CN112103397A - 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本公开提供了一种量子点发光二极管，包括：第一电极、第二电极、设置在第一电极与第二电极之间的量子点发光层、设置在量子点发光层与第一电极之间的至少一层电子传输层，以及设置在最靠近第一电极的电子传输层与量子点发光层之间的电子贡献层；电子贡献层的材料包括金属材料，电子贡献层配置为在第一电极与第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至量子点发光层。本公开实施例还提供了一种量子点发光二极管的制备方法、显示面板和显示装置。

Description

量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)通常包括具有多个量子点纳米晶体的发光层，发光层夹在电子传输层和空穴传输层之间。将电场施加到量子点发光二极管，使电子和空穴移动到发光层中，在发光层中，电子和空穴被捕获在量子点中并被重新组合，发射光子。与有机发光二极管相比，量子点发光二极管的发射光谱更窄。
发明内容
本公开提出了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置。
第一方面，本公开实施例提供了一种量子点发光二极管，包括：第一电极、第二电极、设置在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层、设置在所述量子点发光层与所述第一电极之间的至少一层电子传输层，以及设置在最靠近所述第一电极的所述电子传输层与所述量子点发光层之间的电子贡献层；
所述电子贡献层的材料包括金属材料，所述电子贡献层配置为在所述第一电极与所述第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至所述量子点发光层。
在一些实施例中，所述金属材料的功函数小于4eV。
在一些实施例中，所述金属材料包括：镁、锂、铯中的至少一种。
在一些实施例中，所述电子贡献层的厚度包括：1nm～100nm。
在一些实施例中，所述电子传输层数量为1层，所述电子贡献层位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间。
在一些实施例中，所述电子传输层数量为2层，所述电子贡献层位于2层所述电子传输层之间。
在一些实施例中，所述量子点发光层的材料包括：磷化铟量子点、磷化铟衍生的核壳结构量子点、镉系蓝光量子点、GaP/ZnSe、CsPbBr3/ZnS中的至少一种；
所述电子传输层的材料包括：氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌中的至少一种。
在一些实施例中，还包括空穴传输层和空穴注入层；
所述空穴传输层位于所述第二电极与所述量子点发光层之间，所述空穴注入层位于所述第二电极与所述空穴传输层之间。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示面板，包括：如上述第一方面提供的量子点发光二极管。
第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：如上述第二方面提供的量子点发光二极管。
第四方面，本公开实施例还提供了一种如第一方面所述量子点发光二极管的制备方法，包括：
形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层，所述量子点发光层位于所述第一电极和第二电极之间，所述电子传输层位于所述第一电极与所述量子点发光层之间，电子贡献层位于最靠近所述第一电极的所述电子传输层与所述量子点发光层之间；
其中，所述电子贡献层的材料包括金属材料，所述电子贡献层配置为在所述第一电极与所述第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至所述量子点发光层。
在一些实施例中，所述电子传输层数量为1层；
形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层的步骤包括：
形成第一电极；
在所述第一电极的一侧形成电子传输层；
在所述电子传输层背向所述第一电极的一侧形成电子贡献层；
在所述电子贡献层背向所述电子传输层的一侧形成量子点发光层；
在所述量子点发光层背向所述电子贡献层的一侧形成所述第二电极；
或者，形成第二电极；
在所述第二电极的一侧形成量子点发光层；
在所述量子点发光层背向所述第二电极的一侧形成所述电子贡献层；
在所述电子贡献层背向所述量子点发光层的一侧形成电子传输层；
在所述电子传输层背向所述电子贡献层的一侧形成第一电极。
在一些实施例中，所述电子传输层数量为2层且分别为第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层比所述第二电子传输层更靠近所述第一电极；
形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层的步骤包括：
形成第一电极；
在所述第一电极的一侧形成第一电子传输层；
在所述第一电子传输层背向所述第一电极的一侧形成电子贡献层；
在所述电子贡献层背向所述第一电子传输层的一侧形成第二电子传输层；
在所述第二电子传输层背向所述电子贡献层的一侧形成量子点发光层；
在所述量子点发光层背向所述第二电子传输层的一侧形成所述第二电极；
或者，形成第二电极；
在所述第二电极的一侧形成量子点发光层；
在所述量子点发光层背向所述第二电极的一侧形成所述第二电子传输层；
在所述第二电子传输层背向所述量子点发光层的一侧形成电子贡献层；
在所述电子贡献层背向所述第二电子传输层的一侧形成第一电子传输层；
在所述第一电子传输层背向所述电子贡献层的一侧形成第一电极。
附图说明
图1为本公开实施例提供的一种量子点发光二极管的结构示意图；
图2为本公开实施例中一种量子点发光二极管内各膜层的能力结构以及电子贡献原理示意图；
图3为本公开实施例提供的另一量子点发光二极管的结构示意图；
图4为本公开实施例提供的又一种量子点发光二极管的结构示意图；
图5为本公开实施例提供的再一种量子点发光二极管的结构示意图；
图6为本公开实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程图；
图7a～图7e为采用图6所示制备方法制备量子点发光二极管的中间结构示意图；
图8为本公开实施例提供的另一种量子点发光二极管的制备方法的流程图；
图9为本公开实施例提供的又一种量子点发光二极管的制备方法的流程图；
图10为本公开实施例提供的再一种量子点发光二极管的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置进行详细描述。
发光器件的基本结构包括：阳极、阴极，以及在阳极和阴极之间的发光层。在外加电压作用下，电子和空穴分别从阴极方向和阳极方向注入，然后迁移并在发光层中相遇复合产生激子，激子的能量以光的形式衰减，即辐射出光。当发光器件为量子点发光二极管时，发光层为量子点发光层；量子点发光层顾名思义其材料为量子点。
发光器件可以是正置型发光器件，也可以是倒置型发光器件。其中，发光器件通常包括基底，对于正置型发光器件其阳极较阴极而言更靠近基底；倒置型发光器件其阴极较阳极而言更靠近基底。无论发光器件为正置型发光器件，还是为倒置型发光器件，该发光器件可以是顶发射型发光器件，也可以是底发射型发光器件。其中，当发光器件为正置顶发射型发光器件时，阳极为反射电极，阴极为透射电极；当发光器件为正置底发射型发光器件时，阳极为透射电极，阴极为反射电极；当发光器件为倒置顶发射型发光器件时，阳极为透射电极，阴极为反射电极；当发光器件为倒置底发射型发光器件时，阳极为反射电极，阴极为透射电极。
随着发光器件的性能的不断优化，发光器件不仅包含阳极层、阴极层和发光层；还可以在阳极层和发光层之间设置空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、在发光层和阴极层之间设置电子传输层(ElectronTransport Layer，简称ETL)。当然，在电子传输层和阴极层之间还可以设置电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)。
目前，一般使用无镉(Cd)量子点材料或蓝光含镉量子点材料来作为量子点发光层；在实际应用和测试中发现，在使用有无镉量子点材料或蓝光含镉量子点作为量子点发光层的量子点发光二极管中，存在载流子传输不平衡而导致器件的发光效率低下的问题。其主要原因是：量子点发光层处的电子注入速率小于空穴注入速率，产生载流子注入不平衡现象，进而导致空穴在量子点发光层中过度累积，造成器件中量子点发光层带电现象，使量子点发光二极管的使用寿命和发光效率均受影响。
为解决上述技术问题，本公开实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置。
图1为本公开实施例提供的一种量子点发光二极管的结构示意图，如图1所示，该量子点发光二极管，包括：第一电极1、第二电极2、量子点发光层3、至少一层电子传输层4和电子贡献层5。其中，量子点发光层3设置在第一电极1与第二电极2之间，电子传输层4设置在量子点发光层3与第一电极1之间，电子贡献层5设置在最靠近第一电极1的电子传输层4与量子点发光层3之间。
电子贡献层5的材料包括金属材料，电子贡献层5配置为在第一电极1与第二电极2之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至量子点发光层3。
在本公开实施例中，第一电极1用作阴极，第二电极2用作阳极。
在本公开实施例中，在量子点发光二极管进行工作的过程中，第一电极1和第二电极2上加载有不同电压(第二电极2上的所加载的电压大于第一电极1上所加载的电压)，使得第一电极1与第二电极2之间形成有电场，且电场方向由第一电极1指向第二电极2；由于电子贡献层5中金属材料含有大量自由电子，这些自由电子在第一电极1与第二电极2之间电场作用下向量子点发光层3移动，使得单位时间内注入至量子点发光层3的电子数量增多(电子贡献层5会贡献一部分的电子注入)；与此同时，在电子贡献层5中金属材料内的自由电子减少后，缺少电子的金属材料会对第一电极1中的电子产生吸引，使得电子不断从第一电极1向电子贡献层5注入。基于上述过程可见，第一电极1与量子点发光层3之间的电子传输速率增大，单位时间内注入量子点发光层3的电子增加，有利于减轻、甚至消除量子点发光层3处空穴、电子的注入不平衡问题，从而能提高量子点发光二极管的使用寿命和发光效率。
在一些实施例中，量子点发光层3的材料可为InP(磷化铟)量子点或InP衍生的核壳结构量子点，例如InP/ZnSe/ZnS，InP/ZnSeS/ZnS；也可以为镉系蓝光量子点，例如CdS/ZnSe/ZnS,CdSe/ZnSe/ZnS,CdInS/ZnSe/ZnS；还可以是GaP/ZnSe，CsPbBr3/ZnS等量子点。
在一些实施例中，电子传输层4的材料包括：氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌中的至少一种。
在一些实施例中，金属材料的功函数小于4.0eV；其中，金属材料的功函数越小，电子越容易逃离金属原子以形成自由电子，即金属材料内的自由电子越多，电子贡献层5向量子点发光层3注入的电子越多。因此，本公开实施例中电子贡献层5可选用功函数较低的金属材料。
在一些实施例中，金属材料包括：镁(Mg)、锂(Li)、铯(Cs)中的至少一种；其中，Mg的功函数约为3.66eV，Li的功函数约为2.9eV，Cs的功函数约为2.14eV。
在本公开实施例中，电子贡献层5的厚度以及与位置也会对电子贡献层5向量子点发光层3注入的电子数量产生影响。
其中，在电子贡献层5的材料和位置已确定的情况下，电子贡献层5的厚度越大，电子贡献层5中的自由电子越多，单位时间内能够注入至量子点发光层3的电子数量越多；反之，电子贡献层5的厚度越小，则单位时间内能够注入至量子点发光层3的电子数量越少。因此，通过调节电子贡献层5的厚度，可以控制第一电极1与量子点发光层3之间的电子传输速率，进而控制单位时间内注入量子点发光层3的电子数量，以达到减轻、甚至消除量子点发光层处的电子空穴注入不平衡问题的目的。在一些实施例中，电子贡献层5的厚度包括：1nm～100nm。
当量子点发光二极管为正置顶发射型量子点发光二极管或倒置底发射型量子点发光二极管时(设置有第一电极1侧为出光侧)，电子贡献层5的厚度不会对量子点发光二极管的出光效率产生影响，电子贡献层5的厚度越大，其光透过率越低，量子点发光二极管的出光效率越低；考虑到电子贡献层5的电子注入量和量子点发光二极管的出光效率的因素，在一些实施例中，电子贡献层5的厚度包括：1nm～10nm。
在电子贡献层5的材料和厚度已确定的情况下，电子贡献层5与量子点发光层3的距离越远，电子贡献层5内电子运动到量子点发光层3的距离越远，在运动过程中电子与其他原子发生碰撞的概率越大，发生碰撞后电子的动能会减小，无法到达量子点发光层3的电子数量增多，单位时间内实际能够注入至量子点发光层3的数量减小；反之，电子贡献层5与量子点发光层3的距离越近，则其单位时间内能够注入至量子点发光层3的电子数量越多。
在一些实施例中，量子点发光二极管还包括空穴传输层7和空穴注入层8，空穴传输层7位于第二电极2与量子点发光层3之间，空穴注入层8位于第二电极2与空穴传输层7之间。
在一些实施例中，空穴注入层8的材料包括但不限于聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)、聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、铜酞菁。
空穴传输层7的材料包括但不限于p型聚合物材料和各种p型低分子量材料，例如，聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、具有聚-3,4-亚乙基二氧噻吩和聚(对苯乙烯磺酸钠)、4,4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)或者4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA),N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)的混合物。
在一些实施例中，在电子传输层4与第一电极1之间还设置有电子注入层(未示出)；其中，电子注入层的材料包括但不限于氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氧化锂、偏硼酸锂中的任意一种。
需要说明的是，附图1中仅示例性画出了1层电子传输层4，电子贡献层5位于电子传输层4与量子点发光层3之间且与量子点发光层3相接触的情况，该情况仅起到示例性作用，其不会对本公开的技术方案产生限制。
继续参见图1中，图1所示量子点发光二极管还包括基底6，基底6位于第二电极2背向第一电极1的一侧，该量子点发光二极管为正置型量子点发光二极管。
图2为本公开实施例中一种量子点发光二极管内各膜层的能力结构以及电子贡献原理示意图，图2所示，作为一个具体示例，其中第一电极1的材料选用铝，铝的费米能级约为-4.3eV；电子传输层4的材料选用氧化镁锌，氧化镁锌的能级结构为：价带约为-7.3eV，导带约为-3.7eV；电子贡献层5的材料选用镁，镁的导带约为-3.66eV(功函数约为3.66eV)；量子点发光层3的材料选用InP/ZnSeS/ZnS，InP/ZnSeS/ZnS的能级结构为：价带约为-5.9eV，导带约为-3.5eV；空穴传输层7的材料选用聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)，TFB的能级结构为：价带约为-5.3eV，导带约为-2.3eV；空穴传输层7的材料选用PEDOT：PSS，PEDOT：PSS的能级结构为：价带约为-5.0eV，导带约为-3.5eV；第二电极2的材料选用氧化铟锡(ITO)，ITO的费米能级约为-4.7eV。
在量子点发光二极管进行工作时，电场方向由第二电极2指向第一电极1，电子贡献层5向量子点发光层3注入自由电子。
图3为本公开实施例提供的另一量子点发光二极管的结构示意图，如图3所示，与图1所示量子点发光二极管不同的是，图3中所示基底6位于第一电极1背向第二电极2的一侧，该量子点发光二极管为倒置型量子点发光二极管。
图4为本公开实施例提供的又一种量子点发光二极管的结构示意图，如图4所示，与图1和图3中所示量子点发光二极管不同的是，图4所示量子点发光二极管内包含有2层电子传输层4a、4b，电子贡献层5位于2层电子传输层4a、4b之间。
为便于描述，将该2层电子传输层4a、4b分别称为第一电子传输层4a和第二电子传输层4b，第一电子传输层4a比第二电子传输层4b更靠近第一电极1。其中，第二电子传输层4b位于量子点发光层3与电子贡献层5之间，因此通过控制第二电子传输层4b的厚度可实现对电子贡献层5与量子点发光层3之间的距离进行控制，即对电子贡献层5向量子点发光层3注入的自由电子数量进行控制，以实现对第一电极1与量子点发光层3之间的电子传输速率进行控制。
需要说明的是，在本公开实施例中第一电子传输层4a与第二电子传输层4b的材料可以相同，也可以不同；第一电子传输层4a与第二电子传输层4b的厚度可以相同，也可以不同。
图4中的基底6位于第二电极2背向第一电极1的一侧，该量子点发光二极管为正置型量子点发光二极管。
图5为本公开实施例提供的再一种量子点发光二极管的结构示意图，如图5所示，与图4中所示量子点发光二极管不同的是，图5中所示基底6位于第一电极1背向第二电极2的一侧，该量子点发光二极管为倒置型量子点发光二极管。
当然，本公开实施例中电子传输层的数量还可以为3层或多层，对于各电子传输层的材料、厚度均不作限定，仅需保证电子贡献层5设置在最靠近第一电极1的电子传输层与量子点发光层3之间即可，具体情况此处不再一一示例描述。
在一些实施例中，图1、图3、图4和图5中的空穴注入层、空穴传输层可以被去除。
在本公开实施例中，通过设置电子贡献层，该电子贡献层中金属材料的自由电子可在电场作用下注入至量子点发光层，使得第一电极与量子点发光层之间的电子传输速率增大，使单位时间内注入量子点的电子增多，量子点发光层处单位时间的电子注入增多，有利于减轻、甚至消除量子点发光层处的电子空穴注入不平衡的问题，从而能提高量子点发光二极管的使用寿命和发光效率。
本公开实施例还提供了一种量子点发光二极管的制备方法，用于制备上述任一实施例提供的量子点发光二极管，该制备方法包括：形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层，量子点发光层位于第一电极和第二电极之间，电子传输层位于第一电极与量子点发光层之间，电子贡献层位于最靠近第一电极的电子传输层与量子点发光层之间；其中，电子贡献层的材料包括金属材料，电子贡献层配置为在第一电极与第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至量子点发光层。
在本公开实施例中，通过设置电子贡献层，该电子贡献层中金属材料的自由电子可在电场作用下注入至量子点发光层，使得第一电极与量子点发光层之间的电子传输速率增大，使单位时间内注入量子点的电子增多，量子点发光层处单位时间的电子注入增多，有利于减轻、甚至消除量子点发光层处的电子空穴注入不平衡的问题，从而能提高量子点发光二极管的使用寿命和发光效率。
图6为本公开实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程图，图7a～图7e为采用图6所示制备方法制备量子点发光二极管的中间结构示意图，如图6至图7e所示，该制备方法可用于制备图1中所示量子点发光二极管，具体包括：
步骤S101、在基底上形成第二电极。
参见图7a所示，在步骤S101中，首先在基底上形成导电材料薄膜层(例如，形成氧化铟锡材料薄膜)，然后对导电材料薄膜层进行构图工艺，以形成第二电极的图形。
步骤S102、在第二电极背向基底的一侧形成空穴注入层和空穴传输层。
参见图7b所示，首先在第二电极背向基底的一侧形成空穴注入层，然后在空穴注入层背向基底的一侧形成空穴传输层。在一些实施例中，空穴注入层和空穴传输层的材料一般采用高分子有机物(详见前面实施例中相应描述)，可采用旋涂工艺来制备。
步骤S103、在空穴传输层背向空穴注入层的一侧形成量子点发光层。
参见图7c所示，在空穴传输层背向空穴注入层的一侧形成量子点发光层；其中，量子点发光层的材料可为InP(磷化铟)量子点或InP衍生的核壳结构量子点，例如InP/ZnSe/ZnS，InP/ZnSeS/ZnS；也可以为镉系蓝光量子点，例如CdS/ZnSe/ZnS,CdSe/ZnSe/ZnS,CdInS/ZnSe/ZnS；还可以是GaP/ZnSe，CsPbBr3/ZnS等量子点。在一些实施例中，量子点发光层可采用旋涂工艺来制备。
步骤S104、在量子点发光层背向空穴传输层的一侧形成电子贡献层。
参见图7d所示，在量子点发光层背向空穴传输层的一侧形成电子贡献层。在一些实施例中，金属材料的功函数小于4eV；可选地，金属材料包括：镁、锂、铯中的至少一种。
在一些实施例中，可通过蒸镀工艺来制备电子贡献层。
步骤S105、在电子贡献层背向量子点发光层的一侧形成电子传输层。
参见图7e所示，在电子贡献层背向量子点发光层的一侧形成电子传输层；其中，电子传输层的材料包括：氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌中的至少一种。
在一些实施例中，可通过物理气相沉积工艺(Physical Vapour Deposition，简称PVD)或溶液法来制备电子传输层。以采用溶液法来制备材料为氧化锌的电子传输层为例；首先，将醋酸锌(浓度约为95％)和乙醇胺(浓度约为4％)溶解于2-甲氧基乙醇中，形成醋酸锌溶液(密度大约为75mg/ml)；然后，以2000rpm的转速将醋酸锌溶液旋涂于第一电极上；接着，对基板进行退火工艺(大约180℃)，醋酸锌在高温下分解，形成氧化锌薄膜，即制得电子传输层。
步骤S106、在电子传输层背向电子贡献层的一侧形成第一电极。
参见图1所示，在电子传输层背向电子贡献层的一侧形成第一电极；其中，第一电极的材料可以为金属材料，例如，铝或铝镁合金。第一电极可通过蒸镀工艺来进行制备。
通过上述步骤S101～步骤S106即可制得图1中所示量子点发光二极管；在一些实施例中，当量子点发光二极管内不包含空穴注入层和空穴传输层时，则可无需进行上述步骤S103；另外，当量子点发光二极管内包含有电子注入层时，则在步骤S105和步骤S106之间还包括形成电子注入层的步骤。
图8为本公开实施例提供的另一种量子点发光二极管的制备方法的流程图，如图8所示，该制备方法可用于制备图3中所示量子点发光二极管，该制备方法包括：
步骤S201、在基底上形成第一电极。
步骤S202、在第一电极背向基底的一侧形成电子传输层。
步骤S203、在电子传输层背向第一电极的一侧形成电子贡献层。
步骤S204、在电子贡献层背向电子传输层的一侧形成量子点发光层。
步骤S205、在量子点发光层背向电子贡献层的一侧依次形成空穴传输层和空穴注入层。
步骤S206、在空穴注入层背向空穴传输层的一侧形成第二电极。
通过上述步骤S201～步骤S206即可制得图3中所示量子点发光二极管；对于形成第一电极、电子传输层、电子贡献层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极的具体过程可参见前面实施例中相应内容，此处不再赘述。
图9为本公开实施例提供的又一种量子点发光二极管的制备方法的流程图，如图9所示，该制备方法可用于制备图4中所示量子点发光二极管，该制备方法不但包括图6所示实施例中的步骤S101～步骤S106，且在步骤S103和步骤S104之间还包括：步骤S103a，下面仅对步骤S103a进行详细描述。
步骤S103a、在量子点发光层背向空穴传输层的一侧形成电子传输层。
其中，可通过PVD或溶液法来制备电子传输层。
在图9所示实施例中，通过步骤S103a所制备出的电子传输层为第二电子传输层，通过步骤S105所制备出的电子传输层为第一电子传输层。
在通过溶液法来分别制备第一电子传输层和第二电子传出层的过程中，可通过控制所旋涂溶液的浓度和旋涂速度，可对第一电子传输层和第二电子传出层的最终膜厚进行控制。
图10为本公开实施例提供的再一种量子点发光二极管的制备方法的流程图，如图10所示，该制备方法可用于制备图5中所示量子点发光二极管，该制备方法不但包括图8所示实施例中的步骤S201～步骤S206，且在步骤S203和步骤S204之间还包括：步骤S203a，下面仅对步骤S203a进行详细描述。
步骤S203a、在电子贡献层背向第一电子传输层的一侧形成第二电子传输层。
其中，可通过PVD或溶液法来制备第二电子传输层。
在本公开实施例中，通过在量子点发光二极管中制备电子贡献层，该电子贡献层中金属材料的自由电子可在电场作用下注入至量子点发光层，使得第一电极与量子点发光层之间的电子传输速率增大，量子点发光层处单位时间的电子注入增多，有利于减轻、甚至消除量子点发光层处的电子空穴注入不平衡的问题，从而能提高量子点发光二极管的使用寿命和发光效率。
本公开实施例提供了一种显示面板，其包括前面任一实施例提供的量子点发光二极管，该量子点发光二极管可采用前面任一制备方法来进行制备。对于量子点发光二极管及其制备方法的具体描述可参见前面实施例中的相应内容，此处不再赘述。
本公开实施例提供了一种显示装置，其包括前面实施例提供的显示面板，该显示装置可以为电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (13)

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：第一电极、第二电极、设置在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层、设置在所述量子点发光层与所述第一电极之间的至少一层电子传输层，以及设置在最靠近所述第一电极的所述电子传输层与所述量子点发光层之间的电子贡献层；
所述电子贡献层的材料包括金属材料，所述电子贡献层配置为在所述第一电极与所述第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至所述量子点发光层。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属材料的功函数小于4eV。
3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属材料包括：镁、锂、铯中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子贡献层的厚度包括：1nm～100nm。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层数量为1层，所述电子贡献层位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间。
6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层数量为2层，所述电子贡献层位于2层所述电子传输层之间。
7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的材料包括：磷化铟量子点、磷化铟衍生的核壳结构量子点、镉系蓝光量子点、GaP/ZnSe、CsPbBr3/ZnS中的至少一种；
所述电子传输层的材料包括：氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌中的至少一种。
8.根据权利要求1至7中任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括空穴传输层和空穴注入层；
所述空穴传输层位于所述第二电极与所述量子点发光层之间，所述空穴注入层位于所述第二电极与所述空穴传输层之间。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：如上述权利要求1至8中任一所述的量子点发光二极管。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求9中所述的显示面板。
11.一种如权利要求1至8中任一所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层，所述量子点发光层位于所述第一电极和第二电极之间，所述电子传输层位于所述第一电极与所述量子点发光层之间，电子贡献层位于最靠近所述第一电极的所述电子传输层与所述量子点发光层之间；
其中，所述电子贡献层的材料包括金属材料，所述电子贡献层配置为在所述第一电极与所述第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至所述量子点发光层。
12.根据权利要求11所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子传输层数量为1层；
形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层的步骤包括：
形成第一电极；
在所述第一电极的一侧形成电子传输层；
在所述电子传输层背向所述第一电极的一侧形成电子贡献层；
在所述电子贡献层背向所述电子传输层的一侧形成量子点发光层；
在所述量子点发光层背向所述电子贡献层的一侧形成所述第二电极；
或者，形成第二电极；
在所述第二电极的一侧形成量子点发光层；
在所述量子点发光层背向所述第二电极的一侧形成所述电子贡献层；
在所述电子贡献层背向所述量子点发光层的一侧形成电子传输层；
在所述电子传输层背向所述电子贡献层的一侧形成第一电极。
13.根据权利要求11所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子传输层数量为2层且分别为第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层比所述第二电子传输层更靠近所述第一电极；
形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层的步骤包括：
形成第一电极；
在所述第一电极的一侧形成第一电子传输层；
在所述第一电子传输层背向所述第一电极的一侧形成电子贡献层；
在所述电子贡献层背向所述第一电子传输层的一侧形成第二电子传输层；
在所述第二电子传输层背向所述电子贡献层的一侧形成量子点发光层；
在所述量子点发光层背向所述第二电子传输层的一侧形成所述第二电极；
或者，形成第二电极；
在所述第二电极的一侧形成量子点发光层；
在所述量子点发光层背向所述第二电极的一侧形成所述第二电子传输层；
在所述第二电子传输层背向所述量子点发光层的一侧形成电子贡献层；
在所述电子贡献层背向所述第二电子传输层的一侧形成第一电子传输层；
在所述第一电子传输层背向所述电子贡献层的一侧形成第一电极。
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