CN101901776B - 旋转头、用于处理基片的设备以及用于处理基片的方法 - Google Patents

旋转头、用于处理基片的设备以及用于处理基片的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101901776B
CN101901776B CN2009102248369A CN200910224836A CN101901776B CN 101901776 B CN101901776 B CN 101901776B CN 2009102248369 A CN2009102248369 A CN 2009102248369A CN 200910224836 A CN200910224836 A CN 200910224836A CN 101901776 B CN101901776 B CN 101901776B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chuck pin
magnet
swivel head
drive magnet
pin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2009102248369A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101901776A (zh
Inventor
李泽烨
裵正龙
金春植
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020080118164A external-priority patent/KR101060244B1/ko
Priority claimed from KR1020080118168A external-priority patent/KR101035984B1/ko
Priority claimed from KR1020090035924A external-priority patent/KR101145775B1/ko
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN101901776A publication Critical patent/CN101901776A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101901776B publication Critical patent/CN101901776B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

提供一种支承基片并使基片转动的旋转头。旋转头包括:主体;卡盘销,这些卡盘销安装在主体上并在支承基片的支承位置与为装卸基片提供空间的等待位置之间运动;以及使卡盘销运动的卡盘销运动单元。卡盘销运动单元包括:与每一卡盘销相结合的转动杆,将转动杆固定至主体的枢轴销;以及驱动件,其使转动杆绕作为转动轴的枢轴销转动以使卡盘销从支承位置向等待位置运动。在主体转动时,转动杆利用反向离心力从等待位置向支承位置对卡盘销施加力。卡盘销包括在加工期间交替卡紧基片的第一销和第二销。

Description

旋转头、用于处理基片的设备以及用于处理基片的方法
相关申请的交叉引用 
本美国非临时专利申请根据35U.S.C§119要求于2008年11月26日提交的韩国专利申请No.10-2008-0118168、于2008年11月26日提交的韩国专利申请No.10-2008-0118164以及于2009年4月24日提交的韩国专利申请No.10-2009-0035924的优先权,将这些申请的全部内容通过引用并入此处。 
技术领域
此处披露的本发明涉及一种用于处理基片的设备和一种用于处理基片的方法,具体地,涉及在如半导体加工这样的加工中支承基片的可转动旋转头以及利用该旋转头处理基片的设备和方法。 
背景技术
半导体加工包括蚀刻或清洁晶片上的薄层、杂质和颗粒的工艺。通过将晶片放置在旋转头上以便图案的表面向上或向下,以高速转动旋转头并在晶片上供给加工液体,由此进行这种蚀刻或清洁工艺。旋转头设有多个卡盘销,这些卡盘销支承晶片的侧部以便在使晶片转动时,防止晶片沿旋转头的横向运动。卡盘销在等待位置与支承位置之间运动,其中,所述等待位置提供了在从旋转头上装卸基片时放置基片的空间,所述支承位置在使放置在旋转头上的基片转动并进行加工时接触基片的侧部。因此,设置在位于等待位置处的卡盘销之间的空间大于设置在位于支承位置处的卡盘销之间的空间。 
通常,在使卡盘销位于支撑位置以支承基片时,由基片的转动产生的离心力朝向等待位置施加在卡盘销上。在加工期间通过离心力使卡盘销运动至等待位置时,卡盘销难以稳定地支承基片,从而会在产品中产生缺陷。 
另外,旋转头设有被划分为两组的卡盘销,在加工期间支承基片的卡盘销组会变化。在这种情况下,对于每一组而言,通常设置三个卡盘销。但是,当三个卡盘销在三个卡盘销中的一个卡盘销布置在基片槽口中的情况下支承基片时,基片基本上由两个卡盘销支承。因此,卡盘销难以稳定地支承基片,从而会在产品中产生缺陷。 
发明内容
本发明提供了一种能够稳定支承基片的旋转头、包括该旋转头的基片处理设备和使用该旋转头的基片处理方法。 
本发明还提供了一种即使在高速下仍能稳定地将卡盘销保持在与基片的侧部接触的接触位置处的旋转头、包括该旋转头的基片处理设备和使用该旋转头的基片处理方法。 
本发明还提供了一种即使在一个卡盘销面向基片的槽口时仍能稳定地支承基片的旋转头、包括该旋转头的基片处理设备和使用该旋转头的基片处理方法。 
本发明的实施例提供的旋转头包括:主体;从所述主体向上突出的卡盘销;以及卡盘销运动单元,其结构能够使卡盘销在支承位置与等待位置之间运动,以便允许基片位于所述主体上,其中,在所述支承位置处支承位于旋转头上的基片的侧部,所述等待位置比所述支承位置离所述主体的中心更远,其中,所述卡盘销运动单元包括:与每一卡盘销相连的转动杆;将所述转动杆固定至所述主体的枢轴销;以及驱动件,其使所述转动杆绕作为转动轴的所述枢轴销转动。 
在某些实施例中,在所述主体转动时,所述转动杆利用反向离心力从等待位置向支承位置对所述卡盘销施加力。所述转动杆包括:第一部分,其为相对于所述枢轴销与所述卡盘销相连的区域;以及第二部分,其为相对于所述枢轴销与所述第一部分相对的区域,其中,所述第二部分包括:第一线形部分;以及第二线形部分,该第二线形部分平行于所述第一线形部分且低于所述第一线形部分。所述第二部分还包括从所述第一线形部分延伸至所述第二线形部分的第三线形部分。所述第三线形部分垂直于所述第一线形部分和所述第二线形部分。所述第一部分包括 从所述第一线形部分伸出且平行于所述第二线形部分的线形部分,并且所述第一部分的线形部分高于所述第二部分的第二线形部分。与所述主体的中心相邻的第二部分的一端低于离所述主体的中心最远的第一部分的一端。 
在其它实施例中,所述主体包括止动件,该止动件具有带有开口前部和开口后部的通孔,所述转动杆通过所述通孔,所述枢轴销的结构使所述转动杆在所述通孔中与所述止动件相连,并且,所述通孔的横剖面比所述转动杆的横剖面大。 
在其它实施例中,所述驱动件利用磁力使所述卡盘销从支承位置运动至等待位置。所述驱动件包括:与每一转动杆的第二部分相连的从动磁铁;以及在所述从动磁铁之下朝向所述从动磁铁的驱动磁铁,其中,所述从动磁铁和所述驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极。所述驱动磁铁具有环形形状。所述从动磁铁和所述驱动磁铁包括永久磁铁;并且,所述驱动件还包括能够使所述驱动磁铁竖直运动的驱动器。 
在其它实施例中,旋转头还包括弹性件,该弹性件与所述转动杆和所述主体相连并使所述转动杆转动以从等待位置向支承位置对所述卡盘销施加力。所述弹性件包括弹簧,其中,所述弹簧的一端与所述转动杆的第二部分相连,另一端在所述转动杆的上侧与所述主体相连。 
在其它实施例中,所述第二部分的重量与所述从动磁铁的重量的总和大于所述第一部分的重量与所述卡盘销的重量的总和。 
在另外一些实施例中,将一部分卡盘销划分为第一组,将另一部分卡盘销划分为第二组,其中,所述转动杆包括:与构成所述第一组的卡盘销相连的第一杆;以及与构成所述第二组的卡盘销相连的第二杆,其中,所述驱动件包括:与所述第一杆相连的第一从动磁铁;与所述第二杆相连的第二从动磁铁;朝向所述第一从动磁铁的第一驱动磁铁;朝向所述第二从动磁铁的第二驱动磁铁。所述第一从动磁铁比所述第二从动磁铁离所述主体的中心更远,并且,所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别具有环形形状。 
在另外一些实施例中,所述第一从动磁铁、所述第二从动磁铁、所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别包括永久磁铁,并且,所述驱动件还包括:使所述第一驱动磁铁竖直运动的第一驱动器;以及使所述第二驱动磁铁竖直运动的第二驱动器。所述第一驱动磁铁和所述第一从动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,所述第二驱动磁铁和所述第二从动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,并且所述第一驱动磁铁的上表面和所述第二驱动磁铁的上表面具有彼此不同的磁极。所述第一杆和所述第二杆具有彼此不同的长度,所述第一从动磁铁设置至所述第一杆的一端,并且,所述第二从动磁铁设置至所述第二杆的一端。 
在另外一些实施例中,所述第一组和所述第二组中每一组卡盘销的数量可均为5以上,并且所述第一组中所包括的卡盘销和所述第二组中所包括的卡盘销交替布置。 
在另外一些实施例中,所述每一卡盘销均包括:底部;以及接触部分,该接触部分固定在所述底部上并从所述底部向所述主体的中心突出,以便该接触部分适于与所述基片接触,其中,设置多个接触部分。接触部分分别沿与其纵向相垂直的方向彼此隔离。 
在另外许多实施例中,所述主体包括:下侧板,在该下侧板处安装有卡盘销运动单元;上侧板,其安装在所述下侧板的上部并在上表面中具有凹入空间;以及设置在所述凹入空间中的导板,其中,通孔竖直通过所述下侧板的中央,通孔布置在所述上侧板的中央并与所述下侧板的通孔连通,并且导管设于所述导板的底面,其中经所述上侧板的通孔以及所述下侧板的通孔供给的气体在该导管中流动。所述导管包括:设置在所述导板边缘处的环状缓冲空间;通道,其作为凹槽设置在所述导板的底面并使所述缓冲空间与所述上侧板的通孔相连;以及环状凹部,其设置在所述导板的底面并从所述缓冲空间延伸至所述导板的外端。 
在本发明的其它实施例中,旋转头包括:主体;从所述主体向上突出的第一卡盘销和第二卡盘销;以及卡盘销运动单元,其结构能够使所述第一卡盘销和所述第二卡盘销在支承位置与等待位置之间运动,以便允许基片位于所述主体上,其中,在所述支承位置处支承位于旋转头上的基片的侧部,所述等待位置比所述支承位置离所述主体的中心更远, 其中,所述卡盘销运动单元包括:与所述第一卡盘销相连并通过枢轴销与所述主体相连的第一杆;与所述第二卡盘销相连并通过枢轴销与所述主体相连的第二杆;与所述第一杆相连的第一从动磁铁;与所述第二杆相连的第二从动磁铁;朝向所述第一从动磁铁的第一驱动磁铁;朝向所述第二从动磁铁的第二驱动磁铁;使所述第一驱动磁铁竖直运动的第一驱动器;以及使所述第二驱动磁铁竖直运动的第二驱动器;其中,在所述第一驱动磁铁与所述第一从动磁铁之间施加排斥磁力和吸引磁力中的一种力,并且在所述第一驱动磁铁与所述第二从动磁铁之间施加排斥磁力和吸引磁力中的另一种力。 
在一些实施例中,在所述第二驱动磁铁与所述第二从动磁铁之间施加排斥磁力和吸引磁力中的一种力,在所述第二驱动磁铁与所述第一从动磁铁之间施加排斥磁力和吸引磁力中的另一种力。所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别低于所述第一从动磁铁和所述第二从动磁铁,所述第一从动磁铁和所述第一驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,所述第二从动磁铁和所述第二驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,并且所述第一驱动磁铁的上表面和所述第二驱动磁铁的上表面具有彼此相反的磁极。 
在其它实施例中,所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别具有环形形状,并且,所述第一驱动磁铁的直径大于所述第二驱动磁铁的直径,并且,所述第一驱动磁铁环绕所述第二驱动磁铁。 
在其它实施例中,所述第一杆与弹性件相连,该弹性件使所述第一杆转动以从等待位置向支承位置对所述第一卡盘销施加力,所述第二杆与弹性件结合,该弹性件使所述第二杆转动以从等待位置向支承位置对所述第二卡盘销施加力。 
在其它实施例中,所述第一杆和所述第二杆均包括:第一部分,其为相对于所述枢轴销与所述卡盘销相连的区域;以及第二部分,其为相对于所述枢轴销与所述第一部分相对的区域;其中,所述第二部分包括:第一线形部分;第二线形部分,该第二线形部分平行于所述第一线形部分并低于所述第一线形部分,以及使所述第一线形部分与所述第二线形部分相连的第三线形部分。 
在另外的其它实施例中,在所述主体转动时,所述第一杆和所述第二杆均利用反向离心力从等待位置向支承位置对所述第一卡盘销或所述第二卡盘销施加力。 
在本发明的其它实施例中,利用设置在旋转头上的卡盘销支承基片侧部的方法包括:使转动杆转动以改变与卡盘销相连的转动杆的两个端部的高度并且使卡盘销在卡盘销与基片的侧部接触的支承位置和卡盘销与基片的侧部分离的等待位置之间运动,其中,在使基片转动时,将卡盘销保持在支承位置处的力包括反向离心力。 
在一些实施例中,使卡盘销从支承位置运动至等待位置的力包括磁力。使卡盘销从等待位置运动至支承位置的力包括弹力。使卡盘销从等待位置运动至支承位置的力包括重力。 
在一些实施例中,从动磁铁安装在所述转动杆上,驱动磁铁设置在所述从动磁铁之下,所述从动磁铁和所述驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,通过使所述驱动磁铁运动至所述从动磁铁,所述卡盘销从支承位置运动至等待位置,通过使所述驱动磁铁运动离开所述从动磁铁,所述卡盘销从等待位置运动至支承位置,并且,所述驱动磁铁运动离开所述从动磁铁的速度小于所述驱动磁铁向所述从动磁铁运动的速度。 
在本发明的其它实施例中,基片处理设备包括:壳体;设置在所述壳体中并支承基片的旋转头;以及流体供给单元,其将加工溶剂或加工气体供给至放置在所述旋转头上的基片上,其中,所述旋转头包括:主体;从所述主体向上突出的卡盘销;以及卡盘销运动单元,其结构能够使所述卡盘销在支承位置与等待位置之间运动,以便允许将基片放置在所述主体上,其中在所述支承位置处支承位于所述旋转头上的基片的侧部,所述等待位置比所述支承位置离所述主体的中心更远,其中,所述卡盘销运动单元包括:通过枢轴销固定在所述主体上的转动杆,所述转动杆具有第一部分,该第一部分为相对于所述枢轴销与所述卡盘销相连的区域,所述转动杆具有第二部分,该第二部分为相对于所述枢轴销与所述第一部分相对的区域;以及驱动件,其结构能使所述转动杆转动以改变所述转动杆的两个端部的高度并使所述卡盘销在支承位置与等待位置之间运动。 
在一些实施例中,所述转动杆的第二部分包括:第一线形部分;以及第二线形部分,该第二线形部分比所述第一线形部分离所述第一部分更远且低于所述第一线形部分。 
在其它实施例中,将一部分卡盘销划分为第一组,另一部分卡盘销划分为第二组,其中,所述转动杆包括:与构成所述第一组的卡盘销相连的第一杆;以及与构成所述第二组的卡盘销相连的第二杆,其中,所述驱动件包括:与所述第一杆相连的第一从动磁铁;第二从动磁铁,其比所述第一从动磁铁更靠近所述主体的中心并与所述第二杆相连;朝向得到第一从动磁铁的第一驱动磁铁;以及朝向所述第二从动磁铁的第二驱动磁铁。 
所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别低于所述第一从动磁铁和所述第二从动磁铁并具有环形形状,所述第一从动磁铁和第一驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,所述第二从动磁铁和所述第二驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,并且所述第一驱动磁铁的上表面和所述第二驱动磁铁的上表面具有彼此相反的磁极。 
附图说明
所包含的附图能够提供对本发明的进一步理解,并且,这些附图并入本说明书并构成本说明书的一部分。这些附图用于说明本发明的说明性实施例,并与说明书一起起到解释本发明的原理的作用。在这些附图中: 
图1为平面图,其显示了本发明一个实施例的基片处理设备。 
图2为显示本发明一个实施例的容器的横剖面图。 
图3为显示图2中容器的垂直切开的立体图。 
图4为显示本发明一个实施例的旋转头的平面图。 
图5为沿图4中的线I-I所示的横剖面图。 
图6为放大的立体图,其显示了安装在图4的旋转头的主体处的卡盘销。 
图7和图8为显示本发明实施例的转动杆的示意图。 
图9和图10为横剖面图和平面图,它们显示了将卡盘销布置在等待位置时的图4的旋转头。 
图11和图12为横剖面图和平面图,它们显示了将卡盘销布置在支承位置时的图4的旋转头。 
图13为示意图,其显示了根据本发明的一个实施例,在基片转动时对卡盘销施加反向离心力的状态。 
图14为显示本发明另一实施例的旋转头的平面图。 
图15为显示安装在图14的旋转头的主体处的卡盘销的放大的立体图。 
图16和图17为显示通过图4中的卡盘销和图14中的卡盘销所支承的基片的示意图。 
图18为显示本发明又一实施例的旋转头的平面图。 
图19为沿图18中的线II-II所示的横剖面图。 
图20为沿图19中的线III-III所示的横剖面图。 
图21为示意图,其显示了采用图15的卡盘销的图18的实施例的改变。 
图22和23为示意图,它们显示了根据本发明的一个实施例,根据磁铁之间的磁极布置施加在从动磁铁和驱动磁铁上的力。 
图24和25为平面图和横剖面图,它们显示了在装卸基片时图18的实施例的旋转头。 
图26和27为平面图和横剖面图,它们显示了在仅通过第一销支承基片时的图18的实施例的旋转头。 
图28和29为平面图和横剖面图,它们显示了在仅通过第二销支承基片时的图18的实施例的旋转头。 
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的优选实施例进行更详细地说明。但是,可以采用不同的形式实现本发明,从而本发明的结构不应局限于此处给出的实施例。更确切地说,提供这些实施例是为了确保公开内容充分、完整,并充分告知本领域技术人员本发明的范围。因此,为了清楚,在附图中放大了元件的形状。 
下面,将根据本发明的实施例描述利用化学溶剂、清洗溶剂和干燥气体清洁基片W的设备。但是,本发明的思想和范围不应局限于此,因此,可以将本发明实施例的旋转头应用于使基片W转动以进行诸如蚀刻的加工的各种装置。 
图1为平面图,其显示了当前实施例的基片处理设备1。参见图1,基片处理设备1包括流体供给单元10、容器20、提升单元30以及旋转头40。流体供给单元10将用于加工基片的加工溶剂或气体供给至基片W。旋转头40在加工期间支承并转动基片W。容器20能够防止在加工中使用的化学溶剂和加工中产生的烟雾飞溅或排至外界。提升单元30使旋转头40或容器20上下运动并改变容器20与容器20中的旋转头40之间的相对高度。 
流体供给单元
参见图1,流体供给单元10将加工溶剂或气体供给至放置在旋转头40上的基片W的上表面。流体供给单元10包括化学溶剂供给喷嘴120、清洗溶剂供给喷嘴140以及干燥气体供给喷嘴160。化学溶剂供给喷嘴120将多种化学溶剂供给至基片W。化学溶剂供给喷嘴120包括多个喷射器121、支承杆122以及杆运动装置125。喷射器121设置在容器20的一侧。喷射器121分别与化学溶剂储存装置(未示出)相连以从存储彼此不同类型溶剂的化学溶剂储存装置接收化学溶剂。喷射器121沿预定方向彼此平行。每一个喷射器121均包括向上突出的凸起121a。凸起121a的一侧表面可以设置凹槽(未示出)。化学溶剂可以采用硫酸、硝酸、氨水、氟酸及其与去离子水的混合物中的一种。每一喷射器121的端部均设有排泄孔(未示出)。 
