CN102473800B - 稳定的且所有溶液可加工的量子点发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明实施方式涉及量子点发光二极管(QD-LEDs)，所述量子点发光二极管中电子注入和传输层包含无机纳米粒(I-NPs)。无机纳米粒的使用使得量子点发光二极管优于那些传统的具有有机基电子注入和传输层的量子点发光二极管，且不需要化学反应来形成无机层。在本发明的一种实施方式中，空穴注入和传输层可以是金属氧化物纳米粒(MO-NPs)，使整个装置对于所有无机系统具有稳定性，且可通过一系列相对廉价的步骤形成量子点发光二极管，所述步骤包括纳米粒悬浮液的沉积和去除悬浮介质。

Description

稳定的且所有溶液可加工的量子点发光二极管
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年7月7日提交的第61/223,445号美国临时申请的优先权，该申请的整体以引用方式并入本发明，包括所有图表、表格或图示。
本发明是在ARO(批准号为W911NF-07-1-0545)和美国能源部(批准号为DE-FC26-06NT42855)赞助的研究项目的支持下完成的。美国政府对本发明享有一定的权利。
背景技术
发光二极管(LEDs)越来越多地被应用于现代的显示技术中。LEDs相比于传统光源具有很多优势，包括：低能耗、长寿命、坚固性、小尺寸和快速转换。但是，相对于传统光源，LEDs相对昂贵且需要精密的电流和热管理。对于一些LEDs，构建费用可观，超过材料成本。传统的LEDs由无机化合物半导体制成，典型地有AlGaAs(红色)，AlGalnP(橙色-黄色-绿色)，和AlGalnN(绿色-蓝色)，所述无机半导体发射与带隙相一致的频率的单色光。这些传统的LEDs不能发射混合色光，例如白色。白光LEDs可用作光源，且使用目前的滤色镜技术能够产生全彩色显示。一种用于产生白光的方法是联合多个LED以同时发射三原色，混合产生白光。另一种方法是使用黄色荧光粉转化单色蓝光，，或者两种或多种荧光粉发射不同颜色来转化紫外光，从一个LED形成广谱白光，但是这种方法的颜色控制受限。有机LEDs(OLEDs)也能相对廉价地制作以产生各种色光和白光，但是OLEDs通常在效率和使用寿命上相比于无机装置存在不足，因为发光层是由一种有机材料组成，通常要求相对高的电流密度和驱动电压以实现高亮度，这加速了OLEDs的性能退化，尤其是在氧气、水和紫外光子存在的条件下。
量子点发光二极管(量子点发光二极管)被开发用于显示和光源。无机量子点发光器相比于OLEDs和其他发光二极管具有一些优势，包括稳定性、可溶液加工性和极佳的色纯度。量子点(QDs)是半导体量子晶，其半径小于体相材料激子的波尔半径。电子和空穴在三个维度上的量子局限导致QDs的有效带隙增加和微晶尺寸减小，其中量子点的光吸收和发射由于量子点尺寸减小而转移至更高能带(蓝移)。例如，CdSe量子点可发射任意的可见单色光，仅仅取决于量子点的尺寸，并可用于形成能发射白光的量子点发光二极管阵列。
Cho等人的公开号为20090039764的美国专利申请公开了一种QD-LED，其使用一种连续的无机薄膜代替有机薄膜来组成电子传输层。无机薄膜可以通过一种经济的溶液涂覆工艺(如旋转涂布、印刷、浇铸和喷雾)沉积在发光层上，随后通过化学反应、溶胶凝胶工艺形成无机薄膜材料。一种不需要昂贵的加工步骤或通过反应过程形成层的制备全无机量子点发光二极管或至少含有无机电子传输层的装置的方法是令人期待的。
发明内容
本发明的实施方式涉及量子点发光二极管(QD-LED)，所述量子点发光二极管包括一个发光层和一个电子注入和传输层，所述发光层含有多个量子点(QDs)，所述电子注入和传输层含有多个无机纳米粒(I-NPs)。量子点可以是：II-VI族化合物半导体纳米晶，例如CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，HgS，HgSe，HgTe或它们的任意组合；III-V或IV-VI族化合物半导体纳米晶，例如GaP，GaAs，GaSb，InP，InAs和InSb；PbS，PbSe，PbTe或它们的任意组合；CuInSe2纳米晶；金属氧化物纳米晶，例如ZnO，TiO2，或它们的组合；核壳结构纳米晶，例如CdSe/ZnSe，CdSe/ZnS，CdS/ZnSe，CdS/ZnS，ZnSe/ZnS，InP/ZnS，ZnO/MgO，或它们的任意组合。所述半导体纳米晶可以是无掺杂的或掺杂有稀土元素(例如Eu，Er，Tb，Tm，Dy或它们的任意组合)，或者掺杂有过渡金属元素(例如Mn，Cu，Ag或它们的任意组合)。无机纳米粒可以是：无掺杂的ZnO；掺杂Al，Cd，Cs，Cu，Ga，Gd，Ge，In，Li和/或Mg的ZnO；TiO2；SnO2；WO3；Ta2O3；CdS；ZnSe；ZnS；或它们的任意组合。无机纳米粒的平均特征直径小于约20nm且其特征直径可小于5nm。量子点发光二极管还包括一个空穴注入和传输层，所述空穴注入和传输层包含多个金属氧化物纳米粒(MO-NPs)，例如NiO，MoO3，MoS2，Cr2O3和Bi2O3，p型ZnO，p型GaN，或者它们的任意组合。
本发明的其他实施方式涉及上述量子点发光二极管的制备方法，包括提供一个电极，沉积一个包含无机纳米粒的电子注入和传输层，沉积一个包含多个量子点的发光层，沉积一个空穴注入和传输层，以及用一个对电极覆盖量子点发光二极管。每一步沉积都涉及一种非反应性流体沉积方法。电子注入和传输层的沉积可以通过如下方法进行：将无机纳米粒的悬浮液旋转涂布、印刷、浇铸或喷雾到电极表面或发光层表面，随后去除任意悬浮介质。空穴注入和传输层的沉积可以通过如下方法进行：将金属氧化物纳米粒的悬浮液旋转涂布、印刷、浇铸或喷雾到电极表面或发光层表面，随后去除任意悬浮介质。空穴注入和传输层的沉积可以通过如下方法进行：将一种或多种无机材料的溶液旋转涂布、印刷、浇铸或喷雾到电极表面或发光层表面，随后去除溶剂。可供选择地，空穴注入和传输层的沉积可以采用化学气相沉积、溅镀、电子束蒸发或真空沉积。在一种实施方式中，每一个沉积步骤都包括旋转涂布、印刷、浇铸或喷雾一种溶液或者悬浮液，随后去除溶剂或悬浮介质。
附图说明
图1显示根据本发明一种实施方式所述的一种量子点发光二极管的结构示意图，该量子点发光二极管含有一个纳米粒型电子注入层。
图2显示根据本发明实施方式所述的具有图1的设计的单个绿色，蓝色和橙色量子点发光二极管的电致发光光谱。
图3显示根据本发明实施方式所述的图2的绿色(三角形)、蓝色(正方形)和橙色(圆形)量子点发光二极管的亮度(右轴)和外部量子效率(左轴)随电流密度的变化图。
图4显示根据本发明一种实施方式所述的以ZnO纳米粒作为电子传输层(三角形)的绿色量子点发光二极管和一种传统的以BCP/Alq3/LiF作为电子传输层(正方形)的绿色量子点发光二极管的亮度(右轴)和外部量子效率(左轴)随电流密度变化的对照图。
图5显示图4的两种量子点发光二极管的叠加的电致发光光谱。
图6显示根据本发明一种实施方式所述的含有一个纳米粒型电子传输层和一个纳米粒型空穴传输层的全无机量子点发光二极管(QD-ILED)的结构示意图。
图7显示根据本发明实施方式所述的无机纳米粒QD-ILEDs的亮度(右轴)和发光效率(左轴)随电流密度变化图，其中QD-ILEDs的空穴传输层是NiO(三角形)和MoO3(正方形)。
具体实施方式
本发明的实施方式涉及量子点发光二极管(QD-LEDs)，其中电子传输层包含一种纳米粒型无机材料。在本发明的一些实施方式中，空穴传输层也包含一种纳米粒型无机材料。所述新型量子点发光二极管在装置稳定性上克服了现有量子点发光二极管的不足。
本发明实施方式涉及一种采用流体工艺制作所述新型量子点发光二极管的方法，该方法在沉积纳米粒层后不需要进行反应步骤。新的方法相比于其他方法(例如气相沉积)减少了制作成本，并使制作避免了反应过程会发生的易变性，所述易变性是在材料与层同时形成时由于温度、压力、化学计量、催化水平的不一致或反应杂质而产生的。
图1显示根据本发明一种实施方式所述的量子点发光二极管结构，量子点发光二极管使用一个不连续的ZnO纳米粒层作为电子注入和传输层。从Al阴极获得电子，电子从ZnO纳米粒层注入量子点发光层，所述量子点发光层在列举的实施方式中显示为CdSe-ZnS核壳纳米粒。在该实施方式中，空穴注入和传输层显示为：聚[N，N-二(4-丁苯基)-N，N-二(苯基)联苯胺](聚-TPD)、聚(乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯亚磺酸盐PEDOT:PSS、铟-锡-氧化物(ITO)玻璃阳极从上而下依次放置，铟-锡-氧化物(ITO)玻璃阳极由一个玻璃基底支撑。所述核壳CdSe-ZnS纳米粒发光层可以以多种单分散的单一尺寸的纳米粒的形式提供。例如，三种不同尺寸能发出三种不同颜色光的CdSe-ZnS纳米粒形成的发光二极管，可被联合以发射白光。
图2显示三种颜色的量子点发光二极管的电致发光光谱，这三种量子点发光二极管按照图1所示构建，并含有适当的量子点以显示三种不同颜色的发射：蓝色、绿色和橙色，三种光谱具有狭窄波形且具有20-40nm的半高宽度(FWHM)。由量子点发光二极管的三个波长观测到的量子点发光二极管最大亮度和外量子效率是蓝色2,248cd/m2，0.17％，绿色68,139cd/m2，1.83％，橙色9,440cd/m2，0.65％，如图3所示。
对于图3的实验装置，由有机或无机材料组成的量子点发光二极管的所有活性层使用流体工艺过程进行沉积。绿色ZnO基装置在未经封装的情况下在一个手套箱中于40mA/cm2的条件下连续运行之后，亮度从300cd/m2增加到600cd/m2。在这些量子点的光致发光研究中已经观测到这种时间依赖性的变亮效应，并且暗示这种现象可能是由一种表面钝化过程造成的。
对于根据本发明实施方式所述的绿色和橙色量子点发光二极管实验装置，最大亮度值和外量子效率值超过那些报道的传统量子点发光二极管。传统的量子点发光二极管的结构是以(2，9-二甲基-4，7-二-苯基-1，10-菲咯啉)/(三(8-羟基-喹啉)铝)/氟化锂(BCP/Alq3/LiF)结构作为空穴阻挡和电子注入/传输层，各层利用真空热蒸发依次沉积。相比而言，本发明所述新型ZnO纳米粒电子注入和传输层利用一种旋转涂布技术进行沉积。图4显示，基于ZnO基绿色装置的效率比传统装置高一个数量级，且如图5所示其颜色纯度也更优越。与传统装置相比，纳米粒型ZnO基装置的效率提高10倍以上，原因在于纳米粒型ZnO层的有效电子注入和传输。
一种完全流体可加工的量子点-无机发光二极管(QD-ILED)如图6所示，其中电子注入和传输层由ZnO纳米粒组成，空穴注入和传输层由NiO或MoO3纳米粒组成。图7显示NiO和MoO3基实验装置的亮度-电压特征，其中最大亮度值分别达到180cd/m2和26cd/m2。如图7所示，两种QD-ILEDs的峰值电流效率相似，大约为0.2cd/A。
阳极可形成在一种透明基底上，所述基底可以是玻璃或一种聚合物。所述阳极可以是，但是不限于掺杂或无掺杂的氧化物，包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铜氧化物(ICO)、Cd:ZnO、SnO2、In2O3、F:SnO2、In:SnO2、Ga:ZnO和Al:ZnO，但也可以是金属层，包括镍(Ni)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、和铱(Ir)或混合的碳纳米管。所述阳极可以是连续的薄膜或者它可以由微米或纳米线构成，所述微米或纳米线以有图案的或随机的方式分布。
空穴注入和传输层可通过一种基于流体的方法沉积在阳极或量子点发光层上，所述基于流体的方法例如将一种材料的溶液或悬浮液旋转涂布、印刷、浇铸和喷雾到阳极或量子点发光层上，随后去除悬浮介质以形成层，所述悬浮介质通常是一种可从待沉积的材料蒸发或去除的有机液体、水或液体混合物。对于图1所示的装置，沉积的材料可以是，但不限于，一种有机聚合物，包括聚(3，4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT:PSS)，聚-N-乙烯基咔唑，聚对苯撑乙烯撑(polyphenylene-vinylene)，聚对苯撑，聚甲基丙烯酸酯派生物，聚(9，9-二辛基芴)，聚(螺-芴)，TPD，NPB，三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，聚(9，9′-二辛基芴-共-N-(4-仲丁基苯基)二苯胺(TFB)，聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基己氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV)和聚[2-甲氧基-5-(3′，7′-二甲基辛氧基)-1，4亚苯基亚乙烯基](MDMO-PPV)，或任意一种掺杂四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)的以上提到的聚合物。空穴传输层的厚度可以是大约10nm到大约200nm。
图6所示装置的新型颗粒型空穴传输层可以是一种纳米粒型金属氧化物(MO-NPs)，例如，但是不限于NiO、MoO3、Cr2O3、Bi2O3或p型ZnO；非氧化物型等价物，例如MoS2或p型GaN；或它们的任意组合。纳米粒型空穴传输层可以是10nm到约100nm，能通过一种基于流体的方法沉积在阳极或量子点发光层上，所述基于流体的方法例如将一种纳米粒悬浮液旋转涂布、印刷、浇铸和喷雾到阳极或发光层上，并随后通过蒸发或其他方式去除液体悬浮介质以形成纳米颗粒层，所述液体悬浮介质例如一种有机液体、水或多种液体的组合。
量子点发光层可选自由下列组分组成的组：II-VI族化合物半导体纳米晶，例如CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，HgS，HgSe和HgTe；III-V或IV-VI族化合物半导体纳米晶，例如GaP，GaAs，GaS，InP，InAs和InSb；PbS，PbSe，和PbTe；CuInSe2；金属氧化物纳米粒子，例如ZnO，TiO2；或一种核壳结构纳米晶，例如CdSe/ZnSe，CdSe/ZnS，CdS/ZnSe，CdS/ZnS，ZnSe/ZnS，InP/ZnS和ZnO/MgO；所述的半导体纳米晶可以是无掺杂的或掺杂稀土元素(例如Eu，Er，Tb，Tm，和/或Dy)和/或掺杂过渡金属元素Mn，Cu，Ag；或它们的任意组合。量子点发光层的厚度优选为大约5nm到大约25nm，且可通过一种基于流体的方法沉积在空穴或电子传输层上，所述基于流体的方法例如将量子点的悬浮液旋转涂布、印刷、浇铸和喷雾到空穴或电子传输层上，并去除液体悬浮介质以形成量子点发光层。
新型颗粒型电子注入和传输层是无机纳米粒(I-NPs)，包括但不限于：无掺杂的ZnO或掺杂Al，Cd，Cs，Cu，Ga，Gd，Ge，In，Li和/或Mg且掺杂物重量浓度从0.001％到99.999％的ZnO；TiO2；SnO2；WO3；Ta2O3；CdS；ZnSe；ZnS；或它们的任意组合。该层中的纳米粒子的平均特征直径小于大约20nm，较好地小于5nm。所述电子注入和传输层的厚度从小于5nm到约200nm，且能通过一种方法形成于阴极或量子点发光层上，所述方法例如将一种无机纳米粒子的悬浮液旋转涂布、印刷、浇铸和喷雾到阴极或量子点发光层上，随后去除悬浮介质，形成颗粒型电子注入和传输层。悬浮介质可以是一种有机液体，水，或多种液体的组合。
根据本发明的实施方式所述的阴极可以是ITO，Ca，Ba，Ca/Al，LiF/Ca，LiF/Al，BaF2/Al，BaF2/Ca/Al，Al，Mg，CsF/Al，CsCO3/Al，Au:Mg或Ag:Mg。薄膜厚度可以从大约50nm到大约300nm。
综上，两种量子点发光二极管装置结构在所有溶液可加工性(all solutionprocessable)上具有明显的优势，这显著减少量子点发光二极管的制作成本。而且，有机层的部分或全部去除将导致更长寿命。上述两种类型装置结构的进一步优化将产生更优良的性能。
方法和材料
金属氧化物(例如ZnO、NiO和MoO3)的纳米粒可以通过许多方法合成，所述方法包括热溶液法，胶体溶液法，或溶胶凝胶法。在一种典型的溶胶凝胶法制备ZnO的过程中，纳米粒通过下述方法合成：将化学计量量的四甲基氢氧化铵的乙醇溶液(0.55M)逐滴滴加到30mL0.1M的乙酸锌二水合物的DMSO溶液中，随后室温搅拌1h。在用体积比1∶3的庚烷/乙醇洗涤数次后，将ZnO纳米粒分散于纯乙醇中。
用于量子点发光二极管的活性层的量子点可以通过许多方法合成，包括热溶液法或胶体溶液法。在一种典型的发射峰在524nm(绿色)的CdSe/ZnS量子点的热溶液合成中，0.1mmol CdO和4mmol乙酸锌与5mL油酸在一个50mL烧瓶中混合，加热至150℃，脱气30min。随后，将反应容器置于纯、干燥氮气保护下，将15mL 1-十八烯注入反应烧瓶中，并加热至300℃。在300℃的温度下，溶于2mL三辛基磷化氢中的0.2mmol Se和3mmol S被迅速注入容器中。10min后，将0.5mL 1-辛硫醇引入反应器中以钝化量子点，并将反应器温度降至室温。在纯化后，所得CdSe/ZnS量子点被分散于甲苯中。
具有ITO/PEDOT:PSS/聚[二(4-丁苯基)-二(苯基)联苯胺](聚-TPD)/量子点发光层/掺杂或无掺杂的ZnO纳米粒层/Al结构的量子点发光二极管的典型制作方法可采用下述方式。含ITO透明电极的玻璃基底依次用去离子水、丙酮和异丙醇清洗，然后进行UV-臭氧处理。将PEDOT:PSS(Baytron AI 4083)旋转涂布于ITO层上面，随后于空气中在150℃烘焙。在2000rpm的转速下，将聚-TPD的氯苯溶液旋转涂布于PEDOT:PSS层上，再在110℃、氮气中退火30min。在500和6000rpm之间的各种转速下，将浓度在5和20mg/ml之间的量子点的甲苯溶液旋转涂布于聚-TPD层上沉积得到量子点发光层。将掺杂的或无掺杂的ZnO纳米粒分散于乙醇中，以4000rpm的转速旋转涂布于量子点层上，提供一个厚度为40nm的层。然后，组装成的装置在60℃下于氮气中退火30min，然后放入真空室中进行Al电极沉积。
具有ITO/MoO3或NiO纳米粒层/量子点发光层/掺杂的或无掺杂的ZnO纳米粒层/Al结构的典型QD-ILED以下述方法制作。含ITO层的玻璃基底按上述量子点发光二极管中提到的相同方式准备，随后在500和4000rpm之间的各种转速下，将浓度在10和50mg/ml之间的MoO3或NiO纳米粒的乙醇溶液旋转涂布于ITO层上，形成MoO3或NiO纳米粒层。所述部分组装成的装置在空气中在室温到500℃之间的温度下退火30min，随后按照上述方式沉积量子点/ZnO纳米粒/Al层。
此处涉及的或引用的所有专利，专利申请，临时申请，和出版物的整体都以引用的方式并入本发明，包括所有图示和表格，达到与本说明书的教导精神并不矛盾的程度。
需要理解的是，此处描述的实施例和实施方式仅用于解释的目的，鉴于以上任意的修饰或改变均为本领域技术人员公知，其包含在本申请精神和范围内。

Claims (24)

1.一种量子点发光二极管，包含：
一个包含多个量子点的发光层；和
一个包含多个ZnO纳米粒的电子注入和传输层；所述ZnO纳米粒的平均特征直径小于5nm。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其中所述量子点包含II-VI族化合物半导体纳米晶，III-V或IV-VI族化合物半导体纳米晶，CuInSe2纳米晶，金属氧化物纳米粒，核壳结构纳米晶，掺杂稀土元素或过渡金属元素的半导体纳米晶，或它们的任意组合。
3.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其中所述II-VI族化合物半导体纳米晶包含CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，HgS，HgSe，HgTe，CdSTe，或它们的任意组合。
4.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其中所述III-V或IV-VI族化合物半导体纳米晶包含GaP，GaAs，GaSb，InP，InAs和InSb；PbS，PbSe，PbTe；或它们的任意组合。
5.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其中所述金属氧化物纳米粒包含ZnO，TiO2，或ZnO和TiO2的组合。
6.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其中所述核壳结构纳米晶包含CdSe/ZnSe，CdSe/ZnS，CdS/ZnSe，CdS/ZnS，ZnSe/ZnS，InP/ZnS，ZnO/MgO，或它们的任意组合。
7.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其中所述掺杂稀土元素的半导体纳米晶中稀土元素包含Eu，Er，Tb，Tm，Dy或它们的任意组合。
8.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其中所述量子点的平均特征直径小于5nm。
9.如权利要求1所述的量子点发光二极管，进一步包含一个低功函电极和一个高功函透明电极。
10.如权利要求9所述的量子点发光二极管，进一步包含一个空穴注入和传输层，所述空穴注入和传输层包含多个金属氧化物纳米粒。
11.如权利要求10所述的量子点发光二极管，其中所述金属氧化物纳米粒包含NiO，MoO3，MoS2，Cr2O3，Bi2O3，p型ZnO，或它们的任意组合。
12.如权利要求10所述的量子点发光二极管，其中所述电子注入和传输层位于所述低功函电极和所述发光层之间，所述空穴注入和传输层位于所述发光层和所述高功函透明电极之间。
