CN111860036B - 显示屏及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种显示屏及显示装置，该显示屏包括显示面板及指纹识别模组；所述指纹识别模组设于所述显示面板的底侧；所述显示面板内设有可见光转化层；其中，所述可见光转化层用于接收可见光并将所述可见光转化成所述指纹识别模组能够接收的非可见光。该显示屏的指纹识别精度高。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示屏及显示装置。
背景技术
指纹是人体独一无二的特征，它由指端皮肤表面上的纹脊和纹谷组成，这些纹脊和纹谷形成的图案决定了指纹的唯一性，其唯一性和复杂度足以满足鉴别要求。随着显示技术的飞速发展，具有指纹识别功能的显示面板已经逐渐遍及人们的生活中。
与此同时，随着显示装置的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得显示装置的全面屏显示受到业界越来越多的关注，为尽可能的提高屏占比，现有技术中出现了将指纹识别部件设于显示屏下方，从而减小非显示区域的方案。但针对目前的OLED(有机电致发光二极管，Organic Light-Emitting Diode)显示屏，用户指纹反射的光线对OLED显示屏的透光性较差，从而影响指纹识别精度。
发明内容
基于此，有必要针对传统的用户指纹反射的光线对OLED显示屏的透光性较差，从而影响指纹识别精度的问题，提供一种改善上述问题的显示屏及显示装置。
根据本发明的一个方面，提供一种显示屏，显示面板；
指纹识别模组，所述指纹识别模组设于所述显示面板的底侧；
可见光转化层，所述可见光转化层设于所述显示面板内；
其中，所述可见光转化层用于接收可见光并将所述可见光转化成所述指纹识别模组能够接收的非可见光。
在一实施例中，所述显示面板包括：
显示基板；
发光层，设于所述显示基板上；及
封装结构，用于封装所述发光层；其中，所述可见光转化层设于所述封装结构内。
在一实施例中，所述发光层包括多个发光单元，多个发光单元中包括用于显示的第一发光单元和用于为指纹识别提供反射光的第二发光单元；
所述可见光转化层用于接收所述第二发光单元发出的可见光并将所述可见光转化成所述指纹识别模组能够接收的非可见光。
在一实施例中，所述可见光转化层在所述显示基板上的正投影，与所述第二发光单元在所述显示基板上的正投影重合。
在一实施例中，所述第二发光单元发出的可见光为红光、绿光、蓝光或白光。
在一实施例中，所述发光层包括多个发光单元，所述显示基板包括用于将所述多个发光单元彼此隔离的像素限定层；
所述可见光转化层对应所述像素限定层的区域设置。
在一实施例中，所述可见光转化层在所述显示基板上的正投影，位于所述像素限定层的顶侧表面在所述显示基板上的正投影的范围内。进一步地，所述可见光转化层用于接收所述发光单元发出的且经指纹反射的可见光，并将所述可见光转化成所述指纹识别模组能够接收的非可见光。
在一实施例中，所述可见光转化层在所述显示基板上的正投影，与所述像素限定层的顶侧表面在所述显示基板上的正投影重合。
在一实施例中，所述封装结构包括多层层叠设置的封装膜层；
所述可见光转化层位于相邻两层的所述封装膜层之间。
在一实施例中，所述显示面板包括：
显示基板，所述显示基板包括衬底、平坦化层及像素限定层，所述平坦化层设于所述衬底上，所述像素限定层设于所述平坦化层上，所述像素限定层用于将所述多个发光单元彼此隔离；及
发光层，设于所述显示基板上，所述发光层包括多个发光单元；
其中，所述可见光转化层位于所述像素限定层与所述平坦化层之间。
进一步地，所述可见光转化层用于接收所述发光层发出的经指纹反射的可见光，并将所述可见光转化成所述指纹识别模组能够接收的非可见光。
在一实施例中，所述可见光转化层在所述显示基板上的正投影，覆盖所述发光层在所述显示基板上的正投影。
在一实施例中，所述显示面板还包括覆盖所述可见光转化层的保护层，所述保护层位于所述可见光转化层与所述像素限定层之间。
在一实施例中，所述保护层为氮化硅。
在一实施例中，所述可见光转化层为红外量子点层。
在一实施例中，所述指纹识别模组包括指纹传感器阵列层，所述指纹传感器阵列层包括呈阵列分布的多个指纹传感器。
在一实施例中，所述指纹识别模组还包括准直层，所述准直层设于所述指纹传感器阵列层和所述显示面板之间。
根据本发明的一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板内设有可见光转化层；
其中，所述可见光转化层用于接收可见光并将所述可见光转化成指纹识别模组能够接收的非可见光。
在一实施例中，所述显示面板还包括：
显示基板；
发光层，设于所述显示基板上；
封装结构，用于封装所述发光层；
其中所述可见光转化层设于所述封装结构内；
或
