CN104037166A - 包含天线层的半导体封装件及其制造方法 - Google Patents

包含天线层的半导体封装件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种包含天线层的半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、半导体芯片、封装体及天线层。半导体芯片设于基板。封装体包覆半导体芯片且包括上表面。天线层形成于封装体的上表面，天线层包括二彼此连接的天线槽组。各天线槽组包括沿第一方向延伸的第一波导槽，及沿一第二方向延伸的第一辐射槽组，其中第一辐射槽组连接于第一波导槽。

Description

包含天线层的半导体封装件及其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有天线层的半导体封装件及其制造方法。
背景技术
无线通讯装置，例如是手机，一般包括天线以传输或接收无线射频(radio frequency,RF)信号。传统上，无线通讯装置包括天线及通讯模块，各设于电路板的不同部位。在传统的实施例中，天线及通讯模块分别制造，并于设置在电路板后再电性连接彼此。如此将导致二个元件的制造成本，此外，也难以降低装置尺寸而达到产品的小型化。此外，天线与通讯模块之间的RF信号传输路径较长，而降低天线与通讯模块之间的信号传输品质。
发明内容
根据本发明一方面，提出一种半导体封装件。一实施例中，半导体封装件包括一基板、一半导体芯片、一封装体及一天线层。半导体芯片设于基板。封装体包覆半导体芯片且包括一上表面。天线层形成于封装体的上表面，天线层包括二彼此连接的天线槽组，其中各天线槽组包括一沿一第一方向延伸的第一波导槽，及一沿一第二方向延伸的第一辐射槽组，第一辐射槽组连接于第一波导槽。
根据本发明另一方面，提出一种半导体封装件。一实施例中，半导体封装件包括一基板、一半导体芯片、一第一封装体、一第二封装体及一天线层。半导体芯片设于基板。第一封装体包覆半导体芯片。第二封装体覆盖第一封装体。天线层形成于第二封装体，天线层包括二天线槽组，其中各天线槽组包括一第一波导槽及一第一辐射槽组，第一辐射槽组连接于第一波导槽。
根据本发明另一方面，提出一种半导体封装件的制造方法。一实施例中， 制造方法以下步骤。设置一半导体芯片于一基板；形成一封装体包覆半导体芯片；形成一天线层于半导体封装件的一上表面，其中天线层电性连接于半导体芯片；以及，形成二天线槽组于天线层，其中各天线槽组包括一沿一第一方向延伸的第一波导槽，及一沿一第二方向延伸的第一辐射槽组，第一辐射槽组连接于第一波导槽。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：
附图说明
图1A绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。
图1B绘示图1A的俯视图。
图2A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。
图2B绘示图2A中沿方向2B-2B’的剖视图。
图3绘示另一实施例的天线层的俯视图。
图4绘示图3的半导体封装件的天线层的E平面的场形图。
图5A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。
图5B绘示图5A的俯视图。
图6绘示依照本发明另一实施例的俯视图。
图7绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。
图8绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。
图9绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。
图10绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。
图11绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。
图12A至12K绘示图1A的半导体封装件的制造过程图。
图13A至13F绘示图9的半导体封装件的制造过程图。
具体实施方式
整合天线部及无线通讯装置的通讯模块半导体封装件，具有例如是缩小封装件尺寸及减少无线射频(RF)信号传输路径的优点。以下实施例描述本发明揭 露的半导体封装件。
图1A绘示依照本发明一实施例的半导体封装件100的剖视图。半导体封装件100包括基板110、半导体芯片120、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、数个导电柱160a、160b及天线层170。
基板110例如是多层有机基板或陶瓷基板。基板110包括相对的上表面110u与下表面110b及一邻设于基板110的边缘的侧面110s。侧面110s延伸于上表面110u与下表面110b且定义基板110的边界。基板110包括接地部111。如图1A所示，至少部分的接地部111从基板110的下表面110b往基板110的上表面110u方向延伸。第一种实施例中，整个接地部111从基板110的下表面110b延伸至基板110的上表面110u，或延伸超过上表面110u。第二种实施例中，部分接地部111从基板110的上表面110u延伸至基板110的下表面110b。
半导体芯片120及无源元件125设于基板110的上表面110u且电性连接于基板110。设于基板110的半导体芯片120例如，可包括一基频芯片。无源元件125例如是电阻、电感或电容。
封装体130包覆半导体芯片120。封装体130包括第一封装体131及第二封装体132，其中第一封装体131包覆半导体芯片120，且第二封装体132覆盖屏蔽层140。一实施例中，封装体130可包括酚醛基树脂（Novolac-based resin）、环氧基树脂（epoxy-based resin）、硅基树脂（silicone-based resin）或其他适当的包覆剂。封装体130也可包括适当的填充剂，例如是粉状的二氧化硅。可利用数种封装技术形成封装体130，例如是压缩成型（compression molding）、注射成型（injection molding）或转注成型（transfer molding）。
封装体130包括沿第一封装体131的边缘、第二封装体132及屏蔽层140延伸的侧面130s。
屏蔽层140形成于第一封装体131的上表面131u且被第二封装体132覆盖。屏蔽层140可以是单层或多层材料。一实施例中，屏蔽层140是三层结构，其中间层是铜层，而其它层是不锈钢层。另一实施例中，屏蔽层140是双层结构，其一层是铜层，而另一层是不锈钢层。
屏蔽层140包括馈入部141及屏蔽部142，其中馈入部141电性连接于馈入元件150，而屏蔽部142通过天线层170电性连接于接地部111。屏蔽部142 与馈入部141隔离。屏蔽层140可以是铝、铜、铬、锡、金、银、镍、不锈钢或任何合适金属或合金。
馈入元件150包括第一馈入部151及第二馈入部152。第一馈入部151延伸穿过第一封装体131且电性连接于屏蔽层140。数条走线112形成于基板110的上表面110u，且电性连接第一馈入部151与半导体芯片120。如此，馈入元件150电性连接于半导体芯片120。第二馈入部152延伸穿过第二封装体132且电性连接于屏蔽层140。
一个或多个贯孔130h，例如是封胶穿孔(through molding via)，其从天线层170延伸至屏蔽层140。导电柱160a藉由填入导电材料于封装体130的贯孔130h而形成。
一个或多个贯孔130j，例如是封胶穿孔，其从屏蔽层140延伸至走线112。导电柱160b藉由填入导电材料于封装体130的贯孔130j而形成。
天线层170形成于封装体130的上表面130u及侧面130s。天线层170包括馈入层172及辐射层173。辐射层173沿封装体130的侧面130s电性连接于接地部111。馈入元件150的第二馈入部152连接馈入层172与屏蔽层140的馈入部141。
屏蔽层140及天线层170共同形成一全覆盖屏蔽层(conformal shielding)，以保护半导体芯片120避免过多的电磁干扰(EMI)不当地影响半导体封装件100的操作。
导电柱160a通过天线层170的辐射层173电性连接于接地部111。导电柱160b通过屏蔽层140电性连接于导电柱160a。因此，环绕馈入元件150的导电柱160a及160b可保护馈入元件150所传输的馈入信号免受电磁干扰。
图1B绘示图1A的俯视图。天线层170包括侧面170s，且更包括彼此连接的二天线槽组171及171a，其形成一槽孔天线(slot antenna)。二天线槽组171及171a对称，且为形成于天线层170的数条切痕(cut)或数个凹部(indentation)。馈入元件150位于天线槽组171与171a之间，以传输馈入信号至槽孔天线。
天线槽组171包括一波导槽1711及一辐射槽组1712。波导槽1711用以传输毫米波(millimeter wavelength,mmWave)信号。辐射槽组1712用以辐射毫米波信号。波导槽1711沿第一方向P1延伸，而辐射槽组1712沿第二方向P2延 伸。辐射槽组1712连接于波导槽1711。辐射槽组1712绘示成包括至少二辐射槽1713，然此非用以限制本发明实施例。另一实施例中，辐射槽组1712的辐射槽1713的数量可以是一个或超过二个。图1B的实施例中，辐射槽1713未延伸至天线层170的侧面170s，然此非用以限制本发明实施例。另一实施例中，辐射槽1713可延伸至天线层170的侧面170s。
如图1B所示，辐射槽1713垂直地与波导槽1711连接。另一实施例中，为了辐射更多毫米波信号的能量，辐射槽1713可倾斜地与波导槽1711连接，以延长辐射槽1713长度。波导槽1711愈窄，毫米波信号的传输愈强。波导槽1711的宽度较佳地介于50至700微米。另一实施例中，波导槽1711约50微米宽。
辐射槽1713愈宽，毫米波信号的辐射愈强。如此，为了提升毫米波信号的辐射，辐射槽1713可设计得比波导槽1711更宽。辐射槽1713的宽度较佳地介于50至700微米。另一实施例中，辐射槽1713约100微米宽。
天线槽组171a近似天线槽组171的镜射影像(mirror image)，因此，上述实施例的波导槽1711、辐射槽1712与辐射槽1713相似于波导槽1711a、辐射槽组1712a与辐射槽1713a。
位于二辐射槽1713a之间的波导槽1711a的部分，其长度L1决定毫米波信号的波长，而辐射槽1713a的长度L2约毫米波信号波长的一半。亦即，长度L2可接近长度L1的一半。
图1A的馈入层172可做为共平面波导(coplanar waveguide,CPW)，以传输毫米波至辐射槽组1712与1712a。
图1A的辐射层173通过波导槽1711及1711a与馈入层172隔离，以避免不当地影响馈入元件150的馈入信号。
图2A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件200的俯视图。天线层170包括二天线槽组，天线槽组171与近似其的镜射影像通过阻抗匹配槽174连接。镜射影像的天线槽组的架构相似于天线槽组171的详细描述。
天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组1712、第二波导槽1711’、第二辐射槽组1712’与第三波导槽1711’’。
第一波导槽1711沿第一方向P1延伸。第一辐射槽组1712连接于第一波 导槽1711，且沿第二方向P2延伸。一实施例中，第一辐射槽组1712包括三个辐射槽1713。另一实施例中，第一辐射槽组1712的辐射槽1713的数量可以是单个、二个或超过三个。
第二波导槽1711’连接于第一辐射槽组1712，且沿第一方向P1延伸。
形成于天线层170的网格包含区域171m，网格是由第一波导槽1711、辐射槽1713与第二波导槽1711’定义。网格的数个长侧较佳地由第一波导槽1711或第二波导槽1711’形成。网格的数个短侧较佳地由辐射槽1713形成。
第二辐射槽组1712’连接于第二波导槽1711’，且沿第二方向P2延伸。第二辐射槽组1712’包括数个辐射槽1713’。第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组1712的辐射槽1713的数量。藉由控制辐射槽1713与辐射槽1713’的相对数量，可使由第一辐射槽组1712辐射的能量实质上等于由第二辐射槽组1712’辐射的能量。
第三波导槽1711’’沿第一方向P1延伸且连接于第二辐射槽组1712’。
形成于天线层170的网格包含区域171m’，网格由第二波导槽1711’、辐射槽1713’与第三波导槽1711’’定义。网格的数个长侧较佳地由第二波导槽1711’或第三波导槽1711’’形成。网格的数个短侧较佳地由辐射槽1713’形成。
图2B绘示图2A中沿方向2B-2B’的剖视图。剖视图中，镜射影像的天线槽组的辐射槽相似于天线槽组171的辐射槽1713’。天线层170的网格在剖视图中绘示如区域171m’，因为其相似于天线槽组171的区域171m’。半导体封装件200的其他特征相似于图1A的半导体封装件100，容此不再赘述。
图3绘示另一实施例的天线层170的俯视图。天线层170包括二天线槽组171，其中天线槽组171及近似其的镜射影像通过阻抗匹配槽174连接。其中一槽组171已详细描述，其它槽组实质上是槽组171的镜射影像。天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组、第二波导槽1711’、第二辐射槽组1712’、第三波导槽1711’’、第三辐射槽组1712’’及第四波导槽1711’’’。
第一辐射槽组绘示成包括一个辐射槽1713，然而，此非用以限制本发明实施例。另一实施例中，第一辐射槽组可包括多个辐射槽1713。
第二波导槽1711’沿第一方向P1延伸，且连接于第一辐射槽1713。
第二辐射槽组1712’沿第二方向P2延伸，且连接于第二波导槽1711’。
第三波导槽1711’’沿第一方向P1延伸，且连接于第二辐射槽组1712’。
第三辐射槽组1712’’沿第二方向P2延伸，且连接于第三波导槽1711’’。
第四波导槽1711’’’沿第一方向P1延伸，且连接于第三辐射槽组1712’’。另一实施例中，可省略第四波导槽1711’’’。
为了更均匀地辐射，第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组的辐射槽1713的数量，且第三辐射槽组1712’’的辐射槽1713’’的数量多于第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量。
阻抗匹配槽174连接天线槽组171的第一波导槽1711。第一波导槽1711的长度加上阻抗匹配槽174的长度的总合可以例如是一毫米波信号的波长的一半。阻抗匹配槽174的长度提供天线层170一阻抗匹配功能。
图4绘示图3的半导体封装件的天线层170的E平面的场形图。从图3的天线层170辐射的RF频宽介于57至64GHz。以60GHz来说，由于多辐射槽组(例如，第一辐射槽组、第二辐射槽组1712’及第三辐射槽组1712’’)增加天线层170的指向性，因此天线层170表现出优良指向性。
图5A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件300的剖视图。半导体封装件300包括基板110、半导体芯片120、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、导电柱160a、160b及天线层170。
半导体芯片120包括导通孔(via)121，其从半导体芯片120的上表面120u露出。
封装体130包括位于屏蔽层140下方的第一封装体131及位于屏蔽层140上方的第二封装体132。
屏蔽层140包括馈入部141及屏蔽部142。
馈入元件150包括第一馈入部151及第二馈入部152。第一馈入部151从馈入部141延伸至半导体芯片120的导通孔121，以电性连接半导体芯片120。第二馈入部152延伸经过第二封装体132且电性连接屏蔽层140与天线层170。另一实施例中，覆盖半导体芯片120的第一馈入部151的一部分可使用磨削方法移除，使屏蔽层140可直接形成于导通孔121，以电性连接半导体芯片120。如此一来，第一馈入部151可被省略，使第一封装体131的上表面131u实质 上与半导体芯片120的上表面120u共面。
多个导电柱160a及160b可分别形成于贯孔130h及130j内，其中贯孔130h及130j形成于封装体130内并环绕馈入元件150，以保护馈入元件150免受电磁干扰。
图5B绘示图5A的俯视图。天线层170包括二彼此连接的天线槽组、天线槽组171及其镜射影像。二阻抗匹配槽174连接天线槽组171与其镜射影像。天线槽组171包括波导槽1711及辐射槽组1712。波导槽1711沿第一方向P1延伸。辐射槽组1712连接于波导槽1711且沿第二方向P2延伸。辐射槽组1712包括至少二辐射槽1713。如图所示，辐射槽1713未延伸至天线层170的侧面170s。然而，另一实施例中，辐射槽1713可延伸至天线层170的侧面170s。如图所示，辐射槽1713可垂直地连接于波导槽1711；或者，另一实施例中，辐射槽1713可倾斜地连接于波导槽1711。倾斜地连接方式可增长辐射槽1713，以辐射更多毫米波信号的能量。
如图5B所示，区域175形成于天线层170，且由波导槽1711、其镜射影像与二阻抗匹配槽174定义。馈入元件150位于天线层170的一中间部。具体来说，馈入元件150设于区域175的中心。
图6绘示依照本发明另一实施例的俯视图。天线层170包括二天线槽组、一天线槽组171与其实质上镜射的影像，且由二阻抗匹配槽174连接。天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组1712、第二波导槽1711’、第二辐射槽组1712’及第三波导槽1711’’。由数个阻抗匹配槽174、第一波导槽1711及其镜射影像所定义的区域175形成于天线层170中心。馈入元件150位于区域175的中间部。
如图6所示，第一辐射槽组1712包括多个辐射槽1713。然而，另一实施例中，第一辐射槽组1712包括一个辐射槽1713。为了增强辐射，第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组1712的辐射槽1713的数量。
一些实施例中，第三波导槽1711’’可省略。
图7绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。天线层170包括二天线槽组，天线槽组171与其实质上镜射的影像由二阻抗匹配槽174连接。 天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组、第二波导槽1711’及第二辐射槽组1712’。如图所示，第一辐射槽组包括一辐射槽1713。另一实施例中，第一辐射槽组包括数个辐射槽1713。为了更优良的辐射，第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组的辐射槽1713的数量。
如图7所示，区域175形成于天线层170的中心，且由第一波导槽1711、其镜射影像与二阻抗匹配槽174定义。馈入元件150位于区域175的中间部。
图8绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的俯视图。天线层170包括二天线槽组，天线槽组171与其实质上镜射的影像由二阻抗匹配槽174连接。天线槽组171包括第一波导槽1711、第一辐射槽组、第二波导槽1711’、第二辐射槽组1712’、第三波导槽1711’’、第三辐射槽组1712’’及第四波导槽1711’’’。
如图8所示，区域175形成于天线层170的中心，且由第一波导槽1711、其镜射影像与二阻抗匹配槽174定义。馈入元件150位于区域175的中间部。如图所示，第一辐射槽组包括一个辐射槽1713。其它实施例中，第一辐射槽组包括一个以上的辐射槽1713。为了增进辐射，第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量多于第一辐射槽组的辐射槽1713的数量，且第三辐射槽组1712’’的辐射槽1713’’的数量多于第二辐射槽组1712’的辐射槽1713’的数量。
图9绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件400的俯视图。半导体封装件400包括基板110、半导体芯片120、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、数个导电柱160及天线层170。
基板110包括相对的上表面110u与下表面110b，且更包括一接地部111。接地部111从基板110的上表面110u延伸。封装体130包括第一封装体131及第二封装体132。接地部111可从第一封装体131的侧面131s露出。
屏蔽层140形成于第一封装体131的上表面131u、第一封装体131的侧面131s，且露出接地部111，其中第一封装体131包覆半导体芯片120。屏蔽层140形成一全覆盖屏蔽层，以保护半导体芯片120免受电磁干扰。第二封装体132设于第一封装体131的上表面131u，且覆盖屏蔽层140的一部分与基板110的上表面110u的一部分。本实施例中，天线层170形成于封装体130的上表面130u，但未形成于封装体130的侧面130s。
图10绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件500的俯视图。半导体封装件500包括基板110、半导体芯片120、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、数个导电柱160及天线层170。
馈入元件150形成封装体130且直接接触从半导体芯片120的上表面120u露出的导通孔121。导电柱160形成于封装体130的贯孔130h内且环绕馈入元件150以保护馈入元件150免受过多的电磁干扰。
图11绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件600的俯视图。半导体封装件600包括基板110、半导体芯片120、无源元件125、封装体130、屏蔽层140、馈入元件150、数个导电柱160及天线层170。
贯孔130h例如是封胶穿孔，其形成于封装体130，且从天线层170延伸至屏蔽层140。导电柱160藉由填入导电材料于贯孔130h而形成。导电柱160通过天线层170电性连接于接地部111。因此，环绕馈入元件150的导电柱160可保护一从馈入元件150发射的馈入信号免受过多电磁干扰。
馈入元件150包括第一馈入部151及第二馈入部152。第一馈入部151延伸穿过封装体130的第一封装体131且电性连接屏蔽层140与无源元件125的接点1251。无源元件125设于基板110的上表面110u且可通过走线112电性连接半导体芯片120。如此一来，馈入元件150可电性连接半导体芯片120。第二馈入部152延伸穿过封装体130的第二封装体132，且电性连接屏蔽层140与天线层170。
图12A至12K绘示图1A的半导体封装件100的制造过程图。
如图12A所示，可采用表面粘贴技术(Surface Mounting Technology,SMT)设置半导体芯片120及无源元件125于基板110上。基板110包括接地部111及走线112。基板110是一包含数个封装单元区(package site)的长条(strip)。
如图12B所示，形成第一封装体131于基板110的上表面110u，以包覆半导体芯片120及无源元件125。第一封装体131包括一上表面131u。
如图12C所示，可采用图案化技术，形成贯孔130j从上表面131u延伸至基板110的走线112。形成贯孔130j的图案化技术例如是微影工艺（photolithography）、化学刻蚀（chemical etching）、激光钻孔（laser drilling）或机械钻孔（mechanical drilling）。
如图12D所示，第一馈入部151及导电柱160b可使用电镀或涂布焊料贴(solder paste)的方式填入导电材料于贯孔130j内而形成。
如图12E所示，可采用电镀/微影刻蚀(etching photolithographic)工艺，形成屏蔽层140覆盖上表面131u。屏蔽层140包括馈入部141及屏蔽部142，其中馈入部141连接于第一馈入部151且与屏蔽部142隔离，而屏蔽部142连接于导电柱160b。
如图12F所示，形成第二封装体132覆盖屏蔽层140。第二封装体132包括上表面130u。
如图12G所示，可采用图案化技术形成贯孔130h从上表面130u延伸至屏蔽层140。形成贯孔130h的图案化技术例如是微影工艺（photolithography）、化学刻蚀（chemical etching）、激光钻孔（laser drilling）或机械钻孔（mechanical drilling）。
如图12H所示，第二馈入部152及导电柱160a可使用例如是电镀或涂布焊料贴的方式填入导电材料于贯孔130h内而形成。第一馈入部151及第二馈入部152共同形成馈入元件150。
如图12I所示，形成数个切割道S1经过封装体130、屏蔽层140及接地部。切割道S1使用激光或另一切割刀具形成。基板110的侧面110s、封装体130的侧面130s及接地部111的侧面111s被形成，其中侧面110s、侧面130s与侧面111s实质上共面。例示的切割方法称为”全穿切(full-cut)”，即切割道S1实质上切穿基板110、接地部111与封装体130。
如图12J所示，可使用电镀/微影刻蚀工艺，形成天线层170覆盖封装体130的上表面130u、封装体130的侧面130s与接地部111的侧面111s。天线层170连接于导电柱160a及接地部111，使导电柱160a通过屏蔽层140及天线层170电性连接于接地部111。
如图12K所示，可采用例如是图案化技术，形成二天线槽组171于天线层170，以形成图1A所示的半导体封装件100。
图13A至13F绘示图9的半导体封装件400的制造过程图。图9的半导体封装件400的制造过程相似于图1A的半导体封装件100的制造过程，容此不再赘述。
如图13A所示，可采用例如是表面粘贴技术，设置半导体芯片120及无源元件125于基板110，其中基板110包括从基板110的上表面110u延伸的接地部111。第一馈入部151可使用例如是电镀或涂布焊料贴的方式填入导电材料于第一封装体131的贯孔130j内而形成。贯孔130j可采用图案化技术形成。基板110是包含数个封装单元区的长条。
可采用激光或另外切割刀具形成数个切割道S2经过第一封装体131。第一封装体131的侧面131s及接地部111的侧面111s由切割形成。图13A的切割称为”半穿切法(half-cut method)”，即切割道S2未完全切穿基板110。
如图13B所示，可采用电镀/微影刻蚀(etching photolithographic)工艺，形成屏蔽层140覆盖上表面131u。屏蔽层140包括馈入部141及屏蔽部142，其中馈入部141连接于第一馈入部151且与屏蔽部142隔离。
如图13C所示，形成第二封装体132覆盖屏蔽层140，其中第二封装体132包括上表面130u。
如图13D所示，可采用图案化技术形成贯孔130h从上表面130u延伸至屏蔽层140。形成贯孔130h的图案化技术例如是微影工艺（photolithography）、化学刻蚀（chemical etching）、激光钻孔（laser drilling）或机械钻孔（mechanical drilling）。
第二馈入部152及导电柱160a可使用电镀或涂布焊料贴的方式填入导电材料于贯孔130h内而形成。第一馈入部151及第二馈入部152共同形成馈入元件150。
如图13E所示，可使用电镀/微影刻蚀工艺，形成天线层170覆盖封装体130的上表面130u。天线层170连接于导电柱160，使天线层170通过导电柱160及屏蔽层140电性连接于接地部111。
如图13F所示，形成数个切割道S3经过天线层170、第二封装体132与基板110，以形成图9的半导体封装件400。切割道S3是以激光或另外切割刀具形成。基板110的侧面110s及第二封装体132的侧面130s实质上共面。
图2B的半导体封装件200的制造方法、图5A的半导体封装件300的制造方法及图11的半导体封装件600的制造方法相似于图1A的半导体封装件100的制造方法，容此不再赘述。图10的半导体封装件500的制造方法相似于图9 的半导体封装件400的制造方法，容此不再赘述。
综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。
【符号说明】
100、200、300、400、500、600：半导体封装件
110：基板
110b：下表面
110s、111s、130s、131s、170s：侧面
110u、120u、130u、131u：上表面
111：接地部
112：走线
120：半导体芯片
121：导通孔
125：无源元件
1251：接点
130：封装体
130h、130j：贯孔
131：第一封装体
132：第二封装体
140：屏蔽层
141：馈入部
142：屏蔽部
150：馈入元件
151：第一馈入部
152：第二馈入部
160、160a、160b：导电柱
170：天线层
171、171a：天线槽组
1711、1711a、1711'、1711''、1711'''：波导槽
1712、1712a、1712'、1712''：辐射槽组
1713、1713a、1713'、1713’’：辐射槽
171m、171m'；175：区域
172：馈入层
173：辐射层
174：阻抗匹配槽
S1、S2、S3：切割道
L1：长度
P1：第一方向
P2：第二方向 。

Claims (20)

1.一种半导体封装件，包括：
一基板；
一半导体芯片，设于该基板；
一封装体，包覆该半导体芯片且包括一上表面；
一天线层，形成于该封装体的该上表面，该天线层包括二彼此连接的天线槽组，其中各该天线槽组包括一沿一第一方向延伸的第一波导槽，及一沿一第二方向延伸的第一辐射槽组，该第一辐射槽组连接于该第一波导槽。
2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一辐射槽组包括至少二辐射槽。
3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该天线层更包括一连接该二天线槽组的阻抗匹配槽。
4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，各该天线槽组更包括：
一第二波导槽，沿该第一方向延伸，其中该第一辐射槽组连接于该第二波导槽；以及
一第二辐射槽组，连接于该第二波导槽且沿该第二方向延伸。
5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，更包括:
一馈入元件，电性连接于该半导体芯片且位于该二天线槽组之间。
6.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该基板包括一接地部，该天线层包括一馈入层及一辐射层，该馈入元件电性连接于该馈入层，且该辐射层电性连接于该接地部且与该馈入层隔离。
7.如权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，该封装体包括多个贯孔，所述多个贯孔环绕该馈入元件，该半导体封装件更包括：
多个导电柱，形成于所述多个贯孔内且电性连接于该接地部。
8.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该馈入元件设于且接触于该半导体芯片的一上表面。
9.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该天线层延伸至该封装体的一侧面。
10.一种半导体封装件，包括：
一基板；
一半导体芯片，设于该基板；
一第一封装体，包覆该半导体芯片；
一第二封装体，覆盖该第一封装体；以及
一天线层，形成于该第二封装体，该天线层包括二天线槽组，其中各该天线槽组包括一第一波导槽及一第一辐射槽组，该第一辐射槽组连接于该第一波导槽。
11.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装体包括一上表面，该半导体封装件更包括：
一屏蔽层，形成于该第一封装体的该上表面，其中该屏蔽层被该第二封装体覆盖。
12.如权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：
一第一馈入元件，电性连接该屏蔽层与该半导体芯片；以及
一第二馈入元件，电性连接该屏蔽层与该天线层。
13.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：
一馈入元件；
多个贯孔，形成于该第二封装体，所述多个贯孔环绕该馈入元件；以及
多个导电柱，形成于所述多个贯孔内且电性连接于该天线层。
14.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：
一屏蔽层，形成于该第一封装体的一侧面。
15.如权利要求14所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：
一第一馈入元件，通过该第一封装体电性连接于该半导体芯片；以及
一第二馈入元件，电性连接该屏蔽层与该天线层。
16.一种半导体封装件的制造方法，包括：
设置一半导体芯片于一基板；
形成一封装体包覆该半导体芯片；
形成一天线层于该半导体封装件的一上表面，其中该天线层电性连接于该半导体芯片；
形成二天线槽组于该天线层，其中各该天线槽组包括一沿一第一方向延伸的第一波导槽，及一沿一第二方向延伸的第一辐射槽组，该第一辐射槽组连接于该第一波导槽。
17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，该第一辐射槽组包括至少二辐射槽。
18.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，更包括：
形成一阻抗匹配槽于该天线层，其中该阻抗匹配槽连接该二天线槽组。
19.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，更包括：
一第二波导槽，沿该第一方向延伸，其中该第一辐射槽组连接于该第二波导槽；以及
一第二辐射槽组，连接于该第二波导槽且沿该第二方向延伸。
20.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，更包括：
形成一馈入元件于该封装体，以电性连接该半导体芯片与该天线层。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106450659A (zh) * 2015-08-12 2017-02-22 矽品精密工业股份有限公司 电子模块
CN106486456A (zh) * 2015-08-28 2017-03-08 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 具有集成导体元件的电子装置及其制造方法
CN106816431A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 讯芯电子科技（中山）有限公司 一种电磁屏蔽封装结构及其制造方法
CN106847771A (zh) * 2015-12-04 2017-06-13 乾坤科技股份有限公司 具有天线的半导体封装及其制作方法
CN106910735A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件
CN106981472A (zh) * 2016-01-15 2017-07-25 恒劲科技股份有限公司 封装基板
CN107017854A (zh) * 2015-10-16 2017-08-04 株式会社村田制作所 电子部件
CN107316819A (zh) * 2016-04-27 2017-11-03 南茂科技股份有限公司 芯片封装体及芯片封装制程
CN107645033A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 环旭电子股份有限公司 电子模块
CN107665885A (zh) * 2016-07-28 2018-02-06 环旭电子股份有限公司 半导体装置封装
CN107887698A (zh) * 2016-09-29 2018-04-06 矽品精密工业股份有限公司 电子封装结构及其制法
CN108807297A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其制法
CN108933122A (zh) * 2017-05-23 2018-12-04 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装装置及其制造方法
CN109087896A (zh) * 2017-06-13 2018-12-25 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其制法
CN109449141A (zh) * 2017-06-07 2019-03-08 联发科技股份有限公司 半导体封装
CN109841599A (zh) * 2019-03-26 2019-06-04 中芯长电半导体（江阴）有限公司 一种封装结构及封装方法
CN110323540A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 联发科技股份有限公司 天线结构以及封装天线
CN110323200A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 具有阻抗匹配的互连结构的电子组件和电子系统
CN111739876A (zh) * 2020-05-20 2020-10-02 甬矽电子(宁波)股份有限公司 封装天线结构、其制作方法和电子设备
US11509038B2 (en) 2017-06-07 2022-11-22 Mediatek Inc. Semiconductor package having discrete antenna device

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9343442B2 (en) 2012-09-20 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Passive devices in package-on-package structures and methods for forming the same
CN103943610B (zh) * 2014-04-16 2016-12-07 华为技术有限公司 一种电子元件封装结构及电子设备
US9704739B2 (en) * 2014-07-30 2017-07-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device packages, packaging methods, and packaged semiconductor devices
KR101616625B1 (ko) * 2014-07-30 2016-04-28 삼성전기주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP6596927B2 (ja) * 2015-05-27 2019-10-30 富士通株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法
US9461001B1 (en) 2015-07-22 2016-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package integrated with coil for wireless charging and electromagnetic interference shielding, and method of manufacturing the same
US9825597B2 (en) 2015-12-30 2017-11-21 Skyworks Solutions, Inc. Impedance transformation circuit for amplifier
US9881882B2 (en) * 2016-01-06 2018-01-30 Mediatek Inc. Semiconductor package with three-dimensional antenna
TWI672768B (zh) * 2016-01-15 2019-09-21 英屬開曼群島商鳳凰先驅股份有限公司 封裝基板
TWI593165B (zh) * 2016-02-04 2017-07-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件
US10062670B2 (en) 2016-04-18 2018-08-28 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal
KR102504859B1 (ko) 2016-04-19 2023-03-02 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 무선 주파수 모듈의 선택적 차폐
US10297913B2 (en) 2016-05-04 2019-05-21 Skyworks Solutions, Inc. Shielded radio frequency component with integrated antenna
US10770795B2 (en) * 2016-05-27 2020-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and method for manufacturing antenna device
US10163812B2 (en) * 2016-10-19 2018-12-25 Infineon Technologies Ag Device having substrate with conductive pillars
KR101999608B1 (ko) * 2016-11-23 2019-07-18 삼성전자주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
US10312203B2 (en) * 2016-12-13 2019-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and formation method of chip package with antenna element
TWI744822B (zh) 2016-12-29 2021-11-01 美商天工方案公司 前端系統及相關裝置、積體電路、模組及方法
US10505255B2 (en) * 2017-01-30 2019-12-10 Infineon Technologies Ag Radio frequency device packages and methods of formation thereof
US10515924B2 (en) 2017-03-10 2019-12-24 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency modules
JP6809600B2 (ja) * 2017-04-03 2021-01-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール
KR20190050155A (ko) * 2017-11-02 2019-05-10 삼성전기주식회사 반도체 패키지와 그 제조 방법
CN109841597A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 讯芯电子科技（中山）有限公司 分区电磁屏蔽封装结构及制造方法
TWI688075B (zh) * 2018-05-23 2020-03-11 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件
US11081453B2 (en) 2018-07-03 2021-08-03 Mediatek Inc. Semiconductor package structure with antenna
TWI695472B (zh) * 2018-11-07 2020-06-01 欣興電子股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
CN110429068A (zh) * 2019-08-09 2019-11-08 芯光科技新加坡有限公司 一种天线封装结构及其制备方法、通信设备
CN110649001B (zh) * 2019-09-29 2021-11-09 上海先方半导体有限公司 一种集成天线结构的2.5d多芯片封装结构及制造方法
CN110931941B (zh) * 2019-12-06 2021-06-29 上海先方半导体有限公司 一种AiP缝隙天线封装结构及其制备方法
KR20220027537A (ko) * 2020-08-27 2022-03-08 삼성전자주식회사 팬-아웃 타입 반도체 패키지
US20220181182A1 (en) * 2020-12-03 2022-06-09 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
GB2606841A (en) * 2021-03-23 2022-11-23 Skyworks Solutions Inc Application of conductive via or trench for intra module EMI shielding
US11640944B2 (en) 2021-05-04 2023-05-02 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming a slot in EMI shielding layer using a plurality of slot lines to guide a laser
US11756897B2 (en) * 2021-05-05 2023-09-12 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming a slot in EMI shielding with improved removal depth

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288686A (ja) * 1995-04-20 1996-11-01 Nec Corp 半導体装置
US6518932B1 (en) * 1999-02-15 2003-02-11 Communications Research Laboratory, Independent Administrative Institute Radio communication device
US7268736B1 (en) * 2006-05-26 2007-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Small rectenna for radio frequency identification transponder
CN101232311A (zh) * 2006-12-29 2008-07-30 美国博通公司 可调集成电路天线结构
CN102446906A (zh) * 2010-10-07 2012-05-09 美国博通公司 集成电路器件及其制造方法

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814205A (en) 1983-12-02 1989-03-21 Omi International Corporation Process for rejuvenation electroless nickel solution
US5557142A (en) 1991-02-04 1996-09-17 Motorola, Inc. Shielded semiconductor device package
US5166772A (en) 1991-02-22 1992-11-24 Motorola, Inc. Transfer molded semiconductor device package with integral shield
US5353498A (en) 1993-02-08 1994-10-11 General Electric Company Method for fabricating an integrated circuit module
US5355016A (en) 1993-05-03 1994-10-11 Motorola, Inc. Shielded EPROM package
US5639989A (en) 1994-04-19 1997-06-17 Motorola Inc. Shielded electronic component assembly and method for making the same
US5677511A (en) 1995-03-20 1997-10-14 National Semiconductor Corporation Overmolded PC board with ESD protection and EMI suppression
JP3432982B2 (ja) 1995-12-13 2003-08-04 沖電気工業株式会社 表面実装型半導体装置の製造方法
US5998867A (en) 1996-02-23 1999-12-07 Honeywell Inc. Radiation enhanced chip encapsulant
US5694300A (en) 1996-04-01 1997-12-02 Northrop Grumman Corporation Electromagnetically channelized microwave integrated circuit
US5776798A (en) 1996-09-04 1998-07-07 Motorola, Inc. Semiconductor package and method thereof
US6150193A (en) 1996-10-31 2000-11-21 Amkor Technology, Inc. RF shielded device
US5895229A (en) 1997-05-19 1999-04-20 Motorola, Inc. Microelectronic package including a polymer encapsulated die, and method for forming same
JP3834426B2 (ja) 1997-09-02 2006-10-18 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6757181B1 (en) 2000-08-22 2004-06-29 Skyworks Solutions, Inc. Molded shield structures and method for their fabrication
JP3718131B2 (ja) 2001-03-16 2005-11-16 松下電器産業株式会社 高周波モジュールおよびその製造方法
US6900383B2 (en) 2001-03-19 2005-05-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Board-level EMI shield that adheres to and conforms with printed circuit board component and board surfaces
CA2440508C (en) * 2001-03-21 2007-05-22 Microface Co., Ltd. Waveguide slot antenna and manufacturing method thereof
JP3878430B2 (ja) 2001-04-06 2007-02-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6614102B1 (en) 2001-05-04 2003-09-02 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor leadframe package
US6686649B1 (en) 2001-05-14 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Multi-chip semiconductor package with integral shield and antenna
US6740959B2 (en) 2001-08-01 2004-05-25 International Business Machines Corporation EMI shielding for semiconductor chip carriers
US6828556B2 (en) * 2001-09-28 2004-12-07 Hrl Laboratories, Llc Millimeter wave imaging array
US7633765B1 (en) 2004-03-23 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including a top-surface metal layer for implementing circuit features
US7161252B2 (en) 2002-07-19 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module component
JP4178880B2 (ja) 2002-08-29 2008-11-12 松下電器産業株式会社 モジュール部品
US6781231B2 (en) 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US6962869B1 (en) 2002-10-15 2005-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. SiOCH low k surface protection layer formation by CxHy gas plasma treatment
WO2004060034A1 (ja) 2002-12-24 2004-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子部品内蔵モジュール
US20040150097A1 (en) 2003-01-30 2004-08-05 International Business Machines Corporation Optimized conductive lid mounting for integrated circuit chip carriers
TWI235469B (en) 2003-02-07 2005-07-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Thermally enhanced semiconductor package with EMI shielding
US7187060B2 (en) 2003-03-13 2007-03-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device with shield
WO2004093506A2 (en) 2003-04-15 2004-10-28 Wavezero, Inc. Electomagnetic interference shielding for a printed circuit board
JP2004327641A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Tdk Corp 電子部品モジュール
JP4377157B2 (ja) 2003-05-20 2009-12-02 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置用パッケージ
CN1810068A (zh) 2003-06-19 2006-07-26 波零公司 印刷电路板的emi吸收屏蔽
KR100541084B1 (ko) 2003-08-20 2006-01-11 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 및 그에 사용되는패키지 시트
JP2005072095A (ja) 2003-08-20 2005-03-17 Alps Electric Co Ltd 電子回路ユニットおよびその製造方法
US7030469B2 (en) 2003-09-25 2006-04-18 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a semiconductor package and structure thereof
US7042398B2 (en) 2004-06-23 2006-05-09 Industrial Technology Research Institute Apparatus of antenna with heat slug and its fabricating process
US7615856B2 (en) 2004-09-01 2009-11-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Integrated antenna type circuit apparatus
US7327015B2 (en) 2004-09-20 2008-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package
US7629674B1 (en) 2004-11-17 2009-12-08 Amkor Technology, Inc. Shielded package having shield fence
US7656047B2 (en) 2005-01-05 2010-02-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and manufacturing method
US7633170B2 (en) 2005-01-05 2009-12-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and manufacturing method thereof
JP4511387B2 (ja) * 2005-02-25 2010-07-28 京セラ株式会社 無線通信端末
WO2006098339A1 (ja) 2005-03-16 2006-09-21 Yamaha Corporation 半導体装置、半導体装置の製造方法、および蓋体フレーム
JP4614278B2 (ja) 2005-05-25 2011-01-19 アルプス電気株式会社 電子回路ユニット、及びその製造方法
US8186048B2 (en) 2007-06-27 2012-05-29 Rf Micro Devices, Inc. Conformal shielding process using process gases
US7451539B2 (en) 2005-08-08 2008-11-18 Rf Micro Devices, Inc. Method of making a conformal electromagnetic interference shield
US7388550B2 (en) * 2005-10-11 2008-06-17 Tdk Corporation PxM antenna with improved radiation characteristics over a broad frequency range
CN101300911B (zh) 2005-11-28 2010-10-27 株式会社村田制作所 电路模块以及制造电路模块的方法
US7504721B2 (en) 2006-01-19 2009-03-17 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for packaging dielectric resonator antennas with integrated circuit chips
US7342303B1 (en) 2006-02-28 2008-03-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having RF shielding and method therefor
DE102006019080B3 (de) 2006-04-25 2007-08-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Herstellungsverfahren für ein gehäustes Bauelement
KR101057368B1 (ko) 2007-01-31 2011-08-18 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
US7576415B2 (en) 2007-06-15 2009-08-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. EMI shielded semiconductor package
US7745910B1 (en) 2007-07-10 2010-06-29 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having RF shielding and method therefor
US20090035895A1 (en) 2007-07-30 2009-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and chip packaging process thereof
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7808439B2 (en) 2007-09-07 2010-10-05 University Of Tennessee Reserch Foundation Substrate integrated waveguide antenna array
EP2051298B1 (en) 2007-10-18 2012-09-19 Sencio B.V. Integrated Circuit Package
US8212339B2 (en) 2008-02-05 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US7989928B2 (en) 2008-02-05 2011-08-02 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8022511B2 (en) 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8350367B2 (en) 2008-02-05 2013-01-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
TWI370530B (en) 2008-05-21 2012-08-11 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package having an antenna
US7851893B2 (en) 2008-06-10 2010-12-14 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of connecting a shielding layer to ground through conductive vias
US7829981B2 (en) 2008-07-21 2010-11-09 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8410584B2 (en) 2008-08-08 2013-04-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8058714B2 (en) 2008-09-25 2011-11-15 Skyworks Solutions, Inc. Overmolded semiconductor package with an integrated antenna
US20100110656A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
SG172075A1 (en) 2008-12-12 2011-07-28 Univ Nanyang Tech Grid array antennas and an integration structure
US20100207257A1 (en) 2009-02-17 2010-08-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and manufacturing method thereof
US8110902B2 (en) 2009-02-19 2012-02-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8378466B2 (en) 2009-11-19 2013-02-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8030750B2 (en) 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
TWI497679B (zh) 2009-11-27 2015-08-21 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
US9007273B2 (en) 2010-09-09 2015-04-14 Advances Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
CN102324416B (zh) * 2010-09-16 2015-07-22 日月光半导体制造股份有限公司 整合屏蔽膜及天线的半导体封装件
US9153542B2 (en) * 2012-08-01 2015-10-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having an antenna and manufacturing method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288686A (ja) * 1995-04-20 1996-11-01 Nec Corp 半導体装置
US6518932B1 (en) * 1999-02-15 2003-02-11 Communications Research Laboratory, Independent Administrative Institute Radio communication device
US7268736B1 (en) * 2006-05-26 2007-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Small rectenna for radio frequency identification transponder
CN101232311A (zh) * 2006-12-29 2008-07-30 美国博通公司 可调集成电路天线结构
CN102446906A (zh) * 2010-10-07 2012-05-09 美国博通公司 集成电路器件及其制造方法

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106450659A (zh) * 2015-08-12 2017-02-22 矽品精密工业股份有限公司 电子模块
CN106450659B (zh) * 2015-08-12 2019-12-31 矽品精密工业股份有限公司 电子模块
CN106486456A (zh) * 2015-08-28 2017-03-08 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 具有集成导体元件的电子装置及其制造方法
CN107017854B (zh) * 2015-10-16 2021-04-06 株式会社村田制作所 电子部件
CN107017854A (zh) * 2015-10-16 2017-08-04 株式会社村田制作所 电子部件
US10600560B2 (en) 2015-10-16 2020-03-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component including outer electrodes and a shield electrode
CN106816431A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 讯芯电子科技（中山）有限公司 一种电磁屏蔽封装结构及其制造方法
CN106816431B (zh) * 2015-11-30 2019-08-30 讯芯电子科技（中山）有限公司 一种电磁屏蔽封装结构及其制造方法
CN106847771A (zh) * 2015-12-04 2017-06-13 乾坤科技股份有限公司 具有天线的半导体封装及其制作方法
CN106847771B (zh) * 2015-12-04 2019-06-28 乾坤科技股份有限公司 具有天线的半导体封装及其制作方法
CN106910735A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件
CN106981472A (zh) * 2016-01-15 2017-07-25 恒劲科技股份有限公司 封装基板
CN107316819A (zh) * 2016-04-27 2017-11-03 南茂科技股份有限公司 芯片封装体及芯片封装制程
CN107645033A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 环旭电子股份有限公司 电子模块
CN107645033B (zh) * 2016-07-21 2020-10-02 环旭电子股份有限公司 电子模块
CN107665885A (zh) * 2016-07-28 2018-02-06 环旭电子股份有限公司 半导体装置封装
US10373916B2 (en) 2016-07-28 2019-08-06 Universal Scientific Industrial (Shanghai) Co., Ltd. Semiconductor device packages
CN107665885B (zh) * 2016-07-28 2020-01-10 环旭电子股份有限公司 半导体装置封装
CN107887698A (zh) * 2016-09-29 2018-04-06 矽品精密工业股份有限公司 电子封装结构及其制法
CN108807297A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其制法
CN108933122A (zh) * 2017-05-23 2018-12-04 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装装置及其制造方法
CN108933122B (zh) * 2017-05-23 2022-01-25 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装装置及其制造方法
CN109449141A (zh) * 2017-06-07 2019-03-08 联发科技股份有限公司 半导体封装
US11721882B2 (en) 2017-06-07 2023-08-08 Mediatek Inc. Semiconductor package having discrete antenna device
US11509038B2 (en) 2017-06-07 2022-11-22 Mediatek Inc. Semiconductor package having discrete antenna device
US10847869B2 (en) 2017-06-07 2020-11-24 Mediatek Inc. Semiconductor package having discrete antenna device
CN109087896A (zh) * 2017-06-13 2018-12-25 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其制法
CN109087896B (zh) * 2017-06-13 2020-11-27 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其制法
CN110323200A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 具有阻抗匹配的互连结构的电子组件和电子系统
US10916854B2 (en) 2018-03-29 2021-02-09 Mediatek Inc. Antenna structure with integrated coupling element and semiconductor package using the same
CN110323540B (zh) * 2018-03-29 2022-01-18 联发科技股份有限公司 天线结构以及封装天线
CN110323200B (zh) * 2018-03-29 2024-02-09 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 具有阻抗匹配的互连结构的电子组件和电子系统
CN110323540A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 联发科技股份有限公司 天线结构以及封装天线
CN109841599A (zh) * 2019-03-26 2019-06-04 中芯长电半导体（江阴）有限公司 一种封装结构及封装方法
CN111739876A (zh) * 2020-05-20 2020-10-02 甬矽电子(宁波)股份有限公司 封装天线结构、其制作方法和电子设备

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