JP4465288B2 - 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス - Google Patents
膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4465288B2 JP4465288B2 JP2005067990A JP2005067990A JP4465288B2 JP 4465288 B2 JP4465288 B2 JP 4465288B2 JP 2005067990 A JP2005067990 A JP 2005067990A JP 2005067990 A JP2005067990 A JP 2005067990A JP 4465288 B2 JP4465288 B2 JP 4465288B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- carbon atoms
- group
- forming composition
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本発明は膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜を有する電子デバイスに関する。
近年、電子材料分野においては、高集積化、多機能化、高性能化の進行に伴い、回路抵抗や配線間のコンデンサー容量が増大し、消費電力や遅延時間の増大を招いている。中でも、遅延時間の増大は、デバイスの信号スピードの低下やクロストークの発生の大きな要因となるため、この遅延時間を減少させてデバイスの高速化を図るべく、寄生抵抗や寄生容量の低減が求められている。この寄生容量を低減するための具体策の一つとして、配線の周辺を低誘電性の層間絶縁膜で被覆することが試みられている。また、層間絶縁膜には、実装基板製造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付け等の後工程に耐えうる優れた耐熱性やウェットプロセスに耐え得る耐薬品性が求められている。さらに、近年は、Ａｌ配線から低抵抗のＣｕ配線が導入されつつあり、これに伴い、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）による平坦化が一般的となっており、このプロセスに耐え得る高い機械的強度が求められている。
高耐熱性の絶縁膜として、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミドが広く知られているが、極性の高いN原子を含むため、低誘電性、低吸水性、耐久性および耐加水分解性の面では、満足なものは得られていない。
また、有機ポリマーは概して有機溶剤への溶解性の不十分なものが多く、塗布液中での析出、絶縁膜中でのブツ発生の抑制が重要な課題となっているが、溶解性を向上させるためにポリマー主鎖を折れ曲がり構造にするとガラス転移点の低下、耐熱性の低下が弊害となりこれらを両立することは容易ではない。
また、ポリアリーレンエーテルを基本主鎖とする高耐熱性樹脂が知られており（特許文献１）、誘電率は２．６〜２．７の範囲である。しかし、高速デバイスを実現するためには更なる低誘電率化が望まれて、多孔化せずにバルクでの誘電率を好ましくは２．６以下、より好ましくは２．５以下にすることが望まれている。
また、有機ポリマーは概して有機溶剤への溶解性の不十分なものが多く、塗布液中での析出、絶縁膜中でのブツ発生の抑制が重要な課題となっているが、溶解性を向上させるためにポリマー主鎖を折れ曲がり構造にするとガラス転移点の低下、耐熱性の低下が弊害となりこれらを両立することは容易ではない。
また、ポリアリーレンエーテルを基本主鎖とする高耐熱性樹脂が知られており（特許文献１）、誘電率は２．６〜２．７の範囲である。しかし、高速デバイスを実現するためには更なる低誘電率化が望まれて、多孔化せずにバルクでの誘電率を好ましくは２．６以下、より好ましくは２．５以下にすることが望まれている。
本発明は上記問題点を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスに関する。
上記課題が下記の＜１＞〜＜６＞の構成により解決されることを見出した。
＜１＞ カゴ型構造を有する化合物を含み、該カゴ型構造を有する化合物が下記式（Ｉ）で表される少なくとも一つの化合物の重合体であり、膜形成用組成物に含まれる全固形分中の総炭素数に占める該カゴ型構造の総炭素数の比率が３０％以上であり、かつ水の含量が１質量％以下であることを特徴とする膜形成用組成物。
式（Ｉ）中、
Ｒは複数ある場合は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基、または炭素数０〜２０のシリル基を表す。
ｍは１〜１４の整数を表す。
Ｘは複数ある場合は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、または炭素数０〜２０のシリル基を表す。
ｎは０〜１３の整数を表す。
＜２＞ 更に、脱水処理を行った溶剤を含有することを特徴とする上記＜１＞に記載の膜形成用組成物。
＜３＞ 前記重合体が窒素原子を除く構成元素よりなる重合体であることを特徴とする上記＜１＞又は＜２＞に記載の膜形成用組成物。
＜４＞ 有機溶剤を含む上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の膜形成用塗布液。
＜５＞ 上記＜４＞に記載の膜形成用塗布液を用いて形成した絶縁膜。
＜６＞ 上記＜５＞に記載の絶縁膜を有する電子デバイス。
＜１＞ カゴ型構造を有する化合物を含み、該カゴ型構造を有する化合物が下記式（Ｉ）で表される少なくとも一つの化合物の重合体であり、膜形成用組成物に含まれる全固形分中の総炭素数に占める該カゴ型構造の総炭素数の比率が３０％以上であり、かつ水の含量が１質量％以下であることを特徴とする膜形成用組成物。
Ｒは複数ある場合は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基、または炭素数０〜２０のシリル基を表す。
ｍは１〜１４の整数を表す。
Ｘは複数ある場合は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、または炭素数０〜２０のシリル基を表す。
ｎは０〜１３の整数を表す。
＜２＞ 更に、脱水処理を行った溶剤を含有することを特徴とする上記＜１＞に記載の膜形成用組成物。
＜３＞ 前記重合体が窒素原子を除く構成元素よりなる重合体であることを特徴とする上記＜１＞又は＜２＞に記載の膜形成用組成物。
＜４＞ 有機溶剤を含む上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の膜形成用塗布液。
＜５＞ 上記＜４＞に記載の膜形成用塗布液を用いて形成した絶縁膜。
＜６＞ 上記＜５＞に記載の絶縁膜を有する電子デバイス。
本発明の膜形成用組成物から形成した絶縁膜は比誘電率が低く、かつその経時変化が少ないため、電子デバイスなどにおける層間絶縁膜として利用できる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は特許請求の範囲に記載の構成を有するものであるが、以下、その他についても参考のため記載した。
