TW202022452A - 顯示裝置及顯示裝置製造方法 - Google Patents

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李基準
安泰瓊
兪炳漢
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Abstract

本發明係提供一種顯示裝置，包括：顯示面板，顯示面板包括複數個像素區域；第一絕緣層，第一絕緣層配置於顯示面板上，具有第一折射率，在與複數個像素區域重疊的區域定義有複數個第一開口部；第二絕緣層，第二絕緣層直接配置於第一絕緣層上，在與複數個第一開口部的對應的區域定義有複數個第二開口部；及第三絕緣層，第三絕緣層覆蓋顯示面板、第一絕緣層及第二絕緣層，具有高於第一折射率的第二折射率；第三絕緣層在平面上可以與複數個像素區域重疊。

Description

顯示裝置及顯示裝置製造方法
本發明涉及顯示裝置，涉及一種提高了光效率的顯示裝置及提高了製程可靠性的顯示裝置的製造方法。
顯示裝置可以分為發光元件本身發光的自發光型顯示裝置或控制接收的光的透過率的受光型顯示裝置。自發光型顯示裝置例如可以是有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置的發光層生成的光不僅向正面方向，還可以向側面方向射出。光效率以向正面方向射出的光為基準決定。即，向側面方向射出的光會降低光效率。
技術問題
本發明目的是提供一種提高了光效率的顯示裝置及顯示裝置製造方法。
本發明目的是提供一種提高了製程可靠性的顯示裝置製造方法。
技術解決方案
本發明一個實施例的顯示裝置可以包括：顯示面板，顯示面板包括複數個像素區域；第一絕緣層，第一絕緣層配置於顯示面板上，具有第一折射率，在與複數個像素區域重疊的區域定義有複數個第一開口部；第二絕緣層，第二絕緣層直接配置於第一絕緣層上，在與複數個第一開口部的對應的區域定義有複數個第二開口部；及第三絕緣層，第三絕緣層覆蓋顯示面板、第一絕緣層及第二絕緣層，具有高於第一折射率的第二折射率；第三絕緣層在平面上可以與複數個像素區域重疊。
其中包括：配置於顯示面板上的第一導電層；及配置於第一導電層上的第二導電層。
其中包括配置於第一導電層與第二導電層之間的層間絕緣層，第一絕緣層可以配置於第二導電層上。
第一絕緣層及第二絕緣層可以配置於第一導電層與第二導電層之間。
第一導電層可以包括連接部，第二導電層可以包括感測器部，在第一絕緣層及第二絕緣層可以定義有觸碰接觸孔，連接部可以電性連接於感測器部。
感測器部可以分別具有網形狀，在平面上，感測器部可以與複數個像素區域非重疊。
第三絕緣層可以配置於第二導電層上，覆蓋第二導電層。
第一絕緣層可以包含第一有機物，第二絕緣層可以包含無機物，第三絕緣層可以包含第二有機物。
在複數個第一開口部及複數個第二開口部可以分別填充第三絕緣層。
在第一絕緣層，可以進一步定義有複數個第一輔助開口部，複數個第一輔助開口部可以環繞第一開口部中對應的第一開口部進行定義。
在第二絕緣層，可以進一步定義有複數個第二輔助開口部，複數個第二輔助開口部可以在與複數個第一輔助開口部對應的區域定義。
第一絕緣層的厚度可以厚於第二絕緣層的厚度。
第一折射率可以為1.45以上、1.55以下，第二折射率可以為1.60以上、1.70以下。
本發明一個實施例的顯示裝置製造方法可以包括：形成包括複數個像素區域的顯示面板的步驟；在顯示面板上形成具有第一折射率的第一預備層的步驟；在第一預備層上形成包含無機物的第二預備層的步驟；對第二預備層進行圖案化而形成掩模的步驟；利用掩模對第一預備層進行圖案化而形成第一絕緣層的步驟；及在掩模上形成具有高於第一折射率的第二折射率的覆蓋層的步驟。
形成顯示面板的步驟可以包括：形成基底層的步驟；在基底層上形成電路層的步驟；在電路層上形成發光層的步驟；及在發光層上形成封裝層的步驟。
可以進一步包括：在封裝層上形成緩衝層的步驟；在緩衝層上形成第一導電層的步驟；形成覆蓋第一導電層的層間絕緣層的步驟；及在層間絕緣層上形成第二導電層的步驟；第一預備層可以在第二導電層上形成。
形成掩模的步驟可以包括：在平面上，在與複數個像素區域重疊的第二預備層的區域形成複數個掩模開口部的步驟。
形成掩模的步驟可以進一步包括：形成與複數個掩模開口部一對一對應地環繞複數個掩模開口部的複數個輔助掩模開口部的步驟。
第一預備層可以包含第一有機物，覆蓋層可以包含第二有機物。
可以進一步包括：在封裝層上形成緩衝層的步驟；在緩衝層上形成第一導電層的步驟；及在第一導電層上形成第二導電層的步驟；掩模及第一絕緣層可以在第一導電層與第二導電層之間形成，覆蓋層可以在第二導電層上形成。
有益效果
根據本發明的實施例，顯示裝置包括定義有複數個開口部的低折射層、在低折射層上配置的無機層及填充於複數個開口部的高折射層。從顯示裝置的發光元件釋放的光在低折射層與高折射層的界面折射或全反射，光路徑會變更。借助於變更的光路徑，顯示裝置的發光效率可以提高。另外，複數個開口部借助於以無機層為掩模的蝕刻製程而形成，可以減小複數個開口部的傾斜度偏差，提高圖案化的精密度。因此，在高分辨率的顯示裝置中也可以容易地形成複數個開口部，而且可以減小光特性分散，提高顯示畫質。
在本說明書中，當提到某種構成要素（或區域、層、部分等）「在」、「連接於」或「結合於」另一構成要素上時，這意味可以直接配置/連接/結合於另一構成要素上，或在他們之間還可以配備有第三構成要素。
相同的附圖標記指稱相同的構成要素。另外，在附圖中，構成要素的厚度、比率及尺寸為了技術內容的有效說明而進行了誇大。
「及/或」全部包括相關構成可以定義的一個以上的組合。
第一、第二等術語可以用於說明多樣構成要素，但該構成要素不得由所述術語所限定。所述術語只用於將一個構成要素區別於其他構成要素的目的。例如，在不超出本發明的申請專利範圍的同時，第一構成要素可以命名為第二構成要素，類似地，第二構成要素也可以命名為第一構成要素。只要在文理上未明確地表示不同，單數的表現包括複數的表現。
另外，「下方」、「下側」、「上方」、「上側」等術語用於說明附圖中圖示的構成的相關關係。該術語作為相對性概念，以附圖中顯示的方向為基準說明。
只要未不同地定義，本說明書中使用的所有術語（包括技術術語及科學術語）與本發明所屬領域具有通常知識者一般理解的內容相同的意義。另外，與一般使用的詞典中定義的術語相同的術語，應解釋為具有與相關技術情境中的意義一致的意義，只要未解釋為理想性地或過於形式上的意義，便可以在此明示性地進行定義。
「包括」或「具有」等術語是要指定在說明書中記載的特徵、數字、步驟、動作、構成要素、部件或他們的組合的存在，應理解為不預先排除一個或其以上其他特徵或數字、步驟、動作、構成要素、部件或他們的組合的存在或附加可能性。
下面參照附圖，說明本發明的實施例。
第1圖是本發明一個實施例的顯示裝置的立體圖。
如果參照第1圖，顯示裝置DD既可在包括諸如電視機、顯示器或外部廣告板的大型電子裝置中使用，也可以在諸如個人電腦、筆記本電腦、個人數位終端、汽車導航儀、游戲機、便携電子設備及照相機的中小型電子裝置等中使用。另外，這些只是作為實施例而提出的，當然只要不超出本發明的概念，也可以在其他電子設備中採用。
