CN107208252A - 用于真空沉积的材料源布置和喷嘴 - Google Patents

用于真空沉积的材料源布置和喷嘴 Download PDF

Info

Publication number
CN107208252A
CN107208252A CN201480083640.1A CN201480083640A CN107208252A CN 107208252 A CN107208252 A CN 107208252A CN 201480083640 A CN201480083640 A CN 201480083640A CN 107208252 A CN107208252 A CN 107208252A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
distribution pipe
material source
substrate
evaporation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201480083640.1A
Other languages
English (en)
Inventor
斯蒂芬·班格特
乌韦·许斯勒
乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN107208252A publication Critical patent/CN107208252A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Abstract

本公开内容描述了用于在真空沉积腔室(110)中的基板(121)上沉积材料的材料源布置(100)。所述材料源布置包括分配管(106)，所述分配管(106)被配置成与材料源(102)流体连通，所述材料源(102)提供材料至分配管(106)；和至少一个喷嘴(200；712)，所述至少一个喷嘴被配置成将提供在分配管(106)中的材料引导至真空沉积腔室(110)。所述喷嘴(200；712)包括螺纹，所述螺纹用于将所述喷嘴重复地连接至所述分配管和将所述喷嘴自所述分配管断开。另外，本公开内容描述了一种用于在包括材料源布置的基板(121)上沉积材料的沉积装置、用于材料源布置的喷嘴和一种用于为材料源布置(100)提供分配管(106)和喷嘴(200；712)的方法。

Description

用于真空沉积的材料源布置和喷嘴
技术领域
本发明的实施方式涉及材料源布置、具有材料源布置的沉积装置、用于材料源布置的喷嘴和一种用于为材料源布置提供分配管的方法。本发明的实施方式尤其涉及用于真空沉积腔室的材料源布置、具有材料源布置的真空沉积装置、用于真空沉积腔室的材料源布置的喷嘴和一种用于为在真空沉积腔室中的材料源布置提供分配管的方法，具体地涉及材料源、沉积装置、喷嘴和一种用于蒸发工艺的方法。
背景技术
有机蒸发器是有机发光二极管(organic light-emitting diodes；OLED)的生产工具。OLED为特殊类型的发光二极管，其中发光层包含某些有机化合物的薄膜。有机发光二极管(OLED)在用于显示信息的电视屏幕、电脑显示器、移动电话、其他掌上型设备等的制造中使用。OLED也可以用于一般空间照明。OLED显示器的颜色、亮度和视角的范围大于传统LCD显示器的范围，因为OLED像素直接地发光且并不使用背景光。因此，OLED显示器的能量消耗比传统LCD显示器的能量消耗少很多。另外，OLED可在柔性基板上制造的事实导致进一步的应用。例如，典型的OLED显示器可包括处于两个电极之间的有机材料层，所述有机材料层以某种方式全部沉积在基板上以形成具有单独可激活像素的矩阵显示板。所述OLED一般置于两个玻璃板之间，且所述玻璃板的边缘被密封以封装在其中的所述OLED。
在制造这种显示设备的过程中会遇到很多的挑战。OLED显示器或OLED发光应用包括若干有机材料的堆叠，所述有机材料例如在真空中蒸发。所述有机材料以后续方式通过掩膜遮蔽掩膜来沉积。因为，期望使用两个或两个以上的材料(例如主体和掺杂剂)的高效的共同沉积或共同蒸发来制造OLED堆叠，从而产生混合/掺杂层。另外，必须考虑的是，存在用于极敏感有机材料的蒸发的若干条件。
与蒸发材料一起沉积的不同尺寸的基板和要沉积的不同材料进一步导致OLED的制造工艺复杂化和耗时，并因而更昂贵。例如，不同材料的蒸发材料的分配策略和不同基板尺寸根据情况进行匹配。
基于以上内容，本文所述的实施方式的目的克服了本领域中的至少一些问题，本文所述的实施方式提供了材料源布置、具有材料源布置的沉积装置、用于材料源布置的喷嘴和一种用于为材料源布置提供分配管的方法。
发明内容
鉴于以上内容，提供了材料源布置、沉积装置、用于分配管的喷嘴和一种用于根据独立权利要求为材料源布置提供分配管的方法。本发明的其它方面、优点和特征在附属权利要求、说明书和附图中是显而易见的。
根据一个实施方式，提供了用于在真空沉积腔室中的基板上沉积材料的材料源布置。所述材料源布置包括分配管，所述分配管被配置成与材料源流体连通，所述材料源提供所述材料至所述分配管。另外，所述材料源布置包括至少一个喷嘴，所述至少一个喷嘴被配置成将提供在分配管中的材料引导至真空沉积腔室。喷嘴包括螺纹，螺纹用于将喷嘴重复地连接至分配管和将喷嘴自分配管断开。
根据另一个实施方式，提供了一种用于在基板上沉积材料的沉积装置。所述沉积装置包括真空腔室；和材料源，所述材料源用于提供要在所述真空腔室中的基板上沉积的材料。根据本文所述的实施方式，所述沉积装置进一步包括材料源布置。
根据另一个实施方式，提供了用于在真空沉积腔室中的基板上沉积材料的分配管的喷嘴。所述喷嘴被配置成在所述真空沉积装置中引导蒸发材料。所述喷嘴包括引导部分，所述引导部分将蒸发材料引导进真空沉积腔室中；和连接部分，所述连接部分包含用于将所述喷嘴可替换地连接至分配管的螺纹。
根据另一个实施方式，提供一种用于为材料源布置提供分配管和喷嘴的方法。所述方法包括提供材料源，所述材料源用于蒸发要在真空沉积腔室中的基板上沉积的材料；连接分配管至所述材料源，以允许在所述材料源和所述分配管之间流体连通；和将第一喷嘴拧紧至所述分配管，所述第一喷嘴用于将蒸发材料引导至真空沉积腔室中的基板。
