CN101932618A - 绝缘膜形成用聚合物、绝缘膜形成用组合物、绝缘膜及具有该绝缘膜的电子器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于形成兼具低介电常数、高耐热性及高机械强度的绝缘膜的聚合物及组合物、以及由其得到的绝缘膜及具有该绝缘膜的电子器件。本发明的绝缘膜形成用聚合物，其特征在于，通过聚合用下述通式(1)表示的反应性化合物而得到。本发明的绝缘膜，其是使用含有上述聚合物的绝缘膜形成用组合物形成，其中，该绝缘膜具有平均空隙直径是0.7nm～5nm的分子空隙并且其介电常数是2.3以下。本发明的电子器件，具有上述绝缘膜。通式(1)中，R1、R2及R3表示相互相同或不同的具有环结构的有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。
Figure 200880101105.9_AB_0

Description

绝缘膜形成用聚合物、绝缘膜形成用组合物、绝缘膜及具有该绝缘膜的电子器件
技术领域
本发明涉及一种绝缘膜形成用聚合物、绝缘膜形成用组合物、绝缘膜及具有该绝缘膜的电子器件。
背景技术
近年来，在电子材料领域中，随着半导体器件的高集成化、动作的高速化及高性能化的推进，主要由半导体集成电路的布线电阻的增大或布线间的电容的增大所导致的信号延迟成为大的问题。为了解决该信号延迟问题而使半导体器件的动作更加高速化，有必要使用低介电常数材料作为多层布线结构中的绝缘膜。
为了降低绝缘膜的介电常数，主要研究降低材料的极性或降低绝缘膜的密度的方法。例如，由日本特开2006-265513号公报中所公开的内容可知，为了降低极性，制作不含有极性高的氮等的元素的材料。另外，由日本特开平11-214382号公报中所公开的内容可知，为了降低密度，导入金刚烷等的在分子内具有空间的体积大的结构。另外，由日本特开2001-332543号公报中所公开的内容可知，使具有3维结构的化合物和具有2维结构的化合物聚合，形成分子水平的空孔。进一步地，由上述日本特开2006-265513号公报中所公开的内容可知，使用空孔形成剂让膜多孔化。另外，由日本特开2007-77289号公报所公开的内容可知，使用含有微粒的组合物进行成膜形成多孔膜。
但是，通过空孔形成剂使膜多孔化而形成的材料，虽然单膜的介电常数是2.2或2.2以下的值，但其机械强度低，而且在空孔内容易引起金属或各种药液等的浸透，半导体器件的可靠性上存在大的问题。另外，不使用空孔形成剂，为了降低密度而导入如金刚烷的结构的材料或不含有极性高的氮等的元素的材料中，也有介电常数降低至2.3左右的值的情形，但是，没有实现半导体领域所寻求的2.3以下的介电常数。上述的另外的一个实例中，使2种(以上)化合物聚合而形成分子水平的空孔的材料中，介电常数为2.3以下，但是，使多种化合物聚合的反应，是通过酸-碱反应等进行的反应，因此，由此得到的材料的保存性差，且在不同的反应条件(成膜条件)下，反应的进行程度、均匀性也不同，因此存在难以表达出稳定的膜特性的问题。进一步地，使含有几纳米的粒子的组合物成膜，形成多孔低介电常数膜的材料，在纳米结构上，也与使用空孔形成剂实现多孔化的材料相同，进一步地，组合物(涂布溶液)是使微粒分散的物质，因此，由微粒的凝集等而容易引起固体成分的析出等，保存性上差。
发明内容
基于上述情形，本发明的目的在于提供一种用于形成兼具低介电常数、高耐热性及高机械强度的绝缘膜的聚合物及组合物、以及由其得到的绝缘膜及具有该绝缘膜的电子器件。
即，本发明通过下述的第(1)项至第(8)项的技术方案得以实现。
(1)一种绝缘膜形成用聚合物，其特征在于，通过聚合用通式(1)表示的反应性化合物而得到，
Figure GPA00001010779600021
通式(1)中，R1、R2及R3表示相互相同或不同的具有环结构的有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。
(2)根据上述(1)所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述通式(1)中的R1、R2及R3中的至少一者是具有笼型结构的有机基团。
(3)根据上述(1)或(2)所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述反应性化合物是用下述通式(2)或(3)表示，
Figure GPA00001010779600031
上述通式(2)或(3)中，R4～R27分别表示氢或有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。
(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述通式(1)中的X及Y的反应性基团是具有碳-碳不饱和键的反应性基团。
(5)根据上述(1)～(4)中任一项所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述聚合物的聚合，是使所述反应性化合物在无催化剂存在下反应的热聚合。
(6)一种绝缘膜形成用组合物，其包含上述(1)～(5)中任一项所述的绝缘膜形成用聚合物。
(7)根据上述(6)所述的绝缘膜形成用组合物，其中，还包含粘合促进剂。
(8)一种绝缘膜，其是使用上述(6)或(7)所述的绝缘膜形成用组合物形成的绝缘膜，其中，该绝缘膜具有平均空隙直径是0.8nm～5nm的分子空隙并且其介电常数是2.3以下。
(9)一种电子器件，其具有上述(8)所述的绝缘膜。
附图说明
图1是示意性表示本发明的半导体装置的一个实例的剖面图。
具体实施方式
下面，详细地说明本发明。
本发明的绝缘膜形成用聚合物，其特征在于，通过聚合用通式(1)表示的反应性化合物而得到，
Figure GPA00001010779600041
上述通式(1)中，R1、R2及R3表示相互相同或不同的具有环结构的有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。
在通式(1)中，对于作为R1、R2及R3的具有环结构的有机基团没有特别限定，可举出芳香族基及环状脂肪族基等，作为该类有机基团，例如，可举出苯环、萘环、蒽环、芘环、联苯环及芴环等的芳香族基团；呋喃环、咪唑环、吡喃环、吡嗪环、吡唑环、哒嗪环、吡啶环、嘧啶环、吡咯环、硒苯酮(セレフエノン)环、碲吩(テルロフエン)环、噻吩环及噻喃环等的杂环基；环丁烷环、环戊烷环、环己烷环、环庚烷环、萘烷环及降冰片烯环等的环烷基具有以金刚烷结构为最小单元的结构的金刚烷环、二并金刚烷环、三并金刚烷环、四并金刚烷环、五并金刚烷环及六并金刚烷环等的多并金刚烷环等的具有笼型结构的有机基团；笼型倍半硅氧烷等的笼状硅氧烷；或富勒烯等。特别地，优选金刚烷环、二并金刚烷环、三并金刚烷环等的具有笼型结构的有机基团。上述反应性化合物，作为通式(1)中的R1、R2及R3，优选任一个以上包括具有上述笼型结构的有机基团。特别地，优选上述反应性化合物是用下述通式(2)或(3)表示的反应性化合物。
Figure GPA00001010779600051
上述通式(2)或(3)中，R4～R27分别表示氢或有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。
具有上述环结构的有机基团，在构成该环结构的原子中，在除用单键与邻接的具有环结构的有机基团及具有反应性基团的芳香族性有机基团结合的原子以外的原子中，除氢原子以外，也可结合一个以上的烷基、芳基、卤素等的取代基或元素。
其中，作为取代基，优选为碳原子数为1～20的烷基，作为该类烷基，可举出甲基、乙基、丙基、丁基、己基、庚基及辛基等，其中，进一步地，更优选为甲基及乙基。通过导入这些烷基，能够提高对有机溶剂的溶解性及耐热性。
另外，上述具有环结构的有机基团优选是烃基。
另外，关于通式(1)中X及Y的具有反应性基团的芳香族性有机基团，作为反应性基团只要是具有聚合性的官能团的反应性基团即可，没有进行限定。作为反应性基团，可举出具有碳-碳双键的基团、碳-碳三键的基团等的具有碳-碳不饱和键的聚合性官能团的基团；马来酰亚胺基团、纳迪克酰亚胺(nadimide)基团、联苯撑基团、氰酰基团及环戊二烯基团等。从反应性高、进一步提高耐热性的方面考虑，优选具有碳-碳双键的基团、具有碳-碳三键的基团等的具有碳-碳不饱和键的基团，这些反应性基团也可具有苯基等的取代基。另外，作为上述反应性基团，特别优选具有碳-碳三键的基团，特别优选乙炔基。另外，作为上述芳香族性有机基团，可举出苯基、萘基等。
作为上述具有反应性基团的芳香族性有机基团中的反应性基团的数量，只要是1个以上即可，更优选是2个或3个。
作为具有该类反应性基团的芳香族性有机基团的具体实例，可举出用下述式表示的有机基团等。
Figure GPA00001010779600071
在本发明中重要的要点是：在用通式(1)表示的反应性化合物中，聚合反应通过X及Y具有的反应性基团引起，X、Y、R1～R3之间通过3个(n＝0的情形)或4个(n＝1的情形)单键，与邻接的具有环结构的有机基团及具有反应性基团的芳香族性有机基团连结(X-R1、R1-R2、R2-R3、R3-Y)。通过含有3个或4个单键，聚合物的构象的自由度达到最合适化，能够同时满足聚合物相对于溶剂的溶解性和用于形成聚合物中的分子空隙以及保持分子空隙的立体结构规整性。单键为2个以下时，自由度过低，另外，单键为5个以上时，自由度过高，因此，聚合物不能取得能够形成分子空隙的构象。这种聚合物的构象可以是由用上述通式(1)表示的反应性化合物具有不同结构的反应性化合物得到的聚合物，不过，当是由单一组成得到的聚合物时，更能令人满意，能够获得更低的介电常数的特性，并且，能够得到良好的绝缘膜，其因具有立体结构规整性而具有机械强度特别是韧性。
