DD。
图24A示出对应于图10A的平面图，图24B示出对应于图14E的剖视图。根据示出的示例性实施例，第一感测电极IE1-1至IE1-5由第一导电层IS-CL1(参照图9)设置，第二感测电极IE2-1至IE2-4由第二导电层IS-CL2(参照图9)设置。因此，可以省略参照图11A至图11C描述的第一连接接触孔CNT-I。根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU的驱动方法不应该被具体地限制，并且可以通过互电容法和/或自电容法来感测外部输入。
第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可以与参照图11A至图13C所描述的信号线相同。在本发明的示例性实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5可以仅包括由第一导电层IS-CL1设置的第一线部分SL1-11至SL1-51，第二信号线SL2-1至SL2-4可以仅包括由第二导电层IS-CL2设置的第二线部分SL2-12至SL2-42。
在本发明的示例性实施例中，第一导电层IS-CL1(参照图9)和第二导电层IS-CL2(参照图9)包括导电聚合物，第一绝缘层IS-IL1(参照图9)和第二绝缘层IS-IL2(参照图9)包括绝缘聚合物。在第一导电层IS-CL1、第二导电层IS-CL2、第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2具有不同的导电性并且包括聚合物的情况下，第一导电层IS-CL1、第二导电层IS-CL2、第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2可以在同一室中由连续工艺来设置，因此可以缩短制造时间。另外，由于聚合物具有小的弹性模量，所以聚合物可以应用于柔性显示装置。
图24C示出沿着图24A的线IX-IX'截取的剖视图。图24C示出了提供平坦上表面的第一绝缘层IS-IL1作为代表性示例，但是第一绝缘层IS-IL1可以具有台阶差。在示出的示例性实施例中，通过控制第一绝缘层IS-IL1的折射率和第二绝缘层IS-IL2的折射率，可以减小第一感测电极IE1-1至IE1-5与设置在与第一感测电极IE1-1至IE1-5的层不同的层上的第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的反射率的差异。
第一绝缘层IS-IL1可以具有与第一感测电极IE1-1至IE1-5的折射率相似的折射率。期望第二绝缘层IS-IL2具有比第一绝缘层IS-IL1的折射率小的折射率。在示例性实施例中，在第一感测电极IE1-1至IE1-5为ITO电极的情况下，例如，第一绝缘层IS-IL1对于大约550纳米(nm)的波长的光具有大约1.7至大约1.8的折射率，第二绝缘层IS-IL2可以具有介于空气的折射率与第一绝缘层IS-IL1的折射率之间的折射率，例如，大约1.5至大约1.65。
如上所述，由于具有不同折射率的第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2设置在感测电极上，所以可以降低外部光的反射率，可以减小第一感 测电极IE1-1至IE1-5与设置在与第一感测电极IE1-1至IE1-5的层不同的层上的第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的反射率的差异。
图25A和图25B是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的一部分的平面图。图25C是沿着图25A和图25B的线X-X'截取的剖视图。在图25A至图25C中，将省略与参照图1至图15F描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。参照图22A至图24C描述的示例性实施例可以应用于下面描述的显示装置DD。
在根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU中，类似于图24A和图24B中所示的输入感测单元ISU，第一感测电极IE1-1至IE1-5由第一导电层IS-CL1(参照图9)设置，第二感测电极IE2-1至IE2-4由第二导电层IS-CL2(参照图9)设置。与图24A和图24B中所示的输入感测单元ISU不同，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4具有网格形状。在示例性实施例中，例如，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4具有钛/铝/钛的三层结构。
根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU还可以包括由第一导电层IS-CL1设置的第一虚设电极DMP1和由第二导电层IS-CL2设置的第二虚设电极DMP2。第一虚设电极DMP1通过第三连接接触孔CNT-D连接到第二感测电极IE2-1到IE2-4的第二传感器部分SP2。第二虚设电极DMP2通过第三连接接触孔CNT-D连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一传感器部分SP1。第一虚设电极DMP1和第二虚设电极DMP2可以减小第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4的电阻。
在示出的示例性实施例中，第一虚设电极DMP1具有与第一感测电极IE1-1至IE1-5的堆叠结构和材料相同的堆叠结构和材料，但是根据示例性实施例，第一虚设电极DMP1可以具有与第一感测电极IE1-1至IE1-5的堆叠结构和材料不同的堆叠结构和材料。在示例性实施例中，例如，第一虚设电极DMP1可以包括透明导电氧化物并且可以具有与图24A中所示的第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二传感器部分的形状相似的形状(与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置的形状)。虽然未单独示出，但是参照图10A至图23F描述的输入感测单元ISU还可以包括由第一导电层IS-CL1设置的虚设电极。每个虚设电极可以与第一传感器部分和第二传感器部分之中的对应的传感器部分叠置。
图26A是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的平面图。图26B是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的第一导电层IS-CL1的平面图。图26C是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的第二导电层IS-CL2的平面图。在图26A至图26C中，将省略与参照图1至图15F描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。参照图22A至图25C描述的示例性实施例可以应用于下面描述的显示装置DD。
如图26A中所示，输入感测单元ISU可以包括第一感测电极IE1-1至IE1-4、连接到第一感测电极IE1-1至IE1-4的第一信号线SL1-1至SL1-4、第二感测电极的IE2-1至IE2-4以及连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-3。根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU的驱动方法不应该被具体地限制，并且可以通过互电容法和/或自电容法来感测外部输入。
第一感测电极IE1-1至IE1-4中的每个具有在第二方向DR2上延伸的形状。第一感测电极IE1-1至IE1-4布置在第一方向DR1上。第二感测电极IE2-1至IE2-4与第一感测电极IE1-1至IE1-4交替地布置。第二感测电极IE2-1至IE2-4包括多个传感器部分IE-1至IE-3。在图26A中，将包括布置在第二方向DR2上的三个传感器部分IE-1至IE-3的第二感测电极IE2-1至IE2-4示出为代表性示例。
第二信号线SL2-1至SL2-3电连接第二感测电极IE2-1至IE2-4的对应的传感器部分。第二感测电极IE2-1至IE2-4的第一传感器部分IE-1连接到第二信号线SL2-1至SL2-3之中的一条信号线SL2-1。
如图26B中所示，第一感测电极IE1-1至IE1-4、第二感测电极IE2-1至IE2-4以及第二信号线SL2-1至SL2-3的第一线部分SL2-11至SL2-31可以由第一导电层IS-CL1设置。虽然在图26B中未示出第一绝缘层IS-IL1(参照图9)，但是第二连接接触孔CNT-S和第四连接接触孔CNT-IS可以通过第一绝缘层IS-IL1来限定。
如图26C中所示，第一信号线SL1-1至SL1-4可以由第二导电层IS-CL2设置，可以设置第二信号线SL2-1至SL2-3的第二线部分SL2-12至SL2-32以及连接到第二线部分SL2-12至SL2-32的垫部分SL-P。第二信号线SL2-1至SL2-3的第二线部分SL2-12至SL2-32分别通过第二连接接触孔CNT-S连接到第二信号线SL2-1至SL2-3的第一线部分SL2-11至SL2-31。第一信号 线SL1-1至SL1-4分别通过第四连接接触孔CNT-IS连接到第一感测电极IE1-1至IE1-4。
如参照图26A至图26C所述，感测电极设置在同一层中，并且一些信号线可以设置在与感测电极不同的层上。根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU的垫区域NDA-PD可以具有与图12A至图13C的剖面结构相同的剖面结构。
图27A是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的平面图。图27B是示出根据本发明的示例性实施例的传感器块的平面图。图27C是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元的平面图。
如图27A中所示，输入感测单元ISU包括第一感测电极IE1、第二感测电极IE2-1至IE2-3和多组信号线SL1至SL4。输入感测单元ISU包括设置在显示区域DD-DA中的多个传感器块SB。传感器块SB可以限定多个传感器列ISC1至ISC6或多个传感器行ISL1至ISL3。传感器列ISC1至ISC6中的每列可以包括布置在列方向(即，图27A的第一方向DR1)上的多个传感器块SB。传感器列ISC1至ISC6布置在行方向(即，图27A的第二方向DR2)上。在图27A中，传感器块SB以矩阵形式布置，但是传感器块SB的布置不应限于矩阵形式。
如图27B中所示，传感器块SB中的每个包括第一感测电极IE1以及邻近第一感测电极IE1设置并布置在预定的方向上的i(i是等于或大于2的自然数)个第二感测电极IE2-1至IE2-i。图27B示出了i个第二感测电极IE2-1至IE2-i。i个第二感测电极IE2-1至IE2-i形成一个传感器组。第二感测电极IE2-1至IE2-i的布置方向可以与第一感测电极IE1延伸所沿的方向基本上相同。
