CN102165375A - 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备 - Google Patents

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Abstract

一种电子照相感光构件，其具有表面层，所述表面层以基于所述表面层中的全部固成分为小于0.6质量％的量包括含硅化合物，其中所述表面层中的含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于所述表面层中的全部固成分为0.01质量％以上，以及其表面具有特定凹陷部。还公开具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

Description

电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件、具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
背景技术
电子照相感光构件通常用于具有充电步骤、曝光步骤、显影步骤、转印步骤和清洁步骤的电子照相图像形成方法中。在该电子照相图像形成方法中，为了获得清晰图像，清洁步骤是重要的步骤，在清洁步骤中将转印步骤后残留在电子照相感光构件上的调色剂(称为转印残余调色剂)除去以清洁电子照相感光构件的表面。使用清洁刮板的清洁方法是通过使清洁刮板和电子照相感光构件相互摩擦而操作的清洁方法。此外，近年来，在充电步骤中，电子照相感光构件借助于充电辊直接充电的方法变得流行。因此，在充电辊和清洁刮板与电子照相感光构件接触的此类构成中作为一个重要问题可以给出称作“摩擦存储(rubbing memory)”的现象。该现象是当与电子照相感光构件保持接触的充电辊或清洁刮板和电子照相感光构件经受由于在物流期间可能出现的振动或落下而引起的任何冲击以及它们一起摩擦从而在电子照相感光构件表面上产生正电荷时引起的存储现象之一。
电子照相感光构件的表面层通常通过浸渍涂布法形成。通过浸渍涂布法形成的此类表面层的表面，即电子照相感光构件的表面具有平滑的趋势。因此，这使清洁刮板或充电辊与电子照相感光构件表面之间的接触面积更大以使清洁刮板或充电辊与电子照相感光构件的表面之间的摩擦阻力更大，致使趋于可见上述严重问题。
此外，近年来，为了改进图像品质，使调色剂颗粒的直径更小。使调色剂颗粒的直径越小，调色剂和电子照相感光构件之间的接触面积就越大。这使调色剂以每单位质量大的力附着至电子照相感光构件的表面，因而电子照相感光构件的表面的清洁性可能低。因此，需要以高接触压力设置清洁刮板从而防止调色剂滑过。然而，由于如上所述电子照相感光构件的表面是平滑的，因此其与清洁刮板高度地紧密接触。因此，它们处于更趋于发生由于摩擦存储引起的任何缺陷图像的此类构成中。特别地，当将任何振动施加至例如处理盒时，在清洁刮板和电子照相感光构件之间极大地产生摩擦，因而该问题很严重。
作为伴随这些清洁刮板和充电辊与电子照相感光构件之间摩擦的问题的克服方式，日本专利特开申请H10-142813中公开的技术是可用的。该日本专利特开申请H10-142813公开了将用氟取代的苯基引入粘结剂分子的末端以致减少与清洁刮板的摩擦的技术。日本专利特开申请2000-75517也公开了将具有特定结构的电荷输送材料和具有特定结构的聚碳酸酯组合从而防止发生任何存储的技术。
从电子照相感光构件与充电辊或清洁刮板之间较少摩擦的观点，认为使电子照相感光构件的表面形状改变是一种手段。例如，日本专利申请特开2001-066814公开了使用具有井形凹凸的压模机(冲压模具)通过压缩成型加工电子照相感光构件的表面的技术。
然而，即使在使用在日本专利特开申请H10-142813和2000-75517中公开的电子照相感光构件的情况下，在较为苛刻的条件下如在振动试验中也可能发生在构件与电子照相感光构件接触时由于它们的摩擦引起的存储，因此寻求作进一步改进。
在使用日本专利申请特开2001-066814中公开的精细表面加工的电子照相感光构件和它是在其凹凸状表面形状中具有浅井的电子照相感光构件时，不能够充分减少电子照相感光构件的表面与作为弹性构件的充电辊或清洁刮板的接触面积。因此，在一些情况下不能够良好地获得防止摩擦存储发生的效果。
发明内容
考虑到常规电子照相感光构件具有的上述问题进行本发明。因此，本发明的目的在于提供如下的电子照相感光构件和具有此类电子照相感光构件的处理盒及电子照相设备，所述电子照相感光构件即使当电子照相感光构件和与所述电子照相感光构件接触的构件相互高度地紧密接触时，也防止任何摩擦存储发生。
本发明为具有支承体和在支承体上设置的感光层的电子照相感光构件，其中：
电子照相感光构件的表面层以基于表面层中的全部固成分为小于0.6质量％包括含硅化合物；
表面层中的含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于表面层中的全部固成分为0.01质量％以上；
在电子照相感光构件的表面上，以每单位面积(100μm×100μm)为50个以上至70,000个以下的数量形成相互独立的凹陷部(凹陷的部分)，所述凹陷部为各自具有深度(Rdv)与长轴径(Rpc)的比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下和具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下的凹陷部；
表面层在其最外表面处基于此处构成元素具有硅元素的存在比例为0.6质量％以上所述存在比例通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；在表面层中距离其最外表面0.2μm的内部的硅元素与构成元素的存在比例[A(质量％)]与在其最外表面处的硅元素与构成元素的存在比例[B(质量％)]的比(A/B)为大于0.0至小于0.3，所述存在比例[A(质量％)]和存在比例[B(质量％)]通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；和
含硅化合物为具有由下式(1)表示的结构和由下式(2)或下式(3)表示的重复结构单元的聚合物：
其中R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基；m表示在圆括号中各自所示的重复结构单元数目的平均值，并且在1至500的范围内；和
其中X表示单键、-O-、-S-或者取代或未取代的烷叉基；R3至R10各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基；或者
Figure BPA00001332421800043
其中X和Y各自表示单键、-O-、-S-或者取代或未取代的烷叉基；R11至R18各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基。
本发明也是处理盒，其具有上述电子照相感光构件和与其一体化支承的清洁装置，并可拆卸地安装至电子照相设备的主体；
清洁装置具有清洁刮板，所述清洁刮板与电子照相感光构件的表面以相对的方向抵接。
本发明也还是电子照相设备，其具有上述电子照相感光构件、充电装置、曝光装置、显影装置、转印装置和清洁装置；
清洁装置具有清洁刮板，所述清洁刮板与电子照相感光构件的表面以相对的方向抵接。
根据本发明，其能够提供防止任何摩擦存储发生的电子照相感光构件，和具有此类电子照相感光构件的处理盒及电子照相设备。
附图说明
图1A、1B、1C、1D、1E、1F和1G为示出本发明的电子照相感光构件表面的凹陷部形状实例的图(俯视图)。
图2A、2B、2C、2D、2E、2F和2G为示出本发明的电子照相感光构件表面的凹陷部形状实例的图(截面)。
图3A为示出在本发明中使用的掩模的配置图案实例的图(局部放大图)；图3B为示出在本发明中使用的激光表面加工单元实例的示意图；以及图3C为示出根据本发明获得的感光构件凹陷部的配置图案实例的图(局部放大图)。
图4A为示出利用在本发明中使用的形状赋予材料(profile-providing material)(模具)的压接型形状转印表面加工单元的实例的示意图；以及图4B为示出利用在本发明中使用的形状赋予材料(模具)的压接型形状转印表面加工单元的另一实例的图。
图5A和图5B各自为形状赋予材料(模具)在其与电子照相感光构件表面接触部分的局部放大图，其中图(1)各自示出从其顶部观察的形状赋予材料(模具)的表面形状，图(2)各自示出从其侧面观察的形状赋予材料(模具)的表面形状。
图6为示出含硅化合物在根据本发明获得的电子照相感光构件表面的各凹陷部如何分布的概念图。
图7为示出设置有具有本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的构造实例的示意图。
图8A为示出在实施例1中使用的形状赋予材料(模具)的表面形状的图(局部放大图)；图8B为示出根据实施例1获得的感光构件表面的凹陷部的配置图案的图(局部放大图)。
图9A为示出在实施例11中使用的掩模的配置图案的图(局部放大图)；图9B为示出根据实施例11获得的感光构件表面的凹陷部的配置图案的图(局部放大图)。
图10示出在实施例14中生产的感光构件表面上在激光电子显微镜上观察的凹陷部的图像。
具体实施方式
本发明人发现，上述问题可以通过将具有特定结构的含硅化合物引入电子照相感光构件的表面层中并且还使电子照相感光构件的表面具有特定凹陷部来解决，因此他们完成了本发明。
如上所述，本发明的电子照相感光构件是具有支承体和在支承体上设置的感光层的电子照相感光构件。此外，本发明的电子照相感光构件的表面层以基于表面层中的全部固成分为小于0.6质量％的量包括含硅化合物，表面层中的含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于表面层中的全部固成分为0.01质量％以上。此外，电子照相感光构件的表面满足全部以下要求(a)、(b)和(c)：
(a)在电子照相感光构件的表面上，以每单位面积(100μm×100μm)为50个以上至70,000个以下的数量形成相互独立的凹陷部，并且凹陷部为各自具有深度(Rdv)与长轴径(Rpc)的比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下和具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下的凹陷部；
(b)电子照相感光构件的表面层在其最外表面处基于此处构成元素具有硅元素的存在比例为0.6质量％以上，所述存在比例通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；在表面层中距离其最外表面0.2μm的内部的硅元素与构成元素的存在比例[A(质量％)]与在其最外表面处的硅元素与构成元素的存在比例[B(质量％)]的比(A/B)为大于0.0至小于0.3，所述存在比例[A(质量％)]和存在比例[B(质量％)]通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；和
(c)上述含硅化合物为具有由下式(1)表示的结构和由下式(2)或下式(3)表示的重复结构单元的聚合物。此处所述的聚合物当它具有由下式(2)表示的重复结构单元时为聚碳酸酯，当它具有由下式(3)表示的重复结构单元时为聚酯。
Figure BPA00001332421800071
在式(1)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基；m表示在圆括号中各自所示的重复结构单元数目的平均值，并且在1至500的范围内。
在式(2)中，X表示单键、-O-、-S-或者取代或未取代的烷叉基；R3至R10各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基。
Figure BPA00001332421800081
在式(3)中，X和Y各自表示单键、-O-、-S-或者取代或未取代的烷叉基；R11至R18各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基。
首先描述在本发明的电子照相感光构件表面上形成的凹陷部。
在本发明中，“相互独立的凹陷部”意指以各个凹陷部与其它凹陷部明确区分的状态存在的凹陷部。
在本发明中，在本发明的电子照相感光构件表面上要形成的凹陷部可以包括例如，在观察电子照相感光构件的表面时，具有它们各自由直线构成的形状的凹陷部、具有它们各自由曲线构成的形状的凹陷部和具有它们各自由直线及曲线构成的形状的凹陷部。它们由直线构成的形状可以包括例如，三角形、四边形、五边形和六边形。它们由曲线构成的形状可以包括例如，圆形和椭圆形。它们由直线和曲线构成的形状可以包括例如，具有圆角的四边形、具有圆角的六边形和扇形。
在本发明中，在本发明的电子照相感光构件表面上要形成的凹陷部还可以包括例如，在观察感光构件的截面时，具有它们各自由直线构成的形状的凹陷部、具有它们各自由曲线构成的形状的凹陷部和具有它们各自由直线及曲线构成的形状的凹陷部。它们由直线构成的形状可以包括例如，三角形、四边形和五边形。它们由曲线构成的形状可以包括例如，部分圆形和部分椭圆形。它们由直线和曲线构成的形状可以包括例如，具有圆角的四边形和扇形。
作为在电子照相感光构件的表面上要形成的凹陷部的具体实例，它们可以包括示于图1A-1G(在从电子照相感光构件的表面的观察中凹陷部的形状实例)和图2A-2G(在观察截面时凹陷部的形状实例)的凹陷部。本发明中，电子照相感光构件表面的凹陷部可以独立地具有不同形状、尺寸和深度。它们也可以全部具有相同的形状、尺寸和深度。电子照相感光构件表面可以进一步为具有独立地具有不同形状、尺寸和深度的凹陷部与具有相同形状、尺寸和深度的凹陷部的组合的表面。
凹陷部至少在电子照相感光构件的表面上形成。电子照相感光构件的表面中，凹陷部形成的区域可以是电子照相感光构件表面的全部区域，或者可以在电子照相感光构件表面的某些部分处形成。在当凹陷部在电子照相感光构件表面的某些部分处形成的情况下，优选它们在图像形成区域(通过激光曝光的区域)的范围内形成。
