CN104699349B - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 47
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013499 data model Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
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- G02—OPTICS
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
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Abstract
本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法,以及一种显示面板,该阵列基板包括:显示区和边框区,边框区包括驱动电路区以及连接驱动电路区与显示区的走线区,其中,走线区包括多条第一信号线,第一信号线包括电连接的第一导电层和第二导电层,以降低所述第一信号线的电阻,使得本发明所提供的第一信号线,相较于现有技术中的第一信号线,在相同阻值的情况下,本发明所提供的第一信号线宽度较小,或者将现有技术中位于同一层的第一信号线和第二信号线异层设置,减少每层信号线的数量,从而在相同走线的数量下,减小了所述阵列基板中走线区的面积,进而缩小了包括该阵列基板的显示面板的边框面积。
Description
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法以及一种包括该阵列基板的显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,越来越多的显示面板集成了触控功能,其触控原理分为互电容触控技术和自电容触控技术,其中,所述自电容触控技术由于相较于互电容触控技术只需一层触控电极,更适应于显示面板轻薄化的发展。与此同时,在有限的显示面板尺寸下,如何最大限度的增加所述显示面板的显示面积,减小所述显示面板的边框面积,也成为本领域技术人员亟待解决的问题。
目前显示面板包括显示区和边框区,其中,所述显示区包括栅极、源/漏极、公共电极和像素电极等,所述显示面板的边框区包括驱动电路区以及连接所述驱动电路区和所述显示区的走线区。其中,所述显示面板中边框区的宽度主要由所述走线区的宽度决定。而随着显示面板尺寸的越来越多,所述显示面板中显示区的像素单元越来越多,相应的,所述边框区与之对应的走线数量也越来越多,严重制约了所述显示面板边框区的缩小。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法,以及一种包括该阵列基板的显示面板,以缩小所述显示面板的边框区域。
为解决上述问题,本发明实施例提供了如下技术方案:
一种阵列基板,包括:显示区和边框区,所述边框区包括驱动电路区以及连接所述驱动电路区与所述显示区的走线区,其中,所述走线区包括多条第一信号线,所述第一信号线包括:
依次层叠设置的第一导电层和第二导电层;
位于所述第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层;
其中,所述第一导电层与所述第二导电层之间具有第一过孔,所述第二导电层通过所述第一过孔与所述第一导电层电连接。
一种阵列基板的制作方法,应用于上述阵列基板,该方法包括:
提供第一基板;
在所述第一基板第一侧走线区中第一信号线区形成第一导电层;
形成第一绝缘层覆盖所述第一导电层;
在所述第一绝缘层上形成第一过孔,暴露部分第一导电层;
在所述第一绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层通过所述第一过孔与所述第一导电层电连接。
一种阵列基板,包括:显示区和边框区,所述边框区包括驱动电路区以及连接所述驱动电路区与所述显示区的走线区,其中,所述走线区包括:
依次层叠设置的第一信号线层和第二信号线层;
位于所述第一信号线层和第二信号线层之间的第一绝缘层;
其中,所述第一信号线层包括多条沿第一方向延伸的第一信号线,所述第二信号线层包括多条沿第一方向延伸的第二信号线,且在垂直于所述阵列基板表面的方向上,所述第一信号线与所述第二信号线至少部分交叠。
一种显示面板,包括上述阵列基板。
与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:
本发明实施例所提供的技术方案,所述走线区包括多条第一信号线,所述第一信号线包括电连接的第一导电层和第二导电层,以降低所述第一信号线的电阻,使得本发明实施例所提供的第一信号线,相较于现有技术中的第一信号线,在相同阻值的情况下,本发明实施例所提供的第一信号线宽度较小,或者将现有技术中位于同一层的第一信号线和第二信号线异层设置,减少每层信号线的数量,从而在相同走线的数量下,减小了所述阵列基板中走线区的面积,进而缩小了包括该阵列基板的显示面板的边框面积。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例所提供的阵列基板的俯视图;
图2为本发明一个实施例所提供的阵列基板中,第一信号线的结构示意图;
图3为本发明一个实施例所提供的阵列基板中,所述第一信号线与所述第三信号线的电连接示意图;
图4为本发明一个实施例所提供的阵列基板中,显示区的剖视图;
