CN110621803B - 用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源、沉积设备、用于测量已蒸发材料的蒸汽压力的方法、及用于确定已蒸发材料的蒸发率的方法 - Google Patents

用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源、沉积设备、用于测量已蒸发材料的蒸汽压力的方法、及用于确定已蒸发材料的蒸发率的方法 Download PDF

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Abstract

描述了一种用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源(100)。蒸发源包括坩埚(110)，坩埚(110)用于材料蒸发；分配组件(120)，分配组件(120)具有一个或多个出口(125)，所述一个或多个出口(125)用于提供已蒸发材料至基板，分配组件与坩埚流体连通；和测量组件(130)。测量组件包括管(140)，管将分配组件(120)的内部空间(121)与压力传感器(145)连接。

Description

用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源、沉积设备、用于测量 已蒸发材料的蒸汽压力的方法、及用于确定已蒸发材料的蒸 发率的方法
技术领域
本公开内容的各实施方式涉及用于沉积已蒸发材料于基板上的沉积源。具体地，本公开内容的各实施方式涉及具有测量装置的蒸发源，所述测量装置用于确定已蒸发材料的蒸发率，具体是确定已蒸发有机材料的蒸发率。此外，本公开内容的各实施方式涉及测量蒸发源中的已蒸发材料的蒸汽压力的方法，以及涉及确定已蒸发材料的蒸发率的方法。此外，本公开内容的各实施方式涉及沉积设备，具体是用于制造有机发光二极管(organiclight-emitting diode，OLED)的真空沉积设备。
背景技术
有机蒸发器是用于制造有机发光二极管(OLED)的工具。OLED是一种特殊形式的发光二极管，其中发光层包括特定有机化合物的薄膜。有机发光二极管(OLED)被用来制造用于显示信息的电视屏幕、电脑显示器、移动电话、其他手持装置等。OLED也可用来作为一般空间照明用途。OLED显示器的可行的颜色、亮度、和视角的范围大于传统的液晶显示器(LCD)的可行的颜色、亮度、和视角的范围，因为OLED像素直接地发光且不包含背光。因此，相较于传统的LCD的能量损耗，OLED显示器的能量损耗相当地少。此外，可制造于柔性基板上的OLED的事实导致其他的应用。
OLED的功能依赖于有机材料的涂布厚度。厚度必须在预定的范围内。在制造OLED中，利用有机材料进行涂布的沉积速率被控制在预定的公差范围内。也就是说，必须在生产过程中完全地控制有机蒸发器的沉积速率。
因此，针对OLED应用，但也针对其他蒸发工艺来说，需要较长时间内蒸发率的高准确性。多个测量系统可用来测量蒸发器的蒸发率。然而，这些测量系统在有关于搬运、可靠性、维护、准确性、整个操作时间的足够稳定性、及成本效益上显示出一些缺陷。
因此，对于克服本技术领域的至少一些问题的具有改善的测量系统来测量蒸发率的蒸发源和沉积设备，以及对于用于测量蒸发率的改善的方法有持续的需求。
发明内容
有鉴于上述，提供根据独立权利要求的一种用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源，一种用于将材料施加至基板的沉积设备，一种用于测量在蒸发源中的蒸汽压力的方法，及一种用于确定在蒸发源中的已蒸发材料的蒸发率的方法。其他方面、优点、和特征藉由从属权利要求、说明书、及附图更为清楚。
根据本公开内容的一方面，提供一种用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源。蒸发源包括坩埚，用于材料蒸发；和分配组件，具有一个或多个出口，用于提供已蒸发材料至基板。分配组件与坩埚流体连通。此外，蒸发源包括测量组件，所述测量组件包括管(tube)，所述管将分配组件的内部空间与压力传感器连接。
根据本公开内容的其他方面，提供一种用于沉积多种已蒸发材料于基板上的蒸发源。蒸发源包括第一坩埚，用于蒸发第一材料；和第一分配组件，具有一个或多个出口，用于提供第一已蒸发材料至基板。第一分配组件与第一坩埚流体连通。此外，蒸发源包括第二坩埚，用于蒸发第二材料；第二分配组件，具有一个或多个出口，用于提供第二已蒸发材料至基板。第二分配组件与第二坩埚流体连通。此外，蒸发源包括测量组件，所述测量组件包括管布置和净化气体导引布置。管布置具有第一管和第二管。第一管将第一分配组件的第一内部空间与压力传感器连接。第二管将第二分配组件的第二内部空间与所述压力传感器连接。此外，净化气体导引布置具有第一净化气体导引装置及第二净化气体导引装置，第一净化气体导引装置连接至第一管，第二净化气体导引装置连接至第二管。
根据本公开内容的其他方面，提供一种用于沉积已蒸发材材料于基板上的蒸发源。蒸发源包括坩埚，用于材料蒸发；和分配组件，具有一个或多个出口，用于提供已蒸发材料至基板。分配组件与坩埚流体连通。此外，蒸发源包括测量组件，所述测量组件包括管，所述管将坩埚的内部空间与压力传感器连接。
根据本公开内容的另一方面，提供一种用于将材料施加至基板的沉积设备。沉积设备包括真空腔室；和蒸发源，所述蒸发源设置于真空腔室中。蒸发源包括坩埚和分配组件。此外，沉积设备包括测量组件，用于测量分配组件中的蒸汽压力。测量组件包括管，所述管具有第一端和第二端。管的第一端被布置于分配组件的内部空间中。管的第二端连接至压力传感器。
根据本公开内容的其他方面，提供一种测量蒸发源中的蒸汽压力的方法。蒸发源具有坩埚和分配组件。测量蒸发源中的蒸汽压力的方法包括提供测量组件。测量组件包括管，管具有第一端和第二端。此外，所述方法包括将第一端布置于分配组件的内部空间中；和将第二端连接至压力传感器。此外，所述方法包括蒸发材料来用于提供已蒸发材料；从坩埚导引已蒸发材料至分配组件中；和利用压力传感器测量提供于管的第二端的压力。
根据本公开内容的再一方面，提供一种用于确定蒸发源中的已蒸发材料的蒸发率的方法。用于确定蒸发率的方法包括测量蒸发源中的已蒸发材料的蒸汽压力。此外，所述方法包括从已测量的蒸汽压力计算蒸发率。
根据本公开内容的其他方面，提供一种测量蒸发源中的蒸汽压力差的方法。蒸发源具有坩埚和分配组件。方法包括提供第一测量组件，第一测量组件包括管，所述管将分配组件的内部空间与第一压力传感器连接。管具有管开口，管开口提供于分配组件的内部空间中的第一位置处。此外，方法包括提供第二测量组件，第二测量组件包括其他管，所述其他管将蒸发源的内部空间与第二压力传感器连接。所述其他管具有其他管开口，所述其他管开口提供于分配组件的内部空间中的第二位置处。或者，所述其他管开口提供于坩埚的内部空间中的第二位置处。此外，所述方法包括利用第一压力传感器和第二压力传感器测量蒸发源中的蒸汽压力差。
各实施方式涉及用于执行所披露的方法的设备，且包括用于执行每个所描述的方法方面的设备部件。这些方法方面可藉由硬件部件、由合适软件编程的计算机、两者的任何结合或任何其他方式执行。此外，根据本公开内容的各实施方式也涉及用于操作所描述的设备的方法。用于操作所描述的设备的方法包括用于执行设备的各功能的方法方面。
附图说明
为了使本公开内容的上述特征可详细地理解，简要概述于上的本公开内容的更具体的说明可参照各实施方式。附图涉及本公开内容的各实施方式并且描述如下：
图1绘示根据本文所述实施方式的蒸发源的示意图；
图2至图5及图6A至图6D绘示根据本文所述其他实施方式的蒸发源的示意图；
图7绘示根据本文所述其他实施方式的蒸发源的截面俯视图；
图8A及图8B绘示根据本文所述实施方式的沉积设备的示意图；
图9绘示根据本文所述其他实施方式的沉积设备的示意图；
图10A及图10B绘示根据本文所述实施方式的测量在蒸发源中的蒸汽压力的方法的流程图；
图11绘示根据本文所述实施方式的用于确定在蒸发源中的已蒸发材料的蒸发率的方法的流程图；和
图12绘示根据本文所述实施方式的测量在蒸发源中的蒸汽压力差的方法的流程图。
具体实施方式
现将详细参照本公开内容的各实施方式，本公开内容的各实施方式的一个或多个例子绘示于附图中。在以下对各图的说明中，相同的参考数字表示相同的部件。仅关于各个实施方式的相异处进行说明。各例子藉由说明本公开内容的方式提供且不意味为本公开内容的限制。此外，所说明或叙述而作为一个实施方式的一部分的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式结合，以取得其他实施方式。本说明书意在包括这些修改和变化。
示例性参照图1，描述根据本公开内容的用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源100。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的各实施方式，蒸发源100包括坩埚110和分配组件120，坩埚110用于材料蒸发。举例来说，分配组件120可为分配管或分配管道(distribution pipe)。分配组件120包括一个或多个出口125，用于提供已蒸发材料至基板10，如图1中所示例性示出的。举例来说，此一个或多个出口可为喷嘴。此外，分配组件120与坩埚流体连通。举例来说，分配组件可经由连接导管113连接至坩埚，如图1中所示例性示出的。此外，蒸发源100包括测量组件130，测量组件130包括管140，管140将分配组件120的内部空间121连接至压力传感器145。因此，压力传感器可有利地用以测量分配组件的内部空间中的已蒸发材料的蒸汽压力。由于蒸发率为分配组件中的蒸汽压力的直接函数(directfunction)，因此测量组件130可用于确定蒸发率。因此，本文所述的各实施方式有利地提供用于执行原位蒸汽压力测量和原位确定蒸发率。
因此，相较于传统的蒸发源，特别是有关于用于确定蒸发率的测量系统而言，本文所述的蒸发源的各实施方式有所改善。更具体地，藉由提供配置以用于从已测量的蒸汽压力来确定蒸发率的测量组件，可克服传统的蒸发率测量系统的一个或多个缺陷，具体是石英晶体微天平(quartz crystal microbalance，QCM)的一个或多个缺陷。举例来说，用于蒸发率测量的石英晶体微天平可能具有有关于操控、可靠性、维修、准确性、整个操作时间的足够稳定性、及成本效益的一些缺陷。为了测量沉积速率，QCM包括振荡晶体(oscillationcrystal)，用于藉由测量振荡晶体共振器的频率的改变，测量每单位面积的振荡晶体上的已沉积材料的质量变化。为了最佳化测量准确性，需冷却QCM，举例为藉由使用氮气的气体冷却来进行冷却。因此，利用QCM的沉积速率测量系统通常需要大量的氮气。此外，需定期移除振荡晶体上的已沉积材料，举例为藉由加热来移除。此外，QCM可能难以集成并且受限于连续的操作/测量，而造成成本增加。本文所述的蒸发源的测量组件至少部分地或甚至是完全地克服有关于利用QCM来确定蒸发率的相关问题。
在更详细地描述本公开内容的各个其他实施方式之前，对有关于一些术语的一些方面进行说明。
在本公开内容中，“用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源”可理解为一装置或组件，被配置为用于提供待沉积的已蒸发材料于基板上。因此，“蒸发源”通常被配置为用于沉积已蒸发材料于基板上。具体地，蒸发源可被配置为用于沉积举例为OLED显示器制造的有机材料于大面积基板上。
举例来说，“大面积基板”可具有0.5m2或更大的主表面面积，具体是1m2或更大的主表面面积。在一些实施方式中，大面积基板可为第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代，第4.5代对应于约0.67m2的基板(0.73m x 0.92m)、第5代对应于约1.4m2的基板(1.1m x 1.3m)、第7.5代对应于约4.29m2的基板(1.95m x 2.2m)、第8.5代对应于约5.7m2的基板(2.2m x 2.5m)、第10代对应于约8.7m2的基板(2.85m×3.05m)。可以类似的方式实施甚至诸如是第11代及第12代的更高代及对应的基板面积。
在本公开内容中，术语“基板”可具体是包含基本上非柔性基板，举例为晶片、诸如是蓝宝石或类似者的透明晶体片、或玻璃板材。然而，本公开内容不限于此，且术语“基板”也可包含柔性基板，诸如卷材(web)或箔。术语“基本上非柔性”被理解为与“柔性”有所区别。具体地，基本上非柔性基板可具有某种程度的柔性，举例为具有0.5mm或以下的厚度的玻璃板材，其中基本上非柔性基板的柔性较柔性基板小。根据本文所述的各实施方式，基板可由适用于材料沉积的任何材料制成。举例来说，基板可由选自由以下材料构成的组的材料制成：玻璃(例如钠钙玻璃(soda-lime glass)、硼硅玻璃(borosilicate glass)等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料或任何其他材料或可由沉积工艺进行涂布的材料的组合。
在本公开内容中，“用于材料蒸发的坩埚”可理解为一坩埚，被配置为用于蒸发提供于坩埚中的材料。“坩埚”可理解为具有容置槽(reservoir)的装置，用于藉由加热坩埚来蒸发材料。因此，“坩埚”可理解为源材料容置槽，可加热以藉由蒸发和升华源材料的至少一者来将源材料汽化成气体。一般来说，坩埚包括加热器，以于坩埚中汽化源材料成气态源材料。举例来说，待蒸发的材料最初可为粉末形式。容置槽可具有内部容积，用于容置待蒸发的源材料，源材料举例为有机材料。举例来说，坩埚的容积可为100cm3与3000cm3之间，具体是700cm3与1700cm3之间，更具体是1200cm3。具体地，坩埚可包括加热单元，加热单元被配置为用于加热提供于坩埚的内部容积中的源材料达到源材料蒸发的温度。举例来说，坩埚可为用于蒸发有机材料的坩埚，此有机材料举例为具有约100℃至约600℃的蒸发温度的有机材料。因此，在本公开内容中，术语“已蒸发材料”可意指为已蒸发有机材料，特别是适用于OLED制造的已蒸发有机材料。
在本公开内容中，“分配组件”可理解为一组件，被配置为用于从分配组件提供已蒸发材料至基板，具体是用于从分配组件提供已蒸发材料的羽流(plume)至基板。举例来说，分配组件可包括分配管道，分配管道可为细长立方体。举例来说，本文所述的分配管道可提供线源(line source)，线源具有多个开口和/或喷嘴，这些开口和/或喷嘴布置成沿着分配组件的长度的至少一条线。举例来说，分配组件可由钛制成，具体是分配管道可由钛制成。
因此，分配组件可为直线分配喷头，举例为具有设置于其中的多个开口(或细长狭缝)。此外，一般来说，分配组件可具有壳件(enclosure)、中空空间、或管道，已蒸发材料可于壳件、中空空间、或管道中例如从蒸发坩埚提供或导引至基板。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的各实施方式，分配管道的长度可至少对应于待沉积的基板的高度。具体地，分配管道的长度可比待沉积的基板的高度长至少10％或甚至是20％。举例来说，分配管的长度可为1.3m或以上，举例为2.5m或以上。因此，可于基板的上端和/或基板的下端处提供均匀的沉积。根据替代的配置，分配组件可包括一个或多个点源，此一个或多个点源可沿着垂直轴布置。
因此，本文所述的“分配组件”可被配置为提供线源，线源本质上垂直延伸。在本公开内容中，术语“本质上垂直”具体在意指基板定向时理解为从垂直方向10°或以下的偏差。可提供此偏差，因为具有从垂直定向的一些偏差的基板支撑件可导致更稳定的基板位置。此外，在有机材料沉积期间，基板定向被视为本质上垂直，而不同于水平基板定向。因此，基板的表面可藉由线源及平移运动来进行涂布，线源沿着对应于一个基板维度的一个方向延伸，平移运动沿着对应于另一基板维度的另一个方向。
在本公开内容中，“测量组件”可理解为一组件，具有测量装置来执行测量，具体是执行压力测量。更具体地，一般来说，测量组件包括压力传感器，压力传感器举例为经由如图1中所示的管140与分配组件的内部空间连接。举例来说，管140可具有1.0mm≤D≤7.5mm，具体是D＝5mm±1mm的直径D。一般来说，测量组件的管的直径D在管的整个长度上为恒定的。管的长度L可0.5m≤L≤2.0m，举例为L＝1.0m±0.1m。测量组件130的管140的直径D在图3中示例性示出。
“压力传感器”可理解为一装置，被配置为用于测量压力。举例来说，压力传感器可为选自由以下构成的组的压力传感器：机械压力传感器、具体是电容膜片压力计(capacitive diaphragm gauge，CDG)的电容压力传感器、和热传导/对流真空计(thermalconductivity/convection vacuum gauge)(皮拉尼类型(pirani type))。根据一示例，压力传感器可为高精度膜片压力计。高精度膜片压力计具体是全面有利地提供具有高准确性、高分辨率、高稳定性及再现性的测量。
如图2中所示例性示出的，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，管140包括第一部140A，第一部140A布置于分配组件120的内部空间121中。此外，管140包括第二部140B，第二部140B布置于分配组件120的外侧。因此，将分配组件120的内部空间121连接至压力传感器145的管140可在分配组件之侧加热，并且可在压力传感器145之侧维持于室温。
一般来说，管的第一部140A包括管开口146，如图2中所示例性示出的。更具体地，管开口146可提供于管140的第一端148处。此外，示例性地参照图2，管140可被布置为通过分配组件120的顶壁123进入分配组件120。或者，管140可被布置为通过分配组件120的侧壁124进入分配组件120，如图3中所示例性示出的。
示例性地参照图2，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，测量组件130进一步包括连接至管140的净化气体导引装置131。具体地，净化气体导引装置131可在分配组件120的外侧连接至管140。举例来说，净化气体导引装置131可连接至管的第二部140B，如图3中所示例性示出的。更具体地，净化气体导引装置131可在靠近管140的第二端149处连接至管。也就是说，净化气体导引装置131可在压力传感器145的前方连接至管。
在本公开内容中，“净化气体导引装置”可理解为一装置，被配置为用于提供净化气体。具体地，净化气体导引装置可被配置为用于提供0.1sccm≤Q’≤1.0sccm，举例为Q’＝0.5sccm±0.05sccm的净化气体流Q’。具体地，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的各实施方式，净化气体导引装置131可包括质量流量控制器135，如图3中所示例性示出的。一般来说，质量流量控制器135连接至净化气体源，具体是惰性气体源136。举例来说，惰性气体源136可为氩气源。因此，质量流量控制器可被配置为用于控制净化气体流Q’。也就是说，质量流量控制器可用于提供所选择的净化气体流的恒定净化气体流Q’。
因此，提供如本文所述的净化气体导引装置具有以下优点，少量已知的净化气体流可被导引至测量组件的管140，使得压力传感器可免受已蒸发材料的凝结和/或污染物的影响。已知的净化气体流举例为惰性气体，诸如是氩气。此外，将理解的是，净化气体可作为提供于分配组件中的已蒸发材料与压力传感器之间的传输介质。
将理解的是，导引至测量组件的管中的净化气体可将蒸发源的分配组件中的压力同步转移至由压力传感器所测量的较高压力水平。在此方面，将注意的是，净化气体导引装置131提供的恒定净化气体流Q’相对较低，举例为0.1sccm≤Q’≤1.0sccm，使得净化气体产生的额外压力的影响可忽略不计，特别是在蒸发源的分配组件内侧的压力大约为1Pa(0.01mbar)的典型情况中。
此外，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的一些实施方式，净化气体导引装置131，具体是质量流量控制器135被配置为藉由周期方式减少或停止净化气体流。因此，在测量组件130的管140中的净化气体流可最少化，这可有利于实现最佳测量分辨率。也就是说，提供能够在高净化气体流与低净化气体流之间周期性切换的净化气体导引装置可有利于最佳化测量组件的操作的准确性、可靠性、整个操作时间的稳定性、及成本效益。高净化气体流与高压传感器保护和中等测量分辨率相关。低净化气体流与较低传感器保护和高测量分辨率相关。
此外，将理解的是，从高水平停止净化气体流或减少净化气体流至较低水平通常会产生抽气曲线(pump down curve)，其也可用于分析或推断分配组件中的实际蒸汽压力。具体地，将注意的是，测量组件的管的内部容积相对较小(例如，在具有D＝5mm的直径及L＝1000mm的长度L的管的情况中，为约20cm3)，这有利地产生举例为10s(<20s)的抽气时间。因此，从第一压力A到第二压力B的时间也会用来作为压力指示。提供示例性参照图1至5描述的具有小体积的管140，或如示例性参照图6A描述的具有小体积的管布置144有利地提供快速压力传感器循环，举例为在如图6A中所示例性示出的第一分配组件120A、第二分配组件120B和第三分配组件120C中的压力测量之间。
示例性地参照图3，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，管140可部分地布置在分配组件120与分配组件120的加热器126之间的空间122中。更具体地，如图3中所示例性示出的，管140的第三部140C可布置于分配组件120与分配组件120的加热器126之间的空间122中。一般来说，管140的第三部140C设置于第一部140A与第二部140B之间。一般来说，加热器126被提供用于加热分配组件，具体是加热分配组件的壁。举例来说，如图3中所示例性示出的，加热器可设置在相对于分配组件的壁的外侧表面的一距离处。因此，分配组件可被加热至一定温度，使得由蒸发坩埚所提供的已蒸发材料不会在分配组件的壁的内部凝结。
如图4中所示例性示出的，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，测量组件130可进一步包括加热布置134。具体地，加热布置134可至少部分地围绕管140布置。一般来说，加热组件134被配置为加热管至所采用的源材料的蒸发温度。因此，可有利地避免测量组件的管140的内侧的已蒸发材料的凝结。
示例性地参照图5，根据可与此处所述其他实施方式结合的一些实施方式，加热布置134可设置于压力传感器145的周围。具体地，加热布置134可被布置为加热布置在分配组件以及压力传感器145外侧的整个管140。可选择地设置如图5中所示的净化气体导引装置131。
示例性地参照图6A，描述根据本公开内容的用于沉积多种已蒸发材料于基板上的蒸发源100。用于沉积多种已蒸发材料于基板上的蒸发源可理解为被配置用于沉积两种或更多种不同的已蒸发材料于基板上的蒸发源。如图6A中所示例性示出的，根据可与本文所述的其他实施方式结合的各实施方式，用于沉积多种已蒸发材料于基板上的蒸发源100包括第一坩埚110A和第一分配组件120A，第一坩埚110A用于蒸发第一材料。第一分配组件120A包括一个或多个出口，用于提供第一已蒸发材料至基板。第一分配组件120A与第一坩埚110A流体连通。此外，蒸发源100包括第二坩埚110B和第二分配组件120B，第二坩埚110B用于蒸发第二材料。第二分配组件120B包括一个或多个出口，用于提供第二已蒸发材料至基板。第二分配组件120B与第二坩埚110B流体连通。
此外，如图6A中所示例性示出的，用于沉积多种已蒸发材料于基板上的蒸发源100可包括第三坩埚110C和第三分配组件120C，第三坩埚110C用于蒸发第三材料。第三分配组件120C包括一个或多个出口，用于提供第三已蒸发材料至基板。第三分配组件120C与第三坩埚110C流体连通。具有三个分配组件的蒸发源也可被称为三重蒸发源，三重蒸发源也参照图7做更详细地描述。
将理解的是，参照图1至图5描述的实施方式的特征可在经适当的修改后应用于图6A中所示例性示出的用于沉积多种已蒸发材料的蒸发源。
此外，如图6A中所示例性示出的，用于沉积多种已蒸发材料于基板上的蒸发源100包括测量组件130，测量组件130包括管布置144和净化气体导引布置。管布置144包括第一管141和第二管142。此外，管布置144可包括第三管143。第一管141将第一分配组件120A的第一内部空间121A与压力传感器145连接。第二管142将第二分配组件120B的第二内部空间121B与压力传感器145连接。此外，第三管143通常将第三分配组件120C的第三内部空间121C与压力传感器145连接。如图6A中所示例性示出的，连接管147可将第一管141、第二管142和第三管143连接至压力传感器145。因此，压力传感器145可有利地连接至多个分配组件，举例为如图6A中所示例性示出的多个分配组件。
此外，如图6A中所示例性示出的，净化气体导引布置可包括第一净化气体导引装置131A，第一净化气体导引装置131A连接至第一管141。此外，净化气体导引布置可包括第二净化气体导引装置131B，第二净化气体导引装置131B连接至第二管142。此外，净化气体导引布置可包括第三净化气体导引装置131C，第三净化气体导引装置131C连接至第三管143。
将理解的是，例如参照图1至图5的有关于净化气体导引装置131所描述的特征可在经适当的修改后应用于第一净化气体导引装置131A、第二净化气体导引装置131B、和第三净化气体导引装置131C。因此，第一净化气体导引装置131A可包括第一质量流量控制器135A，第二净化气体导引装置131B可包括第二质量流量控制器135B，并且第三净化气体导引装置131C可包括第三质量流量控制器135C。第一质量流量控制器135A可连接至第一净化气体源，具体是连接至第一惰性气体源136A。第二质量流量控制器135B可连接至第二净化气体源，具体是连接至第二惰性气体源136B。第三质量流量控制器135C可连接至第三净化气体源，具体是连接至第三惰性气体源136C。虽然未明确地示出，将理解的是，替代地，第一质量流量控制器135A、第二质量流量控制器135B、和第三质量流量控制器135C可连接至共同的净化气体源。
示例性地参照图6A，根据一些实施方式，第一阀151可设置于第一管141中，具体是设置在第一净化气体导引装置131A与连接管147之间。第二阀152可额外地或替代地设置于第二管142中，具体是设置在第二净化气体导引装置131B与连接管147之间。此外，第三阀153可额外地或替代地设置于第三管143中，具体是设置在第三净化气体导引装置131C与连接管147之间。
设置阀(举例为第一阀151、第二阀152、和第三阀153)具有以下优点，可分开地测量各个分配组件中的压力。举例来说，可接续地测量各个分配组件中的压力，也就是以循环测量顺序测量。
此外，提供分离的净化气体导引装置(举例为第一净化气体导引装置131A、第二净化气体导引装置131B、和第三净化气体导引装置131C)具有以下优点，在各个管中(也就是第一管141中、第二管142中、和第三管143中)的净化气体可被单独地设定，以提供最佳的测量条件。举例来说，针对测量多个分配组件中的所选择的分配组件内侧的压力来说，在将所选择的分配组件与压力传感器连接的管中的净化气体流可被设定成低于其他管中的净化气体流。因此，可有利地避免受到其他管中的污染物和/或凝结的影响。如此一来，一个单一的压力传感器可有利地以循环或周期方式连接至各个分配组件，举例来说，在待测量的连接的分配组件利用低净化气体流，而针对其他未连接的分配组件来说，可使用较高、更多保护的净化气体流。
图7绘示根据可与本文所述的其他实施方式结合的另外的实施方式的蒸发源的截面俯视图。具体地，图7绘示具有三个分配组件(例如，三个分配管道)的蒸发源的例子，也被称为三重蒸发源。因此，三重蒸发源可被理解为具有第一分配组件120A、第二分配组件120B、和第三分配组件120C的蒸发源。具体地，此三重蒸发源的三个分配组件和对应的坩埚可彼此相邻设置。因此，三重蒸发源可有利地提供蒸发源阵列，举例为其中多于一种材料可同时蒸发，举例为三种不同的材料可同时蒸发。
示例性地参照图7，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的一些实施方式，分配组件120可被配置为具有非圆形截面的分配管道，此非圆形截面垂直于分配管的长度。举例来说，垂直于分配管道的长度的截面可为具有圆角(rounded corner)和/或切角(cut-off corner)的三角形。具体地，图7绘示被配置为第一分配管道的第一分配组件120A、被配置为第二分配管道的第二分配组件120B、和被配置为第三分配管道的第三分配组件120C。第一分配管道、第二分配管道、和第三分配管道具有垂直于分配管道的长度的基本上三角形截面。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的各实施方式，各分配组件与相应的坩埚流体连通，如参照图6A所示例性描述的。
如图7中所示例性示出的，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的一些实施方式，蒸发器控制壳体180可被设置为邻近于本文所述的分配组件120。一般来说，蒸发器控制壳体被配置为提供和维持蒸发器控制壳体内侧的大气压力。因此，如图7中所示例性示出的，蒸发器控制壳体可被配置为容置如本文所述的压力传感器145。此外，蒸发器控制壳体可被配置为用于容置选自由以下各者构成的组中的一个或多个其他部件或装置：开关、阀、控制器、冷却单元、冷却控制单元、加热控制单元、电源、和测量装置。
虽然未于图7中明确地示出，将理解的是，在图7中所示的示例性实施方式中，可设置净化气体导引装置和阀，举例为第一净化气体导引装置131A、第二净化气体导引装置131B、第三净化气体导引装置131C、第一阀151、第二阀152和第三阀153，如参照图6A所描述的。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的一些实施方式，分配组件特别是分配管道，可藉由设置于分配组件内侧的加热元件加热。加热元件可为可藉由电热丝(heating wire)提供的电加热器，电热丝举例为涂层电热丝，夹置或以其他方式固定于内部管。此外，示例性地参照图7，可设置冷却屏蔽件(cooling shield)138。冷却屏蔽件138可包括侧壁，被布置为使得提供U形的冷却屏蔽件，以减少朝向沉积区域的热辐射，沉积区域也就是基板和/或掩模。举例来说，冷却屏蔽件可提供为金属板材，具有贴附于其或提供于其中的用于冷却流体的导管，冷却流体诸如是水。可额外地或替代地设置热电冷却装置或其他冷却装置，以冷却已冷却的屏蔽件。一般来说，可以冷却外部屏蔽件，外部屏蔽件也就是围绕分配管道的内部中空空间的最外部屏蔽件。
在图7中，为了说明的目的，离开分配组件的出口的已蒸发源材料以箭头表示。由于分配组件的本质上三角形的形状之故，源自于此三个分配组件的蒸发锥彼此靠近。因此，来自此不同的分配组件的源材料的混合可得到有利地改善。具体地，分配管道的截面的形状允许相邻的分配管道的出口或喷嘴靠近彼此置放。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，第一分配组件的第一出口或喷嘴与第二分配组件的第二出口或喷嘴可具有50mm或以下的距离，举例为30mm或以下的距离，或25mm或以下的距离，诸如是从5mm至25mm的距离。更具体地，第一出口或喷嘴至第二出口或喷嘴的距离可为10mm或以下。
如图7中所进一步示出的，可设置屏蔽装置，具体是可设置塑形屏蔽装置(shapershielding device)137，例如贴附至冷却屏蔽件138或作为冷却屏蔽件的一部分。藉由提供塑形屏蔽装置，可以控制通过出口离开此分配管道或这些分配管道的蒸汽的方向，也就是说，蒸汽射出的角度可减小。根据一些实施方式，通过出口或喷嘴的已蒸发材料的至少一部分由塑形屏蔽装置所阻挡。因此，可有利地控制发射角的宽度。
示例性地参照图6B，描述根据另一实施方式的用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源100。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的各实施方式，蒸发源100包括坩埚110和分配组件120。坩埚110用于材料蒸发，分配组件120具有一个或多个出口125，用于提供已蒸发材料至基板。分配组件与坩埚流体连通。此外，蒸发源100包括测量组件130，测量组件130包括管140，管140将坩埚110的内部空间111与压力传感器145连接。具体地，管140一般具有管开口146，管开口146提供于坩埚110的内部空间111中。更具体地，管开口146可布置于坩埚110的内部空间111的上部。