支承杆122与一个喷射器121相连以使喷射器121运动至放置在旋转头40上的基片W的上部。支承杆122具有细长的杆形形状。支承杆122的 纵向垂直于布置喷射器121的方向。支承杆122的下表面设有用于连接至喷射器121的保持器(未示出)。保持器包括多个臂(未示出),这些臂可以插入设置在喷射器121的凸起121a中的凹槽内。这些臂可以从凸起121a的外侧转动或运动至凸起121a的凹槽。 
杆运动装置123使支承杆122在放置于旋转头40上的基片W的上侧位置与喷射器121的上侧位置之间沿直线运动。杆运动装置123包括托架123a、导轨123b、以及驱动装置(未示出)。导轨123b从喷射器121的外侧绕过喷射器121和容器20并沿直线延伸至容器20的外侧。托架123a与导轨123b相连以便沿导轨123b运动。支承杆122固定至托架123a上。驱动装置提供使托架123a沿直线运动的驱动力。包括马达和螺旋丝杆的组件可以使托架123a沿直线运动。作为可选择的方案,包括皮带、皮带轮和马达的组件可以使托架123a沿直线运动。作为可选择的方案,线性马达可以使托架123a沿直线运动。 
清洗溶剂供给喷嘴140设置在容器20的另一侧,并且,干燥气体供给喷嘴160设置在容器20的另一侧。清洗溶剂供给喷嘴140包括喷射器141、支承杆142和驱动器144。喷射器141固定在支承杆142的一端。通过驱动器144转动的转动轴(未示出)固定在支承杆142的另一端。喷射器141从清洗溶剂储存装置(未示出)接收清洗溶剂。干燥气体供给喷嘴160大致具有与清洗溶剂供给喷嘴140相似的结构。干燥气体供给喷嘴160供给可以被加热的异丙醇和氮气。 
容器
图2为表示容器20的横剖面图。图3为表示容器20的垂直切开的立体图。参见图2和图3,容器20具有开口上部以及在其中加工基片W的内部空间22。旋转头40的主体42设置在内部空间22中。旋转头40的转动轴44经容器20底部的开口,从主体42伸出容器20。如马达这样的驱动器46固定在转动轴44上以便对转动轴44提供转矩。 
容器20具有分离并收集加工中使用的化学溶剂的结构,从而能够重复使用化学溶剂。容器20包括多个收集容器220、240和260,这些容器能够分别收集在加工中使用的不同类型的加工液体。可以分别将当前实施 例描述的收集容器220、240和260称为内部收集容器、中间收集容器以及外部收集容器。 
内部收集容器220具有环绕旋转头40的环形形状,外部收集容器260具有环绕中间收集容器240的环形形状。内部收集容器220、中间收集容器240以及外部收集容器260分别具有与容器20的内部空间22相连通的引入孔227、247和267。每一引入孔227、247和267均具有环绕旋转头40的环形形状。通过基片W的转动产生的离心力经引入孔227、247和267,将加工中喷射至基片W的化学溶剂引入收集容器220、240和260内。外部收集容器260的引入孔267设置在中间收集容器240的引入孔247的竖直上侧上,中间收集容器240的引入孔247设置在内部收集容器220的引入孔227的竖直上侧上。即,内部收集容器220的引入孔227、中间收集容器240的引入孔247以及外部收集容器260的引入孔267具有彼此不同的高度。 
内部收集容器220包括分别具有环形形状的外壁222、底壁224、内壁226以及导引壁228。外壁222包括沿远离旋转头40的方向向下倾斜的倾斜壁222a以及从倾斜壁222a的下端向下竖直延伸的竖直壁222b。底壁224从竖直壁222b的下端水平延伸至旋转头40。底壁224的一端延伸至倾斜壁222a的上端所处的竖直线上。内壁226的上端延伸至与倾斜壁222a的上端相距规定距离的位置处。内壁226和倾斜壁222a之间的竖直空间起到内部收集容器220的引入孔227的功能。 
内壁226设有以环形形状排列的多个孔223。每一个孔223均具有狭缝形状。孔223起到经旋转头40中的下部空间,将引入内部收集容器220内的气体排泄至外界的排泄孔的作用。经排泄管225,将经内部收集容器220引入的加工溶剂排放至用于回收化学溶剂的外部系统。 
导引壁228包括从内壁226的上端、沿远离旋转头40的方向向下倾斜的倾斜壁228a以及从倾斜壁228a的下端竖直向下延伸的竖直壁228b。竖直壁228b的下端与底壁224相距规定间隔。导引壁228将经引入孔227引入的加工液体导引至由外壁222、底壁224以及内壁226限定的空间229内,以便加工液体能够有效地流至空间229。 
中间收集容器240包括外壁242、底壁244、内壁246以及突出壁248。虽然中间收集容器240的外壁242、底壁244和内壁246大致与内部收集容器220的外壁222、底壁224以及内壁226相似,但中间收集容器240比内部收集容器220大,以便中间收集容器240能够包围内部收集容器220。在构成中间收集容器240的外壁242的倾斜壁242a的上端与构成内部收集容器220的外壁222的倾斜壁222a的上端之间设有竖直空间。该竖直空间起到中间收集容器240的引入孔247的功能。突出壁248从底壁244的端部向下竖直延伸。中间收集容器240的内壁246的上端与内部收集容器220的底壁224的端部接触。用于排放气体的狭缝状排泄孔243以环状排列在中间收集容器240的内壁246中。排泄管245与底壁244相连。经排泄管245,将经中间收集容器240引入的加工溶剂排放至用于回收化学溶剂的外部系统。 
外部收集容器260包括外壁262和底壁264。虽然外部收集容器260的外壁262在形状上与中间收集容器240的外壁242相似,但是,外部收集容器260比中间收集容器240大,以便外部收集容器260能够包围中间收集容器240。在构成外部收集容器260的外壁262的倾斜壁262a的上端与构成中间收集容器240的外壁242的倾斜壁242a的上端之间设有竖直空间。该竖直空间起到外部收集容器260的引入孔267的功能。底壁264具有大致圆盘形状,并且在底壁264的中央设有插入转动轴44的孔。排泄管265与底壁264相连。经排泄管265,将经外部收集容器260引入的加工溶剂排放至用于回收化学溶剂的外部系统。外部收集容器260起到容器20的整个外壁的功能。排放管263与外部收集容器260的底壁264相连。经排放管263,将引入外部收集容器260的气体排放至外界。经与外部收集容器260相连的排放管263,将经设置于内部收集容器220的内壁246上的孔223和设置于中间收集容器240的内壁246上的排放孔243排出的气体排至外界。排放管263从底壁264向上突出预定长度。 
在当前的实施例中,容器包括收集容器,其具有能够分离并收集加工溶剂的结构。但是,容器可以仅仅包括单个收集容器,而不带有内部收集容器和中间收集容器。 
提升单元
参见图2和图3,提升单元30使容器20沿直线上下运动。当容器20上下运动时,容器20相对于旋转头40的相对高度改变。提升单元30包括托架32、运动轴34以及驱动器36。托架32固定在容器20的外壁上,通过驱动器36上下运动的运动轴34固定在托架32上。使容器20向下运动以便在旋转头40上装载基片W或从旋转头40上拆卸基片W时,能够使旋转头40向上露出容器20。在进行加工时,根据供给至基片W上的加工液体的类型调节容器20的高度,以便将加工液体引入收集容器220、240和260中的一个预定容器。反之,提升单元30可以使旋转头40上下运动。 
旋转头:一个实施例
下面,将参照图4和图5,对旋转头40的结构进行说明。图4为表示旋转头40的平面图。图5为沿图4中的线I-I所示的横剖面图。旋转头40包括气体供给件300、主体400、卡盘销500以及卡盘销运动单元600。 
参见图4和图5,主体400包括上侧板420、下侧板440以及导板460。上侧板420、下侧板440以及导板460通过螺钉(未示出)彼此固定。上侧板420包括支承件421和插入件426。支承件421具有上表面422,该上表面422在俯视图中具有大致圆形形状。支承件421的上表面422的边缘部分423具有水平表面。中央部分424低于边缘部分423并具有水平表面。连接部分425设置在边缘部分423与中央部分424之间,并从边缘部分423朝中央部分424向下倾斜。由于这种形状,支承件421在上表面422上具有凹入空间422a。插入件426从支承件421的下表面的中央区域向下延伸。插入件426的结构应能在上侧板420与下侧板440相连时,稳定地使上侧板420位于下侧板440上的理想位置处。上侧板420设有垂直穿过支承件421和插入件426的通孔342。 
导板460包括上侧主体461和插入件466。上侧主体461具有上表面462,该上表面462在俯视图中具有大致圆形形状。上侧主体461的直径略小于上侧板420的支承件421的中央部分424。导板460的上侧主体461的上表面462低于上侧板420的支承件421的边缘部分423。插入件466从上侧主体461底面的中央区域向下突出。插入件466插入在设置于上侧板420中的通孔342内,并且上侧主体461位于设置在上侧板420的上表面422上的空间422a中。导板460的底面设有导管,经上侧板420的通孔342和下侧板440 的通孔445供给的气体流过该导管。导板460底面的边缘设有环状凹形缓冲空间346。导板460的底面设有环状凹部348,该凹部从缓冲空间346延伸至导板460的外端。凹部348被设置成导板460与上侧板420之间的间隙,并起到将气体从缓冲空间346排至外界的通道的功能。在导板460的底面大致接触上侧板420的支承件421的上表面422的同时,导板460的底面设有多条通道344,这些通道使设置在上侧板420上的通孔342与缓冲空间346相连。 
下侧板440设置在上侧板420之下并支承上侧板420。下侧板40包括支承件441和下盖448。支承件441具有上表面444,该上表面444在俯视图中具有大致圆形形状。下侧板440的支承件441的上表面444的直径大于上侧板420的支承件421的上表面422的中央部分424。上侧板420的支承件421的上表面422略小于基片W,并且下侧板440的支承件441的上表面444大于基片W。下侧板440的支承件441的上表面444整体为水平表面。通孔445竖直通过下侧板440的中央。下侧板440的通孔445的长度大于上侧板420的插入件426的长度。下侧板440的通孔445的尺寸对应上侧板420的插入件426的尺寸。从上侧向下插入上侧板420以便将插入件426插入下侧板440的通孔445内。 
