CN113169220A - 显示装置和制造显示装置的方法 - Google Patents

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金相羽
李基准
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俞炳汉
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Abstract

一种显示装置包括：显示面板，包括多个像素区域；第一绝缘层，设置在显示面板上，具有第一折射率，并且具有限定在与所述多个像素区域叠置的区域中的多个第一开口；第二绝缘层，直接设置在第一绝缘层上并且具有限定在与所述多个第一开口对应的区域中的多个第二开口；以及第三绝缘层，用于覆盖显示面板、第一绝缘层和第二绝缘层，并且具有高于第一折射率的第二折射率，其中，第三绝缘层可以在平面上与所述多个像素区域叠置。

Description

显示装置和制造显示装置的方法
技术领域
本公开在此涉及一种具有改善的光效率的显示装置以及一种制造具有改善的工艺可靠性的显示装置的方法。
背景技术
显示装置可以被分为其中发光元件通过其自身来发光的自发光显示装置或者控制所接收的光的透射率的光接收显示装置。自发光显示装置可以是例如有机发光显示装置。在有机发光显示装置的发光层中产生的光不仅可以在正面方向上发射，而且会在侧面方向上发射。可以基于在正面方向上发射的光来确定光效率。也就是说，在侧面方向上发射的光会导致光效率降低。
发明内容
技术问题
本公开提供了一种具有改善的光效率的显示装置和一种制造该显示装置的方法。
本公开提供了一种制造具有改善的工艺可靠性的显示装置的方法。
技术方案
本发明的实施例提供了显示装置，所述显示装置包括：显示面板，具有多个像素区域；第一绝缘层，设置在显示面板上，具有第一折射率，并且具有限定在与所述多个像素区域叠置的区域中的多个第一开口；第二绝缘层，直接设置在第一绝缘层上并且在与所述多个第一开口对应的区域中具有多个第二开口；以及第三绝缘层，覆盖显示面板、第一绝缘层和第二绝缘层，并且具有高于第一折射率的第二折射率，其中，第三绝缘层可以在平面上与所述多个像素区域叠置。
在一些实施例中，还可以包括设置在显示面板上的第一导电层和设置在第一导电层上的第二导电层。
在其它实施例中，还可以包括设置在第一导电层与第二导电层之间的层间绝缘层，并且第一绝缘层可以设置在第二导电层上。
在其它实施例中，第一绝缘层和第二绝缘层可以设置在第一导电层与第二导电层之间。
在其它实施例中，第一导电层可以包括连接部分；第二导电层可以包括传感器部分；第一绝缘层和第二绝缘层可以具有限定在其中的触摸接触孔；并且连接部分可以电连接到传感器部分。
在其它实施例中，传感器部分中的每个可以具有网格形状，并且传感器部分在平面上可以不与所述多个像素区域叠置。
在进一步的实施例中，第三绝缘层可以设置在第二导电层上以覆盖第二导电层。
在更进一步的实施例中，第一绝缘层可以包括第一有机材料，第二绝缘层可以包括无机材料，并且第三绝缘层可以包括第二有机材料。
在更进一步的实施例中，所述多个第一开口和所述多个第二开口中的每个可以填充有第三绝缘层。
在更进一步的实施例中，第一绝缘层可以被进一步限定为具有多个第一辅助开口，并且所述多个第一辅助开口中的每个可以被限定为围绕所述多个第一开口之中对应的第一开口。
在更进一步的实施例中，第二绝缘层可以被进一步限定为具有多个第二辅助开口，并且所述多个第二辅助开口可以限定在与所述多个第一辅助开口对应的区域中。
在更进一步的实施例中，第一绝缘层的厚度可以大于第二绝缘层的厚度。
在更进一步的实施例中，第一折射率为约1.45至约1.55，并且第二折射率为约1.60至约1.70。
在本发明的其它实施例中，用于制造显示面板的方法包括：形成包括多个像素区域的显示面板；在显示面板上形成具有第一折射率的第一初始层；在第一初始层上形成包含无机材料的第二初始层；通过使第二初始层图案化来形成掩模；通过使用掩模以使第一初始层图案化来形成第一绝缘层；以及在掩模上形成具有高于第一折射率的第二折射率的覆盖层。
在一些实施例中，形成显示面板的步骤可以包括：设置基体层；在基体层上设置电路层；在电路层上形成发光层；以及在发光层上形成封装层。
在其它实施例中，所述方法还可以包括：在封装层上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一导电层；形成覆盖第一导电层的层间绝缘层，以及在层间绝缘层上形成第二导电层，其中，第一初始层可以设置在第二导电层上。
在其它实施例中，形成掩模的步骤可以包括在第二初始层的在平面上与所述多个像素区域叠置的区域中形成多个掩模开口。
在其它实施例中，形成掩模的步骤还可以包括形成多个辅助掩模开口，所述多个辅助掩模开口一对一地对应于多个掩模开口并且围绕所述多个掩模开口。
在其它实施例中，第一初始层可以包括第一有机材料，并且覆盖层可以包括第二有机材料。
在进一步的实施例中，所述方法还可以包括：在封装层上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一导电层；以及在第一导电层上形成第二导电层，其中，掩模和第一绝缘层可以设置在第一导电层与第二导电层之间，并且覆盖层可以设置在第二导电层上。
有益效果
根据本发明的实施例，显示装置包括其中限定有多个开口的低折射率层、设置在低折射率层上的无机层以及填充所述多个开口的高折射率层。从显示装置的发光元件发射的光可以在低折射率层与高折射率层之间的边界处被折射或全反射，从而改变光的路径。可以通过改变光路径来改善显示装置的光输出效率。另外，通过使用无机层作为掩模的蚀刻工艺来设置多个开口，因此可以减小所述多个开口的倾斜度的偏差并且可以改善图案化精度。因此，不仅即使在高分辨率显示装置中也可以容易地设置多个开口，而且可以降低光学性质的散布，从而改善显示质量。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的显示装置的透视图。
图2a至图2d是根据本发明的实施例的显示装置的剖视图。
图3是根据本发明的实施例的显示面板的平面图。
图4是根据本发明的实施例的像素的等效电路图。
图5是示出根据本发明的实施例的显示面板的部分构造的剖视图。
图6是根据本发明的实施例的输入感测层的平面图。
图7是示出图6的区域AA的放大平面图。
图8是示出沿着图6的线I-I'截取的一部分的剖视图。
图9是示出沿着图7的线II-II'截取的一部分的剖视图。
图10是示出根据本发明的实施例的沿着与图6的线I-I'对应的线截取的一部分的剖视图。
图11是示出根据本发明的实施例的沿着与图7的线II-II'对应的线截取的一部分的剖视图。
图12是示出根据本发明的实施例的与图6的区域AA对应的区域的放大平面图。
图13是示出沿着与图12的线III-III'对应的线截取的一部分的剖视图。
图14a至图14g是示出根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图15a至图15c是示出根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图16a至图16f是示出根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
