KR100960222B1 - 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여제조된 산화아연계 박막 - Google Patents

산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여제조된 산화아연계 박막 Download PDF

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Abstract

산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 산화아연계 박막이 개시된다. 산화아연계 스퍼터링 타겟은 산화아연 및 산화갈륨을 함유하는 산화아연계 소결체를 포함하되, 상기 산화아연계 소결체에 상기 산화갈륨이 1.5 내지 3.5mol%로 함유되어 있다.

Description

산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 산화아연계 박막 {ZINC OXIDE BASED SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MAMUFACTURING THE SAME AND ZINC OXIDE BASED THIN FILM MANUFACTURED BY USING THE SAME}
본 발명은 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 기판 상에 형성된 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 산화아연계 박막에 관한 것이다.
액정 표시장치 및 유기 전계 발광 표시장치 등과 같은 표시장치는 외부로부터 인가되는 신호에 의해 화상을 표시하는 표시 패널을 구비하고 있다. 상기 표시 패널은, 일반적으로, 기판 및 상기 기판 상에 형성된 투명 전극을 구비하고 있는데, 상기 투명 전극은 높은 도전성과 가시광 영역에서 높은 투과율을 가진다.
상기 투명 전극을 형성하기 위한 원료로 안티몬이나 불소를 소량의 불순물(dopant)로 함유하는 산화주석(SnO2), 또는 주석을 소량의 불순물로 함유하는 산화인듐(In2O3) 등이 광범위하게 사용되고 있다. 특히, 상기 주석을 소량의 불순물로 함유하는 산화인듐으로 제조된 산화인듐막, 즉, In2O3-SnO2계의 막은 ITO(Indium tin oxide)막이라고 알려져 있으며, 저저항성 및 식각 용이성이 있을 뿐만 아니라 기판에 대한 밀착성이 우수하기 때문에 현재까지 많이 사용된다.
상기 ITO막을 형성하는 방법으로는 산화인듐 소결체를 구비하는 스퍼터링 타겟을 이용하는 스퍼터링(Sputtering)법, 펄스 레이저 증착(PLD: Pulse Laser Deposition)법, 전자 빔 증착(Electron Bean Deposition)법 등이 있다. 그 중에서, 상기 양산 적용이 용이한 스퍼터링법이 주로 이용된다.
상기 스퍼터링법은 아르곤 플라즈마의 발생 방법에 따라 고주파(RF) 플라즈마를 이용하는 RF 스퍼터링법 및 직류(DC) 플라즈마를 이용하는 DC 스퍼터링법이 있다. 그 중에서, DC 스퍼터링법은 성막 속도가 빠르고, 조작이 간편하여 산업용으로 주로 이용되고 있다.
한편, 산화인듐은 그 수급이 불안정하고 매우 고가의 재료이기 때문에, 상기 ITO막을 형성하는데 많은 비용이 투여된다. 또한, 상기 ITO막은 인듐을 함유하므로 각종 소자의 신뢰성을 떨어뜨린다. 또한, 상기 투명 전극을 형성하기 위한 기판으로서 고분자로 이루어진 플렉시블(flexible)한 기판을 사용할 경우, 상기 플렉시블한 기판에 열적 영향을 미치지 않기 위해서, 낮은 온도에서 상기 ITO막을 형성할 필요가 있으나, 낮은 온도에서 성막된 ITO막은 전기 전도도와 광투과율이 현저히 떨어지는 문제가 있다.
이에 따라, 최근에는 신뢰성이 뛰어나며 저가인 대체 소재들이 개발되고 있으며, 그 중에서 산화아연계 산화물이 각광을 받고 있다. 상기 산화아연계 산화물을 이용하여 스퍼터링법에 의해 도전성 박막을 형성하기 위해서는, 산화아연계 스 퍼터링 타겟의 소결체 제조시 산화아연에 불순물을 도핑할 필요가 있다.
그러나, 상기 산화아연에 도핑되는 불순물의 종류 및 함량에 따라 상기 소결체의 저항이 매우 높을 수 있으며, 경우에 따라서는 DC 스퍼터링이 불가능할 수 있다.