在顯示裝置DD中，可以定義有顯示區域DA及非顯示區域NDA。
顯示圖像IM的顯示區域DA與由第一方向DR1和第二方向DR2定義的面平行。顯示區域DA的法線方向，即顯示裝置DD的厚度方向指示第三方向DR3。各構件的前面（或上面）與背面（或下面）根據第三方向DR3而區分。但是，第一至第三方向DR1、DR2、DR3指示的方向作為相對性概念，可以變換為其他方向。下面，第一至第三方向作為第一至第三方向DR1、DR2、DR3分別指示的方向，參照相同的附圖標記。
非顯示區域NDA作為鄰接顯示區域DA的區域，是不顯示圖像IM的區域。可以借助於非顯示區域NDA而定義顯示裝置DD的邊框區域。
非顯示區域NDA可以環繞顯示區域DA。不過，並不限於此，顯示區域DA的形狀和非顯示區域NDA的形狀可以相對地設計。
第2a圖至第2d圖是概略地顯示本發明一個實施例的顯示裝置DD的剖面圖。第2a圖至第2d圖圖示了第二方向DR2與第三方向DR3定義的剖面。第2a圖至第2d圖是為了說明構成顯示裝置DD的功能性構件的層疊關係而單純地圖示的。
本發明一個實施例的顯示裝置DD可以包括顯示面板、輸入感知感測器、防反射構件（anti-reflector）及窗口。顯示面板、輸入感知感測器、防反射構件及窗口中至少一部分的構成可以借助於連續製程而形成，或至少一部分的構成可以透過黏合構件而彼此結合。在第2a圖至第2d圖中，作為黏合構件，示例性地圖示了光學透明黏合構件OCA。以下說明的黏合構件可以包括通常的黏合劑或黏著劑。在本發明的一個實施例中，防反射構件及窗口可以以不同構成替代或省略。
在第2a圖至第2d圖中，輸入感知感測器、防反射構件及窗口中透過連續製程而與其他構成所形成的相應構成表現為「層」。輸入感知感測器、防反射構件及窗口中透過黏合構件而與其他構件結合的構成表現為「面板」。面板包括提供基礎面的基底層，例如包括合成樹脂膜、複合材料膜、玻璃基板等，但「層」可以省略基底層。換言之，表現為「層」的該單元配置於其他單元提供的基礎面上。
下面，輸入感知感測器、防反射構件、窗口可以根據基底層的有/無而指稱輸入感知面板ISP、防反射面板RPP、窗口面板WP或輸入感知層ISL、防反射層RPL、窗口層WL。
如第2a圖所示，顯示裝置DD可以包括顯示面板DP、輸入感知層ISL、防反射面板RPP及窗口面板WP。輸入感知層ISL直接配置於顯示面板DP。在本說明書中，「B的構成直接配置於A的構成上」，意味著在A的構成與B的構成之間不配置另外的黏合層/黏合構件。B 構成在形成A構成之後，在提供A構成的基礎面上透過連續製程形成。
包括顯示面板DP和直接配置於顯示面板DP上的輸入感知層ISL在內，可以定義為顯示模組DM。在顯示模組DM與防反射面板RPP之間、防反射面板RPP與窗口面板WP之間分別配置有光學透明黏合構件OCA。
顯示面板DP生成圖像，輸入感知層ISL獲得外部輸入（例如，觸碰事件）的座標資訊。雖然未獨立地圖示，但本發明一個實施例的顯示模組DM可以進一步包括配置於顯示面板DP下面的保護構件。保護構件與顯示面板DP可以透過黏合構件而結合。以下說明的第2b圖至第2d圖的顯示裝置DD也可以進一步包括保護構件。
本發明一個實施例的顯示面板DP可以為發光型顯示面板，並不特別地限制。例如，顯示面板DP可以為有機發光顯示面板或量子點發光顯示面板。有機發光顯示面板的發光層可以包含有機發光物質。量子點發光顯示面板的發光層可以包括量子點及量子棒等。下面，顯示面板DP以有機發光顯示面板進行說明。
防反射面板RPP使從窗口面板WP上側入射的外部光的反射率減小。本發明一個實施例的防反射面板RPP可以包括相位延遲片（retarder）及偏光片（Polarizer）。相位延遲片可以為薄膜型或液晶塗佈型，可以包括λ/2相位延遲片及/或λ/4相位延遲片。偏光片也可以為薄膜型或液晶塗佈型。薄膜型可以包括拉伸型合成樹脂膜，液晶塗佈型可以包括排列成既定矩陣的液晶。相位延遲片及偏光片可以進一步包括保護膜。相位延遲片（retarder）及偏光片（Polarizer）本身或保護膜可以定義為防反射面板RPP的基底層。
本發明一個實施例的防反射面板RPP可以包括彩色濾光片。彩色濾光片具有既定的排列。可以考慮顯示面板DP包括的像素的發光顔色而決定彩色濾光片的排列。防反射面板RPP可以進一步包括鄰接彩色濾光片的黑矩陣。
本發明一個實施例的防反射面板RPP可以包括相消干涉結構物。例如，相消干涉結構物可以包括在互不相同的層上配置的第一反射層和第二反射層。在第一反射層及第二反射層中分別反射的第一反射光和第二反射光可以相消干涉，因而外部光反射率減小。
本發明一個實施例的窗口面板WP包括基底層WP-BS及遮光圖案WP-BZ。基底層WP-BS可以包括玻璃基板及/或合成樹脂膜等。基底層WP-BS不限於單層。基底層WP-BS可以包括利用黏合構件結合的2個以上的膜。
遮光圖案WP-BZ部分地重疊於基底層WP-BS。遮光圖案WP-BZ配置於基底層WP-BS的背面，遮光圖案WP-BZ可以實質性地定義顯示裝置DD的非顯示區域NDA。未配置遮光圖案WP-BZ的區域可以定義顯示裝置DD的顯示區域DA。當限定為窗口面板WP時，配置了遮光圖案WP-BZ的區域定義為窗口面板WP的遮光區域，未配置遮光圖案WP-BZ的區域定義為窗口面板WP的透過區域。
遮光圖案WP-BZ可以具有多層結構。多層結構可以包括有色的彩色層和黑色的遮光層。有色的彩色層與黑色的遮光層可以透過沉積、印刷、塗覆製程而形成。雖然未獨立地圖示，窗口面板WP可以進一步包括配置於基底層WP-BS前面的功能性塗佈層。功能性塗佈層可以包括防指紋層、防反射層及硬塗層等。在下面參照的第2b圖至第2d圖中，窗口面板WP及窗口層WL不區分基底層WP-BS及遮光圖案WP-BZ地省略地進行圖示。
如第2b圖及第2c圖所示，顯示裝置DD可以包括顯示面板DP、輸入感知面板ISP、防反射面板RPP及窗口面板WP。輸入感知面板ISP與防反射面板RPP的層疊順序可以變更。
如第2d圖所示，顯示裝置DD可以包括顯示面板DP、輸入感知層ISL、防反射層RPL及窗口層WL。相比第2a圖圖示的顯示裝置DD，省略了光學透明黏合構件OCA，在顯示面板DP上提供的基礎面上，透過連續製程形成有輸入感知層ISL、防反射層RPL及窗口層WL。輸入感知層ISL與防反射層RPL的層疊順序可以變更。
第3圖是本發明一個實施例的顯示面板的俯視圖。
如果參照第3圖，顯示面板DP可以包括驅動電路GDC、複數個訊號線SGL（以下稱作訊號線）、複數個訊號焊盤DP-PD（以下寫作訊號焊盤）及複數個像素PX（以下寫作像素）。
顯示區域DP-DA可以定義為像素PX的配置的區域。像素PX分別包括有機發光二極管及與其連接的像素驅動電路。驅動電路GDC、訊號線SGL、訊號焊盤DP-PD及像素驅動電路可以包括於第5圖所示的電路層ML。
驅動電路GDC可以包括掃描驅動電路。掃描驅動電路生成複數個掃描訊號（以下寫作掃描訊號），掃描訊號依次輸出到後述的多條掃描線SL（以下寫作掃描線）。掃描驅動電路可以進一步向像素PX的驅動電路輸出另外的控制訊號。
掃描驅動電路可以包括透過與像素PX的驅動電路相同的製程，例如透過LTPS（Low Temperature Polycrystaline Silicon：低溫多晶矽）製程或LTPO（Low Temperature Polycrystalline Oxide：低溫多晶氧化物）製程形成的複數個薄膜電晶體。