在本说明书中，将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接在所述另一元件上或者直接连接或结合到所述另一元件，或者其间可以存在第三元件。
同样的附图标记始终指同样的元件。另外，为了有效描述技术内容，夸大了附图中的元件的厚度、比例和尺寸。
如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
术语“第一”、“第二”等可以用来描述各种元件，但是这些元件不应该被解释为受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与其它元件区分开。例如，在不脱离公开的教导的情况下，第一元件可以被命名为第二元件，反之亦然。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
此外，术语“在……下方”、“下侧”、“在……上”、“上侧”等用来描述附图中所示的元件之间的关联关系。基于附图中所示的方向来描述作为相对概念的术语。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域技术人员理解的相同的含义。常用术语(诸如在通用词典中定义的那些术语)应该被解释为在上下文中与相关领域中的含义相匹配，并且不应以理想化或过于正式的含义进行解释，除非这里明确地如此定义。
还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“具有”等说明存在所陈述的特征、数量、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
在下文中，将参照附图来描述本发明的示例性实施例。
图1是根据本发明的实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置DD不仅可以用于大型电子装置(诸如电视机、监视器或外部广告牌)，而且可以用于小型或中型电子装置(诸如个人计算机、膝上型计算机、个人数字终端、车辆导航单元、游戏机、便携式电子装置和照相机)。此外，这些仅作为示例呈现，因此，在不脱离本发明的构思的情况下，显示装置也可以用于其它电子装置。
显示装置DD可以具有限定在其中的显示区域DA和非显示区域NDA。
其中显示图像IM的显示区域DA平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。作为显示装置DD的厚度方向的显示区域DA的法线方向由第三方向DR3来表示。通过第三方向DR3来划分每个构件的前表面(或上表面)和后表面(下表面)。然而，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是相对概念，并且因此可以被转换为不同的方向。在下文中，第一方向至第三方向可以分别是由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向，并且将用相同的附图标记来标识。
非显示区域NDA是与显示区域DA相邻且其中不显示图像IM的区域。显示装置DD的边框区域可以由非显示区域NDA来限定。
非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。然而，不限于此，显示区域DA的形状和非显示区域NDA的形状可以相对地设计。
图2a至图2d是根据本发明的实施例的显示装置DD的剖视图。图2a至图2d示出了由第二方向DR2和第三方向DR3限定的剖面。简单地示出了图2a至图2d以说明构成显示装置DD的功能构件的堆叠关系。
根据本发明的实施例的显示装置DD可以包括显示面板、输入检测传感器、防反射器和窗。显示面板、输入检测传感器、防反射器和窗之中的至少一些组件可以通过连续工艺来设置，或者至少一些组件可以通过粘合构件彼此结合。图2a至图2d示出了作为粘合构件的示例的光学透明粘合构件OCA。在下文中描述的粘合构件可以包括普通粘合剂或胶水。根据本发明的实施例，防反射器和窗可以被省略或者可以用其它组件来代替。
在图2a至图2d中，在输入检测传感器、防反射器和窗之中，通过连续的工艺与其它构造一起形成的对应构造被表述为“层”。通过粘合构件与输入检测传感器、防反射器和窗之中的其它构造组合的构造被表述为“面板”。面板包括提供基体表面的基体层，诸如合成树脂膜、复合材料膜和玻璃基底，但是可以从“层”省略基体层。换句话说，表述为“层”的单元设置在由其它单元提供的基体表面上。
在下文中，根据存在或不存在基体层，输入检测传感器、防反射器和窗可以被称为输入感测面板ISP、防反射面板RPP和窗面板WP或者输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL。
如图2a中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL、防反射面板RPP和窗面板WP。输入感测层ISL直接设置在显示面板DP上。在本说明书中，表述“构造B直接设置在构造A上”指在构造A与构造B之间没有单独的粘合层/构件。在已经提供了构造A之后在由构造A提供的基体表面上通过连续的工艺来形成构造B。
显示面板DP和直接设置在显示面板DP上的输入感测层ISL的组合可以被定义为显示模块DM。光学透明粘合构件OCA分别设置在显示模块DM与防反射面板RPP之间以及防反射面板RPP与窗面板WP之间。
显示面板DP显示图像。输入感测层ISL获得外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。尽管未单独示出，但是根据本发明的实施例的显示模块DM还可以包括设置在显示面板DP的下表面上的保护构件。保护构件和显示面板DP可以通过粘合构件彼此结合。在下文中说明的图2b至图2d的显示装置DD也可以进一步包括保护构件。
根据本发明的实施例的显示面板DP可以是发光显示面板，并且不受具体地限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包含有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点、量子棒等。在下文中，显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。
防反射面板RPP降低从窗面板WP的上表面入射的外部光的反射率。根据本发明的实施例的防反射面板RPP可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型延迟器或液晶涂覆型延迟器，并且包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型偏振器或液晶涂覆型偏振器。膜型可以包括拉长的合成树脂膜，并且液晶涂覆型可以包括以预定排列布置的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器自身或者保护膜可以被定义为防反射面板RPP的基体层。
根据本发明的实施例的防反射面板RPP可以包括滤色器。滤色器具有预定的布置。滤色器的布置可以考虑到包括在显示面板DP中的像素的发光颜色来确定。防反射面板RPP还可以包括与滤色器相邻的黑矩阵。
根据本发明的实施例的防反射面板RPP可以包括相消干涉结构。例如，相消干涉结构可以包括设置在对应的不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光彼此相消干涉，因此降低外部光的反射率。
根据本发明的实施例的窗面板WP包括基体层WP-BS和遮光图案WP-BZ。基体层WP-BS可以包括玻璃基底和/或合成树脂膜。基体层WP-BS不限于单层结构。基体层WP-BS可以包括通过粘合构件彼此结合的两个或更多个膜。
遮光图案WP-BZ与基体层WP-BS部分叠置。遮光图案WP-BZ可以设置在基体层WP-BS的后表面上，并且基本限定显示装置DD的非显示区域NDA。其中未设置有遮光图案WP-BZ的区域可以限定显示装置DD的显示区域DA。当限于窗面板WP时，其中设置有遮光图案WP-BZ的区域被定义为遮光区域，并且其中未设置有遮光图案WP-BZ的区域被定义为窗面板WP的透射区域。
遮光图案WP-BZ可以具有多层结构。多层结构可以包括着色层和黑色遮光层。着色层和黑色遮光层可以通过沉积、印刷和涂覆工艺来提供。尽管未单独示出，但是窗面板WP还可以包括设置在基体层WP-BS的前表面上的功能涂覆层。功能涂覆层可以包括防指纹层、防反射层、硬涂层等。在下面参照的图2b至图2d中，简要地示出了窗面板WP和窗层WL，而没有将其划分为基体层WP-BS和遮光图案WP-BZ。
如图2b和图2c中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测面板ISP、防反射面板RPP和窗面板WP。输入感测面板ISP和防反射面板RPP的堆叠顺序可以改变。
如图2d中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL。与图2a中所示的显示装置DD相比，省略了光学透明粘合构件，并且输入感测层ISL、防反射层RPL和窗层WL通过连续的工艺设置在由显示面板DP提供的基体表面上。输入感测层ISL和防反射层RPL的堆叠顺序可以改变。
图3是根据本发明的实施例的显示面板的平面图。
参照图3，显示面板DP可以包括驱动电路GDC、多条信号线SGL(在下文中，称为信号线)、多个信号垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)DP-PD(在下文中，称为信号垫)和多个像素PX(在下文中，称为像素)。
显示区域DP-DA可以被定义为其中设置有像素PX的区域。每个像素PX包括有机发光二极管和与其连接的像素驱动电路。驱动电路GDC、信号线SGL、信号垫DP-PD以及像素驱动电路可以包括在图5中所示的电路层ML中。
驱动电路GDC可以包括扫描驱动电路。扫描驱动电路产生多个扫描信号(在下文中，称为扫描信号)，并且将扫描信号顺序地输出到将在下面描述的多条扫描线SL(在下文中，称为扫描线)。扫描驱动电路还可以将另一控制信号输出到像素PX的驱动电路。
扫描驱动电路可以包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管通过与用于形成像素PX的驱动电路的工艺相同的工艺(例如，低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)来提供。
信号线SGL包括扫描线SL、数据线DL、电力线PL、发光控制线ECL和控制信号线CSL。
扫描线SL中的每条连接到像素PX之中的对应像素PX，数据线DL中的每条连接到像素PX之中的对应像素PX。电力线PL连接到像素PX。发光控制线ECL中的每条连接到像素PX之中的对应像素PX。控制信号线CSL可以将控制信号提供到扫描驱动电路。
信号线SGL与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA叠置。信号线SGL可以包括垫部分和线部分。线部分与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA叠置。垫部分设置在线部分的端部处。垫部分设置在非显示区域DP-NDA中，并且与信号垫DP-PD之中的对应信号垫叠置。在非显示区域DP-NDA中设置有信号垫DP-PD的区域可以被定义为垫区域DP-PA。未示出的电路基底可以连接到垫区域DP-PA。
图4是根据本发明的实施例的像素PX的等效电路图。作为示例，图4示出了连接到第i扫描线SLi和第i发光控制线ECLi的像素PX。
像素PX可以包括有机发光二极管OLED和像素电路CC。像素电路CC可以包括多个晶体管T1至T7以及电容器CP。像素电路CC响应于数据信号来控制流过有机发光二极管OLED的电流的量。
有机发光二极管OLED可以响应于从像素电路CC供应的电流的量而发射具有预定亮度的光。为此，第一电源ELVDD的电平可以设置为高于第二电源ELVSS的电平。
多个晶体管T1至T7中的每个可以包括输入电极(或源电极)、输出电极(或漏电极)和控制电极(或栅电极)。在本说明书中，为了方便，输入电极和输出电极中的一个可以被称为第一电极，另一个可以被称为第二电极。
第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5连接到第一电源ELVDD，第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。在本说明书中，第一晶体管T1可以被称为驱动晶体管。
第一晶体管T1响应于施加到第一晶体管T1的控制电极的电压来控制流过有机发光二极管OLED的电流的量。
第二晶体管T2连接在数据线DL与第一晶体管T1的第一电极之间，并且第二晶体管T2的控制电极连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号提供到第i扫描线SLi时，第二晶体管T2导通，从而将数据线DL电连接到第一晶体管T1的第一电极。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极与第一晶体管T1的控制电极之间。第三晶体管T3的控制电极连接到第i扫描线SLi。当第i扫描信号提供到第i扫描线SLi时，第三晶体管T3导通，从而将第一晶体管T1的第二电极电连接到第一晶体管T1的控制电极。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管的形式连接。
第四晶体管T4连接在节点ND与初始化电力产生单元(未示出)之间，并且第四晶体管T4的控制电极连接到第i-1扫描线SLi-1。当第i-1扫描信号提供到第i-1扫描线SLi-1时，第四晶体管T4导通，从而将初始化电压Vint供应到节点ND。
第五晶体管T5连接在电力线PL与第一晶体管T1的第一电极之间。第五晶体管T5的控制电极连接到第i发光控制线ECLi。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1的第二电极与有机发光二极管OLED的阳极电极之间，并且第六晶体管T6的控制电极连接到第i发光控制线ECLi。
第七晶体管T7连接在初始化电力产生单元(未示出)与有机发光二极管OLED的阳极电极之间，并且第七晶体管T7的控制电极连接到第i+1扫描线SLi+1。当第i+1扫描信号提供到第i+1扫描线SLi+1时，第七晶体管T7导通，从而将初始化电压Vint供应到有机发光二极管OLED的阳极电极。
第七晶体管T7可以改善像素PX的黑色表现能力。具体地，当第七晶体管T7导通时，有机发光二极管OLED的寄生电容器(未示出)放电。然后，当实现黑色亮度时，由于来自第一晶体管T1的漏电流被初始化电压Vint放电，有机发光二极管OLED可以不发光，因此可以改善黑色表现能力。
另外，尽管图4示出了第七晶体管T7的控制电极连接到第i+1扫描线SLi+1，但是本发明不限于此。在本发明的另一实施例中，第七晶体管T7的控制电极可以连接到第i扫描线SLi或第i-1扫描线SLi-1。
图4示出了作为参照的p型金属氧化物半导体(PMOS)，但是本发明不限于此。在本发明的可选的实施例中，像素电路CC可以由n型金属氧化物半导体(NMOS)构成。在本发明的又一实施例中，像素电路CC可以由NMOS和PMOS的组合构成。
电容器CP设置在电力线PL与节点ND之间。电容器CP存储与数据信号对应的电压。当第五晶体管T5和第六晶体管T6导通时，可以根据存储在电容器CP中的电压来确定流过第一晶体管T1的电流的量。
在本发明中，像素PX的等效电路不限于图4中所示的等效电路。在本发明的另一实施例中，像素PX可以以各种形式实现以允许有机发光二极管OLED发射光。
图5是示出根据本发明的实施例的显示面板的部分构造的剖视图。
参照图5，显示面板DP可以包括基体层BL、电路层ML、发光元件层EL和封装层TFE。电路层ML可以包括晶体管TR以及多个绝缘层BFL、L1、L2、L3和L4。
绝缘层BFL可以设置在基体层BL上，并且晶体管TR可以设置在绝缘层BFL上。图5的晶体管TR可以是图4中所示的第一晶体管T1。晶体管TR可以包括半导体层ACL、控制电极GED、第一电极ED1和第二电极ED2。
半导体层ACL可以设置在绝缘层BFL上。绝缘层BFL可以是为半导体层ACL提供改性表面的缓冲层。在这种情况下，半导体层ACL对绝缘层BFL的粘附性可以高于对基体层BL的粘附性。另外，绝缘层BFL可以是保护半导体层ACL的下表面的阻挡层。在这种情况下，绝缘层BFL可以阻挡穿过基体层BL或基体层BL自身的污染物或湿气渗透到半导体层ACL中。可选择地，绝缘层BFL可以是阻挡透过基体层BL入射的外部光入射到半导体层ACL的阻光层。在这种情况下，绝缘层BFL还可以包含遮光材料。
半导体层ACL可以包含多晶硅或非晶硅。另外，半导体层ACL可以包含金属氧化物半导体。半导体层ACL可以包括：沟道区，用作电子或空穴可通过其移动的通道；以及第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，被设置为使沟道区置于第一离子掺杂区与第二离子掺杂区之间。
第一绝缘层L1设置在绝缘层BFL上，并且可以覆盖半导体层ACL。第一绝缘层L1可以包含无机材料。无机材料可以包含氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
控制电极GED可以设置在第一绝缘层L1上。第二绝缘层L2设置在第一绝缘层L1上并且可以覆盖控制电极GED。第二绝缘层L2可以包含无机材料。
第三绝缘层L3可以设置在第二绝缘层L2上。第一电极ED1和第二电极ED2可以设置在第三绝缘层L3上。第一电极ED1和第二电极ED2可以通过贯穿第一绝缘层L1、第二绝缘层L2和第三绝缘层L3的通孔连接到半导体层ACL。
第四绝缘层L4设置在第三绝缘层L3上，并且可以覆盖第一电极ED1和第二电极ED2。第四绝缘层L4可以由单层或多层组成。例如，单层可以包括有机层。可以通过堆叠有机层和无机层来设置多个层。第四绝缘层L4可以是在其顶部上提供平坦表面的平坦化层。
发光元件层EL和限定图案PDP可以设置在第四绝缘层L4上。
发光元件层EL可以包括第一电极E1、发光层EM和第二电极E2。第一电极E1设置在第四绝缘层L4上，并且可以通过限定在第四绝缘层L4中的通孔电连接到第二电极ED2。发光元件层EL可以对应于图4中描述的有机发光二极管OLED。
限定图案PDP可以设置在电路层ML上并且限定像素区域PXA。限定图案PDP覆盖第一电极E1的至少一部分，并且可以设置在第四绝缘层L4上。第一电极E1的一部分可以不被限定图案PDP覆盖，并且该部分可以对应于像素区域PXA。因此，限定图案PDP可以被称为像素限定图案或像素限定膜。
发光层EM可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。发光层EM可以具有由单种材料制成的单层结构、由多种不同材料制成的单层结构或者由多种不同材料制成的多个层组成的多层结构。
发光层EM可以包含有机材料。有机材料没有特别限制，只要其是常用的材料即可。例如，发光层EM可以由发射红色、绿色和蓝色的光的材料中的至少一种构成，并且可以包含荧光材料或磷光材料。
第二电极E2可以设置在发光层EM和限定图案PDP上。第二电极E2可以接收第二电源ELVSS(见图4)。
封装层TFE设置在第二电极E2上。封装层TFE可以直接覆盖第二电极E2。在本发明的另一实施例中，覆盖第二电极E2的覆盖层可以进一步设置在封装层TFE与第二电极E2之间。在这种情况下，封装层TFE可以直接覆盖覆盖层。覆盖层可以包含有机材料。覆盖层保护第二电极E2免受后续工艺(诸如溅射工艺)的影响，并且改善发光元件层EL的光输出效率。覆盖层可以具有比稍后描述的第一无机层ECL1的折射率高的折射率。
封装层TFE可以包括顺序地堆叠的第一无机层ECL1、有机层ECL2和第二无机层ECL3。有机层ECL2可以设置在第一无机层ECL1与第二无机层ECL3之间。第一无机层ECL1和第二无机层ECL3可以通过沉积无机材料来提供，并且有机层ECL2可以通过沉积、印刷或涂覆有机材料来提供。
第一无机层ECL1和第二无机层ECL3保护发光元件层EL免受湿气和氧的影响，有机层ECL2保护发光元件层EL免受异物(诸如灰尘颗粒)的影响。第一无机层ECL1和第二无机层ECL3可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。有机层ECL2可以包括聚合物，例如，丙烯酸类有机层。然而，这是示例性的，并且本发明不限于此。
尽管图5示例性地示出了封装层TFE包括两个无机层和一个有机层，但是本发明不限于此。例如，封装层TFE可以包括三个无机层和两个有机层，并且在这种情况下，无机层和有机层可以具有交替堆叠的结构。
图6是根据本发明的实施例的输入感测层的平面图。下面描述的输入感测层ISL可以等同地应用于输入感测面板ISP(见图2b)。
输入感测层ISL可以包括与图3中所示的显示面板DP的显示区域DP-DA对应的感测区域IS-DA和与非显示区域DP-NDA对应的线区域IS-NDA。
输入感测层ISL可以包括：第一感测电极EG1；第二感测电极EG2；第一信号线组SG1，电连接到第一感测电极EG1之中的一些对应电极；第二信号线组SG2，电连接到第一感测电极EG1之中的其它对应电极；以及第三信号线组SG3，电连接到第二感测电极EG2。
图6示例性地示出了第一信号线组SG1和第二信号线组SG2设置为使得感测区域IS-DA置于第一信号线组SG1与第二信号线组SG2之间。然而，在本发明的实施例中，第一信号线组SG1和第二信号线组SG2可以设置在感测区域IS-DA的同一侧上。另外，在本发明的实施例中，第一信号线组SG1和第二信号线组SG2中的每个可以以双布线结构连接到第一感测电极EG1。
第一感测电极EG1和第二感测电极EG2设置在感测区域IS-DA中。第一信号线组SG1、第二信号线组SG2和第三信号线组SG3设置在线区域IS-NDA中。
在本实施例中，输入感测层ISL可以是以互电容方法来感测外部输入的电容式触摸传感器。第一感测电极EG1和第二感测电极EG2中的一个接收检测信号，并且第一感测电极EG1和第二感测电极EG2中的另一个将第一感测电极EG1与第二感测电极EG2之间的变化量作为输出信号进行输出。
每个第一感测电极EG1沿着第二方向DR2延伸。第一感测电极EG1通过在第一方向DR1上间隔开而设置。每个第二感测电极EG2沿着第一方向DR1延伸。第二感测电极EG2通过在第二方向DR2上间隔开而设置。
第一感测电极EG1可以包括第一传感器部分SP1和第一连接部分CP1。第一传感器部分SP1沿着第二方向DR2布置。每个第一连接部分CP1可以连接第一传感器部分SP1之中的两个相邻的第一传感器部分SP1。
第二感测电极EG2可以包括第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。第二传感器部分SP2沿着第一方向DR1布置。每个第二连接部分CP2可以连接第二传感器部分SP2之中的两个相邻的第二传感器部分SP2。
第一信号线组SG1、第二信号线组SG2和第三信号线组SG3可以电连接到对应的信号垫IS-PD。在线区域IS-NDA中设置有信号垫IS-PD的区域可以被定义为垫区域IS-PA。电路板(未示出)可以连接到垫区域IS-PA。
图7是示出图6的区域“AA”的放大平面图。
示出了显示面板DP(见图5)的第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G之间的布置关系。第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G被定义为参照图5描述的像素区域PXA。
参照图6和图7，在本实施例中，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G可以具有不同的面积。第一像素区域PXA-R可以具有第一面积，第二像素区域PXA-B可以具有第二面积，并且第三像素区域PXA-G可以具有第三面积。第二面积可以大于第一面积，并且第一面积可以大于第三面积。
参照图3描述的多个像素PX可以包括产生红光的红色像素、产生蓝光的蓝色像素和产生绿光的绿色像素。在本实施例中，第一像素区域PXA-R可以对应于红色像素，第二像素区域PXA-B可以对应于蓝色像素，并且第三像素区域PXA-G可以对应于绿色像素。
第一像素区域PXA-R和第二像素区域PXA-B可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2交替地布置。可以设置多个第三像素区域PXA-G，并且多个第三像素区域PXA-G可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2布置。第一像素区域PXA-R和第三像素区域PXA-G可以沿着第四方向DR4交替地布置。第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G可以沿着第四方向DR4交替地布置。第四方向DR4可以被称为与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的对角线方向。
尽管作为示例，图7示出了第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G以五瓦片(pentile)的形式布置，但是本发明不限于此。例如，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G可以以条形(stripe)的形式布置。条形的形式可以表示第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G沿着第二方向DR2交替地布置，并且相同的像素区域在第一方向DR1上布置。
第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的每个可以具有网格形状。多个开口OP-MR、OP-MG和OP-MB可以限定在第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的每个中。因此，在平面上，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以不与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G叠置。例如，第一开口OP-MR可以限定在与第一像素区域PXA-R对应的区域中，第二开口OP-MB可以限定在与第二像素区域PXA-B对应的区域中，并且第三开口OP-MG可以限定在与第三像素区域PXA-G对应的区域中。
图8是示出沿着图6的线I-I'截取的一部分的剖视图，并且图9是示出沿着图7的线II-II'截取的一部分的剖视图。
参照图7、图8和图9，输入感测层ISL可以包括缓冲层BFL-I、第一导电层CL1、层间绝缘层IL-C、第二导电层CL2、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3。
缓冲层BFL-I可以设置在封装层TFE上。缓冲层BFL-I可以包含无机材料。例如，无机材料可以是氮化硅。缓冲层BFL-I可以具有约2000埃的厚度。然而，这是示例性的，并且缓冲层BFL-I的材料和厚度不限于此。另外，在本发明的一个实施例中，可以省略缓冲层BFL-I。
第一导电层CL1可以设置在缓冲层BFL-I上。第一导电层CL1可以包括第一连接部分CP1。
层间绝缘层IL-C可以设置在第一导电层CL1上。层间绝缘层IL-C可以包含无机材料。例如，无机材料可以是氮化硅。层间绝缘层IL-C的厚度可以是约3000埃。
第二导电层CL2可以设置在层间绝缘层IL-C上。第二导电层CL2可以包括第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。
第一传感器部分SP1之中彼此相邻的两个第一传感器部分SP1可以连接到一个第一连接部分CP1。两个第一传感器部分SP1可以通过限定在层间绝缘层IL-C中的通孔HL-I连接到第一连接部分CP1。
在本发明的另一实施例中，第一导电层CL1可以包括第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2，并且第二导电层CL2可以包括第一连接部分CP1。
第一绝缘层IL1可以设置在第二导电层CL2上。第一绝缘层IL1可以具有第一折射率。第一绝缘层IL1可以包含第一有机材料。第一有机材料可以包含丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。然而，这是示例性的，并且第一有机材料不限于这些示例。
在第一绝缘层IL1中，多个第一开口可以限定在与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G叠置的区域中。图9示出了一个第一开口OPa。第一开口OPa可以限定在与第一像素区域PXA-R对应的区域中。例如，第一开口OPa可以在平面上与第一像素区域PXA-R叠置。在本说明书中，开口的附图标记的一些指引线表示为指示限定开口的构造的各方面。
第二绝缘层IL2可以设置在第一绝缘层IL1上。第二绝缘层IL2可以包含无机材料。无机材料可以是氮化硅。可以用可以通过低温工艺沉积的各种有机材料来代替无机材料。低温工艺可以表示例如在约85度或更低的温度下进行的工艺。然而，低温范围不限于上述示例。可以考虑构成显示面板DP的材料劣化的温度来确定低温标准。
在第二绝缘层IL2中，多个第二开口可以限定在与多个第一开口对应的区域中。图9示出了一个第二开口OPb。第二开口OPb可以限定在与第一像素区域PXA-R对应的区域中。
第一开口OPa和第二开口OPb可以被称为第一透镜开口OPL-MR。参照图7，示出了限定在与第二像素区域PXA-B叠置的区域中的第二透镜开口OPL-MB以及限定在与第三像素区域PXA-G叠置的区域中的第三透镜开口OPL-G。
在平面上，第一透镜开口OPL-MR的第一面积、第二透镜开口OPL-MB的第二面积和第三透镜开口OPL-MG的第三面积可以彼此不同。第二面积可以大于第一面积，并且第一面积可以大于第三面积。
第三绝缘层IL3可以设置在第二绝缘层IL2上。第三绝缘层IL3可以具有第二折射率。第三绝缘层IL3可以包含第二有机材料。在本发明的一个实施例中，第二有机材料可以选自于具有比第一有机材料的折射率高的折射率的材料。另外，在本发明的一个实施例中，第三绝缘层IL3可以包含与第一有机材料的材料相同的材料和改善折射率的材料。该材料可以是例如氧化锆。
第一折射率可以是约1.45至约1.55。第二折射率可以是约1.65至约1.70。第二折射率与第一折射率之间的差可以为约0.1或更大。第一折射率和第二折射率的范围作为示例呈现。因此，第一折射率和第二折射率的范围不限于这些示例，只要第二折射率高于第一折射率即可。
第三绝缘层IL3可以填充第一透镜开口OPL-MR、第二透镜开口OPL-MB和第三透镜开口OPL-G。另外，第三绝缘层IL3还可以提供平坦的上表面。
从发光元件层EL提供的光可以在正面方向上(例如，在第三方向DR3上)以及在侧面方向上发射。可以基于在正面方向上发射的光来确定光效率。根据本发明的实施例，由于第一绝缘层IL1与第三绝缘层IL3之间的折射率差，在侧面方向上发射的光LT可以被折射或全反射。因此，光LT的光路径可以改变为第三方向DR3或接近第三方向DR3的方向。结果，可以改善显示装置DD(见图1)的光效率。
第一绝缘层IL1的第一厚度TK1可以大于第二绝缘层IL2的第二厚度TK2。第三绝缘层IL3的第三厚度TK3可以大于第一厚度TK1和第二厚度TK2。第一厚度TK1、第二厚度TK2和第三厚度TK3中的每个可以表示最大厚度。
第一厚度TK1可以是约1.5微米或更大。例如，第一厚度TK1可以是约3微米至约5微米。第二厚度TK2可以是几千埃。例如，第二厚度可以是约3000埃。第三厚度TK3可以是几微米。例如，第三厚度TK3可以是约5微米。第一透镜开口OPL-MR的宽度WT可以是约1微米或更小。宽度WT可以表示第一透镜开口OPL-MR的最小宽度。该数值范围仅作为示例呈现，并且第一厚度TK1、第二厚度TK2、第三厚度TK3和宽度WT不限于上述数值范围。
图10是示出根据本发明的实施例的沿着与图6的线I-I'对应的线截取的一部分的剖视图。图11是示出根据本发明的实施例的沿着与图7的线II-II'对应的线截取的一部分的剖视图。
参照图10和图11，输入感测层ISLa可以包括缓冲层BFL-I、第一导电层CL1、第一绝缘层IL1a、第二绝缘层IL2a、第二导电层CL2和第三绝缘层IL3a。
第一导电层CL1可以设置在缓冲层BFL-I上。第一导电层CL1可以包括第一连接部分CP1。
第一绝缘层IL1a可以设置在第一导电层CL1上，并且第二绝缘层IL2a可以设置在第一绝缘层IL1a上。
第一绝缘层IL1a具有第一折射率，并且第一绝缘层IL1a可以包含第一有机材料。第二绝缘层IL2a可以包含无机材料。
在第一绝缘层IL1a中，多个第一开口可以限定在与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G叠置的区域中。在图11中，示出了一个第一开口OPa1。第一开口OPa1可以限定在与第一像素区域PXA-R对应的区域中。例如，在平面上，第一开口OPa1可以与第一像素区域PXA-R叠置。
在第二绝缘层IL2a中，多个第二开口可以限定在与多个第一开口对应的区域中。在图11中，示出了一个第二开口OPb1。第二开口OPb1可以限定在与第一像素区域PXA-R对应的区域中。
第一开口OPa1和第二开口OPb1可以被称为第一透镜开口OPL-MR1。根据本发明的实施例，在剖面上，第一透镜开口OPL-MR1可以限定在第一导电层CL1与第二导电层CL2之间。因此，当与上述图9相比时，输入感测层ISLa的厚度可以小于图9的输入感测层ISL的厚度。
第二导电层CL2可以设置在第二绝缘层IL2a上。第二导电层CL2可以包括第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2(见图6)和第二连接部分CP2。
第一传感器部分SP1之中彼此相邻的两个第一传感器部分SP1可以连接到一个第一连接部分CP1。两个第一传感器部分SP1可以通过限定在第一绝缘层IL1a和第二绝缘层IL2a中的触摸接触孔HL-C连接到第一连接部分CP1。触摸接触孔HL-C可以包括限定在第一绝缘层IL1a中的第一触摸接触孔HLa和限定在第二绝缘层IL2a中的第二触摸接触孔HLb。
图12是根据本发明的实施例的与图6的区域AA对应的区域的放大平面图。图13是示出沿着与图12的线III-III'对应的线截取的一部分的剖视图。在描述图12和图13时，描述将侧重于与图7和图9中描述的部分不同的部分。
参照图12和图13，输入感测层ISLb可以包括缓冲层BFL-I、第一导电层、第二导电层、设置在第一导电层与第二导电层之间的层间绝缘层IL-C、第一绝缘层IL1b、第二绝缘层IL2b和第三绝缘层IL3b。
第一辅助开口SOPa可以进一步限定在第一绝缘层IL1b中，并且第二辅助开口SOPb可以进一步限定在第二绝缘层IL2b中。
第一辅助开口SOPa可以被限定为围绕第一开口OPa。第二辅助开口SOPb可以限定在与第一辅助开口SOPa对应的区域(例如，在平面上与第一辅助开口SOPa叠置的区域)中。因此，第二辅助开口SOPb也可以被限定为围绕第二开口OPb。
第一辅助开口SOPa和第二辅助开口SOPb可以被称为辅助透镜开口SOPL。可以设置多个辅助透镜开口SOPL。多个辅助透镜开口SOPL可以被限定为一对一地对应于第一透镜开口OPL-MR、第二透镜开口OPL-MB和第三透镜开口OPL-MG的外围并且围绕第一透镜开口OPL-MR、第二透镜开口OPL-MB和第三透镜开口OPL-MG的外围。
第三绝缘层IL3b可以填充第一透镜开口OPL-MR、第二透镜开口OPL-MB、第三透镜开口OPL-G和辅助透镜开口SOPL。另外，第三绝缘层IL3b还可以提供平坦的上表面。
由于第一绝缘层IL1b与第三绝缘层IL3b之间的折射率差，在侧面方向上发射的光LT和LTa可以被折射或全反射。根据本发明的实施例，比第一光LT更向侧面地发射的第二光LTa可以在辅助透镜开口SOPL中被全反射或折射。也就是说，第二光LTa以及第一光LT的路径可以被改变为第三方向DR3或接近第三方向DR3的方向。结果，可以改善显示装置DD(见图1)的光效率。
图14a至图14g是示出根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图14a，形成包括多个像素区域PXA1、PXA2和PXA3的显示面板DP。
形成显示面板DP的步骤可以包括形成基体层BL、在基体层BL上形成电路层ML、在电路层ML上形成发光元件层EL以及在发光元件层EL上形成封装层TFE。
多个像素区域PXA1、PXA2和PXA3中的每个可以对应于以上参照图7描述的第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G中的每个。
参照图14b，在显示面板DP上形成缓冲层BFL-I。在缓冲层BFL-I上形成第一导电层CL1。在第一导电层CL1上形成层间绝缘层IL-C。在层间绝缘层IL-C上形成第二导电层CL2。
参照图14c，在第二导电层CL2上形成第一初始层BIL1。第一初始层BIL1可以是具有第一折射率的层。第一初始层BIL1可以由有机材料构成。第一初始层BIL1可以在低温环境中形成。低温可以表示例如对于在约85度或更低的温度下进行的工艺的温度。
参照图14d，在第一初始层BIL1上形成第二初始层BIL2。第二初始层BIL2可以包含无机材料。第二初始层BIL2可以包含透光材料或阻光材料。第二初始层BIL2可以在低温环境中形成。低温可以表示例如对于在约85度或更低的温度下进行的工艺的温度。
参照图14e，在第二初始层BIL2上形成光致抗蚀剂图案PRP。尽管未示出，但是可以通过使光致抗蚀剂层图案化来形成光致抗蚀剂图案PRP。图案化可以包括曝光工艺和显影工艺。光致抗蚀剂图案PRP可以包含负性光致抗蚀剂材料或正性光致抗蚀剂材料。例如，当光致抗蚀剂图案PRP包含负性光致抗蚀剂材料时，光致抗蚀剂图案PRP可以是用光照射的部分。当光致抗蚀剂图案PRP是正性光致抗蚀剂材料时，光致抗蚀剂图案PRP可以是未用光照射的部分。
使用光致抗蚀剂图案PRP作为掩模，使第二初始层BIL2图案化以形成掩模IL2。掩模IL2也可以被称为第二绝缘层IL2。掩模开口OPb可以设置在掩模IL2中。掩模开口OPb也可以被称为第二开口OPb。掩模开口OPb可以设置在在平面上与多个像素区域PXA1、PXA2、PXA3叠置的区域中。
参照图14f，通过使用掩模IL2以使第一初始层BIL1图案化来形成第一绝缘层IL1。使第一初始层BIL1图案化的工艺可以包括蚀刻工艺。蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺。可以在使第一初始层BIL1图案化的工艺期间去除光致抗蚀剂图案PRP，或者可以通过使用单独的额外的工艺来去除光致抗蚀剂图案PRP。
可以在第一绝缘层IL1中形成第一开口OPa。第一开口OPa可以在平面上与多个像素区域PXA1、PXA2和PXA3叠置。
根据本发明的实施例，当形成第一开口OPa时，可以使用由无机材料构成的掩模IL2。另外，可以通过使用气体反应的干法蚀刻工艺来形成第一开口OPa。
根据本发明的对比示例，第一绝缘层可以包含光敏材料，并且可以通过使用曝光工艺和显影工艺来形成第一绝缘层中的第一开口。在这种情况下，存在以下缺点：由于光敏材料的材料性质，第一开口的倾斜度发生偏差，并且用于图案化的精确度不足。偏差会导致光学性质的散布，并且由于图案化精度的不足会产生残留膜，这会导致工艺可靠性降低。另外，当改变构成第一绝缘层的光敏材料的材料时，存在重新设计用于对第一绝缘层进行曝光和显影的工艺条件的不便。
然而，根据本发明的实施例，可以通过使用干法蚀刻工艺来形成第一开口OPa。干法蚀刻工艺具有高图案形成精度和易于高分辨率图案化的优点。因此，当通过使用掩模IL2在第一绝缘层IL1中形成第一开口OPa时，可以减小第一开口OPa的倾斜偏差，并且可以改善图案化精度。随着偏差减小，光学性质的散布减小，从而改善了显示质量。另外，由于改善了图案化的精度，所以即使在高分辨率显示装置中也可以容易地设置第一开口OPa。
另外，由于干法蚀刻工艺中的图案形成的精度高，所以即使第一绝缘层IL1的厚度变大，也可以容易地形成第一开口OPa。因此，即使第一绝缘层IL1的厚度为约3微米或更大，也可以容易地形成第一开口OPa。
参照图14g，在掩模IL2上形成具有高于第一折射率的第二折射率的覆盖层IL3。覆盖层IL3可以被称为第三绝缘层IL3。
图15a至图15c是示出根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图15a，在第二导电层CL2上形成第一初始层BIL1x。第一初始层BIL1x可以是具有第一折射率的层。第一初始层BIL1x可以由有机材料构成。第一初始层BIL1x可以在低温环境中形成。低温可以表示例如对于在约85度或更低的温度下进行的工艺的温度。
在第一初始层BIL1x上形成第二初始层(未示出)，并且在第二初始层上形成光致抗蚀剂层(未示出)。对光致抗蚀剂层(未示出)进行曝光和显影以形成光致抗蚀剂图案PRPx。通过使用光致抗蚀剂图案PRPx以使第二初始层图案化来形成掩模IL2b。掩模IL2b可以包含无机材料。例如，可以包含氮化硅。掩模IL2b可以被称为第二绝缘层IL2b。
可以在掩模IL2b中形成掩模开口OPb和辅助掩模开口SOPb。辅助掩模开口SOPb可以围绕掩模开口OPb。一个辅助掩模开口可以围绕一个掩模开口。
参照图15b，通过使用掩模IL2b以使第一初始层BIL1x图案化来形成第一绝缘层IL1b。使第一初始层BIL1x图案化的工艺可以包括蚀刻工艺。蚀刻工艺可以是干法蚀刻工艺。
可以在第一绝缘层IL1b中形成第一开口OPa和第一辅助开口SOPa。一个第一辅助开口可以形成为围绕一个第一开口。
参照图15c，在掩模IL2b上形成具有高于第一折射率的第二折射率的覆盖层IL3b。覆盖层IL3b可以被称为第三绝缘层IL3b。第一开口OPa、第二开口OPb、第一辅助开口SOPa和第二辅助开口SOPb可以填充有覆盖层IL3b。因此，由于填充开口的覆盖层IL3b与第一绝缘层IL1b之间的折射率差，光可以被全反射或折射，结果，可以改善光效率。
图16a至图16f是示出根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图16a，在缓冲层BFL-I上形成第一连接部分CP1。在第一连接部分CP1上形成第一初始层BIL1y。第一初始层BIL1y可以是具有第一折射率的层。第一初始层BIL1y可以由有机材料构成。第一初始层BIL1y可以在低温环境中形成。
参照图16b，在第一初始层BIL1y上形成第二初始层BIL2y。第二初始层BIL2y可以包括无机材料。第二初始层BIL2y可以在低温环境中形成。
参照图16c，在第二初始层BIL2y上形成光致抗蚀剂图案PRPy。可以通过对光致抗蚀剂层进行曝光和显影来形成光致抗蚀剂图案PRPy。
通过使用光致抗蚀剂图案PRPy以使第二初始层BIL2y图案化来形成掩模IL2a。掩模IL2a也可以被称为第二绝缘层IL2a。在掩模IL2a中可以形成被限定为与像素区域PXA1、PXA2和PXA3对应的开口OPb1以及与第一连接部分CP1叠置的触摸接触孔HLb。
参照图16d，通过使用掩模IL2a以使第一初始层BIL1y图案化来形成第一绝缘层IL1a。可以在第一绝缘层IL1a中形成与像素区域PXA1、PXA2和PXA3叠置的第一开口OPa1以及与第一连接部分CP1叠置的触摸接触孔HLa。
参照图16e，第一绝缘层IL1a的触摸接触孔HLa和掩模IL2a的触摸接触孔HLb可以在平面上彼此叠置以构成触摸接触孔HL-C。
在掩模IL2a上形成第二导电层CL2。第二导电层CL2可以包括第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2(见图6)和第二连接部分CP2。两个相邻的第一传感器部分SP1中的一个可以贯穿一个触摸接触孔以接触第一连接部分CP1，并且另一个相邻的第一传感器部分可以穿透另一个触摸接触孔以接触第一连接部分CP1。
参照图16f，在掩模IL2a上形成具有高于第一折射率的第二折射率的覆盖层IL3a。覆盖层IL3a也可以被称为第三绝缘层IL3a。第一开口OPa1和第二开口OPb1可以填充有覆盖层IL3a。因此，由于填充开口的覆盖层IL3a与第一绝缘层IL1a之间的折射率差，光可以被全反射或折射，结果，可以改善光效率。
尽管已经参照本发明的优选实施例描述了本发明，但是本领域技术人员或本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离稍后描述的权利要求中描述的本发明的精神和技术领域的范围内，可以对本发明进行各种修改和改变。因此，本发明的技术范围不应该限于说明书的详细描述中描述的内容，而应该由权利要求来确定。
工业实用性
本发明改善了显示装置的图像质量和光输出效率，具有很高的工业实用性。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括多个像素区域；
第一绝缘层，设置在所述显示面板上，具有第一折射率，并且具有限定在与所述多个像素区域叠置的区域中的多个第一开口；
第二绝缘层，直接设置在所述第一绝缘层上并且具有限定在与所述多个第一开口对应的区域中的多个第二开口；以及
第三绝缘层，覆盖所述显示面板、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，并且具有高于所述第一折射率的第二折射率，其中，所述第三绝缘层在平面上与所述多个像素区域叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一导电层，设置在所述显示面板上；以及
第二导电层，设置在所述第一导电层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间的层间绝缘层，
其中，所述第一绝缘层设置在所述第二导电层上。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一导电层包括连接部分，所述第二导电层包括传感器部分，触摸接触孔限定在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中，并且所述连接部分电连接到所述传感器部分。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述传感器部分中的每个具有网格形状，并且在平面上，所述传感器部分不与所述多个像素区域叠置。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第三绝缘层设置在所述第二导电层上以覆盖所述第二导电层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层包括第一有机材料，所述第二绝缘层包括无机材料，并且所述第三绝缘层包括第二有机材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个第一开口和所述多个第二开口中的每个填充有所述第三绝缘层。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，多个第一辅助开口进一步限定在所述第一绝缘层中，并且所述多个第一辅助开口的每个被限定为围绕所述多个第一开口之中对应的第一开口。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，多个第二辅助开口进一步限定在所述第二绝缘层中，并且所述多个第二辅助开口限定在与所述多个第一辅助开口对应的区域中。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一折射率为1.45至1.55，并且所述第二折射率为1.60至1.70。
14.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
形成包括多个像素区域的显示面板；
在所述显示面板上形成具有第一折射率的第一初始层；
在所述第一初始层上形成包括无机材料的第二初始层；
通过使所述第二初始层图案化来形成掩模；
通过使用所述掩模以使所述第一初始层图案化来形成第一绝缘层；以及
在所述掩模上形成具有高于所述第一折射率的第二折射率的覆盖层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述显示面板的步骤包括：
形成基体层；
在所述基体层上形成电路层；
在所述电路层上形成发光层；以及
在所述发光层上形成封装层。
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：
在所述封装层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成第一导电层；
形成覆盖所述第一导电层的层间绝缘层；以及
在所述层间绝缘层上形成第二导电层，
其中，所述第一初始层形成在所述第二导电层上。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述掩模的步骤包括在所述第二初始层的在平面上与所述多个像素区域叠置的区域中形成多个掩模开口。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述掩模的步骤还包括形成多个辅助掩模开口，所述多个辅助掩模开口一对一地对应于所述多个掩模开口并且围绕所述多个掩模开口。
19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一初始层包括第一有机材料，并且所述覆盖层包括第二有机材料。
20.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：
在所述封装层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成第一导电层；以及
在所述第一导电层上形成第二导电层，
其中，所述掩模和所述第一绝缘层形成在所述第一导电层与所述第二导电层之间，并且所述覆盖层形成在所述第二导电层上。
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