CN113552970B - 显示基板和显示装置 - Google Patents

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CN113552970B CN202110888129.0A CN202110888129A CN113552970B CN 113552970 B CN113552970 B CN 113552970B CN 202110888129 A CN202110888129 A CN 202110888129A CN 113552970 B CN113552970 B CN 113552970B
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Abstract

本公开实施例提供一种显示基板和显示装置。所述显示基板包括:衬底基板,所述衬底基板包括:显示区,与所述显示区一侧连接的弯折区,以及连接于所述弯折区远离所述显示区一侧的延伸区;触控走线组,所述触控走线组位于所述延伸区,所述触控走线组包括多条沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的触控走线;第一浮置走线组,所述第一浮置走线组位于所述触控走线组的至少一侧,包括至少一条沿所述第一方向延伸的第一浮置走线,所述第一方向为从所述显示区指向所述弯折区和所述延伸区的方向,所述至少一条第一浮置走线与所述触控走线电绝缘。

Description

显示基板和显示装置
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
随着有源矩阵有机发光显示(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)朝着轻薄化方向发展,On cell技术将逐渐取代现有的触摸屏(Touch ScreenPane,TSP)外挂方式,On cell技术就是触控显示屏一体化技术,在封装层上利用光刻工艺形成触摸屏电极及走线。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板,其中,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括:显示区,与所述显示区一侧连接的弯折区,以及连接于所述弯折区远离所述显示区一侧的延伸区;
触控走线组,所述触控走线组位于所述延伸区,所述触控走线组包括多条沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的触控走线;
第一浮置走线组,所述第一浮置走线组位于所述触控走线组的至少一侧,包括至少一条沿所述第一方向延伸的第一浮置走线,所述第一方向为从所述显示区指向所述弯折区和所述延伸区的方向,所述至少一条第一浮置走线与所述触控走线电绝缘。
在一种可能的实施方式中,所述触控走线组的两侧均设置有所述第一浮置走线组,不同所述第一浮置走线组的所述第一浮置走线数量相同。
在一种可能的实施方式中,所述显示基板包括第一电源线,所述第一电源线位于所述延伸区;至少部分所述第一浮置走线在所述衬底基板的正投影位于所述第一电源线在所述衬底基板的正投影内。
在一种可能的实施方式中,所述第一浮置走线包括叠层设置的第一子浮置走线和第二子浮置走线;
所述第一子浮置走线在所述衬底基板的正投影与所述第二子浮置走线在所述衬底基板的正投影至少部分重合。
在一种可能的实施方式中,所述触控走线包括叠层设置的第一子触控走线和第二子触控走线;
所述第一子浮置走线与所述第一子触控走线同层同材质,所述第二子浮置走线和所述第二子触控走线同层同材质。
在一种可能的实施方式中,所述弯折区包括靠近所述显示区的第一边缘,靠近所述延伸部与所述第一边缘相对设置的第二边缘,连接所述第一边缘与所述第二边缘的连接边缘;
所述显示基板包括位于所述弯折区的信号走线,所述信号走线与所述连接边缘之间的区域具有环绕所述连接边缘的第二浮置走线组;所述第二浮置走线组包括至少一条第二浮置走线,所述第二浮置走线与所述信号走线电绝缘。
在一种可能的实施方式中,所述第二浮置走线包括叠层设置的第三子浮置走线和第四子浮置走线;所述第三子浮置走线在所述衬底基板的正投影与所述第四子浮置走线在所述衬底基板的正投影至少部分重合。
在一种可能的实施方式中,所述显示基板还包括位于所述第二浮置走线组远离所述连接边缘一侧的第三浮置走线组;所述第三浮置走线组包括至少一条沿所述第二方向延伸的第三浮置走线。
在一种可能的实施方式中,所述第三浮置走线包括叠层设置的第五子浮置走线和第六子浮置走线;所述第五子浮置走线在所述衬底基板的正投影与所述第六子浮置走线在所述衬底基板的正投影至少部分重合。
在一种可能的实施方式中,在垂直于所述第二边缘的方向上,所述第三浮置走线组与所述信号走线的最小距离小于所述第三浮置走线组与所述第二边缘的距离。
在一种可能的实施方式中,所述显示区包括具有触控电极的触控区,以及包围所述触控区且具有触控引线的引线区;
所述引线区在至少一个拐角位置处具有与所述触控引线电连接的第一补偿电容。
在一种可能的实施方式中,所述触控电极包括多个沿所述第一方向延伸的第一触控电极,以及多个沿所述第二方向延伸且与所述第一触控电极绝缘的第二触控电极;所述触控引线包括与所述第一触控电极一一对应电连接的第一触控引线,以及与所述第二触控电极一一对应电连接的第二触控引线;所述第一触控引线、所述第二触控引线均具有双层子引线;