訊號線SGL包括掃描線SL、資訊線DL、電源線PL、發光控制線ECL及控制訊號線CSL。
掃描線SL分別連接於像素PX中對應的像素PX，資訊線DL分別連接於像素PX中對應的像素PX。電源線PL連接於像素PX。發光控制線ECL分別連接於像素PX中對應的像素PX。控制訊號線CSL可以向掃描驅動電路提供控制訊號。
訊號線SGL可以重疊於顯示區域DP-DA及非顯示區域DP-NDA。訊號線SGL可以包括焊盤部及線部。線部重疊於顯示區域DP-DA及非顯示區域DP-NDA。焊盤部配置於線部的末端。焊盤部配置於非顯示區域DP-NDA，重疊於訊號焊盤DP-PD中對應的訊號焊盤。非顯示區域DP-NDA中的訊號焊盤DP-PD所配置的區域可以定義為焊盤區域DP-PA。焊盤區域DP-PA可以連接未圖示的電路基板。
第4圖是本發明一個實施例的像素PX的等效電路圖。在第4圖中，示例性圖示了連接於第i號掃描線SLi及第i號發光控制線ECLi的像素PX。
像素PX可以包括有機發光元件OLED及像素電路CC。像素電路CC可以包括複數個電晶體T1-T7及電容器CP。像素電路CC與資訊訊號相對應而控制流入有機發光元件OLED的電流量。
有機發光元件OLED可以對應於從像素電路CC提供的電流量而以既定亮度發光。為此，第一電源ELVDD的電平可以設置得高於第二電源ELVSS的電平。
複數個電晶體T1-T7分別可以包括輸入電極（或者，源電極）、輸出電極（或者，汲電極）及控制電極（或者，閘電極）。在本說明書中，為了便利，輸入電極及輸出電極中任意一個可以稱為第一電極，另一個可以稱為第二電極。
第一電晶體T1的第一電極經由第五電晶體T5，連接到第一電源ELVDD，第一電晶體T1的第二電極經由第六電晶體T6，連接到有機發光元件OLED的陽極電極。第一電晶體T1在本說明書中可以稱為驅動電晶體。
第一電晶體T1與施加於第一電晶體T1的控制電極的電壓相對應而控制流入有機發光元件OLED的電流量。
第二電晶體T2連接於資訊線DL與第一電晶體T1的第一電極之間。而且，第二電晶體T2的控制電極連接到第i號掃描線SLi。第二電晶體T2在第i號掃描訊號提供給第i號掃描線SLi時接通，使資訊線DL與第一電晶體T1的第一電極電性連接。
第三電晶體T3連接到第一電晶體T1的第二電極與第一電晶體T1的控制電極之間。第三電晶體T3的控制電極連接到第i號掃描線SLi。第三電晶體T3在第i號掃描訊號提供給第i號掃描線SLi時接通，使第一電晶體T1的第二電極與第一電晶體T1的控制電極電性連接。因此，第三電晶體T3接通時，第一電晶體T1以二極管形態連接。
第四電晶體T4連接到節點ND與初始化電源生成部（圖上未標示出）之間。而且，第四電晶體T4的控制電極連接到第i-1號掃描線SLi-1。第四電晶體T4在第i-1號掃描訊號提供給第i-1號掃描線SLi-1時接通，向節點ND提供初始化電壓Vint。
第五電晶體T5連接到電源線PL與第一電晶體T1的第一電極之間。第五電晶體T5的控制電極連接到第i號發光控制線ECLi。
第六電晶體T6連接到第一電晶體T1的第二電極與有機發光元件OLED的陽極電極之間。而且，第六電晶體T6的控制電極連接到第i號發光控制線ECLi。
第七電晶體T7連接到初始化電源生成部（圖上未標示出）與有機發光元件OLED的陽極電極之間。而且，第七電晶體T7的控制電極連接到第i+1號掃描線SLi+1。這種第七電晶體T7在第i+1號掃描訊號提供給第i+1號掃描線SLi+1時接通，向有機發光元件OLED的陽極電極提供初始化電壓Vint。
第七電晶體T7可以提高像素PX的黑色表現能力。具體而言，如果第七電晶體T7接通，則有機發光元件OLED的寄生電容器（圖上未標示出）放電。於是，體現黑色亮度時，由於來自第一電晶體T1的泄漏電流，有機發光元件OLED不發光，因此，黑色表現能力可以提高。
追加地，在第4圖中圖示了第七電晶體T7的控制電極連接到第i+1號掃描線SLi+1的情形，但本發明不限定於此。在本發明另一實施例中，第七電晶體T7的控制電極可以連接到第i號掃描線SLi或第i-1號掃描線SLi-1。
在第4圖中，以PMOS為基準進行了圖示，但不限於此。在本發明另一實施例中，像素電路CC可以以NMOS（N溝道金屬氧化物半導體）構成。在本發明又一實施例中，像素電路CC可以借助於NMOS與PMOS（Ｐ溝道金屬氧化物半導體）的組合而構成。
電容器CP配置於電源線PL與節點ND之間。電容器CP儲存與資訊訊號對應的電壓。根據電容器CP中儲存的電壓，當第五電晶體T5及第六電晶體T6接通時，可以決定流入第一電晶體T1的電流量。
在本發明中，像素PX的等效電路不限定於如第4圖所示的等效電路。在本發明另一實施例中，像素PX可以以用於使有機發光元件OLED發光的多樣形態體現。
第5圖是顯示本發明一個實施例的顯示面板的一部分構成的剖面圖。
如果參照第5圖，顯示面板DP可以包括基底層BL、電路層ML、發光元件層EL及封裝層TFE。電路層ML可以包括電晶體TR及複數個絕緣層BFL、L1、L2、L3、L4。
在基底層BL上可以配置有絕緣層BFL，在絕緣層BFL上可以配置有電晶體TR。第5圖的電晶體TR可以為第4圖所示的第一電晶體T1。電晶體TR可以包括半導體層ACL、控制電極GED、第一電極ED1及第二電極ED2。
半導體層ACL可以配置於絕緣層BFL上。絕緣層BFL可以是向半導體層ACL提供經改性的表面的緩衝層。此時，半導體層ACL相對於絕緣層BFL可以具有比基底層BL更高的黏合力。另外，絕緣層BFL可以是保護半導體層ACL下面的阻擋層。此時，絕緣層BFL可以切斷基底層BL本身或者透過基底層BL流入的污染或濕氣等侵入半導體層ACL。或者，絕緣層BFL可以是切斷透過基底層BL入射的外部光入射到半導體層ACL的光阻擋層。此時，絕緣層BFL可以進一步包含遮光物質。
半導體層ACL可以包括多晶矽或非晶矽。此外，半導體層ACL可以包括金屬氧化物半導體。半導體層ACL可以包括發揮可供電子或電洞移動的通道作用的溝道區域、將溝道區域置於之間配置的第一離子摻雜區域及第二離子摻雜區域。
第一絕緣層L1配置於絕緣層BFL上，可以覆蓋半導體層ACL。第一絕緣層L1可以包含無機物質。無機物質可以包括氮化矽、氮氧化矽、氧化矽、氧化鈦和氧化鋁中至少任意一種。
在第一絕緣層L1上可以配置有控制電極GED。第二絕緣層L2配置於第一絕緣層L1上，可以覆蓋控制電極GED。第二絕緣層L2可以包含無機物質。
在第二絕緣層L2上，可以配置有第三絕緣層L3。在第三絕緣層L3上，可以配置有第一電極ED1及第二電極ED2。第一電極ED1及第二電極ED2可以透過貫通第一絕緣層L1、第二絕緣層L2及第三絕緣層L3的貫通孔而與半導體層ACL連接。
第四絕緣層L4配置於第三絕緣層L3上，可以覆蓋第一電極ED1及第二電極ED2。第四絕緣層L4可以由單一層或複數層構成。例如，單一層可以包括有機層。複數層可以由有機層及無機層層疊提供。第四絕緣層L4可以是在上部提供平坦面的平坦化層。
在第四絕緣層L4上，可以配置有發光元件層EL及定義圖案PDP。
