CN103031519A - 蒸镀装置与有机薄膜的形成方法 - Google Patents

蒸镀装置与有机薄膜的形成方法 Download PDF

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王仪龙
张均豪
陈泰宏
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Abstract

本发明公开一种蒸镀装置与有机薄膜的形成方法。该蒸镀装置包括储气室、第一蒸发室、压力计、裂解室以及沉积室。第一蒸发室通过第一管路与储气室连接,其中第一管路具有第一阀门。压力计通过第二管路与储气室连接。裂解室通过第三管路与储气室连接,其中第三管路具有第二阀门。沉积室通过第四管路与裂解室连接。

Description

蒸镀装置与有机薄膜的形成方法
技术领域
本发明涉及一种镀膜设备与薄膜的形成方法,且特别是涉及一种蒸镀装置与有机薄膜的形成方法。
背景技术
由于有机薄膜具有极佳的阻水性与阻气性、高透明度、高绝缘度以及可以抗生锈、腐蚀与风化,因此在目前的可挠式显示器中,大多使用有机薄膜来作为软性基板表面上的阻气层。此外,有机薄膜也可作为可挠式显示器中的离型层。
对于目前的制作工艺来说,形成有机薄膜的方法一般为化学气相沉积法。以聚对二甲苯(parylene)为例,首先,将粉末状的聚对二甲苯置于蒸发室中,并加热到150℃以使粉末状的聚对二甲苯汽化。然后,将聚对二甲苯气体传送至裂解室,并加热到650℃以进行裂解。之后,将聚对二甲苯单体传送沉积室,并沉积在基板上。
然而,由于有机材料在蒸发室中容易有受热不均匀的情况发生,使得汽化的有机材料无法稳定地且持续地供应至裂解室。如此一来,经由沉积所形成的有机薄膜会有厚度不均匀与重现性不佳的问题,且无法达到连续生产的目的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种蒸镀装置,其可达到稳定供材的目的。
本发明另一目的在于提供一种有机薄膜的形成方法,其可达到连续沉积且重现性佳的目的。
为达上述目的,本发明提出一种蒸镀装置,其包括储气室、第一蒸发室、压力计、裂解室以及沉积室。第一蒸发室通过第一管路与储气室连接,其中第一管路具有第一阀门。压力计通过第二管路与储气室连接。裂解室通过第三管路与储气室连接,其中第三管路具有第二阀门。沉积室通过第四管路与裂解室连接。
在本发明的一实施例中,还可以具有压力调节阀,通过第五管路与储气室连接。
在本发明的一实施例中,还可以具有第二蒸发室,第二蒸发室通过第六管路与储气室连接,且第六管路具有第三阀门。
本发明另提出一种有机薄膜的形成方法,此方法是先提供蒸镀装置。蒸镀装置包括储气室、第一蒸发室、压力计、裂解室以及沉积室。第一蒸发室通过第一管路与储气室连接,其中第一管路具有第一阀门。压力计通过第二管路与储气室连接。裂解室通过第三管路与储气室连接,其中第三管路具有第二阀门。沉积室通过第四管路与裂解室连接。然后,将第一有机材料置于第一蒸发室中,且关闭第二阀门并开启第一阀门。接着,对第一蒸发室中的第一有机材料进行第一蒸发步骤,以形成第一有机气体,其中第一有机气体通过第一管路而传送至储气室。当压力计测量到储气室的第一有机气体达到预设压力之后,关闭第一阀门并开启第二阀门,以将第一有机气体通过第三管路传送至裂解室。而后,在裂解室中裂解第一有机气体,以形成第一有机单体。之后,将第一有机单体通过第四管路传送至沉积室,以在沉积室中形成第一有机薄膜。
在本发明的一实施例中,上述的第一有机材料为对二甲苯材料。
在本发明的一实施例中,上述的第一有机材料为粉末或液体。
在本发明的一实施例中,上述形成第一有机薄膜后还可以关闭第二阀门。
在本发明的一实施例中,上述之蒸镀装置还可以具有压力调节阀,通过第五管路与储气室连接。
在本发明的一实施例中,上述当压力计测量到储气室的第一有机气体未达到预设压力时,开启压力调节阀,以将压力调节气体通过第五管路传送至储气室。
在本发明的一实施例中,上述的压力调节气体包括惰性气体。
在本发明的一实施例中,上述的蒸镀装置还可以具有第二蒸发室,第二蒸发室通过第六管路与储气室连接,且第六管路具有第三阀门。
在本发明之一实施例中,上述当第一有机材料消耗完之后,还可以先关闭第一阀门,并将第二有机材料置于第二蒸发室中,且开启第三阀门。然后,对第二蒸发室中的第二有机材料进行第二蒸发步骤,以形成第二有机气体,其中第二有机气体通过第六管路而传送至储气室。当压力计测量到储气室的第二有机气体达到预设压力之后,关闭第三阀门并开启第二阀门,以将第二有机气体通过第三管路传送至裂解室。接着,在裂解室中裂解第二有机气体,以形成第二有机单体。而后,将第二有机单体通过第四管路传送至沉积室,以在沉积室中形成第二有机薄膜。
在本发明的一实施例中,上述的第二有机材料为固体或液体。
在本发明的一实施例中,上述形成第二有机薄膜后还可以关闭第二阀门。
在本发明的一实施例中,上述的蒸镀装置还可以具有压力调节阀,通过第五管路与储气室连接。
在本发明之一实施例中,上述当压力计测量到储气室的第二有机气体未达到预设压力时,开启压力调节阀,以将压力调节气体通过第五管路传送至储气室。
在本发明的一实施例中,上述压力调节气体包括惰性气体。
基于上述,本发明在储气室中的气体达到固定压力之后,也就是具有固定量的气体之后,才将气体传送至后续的反应室进行沉积步骤。因此,储气室可稳定地提供气体,以连续地进行沉积制作工艺,使得薄膜的厚度具有极佳的均匀度,以及多片薄膜的厚度之间具有良好的再现性。
为让本发明之上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例所绘示的蒸镀装置的示意图;
