KR20210149293A - 표시 장치 - Google Patents

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홍종범
김리향
심용섭
유영준
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 기판, 상기 기판의 일 면 상에 형성된 발광 소자 및 외부로부터 광이 투과되는 투과 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 기판의 타 면의 전방에 구비되고, 상기 투과 영역으로부터 인가되는 광에 관한 정보를 획득하는 센서 및 상기 센서와 상기 기판 사이에 위치하고, 인가되는 광에 대한 반사가 저감되도록 광을 투과시키는 반사 저감 부재를 포함하고, 상기 반사 저감 부재는 상기 기판의 주면에 수직한 방향에서 볼 때, 상기 투과 영역과 대응되는, 표시 장치가 제공될 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 센서를 포함하되, 반사 저감 부재가 포함되어 회로 소자의 열화가 저감된 표시 장치에 관한 것이다.
발광 소자는 열악한 환경 조건에서도 비교적 양호한 내구성을 나타내며, 수명 및 휘도 측면에서도 우수한 성능을 보유한다. 발광 소자를 구동하기 위해서, 발광 소자에 전원 및/또는 전기적 신호를 인가하기 위한 전극 구성 및 상기 전극 구성에 발광에 관한 정보를 인가할 수 있는 회로 소자가 포함된다.
최근 발광 소자와 인접한 영역에 광학 정보를 획득할 수 있는 센서가 위치한 표시 장치가 널리 이용되고 있다. 상기 센서는 광학 정보를 획득하기 위해 외부로부터 광을 인가받을 수 있다.
하지만, 외부로부터 광이 인가되는 경우, 표시 장치 내의 구성에 의한 반사광이 발생될 수 있고, 발생된 반사광이 회로 소자에 인가되는 경우 회로 소자에 대한 열화가 발생될 수 있다. 이에 따라 외부로부터 인가된 광에 대한 반사광의 생성량이 저감된 표시 장치에 대한 요구가 증대되고 있다.
본 발명의 일 과제는, 표시 장치 내에 발생되는 반사광에 의한 회로 소자의 열화가 저감될 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판, 상기 기판의 일 면 상에 형성된 발광 소자 및 외부로부터 광이 투과되는 투과 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 기판의 타 면의 전방에 구비되고, 상기 투과 영역으로부터 인가되는 광에 관한 정보를 획득하는 센서 및 상기 센서와 상기 기판 사이에 위치하고, 인가되는 광에 대한 반사가 저감되도록 광을 투과시키는 반사 저감 부재를 포함하고, 상기 반사 저감 부재는 상기 기판의 주면에 수직한 방향에서 볼 때, 상기 투과 영역과 대응되는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 과제의 해결 수단이 상술한 해결 수단들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 해결 수단들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 표시 장치의 내부에 인가되는 광에 대한 반사를 감쇄시킬 수 있는 반사 저감 부재가 포함되어, 반사광에 의한 회로 소자의 열화가 저감된 표시 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1 내지 도 3는 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다. 도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 화소 회로부의 화소 구동 회로(PC)를 나타낸 도면이다.
도 5 내지 도 8은 도 1의 Ⅰ ~ Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 9 내지 도 12는 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치의 반사 저감 부재에 관한 구조를 설명하기 위한 개략도로서, 상기 반사 저감 부재는 AR 코팅인 표시 장치에 관한 도면이다.
도 13 내지 도 15는 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치의 반사 저감 부재에 관한 구조를 설명하기 위한 개략도로서, 상기 반사 저감 부재는 충진재인 표시 장치에 관한 도면이다.
도 16 내지 도 18은 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치의 반사 저감 부재에 관한 구조를 설명하기 위한 개략도로서, 상기 반사 저감 부재는 충진재 및 AR 코팅으로 구현 된 표시 장치에 관한 도면이다.
본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하여 가능한 현재 널리 사용되고 있는 일반적인 용어를 선택하였으나 이는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 의도, 관례 또는 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 다만, 이와 달리 특정한 용어를 임의의 의미로 정의하여 사용하는 경우에는 그 용어의 의미에 관하여 별도로 기재할 것이다. 따라서 본 명세서에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가진 실질적인 의미와 본 명세서의 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 한다.
본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것으로 도면에 도시된 형상은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 필요에 따라 과장되어 표시된 것일 수 있으므로 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 본 발명에 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 이에 관한 자세한 설명은 필요에 따라 생략하기로 한다.
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 센싱 모듈을 포함하되, 반사 저감 부재가 포함되어 회로 소자의 열화가 저감된 표시 장치에 관한 것이다.
본 명세서의 일 실시예에 의하면, 기판, 상기 기판의 일 면 상에 형성된 발광 소자 및 외부로부터 광이 투과되는 투과 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 기판의 타 면의 전방에 구비되고, 상기 투과 영역으로부터 인가되는 광에 관한 정보를 획득하는 센서 및 상기 센서와 상기 기판 사이에 위치하고, 인가되는 광에 대한 반사가 저감되도록 광을 투과시키는 반사 저감 부재를 포함하고, 상기 반사 저감 부재는 상기 기판의 주면에 수직한 방향에서 볼 때, 상기 투과 영역과 대응되는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 센서의 위치는 적어도 상기 반사 저감 부재의 위치와 대응되는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 기판과 대향하는 베이스 부를 더 포함하고, 상기 센서는 상기 베이스 부 상에 배치된, 표시 장치가 제공될 수 있다. 상기 표시 패널이 위치하지 않는 상기 기판의 면 상에 위치하는 커버 패널을 더 포함하고, 상기 커버 패널은 상기 센서와 겹치지 않는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 반사 저감 부재의 굴절률은 상기 기판의 굴절률과 서로 상이한, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 반사 저감 부재의 굴절률은 1.3 이상이고 1.7 이하인, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 반사 저감 부재는 미리 정해진 수치 이상의 투과율을 가지는 충진재를 포함하는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 반사 저감 부재는, 상기 반사 저감 부재와 상기 센서 사이에 에어 갭(air gap)이 형성되도록 상기 센서와 물리적으로 이격된, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 반사 저감 부재는, 상기 반사 저감 부재와 상기 센서 사이에 에어 갭이 형성되지 않도록 상기 센서와 물리적으로 접촉하는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 센서는, 상부에서 볼 때 상기 반사 저감 부재와 대응하는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 반사 저감 부재는, 상기 센서의 상기 기판을 향하는 면에 코팅된 제1 반사 방지막을 포함하고, 상기 제1 반사 방지막은 AR 코팅(Anti-reflective coating)인, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 반사 저감 부재는 상기 기판의 상기 센서를 향하는 면에 코팅된 제2 반사 방지막을 포함하고, 상기 제2 반사 방지막은 AR 코팅인, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 제1 반사 방지막이 위치한 영역은, 상부에서 볼 때 상기 제2 반사 방지막이 위치한 영역과 대응되는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 제1 반사 방지막은 제1 면 및 상기 제1 면의 배면인 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면은 상기 기판과 접하고, 상기 제2 면은 상기 센서와 접하는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 제2 반사 방지막은, 상부에서 볼 때 상기 제1 반사 방지막이 위치한 영역 내에 배열되는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 제1 반사 방지막과 상기 제2 반사 방지막 사이에 형성된 에어 갭을 포함하는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 센싱부는, 광학 지문 센서, 조도 감지 센서, 근접 감지 센서, 카메라 모듈, 광 센서(light sensor) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 반사 저감 부재는, 제1 반사 저감 부재 및 제2 반사 저감 부재를 포함하고, 상기 제1 반사 저감 부재는 미리 정해진 수치 이상의 투과율을 가지는 충진재이고, 상기 제2 반사 저감 부재는 AR 코팅인, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 제1 반사 저감 부재와 상기 제2 반사 저감 부재 사이에 형성된 에어 갭을 포함하는, 표시 장치가 제공될 수 있다.
상기 제2 반사 저감 부재는 상기 센서 상에 코팅된, 표시 장치가 제공될 수 있다.
이하에서는 도 1 내지 도 18을 참조하여, 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치를 서술하도록한다.
도 1 내지 도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
표시 장치(display device)는 시각 데이터를 사용자에게 제공할 수 있는 장치를 의미한다. 본 명세서에서 정의되는 표시 장치는 전기적 신호가 인가되는 경우 광을 발산할 수 있는 발광 소자를 포함하는 장치를 의미한다. 즉 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(1)는, 태블릿 피씨, 텔레비전, 스마트 폰, 노트북 등 특정 적용 대상에 한정되지 않는다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(DP), 화소(PXL) 센서(도 4의 'SR' 참고), 표시 영역(DA), 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 표시 패널(DP)은 감지 영역 및 비감지 영역을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 감지 영역을 통해 영상을 표시할 뿐만 아니라, 표시 면에서 이루어진 터치 입력을 감지하거나 전방에서 입사되는 광을 감지할 수도 있다. 비감지 영역은 감지 영역을 둘러쌀 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 따라, 표시 영역(DA)의 일부 영역이 감지 영역에 대응될 수도 있다.
표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)은 물리적으로 구분될 수 있다.
화소(PXL)는 표시 영역(DA) 내에 위치할 수 있다.
센서(SR)는 표시 영역(DA) 내에 위치할 수 있다.
표시 패널(DP)에는 복수 개의 화소(PXL)가 배치될 수 있다. 즉 도 1 내지 도 3에는 편의상 단일 화소(PXL)만을 도시하였으나, 표시 장치(1)는 복수 개의 화소(PXL)를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(DP)은 상기 표시 장치(1)의 전면에 시각 정보를 출력할 수 있다.
상기 화소(PXL)는 발광 소자를 적어도 포함할 수 있다. 본 명세서에서 정의되는 발광 소자는 전기적 신호가 인가되는 경우 광을 발산하는 광원으로 기능하는 물질을 포함할 수 있다.
상기 화소(PXL)는 출력하고자 하는 이미지 데이터에 대응되는 전기적 신호가 인가되는 경우, 상기 표시 영역(DA)에 출력될 수 있는 광을 발산할 수 있다.
상기 발광 소자는 무기 발광 재료를 포함하는 무기 발광 소자 또는 양자점을 이용하여 출사되는 광의 파장을 변화시켜 발광하는 발광 소자(퀀텀닷 디스플레이 소자)일 수도 있다.
상기 표시 패널(DP)로는 유기 발광 다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diode)를 발광 소자로 이용하는 유기 발광 표시 패널(OLED panel; Organic Light Emitting Display panel), 초소형 발광 다이오드를 발광 소자로 이용하는 초소형 발광 다이오드 표시 패널(Nano-scale LED Display panel), 양자점(Quantum dot)과 유기 발광 다이오드를 이용하는 양자점 유기 발광 표시 패널(QD OLED panel; Quantum Dot Organic Light Emitting Display panel) 등과 같은 자발광이 가능한 표시 패널이 사용될 수 있다. 하지만 상술된 예시에 한정되지 않으며, 상기 표시 패널(DP)은 액정 표시 패널(LCD panel; Liquid Crystal Display panel), 전기 영동 표시 패널(EPD panel; Electro-Phoretic Display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(EWD panel; Electro-Wetting Display panel) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
이하에서는 편의상 표시 장치(1)에 포함되는 발광 소자는 유기 발광 다이오드인 것을 기준으로 서술하도록 한다.
센서(SR)는 표시 장치(1)의 상부에서 볼 때, 표시 영역(DA) 내에 위치할 수 있다. 상기 센서(SR)는 상기 표시 장치(1)의 화소(PXL) 및/또는 상기 화소(PXL)에 연결된 배선들보다 하부에 위치하여, 상기 표시 장치(1)의 전면에 대해 은폐될 수 있다. 본 명세서에서 정의되는 "상부에서 볼 때"는 표시 패널(DP)의 주면에 수직한 방향인 제3 방향(DR3)을 의미할 수 있다.
상기 센서(SR)에 관한 내용은 도 5 내지 도 8을 참조하여 후술되므로, 상세한 내용은 생략하도록 한다.
상기 표시 영역(DA)은 외부로 시각 데이터가 표시되는 영역일 수 있다. 상기 표시 영역(DA)은 상기 화소(PXL)가 위치한 영역을 의미할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 상기 화소(PXL)가 위치하지 않은 영역을 의미할 수 있다.
상기 비표시 영역(NDA)과 상기 표시 영역(DA)은 상부에서 볼 때, 서로 겹치지 않을 수 있다. 예를 들어 상기 비표시 영역(NDA)은 상기 표시 영역(DA)의 외면을 둘러싸는 영역에 위치할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 비표시 영역(NDA)은 배선 영역, 패드 영역 및/또는 더미 영역 등을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)은 제1 표시 영역(A1) 및 제2 표시 영역(A2)을 포함할 수 있다.
상기 제1 표시 영역(A1)은 상기 표시 장치(1)의 상부에서 볼 때, 발광 영역(EMA, 도 5 참조)과 중첩되는 영역을 의미할 수 있다. 상기 제2 표시 영역(A2)은 상기 표시 장치(1)의 상부에서 볼 때, 발광 영역(EMA, 도 5 참조)과 중첩되지 않는 영역을 의미할 수 있다.
상기 제2 표시 영역(A2)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 표시 영역(A1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 혹은 상기 제2 표시 영역(A2)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 방향(DR2)을 따라 상기 제1 표시 영역(A1)과 구획될 수 있다. 상기 제2 표시 영역(A2)은 상술된 예시에 한정되지 않으며, 상기 표시 영역(DA) 내의 어디에나 인접 혹은 분산 배치될 수 있으며, 단수 혹은 복수 개로 제공될 수 있다.
상기 제2 표시 영역(A2)의 광 투과율은 상기 제1 표시 영역(A1)의 광 투과율보다 높을 수 있다. 광 투과율은 단위 면적 당 인가되는 광의 세기 대비 투과되는 광의 세기로 정의될 수 있다. 상기 제2 표시 영역(A2)에는 상기 제1 표시 영역(A1)과 비교할 때, 단위 면적 당 화소(PXL)의 개수가 적게 위치할 수 있다. 혹은 상기 제2 표시 영역(A2)에는 화소(PXL)가 배치되지 않을 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 표시 장치(1)는, 상기 표시 장치(1)의 최상단에 위치한 윈도우를 더 포함할 수 있다. 상기 윈도우는 투명한 투광성 기판일 수 있다. 상기 윈도우는 시각 정보를 투과시키면서, 상기 표시 장치(1)에 대한 외부의 충격을 완화시킬 수 있다.
표시 패널(DP)와 윈도우 사이에는 터치 센서가 배치될 수 있다. 터치 센서는 표시 패널(DP)에서 영상이 출사되는 면 상에 배치되어 사용자의 터치 입력을 수신할 수 있다.
도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 화소 회로부(PCL)의 화소 구동 회로(PC)를 나타낸 도면이다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(1)에 포함된 화소 회로부(PCL)는 화소 구동 회로(PC)를 포함할 수 있다.
상기 화소 구동 회로(PC)는 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 ~ T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 상기 화소 구동 회로(PC)는 발광 소자(OLED)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전원(ELVDD)과 접속되고, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(OLED)의 애노드 전극에 접속될 수 있다. 상기 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전압에 관한 정보를 기초로 상기 제1 전원(ELVDD)으로부터 상기 발광 소자(OLED)를 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류 데이터를 제어할 수 있다. 상기 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터일 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 j번째 데이터 라인(Dj) 사이에 접속될 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 i번째 스캔 라인(Si)에 접속될 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 i번째 스캔 라인(Si)으로부터 스캔 신호가 인가되는 경우 턴-온되고, j번째 데이터 라인(Dj)과 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터일 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 상기 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 상기 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 스캔 라인(Si)으로부터 게이트-온 전압의 스캔 신호가 인가될 때 턴-온되고, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 상기 제1 노드(N1)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 결국 상기 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 때, 상기 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 상기 제1 노드(N1)와 초기화 전원(Vint)이 인가되는 초기화 전원 라인(IPL) 사이에 접속될 수 있다. 상기 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 i-1번째 스캔 라인(Si-1)에 접속될 수 있다. 상기 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 스캔 라인(Si-1)으로 스캔 신호가 인가될 때 턴-온되어 상기 제1 노드(N1)로 초기화 전원(Vint)의 전압을 공급할 수 있다. 상기 제4 트랜지스터(T4)는 초기화 트랜지스터일 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 상기 제1 전원(ELVDD)이 인가되는 전원 라인(PL)과 상기 제1 트랜지스터(T1) 사이에 접속될 수 있다. 상기 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 i번째 발광 제어 라인(Ei)에 접속될 수 있다. 상기 제5 트랜지스터(T5)는 i번째 발광 제어 라인(Ei)으로부터 게이트-오프 전압의 발광 제어 신호가 인가될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우 턴-온될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 상기 제1 트랜지스터(T1)와 상기 발광 소자(OLED) 사이에 접속될 수 있다. 상기 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 i번째 발광 제어 라인(Ei)에 접속될 수 있다. 상기 제6 트랜지스터(T6)는 i번째 발광 제어 라인(Ei)으로부터 게이트-오프 전압의 발광 제어 신호(예를 들어, 하이 레벨 전압)가 인가될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우 턴-온될 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 상기 초기화 전원 라인(IPL)과 상기 발광 소자(OLED)의 제1 전극(일 예에 따르면, 상기 제1 전극은 애노드 전극일 수 있음) 사이에 접속될 수 있다. 상기 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 i+1번째 스캔 라인(Si+1)에 접속될 수 있다. 상기 제7 트랜지스터(T7)는 i+1번째 스캔 라인(Si+1)으로부터 게이트-온 전압(예를 들어, 로우 레벨 전압)의 스캔 신호가 인가될 때 턴-온되어 상기 초기화 전원(Vint)의 전압을 상기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극으로 공급할 수 있다. 상기 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극에 인가되는 신호는 i번째 스캔 라인(Si)으로부터 인가되는 게이트-온 전압의 스캔 신호와 동일한 타이밍의 신호일 수 있다.
이 때, 상기 초기화 전원(Vint)의 전압은 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 상기 초기화 전원(Vint)의 전압은 데이터 신호의 최저 전압 이하로 설정될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 상기 제1 전원(ELVDD)이 인가되는 전원 라인(PL)과 상기 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호 및 상기 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압에 대응되는 전압에 관한 정보를 저장할 수 있다.
발광 소자(OLED)의 애노드 전극은 상기 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여, 상기 제1 트랜지스터(T1)와 접속될 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)의 캐소드 전극은 상기 제2 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다.
상기 발광 소자(OLED)는 상기 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류량에 대응하는 소정의 휘도의 광을 발산할 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)로 전류가 흐를 수 있도록, 상기 제1 전원(ELVDD)의 전압 값은 상기 제2 전원(ELVSS)의 전압 값보다 높게 설정될 수 있다.
상기 발광 소자(OLED)는 상술한 바와 같이 유기 발광 다이오드일 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)는 적색, 녹색, 청색 및 백색 중 적어도 어느 하나의 색의 광을 발산할 수 있다.
이하에서는 도 5 내지 도 8을 참조하여, 상기 센서(SR) 및 상기 표시 패널(DP)을 포함한 상기 표시 장치(1)의 상세한 개별 구조에 관하여 후술하도록 한다.
도 5 내지 도 8은 각각 도 1의 Ⅰ ~ Ⅰ'선에 따른 단면도이다. 도 5 내지 도 8에 있어서, 설명의 편의를 위해 도 4에 도시된 제1 내지 제7 트랜지스터(T1~T7) 중 제2 트랜지스터 및 제6 트랜지스터에 대응하는 부분의 단면만을 도시하였다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(1)는 베이스 부(BS), 표시 패널(DP) 및 커버 패널(PTL)을 더 포함할 수 있다.
베이스 부(BS) 상에는 센서(SR)가 위치할 수 있다. 상기 베이스 부(BS)는 기판 형태로 제공될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 베이스 부(BS)는 브라켓, 케이스 등과 같은 플라스틱 또는 금속 소재를 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 기판(SUB), 화소 회로부(PCL), 표시 소자부(DPL), 박막 봉지막(TFE)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 상기 표시 장치(1)의 목적에 따라 경성(rigid) 소재 혹은 가요성(flexible) 소재를 포함할 수 있다. 가요성 소재는, 예를 들어, 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리아세테이트(cellulose triacetate), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명의 실시예에 적용되는 기판(SUB)의 소재는 특정 예시에 한정되지 않는다.
상기 기판(SUB)은 상기 베이스 부(BS)와 대향할 수 있다. 상기 기판(SUB)은 상기 베이스 부(BS)와 적어도 이격될 수 있다. 다만, 실시예에 따라 상기 기판(SUB)은 상기 베이스 부(BS)와 접촉될 수 있으며, 상술된 실시 형태에 한정되지 않는다.
화소 회로부(PCL)는 상기 기판(SUB) 상에 위치할 수 있다. 상기 화소 회로부(PCL)는 버퍼층(BFL), 게이트 절연막(GI), 제6 트랜지스터(T6), 제1 층간 절연막(ILD1), 제2 층간 절연막(ILD2), 제1 도전 라인(CL1), 제2 도전 라인(CL2), 제1 컨택홀(CH1) 및 보호막(PSV)을 포함할 수 있다.
버퍼막(BFL)은 상기 기판(SUB) 상에 위치할 수 있다. 상기 버퍼막(BFL)은 상기 제6 트랜지스터(T6)에 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 상기 버퍼막(BFL)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 알루미늄 산화물(AlOx) 등과 같은 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 실시 형태에 따라 상기 버퍼막(BFL)은 생략될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 상기 제1 표시 영역(A1) 내에 위치할 수 있다. 상기 제6 트랜지스터(T6)는 반도체 패턴(SCL), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다.
반도체 패턴(SCL)은 버퍼막(BFL) 상에 위치할 수 있다.
상기 반도체 패턴(SCL)은 반도체층일 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 반도체 패턴(SCL)은 폴리실리콘(polysilicon), 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon) 및 산화물 반도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(SCL)은 소스 전극(SE)과 접촉하는 제1 접촉 영역 및 드레인 전극(DE)과 접촉하는 제2 접촉 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 접촉 영역과 상기 제2 접촉 영역은 불순물이 도핑된 반도체 패턴일 수 있다. 상기 제1 접촉 영역과 상기 제2 접촉 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다. 상기 채널 영역은 불순물이 도핑되지 않은 진성 반도체 패턴일 수 있다.
상기 반도체 패턴(SCL) 상에 게이트 절연막(GI)이 제공될 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 무기 재료를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 게이트 절연막(GI)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 및 알루미늄 산화물(AlOx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 게이트 절연막(GI)은 유기 재료를 포함할 수도 있다.
게이트 전극(GE)은 상기 게이트 절연막(GI) 상에 위치할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)의 위치는 상기 반도체 패턴(SCL)의 채널 영역의 위치와 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 상기 반도체 패턴(SCL)의 채널 영역 상에 배치될 수 있다.
제1 층간 절연막(ILD1)은 상기 게이트 전극(GE) 상에 위치할 수 있다. 상기 제1 층간 절연막(ILD1)은 상기 게이트 절연막(GI)과 마찬가지로, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 및 알루미늄 산화물(AlOx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제1 층간 절연막(ILD1) 상에 위치할 수 있다. 상기 소스 전극(SE)은 게이트 절연막(GI)과 제1 층간 절연막(ILD1)을 관통하여 상기 반도체 패턴(SCL)의 제1 접촉 영역과 접촉하고, 상기 드레인 전극(DE)은 상기 게이트 절연막(GI)과 상기 제1 층간 절연막(ILD1)을 관통하여 상기 반도체 패턴(SCL)의 제2 접촉 영역과 접촉할 수 있다.
상술한 실시예에서, 상기 제6 트랜지스터(T6)의 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 상기 게이트 절연막(GI)과 제1 층간 절연막(ILD1)을 관통하여 상기 반도체 패턴(SCL)과 전기적으로 연결되는 별개의 전극으로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 따라, 상기 제6 트랜지스터(T6)의 소스 전극(SE)은 상기 반도체 패턴(SCL)의 채널 영역에 인접한 제1 및 제2 접촉 영역들 중 하나의 접촉 영역일 수 있으며, 상기 제6 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 패널(SCL)의 채널 영역에 인접한 제1 및 제2 접촉 영역들 중 나머지 접촉 영역일 수 있다. 이 경우, 제6 트랜지스터(T6)의 드레인 단자(DE)는 컨택 전극(contact electrode) 등을 포함한 별도의 연결 수단을 통해 발광 소자부(DPL)의 일부 구성에 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 층간 절연막(ILD2)은 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 상에 위치할 수 있다. 상기 제2 층간 절연막(ILD2)은 상기 제1 층간 절연막(ILD1) 및 게이트 절연막(GI)과 마찬가지로, 무기 재료를 포함할 수 있다. 무기 재료로는, 상기 제1 층간 절연막(ILD1) 및 게이트 절연막(GI)의 구성 물질로 예시된 물질들, 일 예로, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 및 알루미늄 산화물(AlOx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 제2 층간 절연막(ILD2)은 유기 재료를 포함할 수도 있다.
제1 도전 라인(CL1)은 제2 층간 절연막(ILD2) 상에 위치하며, 제2 층간 절연막(ILD2)을 관통하는 컨택 홀을 통해 상기 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 도전 라인(CL2)은 제2 층간 절연막(ILD2) 상에 위치하며, 상기 제2 층간 절연막(ILD2)을 관통하는 컨택 홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 도전 라인(CL1) 및 제2 도전 라인(CL2)은 전기적 신호가 흐를 수 있는 경로일 수 있다. 특히, 제2 도전 라인(CL2)은 트랜지스터(T)의 드레인 전극(DE)과 발광 소자부(DPL)의 일부 구성을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극일 수 있다. 일 예에 의하면, 제1 도전 라인(CL1) 및 제2 도전 라인(CL2)은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 은(Ag) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
보호막(PSV)은 상기 제1 도전 라인(CL1) 및 상기 제2 도전 라인(CL2) 상에 제공될 수 있다. 상기 보호막(PSV)은 유기 절연막, 무기 절연막, 또는 상기 무기 절연막 상에 배치된 상기 유기 절연막을 포함하는 형태로 제공될 수 있다.
상기 보호막(PSV)은 제2 도전 라인(CL2)의 일 영역을 노출하는 제1 컨택 홀(CH1)을 포함할 수 있다.
상기 제1 컨택홀(CH1)은 제6 트랜지스터(T6)로부터 제공된 전기적 신호가 전달되는 경로일 수 있다.
상기 표시 소자부(DPL)는 화소 정의막(PDL) 및 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 발광 소자(OLED)가 배열되는 위치를 정의할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 유기 재료를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 화소 정의막(PDL)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
발광 소자(OLED)는 제1 전극(AE), 발광층(EML) 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)는 상기 제1 표시 영역(A1) 내의 상기 보호막(PSV) 상에 위치할 수 있다.
이 때, 제1 및 제2 전극들(AE, CE) 중 하나의 전극은 애노드 전극일 수 있으며, 나머지 전극은 캐소드 전극일 수 있다. 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 다이오드인 경우, 상기 제1 전극(AE)이 반사형 전극일 수 있고, 상기 제2 전극(CE)이 투과형 전극일 수 있다. 이하에서는, 상기 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 다이오드이며, 상기 제1 전극(AE)이 애노드 전극인 경우를 예로서 설명한다.
제1 전극(AE)은 상기 제1 표시 영역(A1) 내의 상기 보호막(PSV) 상에 위치할 수 있다. 상기 제1 전극(AE)은 상기 제1 컨택홀(CH1)을 통해 상기 제2 도전 라인(CL2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(AE)은 광을 반사시킬 수 있는 반사막(미도시) 또는 상기 반사막의 상부 또는 하부에 배치되는 투명 도전막(미도시)을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 제1 전극(AE)은 ITO(indium tin oxide)로 이루어진 하부 투명 도전막, 하부 투명 도전막 상에 제공되며 은(Ag)으로 이루어진 반사막, 및 반사막 상에 제공되며 ITO(indium tin oxide)로 이루어진 상부 투명 도전막을 포함한 다중막으로 구성될 수 있다. 상기 투명 도전막 및 상기 반사막 중 적어도 하나는 제6 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
발광층(EML)은 화소 정의막(PDL)에 의해 정의되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 발광층(EML)은 광이 발산되는 발광 영역(EMA)을 정의할 수 있다. 상기 발광층(EML)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 발광층(EML)은 적어도 광 생성층(light generation layer)을 포함하는 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 상기 발광층(EML)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer), 정공의 수송성이 우수하고 광 생성층에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 발하는 광 생성층(light generation layer), 광 생성층에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하기 위한 정공 억제층(hole blocking layer), 전자를 상기 광 생성층으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer)을 구비할 수 있다. 상술한 바와 같이 상기 발광층(EML)에 전기적 신호가 인가되는 경우, 광이 발산될 수 있다. 상기 발광층(EML)에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(green), 청색(blue) 및 백색(white) 중 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 발광층(EML)에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 하나일 수도 있다.
제2 전극(CE)은 상기 발광층(EML) 상에 제공될 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 상기 제1 표시 영역(A1) 상에 판(plate) 형태로 제공될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 제2 전극(CE)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(gallium doped zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(fluorine doped tin oxide) 중 하나의 투명 도전성 산화물과 같은 투명 도전성 재료(또는 물질)를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 발광 소자(OLED)가 후면 발광형 유기 발광 다이오드인 경우 상기 제2 전극(CE)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투명 도전성 재료(또는 물질)를 포함할 수 있다.
박막 봉지막(TFE)은 제2 전극(CE) 상에 위치할 수 있다. 상기 박막 봉지막(TFE)은 상기 발광 소자(OLED)를 커버하는 복수의 절연막을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 박막 봉지막(TFE)은 적어도 하나의 무기막 및/또는 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지막(TFE)은 무기막 및 유기막이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다.
커버 패널(PTL)은 상기 기판(SUB)의 배면 상에 위치할 수 있다. 상기 커버 패널(PTL)은 방열층(HSL) 및 쿠션층(CUS)을 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 방열층(HSL)은 상기 쿠션층(CUS)의 하부면에 위치하는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않는다. 실시예에 따라, 상기 쿠션층(CUS)이 상기 방열층(HSL)의 하부면에 위치할 수도 있다.
쿠션층(CUS)은 탄성 변형 가능한 물질을 포함하여, 표시 장치(1)에 대해 인가되는 외부 충격을 완화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 쿠션층(CUS)은 열가소성 탄성 중합체(thermoplastic elastomer), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리올레핀(polyolefin), 폴리우레탄 열가소성 탄성 중합체(polyurethane thermoplastic elastomers), 폴리아미드(polyamides), 합성고무(synthetic rubbers), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리부타디엔(polybutadiene), 폴리이소부티렌(polyisobutylene), 폴리(스티렌-부타디엔-스티렌)[poly(styrene-butadiene styrene)], 폴리우레탄(polyurethanes), 폴리클로로프렌(polychloroprene), 폴리에틸렌(polyethylene), 실리콘(silicone), 등 및 이들의 조합들을 포함할 수 있으나, 상술한 예들에 한정되는 것은 아니며 탄성력을 갖는 물질들 중 표시 패널(DP)의 영상 표시에 영향을 미치지 않는 범위 내에서 적합한 물질이 선택될 수 있다.
방열층(HSL)은 표시 장치(1)의 개별 구성에 대해 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 방열층(HSL)은 열 전도도가 높은 물질을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 방열층(HSL)은 그라파이트(graphite)를 포함할 수 있다.
상기 방열층(HSL)은 열 뿐만 아니라, 광이 인가되는 경우, 높은 광 흡수도를 가질 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 방열층(HSL)은 그라파이트를 포함할 수 있다. 이로 인해, 상기 방열층(HSL)은 일반적으로 어두운 색상을 가지게 되고, 결국 높은 광 흡수도를 가지게 된다.
센서(SR)는 상기 베이스 부(BS) 상에 배열될 수 있다.
상기 센서(SR)는 상기 표시 패널(DP)의 제2 표시 영역(A2)과 대응되도록 상기 베이스 부(BS) 상에 위치할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 제2 표시 영역(A2)의 광 투과율은 상기 제1 표시 영역(A1)의 광 투과율보다 높을 수 있다. 이로 인해, 상기 제2 표시 영역(A2)에 인가되는 광은 손실이 최소화되어 상기 센서(SR)에 제공될 수 있다.
하지만 실시 형태에 따라, 상기 센서(SR)는 상기 제1 표시 영역(A1) 내에 위치할 수 있으며, 상기 센서(SR)의 위치는 상술된 특정 영역에 한정되지 않는다. 이하에서는, 상기 센서(SR)가 상기 제2 표시 영역(A2) 내에 위치하는 것을 기준으로 서술하도록 한다.
본 명세서에서 정의되는 제2 표시 영역(A2)은 투과 영역으로 지칭될 수 있다.
구체적으로 상기 제2 표시 영역(A2)에 대응되는 복수의 절연막들(예컨대, 제1 층간 절연막(ILD1), 제2 층간 절연막(ILD2) 등)은 인가된 광을 투과시킬 수 있다. 상기 표시 영역(A2)에 대응되는 개별 층의 굴절률은 각각 인접한 층의 굴절률과 서로 상이할 수 있다.
도 6을 참조하면, 실시 형태에 따라 표시 장치(1)는 상기 제2 표시 영역(A2) 내에 위치한 제3 도전 라인(CL3)을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 도전 라인(CL3)은 상기 제2 표시 영역(A2) 내의 제2 층간 절연막(ILD2) 상에 배열될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 센서(SR)가 조도 센서 외 센싱 기능을 수행하는 구성(예를 들어 근접 센서)인 경우, 상기 제2 표시 영역(A2) 내에 상기 제3 도전 라인이(CL3)이 구비될 수 있다.
상기 제3 도전 라인(CL3)은 도 4를 참조하여 상술한 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극 혹은 초기화 전원 라인(IPL)일 수 있다. 혹은 상기 제3 도전 라인(CL3)은 화소(PXL)에 포함된 개별 구성 중 어느 하나를 전기적으로 연결하기 위한 배선을 의미할 수 있다.
하지만 공정 조건 등 실시 형태에 따라, 상기 제3 도전 라인(CL3)에 대응되는 기능을 수행하는 구성은 상기 제2 표시 영역(A2) 내에 위치하지 않을 수 있으며, 도면 혹은 상술된 실시 형태에 한정되지 않는다.
도 7을 참조하면, 실시 형태에 따라 상기 표시 장치(1)는, 상기 제2 표시 영역(A2) 내에서 투과하는 광의 손실을 최소화 하기 위해 개구부(OPN)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(OPN)는 상기 제2 표시 영역(A2)에 대응되는 절연막의 일부를 제거하는 방식으로 형성될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 개구부(OPN)는 제1 층간 절연막(ILD1), 제2 층간 절연막(ILD2) 및 보호막(PSV)의 일부가 제거되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 개구부(OPN)가 상기 제2 표시 영역(A2) 내에 형성되는 경우, 중간층(CTL)이 상기 개구부(OPN)를 채우는 형태로 제공될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 중간층(CTL)은 투과되는 광의 손실이 최소화되도록 하는 에어(air) 층 혹은 광학용 투명 접착층(Optically Clear Adhesive)일 수 있다. 하지만 상기 중간층(CTL)의 실시 형태는 상술된 예시에 한정되지 않는다.
도 8을 참조하면, 실시 형태에 따라 상기 표시 장치(1)는, 상기 제2 표시 영역(A2) 내에서 투과하는 광의 손실을 최소화 하기 위해 개구부(OPN)를 포함하되, 상기 박막 봉지막(TFE)이 상기 개구부(OPN)의 내부를 채우는 형태로 제공될 수 있다. 이 경우, 상기 박막 봉지막(TFE)은 상기 개구부(OPN)를 관통하는 광의 손실을 최소화하기 위해 광 투과성이 높은 물질을 포함할 수 있다.
상기 센서(SR)는 인가받은 광에 관한 정보를 획득할 수 있는 광학 모듈일 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 센서(SR)는 광학 지문 센서, 조도 감지 센서, 카메라 모듈, 이미지 캡쳐 장치, 스트로브, 광 센서, 근접 센서, 인디케이터, 또는 솔라 패널 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 센서(SR)는 상기 방열층(HSL)이 위치하지 않는 영역에 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상술한 바와 같이 상기 방열층(HSL)은 높은 광 흡수도를 가질 수 있다. 이로 인해, 상기 방열층(HSL)에 대응하는 영역(예컨대, 상기 제1 표시 영역(A1))으로부터 제공되는 광의 대부분은 상기 방열층(HSL)에 흡수될 수 있다. 상기 센서(SR)는 광 정보를 인식하기 위한 구성으로서, 상기 센서(SR)가 위치한 영역에 대응되는 영역(예컨대 상기 제2 표시 영역(A2))에는 상기 방열층(HSL)이 위치하지 않을 수 있다.
상기 센서(SR)의 위치에 대응되는 상기 기판(SUB)의 배면 상에는 반사 저감 부재(100)가 위치할 수 있다. 상기 반사 저감 부재(100)는 상기 제2 표시 영역(A2)의 상부면을 통해 제공되는 광의 반사량을 저감시킬 수 있다.
상기 반사 저감 부재(100)의 영역은 상기 제2 표시 영역(A2)에 대응될 수 있다. 상기 반사 저감 부재(100)의 영역은 상부에서 볼 때, 상기 센서(SR)의 영역과 비교할 때, 동일하거나 넓을 수 있다.
상기 반사 저감 부재(100)는 외광에 대한 반사광을 저감시키기 위한 구성일 수 있다.
본 명세서에서 정의되는 외광은 표시 장치(1)의 외부로부터 인가되는 광을 의미할 수 있다. 일 실시 형태에 의하면, 상기 외광은 제2 표시 영역(A2)을 통해 상기 표시 장치(1)의 내부 영역에 제공될 수 있다.
본 명세서에서 정의되는 내광은 표시 장치(1)의 내부에서 발생되는 광을 의미할 수 있다. 일 실시 형태에 의하면, 상기 내광은 표시 소자부(DPL)에 포함된 발광 소자(OLED)로부터 출력되는 광을 의미할 수 있다.
상기 반사 저감 부재(100)는 표시 패널(DP)을 향할 수 있는 상기 외광에 대한 반사광을 감소시킬 수 있다.
구체적으로, 제2 표시 영역(A2)으로부터 인가된 외광은 제3 방향(DR3)을 따라 센서(SR)에 제공될 수 있다. 상기 반사 저감 부재(100)가 구비되지 않는 경우, 상기 센서(SR)와 대향하는 기판(SUB)의 일 면에서는 상기 외광에 대한 반사광이 출력될 수 있다. 이 경우, 출력된 반사광이 화소 회로부(PCL)에 제공되어, 상기 화소 회로부(PCL)의 트랜지스터(T)를 포함한 개별 구성의 열화가 발생될 수 있다.
결국 상기 반사 저감 부재(100)에 의하면, 상기 내광에 의한 상기 표시 장치(1) 내의 개별 구성에 대한 영향을 감소 시킬수도 있으나, 특히 상기 외광에 의해 발생된 반사광에 의한 상기 표시 장치(1) 내의 개별 구성에 대한 영향을 더욱 감소시킬 수 있다.
이하에서는 반사 저감 부재(100)의 상세한 구조 및 그에 따른 효과에 관하여 간략화된 도면을 참조하여 서술하도록 한다.
도 9 내지 도 18은 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치의 반사 저감 부재에 관한 구조를 설명하기 위한 개략도이다.
도 9 내지 도 18은 설명의 편의성을 위해 도 5를 참조하여 상술한, 표시 장치(1)의 내부 개별 구성을 간략히 표시하였다.
도 9 내지 도 11에 따른 표시 장치(1)에 적용된 반사 저감 부재(100)는 AR 코팅(Anti-reflective coating)일 수 있다.
AR 코팅은 특정 구성의 일 표면에 반사 방지 기능을 구비한 조성물을 도포한 것을 의미할 수 있다. 여기서 도포되는 조성물은 낮은 반사율과 높은 투과율을 가질 수 있다. AR 코팅은 단일층 혹은 복합층으로 구현될 수 있다. 일 예에 따르면, AR 코팅에 이용되는 조성물은 SiO2, ZiO2, Al2O3, TiO2 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 하지만 AR 코팅에 관한 내용 상술된 예시에 한정되지 아니하며, 공지된 다양한 AR 코팅 조성물 혹은 실시 형태가 본 발명에 적용될 수 있다.
본 명세서에서, AR 코팅은 반사 방지막으로 지칭될 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 제2 표시 영역(A2)에 인가된 외광은 제1 반사 방지막(120)에 제공될 수 있다.
상기 센서(SR)는 상부에서 볼 때 상기 제2 표시 영역(A2) 내에 배열될 수 있다. 상기 센서(SR)는, 상대적으로 큰 면적을 가지는 상기 제2 표시 영역(A2)으로부터 외광을 인가받음으로써, 많은 양의 광을 인가받을 수 있고, 결국 센싱하는 광에 관한 정보의 정확도가 향상될 수 있다. 하지만 광이 인가될 수 있는 면적이 넓어짐에 따라, 제공되는 광량이 증가되어 반사광의 양이 증가되는 문제가 발생될 수 있다.
상기 제2 표시 영역(A2)의 면적은 상기 제1 반사 방지막(120)의 면적에 대응될 수 있다. 상기 제2 표시 영역(A2)의 면적은 상기 센서(SR)의 상부면의 면적보다 클 수 있다. 상기 제1 반사 방지막(120)의 면적은 적어도 상기 센서(SR)의 상부면의 면적보다 클 수 있다. 상기 제1 반사 방지막(120)의 영역이 상기 센서(SR)보다 넓은 면적을 커버함으로써, 상기 화소 회로부(PCL) 내지 상기 표시 소자부(DPL)에 인가될 수 있는 외광에 대한 반사광의 양이 감소될 수 있다.
상기 센서(SR)와 상기 제1 반사 방지막(120) 사이에는 소정의 에어 갭(air gap)이 형성될 수 있다.
상기 제1 반사 방지막(120)과 상기 센서(SR)는 서로 적어도 일부가 이격될 수 있다. 이로 인해, 상기 센서(SR)에 관한 공정과 상기 제1 반사 방지막(120)에 관한 공정은 별개로 수행될 수 있어, 공정 설계 상 편의성이 증대될 수 있다.
도 10을 참조하면, 표시 장치(1)는 제2 반사 방지막(140)을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 반사 방지막(140)은 상기 제1 반사 방지막(120)과 마찬가지로 AR 코팅일 수 있다.
상기 제2 반사 방지막(140)은 상기 제1 반사 방지막(120)과 대향할 수 있다. 상기 제2 반사 방지막(140)은 상기 센서(SR)의 상기 제1 반사 방지막(120)과 마주보는 면 상에 위치할 수 있다. 일 예로, 상기 제2 반사 방지막(140)은 커버 패널(PTL)이 위치하지 않는 상기 기판(SUB)의 일 면 상에 제공될 수 있다. 상기 제2 반사 방지막(140)은 적어도 상기 센서(SR)의 상부면을 모두 덮을 수 있다.
상기 제2 반사 방지막(140)이 상기 센서(SR) 상에 코팅됨으로써, 상기 센서(SR)의 상부면에서 발생될 수 있는 외광에 대한 반사광의 발생량이 저감될 수 있다.
상기 제1 반사 방지막(120)의 면적은 상기 제2 반사 방지막(140)의 면적보다 더 클 수 있다. 이로 인해 상기 제2 반사 방지막(140)에서 발생될 수 있는 소량의 광 반사가 발생되는 경우에도, 발생된 반사광이 상기 화소 회로부(PCL) 혹은 상기 표시 소자부(DPL)에 인가되는 것이 방지될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 제1 반사 방지막(120)의 영역은 상기 제2 반사 방지막(140)의 영역과 대응될 수 있다. 상기 제1 반사 방지막(120)의 영역은 상부에서 볼 때, 상기 제2 반사 방지막(140)의 면적과 동일할 수 있다.
상기 제1 반사 방지막(120)과 상기 제2 반사 방지막(140) 사이에는 에어 갭(160)이 형성될 수 있다.
상기 제2 반사 방지막(140)은 상기 커버 패널(PTL)과 제1 방향(DR1)을 기준으로 할 때 서로 인접할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 반사 방지막(120)의 영역이 상기 제2 반사 방지막(140)의 영역보다 넓은 것과 유사하게, 상기 제2 반사 방지막(140)에서 발생될 수 있는 외광에 대한 반사광으로 인해 발생될 수 있는 표시 장치(1) 내의 개별 구성에 대한 영향이 감소될 수 있다.
즉 상기 제2 반사 방지막(140)의 소정의 면에서 반사광이 발생되는 경우, 발생된 반사광은 상기 제1 반사 방지막(120)을 향하거나, 상기 커버 패널(PTL)에 향할 수 있고, 결국 상기 화소 회로부(PCL) 혹은 상기 표시 소자부(DPL)에 대한 영향이 감쇄될 수 있다.
도 11에 따른 제1 반사 방지막(120) 및 제2 반사 방지막(140)이 포함된 표시 장치(1)는, 종래 표시 장치와 비교할 때 개선된 반사율을 가질 수 있다. 상기 제1 반사 방지막(120) 및 상기 제2 반사 방지막(140)을 구비하되, 상기 제1 반사 방지막(120)의 영역이 상기 제2 반사 방지막(140)의 영역과 대응하는 표시 장치(1)는, 소정의 외광이 인가되는 경우, 3.5% 내지 4.5%의 반사율을 가질 수 있다. 바람직한 실시 형태에 의하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 3.99%의 반사율을 가질 수 있다.
이에 반해, 반사 방지막이 구비되지 않은 표시 장치는, 반사 저감 부재(100)이 포함되지 않은 표시 장치의 센서(SR)에 대해 외광이 인가되는 경우 7.46%의 반사율을 가질 수 있다. 결국 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(1)는 제1 반사 방지막(120) 및 제2 반사 방지막(140)을 가짐으로써, 개선된 반사율을 가짐을 의미할 수 있다.
도 12를 참조하면, 제1 반사 방지막(120)은 상기 기판(SUB)의 배면 상에 코팅되되, 상기 센서(SR)의 상부면에 코팅될 수 있다. 이 때, 상기 제1 반사 방지막(120)의 제1 면은 상기 기판(SUB)과 접하되, 상기 제1 반사 방지막(120)의 제2 면은 상기 센서(SR)와 접할 수 있다. 이 때, 상기 제2 면은 상기 제1 면에 대한 배면일 수 있다. 이 경우, 상기 센서(SR)와 상기 기판(SUB) 사이에는 에어 갭이 형성되지 않을 수 있다.
상기 기판(SUB)과 상기 센서(SR) 사이에 상기 제1 반사 방지막(120)이 포함되되, 에어 갭이 형성되지 않는 경우, 인가되는 광에 대한 반사광의 양이 감소될 수 있다.
도 13 내지 도 15에 적용된 반사 저감 부재(100)는 충진재(220)일 수 있다.
상기 충진재(220)는 미리 정해진 수치 이상의 투과율을 갖는 무색의 물질을 일 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 충진재(220)는 에폭시, 우레탄 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 또는 실리콘 류(예를 들어, 비스페놀 A 타입 에폭시, 싸이클로 알리파틱 에폭시 레진, 페닐 실리콘 레진, 고무, 아크릴 에폭시 레진, 알리파틱 우레탄 아크릴레이트 등) 계열의 수지를 포함할 수 있다. 혹은 상기 충진재(220)는 헥사메틸디실록산(Hexamethyldisiloxane), 옥타메틸트리실록산(Octamethyltrisiloxane), 데카메틸테트라실록산(Decamethyltetrasiloxane), 도데카메틸펜타실록산(Dodecamethylpentasiloxane) 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxanes)으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함할 수 있다.
하지만 상기 충진재(220)의 종류는 상술된 예시에 한정되지 않으며, 공지된 다양한 충진재가 적용될 수 있다.
도 13을 참조하면, 충진재(220)는 기판(SUB)의 배면 상에 위치할 수 있다. 일 예로, 상기 충진재(200)는 커버 패널(PTL)이 위치하지 않는 상기 기판(SUB)의 배면 상에 위치할 수 있다.
상기 충진재(220)는 센서(SR)와 적어도 이격될 수 있다. 이로 인해, 상기 충진재(220)와 상기 센서(SR) 사이에는 소정의 에어 갭이 형성될 수 있다.
상기 센서(SR)는 상부에서 볼 때, 상기 충진재(220)와 대응되게 베이스 부(BS)의 일 면 상에 위치할 수 있다. 상기 충진재(200)는 제1 방향(DR1)을 기준으로 상기 센서(SR)보다 넓은 면적(또는 크기)을 가질 수 있다. 이로 인해 상기 화소 회로부(PCL) 및 표시 소자부(DPL)에 대한 반사광에 의한 영향(상기 충진재(220)의 하부 영역에서 발생되는 외광에 대한 반사광을 의미할 수 있음)이 저감될 수 있다.
상기 충진재(220)의 굴절률은 상기 기판(SUB)의 굴절률과 서로 상이할 수 있다.
상기 충진재(220)의 굴절률은 1.3 이상이고, 1.7 이하이면서, 상기 기판(SUB)의 굴절률은 1.4 이상이고, 1.6 이하일 수 있다.
상기 충진재(220)의 굴절률과 상기 기판(SUB)의 굴절률이 소정의 차이 이하를 가짐으로써, 상기 제2 표시 영역(A2)에 인가된 외광의 반사광의 양이 감소될 수 있다. 예를 들어, 상기 충진재(220)가 구비되지 않는 경우, 상기 센서(SR)와 상기 기판(SUB) 사이에 위치한 공기의 굴절률과 상기 기판(SUB)의 굴절률 차이는 0.4 이상 0.6 이하일 수 있다. 이 경우, 상술된 굴절률 차이로 인해 공기와 상기 기판(SUB) 사이 면에서 많은 양의 반사광이 출력될 수 있다.
도 14를 참조하면, 상기 충진재(220)와 상기 센서(SR) 사이에는 에어 갭이 형성되지 않을 수 있다.
공기의 굴절률은 약 1이고, 개별 구성은 적어도 1보다 큰 굴절률을 가질 수 있다. 상기 충진재(220)와 상기 센서(SR) 사이에 에어 갭이 형성되지 않는 경우, 상기 제2 표시 영역(A2)에 대응되는 층 간의 굴절률 차이는 감소되어, 인가된 외광에 대한 반사 정도는 감소될 수 있다.
구체적으로, 상기 충진재(220)와 접하는 상기 센서(SR)의 굴절률은 공기의 굴절률보다 적어도 더 클 수 있다. 결국, 상기 충진재(220)와 상기 센서(SR)와의 굴절률 차이가 상기 충진재(220)와 공기와의 굴절률 차이보다 적어도 더 작기 때문에, 상기 충진재(220)와 상기 센서(SR) 사이에 에어 갭이 형성되지 않을 때 외광에 대한 반사광의 출력량이 감소될 수 있다.
도 14에 따른 충진재(220)가 포함된 표시 장치는 종래 표시 장치와 비교할 때 개선된 반사율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상술한 바와 같이 반사 저감 부재(100)가 포함되지 않은 표시 장치는 소정의 외광이 센서(SR)에 인가되는 경우, 7.46%의 반사율을 가질 수 있다. 하지만 도 14에 도시된 바와 같이, 충진재(220)가 포함되되, 상기 충진재(220)와 상기 센서(SR) 사이에 에어 갭이 형성되지 않는 표시 장치(1)는, 소정의 광이 센서(SR)에 인가되는 경우 0.02%의 반사율을 가질 수 있다. 이는 도 14에 따른 충진재(220)를 구비한 표시 장치(1)가 종래 표시 장치에 비해 개선된 반사율을 가짐을 의미할 수 있다.
도 15를 참조하면, 상기 충진재(220)의 영역은 상기 센서(SR)의 영역과 대응될 수 있다. 상기 충진재(220)의 면적은 상부에서 볼 때, 상기 센서(SR)의 면적과 동일할 수 있다. 상기 충진재(220)와 상기 센서(SR) 사이에는, 도 15에 도시된 바와 같이 소정의 에어 갭이 형성될 수 있다.
도 15에 따른 충진재(220)가 포함된 표시 장치는, 종래 표시 장치와 비교할 때 개선된 반사율을 가질 수 있다. 충진재(220)가 포함되되, 상기 충진재(220)와 상기 센서(SR). 사이에 에어 갭이 형성되는 표시 장치(1)는, 소정의 외광이 센서(SR)에 인가되는 경우 7% 이하의 반사율을 가질 수 있다. 이러한 반사율은 충진재(220)가 포함되지 않은 표시 장치에서 진행된 실험에서 획득된 반사율 데이터인 7.46%보다 작은 값으로, 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(1)는 외광에 대한 개선된 반사율을 가짐을 의미할 수 있다.
상기 충진재(220)가 위치하지 않는 상기 기판(SUB)의 배면 상에는 상기 커버 패널(PTL)이 배열될 수 있다. 상기 기판(SUB)의 배면의 일 영역 상에는 상기 커버 패널(PTL)이 위치할 수 있고, 상기 기판(SUB)의 다른 영역 상에는 상기 충진재(220)가 위치할 수 있다.
이로 인해, 상기 센서(SR)의 상부면 상에서 발생된 반사광에 의한 상기 회로 소자부(PCL) 및/또는 상기 표시 소자부(DPL)에 대한 영향은, 상기 커버 패널(PTL) 혹은 상기 충진재(220)에 의해 방지될 수 있다.
도 16 내지 도 18에 적용된 반사 저감 부재(100)는 제1 반사 방지막(120) 혹은 제2 반사 방지막(140) 중 적어도 어느 하나를 포함하되, 충진재(220)를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(1)에 적용된 반사 저감 부재(100)는 제1 반사 방지 부재 및 제2 반사 방지 부재를 포함할 수 있다.
이 때, 상기 제1 반사 방지 부재는 충진재(220)일 수 있다. 상기 충진재(220)는 도 13 내지 도 15를 참조하여 상술한 바와 같이, 미리 정해진 수치 이상의 투과율을 갖는 무색의 물질일 수 있다.
이 때, 상기 제2 반사 방지 부재는 제1 반사 방지막(120) 혹은 제2 반사 방지막(140) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 즉 상술한 바와 같이 상기 제2 반사 방지 부재는 AR 코팅일 수 있다.
도 16을 참조하면, 충진재(220)는 기판(SUB)의 배면 상에 위치할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 상기 충진재(220)는 커버 패널(PTL)이 위치하지 않는 상기 기판(SUB)의 배면 상에 배치될 수 있다.
제2 반사 방지막(140)은 센서(SR)의 상부면 상에 위치할 수 있다. 상기 제2 반사 방지막(140)은 상기 센서(SR)의 상기 기판(SUB)을 향하는 면 상에 코팅될 수 있다.
상기 충진재(220)의 영역은 상기 센서(SR)의 영역에 대응될 수 있다. 상기 충진재(220)의 면적은, 상부에서 볼 때 상기 센서(SR)의 면적과 동일하거나 적어도 더 클 수 있다.
상기 제2 반사 방지막(140)의 영역은 상기 센서(SR)의 영역에 대응될 수 있다. 상기 제2 반사 방지막(140)의 면적은, 상부에서 볼 때 상기 센서(SR)의 면적과 동일하거나 적어도 더 클 수 있다.
상기 제2 반사 방지막(140)과 상기 충진재(220)는 상부에서 볼 때, 제2 표시 영역(A2) 내에 위치할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 제2 표시 영역(A2)을 통해서 외광이 인가될 수 있고, 상기 제2 반사 방지막(140)과 상기 충진재(220)가 연속적으로 배열되어, 상기 외광에 대한 반사광이 더욱 저감될 수 있다.
도 17을 참조하면, 충진재(220)와 제2 반사 방지막(140) 사이에는 소정의 에어 갭(180)이 형성될 수 있다. 상기 충진재(220)의 영역과 상기 제2 반사 방지막(140)의 영역은 서로 대응될 수 있다. 상기 충진재(220)의 면적은 상기 제2 반사 방지막(140)의 면적은 서로 동일하되, 상기 제2 반사 방지막(140)과 상기 충진재(220)는 물리적으로 적어도 이격되어, 소정의 에어 갭(180)이 제공될 수 있다.
도 18을 참조하면, 표시 장치(1)는 제2 반사 방지막(140) 없이 제1 반사 방지막(120) 및 충진재(220)를 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 방지막(120)은 기판(SUB)과 상기 충진재(220) 사이에 위치할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제1 반사 방지막(120)은 커버 패널(PTL)이 배치되지 않은 기판(SUB)의 배면 상에 코팅될 수 있다.
상기 충진재(220)는 상기 기판(SUB)과 센서(SR) 사이에 위치하되, 상기 제1 반사 방지막(120)과 상기 센서(SR) 사이에 위치할 수 있다.
실시 형태에 따라, 도면에 도시되지 않았으나 상기 충진재(220)는 상기 제1 반사 방지막(120)과 적어도 이격될 수 있다. 이 경우 상기 충진재(220)와 상기 제1 반사 방지막(120) 사이에는 에어 갭이 형성될 수 있다.
상기 충진재(220)의 면적 및 상기 제1 반사 방지막(120)의 면적은, 각각 상기 센서(SR)의 상부 면의 면적과 동일하거나 적어도 더 큰 값을 가질 수 있고, 이로 인해 제2 표시 영역(A2)으로부터 인가되는 외광에 대한 반사광의 양이 저감될 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 제1 반사 방지막(120), 제2 반사 방지막(140) 및 충진재(220)가 모두 제공될 수 있다. 일 실시 형태에 의하면, 제1 반사 방지막(120)은 상기 기판(SUB)의 배면 상에 위치하고, 상기 제2 반사 방지막(140)은 상기 센서(SR) 상에 위치하되, 상기 상기 충진재(220)가 상기 제1 반사 방지막(120)과 상기 제2 반사 방지막(140) 사이에 개재될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 이상에서 설명한 본 발명의 실시예들은 서로 별개로 또는 조합되어 구현되는 것도 가능하다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
SUB: 기판
BS: 베이스 부
PTL: 커버 패널
PCL: 화소 회로층
DPL: 표시 소자층
CL1, CL2: 제1 및 제2 도전 라인
T1 ~ T7: 제1 내지 제7 트랜지스터
TFE: 박막 봉지막
SR: 센서
100: 반사 저감 부재
120, 140: 제1 및 제2 반사 방지막
220: 충진재

Claims (20)

  1. 기판, 상기 기판의 일 면 상에 형성된 발광 소자 및 외부로부터 광이 투과되는 투과 영역을 포함하는 표시 패널;
    상기 기판의 타 면의 전방에 구비되고, 상기 투과 영역으로부터 인가되는 광에 관한 정보를 획득하는 센서; 및
    상기 센서와 상기 기판 사이에 위치하고, 인가되는 광에 대한 반사가 저감되도록 광을 투과시키는 반사 저감 부재; 를 포함하고,
    상기 반사 저감 부재는 상기 기판의 주면에 수직한 방향에서 볼 때, 상기 투과 영역과 대응되는,
    표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 센서의 위치는 적어도 상기 반사 저감 부재의 위치와 대응되는,
    표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 기판과 대향하는 베이스 부; 를 더 포함하고,
    상기 센서는 상기 베이스 부 상에 배치된,
    표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널이 위치하지 않는 상기 기판의 면 상에 위치하는 커버 패널을 더 포함하고,
    상기 커버 패널은 상기 센서와 겹치지 않는,
    표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 반사 저감 부재의 굴절률은 상기 기판의 굴절률과 서로 상이한,
    표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 반사 저감 부재의 굴절률은 1.3 이상이고 1.7 이하인,
    표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 반사 저감 부재는 미리 정해진 수치 이상의 투과율을 가지는 충진재를 포함하는,
    표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 반사 저감 부재는, 상기 반사 저감 부재와 상기 센서 사이에 에어 갭(air gap)이 형성되도록 상기 센서와 물리적으로 이격된,
    표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 반사 저감 부재는, 상기 반사 저감 부재와 상기 센서 사이에 에어 갭이 형성되지 않도록 상기 센서와 물리적으로 접촉하는,
    표시 장치.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 센서는, 상부에서 볼 때 상기 반사 저감 부재와 대응하는,
    표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 반사 저감 부재는, 상기 센서의 상기 기판을 향하는 면에 코팅된 제1 반사 방지막을 포함하고,
    상기 제1 반사 방지막은 AR 코팅(Anti-reflective coating)인,
    표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 반사 저감 부재는 상기 기판의 상기 센서를 향하는 면에 코팅된 제2 반사 방지막을 포함하고,
    상기 제2 반사 방지막은 AR 코팅인,
    표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지막이 위치한 영역은, 상부에서 볼 때 상기 제2 반사 방지막이 위치한 영역과 대응되는,
    표시 장치.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지막은 제1 면 및 상기 제1 면의 배면인 제2 면을 포함하고,
    상기 제1 면은 상기 기판과 접하고,
    상기 제2 면은 상기 센서와 접하는,
    표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 반사 방지막은, 상부에서 볼 때 상기 제1 반사 방지막이 위치한 영역 내에 배열되는,
    표시 장치.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지막과 상기 제2 반사 방지막 사이에 형성된 에어 갭을 포함하는,
    표시 장치.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 센싱부는, 광학 지문 센서, 조도 감지 센서, 근접 감지 센서, 카메라 모듈, 광 센서(light sensor) 중 적어도 어느 하나를 포함하는,
    표시 장치.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 반사 저감 부재는, 제1 반사 저감 부재 및 제2 반사 저감 부재를 포함하고,
    상기 제1 반사 저감 부재는 미리 정해진 수치 이상의 투과율을 가지는 충진재이고,
    상기 제2 반사 저감 부재는 AR 코팅인,
    표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 반사 저감 부재와 상기 제2 반사 저감 부재 사이에 형성된 에어 갭을 포함하는,
    표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제2 반사 저감 부재는 상기 센서 상에 코팅된,
    표시 장치.
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