本实施方式还涉及一种装置，所述装置用于执行所公开的方法，和包括用于执行每个所述方法步骤的装置部分。这些方法步骤可以通过硬件部件、由适当软件编程的电脑、这两者的任何组合或以任何其他方式来执行。另外，根据本发明的实施方式还涉及用于操作所述装置的方法。它包括用于执行所述装置的每个功能的方法步骤。
附图说明
因此，以上简要总结的本发明的上述记载的特征可被详细的理解的方式、对本发明更特定描述可以通过参考实施方式获得。附图涉及本公开的实施方式并描述如下；
图la至1c示出根据本文所述的实施方式的材料源布置的示意图；
图2a至2c示出根据本文所述的实施方式的用于材料源布置的喷嘴的示意图；
图3a和3b示出根据本文所述的实施方式的用于材料源布置的分配管的示意截面图；
图4示出根据本文所述的实施方式的具有材料源布置的沉积装置的示意图；和
图5示出根据本文所述的实施方式的一种方法的流程图，所述方法用于为材料源布置提供分配管和喷嘴。
具体实施方式
现在将详细参考本公开内容的各种实施例，其中的一个或多个示例在附图中示出。在附图的下列描述中，相同的参考数字指示相同的部件。一般而言，仅描述了关于各个实施方式的差异。每个示例以说明的方式提供且并不意味着是对进一步的或其他实施方式的限制。另外，作为一个实施方式的一部分示出或描述的特征可以在其它实施方式中或与其他实施方式一起使用以产生又进一步的实施方式。意图是描述包括此种修改和变化。
另外，在以下描述中，材料源可理解为提供要沉积在基板上的材料的来源。具体地说，所述材料源可被配置成提供要在诸如真空沉积腔室或装置的真空腔室中的基板上沉积的材料。根据一些实施方式，所述材料源可通过被配置成蒸发要沉积的材料，来提供要沉积在基板上的材料。例如，所述材料源可包括蒸发器或坩埚，所述蒸发器或坩埚蒸发要沉积在基板上的材料，和尤其在朝向基板的方向上或进入所述材料源的分配管的方向上释放所蒸发的材料。在一些实施方式中，所述蒸发器可与所述材料源的分配管流体连通，例如用于分配所蒸发的材料。
根据本文所述的一些实施方式，所述分配管可理解为用于引导和分配所蒸发的材料的管。具体地说，所述分配管可将来自蒸发器的蒸发材料引导至分配管的出口或开口。线性分配管可理解为在第一(尤其是纵向)方向上延伸的管。在一些实施方式中，所述线性分配管包括具有圆柱形状的管，其中所述圆柱可具有圆形底部形状或任意其他适宜底部形状。
如本文使用，术语“流体连通”可理解为处于流体连通的两个元件可通过连接而互换流体，以允许流体在所述两个元件之间流动。在一个实例中，处于流体连通的元件可包括空心结构，流体可穿过所述空心结构流动。根据一些实施方式，处于流体连通的所述元件的至少一个可为管状元件。
本文涉及的喷嘴可理解为用于引导流体，尤其用于控制流体的方向或特征(诸如自所述喷嘴处出来的流体的流率、速率、形状、何/或压力)的设备。根据本文所述的一些实施方式，喷嘴可为用于引导或导引蒸汽，诸如要沉积在基板上的蒸发材料的蒸汽的设备。所述喷嘴可具有用于接收流体的入口、用于穿过所述喷嘴引导流体的开口(诸如孔或过道)和用于释放流体的出口。通常，所述喷嘴的开口或过道可包括定义的几何尺寸，以获得流体流过喷嘴的所需方向或特征。根据一些实施方式，喷嘴可连接至提供蒸发材料的分配管，并可接收来自所述分配管的蒸发材料。
图la至1c示出根据本文所述的实施方式的材料源布置100。材料源可包括分配管106和如在图la中示出作为蒸发器的蒸发坩埚104。分配管106可与坩埚流体连通，以分配坩埚104提供的蒸发材料。所述分配管可例如为具有加热单元715的细长立方体。蒸发坩埚可为使用加热单元725蒸发有机材料的储槽(reservoir)。根据可与本文所述的其他实施方式组合的典型实施方式，分配管106提供线源(line source)。所述分配管和所述坩埚的进一步的细节将在下文更详细地论述。根据本文所述的一些实施方式，材料源布置100进一步包括多个喷嘴，所述多个喷嘴用于朝着基板释放蒸发材料，例如喷嘴沿至少一个线布置。
根据本文所述的实施方式，提供了用于在真空沉积腔室中的基板上沉积材料的材料源布置。所述材料源布置包括被配置成与材料源流体连通的分配管，所述材料源提供所述材料至所述分配管。根据本文所述的实施方式的材料源布置进一步包括至少一个喷嘴，所述至少一个喷嘴被配置成将提供在分配管中的材料引导至真空沉积腔室。喷嘴包括螺纹，所述螺纹用于将所述喷嘴重复地连接至分配管和将喷嘴自分配管断开。
根据本文所述的一些实施方式，具有连接至分配管的螺纹的喷嘴可具有内螺纹和/或外螺纹，所述内螺纹和/或外螺纹尤其能够在不损坏分配管或喷嘴的情况下，将所述喷嘴重复地连接至所述分配管。例如，具有定义特征的第一喷嘴可连接至分配管，以用于第一工艺。在完成第一工艺之后，第一喷嘴可断开，且第二喷嘴可连接至分配管，以用于第二工艺。如果再次执行第一工艺，则第二喷嘴可与分配管断开，且第一喷嘴可再次连接至分配管以执行第一工艺。根据一些实施方式，分配管也可包含螺纹，所述螺纹用于例如通过安装至喷嘴的螺纹将喷嘴可替换地连接至分配管。
图2a至2c示出根据本文所述的实施方式的喷嘴的实施方式。根据本文所述的实施方式，喷嘴可包括引导部分，所述引导部分将蒸发材料引导至要涂覆的基板。可例如形成和设计所述引导部分以便获得自所述喷嘴释放的蒸汽羽流(vapor plume)的所需形状和密度。图2a至2c示出根据本文所述的实施方式的喷嘴200。喷嘴200包括引导部分201和连接部分202，所述连接部分202用于将喷嘴可替换地连接至分配管(诸如针对图la至1c描述的分配管)。喷嘴200包括用于穿过喷嘴引导蒸发材料的开口203(或过道或孔)。根据一些实施方式，所述开口(尤其过道的内侧)可表示为喷嘴的引导部分。在一些实施方式中，喷嘴的外侧可表示为喷嘴的连接部分。在一些实施方式中，喷嘴的连接部分可由不同于喷嘴的引导部分的材料的材料制成。
根据本文所述的实施方式，喷嘴的连接部分可被配置成将喷嘴拧紧至材料源布置的分配管。例如，喷嘴的连接部分可包括在图2a至2c中示例性示出的螺纹区域204。根据本文所述的一些实施方式，喷嘴可包括外螺纹。根据本文所述的一些实施方式的材料源的分配管可包括内螺纹，所述内螺纹用于将喷嘴连接至分配管。本领域技术人员将理解，在另一个实施方式中，所述喷嘴可包括内螺纹和所述分配管可包括外螺纹。根据一些实施方式，喷嘴或喷嘴的螺纹可具有通常处于约5mm和约15mm之间的外径，更通常处于6mm和12mm之间的外径，甚至更通常处于8mm和10mm之间的外径。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，所述材料源布置可包括喷嘴集(a set of nozzles)，所述喷嘴集用于可拧紧(尤其重复地)至所述分配管，以形成蒸发材料的出口。在一些实施方式中，喷嘴集的每个喷嘴可具有不同内径、不同长度与内径比率、过道的不同设计(诸如包括压力级、准直结构、阶梯、倾斜角等的几何尺寸)、产生蒸发材料的形成的羽流的不同形状的不同设计、形成喷嘴的不同材料等的至少一个。在一些实施方式中，所述喷嘴按组布置，其中一个组群的喷嘴提供相同的性质(例如，相同的内径、相同的长度对内径比率、相同的过道设计)，其中不同组群的性质不同。根据一些实施方式，喷嘴集的每个喷嘴或喷嘴的每个组群具有相同的螺纹，即相同的螺纹大小。喷嘴集的每个喷嘴或喷嘴的每个组群可重复地连接至相同的分配管。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施例，此处涉及的喷嘴可由钛组成或可包括钛。根据一些实施方式，喷嘴可包括一材料，所述材料的导热率值大于钛的导热率值(例如，所述材料可具有大于21W/mK的导热率)。例如，根据本文所述的实施方式的喷嘴可包括由以下材料组成的组的至少一个材料：Cu、Ty、Nb、Ti、DLC和石墨。在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，喷嘴的开口或过道可涂覆有Cu、Ty、Nb、Ti、DLC和石墨。根据本文所述的实施方式，包括上文所述的材料特性或上文引用的材料的所述喷嘴，可避免蒸发材料在所述喷嘴中冷凝。例如，在加热材料源和分配管的情况下，所述喷嘴可认为是散热器，因为所述喷嘴的几何尺寸不适宜足够保持在所需温度下(诸如高于所述蒸发温度的在10℃至15℃之间的温度)。在一个实例中，相比于所述分配管，不加热喷嘴。在本文所述的实施方式中涉及的材料可帮助将喷嘴保持在一温度下，以避免基板与冷凝材料的冷凝和污染。
根据本文所述的一些实施方式，所述喷嘴的开口或过道(穿过所述喷嘴的开口或过道所述蒸发材料在蒸发过程中流动以到达要涂覆的基板)可具有通常约1mm至约10mm，更通常约1mm至约6mm，甚至更通常2mm至约5mm的大小。根据一些实施方式，所述过道或开口的尺寸可指横截面的最小尺寸，例如所述过道或开口的直径。在一个实施方式中，在所述喷嘴的出口处测量所述开口或过道的大小。根据本文描述的一些实施方式，可在公差带H7中生产开口或过道，例如以约10μm至约18μm的公差产生。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，此处涉及的喷嘴可被设计以形成具有类cosn的形状轮廓的羽流，其中n尤其是大于4。在一个实例中，所述喷嘴被设计以形成具有类cos6形状的轮廓的羽流。如果希望所述羽流的狭窄形状，则获得蒸发材料的cos6形成羽流的喷嘴可能是有用的。例如，包括用于具有小开口(诸如具有约50μm和更小，例如20μm大小的开口)的掩膜的沉积工艺可受益于狭窄的cos6形状的羽流，且可增加材料利用，因为蒸发材料的羽流不在掩膜上展开而是通过掩膜的开口。根据一些实施方式，喷嘴可被设计以便喷嘴的长度和喷嘴的过道的大小的关系处于定义的关系中，诸如具有2:1或更大的比率。根据额外的或替代的实施方式，喷嘴的过道可包括阶梯、倾斜、准直结构和/或压力级，以获得所需的羽流形状。
图3a和3b示出根据本文所述的实施方式的用于材料源布置的分配管106的实施方式的截面图。在一些实施方式中，分配管可具有连接区域，所述连接区域允许将喷嘴可替换地连接至分配管，诸如通过提供螺纹。图3a示出具有开口107的分配管，所述开口提供连接区域以允许根据实施方式将喷嘴连接至分配管106。例如，开口107可在壁109处具备螺纹。图3b示出具有加长部分108的分配管106的实施方式，所述加长部分108围绕开口107，以提供分配管的螺纹区域。
返回图la至1c，图la至1c示出材料源布置，根据本文实施方式可使用用于所述材料源布置的上述的喷嘴。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，分配管的喷嘴可适宜在不同于分配管的长度方向上，诸如大体上垂直于分配管的长度方向的方向上，释放蒸发材料。根据一些实施方式，喷嘴被布置成具有水平±20°的主要蒸发方向。根据一些特定实施方式，蒸发方向可轻微地向上，例如在自水平向上15°的范围中，诸如向上3°至7°。相应地，基板可略微倾斜以大体上垂直于所述蒸发方向。可减少不期望的颗粒生成。然而，根据本文所述的实施方式也可在沉积装置中使用喷嘴和材料源布置，所述喷嘴和所述材料源布置被配置成在水平朝向的基板上沉积材料。
在一个实例中，分配管106的长度至少对应于要在沉积装置中沉积的基板的高度。在许多情况下，分配管106的长度将比要沉积的基板的高度长，至少长了10％甚至20％。可在基板的上端和/或在基板的下端上可提供均匀的沉积。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，所述分配管的长度可为1.3m或更长，例如2.5m或更长。根据一个配置，如图la中示出，蒸发坩埚104提供在分配管106的下端。有机材料在蒸发坩埚104中蒸发。有机材料的蒸汽在分配管的底部进入分配管106并实质上被引导横向穿过分配管中的多个喷嘴，例如朝着基本上垂直的基板。
图lb示出材料源的部分的放大示意图，其中分配管106连接至蒸发坩埚104。提供了凸缘单元703，所述凸缘单元703被配置成在蒸发坩埚104和分配管106之间提供连接。例如，蒸发坩埚和分配管可设置为独立单元，它们可在凸缘单元处被隔开和连接或组装，例如以用于材料源的操作。
分配管106具有内部中空空间710。可提供加热单元715以加热所述分配管。因此，分配管106可被加热至一温度使得蒸发坩埚104所提供的有机材料的蒸汽不在分配管106的壁的内部凝结。
例如，分配管可保持在比要在基板上沉积的材料的蒸发温度高的一温度下，通常高约1℃至约20℃，更通常为约5℃至约20℃，甚至更通常为约10℃至约15℃。围绕分配管106的管设置两个或两个以上加热罩717。
在操作过程中，分配管106可在凸缘单元703处连接至蒸发坩埚104。蒸发坩埚104被配置成接收要蒸发的有机材料和蒸发所述有机材料。根据一些实施方式，要蒸发的材料可包括ITO、NPD、Alq3、喹吖啶酮、Mg/AG、星爆(starburst)材料等的至少一个。图lb示出穿过蒸发坩埚104的壳(housing)的横截面。例如，在所述蒸发坩埚的上部设置再充填开口，所述再充填开口可使用塞子722、盖、盖子等封闭以封闭蒸发坩埚104的外壳。
外部的加热单元725设置在蒸发坩埚104的外壳内。外部的加热元件可至少沿蒸发坩埚104的壁的部分延伸。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，可额外地或替换地提供一个或多个中心的加热元件726。图lb示出两个中心加热元件726。根据一些实施方式，蒸发坩埚104可进一步包括屏蔽件727。
根据一些实施方式，如关于图la至lb示例性地示出，蒸发坩埚104设置在分配管106的下侧。根据可与本文所述的其他实施方式结合的又一个实施方式，蒸汽导管732可提供至分配管106，所述分配管106在所述分配管的中心部分或在处于所述分配管的下端和所述分配管的上端之间的另一位置处。图1c示出了具有分配管106和蒸汽导管732的材料源的实例，所述蒸汽导管732设置在所述分配管的中心部分。有机材料的蒸汽在蒸发坩埚104中生成并通过蒸汽导管732引导至分配管106的中心部分。所述蒸汽穿过多个喷嘴712离开分配管106，所述多个喷嘴712可为如针对图2a至2c描述的喷嘴。根据可与本文所述的其他实施方式结合的又一个实施方式，两个或两个以上蒸汽导管732可沿分配管106的长度方向设置在不同的位置。蒸汽导管732可连接至一个蒸发坩埚104或者连接至若干蒸发坩埚104。例如，每个蒸汽导管732可具有对应的蒸发坩埚104。或者，蒸发坩埚104可与两个或两个以上蒸汽导管732流体连通，所述蒸汽导管732连接至分配管106。
如本文所述，分配管可为中空圆筒。术语圆筒可被理解普遍当作具有圆形底部形状、圆形上部形状和连接所述上部圆和下部圆的曲面区域或壳。根据可与本文所述的其他实施方式结合的另一个额外或替换的实施方式，术语圆筒在数学意义中可理解为具有任意底部形状、相同上部形状和连接所述上部形状和所述下部形状的曲面区域或壳。因此，所述圆筒不一定必须具有圆形截面。相反，所述底面和所述上表面可具有不同于圆形的形状。
图4示出沉积装置300，其中可使用根据本文所述的实施方式的材料源布置或喷嘴。沉积装置300包括在真空腔室110中的位置中的材料源100。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，所述材料源被配置成用于平移运动和围绕轴的转动。材料源100具有一个或多个蒸发坩埚104和一个或多个分配管106。在图4中示出两个蒸发坩埚和两个分配管。分配管106通过支撑件102支撑。另外，根据一些实施方式，蒸发坩埚104也可以通过支撑件102支撑。两个基板121设置在真空腔室110中。通常，用于屏蔽沉积在基板上的层的掩膜132可设置在所述基板和材料源100之间。有机材料自分配管106蒸发。根据一些实施方式，材料源可包括如图la至1c示出的材料源布置。
根据本文所述的实施方式，基板在基本上垂直的位置中涂覆有有机材料。在图4中示出的视图为包括材料源100的装置的俯视图。通常，分配管为蒸汽分配喷头，尤其为线性蒸汽分配喷头。分配管提供基本上垂直延伸的线源。根据可与本文所述的其他实施方式结合的本文所述的实施方式，当参照基板取向时基本上垂直可尤其理解为允许偏离垂直方向20°或更少，例如偏离10°或更少。可例如提供偏离，因为偏离垂直取向一些角度的基板支撑件可产生更稳定的基板位置。然而，在沉积有机材料的过程中，所述基板取向可认为是基本上垂直的，所述基本上垂直不同于水平基板取向。基板表面通常通过线源来涂覆，所述线源在对应于一个基板尺寸的一个方向上延伸和沿对应于其他基板尺寸的其他方向平移运动。根据其他实施方式，所述沉积装置可为用于在基本上水平朝向的基板上沉积材料的沉积装置。例如，在沉积装置中的基板的涂覆可在向上或向下的方向上执行。
图4示出了用于在真空腔室110中沉积有机材料的沉积装置300的实施方式。在真空腔室110中材料源100设置在轨道上，例如环形轨道或线性导轨320。轨道或线性导轨320被配置成用于材料源100的平移运动。根据可与本文所述的其他实施方式结合的不同实施方式，平移运动的驱动可设置在材料源100中、在轨道或线性导轨320上、在真空腔室110内或其上述组合。图4示出阀门205，例如闸阀。阀门205允许真空密封至邻近的真空腔室(在图4中未示出)。所述阀门可被打开以用于将基板121或掩膜132传递进真空腔室110中或传递出真空腔室110外。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，另一个真空腔室，诸如维护真空腔室210，邻近于真空腔室110设置。通常，真空腔室110和维护真空腔室210可与阀门207连接。阀门207被配置成在真空腔室110和维护真空腔室210之间打开和封闭真空密封。在阀门207处于打开状态时，材料源100可被传递至维护真空腔室210。此后，可关闭所述阀门以在真空腔室110和维护真空腔室210之间提供真空密封。如果阀门207关闭，则可通风或打开维护真空腔室210以维持材料源100的同时不破坏真空腔室110中的真空。
在图4示出的实施方式中，两个基板121被支撑在真空腔室110内的各个平移轨道上。另外，提供了用于在其上提供掩膜132的两个轨道。基板121的涂层可通过相应的掩膜132来掩蔽。根据典型实施方式，掩膜132，即对应于第一基板121的第一掩膜132和对应于第二基板121的第二掩膜132，设置在掩膜框131中以将掩膜132固定在预定位置中。
根据可与本文所述的其他实施方式组结合的一些实施方式，基板121可通过连接至对准单元112的基板支撑件126来支撑。对准单元112可调整基板121相对于掩膜132的位置。图4示出了一个实施方式，其中基板支撑件126连接至对准单元112。因此，基板相对于掩膜132移动以在沉积有机材料的过程中在基板和掩膜之间提供正确的对准。根据可与本文所述的其他实施方式结合的另一个实施方式，替换地或额外地，掩膜132和/或固定掩膜132的掩膜框131可连接至对准单元112。在一些实施方式中，所述掩膜可相对于基板121放置，或者掩膜132和基板121两者可相对彼此而放置。对准单元112，被配置成用于调整基板121和掩膜132之间相对于彼此的位置，在沉积过程中允许掩蔽的正确对准，这对高质量的LED显示器制造或OLED显示器制造很有好处。
如图4所示，线性导轨320提供材料源100的平移运动的方向。在材料源100的两侧提供掩膜132。在一些实施方式中，掩膜132可基本上平行于平移运动的方向延伸。另外，在材料源100的相对侧处的基板121也可基本上平行于平移运动的方向延伸。根据典型实施方式，基板121可通过阀门205移进真空腔室110中和移出真空腔室110外。沉积装置300可包括用于传送每个基板121的相应传送轨道。例如，所述传送轨道可平行于在图4中示出的基板位置并延伸进真空腔室110中和移出真空腔室110外。
通常，设置进一步的轨道以支撑掩膜框131和掩膜132。因此，可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，可在真空腔室110内包括四个轨道。为了将多个掩膜132的一个移出腔室，例如用于清洁掩膜，掩膜框131和掩膜可被移至基板121的传送轨道上。进而相应掩膜框可在基板的传送轨道上离开或进入真空腔室110。尽管为掩膜框131将单独传送轨道提供进真空腔室110内和外是可能的，但如果只有两个轨道(即基板的传送轨道)延伸进真空腔室110中和延伸出真空腔室110，沉积装置200的拥有成本可降低，另外，掩膜框131可通过适宜的致动器或机械手而移至基板的传送轨道的相应一个上。
图4示出了材料源100的示例性实施方式。材料源100包括支撑件102。支撑件102被配置成沿线性导轨320平移运动。支撑件102支撑设置在蒸发坩埚104上方的两个蒸发坩埚104和两个分配管106。在所述蒸发坩埚中产生的蒸汽可向上移动并在所述分配管的一个或多个出口处移出。
根据本文所述的实施方式，材料源包括一个或多个蒸发坩埚和一个或多个分配管，其中所述一个或多个分配管的相应一个可与所述一个或多个蒸发坩埚的相应一个流体连通。用于OLED设备制造的各应用包括处理步骤，其中两种或两种以上有机材料同时地蒸发。因此，如例如在图4中示出，两个分配管和对应蒸发坩埚可彼此相邻设置。因此，材料源100还可称作材料源阵列，例如其中不止一种有机材料在同一时间蒸发。如本文所述，材料源阵列本身可称作两个或两个以上有机材料的材料源，例如可设置所述材料源阵列以将三种材料蒸发和沉积在一个基板上。
所述分配管的一个或多个出口可包括一个或多个喷嘴，所述一个或多个喷嘴可例如设置在喷头或另一个蒸汽分配系统中。为本文所述的分配管提供的喷嘴可为如本文实施方式所述的喷嘴，诸如针对图2a至2c描述的喷嘴。分配管此处可理解为包括具有开口的外壳使得分配管中的压力高于分配管外部的压力(例如，其中布置所述分配管的真空腔室)，例如高了至少一个数量级。在一个实例中，分配管中的压力可处于约10-2至约10-1毫巴(mbar)之间，或在约10-2至约10-3毫巴之间。根据一些实施方式，所述真空腔室可提供约10-5至约10-7毫巴的压力。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的本文所述的实施方式，分配管的转动可通过蒸发器控制壳的转动来提供，在所述蒸发器控制壳上至少安装所述分配管。额外地或替换地，分配管的转动可通过沿曲线部分将材料源移出环形轨道来提供。通常，所述蒸发坩埚也可以安装在所述蒸发器控制壳上。因此，材料源包括分配管和蒸发坩埚，所述分配管和蒸发坩埚两者可例如可旋转地安装在一起。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，分配管可具有多个开口，诸如喷嘴阵列的接收。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，分配管或蒸发管可设计成三角形形状，使得尽可能靠近彼此地产生开口或喷嘴成为可能。尽可能靠近彼此地产生喷嘴以允许，例如获得不同有机材料的改进混合物，例如在两个、三个乃至更多个不同有机材料共同蒸发的情况下。具有类三角形形状的分配管的实例在图4中可见。
根据本文所述的实施方式，所述分配管的出口侧的宽度(包括开口的分配管的侧面)为横截面的最大尺寸的30％或更少。鉴于此，分配管的开口或邻近分配管的喷嘴可以更小的距离设置。所述更小距离改进了紧接着彼此蒸发的有机材料的混合。更进一步，额外的或替代地，独立于有机材料的改进混合，可减小以基本上平行方式面向基板的壁的宽度。相应地，可减小以基本上平行的方式面向基板的壁的表面积。所述布置降低了提供至掩膜或基板的热负荷，所述掩膜或基板被支撑在沉积区域中或略微地在沉积区域之前。
额外地或替代地，鉴于材料源的三角形形状，减小了朝着掩膜发光的面积。另外，可提供金属板堆叠(例如高达10块金属板的堆叠)以减小自材料源至掩膜的热传递。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，所述加热屏蔽件或金属板可具备喷嘴的孔口并可附接至来源的至少前侧，即面向基板的侧面。
尽管在图4中示出的实施方式提供了具有可移动来源的沉积装置，本领域技术人员可理解上述实施方式也可被应用在沉积装置中，在处理过程中基板在所述沉积装置中移动。例如，要涂覆的基板可沿固定材料源被引导和驱动。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，提供了用于在真空腔室中的基板上沉积一种、两种或两种以上蒸发材料的材料沉积布置。所述材料沉积布置包括第一材料源，所述第一材料源包括被配置成蒸发要在基板上沉积的第一材料的第一材料蒸发器。第一材料源进一步包括第一分配管，所述第一分配管包括第一分配管壳，其中所述第一分配管与所述第一材料蒸发器流体连通，其中所述材料源进一步包括在所述第一分配管壳中的多个第一喷嘴。通常，多个第一喷嘴的一个或多个喷嘴包括开口长度和开口大小，其中所述多个第一喷嘴的一个或多个喷嘴的长度对大小的比率等于或大于2:1。所述材料沉积装置包括第二材料源，所述第二材料源包括被配置成蒸发要在基板上沉积的第二材料的第二材料蒸发器。所述第二材料源进一步包括第二分配管，所述第二分配管包括第二分配管壳，其中所述第二分配管与所述第二材料蒸发器流体连通。所述第二材料源进一步包括在所述第二分配管壳中的多个第二喷嘴。根据本文所述的实施方式，多个第一喷嘴的第一喷嘴与多个第二喷嘴的第二喷嘴之间的距离等于或小于30mm。根据一些实施方式，第一材料和第二材料可为同一材料。