显示基板，所述显示基板包括衬底、平坦化层及像素限定层，所述平坦化层设于所述衬底上，所述像素限定层设于所述平坦化层上，所述像素限定层用于将所述多个发光单元彼此隔离；及
发光层，设于所述显示基板上，所述发光层包括多个发光单元；
其中，所述可见光转化层位于所述像素限定层与所述平坦化层之间。
根据本发明的一个方面，提供一种显示装置，包括上述的显示屏。
本发明实施例提供的显示屏，在显示面板内设置可见光转化层，并在显示面板的底侧设置指纹识别模组，可见光转化层将显示面板发射的可见光转化成对OLED显示屏的透光性良好的非可见光，从而被指纹识别模组接收并进行指纹识别。如此指纹识别模组被设置成检测非可见光而基本不受可见光的影响。这样，无论显示装置的显示面板正在显示何种图像都不会对指纹识别模组的检测产生影响，从而提高了指纹识别精度，并且可见光转化层发射的非可见光也不会影响显示面板发射的可见光，从而不影响显示效果。
因此该显示屏不受可见光的限制，解决了可见光对于柔性衬底的PI的穿透力差导致指纹识别部件检测到的光强度不够的问题，且由于非可见光对于PI的穿透力良好，因此柔性衬底无需打孔或挖凹槽，降低了制造工艺难度及生产成本，同时也避免了对PI的强度的影响。
附图说明
图1为本发明一实施例中的显示屏的结构示意图；
图2为图1所示的显示屏的指纹识别原理示意图；
图3为本发明又一实施例中的显示屏的结构示意图；
图4为图3所示的显示屏的指纹识别原理示意图；
图5为本发明另一实施例中的显示屏的结构示意图；
图6为图5所示的显示屏的指纹识别原理示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在描述位置关系时，除非另有规定，否则当一元件例如层、膜或显示基板被指为在另一膜层“上”时，其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说，当层被指为在另一层“下”时，其可直接在下方，亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是，当层被指为在两层“之间”时，其可为两层之间的唯一层，或亦可存在一或多个中间层。
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由……组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。
应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
还应当理解的是，在解释元件时，尽管没有明确描述，但元件解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。
此外，在说明书中，短语“平面示意图”是指当从上方观察目标部分时的附图，短语“截面示意图”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时的附图。
此外，附图并不是1：1的比例绘制，并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。
正如背景技术所述，针对OLED显示屏，现有技术中通常采用将指纹识别部件贴合的方式贴合在显示屏下方。工作时，OLED显示屏中的OLED器件发射可见光，该可见光经过用户指纹的反射，再经过显示背板后被贴合在显示屏下方的指纹识别部件检测到。而目前柔性显示面板的柔性衬底的材质一般采用PI(聚酰亚胺)等聚合物，但可见光对于柔性衬底的PI的穿透力差，导致指纹识别部件检测到的光强度不够，故而需要对PI进行打孔工艺，如此大大提高产品的工艺难度，不利于屏下指纹识别的实现。为解决上述问题，本发明提供了一种显示，能够较佳地解决上述问题。
请参阅图1～6，本发明实施例提供的显示屏，在显示面板内设置可见光转化层82，可见光转化层82用于接收可见光并将可见光转化成指纹识别模组90能够接收的非可见光；并在显示面板的底侧(即为显示面板与显示面相背的背面，也即显示面板的显示基板背离发光层的一侧)设置指纹识别模组90，并通过可见光转化层82将显示面板发射的可见光转化成对OLED显示屏的透光性良好的非可见光，从而被指纹识别模组90接收并进行指纹识别。如此指纹识别模组90被设置成检测非可见光而基本不受可见光的影响。这样，无论显示装置的显示面板正在显示何种图像都不会对指纹识别模组90的检测产生影响，从而提高了指纹识别精度，并且可见光转化层82发射的非可见光也不会影响显示面板发射的可见光，从而不影响显示效果。
在一些实施例中，可见光转化层82设于封装结构70内或显示基板内。
在一具体实施例中，该非可见光是红外光，并且相应的，指纹识别模组90包含红外传感器，可见光转化层82可为红外量子点层，例如可见光转化层82可为钙钛矿红外量子点，也可以是PbS红外量子点，还可以为Ag2S红外量子点。红外量子点层可采用喷墨打印或其他手段形成。