본 발명은 산화아연에 도핑되는 불순물의 도핑량을 최적화함으로써 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 산화아연계 박막을 제공한다.
또한, 본 발명은 저저항의 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 산화아연계 박막을 제공한다.
또한, 본 발명은 DC 스퍼터링이 가능한 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 산화아연계 박막을 제공한다.
또한, 본 발명은 박막의 광투과율을 향상시킬 수 있는 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 산화아연계 박막을 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟은 산화아연 및 산화갈륨을 함유하는 산화아연계 소결체를 포함하되, 상기 산화아연계 소결체에 상기 산화갈륨이 1.5 내지 3.5mol%로 함유되어 있다.
한편, 본 발명에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법은 다단계 습식밀링을 통해 산화아연 분말, 산화갈륨 분말, 분산제 및 분산매가 혼합된 혼합슬러 리를 준비하는 단계; 상기 혼합슬러리를 건조하여 과립분말을 준비하는 단계; 상기 과립분말을 성형하여 성형체를 형성하는 단계; 및 상기 성형체를 소결하는 단계를 포함한다.
한편, 본 발명에 따른 산화아연계 박막은 상기 산화아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 DC 스퍼터링법으로 기판 상에 증착된 산화아연계 박막으로서, 550㎚의 파장에서 광투과율이 80% 이상이다.
본 발명에 따르면, 산화아연에 도핑되는 불순물, 즉, 산화갈륨의 도핑량이 최적화된 산화아연계 소결체를 구비하는 산화아연계 스퍼터링 타겟을 제조할 수 있으며, 그 산화아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 산화아연계 박막을 제조하면, 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 산화아연계 소결체의 벌크저항이 DC 스퍼터링을 안정적으로 수행할 수 있을 정도로 낮으며, 그 소결밀도가 높기 때문에 내부기공에 의한 이상방전 및 노듈을 억제할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 높은 광투과율 및 낮은 비저항을 갖는 산화아연계 박막을 제조할 수 있다. 또한, 기존의 ITO막 대비 산화아연계 박막의 기판 부착성 및 내습성이 뛰어나기 때문에, 본 발명에 따른 산화아연계 박막은 가혹한 조건에서 사용되는 투명 전극용으로 사용할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 산화아연계 박막에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟은 산화아연계 소결체를 포함한다. 이 외에도, 본 발명에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟은 상기 산화아연계 소결체와 접합되는 백킹 플레이트(backing plate)를 더 포함할 수 있다.
상기 산화아연계 소결체는 산화아연을 주로 함유하고 있으며, 불순물로서 산화갈륨이 소량 도핑되어 있다. 상기 산화아연은 넓은 밴드갭을 가진 물질로서 그 자체는 비전도성을 나타내는 물질이기 때문에, 상기 산화아연에 상기 산화갈륨이 소량 도핑됨으로써 상기 산화아연계 소결체는 전기가 흐를 수 있다. 또한, 상기 산화갈륨은 습기에 약한 산화아연계 박막의 화학적 안정성을 향상시킬 수 있다.
상기 산화아연계 소결체는, 구체적으로, 상기 산화갈륨을 1.5 내지 3.5mol%의 농도로 함유한다. 상기 산화갈륨의 함량이 1.5mol% 미만이면, 산화아연계 박막의 전기적 특성이 저하될 수 있다. 반면, 상기 산화갈륨의 함량이 3.5mol%를 초과하면, DC 스퍼터링이 가능한 산화아연계 스퍼터링 타겟을 제조하는 것이 매우 어려워지게 된다.
상기 산화아연계 소결체는 CIE L*a*b* 표색계에서 L*는 90 이하, a*는 -70 내지 10, b*는 -10 내지 90의 값을 갖는 표면색 및 단면색을 가질 수 있다. 상기 L*, a* 및 b* 중에서 적어도 하나가 상기 범위를 벗어나면, 산화아연계 소결체의 전기적 특성이 매우 나빠져 DC 스퍼터링이 불가능하거나, 또는 산화아연계 박막의 특성이 매우 저하될 수 있다.
상기 산화아연계 소결체의 벌크저항은 100mΩ 이하일 수 있다. DC 스퍼터링 이 가능하기 위해서는 상기 산화아연계 소결체의 벌크 저항이, 상기한 바와 같이, 낮은 값을 가질 필요가 있다. 만일, 스퍼터링시 산화아연계 소결체에 전기가 흐르지 않을 경우, 박막 증착을 위해 RF 스퍼터링을 실시해야 하는데, 이는 공정 비용이 비싸고 효율성 면에서 DC 스퍼터링에 비해 불리하다.
상기 산화아연계 소결체의 소결밀도는 이론밀도 대비 95% 이상일 수 있다. 이 때문에, 상기 산화아연계 소결체에 내부기공이 적을 수 있으며, 이에 따라 DC 스퍼터링 시 이상방전(아킹) 및 노듈의 발생이 억제될 수 있다. 여기서, 상기 산화아연계 소결체의 이론밀도는 5.6 내지 5.65g/cm3의 값을 가지며, 상기 범위 내에서 갈륨의 함량에 따라 달라진다.
한편, 본 발명에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법은 다단계 습식밀링을 통해 산화아연 분말, 산화갈륨 분말, 분산제 및 분산매가 혼합된 혼합슬러리를 준비하는 단계, 상기 혼합슬러리를 건조하여 과립분말을 준비하는 단계, 상기 과립분말을 성형하여 성형체를 형성하는 단계, 및 상기 성형체를 소결하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법은 상기 과립분말을 준비하기 전에 상기 준비된 혼합슬러리에 바인더를 첨가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하에서는, 상기 산화아연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법에 대하여 각 단계별로 구체적으로 설명한다.
먼저, 상기 혼합슬러리를 준비하는 단계는, 상기 산화갈륨 분말, 제1 분산제 및 제1 분산매가 혼합된 제1 슬러리를 준비하는 단계, 상기 제1 슬러리를 습식밀링하는 단계, 상기 습식밀링된 제1 슬러리, 상기 산화아연 분말 및 제2 분산제가 혼합된 제2 슬러리를 준비하는 단계, 및 상기 제2 슬러리를 습식밀링하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 슬러리를 준비하는 단계는, 상기 산화갈륨 분말, 제1 분산제 및 제1 분산매를 각각 준비하는 단계로부터 시작될 수 있다. 상기 제1 분산매로는 증류수를 사용할 수 있으나, 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 상기 제1 분산제로는, 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어, 폴리카르본산 염 종류를 사용할 수 있고, 보다 구체적으로는 폴리카르본산 암모늄염, 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리아크릴산 아민염 등을 단독으로 또는 둘 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 산화갈륨 분말, 제1 분산제 및 제1 분산매를 각각 준비한 후, 상기 제1 분산매에 상기 산화갈륨 분말 및 상기 제1 분산제를 각각 투입한다. 이때, 상기 산화갈륨 분말의 중량 대비 0.2 내지 0.9중량%의 상기 제1 분산제를 상기 제1 분산매에 투입할 수 있다. 상기 제1 분산제의 첨가량이 상기 범위를 벗어나면, 상기 산화아연계 소결체 내부에서 산화아연과 산화갈륨의 응집이 발생할 수 있으며, 이로 인해 상기 산화아연계 소결체의 저항이 국부적으로 급격히 증가될 수 있다.
상기 제1 슬러리가 준비되면, 상기 제1 슬러리를 습식밀링할 수 있는데, 상기 습식밀링의 구체적인 공정 조건에 의해 본 발명은 한정되지 않는다. 상기 제1 슬러리를 습식밀링하면, 상기 산화갈륨 분말의 평균 입경이 0.2 내지 0.5㎛가 될 수 있다.
다음으로, 상기 습식밀링된 제1 슬러리, 상기 산화아연 분말 및 제2 분산제를 각각 준비한 후, 상기 습식밀링된 제1 슬러리에 상기 산화아연 분말 및 상기 제2 분산제를 각각 투입함으로써 제2 슬러리를 준비할 수 있다. 이때, 상기 제2 분산제로는 상기 제1 분산제와 동일한 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 산화아연 분말의 중량 대비 0.3 내지 1.5중량%의 상기 제2 분산제를 상기 습식밀링된 제1 슬러리에 투입할 수 있다. 상기 제2 분산제의 첨가량이 상기 범위를 벗어나면, 상기 산화아연계 소결체 내부에서 산화아연과 산화갈륨의 응집이 발생할 수 있으며, 이로 인해 상기 산화아연계 소결체의 저항이 국부적으로 급격히 증가될 수 있다.
다음으로, 상기 제2 슬러리를 습식밀링할 수 있는데, 상기 습식밀링의 구체적인 공정 조건에 의해 본 발명은 한정되지 않는다. 상기 제2 슬러리를 습식밀링하면, 상기 산화아연 분말의 평균 입경이 0.1 내지 0.3㎛가 될 수 있다.
상기와 같이 습식밀링을 단계적으로 실시하는 이유는 다음과 같다. 건식 원료분말의 평균 입경, 건식 원료분말 자체의 경도 및 응집도가 건식 원료분말에 따라 모두 다르기 때문에, 건식 원료분말을 한꺼번에 혼합하여 1번의 습식밀링을 진행할 경우, 각각의 원료분말을 원하는 입경대로 조절하기가 어렵다. 또한, 이 경우 산화갈륨이 산화아연 매트릭스에 균일하게 분산되지 못하며, 아울러 산화아연계 소결체 내에서 국부적인 뭉침현상이 발생하여 산화아연계 스퍼터링 타겟의 전기적 특성 및 기계적인 물성이 저하될 수 있다. 따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 먼저, 산화갈륨 분말을 수계에서 원하는 평균 입경으로 균일하게 분산시킨 후, 여기에 산화아연 분말을 첨가하여 습식밀링을 수행하는 것이며, 이로써 산화아연 분말의 분산과 동시에 산화갈륨 분말이 산화아연 분말과 균일하게 혼합될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 예를 들어, 상기 습식밀링의 순서를 바꾸어도 무방하다. 즉, 상기 산화아연 분말, 제2 분산제 및 제1 분산매가 혼합된 슬러리를 습식밀링한 후, 여기에 상기 산화갈륨 분말 및 제1 분산제를 첨가한 후, 이를 습식밀링할 수 있다.
상기 다단계 습식밀링에 의해 상기 혼합슬러리가 준비되면, 상기 혼합슬러리에 바인더를 첨가할 수 있으며, 이어 상기 바인더가 첨가된 혼합슬러리를 습식밀링할 수 있다. 상기 바인더는 상기 혼합슬러리를 과립분말로 건조한 후 성형하는 과정에서 성형체의 성형강도를 유지하기 위하여 첨가되는 것으로, 그 종류에는 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어, 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리에틸렌 글리콜(PEG) 등을 단독으로 또는 둘 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기 바인더는 상기 혼합슬러리 고형분 대비 0.01 내지 5wt%, 바람직하게는 0.5 내지 3wt%로 첨가될 수 있다. 상기 바인더 첨가량이 상기 범위를 벗어나면, 과립분말을 성형하는 과정에서 성형밀도가 저하되어 산화아연계 소결체의 소결밀도가 저하될 수 있다. 상기 소결밀도의 저하는 상기 산화아연계 소결체의 저항을 높이는 결과를 초래하게 되어, DC 스퍼터링이 가능한 산화아연계 스퍼터링 타겟을 제조하는데 어려움이 발생할 수 있다. 한편, 상기 바인더를, 상기한 바와 다르게, 제1 슬러리 또는 제2 슬러리를 준비하는 과정 중에 첨가하여도 무방하다.
다음으로, 상기 바인더가 첨가된 혼합슬러리를 분무 건조하여 과립분말을 만든다. 상기 분무 건조 기술은 공지된 기술을 사용할 수 있으며, 이에 의해 본 발명 이 한정되지 않는다.
다음으로, 냉각 프레스(Cold Press: CP)법, 또는 냉간 등방압(Cold Isostatic Press: CIP)법, 또는 이들이 조합된 방법을 통해 성형체를 제조한다. 이 외에도, 상기 성형체를 제조할 수 있는 방법으로서 슬립 캐스팅(Slip Casting)법 또는 핫 프레스(Hot press)법 등이 사용될 수 있다. 상기 냉각 프레스법 및 상기 냉간 등방압법을 조합하여 상기 성형체를 제조할 경우, 상기 냉각 프레스의 성형 압력은 300 내지 700kg/cm2 일 수 있다. 상기 성형 압력이 상기 범위를 벗어나면, 냉간 등방압과 소결 공정을 거치는 동안 횡 방향 수축과 축 방향 수축 정도에 있어 큰 차이가 발생될 수 있으며, 이로 인해 성형체나 소결체가 휘는 현상이 나타날 수 있다.
상기 성형체를 형성한 후에, 상기 성형체를 소결함으로써 산화아연계 소결체를 제조할 수 있다. 상기 소결을 통해 상기 산화아연계 소결체를 이루는 구성 성분들이 균일한 상태로 존재할 수 있다. 상기 소결 공정은 상기 산화아연계 소결체의 벌크저항을 100mΩ 이하로 유지하기 위한 공정으로서, 그 공정 조건, 예를 들어, 온도 및 공정 분위기 등을 정밀하게 제어할 필요가 있다.
상기 성형체의 소결은 1300 내지 1450℃의 온도에서 수행될 수 있다. 상기 소결 온도가 1300℃ 미만이면, 상기 성형체의 소결이 제대로 이루어지지 않을 수 있다. 반면, 상기 소결 온도가 1450℃를 초과하면, 100mΩ 이하의 벌크저항을 갖는 산화아연계 소결체를 제조하는 것이 가능하나, 산화아연의 휘발현상이 심해져 산화 아연계 소결체의 조성에 변화가 생길 우려가 있으며, 아울러 산업적으로 이용이 가능한 대형 스퍼터링 타겟을 제조하기가 매우 어렵다는 문제점이 있다.
상기 성형체의 소결시 소결분위기는 보다 낮은 온도에서 100mΩ 이하의 벌크저항을 갖는 산화아연계 소결체를 제조하는 데 필요한 제어 요소이다. 상기 성형체의 소결은 소결체의 산소 함량을 제어하기 위해 공기 분위기 단독 대신에, 공기 분위기 및 무산소 가스 분위기가 교대로 제공되는 챔버 내에서 수행될 수 있다. 이때, 공기 분위기 및 무산소 가스 분위기의 순서 및 각각이 지속되는 시간은 산화아연계 소결체의 사양에 따라 달라질 수 있으므로, 본 발명은 이에 의해 한정되지 않는다.
상기 소결 단계가 완료되면, 상기 산화아연계 소결체를 구리 백킹 플레이트에 접합하여 본 발명에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟을 제조할 수 있다.
한편, 상기 산화아연계 스퍼터링 타겟을 DC 스퍼터링법을 이용하여, 예를 들어, 유리 기판 상에 산화아연계 박막을 성막할 수 있다. 이때, 초기 압력(base pressure)이 5 내지 6*10-7　torr 이하, 워킹 압력(working pressure)이 0.3 내지 1.0Pa, DC Power가 50 내지 150W의 성막 조건에서 상기 산화아연계 박막을 성막하는 것이 바람직하다. 또한, 산화아연계 스퍼터링 타겟 및 유리 기판과의 거리는 20 내지 70mm 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 또한, 성막 온도는 응용분야에 따라 상온부터 300℃ 이상까지 가능하다.
이와 같이, 기판 상에 증착된 산화아연계 박막은 550㎚의 파장에서 광투과율 이 80% 이상일 수 있으며, 1.5 내지 3.5mol%의 산화갈륨을 포함할 수 있을 뿐만 아니라 비저항값이 3*10-4Ω·㎝ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 산화아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 상온에서 DC 스퍼터링으로 대략 150nm의 두께로 증착된 산화아연계 박막은 85% 이상의 광투과율 및 2*10-4Ω·㎝의 비저항값을 가질 수 있다. 다른 예로, 상기 산화아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 대략 200℃에서 DC 스퍼터링으로 대략 150nm의 두께로 증착된 산화아연계 박막은 90% 이상의 광투과율 및 2.5*10-4Ω·㎝의 비저항값을 가질 수 있다. 또한, 대략 200℃에서 증착한 산화아연계 박막의 경우, 박막 결정화도가 매우 좋아져 가혹한 조건, 예를 들어, 온도 60℃ 및 상대습도 90%의 조건에서 시간의 경과에 따른 박막의 비저항 및 광투과율 변화가 극히 미미한 특성을 나타낸다. 따라서, 본 발명에서 제시한 산화아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 제조된 산화아연계 박막은 내습성 및 내마모성이 뛰어나 표시장치의 투명전극 이외에도 태양 전지 기판의 투명전극 등과 같이 가혹한 조건에서도 이용 가능하다.
이하에서는, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 하나, 이들 실시예 및 비교예에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1: 산화아연계 스퍼터링 타겟 제조
산화갈륨 분말의 중량 대비 0.7wt%의 분산제가 첨가된 증류수에, 약 2㎛의 평균 입경을 갖는 산화갈륨 분말을 산화아연계 스퍼터링 타겟 기준으로 2.5mol%가 되도록 첨가한 후, 분산된 산화갈륨 분말의 평균 입경이 0.2㎛가 되도록 습식밀링하였다. 이후, 산화아연 분말의 중량 대비 0.5wt%의 분산제와 산화아연 분말을 상기 습식밀링된 슬러리에 첨가하여 산화아연 분말의 평균 입경이 0.3㎛가 되도록 습식밀링하여 혼합슬러리를 준비하였다.
이후, 바인더로 PVA 1.0wt%, PEG 0.5wt%를 상기 혼합슬러리에 첨가한 후, 이를 습식밀링함으로써 보다 더 균일한 평균 입경을 갖는 상기 혼합슬러리를 제조하였다.
이후, 상기 혼합슬러리를 분무 건조하여 과립분말을 제조한 다음, 상기 과립분말을 축방향 프레스를 실시한 후 냉간 정수압 성형을 실시하여 성형체를 제조하였다.
이후, 상기 성형체를 1400℃의 온도, 및 공기 분위기 및 무산소 분위기가 조합된 분위기하에서 20시간 동안 소결함으로써 산화아연계 소결체를 제조하였다.
이후, 구리 백킹 플레이트에 상기 산화아연계 소결체를 접합하여 산화아연계 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
실시예 2: 산화아연계 박막 제조
상기 실시예 1에 의해 제조된 산화아연계 스퍼터링 타겟을 이용하여 DC 스퍼터링법으로 기판 상에 대략 150nm의 두께를 갖는 산화아연계 박막을 제조하였다. 이때, 상기 DC 스퍼터링의 공정 조건은, 초기 압력이 5*10-7　torr, 워킹 압력이 0.6Pa, DC Power는 100W, 증착온도는 200℃ 이었다.
비교예 1: 산화아연계 스퍼터링 타겟 제조
성형체를 1300℃의 온도, 및 공기 분위기에서 20시간 동안 소결함으로써 산화아연계 소결체를 제조하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 산화아연계 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
산화아연계 스퍼터링 타겟의 특성 평가
상기 실시예 1 및 비교예 1 각각의 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체의 벌크저항 및 소결밀도를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 상기 실시예 1의 소결체 표면의 주사전자현미경(SEM) 사진을 도 1에, 상기 비교예 1의 소결체 표면의 주사전자현미경 사진을 도 2에 나타내었다. 또한, 상기 실시예 1의 소결체의 단면의 이미지를 도 3에, 상기 비교예 1의 소결체의 단면의 이미지를 도 4에 나타내었다. 또한, 상기 실시예 1의 소결체의 파단면의 색좌표 및 상기 비교예 1의 소결체의 파단면의 색좌표를 CIE L*a*b* 표색계로 각각 하기 표 1에 나타내었다.
벌크저항
(mΩ)		 소결밀도
(g/cm3)		 색좌표
L* a* b*
실시예 1 20 5.61 55.71 -7.45 3.03
비교예 1 8*106 5.54 92.25 -9.22 26.03
먼저, 도 1을 참조하면, 상기 실시예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체의 표면에는 기공이 적을 뿐만 아니라, 그 평탄도가 우수함을 알 수 있었다. 반면, 상기 비교예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체의 표면에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기공이 매우 많을 뿐만 아니라 그 평탄도 역시 매우 떨어짐을 알 수 있었다.
또한, 상기 표 1에 기재된 바와 같이, 상기 실시예 1에 따른 상기 실시예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체는 그 벌크저항 및 소결밀도가 각각 20mΩ 및 5.61g/cm3으로 매우 양호한 반면, 상기 비교예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체는 그 벌크저항 및 소결밀도가 각각 8*106mΩ 및 5.54g/cm3로 나쁜 특성을 보였다.
또한, 상기 실시예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체의 파단면은, 도 3에 도시된 바와 같이, 탁한 녹색을 보였으며, 이때 CIE L*a*b* 표색계에서의 색좌표는, 상기 표 1에 기재된 바와 같이, L*는 55.71, a*는 -7.45, b*는 3.03의 값을 가졌다. 반면, 상기 비교예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체의 파단면은, 도 4에 도시된 바와 같이, 노란색을 보였으며, 이때 CIE L*a*b* 표색계에서의 색좌표는, 상기 표 1에 기재된 바와 같이, L*는 92.25, a*는 -9.22, b*는 26.03의 값을 가졌다.
산화아연계 박막의 특성 평가
상기 실시예 2를 통해 제조된 산화아연계 박막의 기판 부착성을 박막 Hardness 측정기를 이용하여 측정하였으며, 그 결과를 도 5에 나타내었다. 또한, 상기 산화아연계 박막을 60℃의 온도 및 90%의 상대습도의 조건에서 200시간 동안 내습테스트를 실시하였다. 상기 내습테스트는 시간에 따른 광투과율 및 비저항값 변화를 테스트한 것으로서, 그 결과를 각각 도 6 및 도 7에 나타내었다.
먼저, 기존 ITO박막의 경우, 상기 ITO박막이 기판에서 탈착되는 값이 170mN으로 낮은 값을 갖는 반면, 상기 실시예 2를 통해 제조된 산화아연계 박막의 경우, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 산화아연계 박막이 기판에서 탈착되는 값이 270mN으로 매우 높은 값을 가짐을 알 수 있었다.
또한, 상기 산화아연계 박막은, 도 6에 도시된 바와 같이, 내습테스트시에도 그 광투과율 변화가 극히 적었으며, 가시광 영역에서 광투과율이 전반적으로 높게 나타났다. 특히, 550 내지 750nm의 파장 영역에서는 상기 광투과율이 대략 90% 정도로 매우 높은 값을 나타내었다. 또한, 상기 산화아연계 박막은, 도 7에 도시된 바와 같이, 내습테스트시에도 그 비저항값의 변화가 극히 적음을 알 수 있었다.
이상 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
도 1은 실시예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체의 표면을 나타내는 주사전자현미경 사진이다.
도 2는 비교예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체의 표면을 나타내는 주사전자현미경 사진이다.
도 3은 실시예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체의 단면의 이미지를 나타내는 사진이다.
도 4는 비교예 1에 따른 산화아연계 스퍼터링 타겟의 소결체의 단면의 이미지를 나타내는 사진이다.
도 5는 실시예 2에 따른 산화아연계 박막의 기판 부착성을 나타내는 도면이다.
도 6은 실시예 2에 따른 산화아연계 박막을 내습테스트 하였을 때 시간에 따른 광투과율의 변화를 나타내는 도면이다.
도 7은 실시예 2에 따른 산화아연계 박막을 내습테스트 하였을 때 시간에 따른 비저항값의 변화를 나타내는 도면이다.

Claims (14)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 다단계 습식밀링을 통해 산화아연 분말, 산화갈륨 분말, 분산제 및 분산매가 혼합된 혼합슬러리를 준비하는 단계;
    상기 혼합슬러리를 건조하여 과립분말을 준비하는 단계;
    상기 과립분말을 성형하여 성형체를 형성하는 단계; 및
    상기 성형체를 소결하는 단계를 포함하는 산화아연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법으로,
    상기 혼합슬러리를 준비하는 단계는, 상기 산화갈륨 분말, 제1 분산제 및 제1 분산매가 혼합된 제1 슬러리를 준비하는 단계;
    상기 제1 슬러리를 습식밀링하는 단계;
    상기 습식밀링된 제1 슬러리, 상기 산화아연 분말 및 제2 분산제가 혼합된 제2 슬러리를 준비하는 단계; 및
    상기 제2 슬러리를 습식밀링하는 단계를 포함하는 산화아연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 과립분말을 준비하기 전에 상기 준비된 혼합슬러리에 바인더를 첨가하는 단계
    를 더 포함하는 산화아연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 슬러리를 습식밀링하는 단계에 의해 상기 산화갈륨 분말의 평균 입경이 0.2 내지 0.5㎛가 되며, 상기 제2 슬러리를 습식밀링하는 단계에 의해 상기 산화아연 분말의 평균 입경이 0.1 내지 0.3㎛가 되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제1 슬러리를 준비하는 단계는, 상기 산화갈륨 분말의 중량 대비 0.2 내지 0.9중량%의 상기 제1 분산제를 상기 제1 분산매에 투입하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 슬러리를 준비하는 단계는, 상기 산화아연 분말의 중량 대비 0.3 내지 1.5중량%의 상기 제2 분산제를 상기 습식밀링된 제1 슬러리에 투입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 성형체의 소결은, 공기 분위기 및 무산소 가스 분위기가 교대로 제공되는 챔버 내에서 1300 내지 1450℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아 연계 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2538417A4 (en) * 2010-02-19 2017-03-22 LINTEC Corporation Transparent conductive film, process for producing same, and electronic device employing transparent conductive film
JP5343058B2 (ja) * 2010-10-15 2013-11-13 リンテック株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
KR101446615B1 (ko) * 2011-08-23 2014-10-06 코닝정밀소재 주식회사 Ｉｇｚｏ 타겟 제조방법 및 이에 의해 제조된 ｉｇｚｏ 타겟
KR101404404B1 (ko) * 2011-08-23 2014-06-10 코닝정밀소재 주식회사 산화아연 타겟 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화아연 타겟
KR101322795B1 (ko) * 2012-06-05 2013-10-29 한국세라믹기술원 갈륨 도핑량 증대에 의하여 출력인자가 향상된 산화아연의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH073443A (ja) * 1993-06-16 1995-01-06 Asahi Glass Co Ltd スパッタリングターゲットとその製造方法
JPH10297966A (ja) * 1997-04-28 1998-11-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd スパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体の製造方法
JP2002363732A (ja) 2001-03-15 2002-12-18 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜の製造方法および透明導電膜付き透明基板
KR20080110174A (ko) * 2007-06-14 2008-12-18 삼성코닝정밀유리 주식회사 갈륨이 도핑된 산화아연 타겟, 그 제조 방법 및 그로부터제조된 산화아연 박막

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH073443A (ja) * 1993-06-16 1995-01-06 Asahi Glass Co Ltd スパッタリングターゲットとその製造方法
JPH10297966A (ja) * 1997-04-28 1998-11-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd スパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体の製造方法
JP2002363732A (ja) 2001-03-15 2002-12-18 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜の製造方法および透明導電膜付き透明基板
KR20080110174A (ko) * 2007-06-14 2008-12-18 삼성코닝정밀유리 주식회사 갈륨이 도핑된 산화아연 타겟, 그 제조 방법 및 그로부터제조된 산화아연 박막

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