图5为本发明一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图6为本发明另一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图7为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图8为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图9为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图10为本发明另一个实施例所提供的阵列基板中,第一信号线的结构示意图;
图11为本发明一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图12为本发明另一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图13为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图14为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图15为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图16为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图17为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图18为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图19为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图20为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图21为本发明一个实施例所提供的阵列基板的制作方法的流程示意图;
图22为本发明另一个实施例所提供的阵列基板的制作方法的流程示意图;
图23为本发明一个实施例所提供的阵列基板中,走线区的结构示意图;
图24为本发明另一个实施例所提供的阵列基板中,走线区的结构示意图;
图25为本发明又一个实施例所提供的阵列基板中,走线区的结构示意图;
图26为本发明再一个实施例所提供的阵列基板中,走线区的结构示意图;
图27为本发明一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图28为本发明另一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图29为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图30为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图31为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图32为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图33为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图34为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图35为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图36为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图;
图37为本发明一个实施例所提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
本发明实施例提供了一种阵列基板,如图1所示,所述阵列基板包括:显示区100和边框区200,所述边框区200包括驱动电路区201以及连接所述驱动电路区201和所述显示区100的走线区202,其中,所述走线区202包括多条第一信号线1,如图2所示,所述第一信号线1包括:依次层叠设置的第一导电层11和第二导电层12,位于所述第一导电层11和所述第二导电层12之间的第一绝缘层13;其中,所述第一导电层11与所述第二导电层12之间具有第一过孔14,所述第二导电层12通过所述第一过孔14与所述第一导电层11电连接。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,如图1所示,所述走线区202还设置有多个栅极驱动单元(图中未示出)以及与所述栅极驱动单元电连接的连接信号线3,如图3所示,所述连接信号线3通过第二过孔4与所述第一信号线1电连接,将所述第一信号线1中的驱动信号传输给所述栅极驱动单元。
需要说明的是,在本发明实施例中,所述连接信号线3可以通过与所述第一信号线1中的第一导电层11电连接,实现所述连接信号线3与所述第一信号线1的电连接;也可以通过与所述第一信号线1中的第二导电层12的电连接,实现所述连接信号线3与所述第一信号线1的电连接,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
还需要说明的是,在本发明的其他实施例中,所述连接信号线3还可以用于与其他驱动单元电连接,为其他驱动单元提供驱动信号,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
如图4所示,在本发明实施例中,所述显示区100设置有栅极层5、源漏极层6、像素电极层7、公共电极层8和信号传输走线层9;其中,所述公共电极层8包括多个触控单元,所述触控单元在显示阶段用作公共电极,在触控阶段用作触控电极;所述信号传输走线层9包括多条信号传输走线,所述信号传输走线与所述触控单元电连接,在显示阶段为所述触控单元提供公共电压信号,在触控阶段为所述触控单元提供触控信号。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,所述第一导电层11与所述栅极层5位于同一层,所述连接信号线3与所述源漏极层6位于同一层,如图5所示;在本发明的另一个实施例中,所述第一导电层11与所述源漏极层6位于同一层,所述连接信号线3与所述栅极层5位于同一层,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,所述第二导电层12与所述像素电极层7位于同一层,如图7所示,在本发明的另一个实施例中,所述第二导电层12与所述公共电极层8位于同一层,如图8所示,在本发明的又一个实施例中,所述第二导电层12与所述信号传输走线层9位于同一层,如图9所示,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
需要说明的是,在本发明的其他实施例中,所述第一导电层11、所述第二导电层12还可以只有一种一层导电层与其他导电层中的任一导电层位于同一层,或所述第一导电层11和第二导电层12中的任一导电层均单独形成,而不与其他导电层中的任一导电层位于同一层,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
需要说明的是,由于所述像素电极层7可选为透明电极,故在上述实施例中,当所述第二导电层12与所述像素电极层7位于同一层时,所述第二导电层12也可选为透明电极,以使得所述第二导电层12与所述像素电极层7可以同时形成,减少所述阵列基板的制程,提高所述阵列基板的生产效率,降低所述阵列基板的成本;而所述信号传输走线层9可选为金属电极层,以降低所述信号传输走线的电阻,提高所述信号传输走线传输信号的速度,故当所述第二导电层12与所述信号传输走线层9位于同一层时,所述第二导电层12可选为金属导电层,使得所述第二导电层12与所述信号传输走线层9可以同时形成,减少所述阵列基板的制程,提高所述阵列基板的生产效率,降低所述阵列基板的成本,同时还可以进一步降低所述第二导电层12的电阻,从而在相同阻值的情况下,进一步降低所述第一信号线1的宽度,缩小所述阵列基板的边框区域。同理,当所述第二导电层12与所述公共电极层8位于同一层时,所述第二导电层12的制作材料可选与所述公共电极层8的制作材料,但本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,如图1所示,所述走线区202还包括多条第二信号线2,如图10所示,所述第二信号线2包括:依次层叠设置的第三导电层21、第四导电层22和第五导电层23;位于所述第三导电层21与所述第四导电层22之间的第二绝缘层24;位于所述第四导电层22与所述第五导电层23之间的第三绝缘层25;其中,在所述第三导电层21和所述第四导电层22之间具有第三过孔26,在所述第四导电层22和所述第五导电层23之间具有第四过孔27,所述第三导电层21通过所述第三过孔26与所述第四导电层22电连接,所述第四导电层22通过所述第四过孔27与所述第五导电层23电连接。
需要说明的是,在本发明实施例中,所述第三导电层21可以单独形成,也可以与所述栅极层5位于同一层,或与所述源漏极层6位于同一层,或与所述像素电极层7位于同一层,或与所述公共电极层8位于同一层,或与所述信号传输走线层9位于同一层;所述第四导电层22可以单独形成,也可以与所述栅极层5位于同一层,或与所述源漏极层6位于同一层,或与所述像素电极层7位于同一层,或与所述公共电极层8位于同一层,或与所述信号传输走线层9位于同一层;所述第五导电层23可以单独形成,也可以与所述栅极层5位于同一层,或与所述源漏极层6位于同一层,或与所述像素电极层7位于同一层,或与所述公共电极层8位于同一层,或与所述信号传输走线层9位于同一层,本发明对此并不做限定,只要保证所述第三导电层21、所述第四导电层22与所述第五导电层23均位于不同层,且相互电连接,从而可以在相同阻值的情况下,降低所述走线区的宽度,进而缩小所述阵列基板的边框面积即可。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,如图11所示,在本发明的一个实施例中,所述第三导电层21与所述栅极层5位于同一层,所述第四导电层22与所述源漏极层6位于同一层,所述第五导电层23与所述像素电极层7位于同一层。
在本发明的另一个实施例中,如图12所示,在本发明的一个实施例中,所述第三导电层21与所述栅极层5位于同一层,所述第四导电层22与所述源漏极层6位于同一层,所述第五导电层23与所述公共电极层8位于同一层。
在本发明的又一个实施例中,如图13所示,在本发明的一个实施例中,所述第三导电层21与所述栅极层5位于同一层,所述第四导电层22与所述源漏极层6位于同一层,所述第五导电层23与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明的再一个实施例中,如图14所示,在本发明的一个实施例中,所述第三导电层21与所述栅极层5位于同一层,所述第四导电层22与所述像素电极层7位于同一层,所述第五导电层23与所述公共电极层8位于同一层。
在本发明的又一个实施例中,如图15所示,在本发明的一个实施例中,所述第三导电层21与所述栅极层5位于同一层,所述第四导电层22与所述像素电极层7位于同一层,所述第五导电层23与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明再一个实施例中,如图16所示,所述第三导电层21与所述栅极层5位于同一层,所述第四导电层22与所述公共电极层8位于同一层,所述第五导电层23与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明的又一个实施例中,如图17所示,所述第三导电层21与所述源漏极层6位于同一层,所述第四导电层22与所述像素电极层7位于同一层,所述第五导电层23与所述公共电极层8位于同一层。