将理解的是，参照图1至图6A中所示的示例性实施方式描述的特征可在经适当的修改后应用于图6B中所示的实施方式。
因此，图6B中所示的示例性实施方式表示蒸发源的替代配置，具有测量系统来执行原位蒸汽压力测量和确定蒸发率。
示例性地参照图6C，描述根据其他实施方式的用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源100。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的各实施方式，蒸发源100包括坩埚110和分配组件120，坩埚110用于材料蒸发，分配组件120具有一个或多个出口125，用于提供已蒸发材料至基板。分配组件与坩埚流体连通。此外，蒸发源100包括第一测量组件130A和第二测量组件130B。第一测量组件130A包括管140，管140将分配组件120的内部空间121与第一压力传感器145A连接。管140具有管开口146，管开口146提供于分配组件120的内部空间121中的第一位置P1处。具体地，管开口146的第一位置P1可位于分配组件的上部，如于图6C中所示例性示出的。第二测量组件130B包括其他管140D，其他管140D将蒸发源的内部空间与第二压力传感器145B连接。其他管140D具有其他管开口146B，其他管开口146B提供于分配组件的内部空间121中的第二位置P2处。举例来说，其他管开口146B的第二位置P2可位于分配组件的下部，如图6C中所示例性示出的。或者，其他管开口146B可提供于坩埚110的内部空间111中的第二位置P2处，如参照图6B所示例性地描述的。
因此，如图6C中所示的示例性实施方式有利地提供测量在蒸发源中的蒸汽压力差的能力，具体是蒸发源的内部空间中的第一位置P1和第二位置P2之间。一般来说，第一位置P1为在蒸发源的上部处的位置，具体是分配组件的内部空间的上部处的位置。第二位置P2一般为在蒸发源的下部处的位置，举例为在分配组件120的内部空间121的下部处的位置，或在坩埚110的内部空间111的上部处的位置。
因此，图6C中所示例性示出的实施方式有利地配置用于执行测量在蒸发源中的蒸汽压力差的方法。举例来说，测量在举例为相对于喷嘴直径(整个喷嘴传导性(conductance))的测量组件的蒸汽压力差可特别有利于最佳化蒸发条件，特别是在非常低的蒸发/涂布率的情况中。
将理解的是，参照图1至图6B中所示的示例性实施方式描述的特征可在经适当的修改后应用于图6C中所示的实施方式。具体地，将理解的是，不使用第二压力传感器，其他管140D可连接至第一压力传感器145A，并且如本文所述的净化气体导引装置可连接至管140和其他管140D。举例来说，第一净化气体导引装置131A和/或第二净化气体导引装置131B可如图6D中所示例性示出的方式设置。此外，第一阀151可设置于管中和/或第二阀152可设置于其他管140D中。
示例性地参照图12中所示的流程图，描述了测量在蒸发源100中的蒸汽压力差的方法500，蒸发源100具有坩埚110和分配组件120。此方法包括提供(由图12中的方块510表示)第一测量组件130A，第一测量组件130A包括管140，管140将分配组件120的内部空间121与第一压力传感器145A连接。管140具有管开口146，管开口146提供于分配组件120的内部空间121中的第一位置P1处，如图6C中所示例性示出的。此外，此方法包括提供(由图12中的方块520表示)第二测量组件130B，第二测量组件130B包括其他管140D，其他管140D将蒸发源的内部空间与第二压力传感器145B连接。其他管140D具有其他管开口146B，其他管开口146B提供于分配组件120的内部空间121中的第二位置P2处，如图6C中所示例性示出的。或者，其他管开口146B可提供于坩埚110的内部空间111中的第二位置P2处，如参照图6B所示例性描述的。此外，此方法包括利用第一压力传感器145A和第二压力传感器145B测量(由图12中的方块530表示)蒸发源中的蒸汽压力差。或者，不使用第一压力传感器145A和第二压力传感器145B，可使用单个压力传感器(举例为第一压力传感器145A)来测量蒸发源中的蒸汽压力差，特别是在应用如图6D中所示例性示出的具有测量组件的蒸发源的情况中。
示例性地参照图8A和图8B，描述根据本公开内容的各实施方式的沉积设备。根据可与本文所述的其他实施方式结合的各实施方式，沉积设备包括真空腔室210和蒸发源100，蒸发源100设置于真空腔室210中。蒸发源100包括坩埚110和分配组件120。具体地，设置于真空腔室210中的蒸发源100可为根据本文所述的任何实施方式的蒸发源100，举例为参照图1至图7示例性描述的蒸发源。此外，如图8A及图8B中所示例性示出的，提供用于测量分配组件中的蒸汽压力的测量组件130。测量组件包括管140，管140具有第一端148和第二端149。管140的第一端148布置于分配组件120的内部空间121中。管140的第二端149连接至压力传感器145。具体地，压力传感器可设置于大气空间中。
举例来说，可设置有压力传感器145的大气空间可为提供于真空腔室210的外侧的空间，如图8A中所示例性示出的。具有压力传感器设置于真空腔室210外侧的配置可特别是在蒸发源的位置相对于真空腔室固定的情况中有利，也就是基板在沉积工艺期间相对于蒸发源移动的配置。或者，大气空间可藉由设置于真空腔室210内侧的大气箱190或大气容器提供，如图8B中所示例性示出的。举例来说，大气箱190可连接至分配组件120，如图7中所示例性示出的，这可有利地用于蒸发源在沉积工艺期间相对于基板移动的配置中。“大气空间”可理解为具有大气压力的空间。因此，大气箱或大气容器可理解为一箱或一容器，也就是密闭空间，被配置为维持大气箱或大气容器内侧的大气压力。举例来说，大气空间可藉由蒸发器控制壳体180提供，如图7中所示例性示出的。因此，蒸发器控制壳体180可用作大气箱190或大气容器。
在本公开内容中，术语“真空”可理解为具有少于举例为10mbar的真空压力的技术真空的含义。典型得，本文所述的真空腔室中的压力可为10-5mbar与约10-8mbar之间，更典型地是10-5mbar与10-7mbar之间，及甚至更典型地是约10-6mbar与约10-7mbar之间。根据一些实施方式，真空腔室中的压力可视为真空腔室中的已蒸发材料的分压或总压(可在真空腔室中仅有已蒸发材料存在而作为待沉积的成分时大致相同)。在一些实施方式中，真空腔室中的总压可为在约10-4mbar与约10-7mbar之间，特别是除了已蒸发材料之外，第二成分(诸如是气体或类似者)存在于真空腔室中的情况中。因此，真空腔室可为“真空沉积腔室”，也就是配置用于真空沉积的真空腔室。
示例性地参照图9，描述根据本公开内容的沉积设备的一些其他选择方面。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，真空沉积设备包括真空腔室210、设置于真空腔室210中的根据本文所述的任何实施方式的蒸发源100、和基板支撑件220，基板支撑件220被配置为用于在材料沉积期间支撑基板10。具体地，蒸发源100可设置于轨道或直线导件222上，如图9中所示例性示出的。一般来说，直线导件222被配置为用于蒸发源100的平移运动。此外，可设置用于提供蒸发源的平移运动的驱动器。具体地，用于非接触传送蒸发源的传送设备可设置于真空沉积腔室中。
此外，如图9中所示例性示出的，可设置源支撑件231，源支撑件231被配置为用于蒸发源100沿着直线导件222的平移运动。一般来说，源支撑件231支撑坩埚110和分配组件120，分配组件120设置于蒸发坩埚之上，如图9中所示意性示出的。因此，在蒸发坩埚中产生的蒸汽可向上移动并离开分配组件的一个或多个出口。因此，如本文所描述的，分配组件被配置为用于从分配组件120提供已蒸发材料至基板10，具体是提供已蒸发材料的羽流至基板10。
如图9中所示例性示出的，真空腔室210可具有闸阀215，真空沉积腔室经过闸阀215可连接至相邻的路由模块(routing module)或相邻的服务模块。一般来说，路由模块被配置为用于传送基板至其他真空腔室来例如进行其他处理。服务模块被配置为用于维护蒸发源。具体地，闸阀允许对例如相邻的路由模块或相邻服务模块的相邻真空腔室提供真空密封，并且可开启和关闭来移动基板和/或掩模进入或离开沉积设备200的真空腔室210，如图9中所示例性示出的。
示例性地参照图9，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的各实施方式，两个基板例如为第一基板10A和第二基板10B，可支撑于真空腔室210内的相应的传送轨道上。此外，可设置用于提供掩模33于其上的两个轨道。具体地，用于传送基板载体和/或掩模载体的轨道可设置有其他传送设备来非接触传送载体。
一般来说，涂布基板可包括藉由相应的掩模掩蔽基板，举例为藉由边缘排除掩模(edge exclusion mask)或藉由阴影掩模(shadow mask)掩蔽基板。根据一些实施方式，掩模设置于掩模框架31中，以将相应的掩模保持于预定位置中，如图9中所示例性示出的，掩模举例为对应于第一基板10A的第一掩模33A和对应于第二基板10B的第二掩模33B。
如图9中所示，直线导件222提供蒸发源100的平移运动的方向。在蒸发源100的两侧上，可设置掩模33，掩模33举例为用于掩蔽第一基板10A的第一掩模33A，和用于掩蔽第二基板10B的第二掩模33B。掩模可本质上平行于蒸发源100的平移运动的方向延伸。此外，在蒸发源的相对侧的基板也可本质上平行于平移运动的方向延伸。
将理解的是，图9仅绘示蒸发源100的代表图，并且设置于沉积设备200的真空腔室210中的蒸发源100可具有本文所述实施方式的任何配置，如图1至图7、图8A和图8B所示例性描述的。
示例性地参照图10A和图10B中所示的流程图，描述根据本公开内容的测量在蒸发源中的蒸汽压力的方法300的各实施方式。根据可与本文所述的其他实施方式结合的各实施方式，方法300包括提供(由图10A中的方块310所表示)测量组件，测量组件包括管，管具有第一端和第二端。具体地，测量组件可为根据如图1至8示例性描述的各实施方式的测量组件130。此外，方法300包括布置(由图10A中的方块320所表示)管140的第一端148于分配组件120的内部空间121中，如图2所示例性示出的。此外，方法300包括将第二端149连接(由图10A中的方块330所表示)至压力传感器145。举例来说，压力传感器145可设置于大气空间中。举例来说，大气空间可为提供于真空腔室210外侧的空间，如图8A中所示例性示出的。或者，大气空间可藉由设置于真空腔室210内侧的大气箱190或大气容器提供，如图8B中所示例性示出的。此外，方法300包括蒸发(由图10A中的方块340所表示)材料来提供已蒸发材料。此外，方法300包括从坩埚导引(由图10A中的方块350所表示)已蒸发材料至分配组件中。此外，方法300包括利用压力传感器测量(由图10A中的方块360所表示)提供于管的第二端处的压力。具体地，在分配组件中的压力p2可由方程式p2[mbar]＝p1[mbar]–(Q[mbar·l·s-1]/L[l·s-1])来计算，其中p1为压力传感器所测量的压力、Q为质量流量、并且L为流体传导系数(fluid conductance)。质量流量Q可藉由如本文所述的质量流量控制器所控制。如本文所述的管的流体传导系数L为恒定的。
示例性地参照图10B中所示的流程图，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，测量在蒸发源中的蒸汽压力的方法300进一步包括加热(由图10B中的方块341所表示)管的至少一部分。具体地，加热管的至少一部分一般涉及利用分配组件120的加热器126，如参照图3所示例性描述的。此外，加热管的至少一部分可涉及利用加热布置134，如参照图4和图5所示例性描述的。
此外，示例性地参照图10B中所示的流程图，根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，测量在蒸发源中的蒸汽压力的方法300进一步包括导引(由图10B中的方块342所表示)净化气体至管140中。具体地，导引净化气体至管140中一般涉及导引净化气体至管140的端部中，管140的端部连接至压力传感器145。
示例性地参照图11中所示的流程图，描述根据本公开内容的用于确定蒸发源中的已蒸发材料的蒸发率的方法400的各实施方式。根据可与本文所述的其他实施方式结合的各实施方式，方法400包括测量(由图11中的方块410所表示)蒸发源中的已蒸发材料的蒸汽压力。此外，方法400包括从已测量的蒸汽压力计算(由图11中的方块420所表示)蒸发率。蒸发率可从已测量的蒸汽压力计算，因为蒸发率是分配组件中的蒸汽压力的直接函数。因此，对于蒸汽压力计算来说，测量组件的校准一般预先执行。
有鉴于上述，将理解的是，相较于本技术领域，蒸发源、沉积设备、测量在蒸发源中的蒸汽压力的方法、以及确定在蒸发源中的已蒸发材料的蒸发率的方法的各实施方式在操控和/或可靠性和/或维护和/或准确性和/或整个操作时间的稳定性和/或成本效益方面有所改善。
虽然前述内容针对各实施方式，但是可以在不背离基本范围的情况下设计出其他和进一步的实施方式，并且范围由以下权利要求确定。

Claims (21)

1.一种用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源(100)，所述蒸发源包括：
坩埚(110)，所述坩埚(110)用于材料蒸发；
分配组件(120)，所述分配组件(120)具有一个或多个出口(125)，所述一个或多个出口(125)用于提供所述已蒸发材料至所述基板，所述分配组件与所述坩埚流体连通；
测量组件(130)，所述测量组件(130)包括管(140)，所述管(140)将所述分配组件(120)的内部空间(121)与压力传感器(145)连接，其中所述管(140)具有第一部(140A)和第二部(140B)，所述第一部(140A)具有第一端(148)，所述第二部(140B)具有第二端(149)，其中所述第一部(140A)的所述第一端(148)与所述分配组件(120)的所述内部空间(121)连接并且所述第二部(140B)布置于所述分配组件(120)的外侧，并且其中所述第二端(149)连接至所述压力传感器(145)；和
净化气体导引装置(131)，所述净化气体导引装置(131)连接至所述管(140)。
2.如权利要求1所述的蒸发源(100)，所述管(140)部分地布置于所述分配组件(120)与所述分配组件(120)的加热器(126)之间的空间(122)中。
3.如权利要求1所述的蒸发源(100)，所述测量组件(130)进一步包括加热布置(134)，所述加热布置至少部分地围绕所述管(140)布置。
4.如权利要求1所述的蒸发源(100)，其中所述压力传感器(145)为选自由以下各者构成的组的压力传感器：机械压力传感器、电容压力传感器、和皮拉尼类型热传导/对流真空计。
5.如权利要求1所述的蒸发源(100)，其中所述净化气体导引装置(131)包括质量流量控制器(135)，所述质量流量控制器(135)连接至惰性气体源(136)。
6.如权利要求1所述的蒸发源(100)，其中所述净化气体导引装置(131)被配置为用于提供净化气体流Q’，其中所述净化气体流Q’满足：0.1sccm≤Q’≤1.0sccm。
7.如权利要求1所述的蒸发源(100)，其中所述管(140)具有直径D，其中所述直径D满足：1.0mm≤D≤7.5mm。
8.如权利要求1所述的蒸发源(100)，其中所述基板是非柔性基板。
9.如权利要求1所述的蒸发源(100)，其中所述基板由选自由以下材料构成的组的至少一种材料制成：玻璃、金属、聚合物、陶瓷、复合材料和碳纤维材料。
10.如权利要求1所述的蒸发源(100)，其中所述坩埚(110)包含用于OLED制造的有机材料，所述有机材料具有100℃至600℃的蒸发温度。
11.如权利要求1所述的蒸发源(100)，其中所述分配组件(120)包括提供线源的分配管道。
12.如权利要求11所述的蒸发源(100)，其中所述一个或多个出口(125)包括多个喷嘴，所述多个喷嘴布置成沿着所述分配管道的长度的至少一条线。
13.如权利要求11所述的蒸发源(100)，其中所述线源在具有从垂直10°或以下的偏差的垂直方向上延伸。
14.一种用于沉积多种已蒸发材料于基板上的蒸发源(100)，所述蒸发源包括：
第一坩埚(110A)，所述第一坩埚(110A)用于蒸发第一材料；
第一分配组件(120A)，所述第一分配组件(120A)具有一个或多个出口，所述一个或多个出口用于提供第一已蒸发材料至所述基板，所述第一分配组件与所述第一坩埚流体连通；
第二坩埚(110B)，所述第二坩埚(110B)用于蒸发第二材料；
第二分配组件(120B)，所述第二分配组件(120B)具有一个或多个出口，所述一个或多个出口用于提供第二已蒸发材料至所述基板，所述第二分配组件与所述第二坩埚流体连通；以及
测量组件(130)，所述测量组件(130)包括管布置(144)和净化气体导引布置，
所述管布置(144)具有第一管(141)和第二管(142)，所述第一管(141)将所述第一分配组件(120A)的第一内部空间(121A)与压力传感器(145)连接，其中所述第一管(141)具有第一部和第二部，所述第一部具有第一端，所述第二部具有第二端，其中所述第一管(141)的所述第一部的所述第一端与所述第一分配组件(120A)的所述第一内部空间(121A)连接并且所述第一管(141)的所述第二部布置于所述第一分配组件(120A)的外侧，并且其中所述第一管(141)的所述第二端连接至所述压力传感器(145)，所述第二管(142)将所述第二分配组件(120B)的第二内部空间(121B)与所述压力传感器(145)连接，其中所述第二管(142)具有第一部和第二部，所述第一部具有第一端，所述第二部具有第二端，其中所述第二管(142)的所述第一部的所述第一端与所述第二分配组件(120B)的所述第二内部空间(121B)连接并且所述第二管(142)的所述第二部布置于所述第二分配组件(120B)的外侧，并且其中所述第二管(142)的所述第二端连接至所述压力传感器(145)；并且
所述净化气体导引布置具有第一净化气体导引装置(131A)和第二净化气体导引装置(131B)，所述第一净化气体导引装置连接至所述第一管(141)，所述第二净化气体导引装置连接至所述第二管(142)。
15.一种用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源(100)，所述蒸发源包括：
坩埚(110)，所述坩埚(110)用于材料蒸发；
分配组件(120)，所述分配组件(120)具有一个或多个出口(125)，所述一个或多个出口(125)用于提供所述已蒸发材料至所述基板，所述分配组件与所述坩埚流体连通；
测量组件(130)，所述测量组件(130)包括管(140)，所述管(140)将所述坩埚(110)的内部空间(111)与压力传感器(145)连接，其中所述管(140)具有第一部(140A)和第二部(140B)，所述第一部(140A)具有第一端(148)，所述第二部(140B)具有第二端(149)，其中所述第一部(140A)的所述第一端(148)与所述坩埚(110)的所述内部空间(111)连接并且所述第二部(140B)布置于所述分配组件(120)的外侧，并且其中所述第二端(149)连接至所述压力传感器(145)；和
净化气体导引装置(131)，所述净化气体导引装置(131)连接至所述管(140)。
16.一种用于将材料施加至基板的沉积设备(200)，所述沉积设备(200)包括：
真空腔室(210)；
蒸发源(100)，所述蒸发源(100)设置于所述真空腔室(210)中，所述蒸发源(100)具有坩埚(110)和分配组件(120)；
测量组件(130)，所述测量组件(130)用于测量所述分配组件(120)中的蒸汽压力，所述测量组件(130)包括管(140)，其中所述管(140)具有第一部(140A)和第二部(140B)，所述第一部(140A)具有第一端(148)，所述第二部(140B)具有第二端(149)，其中所述第一端(148)布置于所述分配组件(120)的内部空间中，所述第二部(140B)布置于所述分配组件(120)的外侧，并且其中所述第二端(149)连接至压力传感器(145)；和
净化气体导引装置(131)，所述净化气体导引装置(131)连接至所述管(140)。
17.一种测量蒸发源中的蒸汽压力的方法，所述蒸发源具有坩埚和分配组件，所述方法包括：
步骤(310)，提供测量组件(130)，所述测量组件包括管(140)，所述管(140)具有第一端(148)和第二端(149)，所述第二端(149)布置于所述分配组件的外侧；
步骤(320)，布置所述第一端于所述分配组件的内部空间中；
步骤(330)，将所述第二端连接至压力传感器；
步骤(340)，蒸发材料来用于提供已蒸发材料；
步骤(342)，导引净化气体至所述管(140)中；
步骤(350)，从所述坩埚导引所述已蒸发材料至所述分配组件中；和
步骤(360)，利用所述压力传感器测量提供于所述管的所述第二端处的压力。
18.如权利要求17所述的方法(300)，进一步包括加热所述管(140)的至少一部分。
19.如权利要求17或18所述的方法(300)，其中导引所述净化气体至所述管(140)中的所述步骤(342)进一步包括导引所述净化气体至所述管(140)的所述第二端(149)附近的端部中，所述端部连接至所述压力传感器。
20.一种用于确定蒸发源中的已蒸发材料的蒸发率的方法(400)，包括：
步骤(410)，测量所述蒸发源中的所述已蒸发材料的蒸汽压力；和
步骤(420)，从已测量的所述蒸汽压力计算所述蒸发率，
其中测量所述蒸发源中的所述已蒸发材料的蒸汽压力的所述步骤(410)包括使用权利要求17或18所述的方法。
21.一种测量蒸发源(100)中的蒸汽压力差的方法(500)，所述蒸发源具有坩埚(110)和分配组件(120)，所述方法包括：
步骤(510)，提供第一测量组件(130A)，所述第一测量组件包括管(140)，所述管(140)将所述分配组件(120)的内部空间(121)与第一压力传感器(145A)连接，所述管(140)具有管开口，所述管开口提供于所述分配组件的所述内部空间(121)中的第一位置(P1)处，其中所述管具有端部，所述端部布置于所述分配组件(120)的外侧并且连接至所述第一压力传感器(145A)；
步骤(520)，提供第二测量组件(130B)，所述第二测量组件包括其他管(140D)，所述其他管(140D)将所述蒸发源的内部空间与第二压力传感器(145B)连接，所述其他管(140D)具有其他管开口(146B)，所述其他管开口提供于所述分配组件的所述内部空间(121)中或所述坩埚(110)的内部空间(111)中的第二位置(P2)处，其中所述其他管具有端部，所述端部布置于所述分配组件(120)的外侧并且连接至所述第二压力传感器(145B)；
导引净化气体至所述管(140)中；和
步骤(530)，利用所述第一压力传感器(145A)和所述第二压力传感器(145B)测量所述蒸发源中的所述蒸汽压力差。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7483894B2 (ja) * 2020-01-07 2024-05-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源
CN113564534B (zh) * 2020-04-28 2023-05-09 宝山钢铁股份有限公司 一种真空镀机组镀液连续供给装置及其供给方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2230326A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-22 Applied Materials, Inc. Evaporator, coating installation, and method for use thereof
CN103031519A (zh) * 2011-10-06 2013-04-10 财团法人工业技术研究院 蒸镀装置与有机薄膜的形成方法
JP2014162969A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Hitachi Zosen Corp 蒸着装置および蒸着方法
JP2015063724A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 日立造船株式会社 真空蒸着装置
CN106133184A (zh) * 2014-03-21 2016-11-16 应用材料公司 用于有机材料的蒸发源
CN107109624A (zh) * 2014-12-17 2017-08-29 应用材料公司 材料沉积布置、真空沉积系统和沉积材料的方法
CN107208252A (zh) * 2014-11-07 2017-09-26 应用材料公司 用于真空沉积的材料源布置和喷嘴
CN107810410A (zh) * 2015-06-17 2018-03-16 应用材料公司 用于测量沉积速率的测量组件及其方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04120271A (ja) * 1990-09-10 1992-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd クラスタイオンビーム発生方法およびクラスタイオンビーム発生装置
US6759018B1 (en) * 1997-05-16 2004-07-06 Advanced Technology Materials, Inc. Method for point-of-use treatment of effluent gas streams
US20010000160A1 (en) * 1997-08-14 2001-04-05 Infineon Technologies Ag Method for treatment of semiconductor substrates
US6136725A (en) * 1998-04-14 2000-10-24 Cvd Systems, Inc. Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate
WO2007019714A1 (de) * 2005-08-12 2007-02-22 Inficon Gmbh Optischer interferometrische drucksensor
JPWO2007066524A1 (ja) * 2005-12-06 2009-05-14 コニカミノルタオプト株式会社 製造方法、搬送装置及びハードコート層を有する機能性フィルムと反射防止層を有する機能性フィルム
EP1967606A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-10 Applied Materials, Inc. Evaporation crucible and evaporation apparatus with adapted evaporation characteristic
US7883583B2 (en) * 2008-01-08 2011-02-08 Global Oled Technology Llc Vaporization apparatus with precise powder metering
US20090317547A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-24 Honeywell International Inc. Chemical vapor deposition systems and methods for coating a substrate
WO2010038631A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着方法およびプログラムを記憶した記憶媒体
US20100233353A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Applied Materials, Inc. Evaporator, coating installation, and method for use thereof
JP2012046780A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Tokyo Electron Ltd 蒸着処理装置および蒸着処理方法
WO2013005781A1 (ja) * 2011-07-05 2013-01-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR101930849B1 (ko) * 2011-12-28 2018-12-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법
KR20140073198A (ko) * 2012-12-06 2014-06-16 삼성디스플레이 주식회사 유기물 기화 장치 및 그 제어방법
CN105874095A (zh) * 2013-12-06 2016-08-17 应用材料公司 沉积装置、沉积设备及其操作方法
JP2015190035A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 東京エレクトロン株式会社 ガス供給機構およびガス供給方法、ならびにそれを用いた成膜装置および成膜方法
US9605346B2 (en) * 2014-03-28 2017-03-28 Lam Research Corporation Systems and methods for pressure-based liquid flow control
JP6052469B2 (ja) * 2014-04-28 2016-12-27 村田機械株式会社 パージ装置及びパージ方法
WO2016070942A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 Applied Materials, Inc. Material deposition arrangement and material distribution arrangement for vacuum deposition
TWI664306B (zh) * 2017-10-30 2019-07-01 財團法人工業技術研究院 蒸鍍裝置及其校正方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2230326A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-22 Applied Materials, Inc. Evaporator, coating installation, and method for use thereof
CN103031519A (zh) * 2011-10-06 2013-04-10 财团法人工业技术研究院 蒸镀装置与有机薄膜的形成方法
JP2014162969A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Hitachi Zosen Corp 蒸着装置および蒸着方法
JP2015063724A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 日立造船株式会社 真空蒸着装置
CN106133184A (zh) * 2014-03-21 2016-11-16 应用材料公司 用于有机材料的蒸发源
CN107208252A (zh) * 2014-11-07 2017-09-26 应用材料公司 用于真空沉积的材料源布置和喷嘴
CN107109624A (zh) * 2014-12-17 2017-08-29 应用材料公司 材料沉积布置、真空沉积系统和沉积材料的方法
CN107810410A (zh) * 2015-06-17 2018-03-16 应用材料公司 用于测量沉积速率的测量组件及其方法

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