图2为本发明的蒸镀装置形成有机薄膜的流程示意图;
图3为本发明另一实施例所绘示的蒸镀装置的示意图。
主要元件符号说明
100、300:蒸镀装置
102:储气室
104:第一蒸发室
106:压力计
108:裂解室
110:沉积室
112:第一管路
114:第一阀门
116:第二管路
118:第三管路
120:第二阀门
122:第四管路
124:压力调节阀
126:第五管路
200~208:步骤
302:第二蒸发室
304:第六管路
306:第三阀门
具体实施方式
图1为依照本发明一实施例所绘示的蒸镀装置。请参照图1,蒸镀装置100包括储气室102、第一蒸发室104、压力计106、裂解室108以及沉积室110。储气室102用以储存来自第一蒸发室104的反应气体。第一蒸发室104通过第一管路112与储气室102连接,其中第一管路112具有第一阀门114。第一蒸发室104用以将材料蒸发而形成反应气体。第一阀门114用以控制反应气体是否由第一蒸发室104传送至储气室102。在一实施例中,第一蒸发室104中例如是配置有材料容器(未绘示),用以盛装待蒸发的材料。
压力计106通过第二管路116与储气室102连接。压力计106用以测量储气室102中的气体压力。裂解室108通过第三管路118与储气室102连接,其中第三管路118具有第二阀门120。裂解室108用以对来自储气室102的反应气体进行热裂解。第二阀门120用以控制反应气体是否由储气室102传送至裂解室108。沉积室110通过第四管路122与裂解室108连接。沉积室110以来自裂解室108的反应气体进行沉积,诸如化学气相沉积,以在沉积室110中的待沉积基板上形成薄膜。上述的第一、第二阀门114、120可分别例如为气动阀。
另外,蒸镀装置100还具有压力调节阀124,通过第五管路126与储气室102连接。压力调节阀124用以供应压力调节气体至储气室102,以调节储气室102的气体压力。特别一提的是,由于蒸发后的反应气体处于低于汽化温度的环境中非常容易沉积,因此蒸镀装置100的储气室102通常具有恒温控制装置(未绘示),使得蒸发后的反应气体能维持在汽化状态。在一实施例中,蒸镀装置100还具有载气供应管线(未绘示),通过一管路(未绘示)与储气室102连接。载气供应管线用以供应载气,将储气室102中的反应气体经由第三管路118携带至裂解室108。在一实施例中,沉积室110中例如是配置有支撑件(未绘示),用以放置基板。
在蒸镀装置100中,储气室102分别通过第一、第三管路112、118与第一蒸发室104、裂解室108连接,且第一、第三管路112、118分别具有第一、第二阀门114、120来控制反应气体的传送。此外,第一、第二阀门114、120
Figure BDA0000106830590000051
分别与压力计106电连接,因此压力计106可根据储气室102的气体压力来分别控制第一、第二阀门114、120的开启与关闭。详言之,当压力计106测量到储气室102中的气体未达到预设压力时,可以通过关闭第二阀门120来避免反应气体进入裂解室108中,且可以通过开启第一阀门114使反应气体进入储气室102中。由理想气体方程式(PV=nRT)可知,在压力(P,此处为预设压力)、体积(V)、温度(T)皆为定值的状态下,前述的气体未达到预设压力意即反应气体的量未达到预设量。因此,开启第一阀门114使反应气体进入储气室102中。
此外,当压力计106测量到储气室102中的气体达到预设压力(意即气体的量达到预设量)时,可以关闭第一阀门114并开启第二阀门120,以使反应气体传送至裂解室108来进行热裂解。由于传送至裂解室108的反应气体为固定量的气体,因此可进行连续沉积制作工艺,使得薄膜的厚度具有良好的均匀度,以及多片薄膜的厚度之间具有良好的再现性。此外,使用者可以简单地通过设定反应气体的预设压力来控制沉积在基板上的薄膜的厚度,且薄膜的厚度可以具有良好的均匀度。
以下将以利用蒸镀装置100进行有机薄膜的沉积制作工艺为例作说明。
图2为利用本发明之蒸镀装置形成有机薄膜的流程示意图。请同时参照图1与图2,首先,在步骤200中,将有机材料置于第一蒸发室104中。有机材料例如为粉末,诸如对二甲苯二聚体粉末。或者是,有机材料例如为液体,诸如对二甲苯单体原料、六甲基二硅烷(hexamethyldisilane,HMDS)、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane,HMDSO)、六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane,HMDSN)、四甲基硅烷(tetramethylsilane,TMS)、四乙氧基硅烷(tetraethyl orthosilicate,TEOS)等液体。然后,关闭通往裂解室108的第二阀门120,以及开启通往储气室102的第一阀门114。
然后,在步骤202中,对第一蒸发室104中的有机材料进行蒸发步骤。在进行蒸发的过程中,由于第一蒸发室104的温度是由室温上升至有机材料的汽化温度(以对二甲苯为例,约150℃),使得刚开始进行蒸发时所形成的有机气体的蒸发速度并不稳定。然而,在本实施例中,此时的气体会被储存在储气室102中,而不会直接被传送至裂解室108,因此能避免后续沉积制作工艺受到有机材料之蒸发速度不稳定的影响。