本发明中，凹陷部的长轴径对应于由各图1A-1G中的箭头所示的长度L和对应于由各图2A-2G中的长轴径Rpc所示的部分。即，本发明中的长轴径是指以围绕电子照相感光构件中凹陷部的开口部或开口区(open-top space)的表面为基准，在各凹陷部的表面开口(open-top)形状中的最大长度。例如，当凹陷部具有圆形的表面开口形状时，长轴径是指直径。当凹陷部具有椭圆形的表面开口形状时，长轴径是指长径。当凹陷部具有四边形的表面开口形状时，长轴径是指其对角线中较长的对角线。
本发明中，凹陷部的深度是指各凹陷部的最深部与其开口间的距离。具体地说，如由图2A-2G中的深度Rdv所示，它是指以围绕电子照相感光构件中的表面凹陷部的开口区的表面S为基准，各凹陷部的最深部与其开口间的距离。
在本发明的电子照相感光构件表面上，以每单位面积(100μm×100μm)为50个以上至70,000个以下的数量形成相互独立的凹陷部。此处所述的凹陷部是指各自具有深度(Rdv)与长轴径(Rpc)的比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下和具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下的凹陷部。具有深度(Rdv)为小于0.1μm的任何凹陷部或者具有比(Rdv/Rpc)为0.3以下的凹陷部均不能够预期任何充分地防止摩擦存储效果。另一方面，具有过大的深度(Rdv)的凹陷部或者具有过大的比(Rdv/Rpc)的凹陷部具有由于可能引起电子照相感光构件表面层的通电劣化的任何局部放电导致产生差的图像特性的可能性，或者可能使其必需形成足够大厚度的表面层。因此，关于具有深度(Rdv)为大于10.0μm的凹陷部或者具有比(Rdv/Rpc)为大于7.0的凹陷部，优选它们为少数，更优选它们根本不存在。
即，在本发明的电子照相感光构件表面上大量形成上述特定凹陷部产生防止摩擦存储的效果。
在本发明的电子照相感光构件表面上，上述特定凹陷部可以是任何配置。具体地说，特定凹陷部可以随机配置，或者可以具有规则性地配置。为了防止全部图像面积内的摩擦存储，优选凹陷部为具有规则性地配置。
本发明中，在电子照相感光构件表面上形成的凹陷部可以在商购可得的激光显微镜、光学显微镜、电子显微镜或原子力显微镜上观察。
作为激光显微镜，例如可使用以下设备：
超深度形状测量显微镜VK-8550、超深度形状测量显微镜VK-9000和超深度形状测量显微镜VK-9500(全部由Keyence Corporation制造)；表面形状测量系统SURFACE EXPLORER SX-520DR型仪器(由Ryoka System Inc.制造)；扫描共聚焦激光显微镜OLS3000(由Olympus Corporation制造)；和真色共聚焦显微镜OPTELICS C130(由Lasertec Corporation制造)。
作为光学显微镜，例如可使用以下设备：
数字显微镜VHX-500和数字显微镜VHX-2000(二者均由Keyence Corporation制造)，和3D数字显微镜VC-7700(由Omron Corporation制造)。
作为电子显微镜，例如可使用以下设备：
3D真表面观察显微镜VE-9800和3D真表面观察显微镜VE-8800(二者均由Keyence Corporation制造)、扫描电子显微镜常规/可变压力体系SEM(由SII Nano Technology Inc.制造)和扫描电子显微镜SUPER SCAN SS-550(由Shimadzu Corporation制造)。
作为原子力显微镜，例如可使用以下设备：
纳米尺度混合显微镜VN-8000(由Keyence Corporation制造)、扫描探针显微镜NanoNavi Station(由SII Nano Technology Inc.制造)和扫描探针显微镜SPM-9600(由Shimadzu Corporation制造)。
使用上述显微镜，可以在规定的放大率下观察在测量视野中的凹陷部的长轴径和深度以测量这些。此外，可以通过计算求得每单位面积凹陷部开口的面积百分比。
作为实例，描述利用分析程序、采用Surface Explorer SX-520DR型仪器的测量。将测量对象电子照相感光构件放置在工作台上。调节斜面以使工作台水平，在波模式分析器内输入电子照相感光构件外周面的三维形状数据。此处，可以将物镜设置在50倍放大率在100μm×100μm(10,000μm2)的视野内观察。
接着，电子照相感光构件表面的等高线数据通过使用设置在数据分析软件中的颗粒分析程序显示。
凹陷部的孔分析参数，如凹陷部的形状、长轴径、深度和开口面积可以根据形成的凹陷部各自优化。例如，在观察并测量约10μm长轴径的凹陷部时，可以将长轴径的上限设定在15μm，长轴径的下限设定在1μm，深度下限设定在0.1μm和体积下限设定在1μm3。然后，计数分析照片上作为凹陷部可分辨的凹陷部的数量，并将得到的值作为凹陷部的数量。
在与上述相同的视野和分析条件下，凹陷部的总开口部面积可以从通过使用上述颗粒分析程序求得的各凹陷部的开口部面积的总和计算。然后，使用由此计算的总开口部面积，可以根据以下表达式计算凹陷部的开口部面积百分率(下文中也简称为“面积百分率”)。
凹陷部的总开口部面积百分率＝[(凹陷部的总开口部面积)/(凹陷部总开口部面积+非凹陷部总面积)]×100(％)。
另外，关于长轴径为约1μm以下的凹陷部，这些可以使用激光显微镜和光学显微镜测量。然而，在应当更加改进测量精度时，期望组合使用利用电子显微镜的观察和测量。
接下来，描述如何形成根据本发明的电子照相感光构件表面的凹陷部。作为形成表面形状的方法，没有特别限制，只要其为能够满足关于凹陷部的上述要求的方法即可。以下给出如何形成电子照相感光构件表面的凹陷部的实例。
即，它可以是通过使用具有100ns(纳秒)以下的脉冲宽度作为其输出特性的激光器照射而在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法。它还可以是通过使具有规定表面形状的形状赋予材料与电子照相感光构件表面压接以进行表面形状转印而在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法。它又可以是通过当形成电子照相感光构件的表面层时使得在该电子照相感光构件表面上发生结露而在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法。
首先描述通过使用具有100ns(纳秒)以下的脉冲宽度作为输出特性的激光器照射而在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法。作为在该方法中使用的激光器的具体实例，它可以包括利用气体如ArF、KrF、XeF或XeCl作为激光介质的准分子激光器，和利用钛蓝宝石作为激光介质的飞秒激光器。此外，在上述激光器照射中激光可以优选具有1,000nm以下的波长。
准分子激光器为通过以下步骤发光的激光器。首先，稀有气体如Ar、Kr或Xe与卤素气体如F或Cl的混合气体通过例如放电、电子束或X射线赋予以能量，以激发和结合上述元素。此后，在发射准分子激光期间，能量降至基态以引起解离。在准分子激光器中使用的气体可以包括例如ArF、KrF、XeCl和XeF。特别地，KrF或XeF是优选的。
作为形成凹陷部的方法，使用图3A中所示的掩模，在该掩模中，适当配置激光光遮蔽区域a和激光光透过区域b。仅将已经透过掩模的激光光用透镜汇聚，并将电子照相感光构件表面使用该光照射。这能够形成具有期望形状和配置的凹陷部。在上述通过激光器照射在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法中，可以迅速同时地形成在特定区域内的大量凹陷部，而无需考虑凹陷部的形状和面积。因此，形成凹陷部的步骤可以在短时间内进行。通过利用此类掩模的激光器照射，每进行一次照射，将电子照相感光构件表面在其从几mm2至几cm2的区域内加工。在该激光加工中，首先，如图3B所示，将电子照相感光构件f通过工作旋转马达d旋转。通过其旋转，准分子激光照射器c的激光器照射位置借助于工作移动单元(work movement unit)e沿电子照相感光构件f的轴向移动。这能够以良好效率在电子照相感光构件表面的全部区域内形成凹陷部。
上述凹陷部的形成方法可以生产本发明的电子照相感光构件。在当通过激光照射在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的情况下，凹陷部的深度可以通过调节生产条件如激光器照射的时间和次数来控制。从制造精度或生产率的观点，在当通过激光器照射在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的情况下，通过进行一次照射形成的凹陷部可以优选为深度0.1μm以上至2.0μm以下。采用上述凹陷部的形成方法能够以对于凹陷部的尺寸、形状和配置的高可控性、高精度和高自由度地实现电子照相感光构件的表面加工。
在通过激光器照射在加工电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法中，上述形成方法可以通过使用类似掩模图案应用于多个表面部分或感光构件表面的全部区域。该方法能够在全部感光构件表面形成具有高均匀性的凹陷部。结果，当电子照相感光构件用于电子照相设备中时施加于清洁刮板上的机械负荷能够是均匀的。此外，如图3C所示，掩模图案可以如此形成以致凹陷部h和未形成凹陷部区域g二者配置为存在于电子照相感光构件表面中任意周向的线(由箭头表示)上。它们以该方式的形成更加能够防止施加于清洁刮板和充电辊上的机械负荷局部化。
接下来，描述通过使具有规定表面形状的形状赋予材料与电子照相感光构件表面压接以进行表面形状转印而在表面上形成凹陷部的方法。
图4A为显示利用形状赋予材料的压接型形状转印表面加工单元实例的示意图。将规定的形状赋予材料B固定在可重复进行加压和卸压的加压单元A上，然后使形状赋予材料在规定压力下与电子照相感光构件C接触以进行表面形状的转印。此后，首先卸压以使得电子照相感光构件C沿箭头方向旋转，然后再次加压以进行转印表面形状的步骤。重复该步骤能够在电子照相感光构件的全部外周面上形成规定的凹陷部。
相反，例如如图4B所示，可以将具有基本上覆盖电子照相感光构件C全部外周长度的规定表面形状的形状赋予材料B固定在加压单元A上，然后，在向电子照相感光构件C施加规定的压力下，使电子照相感光构件沿箭头所示方向旋转并移动。由此，在电子照相感光构件全部外周面上形成规定的凹陷部。
作为另一方法，在供给形状赋予材料薄片的同时，可将薄片状形状赋予材料保持在辊状加压单元与电子照相感光构件之间以加工后者的表面。
出于有效地进行表面形状转印的目的，可以将形状赋予材料和电子照相感光构件加热。可以将形状赋予材料和电子照相感光构件在任意温度下加热，只要能够形成本发明中规定的凹陷部即可。可以优选将它们如此加热以致具有高于电子照相感光构件表面层的玻璃化转变温度(℃)的温度。此外，除了加热形状赋予材料以外，可以将在表面形状转印时支承体的温度(℃)如此控制以致低于表面层的玻璃化转变温度(℃)。为了稳定地形成电子照相感光构件表面的凹陷部，这是优选的。
在电子照相感光构件的表面层为电荷输送层时，可以优选将形状赋予材料和电子照相感光构件如此加热，以致在表面形状转印时形状赋予材料的温度(℃)可以高于电荷输送层的玻璃化转变温度(℃)。此外，除了加热形状赋予材料以外，可以将表面形状转印时支承体的温度(℃)控制为低于电荷输送层的玻璃化转变温度(℃)。为了稳定地形成电子照相感光构件表面层的凹陷部，这是优选的。
形状赋予材料本身的材料、尺寸和表面形状可以适当选择。所述材料可以包括例如，精细表面加工的金属和表面使用抗蚀剂图案化的硅晶片，分散细颗粒的树脂膜或已涂布有金属的具有规定精细表面形状的树脂膜。形状赋予材料的表面形状的实例示于图5A和5B中。图5A和5B各自为形状赋予材料在其与电子照相感光构件表面接触的部分的局部放大图，其中图(1)各自显示了由其顶部观察的形状赋予材料的表面形状，图(2)各自显示了由其侧面观察的形状赋予材料的表面形状。
出于将压力均匀性提供给电子照相感光构件的目的，还可以在形状赋予材料与加压单元之间设置弹性构件。
上述形成凹陷部的方法能够生产本发明的电子照相感光构件。凹陷部可以各自具有在上述范围内的任意深度。在当使具有规定表面形状的形状赋予材料与电子照相感光构件表面压接以进行表面形状转印时的情况下，凹陷部可以优选深度(Rdv)为0.1μm以上至10μm以下。采用通过使具有规定表面形状的形状赋予材料与电子照相感光构件表面压接以进行表面形状转印而在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法，能够以对于凹陷部的尺寸、形状和配置的高可控性、高精确性和高自由度地实现电子照相感光构件的表面加工。
接下来，描述当电子照相感光构件的表面层形成时，通过使在其表面上发生结露而在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法。当电子照相感光构件的表面层形成时，通过使在其表面上发生结露而在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法通过具有如下步骤的方法形成凹陷部：
涂布步骤：用表面层涂布液涂布基体构件(作为在其上形成表面层的基体的构件)，所述表面层涂布液包含粘结剂树脂和特定芳香族有机溶剂并且包含芳香族有机溶剂的量为50质量％以上至80质量％以下，基于表面层涂布液中溶剂的总质量。
结露步骤：随后保持用表面层涂布液涂布的基体构件，从而使施涂在基体构件上的表面层涂布液的涂层表面上发生结露；和
干燥步骤：此后加热表面层涂布液的涂层以进行干燥。
由此，可以形成在其表面上形成相互独立的凹陷部的表面层。
上述粘结剂树脂可以包括例如以下树脂：丙烯酸类树脂、苯乙烯树脂、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚芳酯树脂、聚砜树脂、聚苯醚树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂和不饱和树脂。
其中，特别优选聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚苯乙烯树脂、苯乙烯-丙烯腈共聚物树脂、聚碳酸酯树脂、聚芳酯树脂和邻苯二甲酸二烯丙酯树脂。进一步优选聚碳酸酯树脂或聚芳酯树脂。任意这些树脂可以单独使用，或者以两种或多种的混合物或共聚物形式使用。
上述特定芳香族有机溶剂为对水具有低亲合性的溶剂。它可以具体包括1，2-二甲基苯、1，3-二甲基苯、1，4-二甲基苯、1，3，5-三甲基苯和氯苯。
重要的是上述表面层涂布液包含芳香族有机溶剂。出于稳定地形成凹陷部的目的，表面层涂布液可以进一步包含对水具有高亲合性的有机溶剂或者水。作为对水具有高亲合性的有机溶剂，它可以包括如下：(甲基亚磺酰基)甲烷(俗名：二甲基亚砜)、噻吩-1，1-二酮(thiolan-1，1-dione)(俗名：环丁砜)、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基甲酰胺、二甲基乙酰胺和1-甲基吡咯烷-2-酮。可以单独包含或以两种或多种的混合物形式包含任意这些有机溶剂。
保持用表面层涂布液涂布的基体构件从而使施涂至基体构件上的表面层涂布液的涂层表面上发生结露的上述结露步骤，是指将用表面层涂布液涂布的基体构件在施涂至基体构件上的表面层涂布液的涂层表面上发生结露的气氛中保持一定时间的步骤。在该步骤中的结露是指通过水的作用已经在施涂至基体构件上的表面层涂布液的涂层表面上形成液滴的状态。
在表面层涂布液的涂层表面上发生结露的条件受到保持基体构件的气氛的相对湿度和表面层涂布液中溶剂的蒸发条件(如汽化热)的影响。只要表面层涂布液包含芳香族有机溶剂的量基于溶剂的总质量为50质量％以上，用于结露的条件就较少受到溶剂的蒸发条件的影响，并且主要取决于保持基体构件的气氛的相对湿度。在表面层涂布液的涂层表面上发生结露的相对湿度可以优选为40％至100％，更优选70％以上。可给予在施涂至基体构件上的表面层涂布液的涂层表面上进行结露的上述步骤以通过结露要形成的液滴所需的时间。从生产率的观点，该时间可以优选为1秒至300秒，并可以特别优选10秒至180秒。相对湿度对于在施涂至基体构件上的表面层涂布液的涂层表面上发生结露的步骤是重要的，此类气氛可以优选具有20℃至80℃的温度。
通过加热表面层涂布液的涂层以进行干燥的上述干燥步骤，在对应于通过在施涂至基体构件上的表面层涂布液的涂层表面上发生结露的步骤在表面上产生的液滴的电子照相感光构件表面上形成凹陷部。为了形成具有高度均匀性的凹陷部，对于所述干燥，快速干燥是重要的，因此优选进行加热干燥。在该干燥步骤中的干燥温度可以优选为100℃至150℃。作为用于加热干燥的时间，可以给出除去施涂至基体构件上的涂布液中的溶剂和通过结露步骤形成的液滴的时间。在干燥步骤中的加热干燥的时间可以优选为10分钟至120分钟，并可以进一步优选20分钟至100分钟。
通过上述形成凹陷部的方法，形成在其表面上形成相互独立的凹陷部的表面层。形成凹陷部的该方法为以下方法：使用对水具有低亲合性的溶剂和粘结剂树脂形成将通过水的作用形成的液滴，以进行结露从而形成凹陷部。通过该形成方法产生的在电子照相感光构件表面上形成的凹陷部通过水的内聚力形成，因此它们可以是具有高度均匀性的凹陷部。
形成凹陷部的该方法为经历除去液滴、或者从液滴已经充分生长的状态除去液滴的步骤的生产方法。因此，电子照相感光构件表面的凹陷部为例如液滴的形状或蜂窝的形状(六边形)。液滴的形状的凹陷部是指在观察电子照相感光构件表面时看起来例如圆形或椭圆形的凹陷部，和在观察电子照相感光构件截面时看起来例如部分圆形或部分椭圆形的凹陷部。蜂窝形状(六边形)凹陷部是指例如作为在电子照相感光构件表面上液滴最紧密堆积的结果形成的凹陷部。具体地说，它们是在观察电子照相感光构件表面时看起来为圆形、六边形或具有圆角的六边形的凹陷部，和在观察电子照相感光构件截面时看起来例如为部分圆形或方形的柱状的凹陷部。
上述形成凹陷部的方法可以生产本发明的电子照相感光构件。凹陷部可以各自具有在上述范围内的任意深度(Rdv)。生产条件可以优选设为使得各个凹陷部可以具有0.1μm以上至10μm以下的深度。
凹陷部通过调节上述形成条件是可控制的。凹陷部通过选择例如表面层涂布液中的溶剂类型、溶剂含量、结露步骤中的相对湿度、结露步骤中的基体构件保持时间和加热干燥温度是可控制的。在激光电子显微镜上观察的凹陷部图像的实例示于图10中，其中它们通过当电子照相感光构件的表面层形成时使在其表面上发生结露而在电子照相感光构件表面上形成。
接下来，描述本发明中需要的含硅化合物在表面层中必需的量和产生预期效果必需的结构。
在本发明中，要引入电子照相感光构件表面层中的含硅化合物为具有由上述式(1)表示的结构和由上述式(2)或式(3)表示的重复结构单元的聚合物。具有通过式(1)表示的结构和通过式(2)表示的重复结构单元的聚合物为硅氧烷改性的聚碳酸酯。具有通过式(1)表示的结构和通过式(3)表示的重复结构单元的聚合物为硅氧烷改性的聚酯。
具有硅氧烷部位(Si-O)的重复结构单元的硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯具有与表面层的粘结剂树脂的高相容性，和当表面层形成时具有高的表面迁移性。因此，如图6所示，即使含硅化合物的含量小，当与前述凹陷部组合时，它也更多地分布在凹陷部凹穴内部表面处。(在图6中，X表示含硅化合物局部化的部分。)因此，即使清洁刮板或充电辊和电子照相感光构件经受由于在物流期间可能出现的振动或落下而引起的任何冲击，也防止摩擦存储发生。即使使用示例为硅油(如二甲基硅油和改性硅油)的除了上述聚合物以外的任意含硅化合物，也能够在一定程度上实现归因于硅氧烷部位的重复结构单元的润滑性。然而，相反，不能够良好地使由于充电构件或清洁刮板与电子照相感光构件之间的摩擦引起的正电荷较少地生成，所以不能够良好地防止摩擦存储发生。
表面层中的含硅化合物在表面层的最外表面处的分布程度通过测量在最外表面处存在的含硅化合物的比例可以是已知的。更具体地，测量通过X射线光电子能谱法(ESCA)测定的在表面层中距离电子照相感光构件表面层的最外表面0.2μm的内部的硅元素与构成元素的存在比例[A(质量％)]与在电子照相感光构件表面层的最外表面的硅元素与构成元素的存在比例[B(质量％)]。计算由此求出的存在比例[A(质量％)]和存在比例[B(质量％)]的比(A/B)，其中，只要该比小于0.3，含硅化合物就可以判断为充分移动至表面层中的最外表面并以浓缩的状态存在。在本发明中，比(A/B)必须为大于0.0至小于0.3。此外，基于表面层最外表面的构成元素的硅元素的存在比例必须为0.6质量％以上。
此外，当比(A/B)小于0.1时，认为含硅化合物基本上仅局限在电子照相感光构件表面层的最外表面及其附近。另外，当其与上述特定凹陷部组合时，能够使得含硅化合物具有的高润滑性最大，因为能够更加显著地获得防止摩擦存储的效果，所以这是优选的。
此处，考虑到通过X射线光电子能谱法(ESCA)可测量的区域的直径为约100μm的事实，对于本发明的凹陷部，可以在不进行电子照相感光构件的表面加工的情况下进行测量，这使得能够在最外表面和距离最外表面0.2μm的内部测量。
电子照相感光构件表面层的最外表面和距离最外表面0.2μm的内部的硅元素与构成元素的存在比例以以下方式通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量。
使用的仪器：Quantum 2000 Scanning ESCA Microprope，由PHI Inc.(Physical Electronics Industries，Inc.)制造。
蚀刻后最外表面和0.2μm的内部的测量用条件：
X射线源(X-ray source)：Al Ka 1，486.6eV(25W，15kV)。
测量区域(Measurement area)：100μm。
光谱区域(Spectral region)：1,500μm×300μm；角度(angle)：45°。
通能(Pass energy)：117.40eV。
蚀刻条件(Etching conditions)：离子枪(Ion gun)C60(10kV，2mm×2mm)；角度(angle)：70°。
作为蚀刻时间，采用1.0μm/100分钟以获得距离表面层最外表面1.0μm的深度(所述深度在蚀刻表面层后通过截面的SEM观察确认)。因此，可以通过使用C60离子枪进行蚀刻20分钟，这使得能够在距离表面层最外表面0.2μm的内部进行元素分析。
从在上述条件下测量的各元素的峰强度，通过使用由PHI Inc.提供的相对灵敏度因子(relative sensitivity factors)计算表面原子浓度(原子％)。构成表面层的各元素的测量峰顶范围如下所示。
C 1s：278至298eV。
F 1s：680至700eV。
Si 2p：90至110eV。
O 1s：525至545eV。
N 1s：390至410eV。
本发明的电子照相感光构件的表面层包括含硅化合物的量基于表面层中的全部固成分为小于0.6质量％，此外表面层中的含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于表面层中的全部固成分为0.01质量％以上。将该特征与上述特定凹陷部并与通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量的硅元素的存在比例为如上所述的最外表面和表面层0.2μm的内部的规定比例的特征组合能够防止摩擦存储。
基于表面层中全部固成分含硅化合物的硅氧烷部位的量(质量比例)通过关于含硅化合物的硅氧烷部位(Si-O)的质量基于表面层中全部固成分的质量占有的比例的质量％示出。另外，直接键合至Si的取代基也包括在硅氧烷部位(Si-O)中。
如果含硅化合物的含量基于表面层中的全部固成分为0.6质量％以上，则尽管在一些情况下可见防止摩擦存储的效果，但是不能够良好地使由于充电构件或清洁刮板与电子照相感光构件之间的摩擦引起的正电荷较少地生成。另外，关于电位特性，由于作为重复使用的结果的残余电位增加引起的图像浓度等的降低可以在电子照相感光构件的重复使用期间的后半段看到。另一方面，如果含硅化合物的含量基于表面层中的全部固成分为小于0.01质量％，则不能够良好地防止摩擦存储发生。
此外，电子照相感光构件的表面层可包括含硅化合物的量基于表面层中的全部固成分为不大于0.54质量％，此外表面层中的含硅化合物可以具有的硅氧烷部位的量基于表面层中的全部固成分为0.05质量％以上。从防止摩擦存储的观点，这是优选的。
本发明中使用的含硅化合物的优选实例如下所示，然而，本发明绝不限于此。
如上所述，本发明中使用的含硅化合物为具有由式(1)表示的重复结构单元和由式(2)或式(3)表示的重复结构单元的聚合物(硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯)。
此外，在此类硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯中，更优选具有由下式(4)表示的结构作为至少一个末端部分的结构的聚合物。此处，具有由下式(4)表示的结构作为至少一个末端部分的结构的硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯也可以在其主链中具有由式(1)表示的结构。
在式(4)中，R19至R23各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基；n表示在圆括号中各自所示的重复结构单元数目的平均值，并且在1至500的范围内。
更优选具有由式(4)表示的结构作为至少一个末端部分的结构的硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯的原因没有详细说明。本发明人将其推测为如下所述。
即，在至少一个末端部分具有此类聚硅氧烷使硅氧烷部位(Si-O)的自由度增加，因此硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯能够具有更高的表面迁移性，从而局部集中在表面层中的最外表面处。因此，如所推测的，电子照相感光构件表面显示非常高的润滑性，即使如前所述小的含量，它也能够产生防止摩擦存储的效果。
具有较长硅氧烷链(较多硅氧烷部位的重复)的含硅化合物有效地作用于润滑性的改进，其中当式(1)中的m和式(4)中的n为10以上时它更多地显示润滑性，当它们为20以上至60以下时显示非常高的润滑性。含硅化合物(硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯)也可以优选具有的硅氧烷部位的量为30.0质量％以上至60.0质量％以下，基于含硅化合物的总质量。在这种情况下，含硅化合物能够具有更高的表面迁移性从而实现高润滑性和由于充电构件或清洁刮板与电子照相感光构件之间的摩擦产生的较少正电荷二者，所述较少正电荷。
基于含硅化合物的总质量的硅氧烷部位的量为通过关于基于含硅化合物的总质量含硅化合物的硅氧烷部位(Si-O)的质量所占的比例以质量％示出的量。另外，直接键合至Si的一个或多个取代基也包括在硅氧烷部位(Si-O)中。
由式(1)或式(4)表示的结构可以包括源自聚烷基硅氧烷、聚芳基硅氧烷或聚烷基芳基硅氧烷的那些。具体地说，它可以包括聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷和聚甲基苯基硅氧烷。任意这些可以单独使用或者可以以两种或多种组合使用。聚硅氧烷的长度由式(1)中的m和式(4)中的n表示，其中m和n可以各自在10至500的范围内，并可以优选在20至60的范围内。为了实现充分的归因于硅氧烷部位的润滑性，m和n最好大至一定的程度。然而，m和n各自大于500的聚硅氧烷是不实用的，这是因为具有不饱和基团的单官能苯基化合物具有差的反应性。
含硅化合物的稍后所述的重均分子量(Mw)可以通过常规方法测量。更具体地，将测量用试样放入四氢呋喃中，并将这些静置几小时。此后，在振荡下将试样和四氢呋喃一起良好地混合(混合至测量用试样的聚结物质消失)，并将获得的混合物进一步静置12小时以上。然后，将通过试样处理过滤器(孔径：0.45至0.5μm；在本发明中，使用购自Tosoh Corporation的MAISHORIDISK H-25-5)的物质用作GPC(凝胶渗透色谱)用试样。制备试样以使其浓度为0.5至5mg/ml。