在同时具有所述第一触控引线和所述第二触控引线的所述拐角位置处,所述显示基板通过所述第一触控引线、所述第二触控引线不同层所述子引线的相互延伸形成所述第一补偿电容。
在一种可能的实施方式中,所述第一触控引线包括叠层设置的第一子触控引线和第二子触控引线,所述第二触控引线包括叠层设置的第三子触控引线和第四子触控引线,所述第一子触控引线和所述第三子触控引线同层同材质,所述第二子触控引线和所述第四子触控引线同层同材质;
在同时具有所述第一触控引线和所述第二触控引线的所述拐角位置处,与所述触控区最近邻的所述第一触控引线具有由所述第一子触控引线延伸出的第一引线延伸部,与所述触控区最近邻的所述第二触控引线具有沿所述第四子触控引线延伸出的第四引线延伸部,所述第一引线延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第四引线延伸部在所述衬底基板的正投影存在交叠,以形成所述第一补偿电容;
或者,在具有所述第一触控引线和所述第二触控引线的所述拐角位置处,与所述触控区最近邻的所述第一触控引线具有由所述第二子触控引线延伸出的第二引线延伸部,与所述触控区最近邻的所述第二触控引线具有沿所述第三子触控引线延伸出的第三引线延伸部,所述第二引线延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第三引线延伸部在所述衬底基板的正投影存在交叠,以形成所述第一补偿电容。
在一种可能的实施方式中,在仅具有所述第二触控引线的所述拐角位置处,所述显示基板在所述引线区还包括由与所述触控区最近邻的所述第一触控电极延伸出的第一触控电极延伸部;
所述显示基板通过所述第一触控电极延伸部和所述第二触控引线形成所述第一补偿电容。
在一种可能的实施方式中,所述第一触控电极延伸部与所述第四子触控引线同层;
在仅具有所述第二触控引线的所述拐角位置处,所述第一触控电极延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第三子触控引线在所述衬底基板的正投影存在部分交叠,以形成所述第一补偿电容。
在一种可能的实施方式中,在仅具有所述第一触控引线的所述拐角位置处,所述显示基板在所述引线区还包括由与所述触控区最近邻的所述第二触控电极延伸出的第二触控电极延伸部;
所述显示基板通过所述第二触控电极延伸部和所述第一触控引线形成所述第一补偿电容。
在一种可能的实施方式中,所述第二触控电极延伸部与所述第二子触控引线同层;
在仅具有所述第一触控引线的所述拐角位置处,所述第二触控电极延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一子触控引线在所述衬底基板的正投影存在部分交叠,以形成所述第一补偿电容。
在一种可能的实施方式中,所述显示基板还包括位于所述显示区的通孔,所述显示基板包括位于所述第一触控电极朝向所述通孔一侧,与所述第一触控电极连接且环绕所述通孔的第一补偿部,以及包括位于所述第二触控电极朝向所述通孔一侧,与所述第二触控电极连接且环绕所述通孔的第二补偿部;所述第一补偿部与所述第二补偿部相互绝缘;
所述显示基板在所述通孔位置处通过所述第一补偿部和所述第二补偿部形成有第二补偿电容。
在一种可能的实施方式中,所述显示基板包括与所述第一补偿部位于不同层,且与所述第一补偿部的端部打孔连接的第一外延部,所述第一外延部在所述衬底基板的正投影与所述第二补偿部在所述衬底基板的正投影存在交叠区域,以形成所述第二补偿电容。
本公开实施例还提供一种显示装置,其中,包括如本公开实施例提供的所述显示基板。
附图说明
图1A为本公开实施例提供的显示基板俯视示意图之一;
图1B为图1A虚线线框D2处的放大示意图;
图1C为图1B中的第一扫描信号线层Gate1和第二扫描信号线层Gate2的膜层示意图;
图1D为图1C叠加数据线层后的膜层示意图;
图2A为图1A在虚线线圈D1处的放大示意图;
图2B为包括第一电源线4和第一触控金属层TMA的叠层示意图;
图2C为图2B叠层层间介质层11后的示意图;
图3为图2A在虚线E-E1处的截面示意图;
图4A为显示基板左侧的连接边缘B3处的放大示意图;
图4B为图4A虚线线框处的放大示意图;
图4C为图4A中包括第一扫描信号线层Gate1层的膜层示意图;
图4D为图4C中包括第二扫描信号线层Gate2层的膜层示意图;
图4E为图4A中包括数据线层的膜层示意图;
图4F为图4A中包括第一触控金属层TMA的膜层示意图;
图4G为图4A中包括第二触控金属层TMB的膜层示意图;
图4H为图4A中虚线E-E7处的截面示意图;
图5A为显示基板右侧连接边缘B3处的放大示意图;
图5B为图5A虚线线框处的放大示意图;
图6为本公开实施例提供的显示基板俯视示意图之二;
图7为图6中一完整的触控单元示意图;
图8为图6中左上拐角位置T1的放大示意图;
图9为图8沿虚线E-E2处的截面示意图之一;
图10为图8沿虚线E-E2处的截面示意图之二;
图11为图6中左下拐角位置T4的放大示意图;
图12为图11虚线线圈处的截面示意图;
图13为图6中右上拐角位置T2的放大示意图;
图14为图13虚线线圈处的截面示意图;
图15为图6中右下拐角位置T2的放大示意图;
图16为图15虚线线圈处的截面示意图;
图17为通孔K左上角位置处的放大示意图;
图18为图17中虚线线圈的放大示意图;
图19为图18中虚线线圈E6处的截面示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明,本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
目前On cell技术主要包括柔性多层结构(Flexible Multi-Layer On Cell,FMLOC)技术和柔性单层结构(Flexible Single-Layer On Cell,FSLOC)技术两类,FMLOC技术基于互容检测的工作原理,一般采用两层金属形成发射极(TX)和接收极(RX)电极,IC通过检测TX和RX间的互容来实现触控动作,FSLOC技术基于自容(或电压)检测的工作原理,一般采用单层金属形成电极,IC通过检测电极自容(或电压)来实现触控动作。
但目前的FMLOC结构,在弯折区下方触控走线不均一的问题,造成最终的触控性能的问题。
有鉴于此,参见图1A和图2A所示,图2A为1A中圆虚线圈D1处的放大结构示意图,图2A中外侧的附图为中间附图在不同虚线框位置处的放大示意图,本发明实施例提供一种显示基板,其中,包括:
衬底基板1,衬底基板1包括:显示区A,与显示区A一侧连接的弯折区B,以及连接于弯折区B远离显示区A一侧的延伸区C;
触控走线组2,触控走线组2位于延伸区C,触控走线组2包括多条沿第一方向G1延伸且沿第二方向G2排列的触控走线20;
第一浮置走线组3,第一浮置走线组3位于触控走线组2的至少一侧,包括至少一条沿第一方向G1延伸的第一浮置走线30,第一方向G1为从显示区A指向弯折区B和延伸区C的方向,至少一条第一浮置走线30与触控走线20电绝缘。
本公开实施例中,触控走线组2的至少一侧设置有第一浮置走线组3,第一浮置走线组3包括至少一条第一浮置走线30,如此,触控走线组2的外围设置有多条第一浮置走线30,可以避免若不设置第一浮置走线组3时,在图案化形成触控走线20时,刻蚀液在外围的堆积量较多,容易造成外围的触控走线20过刻,造成外围触控走线20与内侧的触控走线20线宽不均一,影响触控性能的问题,而本公开实施例中,触控走线20的外围还设置有多条第一浮置走线30,在外围的刻蚀液较多时,可以过刻外围的第一浮置走线30,进而可以保护内侧的触控走线20,改善触控走线20线宽不均一,影响触控性能的问题。
具体的,结合图2A上侧或下侧附图所示,触控走线20在其延伸方向上可以与其它信号线或部件(例如,IC)电连接,以为触控走线20提供电信号,而第一浮置走线组3的第一浮置走线30在其延伸方向上,可以不与其它信号线电连接,仅作为在刻蚀过程中的保护走线。
在一种可能的实施方式中,结合图2A所示,触控走线组2的两侧均设置有第一浮置走线组3,不同第一浮置走线组3的第一浮置走线30数量相同。具体的,例如,图2A中,触控走线组2的左侧设置有左侧第一浮置走线组31,触控走线组2的右侧设置有右侧第一浮置走线组32。如此,可以对触控走线组2的两边缘侧的触控走线20均进行保护。
在一种可能的实施方式中,结合图2A上侧的放大示意图所示,显示基板包括第一电源线4,第一电源线4位于延伸区C;第一浮置走线30在衬底基板1的正投影至少部分位于第一电源线4在衬底基板1的正投影内。具体的,第一浮置走线30在衬底基板1的正投影,也可以是部分位于第一电源线4在衬底基板1的正投影内,部分不位于第一电源线4在衬底基板1的正投影内;也可以是第一浮置走线30在衬底基板1的正投影全部位于第一电源线4在衬底基板1的正投影内,即,结合图2A上侧的放大示意图所示,在延伸区C内,第一浮置走线30在衬底基板1上的正投影沿第一方向G1的延伸长度,小于第一电源线4在衬底基板1上的正投影沿第一方向G1上的长度;而对于触控走线20,触控走线20在衬底基板1的正投影沿第一方向G1上的延伸长度,可以大于第一电源线4在衬底基板1的正投影沿第一方向G1上的长度,以与其它信号线电连接。
具体的,第一电源线4可以为VSS信号线。具体的,在弯折区B下方(即延伸区C),在垂直于衬底基板1的方向上,第一浮置走线30以及触控走线20可以位于VSS信号线远离衬底基板1的一侧,利用VSS信号线线恒定电压信号可以屏蔽显示基板其它信号线的显示信号,防止触控信号与背板显示信号(GOA信号、Data信号)相互影响。
具体的,显示基板包括位于衬底基板1一侧的第一触控金属层,以及位于第一触控金属层TMA背离衬底基板1一侧的第二触控金属层TMB;具体的,结合图1B、图1C、图1D所示,其中,图1B为图1A中虚线线圈D2的放大示意图,图1C为图1B中的第一扫描信号线层Gate1和第二扫描信号线层Gate2的膜层示意图,图1D为图1C叠加数据线层(SD层)后的膜层示意图,图1B为图1D叠加第一触控金属层TMA和第二触控金属层TMB后的膜层示意图;触控走线2(Trace走线)通常位于第一电源线4(VSS信号走线)上方,具体来说,在弯折区B(Bending区)下方,触控走线2(Trace走线)位于SD层形成的VSS走线上,在弯折区B(Bending区)上方,触控走线2(Trace走线)位于数据线层(SD层)形成的第一电源线4(VSS信号走线)上,或者,与数据线层(SD层)连接的阳极金属层上方,或者与上述阳极金属层连接的阴极上方,利用VSS恒定电压信号屏蔽背板(BP)显示信号,防止Touch信号与BP信号(GOA信号、Data信号)相互影响。弯折区B(Bending区)下方的膜层结构上,GOA信号线、Data信号线常采用Gate1、Gate2层形成,如图1C所示,VSS信号线用SD层形成,如图1D所示,触控走线2(Trace走线)位于VSS信号线正上方,采用TMA、TMB双层金属形成,双层金属间通过层间介质层11(TLD)过孔连接在一起。
在具体实施时,触控走线20可以为单层走线,也可以为在部分位置为单层走线,在部分位置为双层走线的单双层交替走线,或者,也可以为在部分位置为单层走线,然后跳线换层后单层走线。在一种可能的实施方式中,结合图2A、图2B、图2C、图3所示,其中,图2B为包括第一电源线4和第一触控金属层TMA的叠层示意图,图2C为图2B叠层层间介质层11后的示意图,图2A为图2B叠层层间介质层11、第二触控金属层TMB后的膜层示意图,图3为图2A在虚线E-E1处的截面示意图;触控走线20包括叠层设置的第一子触控走线201和第二子触控走线202;第一浮置走线30包括叠层设置的第一子浮置走线301和第二子浮置走线302;第一子浮置走线301在衬底基板1的正投影与第二子浮置走线302在衬底基板1的正投影至少部分重合。第一子触控走线201和第二子触控走线202在部分区域通过贯穿层间介质层11的层间介质层过孔K1电连接;第一子浮置走线301和第二子浮置走线302可以通过层间介质层11阻隔绝缘,彼此不连通。具体的,第一子浮置走线301在衬底基板1的正投影,可以是部分与第二子浮置走线302在衬底基板1的正投影重合,部分不与第二子浮置走线302在衬底基板1的正投影重合;也可以是第一子浮置走线301在衬底基板1的正投影与第二子浮置走线302在衬底基板1的正投影全部重合,如此,可以在图案化刻蚀过程中,对触控走线20的不同层子走线均进行保护。
具体的,结合图3所示,衬底基板1与第一子触控走线201之间还可以依次设置有数据线15、钝化层14、阻挡层13;第一子触控走线201与第二子触控走线202之间可以设置有层间介质层11;第二触控走线202背离层间介质层的一侧设置有保护层12。
在一种可能的实施方式中,第一子浮置走线与第一子触控走线201同层同材质,第二子浮置走线和第二子触控走线202同层同材质。
具体的,触控走线20的第一子触控走线201和第一浮置走线30的第一子浮置走线可以均位于第一触控金属层,第二子触控走线202和第二子浮置走线可以均位于第二触控金属层。
在一种可能的实施方式中,结合图1A、图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图5A和图5B所示,其中,图4A为显示基板左侧的连接边缘B3处的放大示意图,图5A为显示基板右侧连接边缘B3处的放大示意图;图4B为图5A虚线线框处的放大示意图,图4C为图4A中包括第一扫描信号线层Gate1层的膜层示意图,图4D为图4C中包括第二扫描信号线层Gate2层的膜层示意图,图4E为图4A中包括数据线层(SD)层的膜层示意图,图4F为图4A中包括第一触控金属层TMA的膜层示意图,图4G为图4A中包括第二触控金属层TMB的膜层示意图,图4H为图4A中虚线E-E7处的截面示意图;弯折区B包括靠近显示区A的第一边缘B1,靠近延伸部C与第一边缘B1相对设置的第二边缘B2,连接第一B1与第二边缘B2的连接边缘B3;显示基板包括位于弯折区B的信号走线5,信号走线5具体可以理解为与连接边缘有B3最近的信号线组,具体可以包括:用于检测面板外围是否有裂纹的面板外围检测线PCD-FMLOC,用于检测弯折区走线是否断裂的弯折区检测线BT,恒电平高电压信号线VGH,像素电路初始化信号线Vinit,恒电平低电压信号线VGL,栅极驱动电路初始化信号线ESTV;信号走线5与连接边缘B3之间的区域具有环绕连接边缘B3第二浮置走线组6;第二浮置走线组6包括至少一条第二浮置走线60,第二浮置走线60与信号走线5电绝缘。如此,可以对信号线5起到静电屏蔽的作用,改善信号走线5在靠近连接边缘B3的位置(如图4A、图5A中虚线框位置处)较容易发生静电击伤,造成信号走线损坏的问题。
在一种可能的实施方式中,结合图4H所示,第二浮置走线60包括叠层设置的第三子浮置走线601和第四子浮置走线602;第三子浮置走线601在衬底基板1的正投影与第四子浮置走线602在衬底基板1的正投影至少部分重合。具体的,第三子浮置走线601在衬底基板1的正投影,可以是部分与第四子浮置走线602在衬底基板1的正投影重合,部分不与第四子浮置走线602在衬底基板1的正投影重合;也可以是第三子浮置走线601在衬底基板1的正投影与第四子浮置走线602在衬底基板1的正投影全部重合。具体的,第三子浮置走线601可以与第一子浮置走线301同层同材质,第四子浮置走线602可以与和第二子浮置走线302同层同材质。
在一种可能的实施方式中,结合图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图5A和图5B所示,显示基板还包括位于第二浮置走线组6远离连接边缘B3一侧的第三浮置走线组7;第三浮置走线组7包括至少一条沿第二方向G2延伸的第三浮置走线70。如此,可以对信号线5起到更好的静电屏蔽作用,改善信号走线5在靠近连接边缘B3的位置较容易发生静电击伤,造成信号走线5或与其连接的电路单元损坏的问题。
在一种可能的实施方式中,第三浮置走线70包括叠层设置的第五子浮置走线和第六子浮置走线;第五子浮置走线在衬底基板1的正投影与第六子浮置走线在衬底基板1的正投影至少部分重合。具体的,第五子浮置走线在衬底基板1的正投影,可以是部分与第六子浮置走线在衬底基板1的正投影重合,部分不与第六子浮置走线在衬底基板1的正投影重合;也可以是第五子浮置走线在衬底基板1的正投影与第六子浮置走线在衬底基板1的正投影全部重合。具体的,第五子浮置走线可以与第一子浮置走线同层同材质,第六子浮置走线可以与和第二子浮置走线同层同材质。
在一种可能的实施方式中,参见图4A和图5A所示,在垂直于第二边缘B2的方向上,第三浮置走线组7与信号走线5的最小距离h1小于第三浮置走线组7与第二边缘B2的距离h2,即,如图4A或图5A中,在垂直于第二边缘B2的方向上,第三浮置走线组7位于靠上的位置,如此,第三浮置走线组7所在的位置相对较大,可以有较多的布线空间,第三浮置走线70可以延伸的长度较长,以起到较佳的静电屏蔽效果。
在一种可能的实施方式中,结合图1A、图6和图7所示,其中,图6包括显示基板不同拐角位置处的放大示意图,图7为完整触控单元S的示意图,显示区A包括具有触控电极的触控区A1,以及包围触控区A1且具有触控引线8的引线区A2;其中,触控电极包括多个沿第一方向G1延伸的第一触控电极S1,以及多个沿第二方向G2延伸且与第一触控电极S1绝缘的第二触控电极S2;第一触控电极S1与第二触控电极S2交叉,形成多个触控单元S,触控引线8包括与第一触控电极S1一一对应电连接的第一触控引线81(图1中标号81的位置具体可以包括多条第一触控引线81),以及与第二触控电极S2一一对应电连接的第二触控引线82(图1A中标号82的位置具体可以包括多条第二触控引线82);第一触控引线81、第二触控引线82均具有双层子引线;在拐角位置T处,参见图6和图7所示,由于触控单元S(Sensor)完整性较正常区域差,导致第一触控电极S1(具体可以为发射电极Tx)与第二触控电极S2(具体可以为接收电极Rx)间的互容值较正常区域小,当互容值太小时,容易出现Sensor抗噪音能力弱的现象,表现为圆角和孔位置处噪音量大;本公开实施例中,引线区A2在至少一个拐角位置T处具有与触控引线8电连接的第一补偿电容C1,可以实现对拐角位置T处的互容值补偿,改善显示基板在拐角位置T处的互容值太小,容易出现Sensor抗噪音能力弱的现象,噪音量大的问题。
在一种可能的实施方式中,参见图8和图9所示,第一触控引线81包括叠层设置的第一子触控引线811和第二子触控引线812,第二触控引线82包括叠层设置的第三子触控引线821和第四子触控引线822,第一子触控引线811和所述第三子触控引线821同层同材质,第二子触控引线812和第四子触控引线822同层同材质;在同时具有第一触控引线81和第二触控引线82的拐角位置T处(例如,如图6中显示基板左上拐角位置T1处),显示基板通过第一触控引线81、第二触控引线82不同层子引线的相互延伸形成第一补偿电容C1。如此,实现对左上拐角位置T1处的互容值补偿,改善显示基板在拐角位置T处的互容值太小,容易出现触控单元(Sensor)抗噪音能力弱的现象,噪音量大的问题。
具体的,结合图8、图9和图10所示,其中,图8为对应图1A中左上拐角位置T1处的放大结构示意图,图9、图10为图8中沿虚线E-E2处的截面示意图,图8左侧的上、下两图为图8右下图在不同位置的放大示意图,图8右侧上方附图主要示出由第一子触控引线811延伸出的第一引线延伸部813,其中,E2处的放大图中示出第一触控引线81在E21位置处双层打孔连接,且由该位置开始,第一触控引线81转位于第一触控金属层TMA的单层走线(第一引线延伸部813),E处的放大图中示出第二触控引线82在E22位置处双层打孔连接,且由该位置开始,第二触控引线82转位于第二触控金属层TMB的单层走线;在同时具有第一触控引线81和第二触控引线82的拐角位置T处(即,左上拐角位置T1处),与触控区A1最近邻的第一触控引线81具有由第一子触控引线811延伸出的第一引线延伸部813,与触控区A1最近邻的第二触控引线82具有沿第四子触控引线822延伸出的第四引线延伸部823,第一引线延伸部813在衬底基板1的正投影与第四引线延伸部823在衬底基板1的正投影存在交叠,以形成第一补偿电容C1;或者,如图10所示,在具有第一触控引线81和第二触控引线82的拐角位置T处(即,左上拐角位置T1处),与触控区A1最近邻的第一触控引线81具有由第二子触控引线延812伸出的第二引线延伸部814,与触控区A1最近邻的第二触控引线82具有沿第三子触控引线821延伸出的第三引线延伸部824,第二引线延伸部814在衬底基板1的正投影与第三引线延伸部824在衬底基板的正投影存在交叠,以形成第一补偿电容C1。
具体的,第一触控电极S1、第一子触控引线811、第三触控引线821可以均位于第一触控金属层,第二触控电极S2、第二子触控引线812、第四子触控引线822可以均位于第二触控金属层。显示区A的触控引线8可以与延伸区C的触控走线一一对应电连接。
在一种可能的实施方式中,参见图11和图12所示,其中,图12为图11虚线线圈E3处的截面示意图,图11右侧的上、下两图为图11左下图在不同位置的放大示意图,图11左侧上方附图主要示出与触控区A1最近邻的第一触控电极S1延伸出的第一触控电极延伸部S11,其中,E31处的放大图中示出第二触控引线82在E31位置处双层打孔连接,E32处的放大图中示出第二触控引线82在E32位置处双层打孔连接;在仅具有第二触控引线82的拐角位置T处(即,左下拐角位置T4处),显示基板在引线区A2还包括由与触控区A1最近邻的第一触控电极S1延伸出的第一触控电极延伸部S11;显示基板通过第一触控电极延伸部S11和第二触控引线82形成第一补偿电容。如此,实现对左下拐角位置T4处的互容值补偿,改善显示基板在左下拐角位置T4处的互容值太小,容易出现触控单元(Sensor)抗噪音能力弱的现象,噪音量大的问题。
具体的,结合图11和图12所示,第一触控电极延伸部S11与第四子触控引线822同层,即,第一触控电极延伸部S11与第一触控电极S1同层,均位于第二触控金属层;在仅具有第二触控引线82的拐角位置T处(即,左下拐角位置T4处),第一触控电极延伸部S12在衬底基板1的正投影与第三子触控引线821在衬底基板1的正投影存在部分交叠,以形成第一补偿电容C1。如此,通过第一触控电极S1外扩形成第一触控电极延伸部S11,使第一触控电极延伸部S11在衬底基板1的正投影与第二触控引线S11下层的子走线第三子触控引线821正投影交叠,形成第一补偿电容C1。
在一种可能的实施方式中,参见图13、图14、图15和图16所示,其中,图13为图1A中右上拐角位置T2的放大示意图,图15为图1A中右下拐角位置T3处的放大示意图,图14为图13虚线线圈E4处的截面示意图,图16为图15虚线线圈E5处的截面示意图,图13右侧的上、下两图为图13左下图在E41、E42位置的放大示意图,图13左侧上方附图主要示出由与触控区A1最近邻的第二触控电极S2延伸出的第二触控电极延伸部S21,其中,E41处的放大图中示出第一触控引线81在E43位置处双层打孔连接,E42处的放大图中示出第一触控引线81在E42位置处双层打孔连接,图15左侧上方附图主要示出由与触控区A1最近邻的第二触控电极S2延伸出的第二触控电极延伸部S21,其中,E51处的放大图中示出第一触控引线81在E53位置处双层打孔连接,E52处的放大图中示出第一触控引线81在E52位置处双层打孔连接;在仅具有第一触控引线81的拐角位置处(即,图1A中右上拐角位置T2或右下拐角位置T3),显示基板在引线区A2还包括由与触控区A1最近邻的第二触控电极S2延伸出的第二触控电极延伸部S21;显示基板通过第二触控电极延伸部S21和第一触控引线81形成第一补偿电容C1。如此,实现对右上拐角位置T2或右下拐角位置T3的互容值补偿,改善显示基板在右上拐角位置T2或右下拐角位置T3的互容值太小,容易出现触控单元(Sensor)抗噪音能力弱的现象,噪音量大的问题。
具体的,结合图13、图14、图15和图16所示,第二触控电极延伸部S21与第二子触控引线812同层;在仅具有第一触控引线81的拐角位置处(即,右上拐角位置T2或右下拐角位置T3),第二触控电极延伸部S21在衬底基板1的正投影与第一子触控引线811在衬底基板1的正投影存在部分交叠,以形成第一补偿电容C1。具体的,结合图13所示,第二触控电极延伸部S21也可以设置在Finger2位置处,或Finger3位置处。
在一种可能的实施方式中,参见图17、图18、图19所示,其中,图17为通孔处的放大示意图,图18为图17中其中一虚线线圈(如左上角的虚线线圈)处的放大示意图,图18左侧上的附图主要示出与第一补偿部S3的端部打孔(如图18中的过孔T)连接的第一外延部S31,图18右侧附图为左下侧虚线线圈E6处的放大示意图,图19为图18在虚线线圈E6的截面示意图,显示基板还包括位于显示区A的通孔K,显示基板包括位于第一触控电极S1朝向通孔K一侧,与第一触控电极S1连接且环绕通孔K的第一补偿部S3,以及包括位于第二触控电极S2朝向通孔K一侧,与第二触控电极S2连接且环绕通孔K的第二补偿部S4;第一补偿部S3与第二补偿部S4相互绝缘;显示基板在通孔K位置处通过第一补偿部S3和第二补偿部S4形成有第二补偿电容C2。如此,实现对通孔K周边位置处的互容值补偿,改善显示基板在通孔K周边位置处的互容值太小,容易出现触控单元(Sensor)抗噪音能力弱的现象,噪音量大的问题。
具体的,结合图17、图18、图19所示,显示基板包括与第一补偿部S3位于不同层,且与第一补偿部S3的端部打孔(如图19中的过孔T)连接的第一外延部S31,第一外延部S31在衬底基板1的正投影与第二补偿部S4在衬底基板1的正投影存在交叠区域,以形成第二补偿电容C2。
具体的,显示基板可以包括位于通孔K左侧和右侧的两段弧形的第一补偿部S3,如图17中通孔K左上侧和左下侧的弧段为一体连接,形成其中一弧形的第一补偿部S3,通孔K右上侧和右下侧的弧段为一体连接,形成其中另一弧形的第一补偿部S3;显示基板可以包括位于通孔K上侧和下侧的两段弧形的第二补偿部S4,如图16中通孔K左上侧和右上侧的弧段为一体连接,形成其中一弧形的第二补偿部S4,通孔K左下侧和右下侧的弧段为一体连接,形成其中另一弧形的第二补偿部S4。其中,第一补偿部S3与第二补偿部S4相互同层,均位于第二触控金属层,在圆形虚线线圈处相互断开。
具体的,为了更清楚地理解本公开实施例提供的显示基板的膜层结构,以下结合图3、图4H、图9、图12、图14、图16、图19所示对本公开实施例提供的显示基板的制作进行说明如下:
1、封装工艺后,首先沉积阻挡层13(Barrier),材料可以为SiNx;具体的,在形成封装层之前,还可以在衬底基板1之上依次形成数据线15(SD层)、钝化层14;当然,显示基板在制作过程中,还可以形成其它信号线层,本公开实施例不以此为限;
2、通过光刻(Photo Mask)工艺形成第一触控金属层(TMA)图案,材料可以为金属Ti-Al-Ti结构,用于形成桥接区域下层通道(桥接部)以及延伸区C的触控走线、第一浮置走线、第二浮置走线、第三浮置走线,以及引线区A2的触控引线在第一触控金属层的子层图案;
3、通过光刻(Photo Mask)工艺形成层间介质层11(TLD)图案,材料可以为SiNx,起到绝缘作用;通过过孔设计可导通后续形成的上层第二触控金属层(TMB金属层)与下层TMA金属;
4、通过光刻(Photo Mask)工艺形成第二触控金属层(TMB)图案,材料可以为金属Ti-Al-Ti结构,用于形成桥接区域上层通道、桥接区域之外金属网络(metal mesh,用于构成第一触控电极S1、第二触控电极S2)以及外围信号走线,包括延伸区C的触控走线、第一浮置走线、第二浮置走线、第三浮置走线,以及引线区A2的触控引线在第一触控金属层的子层图案,外围信号走线为TMA/TMB双层金属结构,通过TLD过孔连接;
5、通过光刻(Photo Mask)工艺形成保护层12(TOC)图案,材料可以为PI,起绝缘保护作用覆盖在metal mesh及外围走线上方。
具体的,On Cell结构上包括触控单元(Sensor)和外围走线(Trace)两部分,Trace将Touch IC的信号端口与Sensor连接,完成信号的传输。Trace走线通常位于VSS信号走线上方,具体来说,在弯折区B(Bending)区下方(也即延伸区C),Trace走线位于SD层形成的VSS走线上,在Bending上方,Trace走线位于SD层形成的VSS走线上或者与SD连接的阳极金属层上方或者与上述阳极金属层连接的阴极上方,利用VSS恒定电压信号屏蔽BP显示信号,防止Touch信号与BP信号(GOA信号、Data信号)相互影响。Bending下方的膜层结构上,GOA信号线、Data信号线常采用Gate1、Gate2层形成,VSS信号线用SD层形成,FMLOC Trace走线位于VSS信号线正上方,采用TMA、TMB双层金属形成,双层金属间通过TLD过孔连接在一起。
基于同一发明构思,本公开实施例还提供一种显示装置,其中,包括如本公开实施例提供的显示基板。
本公开实施例中,触控走线组2的至少一侧设置有第一浮置走线组3,第一浮置走线组3包括至少一条第一浮置走线30,如此,触控走线组2的外围设置有多条第一浮置走线30,可以避免若不设置第一浮置走线组3时,在图案化形成触控走线20时,刻蚀液在外围的堆积量较多,容易造成外围的触控走线20过刻,造成外围触控走线20与内侧的触控走线20线宽不均一,影响触控性能的问题,而本公开实施例中,触控走线20的外围还设置有多条第一浮置走线30,在外围的刻蚀液较多时,可以过刻外围的第一浮置走线30,进而可以保护内侧的触控走线20,改善触控走线20线宽不均一,影响触控性能的问题。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (19)

1.一种显示基板,其中,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括:显示区,与所述显示区一侧连接的弯折区,以及连接于所述弯折区远离所述显示区一侧的延伸区;
触控走线组,所述触控走线组位于所述延伸区,所述触控走线组包括多条沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的触控走线;
第一浮置走线组,所述第一浮置走线组位于所述触控走线组的至少一侧,包括至少一条沿所述第一方向延伸的第一浮置走线,所述第一方向为从所述显示区指向所述弯折区和所述延伸区的方向,所述至少一条第一浮置走线与所述触控走线电绝缘;
所述第一浮置走线包括叠层设置的第一子浮置走线和第二子浮置走线;
所述第一子浮置走线在所述衬底基板的正投影与所述第二子浮置走线在所述衬底基板的正投影至少部分重合。
2.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述触控走线组的两侧均设置有所述第一浮置走线组,不同所述第一浮置走线组的所述第一浮置走线数量相同。
3.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述显示基板包括第一电源线,所述第一电源线位于所述延伸区;所述第一浮置走线在所述衬底基板的正投影至少部分位于所述第一电源线在所述衬底基板的正投影内。
4.如权利要求3所述的显示基板,其中,所述触控走线包括叠层设置的第一子触控走线和第二子触控走线;
所述第一子浮置走线与所述第一子触控走线同层同材质,所述第二子浮置走线和所述第二子触控走线同层同材质。
5.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述弯折区包括靠近所述显示区的第一边缘,靠近所述延伸区与所述第一边缘相对设置的第二边缘,连接所述第一边缘与所述第二边缘的连接边缘;
所述显示基板包括位于所述弯折区的信号走线,所述信号走线与所述连接边缘之间的区域具有环绕所述连接边缘的第二浮置走线组;所述第二浮置走线组包括至少一条第二浮置走线,所述第二浮置走线与所述信号走线电绝缘。
6.如权利要求5所述的显示基板,其中,所述第二浮置走线包括叠层设置的第三子浮置走线和第四子浮置走线;所述第三子浮置走线在所述衬底基板的正投影与所述第四子浮置走线在所述衬底基板的正投影至少部分重合。
7.如权利要求5所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括位于所述第二浮置走线组远离所述连接边缘一侧的第三浮置走线组;所述第三浮置走线组包括至少一条沿所述第二方向延伸的第三浮置走线。
8.如权利要求7所述的显示基板,其中,所述第三浮置走线包括叠层设置的第五子浮置走线和第六子浮置走线;所述第五子浮置走线在所述衬底基板的正投影与所述第六子浮置走线在所述衬底基板的正投影至少部分重合。
9.如权利要求8所述的显示基板,其中,在垂直于所述第二边缘的方向上,所述第三浮置走线组与所述信号走线的最小距离小于所述第三浮置走线组与所述第二边缘的距离。
10.如权利要求1-9任一项所述的显示基板,其中,所述显示区包括具有触控电极的触控区,以及包围所述触控区且具有触控引线的引线区;
所述引线区在至少一个拐角位置处具有与所述触控引线电连接的第一补偿电容。
11.如权利要求10所述的显示基板,其中,所述触控电极包括多个沿所述第一方向延伸的第一触控电极,以及多个沿所述第二方向延伸且与所述第一触控电极绝缘的第二触控电极;所述触控引线包括与所述第一触控电极一一对应电连接的第一触控引线,以及与所述第二触控电极一一对应电连接的第二触控引线;所述第一触控引线、所述第二触控引线均具有双层子引线;
在同时具有所述第一触控引线和所述第二触控引线的所述拐角位置处,所述显示基板通过所述第一触控引线、所述第二触控引线不同层所述子引线的相互延伸形成所述第一补偿电容。
12.如权利要求11所述的显示基板,其中,所述第一触控引线包括叠层设置的第一子触控引线和第二子触控引线,所述第二触控引线包括叠层设置的第三子触控引线和第四子触控引线,所述第一子触控引线和所述第三子触控引线同层同材质,所述第二子触控引线和所述第四子触控引线同层同材质;
在同时具有所述第一触控引线和所述第二触控引线的所述拐角位置处,与所述触控区最近邻的所述第一触控引线具有由所述第一子触控引线延伸出的第一引线延伸部,与所述触控区最近邻的所述第二触控引线具有沿所述第四子触控引线延伸出的第四引线延伸部,所述第一引线延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第四引线延伸部在所述衬底基板的正投影存在交叠,以形成所述第一补偿电容;
或者,在具有所述第一触控引线和所述第二触控引线的所述拐角位置处,与所述触控区最近邻的所述第一触控引线具有由所述第二子触控引线延伸出的第二引线延伸部,与所述触控区最近邻的所述第二触控引线具有沿所述第三子触控引线延伸出的第三引线延伸部,所述第二引线延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第三引线延伸部在所述衬底基板的正投影存在交叠,以形成所述第一补偿电容。
13.如权利要求12所述的显示基板,其中,在仅具有所述第二触控引线的所述拐角位置处,所述显示基板在所述引线区还包括由与所述触控区最近邻的所述第一触控电极延伸出的第一触控电极延伸部;
所述显示基板通过所述第一触控电极延伸部和所述第二触控引线形成所述第一补偿电容。
14.如权利要求13所述的显示基板,其中,所述第一触控电极延伸部与所述第四子触控引线同层;
在仅具有所述第二触控引线的所述拐角位置处,所述第一触控电极延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第三子触控引线在所述衬底基板的正投影存在部分交叠,以形成所述第一补偿电容。
15.如权利要求12所述的显示基板,其中,在仅具有所述第一触控引线的所述拐角位置处,所述显示基板在所述引线区还包括由与所述触控区最近邻的所述第二触控电极延伸出的第二触控电极延伸部;
所述显示基板通过所述第二触控电极延伸部和所述第一触控引线形成所述第一补偿电容。
16.如权利要求15所述的显示基板,其中,所述第二触控电极延伸部与所述第二子触控引线同层;
在仅具有所述第一触控引线的所述拐角位置处,所述第二触控电极延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一子触控引线在所述衬底基板的正投影存在部分交叠,以形成所述第一补偿电容。
17.如权利要求11所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括位于所述显示区的通孔,所述显示基板包括位于所述第一触控电极朝向所述通孔一侧,与所述第一触控电极连接且环绕所述通孔的第一补偿部,以及包括位于所述第二触控电极朝向所述通孔一侧,与所述第二触控电极连接且环绕所述通孔的第二补偿部;所述第一补偿部与所述第二补偿部相互绝缘;
所述显示基板在所述通孔位置处通过所述第一补偿部和所述第二补偿部形成有第二补偿电容。
18.如权利要求17所述的显示基板,其中,所述显示基板包括与所述第一补偿部位于不同层,且与所述第一补偿部的端部打孔连接的第一外延部,所述第一外延部在所述衬底基板的正投影与所述第二补偿部在所述衬底基板的正投影存在交叠区域,以形成所述第二补偿电容。
19.一种显示装置,其中,包括如权利要求1-18任一项所述的显示基板。
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