CN114695705A - 一种量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种；所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。本发明中，所述界面层可有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入速率，同时有效防止电子发生隧穿与空穴在非量子点发光区复合，从而提高器件的发光效率。

Description

一种量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点发光二极管(QLED)具有色纯度高、较窄的半高峰宽发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。随着研发的不断推进，量子点发光二极管的外量子效率(EQE)已有显著提高，其中，红光量子点发光二极管以及绿光量子点发光二极管的外量子效率均高于25％的水平，在效率上已可比拟有机发光二极管(OLED)，但蓝光量子点发光二极管的外量子效率及寿命上仍不足以满足要求。
与OLED器件较为相似，QLED器件结构通常由阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极组成，电子和空穴分别从阴极和阳极两端注入，在量子点发光层复合发光。现有电子传输层通常由纳米氧化锌粒子组成，其有着较高的载流子浓度和迁移率；空穴传输层所使用的有机高分子材料，如PVK,TFB等，由于空穴传输层的载流子迁移率较低以及量子点能级过深而导致空穴注入困难，使得空穴长期在空穴传输层中或空穴传输层与量子点发光层的界面层积累，而电子的过度注入则导致其容易跃迁到空穴传输层或其与量子点发光层的界面层，最终导致电子和空穴在非发光层处发生复合，严重影响了QLED器件的效率及寿命。
因此，现有技术还有待于改进。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决由于现有量子点发光二极管发光效率低的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极，设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其中，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种；所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。
一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
提供一种阳极基板，在所述阳极基板上空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种；
在所述界面层制备量子点发光层；
在所述量子点发光层制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
或者，提供一种阴极基板，在所述阴极基板上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层表面制备界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种；
在所述界面层制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
有益效果：本发明通过在空穴传输层和量子点发光层之间设置界面层，由于所述界面层的HOMO能级位于所述空穴传输层与所述量子点发光层的HOMO能级之间，其可以有效降低空穴的注入势垒，从而减少由于空穴在势垒界面处积累而造成的材料及器件衰退；所述界面层还可有效阻挡电子隧穿，避免电子与空穴在非量子点发光层复合，从而提高量子点发光二极管的发光效率。
附图说明
图1为本发明一种正型结构量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
图2为本发明一种反型结构量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
图3为本发明一种正型结构量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。
图4为本发明一种反型结构量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
量子点发光二极管有多种形式，且所述量子点发光二极管分为正式结构和反式结构，所述反型结构的量子点发光二极管可包括从下往上层叠设置的基板、阴极、量子点发光层、空穴传输层以及阳极。而本发明的具体实施方式中将主要以如图1所示的正型结构的量子点发光二极管为实施例进行介绍。具体地，所述正型结构的量子点发光二极管包括设置在衬底表面的阳极，设置在所述阳极表面的空穴传输层，设置在所述空穴传输层表面的界面层，设置在所述界面层上的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的阴极，其中，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种，所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。
具体来讲，由于常用的空穴传输层的最高被占据能级(HOMO)与量子点发光层的功函数之间存在较大的势垒，使得空穴从空穴传输层注入到量子点发光层变得困难，导致空穴与电子的注入不平衡，严重影响量子点发光二极管的发光效率。本实施例通过在所述空穴传输层和量子点发光层之间设置由硫银锗矿制备的界面层，所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级，所述界面层可以有效降低空穴的注入势垒，从而减少由于空穴在势垒界面处积累造成的材料及器件衰退，从而有效提高量子点发光二极管的发光效率以及使用寿命。本实施例中的HOMO能级大小是指HOMO能级的绝对值大小。也就是说，本实施例中所述界面层的HOMO能级绝对值大于所述空穴传输层的HOMO能级绝对值且小于所述量子点发光层的HOMO能级绝对值。
进一步地，由于电子传输材料与量子点发光层之间的能级势垒通常较小，电子注入较为容易发生，这导致部分电子容易隧穿至空穴传输层或空穴传输层与量子点发光层之间的界面，并与空穴在非量子点发光层区域发生复合，从而影响量子点发光二极管的整体发光效率。本实施例通过在所述空穴传输层和量子点发光层之间设置由硫银锗矿组成的界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种，所述硫银锗矿具有可导离子和空穴，但不导电子的性能，因此，所述硫银锗矿不仅能够有效帮助空穴注入，还能够有效防止电子隧穿至空穴传输层，避免器件在非发光区域发光，从而提高量子点发光二极管的整体发光效率。
进一步地，由于量子点发光二极管的空穴传输层采用的材料通常为有机材料，如PEDOT(聚噻吩)等，该类材料对水及氧气较为敏感，水、氧从封装胶中逐渐渗透会影响空穴注入及传输的稳定性，本实施例通过在所述空穴传输层和量子点发光层之间设置由硫银锗矿组成的界面层可进一步有效阻隔水、氧渗透，从而提高器件的使用寿命。
在一些实施方式中，所述界面层的厚度为10-200nm，在该范围内，所述界面层既能够提高空穴的注入速率，又能够阻挡电子的隧穿。若所述界面层的厚度小于10nm，则其阻挡电子隧穿至空穴传输层效果较差；若所述界面层的厚度大于200nm，则增加了空穴的注入距离，影响空穴传输至量子点发光层的效率。
在一些实施方式中，所述界面层的HOMO能级为4.9-6.0eV。本实施例中，由于空穴传输层的HOMO能级通常为4.9-5.4eV，量子点发光层的HOMO能级通常为5.9-6.5eV，此时界面层的HOMO能级位于所述空穴传输层和量子点发光层的HOMO能级之间，因此能够有效降低空穴的注入势垒，促进空穴的注入速率，从而减少由于空穴在势垒界面处积累造成的材料及器件衰退，从而有效提高量子点发光二极管的发光效率以及使用寿命。作为举例，所述当采用TFB(HOMO能级为5.4eV)作为空穴传输层材料，采用Cds-ZnSe量子点(HOMO能级为5.9-6.1eV)作为量子点发光层材料时，此时所述界面层的HOMO能级可以为5.4-6eV。
在一些具体的实施方式中，所述界面层材料为Li9OS5Br。在本实施例中，所述Li9OS5Br的HOMO能级位于所述空穴传输层和量子点发光层的HOMO能级之间，因此该界面层能够有效降低空穴的注入势垒，促进空穴的注入速率，从而减少由于空穴在势垒界面处积累造成的材料及器件衰退，从而有效提高量子点发光二极管的发光效率以及使用寿命。
在一些实施方式中，所述空穴传输层材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述量子点发光层选自二元相量子点、三元相量子点和四元相量子点中的一种或多种，但不限于此。作为举例，所述所述二元相量子点为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的至少一种；和/或，所述三元相量子点为ZnXCd1-XS、CuXIn1- XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X中的至少一种；和/或，所述四元相量子点为ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS中的至少一种，其中0<X<1。
在一些实施方式中，所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子功能层，所述电子功能层包括空穴阻挡层、电子注入层和电子传输层，但不限于此。
在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种，但不限于此。
在一些还是方式中，所述阳极和空穴传输层之间还设置有空穴注入层。
在一些实施方式中，所述空穴注入层为PEDOT:PSS、WO3、MoO3和V2O5中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述，空穴注入层的厚度为30-120nm。
在一些实施方式中，阴极可以为Au、Ag、Al、Cu、Mo或它们的合金，但不限于此。
在一些实施方式中，所述阳极的厚度为5-120nm。
在一些实施方式中，所述空穴传输层的厚度为30-120nm。
在一些实施方式中，所述量子点发光层的厚度为10-200nm。
在一些实施方式中，所述电子传输层的厚度为5-100nm；所述阴极的厚度为5-120nm。
在一些实施方式中，所述阳极为ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，本发明还提供一种反型结构的量子点发光二极管，如图2所示，所述反型结构的量子点发光二极管包括设置在衬底表面的阴极，设置在所述阴极表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的界面层，设置在所述界面层表面的空穴传输层，设置在所述空穴传输层表面的阳极，其中，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种，所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。
本实施例通过在所述空穴传输层和量子点发光层之间设置由硫银锗矿制备的界面层，所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级，所述界面层可以有效降低空穴的注入势垒，从而减少由于空穴在势垒界面处积累造成的材料及器件衰退，从而有效提高量子点发光二极管的发光效率以及使用寿命。所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种，所述硫银锗矿具有可导离子和空穴，但不导电子的性能，所述硫银锗矿在常温下的空穴和离子电导率接近10-3S/cm，其电子电导率小于所述离子/空穴电导率四个数量级以上，因此，所述硫银锗矿不仅能够有效帮助空穴注入，还能够有效防止电子隧穿至空穴传输层，避免器件在非发光区域发光，从而提高量子点发光二极管的整体发光效率。
在一些实施方式中，还提供一种如图1所示正型结构的量子点发光二极管的制备方法，如图3所示，其包括步骤：
S10、提供一种阳极基板，在所述阳极基板上空穴传输层；
S20、在所述空穴传输层上制备界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种；
S30、在所述界面层制备量子点发光层；
S40、在所述量子点发光层制备阴极，制得所述量子点发光二极管。
本实施例中，上述各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法，其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
在一些具体的实施方式中，采用旋涂的方法在所述空穴传输层上制备界面层，其具体包括步骤：将所述硫银锗矿分散在有机溶剂中，制得硫银锗矿物溶液；将所述硫银锗矿溶液旋涂在所述空穴传输层表面，在100℃下热退火30分钟制得界面层。在本实施例中，所述有机溶剂包括乙醇，甲醇，丁醇，丙酮，异丙酮，丁腈，氯苯，甲苯，二甲苯，二甲基甲酰胺，二甲基亚砜，N-甲基吡咯烷酮以及乙酸乙酯等，但不限于此。本实施例中，所述硫银锗矿溶液的浓度为1-2wt％，在该浓度范围内，制备的界面层既可降低界面阻抗，又可有效提高量子点发光二极管的发光性能。
在一些实施方式中，还提供一种反型结构的量子点发光二极管的制备方法，其包括步骤：本发明还提供一种如图2所示反型结构的QLED的制备方法，如图4所示，其包括如下步骤：
S100、提供一种阴极基板，在所述阴极基板上制备量子点发光层；
S200、在所述量子点发光层表面制备界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种；
S300、在所述界面层上制备空穴传输层；
S400、在所述空穴传输层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
在本发明的一种实施方式中，所述阴极基板包括衬底、设置在衬底上的底电极，所述底电极为阴极；在本发明的又一种实施方式中，所述阴极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极和层叠设置在衬底表面的电子注入层；在本发明的又一种实施方式中，所述阴极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的电子注入层和层叠设置在电子注入层表面的电子传输层；在本发明的还一种实施方式中，所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的电子注入层、层叠设置在电子注入层表面的电子传输层和层叠设置在电子传输层表面的空穴阻挡层。
上述各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法，其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
下面通过具体实施例对本发明一种量子点发光二极管及其制备方法做进一步的解释说明：
实施例1
一种正置底发射结构的量子点发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1：在透明阳极衬底上，沉积空穴注入层，所述透明阳极为ITO,所述空穴注入层材料为WO3，所述透明阳极的厚度为20nm，空穴注入层的厚度为60nm；
步骤S2：在空穴注入层上，沉积空穴传输层，所述空穴传输层材料为PFB，所述空穴传输层的厚度为60nm；
步骤S3：在空穴传输层上，沉积界面层，所述界面层材料为Li9OS5Br,所述界面层的厚度为100nm；
步骤S4：在界面层上沉积量子点发光层，所述量子点发光层材料为PbSe，所述量子点发光层的厚度为50nm；
步骤S5：在量子点发光层上，沉积电子传输层，所述电子传输层材料为TiO，所述电子传输层的厚度为60nm；
步骤S6：在电子传输层上沉积金属阴极，所述阴极材料为Ag，所述阴极的厚度为100nm，阴极对可见光反射不低于98％。
实施例2
一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1：在透明阳极衬底上，沉积空穴注入层，所述透明阳极为FTO,所述空穴注入层材料为WO3，所述透明阳极的厚度为20nm，空穴注入层的厚度为60nm；
步骤S2：在空穴注入层上，沉积空穴传输层，所述空穴传输层材料为TCTA，所述空穴传输层的厚度为60nm；
步骤S3：在空穴传输层上，沉积界面层，所述界面层材料为Li9OS5Br,所述界面层的厚度为100nm；
步骤S4：在界面层上沉积量子点发光层，所述量子点发光层材料为InP，所述量子点发光层的厚度为50nm；
步骤S5：在量子点发光层上，沉积电子传输层，所述电子传输层材料为NiO，所述电子传输层的厚度为60nm；
步骤S6：在电子传输层上沉积阴极，所述阴极材料为Ag，所述阴极的厚度为100nm，阴极对可见光的透射不低于90％。
实施例3
一种倒置底发射结构的量子点发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上通过蒸镀的方式沉积一层Ag层，所述Ag层的厚度为5nm；
步骤S2：在Ag层上沉积电子传输层，所述电子传输层材料为SnO，所述电子传输层的厚度为50nm；
步骤S3：在电子传输层上沉积量子点发光层，所述量子点发光层材料为CdSe，所述量子点发光层的厚度为50nm；
步骤S4：在量子点发光层上沉积界面层，所述界面层的材料为Li9OS5Br,所述界面层的厚度为80nm；
步骤S5：在界面层上沉积空穴传输层，所述空穴传输层材料为PVK，所述空穴传输层的厚度为80nm；
步骤S6：空穴传输层上沉积空穴注入层,所述空穴注入层材料为PEDOT:PSS，所述空穴注入层的厚度为60nm；
步骤S7：在空穴注入层上沉积阳极，所述阳极材料为ITO，所述阳极的厚度为120nm；所述阳极对可见光反射不低于98％。
实施例4
一种倒置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上通过蒸镀的方式沉积一层Ag层，所述Ag层的厚度为5nm；
步骤S2：在Ag层上沉积电子传输层，所述电子传输层材料为TiO，所述电子传输层的厚度为60nm；
步骤S3：在电子传输层上沉积量子点发光层，所述量子点发光层材料为CdTe，所述量子点发光层的厚度为50nm；
步骤S4：在量子点发光层上沉积界面层，所述界面层的材料为Li9OS5Br,所述界面层的厚度为80nm；
步骤S5:在界面层上，沉积空穴传输层，所述空穴传输层材料为PFB，所述空穴传输层的厚度为80nm；
步骤S6：在空穴传输层上，沉积空穴注入层,所述空穴注入层材料为MoO3，所述空穴注入层的厚度为60nm；
步骤S7：在空穴注入层上沉积阳极，所述阳极材料为ITO，所述阳极的厚度为120nm；所述阳极可见光的透射不低于90％。
对比例1
一种正置底发射结构的量子点发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1：在透明阳极衬底上，沉积空穴注入层，所述透明阳极为ITO,所述空穴注入层材料为WO3，所述透明阳极的厚度为20nm，空穴注入层的厚度为60nm；
步骤S2：在空穴注入层上，沉积空穴传输层，所述空穴传输层材料为PFB，所述空穴传输层的厚度为60nm；
步骤S3：在空穴传输层上沉积量子点发光层，所述量子点发光层材料为PbSe，所述量子点发光层的厚度为50nm；
步骤S4：在量子点发光层上，沉积电子传输层，所述电子传输层材料为TiO，所述电子传输层的厚度为60nm；
步骤S5：在电子传输层上沉积金属阴极，所述阴极材料为Ag，所述阴极的厚度为100nm，阴极对可见光反射不低于98％。
对比例2
一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1：在透明阳极衬底上，沉积空穴注入层，所述透明阳极为FTO,所述空穴注入层材料为WO3，所述透明阳极的厚度为20nm，空穴注入层的厚度为60nm；
步骤S2：在空穴注入层上，沉积空穴传输层，所述空穴传输层材料为TCTA，所述空穴传输层的厚度为60nm；
步骤S3：在空穴传输层上沉积量子点发光层，所述量子点发光层材料为InP，所述量子点发光层的厚度为50nm；
步骤S4：在量子点发光层上，沉积电子传输层，所述电子传输层材料为NiO，所述电子传输层的厚度为60nm；
步骤S5：在电子传输层上沉积阴极，所述阴极材料为Ag，所述阴极的厚度为100nm，阴极对可见光的透射不低于90％。
对比例3
一种倒置底发射结构的量子点发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上通过蒸镀的方式沉积一层Ag层，所述Ag层的厚度为5nm；
步骤S2：在Ag层上沉积电子传输层，所述电子传输层材料为SnO，所述电子传输层的厚度为50nm；
步骤S3：在电子传输层上沉积量子点发光层，所述量子点发光层材料为CdSe，所述量子点发光层的厚度为50nm；
步骤S4：在量子点发光层上沉积空穴传输层，所述空穴传输层材料为PVK，所述空穴传输层的厚度为80nm；
步骤S5：空穴传输层上沉积空穴注入层,所述空穴注入层材料为PEDOT:PSS，所述空穴注入层的厚度为60nm；
步骤S6：在空穴注入层上沉积阳极，所述阳极材料为ITO，所述阳极的厚度为120nm；所述阳极对可见光反射不低于98％。
对比例4
一种倒置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上通过蒸镀的方式沉积一层Ag层，所述Ag层的厚度为5nm；
步骤S2：在Ag层上沉积电子传输层，所述电子传输层材料为TiO，所述电子传输层的厚度为60nm；
步骤S3：在电子传输层上沉积量子点发光层，所述量子点发光层材料为CdTe，所述量子点发光层的厚度为50nm；
步骤S4：在量子点发光层上沉积空穴传输层，所述空穴传输层材料为PFB，所述空穴传输层的厚度为80nm；
步骤S5：在空穴传输层上沉积空穴注入层,所述空穴注入层材料为MoO3，所述空穴注入层的厚度为60nm；
步骤S6：在空穴注入层上沉积阳极阳极，所述阳极材料为ITO，所述阳极的厚度为120nm；所述阳极可见光的透射不低于90％。
对实施例1-4以及对比例1-4中制备的量子点发光二极管的性能进行测试，得到的结果如表1所示：
表1量子点发光二极管的性能测试结果
外量子效率-EQE(％) LT95(h)
实施例1 9.0 5.9
实施例2 15.1 4.3
实施例3 8.9 6.3
实施例4 16.3 5.1
对比例1 7.9 5.4
对比例2 14.6 3.9
对比例3 8.3 5.9
对比例4 15.8 4.1
对比表1数据可以看出，实施例1与对比例1的差别仅在于在空穴传输层和量子点发光层之间增加了由Li9OS5Br材料形成的界面层，其外量子效率由7.9％提升至9.0％，其使用寿命由5.4h提升至5.9h；实施例2与对比例2的差别仅在于在空穴传输层和量子点发光层之间增加了由Li9OS5Br材料形成的界面层，其外量子效率由14.6％提升至15.1％，其使用寿命由3.9h提升至4.3h；实施例3与对比例3的差别仅在于在空穴传输层和量子点发光层之间增加了由Li9OS5Br材料形成的界面层，其外量子效率由8.3％提升至8.9％，其使用寿命由5.9h提升至6.3h；实施例4与对比例4的差别仅在于在空穴传输层和量子点发光层之间增加了由Li9OS5Br材料形成的界面层，其外量子效率由15.8％提升至16.3％，其使用寿命由4.1h提升至5.1h。通过上述数据可以发现，通过在空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层能够有效提升量子点发光二极管的外量子效率以及使用寿命。
综上所述，本发明对量子点发光二极管器件优化，通过在空穴传输层和量子点发光层中加入界面层从而降低空穴注入势垒，提高空穴注入，避免空穴在界面处积累，同时有效减少隧穿到空穴传输层的电子在非量子点发光区复合，提高器件效率和寿命，界面层也可以有效阻隔水、氧对于有机空穴注入、传输层的影响，提高器件稳定性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极，设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种；所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的厚度为10-200nm。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的HOMO能级为4.9-6.0eV。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层材料为Li9OS5Br。
5.根据权利要求1-3任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层材料选自TFB、PVK、Poly-TPD、PFB、TCTA、CBP、TPD和NPB中的一种或多种。
6.根据权利要求1-3任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层材料选自二元相量子点、三元相量子点和四元相量子点中的一种或多种；优选地，所述二元相量子点为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的至少一种；和/或，所述三元相量子点为ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X中的至少一种；和/或，所述四元相量子点为ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS中的至少一种，其中0<X<1。
7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子功能层；和/或，所述阳极与空穴传输层之间设置有空穴注入层。
8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一种阳极基板，在所述阳极基板上空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种；
在所述界面层制备量子点发光层；
在所述量子点发光层制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
或者，提供一种阴极基板，在所述阴极基板上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层表面制备界面层，所述界面层材料为硫银锗矿，所述硫银锗矿的结构通式为Li9OS5X，其中，X为F、Cl、Br或I中的一种；
在所述界面层制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
9.根据权利要求8所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述空穴传输层上制备界面层的步骤包括：
将所述硫银锗矿分散在有机溶剂中，制得硫银锗矿溶液；
在所述空穴传输层表面制备界面层，所述界面层材料为所述硫银锗矿；
或，所述在所述量子点发光层表面制备界面层的步骤包括：
将所述硫银锗矿分散在有机溶剂中，制得硫银锗矿溶液；
在所述量子点发光层表面制备界面层，所述界面层材料为所述硫银锗矿。
10.根据权利要求9所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述硫银锗矿溶液的浓度为1-2wt％。
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