作为用通式(1)表示的反应性化合物，例如，n＝0的情形，可举出，3，3′-双(3，4-二乙烯基苯基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(3，5-二乙烯基苯基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(2，4-二乙烯基苯基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(3，4，5-三乙烯基苯基)-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(3，4-二乙烯基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(3，5-二乙烯基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(2，4-二乙烯基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(3，4，5-三乙烯基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(3，4，5-三(苯基乙炔基)苯基)-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(3，4-二乙炔基苯基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(3，5-二乙炔基苯基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(2，4-二乙炔基苯基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(3，4，5-三乙炔基苯基)-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(3，4-二乙炔基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(3，5-二乙炔基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(2，4-二乙炔基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(5，7-二乙烯基萘基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(6，7-二乙烯基萘基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(6，8-二乙烯基萘基)-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(5，7-二乙烯基萘基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(6，7-二乙烯基萘基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(6，8-二乙烯基萘基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(5，7-二乙炔基萘基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(6，7-二乙炔基萘基)-1，1′-二联金刚烷、3，3′-双(6，8-二乙炔基萘基)-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(5，7-二乙炔基萘基)一3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(6，7-二乙炔基萘基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、7，7′-双(6，8-二乙炔基萘基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷、9，9′-双(3，4-二乙烯基苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(3，5-二乙烯基苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(2，4-二乙烯基苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(3，4、5-三乙烯基苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(3、4、5-三(苯基乙炔基)苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(5，7-二乙烯基萘基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(6，7-二乙烯基萘基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(6，8-二乙烯基萘基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(5，7-双(苯基乙炔基)萘基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(6，7-双(苯基乙炔基)萘基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(6，8-双(苯基乙炔基)萘基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(3，4-二乙炔基苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(3，5-二乙炔基苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(2，4-二乙炔基苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(3、4、5-三乙炔基苯基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(5，7-二乙炔基萘基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(6，7-二乙炔基萘基)-4，4′-联二并金刚烷、9，9′-双(6，8-二乙炔基萘基)-4，4′-联二并金刚烷；当n＝1的情形，可举出1，4-双[3-(3，4-二乙烯基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，5-二乙烯基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(2，4-二乙烯基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4，5-二乙烯基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4-二乙烯基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，5-二乙烯基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(2，4-二乙烯基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4，5-二乙烯基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，5-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(2，4-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4，5-三乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，5-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(2，4-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4，5-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4，5-三(苯基乙炔基)苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4，5-三(苯基乙炔基)苯基)-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4-二乙烯基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，5-二乙烯基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(2，4-二乙烯基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4，5-二乙烯基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4-二乙烯基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，5-二乙烯基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(2，4-二乙烯基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4，5-二乙烯基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)一5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3一(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4，5-三(苯基乙炔基)苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3一(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)一5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3一(3，4，5-三(苯基乙炔基)苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4-二乙炔基苯基)一5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，5-二乙炔基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(2，4-二乙炔基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[3-(3，4，5-三乙炔基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4-二乙炔基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，5-二乙炔基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(2，4-二乙炔基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，3-双[3-(3，4，5-三乙炔基苯基)-5，7-二甲基-1-金刚烷基]苯、1，4-双[9-(3，4-二乙烯基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9-(3，5-二乙烯基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9-(2，4-二乙烯基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9-(3，4，5-二乙烯基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9一(3，4-二乙烯基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9-(3，5-二乙烯基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9-(2，4-二乙烯基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9-(3，4，5-二乙烯基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9一(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9-(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9一(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9-(3，4，5-三(苯基乙炔基)苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9一(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9一(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9-(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9-(3，4，5-双(苯基乙炔基)苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9-(3，4-二乙炔基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9-(3，5-二乙炔基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9一(2，4-二乙炔基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，4-双[9-(3，4，5-二乙炔基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9-(3，4-二乙炔基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9-(3，5-二乙炔基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9-(2，4-二乙炔基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、1，3-双[9-(3，4，5-二乙炔基苯基)-4-二并金刚烷基]苯、3，3″-双(3，4-二乙烯基苯基)-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，5-二乙烯基苯基)-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(2，4-二乙烯基苯基)-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，4，5一三乙烯基苯基)-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，4-二乙炔基苯基)-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，5-二乙炔基苯基)-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(2，4-二乙炔基苯基)-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、5，7，5′，7′，5″，7″-六甲基-3，3″-双(3，4-二乙烯基苯基)-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，5-二乙烯基苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″-六甲基-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(2，4-二乙烯基苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″-六甲基-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，4，5-三乙烯基苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″-六甲基-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，4-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″-六甲基-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″-六甲基-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(2，4-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″一六甲基-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，4-二乙炔基苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″-六甲基-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(3，5-二乙炔基苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″-六甲基-1，1′：3′，1″-三联金刚烷、3，3″-双(2，4-二乙炔基苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″一六甲基-1，1′：3′，1″-三联金刚烷等。上述化合物至多是代表例，在这些代表例中，具有环结构的有机基团及具有反应性基团的芳香族性有机基团替换为上述例示的基团也包含在本发明的范围内，这是不言而喻的，本发明并不限于上述代表例。
对于用上述通式(1)表示的反应性化合物的聚合反应，没有特别的限定，可使用公知的聚合方法。
作为上述聚合方法，例如，可举出使用过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化物及偶氮双异丁腈等自由基引发剂的自由基聚合的方法；使用光照射等的光自由基聚合的方法；使用二氯双(三苯基膦)钯(II)、双(苯甲腈)钯(II)二氯化物及四(三苯基膦)钯(0)等钯催化剂的聚合方法；不使用催化剂进行加热使其反应的热聚合的方法；使用乙酸铜(II)等过渡金属催化剂的聚合方法；使用氯化钼(V)、氯化钨(VI)及氯化钽(V)等过渡金属氯化物的聚合方法等。其中，从容易地控制反应并得到需要的聚合物，且不需要除去由于催化剂等的残留而形成的杂质的角度考虑，优选使用热聚合的方法。
作为反应条件，只要根据用通式(1)表示的反应性化合物的结构进行适当变更即可。特别地，在反应性基团是碳-碳不饱和键的情形，作为反应温度，通常是0℃以上500℃以下左右。进行热聚合时，优选用通式(1)表示的反应性化合物在有机溶剂中溶解。作为在有机溶剂中的用通式(1)表示的反应性化合物的浓度，通常是1质量％以上50质量％以下左右。反应温度及反应时的用通式(1)表示的反应性化合物的浓度，也可在上述范围外使用，但是当各自过高时，分子量变大，可能会引起对有机溶剂的不溶。
作为上述聚合反应中的有机溶剂，没有特别限制，例如，甲醇、乙醇、异丙醇、1-丁醇及2-丁醇等醇系溶剂；乙酰丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、环庚酮、2-戊酮及2-庚酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、γ-丁内酯及丙二醇单甲醚醋酸酯等的酯系溶剂；二异丙基醚、二丁基醚、四氢呋喃、甲氧基苯、乙氧基苯、1，2-二甲氧基苯、1，3-二甲氧基苯、1，4-二甲氧基苯及二苯基醚等醚系溶剂；苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙基苯、二乙基苯及丙基苯等芳香族烃系溶剂；N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺及N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂；以及，二甲基亚砜、碳酸丙烯酯、二乙基碳酸酯等作为溶剂是合适的，这些溶剂既可单独使用也可混合使用2种以上。
这些聚合反应，通常通过用通式(1)表示的反应性化合物的一部分或全部发生反应来进行。
关于如上述进行而得到的聚合物，在用上述通式(1)表示的反应性化合物中的反应性基团是碳-碳不饱和键的情形，优选是具有不饱和键之间发生反应生成的不饱和键或上述不饱和键之间发生反应生成的不饱和键及未反应的不饱和键的预聚物。通过制成如上述的预聚物，能够提高耐热性、机械特性(特别是弹性模量)。作为具体实例，在含有不饱和键的基团是乙炔基的情形时，在通式(1)中，将末端的反应性基团的乙炔基以外的部位记载为Z，由此通过简化的化学式，说明聚合物。由此，用通式(1)表示的化合物通过聚合反应能够得到的结构，例如，可举出具有用下述式所示的结构的重复单元的结构，但并不限定于此。
如上述进行而得到的聚合物，可以是低聚物也可以是聚合物，作为通过凝胶渗透色谱(GPC)测定的聚苯乙烯换算的重均分子量，在成膜基础上，优选是10000～500000，更优选是20000～300000。
本发明的绝缘膜形成用组合物，是包括上述得到的绝缘膜形成用聚合物的组合物，通常如后所述，可以包含使该聚合物溶解或者分散的溶剂，因为这样能够制成清漆涂布在支撑体上，从而形成膜。在制成清漆时，也可回收通过上述反应制成的聚合物，使其干燥制成固体的聚合物，将该固体聚合物溶解在有机溶剂中，制成绝缘膜形成用组合物清漆；也可将通过上述聚合物的制造得到的反应溶液直接作为清漆使用；另外，也可在反应溶液中混合其他的有机溶剂。
作为用于绝缘膜形成用组合物的有机溶剂，只要是能够使上述聚合物溶解或分散的有机溶剂即可，没有特别限定。可举出与用于上述聚合反应的有机溶剂同样的有机溶剂。作为绝缘膜形成用组合物清漆中的浓度，根据上述聚合物的结构或分子量适宜决定即可，在绝缘膜形成用组合物清漆中，上述聚合物优选是0.1质量％～50质量％，进一步优选是0.5质量％～15质量％。
另外，上述绝缘膜形成用组合物中，根据需要，可添加表面活性剂、以硅烷偶联剂为代表的偶联剂等的粘合促进剂、通过加热产生氧自由基或硫自由基的自由基引发剂、二硫化物类等的催化剂等的各种添加剂。另外，通过在上述绝缘膜形成用组合物中添加作为感光剂的二叠氮基萘醌(Naphthoquinonediazide)化合物等，也能够作为具有感光性的表面保护膜使用。另外，也可在上述绝缘膜形成用组合物中添加空孔形成剂。但是，在这种情形下，上述聚合物本身形成的分子空隙以及通过空孔形成剂形成的空孔共存，因此，仅希望在不损害本发明的主题，即不损害具有聚合物本身形成的分子空隙的结构的特性的范围内进行并用。
在上述的本发明中的绝缘膜形成用组合物的成分中，优选添加粘合促进剂。通过添加粘合促进剂，能够提高后述的绝缘膜对于基板的粘合性、以及在形成后述的半导体器件时的与在该绝缘膜的上部上形成的各种膜的粘合性，从而使半导体器件的可靠性更加提高。
作为粘合促进剂，可举出硅烷系化合物、或其水解化合物或缩合化合物、及它们的混合物；铝系螯合物、钛系螯合物及锆系螯合物等金属螯合物；聚苯并噁唑、聚苯并咪唑及聚苯并噻唑等聚苯并唑化合物等。作为具体的实例，可举出，N-甲基氨基乙基三甲氧基硅烷、N，N-二甲基氨基乙基三甲氧基硅烷、N-乙基氨基乙基三甲氧基硅烷、N，N-二乙基氨基乙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基乙基三甲氧基硅烷、N，N-二苯基氨基乙基三甲氧基硅烷、N-甲苯酰基氨基乙基三甲氧基硅烷、N-(二甲基苯基)氨基乙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨基乙基三乙氧基硅烷、N，N-二甲基氨基乙基三乙氧基硅烷、N-乙基氨基乙基三乙氧基硅烷、N，N-二乙基氨基乙基三乙氧基硅烷、N-苯基氨基乙基三乙氧基硅烷、N，N-二苯基氨基乙基三乙氧基硅烷、N-甲苯酰基氨基乙基三乙氧基硅烷、N-(二甲基苯基)氨基乙基三乙氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N，N-二甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-甲基氨基乙基甲基二乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N，N-二甲基氨基乙基甲基二乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-乙氧基甲硅烷基-N-(1，3-二甲基-亚丁基)丙基胺、N-甲基氨基乙基三丙氧基硅烷、N-甲基氨基乙基三丁氧基硅烷、N-甲基氨基乙基三己氧基硅烷、N，N-二甲基氨基乙基三丙氧基硅烷、N，N-二甲基氨基乙基三丁氧基硅烷、N，N-二甲基氨基乙基三己氧基硅烷及3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷等氨基硅烷化合物；四乙氧基硅烷及四甲氧基硅烷等四烷氧基硅烷化合物；乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及对苯乙烯基三甲氧基硅烷等乙烯基硅烷化合物；2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷及3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等环氧硅烷化合物；3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等甲基丙烯酰基硅烷化合物；3-脲基丙基三乙氧基硅烷等脲基硅烷化合物；3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷及3-巯基丙基三甲氧基硅烷等巯基硅烷化合物；3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷等异氰酸酯硅烷化合物；N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基-4，5-二氢咪唑等咪唑基硅烷化合物；丁氧基乙基乙酰乙酸酯铝等的金属螯合物等。不言而喻，上述化合物是代表例，本发明不受其任何限制。另外，这些也可多种并用。其中，优选氨基硅烷化合物、乙烯基硅烷化合物、咪唑基硅烷化合物及它们的混合物，特别优选氨基硅烷化合物及氨基硅烷化合物的混合物系。作为这些粘合促进剂在绝缘膜形成用组合物中的添加量，相对于绝缘膜形成用组合物中的聚合物优选是0.01质量％～10质量％，更优选是0.05质量％～5质量％，进一步优选是0.1质量％～3质量％。
作为粘合促进剂的使用形态，除如上所述添加至本发明的绝缘膜形成用组合物中的方法以外，也可适用对采用该绝缘膜形成用组合物形成绝缘膜的基板预先用上述粘合促进剂进行处理而后形成绝缘膜的方法，此时，绝缘膜形成用组合物可含有粘合促进剂也可不含有粘合促进剂。
接下来，对绝缘膜进行说明。
本发明的绝缘膜，通过使用上述绝缘膜形成用组合物而得到，例如，可通过下述方式制造：将上述得到的绝缘膜形成用组合物清漆涂布在基板等支撑体上，然后，对其进行加热或活性能量射线照射等的处理。另外，可将上述得到的反应溶液直接、或加热上述绝缘膜形成用组合物使其溶解涂布到支撑体上进行制造。通过进行上述加热或活性能量射线照射等处理，使聚合物中残存的不饱和键进行交联反应，由此能够提供耐热性、弹性模量更优良的树脂膜。
进一步地，对于本发明的绝缘膜的制造方法，说明使用上述绝缘膜形成用组合物清漆的情形的具体实例。首先，将上述绝缘膜形成用组合物清漆涂布到适当的支撑体、例如，聚酯膜等的有机基材、铜箔等的金属板、硅晶片或陶瓷基板等的半导体基板等的基材上，形成涂膜。作为涂布方法，可举出使用旋转器的旋转涂布、使用喷雾涂布器的喷雾涂布、浸渍、印刷、辊涂布等方法。然后，干燥涂膜，进行加热等处理，除去溶剂，接着，通过加热的方法或照射活性能量射线的方法或者使用这两个方法的方法等使其固化，能够制成机械特性优异的树脂膜。此处所说的固化，是指在特征为聚合用通式(1)表示的反应性化合物而得到的聚合物中，通过在聚合反应中未反应而残存的反应性基团发生反应，形成交联结构等的现象，或者该聚合物之间发生凝集，相互作用增大等的现象的总称。
在上述加热的方法中，例如，可通过加热板等的热板、熔炉、烘箱及减压烘箱等，在150～450℃下加热1分钟～24小时左右、优选为在200～425℃下加热3分钟～5小时、进一步优选为250～400℃下加热3分钟～2小时来进行。作为上述活性能量射线，可举出可见光、紫外光、红外光及激光等的活性能量光线；X射线、电子射线以及微波等。在照射这些活性能量射线时，可同时进行加热，也可另外进行加热。在加热及照射活性能量射线时，没有特别限制。为了抑制绝缘膜的氧化，环境中的氧等的氧化性气体的浓度优选为1体积％以下，更优选为100ppm以下。
本发明的绝缘膜，可通过上述方法直接涂布在半导体基板等基板上形成，也可将在有机基材等支撑体上形成的树脂膜从该支撑体上剥离，作为干膜使用。
另外，为了提高与基板等支撑体的粘合性，也可在基板上形成粘合促进剂层后，在该层上形成树脂膜。
上述绝缘膜，如上所述，是由含有聚合物的绝缘膜形成用组合物形成的，所述聚合物的特征为聚合用通式(1)表示的反应性化合物而得到，上述绝缘膜保持该聚合物形成的分子空隙。本发明的绝缘膜，即使不使用空孔形成剂，也具有平均空隙直径为0.8nm～5nm的分子空隙，由此，能够得到2.3以下的介电常数，并且得到均匀的膜。
本发明中，作为测定绝缘膜中的聚合物中的分子空隙的方法，例如，可举出小角X射线散射(SAXS)法、气体吸附法、正电子寿命测定法、吸附分光椭圆光度法的场测定法等，本发明中，对空隙的测定方法没有特别限定。其中，正电子寿命测定的方法，是能够精度高地测定亚纳米～数纳米级的空隙的方法，本发明中的空隙测定，应用正电子寿命测定法。上述正电子寿命测定法，可通过对绝缘膜照射正电子束，测定正电子消灭的寿命时间，作为平均空隙直径测定空隙的大小。在正电子寿命测定中，在该绝缘膜的上部形成或没有形成作为盖膜的SiO2膜等时，均具有同样的正电子寿命光谱，因此形成的分子空隙的连续性极低，呈独立存在。
正电子寿命的测定按如下方式实施：对在硅晶片等基板上以100nm～1000nm左右的厚度形成绝缘膜的样品，打入正电子，检测正电子消灭时生成的γ射线。另外，介电常数的测定，可通过水银探针法、或在绝缘膜上蒸镀形成面积不同的铝电极而从电容的斜率来获得的方法等来测定。
作为上述绝缘膜的用途，例如，可举出半导体用的层间绝缘膜或表面保护膜、多层电路的层间绝缘膜、挠性覆铜板的外涂层、阻焊膜、液晶取向膜、蚀刻保护膜(蚀刻终止膜)、粘接剂等。其中，适宜用作半导体用的层间绝缘膜及表面保护膜、蚀刻保护膜。
上述得到的绝缘膜的玻璃化转变温度，没有特别限定。优选是350℃以上，特别优选是400℃以上，最优选是420～500℃。玻璃化转变温度在上述范围内时，能够降低上述绝缘膜的线膨胀系数，能够得到尺寸稳定性优异的绝缘膜。
上述绝缘膜的厚度，没有特别限定。在半导体用层间绝缘膜等中，优选是0.01～20μm，特别优选是0.02～10μm，最优选是0.05～0.5μm。厚度在上述范围内时，半导体的制造工序适宜性优异。
在半导体用保护膜等中，优选是0.05～70μm，特别优选是0.1～50μm。厚度在上述范围内时，半导体元件的保护特性及加工性两方面均特别优异。
将上述绝缘膜作为半导体用层间绝缘膜使用的情形，例如，将上述绝缘膜形成用组合物清漆直接涂布在硅晶片或陶瓷基板等的规定的位置上形成涂膜。作为涂布方法，可举出使用旋转器的旋转涂布、使用喷雾涂布器的喷雾涂布、浸渍、印刷、辊涂布等的方法。然后，干燥涂膜，除去溶剂，与上述同样地通过加热的方法或照射活性能量射线的方法或者使用这两种方法的方法等使其固化，从而能够制成层间绝缘膜。另外，也可预先使用上述绝缘膜形成用组合物制成干膜，将其层叠在规定的位置上。
另外，作为上述半导体用的保护膜使用上述绝缘膜的情形，也与上述半导体用层间绝缘膜同样地，将绝缘膜形成用组合物清漆直接涂布在硅晶片或陶瓷基板等的规定的位置上。作为涂布方法，可举出使用旋转器的旋转涂布、使用喷雾涂布器的喷雾涂布、浸渍、印刷、辊涂布等方法。然后，干燥涂膜，除去溶剂，与上述同样地通过加热的方法或照射活性能量射线的方法或者使用这两种方法的方法等使其固化，制成由上述树脂膜构成的保护膜。
接下来，对于本发明的电子器件，基于优选的实施方式进行说明。但是，本发明并不限于该实施方式。
图1是示意性表示本发明的电子器件的一个实例的剖面图。
电子器件100，由形成有元件的半导体基板1、半导体基板1的上侧(图1上侧)上设置的布线结构构成。在装有晶体管等元件的基板1上，首先形成第一层层间绝缘膜2。该绝缘膜，使用通过本发明的绝缘膜形成组合物形成的有机绝缘膜或通过化学气相沉积(CVD)法形成的无机绝缘膜等。该绝缘膜中形成有用于与元件进行电连接的布线层，具有层间绝缘膜2及用阻挡金属层4覆盖的铜布线层3构成的结构。
在层间绝缘膜2中，形成与应布线图案对应的凹部，在其凹部内设置有铜布线层3。
另外，在层间绝缘膜2与铜布线层3之间，例如，在提高层间绝缘膜2与阻挡金属层4的粘合性方面，以及，在不具有上述阻挡金属层4的情形下，在提高层间绝缘膜2与铜布线层3的粘合性方面，有时在后述的布线槽的内表面上通过等离子体处理等设置有改性处理层。
另外，在层间绝缘膜2的上侧(与半导体基板1相反的侧面)上，形成有硬掩模层5。在该第一层的布线的上部上，进一步形成布线层，与上述同样地形成层间绝缘膜等，能够形成多层布线结构。
作为上述电子器件100的制造方法，首先，准备在硅晶片上制作有晶体管等器件的半导体基板1，然后，在其上形成层间绝缘膜2及硬掩膜层5。进一步地，在其上形成光致抗蚀剂层，通过干式蚀刻，加工布线槽，该布线槽在由上述层间绝缘膜及硬掩模层构成的绝缘层的规定的位置上贯通。接下来，在上述布线槽的内表面上，通过PVD法或CVD法等方法，形成由Ta、Ti、TaN、TiN及WN等构成的阻挡金属层4。进一步地，通过电镀法等形成构成布线层的铜层3，然后，通过CMP法研磨除去布线部以外的铜层及阻挡金属层，实现平坦化，由此能够制作上述电子器件100。
进一步地，在层叠布线层的情形，也能够通过基本上与上述第一层的布线的形成相同的方法形成。
进一步地，作为具体的层间绝缘膜2的形成方法，在上述半导体基板1上，可直接涂布绝缘膜形成用组合物清漆而形成，也可预先准备树脂膜的干膜，将其在半导体基板1上层叠来形成。更具体地，也可在上述半导体基板1上，直接涂布上述得到的绝缘膜形成用组合物清漆而形成涂膜，通过加热和/或照射活性能量射线使其固化而形成。使用干膜的情形，预先使用上述得到的绝缘膜形成用组合物清漆在基材上形成树脂层，然后干燥，形成干膜，然后将其在上述半导体基板1上层叠、加热和/或照射活性能量射线，使其固化而形成。形成层间绝缘膜的位置，不限定与此。
另外，本实施方式中，对于使用层间绝缘膜2的电子器件100进行了说明，但是本发明并不限定于此。
本发明的电子器件，由于使用如上述的层间绝缘膜，尺寸精度优良，能够充分发挥绝缘性，因此，连接可靠性优良。
另外，如上所述的层间绝缘膜的介电特性优良，因此能够降低布线延迟。
实施例
下面，基于实施例及比较例对本发明进行详细的说明，但是，本发明并不限定于此。
(合成例1)
[7，7′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷的合成]
1)3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷的合成
在具有温度计、搅拌机及回流管的1000mL的4口烧瓶中，加入金属钠14g(0.6mol)和正辛烷600mL，将内温冷却至0℃。一边进行激烈搅拌，一边缓缓滴加预先溶解在正辛烷300mL中的1-溴-3，5-二甲基金刚烷73.0g(0.3mol)。滴加时，内温保持在0℃～5℃。滴加结束，温度不上升后，持续反应1小时。然后，注入冷水约1500mL，过滤粗生成物，用纯水洗涤，进行干燥。进一步通过热己烷对粗成生物进行重结晶。通过减压干燥获得的重结晶物，得到生成物78.2g。
通过IR分析，可知Br基的吸收(690～515cm-1附近)消失，通过质量分析，可知分子量是326，由该结果可知生成物是3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷。
2)7，7′-二溴-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷的合成
在具有温度计、搅拌机及回流管的2000mL的4口烧瓶中，加入四氯化碳700mL、溴35g(0.22mol)，一边搅拌，一边少量逐量添加上述得到的3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷65.2g(0.2mol)。添加的过程中，内温保持在20℃～30℃。添加结束，温度不上升后，持续反应1小时。然后，注入冷水约2000mL，过滤粗生成物，用纯水洗涤，进行干燥。通过热乙醇重结晶粗生成物。通过减压干燥得到的重结晶物，得到生成物65.0g。
通过IR分析，可见到溴基的吸收690～515cm-1，通过质量分析，可知分子量是482，由该结果可知生成物是7，7′-二溴-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷。
3)7，7′-双(3，5-二溴代苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷的合成
在3L茄形烧瓶中投入上述合成的7，7′-二溴-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷48.4g(100mmol)、1，3-二溴苯1180g(500mmol)及搅拌子，在氮气流下，在室温下边搅拌，边少量逐量添加溴化铝(III)26.7g(100mmol)。添加结束后，在50℃下搅拌7小时。将反应液投入到1mol/L的盐酸水溶液2L中，分液除去水层后，添加丙酮1L通过过滤回收提取的固体，进行减压干燥，由此，得到7，7′-双(3，5-二溴代苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷71.5g(90.0mmol，收率90.0％)。
4)7，7′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷的合成
接下来，在3L茄形烧瓶中，投入上述得到的7，7′-双(3，5-二溴代苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷39.7g(50.0mmol)、乙炔基苯40.9g(400mmol)、二氯双三苯基膦钯3.5g(5.0mmol)、碘化铜(I)3.8g(20.0mmol)、三苯基膦5.2g(20.0mmol)、三乙基胺1L及搅拌子，在氮气流下，在95℃下搅拌6小时。将反应液投入到丙酮1L中，对析出的固体用2mol/L盐酸水溶液1L、丙酮1L洗涤后，进行减压干燥，由此得到生成物26.4g。
下面，示出上述得到的生成物的外观、质量分析及元素分析的结果。这些数据表明，得到的化合物是7，7′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷。
外观：白色固体
MS(FD)(m/z)：878(M+)
元素分析：理论值(/％)C；92.89、H；7.11
          实测值(/％)C；92.95、H；7.05
(合成例2)
将合成例1中得到的7，7′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷5.0g溶解在甲苯95g中，添加氯化钽(V)0.5g，在干燥氮气下，在30℃下，反应24小时，将反应液滴加至10倍体积的甲醇中，收集沉淀物进行干燥，得到3.5g的聚合物。使用东ソ-株式会社制造的凝胶渗透色谱(GPC)，通过聚苯乙烯换算，求出得到的聚合物的分子量，得出其重均分子量是82500。
(合成例3)
[7，7′-双(3，5-二乙炔基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷的合成]
通过合成例1-3)中记载的方法，合成7，7′-双(3，5-二溴代苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷。
接下来，将7，7′-双(3，5-二溴代苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷50g(62.9mmol)、二氯双三苯基膦钯3.53g(5.0mmol)、三苯基膦6.60g(25.2mmol)、碘化铜(II)4.79g(25.2mmol)、三乙基胺750mL投入烧瓶中，进行搅拌。将其升温至75℃后，缓缓加入三甲基甲硅烷基乙炔37.1g(377.7mmol)。将其在75℃下搅拌7小时后，升温至120℃，然后，蒸馏除去三乙基胺。返回至室温，将二氯甲烷1000mL添加至反应液中，搅拌20分钟。过滤除去反应液中的析出物，在滤液中，添加5％盐酸水溶液1000ml进行分液。将通过分液得到的有机层用水1000mL清洗3次，然后，减压除去有机层的溶剂，得到化合物。将得到的化合物溶解在己烷1500mL，通过过滤除去不溶物，减压除去滤液中的己烷。往其中投入丙酮1000mL，用丙酮清洗3次析出物，由此，得到7，7′-双(3，5-二三甲基甲硅烷基乙炔基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷43g。
进一步地，将上述得到的7，7′-双(3，5-二三甲基甲硅烷基乙炔基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷39.8g(53.5mmol)和碳酸钾1.46g(10.6mmol)，在四氢呋喃600mL及甲醇300mL混合溶剂中，在氮气环境下，在室温下搅拌4小时。将其投入10％盐酸水溶液1000mL中，过滤析出物，将得到的析出物用水1000mL进行清洗，进一步地，用丙酮1000mL清洗，然后使其干燥，由此，得到生成物21.2g。
下面，示出了上述得到的生成物的外观、质量分析及元素分析的结果。这些数据表明，得到的化合物是7，7′-双(3，5-二乙炔基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷。
外观：白色固体
MS(FD)(m/z)：574(M+)
元素分析：理论值(/％)：C，91.93；H，8.07
          实测值(/％)：C，91.89；H，8.11
(合成例4)
将合成例3中得到的7，7′-双(3，5-二乙炔基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷5.0g溶解在苯甲醚45g中，在干燥氮气下，在155℃下反应18小时，将反应液滴加至10倍体积的甲醇中，收集沉淀物，进行干燥，得到4.2g的聚合物。使用东ソ-株式会社制造的凝胶渗透色谱(GPC)，通过聚苯乙烯换算，求出得到的聚合物的分子量，得出其重均分子量是62200。
(合成例5)
[7，7′-双(3，5-二乙烯基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷的合成]
在100mL茄形烧瓶中，投入合成例3中得到的7，7′-双(3，5-二乙炔基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷5.7g(10mmol)、喹啉19.4g(150mmol)、5％钯-碳酸钙0.3g(0.015mmol)、四氢呋喃(30mL)及搅拌子，在氢气流下，在室温下开始搅拌。在消耗掉0.90L(40mmol)的氢的时刻，导入氮气，停止反应。过滤反应液后，减压除去溶剂，通过柱色谱纯化得到的固体，由此，得到生成物5.2g。
下面，示出了生成物的外观、质量分析及元素分析的结果。这些数据表明，得到的化合物是7，7′-双(3，5-二乙烯基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷。
外观：白色固体
MS(FD)(m/z)：582(M+)
元素分析：理论值(/％)：C，90.66；H，9.34
          实测值(/％)：C，90.59；H，9.41
(合成例6)
将合成例5中得到的7，7′-双(3，5-二乙烯基苯基)-3，3′，5，5′-四甲基-1，1′-二联金刚烷5.0g溶解在苯甲醚45g中，在干燥氮气下，在155℃下反应24小时，将反应液滴加至10倍体积的甲醇中，收集沉淀物，进行干燥，得到3.2g的聚合物。使用东ソ-株式会社制造的凝胶渗透色谱(GPC)，通过聚苯乙烯换算，求出得到的聚合物的分子量，得出其重均分子量是129200。
(合成例7)
[1，4-双[3-(3，5-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯的合成]
通过美国专利第3342880号说明书中记载的方法，合成1，4-双(金刚烷基)苯。将得到的1，4-双(金刚烷基)苯20g(57.8mmol)、四氯化碳360g、溴244g(1.53mol)的混合溶液，在30℃下搅拌70小时。将反应溶液加入到300g冰水中，用亚硫酸钠还原未反应溴。还原后，在溶液中，加入氯仿120g，进行分液，用水清洗有机层。在40℃下浓缩有机层后，通过硅胶柱色谱进行分离，由此，得到1，4-双[3-溴代-1-金刚烷基]苯5.5g。使用得到的1，4-双[3-溴代-1-金刚烷基]苯5g，通过与合成例3同样的方法，得到1，4-双[3-(3，5-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯3.8g。
下面示出了生成物的外观、质量分析及元素分析的结果。这些数据表明，得到的化合物是1，4-双[3-(3，5-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯。
外观：白色固体
MS(FD)(m/z)：594(M+)
元素分析：理论值(/％)：C，92.93；H，7.07
          实测值(/％)：C，92.77；H，7.23
(合成例8)
使合成例7中得到的1，4-双[3-(3，5-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基]苯3.0g以与合成例4同样的方法反应，由此得到2.1g的聚合物。使用东ソ-株式会社制造的凝胶渗透色谱(GPC)，通过聚苯乙烯换算，求出得到的聚合物的分子量，其重均分子量是98000。
(合成例9)
[9，9′-双(3，5-二乙炔基苯基)-4，4′-联二并金刚烷的合成]
1)4，4′-联(二并金刚烷)的合成
在具备温度计、搅拌机及回流管的500mL的4口烧瓶中，加入金属钠14g(0.6mol)和正辛烷600mL，将内温冷却至0℃。一边进行激烈搅拌，一边缓缓滴加预先溶解在正辛烷300mL的4-溴二并金刚烷80.2g(0.3mol)。滴加过程中，将内温保持在0℃～5℃。滴加结束，温度不上升后，继续反应1小时。然后，注入冷水约1500mL，过滤粗生成物，用纯水清洗，进行干燥。进一步，通过热己烷重结晶粗生成物。通过减压干燥得到的重结晶物，得到生成物78.6g。
通过IR分析，可知Br基的吸收(690～515cm-1附近)消失，通过质量分析，可知分子量是374。由此，可知生成物是4，4′-联(二并金刚烷)。
2)9，9′-二溴-4，4′-联二并金刚烷的合成
使上述得到的4，4′-联(二并金刚烷)以与合成例1-2)相同的方法反应，由此，得到9，9′-二溴-4，4′-联二并金刚烷66.6g。
通过IR分析，可在690～515cm-1见到溴基的吸收，通过质量分析，可知分子量是530。由此，可知生成物是9，9′-二溴-4，4′-联二并金刚烷。
3)9，9′-双(3，5-二乙炔基苯基)-4，4′-联二并金刚烷的合成
使上述得到的9，9′-二溴-4，4′-联二并金刚烷60g以与合成例3相同的方法反应，由此，合成9，9′-双(3，5-二乙炔基苯基)-4，4′-联二并金刚烷19.5g。
下面，示出了生成物的外观、质量分析及元素分析的结果。这些数据表明，得到的化合物是9，9′-双(3，5-二乙炔基苯基)-4，4′-联二并金刚烷。
外观：白色固体
MS(FD)(m/z)：622(M+)
元素分析：理论值(/％)：C，92.56；H，7.44
          实测值(/％)：C，92.12；H，7.30
(合成例10)
将合成例9中得到的9，9′-双(3，5-二乙炔基苯基)-4，4′-联二并金刚烷5.0g以与合成例4相同的方法反应，由此，得到4.0g的聚合物。使用东ソ-株式会社制造的凝胶渗透色谱(GPC)，通过聚苯乙烯换算，求出得到的聚合物的分子量，得出其重均分子量是77000。
(合成例11)
按照文献(Journal of Polymer Science：Part A：Polymer Chemistry，Vol.30，1747-1754(1992))中记载的方法，合成3，3′-二乙炔基-1，1′-二联金刚烷。接下来，将3，3′-二乙炔基-1，1′-二联金刚烷10g与1，3，5-三异丙基苯50mL及Pd(PPh3)4150mg，在氮气流下，在200℃下，搅拌10小时。将反应液降至室温，过滤除去不溶物，然后，在滤液中添加异丙醇300mL，过滤析出的固体，用异丙醇进行清洗，得到2.8g的聚合物。使用东ソ-株式会社制造的凝胶渗透色谱(GPC)，通过聚苯乙烯换算，求出得到的聚合物的分子量，得出其重均分子量是20000。
(合成例12)
在200mL烧瓶中加入二溴金刚烷5.0g(17mmol)、溴化铝2.3g(9mol)及间二溴苯100mL，在60℃下搅拌10小时。冷却后，将反应液添加至溶解有浓盐酸10g的冰水150g中，在搅拌后，除去水层。通过减压蒸馏除去过剩的二溴苯，然后，往残渣中添加二氯甲烷100mL，使其溶解，用水及食盐水清洗后，用硫酸镁进行干燥。过滤硫酸镁后，使用蒸发器浓缩二氯甲烷，添加甲醇100mL，进行搅拌。过滤析出的结晶，进行减压干燥。将该结晶6.0g加入200mL烧瓶中，添加二氯双(三苯基膦)钯200mg、三苯基膦400mg、碘化铜(I)180mg及三乙基胺100mL，升温至80℃。花1小时滴加三甲基甲硅烷基乙炔6.7g，在80℃下反应4小时。冷却后，蒸馏除去溶剂，往残渣中添加二乙醚200mL，过滤不溶盐。用1mol/L盐酸、饱和食盐水及水清洗滤液，用硫酸镁干燥醚层。过滤干燥剂，蒸馏除去醚，用色谱柱纯化残渣。使生成物5.5g溶解在甲醇150mL、四氢呋喃100mL中，添加碳酸钾0.5g，在室温下搅拌4小时。减压蒸馏除去溶剂，往残渣中添加二氯甲烷200mL、1mol/L盐酸100mL，搅拌后，除去盐酸相。用纯水100mL清洗3次二氯甲烷层，从二氯甲烷相蒸馏除去溶剂，减压干燥残渣，由此得到双(3，5-二乙炔基苯基)金刚烷3.0g。将该双(3，5-二乙炔基苯基)金刚烷以与合成例4相同的方法，仅将溶剂更换为苯甲醚在反应温度150℃下聚合，得到聚合物。使用东ソ-株式会社制造的凝胶渗透色谱(GPC)，通过聚苯乙烯换算，求出得到的聚合物的分子量，得出其重均分子量是120000。
(合成例13)
在具有温度计、搅拌机、回流管及氮气导入管的100ml的四口烧瓶中，加入2，2′-二甲基联苯14.7g(80.55mmol)、1-溴-金刚烷34.7g(161.1mmol)、硝基甲烷200mL，在氮气流下，在室温下搅拌。添加氯化铁(III)1.31g(8.07mmol)，在室温下搅拌至溶解。用油浴加热至60℃，在该温度下持续搅拌4小时。过滤反应液，用少量的甲醇冲洗。将过滤物在30mL的甲醇中搅拌30分钟后，进行过滤。将得到的残渣在60℃下进行减压干燥，得到2，2′-二甲基-5，5′-双(1-金刚烷基)联苯的白色粉末17.5g。
由得到的2，2′-二甲基-5，5′-双(1-金刚烷基)-联苯10g，以与合成例7相同的方法，合成2，2′-二甲基-5，5′-双(3-溴代-1-金刚烷基)联苯4.5g，接下来以与合成例3相同的方法，得到2，2′-二甲基-5，5′-双(3-(3，5-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基)联苯3.8g。
上述得到的2，2′-二甲基-5，5′-双(3-(3，5-二乙炔基苯基)-1-金刚烷基)联苯3g，以与合成例4同样的方法进行聚合，得到2.5g聚合物。
(合成例14)
①3，3″′-二溴-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷的合成
在氮气环境下，将四(二甲基金刚烷)2.0g(3.0mmol)、溴13.7g(86.0mmol)、四氯化碳500ml的混合溶液在50℃下加热搅拌8小时。将反应混合液冷却至5℃，添加水后，缓缓添加亚硫酸氢钠，还原过剩的溴。然后，过滤析出物，依次用饱和碳酸氢钠水溶液、水、丙酮清洗，然后干燥。其结果，得到二溴四(二甲基金刚烷)(＝3，3″′-二溴-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷)2.0g(2.4mmol)，收率为80％。
下面，示出了生成物的外观、质量分析及元素分析的结果。这些数据表明，得到的化合物是3，3″′-二溴-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷。
外观：白色固体
MS(FD)(m/z)：808(M+)
元素分析：理论值(/％)C，71.27；H，8.97；Br，19.76
          实测值(/％)C，71.23；H，8.95；Br，19.82
②3，3″′-双(3，5-二溴代苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷的合成
在3L茄形烧瓶中投入上述合成的3，3″′-二溴-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷80.9g(100mmol)、1，3-二溴苯1180g(500mmol)及搅拌子，在氮气流下，在室温下边搅拌，少量逐量添加溴化铝(III)26.7g(100mmol)。添加结束后，在50℃下，搅拌7小时。将反应液投入至1mol/L盐酸水溶液2L中，分液除去水层后，添加丙酮1L，通过过滤回收提取的固体，进行减压干燥，由此得到3，3″′-双(3，5-二溴代苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷100.7g(90.0mmol，收率90.0％)。
下面示出了生成物的外观、质量分析及元素分析的结果。这些数据，表明得到的化合物是3，3″′-双(3，5-二溴代苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷。
外观：白色固体
MS(FD)(m/z)：1118(M+)
元素分析：理论值(/％)C，64.41；H，7.03；Br，28.57
          实测值(/％)C，64.34；H，7.06；Br，28.60
③3，3″′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷的合成
接下来，在3L茄形烧瓶中，投入上述得到的3，3″′-双(3，5-二溴代苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷55.9g(50.0mmol)、乙炔基苯40.9g(400mmol)、二氯双三苯基膦钯3.5g(5.0mmol)、碘化铜(I)3.8g(20.0mmol)、三苯基膦5.2g(20.0mmol)、三乙基胺1L及搅拌子，在氮气流下，在95℃下搅拌6小时。将反应液投入丙酮1L中，用2mol/L盐酸水溶液1L、丙酮1L清洗析出的固体后，进行减压干燥，由此得到3，3″′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷54.2g(收率90％)。
将上述得到的3，3″′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷3g以与合成例4同样的方法，进行聚合，得到2.5g聚合物。
下面示出了生成物的外观、质量分析及元素分析的结果。这些数据表明，得到的化合物是3，3″′-双(3，5-双(苯基乙炔基)苯基)-5，7，5′，7′，5″，7″，5″′，7″′-八甲基-1，1′：3′，1″：3″，1″′-四金刚烷。
外观：白色固体
MS(FD)(m/z)：1204(M+)
元素分析：理论值(/％)C，91.79；H，8.21
          实测值(/％)C，91.72；H，8.28
(实施例1)
将合成例2中得到的聚合物3g溶解在环己酮50g中，用孔径为0.05μm的过滤器过滤，制备涂布液。通过旋转涂布器将该涂布液涂布到低电阻的4英寸硅晶片上。在200℃的加热板上加热焙烘1分钟，然后，在400℃的烘箱中固化30分钟，由此，制得膜厚0.358μm的均匀的绝缘膜。
对于上述得到的绝缘膜，通过n&kテクノロジ一社制造的n&kアナライザ一1500测定膜厚。另外，通过日本エス·エス·エム(株)制造的自动水银探针CV测定装置SSM495测定膜的介电常数，另外，通过正电子寿命测定来测定膜中的空隙直径，另外，通过MST社制造的ナノインデンタ一测定膜的弹性模量，进一步地，切削膜，通过テイ-·エイ·インスツルメント社制造的DSC-Q1000装置测定玻璃化转变温度(Tg)。这些结果示于表1。
(实施例2～5)
使用合成例4、6、8、10中得到的聚合物，分别与实施例1同样地进行，制备涂布液，进行涂布、固化的操作，由此得到均匀的绝缘膜。对得到的绝缘膜，测定介电常数、空隙直径、玻璃化转变温度(Tg)、弹性模量。这些结果示于表1。
(实施例6)
在实施例1中的涂布液的制备中，作为粘合促进剂使用3-氨基丙基三乙氧基硅烷，相对于聚合物的质量添加至3％，制备涂布液。使用该涂布液，与实施例1同样地进行，实施涂布、固化的操作，由此得到均匀的绝缘膜。对得到的绝缘膜，测定介电常数、空隙直径、玻璃化转变温度(Tg)、弹性模量。这些结果示于表1。
(实施例7～10)
在实施例2～5中的各个涂布液中，与实施例6同样地使用粘合促进剂3-氨基丙基三乙氧基硅烷，相对于聚合物的质量添加至3％，制备涂布液，使用该涂布液，与实施例1同样进行，实施涂布、固化的操作，由此得到均匀的绝缘膜。对得到的绝缘膜，测定介电常数、空隙直径、玻璃化转变温度(Tg)、弹性模量。这些结果示于表1。
(比较例1～3)
将合成例11～13中得到的聚合物分别与实施例1同样地操作，制备涂布液，实施涂布、固化的操作，由此得到均匀的绝缘膜。对得到的绝缘膜，测定介电常数、空隙直径、玻璃化转变温度(Tg)、弹性模量。这些结果示于表1。
(比较例4)
想让上述合成例14中得到的聚合物3g溶解在环己酮50g中，但是由于溶解性低，不能制备涂布液。
表1
  介电常数   空隙直径(nm)   Tg(℃)  弹性模量(GPa)
  实施例1   2.28   1.5   ＞420   6.5
  实施例2   2.17   1.9   ＞420   7.2
  实施例3   2.23   0.85   ＞420   5.6
  实施例4   2.29   1.2   ＞420   8.2
  实施例5   2.21   1.8   ＞420   6.7
  实施例6   2.26   1.4   ＞420   7.0
  实施例7   2.20   1.8   ＞420   7.5
  实施例8   2.23   0.95   ＞420   5.5
  实施例9   2.28   1.1   ＞420   8.5
  实施例10   2.22   1.6   ＞420   6.5
  比较例1   2.43   0.84   ＞400   6.8
  比较例2   2.77   0.68   ＞420   9.1
  比较例3   2.70   0.65   ＞420   8.0
根据表1可知，通过本发明得到的绝缘膜能够具有2.3以下的低介电常数和高耐热性，另外，弹性模量也均在5GPa以上，作为绝缘膜性能良好。
接下来，为了评价电子器件的性能，对布线的信号延迟进行评价。
(实施例11)
准备硅基板，在上述硅基板上形成氮化硅层，接下来，使用实施例1中得到的涂布液，通过旋转涂布器，在上述氮化硅层上，形成实施例1的绝缘膜涂膜，通过通常的单波形花纹镶嵌(Single Damascene)法，形成铜的1层布线结构。即，通过光刻法对绝缘膜蚀刻并通过清洗形成布线槽；通过PVD法在布线槽侧面上形成阻挡金属及铜种子层；通过电镀法在布线槽内堆积铜，形成布线层；通过CMP进行平坦化；通过CVD法形成氮化硅膜及氧化硅保护膜；进一步形成铝布线，从而制成铜1层布线的电气特性评价用样品。使用该样品，通过东京精密制造的プロ一バ一UF-3000、アジレントテクノロジ制造的テスタ-E5270A、以及アジレントテクノロジ制造的LCRメ一タ-4284A，测定铜布线电阻及布线间电容。评价布线电阻(R)与线间电容(C)的积相对于作为绝缘膜的通过CVD成膜形成的介电常数3.0的SiOC膜是否降低了百分之几。其结果示于表2。
(实施例12～20)
通过与实施例11同样的方法，制备由分别使用实施例2～10中得到的涂布液形成的绝缘膜构成的铜1层布线的电气特性评价用样品，评价布线电阻(R)与线间电容(C)的积相对于作为绝缘膜的通过CVD成膜形成的介电常数3.0的SiOC膜是否降低了百分之几。其结果示于表2。
(比较例4～6)
通过与实施例11相同的方法，制备由分别使用比较例1～3中得到的涂布液形成的绝缘膜构成的铜1层布线的电气特性评价用样品，评价布线电阻(R)与线间电容(C)的积相对于作为绝缘膜的通过CVD成膜形成的介电常数3.0的SiOC膜是否降低了百分之几。其结果示于表2。
表2
  (R)×(C)降低率(％)
  实施例11   19.2
  实施例12   22.5
  实施例13   20.0
  实施例14   18.3
  实施例15   25.7
  实施例16   20.4
  实施例17   16.8
  实施例18   17.3
  实施例19   19.6
  实施例20   20.2
  比较例4   1.0
  比较例5   1.5
  比较例6   0.0
上述结果表明，通过使用利用本发明得到的绝缘膜，布线的信号延迟的评价良好。
工业实用性
根据本发明，能够提供一种用于形成兼具低介电常数、高耐热性及高机械强度的绝缘膜的聚合物及组合物。通过上述聚合物及组合物获得的绝缘膜，其耐热性、机械特性及电气特性优异，尤其具有低介电常数，因此使用该绝缘膜的电子器件能够降低信号延迟。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种绝缘膜形成用聚合物，其特征在于，通过聚合用通式(1)表示的反应性化合物而得到，
Figure FPA00001010779100011
通式(1)中，R1、R2及R3表示相互相同或不同的具有笼型结构的有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有2个或3个含有碳-碳不饱和键的反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。
2.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述反应性化合物是用下述通式(2)或(3)表示，
上述通式(2)或(3)中，R4～R27分别表示氢或有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有2个或3个含有碳-碳不饱和键的反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述聚合物的聚合，是使所述反应性化合物在无催化剂存在下反应的热聚合。
4.一种绝缘膜形成用组合物，其特征在于，包含权利要求1～3中任一项所述的绝缘膜形成用聚合物。
5.根据权利要求4所述的绝缘膜形成用组合物，其中，还包含粘合促进剂。
6.一种绝缘膜，其是使用权利要求4或5所述的绝缘膜形成用组合物形成的绝缘膜，其特征在于，所述绝缘膜具有平均空隙直径是0.8nm～5nm的分子空隙并且其介电常数是2.3以下。
7.一种电子器件，其特征在于，具有权利要求6所述的绝缘膜。

Claims (9)

1.一种绝缘膜形成用聚合物，其特征在于，通过聚合用通式(1)表示的反应性化合物而得到，
Figure FPA00001010779500011
通式(1)中，R1、R2及R3表示相互相同或不同的具有环结构的有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。
2.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述通式(1)中的R1、R2及R3中的至少一者是具有笼型结构的有机基团。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述反应性化合物是用下述通式(2)或(3)表示，
Figure FPA00001010779500012
上述通式(2)或(3)中，R4～R27分别表示氢或有机基团；X及Y表示相互相同或不同的具有反应性基团的芳香族性有机基团；n是0或1。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述通式(1)～(3)中的X及Y的反应性基团是具有碳一碳不饱和键的反应性基团。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的绝缘膜形成用聚合物，其中，所述聚合物的聚合，是使所述反应性化合物在无催化剂存在下反应的热聚合。
6.一种绝缘膜形成用组合物，其特征在于，包含权利要求1～5中任一项所述的绝缘膜形成用聚合物。
7.根据权利要求6所述的绝缘膜形成用组合物，其中，还包含粘合促进剂。
8.一种绝缘膜，其是使用权利要求6或7所述的绝缘膜形成用组合物形成的绝缘膜，其特征在于，所述绝缘膜具有平均空隙直径是0.8nm～5nm的分子空隙并且其介电常数是2.3以下。
9.一种电子器件，其特征在于，具有权利要求8所述的绝缘膜。
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