这里，包括在传感器块SB中的第一感测电极的数目由彼此电绝缘的第一感测电极的数目决定。虽然传感器块SB包括两个导电图案，但是通过信号线彼此电连接的两个导电图案被定义为一个第一感测电极。这可以适用于第二感测电极。也就是说，图27B中所示的i个第二感测电极IE2-1至IE2-i彼此电分离。
在下文中，传感器列ISC1至ISC6的序数从左至右增大，传感器行ISL1至ISL3的序数从上至下增大，i个第二感测电极IE2-1至IE2-i的序数从上至下增大。在示例性实施例中，例如，在传感器列ISC1至ISC6之中，位于最 左位置处的传感器列ISC1被称为“第一传感器列ISC1”，位于最右位置处的传感器列ISC6被称为“第六传感器列ISC6”。
当第二感测电极IE2-1至IE2-i接收用于感测外部输入的感测信号(或传输信号)时，第一感测电极IE1电容耦合到第二感测电极IE2-1至IE2-i。当输入单元设置在电容耦合的第二感测电极IE2-1至IE2-i中的特定的第二感测电极上时，第一感测电极IE1与所述第二感测电极之间的电容被改变。输入感测电路IS-C(参考图4A)感测来自特定的第二感测电极的改变的电容，以计算输入单元的坐标信息。
在本发明的示例性实施例中，第一感测电极IE1可以接收感测信号以感测外部输入，在这种情况下，输入感测电路IS-C感测来自特定的第二感测电极的改变的电容，以计算输入单元的坐标信息。
将返回参照图27A来描述传感器块SB和信号线SL1至SL4之间的连接关系。将结合传感器块SB和信号线SL1至SL4之间的连接关系来主要描述第一传感器列ISC1和第二传感器列ISC2。
信号线SL1至SL4包括第一信号线SL1、第二信号线SL2、第三信号线SL3和第四信号线SL4。第一信号线SL1分别连接到第一传感器列ISC1的传感器块SB的第一感测电极IE1。第一信号线SL1可以包括线部分和连接到线部分的端部的垫部分SL-P。线部分可以由每条第一信号线SL1的除了每条第一信号线SL1的垫部分SL-P之外的部分来限定。第一信号线SL1的垫部分SL-P可以排列在非显示区域DD-NDA中。
第二信号线SL2将布置在传感器列的传感器块SB的第n个传感器块中的i个第二感测电极之中的第j(“j”是等于或大于1且等于或小于“i”的自然数)个第二感测电极连接到布置在传感器列的传感器块SB的第(n+1)个传感器块中的i个第二感测电极之中的第(i-j+1)个第二感测电极。在下文中，将详细描述对应于第一传感器列ISC1的三条第二信号线SL2-1、SL2-2和SL2-3。
一条第二信号线SL2-1连接第一传感器块SB的第一个第二感测电极IE2-1、第二传感器块SB的第三个第二感测电极IE2-3和第三传感器块SB的第一个第二感测电极IE2-1。另一条第二信号线SL2-2连接第一传感器块SB至第三传感器块SB的第二个第二感测电极IE2-2。另一条第二信号线SL2-3连接第一传感器块SB的第三个第二感测电极IE2-3、第二传感器块SB的第 一个第二感测电极IE2-1和第三传感器块SB的第三个第二感测电极IE2-3。
对应于第一传感器列ISC1的第二信号线SL2可以通过第三信号线SL3连接到对应于第二传感器列ISC2的第二信号线SL2。第二信号线SL2可以通过第二连接接触孔CNT-S连接到相应的第三信号线。
第三信号线SL3的数量可以设置为与设置在一个传感器块中的第二传感器的数量相同。也就是说，可以设置i条第三信号线SL3。在示出的示例性实施例中，示出了三条第三信号线SL3。
对应于第一传感器列ISC1的一条第二信号线SL2-1和对应于第二传感器列ISC2的一条第二信号线SL2-1通过三条第三信号线SL3之中的一条第三信号线SL3彼此连接。对应于第一传感器列ISC1的另一条第二信号线SL2-2和对应于第二传感器列ISC2的另一条第二信号线SL2-2通过三条第三信号线SL3之中的另一条第三信号线SL3彼此连接。设置在传感器列ISC1至ISC6中的相应的第二感测电极IE2-1至IE2-3通过第三信号线SL3彼此电连接。
第四信号线SL4可以设置为与第三信号线SL3的数量相同的数量。也就是说，设置了i条第四信号线SL4。i条第四信号线SL4可以通过第二连接接触孔CNT-S以一一对应的方式连接到i条第三信号线SL3。
在图27C中所示的输入感测单元ISU中，信号线SL1至SL4与第一感测电极IE1和第二感测电极IE2-1至IE2-3之间的连接关系与图27A中所示的输入感测单元ISU中的连接关系不同。
对应于第一传感器列ISC1的第一信号线SL1可以通过第三信号线SL3连接到对应于第二传感器列ISC2的第一信号线SL1。第三信号线SL3的数量可以设置为与设置在一个传感器列中的第一感测电极IE1的数量相同。在示出的示例性实施例中，示出了三条第三信号线SL3。
第一传感器列ISC1的第一个第一感测电极IE1和第二传感器列ISC2的第一个第一感测电极IE1通过三条第三信号线SL3之中的一条第三信号线SL3彼此连接。第一传感器列ISC1的第二个第一感测电极IE1和第二传感器列ISC2的第二个第一感测电极IE1通过三条第三信号线SL3之中的另一条第三信号线SL3彼此连接。第一传感器列ISC1的第三个第一感测电极IE1和第二传感器列ISC2的第三个第一感测电极IE1通过三条第三信号线SL3之中的另一条第三信号线SL3彼此连接。第四信号线SL4可以设置为与第三信号线SL3的数量相同的数量。
图28是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的平面图。在下文中，将主要描述图28中所示的输入感测单元ISU与参照图9至图13C所描述的输入感测单元ISU之间的差异。
如图28中所示，输入感测单元ISU包括第一感测电极IE1-1至IE1-5、连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、第二感测电极IE2-1至IE2-4以及连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4。
第二信号线SL2-1至SL2-4包括线部分SL-L和垫部分SL-P。将详细描述一条第二信号线SL2-1。线部分SL-L可以包括第一线部分SL2-11和第二线部分SL2-12。第一线部分SL2-11连接到一个第二感测电极IE2-1的两端。第一线部分SL2-11可以由第一导电层IS-CL1设置。第二感测电极IE2-1至IE2-4可以由第一导电层IS-CL1设置。
第二线部分SL2-12可以通过第二连接接触孔CNT-S连接到第一线部分SL2-11。垫部分SL-P连接到第二线部分SL2-12的一端。第二线部分SL2-12可以由第二导电层IS-CL2设置。第二线部分SL2-12和垫部分SL-P通过同一光刻工艺限定，因此第二线部分SL2-12和垫部分SL-P可以彼此一体地设置。第一感测电极IE1-1至IE1-5和第一信号线SL1-1至SL1-5可以由第二导电层IS-CL2设置。
在本发明的示例性实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5可以具有参照图11D描述的双层结构。第二信号线SL2-1至SL2-4可以与第二线部分SL2-12一体地设置，并且还可以包括与第一线部分SL2-11对应的线部分。
图29是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。图30A是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元的平面图。图30B是沿着图30A的线XI-XI'截取的剖视图。图30C是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元的平面图。图30D至图30F是沿着图30C的线XI-XI'截取的剖视图。在图29和图30A至图30F中，将省略与参照图1至图28描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。
在图29中，简单地示出了显示装置DD以示出输入感测单元ISU的堆叠结构。在图29中，与图9中所示的显示装置DD相比，省略了第二导电层IS-CL2和第二绝缘层IS-IL2。
如图29中所示，根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU可以 包括第一导电层IS-CL1和直接覆盖(或接触)第一导电层IS-CL1的第一绝缘层IS-IL1。第一导电层IS-CL1包括多个导电图案。
如图30A和图30B中所示，输入感测单元ISU可以包括多个感测电极IE(在下文中，被称为感测电极)和多条信号线SL(在下文中，被称为信号线)。感测电极IE具有它们自己的坐标信息。在示例性实施例中，例如，感测电极IE可以以矩阵形式布置并且可以分别连接到信号线SL。信号线SL中的每条可以包括线部分SL-L和垫部分SL-P。感测电极IE的形状和布置不应被具体地限制。信号线SL中的一些布置在显示区域DD-DA中，信号线SL中的另一些布置在非显示区域DD-NDA中。根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU可以通过自电容法获得坐标信息。
在示出的示例性实施例中，感测电极IE具有网格形状，但是感测电极IE的形状不应限于网格形状。根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU的垫区域NDA-PD可以具有与图12A至图13C的剖面类似的剖面。然而，与图12A至图13C不同，从虚设垫IS-DPD与垫部分SL-P之间省略第一绝缘层IS-IL1，并且从垫部分CSL-P和DL-P与信号垫DP-PD之间省略第一绝缘层IS-IL1。在示出的示例性实施例中，第一绝缘层IS-IL1与显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA叠置并暴露出垫区域NDA-PD。
如图30C和图30D中所示，输入感测单元ISU可以包括感测电极IE、设置在感测电极IE下的备用绝缘层IS-IL0以及设置在感测电极IE上的第一绝缘层IS-IL1。在下文中，备用绝缘层IS-IL0和第一绝缘层IS-IL1分别被称为“下绝缘层”和“上绝缘层”。
在示出的示例性实施例中，感测电极IE可以具有多边形形状，例如，四边形形状。在示出的示例性实施例中，下绝缘层IS-IL0和上绝缘层IS-IL1中的每个可以包括多个绝缘层，例如，两个绝缘层。可以控制下绝缘层IS-IL0和上绝缘层IS-IL1的绝缘层的折射率，从而可以减小感测电极IE的反射率。
下绝缘层IS-IL0和上绝缘层IS-IL1中的每个包括具有彼此不同的折射率的两个绝缘层。下绝缘层IS-IL0包括第一高折射率绝缘层IS-H0和第一低折射率绝缘层IS-L0，上绝缘层IS-IL1包括第二高折射率绝缘层IS-H1和第二低折射率绝缘层IS-L1。
第一高折射率绝缘层IS-H0可以具有大于第一低折射率绝缘层IS-L0的折射率的折射率。第一高折射率绝缘层IS-H0可以具有与感测电极IE的折射 率类似的折射率。在示例性实施例中，例如，在感测电极IE是ITO电极的情况下，第一高折射率绝缘层IS-H0相对于大约550nm的波长的光可以具有大约1.7至大约2.2的折射率，第一低折射率绝缘层IS-L0可以具有在空气的折射率与第一高折射率绝缘层IS-H0的折射率之间的折射率，例如，大约1.4至大约1.65。在示例性实施例中，例如，第一高折射率绝缘层IS-H0可以包括氧化铌(NbOx)，第一低折射率绝缘层IS-L0可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