在本发明的再一个实施例中,如图18所示,所述第三导电层21与所述源漏极层6位于同一层,所述第四导电层22与所述像素电极层7位于同一层,所述第五导电层23与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明的又一个实施例中,如图19所示,所述第三导电层21与所述源漏极层6位于同一层,所述第四导电层22与所述公共电极层8位于同一层,所述第五导电层23与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明再一个实施例中,如图20所示,所述第三导电层21与所述像素电极层7位于同一层,所述第四导电层22与所述公共电极层8位于同一层,所述第五导电层23与所述信号传输走线层9位于同一层。
需要说明的是,在上述任一实施例中,所述像素电极层7、所述公共电极层8与所述信号传输走线层9的位置还可以根据具体视情况进行调整,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
相应的,本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法,如图21所示,该方法包括:
S11:提供第一基板;
S12:在所述第一基板第一侧走线区202中的第一信号线区形成第一导电层11;
S13:形成第一绝缘层13覆盖所述第一导电层11;
S14:在所述第一绝缘层13上形成第一过孔14,暴露部分第一导电层11;
S15:在所述第一绝缘层13形成第二导电层12,所述第二导电层12通过所述第一过孔14与所述第一导电层11电连接。
具体的,在本发明一个实施例中,该方法包括:提供第一基板;在所述第一基板第一侧形成一导电层,对该导电层进行刻蚀,在所述第一基板第一侧走线区中的第一信号线区形成第一导电层11;在所述第一导电层11背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层13,所述第一绝缘层13完全覆盖所述第一导电层11;对所述第一绝缘层13进行刻蚀,在所述第一绝缘层13中形成第一过孔14,所述第一过孔14暴露出部分所述第一导电层11表面;在所述第一绝缘层13背离所述第一导电层11一侧形成一导电层,对该导电层进行刻蚀,在所述第一绝缘层13背离所述第一导电层11一侧的第一信号线区形成第二导电层12,所述第二导电层12通过所述第一过孔14与所述第一导电层11电连接。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,该方法还包括:在所述第一基板第一侧的走线区形成多个栅极驱动单元以及与所述栅极驱动单元电连接的连接信号线3,其中,所述连接信号线3通过第二过孔4与所述第一信号线1电连接,将所述第一信号线1中的驱动信号传输给所述栅极驱动单元。
需要说明的是,在本发明实施例中,所述连接信号线3可以形成于所述第一导电层11背离所述第二导电层12的一侧,通过与所述第一信号线1中的第一导电层11电连接,实现所述连接信号线3与所述第一信号线1的电连接;也可以形成于所述第二导电层12背离所述第一导电层11的一侧,通过与所述第一信号线1中的第二导电层12的电连接,实现所述连接信号线3与所述第一信号线1的电连接,在本发明的其他实施例中,所述连接信号线3还可以形成于所述第一导电层11和所述第二导电层12之间,通过同时与所述第一导电层11和第二导电层12电连接,实现所述连接信号线3与所述第一信号线1的电连接,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
需要说明的是,在本发明的其他实施例中,所述连接信号线3还可以用于为其他驱动单元提供驱动信号,发明对此并不做限定,具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上,在本发明实施例中,该方法还包括:在所述第一基板第一侧的显示区形成栅极层5、源漏极层6、像素电极层7、公共电极层8和信号传输走线层9;所述公共电极层8包括多个触控单元,所述触控单元在显示阶段用作公共电极,在触控阶段用作触控电极;所述信号传输走线层9包括多条信号传输走线,所述信号传输走线与所述触控单元电连接,在显示阶段为所述触控单元提供公共电压信号,在触控阶段为所述触控单元提供触控信号。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,所述第一导电层11与所述栅极层5同时形成,所述连接信号线3与所述源漏极层6同时形成,以减少所述阵列基板的制程,提高所述阵列基板的生产效率,降低所述阵列基板的成本;在本发明的另一个实施例中,所述第一导电层11与所述源漏极层6同时形成,所述连接信号线3与所述栅极层5同时形成,以减少所述阵列基板的制程,提高所述阵列基板的生产效率,降低所述阵列基板的成本;在本发明的其他实施例中,所述第一导电层11和/或所述连接信号线3还可以单独形成,本发明对此并不足限定,具体视情况而定。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,述第二导电层12可以单独形成,也可以与所述像素电极层7同时形成,或与所述公共电极层8同时形成,或与所述信号传输走线层9同时形成,以进一步减少所述阵列基板的制程,提高所述阵列基板的生产效率,降低所述阵列基板的成本,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,如图22所示,该方法还包括:
S21:在所述第一基板第一侧走线区中第二信号线区形成第三导电层21;S22:形成第二绝缘层24覆盖所述第三导电层21;S23:在所述第二绝缘层24上形成第三过孔26,暴露部分第三导电层21;S24:在所述第二绝缘层24上形成第四导电层22,所述第四导电层22通过所述第三过孔26与所述第三导电层21电连接;S25:形成第三绝缘层25覆盖所述第四导电层22;S26:在所述第三绝缘层25上形成第四过孔27,暴露部分第四导电层22;S27:在所述第三绝缘层25上形成第五导电层23,所述第五导电层23通过所述第四过孔27与所述第四导电层22电连接。
具体的,在本发明的一个可选实施例中,该方法包括:
在所述第一基板第一侧形成一导电层,对该导电层进行刻蚀,在所述第一基板第一侧的第一信号线区形成第一导电层11,同时在第二信号线区形成第三导电层21;
在所述第一导电层11背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层13,所述第一绝缘层13完全覆盖所述第一导电层11和所述第三导电层21;
对所述第一绝缘层13进行刻蚀,在所述第一绝缘层13中形成第一过孔14和第三过孔26,其中,所述第一过孔14暴露出部分所述第一导电层11表面,所述第三过孔26暴露出部分所述第三导电层21表面;
在所述第一绝缘层13背离所述第一导电层11一侧形成一导电层,并对该导电层进行刻蚀,在所述第一绝缘层13背离所述第一导电层11一侧的第一信号线区形成第二导电层12,同时在所述第一绝缘层13背离所述第一导电层11一侧的第二信号线区形成第四导电层22,其中,所述第二导电层12通过所述第一过孔14与所述第一导电层11电连接,所述第四导电层22通过所述第三过孔26与所述第三导电层21电连接;
在所述第二导电层12背离所述第一导电层11一侧形成第三绝缘层25,所述第三绝缘层25完全覆盖所述第二导电层12和所述第四导电层22;
对所述第三绝缘层25进行刻蚀,在所述第三绝缘层25中形成第二过孔4和第四过孔27,其中,所述第二过孔4暴露出部分所述第二导电层12表面,所述第四过孔27暴露出部分所述第四导电层22表面;
在所述第三绝缘层25背离所述第二导电层12一侧形成一导电层,并对该导电层进行刻蚀,在所述第三绝缘层25背离所述第二导电层12一侧的第一信号线区形成连接信号线3,在所述第二信号线区形成第五导电层23,其中,所述连接信号线3通过所述第二过孔4与所述第二导电层12电连接,所述第五导电层23通过所述第四过孔27与所述第四导电层22电连接。
需要说明的是,在本发明的其他实施例中,还可以所述第一导电层11与所述第三导电层21同时形成,所述第二导电层12与所述第五导电层23同时形成,所述连接信号线3与所述第四导电层22同时形成,或所述第一导电层11、第二导电层12、第三导电层21、第四导电层22、第五导电层23和连接信号线3均单独形成,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上,在本发明实施例中,所述第三导电层21可以单独形成,也可以与所述栅极层5同时形成,或与所述源漏极层6同时形成,或与所述像素电极层7同时形成,或与所述公共电极层8同时形成,或与所述信号传输走线层9同时形成;所述第四导电层22可以单独形成,或与所述栅极层5同时形成,或与所述源漏极层6同时形成,或与所述像素电极层7同时形成,或与所述公共电极层8同时形成,或与所述信号传输走线层9同时形成;所述第五导电层23可以单独形成,也可以与所述栅极层5同时形成,或与所述源漏极层6同时形成,或与所述像素电极层7同时形成,或与所述公共电极层8同时形成,或与所述信号传输走线层9同时形成,本发明对此并不做限定,只要保证所述第三导电层21、所述第四导电层22与所述第五导电层23均位于不同层,且相互电连接,从而可以在相同阻值的情况下,降低所述第一信号线1和第二信号线2的宽度,进而缩小所述阵列基板的边框面积即可。
综上所述,本发明实施例所提供的阵列基板及其制作方法中,所述走线区包括多条第一信号线1,所述第一信号线1包括电连接的第一导电层11和第二导电层12,以降低所述第一信号线1的电阻,使得本发明实施例所提供的第一信号线,相较于现有技术中的第一信号线,在相同阻值的情况下,本发明实施例所提供的第一信号线1宽度较小,从而在相同走线的数量下,减小了所述阵列基板中走线区202的面积,进而缩小了包括该阵列基板的显示面板的边框面积。
此外,本发明实施例还提供了一种阵列基板,如图1所示,所述阵列基板包括:显示区100和边框区200,所述边框区200包括驱动电路区201以及连接所述驱动电路区201与所述显示区100的走线区202,如图23所示,所述走线区202包括:依次层叠设置的第一信号线层10和第二信号线层20,位于所述第一信号线层10与所述第二信号线层20之间的第一绝缘层30;其中,所述第一信号线层10包括多条沿第一方向延伸的第一信号线,所述第二信号线层20包括多条沿第一方向延伸的第二信号线,且在垂直于阵列基板表面的方向上,所述第一信号线与所述第二信号线至少部分交叠,从而将现有技术中位于同一层的第一信号线和第二信号线分两层设置,减小每层信号线的数量,进而在相同走线的数量下,减小了所述阵列基板中走线区的面积,进而缩小了包括该阵列基板的显示面板的边框面积。需要说明的是,在本发明实施例中,所述第一方向可选为所述边框区的长度方向。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,如图1所示,所述走线区202还设置有多个栅极驱动单元(图中未示出)以及与所述栅极驱动单元电连接的连接信号线3,所述连接信号线3用于为所述栅极驱动单元提供驱动信号。
