CN110379830A - 显示装置 - Google Patents

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CN110379830A
CN110379830A CN201910280635.4A CN201910280635A CN110379830A CN 110379830 A CN110379830 A CN 110379830A CN 201910280635 A CN201910280635 A CN 201910280635A CN 110379830 A CN110379830 A CN 110379830A
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李现范
金亨基
朴光雨
丁进焕
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本申请涉及显示装置，该显示装置包括显示面板以及具有感测电极且直接设置在显示面板上的输入感测单元。显示面板包括具有第一电极、第二电极和发光层的发光元件。显示面板包括具有第一部分和第二部分的像素限定层，其中，在第一部分中限定有暴露第一电极的开口，第二部分设置在第一部分上并与第一部分重叠。多个薄膜设置在第二电极上。绝缘图案设置在多个薄膜上，与像素限定层重叠且与第二部分重叠。感测电极的与绝缘图案重叠的第一部分和基础绝缘层之间的距离大于感测电极的不与绝缘图案重叠的第二部分和基础绝缘层之间的距离。

Description

显示装置
技术领域
本发明的示例性实施方式大体上涉及显示装置，且更具体地，涉及集成有输入感测单元的显示装置。
背景技术
已开发了用于诸如电视、移动电话、平板电脑、导航单元和游戏控制台的多媒体设备的各种类型的显示装置。显示装置包括作为输入单元的键盘或鼠标。另外，近年来，显示装置包括触摸面板作为输入单元。
然而，显示装置的信号可能包括过度的噪音水平，其导致触摸灵敏度降低。
在该背景部分中公开的上述信息仅用于加强理解本发明的背景，且因此其可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施方式提供了与具有减小的噪声水平的显示装置集成的输入感测单元。
将在接下来的描述中阐述本发明构思的附加特征，且本发明构思的附加特征将通过所述描述部分地显而易见或者可通过实施本发明构思来习得。
本发明构思的示例性实施方式提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板和输入感测单元，输入感测单元包括感测电极并且直接设置在显示面板上。显示面板包括发光元件、像素限定层、多个薄膜和绝缘图案。发光元件包括第一电极、第二电极和发光层，其中，第一电极接触基础绝缘层，发光层设置在第一电极与第二电极之间。像素限定层包括第一部分和第二部分，其中，在第一部分中限定有暴露第一电极的开口，第二部分设置在第一部分上并与第一部分部分地重叠。像素限定层设置在第二电极下方并且与基础绝缘层接触。多个薄膜设置在第二电极上。绝缘图案设置在多个薄膜上，与像素限定层部分地重叠且与第二部分重叠。
感测电极的与绝缘图案重叠的第一部分和基础绝缘层之间的距离大于感测电极的不与绝缘图案重叠的第二部分和基础绝缘层之间的距离。
感测电极的第一部分和第二电极之间的距离可与感测电极的第二部分和第二电极之间的距离基本相同。
像素限定层的第二部分可具有与绝缘图案的厚度基本相同的厚度。
在平面上，像素限定层的第二部分可与绝缘图案的约90％或更多重叠。
在平面上，像素限定层的第二部分的一条边或直径的长度可为约10μm至约25μm。
像素限定层的第一部分和像素限定层的第二部分可呈单个体部。
感测电极可具有其中限定有与像素限定层的第一部分的开口对应的开口的网格形状。
显示装置还可包括防反射单元，所述防反射单元直接设置在输入感测单元上且包括遮光层，其中，在所述遮光层中限定有与像素限定层的第一部分的开口对应的开口。
本发明构思的另一个示例性实施方式提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板和输入感测单元，所述输入感测单元包括感测电极并且直接设置在显示面板上。显示面板包括发光元件、像素限定层、多个薄膜和绝缘图案。发光元件包括第一电极、第二电极和发光层，其中，第一电极设置在基础绝缘层上，发光层设置在第一电极与第二电极之间。像素限定层包括第一部分和第二部分且设置在第二电极和基础绝缘层之间，其中，在第一部分中限定有暴露第一电极的开口，第二部分设置成与第一部分相邻并且具有比第一部分的厚度更大的厚度。多个绝缘层设置在第二电极上。多个绝缘层中的一个绝缘层包括第一区域和第二区域，其中，第一区域与像素限定层的第一部分重叠，第二区域与像素限定层的第二部分重叠并且具有比第一区域的厚度更大的厚度。
第二区域和第一区域之间的厚度差可与第二部分和第一部分之间的厚度差基本相同。
在平面上，第二部分可与第二区域的约90％或更多重叠。
感测电极可接触多个绝缘层中的一个绝缘层。
多个绝缘层可包括第一无机层、第二无机层、有机层、第三无机层和第四无机层，其中，第一无机层接触第二电极，第二无机层设置在第一无机层上，有机层设置在第二无机层上，第三无机层设置在有机层上，第四无机层设置在第三无机层上。多个绝缘层中的所述一个绝缘层可以是第一无机层、第二无机层、有机层和第三无机层之一。
多个绝缘层中的所述一个绝缘层形成有与第一部分的开口对应的开口。
绝缘层中的所述一个绝缘层可包含遮光材料。
本发明构思的另一个示例性实施方式提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板和输入感测单元，所述输入感测单元包括感测电极并且直接设置在显示面板上。显示面板包括发光元件、像素限定层、多个薄膜和遮光层。发光元件包括第一电极、第二电极和发光层，其中，第一电极设置在基础绝缘层上，发光层设置在第一电极与第二电极之间。像素限定层包括第一部分和第二部分且设置在第二电极和基础绝缘层之间，其中，在第一部分中限定有暴露第一电极的开口，第二部分设置成与第一部分相邻并且具有比第一部分的厚度更大的厚度。多个薄膜设置在第二电极上。遮光层设置在多个薄膜上，且在遮光层中限定有与第一部分的开口对应的开口。遮光层包括第一区域和第二区域，其中，第一区域与像素限定层的第一部分重叠，第二区域与像素限定层的第二部分重叠并且具有比第一区域的厚度更大的厚度。
遮光层可包括：与第一区域和第二区域重叠的含金属层；以及与第二区域重叠的有机材料图案。
有机材料图案可具有与第二区域和第一区域之间的厚度差基本相同的厚度。
含金属层可包含钼钽氧化物(MoTaOx)。
本发明构思的另一个示例性实施方式提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板、输入感测单元和窗单元，其中，输入感测单元包括感测电极并且直接设置在显示面板上，窗单元设置在输入感测单元上。显示面板包括第一电极、像素限定层、第二电极、至少一个发光层和绝缘结构，其中，第一电极设置在基础绝缘层上；像素限定层包括第一部分和第二部分且设置在基础绝缘层上，其中在第一部分中限定有暴露第一电极的开口，第二部分设置在第一部分上并且与第一部分部分地重叠；第二电极设置在像素限定层上；至少一个发光层设置在第二电极和第一电极之间。绝缘结构在感测电极的与像素限定层的第一部分重叠的第一区域和感测电极的与感测电极的第二部分重叠的第二区域之间形成台阶部，且设置在第二电极上。
窗单元的顶表面和感测电极的第一区域之间的距离可小于窗单元的顶表面和感测电极的第二区域之间的距离。
像素限定层的第一部分和感测电极的第一区域之间的距离可与像素限定层的第二部分和感测电极的第二区域之间的距离基本相同。
将理解，前述大体的描述和以下详细的描述均为示例性和说明性的，且旨在提供对所请求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图(其被包括以提供对本发明的进一步理解且并入本说明书中并构成本说明书的一部分)示出本发明的示例性实施方式，且与说明书一同用于解释本发明的构思。
图1是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的立体图。
图2A、图2B、图2C和图2D是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖视图。
图3A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示面板的剖视图。
图3B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示面板的平面图。
图3C是示出根据本发明构思的示例性实施方式的像素的等效电路图。
图3D和图3E是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示面板的放大剖视图。
图4A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的与制造显示面板的方法的一个过程对应的显示面板的平面图。
图4B是示出图4A中的显示面板的放大平面图。
图4C是示出根据本发明构思的示例性实施方式的与制造显示面板的方法的一个过程对应的显示面板的剖视图。
图5A、图5B、图5C和图5D是示出根据本发明构思的示例性实施方式的薄膜封装层的剖视图。
图6A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖视图。
图6B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元的平面图。
图6C是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元的第一导电层的平面图。
图6D是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元的第二导电层的平面图。
图6E和图6F是示出根据本发明构思的实施方式的输入感测单元的局部剖视图。
图7A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元的放大平面图。
图7B是示出图7A的一部分的放大平面图。
图7C和图7D是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的放大剖视图。
图8A和图8B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的放大剖视图。
图9A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元的平面图。
图9B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元的放大平面图。
图10A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元的剖视图。
图10B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元的平面图。
图10C是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元的局部剖视图。
图11A至图11D是示出根据本发明构思的实施方式的显示装置的剖视图。
图12A、图12B和图12C是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的立体图。
图13A和图13B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的立体图。
图14示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的立体图。
具体实施方式
在以下描述中，出于说明的目的，阐述了诸多具体细节以提供对本发明的各种示例性实施方式的透彻的理解。如本文中所使用的，“实施方式”是对采用本文中公开的发明构思中的一种或多种的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，各种示例性实施方式可在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下来实施。在其他示例中，公知的结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地模糊各种示例性实施方式。另外，各种示例性实施方式可以是不同的，但不一定是排他性的。例如，在没有背离本发明构思的情况下，示例性实施方式的具体形状、配置和特性可在另一个示例性实施方式中使用或实施。
除非另外指定，否则所示的示例性实施方式应理解为提供本发明构思可在实践中实施的某些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指定，否则在没有背离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地称为或统称为“元件”)可另外组合、分离、互换和/或重新布置。
剖面线和/或阴影在附图中的使用通常用于明确相邻元件之间的界限。如此一来，除非指定，否则剖面线或阴影的存在或缺失均不传达或指示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可能被夸大。当示例性实施方式可以以不同方式实施时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。另外，相同的参考标号表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层时，其可以直接在该另一元件或层上、直接连接至或直接联接至该另一元件或层，或者可以存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被表示为直接在另一元件或层上、直接连接至或直接联接至另一元件或层时，则不存在介于中间的元件或层。为此，术语“连接”可表示在存在或不存在介于中间的元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。另外，D1-轴、D2-轴和D3-轴不限于直角坐标系的三个轴，诸如x轴、y轴和z轴，且可以以更宽的含义来解释。例如，D1-轴、D2-轴和D3-轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用，术语“和/或”包括相关的列出项目中一个或多个的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受限于这些术语。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，以下所讨论的第一元件可以被称为第二元件。
空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“下部”、“上方”、“上”、“之上”、“上部”、“侧”(例如，如“侧壁”中的那样)等可在本文中出于描述的目的而使用，且由此描述如图中所示的一个元件与另外的元件的关系。除了图中所描绘的定向以外，空间相对术语还旨在包含装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件则将定向为在所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”能够包含上方和下方两种定向。另外，装置可以以其他方式定向(例如，旋转90度或者处于其他定向)，且因此，本文中使用的空间相对术语应相应地解释。
本文使用的术语用于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。除非上下文另行明确指出，否则如本文所使用的，单数形式，“一(a)、“一个(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”指出所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。还应注意，如本文所使用的，术语“基本”、“约”和其他的类似术语用作近似的术语而不用作程度术语，且因此，用于解释会由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
在本文中参照作为理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图描述各种示例性实施方式。因而，可预期到例如由于制造技术和/或公差而导致的与图示的形状的差异。因此，本文中所公开的示例性实施方式不应必须解释为受限于具体示出的区域形状，而是包括例如由制造而导致的形状偏差。通过这种方式，图中所示的区域本质上可以是示意性的，且这些区域的形状可能并不反映装置的区域的实际形状且因此不一定旨在限制。
除非另有定义，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的一个普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。术语，诸如在通常使用的字典中定义的那些，应理解为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应在理想化或过于形式化的意义上进行解释，除非在本文中明确如此定义。
图1是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的立体图。如图1所示，显示装置DD可通过显示表面DD-IS显示图像IM。显示表面DD-IS与由第一方向轴线DR1和第二方向轴线DR2限定的表面平行。显示表面DD-IS的法线方向，即显示装置DD的厚度方向，指示第三方向轴线DR3。
在下文中，构件或单元中的每个的前表面(或顶表面)和背表面(或底表面)通过第三方向轴线DR3区分。然而，本发明构思不限于如示例性实施方式中所示的第一方向轴线DR1、第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3。在下文中，第一方向至第三方向可以分别是由第一方向轴线DR1、第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3指示的方向且可由相同的参考标号指代。
尽管示出包括平面型显示表面的显示装置DD，但是本发明构思不限于此。例如，显示装置DD可包括弯曲型显示表面或三维型显示表面。三维型显示表面可包括指示彼此不同的方向的多个显示区域，例如，多边柱类型显示表面。
根据示例性实施方式的显示装置DD可以是刚性显示装置。然而，本发明构思不限于此。例如，根据本发明构思的显示装置DD可以是柔性显示装置DD。示例性示出可应用至移动终端的显示装置DD。虽然未示出，但是安装在主板上的电子模块、相机模块和电源模块可与显示装置DD一起设置在支架或壳上以构成移动终端。根据本发明构思的显示装置DD可用于诸如电视和监视器的大尺寸电子设备以及诸如平板式PC、车用导航单元、游戏控制台和智能手表的中小尺寸电子设备。
如图1中所示，显示表面DD-IS可包括其上显示图像IM的显示区域DD-DA和与显示区域DD-DA相邻的非显示区域DD-NDA。非显示区域DD-NDA可以是其上不显示图像的区域。图1是示出图标图像作为图像IM的示例。
如图1中所示，显示区域DD-DA可具有矩形形状。非显示区域DD-NDA可围绕显示区域DD-DA。然而，本发明构思不限于此。例如，显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA可以在形状方面相对地进行设计。
图2A至图2D是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的剖视图。图2A至图2D示出由第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3限定的截面。图2A至图2D以简化方式示出，以说明构成显示装置DD的显示面板DP和功能性单元之间的层叠关系。
根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测单元、防反射单元和窗单元。显示面板DP、输入感测单元、防反射单元和窗单元中的至少某些可通过连续的工艺形成，或者可通过使用粘合构件彼此联接。在图2A至图2D中，示例性示出光学透明粘合构件OCA作为粘合构件。在下文中，粘合构件可包括典型的粘合剂或粘着剂。在本发明构思的示例性实施方式中，防反射单元和窗单元可被省略或者可由不同的组件替代。
在图2A至图2D中，在输入感测单元、防反射单元和窗单元之中，通过连续的工艺与另一组件一同形成的组件被表述为“层”。在输入感测单元、防反射单元和窗单元之中，通过粘合构件与另一组件联接的组件被表述为“面板”。面板可包括提供基础表面的基础层，例如，合成树脂膜、复合材料膜或玻璃衬底。然而，“层”可不包括基础层。换言之，由“层”表述的单元设置在由另一单元提供的基础表面上。
根据是否存在基础层，输入感测单元、防反射单元和窗单元可称作输入感测面板ISP、防反射面板RPP和窗面板WP，或者输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL。
如图2A所示，显示装置DD可包括输入感测层ISL、防反射面板RPP和窗面板WP。输入感测层ISL直接设置在显示面板DP上。在本说明书中，措辞“B组件直接设置在A组件上”表示A组件和B组件之间不设置有附加的粘合层/粘合构件。B组件可在形成A组件之后通过连续的工艺形成在由A组件提供的基础表面上。
显示模块DM可通过包括显示面板DP和直接设置在显示面板DP上的输入感测层ISL而被限定。光学透明粘合构件OCA设置在显示模块DM和防反射面板RPP之间以及防反射面板RPP和窗面板WP之间。
显示面板DP生成图像IM，并且输入感测层ISL获取外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。尽管没有分别示出，但是根据本发明构思的示例性实施方式的显示模块DM还可包括设置在显示面板DP的底表面上的保护构件。保护构件和显示面板DP可通过粘合构件联接。在下文中，图2B至图2D中的显示装置DD也可进一步包括保护构件。
尽管根据本发明构思的示例性实施方式的显示面板DP可以是发光型显示面板，但是本发明构思并不如此限定。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板可包括包含有机发光材料的发光层。量子点发光显示面板可包括包含量子点和量子棒的发光层。在下文中，将显示面板DP描述为有机发光显示面板。
防反射面板RPP降低从窗面板WP的上方入射的外部光的反射率。根据本发明构思的示例性实施方式的防反射面板RPP可包括减速器和偏振器。减速器可以是膜类型或液晶涂层类型，并且可包括λ/2减速器和/或λ/4减速器。偏振器也可以是膜类型或液晶涂层类型。膜类型可包括柔性合成树脂膜，并且液晶涂层类型可包括具有预定定向的液晶。减速器和偏振器中的每个还可包括保护膜。减速器和偏振器本身或者保护膜可限定为防反射面板RPP的基础层。根据本发明构思的示例性实施方式的防反射面板RPP可包括相消干涉结构。例如，相消干涉结构可包括设置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以相消干涉，且因此，外部光的反射率可降低。
根据本发明构思的示例性实施方式的窗面板WP包括基础膜WP-BS和边框图案WP-BZ。基础膜WP-BS可包括玻璃衬底和/或合成树脂膜。本发明构思不限于基础膜WP-BS的层的数量。例如，基础膜WP-BS可包括通过粘合构件联接的两个或更多的膜。
边框图案WP-BZ与基础膜WP-BS部分地重叠。边框图案WP-BZ可设置在基础膜WP-BS的背表面上以限定显示装置DD的边框区域，即非显示区域DD-NDA(参照图1)。
边框图案WP-BZ可以是有色有机层且通过例如涂覆方法形成。边框图案WP-BZ可包括多层的有机层。有机层中的某些可形成有预定图案。尽管并未分别示出，但是窗面板WP还可包括设置在基础膜WP-BS的前表面上的功能性涂覆层。功能性涂覆层可包括防指纹层、防反射层和硬涂覆层。
在图2B至图2D中，仅示出窗面板WP或窗层WL，而没有区分边框图案WP-BZ和基础膜WP-BS。
如图2B所示，显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL。光学透明粘合构件OCA可从显示装置DD中省略，且输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL可形成在由显示面板DP提供的基础表面上。输入感测层ISL和防反射层RPL的层叠顺序可被改变。在本发明构思的示例性实施方式中，防反射层RPL和窗层WL之一可改变为平板型。
如图2C和图2D所示，显示装置DD可包括两种类型的防反射单元。如图2C所示，防反射层RPL可直接设置在输入感测层ISL上。如图2D所示，防反射层RPL可直接设置在显示面板DP上，且输入感测层ISL可直接设置在防反射层RPL上。
防反射层RPL与防反射面板RPP之间的联接和输入感测层ISL与防反射面板RPP之间的联接可通过光学透明粘合构件OCA来实现。这里，防反射面板RPP可包括偏振膜，且防反射层RPL可至少包括遮光图案。
尽管在图2A至图2D中输入感测单元与显示面板DP完全地重叠，但是本发明构思不限于此。例如，输入感测单元可以仅与显示区域DD-DA重叠。在本发明构思的示例性实施方式中，输入感测单元可与显示区域DD-DA的一部分重叠或者可以仅与非显示区域DD-NDA重叠。
输入感测单元可以是用于感测用户的触摸的触摸感测面板或者用于感测用户的手指的指纹信息的指纹感测面板。在下文中，感测电极的间距和宽度可根据输入感测单元的目的而变化。触摸感测面板的感测电极中的每个可具有几毫米至几十毫米的宽度，且指纹感测面板的感测电极中的每个可具有几十微米至几百微米的宽度。
根据参照图2A至图2D所示的显示装置DD，输入感测层ISL可相距显示面板DP具有一定距离，该距离小于面板类型的输入感测单元相距显示面板DP的距离。因此，输入感测层ISL的灵敏度可能极大地受到由显示面板DP产生的噪音的影响。
图3A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示面板DP的剖视图。图3B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示面板DP的平面图。图3C是根据本发明构思的示例性实施方式的像素PX的等效电路图。图3D和图3E是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示面板DP的放大剖视图。将在下面描述的显示面板DP可应用于参照图2A至图2D描述的显示装置DD中的全部。
如图3A所示，显示面板DP包括基础层BL、设置在基础层BL上的电路元件层DP-CL、设置在电路元件层DP-CL上的显示元件层DP-OLED和设置在显示元件层DP-OLED上的绝缘层TFL(在下文中，称为“上部绝缘层”)。
基础层BL可包括合成树脂层。合成树脂层形成于在制造显示面板DP时使用的工作衬底上。然后，导电层、绝缘层等形成在合成树脂层上。当工作衬底被移除时，合成树脂层对应于基础层BL。尽管合成树脂层可包括基于聚酰亚胺的树脂层，但是本发明构思不限于合成树脂层的材料。此外，基础层BL可包括玻璃衬底、金属衬底和/或有机/无机复合材料衬底。
电路元件层DP-CL包括至少一个绝缘层和电路元件。在下文中，设置在电路元件层DP-CL中的绝缘层被称为中间绝缘层。中间绝缘层包括至少一个中间无机层和至少一个中间有机层。电路元件包括信号线和像素的驱动电路。电路元件层DP-CL可经由通过涂覆和沉积形成绝缘层、半导体层和导电层的过程以及通过光刻工艺而对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化的过程来形成。
显示元件层DP-OLED包括发光元件。显示元件层DP-OLED可包括有机发光二极管作为发光元件。显示元件层DP-OLED还可包括有机层，诸如像素限定层。
上部绝缘层TFL可包括用于密封电路元件层DP-CL的薄膜封装层，这将在稍后进行描述。上部绝缘层TFL还可包括功能层，诸如覆盖层、防反射层和折射率调节层。
如图3B所示，显示面板DP在平面上包括显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。在该示例性实施方式中，非显示区域DP-NDA可沿着显示区域DP-DA的边缘限定。显示面板DP的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA分别对应于图1和图2D中的显示装置DD的显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA。
显示面板DP可包括驱动电路GDC、多条信号线SGL(在下文中，称为信号线)和多个像素PX(在下文中，称为像素)。像素PX设置在显示区域DP-DA中。像素PX中的每个包括发光元件和连接至发光元件的像素驱动电路。驱动电路GDC、信号线SGL和像素驱动电路可设置在图3A中的电路元件层DP-CL中。
驱动电路GDC可包括扫描驱动电路。扫描驱动电路生成多个扫描信号(在下文中，称为扫描信号)并且将扫描信号顺序地输出至多条扫描线GL(在下文中，称为扫描线)，这将在稍后进行描述。扫描驱动电路还可向像素PX中的每个的像素驱动电路输出另一控制信号。
扫描驱动电路可包括通过与像素驱动电路相同的工艺(例如，低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)形成的多个薄膜晶体管。
信号线SGL包括扫描线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。扫描线GL中的每条连接至多个像素PX中的对应像素PX，且数据线DL中的每条连接至多个像素PX中的对应像素PX。电力线PL连接至像素PX。控制信号线CSL可向扫描驱动电路提供控制信号。
信号线SGL可连接至电路板(未示出)。换言之，信号线SGL可连接至安装到电路板的集成芯片类型的时序控制电路。在本发明构思的示例性实施方式中，集成芯片可设置在非显示区域DP-NDA中并连接至信号线SGL。
图3C示例性示出扫描线GL之一、数据线DL之一、电力线PL和连接至其的像素PX。然而，本发明构思的实施方式不限于图3C中的像素PX的构成。
有机发光二极管OLED可以是前面发光二极管或背面发光二极管。像素PX(其包括用于驱动有机发光二极管OLED的像素驱动电路)包括第一晶体管T1(或开关晶体管)、第二晶体管T2(或驱动晶体管)和电容器Cst。第二晶体管T2被提供第一电力电压ELVDD，且有机发光二极管OLED被提供第二电力电压ELVSS。第二电力电压ELVSS可小于第一电力电压ELVDD。
第一晶体管T1响应于施加至扫描线GL的扫描信号而输出施加至数据线DL的数据信号。电容器Cst利用与从第一晶体管T1接收的数据信号对应的电压进行充电。第二晶体管T2连接至有机发光二极管OLED。对应于存储在电容器Cst中的电荷量，第二晶体管T2控制流经有机发光二极管OLED的驱动电流。
尽管提供了等效电路作为示例，但是本发明构思不限于此。像素PX还可包括多个晶体管和多个电容器。有机发光二极管OLED可连接在电力线PL与第二晶体管T2之间。
图3D和图3E是示出与图3C中的等效电路对应的、显示面板DP的截面的一部分的视图。在下文中，将主要描述图3D。
电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上部绝缘层TFL顺序地布置在基础层BL上。在该示例性实施方式中，电路元件层DP-CL可包括缓冲层BFL、第一中间无机层10、第二中间无机层20和中间有机层30，其中，缓冲层BFL是无机层，中间有机层30是有机层。然而，本发明构思并不特别地受限于无机层和有机层中的每个的材料。在示例性实施方式中，缓冲层BFL可以选择性地设置或者可被省略。
第一晶体管T1的半导体图案OSP1(在下文中，称为第一半导体图案)和第二晶体管T2的半导体图案OSP2(在下文中，称为第二半导体图案)设置在缓冲层BFL上。第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2可从非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体中选择。
第一中间无机层10设置在第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2上。第一晶体管T1的控制电极GE1(在下文中，称为第一控制电极)和第二晶体管T2的控制电极GE2(在下文中，称为第二控制电极)设置在第一中间无机层10上。第一控制电极GE1和第二控制电极GE2可通过与扫描线GL(参照图3B)相同的光刻工艺制造。
覆盖第一控制电极GE1和第二控制电极GE2的第二中间无机层20设置在第一中间无机层10上。第一晶体管T1的输入电极DE1(在下文中，称为第一输入电极)和输出电极SE1(在下文中，称为第一输出电极)以及第二晶体管T2的输入电极DE2(在下文中，称为第二输入电极)和输出电极SE2(在下文中，称为第二输出电极)设置在第二中间无机层20上。
第一输入电极DE1和第一输出电极SE1分别通过穿过第一中间无机层10和第二中间无机层20的第一通孔CH1和第二通孔CH2连接至第二半导体图案OSP2。第二输入电极DE2和第二输出电极SE2分别通过穿过第一中间无机层10和第二中间无机层20的第三通孔CH3和第四通孔CH4连接至第二半导体图案OSP2。在本发明构思的另一个示例性实施方式中，第一晶体管T1和第二晶体管T2之一可形成为底栅结构。
覆盖第一输入电极DE1、第二输入电极DE2、第一输出电极SE1和第二输出电极SE2的中间有机层30设置在第二中间无机层20上。中间有机层30可提供平坦表面。
显示元件层DP-OLED设置在中间有机层30上。显示元件层DP-OLED可包括像素限定层PDL和有机发光二极管OLED。第一电极AE设置在中间有机层30上。第一电极AE通过穿过中间有机层30的第五通孔CH5连接至第二输出电极SE2。在像素限定层PDL中限定有开口OP。像素限定层PDL的开口OP暴露第一电极AE的至少一部分。
如图3D所示，像素限定层PDL可划分为两个部分。像素限定层PDL可包括第一部分PDL-1和第二部分PDL-2，其中，在第一部分PDL-1中限定有暴露第一电极AE的开口OP，第二部分PDL-2设置在第一部分PDL-1上并与第一部分PDL-1部分地重叠。换言之，第一部分PDL-1和第二部分PDL-2可在第三方向DR3上区分开。第一部分PDL-1可接触中间有机层30，且在实施方式中，中间有机层30可限定为基础绝缘层。
如图3E所示，像素限定层PDL可在平面上划分为两个部分。图3E参照第二方向DR2示出。像素限定层PDL可包括第一部分PDL-10和第二部分PDL-20，其中，在第一部分PDL-10中限定有暴露第一电极AE的开口OP，第二部分PDL-20设置成与第一部分PDL-10相邻且具有比第一部分PDL-10更大的厚度。
第一部分PDL-10的厚度TH1可以是第二部分PDL-20的厚度TH2的约40％至约60％。第二部分PDL-20的厚度TH2在第二部分PDL-20的中央区域处测量。
划分为两个部分的像素限定层PDL可通过利用半色调掩模移除其一部分来形成。因此，两个部分可具有整体的形状。在本发明构思的示例性实施方式中，像素限定层PDL可以如下形成：形成与图3D中描述的第一部分PDL-1对应的绝缘层，且之后印刷与第二部分PDL-2对应的间隔件。因此，两个部分之间具有界面。
如图3D所示，图3A和图3B中的显示区域DP-DA可包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可围绕发光区域PXA。在该实施方式中，发光区域PXA限定为与第一电极AE的通过开口OP暴露的部分区域对应。
在本发明构思的示例性实施方式中，非发光区域NPXA可与第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个重叠。在本发明构思的另一示例性实施方式中，发光区域PXA可与第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个重叠。在本发明构思的该示例性实施方式中，开口OP可以进一步加宽，且第一电极AE和将在稍后描述的发光层EML中的每个可以进一步加宽。
空穴控制层HCL可共同地设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。尽管没有分开示出，但是诸如空穴控制层HCL的公共层可共同地设置在像素PX(参照图3B)上。空穴控制层HCL可包括空穴传输层和空穴注入层。
发光层EML设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可设置在与开口OP对应的区域中。换言之，发光层EML可分别设置在像素PX中的每个上。发光层EML可包含有机材料和/或无机材料。发光层EML可生成具有预定颜色的有色光。
电子控制层ECL设置在发光层EML上。尽管没有分开示出，但是电子控制层ECL可共同地设置在像素PX(参照图3B)上。电子控制层ECL可包括电子传输层和电子注入层。第二电极CE设置在电子控制层ECL上。第二电极CE共同地设置在像素PX上。
上部绝缘层TFL设置在第二电极CE上。上部绝缘层TFL可包括多个薄膜。如先前的示例性实施方式那样，上部绝缘层TFL可包括薄膜封装层TFE和覆盖层CPL，其中，在薄膜封装层TFE中多个薄膜以功能区分开。
在该示例性实施方式中，薄膜封装层TFE可与图3A和图3B中的显示区域DP-DA完全地重叠。薄膜封装层TFE密封设置在显示区域DP-DA中的有机发光二极管OLED。薄膜封装层TFE不设置在非显示区域DP-NDA中或者仅设置在非显示区域DP-NDA的部分区域中。稍后将描述薄膜封装层TFE的详细的层叠结构。
覆盖层CPL可设置在显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA的整个区域之上。覆盖层CPL密封薄膜封装层TFE。当薄膜封装层TFE设置在显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA的整个区域之上时，覆盖层CPL可被省略。
在本发明构思的示例性实施方式中，有机发光二极管OLED还可包括用于控制从发光层EML产生的光的共振距离的共振结构。共振结构可设置在第一电极AE和第二电极CE之间且具有根据从发光层EML产生的光的波长确定的厚度。
图4A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的与制造显示面板DP的方法的一个过程对应的显示面板DP的平面图。图4B是示出图4A中的显示面板DP的放大平面图。图4C是示出根据本发明构思的示例性实施方式的与制造显示面板DP的方法的一个过程对应的显示面板DP的剖视图。在下文中，将参照图4A至图4C更加详细地描述在图3D和图3E中描述的像素限定层PDL。
如图4A所示，像素限定层PDL可与显示区域DP-DA完全地重叠。根据示例性实施方式，在中间有机层30上形成有机层，且然后通过光刻工艺图案化所形成的有机层。因此，可形成划分为两个部分且具有多个开口的像素限定层PDL。
图4B是示出图4A的区域AA的放大图。如图4B所示，在像素限定层PDL中可形成有三种类型的开口。三种类型的开口可包括根据其面积划分的第一开口OP-G、第二开口OP-R和第三开口OP-B。第一开口OP-G、第二开口OP-R和第三开口OP-B中的每个具有与对应像素PX的发光面积成比例的面积。
图3B中的多个像素PX可包括生成绿光的绿色像素、生成红光的红色像素和生成蓝光的蓝色像素。在该示例性实施方式中，第一开口OP-G、第二开口OP-R和第三开口OP-B中的每个可分别对应于绿色像素、红色像素和蓝色像素。
如图4B所示，第二部分PDL-2可设置在由第一开口OP-G、第二开口OP-R和第三开口OP-B围绕的区域(在下文中，被称为间隔区域)中。多个间隔区域可限定在像素限定层PDL中，且第二部分PDL-2可设置在间隔区域的一部分中。
第二部分PDL-2可具有各种形状。第二部分PDL-2可具有圆形形状或矩形形状。第二部分PDL-2的一条边的长度或第二部分PDL-2的直径的长度可以是约10μm至约25μm。具有上述区域的第二部分PDL-2足以用作间隔件，这将在稍后进行描述。第二部分PDL-2可以与第一开口OP-G、第二开口OP-R和第三开口OP-B中的每个间隔开约5μm至约10μm。
如图4C所示，第二部分PDL-2支承掩模MSK。掩模MSK用于沉积图3D中的发光层EML。基本上，掩模MSK接触设置在第二部分PDL-2上的空穴控制层HCL。在发光层EML的沉积工艺期间，第二部分PDL-2支承掩模MSK使得空穴控制层HCL的有效区域(对应于第一开口OP-G、第二开口OP-R和第三开口OP-B)不与掩模MSK接触。这被限定为第二部分PDL-2的间隔功能。
在图4C中，示出分别对应于第一开口OP-G、第二开口OP-R和第三开口OP-B的第一类型的第一电极AE-G、第二类型的第一电极AE-R和第三类型的第一电极AE-B。第一类型的第一电极AE-G具有第一面积、第二类型的第一电极AE-R具有大于第一面积的第二面积，且第三类型的第一电极AE-B具有大于第二面积的第三面积。第一类型的第一电极AE-G、第二类型的第一电极AE-R和第三类型的第一电极AE-B中的每个的面积可决定对应像素PX中的每个的发光面积，且对应像素PX中的每个的发光面积可与第一类型的第一电极AE-G、第二类型的第一电极AE-R和第三类型的第一电极AE-B中的每个的面积成比例。
图5A至图5D是示出根据本发明构思的示例性实施方式的薄膜封装层TFE的剖视图。薄膜封装层TFE包括至少一个绝缘层。根据本发明构思的实施方式的薄膜封装层TFE可包括至少一个无机层(在下文中，称为封装无机层)。根据本发明构思的示例性实施方式的薄膜封装层TFE可包括至少一个有机层(在下文中，称为封装有机层)和至少一个封装无机层。
封装无机层保护显示元件层DP-OLED免受水分/氧的影响，且封装有机层保护显示元件层DP-OLED免受诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。尽管封装无机层可包括硅的氮化物层、硅的氮氧化物层、硅的氧化物层、钛的氧化物层或铝的氧化物层，但是本发明构思不限于此。尽管封装有机层可包括基于丙烯酸的有机层，但是本发明构思不限于此。
如图5A所示，根据本发明构思的示例性实施方式的薄膜封装层TFE可包括n个(其中，n为2或更大的自然数)封装无机层IOL1至IOLn，其中，n个封装无机层IOL1至IOLn包括与第二电极CE(参照图3D)接触的第一封装无机层IOL1。
薄膜封装层TFE可包括n-1个封装有机层OL1至OLn-1，且n-1个封装有机层OL1至OLn-1可与n个封装无机层IOL1至IOLn交替地布置。平均地，n-1个封装有机层OL1至OLn-1中的每个的厚度大于n个封装无机层IOL1至IOLn中的每个的厚度。
n个封装无机层IOL1至IOLn中的每个可具有包含一种材料的单层或者各自包含不同的材料的双层。n-1个封装有机层OL1至OLn-1可通过沉积有机单体来形成。尽管有机单体可包括例如基于丙烯酸的单体，但是本发明构思不限于此。
在本发明构思的示例性实施方式中，薄膜封装层TFE可包括从第二电极CE起顺序层叠的硅的氮氧化物层、有机单体层和硅的氮化物层。另一无机层可设置在硅的氮化物层上，且硅的氮化物层可具有在彼此不同的条件下沉积的多层(例如，两层)。
在本发明构思的示例性实施方式中，薄膜封装层TFE可包括第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2。
如图5B所示，薄膜封装层TFE可包括顺序层叠的第一封装无机层IOL1、第一封装有机层OL1、第二封装无机层IOL2、第二封装有机层OL2和第三封装无机层IOL3。
第一封装无机层IOL1可具有两层结构。第一子层S1可以是锂的氟化物层，且第二子层S2可以是铝的氧化物层。第一封装有机层OL1可以是第一有机单体层，第二封装无机层IOL2可以是第一硅的氮化物层，第二封装有机层OL2可以是第二有机单体层，且第三封装无机层IOL3可以是第二硅的氮化物层。
如图5C所示，薄膜封装层TFE可包括顺序层叠的第一封装无机层IOL10、第一封装有机层OL1和第二封装无机层IOL20。第一封装无机层IOL10可具有两层结构。
第一子层S10可以是锂的氟化物层，且第二子层S20可以是硅的氮氧化物层。第一封装有机层OL1可包括基于丙烯酸的单体，且第二封装无机层IOL20可以是硅的氮化物层。当图5C中的薄膜封装层TFE应用至图3D中的显示面板DP时，覆盖层CPL可以是在与第二封装无机层IOL20的沉积条件不同的沉积条件中形成的硅的氮化物层。
如图5D所示，薄膜封装层TFE可包括顺序层叠的多个封装无机层。薄膜封装层TFE可包括第一封装无机层IOL1、第二封装无机层IOL2和第三封装无机层IOL3。多个封装无机层中的至少一个可包括硅的氮化物层、硅的氮氧化物层、硅的氧化物层、钛的氧化物层或铝的氧化物层。例如，第一封装无机层IOL1和第三封装无机层IOL3中的每个可包括硅的氮化物层、硅的氮氧化物层、硅的氧化物层、钛的氧化物层或铝的氧化物层。
多个封装无机层中的至少一个可以是六甲基二硅醚(HMDSO)层。六甲基二硅醚(HMDSO)层可吸收应力。第二封装无机层IOL2可以是六甲基二硅醚(HMDSO)层。第二封装无机层IOL2可吸收第一封装无机层IOL1和第三封装无机层IOL3中的每个的应力。因此，薄膜封装层TFE可变得更具柔性。
当薄膜封装层TFE仅包括封装无机层时，薄膜封装层TFE可在一个腔室中通过连续的沉积而形成，且因此用于形成薄膜封装层TFE的过程被简化。当薄膜封装层TFE包括封装有机层和封装无机层时，必须至少执行一次在腔室之间转移的过程。当封装无机层之一为六甲基二硅醚(HMDSO)层时，薄膜封装层TFE可具有柔性。
图6A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的剖视图。图6B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU的平面图。图6C是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU的第一导电层IS-CL1的平面图。图6D是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU的第二导电层IS-CL2的平面图。图6E和图6F是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU的局部剖视图。
在图6A中，简单示出显示面板DP以解释输入感测单元ISU的层叠关系。没有示出可设置在输入感测单元ISU上的防反射单元和窗单元。如同图2A至图2D那样，示出“层”类型的输入感测单元ISU。
输入感测单元ISU包括至少一个感测电极。输入感测单元ISU还可包括至少一个绝缘层和连接至感测电极的信号线。感测电极可接触至少一个绝缘层。输入感测单元ISU可以以例如电容方式感测外部输入。本发明构思的实施方式并不特别地受限于输入感测单元ISU的操作方法。例如，根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU可以以电磁感应方式或者压力感测方式感测外部输入。
如图6A所示，根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU可包括第一导电层IS-CL1、第一绝缘层IS-IL1、第二导电层IS-CL2和第二绝缘层IS-IL2。第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个可具有单层结构或在第三方向DR3上层叠的多层结构。具有单层结构的导电层可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼、银、钛、铜、铝及其合金。透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌的氧化物(ZnO)、铟锡锌氧化物(ITZO)。此外，透明导电层可包括导电聚合物，诸如PEDOT、金属纳米线和石墨烯。
具有多层结构的导电层可包括多层的金属层。多层的金属层可具有例如钛、铝和钛的三层结构。具有多层结构的导电层可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第一导电层IS-CL1和第二导电层IS-CL2中的每个可包括多个图案。在下文中，第一导电层IS-CL1包括第一导电图案，且第二导电层IS-CL2包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可包括感测电极和信号线。
感测电极可具有层叠结构和通过考虑灵敏度而确定的材料。RC延迟可能影响灵敏度，且包括金属层的感测电极可能具有减小的RC值，因为感测电极的阻抗小于透明导电层的阻抗。因此，对设置在感测电极之间的电容器进行充电的时间减少。相比于金属层，包括透明导电层的感测电极不会被用户看见，且输入区域增加从而提高电容。
如稍后描述的，包括金属层的感测电极可具有网格形状，以防止感测电极被用户看见。上部绝缘层TFL可具有可调整的厚度，使得由显示元件层DP-OLED的组件产生的噪声不会影响输入感测单元ISU。第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的每个可具有单层或多层结构。第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的每个可包含无机材料、有机材料或复合材料。
第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的至少一个可包括无机层。无机层可包括铝的氧化物、钛的氧化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物、锆的氧化物和铪的氧化物中的至少一种。
第一绝缘层IS-IL1和第二绝缘层IS-IL2中的至少一个可包括无机层。有机层可包括基于丙烯酸的树脂、基于甲基丙烯酸的树脂、基于聚异戊二烯的树脂、基于乙烯基的树脂、基于环氧的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于纤维素的树脂、基于硅氧烷的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于聚酰胺的树脂和基于二萘嵌苯的树脂中的至少一种。
如图6B所示，输入感测单元ISU可包括第一感测电极IE1-1至IE1-5、连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、第二感测电极IE2-1至IE2-4以及连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4。虽然未示出，但是输入感测单元ISU还可包括设置在位于第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的边界区域上的光学虚拟电极。
第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4彼此交叉。第一感测电极IE1-1至IE1-5排列在第一方向DR1上并且在第二方向DR2上延伸。外部输入可通过互电容方法和/或自电容方法感测。外部输入的坐标可在第一区段期间以互电容方法计算，且然后在第二区段期间以自电容方法重新计算。
第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每个包括第一传感器部SP1和第一连接部CP1。第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个包括第二传感器部SP2和第二连接部CP2。第一传感器部SP1之中的设置在第一感测电极的两端上的两个第一传感器部SP1中的每个的尺寸可小于设置在中央区域中的第一传感器部SP1的尺寸，例如，其可以是设置在中央区域中的第一传感器部SP1的尺寸的1/2尺寸。第二传感器部SP2之中的设置在第二感测电极的两端上的两个第二传感器部SP2中的每个的尺寸可小于设置在中央区域中的第二传感器部SP2的尺寸，例如，其可以是设置在中央区域中的第二传感器部SP2的尺寸的1/2尺寸。
尽管在图6B中示出根据示例性实施方式的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4，但是本发明构思不限于它们的形状。在本发明构思的实施方式中，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个可具有其中不区分传感器部和连接部的形状(例如，条形状)。尽管示例性示出各自具有菱形形状的第一传感器部SP1和第二传感器部SP2，但是本发明构思不限于此。例如，第一传感器部SP1和第二传感器部SP2中的每个可具有不同的多边形形状。
在一个第一感测电极中，第一传感器部SP1排列在第二方向DR2上；且在一个第二感测电极中，第二传感器部SP2排列在第一方向DR1上。第一连接部CP1中的每个将相邻的第一传感器部SP1彼此连接，且第二连接部CP2中的每个将相邻的第二传感器部SP2彼此连接。
第一信号线SL1-1至SL1-5中的每个连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每个的一端。第二信号线SL2-1至SL2-4中的每个连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个的两端。在本发明构思的示例性实施方式中，第一信号线SL1-1至SL1-5中的每个可连接至第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每个的两端。在本发明构思的示例性实施方式中，第二信号线SL2-1至SL2-4中的每个可以仅连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个的一端。
根据该示例性实施方式，对于包括分别仅连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个的一端的第二信号线SL2-1至SL2-4的输入感测单元ISU，灵敏度可提升。由于第二感测电极IE2-1至IE2-4的长度大于第一感测电极IE1-1至IE1-5的长度，因此可能产生检测信号(或传输信号)的压降，且因此，可能降低灵敏度。根据该示例性实施方式，由于检测信号(或传输信号)通过连接至第二感测电极IE2-1至IE2-4的两端的第二信号线SL2-1至SL2-4而被提供，因此可防止检测信号(或传输信号)的压降，从而防止灵敏度的降低。
第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可包括线路部SL-L和焊盘部SL-P。焊盘部SL-P可布置在焊盘区域NDA-PD中。输入感测单元ISU可包括信号焊盘DP-PD。信号焊盘DP-PD可布置在焊盘区域NDA-PD中。信号焊盘DP-PD可与图3B中的信号线SGL的焊盘部重叠并连接至所述焊盘部。
在本发明构思的示例性实施方式中，第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可由分开制造且然后联接的电路板替代。
如图6C所示，第一导电层IS-CL1包括第一连接部CP1。另外，第一导电层IS-CL1可包括第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线路部SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线路部SL2-11至SL2-41。
第一连接部CP1、第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线路部SL1-11至SL1-51、以及第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线路部SL2-11至SL2-41可通过相同的工艺形成。第一连接部CP1、第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线路部SL1-11至SL1-51以及第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线路部SL2-11至SL2-41可包括相同的材料且具有相同的层叠结构。替代地，第一连接部CP1可通过与第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线路部SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线路部SL2-11至SL2-41的工艺不同的工艺形成。第一连接部CP1可具有与第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线路部SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线路部SL2-11至SL2-41的层叠结构相同的层叠结构，或者可具有与其不同的层叠结构。
在本发明构思的示例性实施方式中，第一导电层IS-CL1可包括第二连接部CP2(参照图6B)。这里，第一连接部CP1由第一导电层IS-CL1形成。因此，第一感测电极IE1-1至IE1-5可呈单个体部。
尽管未在图6C中示出，但是第一绝缘层IS-IL1至少覆盖第一连接部CP1。在该示例性实施方式中，第一绝缘层IS-IL1可与非显示区域DD-NDA的至少一部分和显示区域DD-DA重叠。第一绝缘层IS-IL1可覆盖第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线路部SL1-11至SL1-51和第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线路部SL2-11至SL2-41。
在该示例性实施方式中，第一绝缘层IS-IL1可与显示区域DD-DA和焊盘区域NDA-PD重叠。第一绝缘层IS-IL1可与显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA完全地重叠。在第一绝缘层IS-IL1中，可限定有部分地暴露第一连接部CP1的第一连接接触孔CNT-1以及部分地暴露第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线路部SL1-11至SL1-51、第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线路部SL2-11至SL2-41的第二连接接触孔CNT-S。
如图6D所示，第二导电层IS-CL2包括第一传感器部SP1、第二传感器部SP2和第二连接部CP2。第二感测电极IE2-1至IE2-4可呈单个体部。第一传感器部SP1与第二感测电极IE2-1至IE2-4间隔开。
第二导电层IS-CL2可包括第一信号线SL1-1至SL1-5的第二线路部SL1-12至SL1-52、第一信号线SL1-1至SL1-5的焊盘部SL-P、第二信号线SL2-1至SL2-4的第二线路部SL2-12至SL2-42以及第二信号线SL2-1至SL2-4的焊盘部SL-P。第二导电层IS-CL2可包括信号焊盘DP-PD。
第一传感器部SP1、第二传感器部SP2和第二连接部CP2可通过相同的工艺形成。第一传感器部SP1、第二传感器部SP2和第二连接部CP2可包含相同的材料并且可具有彼此相同的结构。第一信号线SL1-1至SL1-5的第二线路部SL1-12至SL1-52、第一信号线SL1-1至SL1-5的焊盘部SL-P、第二信号线SL2-1至SL2-4的第二线路部SL2-12至SL2-42、第二信号线SL2-1至SL2-4的焊盘部SL-P以及信号焊盘DP-PD可通过与第一传感器部SP1、第二传感器部SP2和第二连接部CP2的工艺相同的工艺或不同的工艺形成。
尽管未在图6D中示出，但是第二绝缘层IS-IL2可与非显示区域DD-NDA的至少一部分和显示区域DD-DA重叠。在该示例性实施方式中，第二绝缘层IS-IL2可暴露焊盘区域NDA-PD。
如图6E所示，第一传感器部SP1通过第一连接接触孔CNT-1电连接至第一连接部CP1。第一连接部CP1可包含阻抗小于第一传感器部SP1的阻抗的材料。
由于第一连接部CP1与第二连接部CP2交叉，因此期望第一连接部CP1具有最小宽度(在平面上测量)以便减小寄生电容的影响。第一连接部CP1可包含具有低阻抗的材料以提升灵敏度，并且可包含与第一信号线SL1-1至SL1-5的第一线路部SL1-11至SL1-51的金属材料相同的金属材料。
在该示例性实施方式中，第一绝缘层IS-IL1可以是聚合物层，例如丙烯酸聚合物层。另外，第二绝缘层IS-IL2可以是聚合物层，例如丙烯酸聚合物层。尽管输入感测单元ISU直接设置在显示面板DP上，但是聚合物层可改善显示装置DD的柔性。图6F示例性示出第一信号线SL1-1至SL1-5中的三条第一信号线SL1-1至SL1-3。参照第一信号线SL1-1，第一线路部SL1-11和第二线路部SL1-12通过第二连接接触孔CNT-S电连接。因此，第一信号线SL1-1的阻抗可减小。
在本发明构思的示例性实施方式中，第一线路部SL1-11和第二线路部SL1-12之一可被省略。第二信号线SL2-1至SL2-4的第一线路部和第二线路部之一可被省略。
参照图6C至图6F描述的输入感测单元ISU的组件的层叠顺序可改变。在本发明构思的示例性实施方式中，第一传感器部SP1和第二连接部CP2可直接设置在上部绝缘层TFL上。覆盖第一传感器部SP1和第二连接部CP2的第一绝缘层IS-IL1设置在上部绝缘层TFL上。设置在第一绝缘层IS-IL1上的第一连接部CP1通过第一连接接触孔CNT-1电连接至第一传感器部SP1。
图7A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU的放大平面图。图7B是示出图7A的一部分的放大平面图。图7C和图7D是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的放大剖视图。将参照图3D描述像素限定层PDL的第一部分PDL-1和第二部分PDL-2。
图7A是示出图6B中的区域BB的放大图。图6B中的区域BB与图4A中的区域AA重叠。在该示例性实施方式中，示例性示出包括透明导电层的第一传感器部SP1。图7C中未示出可设置在输入感测单元ISU上的防反射单元和窗单元，且图7D中未示出设置在输入感测单元ISU下方的组件。
如图7A至7D所示，显示面板DP可包括设置在上部绝缘层TFL上的绝缘结构。在该示例性实施方式中，绝缘结构可包括多个绝缘图案ICP。绝缘图案ICP与像素限定层PDL部分地重叠。一个绝缘图案ICP可对应于一个像素限定层PDL的第二部分PDL-2。
如图7B所示，绝缘图案ICP在平面上覆盖第二部分PDL-2。期望第二部分PDL-2与绝缘图案ICP的至少约90％重叠。在平面上，第二部分PDL-2可设置在绝缘图案ICP内部。期望地，第二部分PDL-2与绝缘图案ICP基本完全地重叠。措词“基本完全重叠”包括在绝缘图案ICP形成在第二部分PDL-2上的情况下产生的工艺公差的范围。
绝缘图案ICP可包含有机材料。绝缘图案ICP可包含与像素限定层PDL的材料相同的材料。第二部分PDL-2可包含无机材料。
如图7C所示，绝缘图案ICP补偿第二电极CE和感测电极(图7C中的第一传感器部SP1)之间的距离，该距离由于第二部分PDL-2而不一致。当不设置绝缘图案ICP时，第二电极CE的与第二部分PDL-2重叠的部分区域(在下文中，称为第一区域)和第一传感器部SP1之间的距离可能小于第二电极CE的不与第二部分PDL-2重叠的部分区域(在下文中，称为第二区域)和第一传感器部SP1之间的距离。第二电极CE和第一传感器部SP1之间的距离的不一致性可能在输入感测单元ISU中产生噪声。
根据该示例性实施方式，第一传感器部SP1的与绝缘图案ICP重叠的第一区域SP1-1和基础绝缘层(即，中间有机层30)之间的距离D1大于第一传感器部SP1的不与绝缘图案ICP重叠的第二区域SP1-2和中间有机层30之间的距离D2。第一传感器部SP1的第一区域SP1-1和第二电极CE之间的距离可与第一传感器部SP1的第二区域SP1-2和第二电极CE之间的距离基本相同。原因在于，第二部分PDL-2的厚度TH2-1与绝缘图案ICP的厚度TH3基本相同。第二部分PDL-20的厚度TH2和绝缘图案ICP的厚度TH3可在与第三方向DR3平行的一条线上测量且之后进行比较。
如上所述，第一传感器部SP1的第一区域SP1-1和第二区域SP1-2不平坦从而形成台阶部。第一传感器部SP1的台阶形状由绝缘图案ICP产生。如图7D所示，第一传感器部SP1的第一区域SP1-1和窗面板WP的顶表面之间的距离D3可小于第一传感器部SP1的不与绝缘图案ICP重叠的第二区域SP1-2和窗面板WP的顶表面之间的距离D4。其原因在于，窗面板WP的覆盖第一区域SP1-1和第二区域SP1-2的部分是平坦的。
图8A和图8B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的放大剖视图。在下文中，将省略对于与参照图1至图7D描述的组件相同的组件有关的详细描述。图8A和图8B示出与图7C对应的截面，且未示出显示元件层DP-OLED下方的部分。
图8A是示出对应于图2C的显示装置DD的放大图，且图8B是示出对应于图2D的显示装置DD的放大图。图8A和图8B中的显示装置DD还包括防反射层RPL。
防反射层RPL可包括遮光层LBL和外涂层OCL。在遮光层LBL中可限定有与像素限定层PDL的开口OP对应的开口OP-LBL。
遮光层LBL包含遮光材料。例如，遮光材料可包含具有高吸光率的有机材料。遮光层LBL可包含黑色颜料或黑色染料。遮光层LBL可包含感光性有机材料和着色剂，诸如，颜料或染料。遮光层LBL可具有单层或多层结构。外涂层OCL可包含有机材料以移除通过遮光层LBL形成的台阶部。
遮光层LBL可形成在第二绝缘层IS-IL2上，且然后外涂层OCL可形成在其整个表面上。遮光层LBL可在涂覆之后通过印刷或图案化来形成。
图9A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU的平面图。图9B是示出图9A中的区域BB的放大图。在下文中，将省略对于与参照图1至图8B描述的显示装置DD的组件相同的组件有关的详细描述。
如图9A所示，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个可具有网格形状。由于第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个具有网格形状，因此与第二电极CE(参照图7C)的寄生电容可减小。另外，如稍后描述的，由于第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4不与发光区域PXA重叠，因此第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4对于显示装置DD的用户不可见。
尽管第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可包含银、铝、铜、铬、镍和钛，但是本发明构思不限于此。尽管输入感测单元ISU通过连续的工艺形成，但是仍可防止对有机发光二极管OLED(参照图7C)的损坏。
根据该示例性实施方式，与参照图6A至图6F描述的输入感测单元ISU类似地，第一连接部CP1可由第一导电层IS-CL1形成，且第一传感器部SP1、第二传感器部SP2和第二连接部CP2可由第二导电层IS-CL2形成。根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU还可包括与由第一导电层IS-CL1形成的第一传感器部SP1和第二传感器部SP2重叠的虚拟传感器部。虚拟传感器部可分别连接至第一传感器部SP1和第二传感器部SP2之中的对应传感器部。
如图9B所示，第一传感器部SP1与非发光区域NPXA重叠。第一传感器部SP1的网格线可限定与第一开口OP-G、第二开口OP-R和第三开口OP-B对应的开口OP-SP1。网格线可具有钛、铝和钛的三层结构。尽管在附图中开口OP-SP1与第一开口OP-G、第二开口OP-R和第三开口OP-B一一对应，但是本发明构思不限于此。开口OP-SP1中的每个可对应于两个或更多个开口OP-G、OP-R和OP-B。
图10A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的剖视图。图10B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的输入感测单元ISU的平面图。图10C是图10B的剖视图。在下文中，将省略对于与参照图1至图9B描述的显示装置DD的组件相同的组件有关的详细描述。
在图10A中，简单示出显示装置DD以解释输入感测单元ISU的层叠关系。相比于图6A中的显示装置DD，省略了第二导电层IS-CL2和第二绝缘层IS-IL2。
如图10A所示，根据本发明构思的实施方式的输入感测单元ISU可包括第一导电层IS-CL1和直接地覆盖(或接触)第一导电层IS-CL1的第一绝缘层IS-IL1。第一导电层IS-CL1包括多个导电图案。
如图10B所示，输入感测单元ISU可包括多个感测电极IE(在下文中，称为感测电极)和多条信号线SL(在下文中，称为信号线)。感测电极IE具有固有的坐标信息。例如，感测电极IE可布置成矩阵类型且分别连接至信号线SL。信号线SL中的每条可包括线路部SL-L和焊盘部SL-P。本发明构思并不特别地受限于感测电极IE的形状和布局。信号线SL中的某些可设置在显示区域DD-DA中，且其中某些可设置在非显示区域DD-NDA中。根据该示例性实施方式的输入感测单元ISU可通过自电容方法获取坐标信息。
在图10C中，示例性示出具有钛、铝和钛的三层结构的网格线。尽管在该示例性实施方式中示例性示出具有网格形状的感测电极IE，但是本发明构思不限于此。尽管示例性示出包括一种类型的感测电极IE的单层类型的输入感测单元ISU，但是本发明构思不限于此。根据示例性实施方式的单层类型的输入感测单元ISU可包括收发彼此不同的信号的两种类型的感测电极IE。
图11A至图11D是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的剖视图。在下文中，将省略对于与参照图1至图10C描述的组件相同的组件有关的详细描述。图11A至图11D示出对应于图7C的截面。图11C是对应于图11B的照片图。
在描述图11A至图11D中的显示装置DD时，像素限定层PDL的两个部分PDL-10和PDL-20如参照图3E所描述的那样进行限定。在该示例性实施方式中，图7C中的绝缘图案ICP被“层类型结构”替代。这里，“层类型结构”至少设置在显示区域DP-DA(参照图3B)上，且其中限定有与开口OP对应的开口。
在图11A至图11C中的显示装置DD中，上部绝缘层TFL的一个绝缘层具有上述绝缘图案ICP的功能。
在图11A的显示元件层DP-OLED中，覆盖层CPL对应于一个绝缘层。在平面上，覆盖层CPL可划分为两个部分。当覆盖层CPL包含有机材料时，其制造更加容易。覆盖层CPL可包括与像素限定层PDL的第一部分PDL-10对应的第一区域CPL-1和与像素限定层PDL的第二部分PDL-20对应的第二区域CPL-2。
覆盖层CPL的第二区域CPL-2的厚度TH5大于其第一区域CPL-1的厚度TH4。第二部分PDL-20和第二区域CPL-2中的每个具有与参照图7B描述的平面形状相同的平面形状。覆盖层CPL的第二区域CPL-2和其第一区域CPL-1之间的厚度差可与第二部分PDL-20和第一部分PDL-10之间的厚度差基本相同。
尽管未在图11A中示出，但是第一连接部CP1(参照图6E)可设置在覆盖层CPL和第一绝缘层IS-IL1之间。尽管在该示例性实施方式中覆盖层CPL被描述为补偿像素限定层PDL的形状的绝缘层，但是本发明构思不限于此。例如，覆盖层CPL可以是参照图5A至图5D描述的薄膜封装层TFE的薄膜之一。这里，覆盖层CPL可具有一致的厚度或者可被省略。
如图11B和图11C所示，上部绝缘层TFL还可包括遮光层LBL。遮光层LBL可设置在薄膜封装层TFE和覆盖层CPL之间。遮光层LBL可包括与像素限定层PDL的第一部分PDL-10对应的第一区域LBL-1和与像素限定层PDL的第二部分PDL-20对应的第二区域LBL-2。在遮光层LBL的第一区域LBL-1中，可限定有与像素限定层PDL的开口OP对应的开口OP-LBL。
如图11D所示，显示面板DP还可包括设置在薄膜封装层TFE和覆盖层CPL之间的遮光层LBL。遮光层LBL具有上述绝缘图案ICP的功能。
遮光层LBL可包括与第一区域LBL-1和第二区域LBL-2重叠的含金属层LBL-M和与第二区域LBL-2重叠的有机材料图案LBL-O。含金属层LBL-M中限定有开口OP-LBL。
含金属层LBL-M可包含金属和/或金属氧化物。含金属层LBL-M可包含钼钽氧化物(MoTaOx)。此外，含金属层LBL-M可包括铜的氧化物(CuO)、铬的氧化物(CrO)、铁的氧化物(FeO)和镍的氧化物(Ni2O3)中的一种或多种。
有机材料图案LBL-O可具有与第二部分PDL-2的厚度基本相同的厚度。有机材料图案LBL-O可包含与图8A中的有机遮光材料相同的材料。
图12A至图12C是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的剖视图。图13A和图13B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的立体图。图14示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置DD的立体图。参照图1至图11D描述的显示面板DP和输入感测单元ISU可应用至将在下面描述的柔性显示装置DD。
如图12A至图12C所示，显示装置DD可包括根据操作类型而限定的多个区域。显示装置DD可包括第一区域NBA1、第二区域NBA2和设置在第一区域NBA1与第二区域NBA2之间的第三区域BA。第三区域BA基于弯曲轴线BX而弯曲且基本形成一曲率。在下文中，第一区域NBA1、第二区域NBA2和第三区域BA可称作第一非弯曲区域NBA1、第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA。
如图12B所示，显示装置DD可向内弯曲使得第一非弯曲区域NBA1的显示表面DD-IS面向第二非弯曲区域NBA2的显示表面DD-IS。如图12C所示，显示装置DD可向外弯曲以便将显示表面DD-IS暴露至外部。
在本发明构思的示例性实施方式中，显示装置DD可包括多个弯曲区域BA。此外，弯曲区域BA可与用户操纵显示装置DD的类型对应地限定。例如，不同于图12B和图12C，弯曲区域BA可平行于第一方向轴线DR1而限定或者限定在对角方向上。弯曲区域BA可具有不固定的且根据其曲率来确定的区域。在本发明构思的示例性实施方式中，显示装置DD重复图12A和图12B中的操作模式或图12A和图12C中的操作模式。
如图13A和图13B所示，显示装置DD可包括第一非弯曲区域NBA1、第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA。第一非弯曲区域NBA1、第二非弯曲区域NBA2和弯曲区域BA可参照显示面板DP(参照图2A至图2D)而设定。输入感测单元ISU、防反射单元和窗单元可仅设置在第一非弯曲区域NBA1中。
如图13A所示，显示面板DP可根据其区域在第一方向DR1上具有不同的宽度。弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2中的每个的宽度可小于第一非弯曲区域NBA1的宽度。由于弯曲区域BA具有相对小的宽度，因此容易地执行弯曲。在图13A中，第一非弯曲区域NBA1可包括其中宽度逐渐减小的边界区域。在本发明构思的示例性实施方式中，其中宽度逐渐减小的边界区域可被省略。如图13B所示，在弯曲状态中，第二非弯曲区域NBA2在与第一非弯曲区域NBA1间隔开的情况下面向第一非弯曲区域NBA1。
如图14所示，显示装置DD可包括三个弯曲区域BA1、BA2和BA3。当与图13B中的显示装置DD进行比较时，第二弯曲区域BA2和第三弯曲区域BA3可限定成使得第一非弯曲区域NBA1的在第二方向DR2上面对的两个边缘区域从中央区域弯曲。第一弯曲区域BA1可对应于图13A和图13B中的弯曲区域BA。图2A至图2D中的输入感测单元ISU、防反射单元和窗单元可与第一非弯曲区域NBA1、第二弯曲区域BA2和第三弯曲区域BA3重叠。
如上所述，绝缘结构补偿第二电极和感测电极之间的距离，该距离由于像素限定层的形状而不一致。因此，由于第二电极和感测电极之间的距离是一致的，所以降低了由显示面板的影响引起的输入感测单元的噪声。
绝缘结构可由遮光层实现。遮光层降低外部光的反射率。另外，由于反射光的颜色以窄的方式分布，因此可增强反射光的颜色特性。
虽然本文中已经描述了某些示例性实施方式和实现方式，但是其他实施方式和变型将通过这些描述变得明显。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是如对于本领域普通技术人员显而易见的那样，在于所附权利要求以及各种明显的变型和等同布置的更宽的范围。

Claims (19)

1.显示装置，包括：
显示面板；以及
输入感测单元，包括感测电极且直接设置在所述显示面板上，
其中，
所述显示面板包括：
发光元件，包括第一电极、第二电极和发光层，所述第一电极接触基础绝缘层，所述发光层设置在所述第一电极与所述第二电极之间；
像素限定层，设置在所述第二电极下方，接触所述基础绝缘层，且包括第一部分和第二部分，其中，在所述第一部分中限定有暴露所述第一电极的开口，所述第二部分设置在所述第一部分上并且与所述第一部分重叠；
多个薄膜，设置在所述第二电极上；以及
绝缘图案，设置在所述多个薄膜上，与所述像素限定层重叠，且与所述第二部分重叠；以及
所述感测电极的与所述绝缘图案重叠的第一部分和所述基础绝缘层之间的距离大于所述感测电极的不与所述绝缘图案重叠的第二部分和所述基础绝缘层之间的距离。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述感测电极的所述第一部分和所述第二电极之间的距离与所述感测电极的所述第二部分和所述第二电极之间的距离相同。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层的所述第二部分具有与所述绝缘图案的厚度相同的厚度。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，在平面上，所述像素限定层的所述第二部分与所述绝缘图案的90％或更多重叠。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，在平面上，所述像素限定层的所述第二部分的一条边或直径的长度为10μm至25μm。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层的所述第一部分和所述像素限定层的所述第二部分具有单个体部。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述感测电极具有网格形状，在所述网格形状中限定有与所述像素限定层的所述第一部分的所述开口对应的开口。
8.如权利要求1所述的显示装置，还包括：防反射单元，直接设置在所述输入感测单元上且包括遮光层，其中，在所述遮光层中限定有与所述像素限定层的所述第一部分的所述开口对应的开口。
9.显示装置，包括：
显示面板；以及
输入感测单元，包括感测电极且直接设置在所述显示面板上，
其中，
所述显示面板包括：
发光元件，包括第一电极、第二电极和发光层，所述第一电极设置在基础绝缘层上，所述发光层设置在所述第一电极与所述第二电极之间；
像素限定层，设置在所述第二电极和所述基础绝缘层之间，且包括第一部分和第二部分，其中，在所述第一部分中限定有暴露所述第一电极的开口，所述第二部分设置成与所述第一部分相邻且具有比所述第一部分的厚度更大的厚度；以及
多个绝缘层，设置在所述第二电极上；以及
所述多个绝缘层中的一个绝缘层包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域与所述像素限定层的所述第一部分重叠，所述第二区域与所述像素限定层的所述第二部分重叠并且具有比所述第一区域的厚度更大的厚度。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二区域和所述第一区域之间的厚度差与所述第二部分和所述第一部分之间的厚度相同。
11.如权利要求9所述的显示装置，其中，在平面上，所述第二部分与所述第二区域的90％或更多重叠。
12.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述感测电极与所述多个绝缘层中的所述一个绝缘层接触。
13.如权利要求9所述的显示装置，其中，
所述多个绝缘层包括第一无机层、第二无机层、有机层、第三无机层和第四无机层，其中，所述第一无机层接触所述第二电极，所述第二无机层设置在所述第一无机层上，所述有机层设置在所述第二无机层上，所述第三无机层设置在所述有机层上，所述第四无机层设置在所述第三无机层上；以及
所述多个绝缘层中的所述一个绝缘层是所述第一无机层、所述第二无机层、所述有机层和所述第三无机层之一。
14.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个绝缘层中的所述一个绝缘层形成有与所述第一部分的所述开口对应的开口。
15.如权利要求14所述的显示装置，其中，所述绝缘层中的所述一个绝缘层包括遮光材料。
16.显示装置，包括：
显示面板；以及
输入感测单元，包括感测电极且直接设置在所述显示面板上，
其中，
所述显示面板包括：
发光元件，包括第一电极、第二电极和发光层，所述第一电极设置在基础绝缘层上，所述发光层设置在所述第一电极与所述第二电极之间；
像素限定层，设置在所述第二电极和所述基础绝缘层之间，且包括第一部分和第二部分，其中，在所述第一部分中限定有暴露所述第一电极的开口，所述第二部分设置成与所述第一部分相邻且具有比所述第一部分的厚度更大的厚度；以及
多个薄膜，设置在所述第二电极上；
遮光层，设置在所述多个薄膜上，且在所述遮光层中限定有与所述第一部分的所述开口对应的开口；以及
所述遮光层包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域与所述像素限定层的所述第一部分重叠，所述第二区域与所述像素限定层的所述第二部分重叠并且具有比所述第一区域的厚度更大的厚度。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中，所述遮光层包括：
含金属层，与所述第一区域和所述第二区域重叠；以及
有机材料图案，与所述第二区域重叠。
18.如权利要求17所述的显示装置，其中，所述有机材料图案具有与所述第二区域和所述第一区域之间的厚度差相同的厚度。
19.如权利要求17所述的显示装置，其中，所述含金属层包括钼钽氧化物(MoTaOx)。
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