支承件441包括沿支承件441的边缘、以环形形状向下突出的外壁442。外壁442设有从外壁442的内表面延伸至其外表面的通孔446。支承件441的边缘设有从通孔446延伸至支承件441的上表面444的销孔447。将通孔446和销孔447设置成用于对卡盘销运动单元600和卡盘销500的一部分进行定位并组装卡盘销运动单元600和卡盘销500的空间。销孔447导引卡盘销500在等待位置与支承位置之间运动,将在后面对其进行描述。销孔447具有滑道形状。销孔447的纵向沿下侧板440的径向布置。销孔447的宽度等于或略大于卡盘销500的直径。通孔446的数量和销孔447的数量等于卡盘销500的数量。 
下盖448具有环形形状,该形状具有上下部分彼此连通的内部空间。下盖448固定在下侧板440的支承件441上。在支承件441与下盖448之间设有预定空间449。卡盘销运动单元600设置在空间449中。 
将转动轴44从下侧向上插至下侧板440的通孔445并将其固定。气体供给管线320在转动轴44中竖直延伸,并与外部气体供给部分(未示出)相连。经外部气体供给部分导引至气体供给管线320的气体沿气体供给管线320向上流动,随后,沿设置在导板460底面上的通道344流动至缓冲空间346。沿上侧板420的连接部分425,朝基片W的边缘向上分配从凹部348流出的气体,随后,经基片W与上侧板420的边缘部分423之间的间隙将气体分配至上侧板420之外。该气流能够产生使基片W与上侧板420分离的气体压力,并且能够防止供给至基片W上部的加工溶剂或气体被导引至基片W的后表面。气体供给管线320、通道344、缓冲空间346以及凹部348相结合以起到气体供给件300的功能。 
在所述实施例中,在通过气体压力使基片W在旋转头40上方漂浮的状态下,通过旋转头40支承基片W。作为可选择的方案,旋转头40可包括多个支承销(未示出),并且,可以使基片W位于支承销上。 
卡盘销500支承基片W的侧部以防止在主体400转动时,基片W沿横向离开理想位置。图6为放大的立体图,其显示了安装在主体400处的卡盘销500。参见图4~图6,将卡盘销500设置在下侧板440的边缘区域中,以便其从下侧板440的上表面444向上突出。卡盘销500具有相同的形状以及相同的尺寸。卡盘销500包括支承部分520、中间部分540以及连接部分560。支承部分520的直径从平坦的上表面521向下逐渐减小并随后逐渐增大。因此,支承部分520具有在正视图中向内凹入的侧面凹入部分522。卡盘销500的支承部分520高于构成上侧板420的支承件421的上表面422的边缘部分。凹入部分522与基片W的侧部接触。中间部分540从支承部分520的下端向下延伸,并具有支承部分520的下端的直径。连接部分560从中间部分540向下延伸。连接部分560设有用于连接至卡盘销运动单元600的螺纹孔(未示出)。 
卡盘销500具有能够在支承位置与等待位置之间运动的结构。支承位置为在加工期间卡盘销500与基片W的侧部接触的位置。等待位置为卡盘销500提供大于基片W的空间以使基片W位于旋转头400上的位置。因此,支承位置比等待位置更靠近主体400的中心。卡盘销500的数量为5以上,并且在当前的实施例中为6。 
卡盘销运动单元600使卡盘销500在支承位置与等待位置之间运动。卡盘销运动单元600包括转动杆620、枢轴销640、驱动件660以及弹性件680。转动杆620的数量等于卡盘销500的数量。每一卡盘销500均与每一根转动杆620相连。转动杆620具有在俯视图中沿主体400的径向布置的纵向并设置在下侧板440的空间449中。转动杆620的外端626布置在设置于下侧板440的外壁442上的通孔446中。转动杆620的外端626设有螺钉孔,并且,卡盘销500通过螺钉629与转动杆620相结合。 
通过枢轴销640,将转动杆620固定在主体400上。枢轴销640在俯视图中沿与主体400的径向垂直的方向布置。转动杆620可以绕作为转动轴的枢轴销640转动。主体400包括结构能够限制转动杆620的转动范围的止动件690。止动件690具有圆柱管形形状,并具有沿主体400的径向布置的纵向。通孔692通过止动件90。转动杆620具有比通孔692的直径小的厚度,并且通过止动件690的通孔692。枢轴销640将转动杆620固定在止动件690上。 
转动杆620包括第一部分621和第二部分622。第一部分621为与卡盘销500相连的部分,第二部分622为相对于枢轴销640与第一部分621相对的部分。在转动杆620的第一部分621向上运动(即,第二部分622向下运动)时,卡盘销500运动至支承位置。在转动杆620的第一部分621向下运动(即,第二部分622向上运动)时,卡盘销500运动至等待位置。在转动杆620中,第二部分622比第一部分621重。转动杆620的第二部分622的重量与后面将描述的从动磁铁662的重量的总和大于转动杆620的第一部分621的重量与卡盘销500的重量的总和。因此,在未施加外力时,第二部分622通过重力向下运动,以便使卡盘销500位于支承位置处。因此,在加工期间,卡盘销500与基片W的侧部持续接触。 
转动杆620具有在主体400转动的同时,朝基片W的中心对卡盘销500施加反向离心力的形状。因此,第二部分622的形状应能够在沿主体400的径向对转动杆620的第二部分622施加离心力时,使第二部分622的内端627沿远离主体400中心的方向向下转动。在转动杆620的第二部分622中,最靠近主体400中心的内端627低于与第一部分621相邻的部分。 
例如,转动杆620的第二部分622包括第一线形部分623、第二线形部分624以及第三线形部分625。第一线形部分623、第三线形部分625和第二线形部分624按顺序布置。第一线形部分623最靠近第一部分621。第三线形部分625将第一线形部分623连接至第二线形部分624。第三线形部分625与第一线形部分623相连的区域高于第三线形部分625与第二线形部分624相连的区域。例如,第一线形部分623和第二线形部分624可分别具有直线形状,第一线形部分623可以平行于第二线形部分624,而第三线形部分625可以垂直于第一线形部分623和第二线形部分624。作为可选择的方案,可以使第三线形部分625倾斜以使其高度从第一线形部分623朝第二线形部分624逐渐降低。 
第一部分621包括线形部分,该线形部分从第二部分622的第一线形部分623、以大致直线状延伸。第二部分622的第一线形部分623的上、下表面可分别略低于第一部分621的线形部分的上、下表面。 
作为可选择的方案,可以设置具有不同形状的转动杆中的一根转动杆。 
例如,参见图7,转动杆620a可包括第一部分621a和第二部分622a。第二部分622a可仅仅包括第一线形部分623a和第二线形部分624a。第二线形部分624a的布置在第一线形部分623a之下的区域可接触第一线形部分623a的区域。作为可选择的方案,参见图8,转动杆620b可包括第一部分621b和第二部分622b。第二部分622b可仅仅包括第一线形部分623b和第三线形部分625b。第三线形部分625b可以沿远离第一线形部分623a的方向向下倾斜。 
在使用具有当前实施例的形状的转动杆620、620a和620b的情况下,在使主体400转动时,代替沿远离基片W的方向对卡盘销500施加离心力的情况,朝基片W的中心,对卡盘销500施加反向离心力。因此,在加工期间,能够更稳定地支承基片W。 
在未施加外力时,弹性件680利用弹力将卡盘销500布置在支承位置处。弹性件680对转动杆620施加弹力以使转动杆620的第二线形部分624向下转动并使第一线形部分623向上转动。每一弹性件680均与每一转动杆620相连。例如,弹性件680可以是弹簧。在这种情况下,弹簧(也以680标示)布置在第二线形部分624的上侧,并且一端固定在主体400上,另一端固定在第二线形部分624上。在安装时,压缩弹簧680以提供向下推动第二线形部分624的弹力。作为可选择的方案,可以在等待位置处压缩弹簧680,并且在支承位置处使其处于平衡状态。作为可选择的方案,弹簧680可以布置在第一线形部分623的上侧,并且其一端固定在第一线形部分623上。在这种情况下,可以以拉伸状态安装弹簧680以提供向上拉动第一线形部分623的弹力。 
驱动件660使卡盘销500从支承位置运动至等待位置。例如,驱动件660利用磁力使转动杆620绕枢轴销640转动,以便卡盘销500从支承位置运动至等待位置。驱动件660包括从动磁铁662、驱动磁铁664以及驱动器666。从动磁铁662固定在转动杆620上。驱动磁铁664在从动磁铁662之下朝向从动磁铁662。从动磁铁662具有竖直排列的不同磁极。设置多个从动磁铁662。每个从动磁铁662均安装在每根转动杆620处。例如,可以将从动磁铁662安装在转动杆620的内端627。驱动磁铁664具有环形形状以朝向所有从动磁铁662。从动磁铁662和驱动磁铁664的布置应确保相同的磁极彼此面对。将永久磁铁分别用作从动磁铁662和驱动磁铁664。 
驱动器666与驱动磁铁664相连并可以包括缸体。驱动器666使驱动磁铁664沿直线在第一位置与第二位置之间运动。第一位置高于第二位置。在第一位置处通过驱动磁铁664提供给从动磁铁662的排斥力大于重力与提供给从动磁铁662的弹力的总和。在第二位置处通过驱动磁铁664提供给从动磁铁662的排斥力小于重力与提供给从动磁铁662的弹力的总和。在没有设置弹性件680时,在第一位置处提供给从动磁铁662的排斥力大于作用于从动磁铁662的重力,并且,在第二位置处提供给从动磁铁662的排斥力小于作用于从动磁铁662的重力。控制驱动器666以使驱动磁铁664从第一位置慢慢运动至第二位置。其原因在于:在驱动磁铁664从第一位置迅速运动至第二位置时,弹性件680的弹力使卡盘销500从等待位置迅速运动至支承位置以致会损坏基片W。例如,在沿远离从动磁铁662的方向运动时驱动磁铁664的速度小于在向从动磁铁662运动时驱动磁铁664的速度。 
作为可选择的方案,可以将电磁铁用作驱动磁铁664。在这种情况下,驱动磁铁664固定在主体400上,根据是否对设置在驱动磁铁664上的线圈提供电流,能够控制从动磁铁662的向上运动。在这种情况下,可以不设置驱动器。另外,在将电磁铁用作驱动磁铁664时,控制作用于驱动磁铁664的线圈上的电流的方向以分别控制从动磁铁662的向上和向下运动。在这种情况下,可以不设置弹性件680。 
在上面的例子中,驱动件使卡盘销从支承位置运动至等待位置,弹力或重力使卡盘销从等待位置运动至支承位置。但是,反之,驱动件可以使卡盘销从等待位置运动至支承位置,并且,弹力可以使卡盘销从支承位置运动至等待位置。 
图9~图12显示了将卡盘销500和卡盘销运动单元600布置在支承位置和等待位置处的状态。图9和图10为显示将卡盘销500布置在等待位置时的旋转头40的横剖面图和平面图,图11和图12为显示将卡盘销500布置在支承位置时的旋转头40的横剖面图和平面图。参见图9和图10,在从旋转头40上装卸基片W时,将卡盘销500布置在等待位置处。通过提升装置使驱动磁铁664从第二位置运动至第一位置。转动杆620沿第二部分622向上运动的方向转动,并且卡盘销500运动至等待位置。参见图11和图12,在将基片W放置在旋转头40上的状态下进行加工时,将卡盘销500布置在支承位置处。通过提升装置使驱动磁铁664从第一位置运动至第二位置。转动杆620沿第二部分622向下运动的方向转动,卡盘销500运动至支承位置。 
图13为示意图,其显示了在加工期间朝向转动的基片W对卡盘销500施加反向离心力的状态。在主体400转动时,离心力从主体400的中心向其边缘对转动杆620的第二部分622施加力‘a’。但是,由于构成转动杆620的第二部分622的形状,对转动杆620施加力‘b’以便第二部分622向下转动。因此,卡盘销500连续对基片W的中心施加力‘c’。即,在主体400转动时,卡盘销500利用反向离心力持续对基片W的中心施加力而不是利用离心力沿远离基片W的方向运动,以便能够稳定地支承基片W。 
旋转头:另一实施例
图14显示了本发明一个实施例的旋转头40a的平面图。旋转头40a的结构与之前实施例的旋转头40的结构相似,其不同之处在于:旋转头40a的卡盘销500a具有与旋转头40的卡盘销500不同的形状。图15为显示安装在旋转头40a处的卡盘销500a的放大的立体图。卡盘销500a具有相同的形状和尺寸。卡盘销500a包括支承部分520a、中间部分540a以及连接部分(未示出)。支承部分520a包括底部522a和接触部分524a。底部522a具有大致平坦的板状并支承接触部分524a。在当前的实施例中,接触部分524a的数量为2。每一接触部分524a均具有固定在底部522a上的第一端以及向基片W的中心突出的第二端。在将卡盘销500a布置在支承位置处时,接触部分524a的第二端与基片W的侧表面接触。接触部分524a的纵向平行于基片W的径向。接触部分524a具有流线形并且宽度在俯视图中从第一端向第二端减小。接触部分524a在相同高度处彼此平行并彼此分离。中间部分540a具有直径向下逐渐增大的锥形。连接部分从中间部分540a向下延伸。连接部分设有用于连接至卡盘销运动单元600的螺钉孔。卡盘销500a的数量为3以上以便稳定地支承基片W。在当前的实施例中,卡盘销500a的数量为3。在使用以前实施例的卡盘销500时,卡盘销500的数量为5以上以便能稳定地支承基片W。在卡盘销500的数量小于5时,如图16所示,可以将一个卡盘销500布置在基片W的槽口N中。在这种情况下,卡盘销500不与基片W接触,以致不能稳定地支承基片W。但是,参见图17,虽然使用了三个卡盘销500a并且将卡盘销500a的一个接触部分524a布置在基片W的槽口N中,但是,另一个接触部分524a能够稳定地支承基片W。 
旋转头:又一实施例
图18~图20显示了本发明一个实施例的旋转头40b。图18为显示旋转头40b的平面图,图19为沿图18中的线II-II所示的横剖面图,图20为沿图18中的线III-III所示的横剖面图。旋转头40b包括气体供给件300b、主体400b、卡盘销500b以及卡盘销运动单元600b。气体供给件300b和主体400b的结构与构成之前实施例的旋转头40的气体供给件300和主体400的结构相类似。 
将卡盘销500b划分为第一组和第二组。将在第一组中包括的卡盘销500b称为第一销501,将在第二组中包括的卡盘销500b称为第二销502。 在进行加工时,不使接触卡盘销500的基片W的侧部的区域暴露于加工溶剂或气体,因此,在加工中不被处理。但是,在当前的实施例中,由于将卡盘销500b划分为第一组和第二组,因此,在进行加工时,第一组和第二组交替支承基片W,从而能够利用加工溶剂或气体处理基片W的支承部分的整个区域。 
第一销501和第二销502具有与设置在之前实施例的旋转头40上的卡盘销500相同的形状和结构。第一销501的数量等于第二销502的数量。交替布置第一销501和第二销502。即,第二销502中的一个销布置在两个相邻的第一销501之间。第一销501的数量为5以上,第二销502的数量为5以上。在当前实施例中,第一销501的数量为6,第二销502的数量为6。 
作为可选择的方案,参见图21,第一销501和第二销502的形状和结构与设置在之前实施例的旋转头40a上的卡盘销500a相同。在这种情况下,第一销501的数量为3以上,第二销502的数量为3以上。在图21中,第一销501的数量为3,第二销502的数量为3。 
卡盘销运动单元600b包括转动杆620b、枢轴销640b、驱动件660b以及弹性件680b。转动杆620b包括第一杆631和第二杆632。第一杆631与第一销501相连,第二杆632与第二销502相连。第一杆631和第二杆632的结构和形状与之前实施例的旋转头40的转动杆620的结构和形状大致相同,它们的不同之处在于:第一杆631比第二杆632短。虽然第一杆631的外端631a和第二杆632的外端632a与主体400的中心相隔大致相同的距离,但是,与第一杆631的内端631b相比,第二杆632的内端632b更靠近主体400的中心。第一杆631的第二部分633的长度可以小于第二杆632的第二部分634的长度,以便在第一杆631与第二杆632之间形成长度差。 
枢轴销640b与弹性件680b采用了与构成之前实施例的旋转头40的枢轴销640和弹性件680相同的结构和布置。枢轴销640b与弹性件680b设置在第一杆631和第二杆632上。 
驱动件660b包括第一从动磁铁671、第二从动磁铁672、第一驱动磁铁673、第二驱动磁铁674、第一驱动器675和第二驱动器676。第一从动磁铁671和第二从动磁铁672采用了与构成之前实施例的旋转头40的从动 磁铁662相似的结构和布置,其不同之处在于:第一从动磁铁671固定在第一杆631上,而第二从动磁铁672固定在第二杆632上。由于第一杆631比第二杆632短,因此,与第二从动磁铁672相比,第一从动磁铁671距离主体400的中心更远。第一驱动磁铁673和第二驱动磁铁674采用了与构成之前实施例的旋转头40的驱动磁铁664相似的结构和布置,其不同之处在于:第一驱动磁铁673面向第一从动磁铁671,并且第二驱动磁铁674面向第二从动磁铁672。第一驱动磁铁673具有直径大于第二驱动磁铁674的环形形状。第一驱动磁铁673环绕第二驱动磁铁674。第一驱动器675和第二驱动器676具有与构成之前实施例的旋转头40的驱动器666相似的结构。第一驱动器675使第一驱动磁铁673在第一位置与第二位置之间运动,第二驱动器676使第二驱动磁铁674在第一位置与第二位置之间运动。 
将第一驱动磁铁673、第一从动磁铁671、第二从动磁铁672布置成在第一驱动磁铁673与第一从动磁铁671之间施加排斥力和吸引力中的一种,在第一驱动磁铁673与第二从动磁铁672之间施加排斥力和吸引力中的另一种。将第二驱动磁铁674布置成在第二驱动磁铁674与第一从动磁铁671之间施加排斥力和吸引力中的一种,在第二驱动磁铁674与第二从动磁铁672之间施加排斥力和吸引力中的另一种。例如,第一驱动磁铁673与第一从动磁铁671的相同磁极彼此面对。第二驱动磁铁674与第二从动磁铁672的相同磁极彼此面对。第一驱动磁铁673的上表面具有与第二驱动磁铁674的上表面不同的磁极。例如,第一驱动磁铁673的上部具有N极而其下部具有S极,而第一从动磁铁671的上部具有S极而其下部具有N极。另外,第二驱动磁铁674的上部具有S极而其下部具有N极,而第二从动磁铁672的上部具有N极而其下部具有S极。 
图22和图23为示意图,它们显示了第一驱动磁铁673的上表面与第二驱动磁铁674的上表面具有相同磁极的情况以及它们具有不同磁极的情况。在以下的描述中,第二销502布置在等待位置处,第一销501布置在支承位置处。 
参见图22,在将第二销502布置在等待位置处并将第一销501布置在支承位置处的状态下,在第一驱动磁铁673的上表面与第二驱动磁铁674的上表面具有相同的磁极时,在第二驱动磁铁674与第一从动磁铁671之 间施加排斥力,并且在对第一杆631施加力‘d’以使其逆时针转动时,从支承位置向等待位置对第一销501施加力‘e’。因此,第一销501离开基片W的侧部,并且,再也不能稳定地支承基片W。相反,参见图23,在第一驱动磁铁673的上表面与第二驱动磁铁674的上表面具有不同的磁极时,在第二驱动磁铁674与第一从动磁铁671之间施加吸引力。因此,对第一杆631施加力‘f’以使其顺时针转动,并且,朝向基片W对第一销501施加力‘g’,以便能更稳定地支承基片W。 
图24~图29显示了在加工期间卡盘销500b和卡盘销运动单元600b的状态。图24、图26和图28为显示旋转头40b的平面图。图25、图27和图29分别为沿图24、图26和图28中的线IV-IV、线V-V和线VI-VI所示的横剖面图。参见图24和图25,在从旋转头40b上装卸基片W时,使第一驱动磁铁673和第二驱动磁铁674升至第一位置,并且,将第一销501和第二销502布置在等待位置处。之后,参见图26和图27,使第一驱动磁铁673运动至第二位置,并且,将第二驱动磁铁674保持在第一位置处。使第一销501运动至等待位置,并通过第二销502支承基片W。使基片W转动,并且,对基片W提供加工溶剂或气体以进行加工,以便对基片W进行处理。在经过预定时间时,参见图28和图29,使第二驱动磁铁674运动至第二位置,并且,第二销502接触基片W。之后,使第一驱动磁铁673运动至第一位置处,并且使第一销591运动离开基片W。在仅由第一销501支承基片W的状态下进行加工时,使接触第二销502的基片W的侧面区域暴露于加工溶剂或加工气体之中。在仅由第二销502支承基片W的状态下进行加工时,使接触第一销501的基片W的侧面区域暴露于加工溶剂或加工气体之中。 
根据本发明的实施例,即使在基片以高速转动时,仍能稳定地将卡盘销保持在与基片的侧部接触的接触位置。 
根据本发明的实施例,即使在一个卡盘销面对基片的槽口时,卡盘销仍能稳定地支承基片。 
根据本发明的实施例,仅通过少量卡盘销就能稳定地支承基片。 
上面描述的主题被认为是说明性而非限定性的,权利要求书旨在覆盖落入本发明真实思想和范围内的改进、提高和其它实施例。因此,对于法律允许的最大范围而言,本发明的保护范围应由以下权利要求及其等同方案的最广义允许解释所限定,并且不应受到上面详细说明的约束或限制。 

Claims (44)

1.一种旋转头,其包括:
主体;
从所述主体向上突出的卡盘销;以及
卡盘销运动单元,其结构能够使所述卡盘销在支承位置与等待位置之间运动,以便使得基片位于所述主体上,其中,位于所述旋转头上的基片的侧部在所述支承位置处支承,所述等待位置比所述支承位置离所述主体的中心更远,
其中,所述卡盘销运动单元包括:
与每一所述卡盘销相连的转动杆;
将所述转动杆固定至所述主体的枢轴销;以及
驱动件,其使所述转动杆围绕作为转动轴的所述枢轴销转动。
2.根据权利要求1所述的旋转头,其中,所述转动杆包括:
第一部分,其为相对于所述枢轴销与所述卡盘销相连的区域;以及
第二部分,其为相对于所述枢轴销与所述第一部分相对的区域,
其中,所述第二部分包括:
第一线形部分;以及
第二线形部分,其比所述第一线形部分离所述第一部分更远并且低于所述第一线形部分。
3.根据权利要求2所述的旋转头,其中,所述第二线形部分平行于所述第一线形部分,并且,
所述第二部分还包括从所述第一线形部分延伸至所述第二线形部分的第三线形部分。
4.根据权利要求3所述的旋转头,其中,所述第三线形部分垂直于所述第一线形部分和所述第二线形部分。
5.根据权利要求2所述的旋转头,其中,所述第一部分包括从所述第一线形部分伸出且平行于所述第二线形部分的线形部分,并且,所述第一部分的线形部分高于所述第二部分的第二线形部分。
6.根据权利要求2所述的旋转头,其中,与所述主体的中心相邻的所述第二部分的端部低于距离所述主体中心最远的所述第一部分的端部。
7.根据权利要求1所述的旋转头,其中,在所述主体转动时,提供所述转动杆以利用反向离心力从所述等待位置向所述支承位置对所述卡盘销施加力。
8.根据权利要求2所述的旋转头,其中,所述主体包括止动件,该止动件具有带有开口前部和开口后部的通孔,
所述转动杆通过所述通孔,
所述枢轴销的结构使所述转动杆在所述通孔中与所述止动件相连,并且,
所述通孔的直径大于所述转动杆的厚度。
9.根据权利要求2~6或8中任意一项所述的旋转头,其中,所述第二部分比所述第一部分重。
10.根据权利要求7所述的旋转头,其中,所述转动杆包括作为相对于所述枢轴销与所述卡盘销相连的区域的第一部分以及作为相对于所述枢轴销与所述第一部分相对的区域的第二部分,并且所述第二部分比所述第一部分重。
11.根据权利要求1~8中任意一项所述的旋转头,其中,提供所述驱动件以通过磁力使所述卡盘销从所述支承位置运动至所述等待位置。
12.根据权利要求2~6或8中任意一项所述的旋转头,其中,所述驱动件包括:
与所述每一转动杆的第二部分相连的从动磁铁;以及
在所述从动磁铁之下朝向所述从动磁铁的驱动磁铁,
其中,所述从动磁铁和所述驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极。
13.根据权利要求7所述的旋转头,其中,所述转动杆包括作为相对于所述枢轴销与所述卡盘销相连的区域的第一部分以及作为相对于所述枢轴销与所述第一部分相对的区域的第二部分,并且所述驱动件包括:
与所述每一转动杆的第二部分相连的从动磁铁;以及
在所述从动磁铁之下朝向所述从动磁铁的驱动磁铁,
其中,所述从动磁铁和所述驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极。
14.根据权利要求12所述的旋转头,其中,所述驱动磁铁具有环形形状。
15.根据权利要求12所述的旋转头,其中,所述从动磁铁和所述驱动磁铁包括永久磁铁,并且,
所述驱动件还包括能够使所述驱动磁铁竖直运动的驱动器。
16.根据权利要求12所述的旋转头,其还包括:弹性件,该弹性件与所述转动杆和所述主体相连并使所述转动杆转动以从所述等待位置向所述支承位置对所述卡盘销施加力。
17.根据权利要求16所述的旋转头,其中,所述弹性件包括弹簧,
其中,所述弹簧的一端与所述转动杆的第二部分相连,另一端在所述转动杆的上侧与所述主体相连。
18.根据权利要求12所述的旋转头,其中,所述第二部分的重量与所述从动磁铁的重量的总和大于所述第一部分的重量与所述卡盘销的重量的总和。
19.根据权利要求12所述的旋转头,其中,将一部分所述卡盘销划分为第一组,将另一部分所述卡盘销划分为第二组,
其中,所述转动杆包括:
与构成所述第一组的卡盘销相连的第一杆;以及
与构成所述第二组的卡盘销相连的第二杆,
其中,所述驱动件包括:
与所述第一杆相连的第一从动磁铁;
与所述第二杆相连的第二从动磁铁;
朝向所述第一从动磁铁的第一驱动磁铁;以及
朝向所述第二从动磁铁的第二驱动磁铁。
20.根据权利要求19所述的旋转头,其中,所述第一从动磁铁比所述第二从动磁铁离所述主体的中心更远,并且
所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别具有环形形状。
21.根据权利要求20所述的旋转头,其中,所述第一从动磁铁、所述第二从动磁铁、所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别包括永久磁铁,并且,
所述驱动件还包括:
使所述第一驱动磁铁竖直运动的第一驱动器;以及
使所述第二驱动磁铁竖直运动的第二驱动器。
22.根据权利要求21所述的旋转头,其中,所述第一驱动磁铁和所述第一从动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,
所述第二驱动磁铁和所述第二从动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,并且
所述第一驱动磁铁的上表面和所述第二驱动磁铁的上表面具有彼此不同的磁极。
23.根据权利要求22所述的旋转头,其中,所述第一杆和所述第二杆具有彼此不同的长度,
所述第一从动磁铁设置至所述第一杆的一端,并且
所述第二从动磁铁设置至所述第二杆的一端。
24.根据权利要求19所述的旋转头,其中,所述第一组和所述第二组中每一组的所述卡盘销的数量均为5个以上,并且
所述第一组中所包括的卡盘销和所述第二组中所包括的卡盘销交替布置。
25.根据权利要求1~8中任意一项所述的旋转头,其中,所述每一卡盘销均包括:
底部;以及
接触部分,其固定在所述底部上并从所述底部向所述主体的中心突出,以便该接触部分适于与所述基片接触,
其中,所述接触部分设置有多个。
26.根据权利要求25所述的旋转头,其中,所述接触部分分别沿与其纵向相垂直的方向彼此隔离。
27.根据权利要求1~8中任意一项所述的旋转头,其中,所述主体包括:
下侧板,在该下侧板处安装有所述卡盘销运动单元;
上侧板,其安装在所述下侧板的上部并在上表面中具有凹入空间;以及
设置在所述凹入空间中的导板,
其中,竖直通过所述下侧板的中央设置有通孔,
在所述上侧板的中央设置有通孔,该通孔与所述下侧板的通孔连通,并且
所述导板的底面设置有导管,其中经所述上侧板的通孔以及所述下侧板的通孔供给的气体在该导管中流动。
28.根据权利要求27所述的旋转头,其中,所述导管包括:
设置在所述导板边缘处的环状缓冲空间;
通道,其作为凹槽设置在所述导板的底面并使所述缓冲空间与所述上侧板的通孔相连;以及
环状凹部,其设置在所述导板的底面中并从所述缓冲空间延伸至所述导板的外端。
29.一种旋转头,其包括:
主体;
从所述主体向上突出的第一卡盘销和第二卡盘销;以及
卡盘销运动单元,其结构能够使所述第一卡盘销和所述第二卡盘销在支承位置与等待位置之间运动,以便使得基片位于所述主体上,其中,位于所述旋转头上的基片的侧部在所述支承位置处支承,所述等待位置比所述支承位置离所述主体的中心更远,
其中,所述卡盘销运动单元包括:
与所述第一卡盘销相连并通过枢轴销与所述主体相连的第一杆;
与所述第二卡盘销相连并通过枢轴销与所述主体相连的第二杆;
与所述第一杆相连的第一从动磁铁;
与所述第二杆相连的第二从动磁铁;
朝向所述第一从动磁铁的第一驱动磁铁;
朝向所述第二从动磁铁的第二驱动磁铁;
使所述第一驱动磁铁竖直运动的第一驱动器;以及
使所述第二驱动磁铁竖直运动的第二驱动器,
其中,在所述第一驱动磁铁与所述第一从动磁铁之间施加排斥磁力和吸引磁力中的一种力,并且
在所述第一驱动磁铁与所述第二从动磁铁之间施加排斥磁力和吸引磁力中的另一种力。
30.根据权利要求29所述的旋转头,其中,在所述第二驱动磁铁与所述第二从动磁铁之间施加排斥磁力和吸引磁力中的一种力,并且
在所述第二驱动磁铁与所述第一从动磁铁之间施加排斥磁力和吸引磁力中的另一种力。
31.根据权利要求30所述的旋转头,其中,所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别低于所述第一从动磁铁和所述第二从动磁铁,
所述第一从动磁铁和所述第一驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,
所述第二从动磁铁和所述第二驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,并且
所述第一驱动磁铁的上表面和所述第二驱动磁铁的上表面具有彼此相反的磁极。
32.根据权利要求29~31中任意一项所述的旋转头,其中,所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别具有环形形状,并且,
所述第一驱动磁铁的直径大于所述第二驱动磁铁的直径,并且所述第一驱动磁铁环绕所述第二驱动磁铁。
33.根据权利要求29~31中任意一项所述的旋转头,其中,所述第一杆与弹性件相连,该弹性件使所述第一杆转动以从等待位置向支承位置对所述第一卡盘销施加力,
所述第二杆与弹性件结合,该弹性件使所述第二杆转动以从等待位置向支承位置对所述第二卡盘销施加力。
34.根据权利要求29所述的旋转头,其中,所述第一杆和所述第二杆均包括:
第一部分,其为相对于所述枢轴销与所述卡盘销相连的区域;以及
第二部分,其为相对于所述枢轴销与所述第一部分相对的区域;
其中,所述第二部分包括:
第一线形部分;
第二线形部分,其比所述第一线形部分离所述第一部分更远,平行于所述第一线形部分并低于所述第一线形部分;以及
使所述第一线形部分与所述第二线形部分相连的第三线形部分。
35.根据权利要求29~31中任意一项所述的旋转头,其中,在所述主体转动时,所述第一杆和所述第二杆均利用反向离心力从等待位置向支承位置对所述第一卡盘销或所述第二卡盘销施加力。
36.一种利用设置在旋转头上的卡盘销支承基片侧部的方法,该方法包括:
使转动杆转动以改变与卡盘销相连的转动杆的两个端部的高度并且使卡盘销在卡盘销与基片的侧部接触的支承位置和卡盘销与基片的侧部分离的等待位置之间运动,
其中,在使基片转动时,将卡盘销保持在支承位置处的力包括反向离心力。
37.根据权利要求36所述的方法,其中,使所述卡盘销从所述支承位置运动至所述等待位置的力包括磁力。
38.根据权利要求37所述的方法,其中,使所述卡盘销从所述等待位置运动至所述支承位置的力包括弹力。
39.根据权利要求38所述的方法,其中,从动磁铁安装在所述转动杆上,
驱动磁铁设置在所述从动磁铁之下,
所述从动磁铁和所述驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,
通过使所述驱动磁铁运动至所述从动磁铁,所述卡盘销从所述支承位置运动至所述等待位置,
通过使所述驱动磁铁运动离开所述从动磁铁,所述卡盘销从所述等待位置运动至所述支承位置,并且,
所述驱动磁铁运动离开所述从动磁铁的速度小于所述驱动磁铁向所述从动磁铁运动的速度。
40.根据权利要求36~38中任意一项所述的方法,其中,使所述卡盘销从所述等待位置运动至所述支承位置的力包括重力。
41.一种基片处理设备,其包括:
壳体;
设置在所述壳体中并支承基片的旋转头;以及
流体供给单元,其将加工溶剂或加工气体供给至放置在所述旋转头上的基片上,
其中,所述旋转头包括:
主体;
从所述主体向上突出的卡盘销;以及
卡盘销运动单元,其结构能够使所述卡盘销在支承位置与等待位置之间运动,以便允许将基片放置在所述主体上,其中位于所述旋转头上的基片的侧部在所述支承位置处支承,所述等待位置比所述支承位置离所述主体的中心更远,
其中,所述卡盘销运动单元包括:
通过枢轴销固定在所述主体上的转动杆,所述转动杆具有第一部分,该第一部分为相对于所述枢轴销与所述卡盘销相连的区域,所述转动杆具有第二部分,该第二部分为相对于所述枢轴销与所述第一部分相对的区域;以及
驱动件,其结构能使所述转动杆转动以改变所述转动杆的两个端部的高度并使所述卡盘销在所述支承位置与所述等待位置之间运动。
42.根据权利要求41所述的基片处理设备,其中,所述转动杆的第二部分包括:
第一线形部分;以及
第二线形部分,其比所述第一线形部分离所述第一部分更远且低于所述第一线形部分。
43.根据权利要求41或42所述的基片处理设备,其中,将一部分卡盘销划分为第一组,另一部分卡盘销划分为第二组,
其中,所述转动杆包括:
与构成所述第一组的卡盘销相连的第一杆;以及
与构成所述第二组的卡盘销相连的第二杆,
其中,所述驱动件包括:
与所述第一杆相连的第一从动磁铁;
第二从动磁铁,其比所述第一从动磁铁更靠近所述主体的中心并与所述第二杆相连;
朝向得到第一从动磁铁的第一驱动磁铁;以及
朝向所述第二从动磁铁的第二驱动磁铁。
44.根据权利要求43所述的基片处理设备,其中,所述第一驱动磁铁和所述第二驱动磁铁分别低于所述第一从动磁铁和所述第二从动磁铁并具有环形形状,
所述第一从动磁铁和第一驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,
所述第二从动磁铁和所述第二驱动磁铁具有彼此面对的相同的磁极,并且
所述第一驱动磁铁的上表面和所述第二驱动磁铁的上表面具有彼此相反的磁极。
CN2009102248369A 2008-11-26 2009-11-26 旋转头、用于处理基片的设备以及用于处理基片的方法 Active CN101901776B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080118164A KR101060244B1 (ko) 2008-11-26 2008-11-26 스핀 헤드 및 이를 이용한 기판 척킹 방법
KR10-2008-0118164 2008-11-26
KR1020080118168A KR101035984B1 (ko) 2008-11-26 2008-11-26 스핀 헤드
KR10-2008-0118168 2008-11-26
KR1020090035924A KR101145775B1 (ko) 2009-04-24 2009-04-24 스핀 헤드, 기판 처리 장치, 그리고 상기 스핀 헤드에서 기판을 지지하는 방법
KR10-2009-0035924 2009-04-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101901776A CN101901776A (zh) 2010-12-01
CN101901776B true CN101901776B (zh) 2012-09-26

Family

ID=42195099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009102248369A Active CN101901776B (zh) 2008-11-26 2009-11-26 旋转头、用于处理基片的设备以及用于处理基片的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8714169B2 (zh)
JP (1) JP5234665B2 (zh)
CN (1) CN101901776B (zh)
TW (1) TWI436449B (zh)

Families Citing this family (347)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873153B1 (ko) * 2007-10-05 2008-12-10 세메스 주식회사 스핀 헤드
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
KR101160172B1 (ko) * 2008-11-26 2012-06-28 세메스 주식회사 스핀 헤드
KR101017654B1 (ko) * 2008-11-26 2011-02-25 세메스 주식회사 기판 척킹 부재, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101149764B1 (ko) 2010-10-12 2012-06-01 주식회사 티더블유티 전자석을 이용한 교차 고정용 웨이퍼 척
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US9378988B2 (en) 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
CN102270597B (zh) * 2011-08-16 2014-04-09 清华大学 用于晶圆交换装置的晶圆托架组件和晶圆交换装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9385020B2 (en) 2011-12-19 2016-07-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method
CN102569150B (zh) * 2012-02-23 2014-12-10 北京七星华创电子股份有限公司 一种易清洗的薄壁盘状物夹持装置及方法
JP5975563B2 (ja) * 2012-03-30 2016-08-23 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
CN103456666B (zh) * 2013-08-29 2016-07-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种多组卡销式晶圆清洗设备和清洗方法
CN104425323B (zh) * 2013-08-30 2018-01-19 细美事有限公司 处理基板的装置和清洁该装置的方法
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
JP6302665B2 (ja) * 2013-12-24 2018-03-28 株式会社ディスコ スピンナー装置
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6294121B2 (ja) * 2014-03-26 2018-03-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US9947572B2 (en) * 2014-03-26 2018-04-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6391524B2 (ja) * 2015-03-31 2018-09-19 株式会社Screenホールディングス 脱酸素装置および基板処理装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) * 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
JP6674679B2 (ja) * 2015-09-29 2020-04-01 株式会社Screenホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
US10192771B2 (en) 2015-09-29 2019-01-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
JP6402087B2 (ja) * 2015-11-16 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP6634154B2 (ja) * 2016-05-24 2020-01-22 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102408105B1 (ko) * 2017-03-06 2022-06-14 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 반도체 기판을 세정하기 위한 장치
JP6892774B2 (ja) * 2017-03-24 2021-06-23 株式会社Screenホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10083852B1 (en) * 2017-05-12 2018-09-25 Kla-Tencor Corporation Floating wafer chuck
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
CN108987298B (zh) 2017-05-31 2020-10-16 上海微电子装备(集团)股份有限公司 旋转涂胶装置和方法
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN111048466B (zh) * 2019-12-26 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆夹持装置
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036517A (ko) * 2020-09-16 2022-03-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 방법
JP7461842B2 (ja) 2020-09-18 2024-04-04 株式会社Screenホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
KR102561219B1 (ko) * 2021-08-24 2023-07-28 (주)디바이스이엔지 기판 처리장치용 기판 지지 조립체
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN113808974B (zh) * 2021-09-07 2024-02-20 江苏芯梦半导体设备有限公司 一种基片旋转式处理设备及方法
JP7376555B2 (ja) * 2021-11-09 2023-11-08 三益半導体工業株式会社 ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持構造並びに保持方法
KR102542354B1 (ko) 2022-02-21 2023-06-13 (주)디바이스이엔지 초음파 세정 유닛을 포함하는 기판 처리장치
WO2024063049A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101292325A (zh) * 2005-10-26 2008-10-22 细美事有限公司 旋转卡盘

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2855046B2 (ja) 1993-03-31 1999-02-10 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置用の基板回転保持装置
JP3354367B2 (ja) 1995-12-19 2002-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JPH09213772A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置
JPH1092912A (ja) 1996-09-11 1998-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
JP3647576B2 (ja) * 1996-11-01 2005-05-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置
JP3831043B2 (ja) 1997-01-24 2006-10-11 東京エレクトロン株式会社 回転処理装置
JPH10335287A (ja) * 1997-06-05 1998-12-18 Toshiba Corp 基板処理装置
JP3026077B2 (ja) 1997-12-26 2000-03-27 株式会社エンヤシステム ブラシスクラバ用チャック
KR100340154B1 (ko) 1999-12-06 2002-06-10 김광교 웨이퍼를 스피닝하기 위한 웨이퍼 척
TWI246124B (en) 2001-11-27 2005-12-21 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and method
JP2004115872A (ja) 2002-09-26 2004-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2006013107A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2006253210A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置、基板処理装置および基板処理方法
KR100865941B1 (ko) 2006-11-28 2008-10-30 세메스 주식회사 스핀헤드 및 상기 스핀헤드의 기판 척킹/언척킹방법,그리고 상기 스핀헤드를 구비하는 기판 처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101292325A (zh) * 2005-10-26 2008-10-22 细美事有限公司 旋转卡盘

Also Published As

Publication number Publication date
JP5234665B2 (ja) 2013-07-10
US20100126539A1 (en) 2010-05-27
TW201027667A (en) 2010-07-16
TWI436449B (zh) 2014-05-01
US8714169B2 (en) 2014-05-06
JP2010130021A (ja) 2010-06-10
CN101901776A (zh) 2010-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101901776B (zh) 旋转头、用于处理基片的设备以及用于处理基片的方法
CN101740453B (zh) 基板夹持部件、具有该部件的基板加工装置及方法
CN101404264B (zh) 旋转头
CN1722373B (zh) 衬底弯月面界面及用于操作的方法
TWI564988B (zh) 平行且單一的基板處理系統
CN101618520B (zh) 基片支撑单元、单一类型基片抛光装置和基片抛光方法
US8382555B2 (en) Substrate supporting unit, and apparatus and method for polishing substrate using the same
CN1175476C (zh) 用于盘状物的液体处理的设备
US20090151753A1 (en) Methods for transitioning a fluid meniscus to and from surfaces of a substrate
CN106328490B (zh) 用于处理基板的方法和装置
US10211075B2 (en) Apparatus and method for treating a substrate
CN1577762A (zh) 基板支持装置及基板取出方法
KR101221162B1 (ko) 기판 처리 장치
US6612014B1 (en) Dual post centrifugal wafer clip for spin rinse dry unit
KR20170014327A (ko) 스핀 헤드 및 기판 처리 장치
KR101145775B1 (ko) 스핀 헤드, 기판 처리 장치, 그리고 상기 스핀 헤드에서 기판을 지지하는 방법
JP2003347392A (ja) 基板処理装置
US20070084944A1 (en) Methods for aligning a device and for stacking two devices in an aligned manner and device for improved stacking
CN112439737A (zh) 用于处理基板的装置和方法
US20230167568A1 (en) Apparatus and method for wafer pre-wetting
KR101293452B1 (ko) 솔더볼 어태치 방법 및 그 장치
US20220339749A1 (en) Substrate processing apparatus and manufacturing method thereof
KR102693234B1 (ko) 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치
US20240091819A1 (en) Substrate processing apparatus including nozzle unit and substrate processing method
CN214099593U (zh) 一种用于太阳能电池硅片背面抛光的刻蚀槽

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant