CN104185877A - 透明导电性层叠体和电子设备或模块 - Google Patents

透明导电性层叠体和电子设备或模块 Download PDF

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Abstract

本发明为透明导电性层叠体、以及使用了该透明导电性层叠体的电子设备或模块，所述透明导电性层叠体为在基材的至少一个面上，直接或隔着1层以上的层，从基材侧起依次层叠低折射层、中间折射层和透明导电层而成的透明导电性层叠体，其特征在于，低折射层的折射率为1.40～1.50、中间折射层的折射率为1.50～1.80、且中间折射层的膜密度为2.5～4.5g/cm3。根据本发明，透明导电性层叠体提供耐湿热性和光学特性优异的透明导电性层叠体、和电子设备或模块。

Description

透明导电性层叠体和电子设备或模块
技术领域
本发明涉及耐湿热性和光学特性优异的透明导电性层叠体、以及使用了该透明导电性层叠体的电子设备或模块。
背景技术
以往在用于液晶显示器、电致发光（EL）显示器、触控面板等的电子部件中，为了实现薄型化、轻量化、挠性化等，研究了使用透明塑料膜代替玻璃板。
然而，塑料膜与玻璃板相比，存在如下问题：容易透过水蒸汽、氧等，容易引起电子部件内部的元件的劣化。
另外，对于用于图像显示装置等的电子部件，通常总光线透射率高，要求具有自然的色调，使用氧化铟锡（ITO）等形成导电层时，存在由于该导电层而黄色被强调的问题。
为了解决该问题，专利文献1中提出了带透明导电膜的膜，其包含透明基材和透明导电性膜，其特征在于，对550nm光线的消光系数为0.05以下，且黄色度（YI）为0.5～3.0。然而，由该文献的实施例得到的膜的耐湿热性和光学特性均不能说是充分的，希望进一步的性能提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1 : 日本特开2008-21605号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明是鉴于以上这样的情况而进行的，其目的在于，提供耐湿热性和光学特性优异的透明导电性层叠体、以及使用了该透明导电性层叠体的电子设备或模块。
解决问题的技术手段
本发明人为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现一种透明导电性层叠体，其为在基材的至少一个面上，直接或隔着1层以上的层，从基材侧起依次层叠低折射层、中间折射层和透明导电层而成的透明导电性层叠体，低折射层的折射率、以及中间折射层的折射率和膜密度在特定范围的透明导电性层叠体的耐湿热性优异，并且黄色感（黄色味）被抑制、光学特性也优异，从而完成了本发明。
因而，根据本发明，提供下述（1）～（6）的透明导电性层叠体。
（1）透明导电性层叠体，其为在基材的至少一个面上，直接或隔着1层以上的层，从基材侧起依次层叠低折射层、中间折射层和透明导电层而成的透明导电性层叠体，其特征在于，低折射层的折射率为1.40～1.50，中间折射层的折射率为1.50～1.80，且中间折射层的膜密度为2.5～4.5g/cm3。
（2）根据（1）中所述的透明导电性层叠体，其中，前述中间折射层的光学膜厚为1～100nm。
（3）根据（1）中所述的透明导电性层叠体，其中，前述低折射层的光学膜厚为10～800nm。
（4）根据（1）中所述的透明导电性层叠体，其中，前述透明导电层的光学膜厚为10～250nm。
（5）根据（1）中所述的透明导电性层叠体，其中，在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸汽透射率为0.1g/m2/day以下。
（6）根据（1）中所述的透明导电性层叠体，其中，透射色相b＊值为-2.0～＋2.0、且总光线透射率为80%以上。
（7）根据（1）中所述的透明导电性层叠体，其中，构成前述透明导电层的材料为选自氧化锌、掺杂有镓的氧化锌（GZO）、掺杂有铝的氧化锌（AZO）和氧化锌铟（IZO）中的至少1种。
（8）根据（1）中所述的透明导电性层叠体，其中，前述中间折射层和低折射层是通过对硅系高分子层实施离子注入处理而得到的层。
（7）电子设备或模块，其使用了前述（1）～（6）中任一项所述的透明导电性层叠体。
发明效果
本发明的透明导电性层叠体的耐湿热性优异、并且黄色感被抑制、光学特性也优异，因而适合作为用于液晶显示器、电致发光（EL）显示器、触控面板等的图像显示装置的电子部件。
本发明的电子设备或模块由于使用本发明的透明导电性层叠体，因而其耐湿热性优异、并且黄色感被抑制、光学特性也优异。
具体实施方式
本发明的透明导电性层叠体为在基材的至少一个面上，直接或隔着1层以上的层，从基材侧起依次层叠低折射层、中间折射层和透明导电层而成的透明导电性层叠体，其特征在于，低折射层的折射率为1.40～1.50、中间折射层的折射率为1.50～1.80、且中间折射层的膜密度为2.5～4.5。
（基材）
本发明中使用的基材为无色透明的，只要是作为透明导电性层叠体的基材具有充分的强度就没有特别限制。
作为基材的材质，可以列举出聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系树脂、环烯烃系聚合物、芳香族系聚合物、聚氨酯系聚合物等。
这些之中，从透明性优异、且具有通用性的观点出发，优选为聚酯、聚酰胺或环烯烃系聚合物，更优选为聚酯或环烯烃系聚合物。
作为聚酯，可以列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等。
作为聚酰胺，可以列举出全芳香族聚酰胺、尼龙6、尼龙66、尼龙共聚物等。
作为环烯烃系聚合物，可以列举出降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃系聚合物、环状共轭二烯系聚合物、乙烯基脂环式烃聚合物、和它们的氢化物。作为其具体例，可以列举出アペル（三井化学公司制的乙烯-环烯烃共聚物）、アートン（JSR公司制的降冰片烯系聚合物）、ゼオノア（日本瑞翁公司制的降冰片烯系聚合物）等。
这些之中，从通用性和成本的观点出发，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等聚酯，更优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯。
基材除了这些树脂成分以外，在不损害透明性等的范围内还可以含有抗氧化剂、阻燃剂、润滑剂等各种添加剂。
基材的厚度通常为0.01～0.5mm，优选为0.05～0.25mm。基材的厚度在该范围内时，能够容易地获得透明性和弯曲性优异的透明导电性层叠体。
基材的总光线透射率优选为70%以上、更优选为70～100%，进一步优选为80～95%。基材的雾度值优选为10%以下，更优选为1～10%。通过使基材的总光线透射率、雾度值在特定的范围内，能够容易地得到透明性优异的透明导电性层叠体。
另外，基材的折射率根据材质、有无拉伸而不同，从透明性的观点出发，通常在1.45～1.75、优选为1.6～1.75的范围。
（低折射层）
用于本发明的透明导电性层叠体的低折射层的折射率为1.40～1.50，优选为1.42～1.48的层。本发明中，通过将具有所述特性的低折射层与后述的中间折射层组合使用，能够获得光学特性（总光线透射率和色调）优异的透明导电性层叠体。
低折射层的光学膜厚通常为10～800nm，优选为100～500nm。通过使低折射层的光学膜厚在该范围内，能够获得光学特性优异、且薄的透明导电性层叠体。光学膜厚是指层的折射率（n）与层的膜厚（d）的乘积（n×d）。
低折射层在具有上述特性的范围内，其构成成分、形成方法没有特别限制，可以使用公知的成分、方法。作为低折射层的材料，可以列举出硅系高分子化合物；包含含有光聚合性单体和/或光聚合性预聚物的光聚合性化合物、和光聚合引发剂的光聚合性组合物；聚酯系树脂、聚氨酯系树脂（特别是聚丙烯酸多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等与异氰酸酯化合物的双液固化型树脂）、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯系树脂、乙烯基氯/乙酸乙烯基共聚物、聚乙烯醇缩丁醛系树脂、硝基纤维素系树脂等树脂类；烷基钛酸酯；乙烯亚胺；氟系树脂；等。这些材料可以单独使用1种、或者组合使用两种以上。这些之中，优选为由硅系高分子化合物构成的层（以下有时称为“硅系高分子层”。）。如后述那样，对硅系高分子层的表面实施等离子体离子注入等离子注入处理时，能够将硅系高分子层的一部分改性，能够容易地形成具有目标特性的中间折射层。被改性的部分（以下有时称为表层部）成为具有目标特性的中间折射层，未被改性的部分成为低折射层，因而通过使用硅系高分子层作为低折射层，能够有效地得到透明导电性层叠体。
作为硅系高分子化合物，只要是含有硅的高分子，则可以为有机化合物，也可以为无机化合物。可以列举出例如聚有机硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物、聚硅烷系化合物、聚硅氮烷系化合物等。
聚有机硅氧烷系化合物是将具有水解性官能团的硅烷化合物缩聚而得到的化合物。
聚有机硅氧烷系化合物的主链结构没有限制，可以是直链状、阶梯状、笼状的任一种。
例如，作为前述直链状的主链结构，可以列举出下述式（a）所示的结构，作为阶梯状的主链结构，可以列举出下述式（b）所示的结构，作为笼状的主链结构，可以列举出例如下述式（c）所示的结构。
[化1]
[化2]
[化3]
式中，Rx、Ry、Rz各自独立地表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的烯基、无取代或具有取代基的芳基等非水解性基。需要说明的是，式（a）的多个Rx、式（b）的多个Ry、和式（c）的多个Rz可以分别相同或不同。其中，前述式（a）的Rx不会2个都为氢原子。
作为无取代或具有取代基的烷基的烷基，可以列举出例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳原子数1～10的烷基。
作为无取代或具有取代基的烯基的烯基，可以列举出例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳原子数2～10的烯基。
作为前述烷基和烯基的取代基，可以列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；羟基；巯基；环氧基；环氧丙氧基；（甲基）丙烯酰氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等的无取代或具有取代基的芳基；等。
作为无取代或具有取代基的芳基的芳基，可以列举出例如苯基、1-萘基、2-萘基等的碳原子数6～10的芳基。
作为前述芳基的取代基，可以列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；甲基、乙基等碳原子数1～6的烷基；甲氧基、乙氧基等碳原子数1～6的烷氧基；硝基；氰基；羟基；巯基；环氧基；环氧丙氧基；（甲基）丙烯酰氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等的无取代或具有取代基的芳基；等。
这些之中，作为Rx、Ry、Rz，优选为氢原子、碳原子数1～6的烷基、或苯基，特别优选为碳原子数1～6的烷基。
作为聚有机硅氧烷系化合物，优选为前述式（a）所示的直链状的化合物，从获得容易性、和能够形成具有优异的气体阻隔性的层的观点出发，更优选前述式（a）中的2个Rx都为甲基的化合物即聚二甲基硅氧烷。
聚有机硅氧烷系化合物例如可以通过将具有水解性官能团的硅烷化合物缩聚的公知的制造方法来获得。
所使用的硅烷化合物可以根据目标的聚有机硅氧烷系化合物的结构进行适当选择。作为优选的具体例，可以列举出二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷等2官能硅烷化合物；甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正丁基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基二乙氧基甲氧基硅烷等3官能硅烷化合物；四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、四仲丁氧基硅烷、甲氧基三乙氧基硅烷、二甲氧基二乙氧基硅烷、三甲氧基乙氧基硅烷等4官能硅烷化合物等。
聚碳硅烷系化合物是在分子内的主链具有（-Si-C-）键的高分子化合物。其中，作为本发明中使用的聚碳硅烷系化合物，优选含有下述式（d）所示的重复单元。
[化4]
式中，Rw、Rv各自独立地表示氢原子、羟基、烷基、芳基、烯基、或1价的杂环基。多个Rw、Rv可以分别相同或不同。
作为Rw、Rv的烷基、芳基、烯基，可以列举出与作为前述Rx等例示出的相同的基团。
作为1价的杂环基的杂环，只要是至少含有1个除碳原子以外的氧原子、氮原子、硫原子等杂原子的3～10元的环状化合物就没有特别限制。
作为1价的杂环基的具体例，可以列举出2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-呋喃基、3-呋喃基、3-吡唑基、4-吡唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、1,2,4-三嗪-3-基、1,2,4-三嗪-5-基、2-嘧啶基、4-嘧啶基、5-嘧啶基、3-哒嗪基、4-哒嗪基、2-吡嗪基、2-（1,3,5-三嗪）基、3-（1,2,4-三嗪）基、6-（1,2,4-三嗪）基、2-噻唑基、5-噻唑基、3-异噻唑基、5-异噻唑基、2-（1,3,4-噻二唑）基、3-（1,2,4-噻二唑）基、2-噁唑基、4-噁唑基、3-异噁唑基、5-异噁唑基、2-（1,3,4-噁二唑）基、3-（1,2,4-噁二唑）基、5-（1,2,3-噁二唑）基等。
这些基团在任意位置可以具有烷基、芳基、烷氧基、芳基氧基等取代基。
R表示亚烷基、亚芳基或2价的杂环基。
作为R的亚烷基,可以列举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、三亚甲基、四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基、八亚甲基等的碳原子数1～10的亚烷基。
作为亚芳基,可以列举出亚苯基、1,4-亚萘基、2,5-亚萘基等的碳原子数6～20的亚芳基。
作为2价的杂环基，若为由除了碳原子以外至少含有1个氧原子、氮原子、硫原子等杂原子的3～10元的杂环化合物衍生出的2价基团则没有特别限制。
作为2价的杂环基的具体例，可以列举出2,5-噻吩二基等噻吩二基；2,5-呋喃二基等呋喃二基；2,5-硒吩二基等硒吩二基；2,5-吡咯二基等吡咯二基；2,5-吡啶二基、2,6-吡啶二基等吡啶二基；2,5-噻吩并[3,2-b］噻吩二基、2,5-噻吩并[2,3-b］噻吩二基等噻吩并噻吩二基；2,6-喹啉二基等喹啉二基；1,4-异喹啉二基、1,5-异喹啉二基等异喹啉二基；5,8-喹喔啉二基等喹喔啉二基；4,7-苯并［1,2,5］噻二唑二基等苯并［1,2,5］噻二唑二基；4,7-苯并噻唑二基等苯并噻唑二基；2,7-咔唑二基、3,6-咔唑二基等咔唑二基；3,7-吩噁嗪二基等吩噁嗪二基；3,7-吩噻嗪二基等吩噻嗪二基；2,7-二苯并噻咯二基等二苯并噻咯二基；2,6-苯并［1,2-b：4,5-b’］二噻吩二基、2,6-苯并［1,2-b：5,4-b’］二噻吩二基、2,6-苯并［2,1-b：3,4-b’］二噻吩二基、2,6-苯并［1,2-b：3,4-b’］二噻吩二基等苯并二噻吩二基等。
需要说明的是，R的亚烷基、亚芳基、2价的杂环基可以在任意的位置具有烷基、芳基、烷氧基、卤素原子等取代基。
这些之中，式（d）中，更优选Rw、Rv各自独立地为氢原子、烷基或芳基，包含R为亚烷基或亚芳基的重复单元，进一步优选Rw、Rv各自独立地氢原子或烷基，包含R为亚烷基的重复单元。
具有式（d）所示的重复单元的聚碳硅烷系化合物的重均分子量通常为400～12，000。
作为聚碳硅烷系化合物的制造方法，没有特别限定，可以采用以往公知的方法。可以列举出例如通过聚硅烷的热分解聚合进行制造的方法（日本特开昭51-126300号公报）、通过聚（二甲基硅烷）的热重排进行制造的方法（Journal　of　Materials　Science，2569-2576，Vol.13，1978）、通过氯甲基三氯硅烷的格氏反应得到聚碳硅烷系化合物的方法（Organometallics，1336-1344，Vol.10，1991）、通过二硅杂环丁烷类的开环聚合进行制造的方法（Journal　of　Organometallic　Chemistry，1-10，Vol. 521，1996）、在具有二甲基碳硅烷和含有SiH基的硅烷的结构单元的原料聚合物中，在碱性催化剂的存在下使其与水和/或醇反应从而进行制造的方法（日本特开2006-117917号公报）、使末端具有三甲基锡等有机金属基的碳硅烷以正丁基锂等有机典型金属化合物作为引发剂进行聚合反应从而进行制造的方法（日本特开2001-328991号公报）等。
聚硅烷系化合物是在分子内具有（-Si-Si-）键的高分子化合物。作为所述聚硅烷系化合物，可以列举出具有选自下述式（e）所示的结构单元中的至少一种重复单元的化合物。
[化5]
式（e）中，Rq和Rr相同或不同，表示氢原子、烯基、环烷基、环烯基、芳基、羟基、烷氧基、环烷基氧基、芳基氧基、芳烷基氧基、可以具有取代基的氨基、甲硅烷基或卤素原子。
作为Rq和Rr的烷基、烯基、芳基，可以列举出与前述Rx等例示的相同的基团。
作为环烷基，可以列举出环戊基、环己基、甲基环己基等碳原子数3～10的环烯基。
作为环烯基，可以列举出环戊烯基、环己烯基等碳原子数4～10的环烯基。
作为烷氧基，可以列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、叔丁氧基、戊基氧基等碳原子数1～10的烷氧基。
作为环烷基氧基，可以列举出环戊基氧基、环己基氧基等碳原子数3～10的环烷基氧基。
作为芳基氧基，可以列举出苯氧基、萘基氧基等的碳原子数6～20的芳基氧基。
作为芳烷基氧基，可以列举出苄基氧基、苯乙基氧基、苯基丙基氧基等的碳原子数7～20的芳烷基氧基。
作为可以具有取代基的氨基，可以列举出氨基；被烷基、环烷基、芳基、芳烷基、酰基等取代了的N-单或N,N-二取代氨基等。
作为甲硅烷基，可以列举出甲硅烷基、乙硅烷基、丙硅烷基等Si1-10硅烷基（优选为Si1-6硅烷基）、取代甲硅烷基（例如被烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烷氧基等取代了的取代甲硅烷基）等。
作为卤素原子，可以列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
前述环烷基、环烯基、烷氧基、环烷基氧基、芳基氧基、芳烷基氧基、甲硅烷基可以具有卤素原子、烷基、芳基、烷氧基等取代基。
这些之中，从能得到本发明的更加优异的效果的观点出发，优选为含有前述式（e）所示的重复单元的化合物，更优选为包含式（e）中，Rq、Rr各自独立地为氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、氨基或甲硅烷基的重复单元的化合物，进一步优选包含式（e）中，Rq、Rr各自独立地为氢原子、烷基或芳基的重复单元的化合物。
聚硅烷系化合物的形态没有特别限制，可以是非环状聚硅烷（直链状聚硅烷、支链链状聚硅烷、网眼状聚硅烷等）、环状聚硅烷等的均聚物，可以是无规共聚物、嵌段共聚物、交互共聚物、梳型共聚物等的共聚物。
聚硅烷系化合物为非环状聚硅烷的情况下，聚硅烷系化合物的末端基（末端取代基）可以是氢原子，也可以是卤素原子（氯原子等）、烷基、羟基、烷氧基、甲硅烷基等。
作为聚硅烷系化合物的具体例，可以列举出聚二甲基硅烷、聚（甲基丙基硅烷）、聚（甲基丁基硅烷）、聚（甲基戊基硅烷）、聚（二丁基硅烷）、聚（二己基硅烷）等的聚二烷基硅烷、聚（二苯基硅烷）等的聚二芳基硅烷、聚（甲基苯基硅烷）等的聚（烷基芳基硅烷）等的均聚物；二甲基硅烷-甲基己基硅烷共聚物等的二烷基硅烷与其他二烷基硅烷的共聚物、苯基硅烷-甲基苯基硅烷共聚物等的芳基硅烷-烷基芳基硅烷共聚物、二甲基硅烷-甲基苯基硅烷共聚物、二甲基硅烷-苯基己基硅烷共聚物、二甲基硅烷-甲基萘基硅烷共聚物、甲基丙基硅烷-甲基苯基硅烷共聚物等的二烷基硅烷-烷基芳基硅烷共聚物等共聚物；等。
需要说明的是，对于聚硅烷系化合物，详细而言例如在R.D.Miller、J.Michl；Chemical　Review、第89卷、1359页（1989）、N.Matsumoto；Japanese　Journal　of　Physics、第37卷、5425页（1998）等中记载。本发明中，可以使用这些文献中记载的聚硅烷系化合物。
聚硅烷系化合物的平均聚合度（例如、数均聚合度）通常为5～400，优选为10～350，进一步优选为20～300左右。
另外，聚硅烷系化合物的重均分子量为300～100,000，优选为400～50,000，进一步优选为500～30,000左右。
聚硅烷系化合物的大多为公知物质，可以使用公知的方法制造。可以列举出例如以镁为还原剂使卤代硅烷类进行脱卤缩聚的方法（“镁还原法”、WO98/29476号公报等）、在碱金属的存在下使卤代硅烷类进行脱卤缩聚的方法（“基平法（キッピング法）”、J.Am.Chem.Soc.，110，124（1988）、Macromolecules，23，3423（1990）等）、通过电极还原使卤代硅烷类进行脱卤缩聚的方法（J.Chem.Soc.，Chem.Commun.，1161（1990）、J.Chem.Soc.，Chem.Commun.897（1992）等）、在特定的聚合用金属催化剂的存在下使氢硅烷类进行脱氢缩合的方法（日本特开平4-334551号公报等）、基于利用联苯等交联了的二硅烯的阴离子聚合的方法（Macromolecules，23，4494（1990）等）、基于环状硅烷类的开环聚合的方法等。
作为聚硅氮烷系化合物，优选具有式（f）
[化6]
所示重复单元的化合物。另外，所使用的聚硅氮烷系化合物的数均分子量没有特别限定，优选为100～50,000。
式（f）中，n表示任意的自然数。
Rm、Rp、Rt各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基等的非水解性基。
作为前述烷基、烯基、芳基，可以列举出与前述Rx等例示出的相同的基团。
作为环烷基，可以列举出与前述Rq等例示出的相同的基团。
作为烷基甲硅烷基，可以列举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、甲基二乙基甲硅烷基、二甲基甲硅烷基、二乙基甲硅烷基、甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基等。
这些之中，作为Rm、Rp、Rt，优选为氢原子、碳原子数1～6的烷基、或苯基，特别优选为氢原子。
作为具有前述式（f）所示的重复单元的聚硅氮烷系化合物，可以是Rm、Rp、Rt全部为氢原子的无机聚硅氮烷、Rm、Rp、Rt的至少1个不是氢原子的有机聚硅氮烷中的任一种。
作为无机聚硅氮烷，可以列举出具有有下述式
[化7]
所示的重复单元的直链状结构、具有690～2000的分子量、一分子中含有3～10个SiH3基的全氢聚硅氮烷（特公昭63-16325号公报）、具有式（A）
[化8]
〔式中，b、c表示任意的自然数，Y1表示氢原子或式（B）
[化9]
（式中，d表示任意的自然数，＊表示键合位置，Y2表示氢原子、或前述（B）所示的基团。）所示的基团。〕所示的重复单元、具有直链状结构和支链结构的全氢聚硅氮烷、例如具有式（C）
[化10]
所示的全氢聚硅氮烷结构、分子内具有直链状结构、支链结构和环状结构的全氢聚硅氮烷等。
作为有机聚硅氮烷，可以列举出
（i）以-（Rm’SiHNH）-（Rm’表示与Rm相同的烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基。以下的Rm’也同样。）为重复单元、具有主要聚合度为3～5的环状结构的有机聚硅氮烷，
（ii）以-（Rm’SiHNRt’）-（Rt’表示与Rt相同的烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基。）为重复单元、具有主要聚合度为3～5的环状结构的有机聚硅氮烷，
（iii）以-（Rm’Rp’SiNH）-（Rp’表示与Rp相同的烷基、环烷基、烯基、芳基烷基甲硅烷基。）为重复单元、具有主要聚合度为3～5的环状结构的有机聚硅氮烷，
（iv）在分子内具有下述式所示的结构的聚有机（氢）硅氮烷，
[化11]
（v）具有下述式
[化12]
〔Rm’、Rp’表示与前述相同意思，e、f表示任意的自然数，Y3表示氢原子或下述式（D）
[化13]
（式中，g表示任意的自然数，＊表示键合位置，Y4表示氢原子、或前述（D）所示的基团。）所示的基团。〕
所示的重复结构的聚硅氮烷等。
上述有机聚硅氮烷可以通过以往公知的方法制造。例如，可以通过使下述式
[化14]
（式中，m表示2或3，X表示卤素原子，R1表示前述的Rm、Rp、Rt、Rm’、Rp’、Rt’中的任一种取代基。）所示的无取代或具有取代基的卤代硅烷化合物与仲胺的反应产物、与氨或伯胺反应而得到。
所使用的仲胺、氨和伯胺可以根据目标的聚硅氮烷系化合物的结构进行适当选择。
另外，本发明中，作为聚硅氮烷系化合物，也可以使用聚硅氮烷改性物。作为聚硅氮烷改性物，可以列举出例如含有金属原子（该金属原子可以形成交联。）的聚金属硅氮烷、重复单元为〔(SiH2)j(NH)h)〕和〔(SiH2)iO〕（式中，j、h、i各自独立地为1、2或3。）所示的聚硅氧硅氮烷（日本特开昭62-195024号公报）、使聚硅氮烷与硼化合物反应进行制造的聚硼硅氮烷（日本特开平2-84437号公报）、聚硅氮烷与金属醇盐反应而制造的聚金属硅氮烷（日本特开昭63-81122号公报等）、无机硅氮烷高聚合物、改性聚硅氮烷（日本特开平1-138108号公报等）、对聚硅氮烷导入有机成分的共聚硅氮烷（日本特开平2-175726号公报等）、对聚硅氮烷加成或添加用于促进陶瓷化的催化剂性化合物而成的低温陶瓷化聚硅氮烷（日本特开平5-238827号公报等）、
烷氧基硅加成聚硅氮烷（日本特开平5-238827号公报）、缩水甘油加成聚硅氮烷（日本特开平6-122852号公报）、乙酰丙酮络合物加成聚硅氮烷（日本特开平6-306329号公报）、金属羧酸盐加成聚硅氮烷（日本特开平6-299118号公报等）、
对上述聚硅氮烷或其改性物添加胺类和/或酸类而成的聚硅氮烷组合物（日本特开平9-31333号公报）、对全氢聚硅氮烷加成甲醇等醇或对六甲基二硅氮烷在末端N原子加成而得到的改性聚硅氮烷（日本特开平5-345826号公报、日本特开平4-63833号公报）等。
这些之中，作为本发明中使用的聚硅氮烷系化合物，优选为Rm、Rp、Rt全部为氢原子的无机聚硅氮烷，Rm、Rp、Rt的至少1个不是氢原子的有机聚硅氮烷，从入手容易性、和能够形成具有优异的气体阻隔性的注入层的观点出发，更优选为无机聚硅氮烷。
需要说明的是，聚硅氮烷系化合物也可以直接使用作为玻璃涂布材等市售的市售品。
低折射层在不损害本发明目的的范围内可以含有其他成分。作为其他的成分，可以列举出固化剂、抗老化剂、光稳定剂、阻燃剂等。
低折射层为前述硅系高分子层的情况下，除了这些成分以外还有可以含有硅系高分子以外的高分子。对于低折射层中的硅系高分子化合物的含量，从可以通过后述的等离子体离子注入等离子注入处理而有效地形成具有目标特性的中间折射层的观点出发，以低折射层整体为基准优选为50质量%以上，更优选为70质量%以上。
作为形成低折射层的方法，没有特别限制。例如，可以将前述低折射层的材料和根据希望将其他成分溶解或分散于适当溶剂中而成的低折射层形成用溶液涂覆在基材的单面或两面，使所得的涂膜干燥，根据希望进行加热、照射能量线，从而形成低折射层。
另外，通过后述那样对硅系高分子层实施等离子体离子注入等离子注入处理形成中间折射层和低折射层的情况下，通过所述处理硅系高分子层的一部分（表层部）被改性成为中间折射层，剩余的部分维持低折射性，成为低折射层。像这样，通过对硅系高分子层实施等离子体离子注入等离子注入处理，可以在形成中间折射层的同时，形成具有规定厚度的低折射层。
作为在涂布低折射层形成用溶液时使用的涂布装置，可以列举出旋转涂布机、刮刀式涂胶机、凹版式涂布机等公知装置。
作为涂膜的干燥、加热方法，可以采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等以往公知的干燥方法。加热温度通常为80～150℃，加热时间通常为数十秒到数十分钟。
（中间折射层）
本发明中使用的中间折射层是折射率为1.50～1.80、优选为1.55～1.75、更优选为1.60～1.70的层。通过将具有所述特性的中间折射层与前述低折射层组合使用，可以获得光学特性（总光线透射率和色调）和耐热性优异的透明导电性层叠体。中间折射层的折射率为低于1.50时，耐湿热性降低因而不优选。另一方面，折射率大于1.80时，光学特性和耐热性降低，因而不优选。
本发明中使用的中间折射层是膜密度为2.5～4.5g/cm3、优选为2.7～3.5g/cm3的层。使用膜密度低于2.5的中间折射层时，透明导电性层叠体的耐湿热性降低。另外，膜密度超过4.5时，中间折射层的柔软性降低，在透明导电性层叠体的制造工序中，搬送时产生裂纹、耐湿热性有可能变差。
膜密度可以使用X射线反射率法（XRR）计算出。
X射线相对于基板上的薄膜以非常浅的角度进行入射时，会被全反射。入射X射线的角度为全反射临界角以上时，X射线侵入于薄膜内部，在薄膜表面、界面处分成透射波和反射波，反射波干涉。通过解析全反射临界角，可以求出膜的密度。需要说明的是，一边改变入射角度一边进行测定，由伴随光路差的变化的反射波的干涉信号的解析也可以求出薄膜的膜厚。
膜密度可以通过以下方法测定。
已知通常对于X射线的物质的折射率n、和折射率n的实数部分的δ会成为以下的式1和式2。
[数1]
[数2]
这里，re表示电子的经典半径（2.818×10-15m），N0表示阿伏加德罗常数，λ表示X射线的波长，ρ表示密度（g/cm3），Zi、Mi、xi分别表示序号i的原子的原子序号、原子量和原子数比（摩尔比），fi’表示序号i的原子的原子散射因子（异常分散项）。另外，全反射临界角度θc在无视与吸收有关的β时通过式3求出。
[数3]
因此，密度ρ可以根据式2和式3的关系通过式4求出。
[数4]
这里，θc2是能够根据X射线反射率求出的值，re、N0、λ为常数，Zi、Mi、fi’分别为构成原子的固有的值。需要说明的是，关于xi：原子数比（摩尔比），使用由XPS测定得到的结果。
中间折射层中的膜密度通过实施例中说明的方法测定，使用式4得到。
中间折射层的光学膜厚通常为1～100nm，优选为10～50nm。通过使中间折射层的光学膜厚在该范围内，可以获得光学特性优异、且薄的透明导电性层叠体。
中间折射层在具有前述特性的范围内，其构成成分、形成方法没有特别限制，可以使用公知的材料。作为中间折射层的材料，可以列举出氧化铝、氧化镁、氧化硅等氧化物；氮化硅等氮化物；氮氧化硅等氮氧化物；等。其中，优选含有氧原子和硅原子的材料。中间折射层通过含有氧原子和硅原子，能够容易地形成气体阻隔性优异的中间折射层。
相对于氧原子、硅原子和氧原子的存在量总体的各个原子的存在比例（原子数比例）从透明导电性层叠体的耐湿热性、光学特性的观点出发，优选氧原子为60～75%，硅原子为25～35%，氮原子为0～10%。
作为中间折射层的形成方法，例如可以通过蒸镀法、溅射法、离子电镀法、热CVD法、等离子体CVD法这样的物理性或化学性沉积法，直接形成，也可以是通过离子注入处理等形成具有特定化学组成的层的方法。从能够简便地形成中间折射层的观点出发，优选进行等离子体离子注入处理的方法。
使用上述硅系高分子层作为低折射层的情况下，具有前述特性的中间折射层能够通过对硅系高分子层实施等离子体离子注入处理而容易地形成。
具体而言，通过对作为低折射层使用的硅系高分子层实施等离子体离子注入处理，使其一部分（表层部）改性，从而能够形成具有前述特性的中间折射层。
作为等离子体离子注入处理的方法，可以使用公知的方法。使用等离子体离子注入法的情况下，通过改变离子注入电压，使离子注入区域变化，由此能够控制中间折射层的折射率。像这样，通过使用离子注入法，可以容易地形成具有目标折射率的中间折射层。
作为被注入的离子，可以列举出氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子；氟碳、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的离子；
甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷等烷烃系气体类的离子；乙烯、丙烯、丁烯、戊烯等烯烃系气体类的离子；戊二烯、丁二烯等烷基二烯烃系气体类的离子；乙炔、甲基乙炔等炔烃系气体类的离子；苯、甲苯、二甲苯、茚、萘、菲等芳香族烃系气体类的离子；环丙烷、环己烷等环烷烃系气体类的离子；环戊烯、环己烯等环烯烃系气体类的离子；
金、银、铜、铂、镍、钯、铬、钛、钼、铌、钽、钨、铝等导电性金属的离子；
硅烷（SiH4）或有机硅化合物的离子；等。
作为有机硅化合物，可以列举出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷等的四烷氧基硅烷；
二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、（3,3,3-三氟丙基）三甲氧基硅烷等的无取代或具有取代基的烷基烷氧基硅烷；
二苯基二甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷等的芳基烷氧基硅烷；
六甲基二硅氧烷（HMDSO）等的二硅氧烷；
双（二甲基氨基）二甲基硅烷、双（二甲基氨基）甲基乙烯基硅烷、双（乙基氨基）二甲基硅烷、二乙基氨基三甲基硅烷、二甲基氨基二甲基硅烷、四（二甲基氨基）硅烷、三（二甲基氨基）硅烷等的氨基硅烷；
六甲基二硅氮烷、六甲基环三硅氮烷、七甲基二硅氮烷、九甲基三硅氮烷、八甲基环四硅氮烷、四甲基二硅氮烷等硅氮烷；
四异氰酸酯硅烷等氰酸酯硅烷；
三乙氧基氟硅烷等卤代硅烷；
二烯丙基二甲基硅烷、烯丙基三甲基硅烷等烯基硅烷；
二-叔丁基硅烷、1,3-二硅杂丁烷、双（三甲基甲硅烷基）甲烷、四甲基硅烷、三（三甲基甲硅烷基）甲烷、三（三甲基甲硅烷基）硅烷、苄基三甲基硅烷等无取代或具有取代基的烷基硅烷；
双（三甲基甲硅烷基）乙炔、三甲基甲硅烷基乙炔、1-（三甲基甲硅烷基）-1-丙炔等甲硅烷基炔烃；
1,4-双三甲基甲硅烷基-1,3-丁二炔、环戊二烯基三甲基硅烷等甲硅烷基烯烃；
苯基二甲基硅烷、苯基三甲基硅烷等芳基烷基硅烷；
炔丙基三甲基硅烷等炔基烷基硅烷；
乙烯基三甲基硅烷等烯基烷基硅烷；
六甲基二硅烷等二硅烷；
八甲基环四硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、六甲基环四硅氧烷等硅氧烷；
N,O-双（三甲基甲硅烷基）乙酰胺；
双（三甲基甲硅烷基）碳二酰亚胺；
等。
这些离子可以单独使用一种或者组合两种以上使用。
其中，从能够进行更简便地注入、特别是具有优异的气体阻隔性、且能够形成具有目标光学特性的中间折射层的观点出发，优选为选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙和氪中的至少一种离子。
作为注入离子的方法，没有特别限定，可以列举出照射通过电场加速了的离子（离子束）的方法、注入等离子体中的离子的方法等。其中，本发明中，从能够简便地形成具有目标特性的中间折射层的观点出发，优选为后者的注入等离子体离子的方法。
作为等离子体离子注入法，优选为（A）将存在于使用外部电场产生的等离子体中的离子注入到硅系高分子层的表面部的方法、或（B）不使用外部电场，将仅由对前述层施加的负的高电压脉冲而得到的电场产生的等离子体中存在的离子注入到硅系高分子层的表面部的方法。
前述（A）的方法中，优选将离子注入时的压力（等离子体离子注入时的压力）设为0.01～1Pa。等离子体离子注入时的压力在这样的范围内时，能够简便地且有效地均匀地注入离子，能够有效地形成目标中间折射层。
前述（B）的方法不需要提高减压度，处理操作为简便，处理时间也可以大幅地缩短。另外，能够对前述层整体均匀地进行处理，施加负的高电压脉冲时能够将等离子体中的离子以高能量连续地注入到层的表面部。进一步地不需要射频（高频以下简称为“RF”。）、微波等高频电力源等特别的其他手段、仅通过对层施加负的高电压脉冲就能够在层的表面部均匀地形成良质的离子注入层。
在前述（A）和（B）的任一方法中，施加负的高电压脉冲时，即离子注入时的脉冲宽度优选为1～15μsec。脉冲宽度在这样的范围内时，能够更简便且有效地、均匀地注入离子。
另外，产生等离子体时的施加电压优选为-1～-50kV，更优选为-1～-30kV，特别优选为-5～-20kV。以施加电压大于-1kV的值进行离子注入时，离子注入量（剂量）变得不充分，无法得到所希望的性能。另一方面，以比-50kV小的值进行离子注入时，离子注入时膜带电，另外产生膜的着色等不良情况，因而不优选。
作为等离子体离子注入的离子种类，可以列举出与作为前述注入的离子而例示出的相同的离子。
对层的表面部注入等离子体中的离子时，使用等离子体离子注入装置。
作为等离子体离子注入装置，具体而言可以列举出（α）在对硅系高分子层（以下有时称为“离子注入层”。）施加负的高电压脉冲的馈通（feedthrough）上重叠高频电力而使等离子体均等地包围离子注入层的周围，使等离子体中的离子诱导、注入、碰撞、堆积的装置(日本特开2001-26887号公报)；(β)在腔室内设置天线，供给高频电力产生等离子体而使等离子体到达离子注入层周围后，对离子注入层交替地施加正和负的脉冲，从而通过正的脉冲使等离子体中的电子诱导碰撞而加热离子注入层，控制脉冲常数而进行温度控制，同时通过施加负的脉冲使等离子体中的离子诱导、注入的装置(日本特开2001-156013号公报)；(γ)使用微波等高频电力源等的外部电场而产生等离子体，施加高电压脉冲而使等离子体中的离子诱导、注入的等离子体离子注入装置；(δ)不使用外部电场，将仅由通过高电压脉冲的施加而产生的电场所产生的等离子体中的离子注入的等离子体离子注入装置等。
这些之中，从处理操作简便、处理时间也能够大幅缩短、适于连续使用的观点出发，优选使用（γ）或（δ）的等离子体离子注入装置。
对于使用前述（γ）和（δ）的等离子体离子注入装置的方法，可以列举出国际公开WO2010/021326号公报中记载。
前述（γ）和（δ）的等离子体离子注入装置中，由于高电压脉冲电源兼用作使等离子体产生的等离子体产生手段，因而不需要RF、微波等高频电力源等的特别的其他手段，仅通过施加负的高电压脉冲使等离子体产生，对高分子层的表面部连续地注入等离子体中的离子，能够量产形成有表面部具有通过离子注入而改性了的部分的硅系高分子层即中间折射层的膜。
注入了离子可以通过如下确认：使用X射线光电子分光分析（XPS），进行从高分子层的表面起10nm附近的元素分析测定来确认。
（透明导电层）
本发明中使用的透明导电层是具有导电性的透明薄膜层。
透明导电层的光学膜厚通常为10～300nm，优选为10～250nm，更优选为50～250nm，进一步优选为100～200nm。通过使透明导电层的光学膜厚在该范围内，能够获得光学特性优异、且薄的透明导电性层叠体。
作为透明导电层，可以使用以往公知的层作为电子部件、光学部件的透明导电层。
作为构成透明导电层的材料，可以列举出金属、合金、金属氧化物、电导性化合物、它们的混合物等。具体而言可以列举出氧化锡、掺杂有锑的氧化锡（ATO）；掺杂有氟的氧化锡（FTO）、氧化锌、掺杂有镓的氧化锌（GZO）、掺杂有铝的氧化锌（AZO）、氧化铟、氧化铟锡（ITO）、氧化锌铟（IZO）、等导电性金属氧化物；金、银、铬、镍等金属；这些金属与导电性金属氧化物的混合物；碘化铜、硫化铜等无机导电性物质；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有机导电性材料；等。这些之中，从导电性的观点出发优选为导电性金属氧化物，在抑制稀有金属的用量、进行考虑了环境的产品设计的方面更优选为氧化锌、掺杂有镓的氧化锌（GZO）、掺杂有铝的氧化锌（AZO）、氧化锌铟（IZO）等氧化锌系导电性材料，考虑到耐久性和材料成本进一步优选为掺杂有镓的氧化锌（GZO），若考虑导电性，则特别优选为以1～10%的范围添加三氧化二镓而成的氧化锌。
透明导电层也可以是由这些材料形成的层多层层叠而成的层。
作为透明导电层的形成方法，可以列举出例如蒸镀法、溅射法、离子电镀法、热CVD法、等离子体CVD法等。这些之中，从在本发明中能够简便地形成导电体层的观点出发，优选为溅射法。
溅射法是将放电气体（氩等）导入真空槽内，在靶与基板之间施加高频电压或者直流电压使放电气体等离子体化、使该等离子体冲撞靶，从而使靶材料飞溅附着于基板而得到薄膜的方法。作为靶，使用包含形成前述透明导电层的材料的靶。
（透明导电性层叠体）
本发明的透明导电性层叠体是在前述基材的至少一个面上，直接或隔着1层以上的层，从基材侧起依次层叠前述低折射层、中间折射层和透明导电层而成的。
本发明的透明导电性层叠体可以具有这些层以外的层。作为所述层，可以列举出基材与低折射层之间的底涂层等。
通过设置底涂层，能够容易地获得基材与低折射层的密合性优异的透明导电性层叠体。
作为构成底涂层的材料，没有特别限定，可以使用公知的材料。可以列举出例如含硅化合物；包含含有光聚合性单体和/或光聚合性预聚物的光聚合性化合物、和光聚合引发剂的光聚合性组合物；聚酯系树脂、聚氨酯系树脂（特别是聚丙烯酸多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等和异氰酸酯化合物的双液固化型树脂）、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯系树脂、乙烯基氯/乙酸乙烯基共聚物、聚乙烯醇缩丁醛系树脂、硝基纤维素系树脂等树脂类；烷基钛酸酯；乙烯亚胺；等。这些材料可以单独使用1种、或者组合使用两种以上。
底涂层可以如下形成：将前述材料溶解或分散于适当的溶剂中而成为底涂层形成用溶液，将该底涂层形成用溶液涂覆于基材的单面，使所得的涂膜干燥，根据希望照射能量线，从而形成。
作为将底涂层形成用溶液涂覆于基材的方法，可以使用通常的湿式涂布方法。例如可以列举出浸渍法、辊涂、凹版涂布、刮刀涂布法、气刀涂布法、辊刀涂布法、模涂法、网版印刷法、喷涂法、凹版胶印法等。
作为干燥底涂层形成用溶液的涂膜的方法，可以采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等以往公知的干燥方法。
作为被照射的能量线，可以使用由各种能量线产生装置产生的能量线。例如、紫外线通常使用由紫外灯輻射的紫外线。作为紫外灯，通常使用发出在波长300～400nm的区域具有光谱分布的紫外线的高压汞灯、聚变H灯
（ヒュ-ジョンHランプ）、氙气灯等紫外灯，照射量通常优选为50～3000mJ/cm2。
对于底涂层，其厚度优选为0.05～20μm，更优选为0.1～10μm，进一步优选为0.5～5μm的范围。
另外，底涂层的折射率通常为1.4～1.7，优选为1.4～1.6。底涂层的折射率在上述范围内时，能够容易地得到透明性优异、黄色感被抑制光学特性优异的透明导电性层叠体。
本发明的透明导电性层叠体的表面电阻率低。例如，表面电阻率优选为1000Ω/□以下，更优选为100～600Ω/□。通过使其在所述范围内，能够得到适于静电容量方式触控面板用的透明导电性层叠体。
本发明的透明导电性层叠体的耐湿热性优异。这可以由将本发明的透明导电性层叠体放置于湿热条件下时表面电阻率的变化小来确认。
即，将置于湿热条件下前的透明导电性层叠体的表面电阻率设为R0，以60℃90%RH（相对湿度）保管7天后的透明导电性层叠体的表面电阻率设为R1时，下述式
[数5]
所示的表面电阻率的上升率T在本发明的透明导电性层叠体中变小。例如，T优选低于1.5，更优选为1.0以上且低于1.2。
透明导电性层叠体的表面电阻率可以通过公知的方法（例如四端子四探针方式的恒定电流施加法）进行测定。
本发明的透明导电性层叠体的耐湿热性优异也可以通过用于制造本发明的透明导电性层叠体的、刚形成中间折射层后的层叠体（设置透明导电层前的状态的层叠体）的水蒸汽等气体的透过率非常小来确认。
例如该层叠体的水蒸汽透射率在40℃、相对湿度90%气氛下优选为0.1g/m2/day以下，更优选为0.001～0.05g/m2/day。
另外，由于使用具有所述特性的层叠体制造透明导电性层叠体，因而本发明的透明导电性层叠体也是水蒸汽等气体的透过率小的层叠体。例如，本发明的透明导电性层叠体的水蒸汽透射率在40℃、相对湿度90%气氛下优选为0.1g/m2/day以下，更优选为0.001～0.05g/m2/day。
水蒸汽透射率可以使用公知的气体透射率测定装置测定。
本发明的透明导电性层叠体的透明性优异。这可以由本发明的透明导电性层叠体的总光线透射率高来确认。例如，总光线透射率优选为80%以上，更优选为80～95%，进一步优选为85～90%。
总光线透射率可以使用公知的可视光透射率测定装置进行测定。
本发明的透明导电性层叠体具有黄色感被抑制的自然色调。这可以从本发明的透明导电性层叠体的透射色相b＊值的绝对值小来确认。例如，透射色相b＊值优选为-2.0～＋2.0，更优选为-1.5～＋1.5，进一步优选为-1.0～＋1.0。
本发明的透明导电性层叠体由于具有上述特性，因而适合作为在液晶显示器、电致发光（EL）显示器、触控面板等图像显示装置等的电子设备或模块中使用的电极等电子部件。
实施例
以下举出实施例更详细地说明本发明。但本发明不受以下实施例的任何限定。
氧原子、氮原子和硅原子的存在比例的测定方法、膜密度的测定方法、折射率和膜厚的测定方法、水蒸汽透射率的测定方法、透明导电性层叠体的表面电阻率的测定方法、总光线透射率的测定方法、透明导电性层叠体的透射色相b＊值的测定方法、耐湿热性的评价方法、和光学特性的评价方法为以下所述。
（氧原子、氮原子和硅原子的存在比例的测定）
使用X射线光电子分光测定装置，按照下述所示的测定条件，进行中间折射层（进行离子注入而得到的层）中的氧原子、氮原子和硅原子的存在比例的测定。
测定装置：“PHI　Quantera　SXM”アルバックファイ公司制
　　　X射线源：AlKα
　　　X射线光束直径：100μm
　　　电力值：25W
　　　电压：15kV
　　　取出角度：45°
　　　真空度：5.0×10-8Pa。
（膜密度的测定）
对于中间折射层的膜密度，基于下述所示的测定条件测定X射线的反射率求出全反射临界角度θc，再由该值计算出。
测定装置和测定条件为以下所述。
测定装置：薄膜评价用试样水平型X射线衍射装置“SmartLab”株式会社リガク制
　　　测定条件：
　　　　　X射线源；Cu-Kα1（波长：1.54059?）
　　　　　光学系；平行光束光学系
　　　　　入射侧狭缝系统；Ge（220）2结晶、高度限制狭缝5mm、入射狭缝0.05mm
　　　　　受光侧狭缝系；受光狭缝　0.10mm、索勒狭缝　5°
　　　　　检测器；闪烁计数器
　　　　　管电压?管电流；45kV-200mA
　　　　　扫描轴；2θ/θ
　　　　　扫描模式；连续扫描
　　　　　扫描范围；0.1-3.0deg.
　　　　　扫描速度；1deg./min.
　　　　　采样间隔；0.002°/step
需要说明的是，原子数比（xi）使用通过X射线光电子分光测定而得到的中间折射层中的氧原子、氮原子和硅原子的存在比例。
（折射率和膜厚的测定）
各层的折射率和膜厚使用分光椭偏仪M-2000U（J.A.ウーラム?ジャパン公司制）进行测定。
（水蒸汽透射率的测定）
水蒸汽透射率使用mocon公司制、PERMATRAN-W3/33在相对湿度90%、温度40℃的条件下测定。
（透明导电性层叠体的表面电阻率的测定）
透明导电性层叠体的表面电阻率使用三菱化学公司制的装置“LORESTA―GP　MCP-T600”（プローブ：三菱化学アナリテック公司制“PROBE　TYPE　ASP”）在相对湿度50%、温度23℃的条件下测定。
（总光线透射率的测定）
透明导电性层叠体的总光线透射率使用浊度计（日本电色工业公司制、HAZE　METER　NDH5000）根据JIS　K　7631-1进行测定。
（透明导电性层叠体的透射色相b＊值的测定）
使用分光色差计（日本电色工业公司制、Spectro　Color　Meter　SQ2000），依据JIS　K　7105，测定透明导电性层叠体的透射色相b＊值（CIE1976L＊a＊b＊表色系中的b＊轴的值）。
需要说明的是，b＊值是分别根据下述式求出的值。
[数6]
（Y和Z是利用色差计测定的试样的XYZ坐标系中的三刺激值的值，Yn和Zn是完全扩散反射面的三刺激值的值。）。
（1）耐湿热性的评价
通过上述方法测定透明导电性层叠体的表面电阻率，得到初始值（R0）。然后，在60℃90%RH（相对湿度）下保管7天后，同样地测定透明导电性层叠体的表面电阻率，得到湿热条件后的值（R1）。下述式
[数7]
计算所示的表面电阻率的上升率T，根据以下基准评价耐湿热性。　
◎???T低于1.2
○???T为1.2以上且低于1.5
×???T为1.5以上。
（2）光学特性的评价
通过上述方法测定总光线透射率和透射色相b＊值，根据以下基准评价光学特性。　
◎???总光线透射率为85%以上、且透射色相b＊值的绝对值为1.0以下
○???总光线透射率为80%以上低于85%、且透射色相b＊值的绝对值为1.0以下、或总光线透射率为85%以上、且透射色相b＊值的绝对值为超过1.0且2.0以下
×???总光线透射率为低于80%、或、透射色相b＊值的绝对值超过2.0。
制造例1　底涂层形成用溶液的制备
将三甲氧基甲基硅烷（AZMAX公司制）5.78g（42.5mmol）、3-甲基丙烯酰丙基三乙氧基硅烷（信越化学公司制、KBM-503）1.77g（7.5mmol）溶解于乙酸乙酯50ml中，加入蒸馏水25ml并搅拌。然后，加入数滴磷酸作为催化剂，直接在室温下搅拌18小时。
在该溶液中加入饱和碳酸氢钠水溶液中和后，除去水层，将所得的有机层用硫酸镁干燥。过滤分离硫酸镁后，将滤液减压浓缩，使用正己烷通过再沉淀法进行纯化。
将纯化物在乙酸乙酯中溶解后，以相对于固体成分为1质量%添加作为光聚合性引发剂的2,4,6-三甲基苯甲酰-二苯基-氧化膦（BASF公司制、Lucirin（注册商标）TPO），以相对于固体成分为2wt%添加1-羟基-环己基-苯基-酮，得到底涂层形成用溶液。
（实施例1）
在聚酯膜（东洋纺公司制、コスモシャインPETA4300、厚度100μm）上涂布由制造例1得到的底涂层形成用溶液，在120℃下加热干燥1分钟后，使用UV光照射线进行UV光照射（高压汞灯、线速度、20m/min、累积光量100mJ、峰强度1.466W、通过次数2次），形成底涂层（厚度1100nm、折射率1.49、光学膜厚1639nm）。
在底涂层上涂布全氢聚硅氮烷溶液（アクアミカNL110A-20），以120℃加热干燥1分钟，形成硅系高分子层（厚度150nm、折射率1.45、光学膜厚218nm）。
接着，使用等离子体离子注入装置，对该硅系高分子层的表面等离子体离子注入Ar，将硅系高分子层的一部分改性，形成中间折射层（表层部）和低折射层（非改性部）。所得的低折射层为厚度120nm、折射率1.45、光学膜厚170nm，中间折射层为膜密度2.76g/cm3、厚度30nm、折射率1.59、光学膜厚48nm。
使用的等离子体离子注入装置和等离子体离子注入条件为以下所述。
（等离子体离子注入装置）
RF电源：日本电子公司制、型号“RF”56000
高电压脉冲电源：栗田制作所公司制、“PV-3-HSHV-0835”。
（等离子体离子注入条件）
等离子体生成气体：Ar
气体流量：100sccm
占空比：0.5%
重复频率：1000Hz
施加电压：-6kV
RF电源：频率　13.56MHz、施加电力　1000W
腔室内压：0.2Pa
脉冲宽度：5μsec
处理时间（离子注入时间）：5分钟
搬送速度：0.2m/min。
在中间折射层上，利用DC磁控溅射法使用含有5.7质量%Ga2O3的氧化锌靶材，形成透明导电层（厚度92nm、折射率1.81、光学膜厚167nm），制作透明导电性层叠体1。
透明导电性层叠体1的特性和评价结果示于表1。
以以下所示条件形成透明导电层。
基板温度：室温
　　　DC输出：500W
　　　载气：氩。
需要说明的是，在不设置透明导电层的状态下，水蒸汽透射率为0.01g/m2/day以下。
（实施例2）
实施例1中，除了形成厚度110nm、折射率1.81、光学膜厚199nm的透明导电层以外，通过与实施例1相同的方法，制作透明导电性层叠体2。透明导电性层叠体2的特性和评价结果示于表1。
（实施例3）
实施例1中，将离子注入中的施加电压设为-10kV，形成厚度100nm、折射率1.45、光学膜厚145nm的低折射层、膜密度3.32g/cm3、厚度35nm、折射率1.66、光学膜厚58nm的中间折射层，除此以外通过与实施例1相同的方法，制作透明导电性层叠体3。透明导电性层叠体3的特性和评价结果示于表1。
需要说明的是，在不设置透明导电层的状态下，水蒸汽透射率为0.01g/m2/day以下。
（实施例4）
实施例3中，除了形成厚度110nm、折射率1.81、光学膜厚199nm的透明导电层以外，通过与实施例3同样的方法制作透明导电性层叠体4。透明导电性层叠体4的特性和评价结果示于表1。
（实施例5）
实施例1中，将离子注入中的施加电压设为-15kV，形成厚度100nm、折射率1.45、光学膜厚145nm的低折射层、膜密度4.45g/cm3、厚度53nm、折射率1.78、光学膜厚94nm的中间折射层，除此以外通过与实施例1相同的方法，制作透明导电性层叠体5。透明导电性层叠体5的特性和评价结果示于表1。
（实施例6）
实施例1中，在中间折射层上利用DC磁控溅射法，使用含有10质量%的SnO2的氧化铟靶材（住友金属矿山公司制），形成透明导电层（厚度112nm、折射率2.00、光学膜厚224nm），除此以外通过与实施例1相同的方法，制作透明导电性层叠体6。透明导电性层叠体6的特性和评价结果示于表1。
实施例6中的透明导电层的形成条件为以下所述。
基板温度：室温
　　　DC输出：500W
　　　载气：氩＋氧（氧流量比2%）。
（比较例1）
实施例1中，除了不进行等离子体离子注入以外，通过与实施例1相同的方法，制作透明导电性层叠体7。透明导电性层叠体7的特性和评价结果示于表1。需要说明的是，在比较例1中，将从与硅系高分子层的透明导电层接触的面起向着底涂层侧30nm的部分（对应于其他例的中间折射层的部分）形式性作为表层部（中间折射层），其他部分形式性作为低折射层进行判断，表1中作为中间折射层（膜密度2.2g/cm3、厚度30nm、折射率1.45、光学膜厚44nm）、低折射层（折射率1.45、光学膜厚218nm）进行记载。
根据表1可以知道以下事项。
实施例1～6的透明导电性层叠体1～6的耐湿热性均优异、且总光线透射率高，透射色相b＊值的绝对值低，黄色感被抑制，光学特性优异。
另一方面，比较例1的透明导电性层叠体7的中间折射层的膜密度和折射率过小。因此，透明导电性层叠体7的耐湿热性差，另外，总光线透射率也为80%较低的值。

Claims (9)

1.透明导电性层叠体，其为在基材的至少一个面上，直接或隔着1层以上的层，从基材侧起依次层叠低折射层、中间折射层和透明导电层而成的透明导电性层叠体，其特征在于， 低折射层的折射率为1.40～1.50， 中间折射层的折射率为1.50～1.80，且 中间折射层的膜密度为2.5～4.5g/cm3。
2.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，所述中间折射层的光学膜厚为1～100nm。
3.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，所述低折射层的光学膜厚为10～800nm。
4.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，所述透明导电层的光学膜厚为10～250nm。
5.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸汽透射率为0.1g/m2/day以下。
6.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，透射色相b＊值为-2.0～＋2.0、且总光线透射率为80%以上。
7.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，构成所述透明导电层的材料是选自氧化锌、掺杂有镓的氧化锌（GZO）、掺杂有铝的氧化锌（AZO）、氧化锌铟（IZO）中的至少1种。
8.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，所述中间折射层和低折射层是通过对硅系高分子层实施离子注入处理而得到的层。
9.电子设备或模块，其使用了权利要求1～6中任一项所述的透明导电性层叠体。
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