發光元件層EL可以包括第一電極E1、發光層EM及第二電極E2。第一電極E1配置於第四絕緣層L4上，可以透過在第四絕緣層L4定義的貫通孔而電性連接於第二電極ED2。發光元件層EL可以對應於第4圖中說明的有機發光元件OLED。
定義圖案PDP配置於電路層ML上，可以定義像素區域PXA。定義圖案PDP可以覆蓋第一電極E1的至少一部分，配置於第四絕緣層L4上。第一電極E1的一部分可以不被定義圖案PDP覆蓋，該一部分可以對應於像素區域PXA。因此，定義圖案PDP也可以稱為像素定義圖案或像素定義膜。
發光層EM可以配置於第一電極E1及第二電極E2之間。發光層EM可以具有由單一物質構成的單一層結構、由多種互不相同的物質構成的單一層結構、或由以多種互不相同物質構成的複數層構成的多層結構。
發光層EM可以包含有機物。有機物只要是通常使用的物質，則不特別限定。例如，發光層EM可以以發出紅色、綠色或藍色光的物質中至少任意一種物質構成，可以包括螢光物質或磷光物質。
第二電極E2可以配置於發光層EM及定義圖案PDP上。第二電極E2可以接收第二電源ELVSS（參照第4圖）。
在第二電極E2上配置有封裝層TFE。封裝層TFE可以直接覆蓋第二電極E2。在本發明的另一實施例中，在封裝層TFE與第二電極E2之間，可以進一步配置有覆蓋第二電極E2的封頂層。此時，封裝層TFE可以直接覆蓋封頂層。封頂層可以包含有機物。封頂層在後續製程例如在薄膜沉積製程中保護第二電極E2，提高發光元件層EL的射出效率。封頂層可以具有大於後述第一無機層ECL1的折射率。
封裝層TFE可以包括依次層疊的第一無機層ECL1、有機層ECL2及第二無機層ECL3。有機層ECL2可以在第一無機層ECL1與第二無機層ECL3之間配置。第一無機層ECL1及第二無機層ECL3可以沉積無機物質而形成，有機層ECL2可以沉積、印刷或塗覆有機物質而形成。
第一無機層ECL1及第二無機層ECL3可以保護發光元件層EL免受水分及氧氣影響，有機層ECL2保護發光元件層EL免受諸如灰塵顆粒的異物質影響。第一無機層ECL1及第二無機層ECL3可以包含氮化矽、氮氧化矽、氧化矽、氧化鈦及氧化鋁中至少任意一種。有機層ECL2可以包含高分子例如丙烯酸類有機層。不過，這是示例性的，並非限定於此。
在第5圖中，示例性圖示了封裝層TFE包括2個無機層和1個有機層的情形，但並非限於此。例如，封裝層TFE也可以包括3個無機層和2個有機層，此時，可以具有無機層和有機層交替層疊的結構。
第6圖是本發明一個實施例的輸入感知層的俯視圖。下面說明的輸入感知層ISL也可以同樣應用於輸入感知面板ISP（參照第2b圖）。
輸入感知層ISL可以包括與第3圖所示的顯示面板DP的顯示區域DP-DA對應的感知區域IS-DA及與非顯示區域DP-NDA對應的線區域IS-NDA。
輸入感知層ISL可以包括第一感知電極EG1、第二感知電極EG2、電性連接於第一感知電極EG1中對應的一部分電極的第一訊號線組SG1、電性連接於第一感知電極EG1中另一部分電極的第二訊號線組SG2，及電性連接於第二感知電極EG2的第三訊號線組SG3。
在第6圖中，示例性圖示了第一訊號線組SG1與第二訊號線組SG2將感知區域IS-DA置於之間配置的情形。但是，在本發明一個實施例中，第一訊號線組SG1與第二訊號線組SG2也可以配置於感知區域IS-DA的相同一側。另外，在本發明的一個實施例中，第一訊號線組SG1與第二訊號線組SG2也可以分別以雙層布線結構連接於第一感知電極EG1。
第一感知電極EG1及第二感知電極EG2配置於感知區域IS-DA。第一訊號線組SG1、第二訊號線組SG2及第三訊號線組SG3配置於線區域IS-NDA。
在本實施例中，輸入感知層ISL可以是以互電容方式感知外部輸入的靜電容量式觸碰感測器。第一感知電極EG1與第二感知電極EG2中任意一個接收檢測訊號，另一者將第一感知電極EG1與第二感知電極EG2之間的靜電容量變化量輸出為輸出訊號。
第一感知電極EG1分別沿第二方向DR2延長。第一感知電極EG1從第一方向DR1隔開配置。第二感知電極EG2分別沿第一方向DR1延長。第二感知電極EG2沿第二方向DR2隔開配置。
第一感知電極EG1可以包括第一感測器部SP1及第一連接部CP1。第一感測器部SP1沿第二方向DR2排列。第一連接部CP1可以分別連接第一感測器部SP1中鄰接的2個第一感測器部SP1。
第二感知電極EG2可以包括第二感測器部SP2及第二連接部CP2。第二感測器部SP2沿第一方向DR1排列。第二連接部CP2可以分別連接第二感測器部SP2中鄰接的2個第二感測器部SP2。
第一訊號線組SG1、第二訊號線組SG2及第三訊號線組SG3可以電性連接於對應的訊號焊盤IS-PD。線區域IS-NDA中的配置有訊號焊盤IS-PD的區域可以定義為焊盤區域IS-PA。焊盤區域IS-PA可以連接未圖示的電路基板。
第7圖是放大圖示第6圖的AA區域的俯視圖。
圖示了顯示面板DP（參照第5圖）的第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G的配置關係。第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G與參照第5圖進行說明的像素區域PXA一樣定義。
如果參照第6圖及第7圖，在本實施例中，第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G可以具有互不相同的面積。第一像素區域PXA-R可以具有第一面積，第二像素區域PXA-B可以具有第二面積，第三像素區域PXA-G可以具有第三面積。第二面積可以大於第一面積，第一面積可以大於第三面積。
參照第3圖進行說明的複數個像素PX可以包括生成紅光的紅色像素、生成藍光的藍色像素及生成綠光的綠色像素。在本實施例中，第一像素區域PXA-R可以對應於紅色像素，第二像素區域PXA-B對應於藍色像素，第三像素區域PXA-G對應於綠色像素。
第一像素區域PXA-R和第二像素區域PXA-B可以沿第一方向DR1及第二方向DR2交替排列。第三像素區域PXA-G提供複數個，提供複數個的第三像素區域PXA-G可以沿第一方向DR1及第二方向DR2排列。第一像素區域PXA-R和第三像素區域PXA-G可以沿第四方向DR4交替排列。第二像素區域PXA-B和第三像素區域PXA-G可以沿第四方向DR4交替排列。第四方向DR4作為與第一方向DR1及第二方向DR2交叉的方向，可以稱為對角線方向。
在第7圖中，以第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G排列成P排列（PenTile）形態的情形為一個示例進行了圖示，但並非本發明限於此。例如，第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G也可以排列成條紋形態。條紋形態可以意味著第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G沿第二方向DR2交替排列，沿第一方向DR1排列有相同的像素區域。