13.如权利要求10所述的量子点发光二极管，其中所述电子注入和传输层位于所述高功函透明电极和所述发光层之间，所述空穴注入和传输层位于所述发光层和所述低功函电极之间。
14.如权利要求9所述的量子点发光二极管，其中所述低功函电极包含：铝；镁；钙；钡；或覆铝的LiF，CsF，或Cs2CO3薄层。
15.如权利要求9所述的量子点发光二极管，其中所述高功函透明电极包含铟-锡氧化物(ITO)上的聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)或掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)(PFFSA)的聚噻吩并噻吩(PTT)。
16.如权利要求9所述的量子点发光二极管，其中所述高功函透明电极包含铟-锡氧化物(ITO)，铟-锌氧化物(IZO)，锌-锡氧化物(ZTO)，铜-铟氧化物(CIO)，铜-锌氧化物(CZO)，镓-锌氧化物(GZO)，铝-锌氧化物(AZO)，或碳纳米管。
17.如权利要求16所述的量子点发光二极管，其中所述高功函透明电极进一步包含聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4-(N-(4-仲丁基苯基))二苯胺)](TFB)，聚(N,N’-二(4-丁基苯基)-N,N’-二(苯基)联苯胺)(聚-TPD)，或聚-n-乙烯基咔唑(PVK)。
18.一种制备量子点发光二极管的方法，包括：
提供一个电极；
沉积一个电子注入和传输层；
沉积一个包含多个量子点的发光层；
沉积一个空穴注入和传输层；以及
用一个对电极覆盖所述量子点发光二极管，其中所述沉积包括非反应性流体沉积方法，其中所述电子注入和传输层包含ZnO纳米粒，所述ZnO纳米粒的平均特征直径小于5nm。
19.如权利要求18所述的制备量子点发光二极管的方法，其中所述沉积一个电子注入和传输层包括：将所述ZnO纳米粒的悬浮液旋转涂布、印刷、浇铸、或喷雾在所述电极或所述发光层的表面，并去除悬浮介质。
20.如权利要求18所述的制备量子点发光二极管的方法，其中所述沉积一个空穴注入和传输层包括将金属氧化物纳米粒的悬浮液旋转涂布、印刷、浇铸、或喷雾在所述的电极或所述发光层表面，并去除悬浮介质。
21.如权利要求20所述的制备量子点发光二极管的方法，其中所述金属氧化物纳米粒包括NiO，MoO3，MoS2，Cr2O3和Bi2O3，p型ZnO，或它们的任意组合。
22.如权利要求18所述的制备量子点发光二极管的方法，其中所述沉积一个空穴注入和传输层包括将一种或多种无机材料的溶液旋转涂布、印刷、浇铸、或喷雾到所述电极或所述发光层的表面，并去除溶剂。
23.如权利要求18所述的制备量子点发光二极管的方法，其中所述沉积一个空穴注入和传输层包括化学气相沉积，溅射，电子束蒸发，或真空沉积。
24.如权利要求18所述的制备量子点发光二极管的方法，其中每一个所述沉积包括旋转涂布、印刷、浇铸、或喷雾一种溶液或悬浮液，随后去除溶剂或悬浮介质。
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Families Citing this family (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101995371B1 (ko) 2008-04-03 2019-07-02 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
DE102008062283B4 (de) * 2008-12-10 2016-01-07 Technische Universität Dresden Verfahren zur Herstellung großflächig emittierender Lichtemitterdioden
KR101641367B1 (ko) * 2010-05-20 2016-07-21 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP5132739B2 (ja) 2010-09-06 2013-01-30 株式会社東芝 半導体素子
JP5889659B2 (ja) * 2011-02-10 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、および照明装置
WO2013019299A2 (en) 2011-05-11 2013-02-07 Qd Vision, Inc. Method for processing devices including quantum dots and devices
US9520573B2 (en) 2011-05-16 2016-12-13 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots and method for making same
KR101639855B1 (ko) 2011-05-20 2016-07-14 국립대학법인 야마가타대학 유기 전자 디바이스 및 그 제조 방법
WO2013085611A1 (en) 2011-12-08 2013-06-13 Qd Vision, Inc. Solution-processed sol-gel films, devices including same, and methods
KR20130065320A (ko) * 2011-12-09 2013-06-19 삼성전자주식회사 이종의 양자점층을 구비하는 양자점 소자
CN102403426B (zh) * 2011-12-09 2014-08-13 江苏康纳思光电科技有限公司 一种制造宽色域白光led的方法
CN102544280B (zh) * 2012-01-04 2014-07-23 天津理工大学 一种无机量子点近红外光致发光器件及制备方法
CN102509756B (zh) * 2012-01-05 2014-06-18 吉林大学 基于fto的全无机氧化物量子点led及其制作方法
WO2013103440A1 (en) 2012-01-06 2013-07-11 Qd Vision, Inc. Light emitting device including blue emitting quantum dots and method
CN102569516B (zh) * 2012-01-10 2014-01-15 合肥工业大学 通过MoO3表面掺杂制备p-CdS纳米线及p-CdS/n-Si纳米p-n结的方法
CN102779943A (zh) * 2012-06-20 2012-11-14 浙江大学 一种高效率的有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN102723440A (zh) * 2012-06-26 2012-10-10 吉林大学 基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED及其制作方法
KR101358098B1 (ko) 2012-07-13 2014-02-05 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 3차원 형상의 나노입자 조립 구조물 및 이를 이용한 가스센서
KR101378168B1 (ko) 2012-07-13 2014-03-24 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 나노입자를 포함하는 전자소자의 제조방법
KR101391010B1 (ko) 2012-07-13 2014-04-30 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 나노입자로 조립된 3차원 구조물 제조방법
WO2014088667A2 (en) 2012-09-14 2014-06-12 Qd Vision, Inc. Light emitting device including tandem structure
WO2014099080A2 (en) * 2012-09-26 2014-06-26 University Of Florida Research Foundation, Inc. Transparent quantum dot light-emitting diodes with dielectric/metal/dielectric electrode
CN103915568B (zh) * 2013-01-06 2016-07-20 吉林师范大学 一种CdS有机电致发光器件
CN103151450A (zh) * 2013-03-04 2013-06-12 上海理工大学 一种基于量子点的复合紫外增强薄膜及其制备方法
WO2014164726A1 (en) 2013-03-11 2014-10-09 University Of Florida Research Foundation, Inc. Quantum-dot based hybrid led lighting devices
CN103227286B (zh) * 2013-04-02 2015-09-09 武汉工程大学 硫掺杂的MoO3薄膜作为阳极界面层的有机光伏电池及其制备方法
CN105734492B (zh) * 2013-05-22 2018-05-29 深圳市讯锋科技有限公司 有机电致发光器件的基底
CN105755467B (zh) * 2013-05-22 2018-12-04 浙江成森电气有限公司 有机电致发光器件
KR102113581B1 (ko) * 2013-05-22 2020-05-22 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 그 방법 및 이를 이용한 양자점층 형성 방법
CN105755430B (zh) * 2013-05-22 2018-09-07 冯孝攀 导电薄膜
CN104175641B (zh) * 2013-05-22 2016-08-10 国网山东省电力公司莒县供电公司 导电薄膜的制备方法
CN105755466B (zh) * 2013-05-22 2017-12-19 陈居 有机电致发光器件的基底的制备方法
KR102069195B1 (ko) * 2013-07-22 2020-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광다이오드, 이를 포함하는 유기발광표시장치, 및 유기발광다이오드의 제조 방법
JP6156797B2 (ja) * 2013-08-22 2017-07-05 国立大学法人山形大学 有機電子デバイス
GB201315241D0 (en) 2013-08-27 2013-10-09 Nano Lit Technologies Ltd Improvements in or relating to lighting
CN103441220A (zh) * 2013-09-16 2013-12-11 东南大学 一种白光量子点发光二极管及其制备方法
EP3058598A4 (en) * 2013-10-17 2017-03-29 Nanophotonica, Inc. Quantum dot for emitting light and method for synthesizing same
CN103500803B (zh) * 2013-10-21 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
CN103642499A (zh) * 2013-12-09 2014-03-19 广西师范学院 一种水热法合成稀土Dy掺杂的CdTe∶Dy量子点的方法
CN103627395A (zh) * 2013-12-09 2014-03-12 广西师范学院 一种水热法合成稀土Tm掺杂的CdTe∶Tm量子点的方法
CN103627397A (zh) * 2013-12-09 2014-03-12 广西师范学院 一种水热法合成稀土Er掺杂的CdTe∶Er量子点的方法
CN103614144A (zh) * 2013-12-09 2014-03-05 广西师范学院 一种水热法合成稀土Pr掺杂的CdTe∶Pr量子点的方法
CN107148683B (zh) 2013-12-12 2019-08-30 内诺光学有限公司 提升量子点发光二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构
DE202013011466U1 (de) * 2013-12-23 2014-03-12 Christian Stroetmann Elektronische Anzeige, die auf der nanohalbleiterkristallbasierten beziehungsweise auantenpunktbasierten, lichtemittierenden Diode (kurz QLED) basiert
CN103840047B (zh) * 2014-02-20 2016-07-06 浙江大学 一种以胶体NiO纳米晶薄膜为空穴传输层的光电器件及其制备方法
CN103824877A (zh) * 2014-02-28 2014-05-28 上海和辉光电有限公司 Qd-led像素显示器件、制作方法及显示面板
CN104064690B (zh) * 2014-06-27 2016-08-17 北京科技大学 具有双层结构电子传输层的有机发光二极管及其制备方法
CN104201293A (zh) * 2014-09-15 2014-12-10 东华大学 一种全无机量子点发光二极管
KR101626525B1 (ko) * 2014-09-18 2016-06-01 홍익대학교 산학협력단 합금화된 나노입자 전자 수송층을 포함하는 양자점-발광 소자 및 그 제조방법
CN104253247A (zh) * 2014-10-13 2014-12-31 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
CN104377369B (zh) * 2014-10-20 2016-05-25 复旦大学 一种纤维状电化学发光电池及其制备方法
US10249599B2 (en) * 2016-06-29 2019-04-02 eLux, Inc. Laminated printed color conversion phosphor sheets
RU2017131626A (ru) * 2015-02-12 2019-03-12 Авантама Аг Оптоэлектронные устройства, включающие буферные слои оксида металла, обрабатываемые в растворе
CN104882554A (zh) * 2015-04-30 2015-09-02 中国科学院半导体研究所 一种无机有机杂化电致发光元件及其制造方法
TWI737610B (zh) * 2015-05-20 2021-09-01 美商納諾光子公司 用於改進發光二極體之效率的程序
CN104993069A (zh) * 2015-06-09 2015-10-21 宁波工程学院 基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法
CN105161579A (zh) * 2015-08-17 2015-12-16 深圳市华星光电技术有限公司 掺杂金属的量子点及led器件和背光模组
CN105140411B (zh) * 2015-08-17 2018-11-06 Tcl集团股份有限公司 不含ito的qled及其制备方法
CN105206718B (zh) * 2015-09-25 2017-10-13 南京理工大学 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管
JP6782295B2 (ja) 2015-10-05 2020-11-11 シャンハイ ナーグアン インフォメーション テクノロジー コーポレイションＳｈａｎｇｈａｉ Ｎａｇｕａｎｇ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光学データ記憶用の媒体、システム、及び方法
CN105140370B (zh) * 2015-10-09 2019-07-19 Tcl集团股份有限公司 Qled、qled显示屏及制备方法
KR102409391B1 (ko) 2015-10-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 양자점을 포함하는 광전자소자
CN105355749A (zh) * 2015-11-30 2016-02-24 广东德力光电有限公司 一种全彩氮化镓基led芯片结构
KR102415248B1 (ko) * 2015-12-29 2022-06-30 삼성디스플레이 주식회사 양자점 및 이를 이용한 발광 소자
CN105609651A (zh) * 2016-01-07 2016-05-25 东南大学 自组装聚合物空穴传输层结构的高效量子点发光二极管
CN105489781B (zh) * 2016-01-08 2017-12-29 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法和显示装置
CN105552244B (zh) * 2016-02-17 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
US10700236B2 (en) * 2016-03-17 2020-06-30 Apple Inc. Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot LED displays
KR102480088B1 (ko) 2016-03-17 2022-12-23 삼성디스플레이 주식회사 양자점 발광 소자
US9768404B1 (en) * 2016-03-17 2017-09-19 Apple Inc. Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot LED displays
KR101794082B1 (ko) 2016-06-03 2017-11-06 고려대학교 산학협력단 아민기를 갖는 덴드리머로 리간드 치환된 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광소자 및 이의 제조방법
US20180025200A1 (en) * 2016-07-20 2018-01-25 Ib Korea Ltd. Luminescent film with quantum dots
KR102586044B1 (ko) 2016-08-10 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자
CN106229393A (zh) * 2016-09-14 2016-12-14 Tcl集团股份有限公司 一种发光二极管及其制备方法
CN106299146B (zh) * 2016-10-31 2019-11-12 Tcl集团股份有限公司 基于量子阱结构量子点的白光qled器件及制备方法
KR20180047820A (ko) * 2016-11-01 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치
CN106410055A (zh) * 2016-11-07 2017-02-15 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及制备方法
CN106450021A (zh) * 2016-11-24 2017-02-22 南方科技大学 一种有机电致发光器件及其制备方法
WO2018106784A2 (en) 2016-12-07 2018-06-14 Djg Holdings, Llc Preparation of large area signage stack
KR102044601B1 (ko) * 2017-01-26 2019-11-13 경희대학교 산학협력단 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
CN107093638A (zh) * 2017-05-07 2017-08-25 苏州市皎朝纳米科技有限公司 一种光电器件及其制备方法
CN109427939B (zh) * 2017-08-24 2021-04-13 Tcl科技集团股份有限公司 一种qled器件及其制备方法
CN107611273A (zh) * 2017-08-24 2018-01-19 南昌航空大学 一种无机氧化物量子点发光二极管
CN109370309A (zh) * 2017-09-22 2019-02-22 苏州星烁纳米科技有限公司 墨水组合物及电致发光器件
KR102375620B1 (ko) * 2017-10-16 2022-03-16 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 이를 포함하는 발광장치
WO2019078235A1 (ja) * 2017-10-19 2019-04-25 Ｎｓマテリアルズ株式会社 発光素子、及び照明装置
KR102355917B1 (ko) 2017-10-26 2022-01-25 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 전계발광 표시장치
US20210184074A1 (en) * 2017-11-08 2021-06-17 Ns Materials Inc. Display device
US10541353B2 (en) * 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
CN109962128A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 Tcl集团股份有限公司 一种薄膜及其制备方法与qled器件
CN109980105B (zh) * 2017-12-28 2021-01-12 Tcl科技集团股份有限公司 一种qled器件
CN109994620A (zh) 2017-12-29 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 电子传输薄膜及其制备方法和应用
CN110098338A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置
WO2019171556A1 (ja) * 2018-03-08 2019-09-12 シャープ株式会社 素子、電子機器、および素子の製造方法
KR102611215B1 (ko) 2018-03-12 2023-12-06 삼성전자주식회사 전계 발광 소자, 및 표시 장치
CN108358187A (zh) * 2018-04-04 2018-08-03 桂林理工大学 一种发金黄色荧光碳点的制备方法
US11121339B2 (en) * 2018-05-11 2021-09-14 Nanosys, Inc. Quantum dot LED design based on resonant energy transfer
CN112514537A (zh) * 2018-08-03 2021-03-16 夏普株式会社 电致发光元件及显示装置
TWI662106B (zh) * 2018-11-29 2019-06-11 國家中山科學研究院 一種具障礙層的稀土元素發光二極體結構
CN113196881B (zh) * 2018-12-17 2024-05-14 夏普株式会社 电致发光元件以及显示器件
TW202036928A (zh) * 2018-12-31 2020-10-01 美商納諾光子公司 包含摻雜ZnO電子傳遞層之量子點發光二極體
TW202044608A (zh) * 2018-12-31 2020-12-01 美商納諾光子公司 包含電洞傳遞層之量子點發光二極體
TWI763979B (zh) 2019-02-20 2022-05-11 友達光電股份有限公司 量子點發光二極體與其製造方法
CN113498631A (zh) * 2019-02-26 2021-10-12 夏普株式会社 发光元件、发光装置
CN109841745B (zh) * 2019-03-25 2021-04-27 南昌航空大学 一种以过渡金属氧化物掺杂量子点为发光层的制备方法
KR102181060B1 (ko) * 2019-04-08 2020-11-19 홍익대학교 산학협력단 금속 이온 표면 처리된 금속 산화물 나노입자, 이것을 포함하는 양자점-발광 소자 및 그 제조 방법
CN111864086A (zh) * 2019-04-26 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 发光结构、显示面板和显示装置
CN110085757A (zh) * 2019-05-22 2019-08-02 京东方科技集团股份有限公司 量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置
CN110165063A (zh) * 2019-05-27 2019-08-23 深圳市华星光电技术有限公司 量子棒发光二极管器件
CN110311021B (zh) * 2019-06-27 2020-11-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点发光二极管器件及其制备方法
KR20210004748A (ko) 2019-07-05 2021-01-13 삼성전자주식회사 발광 소자와 이를 포함한 표시 장치
US20220352262A1 (en) * 2019-08-05 2022-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method of manufacturing display device
CN112410932B (zh) * 2019-08-20 2022-12-06 Tcl科技集团股份有限公司 纳米材料及其制备方法
KR20210027210A (ko) 2019-08-30 2021-03-10 삼성전자주식회사 발광 소자와 이를 포함한 표시 장치
CN110998891B (zh) * 2019-11-14 2023-05-02 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管、显示装置和制造量子点发光二极管的方法
CN113130825B (zh) * 2019-12-30 2022-05-13 Tcl科技集团股份有限公司 复合薄膜及其制备方法、量子点发光二极管
CN113130833A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN113130768A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 复合材料及其制备方法、光伏器件和发光二极管
CN113130781B (zh) * 2019-12-31 2022-11-29 Tcl科技集团股份有限公司 一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法
KR20210098590A (ko) 2020-01-31 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 정공 수송 영역이 11족 금속 칼코젠 화합물을 포함하는 발광 소자
US11294115B1 (en) 2020-02-03 2022-04-05 Wah Hong Industrial Corp. Enhanced light diffusion film structure
US20230147280A1 (en) * 2020-05-26 2023-05-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for producing display device
KR20210149963A (ko) 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이의 제조 방법
CN111562246B (zh) * 2020-06-29 2023-06-27 中南林业科技大学 一种光辐照Mn:ZnSe@ZnS量子点光电传感器及其制备方法和应用
WO2022018785A1 (ja) * 2020-07-20 2022-01-27 シャープ株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
CN111952472A (zh) * 2020-08-18 2020-11-17 福州大学 基于短链配体修饰的CdSe量子点发光二极管器件制备方法
CN112151681B (zh) * 2020-09-25 2022-05-31 东北师范大学 一种PbS量子点光吸收层的制备方法及其应用和太阳能电池
CN112103397A (zh) * 2020-10-16 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置
CN114686232B (zh) * 2020-12-30 2023-12-26 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点的筛分方法及量子点发光二极管
WO2022195614A1 (en) * 2021-03-17 2022-09-22 Saint-Gobain Glass France A vehicle glazing with quantum dot coated substrate
WO2023187957A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、発光素子の製造方法
CN115172638A (zh) * 2022-07-05 2022-10-11 福州大学 一种转印图案化自组装绝缘材料制备微纳qled的方法
WO2024084571A1 (ja) * 2022-10-18 2024-04-25 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、発光素子の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008073373A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 Evident Technologies Nanostructured layers, method of making nanostructured layers, and application thereof

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1309013A1 (en) 2001-10-30 2003-05-07 Agfa-Gevaert A thin layer inorganic light emitting device with undoped zinc sulfide nanoparticles
CN1259388C (zh) * 2001-12-03 2006-06-14 东洋油墨制造株式会社 有机电致发光器件用组合物和使用该组合物的有机电致发光器件
US6936761B2 (en) * 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
US20060105200A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-18 Dmytro Poplavskyy Organic electroluminescent device
US20090039764A1 (en) 2005-03-17 2009-02-12 Cho Kyung Sang Quantum Dot Light-Emitting Diode Comprising Inorganic Electron Transport Layer
US7615800B2 (en) 2005-09-14 2009-11-10 Eastman Kodak Company Quantum dot light emitting layer
US8093604B2 (en) * 2005-12-28 2012-01-10 Group Iv Semiconductor, Inc. Engineered structure for solid-state light emitters
JP2009527876A (ja) * 2006-02-17 2009-07-30 ソレクサント・コーポレイション ナノ構造のエレクトロルミネセンスデバイス及びディスプレイ
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
KR101995371B1 (ko) * 2008-04-03 2019-07-02 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
US8106420B2 (en) * 2009-06-05 2012-01-31 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting device including semiconductor nanocrystals

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008073373A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 Evident Technologies Nanostructured layers, method of making nanostructured layers, and application thereof

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"稀土掺杂ZnS量子点的制备与发光性能研究";安海萍;《天津理工大学》;20080317;第21页第1段-第23页最后1段，第44页第1段-最后1段 *
Jan W. Stouwdam,et al.."Red, green, and blue quantum dot LEDs with solution processable ZnO nanocrystal electron injection layers".《Journal of Materials Chemistry》.2008,第18卷1889-1894页. *
Jean M.Caruge,et al.."NiO as an Inorganic Hole-Transporting Layer in Quantum-Dot Light-Emitting Devices".《Nano Letters》.2006,第6卷(第12期),2991-2994. *

Also Published As

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