使用如此制备的GPC用试样，以以下方式测量测量用试样的重均分子量(Mw)。即，将柱在40℃下的加热室中稳定化。向保持在该温度下的柱，将四氢呋喃以1ml/分钟的流量流动，并向其中注入10μl GPC用试样，从而测量测量用试样的重均分子量(Mw)。在测量测量用试样的重均分子量(Mw)中，测量用试样具有的分子量分布由使用几种单分散聚苯乙烯标准样品制得的标准曲线的对数值和计数数之间的关系计算。作为用于制得标准曲线的标准聚苯乙烯样品，使用10种具有分子量为800至2,000,000的单分散聚苯乙烯样品，其购自Aldrich Chemical Co.，Inc.。将RI(示差折光)检测器用作检测器。
作为柱，有利的是组合使用多根苯乙烯凝胶柱，所述柱可以包括例如，购自Tosoh Corporation的如下所示的柱。如下所示的柱可以以多根柱的组合使用。
TSK Gel G1000H(HXL)、G2000H(HXL)、G3000H(HXL)、G4000H(HXL)、G5000H(HXL)、G6000H(HXL)和G7000H(HXL)；以及TSKGourd Column。
具有由式(1)表示的结构和由式(2)或式(3)表示的重复结构单元以及具有由式(4)表示的结构作为至少一个末端部分的结构的硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯的具体实例如下所示。如何合成此类硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯的实例也如下所示。然而，注意实例绝不限于本发明中的这些。
首先，用于形成由式(2)或式(3)表示的重复结构单元的材料的实例如下所示。
Figure BPA00001332421800281
Figure BPA00001332421800291
Figure BPA00001332421800301
其中，从对于表面层的成膜性的观点，(2-2)和(2-13)是优选的。
接下来，用于形成由式(1)表示的结构的材料实例如下所示。在以下各材料中，m表示在圆括号中各自所示的重复结构单元数目的平均值，并且在1至500的范围内。
Figure BPA00001332421800302
Figure BPA00001332421800311
接着，用于形成由式(4)表示的结构的材料的实例如下所示。在以下各材料中，n表示在圆括号中各自所示的重复结构单元数目的平均值，并且在1至500的范围内。
Figure BPA00001332421800321
Figure BPA00001332421800331
上述硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯的合成例如下所示。
合成例1
向500ml 10％氢氧化钠水溶液中，添加120g由上述式(2-13)表示的双酚并溶解于其中。向如此获得的溶液中，添加300ml二氯甲烷，然后搅拌，将溶液温度保持在10至15℃下的同时，将100g光气经1小时时间吹送其中。在向其中吹送约70％光气时，将10g由上述式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝20)和20g由上述式(5-1)表示的硅氧烷化合物(n＝20)添加其中。光气的引入完成后，将反应混合物剧烈搅拌以进行乳化，然后添加0.2ml三乙胺，接着搅拌1小时。此后，将二氯甲烷相用磷酸中和，以及进一步用水重复洗涤直至其达到pH 7。然后，将该液相逐滴添加至异丙醇中，将形成的沉淀物过滤，接着干燥，从而获得白色粉末状聚合物(硅氧烷改性的聚碳酸酯)。
将获得的聚合物通过红外吸收光谱分析(IR)来分析，从而确认在1,750cm-1处的由于羰基引起的吸收，在1,240cm-1处的由于醚键引起的吸收和由于碳酸酯键引起的吸收。此外，很少看到在3,650至3,200cm-1处的吸收，看不到由于羟基引起的任何峰。通过分子吸收光谱法求出的残留酚OH量为112ppm。进一步确认在1,100至1,000cm-1处的由于硅氧烷引起的峰。
关于上述硅氧烷改性的聚碳酸酯，还进行通过1H-NMR的测量，计算构成硅氧烷改性的聚碳酸酯的氢原子的峰面积比，从而确认其共聚比。结果，确认由上述式(4-1)形成的聚硅氧烷结构和由上述式(5-1)形成的聚硅氧烷结构的比例为1∶2和m∶n为20∶20。该硅氧烷改性的聚碳酸酯还具有粘均分子量(Mv)为26,000，在20℃下的特性粘度为0.46dl/g，以及其中具有的硅氧烷部位的量(质量比例)为20.0质量％。
该硅氧烷改性的聚碳酸酯以具有在聚碳酸酯的两末端具有聚硅氧烷结构[由式(4)表示的结构]并且在聚碳酸酯的主链中也具有聚硅氧烷结构为结构。作为粘均分子量(Mv)的测量方法，将用于测量的硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯溶解在二氯甲烷中以使其为0.5w/v％并测量其在20℃下的特性粘度。然后，在本发明中，将Mark-Houwink-S akurada粘度方程中的K和a分别设定为1.23×104和0.83，以确定粘均分子量(Mv)。
合成例2
除了由式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝40)和由式(5-1)表示的硅氧烷化合物(n＝40)的添加量分别为25g和55g以外，通过以与合成例1相同的方式进行的合成获得硅氧烷改性的聚碳酸酯。该硅氧烷改性的聚碳酸酯具有粘均分子量(Mv)为20,600。以下特性也以与合成例1相同的方式通过红外吸收光谱法分析和1H-NMR确认。即，在该硅氧烷改性的聚碳酸酯中，m∶n为40∶40。此外，在该硅氧烷改性的聚碳酸酯中，其硅氧烷部位的量(质量比例)为40.0质量％。
该硅氧烷改性的聚碳酸酯还以具有在聚碳酸酯的两末端具有聚硅氧烷结构[由式(4)表示的结构]以及在聚碳酸酯的主链中也具有聚硅氧烷结构为结构。此外，通过分子吸收光谱法求出的残留酚OH量为175ppm。
合成例3
将以下组分放入具有搅拌器的反应容器中，然后将其溶解在2,720ml的水中。
由上述式(2-2)表示的双酚         90g
对叔丁基苯酚                    0.82g
氢氧化钠                        33.9g
聚合催化剂苄基三正丁基氯化铵    0.82g
同时，将4g由上述式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝40)和8g由上述式(5-1)表示的硅氧烷化合物(n＝40)溶解在500ml二氯甲烷(有机相1)中。
分开地，将74.8g对苯二甲酰氯(terephthalic acid chloride)和间苯二甲酰氯的1/1混合物溶解在1,500ml二氯甲烷(有机相2)中。
首先，在强烈搅拌下将有机相1添加至水相中，然后添加有机相2，其中将聚合反应在20℃下进行3小时。此后，添加15ml乙酸以停止反应，然后将水相和有机相通过倾析分离。此外，将如此分离的有机相用水重复进行洗涤并通过离心分离器分离。洗涤时总计使用水的量为有机相质量的50倍。此后，添加有机相至甲醇以使聚合物沉淀。分离该聚合物，然后干燥，从而获得硅氧烷改性的聚酯(硅氧烷改性的聚丙烯酸酯)。
上述硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯可以优选具有粘均分子量(Mv)为5,000至200,000，特别地，更优选10,000至100,000。在合成任意这些中，为了控制其分子量，可以组合添加其它单官能化合物作为末端阻聚剂(terminal stopper)。此类阻聚剂可以包括例如，在生产聚碳酸酯中通常使用的化合物如苯酚、对枯基苯酚、对叔丁基苯酚、安息香酸和苄基氯。
硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯还可以优选具有残留水分量为0.25质量％以下。从电子照相性能的观点，硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯还可以优选具有残留溶剂量为300ppm以下和残留食盐量为2.0ppm以下。在包含二氯甲烷作为溶剂的浓度为0.5dl/g的溶液中，硅氧烷改性的聚碳酸酯还可以优选具有在20℃下的特性粘度为小于10.0dl/g，更优选0.1dl/g至1.5dl/g。它可以进一步优选具有通过分子吸收光谱法求出的残留酚OH量为500ppm以下，更优选300ppm以下。
此处，残留水分量可以通过使用卡尔·费歇尔(Karl Fischer)水分计以以下方式测定。更具体地，将硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯溶解在二氯甲烷中，可以通过使用卡尔菲休试剂和标准甲醇试剂进行自动测量，从而确定水分浓度。此外，关于残留的溶剂含量，可以将硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯溶解在二噁烷中，以通过气相色谱进行直接定量测定。关于残留的食盐含量，可以借助于电位差测量仪器定量测定氯以求出食盐浓度。
上述硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯的含量为小于0.6质量％，基于电子照相感光构件表面层中的全部固成分。即使以如此小的含量，由于其局限在表面层中的最外表面及其附近中，因此硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯也显示高的防止摩擦存储的效果。考虑到电子照相性能，此类硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯可以优选在与具有较高机械强度的树脂的混合物状态下使用。
上述硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯趋于集中在电子照相感光构件表面层的最外表面及其附近中，因此，即使其以上述如此小的量添加，也能够使电子照相感光构件表面具有高润滑性并且也能够使由于充电构件或清洁刮板与电子照相感光构件之间的摩擦产生的正电荷较少。然后，即使当在较为苛刻条件下在电子照相感光构件经受由于在物流期间可能出现的振动或落下引起的任何冲击时，将其与上述表面的特定凹陷部组合也能够防止摩擦存储。此外，使用硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯的表面层涂布液具有良好的透明性，因此有助于良好的电子照相性能和良好的涂布性能。例如，将4.0g在合成例1中合成的硅氧烷改性的聚碳酸酯通过进行一夜或更长时间的搅拌而完全溶解在20.0g氯苯和二甲氧基甲烷的1/1(质量比)混合溶剂中。此后，将获得的溶液放入1cm见方的池中，用UV分光光度计测量溶液在778nm处的透过率，其中溶液显示高达仅含溶剂的空白试样的99％的透光率。
接下来，描述本发明的电子照相感光构件的构造。
如前所述，本发明的电子照相感光构件具有支承体和在支承体上设置的感光层。电子照相感光构件通常可以为感光层在圆筒状支承体上形成的圆筒状构件，其也可以为具有带状或片状的构件。
感光层可以为在同一层中包含电荷输送材料及电荷产生材料的单层型感光层，和分离成包含电荷产生材料的电荷产生层和包含电荷输送材料的电荷输送层的多层型(功能分离型)感光层的任一种。从电子照相性能的观点，多层型感光层是优选的。多层型感光层还可以为顺层型感光层和逆层型感光层的任一种，在所述顺层型感光层中，将电荷产生层和电荷输送层从支承体侧依次叠加，在所述逆层型感光层中，将电荷输送层和电荷产生层从支承体侧依次叠加。从电子照相性能的观点，顺层型感光层是优选的。电荷产生层可以以多层结构形成，电荷输送层也可以以多层结构形成。出于例如改进耐久性或运行性能的目的，可以进一步在感光层上设置保护层。
作为支承体，可以优选具有导电性的支承体(导电性支承体)。例如，可使用由金属如铝、铝合金或不锈钢制成的支承体。在铝或铝合金的情况下，可使用ED管、EI管和通过将这些管进行切削、电解复合研磨(使用i)具有电解作用的电极和ii)电解液进行的电解与使用具有研磨作用的磨石进行的研磨的组合)或者湿法或干法珩磨获得的那些。还可使用由金属制成的上述支承体，或由树脂制成、并具有通过真空沉积铝、铝合金或氧化铟-氧化锡合金成膜的层的支承体。此处，在由树脂制成的支承体中使用的树脂可以包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、酚醛树脂、聚丙烯和聚苯乙烯。还可使用用导电性颗粒如炭黑、氧化锡颗粒、氧化钛颗粒或银颗粒浸渍的树脂或纸形成的支承体，和由含导电性粘结剂树脂的塑料制成的支承体。
出于防止通过激光光的散射等引起的干涉条纹的目的，可以将支承体表面进行切削、表面粗糙化或铝阳极化。
当支承体表面是为了赋予导电性而设置的层时，支承体可以优选具有体积电阻率为1×1010Ω·cm以下，特别地，更优选1×106Ω·cm以下。
在支承体与稍后所述的中间层或感光层(电荷产生层或电荷输送层)之间可以设置意欲防止由激光光的散射等引起的干涉条纹或意欲覆盖支承体表面划痕的导电层。这是通过使用通过在适当的粘结剂树脂中分散导电性粉末制备的涂布液涂布支承体而形成的层。
此类导电性粉末可以包括炭黑，乙炔黑，例如铝、镍、铁、镍铬合金、铜、锌和银的金属粉末，以及金属氧化物粉末如导电性氧化锡和ITO。
粘结剂树脂可以包括如下热塑性树脂、热固性树脂或光固化性树脂：聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚偏二氯乙烯、聚芳酯树脂、苯氧基树脂、聚碳酸酯、乙酸纤维素树脂、乙基纤维素树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯基甲苯、聚-N-乙烯基咔唑、丙烯酸类树脂、硅酮树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和醇酸树脂。
导电层可以通过涂布由在以下溶剂中分散或溶解上述导电性粉末和粘结剂树脂制备的涂布液形成：醚类溶剂如四氢呋喃或乙二醇二甲醚，醇类溶剂如甲醇，酮类溶剂如甲乙酮，或芳香烃溶剂如甲苯。
导电层可以优选具有0.2μm以上至40μm以下，更优选1μm以上至35μm以下，和还更优选5μm以上至30μm以下的层厚度(平均层厚度)。
还可以在支承体或导电层和感光层(电荷产生层或电荷输送层)之间设置具有起到阻挡功能和粘合功能的中间层。中间层出于例如以下目的而形成：改进感光层的粘合性、改进涂布性能、改进从支承体的电荷注入性和防止感光层受到任何电击穿。
中间层可以通过涂布含固化性树脂的中间层的涂布液，然后固化该树脂以形成树脂层而形成；或者通过在支承体或导电层上涂布含粘结剂树脂的中间层涂布液，然后干燥而形成。
用于中间层的粘结剂树脂可以包括如下：水溶性树脂如聚乙烯醇、聚乙烯基甲醚、聚丙烯酸、甲基纤维素、乙基纤维素、聚谷氨酸和干酪素；和聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚酰胺酸树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂和聚谷氨酸酯(polyglutamate)树脂。
为了有效产生电阻挡性，此外从涂布性能、粘合性、耐溶剂性和电阻的观点，用于中间层的粘结剂树脂可以优选为热塑性树脂。具体地说，热塑性聚酰胺树脂是优选的。作为聚酰胺树脂，由于能够以溶液状态涂布，因此低结晶性或非结晶性共聚物尼龙是优选的。中间层可以优选具有0.05μm以上至7μm以下，更优选0.1μm以上至2μm以下的层厚度(平均层厚度)。
在中间层中，为了使得在中间层中电荷(载流子)的流动不停滞，可以分散半导体颗粒，或可以将电子输送材料(电子接受材料如受体)引入。
接下来，描述本发明中的感光层。
在本发明的电子照相感光构件中使用的电荷产生材料可以包括如下：偶氮颜料如单偶氮、双偶氮和三偶氮颜料，酞菁颜料如金属酞菁和非金属酞菁，靛蓝颜料如靛蓝和硫靛蓝颜料，苝颜料如苝酸酐和苝酸酰亚胺，多环醌颜料如蒽醌和芘醌，角鲨鎓(squarilium)染料，吡喃鎓盐和噻喃鎓盐，三苯甲烷染料，无机材料如硒、硒-碲和无定形硅，喹吖啶酮颜料、薁鎓盐颜料，花青染料，呫吨染料、醌亚胺染料和苯乙烯基染料。
任意这些电荷产生材料可以单独使用，或者可以以两种或多种组合使用。其中，由于具有高感光度，特别优选金属酞菁颜料，如氧钛酞菁、羟基镓酞菁和氯化镓酞菁。
在当感光层为多层型感光层时的情况下，用于形成电荷产生层的粘结剂树脂可以包括如下：聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚芳酯树脂、缩丁醛树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、乙酸乙烯酯树脂、酚醛树脂、硅酮树脂、聚砜树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物树脂、醇酸树脂、环氧树脂、脲醛树脂和氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂。特别地，缩丁醛树脂是优选的。任意这些可以单独或以两种或多种的混合物或共聚物的形式使用。
电荷产生层可以通过涂布由在粘结剂树脂和溶剂中分散电荷产生材料获得的电荷产生层涂布液，然后干燥而形成。电荷产生层还可以为电荷产生材料的真空沉积膜。作为分散用方法，利用均化器、超声波、球磨机、砂磨机、超微磨碎机或辊磨机的方法是可行的。电荷产生材料和粘结剂树脂的比例可以优选在10∶1至1∶10(质量比)，特别地更优选3∶1至1∶1(质量比)的范围内。
用于电荷产生层涂布液的溶剂可以考虑到要使用的粘结剂树脂和电荷产生材料的溶解性或分散稳定性来选择。溶剂可以包括醇类溶剂、亚砜类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、酯类溶剂和芳香烃溶剂。
电荷产生层可以优选具有5μm以下，特别地更优选0.1μm以上至2μm以下的层厚度(平均层厚度)
还可以将可以为各种类型的感光剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂和/或增塑剂任选地添加至电荷产生层中。为了使得在电荷产生层中电荷(载流子)的流动不会停滞，还可以将电子输送材料(电子接受材料如受体)引入电荷产生层中。
在当感光层为顺层型感光层时的情况下，电荷输送层在电荷产生层上形成。电荷输送材料包含在电荷输送层中。电荷输送材料可以包括例如，三芳基胺化合物、腙化合物、苯乙烯基化合物、芪化合物、吡唑啉化合物、噁唑化合物、噻唑化合物和三芳基甲烷化合物。可以仅使用这些电荷输送材料中的任意一种，或者可以使用两种或多种。在当电荷输送层为电子照相感光构件表面层时的情况下，将上述含硅化合物引入电荷输送层。只要其为上述含硅化合物，可以仅使用一种化合物，或者可以使用两种或多种。此类电荷输送层可以通过涂布由使用适当的溶剂溶解电荷输送材料和含硅化合物并进一步任选地混合其它粘结剂树脂而制备的溶液，然后干燥而形成。作为干燥温度，可以在100℃以上的温度下干燥，其中，只要使用上述含硅化合物，其就能够容易地迁移至表面层的最外表面。因此，从实现高润滑性和由于充电构件或清洁刮板与电子照相感光构件之间的摩擦生成较少正电荷二者的观点，这是优选的。
可以与本发明中的含硅化合物混合的粘结剂树脂可以包括例如以下：丙烯酸类树脂、丙烯腈树脂、烯丙基树脂、醇酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、尼龙、酚醛树脂、苯氧基树脂、缩丁醛树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚缩醛树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚烯丙基醚树脂、聚芳酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚砜树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、聚丙烯树脂、甲基丙烯酸类树脂、脲醛树脂、氯乙烯树脂和乙酸乙烯酯树脂。
特别地，从当使用硅氧烷改性的聚碳酸酯或硅氧烷改性的聚酯时相容性、电子照相性能和通过将表面迁移与表面形状组合产生的效果的意义上，聚芳酯树脂和聚碳酸酯树脂是更优选的。任意这些可以单独或以两种或多种的混合物或共聚物的形式使用。
电荷输送材料和粘结剂树脂的比例可以优选为2∶1至1∶2(质量比)。
电荷输送层可以优选具有5μm至50μm，特别地更优选7μm至30μm的层厚度(平均层厚度)。
还可以任选地将添加剂如抗氧化剂、紫外线吸收剂和/或增塑剂添加至电荷输送层。
在当感光层为单层型时的情况下，它可以通过涂布通过将如上所述的此类电荷产生材料和电荷输送材料分散和/或溶解在如上所述的粘结剂树脂中制备的溶液，然后干燥而形成。
当涂布上述各层用涂布液时，可以使用任何涂布方法，例如浸渍涂布法、喷涂法、旋涂法、辊涂法、迈耶棒涂法(Meyer bar coating)、刮涂法或环涂法。
在涂层中使用的涂布液可以各自优选具有5mP·s以上至500mP·s以下的粘度。
在电荷输送层涂布液中使用的溶剂可以包括如下：酮类溶剂如丙酮和甲乙酮；酯类溶剂如乙酸甲酯和乙酸乙酯；醚类溶剂如四氢呋喃、二氧戊环、二甲氧基甲烷和二乙氧基甲烷；以及芳香烃溶剂如甲苯、二甲苯和氯苯。
任意这些溶剂可以单独使用或以两种或多种的混合物的形式使用。在这些溶剂中，从树脂溶解性等的观点，优选使用醚类溶剂或芳香烃溶剂。
电荷输送层可以优选具有5μm至50μm，特别地更优选10μm至35μm的层厚度(平均层厚度)。
当需要更加改进电子照相感光构件的运行性能时，可以采用形成第二电荷输送层或保护层作为电子照相感光构件的表面层的构造。在这种情况下，将上述含硅化合物引入在用于第二电荷输送层或保护层的涂布液中。然后，使用该涂布液，必须形成在其表面上具有上述特定凹陷部的第二电荷输送层或保护层。
第二电荷输送层或保护层可以使用具有可塑性的粘结剂树脂(热塑性树脂)形成。为了更加改进电子照相感光构件的运行性能，优选使用固化性树脂将其形成。
作为表面层由此类固化性树脂形成的方法，其中电荷输送层由固化型树脂形成的方法是可用的。其中第二电荷输送层或保护层使用固化性树脂形成的方法也是可用的。在使用固化性树脂的层中需要的性质为膜强度和电荷输送能力二者，该层通常由电荷输送材料和可聚合或可交联单体或低聚物组成。
在电子照相感光构件的表面层由固化型树脂形成的方法中，可以使用任何已知的空穴-输送化合物或电子输送化合物作为电荷输送材料。用于合成这些化合物的材料可以包括具有丙烯酰氧基或苯乙烯基的链聚合型材料。它还可以包括具有羟基、烷氧基甲硅烷基或异氰酸酯基的连续聚合型材料。特别地，从表面层为由固化型树脂形成的层(固化层)的电子照相感光构件的电子照相性能、通用性、材料设计和生产稳定性的观点，优选组合使用空穴输送化合物和链聚合型材料。此外，特别优选具有通过将在分子中具有空穴输送化合物和丙烯酰氧基二者的化合物固化而形成的表面层的电子照相感光构件。
作为固化方式，可以使用利用热、光或照射的任意已知方式。
在当表面层为(第一)电荷输送层时的情况下，作为电子照相感光构件的表面层的此类固化层可以优选具有5μm以上至50μm以下，更优选10μm以上至35μm以下的层厚度(平均层厚度)。在当表面层为第二电荷输送层或保护层时的情况下，它可以优选具有0.3μm以上至20μm以下，更优选1μm以上至10μm以下的层厚度。
可以将各种添加剂添加至本发明的电子照相感光构件的各层中。此类添加剂可以包括劣化防止剂如抗氧化剂和紫外线吸收剂。
接下来，描述本发明的处理盒和电子照相设备。本发明的处理盒是具有上述电子照相感光构件和与其一体化支承的清洁装置，并可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒。本发明的处理盒还具有作为清洁装置的清洁刮板，所述清洁刮板与电子照相感光构件的表面以相对的方向抵接。本发明的处理盒可以进一步具有充电装置、显影装置和/或转印装置。本发明的电子照相设备是具有上述电子照相感光构件、充电装置、曝光装置、显影装置、转印装置和清洁装置的电子照相设备；所述清洁装置具有清洁刮板，所述清洁刮板与电子照相感光构件的表面以相对的方向抵接。作为充电装置，它可以优选为具有充电辊的充电装置，所述充电辊与电子照相感光构件的表面接触设置。
图7为显示设置有具有本发明电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备实例的示意图。在图7中，附图标记1表示圆筒状电子照相感光构件，其围绕轴2沿箭头方向以给定的圆周速度被旋转驱动。
将被旋转驱动的电子照相感光构件1的表面通过充电装置(一次充电装置如充电辊)3均匀地静电充电至正或负的给定电位。然后将如此带电的电子照相感光构件暴露于从用于狭缝曝光或激光束扫描曝光等的曝光装置(未示出)发射的曝光光(图像曝光光)4。以该方式，在电子照相感光构件1的表面上顺次形成对应于预期图像的静电潜像。
将在电子照相感光构件1表面上如此形成的静电潜像使用显影装置5具有的在显影剂中包含的调色剂显影，以形成调色剂图像。然后，将如此形成并保持在电子照相感光构件1表面上的调色剂图像借助于从转印装置(如转印辊)6施加的转印偏压而顺次转印，将所述调色剂图像顺次转印到转印材料(如纸)P上。以与电子照相感光构件1同步旋转的方式，将转印材料P从转印材料进给装置(未示出)进给至电子照相感光构件1与转印装置6之间的部分(接触区)。
将已经转印调色剂图像至其的转印材料P从电子照相感光构件1的表面分离，并导入定影装置8中，其中定影所述调色剂图像，然后将其作为成像材料(打印件或复印件)从所述设备中输出。
使已经从其上转印调色剂图像的电子照相感光构件1的表面通过清洁装置(其具有清洁刮板，所述清洁刮板与电子照相感光构件的表面以相对的方向抵接)7，除去转印后残留的显影剂(调色剂)。由此，清洁其表面。将残留在已经从其上转印调色剂图像的电子照相感光构件表面上的调色剂还通过清洁装置7收集。
为了将近年来使得粒径更小的聚合调色剂通过清洁除去，可能通常需要将电子照相感光构件和清洁刮板的接触线压力设定为30N/m以上至120N/m以下，其中将它们之间沿接触长度方向的每单位长度施加的力称作接触线压力。可能通常需要将电子照相感光构件和清洁刮板的接触角设定为25°以上至30°以下，其在比以往更高的接触角的范围内。
通常，存在电子照相感光构件和清洁刮板之间的摩擦阻力随着因为电子照相感光构件在其表面上具有的任何凹凸形状引起的接触面积的减小而减小的趋势。然而，在当清洁刮板和电子照相感光构件设置为如上所述的高接触线压力和高接触角时的情况下，作为本身为弹性材料的清洁刮板，可能必要地追随电子照相感光构件的表面形状。因此，在一些情况下当它们经受由于在物流期间可能出现的振动或落下而引起的任何冲击时不能够防止摩擦存储。在本发明的电子照相感光构件中，电子照相感光构件的表面具有上述特定凹陷部并且还具有其中具有特定结构的含硅化合物分布在其最外表面及其附近的表面层。因此，即使在上述情况下，也能够防止清洁刮板如上追随和也能够有效使得本发明的含硅化合物产生更少的正电荷。因此，与任何常规电子照相感光构件相比，能够更显著地防止摩擦存储。
从防止摩擦存储的观点，本发明的凹陷部可以优选在电子照相感光构件表面层的全部区域形成，和可以优选至少在清洁刮板与电子照相感光构件表面层接触的区域形成。
通常清洁刮板要在其刮板边缘用除了调色剂以外的氟化碳(carbon fluoride)、氧化铈、氧化钛或二氧化硅的无机颗粒涂布。这能够改进电子照相感光构件的润滑性和防止在物流期间可能出现的摩擦存储。然而，本发明的电子照相感光构件即使在其重复使用时也能够保持高润滑性，这是因为它在其表面上具有非常高的润滑性和因为与具有本发明中特定的凹陷部的表面层的组合。因此，即使清洁刮板不用任何润滑剂涂布也能够防止摩擦存储，并且能够从初期就获得良好图像。
电子照相感光构件表面可以进一步通过从预曝光装置(未示出)发出的预曝光光(未示出)进行电荷消除(除静电)，此后可以重复用于图像形成。
在图7所示的设备中，将电子照相感光构件1和充电装置3、显影装置5和清洁装置7一体化地支承以形成盒从而构成处理盒9，所述处理盒9通过导向装置10如设置于电子照相设备主体中的轨道可拆卸地安装于电子照相设备的主体。
实施例
以下通过给出实施例更加详细地描述本发明。在以下实施例中，“份”意指“重量份”。
实施例1
将直径30mm和长度260.5mm的铝圆筒用作支承体(圆筒状支承体)。
接着，将以下组分借助于球磨机进行分散约20小时，以制备导电层涂布液。
由具有氧化锡涂层的硫酸钡颗粒组成的粉末        60份
(商品名：PASTRAN PC1；购自Mitsui Mining & SmeltingCo.，Ltd.)
氧化钛                                        15份
(商品名：TITANIX JR；购自Tayca Corporation)
甲阶型酚醛树脂                                43份
(商品名：PHENOLITE J-325；购自Dainippon Ink & Chemicals，Incorporated；固成分：60％)
硅油                                          0.015份
(商品名：SH28PA；购自Toray Silicone Co.，Ltd.)
硅酮树脂                                      3.6份
(商品名：TOSPEARL 120；购自Toshiba Silicone Co.，Ltd.)
2-甲氧基-1-丙醇                               50份
甲醇                                          50份
将如此制备的该导电层涂布液通过浸渍涂布法涂布在上述支承体上，然后在加热至140℃的烘箱中加热1小时，以进行固化，从而在距离支承体上端130mm位置处形成层厚度(平均层厚度)为15μm的导电层。
接着，将以下组分溶解在400份甲醇和200份正丁醇的混合溶剂中，从而制备中间层涂布液。
共聚物尼龙树脂                                 10份
(商品名：AMILAN CM8000；购自Toray Industries，Inc.)
甲氧基甲基化尼龙6树脂                          30份
(商品名：TORESIN EF-30T；购自Teikoku Chemical Industry Co.，Ltd.)
将该中间层涂布液通过浸渍涂布法涂布在导电层上，然后在加热至100℃的烘箱中加热30分钟，以进行干燥，从而在距离支承体上端130mm位置处形成层厚度(平均层厚度)为0.65μm的中间层。
接着，将以下组份借助于使用直径1mm的玻璃珠的砂磨机进行分散4小时，然后添加700份乙酸乙酯以制备电荷产生层涂布液。
羟基镓酞菁                                       20份
(在CuKα特征X-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.5°、9.9°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°处具有强峰的物质)
由以下结构式(5)表示的杯芳烃(carixarene)化合物    0.2份
聚乙烯醇缩丁醛                                   10份
(商品名：S-LEC BX-1；购自Sekisui Chemical Co.，Ltd.)
环己酮                                           600份
Figure BPA00001332421800501
将上述电荷产生层涂布液通过浸渍涂布法涂布在中间层上，然后在加热至100℃的烘箱中加热10分钟，以进行干燥，从而在距离支承体上端130mm位置处形成层厚度(平均层厚度)为0.17μm的电荷产生层。
接着，将以下组分溶解在350份氯苯和150份二甲氧基甲烷的混合溶剂中，以制备电荷输送层涂布液。
由以下结构式(6)表示的化合物                    35份
由以下结构式(7)表示的化合物                    5份
由以下结构式(8)表示的共聚型聚芳酯              50份
具有示于表1的结构单元、仅在主链中具有硅氧烷结构的硅氧烷
改性的聚碳酸酯(1)                              0.49份
Figure BPA00001332421800502
Figure BPA00001332421800511
在式(8)中，k和l表示在该树脂中的重复结构单元的比(即，共聚比)。在该树脂中，k∶l为7∶3。
在上述聚芳酯树脂中，对苯二酸结构与间苯二酸结构的摩尔比(对苯二酸骨架∶间苯二酸骨架)为50∶50，该聚芳酯树脂具有120,000的重均分子量(Mw)。
作为硅氧烷改性的聚碳酸酯(1)的合成方法，它通过根据前述给出的合成例1的方法合成。作为在该合成中使用的硅氧烷化合物，使用30g由式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝15)。
将该电荷输送层涂布液通过浸渍涂布法涂布在电荷产生层上，然后通过在加热至110℃的烘箱中加热30分钟，以进行干燥，从而在距离支承体上端130mm位置处形成层厚度(平均层厚度)为20μm的电荷输送层。
由此，生产依次具有支承体、中间层、电荷产生层和电荷输送层的电子照相感光构件，该电荷输送层为表面层。
通过ESCA在最外表面和距离最外表面0.2μm的内部的元素分析：
含硅化合物在表面层中的分布程度通过ESCA(X射线光电子能谱法)测量。如前所述，考虑到通过ESCA可测量的面积在约100μm直径的圆形区域范围内的事实，不对电子照相感光构件进行本发明的凹凸形状表面加工的情况下进行测量，从而在最外表面和距离最外表面0.2μm的内部进行测量。
关于以下项i)和ii)的数据示于表2中。
i)在电子照相感光构件表面层的最外面处硅元素与构成元素的存在比例。
ii)在电子照相感光构件表面层中距离其最外表面0.2μm的内部的硅元素与构成元素的存在比例A(质量％)与在电子照相感光构件表面层的最外表面的硅元素与构成元素的存在比例B(质量％)的比A/B，其通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量。
测量用条件如下所示。
使用的仪器：Quantum 2000 Scanning ESCA Microprobe，由PHI Inc.(Physical Electronics Industries，Inc.)制造。
最外表面和蚀刻后0.2μm的内部的测量用条件：
X射线源(X-ray source)：Al Ka 1，486.6eV(25W，15kV)。
测量区域(Measurement area)：100μm。
光谱区域(Spectral region)：1,500μm×300μm。
角度(angle)：45°。
通能(Pass energy)：117.40eV。
蚀刻条件(Etching conditions)：离子枪(Ion gun)C60(10kV，2mm×2mm)；角度(angle)：70°。
作为蚀刻时间，采用1.0μm/100分钟以获得距离电荷输送层最外表面1.0μm的深度(所述深度在蚀刻电荷输送层后通过截面的SEM观察确认)。因此，如距离最外表面0.2μm的内部的组成分析，通过使用C60离子枪进行蚀刻20分钟，这能够在距离最外表面0.2μm的内部进行元素分析。
从在上述条件下测量的各元素的峰强度，通过使用由PHI Inc.提供的相对灵敏度因子计算表面原子浓度(原子％)。构成表面层的各元素的测量峰顶范围如下所示。
C 1s：278至298eV。
F 1s：680至700eV。
Si 2p：90至110eV。
O 1s：525至545eV。
N 1s：390至410eV。
-形成电子照相感光构件表面的凹陷部的方法：
将图8A中所示的用于圆柱状表面形状转印的形状赋予材料设置在图4B中所示的加工单元中(各圆柱状突出部的由F表示的高度为2.9μm，各圆柱状突出部的由D表示的长轴径为2.0μm和各圆柱状突出部之间的由E表示的间隔为0.5μm)。使用该加工单元，将以上述方式生产的电子照相感光构件进行其表面的全部区域的表面加工。将电子照相感光构件和形状赋予材料在表面加工时的温度控制为110℃，和将电子照相感光构件在50kg/cm2的压力下加压的情况下沿其周向旋转，从而进行表面形状转印。在图8A中，图(1)显示了从其顶部观察到的形状赋予材料的表面形状，和图(2)显示了由其侧面观察到的形状赋予材料的表面形状。
-电子照相感光构件的表面形状测量：
使用超深度形状测量显微镜VK-9500(由Keyence Corporation制造)观察如上所述生产的电子照相感光构件(表面加工的电子照相感光构件)表面。将测量对象电子照相感光构件放置在工作台上，所述工作台以其圆筒状支承体能够被垂直固定的方式工作，其中在距离其上端130mm位置处观察电子照相感光构件表面。此处，在电子照相感光构件表面的100μm×100μm(10,000μm2)的视野中在观察下将物镜设置为50倍放大率。在测量视野中观察的凹陷部通过使用分析程序分析。
测量在测量视野内各凹陷部的表面区域的形状、其长轴径(Rpc)和显示各凹陷部最深部与其开口之间距离的深度(Rdv)。然后，取各个凹陷部的长轴径的平均值将其表示为平均长轴径(Rpc-A)，取各个凹陷部的深度的平均值将其表示为平均深度(Rdv-A)。还求出平均深度(Rdv-A)与平均长轴径(Rpc-A)之比Rdv-A/Rpc-A。
确认在电子照相感光构件表面上形成如图8A所示圆柱状的凹陷部，其中凹陷部之间的间隔I为0.5μm。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，从而发现存在1,600个凹陷部。在图8B中，图(1)显示了沿周向观察到的在电子照相感光构件表面上形成的凹陷部的配置图案，和图(2)显示了凹陷部的截面形状。Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值示于表2中。形成的凹陷部全部具有相同形状，因此，Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的值与Rpc、Rdv和Rdv/Rpc的值相同。
-对电子照相感光构件的摩擦存储的性能评价：
将以上述方式生产和表面加工的电子照相感光构件安装在激光束打印机COLOR LASER JET 4600(由Hewlett-Packard Co.制造)的处理盒的改造单元中，通过如下所示的振动试验进行评价。将处理盒如此改造以致其充电构件的弹簧压力变为1.5倍，和将其清洁刮板(弹性清洁刮板)相对电子照相感光构件的接触压力及清洁刮板与电子照相感光构件之间的接触角分别设定为70N/m和28°。此处，清洁刮板不用任何润滑剂(用于为其提供润滑性的粉末如调色剂或硅酮树脂细颗粒)涂布。
振动试验根据物流试验标准(JIS Z0230)在15℃温度和10％相对湿度的环境下进行。处理盒放置在振动试验机(EMIC CORP.Model 905-FN)中。此后，在该试验机中，使处理盒以10Hz至100Hz的频率、1G的加速度、LIN SWEEP的扫频方向、5分钟的往返扫频时间和2小时的测试时间沿轴x、y和z的各方向振动。此后，在约各自静置5分钟和静置2小时时，通过使用上述打印机再现半色调图像。目视进行摩擦存储的评价，以根据以下等级进行评价。
A：没有出现由于摩擦存储引起的任何缺陷图像(水平的黑色调)。
B：仅在与清洁刮板接触的位置处出现由于非常轻微的摩擦存储引起的缺陷图像。
C：在与清洁刮板接触的位置处出现由于摩擦存储引起的缺陷图像并在与充电辊接触的位置处出现由于非常轻微的摩擦存储引起的缺陷图像。
D：在与清洁刮板接触的位置处出现由于显著的摩擦存储引起的缺陷图像并在与充电辊接触的位置处出现由于摩擦存储引起的缺陷图像。
E：在与清洁刮板接触的位置处和与充电辊接触的位置处均出现由于显著的摩擦存储引起的缺陷图像。
结果一起示于表2中。
-对电子照相感光构件的正电荷衰减的性能评价：
将以上述方式生产和表面加工的电子照相感光构件安装在激光束打印机COLOR LASER JET 4600(由Hewlett-Packard Co.制造)的处理盒的上述改造单元中，通过如下所示的方法进行评价。
评价在15℃温度和10％相对湿度的环境下进行。此外，将充电辊固定以使其不追随电子照相感光构件，和将该盒安装在打印机中，其中，在电子照相感光构件既不充电也不曝光的状态下，将其旋转驱动直至达正充电至为50V，此后停止旋转驱动。在以该方式旋转驱动和停止后，将电子照相感光构件静置1分钟，在该状态下测量正电荷的衰减量以求出正电荷衰减率。正电荷衰减率根据以下表达式求出。然而，将即使旋转驱动5分钟也不充电至50V的电子照相感光构件在旋转驱动5分钟后停止，其中测量在此时间点的带电量和在电子照相感光构件此后静置1分钟的状态下正电荷的衰减量，并根据以下表达式计算正电荷衰减率。结果示于表2中。
正电荷衰减率＝[(停止旋转驱动后即刻的带电量(V)-1分钟后带电量(V))/(正电荷量)]×100％。
实施例2
除了在生产实施例1的电子照相感光构件中和关于添加至表面层的含硅化合物，将具有表1中所示的结构单元且仅在主链中具有硅氧烷结构的硅氧烷改性的聚碳酸酯(1)的添加量0.49份改变为0.1份以外，以与实施例1相同的方式生产电子照相感光构件和加工其表面二者。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在1,600个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例3
除了在生产实施例1的电子照相感光构件中，将要添加至表面层的含硅化合物改变为具有表1中所示的结构单元的硅氧烷改性的聚碳酸酯(2)和将其添加量改变为0.18份以外，以与实施例1相同的方式生产电子照相感光构件和加工其表面二者。
此处，作为硅氧烷改性的聚碳酸酯(2)的合成方法，其通过根据前述给出的合成例1的方法合成。作为在该合成中使用的硅氧烷化合物，仅使用52g由式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝40)。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在1,600个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例4
除了在生产实施例1的电子照相感光构件中，将要添加至表面层的含硅化合物改变为具有表1中所示的结构单元的硅氧烷改性的聚碳酸酯(3)和将其添加量改变为0.3份以外，以与实施例1相同的方式生产电子照相感光构件。
此处，作为硅氧烷改性的聚碳酸酯(3)的合成方法，其通过根据前述给出的合成例2的方法合成。作为此处使用的硅氧烷化合物，使用25g由式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝40)和55g由式(5-1)表示的硅氧烷化合物(n＝40)。
除了在实施例1中使用的形状赋予材料中，由图8A中的D所示的长轴径为4.5μm、各突出部之间由E所示的间隔为0.5μm和各突出部的由F所示的高度为9.0μm以外，也以与实施例1相同的方式表面加工电子照相感光构件。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例5
除了在生产实施例4的电子照相感光构件中，将要添加至表面层的含硅化合物改变为具有表1中所示的结构单元的硅氧烷改性的聚酯(1)以外，以与实施例4相同的方式生产电子照相感光构件和加工其表面二者。
此处，作为硅氧烷改性的聚酯(1)的合成方法，其通过根据前述给出的合成例3的方法合成。作为在合成硅氧烷改性的聚酯(1)中使用的硅氧烷化合物，使用4g由式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝40)和8g由式(5-1)表示的硅氧烷化合物(n＝40)。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例6
除了在生产实施例4的电子照相感光构件中，将要添加至表面层的含硅化合物改变为具有表1中所示的结构单元的硅氧烷改性的聚碳酸酯(6)和将其添加量改变为0.02份以外，以与实施例4相同的方式生产电子照相感光构件和加工其表面二者。
此处，作为硅氧烷改性的聚碳酸酯(6)的合成方法，其通过根据前述给出的合成例2的方法合成。作为在该合成中使用的硅氧烷化合物，使用由式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝60)和由式(5-1)表示的硅氧烷化合物(n＝70)。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例7
除了在生产实施例4的电子照相感光构件中，将要添加至表面层的含硅化合物改变为具有表1中所示的结构单元的硅氧烷改性的聚碳酸酯(5)和将其添加量改变为0.49份以外，以与实施例4相同的方式生产电子照相感光构件和加工其表面二者。
此处，作为硅氧烷改性的聚碳酸酯(5)的合成方法，其通过根据前述给出的合成例2的方法合成。作为在该合成中使用的硅氧烷化合物，使用由式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝60)和由式(5-1)表示的硅氧烷化合物(n＝60)。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例8
除了在生产实施例4的电子照相感光构件中，将要添加至表面层的含硅化合物改变为具有表1中所示的结构单元的硅氧烷改性的聚碳酸酯(4)和将其添加量改变为0.3份以外，以与实施例4相同的方式生产电子照相感光构件和加工其表面二者。
此处，作为硅氧烷改性的聚碳酸酯(4)的合成方法，其通过根据前述给出的合成例2的方法合成。作为在该合成中使用的硅氧烷化合物，使用由式(4-1)表示的硅氧烷化合物(m＝20)和由式(5-1)表示的硅氧烷化合物(n＝20)。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例9
以与实施例3相同的方式生产电子照相感光构件，除了在实施例1中使用的形状赋予材料中，由图8A中的D所示的长轴径为1.9μm、各突出部之间由E所示的间隔为0.6μm和各突出部的由F所示的高度为1.2μm以外，以与实施例1相同的方式加工其表面。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.6μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在1,600个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例10
重复实施例4的步骤以在支承体上形成导电层、中间层和电荷产生层。
接着，除了将在形成电荷输送层中使用的溶剂改变为350份氯苯和35份二甲氧基甲烷的混合溶剂以外，以与实施例4相同的方式制备电荷输送层涂布液。将如此制备的电荷输送层涂布液通过浸渍涂布法在电荷产生层上以使导电层、中间层、电荷产生层和电荷输送层依次形成在支承体上并使电荷输送层为表面层。
在涂布步骤完成后时间过去60秒钟时，将用电荷输送层涂布液(表面层涂布液)涂布的基体构件在内部预先调节为70％的相对湿度和60℃的气氛温度下的结露步骤单元中保持120秒钟。在结露步骤完成后时间过去60秒钟时，将具有电荷输送层的该基体构件放入内部预先加热至120℃的吹风干燥机中，以进行干燥步骤60分钟。由此，生产在距离支承体上端130mm位置处具有层厚度(平均层厚度)为20μm的电荷输送层作为表面层的电子照相感光构件。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认凹陷部形成在电子照相感光构件的表面上。此外，凹陷部以1.8μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在278个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
作为ESCA测量用电子照相感光构件，使用具有层厚度(平均层厚度)为20μm的电荷输送层和在电荷输送层表面上不具有任何凹陷部的电子照相感光构件，其在上述电子照相感光构件的生产过程中，通过用表面层电荷输送层涂布液涂布基体构件和此后即刻进行干燥步骤60分钟而获得。
实施例11
以与实施例4相同的方式生产电子照相感光构件。在获得的电子照相感光构件表面上，通过使用用如图3B所示的KrF准分子激光器(波长λ：248nm)形成凹陷部。此处，使用石英玻璃制掩模，该掩膜具有其中如图3A所示的直径8.0μm的圆形激光透射区域如在附图中所示以2.0μm的间隔配置的图案。将照射能设定为0.9J/cm3。在图3A中，字母符号a表示激光光遮蔽部。此外，以每进行一次照射在2mm见方的区域内进行照射，和所述表面每2mm见方的正方形照射部分用激光光照射3次。凹陷部同样通过如图3B所示旋转电子照相感光构件并沿其轴向移动照射位置以在电子照相感光构件表面上形成凹陷部的方法形成。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成图3C所示的凹陷部。此外，凹陷部以2.0μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在100个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例12
除了在对实施例4中的摩擦存储的性能评价中，将处理盒中使用的弹性清洁刮板与电子照相感光构件的接触压力和弹性清洁刮板与电子照相感光构件之间的接触角分别设定为30N/m和25°以外，全部以与实施例4相同的方式生产电子照相感光构件、加工电子照相感光构件表面和进行性能评价。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例13
除了在对实施例4中的摩擦存储的性能评价中，将处理盒中使用的弹性清洁刮板与电子照相感光构件的接触压力和弹性清洁刮板与电子照相感光构件之间的接触角分别设定为120N/m和30°以外，全部以与实施例4相同的方式生产电子照相感光构件、加工电子照相感光构件表面和进行性能评价。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
实施例14
重复实施例4的步骤以在支承体上形成导电层、中间层和电荷产生层。
接着，除了将在形成电荷输送层中使用的溶剂改变为300份氯苯、150份氧硅烷(oxosilane)和50份二甲氧基甲烷的混合溶剂以外，以与实施例4相同的方式制备电荷输送层涂布液。将如此制备的电荷输送层涂布液通过浸渍涂布在电荷产生层上以使导电层、中间层、电荷产生层和电荷输送层依次形成在支承体上并使电荷输送层为表面层。
在涂布步骤完成后时间过去60秒钟时，将用电荷输送层涂布液(表面层涂布液)涂布的基体构件在内部预先调节为80％的相对湿度和50℃的气氛温度下的结露步骤单元中保持120秒钟。在结露步骤完成后时间过去60秒钟时，将具有电荷输送层的该基体构件放入内部预先加热至120℃的吹风干燥机中，以进行干燥步骤60分钟。由此，生产在距离支承体上端130mm位置处具有层厚度(平均层厚度)为20μm的电荷输送层作为表面层的电子照相感光构件。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认凹陷部形成在电子照相感光构件的表面上。在激光电子显微镜上观察到的在该实施例中生产的感光构件表面上的凹陷部的图像示于图10中。此外，凹陷部以0.2μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
作为ESCA测量用电子照相感光构件，使用具有层厚度(平均层厚度)为20μm的电荷输送层和在电荷输送层表面上不具有任何凹陷部的电子照相感光构件，其在上述电子照相感光构件的生产过程中，通过用表面层电荷输送层涂布液涂布基体构件和此后即刻进行干燥步骤60分钟而获得。
实施例15
重复实施例4的步骤以在支承体上形成导电层、中间层和电荷产生层。
接着，除了将在形成电荷输送层中使用的溶剂改变为300份氯苯、140份二甲氧基甲烷和10份(甲基亚磺酰基)甲烷的混合溶剂以外，以与实施例4相同的方式制备电荷输送层涂布液。将如此制备的电荷输送层涂布液通过浸渍涂布法在电荷产生层上以使导电层、中间层、电荷产生层和电荷输送层依次形成在支承体上并使电荷输送层为表面层。
在涂布步骤完成后时间过去60秒钟时，将用电荷输送层涂布液(表面层涂布液)涂布的基体构件在内部预先调节为70％的相对湿度和45℃的气氛温度下的结露步骤单元中保持180秒钟。在结露步骤完成后时间过去60秒钟时，将具有电荷输送层的该基体构件放入内部预先加热至120℃的吹风干燥机中，以进行干燥步骤60分钟。由此，生产在距离支承体上端130mm位置处具有层厚度(平均层厚度)为20μm的电荷输送层作为表面层的电子照相感光构件。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认凹陷部形成在电子照相感光构件的表面上。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在2,500个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
作为ESCA测量用电子照相感光构件，使用具有层厚度(平均层厚度)为20μm的电荷输送层和在电荷输送层表面上不具有任何凹陷部的电子照相感光构件，其在上述电子照相感光构件的生产过程中，通过用表面层电荷输送层涂布液涂布基体构件和此后即刻进行干燥步骤60分钟而获得。
比较例1
以与实施例1相同的方式生产电子照相感光构件，除了不进行借助于实施例1中使用的形状赋予材料表面加工电子照相感光构件以外，以与实施例1相同的方式加工其表面。以与实施例1相同的方式测量电子照相感光构件的表面形状。由于不进行表面形状的任何加工，因此不存在任何明确的周期性凹凸和获得基本上平坦及具有20μm层厚度的表面层。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
比较例2
以与实施例1相同的方式生产电子照相感光构件，除了在实施例1中使用的形状赋予材料中，由图8A中的D所示的长轴径为4.2μm、各突出部之间由E所示的间隔为0.8μm和各突出部的由F所示的高度为1.1μm以外，以与实施例1相同的方式加工其表面。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在其表面上形成圆柱状的凹陷部和凹陷部以0.8μm的间隔形成。此外计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
比较例3
除了在生产实施例1的电子照相感光构件中，将要添加至表面层的含硅化合物改变为苯酚(phenol)改性的硅油(商品名：X-22-1821；购自Shin-Etsu Silicone Co.，Ltd.)以外，以与实施例1相同的方式生产电子照相感光构件。以与实施例1相同的方式表面加工电子照相感光构件。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在电子照相感光构件的表面上形成圆柱状的凹陷部，但是看到硅油在凹陷部中的各处附聚。凹陷部的间隔I为0.5μm。此外计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在1,600个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
比较例4
除了在生产实施例1的电子照相感光构件中，将要添加至表面层的含硅化合物改变为具有表1中所示的结构单元和仅在主链中具有硅氧烷结构的硅氧烷改性的聚碳酸酯(7)和将添加量改变为0.6份以外，以与实施例1相同的方式生产电子照相感光构件。
此处，作为硅氧烷改性的聚碳酸酯(7)的合成方法，其通过根据前述给出的合成例1的方法合成。作为在该合成中使用的硅氧烷化合物，仅使用30g由式(4-3)表示的硅氧烷化合物(m＝10)。
除了在实施例1中使用的形状赋予材料中，由图8A中的D所示的长轴径为4.2μm、各突出部之间由E所示的间隔为0.8μm和各突出部的由F所示的高度为2.0μm以外，以与实施例1相同的方式表面加工电子照相感光构件。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认在其表面上形成圆柱状的凹陷部和凹陷部以0.8μm的间隔形成。此外计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在400个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
比较例5
除了在生产实施例1的电子照相感光构件中，不添加任何含硅化合物至表面层以外，以与实施例1相同的方式生产电子照相感光构件。除了在实施例1中使用的形状赋予材料中，由图8A中的D所示的长轴径为2.0μm、各突出部之间由E所示的间隔为0.5μm和各突出部的由F所示的高度为2.4μm以外，以与实施例1相同的方式表面加工电子照相感光构件。
电子照相感光构件的表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认圆柱状的凹陷部在其表面上形成。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。此外计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在1,600个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
比较例6
除了在生产实施例1的电子照相感光构件中，将要添加至表面层的含硅化合物，即，具有表1中所示的结构单元且仅在主链中具有硅氧烷结构的硅氧烷改性的聚碳酸酯(1)的添加量改变为0.02份以外，以与实施例1相同的方式生产电子照相感光构件。然后，以与实施例1相同的方式表面加工电子照相感光构件。
表面形状以与实施例1相同的方式进行测量，从而确认圆柱状的凹陷部在电子照相感光构件表面上形成。此外，凹陷部以0.5μm的间隔形成。此外计数单位面积(100μm×100μm)中具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下以及深度与长轴径之比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部数量，发现存在1,600个凹陷部。
Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A的测量值和通过测量没有进行凹凸形状表面加工的凹陷部获得的ESCA数据示于表2中。此外，与实施例1相同的方式进行电子照相感光构件的性能评价。结果示于表2中。
表1
Figure BPA00001332421800711
表2
Figure BPA00001332421800721
表2(续)
Figure BPA00001332421800722
从以上所示的结果，可见在本发明的实施例1至15与比较例1至6的比较中，借助于如下特征能够防止摩擦存储：电子照相感光构件表面层包含规定量的本发明的含硅化合物和电子照相感光构件在其表面上还具有深度与长轴径的比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下的凹陷部。从正电荷衰减率的结果，也可见本发明的电子照相感光构件能够有效减少通过摩擦生成的正电荷。
本申请要求2008年9月26日提交的日本专利申请2008-248210的权益，在此将其全部内容引入以作参考。

Claims (9)

1.一种电子照相感光构件，其包括支承体和在所述支承体上设置的感光层，其中：
所述电子照相感光构件的表面层以基于所述表面层中的全部固成分为小于0.6质量％的量包括含硅化合物；
所述表面层中的所述含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于所述表面层中的全部固成分为0.01质量％以上；
在所述电子照相感光构件的表面上，以每单位面积(100μm×100μm)为50个以上至70,000个以下的数量形成相互独立的凹陷部，所述凹陷部为各自具有深度(Rdv)与长轴径(Rpc)的比Rdv/Rpc为大于0.3至7.0以下和具有深度(Rdv)为0.1μm以上至10.0μm以下的凹陷部；
所述表面层在其最外表面处基于此处构成元素具有硅元素的存在比例为0.6质量％以上，所述存在比例通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；在所述表面层中距离其最外表面0.2μm的内部的硅元素与构成元素的存在比例[A(质量％)]与在其最外表面处的硅元素与构成元素的存在比例[B(质量％)]的比(A/B)为大于0.0至小于0.3，所述存在比例[A(质量％)]和存在比例[B(质量％)]通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；和
所述含硅化合物为具有由下式(1)表示的结构和由下式(2)或下式(3)表示的重复结构单元的聚合物：
Figure FPA00001332421700011
其中R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基；m表示在圆括号中各自所示的重复结构单元数目的平均值，并且在1至500的范围内；和
Figure FPA00001332421700021
其中X表示单键、-O-、-S-或者取代或未取代的烷叉基；R3至R10各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基；或者
其中X和Y各自表示单键、-O-、-S-或者取代或未取代的烷叉基；R11至R18各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述表面层以基于所述表面层中的全部固成分为不大于0.54质量％的量包含所述含硅化合物，以及在所述表面层中的所述含硅化合物具有的所述硅氧烷部位的量基于所述表面层中的全部固成分为0.05质量％以上。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述含硅化合物具有的所述硅氧烷部位的量基于所述含硅化合物的总质量为30.0质量％以上至60.0质量％以下，以及所述含硅化合物具有的由式(2)或式(3)表示的重复结构单元数目的平均值为20以上至60以下。
4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述含硅化合物具有由下式(4)表示的结构作为至少一个末端部分的结构：
Figure FPA00001332421700031
其中R19至R23各自独立地表示氢原子、卤原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基或者取代或未取代的芳基；n表示在圆括号中各自所示的重复结构单元数目的平均值，并且在1至500的范围内。
5.一种处理盒，其包括根据权利要求1所述的电子照相感光构件和与其一体化支承的清洁装置，所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体；
所述清洁装置包括清洁刮板，所述清洁刮板与所述电子照相感光构件表面以相对的方向抵接。
6.根据权利要求5所述的处理盒，其中所述清洁刮板没有用任何润滑剂涂布。
7.根据权利要求5所述的处理盒，其中将所述电子照相感光构件和所述清洁刮板的接触线压力设定为30N/m以上至120N/m以下，其中将它们之间沿接触长度方向每单位长度施加的力称作接触线压力。
8.根据权利要求5所述的处理盒，其中将所述清洁刮板相对所述电子照相感光构件的接触角设定为25°以上至30°以下。
9.一种电子照相设备，其包括根据权利要求1所述的电子照相感光构件、充电装置、曝光装置、显影装置、转印装置和清洁装置；
所述清洁装置包括清洁刮板，所述清洁刮板与所述电子照相感光构件表面以相对的方向抵接。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109557777A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 佳能株式会社 电子照相感光构件、其生产方法、处理盒、和电子照相设备

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103109236B (zh) 2010-09-14 2015-03-25 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和制造电子照相感光构件的方法
JP5533521B2 (ja) * 2010-09-30 2014-06-25 富士ゼロックス株式会社 帯電装置、帯電装置の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP4948670B2 (ja) 2010-10-14 2012-06-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP5036901B1 (ja) 2010-10-29 2012-09-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP4959022B2 (ja) 2010-10-29 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4975185B1 (ja) 2010-11-26 2012-07-11 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面層の表面に凸凹形状を形成する方法、および、表面層の表面に凸凹形状が形成された円筒状電子写真感光体を製造する方法
JP4959024B1 (ja) 2010-12-02 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5575182B2 (ja) 2011-07-29 2014-08-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5172031B2 (ja) 2011-07-29 2013-03-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5884438B2 (ja) * 2011-11-24 2016-03-15 株式会社リコー 電子写真感光体、並びにそれを用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジ
US9029054B2 (en) 2012-06-29 2015-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US9063505B2 (en) 2012-06-29 2015-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
EP2680075B1 (en) 2012-06-29 2015-12-30 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US9499921B2 (en) 2012-07-30 2016-11-22 Rayton Solar Inc. Float zone silicon wafer manufacturing system and related process
US9404198B2 (en) * 2012-07-30 2016-08-02 Rayton Solar Inc. Processes and apparatuses for manufacturing wafers
JP6150817B2 (ja) 2012-11-21 2017-06-21 キヤノン株式会社 画像形成装置、電子写真感光体、及び電子写真感光体の製造方法
JP6059025B2 (ja) 2013-01-18 2017-01-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US9684277B2 (en) 2014-11-19 2017-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and image-forming method
JP6588731B2 (ja) 2015-05-07 2019-10-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6584177B2 (ja) * 2015-07-10 2019-10-02 キヤノン株式会社 画像形成方法および電子写真装置
US10416581B2 (en) 2016-08-26 2019-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP7240124B2 (ja) * 2017-10-16 2023-03-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7187270B2 (ja) 2017-11-24 2022-12-12 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7057104B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-19 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置
JP7046571B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7034769B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7034768B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP2019152699A (ja) 2018-02-28 2019-09-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7059111B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体およびその製造方法、並びにプロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
US10747130B2 (en) 2018-05-31 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7150485B2 (ja) 2018-05-31 2022-10-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7129225B2 (ja) 2018-05-31 2022-09-01 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法
JP7059112B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7054366B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-13 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2020020904A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 画像形成装置及び画像形成方法
JP7413054B2 (ja) 2019-02-14 2024-01-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7358276B2 (ja) 2019-03-15 2023-10-10 キヤノン株式会社 電子写真画像形成装置及びプロセスカートリッジ
US11320754B2 (en) 2019-07-25 2022-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
US11573499B2 (en) 2019-07-25 2023-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7337652B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及びそれを用いた電子写真装置
JP7337649B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
USD1003928S1 (en) * 2021-04-29 2023-11-07 Coretech System Co., Ltd. Display screen or portion thereof with graphical user interface

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2746304B2 (ja) * 1989-04-14 1998-05-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体
JP3402970B2 (ja) 1996-11-06 2003-05-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置
US6185398B1 (en) * 1998-07-21 2001-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP2000075517A (ja) 1998-08-28 2000-03-14 Canon Inc 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置
JP2001066814A (ja) 1999-08-30 2001-03-16 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、その製造方法、電子写真プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US6444384B2 (en) * 2000-02-29 2002-09-03 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing electrophotographic photosensitive member and electrophotographic photosensitive member
JP2002341572A (ja) * 2001-02-20 2002-11-27 Ricoh Co Ltd 画像形成装置、画像形成方法、感光体及びその製造方法並びに画像形成用プロセスカートリッジ
JP3998517B2 (ja) * 2001-06-21 2007-10-31 株式会社リコー 電子写真用感光体並びにそれを用いたプロセスカートリッジ、電子写真装置
JP4152612B2 (ja) * 2001-09-21 2008-09-17 株式会社リコー 電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置および電子写真装置用プロセスカートリッジ
US6939651B2 (en) * 2001-06-21 2005-09-06 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photoconductor, and process cartridge and electrophotographic apparatus using the same
US6806009B2 (en) * 2001-12-21 2004-10-19 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
EP1533658B1 (en) * 2002-06-28 2013-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Photosensitive body for electrophotography, process cartridge, and electrophotographic apparatus
WO2005093518A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Canon Kabushiki Kaisha 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2005338586A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Canon Inc プロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP4772416B2 (ja) * 2004-11-01 2011-09-14 株式会社リコー クリーニング装置、プロセスカートリッジ、および画像形成装置
JP4679914B2 (ja) * 2005-01-27 2011-05-11 キヤノン化成株式会社 導電性ローラー及び該導電性ローラーを有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4702950B2 (ja) * 2005-03-28 2011-06-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法
CN1869824A (zh) * 2005-05-25 2006-11-29 柯尼卡美能达商用科技株式会社 有机感光体、处理盒、图像形成方法及图像形成装置
JP4944591B2 (ja) * 2005-12-28 2012-06-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4194631B2 (ja) * 2006-01-31 2008-12-10 キヤノン株式会社 画像形成方法ならびに該画像形成方法を用いた電子写真装置
JP4101279B2 (ja) 2006-01-31 2008-06-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4101278B2 (ja) * 2006-01-31 2008-06-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4183267B2 (ja) * 2006-01-31 2008-11-19 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
KR101137111B1 (ko) * 2006-10-31 2012-04-20 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체의 제조 방법, 공정 카트리지 및 전자 사진 장치
EP2071403B1 (en) * 2006-10-31 2013-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive body, method for producing electrophotographic photosensitive body, process cartridge, and electrophotographic device
CN101641648B (zh) * 2007-03-27 2012-05-30 佳能株式会社 电子照相感光部件、处理盒和电子照相装置
CN101646979B (zh) * 2007-03-28 2012-07-18 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒及电子照相设备
JP4235673B2 (ja) * 2007-07-17 2009-03-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109557777A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 佳能株式会社 电子照相感光构件、其生产方法、处理盒、和电子照相设备
CN109557777B (zh) * 2017-09-27 2022-06-17 佳能株式会社 电子照相感光构件、其生产方法、处理盒、和电子照相设备

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