接着,在步骤204中,当压力计106测量到储气室102的有机气体达到预设压力之后,关闭第一阀门114并开启第二阀门120,以将有机气体通过第三管路118传送至裂解室108。换言之,使用者可设定预设压力,一旦储气室102的有机气体达到预设压力,由理想气体方程式(PV=nRT)可知储气室102的气体为一固定量,此时才将有机气体传送至裂解室108。在一实施例中,储气室102的温度例如是介于50℃至300℃,以及预设压力例如是介于50mtorr至1000mtorr。再者,在一实施例中,当压力计106测量到储气室102的有机气体未达到预设压力时,可开启压力调节阀124,以将压力调节气体通过第五管路126传送至储气室102。压力调节气体可以是惰性气体,诸如氩气、氦气、氮气等。
而后,在步骤206中,在裂解室108中裂解有机气体,以形成有机单体。
之后,在步骤208中,将有机单体通过第四管路122传送至沉积室110,以在沉积室110中形成有机薄膜。在一实施例中,有机薄膜例如是形成于沉积室110中的基板上,以及基板例如是置于沉积室110中的支撑件(未绘示)上。
图3为依照本发明另一实施例所绘示的蒸镀装置之示意图。在图3中,与图1中相同的标号即代表相同的元件,在此不另行描述。请参照图3,蒸镀装置300与蒸镀装置100的差异在于:蒸镀装置300除了具有与蒸镀装置100相同的元件之外,还具有第二蒸发室302。第二蒸发室302通过第六管路304与储气室102连接,且第六管路304具有第三阀门306。第三阀门306用以控制气体是否由第二蒸发室302传送至储气室102。上述的第三阀门306可例如为气动阀。
在利用蒸镀装置300进行沉积制作工艺时,当第一蒸发室104中的材料消耗完之后,可以关闭第一阀门114,并立即改用第二蒸发室302中的材料继续进行沉积制作工艺。
举例来说,在利用蒸镀装置300进行有机薄膜的沉积制作工艺中,在第一蒸发室104将一第一有机材料蒸发之前,先关闭第三阀门306,以避免不必要的气体进入第二蒸发室302中,也就是说,在使用第一蒸发室104而关闭第二阀门120并开启第一阀门114时,第三阀门306为关闭状态,此时第一蒸发室104中的第一有机材料进行第一蒸发步骤,以形成第一有机气体,第一有机气体通过第一管路112而传送至储气室102。当压力计106测量到储气室102的第一有机气体达到预设压力之后,关闭第一阀门114并开启第二阀门120,以将第一有机气体通过第三管路118传送至裂解室108。第一有机气体在裂解室108中裂解,以形成第一有机单体,最后将第一有机单体通过第四管路122传送至沉积室110,以在沉积室110中形成第一有机薄膜。当第一蒸发室104中的第一有机材料消耗完之后,关闭第一阀门114,将第二有机材料置于第二蒸发室302中,并开启第三阀门306。接着对第二蒸发室302中的第二有机材料进行第二蒸发步骤,以形成第二有机气体。同样地,在储气室102的第二有机气体达到预设压力之前,维持开启第三阀门306,以将第二有机气体通过第六管路304经过第三阀门306而传送至储气室102。在储气室102的第二有机气体达到预设压力之后,则关闭第三阀门306并开启第二阀门120,以将第二有机气体通过通过第三管路118而传送至裂解室108。之后,依序在裂解室108中进行第二有机气体的热裂解步骤,以形成第二有机单体,并使第二有机单体通过第四管路传送至沉积室110,在沉积室110中进行沉积步骤,以在沉积室110中的基板上形成第二有机薄膜。一般来说,第一有机材料与第二有机材料相同,且可参照前一实施例中所述的有机材料。
在本实施例中,由于蒸镀装置300具有二个蒸发室,因此在第一蒸发室104中的材料消耗完之后,只需改用第二蒸发室302继续进行化学气相沉积制作工艺,而暂时停用的第一蒸发室104即可补充加入材料,待第二蒸发室302中的材料消耗完后,则再改用补充材料后的第一蒸发室104,如此的交替使用蒸发室,即可达到不需停机更换材料,而可以连续生产的目的。特别一提的是,在其他实施例中,蒸镀装置也可以视实际需求而设置有二个以上的蒸发室。再者,上述实施例中的蒸镀装置适用于软性显示器、可挠式太阳能电池以及薄膜封装等制作工艺中,以形成诸如离型层、阻气层等元件。
值得一提的是,在现有的有机薄膜形成方法中,由于有机材料在蒸发是受热汽化时,容易因为材料受热不均以及材料体积变化呈非线性等因素,造成有机材料的汽化速率会随着有机材料的减少而递减,导致以所形成的多片薄膜在厚度上具有极大的差异(诸如15%~20%)。换言之,沉积制作工艺的再现性不佳。然而,在上述实施例中,是在储存室中储存固定量的气体之后,才将气体传送至后续的反应室进行沉积步骤。因此,储气室可稳定地提供气体,以连续地进行沉积制作工艺,使得薄膜的厚度具有良好的均匀度,以及多片薄膜的厚度之间具有良好的再现性(厚度差异诸如是小于5%)。
综上所述,本发明的蒸镀装置具有储气室、压力计、第一阀门及第二阀门,储气室用以储存来自蒸发室的反应气体,压力计用以测量储气室的气体压力,第一阀门控制气体是否由蒸发室传送至储气室,以及第二阀门控制气体是否由储气室传送至裂解室。在储气室中的气体达到固定压力之后,才通过关闭第一阀门并开启第二阀门,将气体传送至后续的反应室进行沉积步骤。因此,储气室可稳定地提供气体,以连续地进行沉积制作工艺,使得薄膜的厚度具有良好的均匀度,以及多片薄膜的厚度之间具有良好的再现性。此外,可以通过在蒸镀装置中设置多个蒸发室,通过交替使用蒸发室,可达到不需停机更换材料,而可以连续生产的目的。
虽然结合以上实施例揭露了本发明,然而其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中熟悉此技术者,在不脱离本发明的精神和范围内,可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (17)

1.一种蒸镀装置,其特征在于包括:
储气室;
第一蒸发室,通过一第一管路与该储气室连接,其中该第一管路具有第一阀门;
压力计,通过一第二管路与该储气室连接;
裂解室,通过一第三管路与该储气室连接,其中该第三管路具有第二阀门;以及
沉积室,通过一第四管路与该裂解室连接。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,还包括压力调节阀,通过一第五管路与该储气室连接。
3.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,还包括第二蒸发室,该第二蒸发室通过一第六管路与该储气室连接,且该第六管路具有第三阀门。
4.一种有机薄膜的形成方法,其特征在于包括:
提供一蒸镀装置,该蒸镀装置包括:
储气室;
第一蒸发室,通过一第一管路与该储气室连接,其中该第一管路具有第一阀门;
压力计,通过一第二管路与该储气室连接;
裂解室,通过一第三管路与该储气室连接,其中该第三管路具有一第二阀门;以及
沉积室,通过一第四管路与该裂解室连接;
将一第一有机材料置于该第一蒸发室中,且关闭该第二阀门并开启该第一阀门;
对该第一蒸发室中的该第一有机材料进行一第一蒸发步骤,以形成一第一有机气体,其中该第一有机气体通过该第一管路而传送至该储气室;
当该压力计测量到该储气室的该第一有机气体达到一预设压力之后,关闭该第一阀门并开启该第二阀门,以将该第一有机气体通过该第三管路传送至该裂解室;
在该裂解室中裂解该第一有机气体,以形成一第一有机单体;以及
将该第一有机单体通过该第四管路传送至该沉积室,以在该沉积室中形成一第一有机薄膜。
5.根据权利要求4所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,该第一有机材料为对二甲苯材料。
6.根据权利要求4所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,该第一有机材料为粉末或液体。
7.根据权利要求4所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,该预设压力介于50mtorr至1000mtorr。
8.根据权利要求4所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,该蒸镀装置还包括压力调节阀,通过一第五管路与该储气室连接。
9.根据权利要求8所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,当该压力计测量到该储气室的该第一有机气体未达到该预设压力时,开启该压力调节阀,以将一压力调节气体通过该第五管路传送至该储气室。
10.根据权利要求9所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,该压力调节气体包括惰性气体。
11.根据权利要求4所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,该蒸镀装置还包括第二蒸发室,该第二蒸发室通过一第六管路与该储气室连接,且该第六管路具有第三阀门。
12.根据权利要求11所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,当该第一有机材料消耗完之后,还包括:
关闭该第一阀门,并将一第二有机材料置于该第二蒸发室中,且开启该第三阀门;
对该第二蒸发室中的该第二有机材料进行一第二蒸发步骤,以形成一第二有机气体,其中该第二有机气体通过该第六管路而传送至该储气室;
当该压力计测量到该储气室的该第二有机气体达到一预设压力之后,关闭该第三阀门并开启该第二阀门,以将该第二有机气体通过该第三管路传送至该裂解室;
在该裂解室中裂解该第二有机气体,以形成一第二有机单体;以及
将该第二有机单体通过该第四管路传送至该沉积室,以在该沉积室中形成一第二有机薄膜。
13.根据权利要求12所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,该第二有机材料为固体或液体。
14.根据权利要求12所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,形成该第二有机薄膜后还包括关闭该第二阀门。
15.根据权利要求12所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,该蒸镀装置还包括压力调节阀,通过一第五管路与该储气室连接。
16.根据权利要求15所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,当该压力计测量到该储气室的该第二有机气体未达到一预设压力时,开启该压力调节阀,以将一压力调节气体通过该第五管路传送至该储气室。
17.根据权利要求16所述的有机薄膜的形成方法,其特征在于,该压力调节气体包括惰性气体。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104775090A (zh) * 2015-04-10 2015-07-15 安徽铜峰电子股份有限公司 用于形成金属化薄膜屏带的喷涂装置
CN104878345A (zh) * 2015-06-16 2015-09-02 广东易能纳米科技有限公司 一种纳米材料真空镀膜机
CN106191780A (zh) * 2016-07-06 2016-12-07 深圳安吉尔饮水产业集团有限公司 一种分子铜和一种在涉水金属表面覆膜的方法
TWI626326B (zh) * 2016-11-11 2018-06-11 財團法人工業技術研究院 具擴散裝置之蒸鍍系統
CN110621803A (zh) * 2018-04-18 2019-12-27 应用材料公司 用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源、沉积设备、用于测量已蒸发材料的蒸汽压力的方法、及用于确定已蒸发材料的蒸发率的方法
CN115354312A (zh) * 2022-07-29 2022-11-18 北京北方华创微电子装备有限公司 一种特种气体安全控制方法和半导体工艺设备

Families Citing this family (243)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI564427B (zh) * 2009-12-18 2017-01-01 財團法人工業技術研究院 聚對二甲苯薄膜的形成方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6225837B2 (ja) 2014-06-04 2017-11-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、記憶媒体
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6354539B2 (ja) * 2014-11-25 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10743421B2 (en) * 2016-06-17 2020-08-11 Hzo, Inc. Mixing dimers for moisture resistant materials
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
DE102018004987B4 (de) * 2018-06-20 2022-08-25 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bereitstellung von Dampf
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
US11788190B2 (en) * 2019-07-05 2023-10-17 Asm Ip Holding B.V. Liquid vaporizer
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06128728A (ja) * 1992-10-16 1994-05-10 Vacuum Metallurgical Co Ltd 超微粒子のガスデポジション方法及び装置
CN101469415A (zh) * 2007-12-25 2009-07-01 财团法人工业技术研究院 等离子体辅助有机薄膜沉积装置
CN102115876A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 财团法人工业技术研究院 化学气相沉积装置与聚对二甲苯薄膜的形成方法

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110531A (en) * 1991-02-25 2000-08-29 Symetrix Corporation Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition
DE4236324C1 (zh) * 1992-10-28 1993-09-02 Schott Glaswerke, 55122 Mainz, De
US5424097A (en) * 1993-09-30 1995-06-13 Specialty Coating Systems, Inc. Continuous vapor deposition apparatus
US5534068A (en) * 1995-10-27 1996-07-09 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene deposition apparatus including a tapered deposition chamber and dual vacuum outlet pumping arrangement
US5536319A (en) * 1995-10-27 1996-07-16 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene deposition apparatus including an atmospheric shroud and inert gas source
US5709753A (en) * 1995-10-27 1998-01-20 Specialty Coating Sysetms, Inc. Parylene deposition apparatus including a heated and cooled dimer crucible
TW340876B (en) 1996-03-27 1998-09-21 Nisshin Steel Co Ltd Method and apparatus for controlling the deposition amount of a plating metal as well as method and apparatus for measuring the amount of a metal vapor
JP3580645B2 (ja) * 1996-08-12 2004-10-27 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
US5865205A (en) * 1997-04-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Dynamic gas flow controller
JP3586075B2 (ja) * 1997-08-15 2004-11-10 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
US6217659B1 (en) * 1998-10-16 2001-04-17 Air Products And Chemical, Inc. Dynamic blending gas delivery system and method
DE10005820C1 (de) * 2000-02-10 2001-08-02 Schott Glas Gasversorungsvorrichtung für Precursoren geringen Dampfdrucks
US6500264B2 (en) 2001-04-06 2002-12-31 Wafermasters, Inc. Continuous thermal evaporation system
JP4704605B2 (ja) 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP3725822B2 (ja) * 2001-12-27 2005-12-14 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード フッ素ガス生成及び供給装置
JP4195819B2 (ja) * 2003-01-17 2008-12-17 忠弘 大見 弗化水素ガスの流量制御方法及びこれに用いる弗化水素ガス用流量制御装置
US7232588B2 (en) 2004-02-23 2007-06-19 Eastman Kodak Company Device and method for vaporizing temperature sensitive materials
US7628860B2 (en) * 2004-04-12 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
US7204158B2 (en) * 2004-07-07 2007-04-17 Parker-Hannifin Corporation Flow control apparatus and method with internally isothermal control volume for flow verification
DE102004052580B4 (de) * 2004-10-29 2008-09-25 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Vorrichtung und Verfahren zum Zuführen von Vorstufengasen zu einer Implantationsanlage
JP4911555B2 (ja) * 2005-04-07 2012-04-04 国立大学法人東北大学 成膜装置および成膜方法
JP4856905B2 (ja) * 2005-06-27 2012-01-18 国立大学法人東北大学 流量レンジ可変型流量制御装置
DE102006026576A1 (de) 2006-06-06 2008-01-10 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines pulverförmigen organischen Ausgangsstoffs
JP4605790B2 (ja) * 2006-06-27 2011-01-05 株式会社フジキン 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。
US7640078B2 (en) * 2006-07-05 2009-12-29 Advanced Energy Industries, Inc. Multi-mode control algorithm
JP5073751B2 (ja) * 2006-10-10 2012-11-14 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 前駆体送出システム
JP5461786B2 (ja) * 2008-04-01 2014-04-02 株式会社フジキン 気化器を備えたガス供給装置
DE102009003781A1 (de) 2008-06-03 2009-12-10 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden eines dünnschichtigen Polymers in einer Niederdruckgasphase
DE102008026974A1 (de) 2008-06-03 2009-12-10 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten aus polymeren Para-Xylylene oder substituiertem Para-Xylylene
KR101578220B1 (ko) * 2008-10-31 2015-12-16 가부시키가이샤 호리바 세이샤쿠쇼 재료가스 농도 제어 시스템
JP5341986B2 (ja) 2009-04-24 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 蒸着処理装置および蒸着処理方法
US20110056729A1 (en) 2009-09-09 2011-03-10 Cochlear Limited Insulated conductive element having a substantially continuous barrier layer formed through continuous vapor deposition
JP5520552B2 (ja) * 2009-09-11 2014-06-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
TWI435196B (zh) * 2009-10-15 2014-04-21 Pivotal Systems Corp 氣體流量控制方法及裝置
TWI564427B (zh) * 2009-12-18 2017-01-01 財團法人工業技術研究院 聚對二甲苯薄膜的形成方法
US8997686B2 (en) * 2010-09-29 2015-04-07 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
CN101956176B (zh) 2010-09-30 2012-05-02 东莞宏威数码机械有限公司 连续蒸镀设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06128728A (ja) * 1992-10-16 1994-05-10 Vacuum Metallurgical Co Ltd 超微粒子のガスデポジション方法及び装置
CN101469415A (zh) * 2007-12-25 2009-07-01 财团法人工业技术研究院 等离子体辅助有机薄膜沉积装置
CN102115876A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 财团法人工业技术研究院 化学气相沉积装置与聚对二甲苯薄膜的形成方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104775090A (zh) * 2015-04-10 2015-07-15 安徽铜峰电子股份有限公司 用于形成金属化薄膜屏带的喷涂装置
CN104775090B (zh) * 2015-04-10 2017-05-17 安徽铜峰电子股份有限公司 用于形成金属化薄膜屏带的喷涂装置
CN104878345A (zh) * 2015-06-16 2015-09-02 广东易能纳米科技有限公司 一种纳米材料真空镀膜机
CN106191780A (zh) * 2016-07-06 2016-12-07 深圳安吉尔饮水产业集团有限公司 一种分子铜和一种在涉水金属表面覆膜的方法
TWI626326B (zh) * 2016-11-11 2018-06-11 財團法人工業技術研究院 具擴散裝置之蒸鍍系統
CN110621803A (zh) * 2018-04-18 2019-12-27 应用材料公司 用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源、沉积设备、用于测量已蒸发材料的蒸汽压力的方法、及用于确定已蒸发材料的蒸发率的方法
CN110621803B (zh) * 2018-04-18 2022-07-12 应用材料公司 用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源、沉积设备、用于测量已蒸发材料的蒸汽压力的方法、及用于确定已蒸发材料的蒸发率的方法
CN115354312A (zh) * 2022-07-29 2022-11-18 北京北方华创微电子装备有限公司 一种特种气体安全控制方法和半导体工艺设备
CN115354312B (zh) * 2022-07-29 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 一种特种气体安全控制方法和半导体工艺设备

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Publication number Publication date
TW201315825A (zh) 2013-04-16
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US20130089667A1 (en) 2013-04-11

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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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