本発明は特許請求の範囲に記載の構成を有するものであるが、以下、その他についても参考のため記載した。
＜カゴ型構造を有する化合物＞
本発明で述べる「カゴ型構造」とは、共有結合した原子で形成された複数の環によって容積が定まり、容積内に位置する点は環を通過せずには容積から離れることができないような分子を指す。例えば、アダマンタン構造はカゴ型構造と考えられる。対照的にノルボルナン（ビシクロ［２，２，１］ヘプタン）などの単一架橋を有する環状構造は、単一架橋した環状化合物の環が容積を定めないことから、カゴ型構造とは考えられない。
本発明で述べる「カゴ型構造」とは、共有結合した原子で形成された複数の環によって容積が定まり、容積内に位置する点は環を通過せずには容積から離れることができないような分子を指す。例えば、アダマンタン構造はカゴ型構造と考えられる。対照的にノルボルナン（ビシクロ［２，２，１］ヘプタン）などの単一架橋を有する環状構造は、単一架橋した環状化合物の環が容積を定めないことから、カゴ型構造とは考えられない。
本発明の膜形成組成物の比誘電率３０以上の成分の含量は１質量％以下である。好ましくは，０．１質量％以下であり，より好ましくは０．０１質量％である。
このような本発明の構成要件により、絶縁膜性能を劣化させる物理的要因を物理的に取り除くことができていると推察できる。
このような本発明の構成要件により、絶縁膜性能を劣化させる物理的要因を物理的に取り除くことができていると推察できる。
膜形成用組成物中の後述する各構成成分の比誘電率３０以上の成分を低下させる処理の実施や、媒体成分（微量の固形分が溶け込んだ場合も含む溶媒）の比誘電率３０以上の成分含量を低下させる処理、吸着剤の使用、比誘電率の低い構成成分の選択等を行うことにより、膜形成組成物の比誘電率３０以上の成分の含量を１質量％以下にすることができる。
低下させるべき成分の比誘電率に関しては，比誘電率４０以上の成分を低減させることがより好ましく，比誘電率５０以上の成分を低減させることがさらに好ましい。
このような比誘電率が３０以上の成分としては，エチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，水，ニトロメタン，アセトニトリル，ニトロベンゼン，メタノール，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミド，ホルムアミド，N−メチルピロリドン，スルホラン，ヒドラジン，ギ酸，グリセロール，ヘキサメチルホスホラミド，ジメチルスルホキシド，等が挙げられるが，特に水を低減させることが好ましい。
比誘電率30以上の成分量は、たとえば、プロトンＮＭＲ、ガスクロマトグラフィー分析、液体クロマトグラフィー分析などの方法で特定することができる。これらのうち、ガスクロマトグラフィーによる定量が好ましい。
比誘電率30以上の成分量は、たとえば、プロトンＮＭＲ、ガスクロマトグラフィー分析、液体クロマトグラフィー分析などの方法で特定することができる。これらのうち、ガスクロマトグラフィーによる定量が好ましい。
比誘電率30以上の成分含量を低下させる処理としては、たとえば、脱水・脱溶媒処理、蒸留処理などをあげることができる。具体的には、常圧留去や減圧留去、再結晶化、昇華精製を各々繰り返すことなどがあげられる。これらの処理は特に限定されず、取り除くべき比誘電率30以上の成分にあわせて一般的な方法を用いることができる。
本発明のカゴ型構造の総炭素数は、好ましくは１０〜３０個、より好ましくは１１〜１８個、特に好ましくは１４個の炭素原子で構成される。
ここでいう炭素原子にはカゴ型構造に置換した連結基や置換基の炭素原子を含めない。例えば、１−メチルアダマンタンは１０個の炭素原子で構成され、１−エチルジアマンタンのカゴ型構造は１４個の炭素原子で構成されるものとする。
ここでいう炭素原子にはカゴ型構造に置換した連結基や置換基の炭素原子を含めない。例えば、１−メチルアダマンタンは１０個の炭素原子で構成され、１−エチルジアマンタンのカゴ型構造は１４個の炭素原子で構成されるものとする。
本発明のカゴ型構造を有する化合物は飽和炭化水素であることが好ましく、好ましい例としては高い耐熱性を有している点でダイヤモンド類似構造のアダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、テトラマンタン、ドデカヘドラン等が挙げられ、より好ましい例としてはジアマンタン、トリアマンタンが挙げられ、特に好ましい例としてはより低い誘電率が得られ、合成が容易である点でジアマンタンが挙げられる。
本発明におけるカゴ型構造は１つ以上の置換基を有していても良く、置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、クロル原子、臭素原子、または沃素原子）、炭素数１〜１０の直鎖、分岐、環状のアルキル基（メチル、ｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等）、炭素数２〜１０のアルケニル基（ビニル、プロペニル等）、炭素数２〜１０のアルキニル基（エチニル、フェニルエチニル等）、炭素数６〜２０のアリール基（フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル等）、炭素数２〜１０のアシル基（ベンゾイル等）、炭素数６〜２０のアリールオキシ基（フェノキシ等）、炭素数６〜２０のアリールスルホニル基（フェニルスルホニル等）、ニトロ基、シアノ基、シリル基（トリエトキシシリル、メチルジエトキシシリル、トリビニルシリル等）等が挙げられる。この中で好ましい置換基はフッ素原子、臭素原子、炭素数１〜５の直鎖、分岐、環状のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数２〜５のアルキニル基、シリル基である。これらの置換基はさらに別の置換基で置換されていてもよい。
本発明におけるカゴ型構造は１〜４個の置換基を有することが好ましく、より好ましくは２〜３個の置換基を有し、特に好ましくは２個の置換基を有する。このとき、カゴ型構造に結合する置換基は１価以上の基でも２価以上の連結基でも良い。
本発明の「カゴ型構造を有する化合物」とは、低分子化合物であっても高分子化合物（たとえばポリマー）であっても良く、好ましいものはポリマーである。カゴ型構造を有する化合物がポリマーである場合、その質量平均分子量は好ましくは１０００〜５０００００、より好ましくは５０００〜３０００００、特に好ましくは１００００〜２０００００である。カゴ型構造を有するポリマーは分子量分布を有する樹脂組成物として膜形成用組成物に含まれていても良い。カゴ型構造を有する化合物が低分子化合物である場合、その分子量は好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下、特に好ましくは１０００以下である。
本発明においてカゴ型構造はポリマー主鎖に１価以上のペンダント基として組み込まれても良い。カゴ型構造を有する化合物が結合する好ましいポリマー主鎖としては、例えばポリ（アリーレン）、ポリ（アリーレンエーテル）、ポリ（エーテル）、ポリアセチレン等の共役不飽和結合鎖、ポリエチレン等が挙げられ、この中でも耐熱性が良好な点から、ポリ（アリーレンエーテル）、ポリアセチレンがより好ましい。
本発明においてカゴ型構造がポリマー主鎖の一部となっていることも好ましい。すなわちポリマー主鎖の一部になっている場合には、本ポリマーからカゴ型構造を有する化合物を除去するとポリマー鎖が切断されることを意味する。この形態においては、カゴ型構造はカゴ構造間で直接単結合するかまたは適当な２価以上の連結基によって連結される。連結基の例としては例えば、−Ｃ（Ｒ11）（Ｒ12）−、−Ｃ（Ｒ13）＝Ｃ（Ｒ14）−、−Ｃ≡Ｃ−、アリーレン基、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｒ15）−、−Ｓｉ（Ｒ16）（Ｒ17）−またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。ここで、Ｒ11〜Ｒ17はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基を表す。これらの連結基は置換基で置換されていてもよく、例えば前述の置換基が好ましい例として挙げられる。
この中でより好ましい連結基は、−Ｃ（Ｒ11）（Ｒ12）−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ16）（Ｒ17）−またはこれらを組み合わせた基であり、特に好ましいものは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ16）（Ｒ17）−またはこれらの組み合わせである。
この中でより好ましい連結基は、−Ｃ（Ｒ11）（Ｒ12）−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ16）（Ｒ17）−またはこれらを組み合わせた基であり、特に好ましいものは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ16）（Ｒ17）−またはこれらの組み合わせである。
本発明の「カゴ型構造を有する化合物」は、その分子内にカゴ型構造を１種でも２種以上含んでいても良い。
以下に本発明の「カゴ型構造を有する化合物」の具体例を示すが、もちろん本発明はこれらに限定されない。
本発明のカゴ型構造を有する化合物は下記式（Ｉ）で表される化合物の重合体であることが特に好ましい。
式（Ｉ）において、
Ｒは複数ある場合は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数０〜２０のシリル基を表す。Ｒが水素原子以外の場合、Rはさらに別の置換基で置換されていてもよい。更なる置換基としては例えばハロゲン原子（フッ素原子、クロル原子、臭素原子、または沃素原子）、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシ基、アリールスルホニル基、ニトロ基、シアノ基、シリル基等が挙げられる。Rは好ましくは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数０〜２０のシリル基であり、より好ましくは水素原子または炭素数０〜１０のシリル基である。
ｍは１〜１４の整数を表し、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、特に好ましくは２または３である。
Ｘは複数ある場合は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数０〜２０のシリル基を表す。Ｘはさらに別の置換基で置換されていても良く、さらなる置換基の例として前基Rにおけるさらなる置換基と同様のものが挙げられる。Ｘは好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数０〜２０のシリル基であり、より好ましくは臭素原子、炭素数２〜4のアルケニル基、炭素数０〜１０シリル基である。
ｎは０〜１３の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、特に好ましくは０または１である。
Ｒは複数ある場合は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数０〜２０のシリル基を表す。Ｒが水素原子以外の場合、Rはさらに別の置換基で置換されていてもよい。更なる置換基としては例えばハロゲン原子（フッ素原子、クロル原子、臭素原子、または沃素原子）、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシ基、アリールスルホニル基、ニトロ基、シアノ基、シリル基等が挙げられる。Rは好ましくは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数０〜２０のシリル基であり、より好ましくは水素原子または炭素数０〜１０のシリル基である。
ｍは１〜１４の整数を表し、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、特に好ましくは２または３である。
Ｘは複数ある場合は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数０〜２０のシリル基を表す。Ｘはさらに別の置換基で置換されていても良く、さらなる置換基の例として前基Rにおけるさらなる置換基と同様のものが挙げられる。Ｘは好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数０〜２０のシリル基であり、より好ましくは臭素原子、炭素数２〜4のアルケニル基、炭素数０〜１０シリル基である。
ｎは０〜１３の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、特に好ましくは０または１である。
式（Ｉ）の化合物の具体例を下記に示す。
本発明のカゴ型構造を有する化合物は熱により他の分子と共有結合を形成する反応性基を有していることが好ましい。このような反応性基としては、特に限定されないが例えば環化付加反応、ラジカル重合反応を起こす置換基が好ましく利用できる。例えば、２重結合を有する基（ビニル基、アリル基等）、３重結合を有する基（エチニル基、フェニルエチニル基等）、ディールスアルダー反応を起こすためのジエン基、ジエノフィル基の組み合わせ等が有効であり、特にエチニル基とフェニルエチニル基が有効である。
また、本発明のカゴ型構造を有する化合物には、モル分極率、絶縁膜の吸湿性に起因する誘電率の観点から、窒素原子を含まないことが好ましい。本願のカゴ型構造を有する化合物は、ポリイミド以外の化合物、即ちポリイミド結合、アミド結合を有しない化合物であることが好ましい。
式（Ｉ）で表される化合物の最適な重合反応条件は有機溶剤中で、好ましくは内温０℃〜２２０℃、より好ましくは５０℃〜２１０℃、特に好ましくは１００℃〜２００℃で、好ましくは１〜５０時間、より好ましくは２〜２０時間、３〜１０時間で行うことが好ましい。所望により、パラジウム、ニッケル、タングステン、モリブデン等の金属触媒を用いてもよい。
重合したポリマーの質量平均分子量の好ましい範囲は１０００〜５０００００、より好ましくは５０００〜３０００００、特に好ましくは１００００〜２０００００である。
