KR20210077846A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20210077846A
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서정한
성우용
송승용
추혜용
김우영
윤관혁
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는, 적어도 하나의 벤딩 영역 및 벤딩 영역과 인접한 비벤딩 영역을 포함하고, 플렉서블(flexible)한 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층, 상기 회로 소자층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드를 포함하는 표시 소자층, 상기 표시 소자층을 커버하고, 순차적으로 적층된 제1 무기층, 유기층, 및 제2 무기층을 포함하는 박막 봉지층, 및 상기 벤딩 영역에 중첩하고, 상기 표시 소자층에서부터 상기 회로 소자층을 관통하여 상기 베이스 기판의 적어도 일부를 노출시키는 그루브를 포함하고, 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층 중 적어도 어느 하나는 그루브를 커버한다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 상세하게는 신뢰성이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회에서 표시 장치는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 대두되고 있다. 현재 알려져 있는 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 전계 발광 표시 장치(organic light emitting display: OLED), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(eletrophoretic display: EPD) 등이 있다.
표시 장치는 전기적 신호를 인가 받아 활성화된다. 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 패널 외부로부터 인가되는 터치를 감지하는 터치 스크린을 포함한다.
표시 장치는 소정의 곡률을 가지고 벤딩(bending)되거나, 폴딩(folding)되는 플렉서블 표시 장치일 수 있다.
본 발명은 표시 장치에 있어서, 굽힘으로 인한 스트레스를 완화 시킴에 따라 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 적어도 하나의 벤딩 영역 및 벤딩 영역과 인접한 비벤딩 영역을 포함하고, 플렉서블(flexible)한 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층, 상기 회로 소자층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드를 포함하는 표시 소자층, 상기 표시 소자층을 커버하고, 순차적으로 적층된 제1 무기층, 유기층, 및 제2 무기층을 포함하는 박막 봉지층, 및 상기 벤딩 영역에 중첩하고, 상기 표시 소자층에서부터 상기 회로 소자층을 관통하여 상기 베이스 기판의 적어도 일부를 노출시키는 그루브를 포함하고, 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층 중 적어도 어느 하나는 그루브를 커버한다.
상기 그루브는 언더 컷 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 그루브는 서로 교차하는 방향으로 연장된 패턴들이 서로 교번하여 배치되는 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 그루브는 일 방향으로 연장된 곡선을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 그루브는 일 방향에서 서로 이격되어 배치된 복수의 그루브 패턴들을 포함하고, 상기 그루브 패턴들 사이는 상기 회로 소자층 및 상기 표시 소자층이 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 그루브는 일 방향으로 연장되고 상기 일 방향과 교차하는 교차 방향으로 배열된 복수의 연장 패턴들 및 상기 연장 패턴들 사이에 배치되는 연결 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 그루브는 일 방향으로 연장된 중심 패턴 및 상기 중심 패턴으로부터 상기 일 방향의 사선 방향으로 연장되고, 상기 일 방향을 따라 서로 이격된 가지 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 그루브보다 상대적으로 비벤딩 영역에서 이격되고, 상기 표시 소자층에서부터 상기 회로 소자층을 관통하여 상기 베이스 기판의 적어도 일부를 노출시키는 추가 그루브를 더 포함하고, 상기 추가 그루브는 순차적으로 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 무기층에 의해 에워싸여 정의된 상기 추가 그루브의 내면에 충진되고, 상기 박막 봉지층과 함께 평탄면을 제공하는 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 그루브보다 상대적으로 비벤딩 영역에서 이격되고, 상기 표시 소자층에서부터 상기 베이스 기판의 일부를 관통하는 보조 그루브를 더 포함하고, 상기 보조 그루브는 순차적으로 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 적어도 하나의 벤딩 영역 및 벤딩 영역과 인접한 비벤딩 영역을 포함하고, 플렉서블(flexible)한 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터, 복수의 절연층들, 및 상기 벤딩 영역과 중첩하는 절연층들을 관통하는 제1 홀을 포함하는 회로 소자층, 상기 회로 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 패턴, 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 포함하는 화소 정의막, 및 상기 제1 홀과 중첩하고 상기 화소 정의막 및 상기 제1 전극을 관통하는 제2 홀을 포함하는 표시 소자층, 및 상기 표시 소자층을 커버하고, 순차적으로 적층된 제1 무기층, 유기층, 및 제2 무기층을 포함하는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 홀 및 상기 제2 홀을 커버한다.
상기 제2 홀의 최소 너비는 상기 제1 홀의 최소 너비보다 작고, 언더 컷 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 언더 컷은 서로 교차하는 방향으로 연장된 패턴들이 서로 교번하여 배치되는 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 언더 컷은 일 방향으로 연장된 곡선을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 언더 컷은 일 방향에서 서로 이격되어 배치된 복수의 패턴들을 포함하고, 상기 패턴들 사이는 상기 회로 소자층 및 상기 표시 소자층이 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 언더 컷은 일 방향으로 연장되고 상기 일 방향과 교차하는 교차 방향으로 배열된 복수의 연장 패턴들 및 상기 연장 패턴들 사이에 배치되는 연결 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 언더 컷은 일 방향으로 연장된 중심 패턴 및 상기 중심 패턴으로부터 상기 일 방향의 사선 방향으로 연장되고, 상기 일 방향을 따라 서로 이격된 가지 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 회로 소자층은 상기 제1 홀보다 상대적으로 비벤딩 영역에서 이격되고, 상기 절연층들을 관통하는 제3 홀을 더 포함하고, 상기 표시 소자층은 상기 제3 홀과 중첩하고, 상기 화소 정의막 및 상기 제1 전극을 관통하는 제4 홀을 더 포함하고, 상기 제3 홀 및 상기 제4 홀은 순차적으로 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제4 홀의 최소 너비는 상기 제3 홀의 최소 너비보다 작고, 언더 컷 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 홀 및 상기 제2 홀 보다 상대적으로 비벤딩 영역에서 이격되고, 상기 표시 소자층에서부터 상기 베이스 기판의 일부를 관통하는 보조 홀을 더 포함하고, 상기 보조 홀은 순차적으로 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 벤딩 영역에 중첩하여 제공되는 그루브들을 포함함으로써, 표시 장치의 벤딩 시 발생하는 스트레스를 완화 시킬 수 있다. 따라서, 벤딩 내구성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 동작에 따른 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2 동작에 따른 사시도이다.
도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제3 동작에 따른 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 표시 패널의 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 표시 모듈의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소의 등가회로도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7b는 도 7a의 TT'영역의 확대도이다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 일 실시예에 따른 그루브의 평면도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9b는 도 9a의 QQ'영역의 확대도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 동작에 따른 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2 동작에 따른 사시도이다. 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제3 동작에 따른 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 1a에 도시된 것과 같이 제1 동작 모드에서, 이미지(IM)가 표시되는 표시면(IS)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(IS)의 법선 방향, 즉 표시 장치(DD)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
도 1a 내지 도 1c는 표시 장치(DD)의 일 예시로 플레서블 표시 장치의 일종인 폴더블 표시 장치를 도시하였다. 그러나, 본 발명은 말려지는 롤러블 표시 장치 또는 벤디드(bended) 표시 장치일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 또한, 본 실시예에서 플렉서블 표시 장치를 도시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 본 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 플랫한 리지드 표시 장치일 수도 있다. 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치(DD)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 휴대 전화, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 스마트 워치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 사용될 수 있다.
도 1a에 도시된 것과 같이, 플렉서블 표시 장치(DD)의 표시면(IS)은 복수 개의 영역들을 포함할 수 있다. 플렉서블 표시 장치(DD)는 이미지(IM)가 표시되는 표시 영역(DD-DA) 및 표시 영역(DD-DA)에 인접한 비표시 영역(DD-NDA)을 포함한다. 비표시 영역(DD-NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역이다. 도 1a에는 이미지(IM)의 일 예로 시계 창을 도시하였다. 일 예로써, 표시 영역(DD-DA)은 사각형상일 수 있다. 비표시 영역(DD-NDA)은 표시 영역(DD-DA)을 둘러쌀 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시 영역(DD-DA)의 형상과 비표시 영역(DD-NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.
도 1a 내지 도 1c에 도시된 것과 같이, 표시 장치(DD)는 동작 형태에 따라 정의되는 복수 개의 영역들을 포함할 수 있다. 표시 장치(DD)는 제2 방향(DR2)으로 연장된 벤딩 축(BX)에 기초하여(on the basis of) 벤딩되는 벤딩 영역(BA), 비벤딩되는 제1 비벤딩 영역(NBA1), 및 제2 비벤딩 영역(NBA2)을 포함할 수 있다. 도 1b에 도시된 것과 같이, 표시 장치(DD)는 제1 비벤딩 영역(NBA1)의 표시면(IS)과 제2 비벤딩 영역(NBA2)의 표시면(IS)이 마주하도록 내측 벤딩(inner-bending)될 수 있다. 도 1c에 도시된 것과 같이, 표시 장치(DD)는 벤딩된 상태에서 표시면(IS)이 외부에 노출되도록 외측 벤딩(outer-bending)될 수도 있다.
도 1a 내지 도 1c에서는 하나의 벤딩 영역(BA) 만을 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 복수 개의 벤딩 영역(BA)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 동작 모드만 반복되도록 구성될 수 있다. 하지만, 이에 제한되는 것은 아니고, 사용자가 표시 장치(DD)를 조작하는 형태에 대응하게 벤딩 영역(BA)이 정의될 수 있다. 예컨대, 벤딩영역(BA)은 도 1b 및 도 1c와 달리 제1 방향(DR1)을 따라 연장되어 정의될 수 있고, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)의 사선 방향으로 연장되어 정의될 수도 있다. 벤딩 영역(BA)의 면적은 고정되지 않고, 곡률반경에 따라 결정될 수 있다.
도 2는 제2 방향(DR2)과 제3 방향(DR3)이 정의하는 표시 장치(DD)의 단면을 도시하였다.
도 2에 도시된 것과 같이, 표시 장치(DD)는 보호필름(PM), 표시모듈(DM), 광학부재(LM), 윈도우(WM), 제1 접착부재(AM1), 제2 접착부재(AM2), 및 제3 접착부재(AM3)를 포함할 수 있다. 표시모듈(DM)은 보호필름(PM)과 광학부재(LM) 사이에 배치된다. 광학부재(LM)는 표시모듈(DM)과 윈도우(WM) 사이에 배치된다. 제1 접착부재(AM1)는 표시모듈(DM)과 보호필름(PM)을 결합하고, 제2 접착부재(AM2)는 표시모듈(DM)과 광학부재(LM)를 결합하고, 제3 접착부재(AM3)는 광학부재(LM)와 윈도우(WM)를 결합한다. 필요에 따라, 제1 접착부재(AM1), 제2 접착부재(AM2) 및 제3 접착부재(AM3) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다.
보호필름(PM)은 표시모듈(DM)을 보호한다. 보호필름(PM)은 외부에 노출된 제1 외면(OS-L)을 제공하고, 제1 접착부재(AM1)에 접착되는 접착면을 제공한다. 보호필름(PM)은 외부의 습기가 표시모듈(DM)에 침투하는 것을 방지하고, 외부 충격을 흡수하는 역할을 할 수 있다.
보호필름(PM)은 플라스틱 필름을 베이스층으로써 포함할 수 있다. 보호필름(PM)는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycabonate), 폴리아릴렌에테르술폰(poly(aryleneether sulfone)) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.
보호필름(PM)을 구성하는 물질은 플라스틱 수지들에 제한되지 않고, 유/무기 복합재료를 포함할 수 있다. 보호필름(PM)은 다공성 유기층 및 유기층의 기공들에 충전된 무기물을 포함할 수 있다. 보호필름(PM)은 플라스틱 필름에 형성된 기능층을 더 포함할 수 있다. 상기 기능층은 수지층을 포함할 수 있다. 상기 기능층은 코팅 방식에 의해 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 보호필름(PM)은 생략될 수 있다.
윈도우(WM)는 외부 충격으로부터 표시모듈(DM)를 보호하고, 사용자에게 입력면을 제공할 수 있다. 윈도우(WM)은 외부에 노출된 제2 외면(OS-U)을 제공하고, 제2 접착부재(AM2)에 접착되는 접착면을 제공한다. 도 1a 내지 도 1c에 도시된 표시면(IS)이 제2 외면(OS-U)일 수 있다.
윈도우(WM)는 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 윈도우(WM)는 다층구조를 가질 수 있다. 윈도우(WM)는 유리 기판, 플라스틱 필름, 플라스틱 기판으로부터 선택된 다층구조를 가질 수 있다. 윈도우(WM)는 베젤패턴을 더 포함할 수 있다. 상기 다층구조는 연속공정 또는 접착층을 이용한 접착공정을 통해 형성될 수 있다.
광학부재(LM)는 외부광 반사율을 감소시킨다. 광학부재(LM)는 적어도 편광필름을 포함할 수 있다. 광학부재(LM)는 위상차 필름을 더 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 광학부재(LM)는 생략될 수 있다.
표시모듈(DM)은 표시 패널(DP) 및 감지 센서(TS)를 포함할 수 있다. 감지 센서(TS)는 표시 패널(DP) 상에 직접 배치된다. 본 명세서에서 "직접 배치된다"는 것은 별도의 접착층을 이용하여 부착하는 것을 제외하며, 연속 공정에 의해 형성된 것을 의미한다.
이하에서는 표시 패널(DP)이 유기 발광 표시 패널(DP)인 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 패널(DP)은 액정 표시 패널(liquid crystal display panel), 플라즈마 표시 패널(plasma display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel) 등일 수도 있다.
유기 발광 표시 패널(DP)은 입력된 영상 데이터에 대응하는 이미지(IM, 도 1a 참조)를 생성한다. 유기 발광 표시 패널(DP)은 두께 방향인 제3 방향(DR3)에서 서로 마주하는 제1 표시면(BS1-L) 및 제2 표시면(BS1-U)을 제공한다.
감지 센서(TS)는 외부 입력의 좌표정보를 획득한다. 감지 센서(TS)는 정전용량 방식으로 외부입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 표시 장치(DD)의 외부에서 제공되는 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다. 외부 입력은 외부에서 인가되는 입력은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 외부 입력은 사용자의 손 등 신체의 일부에 의한 접촉은 물론 표시 장치(DD)와 근접하거나, 소정의 거리로 인접하여 인가되는 외부 입력(예를 들어, 호버링)을 포함할 수 있다. 또한, 힘, 압력, 광 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
별도로 도시하지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)은 반사방지층을 더 포함할 수도 있다. 반사방지층은 컬러필터 또는 도전층/절연층/도전층의 적층 구조물을 포함할 수 있다. 반사방지층은 외부로부터 입사된 광을 흡수 또는 상쇄간섭 또는 편광시켜 외부광 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사방지층은 광학부재(LM)의 기능을 대체할 수 있다.
제1 접착부재(AM1), 제2 접착부재(AM2), 및 제3 접착부재(AM3) 각각은 광학투명접착필름(OCA, Optically Clear Adhesive film) 또는 광학투명접착수지(OCR, Optically Clear Resin) 또는 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film)과 같은 유기 접착층일 수 있다. 유기 접착층은 폴리우레탄계, 폴리아크릴계, 폴리에스테르계, 폴리에폭시계, 폴리초산비닐계 등의 접착물질을 포함할 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 표시 장치(DD)는 도 1a 내지 도 1c에 도시된 상태를 유지하기 위해 상기 기능층들을 지지하는 프레임 구조물을 더 포함할 수 있다. 프레임 구조물은 관절 구조 또는 힌지 구조를 포함할 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-1)의 사시도이다. 도 3a는 펼쳐진 상태의 표시 장치(DD-1)를 도시하였고, 도 3b는 벤딩된 상태의 표시 장치(DD-1)를 도시하였다.
표시 장치(DD-1)는 하나의 벤딩 영역(BA)과 하나의 비벤딩 영역(NBA)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 표시 장치(DD-1)의 비표시 영역(DD-NDA)이 벤딩될 수 있다. 다만, 본 발명의 일 실시예에서 표시 장치(DD-1)의 벤딩 영역(BA)은 변경될 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(DD-1)는, 도 1a 내지 도 1c에 도시된 표시 장치(DD)와 다르게, 하나의 형태로 고정되어 작동할 수 있다. 표시 장치(DD-1)는 도 3b에 도시된 것과 같이 벤딩된(bended) 상태로 작동할 수 있다. 표시 장치(DD-1)는 벤딩된 상태로 프레임 등에 고정되고, 프레임이 전자장치의 하우징과 결합될 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(DD-1)는 도 2에 도시된 것과 동일한 단면 구조를 가질 수 있다. 다만, 비벤딩 영역(NBA)과 벤딩 영역(BA)이 다른 적층 구조를 가질 수 있다. 비벤딩 영역(NBA)은 도 2에 도시된 것과 동일한 단면 구조를 갖고, 벤딩 영역(BA)은 도 2에 도시된 것과 다른 단면 구조를 가질 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-2)의 사시도이다.
표시 장치(DD-2)는 메인 이미지가 전면으로 표시되는 비벤딩 영역(NBA, 또는 평면 영역)과 서브 이미지가 측면으로 표시되는 벤딩 영역(BA, 또는 측면 영역)을 포함한다. 별도로 도시하지 않았으나, 서브 이미지는 소정의 정보를 제공하는 아이콘을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 "비벤딩 영역(NBA)과 벤딩 영역(BA)"이라는 용어는 형상으로 구분되는 복수 개의 영역들로 표시 장치(DD-2)를 정의한 것이다.
본 실시예에서 비벤딩 영역(NBA)의 일측으로부터 벤딩된 1개의 벤딩 영역(BA)을 포함하는 표시 장치(DD-2)를 예시적으로 도시하였다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-2)는 비벤딩 영역(NBA)의 양측으로부터 벤딩된 2 개의 벤딩 영역을 포함할 수도 있다.
비벤딩 영역(NBA)으로부터 벤딩된 벤딩 영역(BA)은 제1 방향(DR1), 제2 방향(DR2), 및 제3 방향(DR3)과 교차하는 방향으로 서브 이미지을 표시할 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 유기 발광 표시 패널(DP)의 평면도이고, 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 표시 모듈(DM)의 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소의 등가회로도이다.
도 5a에 도시된 것과 같이, 유기 발광 표시 패널(DP)은 평면상에서 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 유기 발광 표시 패널(DP)의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)은 표시 장치(DD, 도 1a 참조)의 표시 영역(DD-DA, 도 1a 참조) 및 비표시 영역(DD-NDA, 도 1a 참조)에 각각 대응될 수 있다. 유기 발광 표시 패널(DP)의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)은 표시장치(DD, 도 1a 참조)의 표시영역(DD-DA, 도 1a 참조) 및 비표시영역(DD-NDA, 도 1a 참조)과 반드시 동일할 필요는 없고, 유기 발광 표시 패널(DP)의 구조/디자인에 따라 변경될 수 있다.
유기 발광 표시 패널(DP)은 복수 개의 화소들(PX)을 포함한다. 화소들(PX)로부터 광이 제공되는 영역이 표시 영역(DA)으로 정의된다. 본 실시예에서 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 테두리를 따라 정의될 수 있다.
유기 발광 표시 패널(DP)은 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 발광 라인들(EL), 제어신호 라인(SL-D), 초기화 전압 라인(SL-Vint), 전압 라인(SL-VDD), 및 패드부(PD)를 포함한다.
게이트 라인들(GL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되고, 데이터 라인들(DL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결된다. 발광 라인들(EL) 각각은 게이트 라인들(GL) 중 대응하는 게이트 라인에 나란하게 배열될 수 있다. 제어신호 라인(SL-D)은 게이트 구동회로(GDC)에 제어신호들을 제공할 수 있다. 초기화 전압 라인(SL-Vint)은 복수 개의 화소들(PX)에 초기화 전압을 제공할 수 있다. 전압 라인(SL-VDD)은 복수 개의 화소들(PX)에 연결되며, 복수 개의 화소들(PX)에 제1 전압을 제공할 수 있다. 전압 라인(SL-VDD)은 제1 방향(DR1)으로 연장하는 복수의 라인들 및 제2 방향(DR2)으로 연장하는 복수의 라인들을 포함할 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 일측에는 게이트 라인들(GL) 및 발광 라인들(EL)이 연결된 게이트 구동회로(GDC)가 배치될 수 있다. 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 발광 라인들(EL), 제어신호 라인(SL-D), 초기화 전압 라인(SL-Vint), 전압 라인 중 일부는 동일한 층에 배치되고, 일부는 다른 층에 배치된다.
패드부(PD)는 데이터 라인들(DL), 제어신호 라인(SL-D), 초기화 전압 라인(SL-Vint), 및 전압 라인(SL-VDD)의 말단에 연결될 수 있다.
도 5b에 도시된 것과 같이, 유기 발광 표시 패널(DP)은 베이스층(SUB), 베이스층(SUB) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 회로층(CP-CL) 상에 배치된 유기 발광 소자층(DP-OLED), 및 유기 발광 소자층(DP-OLED) 상에 배치된 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
베이스층(SUB)은 적어도 하나의 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 베이스층(SUB)은 플렉서블한 기판으로 플라스틱 기판, 유리 기판, 메탈 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다. 플라스틱 기판은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
회로 소자층(DP-CL)은 복수 개의 절연층들, 복수 개의 도전층들 및 반도체층을 포함할 수 있다. 회로 소자층(DP-CL)의 복수 개의 도전층들은 신호라인들 또는 화소의 제어회로를 구성할 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 회로 소자층(DP-CL)에 포함된 어느 하나의 도전층들과 연결된 유기발광 다이오드들을 포함한다.
박막 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-OLED)을 밀봉한다. 박막 봉지층(TFE)은 적어도 2개의 무기층과 그 사이에 배치된 적어도 하나의 유기층을 포함한다. 무기층들은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호한다.
감지 센서(TS)는 박막 봉지층(TFE) 상에 직접 배치될 수 있다. 감지 센서(TS)는 도전 패턴들과 감지 신호 라인들을 포함한다. 도전 패턴들과 감지 신호 라인들은 단층 또는 다층구조를 가질 수 있다.
도전 패턴들과 감지 신호 라인들은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), PEDOT, 금속 나노 와이어, 그라핀을 포함할 수 있다. 터치센서들과 터치 신호라인들은 금속층, 예컨대 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 도전 패턴들과 감지 신호 라인들은 동일한 층구조를 갖거나, 다른 층 구조를 가질 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소(PX)의 등가 회로도이다.
도 6에는 복수 개의 데이터 라인들(DL) 중 k번째 데이터 라인(DLk)에 연결된 i번째 화소(PXi)를 예시적으로 도시하였다.
i번째 화소(PXi)는 유기발광 다이오드(OLED) 및 유기발광 다이오드를 제어하는 화소 구동회로를 포함한다. 구동회로는 7개의 박막 트랜지스터들(T1~T7) 및 하나의 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 이하, 7개의 트랜지스터들(T1~T7)은 N타입의 박막 트랜지스터인 것을 예시적으로 설명하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
구동 트랜지스터는 유기발광 다이오드(OLED)에 공급되는 구동전류를 제어한다. 본 발명의 실시예에서 구동 트랜지스터는 제2 트랜지스터(T2)일 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 출력전극은 유기발광 다이오드(OLED)와 전기적으로 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)의 출력전극은 유기발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(애노드)와 직접 접촉하거나, 다른 트랜지스터를 경유하여 연결될 수 있다.
제어 트랜지스터의 제어 전극은 제어 신호를 수신할 수 있다. i번째 화소(PXi)에 인가되는 제어 신호는 i-1번째 게이트 신호(Si-1), i번째 게이트 신호(Si), i+1번째 게이트 신호(Si+1), 데이터 신호(Dk), 및 i번째 발광 제어 신호(Ei)를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에서 제어 트랜지스터는 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 내지 제7 트랜지스터들(T3~T7)을 포함할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)의 출력전극과 제2 트랜지스터(T2)의 제어 전극 사이의 노드는 제1 노드(N1)로 정의되고, 제7 트랜지스터(T7)와 스토리지 커패시터(Cst) 사이의 노드는 제2 노드(N2)로 정의된다.
제2 트랜지스터(T2)는 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전압(ELVDD)을 수신하는 입력전극, 제1 노드(N1)에 접속된 제어 전극, 및 출력전극을 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)의 출력전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광 다이오드(OLED)에 제1 전압(ELVDD)을 제공한다. 제2 트랜지스터(T2)의 입력전극은 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여 제1 노드(N1)에 접속된다. 제2 트랜지스터(T2)는 제1 노드(N1)의 전위에 대응하여 유기발광 다이오드(OLED)에 공급되는 구동전류를 제어한다.
제1 트랜지스터(T1)는 k번째 데이터 라인(DLk)에 접속된 입력전극, i번째 게이트 라인(GLi)에 접속된 제어 전극, 및 제2 트랜지스터(T2)의 출력전극에 접속된 출력전극을 포함한다. 제1 트랜지스터(T1)는 i번째 게이트 라인(GLi)에 인가된 게이트 신호(Si, 이하 i번째 게이트 신호)에 의해 턴-온되고, k번째 데이터 라인(DLk)에 인가된 데이터 신호(Dk)를 스토리지 커패시터(Cst)에 제공한다. 제1 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제2 트랜지스터(T2)의 입력전극에 접속된 입력전극, i번째 게이트 라인(GLi)에 접속된 제어 전극, 및 제1 노드(N1)에 접속된 출력전극을 포함한다. 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 게이트 신호(Si)에 응답하여 턴-온된다.
제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 때, 제2 트랜지스터(T2)는 제1 트랜지스터(T1)와 제3 트랜지스터(T3) 사이에 다이오드 형태로 접속된다. 그에 따라, 제1 트랜지스터(T1)는 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여 제1 노드(N1)에 접속된다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 유기발광 다이오드(OLED)의 제1 전극 사이에 접속된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)에 인가된 전압에 대응하는 전압을 충전한다.
제4 트랜지스터(T4)는 전압 라인(SL-VDD)에 접속된 입력전극, i-1번째 게이트 신호(Si-1)를 수신하는 제어 전극, 및 제1 노드(N1)에 접속된 출력전극을 포함한다. 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 게이트 신호(Si-1)에 응답하여 스위칭된다. 제4 트랜지스터(T4)의 제어 전극은 i-1번째 게이트 라인(GLi-1)에 접속될 수 있다. i-1번째 게이트 신호(Si-1)가 인가되는 신호라인은 더미 신호라인 등으로 변경될 수도 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 전압 라인(SL-VDD)에 접속된 입력전극, i번째 발광 라인(ELi)에 접속된 제어 전극, 및 제2 트랜지스터(T2)의 입력전극에 접속된 출력전극을 포함한다. 제5 트랜지스터(T5)는 i번째 발광 제어 신호(Ei)에 응답하여 스위칭된다.
제6 트랜지스터(T6)는 제2 트랜지스터(T2)의 출력전극에 접속된 입력전극, i번째 발광 라인(ELi)에 접속된 제어 전극, 및 유기발광 다이오드(OLED)의 제1 전극에 접속된 출력전극을 포함한다. 제6 트랜지스터(T6)는 i번째 발광 라인(ELi)으로부터 공급되는 i번째 발광 제어 신호(Ei)에 응답하여 스위칭된다.
제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)의 동작에 따라 전압 라인(SL-VDD)과 유기발광 다이오드(OLED) 사이에 전류패스가 형성 또는 차단된다. 본 발명의 일 실시예에서 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 초기화 전압 라인(SL-Vint)에 접속된 입력전극, i+1번째 게이트 신호(Si+1)를 수신하는 제어 전극, 및 유기발광 다이오드(OLED)의 제1 전극에 접속된 출력전극을 포함한다. 제7 트랜지스터(T7)의 제어 전극은 i+1번째 게이트 라인(GLi+1)에 접속될 수 있다. i+1번째 게이트 신호(Si+1)가 인가되는 신호라인은 더미 신호라인 등으로 변경될 수도 있다.
제4 트랜지스터(T4)가 턴-온되면, 제1 노드(N1)는 제1 전압(ELVDD)에 의해 리셋된다. 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온되면, 제2 노드(N2)는 초기화 전압(Vint)에 의해 초기화된다. 유기발광 다이오드(OLED)의 제1 전극은 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온될 때 초기화 전압(Vint)에 의해 초기화된다. 초기화 전압(Vint)과 유기발광 다이오드(OLED)의 제2 전극(캐소드)에 인가된 제2 전압(ELVSS) 사이의 전위차는 유기발광 다이오드(OLED)의 발광 문턱전압 보다 작을 수 있다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 7b는 도 7a의 TT'영역의 확대도이다. 도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 일 실시예에 따른 그루브의 평면도이다. 도 1 내지 도 6과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하고, 중복된 설명은 생략한다. 도 7a에 도시된 트랜지스터(TR)는 도 6에 도시된 제6 트랜지스터(T6)과 동일한 구성일 수 있다.
베이스 기판(SUB)의 도 1a 내지 도 4에서 설명한 벤딩 영역 및 비벤딩 영역과 대응되는 복수의 영역들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(SUB)은 벤딩 영역(BA) 및 비벤딩 영역(NBA)을 포함할 수 있다. 도 7a에는 화소(PX)의 발광 패턴(EML)이 비벤딩 영역(NBA)에 배치되고, 벤딩 영역(BA)과 이격된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 벤딩 영역(BA)에도 발광 패턴(EML)이 배치될 수 있으며, 이때, 벤딩 영역(BA)에서도 이미지(IM)를 제공할 수 있으며, 어느 하나로 한정되지 않는다.
베이스 기판(SUB)은 플라스틱 기판, 유리 기판, 금속 기판 등을 포함할 수 있다. 플라스틱 기판은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
버퍼층(BFL)은 베이스 기판(SUB) 상에 배치된다. 버퍼층(BFL) 상에는 반도체 패턴(OSP)이 배치된다. 버퍼층(BFL)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 버퍼층(BFL)은 베이스 기판(SUB)을 통해 유입되는 산소나 수분이 화소(PX)에 침투되는 것을 방지하거나, 화소(PX)의 구성들이 베이스 기판(SUB) 상에 안정적으로 형성되도록 베이스 기판(SUB)의 표면 에너지를 감소시킬 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에는 트랜지스터(TR)가 배치될 수 있다. 트랜지스터(TR)는 반도체 패턴(OSP), 제어 전극(GE), 입력 전극(DE), 및 출력 전극(SE)을 포함한다. 반도체 패턴(OSP)은 버퍼층(BFL) 상에 배치된다. 반도체 패턴(SOP)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 패턴(OSP)은 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐-아연 산화물(IZnO) 등을 포함할 수 있다.
제어 전극(GE)은 제1 절연층(10)을 사이에 두고 반도체 패턴(OSP)으로부터 이격된다.
입력 전극(DE) 및 출력 전극(SE)은 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)을 관통하여 반도체 패턴(SL)의 일 측 및 타 측에 접속된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터(TR)는 다양한 적층 구조들로 형성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치되어 입력 전극(DE) 및 출력 전극(SE)을 커버한다. 제3 절연층(30)은 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 적층 구조를 가질 수 있다.
제1 전극(AE)은 제3 절연층(30) 상에 배치된다. 제1 전극(AE)은 제3 절연층(30)을 관통하여 트랜지스터(TR)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 7a에서 제1 전극(AE)이 트랜지스터(TR)와 분리된 것으로 도시되었으나, 제1 전극(AE)은 제3 절연층(30)을 관통하는 컨택홀을 통해 트랜지스터(TR)에 연결될 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 화소 정의막(PDL)이 관통된 개구부(OP)가 정의된다. 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 개구부(OP)는 화소(PX)의 발광 영역에 대응될 수 있다.
발광 패턴(EML) 은 개구부(OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE) 상에 배치될 수 있다. 발광 패턴(EML) 은 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 패턴(EML) 은 적색, 녹색, 또는 청색을 발광하는 물질들 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성될 수 있다. 발광 패턴(EML) 은 형광 물질 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EML) 은 유기 발광 물질 또는 무기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EML) 은 제1 전극(AE) 및 제2 전극(CE) 사이의 전위 차이에 응답하여 광을 발광할 수 있다.
제2 전극(CE)은 발광 패턴(EML) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 투과형 도전 물질 또는 반 투과형 도전 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 패턴(EML) 에서 생성된 광은 제2 전극(CE)을 통해 제3 방향(DR3)을 향해 용이하게 출사될 수 있다. 제2 전극(CE)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다.
다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(OD)는 설계에 따라, 제1 전극(AE)이 투과형 또는 반 투과형 물질을 포함하는 배면 발광 방식으로 구동되거나, 전면과 배면 모두를 향해 발광하는 양면 발광 방식으로 구동될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
유기발광 다이오드(OLED)는 제1 전극(AE) 및 발광 패턴(EML) 사이에 배치된 정공 제어층(HCL) 및 발광 패턴(EML) 및 제2 전극 사이에 배치된 전자 제어층(ECL) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 어느 실시예로 한정되지 않는다.
박막 봉지층(TFE)은 유기발광 다이오드(OLED)를 커버할 수 있다. 본 실시예에서 박막 봉지층(TFE)은 제3 방향(DR3)을 따라 순차적으로 제1 무기층(LIL), 유기층(OEL), 및 제2 무기층(UIL)을 포함할 수 있다.
제1 무기층(LIL)은 제2 전극(CE)을 커버할 수 있다. 제1 무기층(LIL)은 외부 수분이나 산소가 유기발광 다이오드(OLED)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(LIL)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제1 무기층(LIL)은 화학 기상 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
유기층(OEL)은 제1 무기층(LIL) 상에 배치되어 제1 무기층(LIL)에 접촉할 수 있다. 유기층(OEL)은 제1 무기층(LIL) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 제1 무기층(LIL) 상면에 형성된 굴곡이나 제1 무기층(LIL) 상에 존재하는 파티클(particle) 등은 유기층(OEL)에 의해 커버되어, 제1 무기층(LIL)의 상면의 표면 상태가 유기층(OEL) 상에 형성되는 구성들에 미치는 영향을 차단할 수 있다. 또한, 유기층(OEL)은 접촉하는 층들 사이의 응력을 완화시킬 수 있다. 유기층(OEL)은 유기물을 포함할 수 있고, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 공정과 같은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다.
제2 무기층(UIL)은 유기층(OEL) 상에 배치되어 유기층(OEL)을 커버한다. 제2 무기층(UIL)은 제1 무기층(LIL) 상에 배치되는 것보다 상대적으로 평탄한 면에 안정적으로 형성될 수 있다. 제2 무기층(UIL)은 유기층(OEL)으로부터 방출되는 수분 등을 봉지하여 외부로 유입되는 것을 방지한다. 제2 무기층(UIL)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제2 무기층(UIL)은 화학 기상 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
본 실시예에서 버퍼층(BFL)에서부터 제3 절연층(30)까지를 도 5b에 도시된 회로 소자층(DP-CL)로 정의할 수 있으며, 화소 정의막(PDL) 및 유기발광 다이오드(OLED)를 표시 소자층(PD-OLED)로 정의할 수 있다.
본 실시예에서 박막 봉지층(TFE)의 제1 무기층(LIL) 및 제2 무기층(UIL)은 비벤딩 영역(NBA)에서부터 벤딩 영역(BA)까지 연장되어 베이스 기판(SUB)의 전 면 상에 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 표시 장치(DD)는 벤딩 영역(BA)과 중첩하고 표시 장치(DD)의 일 구성들이 관통된 그루브(BR)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 그루브(BR)는 표시 소자층(DP-OLED)에서부터 회로 소자층(DP-CL)을 관통하여 베이스 기판(SUB)의 일부를 노출시키며 제공될 수 있다.
그루브(BR)는 제1 무기층(LIL)에 의해 커버된 내면(BR-I)이 정의될 수 있다. 그루브(BR)의 내면(BR-I)은 박막 봉지층(TFE)의 유기층(OEL)에 의해 충진될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 본 실시예에서 그루브(BR)는 회로 소자층(DP-CL)의 절연층들(BFL, 10, 20, 30)을 관통하는 제1 홀(GH1)을 포함한다. 또한, 그루브(BR)는 제1 홀(GH1)과 중첩하고, 표시 소자층(DP-OLED)의 화소 정의막(PDL)과 제1 전극(AE)을 관통하는 제2 홀(GH2)을 포함한다.
제1 홀(GH1) 및 제2 홀(GH2) 각각은 일 방향에서 서로 다른 너비를 가질 수 있다. 예를 들어, 일 방향에서 제2 홀(GH2)의 최소 너비(W2)는 제1 홀(GH1)의 최소 너비(W1)보다 작을 수 있다. 따라서, 그루브(BR)는 언더 컷(under-cut) 형상을 가질 수 있다.
언더 컷(under-cut) 형상은 회로 소자층(DP-CL)의 절연층들(BFL, 10, 20, 30)과 표시 소자층(DP-OLED)의 화소 정의막(PDL)과 제1 전극(AE)의 식각률 차이로 인해 형성될 수 있다.
본 실시예에서 제1 홀(GH1)을 커버하는 화소 정의막(PDL)과 제1 전극(AE)은 팁 부(TP)로 정의될 수 있다. 본 발명에 따르면, 팁 부(TP)는 박막 봉지층(TFE)의 무기막들(LIL, UIL) 중 어느 하나에 의해 커버되고, 그루브(BR)의 내면(BR-I)는 박막 봉지층(TFE)의 유기층(OEL)에 의해 커버됨에 따라 보다 강건한 그루브(BR)를 제공할 수 있다.
도 8a 내지 도 8e에서 설명할 그루브에 관한 실시예들은 도 7a의 그루브(BR) 및 이하 설명될 그루브들에도 적용될 수 있다. 도 8a 내지 도 8e에서 설명할 그루브들은 박막 봉지층(TFE)의 무기층들(LIL, UIL) 중 어느 하나에 의해 커버되어 정의된 내면(BR-I)을 포함할 수 있다. 도 8a 내지 도 8e에서 설명할 그루브들은 도 7a의 그루브(BR)를 평면상에서 보았을 때의 형상을 간략하게 도시한 것이다.
도 8a를 참조하면, 본 실시예에 따른 그루브(BR-A)는 서로 교차하는 방향으로 연장된 제1 패턴(B1) 및 제2 패턴(B2)를 포함한다. 제1 패턴(B1) 및 제2 패턴(B2)는 서로 교번하여 배치될 수 있다. 따라서, 그루브(BR-A)는 지그재그 형상을 가질 수 있다.
도 8b를 참조하면, 본 실시예에 따른 그루브(BR-B)는 일 방향으로 연장된 곡선을 포함할 수 있다. 따라서, 그루브(BR-B)의 일 측면을 기준으로 볼록(convex)한 부분과 오목(concave) 한 부분을 포함할 수 있다.
도 8c를 참조하면, 본 실시예에 따른 그루브(BR-C)는 일 방향에서 서로 이격되어 배치된 복수의 그루브 패턴들(B1, B2, Bn)을 포함한다. 그루브 패턴들(B1, B2, Bn) 사이에는 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED)이 배치될 수 있다. 즉, 그루브 패턴들(B1, B2, Bn) 사이에는 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED)이 관통되지 않고 남아있는 부분일 수 있다.
도 8d를 참조하면, 본 실시예에 따른 그루브(BR-D)는 복수의 연장 패턴들(B1) 및 복수의 연결 패턴들(B2)을 포함한다. 연장 패턴들(B1)은 일 방향으로 연장되고 상기 일 방향과 교차하는 교차 방향으로 서로 이격되어 배열될 수 있다. 연결 패턴들(B2)은 서로 이격된 연장 패턴들(B1) 사이에 배치되어 연장 패턴들(B1)을 연결할 수 있다.
도 8e를 참조하면, 본 실시예에 따른 그루브(BR-E)는 중심 패턴(B1) 및 가지 패턴들(B2)을 포함할 수 있다. 중심 패턴(B1)은 일 방향으로 연장될 수 있다. 가지 패턴들(B2)는 일 방향의 사선 방향으로 연장되고 일 방향을 따라 서로 이격되어 배열될 수 있다. 가지 패턴들(B2)은 중심 패턴(B1)과 연결될 수 있다.
본 발명에 따르면, 벤딩 영역(BA)에 중첩하여 제공되는 그루브(BR)는 도 8a 내지 도 8e에서 설명한 것과 같이 소정의 형상을 가짐으로써, 표시 장치(DD)의 벤딩 시 발생하는 스트레스를 완화시킬 수 있다. 따라서, 벤딩 내구성이 향상된 향상된 표시 장치(DD)를 제공할 수 있다.
또한, 그루브(BR)는 박막 봉지층(TFE)의 유기층(OEL) 형성하는 과정에서 액상의 유기물질이 퍼지는 영역을 정의할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 액상의 유기물질을 제1 무기층(LIL) 상에 도포하는 잉크젯 방식으로 형성할 수 있는데, 이때, 그루브(BR)는 액상의 유기물질이 도포되는 영역의 경계를 설정하고, 액상의 유기물질이 그루브(BR) 외측으로 넘치는 것을 방지한다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 9b는 도 9a의 QQ'영역의 확대도이다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 1 내지 도 8e와 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD-A, DD-B, DD-C)는 벤딩 영역(BA) 및 비벤딩 영역(NBA)을 포함하는 베이스 기판(SUB) 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 박막 봉지층(TFE), 화소(PX), 벤딩 영역(BA)에 배치된 적어도 하나의 그루브를 포함할 수 있다.
회로 소자층(DP-CL)은 복수의 절연층들(BFL, 10, 20, 30) 및 복수의 절연층들(BFL, 10, 20, 30) 사이에 배치된 반도체 패턴(OSP), 제어 전극(GE), 입력 전극(DE), 및 출력 전극(SE)을 포함하는 트랜지스터(TR)을 포함한다. 표시 소자층(DP-OLED)은 개구부(OP)가 정의된 화소 정의막(PDL) 및 제1 전극(AE), 정공 제어층(HCL), 발광 패턴(EML), 전자 제어층(ECL), 및 제2 전극(CE)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 박막 봉지층(TFE)은 순차적으로 적층된 제1 무기층(LIL), 유기층(OEL), 및 제2 무기층(UIL)을 포함한다.
도 9a를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(DD-A)는 벤딩 영역(BA)에 배치된 복수의 그루브들(BR-1, BR-2)을 포함한다.
그루브(BR-1) 및 그루브(BR-1)의 내면(BR-1I)은 도 7a 및 도 7b에서 설명한 그루브(BR) 및 그루브(BR)의 내면(BR-I)과 대응되는 구성일 수 있다. 본 실시예에 따른 추가 그루브(BR-2)는 그루브(BR-1)에 비해 상대적으로 비벤딩 영역(NBA)으로부터 이격될 수 있다. 추가 그루브(BR-2)는 표시 소자층(DP-OLED)에서부터 회로 소자층(DP-CL)을 관통하여 베이스 기판(SUB)의 일부를 노출시키며 제공될 수 있다.
추가 그루브(BR)는 순차적으로 제1 무기층(LIL) 및 제2 무기층(UIL)에 의해 커버된 내면(BR-I2)이 정의될 수 있다.
도 9b를 참조하면, 추가 그루브(BR-2)는 회로 소자층(DP-CL)의 절연층들(BFL, 10, 20, 30)을 관통하는 제3 홀(GH3)을 포함한다. 또한, 추가 그루브(BR-2)는 제3 홀(GH3)과 중첩하고, 표시 소자층(DP-OLED)의 화소 정의막(PDL)과 제1 전극(AE)을 관통하는 제4 홀(GH4)을 포함한다.
제3 홀(GH3) 및 제4 홀(GH4) 각각은 일 방향에서 서로 다른 너비를 가질 수 있다. 예를 들어, 일 방향에서 제4 홀(GH4)의 최소 너비(W4)는 제3 홀(GH3)의 최소 너비(W3)보다 작을 수 있다. 따라서, 추가 그루브(BR)는 언더 컷(under-cut) 형상을 가질 수 있다.
언더 컷(under-cut) 형상은 회로 소자층(DP-CL)의 절연층들(BFL, 10, 20, 30)과 표시 소자층(DP-OLED)의 화소 정의막(PDL)과 제1 전극(AE)의 식각률 차이로 인해 형성될 수 있다.
본 실시예에서 제3 홀(GH3)을 커버하는 화소 정의막(PDL)과 제1 전극(AE)은 팁 부(TP)로 정의될 수 있다. 본 발명에 따르면, 팁 부(TP)는 박막 봉지층(TFE)의 무기막들(LIL, UIL)에 의해 커버될 수 있다.
다시 도 9a를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(DD-A)는 추가 그루브(BR-2)를 커버하는 평탄화층(YOC) 및 평탄화층(YOC)과 박막 봉지층(TFE)을 커버하는 평탄 무기층(YIL)을 더 포함할 수 있다. 추가 그루브(BR)의 내면(BR-I2)은 평탄화층(YOC)에 의해 커버될 수 있다. 이에 따라 보다 강건한 추가 그루브(BR)를 제공할 수 있다.
또한, 그루브(BR-1)와 추가 그루브(BR-2) 각각의 평면상에서의 형상은 도 8a 내지 도 8e와 동일한 형상을 가질 수 있다. 이때, 그루브(BR-1)와 추가 그루브(BR-2)는 서로 동일하거나, 다른 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
본 발명에 따르면, 벤딩 영역(BA)에 중첩하여 제공되는 그루브들(BR-1, BR-2)을 포함함으로써, 표시 장치(DD-A)의 벤딩 시 발생하는 스트레스를 완화시킬 수 있다. 따라서, 벤딩 내구성이 향상된 향상된 표시 장치(DD)를 제공할 수 있다.
도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(DD-B)는 벤딩 영역(BA)에 배치된 복수의 그루브들(BR, BR-O)을 포함한다.
그루브(BR) 및 그루브(BR)의 내면(BR-I)은 도 7a 및 도 7b에서 설명한 그루브(BR) 및 그루브(BR)의 내면(BR-I)과 대응되는 구성일 수 있다. 본 실시예에 따른 보조 그루브들(BR-O)은 그루브(BR)에 비해 상대적으로 비벤딩 영역(NBA)으로부터 이격될 수 있다. 보조 그루브들(BR-O)은 표시 소자층(DP-OLED)에서부터 베이스 기판(SUB)의 일부가 제거되어 형성될 수 있다.
보조 그루브들(BR-O)은 순차적으로 제1 무기층(LIL) 및 제2 무기층(UIL)에 의해 커버된 내면이 정의될 수 있다. 보조 그루브들(BR-O) 또한, 보조 그루브들(BR-O)의 형성 시 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED) 각각의 제거되는 구성들의 식각률의 차이로 인해 언더 컷(under-cut) 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(DD-B)는 보조 그루브들(BR-O)을 커버하는 평탄화층(YOC) 및 평탄화층(YOC)과 박막 봉지층(TFE)을 커버하는 평탄 무기층(YIL)을 더 포함할 수 있다. 보조 그루브들(BR-O)의 내면은 평탄화층(YOC)에 의해 커버될 수 있다. 이에 따라 보다 강건한 보조 그루브들(BR-O)을 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 벤딩 영역(BA)에 중첩하여 제공되는 그루브들(BR, BR-O)을 포함함으로써, 표시 장치(DD-B)의 벤딩 시 발생하는 스트레스를 완화시킬 수 있다. 또한, 벤딩 영역(BA)으로부터 유입되는 수분 및 산소의 경로를 차단하여, 유기발광 다이오드(OLED)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 10에는 복수의 보조 그루부들(BR-O)을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 단일의 보조 그루브 또는 두 개 이상의 보조 그루브들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(DD-C)는 박막 봉지층(TFE) 상에 직접 배치되는 감지 센서(TS)를 포함할 수 있다. 감지 센서(TS)는 도 2에서 설명한 감지 센서(TS)와 대응되는 구성일 수 있다.
일 실시예에 따른 감지 센서(TS)는 복수의 도전 패턴들(TML1, TML2), 복수의 감지 절연층들(TIL1, TIL2), 및 감지 신호 라인들(미도시)을 포함할 수 있다. 감지 신호 라인들은 벤딩 영역(BA)에 배치되고 비벤딩 영역(NBA)으로 연장되어 도전 패턴들(TML1, TML2)과 연결될 수 있다.
제1 감지 패턴(TML1)은 박막 봉지층(TFE) 상에 직접 배치된다. 따라서, 제1 감지 패턴(TML1)은 별도의 접착층 없이 연속 공정에 의해 박막 봉지층(TFE) 상에 형성된 것일 수 있다.
제1 감지 절연층(TIL1)은 제1 감지 패턴(TML1)을 커버한다. 제1 감지 절연층(TIL1)은 무기 물질 및 유기 물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 감지 패턴(TML2)은 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치된다. 따라서, 제2 감지 패턴(TML2)은 제1 감지 절연층(TIL1)을 사이에 두고 제1 감지 패턴(TML1)과 서로 다른층 상에 배치될 수 있다. 제2 감지 패턴(TML2) 중 어느 하나는 제1 감지 절연층(TIL1)을 관통하여 제1 감지 패턴(TML1)과 연결될 수 있다.
제2 감지 절연층(TIL2)은 제2 감지 패턴(TML2)을 커버한다. 제2 감지 절연층(TIL2)은 무기 물질 및 유기 물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
감지 패턴들(TML1, TML2)은 서로 이격되어 정전용량 방식으로 외부입력을 감지하는 감지 전극들의 일 구성일 수 있다. 감지 패턴들(TML1, TML2)은 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)와 이격되어 배치될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 13는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 1 내지 도 8e와 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 12를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-D)는 비벤딩 영역(NBA)에서부터 벤딩 영역(BA)으로 연장된 추가 전극들(CL1, CL2) 중 어느 하나와 중첩하는 그루브들(BR-A, BR-B)을 포함할 수 있다.
제1 추가 전극(CL1)은 제1 절연층(10) 상에 배치될 수 있다. 제2 추가 전극(CL2)은 제1 추가 전극(CL1) 상에 배치되어 제1 추가 전극(CL1)과 접촉할 수 있다. 또한, 제2 추가 전극(CL2)은 제1 추가 전극(CL1)의 일부를 노출시킬 수 있다. 추가 전극들(CL1, CL2)은 도 6에서 상술한 제2 전압(ELVSS)을 구성할 수 있다. 또한, 도시되지 않았으나, 추가 전극들(CL1, CL2) 중 적어도 어느 하나의 일 단은 스토리지 커패시터(Cst)에 연결될 수 있다.
본 실시예에서 그루브들(BR-A, BR-B)은 제1 추가 전극(CL1)과 중첩할 수 있고, 그루브들(BR-A, BR-B)은 제2 추가 전극(CL2)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 그루브들(BR-A, BR-B)은 화소 정의막(PDL), 제1 전극(AE), 제3 절연층(30), 및 제2 절연층(20)을 관통하여 제1 추가 전극(CL1)의 일부를 노출시킬 수 있다. 따라서, 그루브들(BR-A, BR-B) 형성 시, 제1 추가 전극(CL1) 하부에 배치된 절연층들(BFL, 10)은 관통되지 않고 비벤딩 영역(NBA)에서부터 벤딩 영역(BA)까지 연장될 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 추가 전극(CL2)은 제1 그루브(BR-A)까지 연장되어 제1 그루브(BR-A)와 중첩할 수 있고 제2 추가 전극(CL2)는 생략될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 그루브(BR-A)는 제2 그루브(BR-B)에 비해 상대적으로 비벤딩 영역(NRA)과 인접하게 형성될 수 있다. 제1 그루브(BR-A)는 박막 봉지층(TFE)의 제1 무기층(LIL)에 의해 커버된 내면이 정의될 수 있다. 제2 그루브(BR-B)는 박막 봉지층(TFE)의 제1 무기층(LIL) 및 제2 무기층(UIL)에 의해 커버된 내면이 정의될 수 있다.
본 실시예에서 제1 그루브(BR-A)의 내면은 박막 봉지층(TFE)의 유기층(OEL)에 의해 커버됨에 따라 보다 강건한 그루브(BR-A)를 제공할 수 있다.
도 13을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-E)는 비벤딩 영역(NBA)에서부터 벤딩 영역(BA)으로 연장된 추가 전극들(CL1, CL2-A)과 중첩하는 그루브들(BR-C, BR-D)을 포함할 수 있다.
제1 추가 전극(CL1)은 제1 절연층(10) 상에 배치될 수 있다. 제2 추가 전극(CL2-A)은 제1 추가 전극(CL1) 상에 배치되어 제1 추가 전극(CL1)과 접촉할 수 있다. 추가 전극들(CL1, CL2-A)은 도 6에서 상술한 제2 전압(ELVSS)을 구성할 수 있다. 또한, 추가 전극들(CL1, CL2-A) 중 적어도 어느 하나의 일 단은 스토리지 커패시터(Cst)에 연결될 수 있다.
본 실시예에서 그루브들(BR-C, BR-D)은 추가 전극들(CL1, CL2)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 그루브들(BR-C, BR-D)은 화소 정의막(PDL), 제1 전극(AE), 제3 절연층(30), 및 제2 절연층(20)을 관통하여 제2 추가 전극(CL2-A)의 일부를 노출시킬 수 있다. 따라서, 그루브들(BR-C, BR-D) 형성 시, 제2 추가 전극(CL2) 하부에 배치된 절연층들(BFL, 10)은 관통되지 않고 비벤딩 영역(NBA)에서부터 벤딩 영역(BA)까지 연장될 수 있다.
제1 그루브(BR-C)는 제2 그루브(BR-D)에 비해 상대적으로 비벤딩 영역(NRA)과 인접하게 형성될 수 있다. 제1 그루브(BR-C)는 박막 봉지층(TFE)의 제1 무기층(LIL)에 의해 커버된 내면이 정의될 수 있다. 제2 그루브(BR-D)는 박막 봉지층(TFE)의 제1 무기층(LIL) 및 제2 무기층(UIL)에 의해 커버된 내면이 정의될 수 있다.
본 실시예에서 제1 그루브(BR-C)의 내면은 박막 봉지층(TFE)의 유기층(OEL)에 의해 커버됨에 따라 보다 강건한 그루브(BR-C)를 제공할 수 있다.
도 14를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-F)는 비벤딩 영역(NBA)에서부터 벤딩 영역(BA)으로 연장된 추가 전극들(CL1, CL2-A)과 중첩하는 그루브들(BR-C, BR-D1)을 포함할 수 있다.
또한, 표시 장치(DD-F)는 제2 그루브(BR-D1)의 내면을 커버하는 평탄화층(YOC) 및 평탄화층(YOC)과 박막 봉지층(TFE)을 커버하는 평탄 무기층(YIL)을 더 포함할 수 있다. 제2 그루브(BR-D1)의 내면은 평탄화층(YOC)에 의해 커버될 수 있다. 이에 따라 보다 강건한 제2 그루브(BR-D1)를 제공할 수 있다.
본 실시예에서 그루브들(BR-C, BR-D1)은 추가 전극들(CL1, CL2) 각각에 중첩하는 것을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 추가 전극(CL1)은 제2 그루브(BR-D1)와 이격되고, 제1 그루브(BR-C)에만 중첩할 수 있으며, 제2 추가 전극(CL2)은 생략될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD: 표시 장치
PM: 보호 필름
DM: 표시 모듈
DP: 표시 패널
DP-CL: 회로 소자층
DP-OLED: 표시 소자층
TFE: 박막 봉지층
TS: 감지 센서
LM: 광학 부재
WM: 윈도우
BA: 벤딩 영역
NBA: 비벤딩 영역
BR: 그루브
BR-I: 내면
TP: 팁 부

Claims (20)

  1. 적어도 하나의 벤딩 영역 및 벤딩 영역과 인접한 비벤딩 영역을 포함하고, 플렉서블(flexible)한 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층;
    상기 회로 소자층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드를 포함하는 표시 소자층;
    상기 표시 소자층을 커버하고, 순차적으로 적층된 제1 무기층, 유기층, 및 제2 무기층을 포함하는 박막 봉지층; 및
    상기 벤딩 영역에 중첩하고, 상기 표시 소자층에서부터 상기 회로 소자층을 관통하여 상기 베이스 기판의 적어도 일부를 노출시키는 그루브를 포함하고,
    상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층 중 적어도 어느 하나는 그루브를 커버하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 그루브는 언더 컷 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 그루브는 서로 교차하는 방향으로 연장된 패턴들이 서로 교번하여 배치되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 그루브는 일 방향으로 연장된 곡선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 그루브는 일 방향에서 서로 이격되어 배치된 복수의 그루브 패턴들을 포함하고, 상기 그루브 패턴들 사이는 상기 회로 소자층 및 상기 표시 소자층이 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 그루브는 일 방향으로 연장되고 상기 일 방향과 교차하는 교차 방향으로 배열된 복수의 연장 패턴들 및 상기 연장 패턴들 사이에 배치되는 연결 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 그루브는 일 방향으로 연장된 중심 패턴 및 상기 중심 패턴으로부터 상기 일 방향의 사선 방향으로 연장되고, 상기 일 방향을 따라 서로 이격된 가지 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 장치는,
    상기 그루브 보다 상대적으로 비벤딩 영역에서 이격되고, 상기 표시 소자층에서부터 상기 회로 소자층을 관통하여 상기 베이스 기판의 적어도 일부를 노출시키는 추가 그루브를 더 포함하고,
    상기 추가 그루브는 순차적으로 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 무기층에 의해 에워싸여 정의된 상기 추가 그루브의 내면에 충진되고, 상기 박막 봉지층과 함께 평탄면을 제공하는 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 장치는,
    상기 그루브 보다 상대적으로 비벤딩 영역에서 이격되고, 상기 표시 소자층에서부터 상기 베이스 기판의 일부를 관통하는 보조 그루브를 더 포함하고,
    상기 보조 그루브는 순차적으로 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 적어도 하나의 벤딩 영역 및 벤딩 영역과 인접한 비벤딩 영역을 포함하고, 플렉서블(flexible)한 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터, 복수의 절연층들, 및 상기 벤딩 영역과 중첩하는 절연층들을 관통하는 제1 홀을 포함하는 회로 소자층;
    상기 회로 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 패턴, 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 포함하는 화소 정의막, 및 상기 제1 홀과 중첩하고 상기 화소 정의막 및 상기 제1 전극을 관통하는 제2 홀을 포함하는 표시 소자층; 및
    상기 표시 소자층을 커버하고, 순차적으로 적층된 제1 무기층, 유기층, 및 제2 무기층을 포함하는 박막 봉지층을 포함하고,
    상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 홀 및 상기 제2 홀을 커버하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 홀의 최소 너비는 상기 제1 홀의 최소 너비보다 작고, 언더 컷 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 언더 컷은 서로 교차하는 방향으로 연장된 패턴들이 서로 교번하여 배치되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 언더 컷은 일 방향으로 연장된 곡선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 언더 컷은 일 방향에서 서로 이격되어 배치된 복수의 패턴들을 포함하고, 상기 패턴들 사이는 상기 회로 소자층 및 상기 표시 소자층이 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 언더 컷은 일 방향으로 연장되고 상기 일 방향과 교차하는 교차 방향으로 배열된 복수의 연장 패턴들 및 상기 연장 패턴들 사이에 배치되는 연결 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제12 항에 있어서,
    상기 언더 컷은 일 방향으로 연장된 중심 패턴 및 상기 중심 패턴으로부터 상기 일 방향의 사선 방향으로 연장되고, 상기 일 방향을 따라 서로 이격된 가지 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제11 항에 있어서,
    상기 회로 소자층은 상기 제1 홀보다 상대적으로 비벤딩 영역에서 이격되고, 상기 절연층들을 관통하는 제3 홀을 더 포함하고,
    상기 표시 소자층은 상기 제3 홀과 중첩하고, 상기 화소 정의막 및 상기 제1 전극을 관통하는 제4 홀을 더 포함하고,
    상기 제3 홀 및 상기 제4 홀은 순차적으로 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제4 홀의 최소 너비는 상기 제3 홀의 최소 너비보다 작고, 언더 컷 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제12 항에 있어서,
    상기 표시 장치는,
    상기 제1 홀 및 상기 제2 홀 보다 상대적으로 비벤딩 영역에서 이격되고, 상기 표시 소자층에서부터 상기 베이스 기판의 일부를 관통하는 보조 홀을 더 포함하고,
    상기 보조 홀은 순차적으로 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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