TWI408128B - 間-三聯苯衍生物及其在有機發光二極體之應用 - Google Patents

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TWI408128B TW099142097A TW99142097A TWI408128B TW I408128 B TWI408128 B TW I408128B TW 099142097 A TW099142097 A TW 099142097A TW 99142097 A TW99142097 A TW 99142097A TW I408128 B TWI408128 B TW I408128B
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Description

間-三聯苯衍生物及其在有機發光二極體之應用
本發明是關於一種化合物及其有機發光二極體，尤其是一種間-三聯苯衍生物及其有機發光二極體。
有機發光二極體(Organic light-emitting diode,OLED)為應用有機材料或有機半導體材料製作之有機發光二極體，其工作原理為電洞及電子分別在電洞傳輸材料及電子傳輸材料中傳遞至發光層中，進行電子電洞再結合以形成激子(exciton)，激子再進行能量的轉移以發光，其顏色受發光材料所控制。有機發光二極體具有自發光、廣視角(>170°)、反應時間短(~μs)、高對比、高效率、省電、高亮度、低操作電壓(3-10V)、更輕薄(<2mm)、可撓曲性等優點，因此近年來備受矚目。
電洞和電子之再結合而產生的激子可具有三重態(triplet state)或單重態(singlet state)之自旋態(spin state)。由單重態激子(singlet exciton)所產生的發光為螢光(fluorescence)，而由三重態激子(triplet exciton)所產生的發光為磷光(phosphorescence)。磷光的發光效率是螢光的三倍，藉由引入重金屬在發光體結構中，造成強烈的自旋軌道耦合(spin-orbital coupling)，進而使得單重態及三重態激發狀態之間的混合，以致於元件的內部量子效率(internal quantum efficiency,IQE)可大幅提升至100%，因此近年來有機發光二極體多採用發磷光的金屬錯合物做為發光層中的磷光摻雜劑。因此，在發光層中通常會以掺雜技術的製程，將發光材料掺雜在主體發光材料中，以抑制發光材料自我淬息(self-quenching)的發生。
然而，因為磷光分子其三重態能階較高，容易造成能量回傳至元件其它材料中，三重態較低之材料造成放光，好的電子傳輸材料必須具備1.具有可逆的電化學氧化還原性質，2.合適的HOMO、LUMO值這是為了使電子有良好的注入降低操作電壓，且最好具有阻擋電洞之能力，目前已知若電子傳輸材料需要具有電洞阻擋性質者，其材料HOMO之性質需為6.0 eV以上3.具有較高之電子移動率，這樣才能把在結合區遠離陰極且增加激子產生速率4.具有高熱穩定性，如此可以避免元件驅動時所產生的熱能造成元件壽命縮短，5.具有良好之成膜性。
為了使元件有更好的效能，達成電子與電洞在元件中的平衡是相當重要的課題，所以載子傳輸材料的開發是相當迫切且亟需的。
本發明之目的為提供一種新穎化合物及其在有機發光二極體之應用。
依據本發明之一實施例，一種間-三聯苯衍生物，具有化學式(I)或(II)：
其中，A及B為含氮之五元雜環，以及取代基R、R1 及R2 可獨立選自由氫、鹵素、氰基、三氟甲烷基、胺基、C1 －C10 烷基、C2 －C10 烯基、C2 －C10 炔基、C3 －C20 環烷基、C3 －C20 環烯基、C1 －C20 雜環烷基、C1 －C20 雜環烯基、芳基及雜芳基所組成的群組。依據本發明之另一實施例，一種有機發光二極體，包括一陰極、一陽極、設置於陰極及陽極之間的一發光層，以及設置於發光層及陰極之間的有機材料層，其中有機材料層包含上述的間-三聯苯衍生物。
本發明上述及其他態樣、特性及優勢可由附圖及實施例之說明而可更加了解。