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的另一个实施方式，提供了用于在真空腔室中的基板上沉积一种、两种或两种以上蒸发材料的材料沉积布置。所述材料沉积布置包括第一材料源，所述第一材料源包括被配置成蒸发要在基板上沉积的第一材料的第一材料蒸发器。所述第一材料源进一步包括第一分配管，所述第一分配管包括第一分配管壳，其中所述第一分配管与所述第一材料蒸发器流体连通。另外，所述第一材料源包括在所述第一分配管壳中的多个第一喷嘴，其中所述多个第一喷嘴的一个或多个喷嘴包含开口长度和开口大小并被配置成提供第一分配方向。所述多个第一喷嘴的一个或多个喷嘴的长度对大小的比率等于或大于2:1。所述材料沉积装置进一步包括第二材料源，所述第二材料源包括被配置成蒸发要在基板上沉积的第二材料的第二材料蒸发器；和第二分配管，所述第二分配管包括第二分配管壳，其中所述第二分配管与所述第二材料蒸发器流体连通。所述第二材料源进一步包括在所述第二分配管壳中的多个第二喷嘴，其中一个或多个第二喷嘴被配置成提供第二分配方向。根据本文所述的实施方式，所述多个第一喷嘴的一个或多个的第一分配方向和所述多个第二喷嘴的一个或多个的第二分配方向彼此平行布置或被布置成与所述平行装置偏离高达5°。根据一些实施方式，所述第一材料和所述第二材料可为同一材料。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，提供了用于在真空腔室中的基板上沉积蒸发材料的分配管。所述分配管包括分配管壳和在所述分配管壳中的喷嘴。所述喷嘴包括开口长度和开口大小，其中所述喷嘴的长度与大小的比率等于或大于2:1。另外，所述喷嘴包括对蒸发有机材料化学惰性的材料。在一个实例中，蒸发的有机材料可具有约150℃和约650℃的温度。
本文所述的实施方式尤其涉及有机材料的沉积，例如用于在大面积基板上制造的OLED显示器。根据一些实施方式，支撑一个或多个基板的大面积基板或载体，即大面积载体，可具有至少0.174m2的大小。例如，所述沉积装置可适宜处理大面积基板，诸如第5代(GEN 5)基板，所述第5代基板对应于约1.4m2基板(1.1mx1.3m)；第7.5代，所述第7.5代对应于约4.29m2基板(1.95mx2.2m)；第8.5代，所述第8.5代对应于约5.7m2基板(2.2mX2.5m)；甚至第10代，所述第10代对应于约8.7m2基板(2.85mx3.05m)。可类似地实施诸如第11代和第12代更大世代和对应基板面积。根据可与本文所述的其他实施方式结合的典型实施方式，基板厚度可在0.1至1.8mm之间，且基板的固定布置可适宜这种基板厚度。然而，尤其所述基板厚度可为约0.9mm或更低，诸如0.5mm或0.3mm，和所述固定布置适宜这种基板厚度。通常，基板可由适宜材料沉积的任意材料组成。例如，基板可由自以下所组成的组中选择的材料制成：玻璃(例如，钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料或可通过沉积工艺涂覆的任意其他材料或组合材料。
根据本文所述的实施方式，提供了一种提供材料源布置的方法。所述材料源布置可为如针对上文实施方式所述的材料源布置，和/或可为根据本文所述的实施方式的在沉积装置中使用的材料源布置。根据本文所述的实施方式的方法400的流程图在图5中可见。所述方法包括在方框410中在真空沉积腔室中提供材料源，所述材料源用于蒸发要在基板上沉积的材料。根据一些实施方式，提供的材料源可为例如针对图1或图3描述的材料源。例如，所述材料源可为用于蒸发有机材料的来源。在一个实例中，所述材料源可适宜在通常约150℃至约650℃的蒸发温度下，或通常在约100℃和约500℃之间蒸发材料。在一些实施方式中，所述材料源可为坩埚。
在方框420中，方法400包括将分配管连接至所述材料源，以允许在材料源和分配管之间流体连通。根据一些实施方式，分配管可为如上文实施方式中，尤其在针对图1和图3描述的实施方式中所述的分配管。在一些实施方式中，分配管可例如具有三角形的横截面，以能够以优化方式使用空间。通常，分配管包括用于将喷嘴连接至分配管的连接区域或连接部分。例如，连接区域可适宜地将在图2a至2c中示例性示出的喷嘴连接至分配管。
方框430包括将喷嘴拧紧至所述分配管，所述喷嘴用于在真空沉积腔室中将蒸发材料引导至基板。在一个实施方式中，在方法400的方框430中可使用针对图2a至2c示出和描述的喷嘴。根据一些实施方式，如上所述，所述方法可进一步包括形成具有类cos6形状的蒸汽羽流。在一些实施方式中，所述方法可进一步包括自喷嘴集中选择第二喷嘴和通过拧紧将所述第一喷嘴替换为所述第二喷嘴。
另外，描述了根据本文所述的实施方式的材料源布置的至少一个的使用，具有根据本文所述的实施方式的材料源布置的沉积装置和根据本文所述的实施方式的喷嘴。
尽管上述内容针对一些实施方式，但可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围是由随附的权利要求确定。

Claims (15)

1.一种用于在真空沉积腔室(110)中的基板上沉积材料的材料源布置(100)，包含：
分配管(106)，所述分配管(106)被配置成与材料源(102)流体连通，所述材料源(102)提供所述材料至所述分配管；以及
至少一个喷嘴(712；200)，所述至少一个喷嘴(712；200)被配置成将在所述分配管(106)中提供的材料引导至所述真空沉积腔室(110)，其中所述喷嘴(712；200)包含螺纹(204)，所述螺纹(204)用于将所述喷嘴(712；200)重复地连接至所述分配管(106)和将所述喷嘴(712；200)自所述分配管(106)断开。
2.如权利要求1所述的材料源布置，其中所述喷嘴(712；200)包含外螺纹和所述分配管(106)包含内螺纹，以用于重复地交换所述喷嘴(712；200)。
3.根据上述权利要求的任一项所述的材料源布置，其中所述材料源(102)为蒸发坩埚和所述材料源布置(100)为提供蒸发的有机材料的布置。
4.根据上述权利要求的任一项所述的材料源布置，其中所述分配管(106)为包含一个或多个出口(107)的线性蒸汽分配喷头。
5.根据上述权利要求的任一项所述的材料源布置，其中所述分配管(106)包含一个或多个出口，所述一个或多个出口用于在不同于所述分配管的长度方向的方向上释放所述分配管(106)中的材料。
6.根据权利要求4至5的任一项所述的材料源布置，其中一个喷嘴(712；200)设置在所述分配管(106)的每个出口(107)中。
7.根据上述权利要求的任一项所述的材料源布置，进一步包含喷嘴集，每个喷嘴具有不同内径和不同设计的至少一个，导致释放材料的羽流的不同余弦指数，每个喷嘴(712；200)具有可更换地地连接至所述分配管(106)的螺纹(204)。
8.根据上述权利要求的任一项所述的材料源布置，其中所述喷嘴(712；200)包含一种材料，所述材料包含具有大于21W/mK的导热率值的喷嘴材料。
9.一种用于在基板(121)上沉积材料的沉积装置，所述沉积装置包含
真空腔室(110)；
材料源(102)，所述材料源(102)用于提供要在所述真空腔室(110)中的基板(121)上沉积的材料；以及
根据上述权利要求的任一项所述的材料源布置(100)。
10.根据权利要求9所述的沉积装置，包含
两个或两个以上材料源(102)；以及
两个或两个以上分配管(106)，其中所述两个或两个以上分配管的第一分配管与所述两个或两个以上材料源的第一材料源流体连通，和其中所述两个或两个以上分配管的第二分配管与所述两个或两个以上材料源的第二材料源流体连通。
11.如权利要求9至10的任一项所述的沉积装置，其中所述材料源(102)为蒸发坩埚，所述材料源布置(100)的所述分配管(106)与所述蒸发坩埚连接，以将蒸发的材料自所述蒸发坩埚引导进所述真空腔室(110)中，
其中所述喷嘴(712；200)包含外螺纹且所述分配管(106)包含内螺纹，以用于将所述喷嘴(712；200)重复地连接至所述分配管(712；200)和将所述喷嘴(712；200)与所述分配管(712；200)断开；以及
其中所述材料源布置(100)的所述喷嘴(712；200)被布置成将所述蒸发材料引向所述真空腔室(110)中的基板(121)。
12.一种用于在真空沉积腔室(110)中的基板(121)上沉积材料的分配管(106)的喷嘴(712；200)，其中所述喷嘴(712；200)被配置成在所述真空沉积装置(100)中引导蒸发材料，所述喷嘴包含：
引导部分(201)，将所述蒸发材料引导进所述真空沉积腔室中；以及
连接部分(202)，包含用于将所述喷嘴(712；200)可更换地连接至分配管(106)的螺纹(204)。
13.如权利要求12所述的喷嘴，其中所述喷嘴(712；200)具有在5mm和15mm之间的外径。
14.一种用于为材料源布置(100)提供分配管(106)和喷嘴(712；200)的方法，所述方法包含：
提供材料源(102)，所述材料源(102)用于蒸发要在真空沉积腔室(110)中的基板(121)上沉积的材料；
将分配管(106)连接至所述材料源(102)，以允许在所述材料源(102)和所述分配管(106)之间流体连通；以及
将第一喷嘴(712；200)拧紧至所述分配管(106)，所述第一喷嘴(712；200)用于将蒸发材料引导至所述真空沉积腔室(110)中的基板(121)。
15.如权利要求14所述的方法，进一步包含自喷嘴集中选择第二喷嘴和通过拧紧将所述第一喷嘴替换为所述第二喷嘴。
CN201480083640.1A 2014-11-07 2014-11-07 用于真空沉积的材料源布置和喷嘴 Pending CN107208252A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2014/074088 WO2016070941A1 (en) 2014-11-07 2014-11-07 Material source arrangment and nozzle for vacuum deposition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107208252A true CN107208252A (zh) 2017-09-26

Family

ID=51871034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480083640.1A Pending CN107208252A (zh) 2014-11-07 2014-11-07 用于真空沉积的材料源布置和喷嘴

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20170321318A1 (zh)
EP (1) EP3215650A1 (zh)
JP (1) JP6488397B2 (zh)
KR (1) KR102018865B1 (zh)
CN (1) CN107208252A (zh)
WO (1) WO2016070941A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110621803A (zh) * 2018-04-18 2019-12-27 应用材料公司 用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源、沉积设备、用于测量已蒸发材料的蒸汽压力的方法、及用于确定已蒸发材料的蒸发率的方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106637091B (zh) * 2017-02-24 2019-08-30 旭科新能源股份有限公司 用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉
CN113227436A (zh) * 2018-12-21 2021-08-06 应用材料公司 气相沉积装置和用于在真空腔室中涂布基板的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110027462A1 (en) * 2009-08-03 2011-02-03 Chang Hun Hwang Fast deposition system and method for mass production of large-area thin-film cigs solar cells
CN102534507A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 瑞必尔 用于真空蒸发源的喷射器
CN103906856A (zh) * 2011-10-21 2014-07-02 瑞必尔 用于通过真空蒸发沉积薄膜的装置的喷射系统

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5904958A (en) * 1998-03-20 1999-05-18 Rexam Industries Corp. Adjustable nozzle for evaporation or organic monomers
US7194197B1 (en) * 2000-03-16 2007-03-20 Global Solar Energy, Inc. Nozzle-based, vapor-phase, plume delivery structure for use in production of thin-film deposition layer
AU2003217530A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-13 Ans Inc Apparatus and method for depositing organic matter of vapor phase
JP4545010B2 (ja) * 2005-02-18 2010-09-15 日立造船株式会社 蒸着装置
JP5068458B2 (ja) * 2006-01-18 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5098708B2 (ja) * 2008-03-10 2012-12-12 凸版印刷株式会社 プラズマ処理用ガス供給管ユニット
US20100159132A1 (en) * 2008-12-18 2010-06-24 Veeco Instruments, Inc. Linear Deposition Source
JP2010159448A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Canon Inc 成膜装置及び成膜方法
PL2524974T3 (pl) * 2011-05-18 2014-09-30 Riber Wtryskiwacz dla układu osadzania próżniowego oparów
EP2746423B1 (en) * 2012-12-20 2019-12-18 Applied Materials, Inc. Deposition arrangement, deposition apparatus and method of operation thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110027462A1 (en) * 2009-08-03 2011-02-03 Chang Hun Hwang Fast deposition system and method for mass production of large-area thin-film cigs solar cells
CN102534507A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 瑞必尔 用于真空蒸发源的喷射器
CN103906856A (zh) * 2011-10-21 2014-07-02 瑞必尔 用于通过真空蒸发沉积薄膜的装置的喷射系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110621803A (zh) * 2018-04-18 2019-12-27 应用材料公司 用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源、沉积设备、用于测量已蒸发材料的蒸汽压力的方法、及用于确定已蒸发材料的蒸发率的方法
CN110621803B (zh) * 2018-04-18 2022-07-12 应用材料公司 用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源、沉积设备、用于测量已蒸发材料的蒸汽压力的方法、及用于确定已蒸发材料的蒸发率的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102018865B1 (ko) 2019-09-05
KR20170083587A (ko) 2017-07-18
JP2017534767A (ja) 2017-11-24
JP6488397B2 (ja) 2019-03-20
WO2016070941A1 (en) 2016-05-12
US20170321318A1 (en) 2017-11-09
WO2016070941A8 (en) 2017-06-15
EP3215650A1 (en) 2017-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6513201B2 (ja) 材料堆積装置、真空堆積システム、及び材料堆積方法
JP6657239B2 (ja) 材料堆積源構成の分配アセンブリのためのノズル、材料堆積源構成、真空堆積システム、及び材料を堆積させるための方法
TWI690611B (zh) 真空沉積腔室
KR101877908B1 (ko) 유기 재료를 위한 증발 소스, 유기 재료를 위한 증발 소스를 갖는 장치, 및 유기 재료를 증착시키기 위한 방법
CN107208252A (zh) 用于真空沉积的材料源布置和喷嘴
CN107078215B (zh) 用于真空沉积的材料源配置与材料分布配置
CN107980070A (zh) 蒸发源
JP6543664B2 (ja) 真空堆積チャンバ
TW202035741A (zh) 用以蒸發一材料之蒸發設備及使用蒸發裝置蒸發材料之方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170926

RJ01 Rejection of invention patent application after publication