第二高折射率绝缘层IS-H1可以具有大于第二低折射率绝缘层IS-L1的折射率的折射率。第二高折射率绝缘层IS-H1可以具有与感测电极IE的折射率类似的折射率。在示例性实施例中，例如，在感测电极IE为ITO电极的情况下，第二高折射率绝缘层IS-H1相对于大约550nm的波长的光可以具有大约1.7至大约2.2的折射率，第二低折射率绝缘层IS-L1可以具有在空气的折射率与第二高折射率绝缘层IS-H1的折射率之间的折射率，例如，大约1.4至大约1.65。在示例性实施例中，例如，第二低折射率绝缘层IS-L1可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，第二高折射率绝缘层IS-H1可以包括氧化铌(NbOx)。输入感测单元ISU可以只包括如图30E中所示的上绝缘层IS-IL1，或者输入感测单元ISU可以只包括如图30F中所示的下绝缘层IS-IL0。虽然未单独示出，但是图11C中所示的第二绝缘层IS-IL2可以具有与上绝缘层IS-IL1相同的堆叠结构，第一绝缘层IS-IL1可以具有与下绝缘层IS-IL0相同的堆叠结构。图16A和图16B中所示的第一绝缘层IS-IL1可以具有与上绝缘层IS-IL1相同的堆叠结构。
图31是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元的平面图。在图31中，将省略与参照图1至图30F描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。
如图31中所示，例如，输入感测单元ISU可以包括具有多边形形状的感测电极IE。感测电极IE与垫区域NDA-PD之间的距离可以由感测电极IE的坐标确定。信号线SL可以具有由连接到其的感测电极IE的坐标确定的长度。在示出的示例性实施例中，信号线SL可以具有彼此相同的长度，使得信号线SL具有彼此相同的电阻。线部分SL-L可以包括第一部分SL-P1和第二部分SL-P2。第一部分SL-P1的一端连接到感测电极IE之中的相应的感测电极。第二部分SL-P2从第一部分SL-P1延伸并且通过其一端连接到垫部分SL-P。
第一部分SL-P1可以弯曲“n”次或更多次，并可以控制信号线SL的电阻。在示出的示例性实施例中，“n”是等于或大于零(0)的整数。“n”可以由连接到信号线SL的感测电极IE的坐标确定。随着感测电极IE远离垫区域NDA-PD设置，“n”变小，而随着感测电极IE靠近垫区域NDA-PD设置，“n”变大。当信号线SL在被拉伸的同时彼此比较时，信号线SL可以具有相同的长度。
在示出的示例性实施例中，第一部分SL-P1设置在显示区域DD-DA中，但是第一部分SL-P1可以设置在非显示区域DD-NDA中。第一部分SL-P1可以设置得靠近垫区域NDA-PD。第一部分SL-P1可以减少从外部施加至其的静电。在这种情况下，输入感测单元ISU还可以包括连接设置在非显示区域DD-NDA中的第一部分SL-P1与感测电极IE的第三部分。
在本发明的示例性实施例中，第一部分SL-P1可以具有不同的堆叠结构、可以包括具备不同的导电性的材料或者可以具有不同的线宽。随着第一部分SL-P1远离垫区域NDA-PD设置，第一部分SL-P1具有堆叠结构和导电材料以减小其电阻。随着第一部分SL-P1靠近垫区域NDA-PD设置，第一部分SL-P1可以具有简化的堆叠结构、具备低导电率的材料以及窄的线宽。
图32是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图，图33是示出根据本发明的示例性实施例的输入感测单元ISU的剖视图。在图32和图33中，将省略与参照图1至图31描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。
当与图29中所示的输入感测单元ISU相比时，输入感测单元ISU还可以包括虚设电极层IS-CLD和设置在虚拟电极层IS-CLD上的备用绝缘层IS-IL0。虽然未单独示出，但是图9中所示的输入感测单元ISU还可以包括虚设电极层IS-CLD和备用绝缘层IS-IL0。
虚设电极层IS-CLD和备用绝缘层IS-IL0可以设置在薄膜封装层TFE与第一导电层IS-CL1之间。虚设电极层IS-CLD和备用绝缘层IS-IL0可以通过连续的工艺从显示面板DP设置。
虚设电极层IS-CLD可以包括透明导电氧化物层、透明导电聚合物层或者具有足够薄的厚度以透射光的金属层。备用绝缘层IS-IL0可以包括有机层和/或无机层。
虚设电极层IS-CLD可以与显示区域DD-NDA完全叠置(参照图30C)。虚设电极层IS-CLD可以阻挡由显示面板DP的电极(例如，如图6中所示的第二电极CE)造成的相对于感测电极IE的噪声。在示例性实施例中，例如，虚设电极层IS-CLD可以是浮置电极或者可以接收预定的参考电压。在示例性实施例中，例如，参考电压可以是但不限于接地电压。
虽然未单独示出，但是备用绝缘层IS-IL0可以被替换为前述的抗反射层。虽然未单独示出，但是虚设电极层IS-CLD可以具有网格形状并且可以包括多个图案。所述图案可以与感测电极IE完全叠置。
根据示出的示例性实施例的输入感测单元ISU的垫区域NDA-PD的剖面结构可以类似于图12A至图13C的剖面结构。然而，与图12A至图13C所示的剖面结构不同，虚设垫IS-DPD与垫部分SL-P之间的第一绝缘层IS-IL1可以被替换为备用绝缘层IS-IL0，垫部分CSL-P和DL-P与信号垫DP-PD之间的第一绝缘层IS-IL1可以被替换为备用绝缘层IS-IL0。
图34A至图34C是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。在图34A至图34C中，将省略与参照图1至图33描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。
如图34A中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测单元ISU、抗反射面板RPP和窗面板WP。显示面板DP、输入感测单元ISU、抗反射面板RPP和窗面板WP中的一些可以通过连续工艺来设置，显示面板DP、输入感测单元ISU、抗反射面板RPP和窗面板WP中的一些可以通过光学透明粘合剂来结合。
输入感测单元ISU包括第一部分单元IS1和第二部分单元IS2。第一部分单元IS1可以包括参照图10A至图13C描述的第一导电层IS-CL1和第一绝缘层IS-IL1。在本发明的示例性实施例中，第一部分单元IS1还可以包括参照图32描述的虚设电极层IS-CLD和备用绝缘层IS-IL0。
抗反射面板RPP和第二部分单元IS2可以通过光学透明粘合剂OCA彼此结合。第二部分单元IS2可以包括基体膜IS-BL以及参照图10A至图13C描述的第二导电层IS-CL2和第二绝缘层IS-IL2。
在示出的示例性实施例中，抗反射面板RPP和光学透明粘合剂OCA具有使第一导电层IS-CL1与第二导电层IS-CL2绝缘的功能。在示出的示例性实施例中，由于难以限定穿透抗反射面板RPP和光学透明粘合剂OCA的接 触孔，所以第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2具有参照图24A至图24C描述的感测电极的结构。
抗反射面板RPP和窗面板WP可以改变以具有“层”形状。抗反射面板RPP可以直接设置在第一部分单元IS1上，或者窗面板WP可以直接设置在第二部分单元IS2上。
如图34B中所示，可以省略图34A的第二部分单元IS2的基体膜IS-BL。第二部分单元IS2的第二导电层IS-CL2可以直接设置在抗反射面板RPP上。
如图34C中所示，可以省略图34A的第二部分单元IS2的基体膜IS-BL。第二部分单元IS2的第二导电层IS-CL2可以直接设置在基体膜WP-BS的下表面上。换句话说，第二导电层IS-CL2的基体表面由窗面板WP的基体膜WP-BS提供。第二绝缘层IS-IL2可以直接设置在基体膜WP-BS的下表面上，并且可以直接覆盖第二导电层IS-CL2的第二导电图案和光阻挡图案WP-BZ。
图35A至图35C是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。图36A和图36B是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。图36C是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。图36D是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的平面图。图36E是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。在图35A至图35C和图36A至图36E中，将省略与参照图1至图34B描述的显示装置DD的元件相同的元件的详细描述。
参照图9至图34B描述的显示装置是基于图2A中所示的显示装置DD，并且输入感测层ISL的至少一部分直接设置在显示面板DP上。然而，如参照图2B和图2C所述，在下文中描述的显示装置DD包括通过光学透明粘合剂(OCA)构件结合到显示面板DP的输入感测面板ISP和/或抗反射面板RPP。在下文中描述的显示面板DP可以具有与参照图4A至图8G描述的显示面板DP的结构和功能相同的结构和功能，因此将省略其详细描述。
参照图35A，显示面板DP和抗反射面板RPP可以通过光学透明粘合剂(OCA)构件彼此结合，抗反射面板RPP和输入感测面板ISP可以通过光学透明粘合剂(OCA)构件彼此结合。输入感测面板ISP和窗面板WP可以通过光学透明粘合剂(OCA)构件彼此结合。在示例性实施例中，例如，抗反射面板RPP可以包括膜型偏振器和膜型延迟器。膜型偏振器可以被称为“偏振器膜”，膜型延迟器可以被称为“延迟器膜”。
输入感测面板ISP包括基体膜IS-BL和设置在基体膜IS-BL的一个表面或两个表面上的导电图案IS-CP。图35A示出导电图案IS-CP设置在基体膜IS-BL的上表面上的输入感测面板ISP。
虽然未单独示出，但是输入感测面板ISP可以包括如图9中所示的第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2。导电图案IS-CP可以如参照图10A至图28所描述由第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2设置。另外，输入感测面板ISP可以如图29中所示包括第一导电层IS-CL1。导电图案IS-CP可以如参照图30A至图33所述由第一导电层IS-CL1设置。输入感测面板ISP可以如参照图9至图33所述包括至少一个绝缘层。
与图35A中所示的显示装置DD不同，导电图案IS-CP可以设置在图35B中所示的显示装置DD中的基体膜IS-BL的下表面上。导电图案IS-CP设置在基体膜IS-BL的下表面上，以与显示装置DD的中心(例如，在第三方向DR3上的中心)邻近。图35B中所示的显示装置DD可以应用于可折叠的显示装置，在这种情况下，设置在显示装置DD的中心处的导电图案IS-CP可以处于相对小的应力下。
这是因为当显示装置DD被折叠时出现中性表面并且中性表面出现在导电图案IS-CP附近。在导电图案IS-CP包括易受应力影响的透明导电图案的情况下，与图35A中所示的显示装置DD相比，根据示出的示例性实施例的显示装置DD可以防止导电图案IS-CP破裂。
由导电图案IS-CP限定的第一感测电极和第二感测电极可以以适合于以自电容法被驱动的布置来排列。适合于以自电容法驱动的感测电极的布置如上所述，因此将省略其细节。即使窗面板WP变薄，以自电容法驱动的输入感测面板ISP也可以保持等于或大于参考灵敏度的灵敏度。
与图35B中所示的显示装置DD不同，在图35C中所示的显示装置DD中，可以省略输入感测面板ISP的基体膜IS-BL以及一个光学透明粘合剂(OCA)构件。输入感测面板ISP的基体膜IS-BL可以被替换为窗面板WP的基体膜WP-BS(参照图2A)。导电图案IS-CP可以设置在窗面板WP的下表面上。
参照图30C至图30F描述的下绝缘层IS-IL0和上绝缘层IS-IL1中的一个或更多个可以进一步设置在窗面板WP上。窗面板WP的下表面可以对应于图30D中所示的薄膜封装层TFE的上表面。参照图30C至图30F描述的下 绝缘层IS-IL0可以设置在窗面板WP的下表面与导电图案IS-CP之间，或者上绝缘层IS-IL1可以设置在窗面板WP的下表面上，以覆盖导电图案IS-CP。
如图36A中所示，导电图案IS-CP可以设置在基体膜IS-BL的两个表面上。显示面板DP和输入感测面板ISP可以通过光学透明粘合剂(OCA)构件彼此结合。输入感测面板ISP和抗反射面板RPP(例如，膜型偏振器)可以通过光学透明粘合剂(OCA)构件相互结合。
如图36B中所示，导电图案IS-CP可以设置在基体膜IS-BL的上表面上。膜型偏振器可以用作抗反射面板RPP。虽然未单独示出，但是在本发明的示例性实施例中，导电图案IS-CP可以设置在基体膜IS-BL的下表面上。
如图36C中所示，输入感测面板ISP可以包括基体膜IS-BL1和基体绝缘层IS-BL2。使用诸如聚酰亚胺的树脂材料将基体绝缘层设置在玻璃基底上，通过以下工艺将导电图案设置在基体绝缘层上。当制造初始输入感测面板ISP时，基体绝缘层与玻璃基底分离并附着到基体膜IS-BL1。从而，制造图36C中所示的输入感测面板ISP。在示出的示例性实施例中，膜型偏振器可以用作抗反射面板RPP。
根据图36A至图36C中所示的显示装置DD，膜型偏振器可以设置在输入感测面板ISP上。输入感测面板ISP的基体膜IS-BL和IS-BL1可以包括各向同性膜。在示例性实施例中，例如，各向同性膜可以是环状聚烯烃(“COP”)膜、未拉伸的聚碳酸酯膜和三醋酸纤维素(“TAC”)膜中的一种，并且可以具有大约0.02毫米(mm)至大约0.2mm的厚度。
由于各向同性膜在任何方向上具有相同的物理性质(例如，折射率)，所以不需要用于补偿相位差的构件，因此可以减小显示装置的厚度。由于拉伸型PET膜根据方向而具有不同的相位差值(大约1,000nm或更大)，所以不能通过拉伸型PET膜满足偏振的光学条件，但是可以通过各向同性膜满足偏振的光学条件。因此，可以防止图像质量的劣化，例如，可以防止导电图案IS-CP可见。
与图4A中所示的显示面板DP相比，图36D中所示的显示面板还可以包括第二垫区域NDA-PD2。图36D中所示的第一垫区域NDA-PD1对应于图4A中所示的显示面板DP的垫区域NDA-PD。
与信号垫DP-PD通过同一工艺设置的输出垫IS-PDO可以进一步设置在第一垫区域NDA-PD1中。与信号垫DP-PD通过同一工艺设置的输入垫IS-PDI 可以进一步设置在第二垫区域NDA-PD2中。输出垫IS-PDO和输入垫IS-PDI的剖面结构可以与信号垫DP-PD的剖面结构相同，因此将省略其细节。
输出垫IS-PDO可以通过信号线连接到输入垫IS-PDI之中相应的输入垫IS-PDI。输入垫IS-PDI可以电连接到输入感测面板ISP的信号线。
如图36E中所示，输入感测面板ISP的导电图案IS-CP可以设置在基体膜IS-BL的下表面上。显示面板DP和输入感测面板ISP可以通过光学透明粘合剂(“OCA”)构件彼此结合。
输入感测面板ISP的信号线的垫部分可以通过导电构件(例如，各向异性导电膜(“ACF”))电连接到参照图36D描述的第二垫区域NDA-PD2的输入垫IS-PDI。在另一个示例性实施例中，例如，ACF可以被替换为导电球。
在示出的示例性实施例中，基体膜的堆叠结构不应被具体地限制。如参照图36C所述，基体膜IS-BL可以具有双层结构。输入感测面板可以具有通过使参照图36C描述的输入感测面板ISP反转而获得的形状。制造方法可以与参照图36C描述的制造方法基本上相同。虽然输入感测面板ISP与显示面板DP分开设置并且可以附着到显示面板DP，但是输入感测面板ISP的垫部分SL-P(参照图10A)可以连接到显示面板DP的输出垫IS-PDO。因此，输入感测面板ISP和显示面板DP可以通过一个电路板PCB电连接到外部电子装置。因此，可以降低显示装置的制造成本。
图37A至图37C是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的透视图。图38A和图38B是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的透视图。图39是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的透视图。参照图1至图34C描述的显示面板DP和输入感测单元ISU可以应用于在下文中描述的柔性显示装置DD。
如图37A至图37C中所示，显示装置DD可以包括由操作模式限定的多个区域。显示装置DD可以包括第一区域NBA1、第二区域NBA2以及设置在第一区域NBA1与第二区域NBA2之间的第三区域BA。第三区域BA基于弯曲轴BX弯曲以形成曲率。在下文中，第一区域NBA1、第二区域NBA2和第三区域BA可以被称为第一非弯曲区域NBA1、第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA。
如图37B中所示，显示装置DD可以向内弯曲，使得第一非弯曲区域NBA1的显示表面DD-IS面对第二非弯曲区域NBA2的显示表面DD-IS。如 图37C中所示，显示装置DD可以向外弯曲，使得显示表面DD-IS暴露到外面。
在本发明的示例性实施例中，显示装置DD可以包括多个弯曲区域。另外，弯曲区域BA可以被限定为对应于用户的操作。在示例性实施例中，与图37B和图37C不同，例如，弯曲区域BA可以被限定为基本上平行于第一方向轴DR1或者被限定为沿着对角方向。弯曲区域BA可以具有由曲率半径确定的区域而不是固定的。在本发明的示例性实施例中，可以将显示装置DD实现为仅允许重复图37A和图37B中所示的操作模式或者仅允许重复图37A和图37C中所示的操作模式。
如图38A和图38B中所示，显示装置DD可以包括第一非弯曲区域NBA1、第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA。第一非弯曲区域NBA1、第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA可以相对于显示面板DP(参照图2A至图2F)来限定。输入感测单元、抗反射单元和窗单元可以仅设置在第一非弯曲区域NBA1中。
如图38A中所示，显示面板DP的第一非弯曲区域NBA1、第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA可以在第一方向DR1上具有不同的宽度。弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2可以具有小于第一非弯曲区域NBA1的宽度的宽度。当弯曲区域BA具有相对小的宽度时，显示面板DP可以容易地被弯曲。图38A中宽度逐渐减小的边界区域可以被包括在第一非弯曲区域NBA1中。在本发明的示例性实施例中，可以省略宽度逐渐减小的边界区域。
第二非弯曲区域NBA2可以包括垫区域NDA-PD(参照图4A)。如图38B中所示，第二非弯曲区域NBA2面对第一非弯曲区域NBA1并与第一非弯曲区域NBA1分隔开。
如图39中所示，显示装置DD可以包括三个弯曲区域BA1、BA2和BA3。与图38B中所示的显示装置DD相比，第一非弯曲区域NBA1的在第二方向DR2上彼此面对的两个边缘区域从中心区域弯曲，以限定第二弯曲区域BA2和第三弯曲区域BA3。第一弯曲区域BA1可以对应于图38A和图38B的弯曲区域BA。图2A至图2F中所示的输入感测单元ISU、抗反射单元RPU和窗单元WU可以与第一非弯曲区域NBA1以及第二弯曲区域BA2和第三弯曲区域BA3叠置。
图40A是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的透视图。图40B是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的平面图。图41A是沿着图40B的线XII-XII'截取的剖视图以示出显示装置DD。图41B和图41C是沿着图40B的线XIII-XIII'截取的剖视图以示出显示装置DD。在下文中，将参照图40A和图40B详细描述根据本发明的示例性实施例的显示装置DD。
图40A是示出图38B的放大图的透视图。显示装置DD包括显示面板DP和输入感测单元ISU。显示装置DD还包括保护构件PF。虽然未单独示出，但是显示装置DD还可以包括抗反射单元和/或窗单元。
显示面板DP的基体层BL、电路元件层DP-CL和薄膜封装层TFE与第一非弯曲区域NBA1、第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA叠置。显示面板DP的显示元件层DP-OLED与第一非弯曲区域NBA1叠置。输入感测单元ISU与第一非弯曲区域NBA1、第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA叠置。
保护构件PF设置在基体层BL的下表面上，并且与第一非弯曲区域NBA1和第二非弯曲区域NBA2叠置。保护构件PF可以包括第一保护构件PF以及与第一保护构件PF分离的第二保护构件PF。第一保护构件PF和第二保护构件PF分别与第一非弯曲区域NBA1和第二非弯曲区域NBA2叠置并且在被弯曲时彼此面对。
图40B在一个平面图中示出了与图40A中所示的显示面板DP相比的显示面板DP的附加组件以及输入感测单元ISU的组件。在下文中描述的显示装置DD可以应用于图1中所示的平坦型显示装置DD和图37A至图37C中所示的折叠型显示装置DD，但是图38A至图39中所示的弯曲型显示装置DD将被描述为代表性示例。具体地，将主要描述图38A和图38B中所示的弯曲型显示装置DD。
如图40B中所示，显示装置DD可以包括坝部DPP、裂缝坝部DP-CP和堤BNP中的一个或更多个。坝部DPP可以沿着显示区域DD-DA的边缘延伸。坝部DPP和裂缝坝部DP-CP设置在第一非弯曲区域NBA1中，堤BNP设置在弯曲区域BA中。
坝部DPP可以围绕显示区域DD-DA。坝部DPP的一部分可以基本上平行于垫区域NDA-PD。裂缝坝部DP-CP可以沿着坝部DPP的外侧设置，并且可以沿着与堤BNP交叉的方向(例如，示出的示例性实施例中的第一方向DR1)延伸。图40B示出了在第二方向DR2上彼此分隔开的两组裂缝坝部DP-CP。例如，两组裂缝坝部DP-CP中的每一组包括三个裂缝坝部DP-CP。 堤BNP可以沿着基本上平行于弯曲轴BX(参照图38B)的方向(即，沿着第二方向DR2)延伸。
图40B中所示的显示装置DD包括图4A中所示的显示面板DP，但是显示装置DD可以包括图4B中所示的显示面板DP。在这种情况下，芯片安装区域NDA-TC(参照图4B)可以设置在第二非弯曲区域NBA2中。
如图41A和图41B中所示，包括在电路元件层DP-CL中的驱动电路GDC(参照图4A)设置在非显示区域DD-NDA中。驱动电路GDC包括与作为像素的晶体管的第二晶体管T2通过同一工艺设置的至少一个晶体管GDC-T。驱动电路GDC可以包括与第二晶体管T2的输入电极设置在同一层中的信号线GDC-SL。驱动电路GDC可以是扫描驱动电路，并且还可以包括与第二晶体管T2的控制电极设置在同一层中的信号线。
提供第二电源电压ELVSS(参照图5)的电源电极PWE设置在扫描驱动电路GDC的外部。电源电极PWE可以从外部源接收第二电源电压ELVSS。连接电极E-CNT设置在中间有机层30上。连接电极E-CNT连接电源电极PWE和第二电极CE。连接电极E-CNT与第一电极AE(参照图6)通过同一工艺设置，因此连接电极E-CNT可以包括与第一电极AE相同的层结构和相同的材料。连接电极E-CNT和第一电极AE可以具有相同的厚度。
图41A和图41B示出了具有参照图8A描述的形状的薄膜封装层TFE作为代表性示例。第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2完全设置在显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA上方。另外，图41B示出了参照图13B描述的垫区域的剖面。第一封装无机层IOL1、第二封装无机层IOL2和第一绝缘层IS-IL1设置在垫部分DL-P与信号垫DP-PD之间。
如图41A和图41B中所示，坝部DPP可以具有多层结构。下部DPP1可以与中间有机层30一起设置，上部DPP2可以与像素限定层PDL一起设置。当设置封装有机层OL时，坝部DPP防止液体有机材料从中间无机层10和20扩散出。封装有机层OL可以通过使用喷墨方法在第一封装无机层IOL1上提供液体有机材料来设置，在这种情况下，坝部DPP限定设置液体有机材料的区域的边界。
裂缝坝部DP-CP可以包括第一层DP-C1和第二层DP-C2。第一层DP-C1具有与第一中间无机层10相同的厚度，并且包括与第一中间无机层10相同的材料。第二层DP-C2具有与第二中间无机层20相同的厚度，并且包括与 第二中间无机层20相同的材料。
当显示装置DD的边缘受到外部冲击时，裂缝坝部DP-CP被破坏并吸收冲击的能量。因此，可以防止外部冲击传递到显示区域DD-DA。
堤BNP可以具有多层结构。第一绝缘图案BN1可以与中间有机层30一起设置，第二绝缘图案BN2可以与像素限定层PDL一起设置。第一绝缘图案BN1和第二绝缘图案BN2可以包括有机材料。第二绝缘图案BN2具有阶梯形状并且包括第一部分BN2-1和与第一部分BN2-1一体设置的第二部分BN2-2。堤BNP的高度比坝部DPP高出第二部分BN2-2的高度。堤BNP可以支撑用于形成封装无机层IOL1和IOL2(参照图8D和8F)的掩模。
电路元件层DP-CL还可以包括连接到堤BNP的外有机层30-O。外有机层30-O包括与中间有机层30一起设置的第一绝缘图案。虽然未单独示出，但是外有机层30-O可以具有多层结构。外有机层30-O还可以包括与像素限定层PDL一起设置的第二绝缘图案。在图41B中，弯曲区域BA被限定为比外有机层30-O长，但是弯曲区域BA可以被限定为比外有机层30-O短。弯曲区域BA的尺寸可以由曲率半径来确定。
中间有机层30和坝部DPP彼此分隔开，坝部DPP和堤BNP彼此分隔开。有机材料不设置在中间有机层30、坝部DPP与堤BNP之间。在中间有机层30、坝部DPP和堤BNP之间的区域中，第一封装无机层IOL1可以接触第二封装无机层IOL2。在图41B中，数据线DL的一部分设置在第一封装无机层IOL1与第二中间无机层20之间。当在平面图中观看时，第一封装无机层IOL1可以在没有设置数据线DL的区域中接触第二中间无机层20。
在示出的示例性实施例中，数据线DL设置在第二中间无机层20上，但是其不应限于此或由此限制。如图41C中所示，数据线DL的与弯曲区域BA叠置的部分可以设置在缓冲层BFL上。数据线DL的与弯曲区域BA叠置的部分可以通过接触孔CNT电连接到数据线DL的不与弯曲区域BA叠置的部分。数据线DL的设置在缓冲层BFL上的部分可以与第二晶体管T2的控制电极通过同一工艺来设置。数据线DL的设置在缓冲层BFL上的部分可以设置为邻近当弯曲区域BA弯曲时出现在弯曲区域BA中的中性面。
另外，可以去除第一中间无机层10以及第二中间无机层20的一部分(例如，与弯曲区域BA叠置的部分)。有机材料可以填充在去除了上述层的区域中。可以将有机材料限定为虚设绝缘图案BNO。在本发明的示例性实施例中， 可以进一步去除缓冲层BFL的一部分。因此，可以使弯曲区域BA中的无机材料最少，即使在显示面板DP的弯曲期间出现应力，也可以防止无机层破裂。
图42是示出了应用于根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的薄膜封装层TFE的平面图。图43A是示出与图41A对应的显示装置DD的剖视图。图43B是示出与图41B对应的显示装置DD的剖视图。在图42、图43A和图43B中，将主要描述与参照图40A至图41C描述的显示装置DD不同的特征。
在图42中，坝部DPP、裂缝坝部DP-CP和堤BNP示出为与薄膜封装层TFE叠置。薄膜封装层TFE包括设置在其中的开口区域SLT1、SLT2和SLT20。开口区域SLT1、SLT2和SLT20可以通过去除薄膜封装层TFE的至少一个封装无机层来限定。开口区域SLT1、SLT2和SLT20可以通过蚀刻完全设置的封装无机层的部分来设置。
第一开口区域SLT1可以与堤BNP完全叠置。第一开口区域SLT1可以减小在弯曲区域BA的弯曲期间出现在弯曲区域BA中的应力。在本发明的示例性实施例中，第一开口区域SLT1可以与弯曲区域BA基本上相同。
第二开口区域SLT2可以与裂缝坝部DP-CP完全叠置。第二开口区域SLT2可以防止外部冲击通过薄膜封装层TFE传递到显示区域DD-DA。在本发明的示例性实施例中，第二开口区域SLT2可以扩展到显示装置DD的边缘作为第三开口区域SLT20。
图43A和图43B示出限定在第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2中的第一开口区域SLT1和第二开口区域SLT2作为代表性示例。虽然未在附图中示出，但是可以通过第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2的包括无机材料的绝缘层(具体地，第一绝缘层IS-IL1)来限定对应于第一开口区域SLT1的开口区域。这是为了减小在弯曲区域BA的弯曲期间出现在设置于弯曲区域BA中的无机层中的应力。
虽然未单独示出，但是可以在薄膜封装层TFE中限定开口区域，以减小在图39中所示的弯曲区域BA2和BA3的弯曲期间出现的应力。
图44是示出应用于根据本发明的示例性实施例的显示装置DD的薄膜封装层TFE的平面图。在图44中，将主要描述与参照图40A至图43B描述的显示装置DD不同的特征。
开口区域SLT3可以限定在薄膜封装层TFE中。开口区域SLT3被限定为穿过薄膜封装层TFE的至少一个封装无机层并且被限定为沿着至少一个封装无机层的边缘。如参照图7E和图7H所述，在制造工艺完成后通过切割母基底MS使单元区域DP-C彼此分隔开，可以通过考虑切割余量来设置开口区域SLT3。由于开口区域SLT3，可以防止由用于切割母基底MS的激光束或刀造成的影响。
开口区域SLT3可以具有大于几十微米的宽度。在示例性实施例中，例如，开口区域SLT3的宽度可以小于大约200微米(μm)。优选地，例如，开口区域SLT3的宽度可以在大约100μm至大约150μm的范围内。
虽然已经描述了本发明的示例性实施例，但是将理解的是，本发明不应限于这些示例性实施例，而是本领域普通技术人员可以在如下文所要求的本发明的精神和范围内作出各种改变和修改。
因此，所公开的主题不应限于在此描述的任何单个实施例，并且本发明的范围应根据权利要求来确定。

Claims (26)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括显示区域和非显示区域；以及
输入感测单元，设置在所述显示面板上，
所述显示面板包括：
基体层；
第一信号线，与所述显示区域和所述非显示区域叠置并连接到设置在所述显示区域中的晶体管；
发光元件，包括第一电极、设置在所述第一电极上的第二电极以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；
第一封装无机层，设置在所述第二电极上并与所述显示区域和所述非显示区域叠置；以及
信号垫，电连接到所述第一信号线并设置在所述非显示区域中，其中，所述信号垫通过由所述第一封装无机层所限定的第一接触孔连接到所述第一信号线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入感测单元直接设置在所述显示面板上并且包括：
感测电极；
第二信号线，连接到所述感测电极；以及
至少一个绝缘层，与所述显示区域和所述非显示区域叠置。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括设置在所述非显示区域中的虚设垫，所述第二信号线包括与所述显示区域和所述非显示区域叠置的线部分以及连接到所述线部分并与所述虚设垫叠置的垫部分，所述至少一个绝缘层设置在所述虚设垫与所述第二信号线的所述垫部分之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二信号线的所述垫部分通过由所述第一封装无机层和所述至少一个绝缘层所限定的第二接触孔连接到所述虚设垫。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述虚设垫与所述第一信号线设置在同一层中。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述至少一个绝缘层设置在所述信号垫与所述第一信号线之间，所述第一接触孔进一步穿透所述至少一个绝缘层。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述信号垫与所述第二信号线设置在同一层中。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述感测电极包括第一感测电极和与所述第一感测电极交叉的第二感测电极，所述第一感测电极和所述第二感测电极中的每个包括传感器部分和连接部分，所述连接部分中的每个连接彼此相邻的所述传感器部分，所述第一感测电极的所述连接部分通过由所述至少一个绝缘层所限定的第二接触孔连接到所述第一感测电极的所述相邻的传感器部分。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括设置在所述非显示区域中的虚设垫，所述第二信号线包括与所述显示区域和所述非显示区域叠置的线部分以及连接到所述线部分并与所述虚设垫叠置的垫部分，所述第二信号线的所述垫部分通过由所述第一封装无机层所限定的第二接触孔连接到所述虚设垫，并且所述至少一个绝缘层不与所述第二信号线的所述垫部分叠置。
10.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述感测电极具有网格形状。
11.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述感测电极包括第一感测电极和与所述第一感测电极交叉的第二感测电极，所述至少一个绝缘层设置在所述第一感测电极与所述第二感测电极之间。
12.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述输入感测单元还包括与所述感测电极叠置的虚设电极。
13.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述感测电极包括第一感测电极和分别对应于所述第一感测电极的第二感测电极，所述第二感测电极中的每个包括与所述第一感测电极设置在同一层中并设置为彼此分隔开的多个传感器部分，
所述第二信号线包括第一线部分和第二线部分，所述第一线部分与所述第一感测电极设置在同一层中并连接到所述第一感测电极和所述传感器部分，所述第二线部分与所述第一感测电极设置在不同的层上并通过由所述至少一个绝缘层所限定的第二接触孔连接到所述第一线部分之中与所述传感器部分连接的一些第一线部分。
14.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述感测电极与所述第二信号线设置在同一层中，所述至少一个绝缘层直接覆盖所述感测电极和所述第二信号线。
15.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括抗反射单元以降低外部光的反射率，其中，所述抗反射单元设置在所述第一封装无机层上。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一封装无机层完全设置在所述基体层上。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：
第二封装无机层，设置在所述第一封装无机层上；以及
封装有机层，与所述显示区域叠置并设置在所述第一封装无机层与所述第二封装无机层之间。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入感测单元包括：
第一感测电极，包括第一传感器部分和连接所述第一传感器部分的第一连接部分，所述第一感测电极设置在限定于所述显示面板上的基体表面上；以及
第二感测电极，包括第二传感器部分和连接所述第二传感器部分的第二连接部分，所述第二感测电极设置在限定于所述显示面板上的所述基体表面上，
其中，所述第一传感器部分与所述第二传感器部分设置在同一层中，所述第一连接部分和所述第二连接部分中的一者与所述第一传感器部分设置在同一层中，所述第一连接部分与所述第二连接部分交叉，使得绝缘层设置在所述第一连接部分与所述第二连接部分之间。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入感测单元直接设置在所述显示面板上并且包括：
感测电极，具有网格形状；以及
第二信号线，连接到所述感测电极，
所述第二信号线包括与所述感测电极包含有相同的材料的层。
20.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入感测单元包括：至少一个绝缘层，包含聚合物；第一感测电极；以及第二感测电极，在与所述第一感测电极交叉的同时与所述第一感测电极绝缘，
所述至少一个绝缘层使所述第一感测电极与所述第二感测电极绝缘。
21.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述显示面板上的偏振膜，其中，所述输入感测单元包括基体膜和设置在所述基体膜的至少一个表面上的感测电极，所述偏振膜设置在所述显示面板与所述输入感测单元之间。
22.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述显示面板上的偏振膜，其中，所述输入感测单元包括基体膜和设置在所述基体膜的至少一个表面上的感测电极，所述输入感测单元设置在所述显示面板与所述偏振膜之间。
23.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述显示面板上的偏振膜，其中，所述输入感测单元包括基体膜和设置在所述基体膜的下表面上的感测电极，所述偏振膜设置在所述显示面板与所述输入感测单元之间。
24.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述显示面板上的偏振膜，其中，所述输入感测单元包括基体膜、设置在所述基体膜上的基体绝缘层以及设置在所述基体绝缘层上的感测电极，所述输入感测单元设置在所述显示面板与所述偏振膜之间。
25.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述显示面板上的偏振膜，其中，所述输入感测单元包括基体膜、设置在所述基体膜的下表面上的感测电极以及连接到所述感测电极的信号线，所述输入感测单元设置在所述显示面板与所述偏振膜之间，所述信号线的垫部分通过导电构件电连接到所述显示面板的输入垫。
26.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入感测单元包括设置在限定于所述显示面板上的基体表面上的感测电极以及设置在所述感测电极的上侧和下侧中的一侧上的绝缘层，所述绝缘层包括高折射率绝缘层和低折射率绝缘层，所述低折射率绝缘层设置得比所述高折射率绝缘层更邻近所述感测电极。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111180484A (zh) * 2018-11-09 2020-05-19 乐金显示有限公司 显示装置
CN111221382A (zh) * 2018-11-23 2020-06-02 三星显示有限公司 包括屏蔽层的显示装置
CN111292613A (zh) * 2018-12-06 2020-06-16 三星显示有限公司 显示装置和具有该显示装置的电子装置
CN111722747A (zh) * 2019-03-19 2020-09-29 三星显示有限公司 包括输入感测单元的显示装置及其驱动方法
CN112419882A (zh) * 2019-08-21 2021-02-26 三星显示有限公司 显示装置
CN112956047A (zh) * 2018-11-05 2021-06-11 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN113064514A (zh) * 2021-03-15 2021-07-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113207312A (zh) * 2018-12-13 2021-08-03 三星显示有限公司 显示设备
CN114613277A (zh) * 2022-03-31 2022-06-10 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
US11985884B2 (en) 2018-11-09 2024-05-14 Lg Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102311316B1 (ko) * 2017-04-24 2021-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
US11397498B2 (en) * 2017-08-30 2022-07-26 Nissha Co., Ltd. Electrode film and method for manufacturing same
KR102407758B1 (ko) * 2017-10-27 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 터치표시장치 및 표시패널
KR102526215B1 (ko) * 2017-10-27 2023-04-26 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 및 이를 포함하는 터치표시장치
KR102419066B1 (ko) * 2017-11-20 2022-07-08 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 패널 및 터치 디스플레이 장치
CN107765926B (zh) * 2017-11-22 2024-03-12 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、触控面板及其制造方法
CN207780739U (zh) * 2017-11-30 2018-08-28 云谷（固安）科技有限公司 一种触控面板及触控显示装置
CN108319404A (zh) * 2018-02-07 2018-07-24 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸屏及其制作方法、触控显示装置
JP7032173B2 (ja) * 2018-02-27 2022-03-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN208954070U (zh) * 2018-02-27 2019-06-07 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种传感器和触摸显示屏
US10826017B2 (en) * 2018-03-30 2020-11-03 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Packaging assembly and preparation method thereof, and display device
KR102534156B1 (ko) * 2018-04-16 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조 방법
KR102593459B1 (ko) * 2018-04-18 2023-10-24 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치
KR102520639B1 (ko) 2018-05-02 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108511503B (zh) * 2018-05-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR102606941B1 (ko) * 2018-05-31 2023-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN110858087B (zh) * 2018-08-23 2023-04-28 群创光电股份有限公司 触控式显示装置
KR20200047941A (ko) 2018-10-26 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102555841B1 (ko) * 2018-10-30 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111190498B (zh) * 2018-11-14 2023-12-22 乐金显示有限公司 显示装置
KR102645186B1 (ko) * 2018-11-14 2024-03-08 삼성디스플레이 주식회사 입력감지회로 및 이를 포함하는 표시모듈
KR20200082738A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함한 표시 장치 및 이의 불량 검출 방법
KR20200084297A (ko) * 2019-01-02 2020-07-10 동우 화인켐 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
KR20200100889A (ko) * 2019-02-18 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR20200104973A (ko) * 2019-02-27 2020-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200113073A (ko) * 2019-03-21 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200123906A (ko) * 2019-04-22 2020-11-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111860036B (zh) * 2019-04-25 2023-06-20 云谷（固安）科技有限公司 显示屏及显示装置
KR20200126471A (ko) * 2019-04-29 2020-11-09 삼성디스플레이 주식회사 입력감지회로 및 이를 포함하는 표시모듈
KR20200128253A (ko) * 2019-05-02 2020-11-12 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200137079A (ko) * 2019-05-28 2020-12-09 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20200145976A (ko) * 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20210005447A (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 전자패널 및 이를 포함하는 전자장치
KR20210006568A (ko) 2019-07-08 2021-01-19 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치
KR20210008240A (ko) * 2019-07-11 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210010733A (ko) * 2019-07-18 2021-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210013506A (ko) 2019-07-26 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI704484B (zh) * 2019-07-31 2020-09-11 友達光電股份有限公司 觸控顯示裝置
KR20210019256A (ko) * 2019-08-12 2021-02-22 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
TWI718639B (zh) * 2019-08-23 2021-02-11 凌巨科技股份有限公司 觸控顯示裝置
KR20210043793A (ko) * 2019-10-11 2021-04-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210069776A (ko) * 2019-12-03 2021-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210077846A (ko) * 2019-12-17 2021-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210086844A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210090754A (ko) * 2020-01-10 2021-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210093420A (ko) * 2020-01-17 2021-07-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210099687A (ko) * 2020-02-04 2021-08-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210104281A (ko) * 2020-02-17 2021-08-25 삼성디스플레이 주식회사 입력감지유닛 및 입력감지유닛을 포함하는 표시장치
KR20210127297A (ko) * 2020-04-13 2021-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 제조 방법
CN111399701B (zh) * 2020-05-09 2024-04-02 上海天马微电子有限公司 触控模组、触控显示面板和触控显示装置
KR20210145026A (ko) * 2020-05-22 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20210145877A (ko) * 2020-05-25 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210149293A (ko) * 2020-06-01 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210157940A (ko) 2020-06-22 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220025969A (ko) * 2020-08-24 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치
CN112051940A (zh) * 2020-08-31 2020-12-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控屏及电子设备
WO2022048740A1 (en) * 2020-09-02 2022-03-10 Huawei Technologies Co., Ltd. Combined thin film encapsulation in flexible display devices and method of fabrication thereof
KR20220045608A (ko) * 2020-10-05 2022-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20220051901A (ko) * 2020-10-19 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20220075110A (ko) * 2020-11-27 2022-06-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN112578934B (zh) * 2020-12-07 2022-11-29 昆山国显光电有限公司 触控面板及显示面板
CN112783377B (zh) * 2021-02-25 2023-02-28 惠州市华星光电技术有限公司 触控面板和触控装置
KR20230110404A (ko) * 2022-01-14 2023-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
EP4311393A1 (en) * 2022-07-20 2024-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150003040A1 (en) * 2011-09-16 2015-01-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, display apparatus, illumination apparatus, and electricity-generating apparatus
KR20160127873A (ko) * 2015-04-27 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106206611A (zh) * 2016-08-19 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN106293197A (zh) * 2015-06-26 2017-01-04 三星显示有限公司 柔性显示装置
KR20170001935A (ko) * 2015-06-26 2017-01-05 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20170039035A (ko) * 2015-09-30 2017-04-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7663607B2 (en) * 2004-05-06 2010-02-16 Apple Inc. Multipoint touchscreen
KR102381391B1 (ko) * 2015-04-16 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US7920129B2 (en) 2007-01-03 2011-04-05 Apple Inc. Double-sided touch-sensitive panel with shield and drive combined layer
KR100885730B1 (ko) * 2007-03-05 2009-02-26 (주)멜파스 단순한 적층 구조를 갖는 접촉위치 감지 패널
TW200844827A (en) * 2007-05-11 2008-11-16 Sense Pad Tech Co Ltd Transparent touch panel device
US8928597B2 (en) * 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR101022087B1 (ko) 2009-01-16 2011-03-17 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
KR101022155B1 (ko) * 2009-01-16 2011-03-17 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
KR101596968B1 (ko) 2009-11-03 2016-02-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR101133492B1 (ko) 2009-12-28 2012-04-10 주식회사 지니틱스 정전용량 방식의 터치 패널
KR101082219B1 (ko) * 2010-03-16 2011-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
US20110285661A1 (en) * 2010-05-18 2011-11-24 Steven Porter Hotelling Periphery Conductive Element for Touch Screen
JP5248653B2 (ja) * 2010-05-27 2013-07-31 富士フイルム株式会社 導電シート及び静電容量方式タッチパネル
KR101339669B1 (ko) 2010-10-26 2013-12-11 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR101448251B1 (ko) * 2010-10-28 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 구비한 표시 장치
KR101178914B1 (ko) * 2010-10-29 2012-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
KR101230196B1 (ko) * 2010-10-29 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 내장형 액정표시장치
KR101381817B1 (ko) * 2011-06-30 2014-04-07 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
WO2013018495A1 (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 シャープ株式会社 タッチパネル基板及び表示パネル
KR101908501B1 (ko) * 2011-12-07 2018-10-17 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101850951B1 (ko) 2011-12-22 2018-04-23 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 표시장치
US8819927B2 (en) * 2012-02-28 2014-09-02 Eastman Kodak Company Method of making a transparent conductor structure
KR101373044B1 (ko) * 2012-04-19 2014-03-11 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR101889013B1 (ko) 2012-05-17 2018-08-21 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치의 박막 봉지 및 그 제조방법
CN104321967B (zh) * 2012-05-25 2018-01-09 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置及半导体装置
KR101941255B1 (ko) * 2012-07-30 2019-01-23 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
US9214507B2 (en) 2012-08-17 2015-12-15 Apple Inc. Narrow border organic light-emitting diode display
KR101932127B1 (ko) * 2012-09-19 2018-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
US9349969B2 (en) * 2013-02-01 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Electronic devices with flexible display and method for manufacturing the same
KR102097150B1 (ko) * 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102222680B1 (ko) * 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9740035B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
CN104007860B (zh) * 2013-02-22 2017-02-08 宸美（厦门）光电有限公司 触摸板结构及其制造方法
CN107482137B (zh) 2013-03-11 2019-06-07 应用材料公司 用于oled应用的pecvd hmdso膜的等离子体固化
KR102090713B1 (ko) * 2013-06-25 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널의 제조 방법
US9425418B2 (en) * 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
CN104699349B (zh) * 2015-04-01 2017-12-05 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
KR102385234B1 (ko) * 2015-09-15 2022-04-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101929452B1 (ko) 2016-07-29 2018-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102311316B1 (ko) * 2017-04-24 2021-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
WO2018227127A1 (en) * 2017-06-08 2018-12-13 Google Llc Foldable display neutral axis management with thin, high modulus layers
KR102399820B1 (ko) * 2017-10-27 2022-05-19 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치 및 터치 디스플레이 패널

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150003040A1 (en) * 2011-09-16 2015-01-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, display apparatus, illumination apparatus, and electricity-generating apparatus
KR20160127873A (ko) * 2015-04-27 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106293197A (zh) * 2015-06-26 2017-01-04 三星显示有限公司 柔性显示装置
KR20170001935A (ko) * 2015-06-26 2017-01-05 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20170039035A (ko) * 2015-09-30 2017-04-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106206611A (zh) * 2016-08-19 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112956047A (zh) * 2018-11-05 2021-06-11 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN111180484A (zh) * 2018-11-09 2020-05-19 乐金显示有限公司 显示装置
US11985884B2 (en) 2018-11-09 2024-05-14 Lg Display Co., Ltd. Display device
CN111221382A (zh) * 2018-11-23 2020-06-02 三星显示有限公司 包括屏蔽层的显示装置
CN111221382B (zh) * 2018-11-23 2024-03-26 三星显示有限公司 包括屏蔽层的显示装置
CN111292613A (zh) * 2018-12-06 2020-06-16 三星显示有限公司 显示装置和具有该显示装置的电子装置
CN113207312A (zh) * 2018-12-13 2021-08-03 三星显示有限公司 显示设备
CN111722747A (zh) * 2019-03-19 2020-09-29 三星显示有限公司 包括输入感测单元的显示装置及其驱动方法
CN111722747B (zh) * 2019-03-19 2024-04-23 三星显示有限公司 包括输入感测单元的显示装置及其驱动方法
CN112419882A (zh) * 2019-08-21 2021-02-26 三星显示有限公司 显示装置
CN113064514A (zh) * 2021-03-15 2021-07-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN114613277A (zh) * 2022-03-31 2022-06-10 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180119198A (ko) 2018-11-02
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