JP7483894B2 - 蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源 - Google Patents

蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源 Download PDF

Info

Publication number
JP7483894B2
JP7483894B2 JP2022541823A JP2022541823A JP7483894B2 JP 7483894 B2 JP7483894 B2 JP 7483894B2 JP 2022541823 A JP2022541823 A JP 2022541823A JP 2022541823 A JP2022541823 A JP 2022541823A JP 7483894 B2 JP7483894 B2 JP 7483894B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
evaporation
source material
subspace
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022541823A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023509077A (ja
Inventor
プラサド ヴィー.エス.エス.アール.ヴィー. マダバボートラ,
ミヒャエル ロン,
サディア タデラ,
シュリーニヴァース サルグ,
ナガ ディーピカ ベバラ,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2023509077A publication Critical patent/JP2023509077A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7483894B2 publication Critical patent/JP7483894B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/543Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Description

本開示は、材料の蒸発、例えば有機材料の蒸発のための装置、供給源、及び方法に関する。本開示の実施形態は、特に、真空蒸着システム内で有機発光ダイオード(OLED:organic light-emitting diode)を作製するための材料、特に有機材料を蒸発させるための方法、供給源、及び装置に関する。特に、本開示の実施形態は、蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源に関する。
基板上に層を堆積させるための技術は、蒸発源内の材料の蒸発を含む。例えば、蒸発源は、堆積された材料のスタックを含む有機発光ダイオード(OLED)及び他の電子又は光学デバイスの製造のためのツールである。OLEDは、特殊な発光ダイオードであり、この発光ダイオードでは、発光層に、或る特定の有機化合物の薄膜が含まれている。有機発光ダイオード(OLED)は、例えば情報を表示するための、テレビ画面、コンピュータのモニタ、携帯電話、他のハンドヘルド装置等の製造時に使用される。OLEDは、一般的な空間照明のためにも利用することが可能である。OLEDピクセルが直接的に発光しバックライトを必要としないため、OLEDディスプレイで可能な色、輝度、及び視野角の範囲が、従来のLCDディスプレイよりも広い。従って、OLEDディスプレイのエネルギー消費は、従来のLCDディスプレイのエネルギー消費よりもかなり少ない。さらに、フレキシブル基板上にOLEDを製造できるという事実によって、結果的に更なる用途がもたらされる。蒸発源は、ガラス基板又は半導体ウエハといった基板上への、他の材料層、例えば金属層の堆積のためにも使用することが可能である。
蒸発源は典型的に、ソース材料の蒸発温度である温度又は当該蒸発温度を上回る温度までソース材料を加熱することによって、ソース材料を蒸発させるよう構成された蒸発装置を含む。蒸発したソース材料は、蒸発したソース材料を基板上へと方向付けるために構成された蒸気分配管内を伝播することが可能である。
処理中に、基板は、基板をマスクと位置合わせして保持するよう構成されたキャリア上で支持されうる。蒸発源からの蒸気が、マスクを介して基板に向かって方向付けられて、基板上にパターニングされた膜を作る。1つ以上の材料が、1つ以上のマスクを介して基板上に堆積させられて、個別にアドレス指定することが可能な小さなピクセルを形成し、フルカラーディスプレイといった機能デバイスが作製されうる。
典型的に、蒸発装置の内部空間が、ソース材料を蒸発させるために加熱される。ソース材料は、固体の形態により、例えば粉末として又は顆粒として蒸発装置の内部に配置されうる。しかしながら、長時間にわたってソース材料の所定の蒸発速度を保証することは困難である。更に、典型的なソース材料は温度に敏感であり、これにより、ソース材料が長時間にわたって蒸発装置の内部で高温に曝される場合には、蒸発装置内で材料が分解するリスクがある。OLED材料の分解は、OLEDデバイスの発光効率の低下及び寿命の短縮につながる。
上記に鑑みて、特にOLEDデバイスの製造のために、蒸発した材料の高品質の堆積を保証する改良された蒸発方法及び改良された蒸発装置を提供することが有益であろう。具体的には、長時間にわたって所定の蒸発速度を確保しながら、材料分解のリスクを低減するべきである。
以上に鑑みて、蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源が提供される。
本開示の一態様に従って、蒸発方法が提供される。蒸発方法は、ルツボ内で蒸発させるソース材料を供給することと、ルツボの第1の部分空間内に配置されたソース材料の第1の部分を選択的に蒸発させるために、ルツボ内で第1の温度分布を発生させることと、ルツボの第2の部分空間内に配置されたソース材料の第2の部分を選択的に蒸発させるために、ルツボ内で、第1の温度分布とは異なる第2の温度分布を発生させることと、を含む。
具体的には、第1の温度分布を発生させるために、第1の部分空間の隣に配置された第1のヒータを、第1の部分空間内に配置されたソース材料の第1の部分を加熱して蒸発させるために作動させることが可能である。同時に、第2の部分空間の隣に配置された第2のヒータを、第2の部分空間内に配置されたソース材料の第2の部分が蒸発しないように、停止する又は低い加熱レベルに設定することが可能である。ソース材料の第1の部分の蒸発中に、ソース材料の第2の部分の劣化を低減する又は回避することが可能である。ルツボ内で第2の温度分布を発生させるために、第2の部分空間の隣に配置された第2のヒータを、第2の部分空間内に配置されたソース材料の第2の部分が蒸発するように、作動させることが可能である。
本明細書に記載の幾つかの実施形態に従って、このことが、ルツボの選択的に加熱可能な複数の部分空間であって、それらの間に物理的障壁が設けられた又は設けられない部分空間にまで拡大されうる。選択的に加熱可能な部分空間は、基板上に堆積される蒸発したソース材料を供給するために、連続的に加熱することが可能である。幾つかの実施形態において、ヒータが、ルツボ内のそれぞれの温度分布間で切り替えられるときにも、実質的に一定の蒸発速度を維持するよう制御される。
本開示の更なる態様に従って、蒸発装置が提供される。蒸発源は、蒸発させるソース材料を収容するためのルツボと、ソース材料を加熱し蒸発させるための複数のヒータと、ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させるために、複数のヒータを個別に制御するよう構成されたコントローラと、を備える。ルツボの異なる部分空間内に配置されたソース材料の異なる部分を、選択的に加熱して、次々と蒸発させることが可能である。
特に、コントローラが、ソース材料の蒸発温度である温度又は当該蒸発温度を上回る温度まで、ルツボの様々な部分空間を順次加熱するよう構成されうる。これに対応して、コントローラが、最初に、蒸発温度である温度又は蒸発温度を上回る温度まで、ルツボの第1の部分空間を選択的に加熱するために、ルツボ内で第1の温度分布を発生させるよう構成され、その間、ルツボの第2の部分空間が、蒸発温度より低い温度で維持される。コントローラは、続いて、蒸発温度である温度又は蒸発温度を上回る温度まで、ルツボの第2の部分空間を選択的に加熱するために、ルツボ内で第2の温度分布を発生させるようさらに構成される。
更なる態様に従って、蒸発源が提供される。蒸発源は、蒸発させるソース材料を収容するためのルツボと、ソース材料を加熱し蒸発させるための複数のヒータと、ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させるために、複数のヒータを個別に制御するよう構成されたコントローラと、ルツボと流体連結する蒸気分配管であって、蒸発したソース材料を基板に向かって方向付けるための複数の蒸気ノズルを含む蒸気分配管と、を備える。
本明細書に記載の蒸発方法に従って、ソース材料が、ルツボの第1の部分空間内及び第2の部分空間内に供給される。第1の加熱段階では、第1の部分空間が、ソース材料の蒸発温度である温度又は蒸発温度を上回る温度まで選択的に加熱され、その間、第2の部分空間が、蒸発温度を下回る温度で維持される。後続の第2の加熱段階では、ルツボの第2の部分空間が、ソース材料の蒸発温度である温度又は蒸発温度を上回る温度まで選択的に加熱される。
実施形態は、開示された方法を実行するためのアセンブリも対象としており、記載された各方法の態様を実行するためのアセンブリ部品を含む。上記の方法の態様が、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの2つの任意の組合せによって、又は任意の他のやり方で実行されうる。更に、本開示に係る実施形態は、記載されるアセンブリを操作する方法、及び記載されるアセンブリを製造する方法も対象とする。記載されるアセンブリを操作する方法は、装置のあらゆる機能を実行するための方法の態様を含む。
本開示の先に記載された特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照することによって得ることができる。添付の図面は本開示の実施形態に関し、以下で説明される。
本明細書に記載の実施形態に係る蒸発装置の概略的な断面図を示す。 蒸発方法を説明するための、本明細書に記載の実施形態に係る蒸発装置の3つの連続する制御段階を概略的に示す。 本明細書に記載の実施形態に係る蒸発装置の概略的な断面図を示す。 本明細書に記載の実施形態に係る蒸発源の概略的な断面図を示す。 本明細書に記載の実施形態に係る蒸発方法のフローチャートを示す。
ここで、本開示の様々な実施形態が詳細に参照され、そのうちの1つ以上の実施例が図面に示される。以下の図面の説明では、同じ参照番号が同じ構成要素を指す。個々の実施形態に関しては、相違点のみ説明する。各実施例が、本開示の説明のために提供されているが、本開示を限定することを意図するものではない。さらに、1の実施形態の一部として図示又は記載される特徴は、他の実施形態で用いることが可能であり、又は他の実施形態と併用してさらに別の実施形態を生み出すことも可能である。本明細書の記載は、そのような変更及び変形例を含むことが意図される。
本明細書に記載の実施形態は、ソース材料を蒸発させるため、及び、蒸発させたソース材料を基板上に堆積させるために、蒸発させたソース材料を基板に向かって方向付けるための蒸発装置に関する。蒸発装置は、蒸発させる材料を収容するための内部空間を有するルツボを含む。ルツボは、内部空間内で蒸発させる材料を収容するよう構成されている。ルツボの内部空間は、ルツボ内に収容されたソース材料を蒸発させるために加熱することが可能である。ソース材料は、有機材料又は他の材料、例えば金属とすることができる。有機材料は、ルツボの内部空間内に配置することができ、ルツボが、ソース材料の蒸発温度である温度又は当該蒸発温度を上回る温度まで加熱される。蒸発したソース材料は、蒸気分配アセンブリを通って案内され、1つ以上の蒸気出口を介して基板に向かって方向付けられる。
本明細書では、「蒸発装置(evaporation apparatus)」は、ソース材料の蒸発温度である温度又は当該蒸発温度を上回る温度までソース材料を加熱することによって、ソース材料を蒸発させるよう構成された装置として理解することができる。「蒸発温度(evaporation temperature)」は、ソース材料が蒸発する温度、即ち気相に遷移する温度として理解することができる。幾つかの実施形態において、蒸発温度は、200℃と400℃との間、特に250℃と350℃との間の範囲内にある温度である。
ソース材料は、固体の形態により、例えば粉末又は顆粒として蒸発装置のルツボ内に供給されうる。ソース材料は、有機材料、特にOLEDデバイスの製造のための有機材料とすることができる。典型的な有機材料は、200℃と400℃との間の範囲内にある蒸発温度を有する。換言すると、真空条件下では、典型的な有機材料が、200℃と400℃との間の蒸発温度において蒸発する。
多くのソース材料、特に有機ソース材料及び他の材料組成物は、温度に敏感であり、これにより、長時間にわたってソース材料を高温に晒したときには、材料分解が起こりうる。特に有機材料については、分解温度が、材料の蒸発温度に近い可能性があり、これにより、ルツボの内部の有機材料の材料分解という相当なリスクがある。例えば、ルツボ内の温度が数度上がるとき、特にソース材料が長時間にわたって高温に曝されるときには、材料分解のリスクが既にかなり増大している可能性がある。これに対応して、材料分解のリスクを低減し堆積させられる材料の品質を改善する蒸発装置及び蒸発方法を提供することが有益であろう。
本明細書に記載の実施形態に従って、蒸発方法が提供される。本方法は、ルツボ内で蒸発させるソース材料を供給することを含む。第1の温度分布が、ルツボの第1の部分容積内に配置されたソース材料の第1の部分を選択的に蒸発させるために、ルツボ内で発生する。その後で、第1の温度分布とは異なる第2の温度分布が、ルツボの第2の部分空間内に配置されたソース材料の第2の部分を選択的に蒸発させるために、ルツボ内で発生する。
蒸発装置は、ルツボ内に収容されたソース材料を加熱して蒸発させるための複数のヒータを含みうる。更に、蒸発装置は、ルツボ内で、第1の温度分布及び第2の温度分布を含む異なる温度分布を連続的に発生させるための複数のヒータを個別に制御するためのコントローラを含みうる。ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させることによって、ルツボの異なる部分空間内に配置されたソース材料を、次々と選択的に蒸発させることが可能である。
ルツボ内で第1の温度分布が発生している間、ルツボの第1の部分空間は、ソース材料の蒸発温度以上で提供することができ、その一方で、ルツボの第2の部分空間は、ソース材料の蒸発温度を下回る温度で提供されうる。これに対応して、ソース材料の第1の部分が蒸発させられ、その一方で、ソース材料の第2の部分が、蒸発温度を下回る温度(例えば、蒸発温度未満の30℃以上)で維持されうる。したがって、ソース材料の第1の部分の蒸発中に、ソース材料の第2の部分の分解を低減又は回避することが可能である。ルツボ内で第2の温度分布が発生している間、ルツボの第2の部分空間が、ソース材料の蒸発温度である温度又は当該蒸発温度を上回る温度で提供されうる。これに対応して、ソース材料の第2の部分が、当該材料の第1の部分の後に蒸発させられうる。
幾つかの実施形態において、部分空間は、同様の量のソース材料が各部分空間に収容されうるように、実質的に寸法決定されうる。例えば、充填されたルツボ内では、部分空間のそれぞれに収容されるソース材料の体積が、20%以下だけ異なりうる。
複数のヒータが、
ルツボの第1の部分空間を加熱するために特に配置された第1のヒータと、ルツボの第2の部分空間を加熱するために特に配置された第2のヒータと、を含みうる。幾つかの実施形態において、第1のヒータ及び/又は第2のヒータが、それぞれ幾つかの加熱要素を含みうる。コントローラが、所定の加熱シーケンスで第1のヒータ及び第2のヒータを制御するよう構成されている。例えば、第1の温度分布の形成のために、(第2のヒータではなく)第1のヒータが、ソース材料の第1の部分(のみ)を蒸発させるために作動されうる。例えば、第2の温度分布の形成のために、(第1のヒータに加えて又は第1のヒータの代わりに)第2のヒータが、ソース材料の第2の部分を選択的に蒸発させるために作動されうる。
ルツボ内で第1の温度分布を発生させることで、ルツボからの蒸発したソース材料の第1の蒸発速度がもたらされ、ルツボ内で第2の温度分布を発生させることで、ルツボからの蒸発したソース材料の第2の蒸発速度をもたらされる。幾つかの実施形態において、第1の蒸発速度と第2の蒸発速度とは、20%以下、特に10%以下、より詳しくは1%以下だけ異なっている。第1の蒸発速度と第2の蒸発速度とは、実質的に同じでありうる。特に、蒸発速度、即ち、ルツボからの蒸発したソース材料の流量が、第1の温度分布から第2の温度分布への遷移の前後で実質的に一定のまま維持されうる。これに対応して、複数のヒータを異なるやり方で制御することによってルツボ内の温度分布が変化したとしても、基板上の堆積速度を実質的に一定に保つことが可能である。
幾つかの実施形態において、コントローラは、ソース材料の第1の部分の所定量が蒸発したときに、例えば第1の部分の90%以上が蒸発したときには、第1の温度分布から第2の温度分布へと切り替えることができる。幾つかの実施形態において、コントローラは、ソース材料の第1の部分が蒸発し、したがってルツボの第1の部分空間が本質的に空であるときには、第1の温度分布から第2の温度分布に切り替えることができる。
例えば、幾つかの実施形態において、第1の温度分布は、ルツボの第1の部分空間内に配置されたソース材料の第1の部分の90%以上が蒸発するまで発生し、その後、第2の温度分布が発生しうる。幾つかの実施形態において、第2の温度分布は、ルツボの第2の部分空間内に配置されたソース材料の第2の部分の90%以上が蒸発するまで発生する。
幾つかの実施形態において、その後、第1の温度分布及び第2の温度分布とは異なる第3の温度分布が、例えば、ルツボの第3の部分空間内に配置されたソース材料の第3の部分を選択的に蒸発させるために、発生する。第3の温度分布は、例えば、第1のヒータ及び第2のヒータに加えて、又は第1のヒータ及び第2のヒータの代わりに、コントローラによって第3のヒータを作動させることによって発生しうる。第1の温度分布及び第2の温度分布の形成中に、第3のヒータは、第3の部分空間が蒸発温度を下回る温度で維持されうるように、停止する又は低い加熱レベルに設定することが可能である。ソース材料の第1の部分及び第2の部分の蒸発中に、ソース材料の第3の部分の劣化を低減する又は回避することが可能である。
図1は、本明細書に記載の実施形態に係る、蒸発すべきソース材料160を蒸発させるための蒸発装置100の概略図を示している。蒸発装置100は、その内部空間内にソース材料160を収容するためのルツボ110を含む。蒸発装置100は、ルツボの内部空間を加熱するための複数のヒータを更に含み、これにより、ソース材料を加熱して蒸発させることが可能である。複数のヒータは、コントローラ150によって個別に制御することが可能である。コントローラ150は、異なる温度分布がルツボ110内で発生し、ルツボ110の異なる部分空間内に配置されたソース材料の異なる部分が順次、選択的に蒸発させられるように、複数のヒータを制御するよう構成されている。
例えば、ルツボの内部空間は、第1の部分空間132、第2の部分空間134、及び任意選択的に第3の部分空間136を含む複数の部分空間に分割することができる。任意選択的に、更なる部分空間が設けられてもよい。部分空間は、任意選択的に、隔壁によって少なくとも部分的に分離されうる。図1の実施形態では、部分空間は、その間に隔壁が設けられていない内部ルツボ空間の仮想部分領域である。各部分空間が、自身に関連付けられた対応するヒータを有し、これにより、各部分空間を選択的に加熱することが可能である。具体的には、第1のヒータ120を、第1の部分空間132に関連付けることができ、第2のヒータ122を、第2の部分空間に関連付けることができ、第3のヒータ124を、第3の部分空間136に関連付けることができる。各ヒータは、(図1では、円が埋められたボックスで例示される)1つ以上の加熱ユニット又は加熱要素、例えば、対応する部分空間を少なくとも部分的に囲む電流導体を含みうる。
第1のヒータ120のみが作動されたときには、第1の部分空間132が直接加熱され、その一方で、他の部分空間は、第1の部分空間132からの熱伝達によって間接的にのみ加熱され、蒸発温度を下回る温度で維持されうる。これに対応して、第1のヒータ120を作動させて、他のヒータを停止する又は他のヒータを低い加熱レベルに設定することによって、第1の部分空間132内に配置されたソース材料の第1の部分を、選択的に蒸発させることが可能である。同様に、第2のヒータ122を作動させることによって、第2の部分空間134内に配置された材料の第2の部分を選択的に蒸発させることが可能である。同様に、第3のヒータ124を作動させることによって、第3の部分空間136内に配置されたソース材料の第3の部分を選択的に蒸発させることが可能である。
コントローラ150は、ルツボ内で異なる温度分布又は熱分布を連続的に発生させるために、複数のヒータを個別に制御するよう構成されている。第1のヒータ120が、第1の部分空間132の隣に配置されており(例えば、第1の部分空間を囲んでおり)、第2のヒータ122が、第2の部分空間134の隣に配置されている(例えば、第1の部分空間を囲んでいる)。第3のヒータ124が、第3の部分空間136の隣に配置されうる。特に、複数のヒータは、ルツボの第1の部分空間132の隣に配置された、第1の部分空間132を加熱するための第1のヒータ120と、ルツボの第2の部分空間134の隣に配置された、第2の部分空間134を加熱するための第2のヒータ122と、任意選択的に、ルツボの第3の部分空間136の隣に配置された、第3の部分空間136を加熱するための第3のヒータ124と、を含みうる。
幾つかの実施形態において、第2の部分空間134が、第1の部分空間132の下に配置される。幾つかの実施形態において、第3の部分空間136が、第2の部分空間134の下に配置される。幾つかの実施形態において、3つより多い部分空間が上下に設けられうる。例えば、ルツボの内部空間は、上下に配置された複数の部分空間に更に分割され、この複数の部分空間は、特に蒸気排出ポートがルツボの上端に配置されうる場合には、次々と、特に上部から底部へと選択的に加熱することが可能である。蒸気排出ポートがルツボの他の側に配置されている場合には、部分空間は、蒸気排出ポートに近い第1の部分空間から、蒸気排出ポートから遠い第2の部分空間へと順次加熱されうる。
例えば、第1の温度分布の形成に対応する第1の加熱段階では、ルツボ内の上部領域として画定された第1の部分空間132のみが、第1の部分空間132内のソース材料の第1の部分が蒸発するまで加熱される。例えば、第1のヒータ120のみが作動されて、他のヒータは停止される。その後、第2の温度分布の形成に対応する第2の加熱段階では、上部空間より下のルツボ内の中間領域として画定された第2の部分空間134が、第2の部分空間134内のソース材料の第2の部分が蒸発するまで加熱される。このとき、中間領域の下の、依然として材料が充填されているルツボの下部領域は、まだ加熱されていない。例えば、第2のヒータ122が作動されて、第3のヒータ124が停止される。その後、第3の温度分布の形成に対応する第3の加熱段階では、中間領域より下のルツボの下側領域として画定された第3の部分空間136が、第3の部分空間136に配置されたソース材料の第3の部分が蒸発するまで加熱される。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態において、複数のヒータが抵抗加熱器を含み、特に、ルツボの対応する部分空間を囲んでおり選択的に作動させることが可能な電流導体を含む。例えば、第1の抵抗加熱器が第1の部分空間を囲み、第2の抵抗加熱器が第2の部分空間を囲む。代替的又は追加的に、複数のヒータが、ルツボ内部に設けられた加熱要素、例えばメッシュを誘導加熱するよう構成されうる誘導加熱器を含む。幾つかの実施形態において、複数のヒータは、ルツボの対応する部分空間内で熱を分散させるための、ルツボの内部空間内へと突出しうる温度分散要素を含む。温度分散要素は、ルツボの内部空間内へと突出する熱伝導性の要素、例えばプレート又はフィンでありうる。例えば、第1の抵抗加熱器と熱的に接触している第1の温度分散要素が、ルツボの第1の部分空間内へと突出しており、及び/又は、第2の抵抗加熱器と熱的に接触している第2の温度分散要素が、ルツボの第2の部分空間内へと突出している。温度分散要素によって、ルツボの個別部分空間内でより均一に熱を分散させることが可能であり、さらに、最大加熱温度を下げて、ルツボ内の材料劣化を回避することが可能である。
図2は、蒸発方法を説明するための、本明細書に記載の実施形態に係る蒸発装置100の3つの連続する制御段階A、B、Cを概略的に示している。3つの異なる熱分布が、ルツボ110の内部空間内で順次発生する。例えば、第1のヒータ120、第2のヒータ122、及び第3のヒータ124は、ルツボ110内で異なる温度分布を順次発生させるよう制御される。
段階Aでは、第1のヒータ120が、上側の材料層が蒸発するように、蒸発温度を上回る温度まで第1の部分空間132を加熱するために作動される。他のヒータ、この例示的な図では第2のヒータ122及び第3のヒータ124は、オフにされており又は低い加熱レベルで維持されている。これに対応して、ルツボ内の温度は、第1の部分空間から第2の部分空間へと低下し、第1の温度分布は、温度が上部から底部へと空間的に低下する温度勾配をもたらす。
段階Bでは、第2のヒータ122が、材料の第2の部分が蒸発するように、蒸発温度である温度又は当該蒸発温度を上回る温度まで第2の部分空間134を加熱するために作動される。第3のヒータ124は、依然としてオフにされており又は低い加熱レベルで維持されている。第1のヒータ120は、第1の部分空間内での蒸発したソース材料の凝縮を回避するために、(図2の段階Bに示すように)作動させることができる。これに対応して、ルツボ内の温度は、第2の部分空間134から第3の部分空間136へと低下し、第2の温度分布は、温度が底部に向かって空間的に低下する温度勾配をもたらす。
段階Cでは、第3のヒータ124が、ソース材料の第3の部分が蒸発するように、蒸発温度である温度又は蒸発温度を上回る温度まで第3の部分空間136を加熱するために作動される。第1の部分空間内及び第2の部分空間内での蒸発したソース材料の凝縮を回避するために、(図2の段階Cに示すように)第1のヒータ120及び第2のヒータ122を作動させることができる。これに対応して、ルツボ内の空間の下側の部分が、ルツボの下部領域内に収容されたソース材料が蒸発するように、選択的に加熱される。第3の温度分布は、実質的に均一に高温のルツボ温度でありうる。換言すると、全てのヒータを作動させることができる。
これに対応して、蒸発装置のコントローラは、ルツボの内部空間内の空間的な温度勾配を与えるだけでなく、ルツボの内部空間内の時間的に変化する温度分布を与えるよう構成されている。時間的にも空間的にも変化するルツボ内の温度を発生させることによって、材料の劣化を低く抑える又は完全に回避することができ、所定の蒸発速度をもたらすことができる。具体的には、所定の蒸発速度を得るために、蒸発が起こるべきルツボの部分空間を選択的に加熱することが可能であり、材料の他の部分は、材料分解を低減するため及び長期間にわたってソース材料を高温に晒すことを回避するために、より低い温度で維持されうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ルツボの第1の部分空間及びルツボの第2の部分空間は、互いに近接するルツボの部分的な空間を意味しうる。第1の部分空間及び第2の部分空間は、互いに隣り合って位置する及び/又は共通の仮想境界を共有するルツボの部分的な空間を意味しうる。代替的に、第1の部分空間と第2の部分空間とは、隔壁によって分離されうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第1の温度分布は、第1の部分空間内に配置されたソース材料の第1の部分が実質的に蒸発するまで発生しうる。その後、第2の温度分布が、第2の部分空間内に配置されたソース材料の第2の部分が実質的に蒸発するまで発生しうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第1の温度分布を発生させることが、第1の部分空間内で、ソース材料の蒸発温度を上回る第1の温度を提供するよう、第1の部分空間の隣に配置された第1のヒータを制御することを含みうる。第2の部分空間の隣に配置された第2のヒータは、第2の部分空間内で、ソース材料の蒸発温度を下回る第2の温度を提供するよう制御されうる。
本明細書では「ヒータ(heater)」とは、特定の部分空間内で所定の温度に達するようコントローラにより制御することが可能な、ルツボの特定の部分空間の隣に配置された1つ以上の加熱要素を意味しうる。「ヒータ」とは、ルツボの1つの部分空間のためにヒータとして機能するよう構成された複数の加熱要素を意味しうる。
複数のヒータを制御することは、ルツボの部分空間内で温度勾配(「温度分布(temperature distribution)」と称される)を発生させるために、複数のヒータを選択的に制御するよう構成されたコントローラを指しうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第2の温度分布を発生させることが、少なくとも第2の部分空間内でソース材料の蒸発温度を上回る温度を提供するために、複数のヒータを制御することを含みうる。第3の部分空間は、設けられる場合には、蒸発温度を下回る温度で維持されうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第2の部分空間は、第1の部分空間の下に配置されうる。「(~の)下(below)」とは、重力の方向(即ち、鉛直方向)を意味しうる。これに対応して、ルツボは、「上部から底部へと(from top to bottom)」加熱することが可能であり、即ち、第1の加熱段階では、上方の部分空間のみが加熱され、後続の加熱段階では、上方の部分空間より下にある他の部分空間が加熱される。代替的に又は追加的に、少なくとも1つの部分空間が、水平方向に他の部分空間の隣に配置されうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、本方法は、ルツボ内で、第1の温度分布及び第2の温度分布とは異なる少なくとも1つの更なる温度分布を発生させることを含みうる。少なくとも1つの更なる温度分布によって、ルツボの少なくとも1つの更なる部分容積内に配置されたソース材料の少なくとも1つの更なる部分を蒸発させることができる。少なくとも1つの更なる部分空間は、第1の部分空間及び第2の部分空間の下に配置されうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、本方法は、ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させるために複数のヒータを個別に制御することを含む。ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させることが、ルツボの異なる部分空間内に配置されたソース材料の異なる部分の連続する蒸発をもたらしうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ルツボは、隔壁によって分離された複数の区分を含みうる。複数の区分のうちの第1の区分は、第1の部分空間を画定しうる。複数の区分のうちの第2の区分は、第2の部分空間を画定しうる。追加的又は代替的に、複数の区分のうちの第3の区分は、第3の部分空間を画定しうる。
図3は、本明細書に記載の実施形態に係る、複数の区分を含む蒸発装置100の例示的な実施形態を示している。蒸発装置100は、蒸発させる材料を収容するためのルツボ110と、材料を加熱して蒸発させるための複数のヒータと、を含む。更に、ルツボの異なる部分空間内に配置されたソース材料を順次蒸発させるために、ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させるために複数のヒータを個別に制御するためのコントローラが設けられている。
図3に示す実施形態では、ルツボは、隔壁によって分離された複数の区分を含む。複数の区分のうちの第1の区分332が、第1の部分空間132を画定し、複数の区分のうちの第2の区分334が、第2の部分空間134を画定し、複数の区分のうちの(任意選択的な)第3の区分336が、(任意の)第3の部分空間136を画定する。図4の例示的な実施形態では、第1の隔壁380が、第1の区分を第2の区分から分離しており、第2の隔壁382が、第2の区分を第3の区分から分離している。更なる隔壁を、更に別の区分同士を互いに分離するために設けることができ、及び/又は、少なくとも1つの隔壁が3つ以上の区分を互いに分離しうる。
幾つかの実施形態において、ルツボ110は、3つの区分を含みうる。他の実施形態において、ルツボ110は、2つの区分、又は4つ以上の区分を含みうる。各区分は、他の区分とは別個に対応する区分を選択的に加熱するための関連付けられたヒータを有しうる。
幾つかの実施形態において、区分が、水平方向に互いに隣り合って配置される。各区分は、蒸発したソース材料が蒸気分配アセンブリに向かって当該区分から出ることが可能な出口開口を有しうる。ルツボ110は、蒸気分配アセンブリに接続可能な1つの共通蒸気排出ポート111を有することができ、複数の区分のうちの各区分の出口開口が、ルツボの共通蒸気排出ポート111に通じている。
複数のヒータが、第1の区分332を選択的に加熱するための、第1の区分の隣に配置された第1のヒータ120、第2の区分334を選択的に加熱するための、第2の区分の隣に配置された第2のヒータ122、及び/又は、第3の区分336を選択的に加熱するための、第3の区分の隣に配置された第3のヒータ124を含む。
最初に、蒸発させるソース材料が、複数の区分の各区分に充填されうる。ルツボ内で第1の温度分布を発生させるために、第1のヒータを作動させることができ、第2のヒータ及び第3のヒータは停止させられ又は低い加熱レベルに設定されうる。これに対応して、第1区分内に配置された材料の第1部分を選択的に蒸発させることが可能である。続いて、ルツボ内で第2の温度分布を発生させるために、第2のヒータを作動させることができ、第3のヒータが(さらに任意選択的に、第1のヒータも)停止されうる。これに対応して、第2の区分内に配置された材料の第2の部分を選択的に蒸発させることが可能である。続いて、ルツボ内で第3の温度分布を発生させるために、第3のヒータが作動されうる(さらに、第1のヒータ及び/又は第2のヒータが作動又は停止されうる)。これに対応して、第3区分内に配置された材料の第3部分を選択的に蒸発させることが可能である。幾つかの実施形態において、第1の温度分布は、第1の区分が本質的に空になるまで、例えば、ソース材料の第1の部分の90%以上が蒸発するまで維持することが可能である。幾つかの実施形態において、第2の温度分布は、第2の区分が本質的に空になるまで、例えば、ソース材料の第2の部分の90%以上が蒸発するまで維持することが可能である。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態において、第1の区分332は、第1の区分の隣の、ルツボ110の外壁に配置された外側ヒータを用いて加熱することが可能である。例えば、第1のヒータ120は、ルツボの外壁に組み込まれてよく、又はルツボの外壁を少なくとも部分的に囲んでよい。代替的に又は追加的に、第1のヒータは、第1の区分内へと少なくとも部分的に突出する温度分散要素、例えばプレート又はフィンを含みうる。
図3の実施形態では、第1のヒータ120及び第3のヒータ124が、対応する区分の隣の、ルツボの外壁にそれぞれ配置された外側ヒータを含む。図3の実施形態では、第2のヒータ122が、第2の区分の隣の、ルツボの底壁に配置された外側ヒータを含む。更に、第2のヒータ122は、第2の区分334内へと突出する温度分散素子を含みうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態において、ヒータのうちの少なくとも1つが、隔壁のうちの1つに配置され又は組み込まれた内側ヒータを含む。特に、複数の区分のうちの少なくとも1つの区分が、対応する区分を他の区分から分離する隔壁に配置され又は組み込まれた内部ヒータを用いて加熱されうる。例えば、図3の実施形態では、第2のヒータ122は、第1の隔壁380に組み込まれた第1の内部ヒータ328と、第2の隔壁382に組み込まれた第2の内部ヒータ329と、を含む。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態において、2つの区分間の隔壁が、隔壁の第1の側を、当該第1の側とは反対側の隔壁の第2の側から熱的に絶縁するための断熱材を含む。これに対応して、隔壁を介した2つの隣接する区分間の熱伝達を低減することが可能であり、隣接する区分からの熱を介した区分の間接的な加熱を低減することが可能である。例えば、ルツボ内で第1の温度分布が発生している間には、第1の隔壁380が、例えば第1の内部ヒータ328の片側に断熱材331を含むため、第1の隔壁380を介した第1の区分332から第2区分334への熱伝達が低減されうる。例えば、ルツボ内で第2の温度分布が発生している間には、第2の隔壁382が、例えば第2の内部ヒータ329の片側に断熱材331を含むため、第2の隔壁382を介した第2の区分334から第3の区分336への熱伝達が低減されうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態において、2つの区分間の隔壁が、少なくとも1つの区分の熱を、当該区分に反射して返すための熱反射体を含む。例えば、第1の隔壁380は、第1の区分332からの熱を第1の区分に反射して返すため、及び/又は第2の区分334からの熱を第2の区分に反射して返すための熱反射体を含みうる。これに対応して、隔壁を介した2つの隣接する区分間の熱伝達を低減することが可能であり、隣接する区分からの熱伝達による区分の間接的な加熱を低減することが可能である。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態において、少なくとも1つの隔壁が、少なくとも1つの隔壁に配置され又は組み込まれた内部ヒータを含みうる。内側ヒータによって生成される熱の大部分が、関連する区分(図3の第2の区分334)内へと方向付けられることを保証するために、熱反射体が内側ヒータの片側に配置されうる。内側ヒータは、第1のヒータ、第2のヒータ、又は第3ヒータの一部分でありうる。代替的に又は追加的に、中央の部分空間、ここでは第2の部分空間134が、中央の部分空間を加熱するための中央ヒータ326を用いて加熱されうる。任意選択的に、中央ヒータ326は、中央の部分空間内へと突出しうる。中央ヒータ326を、例えば隔壁に配置された内部ヒータと組み合わせて、ソース材料の蒸発温度を上回る温度まで第2の部分空間134を加熱することが可能である。
幾つかの実施形態において、第1の区分及び第3の区分が、第1の区分及び第3の区分の隣の、ルツボの外壁に配置された外側ヒータによって加熱される。第2の区分は、第2の区分に隣りの隔壁に配置され又は組み込まれた内側ヒータ、第2の区分を加熱するための中央ヒータ、及びルツボの底壁に設けられた外側ヒータ、のうちの少なくとも1つを用いて加熱されうる。第2の区分は、水平方向に第1の区分と第2の区分との間に配置されうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、複数のヒータは抵抗加熱器を含む。追加的又は代替的に、複数のヒータは誘導加熱器を含む。追加的又は代替的に、複数のヒータは、ルツボの内部空間内へと突出する温度分散要素(例えば、フィン)を含む。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、温度分散フィンは、ルツボの内部空間内へと少なくとも部分的に突出しうる。
本明細書に記載の他の態様によれば、真空チャンバ内で基板上に材料層を堆積させるための蒸発源が提供される。
図4は、本明細書に記載の実施形態に係る蒸発源400の概略的な断面図を示している。蒸発源400は、本明細書に記載の実施形態のいずれか1つに係る蒸発装置100と、蒸発装置100のルツボ110と流体連結する蒸気分配アセンブリ410と、を含む。蒸気分配アセンブリ410は、蒸発したソース材料を基板10に向かって方向付けるための複数の蒸気ノズル412を含む。
蒸気分配アセンブリ410は、ルツボの部分空間のそれぞれからの蒸発したソース材料161が蒸気分配アセンブリ内へと伝播しうるように、ルツボの蒸気放出ポートに接続されうる。
「蒸気分配アセンブリ(vapor distribution assembly)」は、蒸発した材料、特に、蒸発した材料の1つ以上のプルームを基板10に向かって方向付けるよう構成されたアセンブリとして理解することができる。例えば、蒸気分配アセンブリは、細長いチューブでありうる分配管を含みうる。例えば、分配管は、複数の蒸気ノズルを含むライン源を提供することができ、複数の蒸気ノズルは、当該管の長さに沿って少なくとも1つのラインに配置されている。
幾つかの実施形態において、蒸気分配アセンブリは、直線的分配シャワーヘッドとすることができる。直線的分配シャワーヘッドは、実質的に鉛直方向に延在しており、これにより、本質的に鉛直方向に配向された基板が、蒸発源によってコーティングされうる。直線的分配シャワーヘッドは、例えば蒸発装置から複数の蒸気ノズルへと蒸発した材料を案内することが可能な中空の空間又はチューブを有しうる。蒸発分配アセンブリ内での蒸発したソース材料の凝縮を回避するために、加熱要素が、蒸発温度を上回る温度まで蒸気分配アセンブリの内部空間を加熱するために設けられうる。
本明細書では「基板(substrate)」という用語は、具体的には、例えばウエハ、サファイア等の透明な結晶の薄片、又はガラスプレートといった、実質的に非フレキシブルな基板を包含しうる。幾つかの実施形態において、基板はシリコンウエハでありうる。しかしながら、本開示はこれに限定されず、「基板」という用語は、ウェブ又はホイルといったフレキシブル基板も包含しうる。
本明細書では、「基板」という用語は、大面積基板を包含する。例えば、「大面積基板(large area substrate)」は、0.5m以上、具体的には1m以上の面積を有する主要面を有しうる。幾つかの実施形態において、大面積基板は、約0.67mの基板(0.73×0.92m)に対応するGEN 4.5、約1.4mの基板(1.1m×1.3m)に対応するGEN5、約4.29mの基板(1.95m×2.2m)に対応するGEN7.5、約5.7mの基板(2.2m×2.5m)に対応するGEN8.5、又は更には約8.7mの基板(2.85m×3.05m)に対応するGEN10でありうる。GEN11及びGEN12といった更に大きい世代、並びに対応する基板面積が、同様に実現されうる。
本開示では、「真空蒸着システム(vacuum deposition system)」は、真空蒸着のために構成された真空チャンバとして理解されるべきであり、ここで、本明細書に記載の1つ以上の蒸発源は、真空チャンバ内に配置されうる。本明細書では、「真空(vacuum)」という用語は、真空圧が例えば10mbar未満の工業的真空という意味で理解されうる。典型的には、本明細書に記載の真空チャンバ内の圧力は、約10-5mbarと約10-8mbarとの間、より典型的には、約10-5mbarと約10-7mbarとの間、更により典型的には、約10-6mbarと約10-7mbarとの間でありうる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、蒸発源のルツボの複数の部分空間はそれぞれ、蒸発したソース材料161を複数の蒸気ノズル412へと案内するための蒸気分配アセンブリ410と流体連結しうる。
図5は、蒸発方法の概略的なフローチャートを示している。本方法は、ブロック510において、ルツボ内で蒸発させるソース材料を供給することを含む。ブロック520において、第1の温度分布が、ルツボ内の第1の部分空間内に配置されたソース材料の第1の部分を選択的に蒸発させるために、ルツボ内で発生する。ブロック530において、第1の温度分布とは異なる第2の温度分布が、ルツボの第2の部分空間内に配置されたソース材料の第2の部分を選択的に蒸発させるために、ルツボ内で発生する。「第1の部分を選択的に蒸発させること」は、ソース材料の第1の部分を蒸発させ、ソース材料の第2の部分を蒸発させないということを意味しうる。
様々な温度分布が、コントローラにより個々に制御することが可能な複数のヒータによって発生しうる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、複数のヒータは、ルツボの第1の部分空間内に配置されたソース材料の第1の部分を選択的に加熱して蒸発させるための第1のヒータと、ルツボの第2の部分空間内に配置されたソース材料の第2の部分を選択的に加熱して蒸発させるための第2のヒータと、を含みうる。
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
具体的には、本明細書は、本開示を開示するために、並びに、任意の装置又はシステムを作製して使用すること及び組み込まれている任意の方法を実施することを含めて、当業者が記載される発明の主題を実施することを可能とするために、ベストモードを含む実施例を使用する。ここまで様々な具体的な実施形態を開示してきたが、上記の実施形態の相互に非排他的な特徴が、互いに組み合わせられうる。特許性を有する範囲は、特許請求の範囲によって規定され、他の実施例は、その請求項が特許請求の範囲の文言と相違しない構成要素を有する場合、又はその請求項が特許請求の範囲の文言とは実質的な違いがない等価の構成要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。

Claims (18)

  1. 蒸発方法であって、
    ルツボ内で蒸発させるソース材料を供給することと、
    前記ルツボの異なる部分空間内に配置された前記ソース材料を順次蒸発させるために前記ルツボ内で異なる温度分布を連続して発生させるために、複数の抵抗加熱器を個別に制御することと、
    前記ルツボの第1の部分空間内に配置された前記ソース材料の第1の部分を蒸発させるために、前記ルツボ内で第1の温度分布を発生させることと、
    前記ルツボの第2の部分空間内に配置された前記ソース材料の第2の部分を蒸発させるために、前記ルツボ内で、前記第1の温度分布とは異なる少なくとも第2の温度分布を発生させることと、
    を含み、
    前記第1の温度分布を発生させることで、前記ルツボからの蒸発した材料の第1の蒸発速度がもたらされ、
    前記第2の温度分布を発生させることで、前記ルツボからの蒸発した材料の第2の蒸発速度がもたらされ、
    前記第1の蒸発速度と前記第2の蒸発速度とが、20%以下だけ異なり、
    前記ソース材料が、固体の形態で前記ルツボ内に配置される、蒸発方法。
  2. 前記第1の温度分布が、前記第1の部分空間内に配置された前記ソース材料の前記第1の部分が実質的に蒸発するまで発生し、
    その後、前記少なくとも第2の温度分布が、前記第2の部分空間内に配置された前記ソース材料の前記第2の部分が実質的に蒸発するまで発生する、請求項1に記載の蒸発方法。
  3. 前記第1の温度分布を発生させることが、
    前記第1の部分空間内で、前記ソース材料の蒸発温度である又は当該蒸発温度を上回る第1の温度を提供するよう、前記第1の部分空間の隣に配置された第1のヒータを制御することと、
    前記第2の部分空間内で、前記ソース材料の蒸発温度を下回る第2の温度を提供するよう、前記第2の部分空間の隣に配置された第2のヒータを制御することと、を含む、請求項1に記載の蒸発方法。
  4. 前記少なくとも第2の温度分布を発生させることが、
    前記第2の部分空間内で、前記ソース材料の前記蒸発温度である温度又は前記蒸発温度を上回る温度を提供するよう、前記第2のヒータを制御することを含む、請求項3に記載の蒸発方法。
  5. 前記第1の蒸発速度と前記第2の蒸発速度とが、1%以下だけ異なっている、請求項に記載の蒸発方法。
  6. 前記第2の部分空間が、前記第1の部分空間の下に配置される、請求項1から4のいずれ一項に記載の蒸発方法。
  7. 前記ルツボ内で、前記第1の温度分布及び前記第2の温度分布とは異なる少なくとも1つの更なる温度分布を、前記ルツボの少なくとも1つの更なる部分空間内に配置された前記ソース材料の少なくとも1つの更なる部分を蒸発させるために、発生させることを更に含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の蒸発方法。
  8. 前記少なくとも1つの更なる部分空間が、前記第1の部分空間及び前記第2の部分空間の下に配置される、請求項に記載の蒸発方法。
  9. 蒸発方法であって、
    ルツボ内で蒸発させるソース材料を供給することと、
    前記ルツボの異なる部分空間内に配置された前記ソース材料を順次蒸発させるために前記ルツボ内で異なる温度分布を連続して発生させるために、複数の抵抗加熱器を個別に制御することと、
    前記ルツボの第1の部分空間内に配置された前記ソース材料の第1の部分を蒸発させるために、前記ルツボ内で第1の温度分布を発生させることと、
    前記ルツボの第2の部分空間内に配置された前記ソース材料の第2の部分を蒸発させるために、前記ルツボ内で、前記第1の温度分布とは異なる少なくとも第2の温度分布を発生させることと、
    を含み、
    前記ルツボが、隔壁によって分離された複数の区分、即ち、
    前記複数の区分のうちの、前記第1の部分空間を画定する第1の区分と、
    前記複数の区分のうちの、前記第2の部分空間を画定する第2の区分と、
    任意選択的に、
    前記複数の区分のうちの、第3の部分空間を画定する第3の区分と、を含み、
    前記ソース材料が、固体の形態で前記ルツボ内に配置される、蒸発方法。
  10. 前記第1の区分が、前記第1の区分の隣の前記ルツボの外壁に配置された外側ヒータによって加熱され、
    前記第2の区分が、前記第2の区分の隣の前記隔壁に配置され又は組み込まれた内側ヒータと、中央ヒータと、の少なくとも一方によって加熱される、請求項に記載の蒸発方法。
  11. 蒸発装置であって、
    蒸発させるソース材料を固体の形態で収容するためのルツボと、
    前記ソース材料を加熱し蒸発させるための、抵抗加熱器を含む複数のヒータと、
    前記ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させるために、前記複数のヒータを個別に制御するよう構成されたコントローラと、
    を備え
    前記ルツボが、隔壁によって分離された複数の区分を含み、各区分が、前記ルツボの対応する部分空間を画定する、蒸発装置。
  12. 前記複数のヒータが、
    前記ルツボの第1の部分空間の隣に配置された、前記第1の部分空間を選択的に加熱するための第1のヒータと、
    前記ルツボの前記第1の部分空間の下の第2の部分空間の隣に配置された、前記第2の部分空間を選択的に加熱するための第2のヒータと、
    任意選択的に、
    前記ルツボの前記第2の部分空間の下の第3の部分空間の隣に配置された、前記第3の部分空間を選択的に加熱するための第3のヒータと、
    を含む、請求項11に記載の蒸発装置。
  13. 前記隔壁が、
    当該隔壁に配置され又は組み込まれた内部ヒータと、
    熱を反射して返すための熱反射体と、
    前記隔壁の第1の側を前記隔壁の第2の側から熱的に絶縁するための断熱材と、
    を含む、請求項11又は12に記載の蒸発装置。
  14. 蒸発装置であって、
    蒸発させるソース材料を固体の形態で収容するためのルツボと、
    前記ソース材料を加熱し蒸発させるための、抵抗加熱器を含む複数のヒータと、
    前記ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させるために、前記複数のヒータを個別に制御するよう構成されたコントローラと、
    を備え、
    前記複数のヒータが、
    前記ルツボの外壁に配置された外部ヒータ、
    前記ルツボの2つの区分の間の隔壁に配置され又は組み込まれた内側ヒータ、及び
    前記ルツボの内部空間を加熱するための中央ヒータ
    のうちの少なくとも1つ以上を含む、蒸発装置。
  15. 前記複数のヒータが、
    放射加熱器、
    誘導加熱器、及び
    前記ルツボの内部空間内へと突出する温度分散フィン
    のうちの少なくとも1つ以上をさらに含む、請求項11又は12に記載の蒸発装置。
  16. 蒸発源であって、
    蒸発させるソース材料を固体の形態で収容するためのルツボと、
    前記ソース材料を加熱し蒸発させるための、抵抗加熱器を含む複数のヒータと、
    前記ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させるために、前記複数のヒータを個別に制御するよう構成されたコントローラと、
    前記ルツボと流体連結する蒸気分配アセンブリであって、蒸発したソース材料を基板へと方向付けるための複数の蒸気ノズルを含む蒸気分配アセンブリと、
    を備え
    前記ルツボが、隔壁によって分離された複数の区分を含み、各区分が、前記ルツボの対応する部分空間を画定する、蒸発源。
  17. 蒸発源であって、
    蒸発させるソース材料を固体の形態で収容するためのルツボと、
    前記ソース材料を加熱し蒸発させるための、抵抗加熱器を含む複数のヒータと、
    前記ルツボ内で異なる温度分布を連続的に発生させるために、前記複数のヒータを個別に制御するよう構成されたコントローラと、
    前記ルツボと流体連結する蒸気分配アセンブリであって、蒸発したソース材料を基板へと方向付けるための複数の蒸気ノズルを含む蒸気分配アセンブリと、
    を備え、
    前記複数のヒータが、
    前記ルツボの外壁に配置された外部ヒータ、
    前記ルツボの2つの区分の間の隔壁に配置され又は組み込まれた内側ヒータ、及び
    前記ルツボの内部空間を加熱するための中央ヒータ
    のうちの少なくとも1つ以上を含む、蒸発源。
  18. 前記ルツボの複数の部分空間のそれぞれが、前記蒸発したソース材料を前記複数の蒸気ノズルへと案内するための分配管と流体連結している、請求項16又は17に記載の蒸発源。
JP2022541823A 2020-01-07 2020-01-07 蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源 Active JP7483894B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2020/050235 WO2021139880A1 (en) 2020-01-07 2020-01-07 Evaporation method, evaporation apparatus, and evaporation source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023509077A JP2023509077A (ja) 2023-03-06
JP7483894B2 true JP7483894B2 (ja) 2024-05-15

Family

ID=69159766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022541823A Active JP7483894B2 (ja) 2020-01-07 2020-01-07 蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7483894B2 (ja)
KR (1) KR20220124148A (ja)
CN (1) CN114641590A (ja)
WO (1) WO2021139880A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007284788A (ja) 2006-03-22 2007-11-01 Canon Inc 蒸着源および蒸着装置
JP2011162846A (ja) 2010-02-10 2011-08-25 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸発源
JP2011256427A (ja) 2010-06-09 2011-12-22 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置
JP2020193367A (ja) 2019-05-28 2020-12-03 キヤノントッキ株式会社 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103757590B (zh) * 2013-12-31 2016-04-20 深圳市华星光电技术有限公司 一种镀膜机坩埚设备
KR20160035364A (ko) * 2014-09-23 2016-03-31 주식회사 선익시스템 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
KR102694826B1 (ko) * 2016-07-21 2024-08-14 주식회사 선익시스템 가열부재가 구비된 도가니가 포함되는 박막 증착장치
CN107761056A (zh) * 2016-08-19 2018-03-06 合肥欣奕华智能机器有限公司 一种点蒸发源、蒸镀设备及点蒸发源的控制方法
WO2018141365A1 (en) * 2017-01-31 2018-08-09 Applied Materials, Inc. Material deposition arrangement, vacuum deposition system and method therefor
KR102220321B1 (ko) * 2017-03-17 2021-02-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 재료 증착 어레인지먼트, 진공 증착 시스템 및 이를 위한 방법들
CN108060392B (zh) * 2017-12-14 2023-07-18 深圳先进技术研究院 一种可控线性蒸发装置及镀膜方法
EP3743539A1 (en) * 2018-01-23 2020-12-02 Applied Materials, Inc. Evaporator for evaporating a source material, material deposition source, deposition apparatus and methods therefor
WO2019201434A1 (en) * 2018-04-18 2019-10-24 Applied Materials, Inc. Evaporation source for deposition of evaporated material on a substrate, deposition apparatus, method for measuring a vapor pressure of evaporated material, and method for determining an evaporation rate of an evaporated material

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007284788A (ja) 2006-03-22 2007-11-01 Canon Inc 蒸着源および蒸着装置
JP2011162846A (ja) 2010-02-10 2011-08-25 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸発源
JP2011256427A (ja) 2010-06-09 2011-12-22 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置
JP2020193367A (ja) 2019-05-28 2020-12-03 キヤノントッキ株式会社 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220124148A (ko) 2022-09-13
WO2021139880A1 (en) 2021-07-15
JP2023509077A (ja) 2023-03-06
CN114641590A (zh) 2022-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4653089B2 (ja) Oledを製造するためのペレットを使用する蒸着源
TWI653350B (zh) 用於有機材料之蒸發源及蒸發源陣列
KR101997808B1 (ko) 유기 재료를 위한 증발 소스
TWI394854B (zh) 具最小化凝結效應之汽相沈積源
JP4648868B2 (ja) 無機蒸着源の加熱源制御方法
EP2943989B1 (en) Apparatus and method for making oled lighting device
JP2017509796A5 (ja)
KR102030683B1 (ko) 재료 증착 어레인지먼트, 진공 증착 시스템 및 이를 위한 방법
JP2008503854A (ja) 温度に敏感な材料の気化
KR102201121B1 (ko) 고진공 oled 증착 공급원 및 시스템
KR101959417B1 (ko) 진공 증착을 위한 재료 소스 배열체 및 재료 분배 배열체
KR20130055430A (ko) 증발원 및 이를 구비한 진공 증착 장치
JP7483894B2 (ja) 蒸発方法、蒸発装置、及び蒸発源
US20240084439A1 (en) Crucible, evaporation source, evaporation method, evaporation system, and method of manufacturing a device
JP6271241B2 (ja) 蒸着装置、及び有機el装置の製造方法
US20100028534A1 (en) Evaporation unit, evaporation method, controller for evaporation unit and the film forming apparatus
KR101416977B1 (ko) 증발원 및 이를 구비한 증착장치
KR20220124149A (ko) 재료 증발을 위한 조립체, 진공 증착 장치, 및 재료 증발을 위한 방법
JP2021503546A (ja) 堆積源を冷却する方法、堆積源を冷却するためのチャンバ、及び、堆積システム
Hack Novel Low Cost Organic Vapor Jet Printing of Striped High Efficiency Phosphorescent OLEDs for White Lighting
JP2012052187A (ja) 蒸着装置、成膜方法及び有機el装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220902

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220902

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230919

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231003

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240104

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240501

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7483894

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150