JP2009031502A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

【課題】摺擦メモリーの生じ難い電子写真感光体、該感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供すること。
【解決手段】支持体上に感光層を有する感光体において、
表面層に凹形状部を有し、かつ凹形状部の短軸径Ｒｐｃ及び凹形状部の最深部と開孔面との距離を示す深さＲｄｖとした場合に、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下であり、且つ表面層に下記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物を含有する電子写真感光体、該感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置。

式中、Ｒｆ^１１はフルオロアルキル基、フルオロアルキレン基。Ｒ^１１はアルキレン基、アリーレン基、単結合。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。詳しくは、表面層に特定の凹形状部を有し、かつ表面層に特定の化合物を含有する電子写真感光体、該電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。

電子写真感光体としては、低価格及び高生産性等の利点から、光導電性物質（電荷発生物質や電荷輸送物質）として有機材料を用いた感光層（有機感光層）を支持体上に設けてなる電子写真感光体、いわゆる有機電子写真感光体が普及している。有機電子写真感光体としては、高感度及び材料設計の多様性等の利点から、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを積層してなる感光層、いわゆる積層型感光層を有する電子写真感光体が主流である。なお、この電荷発生物質としては、光導電性染料や光導電性顔料等が挙げられ、電荷輸送物質としては、光導電性ポリマーや光導電性低分子化合物等が挙げられる。

電子写真感光体（以下、場合により単に「感光体」という）は、その表面に、帯電、露光、現像、転写、クリーニング等の電気的外力及び／又は機械的外力が直接加えられるため、これらに対する耐性が要求される。具体的には、クリーニングブレードや紙等の転写材による表面の傷や摩耗の発生に対する耐久性、光に対する耐メモリー性、当接部材との摩擦帯電に対する耐メモリー性、当接部材によるクラック及び凹みに対する耐性、及びトナーに対する耐付着性が要求される。

上述のような様々な課題のひとつとして、摺擦メモリーという現象が挙げられる。この現象は、感光体と該感光体に当接している帯電部材やクリーニングブレードとが、物流時の振動や落下による衝撃を受けたときに、それらが摺擦されて感光体表面にプラス電荷が発生することに起因したメモリー現象のひとつである。

このような課題に対して、特許文献１には、バインダの末端にフッ素を置換したフェニル基を導入することにより、クリーニングブレードとの摩擦を低減する技術が開示されている。特許文献２には、特定構造の電荷輸送物質と特定構造のポリカーボネート樹脂を組み合わせることでメモリーの発生を抑制する技術が開示されている。

また、感光体と帯電部材やブレードとの摩擦を低減するという観点から、感光体の表面形状を変化させることが一つの手段と考えられる。例えば、特許文献３には、井戸型の凹凸のついたスタンパを用いて電子写真感光体の表面を圧縮成型加工する技術が開示されている。
特開平１０−１４２８１３号公報 特開２０００−７５５１７号公報 特開２００１−６６８１４号公報

しかしながら、特許文献１乃至２に記載されている電子写真感光体を用いた場合でも、より厳しい条件下では特に帯電部材との摩擦に起因したメモリーが発生する場合があり、更なる改善が求められている。

また、特許文献３に記載されている微小な加工がなされた電子写真感光体を用いた場合、凹形状が浅い感光体では、感光体表面と弾性体である帯電部材やクリーニングブレードとの接触面積を低減させることができない。そのため、摺擦メモリーに対する効果が得られないことがあった。

本発明の目的は、摺擦メモリーの生じ難い電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。

本発明者らは、鋭意検討した結果、電子写真感光体の表面に、所定の凹形状部及び所定の添加剤を含有することによって、上述の課題を効果的に改善することができることを見いだし、本発明に至った。

本発明に従って、支持体及び該支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、
表面層に複数の各々独立した凹形状部を有し、かつ該凹形状部の短軸径をＲｐｃ及び該凹形状部の最深部と開孔面との距離を示す深さをＲｄｖとした場合に、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部であり、
且つ該表面層に、下記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物を含有することを特徴とした電子写真感光体が提供される。

上記式（１）中、Ｒｆ^１１は少なくとも１つのフルオロアルキル基あるいはフルオロアルキレン基を有する基を示す。Ｒ^１１は、アルキレン基あるいはアリーレン基を含む基又は単結合を示す。

また、本発明に従って、上記電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電する帯電手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段、及び、該電子写真感光体の表面の転写残りトナーを除去するクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジが提供される。

更に、本発明に従って、上記電子写真感光体、該電子写真感光体を帯電する帯電手段、帯電した該電子写真感光体に対し露光を行い該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段、及び、該電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を転写材に転写する転写手段を有することを特徴とする電子写真装置が提供される。

本発明によって、摺擦メモリーの生じ難い電子写真感光体、該電子写真感光体を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することが可能となった。

以下に本発明をより詳細に説明する。

本発明における各々独立した凹形状部とは、個々の凹形状部が、他の凹形状部と明確に区分されている状態を示す。本発明における電子写真感光体の表面に形成されている凹形状部は、感光体表面の観察では、例えば、直線により構成される形状、曲線により構成される形状あるいは直線及び曲線により構成される形状が挙げられる。直線により構成される形状としては、例えば、三角形、四角形、五角形あるいは六角形が挙げられる。曲線により構成される形状としては、例えば、円形状あるいは楕円形状が挙げられる。直線及び曲線により構成される形状としては、例えば、角の円い四角形、角の円い六角形あるいは扇形が挙げられる。感光体表面の凹形状部の例を図１に示す。また、本発明における電子写真感光体の表面の凹形状部は、感光体断面の観察では、例えば、直線により構成される形状、曲線により構成される形状あるいは直線及び曲線により構成される形状が挙げられる。直線により構成される形状としては、例えば、三角形、四角形あるいは五角形が挙げられる。曲線により構成される形状としては、例えば、部分円形状あるいは部分楕円形状が挙げられる。直線及び曲線により構成される形状としては、例えば、角の円い四角形あるいは扇形が挙げられる。本発明における電子写真感光体表面の凹形状部の具体例としては、図１（凹形状部の形状例（表面））及び図２（凹形状部の形状例（断面））で示される凹形状部が挙げられる。本発明における電子写真感光体表面の凹形状部の断面形状としては、例えば、円錐、四角錘、三角錘、半球状等のように感光体表面から見たときの面積が表面開孔部で最も大きく、内部のほうが面積が小さい形状であるほうが、摺擦メモリー特性の点から好ましい。

本発明における電子写真感光体表面の凹形状部は、個々に異なる形状、大きさあるいは深さを有してもよく、また、全ての凹形状部が同一の形状、大きさあるいは深さであってもよい。更に、電子写真感光体の表面は、個々に異なる形状、大きさあるいは深さを有する凹形状部と、同一の形状、大きさあるいは深さを有する凹形状部が組み合わされた表面であってもよい。

前記凹形状部は、電子写真感光体の少なくとも表面に形成されている。感光体表面の凹形状部の領域は、表面層上の表面全域であってもよいし、表面の一部分に形成されていてもよいが、表面全域であるほうが摺擦メモリー特性の点から好ましい。

本発明における短軸径とは、図１中の矢印で示されている長さ及び図２中の短軸径（Ｒｐｃ）で示されているように、電子写真感光体における凹形状部の開孔部周囲の表面を基準とし、各凹形状部における最小長さのことを示す。例えば、凹形状部の表面形状が円状の場合は直径を示し、表面形状が楕円状の場合は短径を示し、表面形状が長方形の場合は短辺を示す。

本発明における深さとは、各凹形状部の最深部と開孔面との距離を示す。具体的には、図２中の深さ（Ｒｄｖ）で示されているように、電子写真感光体における凹形状部の開孔部周囲の表面を基準面とし、凹形状部の最深部と開孔面との距離のことを示す。

本発明の電子写真感光体は、電子写真感光体表面に上述の凹形状部の短軸径Ｒｐｃに対する深さＲｄｖの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下である凹形状部を有する電子写真感光体である。これは電子写真感光体表面に、短軸径よりも小さな深さを有する凹形状部を有する電子写真感光体であることを示している。

電子写真感光体表面に、短軸径よりも小さな深さを有する凹形状部、且つ上記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物を含有することにより帯電部材やクリーニングブレードとの摩擦により発生したプラス電荷は効率的に低減される。本発明の凹形状部は、短軸径よりも小さな深さを有するため、弾性体である帯電部材やクリーニングブレードとの当接圧は小さくなるが、ほとんどが当接部材と接した状態で保たれている。この凹形状部を有することにより通常の感光体と比べて表面積が広くなり、当接部材との摩擦により発生するプラス電荷がより広い範囲に拡散した状態となると考えられる。

一方、上記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物は、
（ア）Ｒｆ^１のフルオロアルキル基あるいはフルオロアルキレン基の低い分子間力と、
（イ）表面層の結着樹脂中のＲｆ^１を含まない重合ユニットとの親和性により、
主にＲｆ^１部位が感光体表面近傍に均一に存在し且つ結着樹脂と相溶した感光体表面層を形成すると考えられる。このＲｆ^１のフッ素原子の強い電気陰性度により感光体表面にマイナス分極した電荷の偏りが生じていると考えられ、表面積の大きい感光体表面に発生し拡散した状態にあるプラス電荷を効果的に低減できると考えられる。

電子写真感光体表面の凹形状部の短軸径Ｒｐｃに対する深さＲｄｖの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）は、１．０以下であることが摺擦メモリー特性の点から好ましい。更には、電子写真感光体表面の凹形状部の短軸径Ｒｐｃに対する深さＲｄｖの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が０．１０以上０．４０以下であることが摺擦メモリー特性の点から好ましい。電子写真感光体表面の凹形状部の短軸径Ｒｐｃに対する深さＲｄｖの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が、１．０より大きいと、当接部材と感光体の摺擦により生じるプラス電荷が感光体表面上で不均一に生じる。そのため本発明の凹形状部及び上記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物との組み合わせによるプラス電荷の低減効果が得られ難くなる。

本発明の電子写真感光体の表面には、上述の凹形状部の短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部を、電子写真感光体表面の１００μｍ四方あたり１００個以上有することが好ましい。特定の凹形状部を単位面積あたり多く有することにより、上記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物との相乗効果により良好な摺擦メモリー特性を有する電子写真感光体となる。更には、凹形状部の短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部を、１００μｍ四方あたり２５０個以上有することが好ましい。また、単位面積中に上記形状を満たさない凹形状部を有しても良い。なお、上記の１００μｍ四方の領域は、電子写真感光体の表面を感光体回転方向に４等分し、該感光体回転方向と直交する方向に２５等分して得られる計１００箇所の領域のそれぞれの中に、一辺１００μｍの正方形の領域を設けて測定している。

また、本発明の電子写真感光体における凹形状部の深さは、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の範囲内で任意であるが、凹形状部の深さＲｄｖが０．０１μｍ以上３．００μｍ以下であることが、良好な摺擦メモリー特性の点で好ましい。更には、凹形状部の深さＲｄｖが０．０２μｍ以上１．２０μｍ以下であることが、良好な摺擦メモリー特性の点で好ましい。

また、本発明の電子写真感光体の表面における、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部の配列は任意である。詳しくは、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部が、ランダムに配置されてもよいし、規則性を持って配置されてもよい。摺擦メモリー特性に対する表面の均一性を高める上では、規則性を持って配置されることが好ましい。

本発明において、電子写真感光体の表面の凹形状部は、例えば、市販のレーザー顕微鏡、光学顕微鏡、電子顕微鏡あるいは原子力間顕微鏡を用いて測定可能である。

レーザー顕微鏡としては、例えば、以下の機器が利用可能である。
・超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５５０、超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−９０００及び超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−９５００（いずれも（株）キーエンス社製）：
・表面形状測定システムＳｕｒｆａｃｅ Ｅｘｐｌｏｒｅｒ ＳＸ−５２０ＤＲ型機（（株）菱化システム社製）：
・走査型共焦点レーザー顕微鏡ＯＬＳ３０００（オリンパス（株）社製）
・リアルカラーコンフォーカル顕微鏡オプリテクスＣ１３０（レーザーテック（株）社製）。

光学顕微鏡としては、例えば、以下の機器が利用可能である。
・デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００及びデジタルマイクロスコープＶＨＸ−２００（いずれも（株）キーエンス社製）：
・３ＤデジタルマイクロスコープＶＣ−７７００（オムロン（株）社製）。

電子顕微鏡としては、例えば、以下の機器が利用可能である。
・３Ｄリアルサーフェスビュー顕微鏡ＶＥ−９８００及び３Ｄリアルサーフェスビュー顕微鏡ＶＥ−８８００（いずれも（株）キーエンス社製）：
・走査型電子顕微鏡コンベンショナル／Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＳＥＭ（エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）社製）：
・走査型電子顕微鏡ＳＵＰＥＲＳＣＡＮ ＳＳ−５５０（（株）島津製作所社製）。

原子力間顕微鏡としては、例えば、以下の機器が利用可能である。
・ナノスケールハイブリッド顕微鏡ＶＮ−８０００（（株）キーエンス社製）：
・走査型プローブ顕微鏡ＮａｎｏＮａｖｉステーション（エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）社製）：
・走査型プローブ顕微鏡ＳＰＭ−９６００（（株）島津製作所社製）。

上記顕微鏡を用いて、所定の倍率により、測定視野内の凹形状部の短軸径及び深さを計測することが出来る。更には、単位面積あたりの凹形状部の開孔部面積率を計算により求めることが出来る。

一例として、Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｘｐｌｏｒｅｒ ＳＸ−５２０ＤＲ型機による解析プログラムを利用した測定例について説明する。測定対象の電子写真感光体をワーク置き台に設置し、チルト調整して水平を合わせ、ウェーブモードで電子写真感光体の周面の３次元形状データを取り込む。その際、対物レンズの倍率を５０倍とし、１００μｍ×１００μｍ（１００００μｍ^２）の視野観察としてもよい。

次に、データ解析ソフト中の粒子解析プログラムを用いて電子写真感光体の表面の等高線データを表示する。

凹形状部の形状、短軸径、深さ及び開孔部面積のような凹形状部の孔解析パラメーターは、形成された凹形状部によって各々最適化することが出来る。例えば、短軸径１０μｍ程度の凹形状部の観察及び測定を行なう場合、短軸径上限を１５μｍ、短軸径下限を１μｍ、深さ下限を０．１μｍ及び体積下限を１μｍ^３以上としてもよい。そして、解析画面上で凹形状部と判別できる凹形状部の個数をカウントし、これを凹形状部の個数とする。

また、上記と同様の視野及び解析条件で、上記粒子解析プログラムを用いて求められる各凹形状部の開孔部面積の合計から凹形状部の合計開孔部面積を算出し、以下の式から凹形状部の開孔部面積率（以下、単に面積率と表記したものは、この開孔部面積率を示す）を算出することができる。
（凹形状部の合計開孔部面積／凹形状部の合計開孔部面積＋非凹形状部の合計面積）×１００［％］

本発明の電子写真感光体の表面には、上述の凹形状部の短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部を、凹形状部の開孔部面積率で１６％以上有することが良好な摺擦メモリー特性の点から好ましい。更には、凹形状部の短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部を、凹形状部の開孔部面積率で２０％以上５０％以下有することが良好な摺擦メモリー特性の点から好ましい。

なお、凹形状部の短軸径が１μｍ程度以下の凹形状部については、レーザー顕微鏡及び光学顕微鏡による観察が可能であるが、より測定精度を高める場合には、電子顕微鏡による観察及び測定を併用することが好ましい。

次に、本発明による電子写真感光体の表面の形成方法について説明する。表面形状の形成方法としては、上記の凹形状部に係る要件を満たし得る方法であれば、特に制限はない。電子写真感光体表面の形成方法の例としては、下記（ａ）乃至（ｃ）の方法が挙げられる。
（ａ）パルス幅が１００ｎｓ（ナノ秒）以下である出力特性を有するレーザー照射による電子写真感光体の表面の形成方法、
（ｂ）所定の形状を有するモールドを電子写真感光体の表面に圧接し形状転写を行なう表面の形成方法、
（ｃ）電子写真感光体の表面層形成時に表面を結露させた表面の形成方法。

（ａ）パルス幅が１００ｎｓ（ナノ秒）以下である出力特性を有するレーザー照射による電子写真感光体の表面の形成方法について説明する。この方法で用いるレーザーの具体的な例としては、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＦあるいはＸｅＣｌのようなガスをレーザー媒質とするエキシマレーザーや、チタンサファイアを媒質とするフェムト秒レーザーが挙げられる。更に、上記、レーザー照射における、レーザー光の波長は、１，０００ｎｍ以下であることが好ましい。

上記エキシマレーザーは、以下の工程で放出されるレーザー光である。まず、Ａｒ、Ｋｒ及びＸｅのような希ガスと、Ｆ及びＣｌのようなハロゲンガスとの混合気体に、例えば、放電、電子ビーム又はＸ線でエネルギーを与えて、上述の元素を励起して結合させる。その後、基底状態に落ちることで解離する際、エキシマレーザー光が放出される。上記エキシマレーザーにおいて用いるガスとしては、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ及びＸｅＦが挙げられるが、いずれを用いてもよい。特には、ＫｒＦ、ＡｒＦが好ましい。

凹形状部の形成方法としては、図３に示されているレーザー光遮蔽部ａとレーザー光透過部ｂとを適宣配列したマスクを使用する。マスクを透過したレーザー光のみがレンズで集光され、電子写真感光体の表面に照射されることにより、所望の形状と配列を有した凹形状部の形成が可能となる。上記レーザー照射による電子写真感光体の表面の形成方法では、一定面積内の多数の凹形状部を、凹形状部の形状あるいは面積に関わらず瞬時に、かつ同時に加工できるため、表面形成工程は短時間ですむ。マスクを用いたレーザー照射により、１回照射当たり電子写真感光体の表面の数ｍｍ^２から数ｃｍ^２の領域が加工される。レーザー加工においては、図４に示すように、まず、ワーク回転用モーターｄにより電子写真感光体を自転させる。自転させながら、ワーク移動装置ｅにより、レーザー照射位置を電子写真感光体の軸方向上にずらしていくことにより、電子写真感光体の表面全域に効率良く凹形状部を形成することができる。

上記レーザー照射による電子写真感光体の表面の形成方法により、表面層に複数の各々独立した凹形状部を有することができる。そして更に、凹形状部の短軸径をＲｐｃ及び凹形状部の最深部と開孔面との距離を示す深さをＲｄｖとした場合に、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部を有する電子写真感光体を作製することができる。凹形状部の深さは、上記範囲内で任意であり、レーザー照射による電子写真感光体の表面を形成する場合は、レーザー照射時間、回数のような製造条件の調整で、凹形状部の深さは制御できる。製造上の精度あるいは生産性の観点から、レーザー照射による電子写真感光体の表面を形成する場合は、一回の照射による凹形状部の深さは０．０１μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましく、更には０．０１μｍ以上１．２μｍ以下であることが好ましい。レーザー照射による電子写真感光体の表面の形成方法を用いることにより、凹形状部の大きさ、形状及び配列の制御性が高く、高精度且つ自由度の高い電子写真感光体の表面加工が実現できる。

また、レーザー照射による電子写真感光体の表面の形成方法では、同じマスクパターンを用いて上記の表面の形成方法を複数の部位あるいは感光体表面全域に施されてもよい。この方法により、感光体表面全体に均一性の高い凹形状部を形成することができる。その結果、電子写真感光体と帯電部材やクリーニングブレードとの当接部における摺擦メモリー低減効果は均一となる。また、図５に示すように、感光体の任意の周方向線上に、凹形状部ｈ及び凹形状非形成部ｇの双方が存在する配列となるようにマスクパターンを形成することにより、摺擦メモリーの偏在は一層防止できる。

次に、（ｂ）所定の形状を有するモールドを電子写真感光体の表面に圧接し形状転写を行なう表面の形成方法について説明する。

図６は、本発明におけるモールドによる圧接形状転写加工装置の概略図の例を示す図である。加圧及び解除が繰り返し行なえる加圧装置Ａに所定のモールドＢを取り付けた後、感光体Ｃに対して所定の圧力でモールドを当接させ形状転写を行なう。その後、加圧を一旦解除し、感光体Ｃを回転させた後に、再度加圧そして形状転写工程を行なう。この工程を繰り返すことにより、感光体全周にわたって所定の凹形状部を形成することが可能である。

また、例えば図７のように、加圧装置Ａに感光体Ｃの全周長程度の所定形状を有するモールドＢを取り付けた後、感光体Ｃに対して所定の圧力をかけながら、感光体を回転、移動させることにより、感光体全周にわたって所定の凹形状部を形成してもよい。

また、シート状のモールドをロール状の加圧装置と感光体との間に挟み、モールドシートを送りながら表面加工することも可能である。

また、形状転写を効率的に行なう目的で、モールドや感光体を加熱してもよい。モールド及び感光体の加熱温度は、本発明の形状が形成できる範囲で任意であるが、形状転写時のモールドの温度（℃）を支持体上の感光層のガラス転移温度（℃）より高くするように加熱されていることが好ましい。更には、モールドの加熱に加えて、形状転写時の支持体の温度（℃）を感光層のガラス転移温度（℃）より低く制御されていることが、感光体表面に転写された凹形状部を安定的に形成するうえで好ましい。