在后文的一些实施例中也可能以红外传感器为例来具体说明根据本公开实施例的指纹识别模组90。可理解，在其他一些实施例中，非可见光还可以是紫外光。当应用紫外光时，采用的可见光转化层82可能不同，指纹识别模组相应的采用紫外传感器。
故而本发明实施例提供的显示屏，不受可见光的限制，解决了可见光对于柔性衬底的PI的穿透力差导致指纹识别部件检测到的光强度不够的问题，且由于非可见光对于PI的穿透力良好，因此柔性衬底无需打孔或挖凹槽，降低了制造工艺难度及生产成本，同时也避免了对PI的强度的影响。
可以理解，本发明实施例提供的显示屏，可以适用于各种模式的显示面板，例如，OLED显示屏、液晶显示屏等，在此不作限定。
在对本发明进行详细说明之前，首先对本发明中的一些内容进行解释，以便于更清楚地理解本发明的技术方案。
显示区域/非显示区域：显示面板包括用于形成发光元件的有源区域，以及用于为显示提供信号线路的走线等不允许被切掉的周围区域。例如，一个显示面板，可以包括后续用于形成发光元件的显示区域AA(Active Area，AA)，还可以包括后续用于显示面板的非显示区域(包括设置驱动电路、芯片的区域)。
以下结合附图，详细对本发明各实施例提供的技术方案进行说明；图1示出了本发明一实施例中的显示屏的结构示意图，图2示出了图1所示的显示屏的指纹识别原理示意图；为便于描述，附图仅示出了与本发明实施例相关的结构。
参阅图1，本发明一实施例提供的显示屏100，包括显示面板及指纹识别模组90。
显示面板包括显示基板、可见光转化层82、位于显示基板上的发光层及位于发光层上的封装结构70，封装结构70用于封装发光层。可见光转化层82用于接收可见光，并将可见光转化成指纹识别模组90能够接收的非可见光。可见光转化层82设于封装结构70内。可见光转化层82用于接收发光层发出的可见光并将可见光转化成指纹识别模组90能够接收的非可见光，然后指纹反射该非可见光并以使该非可见光被指纹识别模组90接收；或者可见光转化层82用于接收指纹反射的可见光并转化成指纹识别模组90能够接收的非可见光。
指纹识别模组90，设于显示基板背离发光层的一侧，指纹识别模组90用于接收非可见光并进行指纹识别。
在识别指纹时，在图1或图2的视角中，手指位于发光层的上方，并按压显示面板上方(靠近封装层一侧)。发光层发出的可见光先经过位于封装结构70内的可见光转化层82转化成非可见光，然后该非可见光照射到按压在显示面板上的指纹上，经指纹上的纹脊和纹谷反射后的非可见光由指纹识别模组90接收，指纹识别模组90接收该非可见光并进行指纹识别。
继续参阅图1，在一些实施例中，显示基板包括衬底11、设置于衬底11的薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)，以及设置于薄膜晶体管上的子像素电极31。当然，该显示基板还可以包括平坦化层28、钝化层、像素限定层41等膜层。在一些实施例中，显示基板可采用LTPS工艺制备。
衬底11可以由诸如玻璃材料、金属材料或包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺(PI)等的塑胶材料中合适的材料形成。在一些实施例中，衬底11采用柔性材料制成柔性衬底，柔性材料例如为聚酰亚胺PI(Polyimide，简称PI)聚合物，聚碳酸酯PC(Polycarbonate，简称PC)树脂，也称为PC塑料，聚对苯二甲酸类PET(Polyethylene terephthalate，简称PET)塑料等。
在一个实施例中，在形成TFT之前，可以在衬底11上形成诸如缓冲层12的另外的层。缓冲层12可以形成在衬底11的整个表面上，也可以通过被图案化来形成。
缓冲层12可以具有包括PET、PEN、聚丙烯酸酯和/或聚酰亚胺等材料中合适的材料，以单层或多层堆叠的形式形成层状结构。缓冲层还可以由氧化硅或氮化硅形成，或者可以包括有机材料和/或无机材料的复合层。
薄膜晶体管可以包括半导体层21、栅电极22、源电极23和漏电极24。在一些实施例中，可在栅极绝缘层25、绝缘介质层26和层间绝缘层27层形成过孔，然后在该过孔内形成与半导体层21连接的源电极23和漏电极24，如此形成套孔结构，由于源电极23和漏电极24为金属材料，其对可见光和非可见光均有较好的反射作用，因此可利用该套孔结构，将经指纹反射同时经可见光转化层82转化的非可见光从相邻两个源漏极之间到达位于显示基板背面的指纹识别模组90，如此可防止可见光转化层82向四周发射的光相互干扰，对于指纹识别的串扰，影响指纹成像。
半导体层21可以由非晶硅层、金属氧化物或多晶硅层形成，或者可以由有机半导体材料形成。在一个实施例中，半导体层21包括沟道区和掺杂有掺杂剂的源区与漏区。
可以利用栅极绝缘层25覆盖半导体层21。栅电极22可以设置在栅极绝缘层25上。大体上，栅极绝缘层25可以覆盖显示基板11的整个表面。在一个实施例中，可以通过图案化来形成栅极绝缘层25。考虑到与相邻层的粘合、堆叠目标层的可成形性和表面平整性，栅极绝缘层25可以由氧化硅、氮化硅或其他绝缘有机或无机材料形成。栅电极22可以被由层间绝缘层27直接覆盖。在一些实施例中，也可在栅电极22上先形成电容的绝缘介质层26，再覆盖层间绝缘层27。
由于薄膜晶体管(TFT)具有复杂的层结构，因此有必要在TFT上形成平坦化层28，以便形成足够平坦的顶表面。在形成平坦化层28后，可以在平坦化层28中形成电极通孔，以暴露TFT的漏电极24。
可以在平坦化层28上形成第一子像素电极、第二子像素电极(图未示)和第三子像素电极(图未示)。第一子像素电极形成在第一像素区域。第二子像素电极形成在第二子像素区域。第三子像素电极形成在第三子像素区域。也就是说，子像素电极31与显示基板上的子像素区域一一对应。这里，第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极可以同时地或同步地形成。第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极中的每一个可以经过电极通孔电连接到薄膜晶体管的漏电极24。这里的第一子像素电极、第二子像素电极、第三子像素电极通常被称为阳极。
第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极形成透明电极时，可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)形成。
当第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极形成反射电极时，可由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)和铬(Cr)中的至少一种形成的反射层和由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)形成的导电层组成。
这里，第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极的结构和材料不限于此，并且可以变化。
在形成第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极之后，可以形成像素限定层41(PDL)。像素限定层41通常由诸如聚丙烯酸酯和聚酰亚胺等材料中合适的有机材料的单一材料层或复合材料层形成。
上述像素限定层41同时覆盖第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极。然后在像素限定层41上形成呈阵列分布的多个开口，且分别暴露第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极的中间部分(子像素电极暴露的区域即为子像素电极的有效区域)。
可以在像素限定层41内的各开口内蒸镀发光材料形成各发光单元51，也就是说多个发光单元51通过像素限定层41彼此隔离。相应地，各发光单元51即为各子像素，可包括第一子像素、第二子像素及第三子像素。第一子像素可以是发射红光的子像素，第二子像素可以是发射绿光的子像素，第三子像素可以是发射蓝光的子像素。各发光单元51所在的层形成发光层。
然后，在像素限定层41上蒸镀形成覆盖第一子像素、第二子像素和第三子像素的阴极61。阴极61可以相对多个发光单元51一体形成，从而覆盖整个显示区域。阴极61也通常被称为对电极。
在阴极61上形成用于封装发光单元51的封装结构70。容易理解的是，由于发光单元51为有机发光材料层，其对水汽和氧气等外部环境十分敏感，如果将显示面板100中的有机发光材料层暴露在有水汽或氧气的环境中，会造成显示面板100的性能急剧下降或者完全损坏。封装结构70能够为发光单元51阻挡空气及水汽，从而保证显示面板100的可靠性。
在图1所示的示例中，可见光转化层82设于封装结构70内。也就是说可见光转化层82的形成步骤可在发光单元54的制备步骤之后，如此可避免制备发光单元51时的高温工艺对可见光转化层82造成不良影响。
一些实施例中，多个发光单元51中包括用于显示的第一发光单元511和用于为指纹反射提供反射光的第二发光单元512。且可见光转化层82对应第二发光单元512的区域设置，可见光转化层82用于接收第二发光单元512发出的可见光并将可见光转化成非可见光，指纹识别模组90用于接收经指纹反射的非可见光并进行指纹识别。
发光单元51的颜色一般为红色、绿色、蓝色或白色，而一个像素单元包括至少一个红色发光单元、至少一个绿色发光单元、至少一个蓝色单元。在本示例中，在正常用于显示的第一发光单元511以保证显示面板的正常显示之外，在像素单元中还增加一个发光单元51作为第二发光单元512用于给可见光转化层82提供光源，以使与第二发光单元512对应的可见光转化层82接收更多的可见光转化为非可见光，从而保证该非可见光经指纹反射后，指纹识别模组90能够获得较强的光强度，从而提高指纹识别的精度。
进一步地，第二发光单元512发出的可见光为红光、绿光、蓝光或白光，在此不做限制。
可理解，为了避免可见光转化层82吸收第一发光单元511的可见光，从而对用于正常显示的第一发光单元511造成影响，要求该可见光转化层82的尽可能地靠近第二发光单元，且可见光转化层82的面积优选与对应的第二发光单元512的面积相当。优选地，可见光转化层82在显示基板上的正投影与第二发光单元512在显示基板上的正投影重合。如此第二发光单元512产生的光尽可能多地转化为红外光等非可见光，同时可见光转化层82向第二发光单元512反射的非可见光又能够被第二发光单元512遮挡，避免向第二发光单元512反射的非可见光对指纹反射的非可见光进行串扰，影响指纹识别的精度。
可理解，显示面板的部分或全部显示区域均设置有上述第二发光单元512，以使显示面板的部分或全部显示区域实现指纹识别。例如，在显示面板的部分显示区域设置有上述第二发光单元512时，该部分显示区域即可正常显示，又可为指纹识别区。又例如，在显示面板的全部显示区域均设置有上述第二发光单元512时，全部显示区域均可正常显示，且均可用作指纹识别区。当该显示面板为全面屏时，该显示面板为全屏指纹识别的显示面板。
在一些实施例中，可见光转化层82设于封装结构70内，在不影响封装性能的基础上，不仅可起到保护可见光转化层82的作用，且由于可见光转化层82与指纹识别面距离较近，因此可提高可见光转化层82的吸光效率，提高指纹识别模组90获得的光强度，从而提高指纹识别的精度。可以理解的是，封装结构70可以是一层或多层结构，可以是有机膜层或无机膜层，亦可是有机膜层和无机膜层的叠层结构。例如，一些实施例中，封装结构70可包括两层无机膜层及一层位于两层无机膜层之间的有机膜层。例如在一示例中，可见光转化层82设于封装结构70内时，可先形成一层无机封装膜层71，然后在该无机封装膜层71上形成可见光转化层82，再形成另一层无机封装膜层72或有机封装膜层。进一步地，还可在该有机封装膜层上再进行另一层无机封装膜层。也就是说，可见光转化层82设于封装结构70内，且封装结构70包括多层层叠设置的封装膜层，可见光转化层82位于相邻两层的封装膜层之间。
可以理解的是，本发明实施例提供的显示面板，能够满足应用于全面屏或无边框的显示面板的需求，当然也可以应用到普通有边框或者窄边框的显示面板中。
在一些实施例中，指纹识别模组90包括指纹传感器阵列层91。指纹传感器阵列层91包括呈阵列分布的多个指纹传感器。指纹传感器阵列层91中的每个指纹传感器包括一个感应极板和一个积分电路，当手指触摸指纹传感器时，指纹传感器跟手指的指纹会构成指纹电容，通过驱动信号可以使得指纹电容产生感应电荷，其中由于在指纹的纹脊和纹谷与感应极板之间的距离不同，因此纹脊和纹谷对应的指纹电容的大小不同，从而导致对应的感应电荷量不同。通常将一次驱动信号使得感应电极产生感应电荷称为一次打码。指纹传感器中的积分电路可以对多次打码得到的电荷做积分处理，以得到指纹电容的电容值。其次，指纹识别模组90或显示装置中的处理器将指纹传感器阵列对应的各个电容值转换成对应的数字信号，并根据数字信号生成指纹图像，显示装置可以将该指纹图像与合法用户的指纹模板进行匹配验证，从而实现指纹识别。
进一步地，指纹识别模组90还包括准直层92，准直层92设于指纹传感器阵列层91和显示基板之间(即准直层92设于指纹传感器阵列层91和显示面板之间)，用于提高指纹传感器接收的光效率和光强度，最大限度地防止可见光转化层82向显示基板散射的非可见光对指纹检测的串扰作用。可理解，准直层92可包含多个准直器。
可理解，指纹识别模组90可设置在显示面板的部分显示区域或全部显示区域。在一些实施例中，指纹识别模组90至少在对应可见光转化层82的区域设置。
图3示出了本发明又一实施例中的显示屏的结构示意图，图4示出了图3所示的显示屏的指纹识别原理示意图；为便于描述，附图仅示出了与本发明实施例相关的结构。
图3所示的实施例的显示屏200，相比于图1所示的显示屏100，其发光单元51层无需设置上述第二发光单元512，可见光转化层82设于封装结构70内。相应地，可见光转化层82对应像素限定层41的区域设置，如此避免遮挡发光单元51影响发光层的正常显示；可见光转化层82用于接收发光单元51发出的且经指纹反射的可见光并将可见光转化成指纹识别模组90能够接收的非可见光。
如此在识别指纹时，在图3或4的视角中，手指按压显示面板上方(靠近封装层一侧)。发光层发出的可见光照射到按压在显示面板上的指纹上，经指纹上的纹脊和纹谷反射后的可见光照射到可见光转化层82上。可见光转化层82接收指纹反射的可见光并转化成非可见光，并向指纹识别模组90发射该非可见光。指纹识别模组90接收该非可见光并进行指纹识别。
进一步地，可见光转化层82在显示基板上的正投影位于像素限定层41的顶侧表面(靠近封装结构70的表面)在显示基板上的正投影的范围内。相应地，显示区域的某一位置或显示区域的整层实现指纹识别。优选地，可见光转化层82在显示基板上的正投影与像素限定层41的顶侧表面(靠近封装结构70的表面)在显示基板上的正投影重合。
图5示出了本发明又一实施例中的显示屏的结构示意图，图6示出了图5所示的显示屏的指纹识别原理示意图；为便于描述，附图仅示出了与本发明实施例相关的结构。
图5所示的实施例的显示屏300，相比于图3所示的显示屏200，可见光转化层82位于显示基板内。进一步地，可见光转化层82位于像素限定层41的下方(即位于衬底11与像素限定层41之间)，可见光转化层82用于接收发光单元51发出的且经指纹反射的可见光并将可见光转化成指纹识别模组90能够接收的非可见光。且由于可见光转化层82位于像素限定层41的下方，其不会吸收发光层发射的可见光，因此其不会影响像素限定层41的开口率，也不会对发光层的显示造成影响，此外由于像素限定层41的阻挡作用还可避免发光层的可见光直接进入可见光转化层82中影响指纹成像的问题，故而可将可见光转化层82覆盖显示面板的整个显示区域，相应地指纹传感器阵列层91对应显示面板的整个显示区域设置，实现全屏指纹识别。也就是说，可见光转化层82在显示基板上的正投影覆盖整个发光层在显示基板上的正投影。
如此在识别指纹时，在图5或图6的视角中，手指101按压显示面板上方(靠近封装结构70一侧)。发光层发出的可见光照射到按压在显示面板上的指纹上，经指纹上的纹脊和纹谷反射后的可见光照射到可见光转化层82上。可见光转化层82接收指纹反射的可见光并转化成非可见光，并向指纹识别模组90发射该非可见光。指纹识别模组90接收该非可见光并进行指纹识别。
在一些实施例中，显示面板还包括位于像素限定层41下方的平坦化层28时，可见光转化层82位于像素限定层41与平坦化层28之间。平坦化层28上有利于形成平整的可见光转化层82。
在一些实施例中，显示面板还包括覆盖可见光转化层82的保护层84，保护层84位于可见光转化层82与像素限定层41之间，以用于保护可见光转化层82。进一步地，保护层84为氮化硅。该保护层84可采用低温工艺制备，进而最大限度地保护可见光转化层82不受损伤。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中的显示屏。
该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、车载设备、可穿戴设备或物联网设备等任何具有指纹识别功能的产品或部件。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种显示屏，其特征在于，包括:
显示面板；
指纹识别模组，所述指纹识别模组设于所述显示面板的底侧；
可见光转化层，所述可见光转化层设于所述显示面板内；
其中，所述可见光转化层用于接收可见光并将所述可见光转化成所述指纹识别模组能够接收的非可见光；
所述显示面板包括：
显示基板；
发光层，设于所述显示基板上；及
封装结构，用于封装所述发光层；其中，所述可见光转化层设于所述封装结构内；
所述发光层包括多个发光单元；
多个发光单元中包括用于显示的第一发光单元和用于为指纹识别提供反射光的第二发光单元；所述可见光转化层用于接收所述第二发光单元发出的可见光并将所述可见光转化成所述指纹识别模组能够接收的非可见光；
所述显示基板包括用于将所述多个发光单元彼此隔离的像素限定层；
所述可见光转化层在所述显示基板上的正投影，位于所述像素限定层的顶侧表面在所述显示基板上的正投影的范围内。
2.一种显示屏，其特征在于，包括:
显示面板；
指纹识别模组，所述指纹识别模组设于所述显示面板的底侧；
可见光转化层，所述可见光转化层设于所述显示面板内；
其中，所述可见光转化层用于接收可见光并将所述可见光转化成所述指纹识别模组能够接收的非可见光；
所述显示面板包括：
显示基板，所述显示基板包括衬底、平坦化层及像素限定层，所述平坦化层设于所述衬底上，所述像素限定层设于所述平坦化层上；及
发光层，设于所述显示基板上，所述发光层包括多个发光单元，所述像素限定层用于将所述多个发光单元彼此隔离；
其中，所述可见光转化层位于所述像素限定层与所述平坦化层之间，且所述可见光转化层在所述显示基板上的正投影，位于所述像素限定层的顶侧表面在所述显示基板上的正投影的范围内。
3.根据权利要求2所述的显示屏，其特征在于，所述显示面板还包括覆盖所述可见光转化层的保护层，所述保护层位于所述可见光转化层与所述像素限定层之间。
4.根据权利要求3所述的显示屏，其特征在于，所述保护层为氮化硅层。
5.根据权利要求1～4任一项所述的显示屏，其特征在于，所述可见光转化层为红外量子点层。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～5任一项所述的显示屏。
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Families Citing this family (3)
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106874866A (zh) * | 2017-02-13 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其控制方法 |
| CN107045628A (zh) * | 2017-04-17 | 2017-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控面板、显示面板、显示装置及指纹识别方法 |
| CN107978624A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN108288681A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN108846392A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-11-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光学指纹识别单元及其制造方法、显示面板和识别指纹的方法 |
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| CN107230698B (zh) * | 2017-05-27 | 2019-09-03 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| KR102503174B1 (ko) * | 2017-07-27 | 2023-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지문센서, 이를 포함하는 표시장치 및 상기 지문센서의 구동방법 |
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| KR102512330B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2023-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN110061040B (zh) * | 2019-04-28 | 2021-06-15 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示装置 |
-
2019
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-
2021
- 2021-06-11 US US17/345,767 patent/US11632891B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106874866A (zh) * | 2017-02-13 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其控制方法 |
| CN107045628A (zh) * | 2017-04-17 | 2017-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控面板、显示面板、显示装置及指纹识别方法 |
| CN107978624A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN108288681A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN108846392A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-11-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光学指纹识别单元及其制造方法、显示面板和识别指纹的方法 |
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