本發明之具有雜環取代基之間-三聯苯化合物，其具有化學式(I)或(II)：
其中，A及B可為相同或相異之含氮之五元雜環，例如為吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、咪唑(imidazole)、1,2,3三氮唑(1,2,3-triazole)、1,2,4-三氮唑(1,2,4-triazole)、1,2,3,4-四氮唑(1,2,3,4-tetrazole)、1,2-噁唑(1,2-oxazole)、1,3-噁唑(1,3-oxazole)、1,3,4-噁二唑(1,3,4-oxadiazole)、1,2,4-噁二唑(1,2,4-oxadiazole)、1,2-噻唑(1,2-thiazole)及1,3-噻唑(1,3-thiazole)。此外，A及B可以碳原子或氮原子鍵結至間-三聯苯。
間-三聯苯之R取代基、A之取代基R1 及B之取代基R2 可為一或多個，其可獨立選自由氫、鹵素、氰基(cyano,CN)、氟甲烷基(trifluoromethyl,CF3 )、胺基(amino)、C1 －C10 烷基、C2 －C10 烯基、C2 －C10 炔基、C3 －C20 環烷基、C3 －C20 環烯基、C1 －C20 雜環烷基、C1 －C20 雜環烯基、芳基及雜芳基所組成的群組。
在此「芳基」指的是具有一或多個芳香環之碳氫基團。芳基基團範例包括苯基(phenyl,Ph)、亞苯基(phenylene)、萘基(naphthyl)、亞萘基(naphthylene)、芘基(pyrenyl)、蒽基(anthryl)、及菲基(phenanthryl)。「雜芳基」指的是具有一或多個芳香環之碳氫基團，且該芳香環包含至少一雜原子(例如，氮、氧或硫)。雜芳基基團範例可包括呋喃基(furyl)、亞呋喃基(furylene)、茀基(fluorenyl)、吡咯基(pyrrolyl)、噻吩基(thienyl)、噁唑基(oxazolyl)、咪唑基(imidazolyl)、噻唑基(thiazolyl)、吡啶基(pyridyl)、嘧啶基(pyrimidinyl)、喹唑啉基(quinazolinyl)、喹啉基(quinolyl)、異喹啉基(isoquinolyl)及吲哚基(indolyl)。
在此應註明的是烷基、烯基、炔基、環烷基、環烯基、雜環烷基、雜環烯基、芳基、以及雜芳基可包括經取代及未經取代之基團。
可能取代於環烷基、環烯基、雜環烷基、雜環烯基、芳基、以及雜芳基之取代基包含但不受限於C1 －C10 烷基、C2 －C10 烯基、C2 －C10 炔基、C3 －C20 環烷基、C3 －C20 環烯基、C1 －C20 雜環烷基、C1 －C20 雜環烯基、C1 －C10 烷氧基、芳基、芳氧基、雜芳基、雜芳氧基、胺基、C1 －C10 烷胺基、C1 －C20 二烷胺基、芳胺基、二芳胺基、C1 －C10 烷基磺胺(C1 －C10 alkylsulfonamino)、芳基磺胺(arylsulfonamino)、C1 －C10 烷基亞胺(C1 －C10 alkylimino)、芳基亞胺(arylimino)、C1 －C10 烷基磺亞胺(C1 －C10 alkylsulfonimino)、芳基磺亞胺(arylsulfonimino)、氫氧基、鹵素、硫代基(thio)、C1 －C10 烷硫基、芳硫基、C1 －C10 烷磺醯基(alkylsulfonyl)、芳磺醯基(arylsulfonyl)、醯基胺(acylamino)、胺基醯(aminoacyl)、胺基硫醯(aminothioacyl)、醯胺基(amido)、脒基(amidino)、胍基(guanidine)、脲基(ureido)、硫脲基(thioureido)、腈基、硝基、亞硝基、疊氮基(azido)、醯基、硫醯基、醯氧基(acyloxy)、羧基、及羧酸酯等。另一方面，可能取代於烷基、烯基、或炔基之取代基包含除C1 －C10 烷基外之上述所有取代基。環烷基、環烯基、雜環烷基、雜環烯基、芳基、及雜芳基亦可互相稠合(fused)。
在一較佳實施例中，A與B為相同，以及A之取代基R1 及B之取代基R2 為相同。A可為1,3,4-噁二唑或1,2,4-三氮唑。1,3,4-噁二唑及1,2,4-三氮唑已知具有良好的電子吸引力，並且其最高佔據軌道能階(highest occupied molecular orbital,HOMO)非常低，因此容易阻絕電洞傳遞。因此1,3,4-噁二唑、1,2,4-三氮唑與三聯苯搭配可作為電子傳輸層。
在一實施例中，具有雜環取代基之間-三聯苯化合物，其具下列化學式(a)至式(e)。
在另一實施例中，具有雜環取代基之間-三聯苯化合物，其具下列化學式式(f)至式(j)。
此外，請參照圖1，為示意圖顯示具有雜環取代基之間-三聯苯化合物的有機發光二極體結構之一實施例。有機發光二極體結構具有設置於陽極1及陰極2之間包含化合物的發光層3。發光層3係將發光材料摻雜至主體發光材料中所構成。有機發光二極體結構還包括從陽極1上方依序形成之電洞注入層7、電洞傳輸層4、電子阻擋層9、發光層3、激發子阻擋層10、電洞阻擋層6、電子傳輸層5及電子注入層8。其中，各層之實際厚度與圖中所顯示之尺寸並無關係。其中，本有機發光二極體之激發子阻擋層10、電子阻擋層9、電洞阻擋層6及電子注入層8為選擇性包含。其中具有雜環取代基之間-三聯苯化合物可為一電子傳輸材料、一電子注入材料、電洞阻擋材料或一激發子阻擋材料。
化合物合成
請參照下列反應途徑，以下簡述本發明之間-三聯苯化合物之合成方式。
以化合物m -2a Bis(1,3,4-oxadiazole-5-diyl) 3,3’-m-terphenyl為例，其可由反應物m -1a 2-(3-bromophenyl)-1,3,4-oxadiazole與1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene在K2 CO3 及PdCl2 (PPh3 )2 存在之下進行反應而得。
同理p -2a Bis(1,3,4-oxadiazole-5-diyl) 4,4’-m-terphenyl為例，其可由反應物p -1a 2-(4-bromophenyl)-1,3,4-oxadiazole與1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene在K2 CO3 及PdCl2 (PPh3 )2 存在之下進行反應而得。
請參照下列反應式，同理可選擇不同的起始物質m -1b、p -1b、m -1c或p -1c進行反應，以得到產物m -2b、p -2b、m -2c或p -2c。
以下更加詳細舉出本發明化合物範例。然而，本發明之範圍並不以這些範例為限，而應參照之後的申請專利範圍。
範例1 Bis(2-isopropyl-1,3,4-oxadiazole-5-diyl) 3,3’-m-terphenyl.
將2-(3-bromophenyl)-5-isopropyl-1,3,4-oxadiazole(5 g,18.79 mmol)、K2 CO3 (12.96 g,93.98 mmol)、PdCl2 (PPh3 )2 (10 mol%)及1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene(3.10 g,9.39 mmol)以及40 mL DMSO加到100 mL雙頸瓶。於80-120 ℃攪拌進行反應直到以TLC(薄層色層分析)監測起始物質消失。接著過濾以將催化劑移除，並以氯仿清洗。以水對粗產物進行五至六次的萃取以移除DMSO。將有機層以硫酸鎂過濾並以低壓濃縮，接由以矽膠管柱層析純化(己烷/乙酸乙酯=2:1)以得到產物，產率：75%。
1 H-NMR(400 MHz,CDCl3 ,δ): 8.31(s,2H),8.04-8.02(d,J =8 Hz,2H),7.86(s,1H),7.80-7.78(d,J =8 Hz,2H),7.66-7.65(d,J =4 Hz,2H),7.65-7.55(m,3H),3.29-3.26(m,2H),1.46-1.44(d,J =8 Hz,12H).
13 C-NMR(100 MHz,CDCl3 ,δ): 170.79,164.28,141.59,140.48,130.09,129.53,126.57,125.84,125.58,125.22,124.52,26.26,19.89.
HRMS(EI) Calcd for C28 H26 N4 O2 (M+ ): 450.2056. Found: 450.2060.
範例2 Bis(2-isopropyl-1,3,4-oxadiazole-5-diyl) 4,4’-m-terphenyl.
將2-(3-bromophenyl)-5-isopropyl-1,3,4-oxadiazole(5 g,18.79 mmol)、K2 CO3 (12.96 g,93.98 mmol)、PdCl2 (PPh3 )2 (10 mol%)及1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene(3.10 g,9.39 mmol)以及40 mL DMSO加到100 mL雙頸瓶，並進行範例1之步驟以得到產物，以得到產物，產率：82%。
1 H-NMR(400 MHz,CDCl3 ,δ): 8.13-8.11(d,J =8 Hz,4H),7.85(s,1H),7.77-7.75(d,J =8 Hz,4H),7.66-7.64(d,J =8 Hz,2H),7.58-7.55(m,1H),3.29-3.26(m,2H),1.47-1.45(d,J =8 Hz,12H).
13 C-NMR(100 MHz,CDCl3 ,δ): 170.88,164.34,143.78,140.63,129.56,127.66,127.25,126.84,125.39,123.17,26.42,20.03.
HRMS(EI) Calcd for C28 H26 N4 O2 (M+ ): 450.2056. Found: 450.2058.
範例3 Bis(2-tert-butyl-1,3,4-oxadiazole-5-diyl) 3,3’-m-terphenyl .
將2-(3-bromophenyl)-5-tert-butyl-1,3,4-oxadiazole(5 g,17.85 mmol)、K2 CO3 (12.31 g,89.27 mmol)、PdCl2 (PPh3 )2 (10 mol%) and 1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene(2.94 g,8.92 mmol)以及40 mL DMSO加到100 mL雙頸瓶，並進行範例1之步驟以得到產物，以得到產物，產率：78%。
1 H-NMR(400 MHz,CDCl3 ,δ): 8.29(s,2H),8.04-8.02(d,J =8 Hz,2H),7.86(s,1H),7.80-7.78(d,J =8 Hz,2H),7.67-7.65(d,J =8 Hz,2H),7.61-7.57(m,3H),1.48(s,18H).
13 C-NMR(100 MHz,CDCl3 ,δ): 173.31,164.53,141.89,140.85,130.34,129.54,126.86,126.20,125.85,125.52,124.87,32.54,28.28.
HRMS(FAB) Calcd for C30 H30 N4 O2 (M+ +1): 479.2447. Found: 479.2457.
範例4 Bis(2-tert-butyl-1,3,4-oxadiazole-5-diyl) 4,4’-m-terphenyl .
將2-(4-bromophenyl)-5-tert-butyl-1,3,4-oxadiazole(5 g,17.85 mmol)、K2 CO3 (12.31 g,89.27 mmol)、PdCl2 (PPh3 )2 (10 mol%) and 1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene(2.94 g,8.92 mmol)以及40 mL DMSO加到100 mL雙頸瓶，並進行範例1之步驟以得到產物，以得到產物，產率：86%。
1 H-NMR(400 MHz,CDCl3 ,δ): 8.15-8.13(d,J =8 Hz,4H),7.87(s,1H),7.79-7.77(d,J =8 Hz,4H),7.68-7.66(d,J =8 Hz,2H),7.60-7.57(m,1H),1.51(s,18H).13 C-NMR(100 MHz,CDCl3 ,δ): 173.19,164.36,143.78,140.68,129.57,127.67,127.28,126.85,125.96,123.26,32.48,28.22.
HRMS(FAB) Calcd for C30 H30 N4 O2 (M+ +1): 479.2447. Found: 479.2449.Anal. calcd. For C30 H30 N4 O2 : C 75.29,H 6.32,N 11.71;Found: C 75.18,H6.34,N 11.50.
範例5 Bis(2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole-5-diyl) 3,3’-m-terphenyl.
將2-(3-bromophenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(5 g,14.04 mmol)、K2 CO3 (9.61 g,70.20 mmol)、PdCl2 (PPh3 )2 (10 mol%) and 1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene(2.31 g,7.02 mmol)以及40 mL DMSO加到100 mL雙頸瓶，並進行範例1之步驟以得到產物，以得到產物，產率：76%。
1 H-NMR(400 MHz,CDCl3 ,δ): 8.41(s,2H),8.14-8.12(d,J =8 Hz,2H),8.09-8.07(d,J =8 Hz,4H),7.92(s,1H),7.84-7.82(d,J =8 Hz,2H),7.68-7.66(d,J =8 Hz,2H),7.64-7.53(m,7H),1.34(s,18H).
13 C-NMR(100 MHz,CDCl3 ,δ): 164.73,164.21,155.33,141.81,140.63,130.36,129.70,129.58,129.54,126.76,126.05,125.99,125.82,125.52,124.57,120.94,35.02,31.04.
HRMS(EI) Calcd for C42 H38 N4 O2 (M+ ): 630.2995. Found: 630.2995.
範例6 Bis(2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole-5-diyl) 4,4’-m-terphenyl.
將2-(4-bromophenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(5 g,14.04 mmol)、K2 CO3 (9.61 g,70.20 mmol)、PdCl2 (PPh3 )2 (10 mol%) and 1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene(2.31 g,7.02 mmol)以及40 mL DMSO加到100 mL雙頸瓶，並進行範例1之步驟以得到產物，以得到產物，產率：85%。
1 H-NMR(400 MHz,CDCl3 ,δ): 8.22-8.20(d,J =8 Hz,4H),8.07-8.05(d,J =8 Hz,4H),7.88(s,1H),7.81-7.79(d,J =8 Hz,4H),7.67-7.65(d,J =8 Hz,2H),7.59-7.53(m,5H),1.35(s,18H).13 C-NMR(100 MHz,CDCl3 ,δ): 164.66,164.10,155.33,143.87,140.58,129.59,127.72,127.36,126.86,126.73,126.00,125.92,123.03,120.98,35.03,31.06. HRMS(EI) Calcd for C42 H38 N4 O2 (M+ ): 630.2995. Found: 630.2999.
範例7 Bis((3,5-diphenyl)-1,2,4-triazole-4-diyl) 3,3’-m-terphenyl.
將4-(3-bromophenyl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole(5 g,13.33 mmol)、K2 CO3 (9.2 g,66.66 mmol)、PdCl2 (PPh3 )2 (10 mol%)、1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene(2.2 g,6.6 mmol)以及40 mL DMSO加到100 mL雙頸瓶，並進行範例1之步驟以得到產物，以得到產物，產率：80%。
1 H-NMR(400 MHz,CDCl3 ,δ): 7.65-7.63(m,4H),7.51-7.28(m,24H),7.14-7.12(m,4H).13 C-NMR(100 MHz,CDCl3 ,δ): 154.62,142.35,139.76,135.66,130.28,129.64,128.83,128.42,128.04,126.87,126.68,126.59,126.17,125.69. HRMS(EI) Calcd for C46 H32 N6 (M+ ): 668.2688. Found: 668.2688.
範例8 Bis((3,5-diphenyl)-1,2,4-triazole-4-diyl) 4,4’-m-terphenyl.
將4-(4-bromophenyl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole(5 g,13.33 mmol)、K2 CO3 (9.2 g,66.66 mmol)、PdCl2 (PPh3 )2 (10 mol%)、1,3-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) benzene(2.2 g,6.6 mmol)以及40 mL DMSO加到100 mL雙頸瓶，並進行範例1之步驟以得到產物，以得到產物，產率：83%。
1 H-NMR(400 MHz,CDCl3 ,δ): 7.84(s,1H),7.73-7.71(d,J =8 Hz,4H),7.67-7.26(m,27H).
13 C-NMR(100 MHz,CDCl3 ,δ): 154.76,141.82,140.00,134.46,129.66,128.83,128.44,128.18,126.58,125.91.
HRMS(EI) Calcd for C46 H32 N6 (M+ ): 668.2688. Found: 668.2699.
化 合物之能階資料
上述化合物之LUMO、HOMO及能階如表1所列。
註：對照組化合物OXD-7(1,3-Bis[(p-tert-butyl)phenyl-1,3,4-oxadiazoyl]benzene)為電子傳輸材料。
化合物三重態能階表
在有機發光二極體元件中，當電子傳輸材料三重態能階越高，則在元件中可以避免激發子之擴散至電子傳輸層放光，並避免元件不必要之漏光。藉此增加元件之光色純度及發光效率。本發明之範例化合物1~6之三重態能階為2.77~2.9 eV，大於對照組OXD-7(2.70 eV)，因此具有較佳之效能，其材料適合作為激發子阻擋材料。
例示之有機發光二極體結構
所形成的裝置結構之中，ITO做為基板及電極，測試的電極材料包括LiF/Al；測試的發光材料包括Bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2)picolinatoiridium(Firpic)、Iridium、fac-tris(2-phenylpyridine) iridium(III)(Ir(ppy)3 )、Bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium(III)(Ir(piq)2 acac)；測試的電子傳輸層包括Bhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin)及Alq3 (tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(III))，其可做為電洞阻擋層或者同時做為電洞阻擋層及電子傳輸層。測試的電洞傳輸層包括(4,4’-bis[N -(1-naphthyl)-N -phenyl-amino]bipheny) NPB及(1,1-bis(di-4-tolylaminophenyl) cyclohexane) TAPC，其可做為電子阻擋層或者同時做為電子阻擋層及電洞傳輸層。本發明之化合物m -2a、m -2b則用以作為電子傳輸材料及/或電子注入層。
測試裝置的個別詳細架構及其厚度(單位為nm)如下列，其中裝置A、B、E為藍光OLED，裝置C、D為綠光OLED，裝置F為紅光OLED，裝置G為摻雜在發光層中OLED；對照組所使用電子傳輸材料為OXD-7：
裝置A: NPB(50)/TAPC(15)/11% Firpic：發光主體材料(host) (40)/m -2b(12.5)/BPhen(12.5)/LiF(1)/Al(100).
裝置B: NPB(50)/TAPC(15)/11% Firpic：發光主體材料(host) (40)/m -2a(12.5)/BPhen(12.5)/LiF(1)/Al(100).
裝置AB之對照組(Ref-A,B): NPB(50)/TAPC(15)/11% Firpic：發光主體材料(host) (40)/OXD-7(12.5)/Bphen(12.5)/LiF(1)/Al(100).
裝置C: NPB(50)/TAPC(15)/5% Ir(PPy)3 ：發光主體材料(host) (40)/m -2b(12.5)/TAZ(12.5)/LiF(1)/Al(100).
裝置D: NPB(20)/TAPC(15)/16% Ir(ppy)3 ：發光主體材料(host) (40)/m -2b(12.5)/TAZ(12.5)/LiF(1)/Al(100).
裝置CD之對照組(Ref-C,D): NPB(20)/TAPC(15)/16% Ir(ppy)3 ：發光主體材料(host) (40)/OXD-7(12.5)/TAZ(12.5)/LiF(1)/Al(100).
裝置E: TAPC(30)/發光主體材料(host) 11% Firpic: mcp(50)/m-2b(30)/LiF(1)/Al(100).
裝置E之對照組(Ref-E):: TAPC(30)/發光主體材料(host) mcp: 11% Firpic(50)/OXD-7(30)/LiF(1)/Al(100).
裝置F: TAPC(50)/發光主體材料(host) : 10% Ir(piq)2 acac(50)/m -2a(30)/LiF(1)/Al(100).
裝置F之對照組(Ref-F): TAPC(50)/發光主體材料(host) : 10% Ir(piq)2 acac(50)/OXD-7(30)/LiF(1)/Al(100).
裝置G: TAPC(30)/發光主體材料(host) Firpic: m-2a(50)/m-2a(30)/LiF(1)/Al(100)
上述測試裝置之發光效能如表3所列。
a.V d ：驅動電壓(Drive voltage)；
b.L max ：最大亮度(maximum luminescence)；
c. η ext ：最大外部量子效率(maximum external quantum efficiency)；
d. η c ：最大電流效率(maximum current efficiency)；
e. η p ：最大電能效率(maximum power efficiency)；
f. λmax ：最大發射波長(maximum emission wavelength)
請參照表3，相較於對照組，使用本發明之間-三聯苯衍生物m -2a、m -2b之有機發光二極體在各項指標方面都有較佳表現，因此具有較佳之效能。
綜合上述，本發明之間-三聯苯衍生物具有良好的電子吸引力，並且其最高佔據軌道能級較低，因此容易阻絕電洞，為一個良好的電子傳輸材料。
以上所述之實施例僅是為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
1．．．陽極
2．．．陰極
3．．．發光層
4．．．電洞傳輸層
5．．．電子傳輸層
6．．．電洞阻擋層
7．．．電洞注入層
8．．．電子注入層
9．．．電子阻擋層
10．．．激發子阻擋層
圖1為示意圖顯示具有間-三聯苯衍生物的有機發光二極體結構。
1．．．陽極
2．．．陰極
3．．．發光層
4．．．電洞傳輸層
5．．．電子傳輸層
6．．．電洞阻擋層
7．．．電洞注入層
8．．．電子注入層
9．．．電子阻擋層
10．．．激發子阻擋層

Claims (10)

  1. 一種間-三聯苯衍生物，具有化學式m-2a,p-2a,m-2b或p-2b： 其中取代基R選自由氫、鹵素、氰基(cyano,CN)、三氟甲烷基(trifluoromethyl,CF3 )、胺基(amino)、C1 -C10 烷基、C2 -C10 烯基、C2 -C10 炔基、C3 -C20 環烷基、C3 -C20 環烯基、C1 -C20 雜環烷基、C1 -C20 雜環烯基、芳基及雜芳基所組成的群組。
  2. 如請求項1之間-三聯苯衍生物，其具下列化學式(a)~(j)：
  3. 一種有機發光二極體，包括：一陰極； 一陽極；一發光層，設置於該陰極及該陽極之間；以及一有機材料層，設置於該發光層及該陰極之間，其中該有機材料層包含一間-三聯苯衍生物，其具有化學式m-2a,p-2a,m-2b或p-2b： 其中取代基R選自由氫、鹵素、氰基(cyano,CN)、三氟甲烷基(trifluoromethyl,CF3 )、胺基(amino)、C1 -C10 烷基、C2 -C10 烯基、C2 -C10 炔基、C3 -C20 環烷基、C3 -C20 環烯基、C1 -C20 雜環烷基、C1 -C20 雜環烯基、芳基及雜芳基所組成的群組。
  4. 如請求項3之有機發光二極體，其中該間-三聯苯衍生物具有具下列化學式(a)~(j)：
  5. 如請求項3之有機發光二極體，其中該有機發光二極體為一藍光有機發光二極體、一綠光有機發光二極體、藍色磷光有機發光二極體或一綠色磷光有機發光二極體。
  6. 如請求項3所述之有機發光二極體，其中該有機材料層為一電子傳輸層，以及該間-三聯苯衍生物為一電子傳輸材料。
  7. 如請求項3所述之有機發光二極體，其中該有機材料層為一電子注入層，以及該間-三聯苯衍生物為一電子注入材料。
  8. 如請求項3所述之有機發光二極體，其中該有機材料層為一電洞阻擋層，以及該間-三聯苯衍生物為一電洞阻擋材料。
  9. 如請求項3所述之有機發光二極體，其中該有機材料層為一激發子阻擋層，以及該間-三聯苯衍生物為一激發子阻擋材料。
  10. 如請求項3之有機發光二極體，其中該有機發光二極體為一紅光有機發光二極體或一紅色磷光有機發光二極體。
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