第一感測器部SP1及第二感測器部SP2可以分別具有網形狀。在第一感測器部SP1及第二感測器部SP2，可以分別定義有複數個開口部OP-MR、OP-MG、OP-MB。因此，在平面上，第一感測器部SP1及第二感測器部SP2可以與第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G非重疊。例如，在與第一像素區域PXA-R對應的區域，可以定義有第一開口部OP-MR，在與第二像素區域PXA-B對應的區域，可以定義有第二開口部OP-MB，在與第三像素區域PXA-G對應的區域可以定義有第三開口部OP-MG。
第8圖是截斷圖示第6圖的I-I`區域的剖面圖。第9圖是截斷圖示第7圖的II-II`區域的剖面圖。
如果參照第7圖、第8圖及第9圖，輸入感知層ISL可以包括緩衝層BFL-I、第一導電層CL1、層間絕緣層IL-C、第二導電層CL2、第一絕緣層IL1、第二絕緣層IL2及第三絕緣層IL3。
緩衝層BFL-I可以配置於封裝層TFE上。緩衝層BFL-I可以包含無機物。例如，無機物可以為氮化矽。緩衝層BFL-I的厚度可以為2000Å。不過，這只是示例性的，並非緩衝層BFL-I的物質及厚度限制於此。另外，在本發明的一個實施例中，緩衝層BFL-I也可以省略。
在緩衝層BFL-I上可以配置有第一導電層CL1。第一導電層CL1可以包括第一連接部CP1。
在第一導電層CL1上可以配置有層間絕緣層IL-C。層間絕緣層IL-C可以包括無機物。例如，無機物可以為氮化矽。層間絕緣層IL-C的厚度可以為3000Å。
在層間絕緣層IL-C上可以配置有第二導電層CL2。第二導電層CL2可以包括第一感測器部SP1、第二感測器部SP2及第二連接部CP2。
第一感測器部SP1中彼此鄰接的兩個第一感測器部SP1可以連接於一個第一連接部CP1。兩個第一感測器部SP1可以透過在層間絕緣層IL-C定義的貫通孔HL-I而連接於第一連接部CP1。
在本發明另一實施例中，第一導電層CL1也可以包括第一感測器部SP1、第二感測器部SP2及第二連接部CP2，第二導電層CL2可以包括第一連接部CP1。
在第二導電層CL2上，可以配置有第一絕緣層IL1。第一絕緣層IL1可以具有第一折射率。第一絕緣層IL1可以包含第一有機物。第一有機物可以包括丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、聚異戊二烯類樹脂、乙烯基類樹脂、環氧類樹脂、聚氨酯類樹脂、纖維素類樹脂、矽氧烷類樹脂、聚醯亞胺類樹脂、聚醯胺類樹脂及茈類樹脂中至少任意一種。不過，這是示例性的，並非第一有機物限於該示例。
在第一絕緣層IL1中，在與第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G重疊的區域可以定義有複數個第一開口部。在第9圖中，針對一個第一開口部OPa進行了圖示。第一開口部OPa可以在與第一像素區域PXA-R對應的區域定義。例如，在平面上，第一開口部OPa可以與第一像素區域PXA-R重疊。在本說明書中，開口部的元件符號的指示線中的一部分，顯示了指示對開口部進行定義的構成的側面。
在第一絕緣層IL1上，可以配置有第二絕緣層IL2。第二絕緣層IL2可以包含無機物。無機物可以為氮化矽。無機物只要是能夠透過低溫製程來沉積的無機物，同可以用多樣物質取代。該低溫例如可以意味著85度以下的製程。但是，並非低溫的範圍限於該示例。低溫的基準可以考慮構成顯示面板DP的物質劣化的溫度而決定。
在第二絕緣層IL2，在與複數個第一開口部對應的區域可以定義有複數個第二開口部。在第9圖中，針對一個第二開口部OPb進行了圖示。第二開口部OPb可以在對應於第一像素區域PXA-R的區域定義。
第一開口部OPa和第二開口部OPb可以稱為第一透鏡開口部OPL-MR。如果參照第7圖，圖示了在與第二像素區域PXA-B重疊的區域定義的第二透鏡開口部OPL-MB及在與第三像素區域PXA-G重疊的區域定義的第三透鏡開口部OPL-G。
在平面上，第一透鏡開口部OPL-MR的第一面積、第二透鏡開口部OPL-MB的第二面積、第三透鏡開口部OPL-MG的第三面積可以彼此相異。第二面積可以大於第一面積，第一面積可以大於第三面積。
在第二絕緣層IL2上，可以配置有第三絕緣層IL3。第三絕緣層IL3可以具有第二折射率。第三絕緣層IL3可以包含第二有機物。在本發明的一個實施例中，第二有機物可以在具有高於第一有機物的折射率的物質中選擇。另外，在本發明的一個實施例中，第三絕緣層IL3也可以包含與第一有機物相同的物質及提高折射率的物質。該物質例如可以為氧化鋯。
第一折射率可以為1.45以上、1.55以下。第二折射率可以為1.65以上、1.70以下。第二折射率與第一折射率的差異可以為0.1以上。第一折射率及第二折射率的範圍是示例性提示的。因此，第二折射率高於第一折射率即可，並非第一及第二折射率的範圍限於該示例。
第三絕緣層IL3可以填充第一透鏡開口部OPL-MR、第二透鏡開口部OPL-MB及第三透鏡開口部OPL-G。另外，第三絕緣層IL3也可以提供平坦的上面。
發光元件層EL提供的光不僅向正面方向，例如向第三方向DR3射出，而且還可以向側面方向射出。光效率可以以向正面方向射出的光為基準而決定。根據本發明的實施例，向側面方向射出的光LT，由於第一絕緣層IL1與第三絕緣層IL3之間的折射率差異而可以折射或全反射。因此，光LT的光路徑可以變更為第三方向DR3或接近第三方向DR3的方向。結果，可以提高顯示裝置DD（參照第1圖）的光效率。
第一絕緣層IL1的第一厚度TK1可以厚於第二絕緣層IL2的第二厚度TK2。第三絕緣層IL3的第三厚度TK3可以厚於第一厚度TK1及第二厚度TK2。第一厚度TK1、第二厚度TK2及第三厚度TK3分別可以意味著最大厚度。
第一厚度TK1可以為1.5µm以上。例如，第一厚度TK1可以為3µm以上、5µm以下。第二厚度TK2可以為數千Å。例如，可以為3000Å。第三厚度TK3可以為數µm。例如，可以為5µm。第一透鏡開口部OPL-MR的寬度WT可以為1µm以下。寬度WT可以意味著第一透鏡開口部OPL-MR的最小寬度。該數值範圍只是作為一個示例而提出的，並非第一厚度TK1、第二厚度TK2、第三厚度TK3及寬度WT限定於該數值範圍。
第10圖是截斷本發明一個實施例的與第6圖的I-I`區域對應的區域而圖示的剖面圖。第11圖是截斷本發明一個實施例的與第7圖的II-II`區域對應的區域而圖示的剖面圖。
如果參照第10圖及第11圖，輸入感知層ISLa可以包括緩衝層BFL-I、第一導電層CL1、第一絕緣層IL1a、第二絕緣層IL2a、第二導電層CL2及第三絕緣層IL3a。
在緩衝層BFL-I上，可以配置有第一導電層CL1。第一導電層CL1可以包括第一連接部CP1。
在第一導電層CL1上，可以配置有第一絕緣層IL1a，在第一絕緣層IL1a上，可以配置有第二絕緣層IL2a。
第一絕緣層IL1a具有第一折射率，第一絕緣層IL1a可以包含第一有機物。第二絕緣層IL2a可以包含無機物。
在第一絕緣層IL1a，可以在與第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G重疊的區域定義有複數個第一開口部。在第11圖中，針對一個第一開口部OPa1進行了圖示。第一開口部OPa1可以在對應於第一像素區域PXA-R的區域定義。例如，在平面上，第一開口部OPa1可以與第一像素區域PXA-R重疊。
在第二絕緣層IL2a，可以在與複數個第一開口部對應的區域定義有複數個第二開口部。在第11圖中，針對一個第二開口部OPb1進行了圖示。第二開口部OPb1可以在對應於第一像素區域PXA-R的區域定義。
第一開口部OPa1和第二開口部OPb1可以稱為第一透鏡開口部OPL-MR1。根據本發明的實施例，在剖面上，第一透鏡開口部OPL-MR1可以在第一導電層CL1與第二導電層CL2之間定義。因此，當與前面第9圖比較時，輸入感知層ISLa的厚度可以薄於第9圖的輸入感知層ISL的厚度。
在第二絕緣層IL2a上，可以配置有第二導電層CL2。第二導電層CL2可以包括第一感測器部SP1、第二感測器部SP2（參照第6圖）及第二連接部CP2。
第一感測器部SP1中彼此鄰接的兩個第一感測器部SP1可以連接於一個第一連接部CP1。兩個第一感測器部SP1可以透過在第一絕緣層IL1a及第二絕緣層IL2a定義的觸碰接觸孔HL-C而連接於第一連接部CP1。觸碰接觸孔HL-C可以包括在第一絕緣層IL1a定義的第一觸碰接觸孔HLa及在第二絕緣層IL2a定義的第二觸碰接觸孔HLb。
第12圖是放大本發明一個實施例的與第6圖的AA區域對應的區域進行圖示的俯視圖。第13圖是截斷與第12圖的III-III`區域對應的區域進行圖示的剖面圖。在說明第12圖及第13圖方面，針對與在第7圖及第9圖中說明的內容有差異的部分進行重點說明。
如果參照第12圖及第13圖，輸入感知層ISLb可以包括緩衝層BFL-I、第一導電層、第二導電層、在第一導電層與第二導電層之間配置的層間絕緣層IL-C、第一絕緣層IL1b、第二絕緣層IL2b及第三絕緣層IL3b。
在第一絕緣層IL1b可以進一步定義有第一輔助開口部SOPa，在第二絕緣層IL2b可以還定義有第二輔助開口部SOPb。
第一輔助開口部SOPa可以環繞第一開口部OPa進行定義。第二輔助開口部SOPb可以在與第一輔助開口部SOPa對應的區域，例如，在平面上，在與第一輔助開口部SOPa重疊的區域定義。因此，第二輔助開口部SOPb也可以環繞第二開口部OPb進行定義。
第一輔助開口部SOPa和第二輔助開口部SOPb可以稱為輔助透鏡開口部SOPL。輔助透鏡開口部SOPL可以提供複數個。複數個輔助透鏡開口部SOPL可以環繞一對一對應的第一透鏡開口部OPL-MR、第二透鏡開口部OPL-MB、第三透鏡開口部OPL-MG的周邊進行定義。
第三絕緣層IL3b可以填充第一透鏡開口部OPL-MR、第二透鏡開口部OPL-MB、第三透鏡開口部OPL-G及輔助透鏡開口部SOPL。另外，第三絕緣層IL3b也可以提供平坦的上面。
向側面方向射出的光LT、LTa因第一絕緣層IL1b的折射率與第三絕緣層IL3b的折射率的差異而可以折射或全反射。根據本發明的實施例，比第一光LT更朝側面射出的第二光LTa可以在輔助透鏡開口部SOPL全反射或折射。即，不僅是第一光LT，第二光LTa的路徑也可以變更為第三方向DR3或接近第三方向DR3的方向。結果，可以提高顯示裝置DD（參照第1圖）的光效率。
第14a圖至第14g圖是圖示本發明一個實施例的顯示裝置製造方法的剖面圖。
如果參照第14a圖，形成包括複數個像素區域PXA1、PXA2、PXA3的顯示面板DP。
形成顯示面板DP的步驟可以包括形成基底層BL的步驟、在基底層BL上形成電路層ML的步驟、在電路層ML上形成發光元件層EL的步驟、在發光元件層EL上形成封裝層TFE的步驟。
複數個像素區域PXA1、PXA2、PXA3可以分別與前面在第7圖中說明的第一像素區域PXA-R、第二像素區域PXA-B及第三像素區域PXA-G對應。
如果參照第14b圖，在顯示面板DP上形成緩衝層BFL-I。在緩衝層BFL-I上形成第一導電層CL1。在第一導電層CL1上形成層間絕緣層IL-C。在層間絕緣層IL-C上形成第二導電層CL2。
如果參照第14c圖，在第二導電層CL2上形成第一預備層BIL1。第一預備層BIL1可以是具有第一折射率的層。第一預備層BIL1可以以有機物形成。第一預備層BIL1可以在低溫環境下形成。該低溫例如可以意味著85度以下的製程。
如果參照第14d圖，在第一預備層BIL1上形成第二預備層BIL2。第二預備層BIL2可以包含無機物。第二預備層BIL2既可以包含透光性物質，也可以包含遮光性物質。第二預備層BIL2可以在低溫環境下形成。該低溫例如可以意味著85度以下的製程。
如果參照第14e圖，在第二預備層BIL2上形成光刻膠圖案PRP。雖然未圖示，但可以對光刻膠層進行圖案化而形成光刻膠圖案PRP。圖案化可以包括曝光製程及顯影製程。光刻膠圖案PRP可以包含負型光刻膠物質或正型光刻膠物質。例如，當光刻膠圖案PRP為負型光刻膠物質時，光刻膠圖案PRP可以是接受光照的部分。當光刻膠圖案PRP為正型光刻膠物質時，光刻膠圖案PRP可以是不接受光照的部分。
以光刻膠圖案PRP為掩模，對第二預備層BIL2進行圖案化而形成掩模IL2。掩模IL2也可以稱為第二絕緣層IL2。可以在掩模IL2形成掩模開口部OPb。掩模開口部OPb也可以稱為第二開口部OPb。在平面上，在與複數個像素區域PXA1、PXA2、PXA3重疊的區域，可以形成掩模開口部OPb。
如果參照第14f圖，利用掩模IL2，對第一預備層BIL1進行圖案化而形成第一絕緣層IL1。對第一預備層BIL1進行圖案化的製程可以包括蝕刻製程。蝕刻製程可以包括乾式蝕刻製程。光刻膠圖案PRP可以在對第一預備層BIL1進行圖案化的製程中去除，或可以利用另外的追加製程去除光刻膠圖案PRP。
可以在第一絕緣層IL1形成有第一開口部OPa。第一開口部OPa可以在平面上與複數個像素區域PXA1、PXA2、PXA3重疊。
根據本發明的實施例，當形成第一開口部OPa時，可以利用以無機物形成的掩模IL2。另外，第一開口部OPa可以借助於利用氣體反應的乾式蝕刻製程而形成。
根據本發明的比較例，第一絕緣層可以包含感光性物質，在第一絕緣層形成的第一開口部可以利用曝光製程及顯影製程而形成。此時存在的缺點是，第一開口部的傾斜度發生偏差，或由於感光性物質的材料特性上的原因而導致圖案化的精密度不足。該偏差會引起光特性的分散，由於圖案化精密度不足，會發生殘膜。這會引起製程可靠性下降。另外，構成第一絕緣層的感光性物質的材料變更時，存在需重新設計用於對第一絕緣層進行曝光及顯影所需的製程條件的麻煩。
但是，根據本發明的實施例，可以利用乾式蝕刻製程，形成第一開口部OPa。乾式蝕刻製程具有圖案形成準確度高、高分辨率圖案化容易的優點。因此，隨著利用掩模IL2在第一絕緣層IL1形成第一開口部OPa，可以減小第一開口部OPa的傾斜度偏差，可以提高圖案化的精密度。隨著該偏差減小，可以減小光特性的分散，提高顯示畫質。另外，隨著圖案化精密度的提高，即使在高分辨率顯示裝置中，也可以容易地形成第一開口部OPa。
另外，由於乾式蝕刻製程的圖案形成準確度高，因而第一絕緣層IL1的厚度即使增厚，也可以容易地形成第一開口部OPa。因此，即使將第一絕緣層IL1形成為3µm以上，也可以容易地形成第一開口部OPa。
如果參照第14g圖，在掩模IL2上，形成具有比第一折射率高的第二折射率的覆蓋層IL3。覆蓋層IL3也可以稱為第三絕緣層IL3。
第15a圖至第15c圖是圖示本發明一個實施例的顯示裝置製造方法的剖面圖。
如果參照第15a圖，在第二導電層CL2上形成第一預備層BIL1x。第一預備層BIL1x可以是具有第一折射率的層。第一預備層BIL1x可以以有機物形成。第一預備層BIL1x可以在低溫環境下形成。該低溫可以意味著例如85度以下的製程。
在第一預備層BIL1x上形成第二預備層（圖上未標示出），在第二預備層上形成光刻膠層（圖上未標示出）。對光刻膠層（圖上未標示出）進行曝光及顯影而形成光刻膠圖案PRPx。利用光刻膠圖案PRPx，對第二預備層進行圖案化而形成掩模IL2b。掩模IL2b可以包含無機物。例如，可以包含氮化矽。掩模IL2b也可以稱為第二絕緣層IL2b。
可以在掩模IL2b形成掩模開口部OPb及輔助掩模開口部SOPb。輔助掩模開口部SOPb可以環繞掩模開口部OPb。一個輔助掩模開口部可以環繞一個掩模開口部。
如果參照第15b圖，利用掩模IL2b，對第一預備層BIL1x進行圖案化而形成第一絕緣層IL1b。對第一預備層BIL1x進行圖案化的製程可以包括蝕刻製程。蝕刻製程可以為乾式蝕刻製程。
在第一絕緣層IL1b可以形成有第一開口部OPa及第一輔助開口部SOPa。一個第一輔助開口部可以以環繞一個第一開口部的形態形成。
如果參照第15c圖，在掩模IL2b上形成具有比第一折射率高的第二折射率的覆蓋層IL3b。覆蓋層IL3b也可以稱為第三絕緣層IL3b。可以在第一開口部OPa、第二開口部OPb、第一輔助開口部SOPa及第二輔助開口部SOPb填充覆蓋層IL3b。因此，由於在開口部內填充的覆蓋層IL3b與第一絕緣層IL1b的折射率差異，光可以全反射或折射，因此，可以提高光效率。
第16a圖至第16f圖是圖示本發明一個實施例的顯示裝置製造方法的剖面圖。
如果參照第16a圖，在緩衝層BFL-I上形成第一連接部CP1。在第一連接部CP1上形成第一預備層BIL1y。第一預備層BIL1y可以是具有第一折射率的層。第一預備層BIL1y可以以有機物形成。第一預備層BIL1y可以在低溫環境下形成。
如果參照第16b圖，在第一預備層BIL1y上形成第二預備層BIL2y。第二預備層BIL2y可以包含無機物。第二預備層BIL2y可以在低溫環境下形成。
如果參照第16c圖，在第二預備層BIL2y上形成光刻膠圖案PRPy。光刻膠圖案PRPy可以對光刻膠層進行曝光及顯影而形成。
利用光刻膠圖案PRPy，對第二預備層BIL2y進行圖案化而形成掩模IL2a。掩模IL2a也可以稱為第二絕緣層IL2a。在掩模IL2a，可以形成有對應於像素區域PXA1、PXA2、PXA3而定義的開口部OPb1及與第一連接部CP1重疊的觸碰接觸孔HLb。
如果參照第16d圖，利用掩模IL2a，對第一預備層BIL1y進行圖案化而形成第一絕緣層IL1a。在第一絕緣層IL1a，可以形成有與像素區域PXA1、PXA2、PXA3重疊的第一開口部OPa1及與第一連接部CP1重疊的觸碰接觸孔HLa。
如果參照第16e圖，第一絕緣層IL1a的觸碰接觸孔HLa與掩模IL2a的觸碰接觸孔HLb可以在平面上彼此重疊而構成觸碰接觸孔HL-C。
在掩模IL2a上，形成第二導電層CL2。第二導電層CL2可以包括第一感測器部SP1、第二感測器部SP2（參照第6圖）及第二連接部CP2。彼此鄰接的兩個第一感測器部SP1中的一者可以貫通一個觸碰接觸孔而接觸第一連接部CP1，另一者可以貫通另一觸碰接觸孔而接觸第一連接部CP1。
如果參照第16f圖，在掩模IL2a上形成具有比第一折射率高的第二折射率的覆蓋層IL3a。覆蓋層IL3a也可以稱為第三絕緣層IL3a。在第一開口部OPa1及第二開口部OPb1，可以填充覆蓋層IL3a。因此，因在開口部內填充的覆蓋層IL3a與第一絕緣層IL1a的折射率差異，光可以全反射或折射，結果，可以提高光效率。
以上參照本發明的較佳的實施例進行了說明，但在本發明所屬領域具有通常知識者能夠理解，可以在不超出後述申請專利範圍記載的本發明思想及技術領域的範圍內，多樣地修改及變更本發明。因此，本發明的技術範圍並非限定於說明書的詳細說明中記載的內容，只應根據申請專利範圍確定。
DP:顯示面板 L1、IL1、IL1a、IL1b:第一絕緣層 L2、IL2、IL2a、IL2b:第二絕緣層(掩模) L3、IL3、IL3a、IL3b:第三絕緣層(覆蓋層) L4:第四絕緣層 IL-C:層間絕緣層 ISP:感知面板 ISL、ISLa、ISLb:輸入感知層 SP1:第一感測器部 SP2:第二感測器部 DD:顯示裝置 DA、DP-DA:顯示區域 NDA、DP-NDA:非顯示區域 DM:顯示模組 IM:顯示圖像 OCA:黏合構件 WP:窗口面板 WL:窗口層 WP-BS:基底層 WP-BZ:遮光圖案 RPP:防反射面板 RPL:防反射層 PD、IS-PD、DP-PD:訊號焊盤 IS-PA、DP-PA:焊盤區域 PX:像素 GDC:驅動電路 SGL:訊號線 SL:掃描線 DL:資訊線 PL:電源線 ECL:發光控制線 CSL:控制訊號線 ELVDD:第一電源 ELVSS:第二電源 TR、T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7:電晶體 SLi、SLi+1、SLi-1:掃描線 ECLi:第i號發光控制線 ND:節點 CP:電容器 CC:像素電路 PXA、PXA1、PXA2、PXA3:像素區域 NPXA:非像素區域 PXA-R:第一像素區域 PXA-B:第二像素區域 PXA-G:第三像素區域 PDP:定義圖案 PRP、PRPx、PRPy:光刻膠圖案 E1、E2、ED1、ED2:電極 Vint:初始化電壓 ACL:半導體層 GED:控制電極 ECL1:第一無機層 ECL3:第二無機層 ECL2:有機層 EM:發光層 BFL:絕緣層 BFL-I:緩衝層 EG1、EG2:感知電極 IS-DA:感知區域 IS-NDA:線區域 OLED:有機發光元件 SG1、SG2、SG3:訊號線組 CP1、CP2:連接部 CL1、CL2:導電層 HL-I:貫通孔 HL-C、HLa、HLb:觸碰接觸孔 TFE:封裝層 EL:發光元件層 ML:電路層 BL:基底層 BIL1、BIL1x、BIL1y、BIL2、BIL2y:預備層 TK1、TK2、TK3:厚度 WT:寬度 LT、LTa:光 PXA-R:第一像素區域 OP-MR、OPa、OPa1:第一開口部 OP-MB、OPb1:第二開口部 OPb:掩模開口部(第二開口部) OP-MG:第三開口部 OPL-MR、OPL-MR1:第一透鏡開口部 OPL-MB:第二透鏡開口部 OPL-MG、OPL-G:第三透鏡開口部 SOPL:輔助透鏡開口部 SOPa:第一輔助開口部 SOPb:第二輔助開口部(輔助掩模開口部) DR1、DR2、DR3、DR4:方向
第1圖係為本發明一個實施例的顯示裝置的立體圖。 第2a圖至第2d圖為本發明一個實施例的顯示裝置的剖面圖。 第3圖為本發明一個實施例的顯示面板的俯視圖。 第4圖為本發明一個實施例的像素的等效電路圖。 第5圖為展示本發明一個實施例的顯示面板的一部分構成的剖面圖。 第6圖為本發明一個實施例的輸入感知層的俯視圖。 第7圖為放大圖示第6圖的AA區域的俯視圖。 第8圖為截斷圖示第6圖的I-I`區域的剖面圖。 第9圖為截斷圖示第7圖的II-II`區域的剖面圖。 第10圖為截斷本發明一個實施例的與第6圖的I-I`區域對應的區域進行圖示的剖面圖。 第11圖為截斷本發明一個實施例的與第7圖的II-II`區域對應的區域進行圖示的剖面圖。 第12圖為放大本發明一個實施例的與第6圖的AA區域對應的區域進行圖示的俯視圖。 第13圖為截斷與第12圖的III-III`區域對應的區域進行圖示的剖面圖。 第14a圖至第14g圖為圖示本發明一個實施例的顯示裝置製造方法的剖面圖。 第15a圖至第15c圖為圖示本發明一個實施例的顯示裝置製造方法的剖面圖。 第16a圖至第16f圖為圖示本發明一個實施例的顯示裝置製造方法的剖面圖。
DP:顯示面板
IL1:第一絕緣層
IL2:第二絕緣層(掩模)
IL3:第三絕緣層(覆蓋層)
IL-C:層間絕緣層
ISL:輸入感知層
SP1:第一感測器部
BFL-I:緩衝層
TFE:封裝層
EL:發光元件層
ML:電路層
BL:基底層
TK1:第一厚度
TK2:第二厚度
TK3:第三厚度
WT:寬度
LT:光
PXA-R:第一像素區域
OPa:第一開口部
OPb:掩模開口部(第二開口部)
OPL-MR:第一透鏡開口部
DR3:第三方向
DR4:第四方向

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其包括： 一顯示面板，該顯示面板包括複數個像素區域； 一第一絕緣層，該第一絕緣層配置於該顯示面板上，具有一第一折射率，在與該複數個像素區域重疊的區域定義有複數個第一開口部； 一第二絕緣層，該第二絕緣層直接配置於該第一絕緣層上，在與該複數個第一開口部的對應的區域定義有複數個第二開口部；及 一第三絕緣層，該第三絕緣層覆蓋該顯示面板、該第一絕緣層及該第二絕緣層，具有高於該第一折射率的一第二折射率； 該第三絕緣層在平面上與該複數個像素區域重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其進一步包括： 配置於該顯示面板上的一第一導電層；及 配置於該第一導電層上的一第二導電層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，其中， 進一步包括配置於該第一導電層與該第二導電層之間的一層間絕緣層，該第一絕緣層配置於該第二導電層上。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，其中， 該第一絕緣層及該第二絕緣層配置於該第一導電層與該第二導電層之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，其中， 該第一導電層包括一連接部，該第二導電層包括一感測器部，在該第一絕緣層及該第二絕緣層定義有觸碰接觸孔，該連接部電性連接於該感測器部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的顯示裝置，其中， 該感測器部分別具有網形狀，在平面上，該感測器部與該複數個像素區域非重疊。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，其中， 該第三絕緣層配置於該第二導電層上，覆蓋該第二導電層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中， 該第一絕緣層包含一第一有機物，該第二絕緣層包含無機物，該第三絕緣層包含一第二有機物。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中， 在該複數個第一開口部及該複數個第二開口部分別填充該第三絕緣層。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中， 在該第一絕緣層，還定義有複數個第一輔助開口部，該複數個第一輔助開口部環繞該第一開口部中對應的第一開口部進行定義。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的顯示裝置，其中， 在該第二絕緣層，還定義有複數個第二輔助開口部，該複數個第二輔助開口部在與該複數個第一輔助開口部對應的區域定義。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中， 該第一絕緣層的厚度厚於該第二絕緣層的厚度。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中， 該第一折射率為1.45以上、1.55以下，該第二折射率為1.60以上、1.70以下。
  14. 一種顯示裝置製造方法，其中，包括： 形成包括複數個像素區域的一顯示面板的步驟； 在該顯示面板上形成具有一第一折射率的一第一預備層的步驟； 在該第一預備層上形成包含無機物的一第二預備層的步驟； 對該第二預備層進行圖案化而形成一掩模的步驟； 利用該掩模對該第一預備層進行圖案化而形成一第一絕緣層的步驟；及 在該掩模上形成具有高於該第一折射率的一第二折射率的一覆蓋層的步驟。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的顯示裝置製造方法，其中， 該形成該顯示面板的步驟包括： 形成一基底層的步驟； 在該基底層上形成一電路層的步驟； 在該電路層上形成一發光層的步驟；及 在該發光層上形成一封裝層的步驟。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的顯示裝置製造方法，其進一步包括： 在該封裝層上形成一緩衝層的步驟； 在該緩衝層上形成一第一導電層的步驟； 形成覆蓋該第一導電層的一層間絕緣層的步驟；及 在該層間絕緣層上形成一第二導電層的步驟； 該第一預備層在該第二導電層上形成。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的顯示裝置製造方法，其中， 該形成該掩模的步驟包括：在平面上，在與該複數個像素區域重疊的該第二預備層的區域形成複數個掩模開口部的步驟。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的顯示裝置製造方法，其中， 該形成該掩模的步驟進一步包括：形成與該複數個掩模開口部一對一對應地環繞該複數個掩模開口部的複數個輔助掩模開口部的步驟。
  19. 如申請專利範圍第14項所述的顯示裝置製造方法，其中， 該第一預備層包含一第一有機物，該覆蓋層包含一第二有機物。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的顯示裝置製造方法，其進一步包括： 在該封裝層上形成一緩衝層的步驟； 在該緩衝層上形成一第一導電層的步驟；及 在該第一導電層上形成一第二導電層的步驟； 該掩模及該第一絕緣層在該第一導電層與該第二導電層之間形成，該覆蓋層在該第二導電層上形成。
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