需要说明的是,在本发明实施例中,所述第一信号线和所述第二信号线传输的信号可以相同,也可以不同,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,所述连接信号线3与所述第一信号线层10中的第一信号线电连接,在本发明的另一个实施例中,所述连接信号线3与所述第二信号线层20中的第二信号线电连接,在本发明的又一个实施例中,部分所述第三信号线与所述第一信号线电连接,部分所述第三信号线与所述第二信号线电连接,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上,在本发明实施例中,所述显示区100设置有栅极层5、源漏极层6、像素电极层7、公共电极层8和信号传输走线层9;其中,所述公共电极层8包括多个触控单元,所述触控单元在显示阶段用作公共电极,在触控阶段用作触控电极;所述信号传输走线层9包括多条信号传输走线,所述信号传输走线与所述触控单元电连接,在显示阶段为所述触控单元提供公共电压信号,在触控阶段为所述触控单元提供触控信号。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,所述第一信号线层10可以单独位于一层,也可以与所述栅极层5位于同一层,或与所述源漏极层6位于同一层,或与所述像素电极层7位于同一层,或与所述公共电极层8位于同一层,或与所述信号传输走线层9位于同一层;同理,所述第二信号线层20也可以单独位于一层,或与所述栅极层5位于同一层,或与所述源漏极层6位于同一层,或与所述像素电极层7位于同一层,或与所述公共电极层8位于同一层,或与所述信号传输走线层9位于同一层,本发明对此并不做限定,只要保证所述第一信号线层10与所述第二信号线层20位于不同层,且相互绝缘即可。
在上述任一实施例的基础上,在本发明的一个可选实施例中,如图24所示,所述走线区202还包括:与所述第一信号线层10、第二信号线层20均绝缘的第三信号线层40,所述第三信号线层40包括多条沿第一方向延伸的第三信号线,从而将现有技术中位于同一层的第一信号线、第二信号线和第三信号线分三层设置,减小每层信号线的数量,进而在相同走线的数量下,减小了所述阵列基板中走线区的面积,进而缩小了包括该阵列基板的显示面板的边框面积。
需要说明的是,在本发明实施例中,所述第一信号线、所述第二信号线和所述第三信号线中传输的信号可以相同,也可以不同,还可以部分相同,部分不同,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,在沿垂直于所述阵列基板表面的方向上,所述第三信号线与所述第一信号线至少部分交叠,如图24所示;在本发明的另一个实施例中,在沿垂直于所述阵列基板表面的方向上,所述第三信号线与所述第二信号线至少部分交叠,如图25所示;在本发明的又一个实施例中,在沿垂直于所述阵列基板表面的方向上,所述第三信号线与所述第一信号线部分交叠,且与所述第二信号线部分交叠,如图26所示,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
需要说明的是,在本发明实施例中,所述第三信号线层40可以单独位于一层,也可以与所述栅极层5位于同一层,或与所述源漏极层6位于同一层,或与所述像素电极层7位于同一层,或与所述公共电极层8位于同一层,或与所述信号传输走线层9位于同一层,以降低所述阵列基板的厚度,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
在上述实施例的基础上,在本发明的一个实施例中,如图27所示,所述第一信号线层10与所述栅极层5位于同一层,所述第二信号线层20与所述源漏极层6位于同一层,所述第三信号线层40与所述像素电极层7位于同一层。
在本发明的另一个实施例中,如图28所示,所述第一信号线层10与所述栅极层5位于同一层,所述第二信号线层20与所述源漏极层6位于同一层,所述第三信号线层40与所述公共电极层8位于同一层。
在本发明的又一个实施例中,如图29所示,所述第一信号线层10与所述栅极层5位于同一层,所述第二信号线层20与所述源漏极层6位于同一层,所述第三信号线层40与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明再一个实施例中,如图30所示,所述第一信号线层10与所述栅极层5位于同一层,所述第二信号线层20与所述像素电极层7位于同一层,所述第三信号线层40与所述公共电极层8位于同一层。
在本发明又一个实施例中,如图31所示,所述第一信号线层10与所述栅极层5位于同一层,所述第二信号线层20与所述像素电极层7位于同一层,所述第三信号线层40与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明的再一个实施例中,如图32所示,所述第一信号线层10与所述栅极层5位于同一层,所述第二信号线层20与公共电极层8位于同一层,所述第三信号线层40与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明又一个实施例中,如图33所示,所述第一信号线层10与源漏极层6位于同一层,所述第二信号线层20与所述像素电极层7位于同一层,所述第三信号线层40与所述公共电极层8位于同一层。
在本发明再一个实施例中,如图34所示,所述第一信号线层10与源漏极层6位于同一层,所述第二信号线层20与所述像素电极层7位于同一层,所述第三信号线层40与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明又一个实施例中,如图35所示,所述第一信号线层10与源漏极层6位于同一层,所述第二信号线层20与公共电极层8位于同一层,所述第三信号线层40与所述信号传输走线层9位于同一层。
在本发明再一个实施例中,如图36所示,所述第一信号线层10与像素电极层7位于同一层,所述第二信号线层20与公共电极层8位于同一层,所述第三信号线层40与所述信号传输走线层9位于同一层。
需要说明的是,在本发明的其他实施例中,所述第一信号线层10、所述第二信号线层20和所述第三信号线层40之间的位置可以互换,所述像素电极层7、所述公共电极层8和所述信号传输走线层9的相对位置也可以根据具体情况进行调整,本发明对此并不做限定,具体视情况而定。
还需要说明的是,所述第一信号线层10、第二信号线层20和所述第三信号线层40与其他导电层位于同一层时,该信号线层可选与同其位于同一层的导电层的制作材料相同,从而使得该信号线层与同其位于同一层的导电层可以同时形成,减少所述阵列基板的制程,提高所述阵列基板的生产效率,降低所述阵列基板的成本。
本发明实施例所提供的阵列基板中,将现有技术中位于同一层的第一信号线和第二信号线异层设置,或将现有技术中位于同一层的第一信号线、第二信号线和第三信号线分三层设置,从而在相同信号线的情况下,减少了每层信号线的数量,进而减小了所述阵列基板中走线区的面积,进而缩小了包括该阵列基板的显示面板的边框面积。
此外,本发明实施例还提供了一种显示面板,如图37所示,所述显示面板包括:相对设置的阵列基板300和彩膜基板400,以及位于所述阵列基板300与所述彩膜基板400之间的液晶层500,其中,所述阵列基板300为本发明上述任一实施例所提供的阵列基板。
由于本发明实施例所提供的阵列基板,相较于现有技术中阵列基板,在相同走线的数量下,所述阵列基板中走线区202的面积较小,从而缩小了所述阵列基板的边框面积,进而缩小了包括该阵列基板的显示面板的边框面积。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述,每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处,各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (17)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:显示区和边框区,所述边框区包括驱动电路区以及连接所述驱动电路区与所述显示区的走线区,其中,所述走线区包括多条第一信号线、多个栅极驱动单元以及与所述栅极驱动单元电连接的连接信号线,所述连接信号线通过第二过孔与所述第一信号线电连接,将所述第一信号线中的驱动信号传输给所述栅极驱动单元,所述第一信号线包括:
依次层叠设置的第一导电层和第二导电层;
位于所述第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层;
其中,所述第一导电层与所述第二导电层之间具有第一过孔,所述第二导电层通过所述第一过孔与所述第一导电层电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区设置有栅极层、源漏极层、像素电极层、公共电极层和信号传输走线层;
所述公共电极层包括多个触控单元,所述触控单元在显示阶段用作公共电极,在触控阶段用作触控电极;
所述信号传输走线层包括多条信号传输走线,所述信号传输走线与所述触控单元电连接,在显示阶段为所述触控单元提供公共电压信号,在触控阶段为所述触控单元提供触控信号;
其中,所述第一导电层与所述栅极层位于同一层,所述连接信号线与所述源漏极层位于同一层;或,所述第一导电层与所述源漏极层位于同一层,所述连接信号线与所述栅极层位于同一层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电层与所述像素电极层位于同一层,或与所述公共电极层位于同一层。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电层与所述信号传输走线层位于同一层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电层为金属电极层。
6.根据权利要求2-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述走线区包括多条第二信号线,所述第二信号线包括:
依次层叠设置的第三导电层、第四导电层和第五导电层;
位于所述第三导电层与所述第四导电层之间的第二绝缘层;
位于所述第四导电层与所述第五导电层之间的第三绝缘层;
其中,所述第三导电层和所述第四导电层之间具有第三过孔,所述第四导电层和所述第五导电层之间具有第四过孔,所述第三导电层通过所述第三过孔与所述第四导电层电连接,所述第四导电层通过所述第四过孔与所述第五导电层电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第三导电层与所述栅极层位于同一层,或与所述源漏极层位于同一层,或与所述像素电极层位于同一层。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第四导电层与所述源漏极层位于同一层,或与所述像素电极层位于同一层,或与所述公共电极层位于同一层,或与所述信号传输走线层位于同一层。
9.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第五导电层与所述像素电极层位于同一层,或与所述公共电极层位于同一层,或与所述信号传输走线层位于同一层。
10.一种阵列基板的制作方法,应用于权利要求1-9任一项所述的阵列基板,其特征在于,该方法包括:
提供第一基板;
在所述第一基板第一侧走线区中第一信号线区形成第一导电层;
形成第一绝缘层覆盖所述第一导电层;
在所述第一绝缘层上形成第一过孔,暴露部分第一导电层;
在所述第一绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层通过所述第一过孔与所述第一导电层电连接;
在所述第一基板第一侧的走线区形成多个栅极驱动单元以及与所述栅极驱动单元电连接的连接信号线;
其中,所述连接信号线通过第二过孔与所述第一信号线电连接,将所述第一信号线中的驱动信号传输给所述栅极驱动单元。
11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该方法还包括:
在所述第一基板第一侧的显示区形成栅极层、源漏极层、像素电极层、公共电极层和信号传输走线层;
所述公共电极层包括多个触控单元,所述触控单元在显示阶段用作公共电极,在触控阶段用作触控电极;
所述信号传输走线层包括多条信号传输走线,所述信号传输走线与所述触控单元电连接,在显示阶段为所述触控单元提供公共电压信号,在触控阶段为所述触控单元提供触控信号;
其中,所述第一导电层与所述栅极层同时形成,所述连接信号线与所述源漏极层同时形成;
或,所述第一导电层与所述源漏极层同时形成,所述连接信号线与所述栅极层同时形成。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述第二导电层与所述像素电极层同时形成,或与所述公共电极层同时形成,或与所述信号传输走线层同时形成。
13.根据权利要求11或12所述的制作方法,其特征在于,该方法还包括:
在所述第一基板第一侧走线区中第二信号线区形成第三导电层;
形成第二绝缘层覆盖所述第三导电层;
在所述第二绝缘层上形成第三过孔,暴露部分第三导电层;
在所述第二绝缘层上形成第四导电层,所述第四导电层通过所述第三过孔与所述第三导电层电连接;
形成第三绝缘层覆盖所述第四导电层;
在所述第三绝缘层上形成第四过孔,暴露部分第四导电层;
在所述第三绝缘层上形成第五导电层,所述第五导电层通过所述第四过孔与所述第四导电层电连接。
14.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,所述第三导电层与所述栅极层同时形成,或与所述源漏极层同时形成,或与所述像素电极层同时形成。
15.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,所述第四导电层与所述源漏极层同时形成,或与所述像素电极层同时形成,或与所述公共电极层同时形成,或与所述信号传输走线层同时形成。
16.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,所述第五导电层与所述像素电极层同时形成,或与所述公共电极层同时形成,或与所述信号传输走线层同时形成。
17.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510152796.7A CN104699349B (zh) | 2015-04-01 | 2015-04-01 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
CN201711290840.6A CN107783698B (zh) | 2015-04-01 | 2015-04-01 | 一种阵列基板、显示面板 |
US14/857,632 US9711541B2 (en) | 2015-04-01 | 2015-09-17 | Display panel and method for forming an array substrate of a display panel |
DE102015225119.5A DE102015225119A1 (de) | 2015-04-01 | 2015-12-14 | Anzeigebedienfeld und Verfahren zum Bilden eines Arraysubstrats eines Anzeigebedienfelds |
US15/620,680 US10152159B2 (en) | 2015-04-01 | 2017-06-12 | Display panel and method for forming an array substrate of a display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510152796.7A CN104699349B (zh) | 2015-04-01 | 2015-04-01 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711290840.6A Division CN107783698B (zh) | 2015-04-01 | 2015-04-01 | 一种阵列基板、显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104699349A CN104699349A (zh) | 2015-06-10 |
CN104699349B true CN104699349B (zh) | 2017-12-05 |
Family
ID=53346545
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711290840.6A Active CN107783698B (zh) | 2015-04-01 | 2015-04-01 | 一种阵列基板、显示面板 |
CN201510152796.7A Active CN104699349B (zh) | 2015-04-01 | 2015-04-01 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711290840.6A Active CN107783698B (zh) | 2015-04-01 | 2015-04-01 | 一种阵列基板、显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9711541B2 (zh) |
CN (2) | CN107783698B (zh) |
DE (1) | DE102015225119A1 (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |