CN103262175A - 透明导电性膜、其制造方法、电子装置用部件及电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明是透明导电性膜等，所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，阻气层由包含硅Si原子、氧O原子和碳C原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅Si原子、氧O原子和碳C原子的含量是，相对于硅Si原子、氧O原子和碳C原子的合计100原子%，硅Si原子：18.0～28.0%，氧O原子：48.0～66.0%，碳C原子：10.0～28.0%，并且，透明导电性膜在40℃90%RH气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下，波长550nm时的可见光透过率为90%以上。根据本发明，可提供具有优异的阻气性和透明性，即使在高温高湿度环境下，薄层电阻值的变化也少，保持低值，导电性优异的透明导电性膜等。

Description

透明导电性膜、其制造方法、电子装置用部件及电子装置
技术领域
本发明涉及透明导电性膜、其制造方法、包含该透明导电性膜的电子装置用部件、以及具备该电子装置用部件的电子装置。
背景技术
近年来，对于液晶显示器、电致发光(EL)显示器等显示器，为了实现薄型化、轻量化、柔性化等，研究了代替玻璃板而使用透明塑料膜作为具有电极的基板。然而，塑料膜存在与玻璃板相比容易透过水蒸气、氧等，容易发生显示器内部的元件的劣化这样的问题。
为了解决该问题，专利文献1中提出了在透明塑料膜上层叠由金属氧化物形成的透明阻气层而成的柔性显示器基板。然而，该文献记载的柔性显示器基板，由于是通过蒸镀法、离子镀法、溅射法等在透明塑料膜表面层叠由金属氧化物形成的透明阻气层而成的，因此在使该基板卷曲或弯折时，有时阻气层产生裂缝而阻气性降低。
以往，已知有在由透明塑料形成的基板上具有透明导电体层的透明导电性膜。作为上述透明导电性膜的透明导电体层形成材料，主要使用了锡掺杂氧化铟(ITO)，但由于铟是稀有金属，因此近年来提出了氧化锌系导电材料作为代替ITO的透明导电材料。然而，氧化锌系导电材料存在与ITO相比在高温高湿度条件下薄层电阻值劣化这样的问题。
为了解决该问题，专利文献2中公开了，在塑料基材上设置的硬涂层上，形成了掺杂有硅的氧化锌皮膜的透明导电体。然而，对于上述透明导电体，有时导电材料的结晶性降低而损害导电性。
专利文献3中公开了具有通过含有相对于锌为特定量的镓等来提高耐热性的透明导电膜的透明发热体。然而，在形成该透明发热体的透明导电膜的情况下，存在必须使锌以特殊的条件含有镓，制造条件受到限制这样的问题。
专利文献4中提出了通过设置增加了氧化度的耐热导电性层来提高耐热性的带有透明导电膜的基板。然而，在高温高湿度环境下，难以控制透明导电层的薄层电阻值。
此外，非专利文献1中公开了，在氧化镓-氧化锌系透明导电体中，通过使氧化镓的掺杂量非常多，并且使厚度为400nm，从而在高温高湿度环境下，将透明导电层的薄层电阻值控制在所希望的值的技术。然而，该文献所记载的方法中，由于需要将透明导电体成膜为400nm的厚度，因此生产性显著差，此外掺杂的氧化镓为大量，从原材料的成本方面考虑也不现实。
现有技术文献
专利文献
专利文献1 : 日本特开2000-338901号公报
专利文献2 : 日本特开平8-45352号公报
专利文献3 : 日本特开平6-187833号公报
专利文献4 : 日本特开2009-199812号公报
非专利文献
非专利文献1 : APPLIED　PHYSICS　LETTERS　89，091904(2006)。
背景技术
以往，已知在由透明塑料形成的基板上具有透明导电体层的透明导电性膜。作为上述透明导电性膜的透明导电体层形成材料，主要使用了锡掺杂氧化铟(ITO)，但铟是稀有金属，因此近年来提出了氧化锌系导电材料作为代替ITO的透明导电材料。然而，氧化锌系导电材料存在与ITO相比在高温高湿度条件下薄层电阻值容易劣化这样的问题。
为了解决该问题，专利文献1中公开了，在塑料基材上设置的硬涂层上，形成了掺杂有硅的氧化锌皮膜的透明导电体。然而，对于这样的透明导电体，有时导电材料的结晶性降低而损害导电性。
专利文献2中公开了具有通过相对于锌而含有特定量的镓等来提高耐热性的透明导电膜的透明发热体。然而，在形成该透明发热体的透明导电膜时，存在必须使锌在特殊的条件下含有镓，制造条件受到限制这样的问题。
专利文献3中提出了通过设置增加了氧化度的耐热导电性层来提高耐热性的带有透明导电膜的基板。然而，不能控制高温高湿度环境下的薄层电阻值。
此外，非专利文献1中记载了，在氧化镓-氧化锌系透明导电体中，通过使氧化镓的掺杂量非常多，并且使厚度为400nm，从而控制高温高湿度环境下的薄层电阻值的技术。然而，该文献所记载的方法中，将透明导电体成膜为400nm，因此生产性显著差，此外掺杂的氧化镓量非常多，从原材料的成本方面考虑也不现实。
现有技术文献
专利文献
专利文献1 : 日本特开平8-45352号公报
专利文献2 : 日本特开平6-187833号公报
专利文献3 : 日本特开2009-199812号公报
非专利文献
非专利文献1 : APPLIED　PHYSICS　LETTERS　89，091904(2006)。
发明内容
本发明是鉴于上述的以往技术而提出的，其目的是提供具有优异的阻气性和透明性，此外在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异的透明导电性膜、其制造方法、包含该透明导电性膜的电子装置用部件、以及具备该电子装置用部件的电子装置。
本发明者等人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现下述透明导电性膜具有优异的阻气性和透明性，此外在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异，所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，上述阻气层由包含硅原子、氧原子和碳原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅原子、氧原子和碳原子的含量为特定的比例，并且，透明导电性膜在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下，波长550nm下的可见光透过率为90%以上。进一步发现，这样的透明导电性膜的阻气层可以通过向包含四乙氧基硅烷等4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层注入离子来简便并且高效率地形成，从而完成本发明。
从而根据本发明，可提供下述(1)～(6)的透明导电性膜、(7)～(10)的透明导电性膜的制造方法、(11)的电子装置用部件、和(12)的电子装置。
(1)透明导电性膜，其特征在于，其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，
所述阻气层由包含硅原子、氧原子和碳原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅原子、氧原子和碳原子的含量是，在XPS的元素分析测定中，相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计100原子%，硅原子的含量为18.0%以上且28.0%以下，氧原子的含量为48.0%以上且66.0%以下，碳原子的含量为10.0%以上且28.0%以下，并且，
透明导电性膜在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下，波长550nm下的可见光总光线透过率为90%以上。
(2)根据(1)所述的透明导电性膜，其特征在于，是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，
所述阻气层是向包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层注入离子而得到的层。
(3)根据(2)所述的透明导电性膜，其特征在于，所述离子是选自氢、氧、氮、氩、氦、氙、氪、硅化合物、和烃中的至少一种气体被离子化而成的。
(4)根据(1)所述的透明导电性膜，其特征在于，所述阻气层是通过等离子体离子注入法向包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层注入离子而得到的层。
(5)根据(2)～(4)中任一项所述的透明导电性膜，其特征在于，所述4官能有机硅烷化合物为四(C1～C10)烷氧基硅烷。
(6)根据(1)所述的透明导电性膜，所述透明导电体层由导电性金属氧化物形成。
(7)根据(6)所述的透明导电性膜，其特征在于，所述导电性金属氧化物为锌系氧化物。
(8) (2)～(7)中任一项所述的透明导电性膜的制造方法，其具有下述工序：向表面形成有包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层的成型物的、所述包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合化合物的层，注入离子的工序。
(9)根据(8)所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，所述离子是选自氢、氧、氮、氩、氦、氙、氪、硅化合物、和烃中的至少一种气体被离子化而成的。
(10)根据(8)所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，注入离子的工序为通过等离子体离子注入法注入离子的工序。
(11)电子装置用部件，其包含(1)～(7)中任一项所述的透明导电性膜。
(12)电子装置，其具备(11)所述的电子装置用部件。
发明的效果
本发明的透明导电性膜具有优异的阻气性和透明性，此外在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异。
本发明的透明导电性膜可以适合用作柔性的显示器、太阳能电池等电子装置用部件(例如太阳能电池背片)。
根据本发明的制造方法，可以简便并且高效率地制造具有优异的阻气性和透明性，此外高温高湿度环境下薄层电阻值的变化也少，保持低值，导电性优异的本发明的透明导电性膜。此外，与无机膜成膜相比可以以低成本容易地实现大面积化。
本发明的电子装置用部件具有优异的阻气性和透明性，并且即使在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异，因此可以适合用于显示器、太阳能电池等电子装置。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是鉴于上述的以往技术而提出的，其目的是提供具有优异的阻气性和透明性，此外在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，耐弯折性和导电性优异的透明导电性膜、其制造方法、包含该透明导电性膜的电子装置用部件、以及具备该电子装置用部件的电子装置。
用于解决课题的手段
本发明者等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现下述透明导电性膜具有优异的阻气性和透明性，此外，即使在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异，所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，上述阻气层由至少包含氧原子、碳原子和硅原子的材料构成，并具有下述区域(A)，所述区域(A)从表面向着深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加，上述区域(A)具有以特定的比例包含氧原子、碳原子和硅原子的至少2种部分区域。此外发现，这样的透明导电性膜的阻气层可以通过向包含聚硅烷化合物的层注入离子来简便并且高效率地形成，从而完成本发明。
这样，根据本发明，可提供下述(1)～(9)的透明导电性膜、(10)～(12)的透明导电性膜的制造方法、(13)的电子装置用部件、和(14)的电子装置。
(1)一种透明导电性膜，其特征在于，是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，
所述阻气层由至少包含氧原子、碳原子和硅原子的材料构成，并具有下述区域(A)，所述区域(A)从表面向着深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加，
所述区域(A)包含相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量，氧原子的存在比例为20～55%、碳原子的存在比例为25～70%、硅原子的存在比例为5～20%的部分区域(A1)，和氧原子的存在比例为1～15%、碳原子的存在比例为72～87%、硅原子的存在比例为7～18%的部分区域(A2)。
(2)根据(1)所述的透明导电性膜，其特征在于，所述区域(A)在包含聚硅烷化合物的层的表层部形成。
(3)一种透明导电性膜，其特征在于，是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，
所述阻气层具有向包含聚硅烷化合物的层注入离子而得到的层。
(4)根据(2)或(3)所述的透明导电性膜，其特征在于，所述聚硅烷化合物为包含下述式(1)所示的重复单元的化合物。
Figure 961429DEST_PATH_IMAGE001
式中，R1、R2分别独立地表示氢原子、烷基、烯基、环烷基、环烯基、芳基、羟基、烷氧基、环烷基氧基、芳基氧基、芳烷基氧基、可以具有取代基的氨基、甲硅烷基、或卤素原子，多个R1、R2可以分别相同也可以不同。
(5)根据(3)所述的透明导电性膜，其特征在于，所述阻气层为通过等离子体离子注入法向包含聚硅烷化合物的层注入离子而得到的层。
(6)根据(3)所述的透明导电性膜，其特征在于，所述离子是选自由氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烃所组成的组中的至少一种气体被离子化而成的。
(7)根据(1)或(3)所述的透明导电性膜，所述透明导电体层由导电性金属氧化物形成。
(8)根据(7)所述的透明导电性膜，其特征在于，所述导电性金属氧化物为锌系氧化物。
(9)根据(1)或(3)所述的透明导电性膜，其特征在于，40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为小于0.5g/m2/天。
(10)一种透明导电性膜的制造方法，是(2)～(9)中任一项所述的透明导电性膜的制造方法，其具有下述工序：向表面部具有包含聚硅烷化合物的层的成型物的、所述包含聚硅烷化合物的层，注入离子。
(11)根据(10)所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，所述离子是选自氢、氧、氮、氩、氦、氙、氪、硅化合物、和烃中的至少一种气体被离子化而成的。
(12)根据(10)所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，所述注入离子的工序为通过等离子体离子注入法注入离子的工序。
(13)一种电子装置用部件，其包含(1)～(9)中任一项所述的透明导电性膜。
(14)一种电子装置，其具备(13)所述的电子装置用部件。
发明的效果
本发明的透明导电性膜具有优异的阻气性和透明性，此外在高温高湿度环境下薄层电阻值的变化也小，保持低值，耐弯折性和导电性优异。
本发明的透明导电性膜可以适合用作柔性的显示器、太阳能电池等电子装置用部件。
根据本发明的制造方法，可以简便并且高效率地制造具有优异的阻气性和透明性，此外高温高湿度环境下薄层电阻值的变化也少，保持低值，导电性优异的本发明的透明导电性膜。此外，与无机膜成膜相比可以以低成本容易地实现大面积化。
本发明的电子装置用部件具有优异的阻气性和透明性，此外在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异，因此可以适合用于显示器、太阳能电池等电子装置。
附图说明
图1是显示本发明的透明导电性膜的层构成的图。
附图说明
图1是显示本发明的透明导电性膜的层构成的图。
图2是表示实施例1的透明导电性膜1的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)是图。
图3是表示实施例2的透明导电性膜2的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
图4是表示实施例3的透明导电性膜3的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
图5是表示实施例4的透明导电性膜4的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
图6是表示实施例5的透明导电性膜5的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
图7是表示实施例6的透明导电性膜6的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
图8是表示实施例7的透明导电性膜7的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
图9是表示实施例8的透明导电性膜8的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
图10是表示比较例2的透明导电性膜2r的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
具体实施方式
以下，将本发明分成1)透明导电性膜、2)透明导电性膜的制造方法、以及3)电子装置用部件和电子装置这几项进行详细地说明。
1)透明导电性膜
本发明的透明导电性膜，
其特征在于，其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，上述阻气层由包含硅原子、氧原子和碳原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅原子、氧原子和碳原子的含量是，在XPS的元素分析测定中，相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计100原子%，硅原子的含量为18.0%以上且28.0%以下，氧原子的含量为48.0%以上且66.0%以下，碳原子的含量为10.0%以上且28.0%以下，并且，透明导电性膜在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下，波长550nm下的可见光透过率为90%以上。
此外，关于本发明的透明导电性膜，上述阻气层可以是向包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层(以下，有时称为“硅酸酯层”)注入离子而得到的层。
(基材层)
本发明的透明导电性膜具有基材层。作为该基材层的原材料，只要与透明导电性膜的目的一致，则没有特别限制。可举出例如，聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系树脂、环烯烃系聚合物、芳香族系聚合物等合成树脂。
其中，从透明性优异，有通用性考虑，优选为聚酯、聚酰胺、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、环烯烃系聚合物，更优选为聚酯或环烯烃系聚合物。
作为聚酯，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等。
作为聚酰胺，可举出全芳香族聚酰胺、尼龙6、尼龙66、尼龙共聚物等。
作为环烯烃系聚合物，可举出降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃系聚合物、环状共轭二烯系聚合物、乙烯基脂环式烃聚合物、和它们的氢化物。作为其具体例，可举出APEL(三井化学社制的乙烯-环烯烃共聚物)、ARTON(JSR社制的降冰片烯系聚合物)、ZEONOR(日本ゼオン社制的降冰片烯系聚合物)等。
基材层的厚度没有特别限定，只要根据透明导电性膜的使用目的决定即可，但通常为0.5～500μm，优选为10～250μm。
(阻气层)
本发明的透明导电性膜的阻气层在表层部中在上述范围含有硅原子、氧原子和碳原子而成。
这里，阻气层的“表层部”，是指从阻气层的表面起到该表面的深度方向15nm为止的区域。此外，阻气层的表面包含与其它层的边界面。
关于本发明的透明导电性膜的阻气层，该阻气层的表层部中的硅原子、氧原子和碳原子的含量是，在XPS的元素分析测定中，相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计100原子%，硅原子的含量为18.0%以上且28.0%以下，优选为19.0%以上且26.0%以下，氧原子的含量为48.0%以上且66.0%以下，优选为50.0%以上且64.0%以下，碳原子的含量为10.0%以上且28.0%以下，优选为12.0%以上且28.0%以下。
为了形成表层部中的硅原子、氧原子和碳原子的含量为这样比例的阻气层，可举出对包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层实施等离子体处理的方法、注入离子的方法。
本发明的透明导电性膜的阻气层优选为向硅酸酯层注入离子而得到的层。
硅酸酯层是包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层。关于硅酸酯层中的4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的含量，从可以形成具有优异的阻气性和透明性的离子注入层的观点考虑，优选为50重量%以上，更优选为70重量%以上。
本发明所用的4官能有机硅烷化合物是在硅元素上结合4个水解性基团而成的化合物，具体而言，是式(A)：SiX4所示的化合物。
式(A)中，X表示水解取代基，彼此可以相同也可以不同。
作为X，可举出式：OR(R表示碳原子数1～10的烃基、或碳原子数1～10的烷氧基)所示的基团、式：OSi(Ra)(Rb)(Rc)所示的基团(Ra、Rb、Rc分别独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、或苯基)、卤素原子等。
作为上述式：OR所示的基团的具体例，可举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基等碳原子数1～10的烷氧基；甲氧基甲氧基、乙氧基甲氧基、乙氧基乙氧基等碳原子数2～10的烷氧基烷氧基；等。
作为式：OSi(Ra)(Rb)(Rc)所示的基团的具体例，可举出甲硅烷基氧基、三甲基甲硅烷基氧基、三乙基甲硅烷基氧基、苯基二甲基甲硅烷基氧基、叔丁基二甲基甲硅烷基氧基等。
此外，作为卤素原子，可举出氯原子、溴原子等。
作为4官能有机硅烷化合物的具体例，可举出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷等四(C1～C10)烷氧基硅烷；三甲氧基氯硅烷、三乙氧基氯硅烷、三丙氧基氯硅烷等三(C1～C10)烷氧基卤代硅烷；二甲氧基二氯硅烷、二乙氧基二氯硅烷、二丙氧基二氯硅烷等二(C1～C10)二卤代烷氧基硅烷；甲氧基三氯硅烷、乙氧基三氯硅烷、丙氧基三氯硅烷等单(C1～C10)烷氧基三卤代硅烷；四氯硅烷、四溴硅烷等四卤代硅烷。这里，(C1～C10)表示碳原子数为1～10。
这些4官能有机硅烷化合物可以一种单独使用或二种以上组合使用。
其中，从操作性更优异，可以形成具有更优异的阻气性和透明性的层的观点考虑，优选为四(C1～C10)烷氧基硅烷。
4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物可以通过在适当的溶剂中在水和根据需要的催化剂的存在下将4官能有机硅烷化合物进行水解•脱水缩合而获得。
关于所用的水的量，水(H2O)相对于水解性基团(X)的摩尔当量，即摩尔比［H2O］/［X］优选为1.0以上，更优选为1.0以上且5.0以下。如果小于1.0，则未反应的水解性基团的量增多，可能会带来使固化被膜的折射率变高等不良影响，相反如果多于5.0，则缩合反应极端进行，可能会导致凝胶化。
作为所用的催化剂，没有特别限定，能够使用酸性催化剂和碱性催化剂的任一种。
作为酸性催化剂，可举出例如，乙酸、氯乙酸、柠檬酸、苯甲酸、二甲基丙二酸、甲酸、丙酸、戊二酸、乙醇酸、马来酸、丙二酸、甲苯磺酸、草酸等有机酸；盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、卤化硅烷等无机酸；酸性胶态二氧化硅（acidic colloidal silica）、酸化二氧化钛溶胶（酸化チタニアゾル）等酸性溶胶状填料；等。这些酸性催化剂可以1种单独使用或2种以上组合使用。
作为碱性催化剂，可举出氢氧化钠、氢氧化钾等碱金属氢氧化物；氢氧化钙等碱土类金属氢氧化物；氨水；三乙胺、二异丙基乙基胺、吡啶等胺类；等。这些碱性催化剂可以1种单独使用或2种以上组合使用。
其中，从缩短制造工序所需要的时间方面考虑，优选酸性催化剂。
4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合可以根据需要加温来进行。特别是如果在40～100℃的条件下经2～100小时促进水解反应，则可以使未反应的水解性基团无限制地少，因此优选。如果超过上述的温度范围、时间范围进行水解，则未反应的水解性基团可能会残留。
所得的4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的重均分子量，没有特别限定，为了获得机械强度优异的硅酸酯层，优选在200～50,000的范围，更优选在200～10,000的范围。如果重均分子量小于200，则被膜形成能力可能会差，相反如果超过50,000，则固化被膜的机械强度可能会差。
此外，硅酸酯层中，除了4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物以外，还可以在不损害本发明的目的的范围包含其它成分。作为其它成分，可举出其它高分子、固化剂、抗老化剂、光稳定剂、阻燃剂、填充剂、颜料、流平剂、消泡剂、抗静电剂、紫外线吸收剂、pH调节剂、分散剂、表面改性剂、增塑剂、干燥促进剂、防流挂剂（antirunning agent）等。
作为形成硅酸酯层的方法，没有特别限制，可举出例如，将硅酸酯层形成用溶液，通过公知的涂覆方法涂布在上述基材层之上，将所得的涂膜适度地干燥而形成的方法。
作为所用的硅酸酯层形成用溶液，可举出(i)含有4官能有机硅烷化合物、水、催化剂、溶剂、和根据需要其它成分的溶液，(ii)含有4官能有机硅烷化合物的(部分)水解生成物、水、催化剂、溶剂、和根据需要其它成分的溶液，(iii)含有4官能有机硅烷化合物的水解(部分)脱水缩合物、水、催化剂、溶剂和根据需要其它成分的溶液等。
作为这里所用的溶剂，优选稳定地溶解4官能有机硅烷化合物、4官能有机硅烷化合物的(部分)水解生成物、4官能有机硅烷化合物的水解(部分)脱水缩合物的溶剂。
可举出例如，二甲苯；甲苯；丁基卡必醇乙酸酯、乙酸正丁酯、乙酸乙酯等酯类；溶纤剂、溶纤剂乙酸酯等二醇醚类；丙酮、甲基乙基酮等酮类；包含它们的二种以上的混合溶剂；等。
关于溶剂的使用量(比例)，虽然与涂布方法、所用的4官能有机硅烷化合物等的种类等有关，但通常为层形成用溶液的5～99质量%，优选为5～60质量%。
作为涂覆方法，没有特别限定，可举出使用旋转涂布机、刮刀式涂布机、凹版式涂布机等公知的涂覆装置的方法。
为了所得的涂膜的干燥、透明导电性膜的阻气性提高，优选加热涂膜。加热在80～150℃下进行数十秒至数十分钟。
通过这样的加热，可以使4官能有机硅烷化合物、4官能有机硅烷化合物的(部分)水解生成物、4官能有机硅烷化合物的水解(部分)脱水缩合物的水解•脱水缩合反应充分地进行，并可以形成高品质的固化膜。
所形成的硅酸酯层的厚度，没有特别限制，通常为20nm～100μm，优选为30～500nm，更优选为40～200nm。
在本发明中，硅酸酯层的厚度即使为纳米级，也可以获得具有充分的阻气性能的透明导电性膜。
作为注入的离子，可举出氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子；氟碳化合物、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫、硅化合物、烃等的离子；金、银、铜、铂、镍、钯、铬、钛、钼、铌、钽、钨、铝等金属的离子。
其中，从可以更简便地注入，特别是可以得到具有优异的阻气性和透明性的离子注入层考虑，优选选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物、和烃中的至少一种离子。
作为硅化合物，可举出硅烷(SiH4)和有机硅化合物。
作为有机硅化合物，可举出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷等四烷氧基硅烷；
二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基硅烷等未取代或具有取代基的烷基烷氧基硅烷；
二苯基二甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷等芳基烷氧基硅烷；
六甲基二硅氧烷(HMDSO)等二硅氧烷；
双(二甲基氨基)二甲基硅烷、双(二甲基氨基)甲基乙烯基硅烷、双(乙基氨基)二甲基硅烷、二乙基氨基三甲基硅烷、二甲基氨基二甲基硅烷、四(二甲基氨基)硅烷、三(二甲基氨基)硅烷等氨基硅烷；
六甲基二硅氮烷、六甲基环三硅氮烷、七甲基二硅氮烷、九甲基三硅氮烷、八甲基环四硅氮烷、四甲基二硅氮烷等硅氮烷；
四异氰酸酯基硅烷等氰酸酯基硅烷；
三乙氧基氟硅烷等卤代硅烷；
二烯丙基二甲基硅烷、烯丙基三甲基硅烷等烯基硅烷；
二叔丁基硅烷、1,3-二硅代丁烷（1,3-disilabutane）、双(三甲基甲硅烷基)甲烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、三(三甲基甲硅烷基)甲烷、三(三甲基甲硅烷基)硅烷、苄基三甲基硅烷等未取代或具有取代基的烷基硅烷；
双(三甲基甲硅烷基)乙炔、三甲基甲硅烷基乙炔、1-(三甲基甲硅烷基)-1-丙炔等甲硅烷基炔烃；
1,4-双三甲基甲硅烷基-1,3-丁二炔、环戊二烯基三甲基硅烷等甲硅烷基烯烃；
苯基二甲基硅烷、苯基三甲基硅烷等芳基烷基硅烷；
炔丙基三甲基硅烷等炔基烷基硅烷；
乙烯基三甲基硅烷等烯基烷基硅烷；
六甲基乙硅烷等乙硅烷；
八甲基环四硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、六甲基环四硅氧烷等硅氧烷；
N,O-双(三甲基甲硅烷基)乙酰胺；
双(三甲基甲硅烷基)碳二亚胺；
等。
作为烃，可举出甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷等烷烃；乙烯、丙烯、丁烯、戊烯等烯烃；戊二烯、丁二烯等二烯烃；乙炔、甲基乙炔等炔烃；苯、甲苯、二甲苯、茚、萘、菲等芳香族烃；环丙烷、环己烷等环烷烃；环戊烯、环己烯等环烯烃；等。
这些离子可以一种单独使用或二种以上组合使用。
离子的注入量只要根据形成的透明导电性膜的使用目的(必要的阻气性、透明性等)等适宜决定即可。
作为注入离子的方法，可举出照射通过电场被加速了的离子(离子束)的方法、注入等离子体中的离子的方法(等离子体离子注入法)等。其中，在本发明中，从简便地得到具有优异的阻气性等的透明导电性膜考虑，优选为等离子体离子注入法。
等离子体离子注入法例如可以通过在包含等离子体生成气体的气氛下产生等离子体，对要注入离子的层施加负的高电压脉冲，从而将该等离子体中的离子(阳离子)注入到要注入离子的层的表面部来进行。
注入离子的部分的厚度可以通过离子的种类、施加电压、处理时间等注入条件来控制，只要根据要注入离子的层的厚度、透明导电性膜的使用目的等决定即可，但通常为10～1000nm。
注入了离子可以使用X射线光电子分光分析(XPS)，进行从表面起10nm附近的元素分析测定来确认。
(透明导电体层)
本发明的透明导电性膜还具有透明导电体层。
通过设置透明导电体层，可以对阻气膜赋予作为电极的功能。所得的透明导电性膜可以适合用于有机EL显示元件等。
作为构成透明导电体层的材料，只要透明导电体层在550nm下的可见光透过率为90%以上，则没有特别限定。可举出例如，铂、金、银、铜等金属；石墨烯、碳纳米管等碳材料；聚苯胺、聚乙炔、聚噻吩、聚对苯撑乙烯撑(polyparaphenylenevinylene)、聚乙烯二氧基噻吩、聚吡咯等有机导电材料；碘化铜、硫化铜等无机导电性物质；硫族化物(chalcogenide)、六硼化镧、氮化钛、碳化钛等非氧化化合物；氧化锌、二氧化锌、镓掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化锌掺杂氧化铟(IZO：注册商标)、氧化锡、氧化铟、氧化镉、锡掺杂氧化铟(ITO)、锡和镓掺杂氧化铟(IGZO)、氟掺杂氧化铟、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡(FTO)等导电性金属氧化物；等。
上述有机导电材料中，作为掺杂剂，可以添加碘、五氟化砷、碱金属、聚阴离子聚(苯乙烯磺酸盐)等。具体而言，可举出聚乙烯二氧基噻吩(スタルクヴィテック株式会社制，商品名“CLEVIOS P AI 4083”)。
其中，作为构成透明导电体层的材料，从更简便地获得具有优异的导电性和透明性的透明导电性膜考虑，优选导电性金属氧化物。其中，更优选为氧化锌掺杂氧化铟(IZO：注册商标)、氧化铟、锡掺杂氧化铟(ITO)、锡和镓掺杂氧化铟(IGZO)、氟掺杂氧化铟等以氧化铟为主成分的铟系氧化物；氧化锌、二氧化锌、镓掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌等以氧化锌为主成分的锌系氧化物；以及氧化锡、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡(FTO)等以氧化锡为主成分的锡系氧化物；进一步优选为铟系氧化物和锌系氧化物，特别优选为锌系氧化物。
分别优选铟系氧化物含有作为主成分的氧化铟90质量%以上，锌系氧化物含有作为主成分的氧化锌90质量%以上。
主成分以外的组成，没有特别限定。例如，为了使电阻率降低，可举出铝、硼、镓、硅、锡、锗、锑、铱、铼、铈、锆、钪、钇、锌、铟和它们的氧化物。它们是为了使导电体层的电阻率降低等目的而添加的。它们可以1种单独使用或2种以上组合使用。其添加量，从导电性与结晶性的平衡的观点考虑，优选为相对于透明导电体层整体为0.05～10质量%。
透明导电体层可以通过以往公知的方法形成。可举出例如，溅射法、离子镀法、真空蒸镀法、化学气相沉积法、棒式涂布机、微凹版式涂布机等的涂布方法等。其中，从可以简便地形成透明导电体层考虑，优选为溅射法。
在成膜透明导电材料之前，可以预先设置对要成膜透明导电材料的面，在真空或大气压下实施加热处理、或进行等离子体处理、紫外线照射处理的工序。
另外，透明导电体层的厚度，根据用途而不同，但通常为10nm～5μm，优选为20nm～1000nm，更优选为20nm～500nm。
对于所形成的导电体层，可以根据需要形成图案。作为形成图案的方法，可举出采用光刻等的化学蚀刻、使用了激光器等的物理蚀刻等、使用了掩模的真空蒸镀法、溅射法、剥离法、印刷法等。
(透明导电性膜)
本发明的透明导电性膜具备基材层、阻气层和透明导电体层。
本发明的透明导电性膜可以包含上述基材层、阻气层和透明导电体层各一层，也可以具有多个各层，此外还可以包含其它层。
在本发明的透明导电性膜中，基材层、阻气层和透明导电体层的层叠顺序，没有特别限定。
将本发明的导电性膜的层构成的例示于图1中。
图1中，S表示基材层，a表示阻气层，b表示导电体层。
图1(a)显示包含基材层-阻气层-导电体层的3层的层构成，图1(b)显示包含导电体层-基材层-阻气层的3层的层构成。其中，在本发明的透明导电性膜中，从制造容易性的观点考虑，优选具有图1(a)所示的层构成。
在本发明的透明导电性膜包含其它层的情况下，其它层可以为单层，也可以为同种或异种的2层以上。其它层的层叠位置，没有特别限制，只要根据所用的其它层的设置目的等决定即可。
作为上述其它层，可举出硬涂层、无机化合物层、冲击吸收层、底涂层等。
硬涂层是为了不对上述透明导电性膜的表面造成损伤而设置的。作为硬涂层的形成材料，没有特别限定，可举出能量射线固化型树脂、热固化型树脂等。
硬涂层的厚度通常为0.1～20μm，优选为1～10μm。
无机化合物层为由无机化合物的一种或二种以上形成的层。作为无机化合物，可举出一般能够真空成膜，具有阻气性的化合物，例如无机氧化物、无机氮化物、无机碳化物、无机硫化物、作为它们的复合体的无机氧化氮化物、无机氧化碳化物、无机氮化碳化物、无机氧化氮化碳化物等。
无机化合物层的厚度通常为10nm～1000nm，优选为20～500nm，更优选为20～100nm的范围。
冲击吸收层是为了在对阻气层施加冲击时保护阻气层。形成冲击吸收层的原材料，没有特别限定，可举出例如，丙烯酸系树脂、氨基甲酸酯系树脂、有机硅系树脂、烯烃系树脂、橡胶系材料等。
此外，也可以使用作为粘合剂、涂布剂、密封剂等而市售的产品，特别优选为丙烯酸系粘合剂、有机硅系粘合剂、橡胶系粘合剂等粘合剂。
作为冲击吸收层的形成方法，没有特别限制，可举出例如，与上述包含硅系化合物的层的形成方法同样地，将包含形成上述冲击吸收层的原材料(粘合剂等)和根据需要的溶剂等其它成分的冲击吸收层形成溶液涂布在要层叠的层上，将所得的涂膜干燥，根据需要进行加热等而形成的方法。
此外，可以另行在剥离基材上成膜冲击吸收层，将所得的膜转印到要层叠的层上进行层叠。
冲击吸收层的厚度通常为1～100μm，优选为5～50μm。
底涂层发挥提高基材层与阻气层或透明导电体层的层间密合性的作用。通过设置底涂层，可以使层间密合性优异，并且使基材的凹凸平滑化，因此可以获得表面平滑性极其优异的透明导电性膜。
作为构成底涂层的材料，没有特别限定，可以使用公知的材料。可举出例如，含硅化合物；包含由光聚合性单体和/或光聚合性预聚物形成的光聚合性化合物、以及至少在可见光区域或紫外光区域的光下产生自由基的聚合引发剂的光聚合性组合物；聚酯系树脂、聚氨酯系树脂(特别是聚丙烯多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等与异氰酸酯化合物形成的双组份固化型树脂)、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯系树脂、氯乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛系树脂、硝化纤维素）(nitrocellulose resin)系树脂等树脂类；钛酸烷基酯；乙烯亚胺；等。这些材料可以一种单独使用或二种以上组合使用。
底涂层可以如下形成：将构成底涂层的材料溶解或分散在适当的溶剂中而形成底涂层形成用溶液，将该溶液涂布在基材层的一面或两面，使所得的涂膜干燥，根据需要加热，从而形成。
作为在基材层上涂布底涂层形成用溶液的方法，可以使用通常的湿式涂布方法。可举出例如浸渍法、辊涂、凹版涂布、刮刀涂布、气刀涂布、辊刀涂布（roll knife coating）、模涂、网版印刷法、喷涂、凹版胶印法（gravure offset method）等。
作为将底涂层形成用溶液的涂膜干燥的方法，可以采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等以往公知的干燥方法。底涂层的厚度通常为10～1000nm。
此外，可以向所得的底涂层上通过与后述的注入离子的方法同样的方法进行离子注入。通过向底涂层也进行离子注入，可以获得更优异的透明导电性膜。
在本发明的透明导电性膜为包含其它层的层叠体的情况下，各层的层叠顺序可以为任何顺序。
本发明的透明导电性膜的厚度，没有特别限制，可以根据目的的电子装置的用途等而适宜决定。通常为1～1000μm。
本发明的透明导电性膜具有优异的阻气性和透明性，此外在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异。
本发明的透明导电性膜具有优异的阻气性可以由本发明的透明导电性膜的水蒸气等气体的透过率显著小来确认。例如，水蒸气透过率在40℃、相对湿度90%气氛下为6.0g/m2/天以下，优选为1.5g/m2/天以下。另外，透明导电性膜的水蒸气等的透过率可以使用公知的气体透过率测定装置来测定。
本发明的透明导电性膜具有优异的透明性可以由本发明的透明导电性膜的可见光透过率高来确认。本发明的透明导电性膜在波长550nm下的可见光透过率为90%以上。可见光透过率可以使用公知的可见光透过率测定装置来测定。
本发明的透明导电性膜具有优异的导电性可以由透明导电性膜的薄层电阻值(表面电阻率)低来确认。本发明的透明导电性膜的薄层电阻值(表面电阻率)通常为1000Ω/□以下，优选为550Ω/□以下。透明导电性膜的薄层电阻值可以通过公知的方法来测定。
本发明的透明导电性膜在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异可以由例如下述所示的薄层电阻值的变化率T1、T2的值小来确认。
上述式中，R0表示透明导电性膜的初始薄层电阻值，R1表示在60℃的环境下放置3天后的薄层电阻值，R2表示在60℃90%RH环境下放置3天后的薄层电阻值。
在本发明的透明导电性膜中，T1通常小于1.0，优选为0.5以下，更优选为0.1以下，T2通常为1.0以下，优选为0.5以下，更优选为0.35以下。
2)透明导电性膜的制造方法
本发明的透明导电性膜的制造方法具有下述工序：向表面形成有包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层(硅酸酯层)的成型物的上述硅酸酯层，注入离子。
根据本发明的透明导电性膜的制造方法，可以简便且高效率地制造本发明的透明导电性膜。
在上述注入离子的工序中使用的离子优选为与上述1)透明导电性膜项中例示的离子同样的离子。此外，作为注入离子的方法，优选为等离子体离子注入法。
等离子体离子注入法是，通过对暴露于等离子体中的表面具有高分子层的成型物施加负的高电压脉冲，从而将等离子体中的离子注入到上述层的表面部而注入离子的方法。
作为等离子体离子注入法，优选为：将使用(A)外部电场而产生的等离子体中存在的离子注入到上述层的表面部的方法；或者，不使用(B)外部电场，将仅由通过施加于上述层的负的高电压脉冲而产生的电场所产生的等离子体中存在的离子，注入到上述层的表面部的方法。
在上述(A)的方法中，优选使离子注入时的压力(等离子体离子注入时的压力)为0.01～1Pa。当等离子体离子注入时的压力在这样的范围时，可以简便并且高效率地形成均匀的离子注入层，可以高效率地形成兼备透明性、阻气性的离子注入层。
上述(B)的方法中，不需要提高减压度，处理操作简便，处理时间也可以大幅度缩短。此外，可以对上述层整体均匀地处理，可以在负的高电压脉冲施加时将等离子体中的离子以高能量连续地注入到层的表面部。此外，不需要射频(radio　frequency) (高频，以下，简称为“RF”)、微波等高频电力源等特别的其它手段，仅通过对层施加负的高电压脉冲，就可以在上述硅酸酯层的表面部均匀地注入离子。
在上述(A)和(B)的所有方法中，在施加负的高电压脉冲时，即离子注入时的脉冲宽度优选为1～15μsec。当脉冲宽度在这样的范围时，可以更简便并且高效率地进行均匀的离子注入。
此外，产生等离子体时的施加电压优选为－1kV～－50kV，更优选为－1kV～－30kV，特别优选为－5kV～－20kV。如果以施加电压大于－1kV的值进行离子注入，则离子注入量(剂量)变得不充分，得不到所希望的性能。另一方面，如果以小于－50kV的值进行离子注入，则离子注入时成型体带电，而且发生对成型体着色等不良状况，因此不优选。
等离子体离子注入的离子种类如上所述。从可以更简便地进行离子注入，并可以高效地制造透明且具有优异的阻气性的成型体的观点出发，优选为氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪，更优选为氮、氧、氩、氦。
向上述硅酸酯层的表面部注入等离子体中的离子时，使用等离子体离子注入装置。
作为等离子体离子注入装置，具体而言，可举出(α)在对高分子层(以下，有时称为“离子注入层”)施加负的高电压脉冲的馈通上重叠高频电力而使等离子体均等地包围离子注入层的周围，使等离子体中的离子诱导、注入、碰撞、堆积的装置(日本特开2001-26887号公报)；(β)在腔室内设置天线，供给高频电力产生等离子体而使等离子体到达离子注入层周围后，对离子注入层交替地施加正和负的脉冲，从而通过正的脉冲使等离子体中的电子诱导碰撞加热离子注入层，控制脉冲常数而进行温度控制，同时通过施加负的脉冲使等离子体中的离子诱导、注入的装置(日本特开2001-156013号公报)；(γ)使用微波等高频电力源等的外部电场而产生等离子体，施加高电压脉冲而使等离子体中的离子诱导、注入的等离子体离子注入装置；(δ)不使用外部电场，将仅由通过高电压脉冲的施加而产生的电场所产生的等离子体中的离子注入的等离子体离子注入装置等。
其中，从处理操作简便，处理时间也可以大幅度缩短，适合于连续使用考虑，优选使用(γ)或(δ)的等离子体离子注入装置。
关于使用上述(γ)和(δ)的等离子体离子注入装置的方法，可举出国际公开WO2010/021326号公报所记载的方法。
对于上述(γ)和(δ)的等离子体离子注入装置，由于由高电压脉冲电源兼用产生等离子体的等离子体产生装置，因此不需要RF、微波等高频电力源等特别的其它装置，仅通过施加负的高电压脉冲，就可以产生等离子体，在上述硅酸酯层的表面部注入等离子体中的离子，连续地形成注入离子而得到的层，从而大量生产形成有注入离子而得到的层的透明导电性膜。
此外，上述注入离子的工序优选为，一边将表面形成有硅酸酯层的长形的成型物在一定方向上输送，一边向上述硅酸酯层的表面部注入离子的工序。根据该制造方法，可以连续地进行离子注入。
上述长形的成型物只要是在表面部形成有硅酸酯层的，就可以为包含基材层和硅酸酯层的成型物或在其中包含其它层的成型物。
成型物的厚度，从开卷、卷绕和输送的操作性的观点考虑，优选为1μm～500μm，更优选为5μm～300μm。
例如，基材层、阻气层和透明导电体层依次层叠而成的本发明的透明导电性膜可以如下制造。
首先，在成为基材层的长形的基材的一个面侧形成硅酸酯层。硅酸酯层例如可以如下形成：一边将长形的基材在一定方向上输送，一边在该基材的一面通过上述涂覆装置涂布上述硅酸酯层形成用溶液，将所得的涂膜干燥，根据需要进行加热等，从而形成。
接下来，对该硅酸酯层，使用等离子体离子注入装置进行等离子体离子注入，获得在基材层上形成有阻气层的长形的成型物。
接下来，在所得的长形的成型物的阻气层上，通过溅射法形成透明导电体层。
如上所述，可以获得本发明的透明导电性膜。
根据这样的本发明的制造方法，可以简便地制造本发明的透明导电性膜。
3)电子装置用部件和电子装置
本发明的电子装置用部件以包含本发明的透明导电性膜为特征。因此，本发明的电子装置用部件具有优异的阻气性，因此可以防止由水蒸气等气体引起的元件的劣化。此外，由于光的透过性高，即使在高温高湿度环境下薄层电阻值也低，导电性优异，因此适合用作液晶显示器、EL显示器等的显示器部件；太阳能电池；等电子装置。
本发明的电子装置具备本发明的电子装置用部件。作为具体例，可举出液晶显示器、有机EL显示器、无机EL显示器、电子纸、太阳能电池等。
本发明的电子装置由于具备包含本发明的透明导电性膜的电子装置用部件，因此具有优异的阻气性和透明性、以及导电性。
实施例
以下，举出实施例更详细地说明本发明。但是，本发明不受以下实施例的任何限定。
所用的等离子体离子注入装置、水蒸气透过率测定装置和测定条件、可见光透过率测定装置、薄层电阻值的测定装置、耐湿热试验的方法、以及采用XPS的阻气层(离子注入层)的表层部的元素分析的测定装置如下所述。
(等离子体离子注入装置)
RF电源：日本电子社制，型号“RF”56000
高电压脉冲电源：栗田制作所社制，“PV-3-HSHV-0835”
另外，所用的等离子体离子注入装置是使用外部电场注入离子的装置。
(水蒸气透过率测定装置和测定条件)
透明导电性膜的水蒸气透过率的测定，使用下述的测定装置，在相对湿度90%、40℃的条件下进行。
水蒸气透过率测定装置：mocon社制，“PERMATRAN”
(可见光透过率测定装置)
可见光透过率的测定，使用下述的测定装置，以测定波长550nm进行。
可见光透过率测定装置：岛津制作所社制“UV-3101PC”
(薄层电阻值的测定装置)
透明导电性膜的薄层电阻值的测定，使用下述的测定装置，在相对湿度50%、23℃的条件下进行透明导电体层的表面电阻率的测定。而且探针使用了“PROBE　TYPE　LSP”株式会社三菱化学アナリック社制。
薄层电阻值测定装置：三菱化学社制，“LORESTA―GP　MCP-T600”
(耐湿热试验的方法)
将透明导电性膜在60℃和60℃90%RH环境下分别放置3天，取出后，在23℃50%RH环境下进行1天调温调湿，通过上述的方法测定薄层电阻值。
接下来，通过下述所示的计算式，求出薄层电阻值的变化率T1、T2。
将投入前的薄层电阻值(初始电阻值)设为R0，将60℃投入3天后的薄层电阻值设为R1，将60℃90%RH投入3天后的薄层电阻值设为R2。这里，RH是指相对湿度。
Figure 284143DEST_PATH_IMAGE003
(采用XPS的阻气层(离子注入层)的表层部的元素分析的测定装置)
采用X射线光电子分光(XPS：X-ray　Photoelectron　Spectroscopy)的元素分析在下述所示的测定装置、测定条件下进行。通过溅射仅除去透明导电性膜的透明导电体层，使阻气层的与透明导电体层侧的边界部露出，测定阻气层的表层部的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例。
测定装置：“PHI　Quantera　SXM”アルバックファイ社制
X射线源：AlKα
X射线射束直径：100μm
电力值：25W
电压：15kV
取出角度：45°
真空度：5.0×10-8Pa
溅射条件
溅射气体：氩
施加电压：－4kV。
(实施例1)
在作为基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺绩社制，“PET188　A-4300”，厚度188μm，以下，称为“PET膜”)上，涂布作为四乙氧基硅烷的水解•脱水缩合化合物的硅酸酯涂布液(Colcoat公司制，制品名：ColcoatN103-X，硅酸酯的重均分子量：1，000～10,000，以下称为“硅酸酯涂布液A”)，干燥而形成厚度为75nm的硅酸酯层，获得成型物。
接下来，在上述成型物的硅酸酯层的表面，使用等离子体离子注入装置，在以下所示的条件下等离子体离子注入氩(Ar)。
〈等离子体离子注入的条件〉
・等离子体生成气体：氩
・气体流量：100sccm
・占空比（Duty ratio）：1.0%
・重复频率（Repetition frequency）：1000Hz
・施加电压：-15kV
・RF电源：频率　13.56MHz，施加电力　1000W
・腔室内压：0.2Pa
・脉冲宽度：5μsec
・处理时间(离子注入时间)：5分钟
・输送速度：0.2m/分钟。
在所得的成型物的注入了离子的面侧，通过DC磁控溅射法，使用含有Ga2O35.7质量%的氧化锌目标材(住友金属矿山社制)，形成透明导电体层，使得膜厚为100nm，制作透明导电性膜1。
以下示出溅射的条件
・基板温度：室温
・DC输出：500W
・载气（carrier gas）：将氩和氧调整为100：0～100：3的流量比率
・真空度：0.3～0.8Pa的范围。
(实施例2)
在实施例1中，作为等离子体生成气体，代替氩而使用氦(He)，除此以外，与实施例1同样地操作，制作透明导电性膜2。
(实施例3)
在实施例1中，作为等离子体生成气体，代替氩而使用氪(Kr)，除此以外，与实施例1同样地操作，制作透明导电性膜3。
(实施例4)
在实施例1中，作为等离子体生成气体，代替氩而使用氮(N2)，除此以外，与实施例1同样地操作，制作透明导电性膜4。
(实施例5)
在实施例1中，作为等离子体生成气体，代替氩而使用氮(O2)，除此以外，与实施例1同样地操作，制作透明导电性膜5。
(实施例6)
在实施例1中，使施加电压为－10kV，除此以外，与实施例1同样地操作，制作透明导电性膜6。
(实施例7)
在实施例1中，使施加电压为－20kV，除此以外，与实施例1同样地操作，制作透明导电性膜7。
(实施例8)
在实施例1中，代替硅酸酯涂布液A，使用作为四乙氧基硅烷的水解•脱水缩合化合物的硅酸酯涂布液(Colcoat公司制，制品名：Colcoat PX，硅酸酯的重均分子量：20,000～30,000，以下称为“硅酸酯涂布液B”)，除此以外，与实施例1同样地操作，制作透明导电性膜8。
(比较例1)
在PET膜上，与实施例1同样地操作，直接形成透明导电体层，制成比较例1的透明导电性膜1r。
(比较例2)
在实施例1中，不进行等离子体离子注入，除此以外，与实施例1同样地操作，制作透明导电性膜2r。
(比较例3)
在实施例8中，不进行等离子体离子注入，除此以外，与实施例8同样地操作，制成透明导电性膜3r。
(比较例4)
在PET膜上，通过溅射法，成膜厚度50nm的SiO2层的膜，制作透明导电性膜4r。
(比较例5)
在实施例1中，代替硅酸酯涂布液A，使用聚有机硅氧烷系化合物的有机硅剥离剂(信越化学工业社制，制品名：KS835，以聚二甲基硅氧烷为主成分的有机硅树脂，以下称为“涂布液D”)，除此以外，与实施例1同样地操作，制成成型物。接着，与实施例6同样地操作，注入等离子体离子而制作透明导电性膜5r。
(比较例6)
在实施例1中，代替硅酸酯涂布液A，使用将苯基三甲氧基硅烷(东京化成工业社制)3.97g(20mmol)、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(东京化成工业社制)4.73g(20mmol)、甲苯20ml、蒸馏水10ml和磷酸(关东化学社制)0.10g(1mol)混合，在室温反应24小时而得到的聚有机硅氧烷系化合物(以下称为“涂布液E”)，除此以外，与实施例1同样地操作，制成成型物。接着，与实施例6同样地操作，注入等离子体离子而制作透明导电性膜6r。
将形成实施例1～8、比较例1～4的透明导电性膜1～8、1r～6r时的硅酸酯层的种类、所用的离子注入气体、和离子注入时的施加电压汇总示于第1表。第1表中，A～E表示以下意思。
此外，测定所形成的阻气层表层部的硅原子、氧原子和碳原子的存在比例。将其结果示于第1表。
A：由硅酸酯涂布液A形成的硅酸酯层
B：由硅酸酯涂布液B形成的硅酸酯层
C：通过溅射法而形成的SiO2膜
D：由涂布液D形成的聚硅氧烷层
E：由涂布液E形成的聚硅氧烷层。
[表1] 第1表
Figure 713988DEST_PATH_IMAGE004
接下来，对于实施例1～8、比较例1～6中得到的各透明导电性膜1～8、1r～6r，分别测定水蒸气透过率、以及波长550nm下的可见光透过率、薄层电阻值(R0)。将测定结果示于下述第2表。
此外，进行上述耐湿热试验，测定薄层电阻值R1、R2，算出薄层电阻值的变化率T1、T2。将其结果示于下述第2表。
[表2] 表2表
Figure 17930DEST_PATH_IMAGE005
由第2表可知，实施例1～8的透明导电性膜1～8的水蒸气透过率小，具有高的阻气性。此外，波长550nm下的可见光透过率高达90%，薄层电阻值小，透明性和导电性优异。
此外可知，实施例的透明导电性膜1～8，与比较例1～4的透明导电性膜1r～4r相比，耐湿热试验后的薄层电阻值的变化率T1为0.02以下，T2为0.32以下，都小，在高温高湿度环境下，薄层电阻值也抑制在较低水平。此外，实施例1～8的透明导电性膜1～8，与比较例5、6的透明导电性0膜5r、6r相比，波长550nm下的可见光透过率高，透明性优异。
符号的说明
a・・・阻气层
b・・・导电体层
S・・・基材层。

Claims (12)

1.透明导电性膜，其特征在于，其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，
所述阻气层由包含硅原子、氧原子和碳原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅原子、氧原子和碳原子的含量是，在XPS的元素分析测定中，相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计100原子%，硅原子的含量为18.0%以上且28.0%以下，氧原子的含量为48.0%以上且66.0%以下，碳原子的含量为10.0%以上且28.0%以下，并且，
透明导电性膜在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下，波长550nm下的可见光总光线透过率为90%以上。
2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述阻气层是向包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层注入离子而得到的层。
3.根据权利要求2所述的透明导电性膜，其特征在于，所述离子是选自氢、氧、氮、氩、氦、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种气体被离子化而成的。
4.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述阻气层是通过等离子体离子注入法向包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层注入离子而得到的层。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的透明导电性膜，其特征在于，所述4官能有机硅烷化合物为四(C1～C10)烷氧基硅烷。
6.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电体层由导电性金属氧化物形成。
7.根据权利要求6所述的透明导电性膜，其特征在于，所述导电性金属氧化物为锌系氧化物。
8.权利要求2～7中任一项所述的透明导电性膜的制造方法，其具有下述工序：向表面形成有包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合物的层的成型物的、所述包含4官能有机硅烷化合物的水解•脱水缩合化合物的层，注入离子的工序。
9.根据权利要求8所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，所述离子是选自氢、氧、氮、氩、氦、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种气体被离子化而成的。
10.根据权利要求8所述的透明导电性膜的制造方法，其特征在于，注入离子的工序为通过等离子体离子注入法注入离子的工序。
11.电子装置用部件，其包含权利要求1～7中任一项所述的透明导电性膜。
12.电子装置，其具备权利要求11所述的电子装置用部件。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416341A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 导电电极膜层和光伏元件
CN110546107A (zh) * 2017-05-01 2019-12-06 Ａｇｃ株式会社 含六硼化镧的复合粒子的制造方法和成形品的制造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102181436B1 (ko) * 2013-11-29 2020-11-23 삼성전자주식회사 투명 전도성 박막
KR102606932B1 (ko) * 2015-03-27 2023-11-27 린텍 가부시키가이샤 투명 도전층 적층용 필름, 그의 제조 방법 및 투명 도전성 필름
JP2017136827A (ja) * 2016-01-29 2017-08-10 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
WO2017130568A1 (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
EP3603960B1 (en) 2017-03-27 2022-10-26 Toppan Printing Co., Ltd. Transparent conductive gas barrier laminate
CN113785085A (zh) * 2019-04-09 2021-12-10 东曹株式会社 氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法
WO2023054176A1 (ja) * 2021-09-30 2023-04-06 日東電工株式会社 ガスバリアフィルム及びその製造方法、並びにガスバリア層付き偏光板及び画像表示装置
WO2023054177A1 (ja) * 2021-09-30 2023-04-06 日東電工株式会社 ガスバリアフィルム及びその製造方法、並びにガスバリア層付き偏光板及び画像表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0664105A (ja) * 1992-08-12 1994-03-08 Mitsui Toatsu Chem Inc ガスバリヤー性透明導電性積層体
CN1330168A (zh) * 2000-06-21 2002-01-09 日本板硝子株式会社 具有透明导电薄膜的基片和使用该基片的有机电致发光装置
JP2008021605A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Dainippon Printing Co Ltd 透明導電膜付きフィルム、およびこの透明導電膜付きフィルムからなるディスプレイ用基板、ディスプレイならびに有機ｅｌ素子
WO2010021326A1 (ja) * 2008-08-19 2010-02-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998036016A1 (fr) * 1997-02-14 1998-08-20 Mitsubishi Chemical Corporation Composes polyalcoxysiloxane, procede de production de ceux-ci et composition de revetement les contenant
WO2000033127A1 (fr) * 1998-11-30 2000-06-08 Teijin Limited Dispositif a cristaux liquides et substrat conducteur transparent prefere
JP4539059B2 (ja) * 2003-08-26 2010-09-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明導電膜積層体の製造方法
US20070224368A1 (en) * 2004-04-15 2007-09-27 Hiroshi Hara Transparent gas-barrier layered film
JP4716773B2 (ja) * 2005-04-06 2011-07-06 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムとそれを用いた有機デバイス
JP2007313764A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Sony Corp 透明積層膜及びその製造方法、並びに液体レンズ
JP5114961B2 (ja) * 2006-07-14 2013-01-09 大日本印刷株式会社 透明導電膜付きフィルムおよびこの透明導電膜付きフィルムからなるディスプレイ用基板、ディスプレイ、液晶表示装置ならびに有機ｅｌ素子
KR100960222B1 (ko) * 2008-06-30 2010-05-27 삼성코닝정밀유리 주식회사 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여제조된 산화아연계 박막
JP5666311B2 (ja) * 2008-12-12 2015-02-12 リンテック株式会社 積層体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス
TWI491500B (zh) * 2009-02-16 2015-07-11 Lintec Corp A manufacturing method of a laminated body, a structure for an electronic device, and an electronic device
US20120301710A1 (en) * 2010-02-19 2012-11-29 Lintec Corporation Transparent conductive film, process for producing same, and electronic device employing transparent conductive film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0664105A (ja) * 1992-08-12 1994-03-08 Mitsui Toatsu Chem Inc ガスバリヤー性透明導電性積層体
CN1330168A (zh) * 2000-06-21 2002-01-09 日本板硝子株式会社 具有透明导电薄膜的基片和使用该基片的有机电致发光装置
JP2008021605A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Dainippon Printing Co Ltd 透明導電膜付きフィルム、およびこの透明導電膜付きフィルムからなるディスプレイ用基板、ディスプレイならびに有機ｅｌ素子
WO2010021326A1 (ja) * 2008-08-19 2010-02-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110546107A (zh) * 2017-05-01 2019-12-06 Ａｇｃ株式会社 含六硼化镧的复合粒子的制造方法和成形品的制造方法
CN110546107B (zh) * 2017-05-01 2022-12-09 Ａｇｃ株式会社 含六硼化镧的复合粒子的制造方法和成形品的制造方法
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