モールド自体の材質や大きさ、形状は適宜選択することが出来る。材質としては、微細表面加工された金属及びシリコンウエハーの表面にレジストによりパターニングをしたもの、微粒子が分散された樹脂フィルム及び所定の微細表面形状を有する樹脂フィルムに金属コーティングされたものが挙げられる。モールド形状の一例を図８に示す。

また、感光体に対して圧力の均一性を付与する目的で、モールドと加圧装置との間に弾性体を設けてもよい。

上記、所定の形状を有するモールドを電子写真感光体の表面に圧接し形状転写を行なう表面の形成方法により、表面層に複数の各々独立した凹形状部を有することができる。そして更に、凹形状部の短軸径をＲｐｃ及び凹形状部の最深部と開孔面との距離を示す深さをＲｄｖとした場合に、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部を有する電子写真感光体を作製することができる。凹形状部の深さは、上記範囲内で任意であるが、所定の形状を有するモールドを電子写真感光体の表面に圧接し形状転写を行なう表面の形成を行う場合は、深さは０．０１μｍ以上３．００μｍ以下とすることが好ましい。所定の形状を有するモールドを電子写真感光体の表面に圧接し形状転写を行なう表面の形成方法を用いることにより、凹形状部の大きさ、形状及び配列の制御性が高く、高精度且つ自由度の高い電子写真感光体の表面加工が実現できる。

次に、（ｃ）電子写真感光体の表面層形成時に表面を結露させた表面の形成方法を説明する。

電子写真感光体の表面層形成時に表面を結露させた表面の形成方法とは、下記の（ア）乃至（ウ）の工程
（ア）結着樹脂及び特定の芳香族有機溶剤を含有し、芳香族有機溶剤の含有量が表面層用塗布液中の全溶剤質量に対し５０質量％以上８０質量％以下で含有する表面層用塗布液を作製し、該塗布液を塗布する塗布工程、
（イ）該塗布液を塗布された支持体を保持し、該塗布液を塗布された支持体の表面を結露させた支持体保持工程、
（ウ）支持体を加熱乾燥する乾燥工程、
により表面に各々独立した凹形状部が形成された表面層を作製することを特徴とする。

上記、結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、アルキッド樹脂及び不飽和樹脂が挙げられる。特には、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−アクリロニトリル共重合体樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂あるいはジアリルフタレート樹脂が好ましい。更には、ポリカーボネート樹脂あるいはポリアリレート樹脂であることが好ましい。これらは、単独、混合又は共重合体として１種又は２種以上用いることができる。

上記、特定の芳香族有機溶剤は、水に対して親和性の低い溶剤である。具体的には、１，２−ジメチルベンゼン、１，３−ジメチルベンゼン、１，４−ジメチルベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼンあるいはクロロベンゼンが挙げられる。

上記、表面層塗布液中に、芳香族有機溶剤を含有していることが重要であるが、凹形状部を安定的に作製する目的で、表面層塗布液中に、更に水との親和性の高い有機溶剤あるいは水を表面層用塗布液中に含有してもよい。水との親和性の高い有機溶剤としては、下記のものが挙げられる。
・（メチルスルフィニル）メタン（慣用名：ジメチルスルホキシド）、
・チオラン−１，１−ジオン（慣用名：スルホラン）、
・Ｎ，Ｎ−ジメチルカルボキシアミド、
・Ｎ，Ｎ−ジエチルカルボキシアミド、
・ジメチルアセトアミド、
・１−メチルピロリジン−２−オン。
これらの有機溶剤は、単独で含有することも、２種以上混合して含有することができる。

上記、支持体の表面を結露させた支持体保持工程とは、表面層塗布液を塗布された支持体を、支持体の表面が結露する雰囲気下に一定時間保持する工程を示す。この表面形成方法における結露とは、水の作用により表面層塗布液を塗布された支持体に液滴が形成されたことを指す。支持体の表面を結露させる条件は、支持体を保持する雰囲気の相対湿度及び塗布液溶剤の揮発条件（例えば気化熱）によって影響される。しかしながら、表面層塗布液中に、芳香族有機溶剤を全溶剤質量に対し５０質量％以上含有しているため、塗布液溶剤の揮発条件の影響は少なく、支持体を保持する雰囲気の相対湿度に主に依存する。支持体の表面を結露させる相対湿度は、４０％以上１００％以下である。更に相対湿度７０％以上であることが好ましい。支持体保持工程には、結露による液滴形成が行われるのに必要な時間があればよい。生産性の観点から好ましくは１秒以上３００秒以下であり、更には１０秒以上１８０秒以下であることが好ましい。支持体保持工程には、相対湿度が重要であるが、雰囲気温度としては２０℃以上８０℃以下であることが好ましい。

上記、加熱乾燥する乾燥工程により、支持体保持工程によって表面に生じた液滴を、感光体表面の凹形状部として形成できる。均一性の高い凹形状部を形成するためには、速やかな乾燥であることが重要であるため、加熱乾燥が行われる。乾燥工程における乾燥温度は、１００℃以上１５０℃以下であることが好ましい。加熱乾燥する乾燥工程時間は、支持体上に塗布された塗布液中の溶剤及び結露工程によって形成した水滴が除去される時間があればよい。乾燥工程時間は、２０分以上１２０分以下であることが好ましく、更には４０分以上１００分以下であることが好ましい。

上記、電子写真感光体の表面層形成時に表面を結露させた表面の形成方法により、感光体の表面には、各々独立した凹形状部が形成される。電子写真感光体の表面層形成時に表面を結露させた表面の形成方法は、水の作用により形成される液滴を、水との親和性の低い溶剤及び結着樹脂を用いて凹形状部を形成する方法である。この製造方法により作製された電子写真感光体表面に形成された凹形状部の個々の形は、水の凝集力により形成されるため、均一性の高い凹形状部となっている。この製造方法は、液滴あるいは液滴が十分に成長した状態から液滴を除去する工程を経る製造方法であるため、電子写真感光体の表面の凹形状部は、例えば、液滴形状あるいはハニカム形状（六角形状）の凹形状部が形成される。液滴形状の凹形状部とは、感光体表面の観察では、例えば、円形状あるいは楕円形状に観察される凹形状部であり、感光体断面の観察では、例えば、部分円状あるいは部分楕円状に観察される凹形状部を示す。また、ハニカム形状（六角形状）の凹形状部とは、例えば、電子写真感光体の表面に液滴が最密充填されたことにより形成された凹形状部である。具体的には、感光体表面の観察では、例えば、凹形状部が円状、六角形状あるいは角の円い六角形状であり、感光体断面の観察では、例えば、部分円状あるいは角柱のような凹形状部を示す。

電子写真感光体の表面層形成時に表面を結露させた表面の形成方法により、表面層に複数の各々独立した凹形状部を有することができる。そして更に、凹形状部の短軸径をＲｐｃ及び凹形状部の最深部と開孔面との距離を示す深さをＲｄｖとした場合に、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部を有する電子写真感光体を作製することができる。凹形状部の深さは、上記範囲内で任意であるが、個々の凹形状部の深さが、０．０１μｍ以上３．００μｍ以下となる製造条件であることが好ましい。

上記、凹形状部は、製造方法で示した範囲内で製造条件の調整を行うことにより制御可能である。凹形状部は、例えば、本明細書に記載の表面層塗布液中の溶剤種、溶剤含有量、支持体保持工程における相対湿度、保持工程における保持時間、加熱乾燥温度により制御可能である。

次に本発明の電子写真感光体の表面層に用いる化合物について説明する。

本発明の電子写真感光体の表面層に含有される化合物は、下記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物である。

上記式（１）中、Ｒｆ^１１は、少なくとも１つのフルオロアルキル基又はフルオロアルキレン基を有する基である。またＲ^１１は、アルキレン基又はアリーレン基を含む基又は単結合である。

先に述べたように、上記式（１）で示すＲｆ^１１のフルオロアルキル基あるいはフルオロアルキレン基の低い分子間力によりＲｆ^１１部位が感光体表面近傍に均一に存在すると考えられる。このＲｆ^１１のフッ素原子の強い電気陰性度により感光体表面にマイナス分極した電荷の偏りが生じていると考えられ、凹形状部を有する表面積の大きい感光体表面に発生し拡散した状態にあるプラス電荷を効果的に低減できると考えられる。

更に、上記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含有する化合物としては、下記式（２）又は（３）に示される繰り返し単位を有する化合物であることがより好ましい。

上記式（２）中、Ｒ^２２は、置換又は無置換の一価の炭化水素基である。また、Ｒｆ^２１は、少なくとも１つのフルオロアルキル基あるいはフルオロアルキレン基を有する基である。またＲ^２１は、単結合、アルキレン基又はアリーレン基である。またＸ^２１は、エステル結合を含む基もしくは単結合である。

上記式（３）中、Ｒ^３２は、置換又は無置換の一価の炭化水素基である。またＲｆ^３１は、少なくとも１つのフルオロアルキル基あるいはフルオロアルキレン基を有する基である。またＲ^３１は、単結合、アルキレン基又はアリーレン基である。またＸ^３１は、エステル結合を含む基もしくは単結合である。

ここで上述のＲｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１について説明する。Ｒｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１は、少なくとも１つのフルオロアルキル基又はフルオロアルキレン基を有する基を示す。このフルオロアルキル基又はフルオロアルキレン基は、最も長い結合鎖に含まれていてもよいし、側鎖を構成する部位に含まれていてもよい。本発明の効果を得るためには、少なくとも１つのフルオロアルキル基又はフルオロアルキレン基が含まれていることが必要である。

フルオロアルキル基としては、下記のものが挙げられる。

フルオロアルキレン基としては、下記のものが挙げられる。

Ｒｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１は、少なくとも１つのフルオロアルキル基、又はフルオロアルキレン基を有していれば特に制約はなく本発明の効果が得られるが、以下により好ましい構造について説明する。

まず、Ｒｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１は、炭素−炭素結合による分岐構造を有する一価の基が好ましい。以下に例を挙げる。

またＲｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１は、下記の構造もしくは一価の基が好ましい。
・少なくともフッ素原子を有するアルキル基とフッ素原子を有するアルキレン基が酸素により結合した構造、
・フッ素原子を有するアルキレン基とフッ素原子を有するアルキレン基が酸素により結合した構造を有する一価の基。

以下に、これら構造もしくは一価の基の例を挙げる。

更にＲｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１は、炭素数４乃至６のペルフルオロアルキル基であることが好ましい。以下に例を挙げる。

上記炭素数４のフルオロアルキル基を含む繰り返し単位を有する化合物と炭素数６のフルオロアルキル基を含む繰り返し単位を有する化合物が、該化合物中のフッ素を有する繰り返し単位の総数に対して９５％以上であることが好ましい。

上記にＲｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１の好ましい例を挙げた。その理由は明らかではないが、以下のように推測している。即ち、これらのＲｆ部位を有することにより溶液や分散液において上記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物がミセルを形成し難くなり、より均一にＲｆ部位が感光体表面層に存在でき、摺擦により発生したプラス電位を緩和できると考えている。

次に、上述のＲ^１１、Ｒ^２１及びＲ^３１について説明する。Ｒ^１１、Ｒ^２１及びＲ^３１は、アルキレン基又はアリーレン基を含む基又は単結合である。アルキレン基の主鎖骨格としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基といったアルキレン基が挙げられる。中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基又はブチレン基が好ましい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニレン基が挙げられる。中でもフェニレン基が好ましい。

Ｒ^１１、Ｒ^２１及びＲ^３１は、アルキレン基又はアリーレン基又は単結合であれば特に制約はなく本発明の効果が得られるが、以下により好ましい構造について説明する。

まず、Ｒ^１１、Ｒ^２１及びＲ^３１が炭素−炭素結合による分岐構造を有するアルキレン基であることが好ましい。炭素−炭素結合による分岐構造を有するアルキレン基としては、少なくとも一つの側鎖アルキル基を置換基に有するアルキレン基が挙げられる。炭素−炭素結合による分岐構造を有するアルキレン基の主鎖構造としてはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基及びヘキシレン基といったアルキレン基が挙げられる。中でも、メチレン基、エチレン基及びプロピレン基が好ましい。側鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基といったアルキル基が挙げられる。中でも、メチル基及びエチル基が好ましくい。

以下に例を挙げる。

また、Ｒ^１１、Ｒ^２１及びＲ^３１は、下記式（５）に示される２価の基であることが好ましい。

上記式（５）中、Ａｒ^５１はアリーレン基を示す。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニレン基が挙げられる。中でもフェニレン基が好ましい。

Ｒ^５１は単結合又はアルキレン基を示す。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基といった直鎖アルキレン基；あるいは、イソプロピレン基、イソブチレン基といった分岐アルキレン基が挙げられる。中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基又はブチレン基が好ましい。

以下に、式（５）に示される２価の基の例を挙げる。

上記にＲ^１１、Ｒ^２１及びＲ^３１の好ましい例を挙げた。これらが好ましい理由は明らかではないが、本発明者らは以下のように推測している。即ち、これらのＲ部位を有することにより溶液や分散液において上記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物がミセルを形成し難くなり、より均一にＲｆ部位が感光体表面層に存在でき、摺擦により発生したプラス電位を緩和できると考えている。

次に、上述のＲ^２２、Ｒ^３２について説明する。

Ｒ^２２及びＲ^３２は、水素原子もしくは置換又は無置換の１価の炭化水素基を示す。特に置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアリールアルケニル基等が挙げられる。これらの基の炭素原子数は１以上３０以下であることが好ましく、メチル基、フェニル基がより好ましい。

上記式（１）で示される基を有する繰り返し単位を含む化合物又は上記式（２）乃至（３）で示される繰り返し単位を含む化合物は、表面層の結着樹脂と親和性のある構造も下記式（６）で示される基を有する繰り返し単位を構造中に持たせることがより好ましい。

上記式（６）中、Ｙ^６１は二価の有機基である。またＺ^６１は重合体ユニットである。

Ｒｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１を含まない上記式（６）で示される重合ユニットを化合物中に持たせることは下記の点で好ましい。上記式（６）で示される重合ユニットの結着樹脂との親和性により、主にＲｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１部位が感光体表面近傍に均一に存在し且つ結着樹脂と相溶した感光体表面層を形成すると考えられる。

更に、上記式（６）に示される基を有する繰り返し単位としては、下記式（７）又は（８）であることがより好ましい。

上記式（７）中、Ｒ^７１は水素原子又はメチル基である。またＹ^７１は二価の有機基である。またＺ^７１は重合体ユニットである

上記式（８）中、Ｒ^８１は水素原子又はメチル基である。またＹ^８１は二価の有機基である。またＺ^８１は重合体ユニットである。

まず、上記式（６）乃至（８）に含まれるＺ^６１、Ｚ^７１及びＺ^８１について説明する。

Ｚ^６１、Ｚ^７１及びＺ^８１は、表面層の結着樹脂と良好な相溶性を示せば特に制約はなく本発明の効果が得られるが、アルキルアクリレート構造、アルキルメタクリレート構造、スチレン構造の繰り返し単位からなる重合体が特に好ましい。

アルキルアクリレート構造、アルキルメタクリレート構造としては、下記式（９）又は（１０）に示される繰り返し単位がより好ましい。

上記式（９）中、Ｒ^９１は、アルキル基を示す。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基又はノニル基が挙げられるが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基又はヘキシル基であることが好ましい。

上記式（１０）中、Ｒ^９２は、アルキル基を示す。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基又はノニル基が挙げられるが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基又はヘキシル基であることが好ましい。

スチレン構造としては、下記式（１１）に示される繰り返し単位がより好ましい。

上記式（１１）中、Ｒ^９３は、置換又は無置換の２価の炭化水素基を示す。Ｒ^９４、Ｒ^９５は、それぞれ独立に、置換又は無置換のアルキル基、又は、置換又は無置換のアリール基を示す。Ｗ^９１は、重合度３以上の置換又は無置換のポリスチレン鎖を示す。Ｒ^９６は、置換又は無置換のアルキル基、又は、置換又は無置換のアリール基を示す。ｂは、０又は１を示す。

上記各基が有してもよい置換基としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子や、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基や、フェニル基等のアリール基等が挙げられる。

Ｚ^６１、Ｚ^７１及びＺ^８１で示される重合体ユニットの末端は、末端停止剤を使用してもよいし、水素原子を有していてもよい。

次に、上記式（６）乃至（８）に含まれるＹ^６１、Ｙ^７１及びＹ^８１について説明する。Ｙ^６１、Ｙ^７１及びＹ^８１は、二価の有機基であり、二価の有機基であれば任意であるが、下記式（ａ）で示される構造であることが好ましい。

上記式（ａ）中、Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立にアルキレン基を示す。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基又はヘキシレン基が挙げられるが、好ましくはメチレン基、エチレン基又はプロピレン基である。これらのアルキレン基が有する置換基としては、アルキル基、アルコキシル基、水酸基又はアリール基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基が挙げられるが、メチル基又はエチル基であることが好ましい。アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシル基が挙げられるが、メトキシ基であることが好ましい。アリール基としては、フェニル基又はナフチル基が挙げられるが、フェニル基であることが好ましい。これらの中でも、メチル基又は水酸基であることが好ましい。

先にも述べたが、特定構造の繰り返し単位を有する上記化合物は、フルオロアルキル基あるいはフルオロアルキレン基に由来する部位と、表面層の結着樹脂と親和性のある部位の双方を化合物中に備える構造が好ましい。上記式（１）で示される基を有する繰り返し単位と上記式（６）で示される基を有する繰り返し単位との共重合の形態は任意である。好ましくは、フルオロアルキル部位あるいはフルオロアルキレン部位がより効果的に機能を発現するために、上記式（６）で示される基を有する繰り返し単位を枝位置に有する櫛型グラフト構造がより好ましい。

上記式（１）で示される基を有する繰り返し単位を含む化合物の分子量は、重量平均分子量において、１，０００以上２００，０００以下であることが好ましく、更には、５，０００以上５０，０００以下であることが好ましい。

次に、本発明による電子写真感光体の構成について説明する。

上記のとおり、本発明の電子写真感光体は、支持体と、該支持体上に設けられた有機感光層（以下、単に「感光層」ともいう。）とを有する。本発明による電子写真感光体は、一般的には、円筒状支持体上に感光層を形成した円筒状有機電子写真感光体が広く用いられるが、ベルト状或いはシート状等の形状も可能である。

感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と正孔輸送物質を含有する電荷輸送層とに分離した積層型（機能分離型）感光層が好ましい。また、積層型感光層は、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した順層型感光層が好ましい。また、電荷発生層を積層構造としてもよく、また、電荷輸送層を積層構成としてもよい。更に、耐久性能向上等を目的とし感光層上に保護層を設けることも可能である。

支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金又はステンレスのような金属製の支持体を用いることができる。アルミニウム又はアルミニウム合金の場合は、ＥＤ管及びＩ管の引き抜き管や、これらを切削、電解複合研磨（電解作用を有する電極と電解質溶液による電解及び研磨作用を有する砥石による研磨）、湿式又は乾式ホーニング処理したものも用いることができる。また、アルミニウム、アルミニウム合金又は酸化インジウム−酸化スズ合金を真空蒸着によって被膜形成された層を有する上記金属製支持体や樹脂製支持体を用いることもできる。樹脂製支持体としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、フェノール樹脂、ポリプロピレン又はポリスチレン樹脂が挙げられる。また、カーボンブラック、酸化スズ粒子、酸化チタン粒子又は銀粒子のような導電性粒子を樹脂や紙に含浸した支持体や、導電性結着樹脂を有するプラスチックを用いることもできる。

支持体の表面は、レーザー光等の散乱による干渉縞の防止等を目的として、切削処理、粗面化処理、アルマイト処理等を施してもよい。

支持体の体積抵抗率は、支持体の表面が導電性を付与するために設けられた層である場合、その層の体積抵抗率は、１×１０^１０Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、特には１×１０^６Ω・ｃｍ以下であることがより好ましい。

支持体と、後述の中間層又は感光層（電荷発生層、電荷輸送層）との間には、レーザー光等の散乱による干渉縞の防止や、支持体の傷の被覆を目的とした導電層を設けてもよい。これは導電性粉体を適当な結着樹脂に分散させた塗布液を塗工することにより形成される層である。

このような導電性粉体としては、以下のようなものが挙げられる。
・カーボンブラック、アセチレンブラック；
・アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛又は銀のような金属粉；
・導電性酸化スズ又はＩＴＯのような金属酸化物粉体。

また、同時に用いられる結着樹脂としては、熱可塑樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹が挙げられる。例えは、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデンが挙げられる。また、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールが挙げられる。更に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂又はアルキッド樹脂が挙げられる。

導電層は、上記導電性粉体と結着樹脂を、下記に示される溶剤に分散し、又は溶解し、これを塗布することにより形成することができる。
・テトラヒドロフラン又はエチレングリコールジメチルエーテルのようなエーテル系溶剤；
・メタノールのようなアルコール系溶剤；
・メチルエチルケトンのようなケトン系溶剤；
・トルエンのような芳香族炭化水素溶剤。

導電層の平均膜厚は０．２μｍ以上４０μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましく、更には５μｍ以上３０μｍ以下であることがより一層好ましい。導電性顔料や抵抗調節顔料を分散させた導電層は、その表面が粗面化される傾向にある。

支持体又は導電層と、感光層（電荷発生層、電荷輸送層）との間には、バリア機能や接着機能を有する中間層を設けてもよい。中間層は、例えば、感光層の接着性改良、塗工性改良、支持体からの電荷注入性改良、感光層の電気的破壊に対する保護のために形成される。

中間層は、硬化性樹脂を塗布後硬化させて樹脂層を形成する、あるいは、結着樹脂を含有する中間層用塗布液を導電層上に塗布し、乾燥することによって形成することができる。

中間層の結着樹脂としては、以下のものが挙げられる。
・ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリアクリル酸類、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリグルタミン酸又はカゼインのような水溶性樹脂；
・ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂又はポリグルタミン酸エステル樹脂。

電気的バリア性を効果的に発現させるためには、また、塗工性、密着性、耐溶剤性及び抵抗のような観点から、中間層の結着樹脂は熱可塑性樹脂が好ましい。具体的には、熱可塑性ポリアミド樹脂が好ましい。ポリアミド樹脂としては、溶液状態で塗布できるような低結晶性又は非結晶性の共重合ナイロンが好ましい。中間層の平均膜厚は、０．０５μｍ以上７μｍ以下であることが好ましく、更には０．１μｍ以上２μｍ以下であることがより好ましい。

また、中間層において電荷（キャリア）の流れが滞らないようにするために、中間層中に、半導電性粒子を分散させる、あるいは、電子輸送物質（アクセプターのような電子受容性物質）を含有させてもよい。

次に、本発明における感光層について説明する。

本発明の電子写真感光体に用いられる電荷発生物質としては、以下のものが挙げられる。
・モノアゾ、ジスアゾ又はトリスアゾのようなアゾ顔料；
・金属フタロシアニン又は非金属フタロシアニンのようなフタロシアニン顔料；
・インジゴ又はチオインジゴのようなインジゴ顔料；
・ペリレン酸無水物又はペリレン酸イミドのようなペリレン顔料；
・アンスラキノン又はピレンキノンのような多環キノン顔料；
・スクワリリウム色素、ピリリウム塩又はチアピリリウム塩、トリフェニルメタン色素；
・セレン、セレン−テルル又はアモルファスシリコンのような無機物質；
・キナクリドン顔料、アズレニウム塩顔料、シアニン染料、キサンテン色素、キノンイミン色素又はスチリル色素。
これら電荷発生材料は、１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。これらの中でも、特にオキシチタニウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンあるいはクロロガリウムフタロシアニンのような金属フタロシアニンは、高感度であるため、好ましい。

感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ジアリルフタレート樹脂が挙げられる。また、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂又は塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂が挙げられる。特には、ブチラール樹脂が好ましい。これらは、単独、混合又は共重合体として１種又は２種以上用いることができる。

電荷発生層は、電荷発生物質を結着樹脂及び溶剤と共に分散して得られる電荷発生層用塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。また、電荷発生層は、電荷発生物質の蒸着膜としてもよい。分散方法としては、ホモジナイザー、超音波、ボールミル、サンドミル、アトライター又はロールミルを用いた方法が挙げられる。電荷発生物質と結着樹脂との割合は、質量比で１０：１乃至１：１０の範囲が好ましく、特には３：１乃至１：１の範囲がより好ましい。

電荷発生層用塗布液に用いる溶剤は、使用する結着樹脂や電荷発生物質の溶解性や分散安定性から選択される。有機溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤又は芳香族炭化水素溶剤が挙げられる。

電荷発生層の平均膜厚は５μｍ以下であることが好ましく、特には０．１μｍ以上２μｍ以下であることがより好ましい。

また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤及び／又は可塑剤を必要に応じて添加することもできる。また、電荷発生層において電荷（キャリア）の流れが滞らないようにするために、電荷発生層には、電子輸送物質（アクセプターのような電子受容性物質）を含有させてもよい。

本発明の電子写真感光体に用いられる電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリルメタン化合物が挙げられる。これら電荷輸送物質は、１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。

電荷輸送層は、正孔輸送物質と結着樹脂とを溶剤に溶解させることによって得られる電荷輸送層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。また、上記正孔輸送物質のうち単独で成膜性を有するものは、結着樹脂を用いずにそれ単独で成膜し、電荷輸送層とすることもできる。

感光層が積層型感光層である場合、電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、以下のものが挙げられる。アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、アルキッド樹脂又は不飽和樹脂。特には、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−アクリロニトリル共重合体樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂又はジアリルフタレート樹脂が好ましい。これらは、単独、混合又は共重合体として１種又は２種以上用いることができる。

電荷輸送層は、正孔輸送物質と結着樹脂を溶剤に溶解して得られる電荷輸送層用塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。正孔輸送物質と結着樹脂との割合は、質量比で２：１乃至１：２の範囲が好ましい。

電荷輸送層用塗布液に用いる溶剤としては、以下のものが挙げられる。
・アセトン又はメチルエチルケトンのようなケトン系溶剤；
・酢酸メチル又は酢酸エチルのようなエステル系溶剤；
・テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジメトキシメタン又はジメトキシエタンのようなエーテル系溶剤；
・トルエン、キシレン又はクロロベンゼンのような芳香族炭化水素溶剤。
これら溶剤は、単独で使用してもよいが、２種類以上を混合して使用してもよい。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤又は芳香族炭化水素溶剤を使用することが、樹脂溶解性のような観点から好ましい。

電荷輸送層の平均膜厚は５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、特には１０μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましい。

また、電荷輸送層には、例えば酸化防止剤、紫外線吸収剤及び／又は可塑剤を必要に応じて添加することもできる。

電荷輸送層が最表面層である場合、本願効果を得るために上記式（１）で示される繰り返し単位を有する化合物を電荷輸送層形成用の塗布液に含有させる。含有量は、電荷輸送材と結着樹脂の合計量に対して、０．０１質量％以上２０．０質量％以下、より好ましくは０．１質量％以上５．０質量％以下の範囲であることが、電子写真特性への弊害がほとんど無く、効果的な含有量である。

本発明の電子写真感光体の各層には各種添加剤を添加することができる。添加剤としては、酸化防止剤や紫外線吸収剤等の劣化防止剤や、フッ素原子含有樹脂粒子等の潤滑剤等が挙げられる。

本発明の電子写真感光体は、上記の通り、特定の凹形状部を電子写真感光体の表面に有する。本発明の凹形状部は、特定の正孔輸送物質を有する感光体に適用したときに効果的に作用する。

次に、本発明によるプロセスカートリッジ及び電子写真装置について説明する。図９は、本発明による電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。

図９において、円筒状の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。

回転駆動される該電子写真感光体１の表面は、帯電手段（一次帯電手段：例えば帯電ローラー）３により、正又は負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光のような露光手段（不図示）から出力される露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。

電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（例えば転写ローラー）６からの転写バイアスによって、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に電子写真感光体１の回転と同期して給送された転写材（例えば紙）Ｐに順次転写されていく。

トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。

トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（例えばクリーニングブレード）７によって転写残りの現像剤（トナー）の除去を受けて清浄面化される。更に、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図９に示すように、帯電手段３が、例えば帯電ローラーを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。

上記の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段７の構成要素のうち、複数のものを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成してもよい。また、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターのような電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図９では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールのような案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。

以下に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を、「％」は「質量％」を意味する。

（合成例１：化合物（１−２）で示される化合物の合成）
脱気したオートクレーブに、下記式（１−１）で示されるヨウ素化物０．５部

及びイオン交換水２０部を仕込んだ後、３００℃に昇温させ、ゲージ圧力９．２ＭＰａで４時間かけてヨウ素のヒドロキシル基への転化反応を行った。反応終了後、反応混合物に、ジエチルエーテル２０部を入れた。２層分離後、エーテル層に硫酸マグネシウム０．２部を入れ、次に硫酸マグネシウムをろ過により除去しヒドロキシル化合物を得た。このヒドロキシル化合物をカラムクロマトグラフィーにより主成分以外を分離し、除去した。次に、撹拌装置、コンデンサー及び温度計を備えたガラスフラスコに、先に得られたヒドロキシル化合物１００部、アクリル酸５０部、ハイドロキノン５部、ｐ−トルエンスルホン酸５部、トルエン２００部を仕込んだ。その後、１１０℃に昇温させ、原料のヒドロキシル化合物が無くなるまで反応を継続した。反応終了後、トルエン２００部で希釈後、水酸化ナトリウム水溶液にて２回水洗を行った後、更に、イオン交換水により水洗を３回繰り返した。その後、減圧下にトルエンを留去することにより、生成物を得た。得られた生成物の同定を^１Ｈ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲにより行い、ガスクロマトグラフィにより生成物の定量行った結果、下記式（１−２）で示される化合物が主成分であった。

（合成例２：化合物（２−２）で示される化合物の合成）
合成例１に記載の上記式（１−１）で示されるヨウ素化物に変えて、下記式（２−１）で示されるヨウ素化物

を用いた以外は合成例１と同様に反応させ、下記式（２−２）で示される化合物が主成分である生成物を得た。

（合成例３：化合物（３−２）で示される化合物の合成）
合成例１に記載の上記式（１−１）で示されるヨウ素化物に変えて、下記式（３−１）で示されるヨウ素化物

を用いた以外は合成例１と同様に反応させ、下記式（３−２）で示される化合物が主成分である生成物を得た。

（合成例４：化合物（４−２）で示される化合物の合成）
合成例１に記載の上記式（１−１）で示されるヨウ素化物に変えて、下記式（４−１）で示されるヨウ素化物

を用いた以外は合成例１と同様に反応させ、下記式（４−２）で示される化合物が主成分である生成物を得た。

（合成例５：化合物（５−２）で示される化合物の合成）
合成例１に記載の上記式（１−１）で示されるヨウ素化物に変えて、下記式（５−１）で示されるヨウ素化物

を用いた以外は合成例１と同様に反応させ、下記式（５−２）で示される化合物が主成分である生成物を得た。

（合成例６：化合物（６−２）で示される化合物の合成）
合成例１に記載の上記式（１−１）で示されるヨウ素化物に変えて、下記式（６−１）で示されるヨウ素化物

を用いた以外は合成例１と同様に反応させ、下記式（６−２）で示される化合物が主成分である生成物を得た。

（合成例７：化合物（７−２）で示される化合物の合成）
合成例１に記載の上記式（１−１）で示されるヨウ素化物に変えて、下記式（７−１）で示されるヨウ素化物

を用いた以外は合成例１と同様に反応させ、下記式（７−２）で示される化合物が主成分である生成物を得た。

［製造例１：化合物（１−３）の製造］
撹拌機、環流冷却器、滴下ロート、温度計及びガス吹込口を取り付けたガラスフラスコに、メチルメタクリレート（以下ＭＭＡと略記する）１０部と、アセトン（１７．５％）−トルエン混合溶媒０．３部を仕込んだ。窒素ガス導入後、環流下に重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル（以下ＡＩＢＮと略記する）０．５部と連鎖移動剤としてチオグリコール酸０．３２部を加えて重合を開始させた。その後４．５時間の間に、ＭＭＡ９０部を連続的に滴下し、またチオグリコール酸２．０８部をトルエン７部に溶解して、３０分毎、９回に分けて追加、同様にＡＩＢＮ１．５部を１．５時間毎、３回に分けて追加し、重合を行なった。更にその後２時間環流して重合を終了し、下記式（ｂ）で示されるポリマー溶液を得た。

反応温度は７７℃以上８７℃以下であった。反応液の一部をｎ−ヘキサンにて再沈澱、乾燥して酸価を測定したところ、０．３４ｍｇ当量／ｇであった。繰り返し単位の平均繰り返し回数は、およそ８０であった。

次に、上記反応液からアセトンの一部を留去した後、触媒としてトリエチルアミン０．５％、重合禁止剤としてハイドロキノンモノメチルエーテル２００ｐｐｍを添加した。その後、ポリマーの酸価に対して１．２倍モルのグリシジルメタクリレートを加え、環流下（約１１０℃）にて１１時間反応させた。反応液を１０倍量のｎ−ヘキサン中に投入、沈澱させた後、８０℃で減圧乾燥して、下記式（ｃ）で示される化合物９０部を得た。

繰り返し単位の平均繰り返し回数は、およそ８０であった。

次に、撹拌機、環流冷却器、滴下ロート、温度計及びガス吹込口を取り付けたガラスフラスコに、
・上記式（ｃ）で示される化合物 ７０部、
・合成例１で得られた上記式（１−２）で示される化合物が主成分である生成物 ３０部、
・トリフルオロトルエン ２７０部、
・ＡＩＢＮ ０．３５部、
を仕込み、窒素ガス導入、環流下（約１００℃に加熱）に、５時間反応させた。この反応液を１０倍量のメタノール中に投入、沈澱させ、８０℃減圧乾燥して、下記式で示される繰り返し単位を有する化合物である化合物（１−３）〔重量平均分子量（Ｍｗ）：２２，０００〕を得た。

本発明において、樹脂の重量平均分子量は、常法に従い、以下のようにして測定されたものである。

すなわち、測定対象樹脂をテトラヒドロフラン中に入れ、数時間放置した後、振盪しながら測定対象樹脂とテトラヒドロフランと良く混合し（測定対象樹脂の合一体が無くなるまで混合し）、更に１２時間以上静置した。

その後、東ソー（株）製のサンプル処理フィルターマイショリディスクＨ−２５−５を通過させたものをＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）用試料とした。

次に、４０℃のヒートチャンバー中でカラムを安定化させ、この温度におけるカラムに、溶媒としてテトラヒドロフランを毎分１ｍｌの流速で流し、ＧＰＣ用試料を１０μｌ注入して、測定対象樹脂の重量平均分子量を測定した。カラムには、東ソー（株）製のカラムＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｍを用いた。

測定対象樹脂の重量平均分子量の測定にあたっては、測定対象樹脂が有する分子量分布を、数種の単分散ポリスチレン標準試料により作成された検量線の対数値とカウント数との関係から算出した。検量線作成用の標準ポリスチレン試料には、アルドリッチ社製の単分散ポリスチレンを用いた。単分散ポリスチレンの分子量としては、３，５００、１２，０００、４０，０００、７５，０００、９８，０００、１２０，０００、２４０，０００、５００，０００、８００，０００、１，８００，０００のものを１０点用いた。検出器にはＲＩ（屈折率）検出器を用いた。

［製造例２：化合物（２−３）の製造］
製造例１において、上記式（１−２）で示される化合物を、合成例２で得られた上記式（２−２）で示される化合物が主成分である生成物に変更した以外は、製造例１と同じ手順で反応、処理し、下記式で示される繰り返し単位を有する化合物である化合物（２−３）〔重量平均分子量（Ｍｗ）：２２０００〕を得た。

［製造例３：化合物（３−３）の製造］
製造例１において、上記式（１−２）で示される化合物を、合成例３で得られた上記式（３−２）で示される化合物が主成分である生成物に変更した以外は、製造例１と同じ手順で反応、処理し、下記式で示される繰り返し単位を有する化合物である化合物（３−３）〔重量平均分子量（Ｍｗ）：２２０００〕を得た。

［製造例４：化合物（４−３）の製造］
製造例１において、上記式（１−２）で示される化合物を、合成例４で得られた上記式（４−２）で示される化合物が主成分である生成物に変更した以外は、製造例１と同じ手順で反応、処理し、下記式で示される繰り返し単位を有する化合物である化合物（４−３）〔重量平均分子量（Ｍｗ）：２３０００〕を得た。

［製造例５：化合物（５−３）の製造］
製造例１において、上記式（１−２）で示される化合物を、合成例５で得られた上記式（５−２）で示される化合物が主成分である生成物に変更した以外は、製造例１と同じ手順で反応、処理し、下記式で示される繰り返し単位を有する化合物である化合物（５−３）〔重量平均分子量（Ｍｗ）：２１０００〕を得た。

［製造例６：化合物（６−３）の製造］
製造例１において、上記式（１−２）で示される化合物を、合成例６で得られた上記式（６−２）で示される化合物が主成分である生成物に変更した以外は、製造例１と同じ手順で反応、処理し、下記式で示される繰り返し単位を有する化合物である化合物（６−３）〔重量平均分子量（Ｍｗ）：２４０００〕を得た。

［製造例７：化合物（７−３）の製造］
製造例１において、上記式（１−２）で示される化合物を、合成例７で得られた上記式（７−２）で示される化合物が主成分である生成物に変更した以外は、製造例１と同じ手順で反応、処理し、下記式で示される繰り返し単位を有する化合物である化合物（７−３）〔重量平均分子量（Ｍｗ）：２１０００〕を得た。

［製造例８：化合物８の製造］
フラスコに、下記繰り返し構造単位α、β、γを有するポリシロキサンを３．２３ｇと、

塩化白金酸２０ｐｐｍ（５％イソプロピルアルコール溶液）と、下記式（ｄ）で示される構造を有するポリスチレン（繰り返し単位の平均繰り返し回数ｎ：２５）１８．９ｇと、

ｍ−キシレンヘキサフルオライド８０ｇとを混合し、徐々に加熱した。更に、８０℃で６時間反応を続けた。次いで、１４０℃の条件下で２０Ｔｏｒｒまで減圧して、溶媒や低沸点成分を除去した。

このようにして、得られた反応生成物を、^２９Ｓｉ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ及びＦＴ−ＩＲにより分析したところ、下記繰り返し構造単位α、β、γを有するジオルガノポリシロキサン、化合物８であることが判明した。

［製造例９：化合物９の製造］
フラスコに、下記に示される繰り返し構造単位α、β、γを有するポリシロキサンを３．２３ｇと、

塩化白金酸２０ｐｐｍ（５％イソプロピルアルコール溶液）と、上記式（ｄ）で示される構造を有するポリスチレン（繰り返し単位の平均繰り返し回数ｎ：２５）１８．９ｇと、ｍ−キシレンヘキサフルオライド８０ｇとを混合し、徐々に加熱した。更に、８０℃で６時間反応を続けた。次いで、１４０℃の条件下で２０Ｔｏｒｒまで減圧して、溶媒や低沸点成分を除去した。

このようにして、得られた反応生成物を、^２９Ｓｉ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ及びＦＴ−ＩＲにより分析したところ、下記繰り返し構造単位α、β、γを有するジオルガノポリシロキサン、化合物９であることが判明した。

（実施例１）
２３℃、６０％の環境下で熱間押し出しすることにより得られた、長さ２６０．５ｍｍ、直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金のＥＤ管、昭和アルミニウム（株）製）を導電性支持体とした。

導電性支持体上に、
・導電性粒子としての酸素欠損型ＳｎＯ_２を被覆したＴｉＯ_２粒子 ６．６部
（粉体抵抗率８０Ω・ｃｍ、ＳｎＯ_２の被覆率（質量比率）は５０％）
・結着樹脂としてのフェノール樹脂 ５．５部
（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分６０％）
・溶剤としてのメトキシプロパノール ５．９部
を直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで３時間分散して、分散液を調製した。

この分散液に、
・表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子 ０．５部
（商品名：トスパール１２０、ＧＥ東芝シリコーン（株）製、平均粒径２μｍ）
・レベリング剤としてのシリコーンオイル ０．００１部
（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製）
を添加して攪拌し、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を、支持体上に浸漬コーティングし、温度１４０℃で３０分間乾燥、熱硬化して、支持体上端から１３０ｍｍの位置の平均膜厚が１５μｍの導電層を形成した。

更に、導電層上に、
・Ｎ−メトキシメチル化ナイロン ４部
（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学産業（株）製）
・共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製） ２部
をメタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶媒に溶解して得られた中間層用塗布液を浸漬コーティングし、温度１００℃で１０分間乾燥して、支持体上端から１３０ｍｍ位置の平均膜厚が０．５μｍの中間層を形成した。

次に、
・ヒドロキシガリウムフタロシアニン １０部
（ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°に強いピークを有する結晶形）
・ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製） ５部
及びシクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で１時間分散し、次に、酢酸エチル２５０部を加えて電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を、中間層上に浸漬コーティングし、温度１００℃で１０分間乾燥して、支持体上端から１３０ｍｍ位置の平均膜厚が０．１６μｍの電荷発生層を形成した。

次に、
下記式（ＣＴＭ−１）で示される構造を有する電荷輸送物質１０部、

結着樹脂として下記式（Ｐ−１）で示される繰り返し単位から構成されるポリカーボネート樹脂１０部（商品名：ユーピロンＺ−４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）〔粘度平均分子量（Ｍｖ）：３９，０００〕、

及び、製造例１で製造した化合物１−３ ０．２部をジメトキシメタン３０部／クロロベンゼン７０部の混合溶媒に溶解し、電荷輸送物質を含有する塗布液を調製した。以上のように作製した電荷輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬コーティングし、温度１２０℃で３０分間乾燥して、支持体上端から１３０ｍｍ位置の平均膜厚が１７μｍの電荷輸送層を形成した。

なお、粘度平均分子量（Ｍｖ）の測定方法は以下のとおりである。まず、試料０．５ｇをメチレンクロライド１００ｍｌに溶解し、改良ウベローデ（Ｕｂｂｅｌｏｈｄｅ）型粘度計を用いて、温度２５℃における比粘度を測定した。次に、この比粘度から極限粘度を求め、マーク−ウィンク（Ｍａｒｋ−Ｈｏｕｗｉｎｋ）の粘度式により、粘度平均分子量（Ｍｖ）を算出した。

このようにして、電荷輸送層が表面層である電子写真感光体を作製した。

上記の方法により作製された電子写真感光体に対して、図７に示された装置において、図１０に示された形状転写用のモールドを設置し表面加工を行なった。加工時の電子写真感光体及びモールドの温度は１１０℃に制御し、５０ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で加圧しながら、感光体を周方向に回転させ形状転写を行なった。

＜電子写真感光体の表面形状測定＞
上記の方法により作製された電子写真感光体に対して、超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−９５００（（株）キーエンス社製）を用いて表面観察を行った。測定対象の電子写真感光体を円筒状支持体を固定できるよう加工された置き台に設置し、電子写真感光体の上端から１７０ｍｍ離れた位置の表面観察を行った。その際、対物レンズ倍率５０倍とし、感光体表面の１００μｍ四方を視野観察とし、測定を行った。測定視野内に観察された凹形状部を解析プログラムを用いて解析を行った。

測定視野内にある各凹形状部の表面部分の形状、短軸径（Ｒｐｃ）及び凹形状部の最深部と開孔面との距離を示す深さ（Ｒｄｖ）を測定した。電子写真感光体の表面には、図１１に示される円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部の１００μｍ四方あたりの個数を算出すると、２，５００個であった。また、凹形状部の表面部分の短軸径Ｒｐｃは、１．０μｍであった。また、凹形状部と、その凹形状部と最も近い距離にある凹形状部との平均距離（以下、凹形状部間隔と表記する）は、１．０μｍの間隔で形成されていた。また、凹形状部の深さＲｄｖは、０．４μｍであった。更に、凹形状部の開口部面積率を算出すると、２０％であった。結果を表１に示す。表１中、個数は、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部の１００μｍ四方あたりの個数を示す。Ｒｐｃは、１００μｍ四方あたりの凹形状部の平均短軸径を示す。Ｒｄｖは、１００μｍ四方あたりの凹形状部の平均深さを示す。Ｒｄｖ／Ｒｐｃは、１００μｍ四方あたりの凹形状部の平均短軸径に対する平均深さの比を示す。

＜電子写真感光体の摺擦メモリー特性評価＞
上記の方法により作製された電子写真感光体を、ヒューレットパッカード社製レーザービームプリンターレーザージェット４２５０のプロセスカートリッジを改造したものに装着し、以下のような振動試験により評価を行なった。改造は、帯電部材のバネ圧を１．５倍に変更した。

振動試験は、物流試験基準（ＪＩＳ Ｚ０２３０）に従い、１５℃／１０％ＲＨ環境下で行った。プロセスカートリッジを振動試験装置（ＥＭＩＣ ＣＯＲＰ．Ｍｏｄｅｌ ９０５−ＦＮ）に設置して、ｘ、ｙ、ｚ軸の各方向において、
・周波数１０Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下、
・加速度１Ｇ、
・掃引方向ＬＩＮ ＳＷＥＥＰ、
・往復掃引時間５分、
・試験時間１時間
を行った後、２時間静置してから上述のプリンターでハーフトーン画像を出力して評価を行った。画像評価は目視にて行い、下記のように評価した。結果を表１に示す。
Ａ：メモリーが発生していないもの
Ｂ：僅かにメモリーが発生しているもの
Ｃ：メモリーが発生しているもの
Ｄ：明らかなスジが発生しているもの

＜電子写真感光体のプラス帯電減衰特性評価＞
上記の方法により作製された電子写真感光体を、上述のヒューレットパッカード社製レーザービームプリンターレーザージェット４２５０のプロセスカートリッジを改造したものに装着し、以下のような方法により評価を行なった。

評価は、１５℃、１０％ＲＨ環境下で行った。カートリッジの帯電ローラをドラムに対して従動しないように固定し、そのカートリッジをプリンターに装着して帯電及び露光を行わない状態で感光体がプラス５０Ｖ帯電するまで回転駆動させた。その後、回転駆動を停止し、１分間静置した状態でのプラス帯電の減衰量を測定し、プラス帯電減衰率を測定した。プラス帯電減衰率は、以下の式により求めた。ただし、５分間回転駆動しても５０Ｖまで帯電しなかったものは、５分後に回転駆動を停止し、その後のプラス帯電減衰率を測定した。結果を表１に示す。
プラス帯電減衰率＝プラス減衰量／プラス帯電量×１００％

（実施例２）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから０．５μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから０．５μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから０．４μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例３）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから０．２μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから０．２μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから０．１６μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．２μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例４）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから０．１μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから０．１μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから０．０８μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．１μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例５）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから０．０５μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから０．０５μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから０．０４μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．０５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例６）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから２．０μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから２．０μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから１．６μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、２．０μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例７）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから３．０μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから３．０μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから２．４μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、３．０μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例８）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから３．０μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから３．０μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから６．０μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、３．０μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例９）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから０．５μｍ、及びＥで示された間隔を１．０μｍから０．５μとした以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１０）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから０．５μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから０．５μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから０．２μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１１）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから０．５μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから０．５μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから０．１μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１２）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから０．５μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから０．６μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから０．４μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．６μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると１６％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１３）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから０．５μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから０．３μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから０．４μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．３μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると３１％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１４）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドを図１２に示した山型形状のモールドに代えた以外は実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、図１３に示される山状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１５）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドを図１４に示した四角錘形状のモールドに代えた以外は実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、図１５に示される四角錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２５％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１６）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから３．０μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから７．０μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから２．４μｍとした。それ以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、７．０μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると４％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１７）
実施例１の電子写真感光体の作成において、電荷輸送層の結着樹脂である（Ｐ−１）を下記式（Ｐ−２）で示される繰り返し構造単位を有するポリアリレート樹脂

（式中、テレフタル酸構造とイソフタル酸構造とのモル比（テレフタル酸構造：イソフタル酸構造）は５０：５０である。粘度平均分子量（Ｍｖ）：４２，０００）
に変更したこと以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例２で使用したモールドを使用し、実施例２と同様に表面の加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錐状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１８）
実施例１の化合物（１−３）を化合物（２−３）に変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、実施例２で使用したモールドを使用し、実施例２と同様に表面の加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錐状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例１９）
実施例１の化合物（１−３）を化合物（３−３）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例２で使用したモールドを使用し、実施例２と同様に表面の加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錐状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例２０）
実施例１の化合物（１−３）を化合物（４−３）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例２で使用したモールドを使用し、実施例２と同様に表面の加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錐状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例２１）
実施例１の化合物（１−３）を化合物（５−３）変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例２で使用したモールドを使用し、実施例２と同様に表面の加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錐状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例２２）
実施例１の化合物（１−３）を化合物（６−３）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例２で使用したモールドを使用し、実施例２と同様に表面の加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錐状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例２３）
実施例１の化合物（１−３）を化合物（７−３）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例２で使用したモールドを使用し、実施例２と同様に表面の加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錐状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例２４）
実施例１の化合物（１−３）を化合物８に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドを使用し、実施例１と同様に表面の加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錐状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例２５〜３８）
実施例１の化合物（１−３）を化合物８に変更し、実施例２〜１５と同様にして加工を行なった。更に、実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（実施例３９）
実施例１の化合物（１−３）を化合物９に変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、実施例２で使用したモールドを使用し、実施例２と同様に表面の加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錐状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、０．５μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（比較例１）
実施例１の化合物（１−３）を添加しなかった以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、表面の加工を行わなかった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（比較例２）
実施例１の化合物（１−３）を添加しなかった以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１６と同様に加工を行った。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（比較例３）
実施例１の化合物（１−３）を添加しなかった以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例２と同様に加工を行った。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（比較例４）
実施例１と同様にして支持体上に導電層、中間層及び電荷発生層を作製した。

次いで、以下の成分
一次粒径０．１μのシリカ粒子 ５０部
ポリカーボネート樹脂 ５０部
（商品名：ユーピロンＺ４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）社製）
をテトラヒドロフラン６００部中に溶解、混合してシリカ粒子分散液を調製した。

この液を高圧分散機（マイクロフルイタイザーＭ−１１０：みずほ工業（株）製）を用いて分散を行なった。分散は、５０ＭＰａの分散圧で３回行なった。

次に、
下記構造式で示される正孔輸送物質 ５０部

ポリカーボネート樹脂 １００部
（商品名：ユーピロンＺ４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）社製）
上記一次粒径０．１μｍのシリカ粒子分散液 ２０部
上記化合物９ １．５部
クロロベンゼン ４００部
テトラヒドロフラン ４００部
の成分となるように電荷輸送層用塗料を調製した。これを用いて、上記電荷発生層上に電荷輸送層を浸漬塗布し、１１０℃に加熱されたオーブン内で３０分間、加熱乾燥することにより、支持体上端から１７０ｍｍ位置の平均膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。

上記の方法により作製された電子写真感光体に対して、実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

（比較例５）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１で使用したモールドにおいて、図１０中のＤで示された短軸径を１．０μｍから３．０μｍ、Ｅで示された間隔を１．０μｍから３．０μｍ及びＦで示された高さを０．８μｍから８．０μｍとした以外は、実施例１と同様に加工を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、円錘状の凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表１に示す。また、凹形状部間隔は、３．０μｍの間隔で形成され、面積率を算出すると２０％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表１に示す。

以上の結果より、本発明の実施例１乃至３９と、比較例１乃至４を比較することにより、本発明の電子写真感光体は摺擦メモリーを良化できる結果が示されている。また、電子写真感光体のプラス帯電減衰率の結果から、本発明の凹形状部、及び上記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物を有する電子写真感光体では、プラス電荷が効果的に低減されていることが示されている。

また、実施例８と比較例５とを比較すると、比較例５では本発明の特徴であるプラス帯電減衰率は実施例８に比べて小さく、本発明の効果が得られていないことが示されている。これは比較例５の凹形状部が深いために帯電部材との接触面積が減少し、その結果、感光体に発生するプラス帯電の領域が小さくなったためと推測される。

（実施例４０）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。得られた電子写真感光体の表面に対して、図４で示されるようなＫｒＦエキシマレーザー（波長λ＝２４８ｎｍ）を用いた凹形状部作製方法を用いて、凹形状部を形成した。その際に、図１６で示すように直径１０μｍの円形のレーザー光透過部が５．０μｍ間隔で図のように配列するパターンを有する石英ガラス製のマスクを用い、照射エネルギーを０．９Ｊ／ｃｍ^３とした。更に、１回照射あたりの照射面積は２ｍｍ四方で行い、２ｍｍ四方の照射部位あたり１回のレーザー光照射を行った。同様の凹形状部の作製を、図４に示すように、電子写真感光体を回転させ、照射位置を軸方向にずらす方法により、感光体表面に対する凹形状部の形成を行った。

実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、図１７に示される凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表２に示す。また、凹形状部間隔は、１．４μｍの間隔で形成され、面積率は４１％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表２に示す。

（実施例４１）
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、図１８で示される直径５．０μｍの円形のレーザー光透過部が２．０μｍ間隔で図のように配列するパターンを有する石英ガラス製のマスクを用いた。それ以外は、実施例４０と同様に表面形状形成を行った。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、図１９で示される凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表２に示す。また、凹形状部間隔は、０．６μｍの間隔で形成され、面積率は４４％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表２に示す。

（実施例４２）
実施例１と同様にして支持体上に導電層、中間層及び電荷発生層を作製した。

次に、実施例１と同様の表面層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬コーティングし、支持体上に表面層用塗布液を塗布した。表面層用塗布液を塗布する工程は、相対湿度４５％及び雰囲気温度２５℃の状態で行った。塗布工程終了から１８０秒後、予め装置内を相対湿度７０％及び雰囲気温度４５℃の状態にされていた支持体保持工程用装置内に、表面層用塗布液が塗布された支持体を３０秒間保持した。支持体保持工程終了から６０秒後、予め装置内が１２０℃に加熱されていた送風乾燥機内に、支持体を入れ、乾燥工程を６０分間行った。

このようにして、電荷輸送層が表面層である電子写真感光体を作製した。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、凹形状部が形成されていることが確認された。図２０に、実施例４２で作製された電子写真感光体の表面のレーザー顕微鏡による画像を示す。測定結果を表２に示す。また、凹形状部間隔は、０．６μｍの間隔で形成され、面積率は４６％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表２に示す。

（実施例４３）
実施例１と同様にして支持体上に導電層、中間層及び電荷発生層を作製した。

次に、実施例１７と同様の表面層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬コーティングし、支持体上に表面層用塗布液を塗布した。表面層用塗布液を塗布する工程は、相対湿度４５％及び雰囲気温度２５℃の状態で行った。塗布工程終了から１８０秒後、予め装置内を相対湿度７０％及び雰囲気温度４５℃の状態にされていた支持体保持工程用装置内に、表面層用塗布液が塗布された支持体を３０秒間保持した。支持体保持工程終了から６０秒後、予め装置内が１２０℃に加熱されていた送風乾燥機内に、支持体を入れ、乾燥工程を６０分間行った。

このようにして、電荷輸送層が表面層である電子写真感光体を作製した。実施例１と同様に表面形状測定を行ったところ、凹形状部が形成されていることが確認された。測定結果を表２に示す。また、凹形状部間隔は、０．６μｍの間隔で形成され、面積率は４６％であった。実施例１と同様に電子写真感光体の特性評価を行なった。結果を表２に示す。

実施例４０乃至４３の結果より、本発明の電子写真感光体は、摺擦メモリーを良化できる結果が示されている。

本発明における凹形状部の形状例（表面）を示す図である。 本発明における凹形状部の形状例（断面）を示す図である。 本発明におけるマスクの配列パターンの例（部分拡大図）を示す図である。 本発明におけるレーザー加工装置の概略図の例を示す図である。 本発明により得られた感光体最表面の凹形状部の配列パターンの例（部分拡大図）を示す図である。 本発明におけるモールドによる圧接形状転写加工装置の概略図の例を示す図である。 本発明におけるモールドによる圧接形状転写加工装置の概略図の別の例を示す図である。 本発明におけるモールドの形状の例を示す図である。 本発明による電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 実施例１で使用したモールドの形状（部分拡大図）を示す図である。 実施例１により得られた感光体最表面の凹形状部の配列パターン（部分拡大図）を示す図である。 実施例７で使用したモールドの形状（部分拡大図）を示す図である。 実施例７により得られた感光体最表面の凹形状部の配列パターン（部分拡大図）を示す図である。 実施例８で使用したモールドの形状（部分拡大図）を示す図である。 実施例８により得られた感光体最表面の凹形状部の配列パターン（部分拡大図）を示す図である。 実施例４０で使用したモールドの形状（部分拡大図）を示す図である。 実施例４０により得られた感光体最表面の凹形状部の配列パターン（部分拡大図）を示す図である。 実施例４１で使用したマスクの配列パターンを示す図（部分拡大図）である。 実施例４１により得られた感光体最表面の凹形状部の配列パターン（部分拡大図）を示す図である。

符号の説明

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ クリーニング手段
８ 定着手段
９ プロセスカートリッジ
１０ 案内手段
ａ レーザー光遮蔽部
ｂ レーザー光透過部
ｃ エキシマレーザー光照射器
ｄ ワーク回転用モーター
ｅ ワーク移動装置
ｆ 感光体ドラム
ｇ 凹み非形成部
ｈ 凹み形成部
Ａ 加圧装置
Ｂ モールド
Ｃ 感光体
Ｐ 転写材

Claims (16)

1. 支持体及び該支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、
   表面層に複数の各々独立した凹形状部を有し、かつ該凹形状部の短軸径をＲｐｃ及び該凹形状部の最深部と開孔面との距離を示す深さをＲｄｖとした場合に、短軸径に対する深さの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が１．０以下の凹形状部であり、
   且つ該表面層に、下記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含む化合物を含有することを特徴とした電子写真感光体。
   
   （上記式（１）中、Ｒｆ^１１は少なくとも１つのフルオロアルキル基あるいはフルオロアルキレン基を有する基を示す。Ｒ^１１は、アルキレン基あるいはアリーレン基を含む基又は単結合を示す。）
2. 前記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を有する化合物が、下記式（２）に示される繰り返し単位を有する化合物である請求項１に記載の電子写真感光体。
   
   （上記式（２）中、Ｒ^２２は、置換又は無置換の一価の炭化水素基を示す。Ｒｆ^２１は少なくとも１つのフルオロアルキル基あるいはフルオロアルキレン基を有する基を示す。Ｒ^２１は、単結合、アルキレン基又はアリーレン基を示す。Ｘ^２１は、エステル結合を含む基もしくは単結合を示す。）
3. 前記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を有する化合物が、下記式（３）で示される繰り返し単位を有する化合物である請求項１に記載の電子写真感光体。
   
   （上記式（３）中、Ｒ^３２は、置換又は無置換の一価の炭化水素基を示す。Ｒｆ^３１は、少なくとも１つのフルオロアルキル基あるいはフルオロアルキレン基を有する基を示す。Ｒ^３１は、単結合、アルキレン基又はアリーレン基を示す。Ｘ^３１は、エステル結合を含む基もしくは単結合を示す。）
4. 前記式（１）乃至（３）中のＲｆ^１１、Ｒｆ^２１及びＲｆ^３１が、炭素−炭素結合による分岐構造を有する一価の基、少なくともフッ素原子を有するアルキル基とフッ素原子を有するアルキレン基が酸素により結合した構造もしくはフッ素原子を有するアルキレン基とフッ素原子を有するアルキレン基が酸素により結合した構造を有する一価の基、炭素数４乃至６のペルフルオロアルキル基からなる群から選ばれる基である請求項１乃至３のいずれかに記載の電子写真感光体。
5. 前記式（１）乃至（３）中のＲ^１１、Ｒ^２１及びＲ^３１が、炭素−炭素結合による分岐構造を有する二価の基、下記式（５）に示される二価の基のいずれかの基である請求項１乃至３のいずれかに記載の電子写真感光体。
   
   （上記式（５）中、Ｒ^５１は単結合又はアルキレン基を示す。Ａｒ^５１はアリーレン基を示す。）
6. 前記式（１）に示される基を有する繰り返し単位を含有する化合物が、更に下記式（６）に示される基を有する繰り返し単位を含有する化合物である請求項１乃至５のいずれかに記載の電子写真感光体。
   
   （上記式（６）中、Ｙ^６１は二価の有機基を示す。Ｚ^６１は重合体ユニットを示す。）
7. 前記式（６）に示される基を有する繰り返し単位が、下記式（７）又は（８）で示される繰り返し単位である請求項１乃至６のいずれかに記載の電子写真感光体。
   
   （上記式（７）中、Ｒ^７１は水素原子又はメチル基を示す。Ｙ^７１は二価の有機基を示す。Ｚ^７１は重合体ユニットを示す。）
   
   （上記式（８）中、Ｒ^８１は水素原子又はメチル基を示す。Ｙ^８１は二価の有機基を示す。Ｚ^８１は重合体ユニットを示す。）
8. 前記式（６）乃至（８）中のＺ^６１、Ｚ^７１及びＺ^８１が、アルキルアクリレート構造、アルキルメタクリレート構造又はスチレン構造の繰り返し単位を有する重合体ユニットである請求項１乃至７のいずれかに記載の電子写真感光体。
9. 前記凹形状部の短軸径Ｒｐｃに対する深さＲｄｖの比（Ｒｄｖ／Ｒｐｃ）が０．１０以上０．４０以下である請求項１乃至８のいずれかに記載の電子写真感光体。
10. 前記凹形状部の深さＲｄｖが０．０１μｍ以上３．００μｍ以下である請求項１乃至９のいずれかに記載の電子写真感光体。
11. 前記凹形状部の深さＲｄｖが０．０２μｍ以上１．２０μｍ以下である請求項１０に記載の電子写真感光体。
12. 前記凹形状部を電子写真感光体表面の１００μｍ四方あたり１００個以上有する請求項１乃至１１のいずれかに記載の電子写真感光体。
13. 前記凹形状部を電子写真感光体表面の１００μｍ四方あたり２５０個以上有する請求項１２に記載の電子写真感光体。
14. 前記凹形状部の開孔部面積率が１６％以上である請求項１乃至１３のいずれかに記載の電子写真感光体。
15. 請求項１乃至１４のいずれかに記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電する帯電手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段及び、該電子写真感光体の表面の転写残りトナーを除去するクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
16. 請求項１乃至１４のいずれかに記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電する帯電手段、帯電した該電子写真感光体に対し露光を行い該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段及び該電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を転写材に転写する転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。