重合したポリマーの質量平均分子量の好ましい範囲は１０００〜５０００００、より好ましくは５０００〜３０００００、特に好ましくは１００００〜２０００００である。
これらカゴ型構造を有する化合物は、市販のものを使用したり公知の方法で合成したものを利用できる。
本発明の組成物より形成した絶縁膜に良好な特性（誘電率、機械強度）を付与する観点から、膜形成用組成物に含まれる全固形分中の総炭素数に占めるカゴ型構造の総炭素数の比率は３０％以上であることが好ましく、より好ましくは５０〜９５％、さらに好ましくは６０％〜９０％である。ここで、膜形成用組成物に含まれる全固形分とは、この塗布液により得られる絶縁膜を構成する全固形分に相当するものである。尚、発泡剤のように絶縁膜形成後に絶縁膜中に残らないものは固形分に含めない。
本発明の膜形成用組成物は有機溶剤を含んで塗布液として用いることが出来る。
本発明に用いることの出来る好適な溶剤の例としては、特に限定はされないが、例えば１−メトキシ−２−プロパノール、１−ブタノール、２−エトキシメタノール、３−メトキシプロパノール等のアルコール系溶剤；アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン等のエステル系溶剤；ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、アニソール、フェネトール、ベラトロール等のエーテル系溶剤；メシチレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、プロピルベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、などが挙げられ、これらは単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
本発明に用いることの出来る好適な溶剤の例としては、特に限定はされないが、例えば１−メトキシ−２−プロパノール、１−ブタノール、２−エトキシメタノール、３−メトキシプロパノール等のアルコール系溶剤；アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン等のエステル系溶剤；ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、アニソール、フェネトール、ベラトロール等のエーテル系溶剤；メシチレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、プロピルベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、などが挙げられ、これらは単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
より好ましい溶剤は、１−メトキシ−２−プロパノール、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、アニソール、メシチレンである。
本発明の塗布液の固形分濃度は、好ましくは３〜５０質量％であり、より好ましくは５〜３５質量％であり、特に好ましくは７〜２０質量％である。
更に、本発明の膜形成用組成物には絶縁膜の諸特性（耐熱性、誘電率、機械強度、塗布性、密着性等）を損なわない範囲で、ラジカル発生剤、非イオン界面活性剤、フッ素系非イオン界面活性剤、シランカップリング剤などの添加剤を添加してもよい。
ラジカル発生剤としては、例えば、ｔ−ブチルパーオキシド、ペンチルパーオキシド、ヘキシルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。非イオン界面活性剤としては、例えば、オクチルポリエチレンオキシド、デシルポリエチレンオキシド、ドデシルポリエチレンオキシド、オクチルポリプロピレンオキシド、デシルポリプロピレンオキシド、ドデシルポリプロピレンオキシド等が挙げられる。フッ素系非イオン界面活性剤としては、例えば、パーフルオルオクチルポリエチレンオキシド、パーフルオルデシルポリエチレンオキシド、パーフルオルドデシルポリエチレンオキシド等が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、トリビニルエトキシシラン、これらの加水分解物あるいはこのものの脱水縮合物等が挙げられる。
これらの添加剤の添加量は、添加剤の用途または塗布液の固形分濃度によって適当な範囲が存在するが、一般的に、塗布液中の質量％で好ましくは０．００１％〜１０％、より好ましくは０．０１％〜５％、特に好ましくは０．０５％〜２％である。
ラジカル発生剤としては、例えば、ｔ−ブチルパーオキシド、ペンチルパーオキシド、ヘキシルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。非イオン界面活性剤としては、例えば、オクチルポリエチレンオキシド、デシルポリエチレンオキシド、ドデシルポリエチレンオキシド、オクチルポリプロピレンオキシド、デシルポリプロピレンオキシド、ドデシルポリプロピレンオキシド等が挙げられる。フッ素系非イオン界面活性剤としては、例えば、パーフルオルオクチルポリエチレンオキシド、パーフルオルデシルポリエチレンオキシド、パーフルオルドデシルポリエチレンオキシド等が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、トリビニルエトキシシラン、これらの加水分解物あるいはこのものの脱水縮合物等が挙げられる。
これらの添加剤の添加量は、添加剤の用途または塗布液の固形分濃度によって適当な範囲が存在するが、一般的に、塗布液中の質量％で好ましくは０．００１％〜１０％、より好ましくは０．０１％〜５％、特に好ましくは０．０５％〜２％である。
絶縁膜は本発明の塗布液をスピンコーティング法、ローラーコーティング法、ディップコーティング法、スキャン法等の任意の方法により、基板に塗布した後、溶剤を加熱処理で除去することにより形成することができる。加熱処理の方法は、特に限定されないが、一般的に使用されているホットプレート加熱、ファーネス炉を使用した方法、ＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等によるキセノンランプを使用した光照射加熱等を適用することができる。
本発明の塗布液を使用して得られる膜は、半導体装置、マルチチップモジュール多層配線板等の電子部品における絶縁皮膜として好適であり、半導体用層間絶縁膜、表面保護膜、バッファーコート膜の他、ＬＳＩにおけるパッシベーション膜、α線遮断膜、フレキソ印刷版のカバーレイフィルム、オーバーコート膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として使用することが出来る。
この塗膜の膜厚には特に制限は無いが、０．００１〜１００μｍであることが好ましく、０．０１〜１０μｍであることがより好ましく、０．１〜１μｍであることが特に好ましい。
また、本発明の絶縁膜形成用塗布液に予め発泡剤を添加して多孔質膜を形成することもできる。多孔質膜を形成するために添加する発泡剤としては、特に限定されないが、例えば、該塗布液の溶媒よりも高沸点の有機化合物や、熱分解性低分子化合物、熱分解性ポリマー等が挙げられる。
発泡剤の添加量は、塗布液の固形分濃度によって適当な範囲が存在するが、一般的に、塗布液中の質量％で好ましくは０．０１％〜２０％、より好ましくは０．１％〜１０％、特に好ましくは０．５％〜５％である。
発泡剤の添加量は、塗布液の固形分濃度によって適当な範囲が存在するが、一般的に、塗布液中の質量％で好ましくは０．０１％〜２０％、より好ましくは０．１％〜１０％、特に好ましくは０．５％〜５％である。
本発明の化合物は塗布後に加熱することによって互いに架橋して、機械的強度、耐熱性に優れた絶縁膜を形成することが好ましい。この加熱処理の最適条件は、加熱温度が好ましくは２００〜４５０℃、より好ましくは３００〜４２０℃、特に好ましくは３５０℃〜４００℃で、加熱時間は好ましくは１分〜２時間が好ましく、より好ましくは１０分〜１．５時間であり、特に好ましくは３０分〜１時間である。加熱処理は数段階で行っても良い。
以下の実施例は本発明を説明するものであり、その範囲を限定するものではない。
実施例で用いた化合物の構造を下記に示す。
＜合成例１＞
Macromolecules 1991,24,5266に記載の方法により４，９−ジブロモジアマンタンを合成した。５００ｍｌフラスコに市販のｐ−ジビニルベンゼン１．３０ｇ、４，９−ジブロモジアマンタン３．４６ｇ、ジクロロエタン２００ｍｌ、および塩化アルミニウム２．６６ｇを仕込み、内温７０℃で２４時間攪拌した。その後、２００ｍｌの水を加え、有機層を分液した。無水硫酸ナトリウムを加えた後、固形分を濾過で除去し、ジクロロエタンを半分量になるまで減圧下で濃縮し、この溶液にメタノールを３００ｍｌ加え、析出した沈殿を濾過した。質量平均分子量が約１００００のポリマー（Ａ−４）を２．８ｇ得た。
同様にフリーデルクラフツ反応によって、質量平均分子量が約１００００のポリマー（Ａ−１２）を合成した。
Macromolecules 1991,24,5266に記載の方法により４，９−ジブロモジアマンタンを合成した。５００ｍｌフラスコに市販のｐ−ジビニルベンゼン１．３０ｇ、４，９−ジブロモジアマンタン３．４６ｇ、ジクロロエタン２００ｍｌ、および塩化アルミニウム２．６６ｇを仕込み、内温７０℃で２４時間攪拌した。その後、２００ｍｌの水を加え、有機層を分液した。無水硫酸ナトリウムを加えた後、固形分を濾過で除去し、ジクロロエタンを半分量になるまで減圧下で濃縮し、この溶液にメタノールを３００ｍｌ加え、析出した沈殿を濾過した。質量平均分子量が約１００００のポリマー（Ａ−４）を２．８ｇ得た。
同様にフリーデルクラフツ反応によって、質量平均分子量が約１００００のポリマー（Ａ−１２）を合成した。
＜実施例１（参考例）＞
上記のポリマー（Ａ−４）１．０ｇを定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたシクロヘキサノン５．０ｍｌおよび定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたアニソール５．０ｍｌの混合溶剤に加熱溶解し、塗布液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．０１質量％以下であった。また、ガスクロマトグラフィーで測定した結果、エチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，水，ニトロメタン，アセトニトリル，ニトロベンゼン，メタノール，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミド，ホルムアミド，N−メチルピロリドン，スルホラン，ヒドラジン，ギ酸，グリセロール，ヘキサメチルホスホラミド，ジメチルスルホキシドは検出されなかった。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５２であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．５２であった。
上記のポリマー（Ａ−４）１．０ｇを定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたシクロヘキサノン５．０ｍｌおよび定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたアニソール５．０ｍｌの混合溶剤に加熱溶解し、塗布液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．０１質量％以下であった。また、ガスクロマトグラフィーで測定した結果、エチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，水，ニトロメタン，アセトニトリル，ニトロベンゼン，メタノール，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミド，ホルムアミド，N−メチルピロリドン，スルホラン，ヒドラジン，ギ酸，グリセロール，ヘキサメチルホスホラミド，ジメチルスルホキシドは検出されなかった。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５２であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．５２であった。
＜実施例２（参考例）＞
上記のポリマー（Ａ−１２）１．０ｇを定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたガンマブチロラクトン５．０ｍｌおよび定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたアニソール５．０ｍｌの混合溶剤に加熱溶解し、塗布液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．０１質量％以下であった。また、ガスクロマトグラフィーで測定した結果、エチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，水，ニトロメタン，アセトニトリル，ニトロベンゼン，メタノール，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミド，ホルムアミド，N−メチルピロリドン，スルホラン，ヒドラジン，ギ酸，グリセロール，ヘキサメチルホスホラミド，ジメチルスルホキシドは検出されなかった。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１８０℃で６０秒間加熱し、更に３００℃のホットプレート上で１０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率は２．５７であった。また、ヤング率は６．０ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．５７であった。
上記のポリマー（Ａ−１２）１．０ｇを定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたガンマブチロラクトン５．０ｍｌおよび定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたアニソール５．０ｍｌの混合溶剤に加熱溶解し、塗布液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．０１質量％以下であった。また、ガスクロマトグラフィーで測定した結果、エチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，水，ニトロメタン，アセトニトリル，ニトロベンゼン，メタノール，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミド，ホルムアミド，N−メチルピロリドン，スルホラン，ヒドラジン，ギ酸，グリセロール，ヘキサメチルホスホラミド，ジメチルスルホキシドは検出されなかった。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１８０℃で６０秒間加熱し、更に３００℃のホットプレート上で１０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率は２．５７であった。また、ヤング率は６．０ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．５７であった。
＜合成例２＞
ジアマンタンを原料に用いて、Macromolecules.,5262,5266(1991)に記載の合成法に従って、４，９−ジエチニルジアマンタンを合成した。次に、４，９−ジエチニルジアマンタン１０ｇと１，３，５−トリイソプロピルベンゼン５０ｍｌとPd(PPh3)4 １２０ｍｇを窒素気流下で内温１９０℃で１２時間攪拌した。反応液を室温にした後、イソプロピルアルコール３００ｍｌを添加した。析出した固体を濾過して、メタノールで洗浄した。質量平均分子量２００００のポリマー（Ａ）を３．０ｇ得た。
ジアマンタンを原料に用いて、Macromolecules.,5262,5266(1991)に記載の合成法に従って、４，９−ジエチニルジアマンタンを合成した。次に、４，９−ジエチニルジアマンタン１０ｇと１，３，５−トリイソプロピルベンゼン５０ｍｌとPd(PPh3)4 １２０ｍｇを窒素気流下で内温１９０℃で１２時間攪拌した。反応液を室温にした後、イソプロピルアルコール３００ｍｌを添加した。析出した固体を濾過して、メタノールで洗浄した。質量平均分子量２００００のポリマー（Ａ）を３．０ｇ得た。
＜実施例３＞
合成例２で合成したポリマー（Ａ）１．０ｇを定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたシクロヘキサノン１０．０ｍｌに溶解し、塗布液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．０１質量％以下であった。また、ガスクロマトグラフィーで測定した結果、エチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，水，ニトロメタン，アセトニトリル，ニトロベンゼン，メタノール，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミド，ホルムアミド，N−メチルピロリドン，スルホラン，ヒドラジン，ギ酸，グリセロール，ヘキサメチルホスホラミド，ジメチルスルホキシドは検出されなかった。この溶液を０．２ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１１０℃で９０秒間加熱した後２５０℃で６０秒間加熱して、更に窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分加熱した。得られた膜厚０．５０ミクロンの絶縁膜の比誘電率は２．４３であった。また、ヤング率は７．０ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．４３であった。
合成例２で合成したポリマー（Ａ）１．０ｇを定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたシクロヘキサノン１０．０ｍｌに溶解し、塗布液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．０１質量％以下であった。また、ガスクロマトグラフィーで測定した結果、エチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，水，ニトロメタン，アセトニトリル，ニトロベンゼン，メタノール，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミド，ホルムアミド，N−メチルピロリドン，スルホラン，ヒドラジン，ギ酸，グリセロール，ヘキサメチルホスホラミド，ジメチルスルホキシドは検出されなかった。この溶液を０．２ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１１０℃で９０秒間加熱した後２５０℃で６０秒間加熱して、更に窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分加熱した。得られた膜厚０．５０ミクロンの絶縁膜の比誘電率は２．４３であった。また、ヤング率は７．０ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．４３であった。
＜比較例１＞
溶媒の脱水処理を実施しなかったこと以外は実施例１と同様の操作を行って溶液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、１．１質量％であった。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５５であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．７5であった。
溶媒の脱水処理を実施しなかったこと以外は実施例１と同様の操作を行って溶液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、１．１質量％であった。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５５であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．７5であった。
＜実施例４（参考例）＞
比較例１と同様の操作をして溶液を調製した後，モレキュラーシーブ3Aで処理して溶液の脱水処理を実施した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．１質量％であった。また、ガスクロマトグラフィーで測定した結果、エチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，水，ニトロメタン，アセトニトリル，ニトロベンゼン，メタノール，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミド，ホルムアミド，N−メチルピロリドン，スルホラン，ヒドラジン，ギ酸，グリセロール，ヘキサメチルホスホラミド，ジメチルスルホキシドは検出されたものの、その含量は合計で０．０１質量％以下であった。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５２であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．５３であった。
比較例１と同様の操作をして溶液を調製した後，モレキュラーシーブ3Aで処理して溶液の脱水処理を実施した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．１質量％であった。また、ガスクロマトグラフィーで測定した結果、エチレンカーボネート，プロピレンカーボネート，水，ニトロメタン，アセトニトリル，ニトロベンゼン，メタノール，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミド，ホルムアミド，N−メチルピロリドン，スルホラン，ヒドラジン，ギ酸，グリセロール，ヘキサメチルホスホラミド，ジメチルスルホキシドは検出されたものの、その含量は合計で０．０１質量％以下であった。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５２であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．５３であった。
＜比較例２＞
（B）のポリマー（シグマ−アルドリッチより入手）１．０ｇを定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたシクロヘキサノン１０．０ｍｌに溶解し、塗布液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．０１質量％であった。この溶液を０．２ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１１０℃で９０秒間加熱した後２５０℃で６０秒間加熱して、更に窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分加熱した。得られた膜厚０．５０ミクロンの絶縁膜の比誘電率は２．７０であった。また、ヤング率は３．５ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．８０であった。
（B）のポリマー（シグマ−アルドリッチより入手）１．０ｇを定法による脱水処理して水分含量を０．０１質量％以下にしたシクロヘキサノン１０．０ｍｌに溶解し、塗布液を調製した。得られた溶液の水分含量をカールフィッシャー法により測定したところ、０．０１質量％であった。この溶液を０．２ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１１０℃で９０秒間加熱した後２５０℃で６０秒間加熱して、更に窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分加熱した。得られた膜厚０．５０ミクロンの絶縁膜の比誘電率は２．７０であった。また、ヤング率は３．５ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．８０であった。
＜比較例３＞
上記のポリマー（Ａ−４）１．０ｇをシクロヘキサノン５．０ｍｌおよびN-メチルピロリドン５．０ｍｌの混合溶剤に加熱溶解し、塗布液を調製した。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５５であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．８０であった。
上記のポリマー（Ａ−４）１．０ｇをシクロヘキサノン５．０ｍｌおよびN-メチルピロリドン５．０ｍｌの混合溶剤に加熱溶解し、塗布液を調製した。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５５であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．８０であった。
＜比較例４＞
上記のポリマー（Ａ−４）１．０ｇをシクロヘキサノン５．０ｍｌおよびハイドラナール（アニソール90％，プロピレンカーボネート10％）５．０ｍｌの混合溶剤に加熱溶解し、塗布液を調製した。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５５であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．８０であった。
上記のポリマー（Ａ−４）１．０ｇをシクロヘキサノン５．０ｍｌおよびハイドラナール（アニソール90％，プロピレンカーボネート10％）５．０ｍｌの混合溶剤に加熱溶解し、塗布液を調製した。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウエハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱し、更に４００℃のホットプレート上で３０分加熱した。得られた膜厚０．５ミクロンの絶縁膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．５５であった。また、ＭＴＳ社ナノインデンターＳＡ２を使用してヤング率を測定したところ、７．２ＧＰａであった。
このウエハーを２３℃、４０％RHの雰囲気に放置し，１週間後に比誘電率を上記の方法で測定したところ，２．８０であった。
Claims (6)
- カゴ型構造を有する化合物を含み、該カゴ型構造を有する化合物が下記式（Ｉ）で表される少なくとも一つの化合物の重合体であり、膜形成用組成物に含まれる全固形分中の総炭素数に占める該カゴ型構造の総炭素数の比率が３０％以上であり、かつ水の含量が１質量％以下であることを特徴とする膜形成用組成物。
Ｒは複数ある場合は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基、または炭素数０〜２０のシリル基を表す。
ｍは１〜１４の整数を表す。
Ｘは複数ある場合は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、または炭素数０〜２０のシリル基を表す。
ｎは０〜１３の整数を表す。 - 更に、脱水処理を行った溶剤を含有することを特徴とする請求項１に記載の膜形成用組成物。
- 前記重合体が窒素原子を除く構成元素よりなる重合体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の膜形成用組成物。
- 有機溶剤を含む請求項１〜３のいずれかに記載の膜形成用塗布液。
- 請求項４に記載の膜形成用塗布液を用いて形成した絶縁膜。
- 請求項５に記載の絶縁膜を有する電子デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005067990A JP4465288B2 (ja) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005067990A JP4465288B2 (ja) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006249255A JP2006249255A (ja) | 2006-09-21 |
| JP4465288B2 true JP4465288B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=37090078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005067990A Expired - Fee Related JP4465288B2 (ja) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4465288B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2008114705A1 (ja) | 2007-03-20 | 2010-07-01 | 住友ベークライト株式会社 | 有機絶縁材料、それを用いた樹脂膜用ワニス、樹脂膜並びに半導体装置 |
| CN101932618A (zh) * | 2007-07-30 | 2010-12-29 | 住友电木株式会社 | 绝缘膜形成用聚合物、绝缘膜形成用组合物、绝缘膜及具有该绝缘膜的电子器件 |
| JP5153680B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2013-02-27 | 富士フイルム株式会社 | ディールス・アルダー反応付加部を有する化合物 |
-
2005
- 2005-03-10 JP JP2005067990A patent/JP4465288B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006249255A (ja) | 2006-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4516857B2 (ja) | カゴ構造を有する重合体、それを含む膜形成用組成物、絶縁膜および電子デバイス | |
| KR101157471B1 (ko) | 막형성용 조성물, 절연재료 형성용 조성물, 절연막 및 전자디바이스 | |
| US7625636B2 (en) | Insulating-film forming composition, insulating film and preparation process thereof | |
| JP2007091935A (ja) | ポリマー、膜形成用組成物、絶縁膜およびその製造方法 | |
| JP2006291160A (ja) | 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス | |
| US7309752B2 (en) | Polymer and film forming composition | |
| JP4465288B2 (ja) | 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス | |
| JP4734055B2 (ja) | アセチレン性三重結合を有するモノマーの重合体、これを用いる膜形成用組成物、絶縁膜および電子デバイス | |
| JP2006257212A (ja) | 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス | |
| JP2007119706A (ja) | 重合体および膜形成用組成物 | |
| KR100736293B1 (ko) | 디인 함유 (공)중합체, 그 제조 방법 및 경화막 | |
| JP2006253573A (ja) | 絶縁膜とそれを製造する方法、およびそれを用いた電子デバイス | |
| JP2006253577A (ja) | 絶縁膜、その製造方法及び該絶縁膜を有するデバイス | |
| JP4542927B2 (ja) | 膜形成用組成物、該組成物から得られた絶縁膜およびそれを有する電子デバイス | |
| JP2006249256A (ja) | 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス | |
| JP4368319B2 (ja) | 絶縁膜とそれを製造する方法、およびそれを用いた電子デバイス | |
| JP4659486B2 (ja) | 電子デバイス用絶縁膜、電子デバイス及び電子デバイス用絶縁膜の製造方法 | |
| JP2007084618A (ja) | ポリマー、膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法 | |
| JP2007081156A (ja) | 膜 | |
| JP2007005394A (ja) | 絶縁膜の製造方法 | |
| JP2006253581A (ja) | 絶縁膜とそれを製造する方法、およびそれを用いた電子デバイス | |
| JP2006241237A (ja) | 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス | |
| JP2007031663A (ja) | 膜形成用組成物、それを用いて形成された絶縁膜及び電子デバイス | |
| JP2008222992A (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜及び電子デバイス | |
| JP2007084746A (ja) | 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061124 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070219 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071108 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071115 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071122 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090625 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090701 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090826 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091028 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100202 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100222 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |