TWI436449B - 旋轉頭、基板處理裝置及方法 - Google Patents

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Description

旋轉頭、基板處理裝置及方法
本發明係關於一種處理基板的裝置，以及一種用以處理基板的方法，以及更特別地，係關於一種在一製程(像是半導體製程)中支撐基板之可轉動的旋轉頭，以及使用該旋轉頭的一裝置與一方法。
一半導體製程包括一蝕刻或清洗在一晶圓上的薄層、外來物質，以及粒子的製程。此種蝕刻或清洗製程係將一晶圓置於一旋轉頭上，使得一圖樣的表面朝上或朝下，然後以高速轉動該旋轉頭，並供應製程溶液至晶圓上。旋轉頭係具有卡盤插梢(chuck pin)來支撐晶圓的橫向部分，以預防晶圓在轉動時，朝旋轉頭的橫向移動。卡盤插梢在等待位置與支撐位置之間移動，其中該等待位置提供基板被載入或從旋轉頭卸載時用來放置基板的空間，而支撐位置在基板被放置在旋轉頭上轉動，以及執行一製程時，會接觸基板的橫向部分。所以，卡盤插梢被放置在等待位置時所具備的空間，要比卡盤插梢被放置在支撐位置所具備的空間要大。
一般來說，當卡盤插梢在支撐位置以支撐基板時，因為基板所產生的離心力(centrifugal force)會施力將該些卡盤插梢推向等待位置。當卡盤插梢因為離心力而被移動至等待位置時，很難讓卡盤插梢能夠穩定地支撐基板，因此造成產品的缺陷。
此外，旋轉頭上的卡盤插梢可歸類為二組，而支撐基板的一組卡盤插梢會在製程中更換。在此情況下，每一組通常會有三個卡盤插梢。然而，當這三個支撐基板的卡盤插梢中有一個被設置在基板的一凹口(notch)時，實際上，基板是由二個卡盤插梢所支撐。所以，很難讓卡盤插梢能夠穩定地支撐基板，因此造成產品的缺陷。
本發明之一目的係提供一被設定用以穩固地支撐一基板的旋轉頭，一包括該旋轉頭的基板處理裝置，以及一使用該旋轉頭的基板處理方法。
本發明之另一目的係提供一旋轉頭、一包括該旋轉頭的基板處理裝置，以及一使用該旋轉頭的基板處理方法，且該旋轉頭被設定用以穩定地將卡盤插梢維持在與一基板的橫向部分接觸的位置，即使在高速下亦然。
本發明之另一目的係提供一旋轉頭、一包括該旋轉頭的基板處理裝置，以及一使用該旋轉頭的基板處理方法，而該旋轉頭被設定在其中一個卡盤插梢面對基板的凹口時，用以穩定地支撐一基板。
本發明的實施例提供一種旋轉頭，其包括：一主體；複數個卡盤插梢，其從該主體向上突出；以及一卡盤插梢移動單元，其被設定用以在介於被支撐在該旋轉頭上的一基板的一橫向部分之支撐位置，與比該些支撐位置距離該主體的一中心要遠以便讓該基板能被放置在該主體上的等待位置之間，移動該卡盤插梢；其中該卡盤插梢移動單元包括：一旋轉桿，其與該些卡盤插梢的每一個耦接；一樞栓，其將該旋轉桿固定至該主體；以及一驅動構件，其以該樞栓作為一旋轉軸轉動該旋轉桿。
在一些實施例中，當該主體轉動時，該旋轉桿可利用反離心力以於該等待位置至該支撐位置施力於該卡盤插梢。該旋轉桿可包括：一第一部分，其為相對於該樞栓而與該卡盤插梢耦接的一區域；以及一第二部分，其為相對於該樞栓而與該第一部分相對的一相對區域，其中該第二部分包括：一第一線段部份；以及一第二線段部分，其與該第一線段部分平行，並且比該第一線段部分要低。該第二部分更包括一從該第一線段部分延伸至該第二線段部分的第三線段部分。該第二線段部分可垂直於該第一與第三線段部分。第一部分可包含一從該第一線段部分延伸出來並與該第二線段部分平行的線段部分，而該第一部分的該線段部分可比該第二部分的該第二線段部分要高。該第二部分的一末端與該主體的該中心鄰接，係比該第一部分的一末端要低，該第一部分的該末端距離該主體的該中心最遠。
在其他的實施例中，該主體可包括一具有一通孔的致動器與一開放前端以及一開放後端；該通過該通孔的旋轉桿；該樞栓係被設定用以在該通孔中，將該旋轉桿耦接至該致動器；以及該通孔具有一大於該旋轉桿的一截面。
在另一些實施例中，驅動構件係藉由磁力將該卡盤插梢從該支撐位置移動至該等待位置。該驅動構件包含：一被驅動磁鐵，其被耦接至該些旋轉桿的每一根的該第二部分；以及一驅動磁鐵，其在該被驅動磁鐵之下面對該被驅動磁鐵，其中該被驅動磁鐵與該驅動磁鐵的相同磁極彼此相對。該驅動磁鐵可具有一環形(ring shape)，該被驅動磁鐵與該驅動磁鐵包含永久磁鐵，以及該驅動構件更包含一被設定用以垂直地移動該驅動磁鐵之驅動器。
在其他的實施例中，旋轉頭可更包括一耦接至該旋轉桿與該主體的彈性構件，該彈性構件轉動該旋轉桿以於該等待位置至該支撐位置之間施力於該卡盤插梢。彈性構件可包含一彈簧，其中該彈簧具有一耦接至該旋轉桿的該第二部分之末端，以及另一末端在該旋轉桿的一上側耦接至該主體。
在另一些實施例中，該第二部分的一重量與該被驅動磁鐵的一重量的一總和係大於該第一部分的一重量與該卡盤插梢的一重量的一總和。
在另一個實施例中，卡盤插梢的其中一部分係被歸類為一第一組，而卡盤插梢的另一部分係被歸類為一第二組，其中該旋轉桿包括：複數個第一桿，其與構成該第一組的該些卡盤插梢耦接；以及複數個第二桿，其與構成該第二組的該些卡盤插梢耦接，其中該驅動構件包括：複數個第一被驅動磁鐵，其連接至該些第一桿；複數個第二被驅動磁鐵，其連接至該些第二桿；一第一驅動磁鐵，其面對該些第一被驅動磁鐵；以及一第二驅動磁鐵，其面對該些第二被驅動磁鐵。該些第一被驅動磁鐵可比該些第二被驅動磁鐵距離該主體的該中心要遠，以及該些第一與第二驅動磁鐵分別為環形(ring shapes)。
在另一些實施例中，該第一被驅動磁鐵、該第二被驅動磁鐵，該第一驅動磁鐵，以及該第二驅動磁鐵可分別包含永久磁鐵，以及該驅動構件可更包含：一第一驅動器，其垂直地移動該第一驅動磁鐵；以及一第二驅動器，其垂直地移動該第二驅動磁鐵。該第一驅動磁鐵與該第一被驅動磁鐵的相同磁極彼此相對；該第二驅動磁鐵與該第二被驅動磁鐵的相同磁極彼此相對，以及該第一驅動磁鐵的一上表面與該第二驅動磁鐵的一上表面具有彼此不同的磁極。該第一桿與該第二桿具有彼此不同的長度，該第一被驅動磁鐵可被提供至該第一桿的一末端，以及該第二被驅動磁鐵可被提供至該第二桿的一末端。
在另一些實施例中，提供給該第一組與該第二組的每一組之該些卡盤插梢的數目為大於或等於五個，以及被納入該第一組的該些卡盤插梢與被納入該第二組的該些卡盤插梢係被交替地設置。
在另一些實施例中，該些卡盤插梢的每一個可包含：一基座；以及一接點，其固定於該基座並從該基座接點突出至該主體的該中心，使得該接點適於與該基板接觸，其中該接點有複數個。該些接點在一垂直方向以及該些接點的個別長度方向彼此相間隔。
在更進一步的實施例中，該主體可包括：一下板，其安裝有該卡盤插梢移動單元；一上板，其安裝於該下板的一上部，該上板並於一上表面具有一凹下空間；以及一導板，其設置於該凹下空間內，其中一通孔垂直地通過該下板的一中心，一被設置於該上板的一中心之通孔並與該下板的該通孔連通，以及一導管，在該導管中流經該上板的該通孔與該下板的該通孔之氣體係被提供至該導板的一底表面。該導管可包含：一環狀緩衝空間，其設置於該導板的一邊緣；一通道，其作為一凹部，該通道係被設置於該導板的該底表面並將該緩衝空間連接至該上板的該通孔；以及一環狀凹面，其設置於該導板的該底表面，並從該緩衝空間延伸至該導板的一外端。
在本發明的其他實施例中，旋轉頭包含：一主體；從該主體向上突出的第一插梢與第二插梢；以及一卡盤插梢移動單元，其被設定用以在介於被支撐在該旋轉頭上的一基板的一橫向部分之支撐位置，與比該些支撐位置距離該主體的一中心要遠以便讓該基板能被放置在該主體上的等待位置之間，移動該些第一插梢與第二插梢；其中該卡盤插梢移動單元包括：與該些第一插梢耦接並透過樞栓耦接至該主體之第一桿；與該些第二插梢耦接並透過樞栓耦接至該主體之第二桿；一被連接至該第一桿的第一被驅動磁鐵；一被連接至該第二桿的第二被驅動磁鐵；一面對該第一被驅動磁鐵的第一驅動磁鐵；一面對該第二被驅動磁鐵的第二驅動磁鐵；一垂直地移動該第一驅動磁鐵的第一驅動器；以及一垂直地移動該第二驅動磁鐵的第二驅動器，其中磁斥力與磁吸力的其中之一係被施加於該第一驅動磁鐵與該第一被驅動磁鐵之間，以及其中該磁斥力與該磁吸力的另一個係被施加於該第一驅動磁鐵與該第二被驅動磁鐵之間。
在一些實施例中，磁斥力與磁吸力的其中之一係被施加於該第二驅動磁鐵與該第二被驅動磁鐵之間，以及其中該磁斥力與該磁吸力的另一個係被施加於該第二驅動磁鐵與該第一被驅動磁鐵之間。該第一與第二驅動磁鐵係分別比該第一與第二被驅動磁鐵要低；該第一被驅動磁鐵與該第一驅動磁鐵的相同磁極彼此面對；該第二被驅動磁鐵與該第二驅動磁鐵的相同磁極彼此面對；以及該第一驅動磁鐵的一上表面與該第二驅動磁鐵的一上表面具有彼此不同的磁極。
在其他的實施例中，該第一驅動磁鐵與該第二驅動磁鐵分別為環形，以及該第一驅動磁鐵具有比該第二驅動磁鐵要大的一直徑，並圍繞該第二驅動磁鐵。
在其他實施例中，該第一桿係與一彈性構件耦接，該彈性構件轉動該第一桿以於該等待位置至該支撐位置之間施力於該第一插梢；該第二桿係與一彈性構件耦接，該彈性構件旋轉該第二桿以於該等待位置至該支撐位置之間施力於該第二插梢。
在其他的實施例中，該些第一桿與第二桿的每一根包含：一第一部分，其為相對於該樞栓而與該卡盤插梢耦接的一區域；以及一第二部分，其為相對於該樞栓而與該第一部分相對的一相對區域，其中該第二部分包括：一第一線段部份，一第二線段部分，其係與該第一線段部分平行，並且比該第一線段部分要低；以及一將該第一線段部分連接至該第二線段部分的第三線段部分。
在其他的實施例中，當該主體轉動時，該些第一與第二桿的每一根係利用反離心力於該等待位置至該支撐位置之間施力於該第一或第二插梢。
在其他的實施例中，一種基板處理方法，其利用被提供於一旋轉頭上的卡盤插梢來支撐一基板的一橫向部分，該方法包含：轉動一旋轉桿以變動與該卡盤插梢耦接的旋轉桿之二端的高度，以及在介於該些卡盤插梢與該基板的該橫向部分接觸之支撐位置，與該些卡盤插梢和該基板的該橫向部分有間隔的等待位置之間，移動該些卡盤插梢，其中當該基板被轉動時，一維持該些卡盤插梢於該些支撐位置的力量包括一反離心力。
在一些實施例中，一將該些卡盤插梢從該些支撐位置移動至該些等待位置的一力量包含一磁力。一將該些卡盤插梢從該些等待位置移動至該些支撐位置的一力量包含一彈力。一將該些卡盤插梢從該些等待位置移動至該些支撐位置的一力量包含一重力。
在其他的實施例中，一被驅動磁鐵係被安裝於該旋轉桿，一驅動磁鐵係被設置於該被驅動磁鐵之下，該被驅動磁鐵與該驅動磁鐵的相同磁極彼此相對，該卡盤插梢係藉由將該驅動磁鐵移向該被驅動磁鐵而從該支撐位置移動至該等待位置，該卡盤插梢係藉由移動該驅動磁鐵遠離該被驅動磁鐵而從該等待位置移動至該支撐位置，以及該驅動磁鐵移動遠離該被驅動磁鐵的一速度係低於該驅動磁鐵移向被驅動磁鐵的一速度。
在其他的實施例中，一種基板處理裝置，其包含：一外殼；一被設置於該外殼內並支撐一基板之旋轉頭；以及一供應製程溶液或製程氣體至位於該旋轉頭上的基板上之溶液供應單元，其中該旋轉頭包括：一主體；從該主體向上突出的卡盤插梢；以及一卡盤插梢移動單元，其被設定用以在介於被支撐在該旋轉頭上的該基板的一橫向部分之支撐位置，與比該些支撐位置距離該主體的一中心要遠以便讓該基板能被放置在該主體上的等待位置之間，移動該卡盤插梢；其中該卡盤插梢移動單元包括：一透過一樞栓固定至該主體之旋轉桿，該旋轉桿具有一第一部分，其為相對於該樞栓而與該卡盤插梢耦接的一區域，該旋轉桿具有一第二部分，其為相對於該樞栓而與該第一部分相對的一相對區域；以及一驅動構件，其被設定用以轉動該旋轉桿以變動該旋轉桿的二端的高度，以及將該卡盤插梢在該支撐位置與該等待位置之間移動。
在一些實施例中，該旋轉桿的該第二部分包含：一第一線段部分；一第二線段部分，其比該第一線段部分距離該第一部分要遠，並且低於該第一線段部分。
在其他的實施例中，該些卡盤插梢的其中一部分係被歸類為一第一組，而該些卡盤插梢的另一部分係被歸類為一第二組，其中該旋轉桿包括：與構成該第一組的該些卡盤插梢耦接之第一桿；以及與構成該第二組的該些卡盤插梢耦接之第二桿，其中該驅動構件包括：被連接至該些第一桿的第一被驅動磁鐵；比該些第一被驅動磁鐵距離該主體的該中心要近，並被連接至該些第二桿的第二被驅動磁鐵；一面對該些第一被驅動磁鐵的第一驅動磁鐵；以及一面對該些第二被驅動磁鐵的第二驅動磁鐵。
該第一與第二驅動磁鐵係分別比該第一與第二被驅動磁鐵要低並且為環形；該第一被驅動磁鐵與該第一驅動磁鐵的相同磁極彼此面對；該第二被驅動磁鐵與該第二驅動磁鐵的相同磁極彼此面對；以及該第一驅動磁鐵的一上表面與該第二驅動磁鐵的一上表面具有彼此不同的磁極。
以下將配合所附的圖表說明本發明的較佳實施例，然而，本發明可以其他形式實施，不應視為侷限於以下的實施例。反之，這些實施例係用來完整地解釋本說明書，並且讓熟悉此技藝者了解本發明的範疇，因此，在圖表中的元件的形狀經過強調，以便清楚地說明本發明。
以下將敘述一利用化學溶液、沖洗溶液，以及乾燥氣體來清洗基板W的裝置。然而，本發明的精神與範疇並不在此限，因此根據本發明的實施例之旋轉頭可應用在各種可轉動基板W的裝置上，以執行一製程，像是一蝕刻製程。
第一圖所示為根據本發明的一實施例所示一基板處理裝置的平面圖。參考第一圖，基板處理裝置1包括一溶液供應單元(fluid supplying unit)10、一容器(container)20、一抬升單元(elevating unit)30以及一旋轉頭40。溶液供應單元10供應製程溶液或氣體以將基板處理為基板W。旋轉頭40在一製程中支撐與轉動基板W。容器20避免製程中使用的化學溶液和製程中產生的煙霧(fume)濺出或排出。抬升單元30將旋轉頭40或容器20升高或降低，並且讓容器20和容器內的旋轉頭40有相對的高度差異。
[溶液供應單元]
參考第一圖，溶液供應單元10供應製程溶液或氣體至被放置在旋轉頭40的基板W的上表面。溶液供應單元10包括化學溶液供應噴嘴(chemical solution supplying nozzle)120、沖洗溶液供應噴嘴140，以及一乾燥氣體供應噴嘴160。化學溶液供應噴嘴120供應複數種化學溶液至基板W。化學溶液供應噴嘴120包括複數個注射器(injector)121、一支撐桿(support bar)122，以及一桿移動裝置(bar moving device)123。注射器121被設置在容器20的一側。注射器121係個別地連接至化學溶液儲存器(圖中未顯示)以接收來自不同化學溶液儲存器的不同化學溶液。注射器121係於一預定方向彼此平行。每一個注射器121包括一向上突出的突起121a，突起121a的一側可具有一凹部(圖中未顯示)。化學溶液可為硫酸(sulfuric acid)、硝酸(nitric acid)、氨水(ammonia)、氟酸(fluoric acid)，以及加上去離子水的上述溶液混合的其中之一。每一注射器121的末端具有排放孔(圖中未顯示)。
支撐桿122耦接至其中一個注射器121，以將注射器121移動至被放置在旋轉頭40上的基板W的上半部。支撐桿122具有一長桿形狀，支撐桿122的長度方向(longitudinal direction)係與注射器121排成陣列的方向垂直。支撐桿122的下表面具有一個托架(圖中未顯示)，用以與注射器121耦接。托架包括托臂(圖中未顯示)，其可被置入注射器121的突起121a內所設置的凹部。托臂可轉動地或可活動地從突起121a的外部移至突起121a內的凹部。
桿移動裝置123以一介於旋轉頭40上的基板W的上部位置與注射器121的上部位置之間的直線移動支撐桿122。桿移動裝置123包括一框架(bracket)123a、一導軌(guide rail)123b，以及一驅動器(圖中未顯示)。導軌123b從注射器121外通過注射器121與容器20，並且沿著一直線延伸至容器20外。框架123a耦接至導軌123b，以沿著導軌123b移動。支撐桿122係固定至框架123a。驅動器提供驅動力，沿著一直線移動框架123a。一具有馬達與螺絲的配件也可用來沿著一直線移動框架123a。替代地，一包括皮帶、滑輪，以及馬達的配件也可用來沿著一直線移動框架123a。替代地，一直線馬達也可用來沿著一直線移動框架123a。
沖洗溶液供應噴嘴140係被設置於容器20的另一側，而乾燥氣體供應噴嘴160係被設置於容器20的又另一側。沖洗溶液供應噴嘴140包括一注射器141、一支撐桿142，以及一驅動器144。注射器141係固定至支撐桿142的一端。一藉由驅動器144轉動的旋轉軸(圖中未顯示)係固定至支撐桿142的另一端。注射器141從沖洗溶液儲存器(圖中未顯示)接收沖洗溶液。乾燥氣體供應噴嘴160大約具有與沖洗溶液供應噴嘴140相同的結構。乾燥氣體供應噴嘴160提供可加熱的異丙醇(isopropyl alcohol)和氮氣(nitrogen gas)。
[容器]
第二圖所示為容器20的截面圖，第三圖所示為第二圖的容器20的垂直切面透視圖。參考第二與第三圖，容器20具有開放上部(open upper portion)與一處理基板W的內部空間22。旋轉頭40的主體42係被設置於內部空間22之中。旋轉頭40的一旋轉軸(rotation shaft)44透過容器20的底部的開口從主體42突出容器20。驅動器46，比如說一馬達，係固定至旋轉軸44，以提供旋轉軸44所需的轉矩。
容器20係被設定用以分離與收集製程中所使用的化學溶液，藉此重複使用化學溶液。容器20包括複數個收集室(collecting vessel)220、240，以及260，分別用來收集在製程中所使用的不同類型之製程液體。根據本實施例，收集室220、240，以及260可分別稱為內收集室、中收集室，以及外收集室。
內收集室220具有圍繞旋轉頭40的環形，而外收集室260具有圍繞中收集室240的環形。內收集室220、中收集室240，以及外收集室260分別具有引進開口(introduction opening)227、247，以及267，其與容器20的內部空間33連通。每一個引進開口227、247及267具有圍繞旋轉頭40的環形。透過引進開口227、247及267，由轉動基板W所產生的離心力會把在製程中注入基板W上的化學溶液引進進入收集室220、240，以及260。外收集室260的引進開口267係被設置在中收集室240的引進開口247的垂直上側，而中收集室240的引進開口247係被設置在內收集室220的引進開口227的垂直上側。也就是說，內收集室220的引進開口227、中收集室240的引進開口247，以及外收集室260的引進開口267彼此具有不同的高度。
內收集室220包括分別為環形的外壁222、底壁224、內壁226，以及導引壁228。外壁222包括一傾斜壁222a，其朝著遠離旋轉頭40的方向向下傾斜，以及一垂直壁222b，其由傾斜壁222a的下端向下垂直延伸。底壁224從垂直壁222b的下端水平地向旋轉頭40延伸，底壁224的一端延伸向一垂直線，其上端係設置傾斜壁222a。內壁226的上端延伸至一位置，該位置與傾斜壁222a的上端相隔一預先決定的距離。介於內壁226與傾斜壁222a之間的垂直空間係作為內收集室220的引進開口227。
內壁226係具有複數個被排列為環形矩陣的開口223，每一個開口223具有狹縫形。開口223係作為排氣孔，將被引進內收集室220的氣體透過旋轉頭40的底下空間排放出去。透過內收集室220被引進的製程溶液會透過排放管225排放至外部系統，用以回收化學溶液。
導引壁228包括從內壁226的上端朝著遠離旋轉頭40的方向向下傾斜的傾斜壁228a，以及一從傾斜壁228a的下端垂直地向下延伸之垂直壁228b。垂直壁228b的下端係與底壁224相隔一預先決定的距離。導引壁228導引製程液體，透過引進開口227引進一由外壁222、底壁224，以及內壁226所定義的空間229，使得製程液體能有效率地流進空間229。
中收集室240包括一外壁242、一底壁244、一內壁246，以及一突出壁248。中收集室240的外壁242、底壁244，以及內壁246大約與內收集室220的外壁222、底壁224，以及內壁226類似，但是中收集室240要比內收集室220要大，使得中收集室240圍繞內收集室220。一垂直空間係被設置於構成中收集室240的外壁242之傾斜壁242a的上端，以及構成內收集室220的外壁222之傾斜壁222a的上端之間。此垂直空間係作為中收集室240的引進開口247。突出壁248從底壁244的末端向下垂直延伸。中收集室240的內壁246的上端係與內收集室220的底壁224的末端接觸。用以排放氣體的狹縫形排氣孔243係以環形矩陣排列在中收集室240的內壁246內。排放管245係耦接至底壁244，透過中收集室240被引進的製程溶液會透過排放管245排放至外部系統，用以回收化學溶液。
外收集室260包括一外壁262以及一底壁264。外收集室260的外壁262係與中收集室240的外壁242具有相同的形狀，但是外收集室260要比中收集室240要大，使得外收集室260圍繞中收集室240。一垂直空間係被設置於構成外收集室260的外壁262之傾斜壁262a的上端，以及構成中收集室240的外壁242之傾斜壁242a的上端之間。此垂直空間係作為外收集室260的引進開口267。底壁264大約為圓盤狀，而用來置入旋轉軸44的開口係被設置在底壁264的中心。一排放管265係耦接至底壁264。透過外收集室260被引進的製程溶液會透過排放管265排放至外部系統，用以回收化學溶液。外收集室260係作為容器20的整個外壁。排氣管263係耦接至外收集室260的底壁264。被引進外收集室260的氣體係透過排氣管263排放至外部。透過內收集室220的內壁226之開口223和中收集室240的內壁246之排氣孔243所排出的氣體，係從連接至外收集室260的排氣管263排至外部。排氣管263從底壁264向上突出一預先決定的長度。
在本實施例中，容器包括被設定用以分離與收集製程溶液的收集室。然而，容器可僅包括單一的收集室，而沒有內收集室與中收集室。
[抬升單元]
參考第二圖與第三圖，抬升單元30沿著一直線升高和降低容器20。當容器20向上與向下移動時，容器20與旋轉頭40的相對高度會變動。抬升單元30包括一框架(bracket)32、一移動軸(moving shaft)34，以及一驅動器36。框架32係固定至容器20的外壁，而藉由驅動器36向上和向下移動的移動軸(moving shaft)34固定至框架32。當基板W被載入至旋轉頭40上或從旋轉頭40卸載時，容器20係向下移動，以讓旋轉頭40從容器20向上突出。在執行製程時，容器20的高度會根據提供給基板W的製程液體的類型而定，以便將製程液體提供至收集室220、240，以及260的其中預定的一個。反之，抬升單元30也可將旋轉頭40升高或降低。
[旋轉頭：一個實施例]
以下將透過第四圖與第五圖解釋旋轉頭40的結構，第四圖為旋轉頭40的平面圖。第五圖是沿著第四圖的線段I-I的截面圖。該旋轉頭40包括一氣體供應構件300、主體400、卡盤插梢500，以及卡盤插梢移動單元600。
參考第四圖與第五圖，主體400包括一上板420、一下板440，以及一導板460。上板420、下板440，以及導板460係以螺絲(圖中未顯示)彼此固定。上板420包括一支架421與一插件426。支架421具有一上表面422，該上表面422從俯視來看大約為環形。支架421的上表面422的一邊緣部分423具有水平表面。中心部分424要比邊緣部分423低，並具有水平表面。一連接部分425係被設置於邊緣部分423與中心部分424之間，並從邊緣部分423向下傾斜至中心部分424。由於形狀的緣故，支架421在上表面422上具有一凹下空間422a，插件426從支架421的下表面的中心區域向下延伸。插件426係被設定用以在上板420耦接至下板440時，將上板420穩固地放置在下板440上所要的位置。上板420具有一通孔342，其垂直地通過支架421與插件426。
導板460包括一上主體461與一插件466。上主體461具有一上表面462，從俯視來看大約為環形。上主體461的直徑大約要比上板420的支架421的中心部分424要小一點。導板460的上主體461的上表面462要比上板420的支架421的邊緣部分423要低。插件466從上主體461的底表面的中心區域向下突出，插件466係被置入在上板420上的通孔342，而上主體461被設置在上板420的上表面422的空間422a內。導板460的底表面係具有一導管，讓經由上板420的通孔342與下板440的通孔445的氣體可以流通。導板460的底表面的邊緣係具有一環狀凹面緩衝空間346。導板460的底表面係具有一環狀凹面348，其從緩衝空間346延伸至導板460的外端。凹面348係作為導板460與上板420之間的間隔，並作為氣體從緩衝空間346排放至外部的一通道。當導板460的底表面大約接觸上板420的支架421的上表面422時，導板460的底表面係具有複數個通道344，用以將上板420的通孔342連接至緩衝空間346。
下板440被設置在上板420之下且而支撐上板420。下板440包括一支架441與一下蓋448。支架441具有一上表面444，從俯視來看大約為環形。下板440的支架441的上表面444之直徑大約要比上板420的支架421的上表面422及中心部分424要大一點。上板420的支架421的上表面422要比基板W稍微小一點，而下板440的支架441的上表面444要比基板W大。下板440的支架441的上表面444整體來說是個水平表面。通孔445垂直地通過下板440的中心，下板440的通孔445的長度要大於上板420的插件426。下板440的通孔445的尺寸對應上板420的插件426。上板420係從上側置入，使得插件426係置入下板440的通孔445。
支架441包括沿著支架441的邊緣向下突出為環形的外壁442。外壁442具有通孔446，所述通孔446由外壁442的內表面延伸至其外表面。支架441的邊緣具有插梢孔447，所述插梢孔447從通孔446延伸至支架441的上表面444。通孔446與插梢孔447係作為定位卡盤插梢移動單元600與卡盤插梢500以及組裝卡盤插梢移動單元600與卡盤插梢500的空間。插梢孔447引導卡盤插梢500在等待位置與支撐位置之間移動，以下將會說明。插梢孔447為狹縫形。插梢孔447的長度方向係沿著下板440的徑向方向而設置。插梢孔447的寬度係等於或稍微大於卡盤插梢500的直徑。通孔446和插梢孔447的數目係等於卡盤插梢500的數目。
下蓋448為環形，其內部空間的上下部分互相連通，下蓋448係固定至下板440的支架441。一預先決定的空間449係被設置於支架441與下蓋448之間。卡盤插梢移動單元600係被設置於空間449內。
旋轉軸44係從下側向上置入下板440的通孔445並予以固定。氣體供應線320在旋轉軸44內垂直延伸，並連接至一外部氣體供應部分(圖中未顯示)。透過外部氣體供應部分引進氣體供應線320的氣體會沿著氣體供應線320向上流動，然後沿著導板460的底表面之通道344流至緩衝空間346。流出凹面348的氣體會向上分布，沿著上板420的連接部分425流向基板W的邊緣，然後會透過基板W與上板420的邊緣部分423之間的間隔流出上板420。氣體的流動會產生氣壓，讓基板W與上板420隔開，並且預防供應至基板W的上表面之製程溶液或氣體被引進基板W的後表面。氣體供應線320、通道344、緩衝空間346，以及凹面348係用來組成氣體供應構件300。
在此實施例中，於基板W利用氣壓浮在旋轉頭40之上的狀態下，基板W係由旋轉頭40支撐。替代地，旋轉頭40可包括複數個支撐插梢(圖中未顯示)，讓基板W放置在支撐插梢上。
卡盤插梢500支撐基板W的橫向部分以避免當主體400轉動時，基板W橫向移動超出一所需位置。第六圖所示為卡盤插梢500安裝於主體400之放大透視圖，參考第四圖至第六圖，卡盤插梢500被設置在下板440的邊緣區域，以便從下板440的上表面444向上突出。卡盤插梢500具有相同的形狀與大小。卡盤插梢500包括支撐部分520、一中間部分540，以及一耦接部分560。支撐部分520的直徑從扁平上表面521向下逐漸減小，然後再逐漸增加。所以，支撐部分520具有一橫向凹下部分522，從前方看是向內凹陷。卡盤插梢500的支撐部分520要比構成上板420的支架421之上表面422的邊緣部分423要高。凹下部分522係與基板W的橫向部分接觸，中間部分540從支撐部分520的下端向下延伸，並具有支撐部分520的下端的相同直徑。耦接部分560從中間部分540向下延伸。耦接部分560係具有一線孔(圖中未顯示)，用以耦接至卡盤插梢移動單元600。
卡盤插梢500被設定用以在支撐位置與等待位置之間移動。支撐位置是卡盤插梢500在製程中與基板W的橫向部分接觸的位置。等待位置是卡盤插梢500提供比基板W大的空間以將基板W放置在旋轉頭40上的位置。所以支撐位置要比等待位置接近主體400的中心，卡盤插梢500的數目為大於或等於五個，在本實施例中為六個。
卡盤插梢移動單元600在支撐位置與等待位置之間移動卡盤插梢500。卡盤插梢移動單元600包括旋轉桿620、樞栓640、驅動構件660，以及彈性構件680。旋轉桿620的數目等於卡盤插梢500的數目。每一個卡盤插梢500係耦接至每一根旋轉桿620。從頂部看，旋轉桿620的長度方向係沿著主體400的一徑向方向而設置，並被設置於下板440的空間449內。旋轉桿620的外端626係被設置於下板440的外壁442所提供的通孔446內，旋轉桿620的外端626係具有一螺絲孔，而卡盤插梢500係透過螺絲629耦接至旋轉桿620。
旋轉桿620係透過樞栓640固定至主體400。從頂部來看，樞栓640係被設置在主體400的徑向方向之垂直方向。旋轉桿620可以樞栓640作為旋轉軸。主體400包括被設定用以限制旋轉桿620的轉動範圍之致動器690。致動器690具有圓柱形，其長度方向係沿著主體400的徑向方向被設置。一通孔692通過致動器690。旋轉桿620的厚度小於通孔692的直徑，並通過致動器690的通孔692。樞栓640將旋轉桿620固定至致動器690。
旋轉桿620包括第一部分621與一第二部分622。第一部分621是與卡盤插梢500耦接的部分，而第二部分622是以樞栓640來說相對於第一部分621的相對部分。當旋轉桿620的第一部分621向上移動(也就是第二部分622向下移動)時，卡盤插梢500移動至支撐位置。當旋轉桿620的第一部分621向下移動(也就是第二部分622向上移動)時，卡盤插梢500移動至等待位置。在旋轉桿620中，第二部分622係比第一部分621要重。以下將會說明，旋轉桿620的第二部分622的重量與被驅動磁鐵662的重量總合係比旋轉桿620的第一部分621和卡盤插梢500的重量總合要重。所以，在沒有施加外力時，第二部分622會因為重力而向下移動，使得卡盤插梢500會被放置在支撐位置。因此，卡盤插梢500在製程中持續地接觸基板W的橫向部分。
旋轉桿620具有一形狀，在主體400轉動時，會對卡盤插梢500施加反離心力，以推向基板W的中心。就此而言，當離心力係沿著主體400的徑向方向施加於旋轉桿620的第二部分622，第二部分622係具有一形狀，可旋轉第二部分622的一內端627向下遠離主體400的中心。在旋轉桿620的第二部分622中，最接近主體400的中心之內端627，係低於與第一部分621鄰接的部分。
舉例來說，旋轉桿620的第二部分622包括一第一線段部分623、一第二線段部分624，以及一第三線段部分625。第一線段部分623、第三線段部分625，以及第二線段部分624係依序設置。第一線段部分623最接近第一部分621，第三線段部分625將第一線段部分623連接至第二線段部分624。第三線段部分625連接第一線段部分623的一區域係高於第三線段部分625連接第二線段部分624的一部分。舉例來說，第一線段部分623與第二線段部分624可分別為直線，第一線段部分623可與第二線段部分624平行，而第三線段部分625可垂直於第一線段部分623與第二線段部分624。替代地，第三線段部分625可為傾斜地以逐漸從第一線段部分623降低高度至第二線段部分624。
第一部分621包括一線段部分以大約直線的形狀從第一線段部分623延伸至第二部分622。第二部分622的第一線段部分623之上下表面可分別稍微低於第一部分621的線段部分之上下表面。
替代地，旋轉桿的其中之一可具有不同形狀。
舉例來說，參考第七圖，旋轉桿620a可包括一第一部分621a與一第二部分622a。第二部分622a可僅包括一第一線段部分623a與一第二線段部分624a。第二線段部分624a被設置於第一線段部分623a以下的區域，可與第一線段部分623a之一區域接觸。替代地，如第八圖所示，旋轉桿620b可包括一第一部分621b與一第二部分622b，第二部分622a可僅包括一第一線段部分623b與一第三線段部分625b。第三線段部分625b可朝遠離第一線段部分623b的方向向下傾斜。
在旋轉桿620、620a，以及620b具有如本實施例所示的形狀時，當主體400轉動時，會有反離心力施加於卡盤插梢500，使其朝向基板W的中心，而不是離心力施加於卡盤插梢500，使其遠離基板W。所以，基板W在製程中可被穩固地支撐。
如果沒有施加外力時，彈性構件680利用彈力將卡盤插梢500設置於支撐位置。彈性構件680施加彈力於旋轉桿620，以將旋轉桿620的第二線段部分624向下轉動，並將第一線段部分623向上轉動。每一個彈性構件680係耦接至每一個旋轉桿620。舉例來說，彈性構件680可為彈簧。在此例中，彈簧(也以標號680表示)係被設置於第二線段部分624的上側，並具有一端固定至主體400，而另一端固定至第二線段部分624。在安裝好的情況下，彈簧680會被壓縮以提供將第二線段部分624向下推的彈力。替代地，彈簧680可於等待位置被壓縮，而在支撐位置被壓縮。替代地，彈簧680可被設置於第一線段部分623的上端，並具有一端固定至第一線段部分623。在此情況下，彈簧680可為拉長的狀態，以提供彈力將第一線段部分623向上拉。
驅動構件660將卡盤插梢500從支撐位置移動至等待位置。舉例來說，驅動構件660利用磁力以繞著樞栓640轉動旋轉桿620，使得卡盤插梢500從支撐位置被移動至等待位置。驅動構件660包括被驅動磁鐵662、驅動磁鐵664，以及一驅動器666，被驅動磁鐵662係固定至旋轉桿620。驅動磁鐵664在驅動磁鐵662之下面對著被驅動磁鐵662。被驅動磁鐵662的不同磁極係垂直地排成陣列，被驅動磁鐵662係以複數形式存在。每一個被驅動磁鐵662係被安裝於每一個旋轉桿620。舉例來說，被驅動磁鐵662可被安裝於旋轉桿620的內端627。驅動磁鐵664為環形以面對所有的被驅動磁鐵662。被驅動磁鐵662與驅動磁鐵664係被設置為相同的磁極彼此面對，被驅動磁鐵662與驅動磁鐵664係分別採用永久磁鐵。
驅動器666連接至驅動磁鐵664，可包括一圓筒。驅動器666在一第一位置與一第二位置之間的一直線移動驅動磁鐵664。第一位置係高於第二位置。驅動磁鐵664在第一位置施加於被驅動磁鐵662的磁斥力係大於施加於被驅動磁鐵662的重力與彈力的總合。驅動磁鐵664在第二位置施加於被驅動磁鐵662的磁斥力係小於施加於被驅動磁鐵662的重力與彈力的總合。如果沒有彈性構件680的話，被驅動磁鐵662在第一位置所受的磁斥力係大於施加於被驅動磁鐵662的重力，而被驅動磁鐵662在第二位置所受的磁斥力係小於施加於被驅動磁鐵662的重力。驅動器666係受控制以緩慢地將驅動磁鐵664從第一位置移動至第二位置。這是因為，當驅動磁鐵664快速從第一位置移動至第二位置時，彈性構件680的彈力會快速地將卡盤插梢500從等待位置移動至支撐位置，進而造成基板W的損壞。舉例來說，驅動磁鐵664在遠離被驅動磁鐵662的速度要比驅動磁鐵664向被驅動磁鐵662移動的速度要慢。
替代地，驅動磁鐵664可採用電磁鐵(electromagnet)。在此情況下，驅動磁鐵664係固定至主體400，而被驅動磁鐵662的向上動作可根據驅動磁鐵664的線圈是否有通電來加以控制。在此情況下，不一定需要驅動器。此外，當驅動磁鐵664係採用電磁鐵時，施加於驅動磁鐵664的線圈之電流方向可受到控制，以個別地控制被驅動磁鐵662的向上與向下動作。在此情況下，可以不使用彈性構件680。
在上述的範例中，驅動構件將卡盤插梢從支撐位置移動至等待位置，而彈力或重力將卡盤插梢從等待位置移動至支撐位置。然而，反過來說，驅動構件也可將卡盤插梢從等待位置移動至支撐位置，而彈力可將卡盤插梢從支撐位置移動至等待位置。
第九圖至第十二圖所示為卡盤插梢500與卡盤插梢移動單元600被設置於支撐位置與等待位置的狀態。第九圖與第十圖所示為一截面圖與一平面圖，用來說明旋轉頭40在卡盤插梢500被設置於等待位置的情形，而第十一圖與第十二圖所示為一截面圖與一平面圖，用來說明旋轉頭40在卡盤插梢500被設置於支撐位置的情形。參考第九圖與第十圖，當基板W係載入至或從旋轉頭40卸載時，卡盤插梢500係被設置於等待位置，驅動磁鐵664藉由一抬升裝置從第二位置移動至第一位置，旋轉桿620沿著第二部分622向上移動的方向轉動，而卡盤插梢500會移動至等待位置。參考第十一圖與第十二圖，當製程係於基板W被放置在旋轉頭40上的狀態下執行時，卡盤插梢500係被設置於支撐位置。驅動磁鐵664藉由抬升裝置從第一位置移動至第二位置，旋轉桿620沿著第二部分622向下移動的方向轉動，而卡盤插梢500會移動至支撐位置。
第十三圖所示為在製程中基板W轉動時，反離心力施加在卡盤插梢500上的狀態之概要圖。當主體400轉動時，離心力會對旋轉桿620的第二部分622，施加一個從主體400的中心到邊緣的力量’a’。然而，因為構成旋轉桿620的第二部分622的形狀的關係，會有一力量’b’施加在旋轉桿620，使得第二部分622向下轉動。因此，卡盤插梢500會持續地對基板W的中心施加力量’c’。也就是說，當主體400轉動時，卡盤插梢500利用反離心力以持續地對基板W的中心施加力量，而不是因為離心力而遠離基板W，藉此可以穩固地支撐基板W。
[旋轉頭：另一實施例]
第十四圖所示為根據本發明的一實施例的一旋轉頭40a之平面圖。旋轉頭40a具有與先前實施例的旋轉頭40相似的結構，只不過旋轉頭40a的卡盤插梢500a具有與旋轉頭40的卡盤插梢500不同的形狀。第十五圖所示為卡盤插梢500a安裝於旋轉頭40a之放大透視圖，卡盤插梢500a具有相同的形狀與大小。卡盤插梢500a包括一支撐部分520a、一中間部分540a，以及一耦接部分(圖中未顯示)。支撐部分520a包括一基座522a與接點524a。基座522a大約為一平板形並支撐接點524a。在現行的實施例中，接點524a的數目為二，每一個接點524a具有一固定至基座522a的第一端，以及向基板W突出的第二端。接點524a的第二端在卡盤插梢500a被設置於一支撐位置時，係與基板W的橫向表面接觸。接點524a的長度方向係與基板W的徑向方向平行。接點524a具有一流線形狀，並且從頂部看時，其寬度係從第一端向第二端遞減。接點524a在同一高度係彼此平行，並且彼此相隔。中間部分540a具有一角錐形，越往下其直徑逐漸增加。耦接部分從中間部分540a向下延伸，耦接部分具有一螺絲孔，用以耦接至卡盤插梢移動單元600。卡盤插梢500a的數目為大於或等於三個，用以穩固地支撐基板W。在現行的實施例中，卡盤插梢500a的數目為三個。如果使用先前實施例的卡盤插梢500，卡盤插梢500的數目為大於或等於五個，用以穩固地支撐基板W。當卡盤插梢500的數目少於五個，其中一個卡盤插梢500可能會被設置在基板W的凹口N，如第十六圖所示。在此情況下，卡盤插梢500並未與基板W接觸，所以無法穩固地支撐基板W。然而，參考第十七圖，儘管只採用了三個卡盤插梢500a，而卡盤插梢500a的其中一個接點524a係被設置於基板W的凹口N，另一個接點524a仍可穩固地支撐基板W。
[旋轉頭：另一實施例]
第十八圖至第二十圖所示為根據本發明的一實施例之旋轉頭40b。第十八圖所示為旋轉頭40b的平面圖，第十九圖所示為沿著第十八圖的線段II-II的截面圖，而第二十圖所示為沿著第十八圖的線段III-III的截面圖。旋轉頭40b包括一氣體供應構件300b、一主體400b、卡盤插梢500b，以及卡盤插梢移動單元600b。氣體供應構件300b與主體400b具有與先前實施例中構成旋轉頭40的氣體供應構件300與主體400相似的結構。
卡盤插梢500b可被歸類為一第一組與一第二組，被納入第一組的卡盤插梢500b係稱為第一插梢501，而納入第二組的卡盤插梢500b係稱為第二插梢502。在執行製程時，接觸卡盤插梢500的基板W的橫向部分並不會暴露在製程溶液或氣體中，所以，在製程中不會被處理。然而，在本實施例中，由於卡盤插梢500b被歸類為第一組與第二組，在執行製程時，第一與第二組替代地支撐基板W，因此製程溶液或氣體可處理到基板W的整個支撐部分。
第一插梢501與第二插梢502具有與先前實施例的旋轉頭40所具有的卡盤插梢500相同的形狀與結構。第一插梢501的數目等於第二插梢502的數目。第一插梢501與第二插梢502係交替地設置，也就是說，一個第二插梢502係被設置於二個鄰近的第一插梢501之間。第一插梢501的數目為大於或等於五個，而第二插梢502為大於或等於五個。在目前的實施例中，第一插梢501的數目為六個，而第二插梢502的數目六個。
替代地，參考第二十一圖，第一插梢501與第二插梢502具有與先前實施例的旋轉頭40a所具有的卡盤插梢500a相同的形狀與結構。在此情況下，第一插梢501的數目為大於或等於三個，而第二插梢502的數目為大於或等於三個。在第二十一圖，第一插梢501的數目為三個，而第二插梢502的數目為三個。
卡盤插梢移動單元600b包括旋轉桿620b、樞栓640b、驅動構件660b，以及彈性構件680b。旋轉桿620b包括第一桿631與第二桿632。第一桿631係耦接至第一插梢501，而第二桿632係耦接至第二插梢502。第一桿631與第二桿632具有與先前實施例的旋轉頭40的旋轉桿620大約相同的結構與形狀，只不過第一桿631係比第二桿632要短。第一桿631的外端631a與第二桿632的外端632a與主體400的中心的距離大約相同，不過第二桿632的內端632b與主體400中心的距離要比第一桿631的內端631b與主體400中心的距離要近。第一桿631的第二部分633的長度可比第二桿632的第二部分634的長度要短，讓第一桿631與第二桿632之間有長度差異。
樞栓640b與彈性構件680b具有和先前實施例中構成旋轉頭40的樞栓640與彈性構件680相似的結構和排列。樞栓640b與彈性構件680b係用於第一桿631與第二桿632。
驅動構件660b包括第一被驅動磁鐵671、第二被驅動磁鐵672、第一驅動磁鐵673、第二驅動磁鐵674、第一驅動器675，以及第二驅動器676。第一被驅動磁鐵671與第二被驅動磁鐵672具有和先前實施例中構成旋轉頭40的被驅動磁鐵662相似的結構和排列，只不過第一被驅動磁鐵671係固定至第一桿631，而第二被驅動磁鐵672係固定至第二桿631。由於第一桿631要比第二桿631短，第一被驅動磁鐵671與主體400的中央的距離要比第二被驅動磁鐵來得遠。第一驅動磁鐵673與第二驅動磁鐵674具有和先前實施例中構成旋轉頭40的驅動磁鐵664相似的結構和形狀，只不過第一驅動磁鐵673面對第一被驅動磁鐵671，而第二驅動磁鐵674面對第二被驅動磁鐵672。第一驅動磁鐵673為環形，具有比第二驅動磁鐵674要大的直徑，第一驅動磁鐵673圍繞第二驅動磁鐵674。第一驅動器675與第二驅動器676具有和先前實施例中構成旋轉頭40的驅動器666相似的結構。第一驅動器675在一第一位置與一第二位置之間移動第一驅動磁鐵673，而第二驅動器676在第一位置與第二位置之間移動第二驅動磁鐵674。
第一驅動磁鐵673、第一被驅動磁鐵671，以及第二被驅動磁鐵672係被排列為磁斥力與磁吸力的其中一個係施加於第一驅動磁鐵673與第一被驅動磁鐵671之間，而磁斥力與磁吸力的另外一個係施加於第一驅動磁鐵673與第二被驅動磁鐵672之間。第二驅動磁鐵674係被設置為磁斥力與磁吸力的其中一個係施加於第二驅動磁鐵674與第一被驅動磁鐵671之間，而磁斥力與磁吸力的另外一個係施加於第二驅動磁鐵674與第二被驅動磁鐵672之間。舉例來說，第一驅動磁鐵673與第一被驅動磁鐵671的相同磁極彼此相對，第二驅動磁鐵674與第二被驅動磁鐵672的相同磁極彼此相對。第一驅動磁鐵673的上表面具有與第二驅動磁鐵674的上表面不同的磁極。舉例來說，第一驅動磁鐵673的上部為N極，而下部為S極，而第一被驅動磁鐵671的上部為S極，而其下部為N極。此外，第二驅動磁鐵674的上部為S極，而其下部為N極，第二被驅動磁鐵672的上部為N極，而下部為S極。
第二十二圖與第二十三圖所示為根據本發明的實施例，第一驅動磁鐵673的上表面與第二驅動磁鐵674的上表面具有相同磁極，以及不同磁極的情形。在以下的說明中，第二插梢502係被設置於等待位置，而第一插梢501係被設置於支撐位置。
參考第二十二圖，在第二插梢502被設置於等待位置而第一插梢501被設置於支撐位置時，當第一驅動磁鐵673的上表面與第二驅動磁鐵674的上表面具有相同磁極時，第二驅動磁鐵674與第一被驅動磁鐵671之間會有斥力，而當力量‘d’係施加於第一桿631以將第一桿逆時針轉動時，力量‘e’係從支撐位置至等待位置之間施加於第一插梢501。因此，第一插梢501會離開基板W的橫向部分，而基板W也不會被穩定地支撐。反之，參考第二十三圖，當第一驅動磁鐵673的上表面與第二驅動磁鐵674的上表面具有不同磁極時，第二驅動磁鐵674與第一被驅動磁鐵671之間會有吸力，所以，當力量‘f’係施加於第一桿631以將第一桿順時針轉動時，力量‘g’係施加於第一插梢501以推向基板W，所以基板W更可穩定地被支撐。
第二十四圖至第二十九圖所示為在一製程中，卡盤插梢500b與卡盤插梢移動單元600b的狀態。第二十四圖、第二十六圖以及第二十八圖所示為旋轉頭40b的平面圖。第二十五圖、第二十七圖以及第二十九圖分別是第二十四圖、第二十六圖以及第二十八圖從線段IV-IV、V-V、以及VI-VI切開的截面圖。參考第二十四圖與第二十五圖，當基板W載入至或從旋轉頭40b卸載，第一驅動磁鐵673與第二驅動磁鐵674會被升高至第一位置，而第一插梢501與第二插梢502會被設置於等待位置。接著，參考第二十六圖與第二十七圖，第一驅動磁鐵673會被移動至第二位置，而第二驅動磁鐵674會維持在第一位置。第一插梢501會被移動至等待位置，基板W係由第二插梢502支撐。當基板W轉動時，製程溶液或製程氣體會供應給基板W，以處理基板W。當經過了一預定的時間後，如第二十八圖與第二十九圖所示，該第二驅動磁鐵674會被移動至第二位置，而第二插梢502會接觸基板W。接下來，第一驅動磁鐵673會被移動至第一位置，而第一插梢501會遠離基板W。當製程是在基板W只有被第一插梢501支撐的情況下進行時，接觸第二插梢502的基板W之橫向區域會暴露在製程溶液或製程氣體中。當製程是在基板W只有被第二插梢502支撐的情況下進行時，接觸第一插梢501的基板W之橫向區域會暴露在製程溶液或製程氣體中。
根據本發明的實施例，即使基板以高速轉動，該些卡盤插梢仍可穩固地維持在與基板的橫向部分接觸的位置。
根據本發明的實施例，即使其中一個卡盤插梢對著一基板的凹口，該些卡盤插梢仍可穩固地支撐基板。
根據本發明的實施例，可用少數的卡盤插梢穩固地支撐一基板。
上述的實施例係用以舉例，而非限制本發明，而在本發明的精神與範疇下，所附的申請專利範圍應視為包含所有的改良、加強與其他實施例。因此，根據法律所允許的最大限度，本發明的範疇應以申請專利範圍的最寬廣解釋方式界定，而不應受到前述的實施例說明之限制。
1．．．基板處理裝置
10．．．溶液供應單元
20．．．容器
22．．．內部空間
30．．．抬升單元
32．．．框架
34．．．移動軸
36．．．驅動器
40．．．旋轉頭
40a．．．旋轉頭
40b．．．旋轉頭
42．．．主體
44．．．旋轉軸
46．．．驅動器
120．．．化學溶液供應噴嘴
121．．．注射器
121a．．．突起
122．．．支撐桿
123．．．桿移動裝置
123a．．．框架
123b．．．導軌
140．．．沖洗溶液供應噴嘴
141．．．注射器
142．．．支撐桿
144．．．驅動器
160．．．乾燥氣體供應噴嘴
220．．．收集室
222．．．外壁
222a．．．傾斜壁
222b．．．垂直壁
223．．．開口
224．．．底壁
225．．．排放管
226．．．內壁
227．．．引進開口
228．．．導引壁
228a．．．傾斜壁
228b．．．垂直壁
229．．．空間
240．．．收集室
242．．．外壁
242a．．．傾斜壁
242b．．．垂直壁
243．．．排氣孔
244．．．底壁
245．．．排放管
246．．．內壁
247．．．引進開口
248．．．突出壁
260．．．收集室
262．．．外壁
262a．．．傾斜壁
262b．．．垂直壁
263．．．排氣管
264．．．壁
265．．．排放管
267．．．引進開口
300．．．氣體供應構件
300b．．．氣體供應構件
320．．．氣體供應線
342．．．通孔
344．．．通道
346．．．緩衝空間
348．．．環狀凹面
400．．．主體
400b．．．主體
420．．．上板
421．．．支架
422．．．上表面
422a．．．空間
423．．．邊緣部分
424．．．中心部分
425．．．連接部分
426．．．插件
440．．．下板
441．．．支架
442．．．外壁
444．．．上表面
445．．．通孔
446．．．通孔
447．．．插梢孔
448．．．下蓋
449．．．空間
460．．．導板
461．．．上主體
462．．．上表面
466．．．插件
500．．．卡盤插梢
500a．．．卡盤插梢
500b．．．卡盤插梢
501．．．第一插梢
502．．．第二插梢
520．．．支撐部分
520a．．．支撐部分
521．．．上表面
522．．．凹下部分
522a．．．基座
524a．．．接點
540、540a．．．中間部分
560．．．耦接部分
600．．．卡盤插梢移動單元
620．．．旋轉桿
620a．．．旋轉桿
620b．．．旋轉桿
621．．．第一部分
621a．．．第一部分
621b．．．第一部分
622．．．第二部分
622a．．．第二部分
622b．．．第二部分
623．．．第一線段部分
623a．．．第一線段部分
623b．．．第一線段部分
624．．．第二線段部分
624a．．．第二線段部分
624b．．．第二線段部分
625．．．第三線段部分
626．．．外端
627．．．內端
629．．．螺絲
631．．．第一桿
631a．．．外端
631b．．．內端
632．．．第二桿
632a．．．外端
632b．．．內端
633．．．第二部分
634．．．第二部分
640．．．樞栓
640b．．．樞栓
660．．．驅動構件
660b．．．驅動構件
662．．．被驅動磁鐵
664．．．驅動磁鐵
666．．．驅動器
671．．．第一被驅動磁鐵
672．．．第二被驅動磁鐵
673．．．第一驅動磁鐵
674．．．第二驅動磁鐵
675．．．第一驅動器
676．．．第二驅動器
680、680b．．．彈性構件
690．．．致動器
W．．．基板
N．．．凹口
a、b、c、e、d、f、g．．．力量
本說明書所附的圖示係用以提供有關本發明的進一步認識，並且被納入與構成本說明書的一部分。圖示說明本發明的示範實施例，與實施例說明共同用來解釋本發明的原則，在圖中：
第一圖所示為根據本發明的一實施例所示一基板處理裝置的平面圖；
第二圖所示為根據本發明的一實施例之一容器的截面圖；
第三圖所示為第二圖的容器的垂直切面透視圖；
第四圖所示為根據本發明的一實施例之旋轉頭的平面圖；
第五圖所示為第四圖沿著I-I線段的截面圖；
第六圖所示為一卡盤插梢安裝於第四圖的旋轉頭的主體之放大透視圖；
第七圖與第八圖所示為根據本發明的實施例之旋轉桿的概要圖；
第九圖與第十圖所示為一截面圖與一平面圖，用來說明第四圖的旋轉頭在卡盤插梢被設置於等待位置的情形；
第十一圖與第十二圖所示為一截面圖與一平面圖，用來說明第四圖的旋轉頭在卡盤插梢被設置於支撐位置的情形；
第十三圖所示為根據本發明的實施例，當基板轉動時反離心力施加在卡盤插梢上的狀態之概要圖；
第十四圖所示為根據本發明的實施例的旋轉頭之平面圖；
第十五圖所示為一卡盤插梢安裝於第十四圖的旋轉頭的主體之放大透視圖；
第十六圖與第十七圖所示為基板由第四圖和第十四圖的卡盤插梢支撐的概要圖；
第十八圖所示為根據本發明的另一實施例的旋轉頭之平面圖；
第十九圖所示為沿著第十八圖的線段II-II的截面圖；
第二十圖所示為沿著第十九圖的線段III-III的截面圖；
第二十一圖所示為第十八圖的實施例的改良，其中係應用第十五圖的卡盤插梢；
第二十二圖與第二十三圖所示為根據本發明的實施例，根據磁鐵間的磁極排列而施力於被驅動磁鐵與驅動磁鐵的概要圖；
第二十四圖與第二十五圖所示為一平面圖與一截面圖，說明第十八圖的實施例的旋轉頭在一基板被載入或卸載時的情形；
第二十六圖與第二十七圖所示為一平面圖與一截面圖，說明第十八圖的實施例的旋轉頭在一基板僅由第一插梢支撐的情形；以及
第二十八圖與第二十九圖所示為一平面圖與一截面圖，說明第十八圖的實施例的旋轉頭在一基板僅由第二插梢支撐的情形。
501．．．第一插梢
502．．．第二插梢
620b．．．旋轉桿
631．．．第一桿
632．．．第二桿
640b．．．樞栓
660b．．．驅動構件
671．．．第一被驅動磁鐵
672．．．第二被驅動磁鐵
673．．．第一驅動磁鐵
674．．．第二驅動磁鐵
675．．．第一驅動器
676．．．第二驅動器
680b．．．彈性構件
W．．．基板

Claims (39)

  1. 一種旋轉頭，包含：一主體；複數個卡盤插梢，其從該主體向上突出；以及一卡盤插梢移動單元，其被設定在被支撐於該旋轉頭上的一基板的一橫向部分之支撐位置，與比該些支撐位置距離該主體的一中心要遠以便讓該基板能被放置在該主體上的等待位置之間，用以移動該等卡盤插梢；其中該卡盤插梢移動單元包括：一旋轉桿，其與該等卡盤插梢的每一個耦接，包含：一第一部分，其為相對於該樞栓而與該卡盤插梢耦接的一區域；以及一第二部分，其為相對於該樞栓而與該第一部分相對的一相對區域，其中該第二部分包括：一第一線段部份；以及一第二線段部分，其比該第一線段部分距離該第一部分要遠，並且比該第一線段部分要低；一樞栓，其將該旋轉桿固定至該主體；以及一驅動構件，其以該樞栓作為一旋轉軸，轉動該旋轉桿。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之旋轉頭，其中該第二線段部分係與該第一線段部分平行，以及該第二部分更包括一從該第一線段部分延伸至該第二線段部分的第三線段部分。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之旋轉頭，其中該第三 線段部分係垂直於該第一與第二線段部分。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之旋轉頭，其中該第一部分包含一從該第一線段部分延伸出來並與該第二線段部分平行的線段部分，而該第一部分的該線段部分要比該第二部分的該第二線段部分要高。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之旋轉頭，其中該第二部分的一末端與該主體的該中心鄰接，該第二部分的該末端係比該第一部分的一末端要低，該第一部分的該末端距離該主體的該中心最遠。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之旋轉頭，其中，當該主體轉動時，該旋轉桿係用來利用反離心力於該等待位置至該支撐位置之間施力於該卡盤插梢。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之旋轉頭，其中該主體包含一致動器，該致動器具有一通孔、一開放前端以及一開放後端，該旋轉桿通過該通孔，該樞栓係被設定用以在該通孔中，將該旋轉桿耦接至該致動器；以及該通孔具有一大於該旋轉桿的一厚度之直徑。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項任一項所述之旋轉頭，其中該第二部分要比該第一部分重。
  9. 如申請專利範圍第1項至第7項任一項所述之旋轉頭，其中該驅動構件係藉由磁力將該卡盤插梢從該支撐位置移動至該等待位置。
  10. 如申請專利範圍第1項至第7項任一項所述之旋轉頭，其中該驅動構件包含： 一被驅動磁鐵，其被耦接至該些旋轉桿的每一根的該第二部分；以及一驅動磁鐵，其在該被驅動磁鐵之下而面對該被驅動磁鐵，其中該被驅動磁鐵與該驅動磁鐵的相同磁極彼此相對。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之旋轉頭，其中該驅動磁鐵具有一環形。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之旋轉頭，其中該被驅動磁鐵與該驅動磁鐵包含永久磁鐵，以及該驅動構件更包含一被設定用以垂直地移動該驅動磁鐵之驅動器。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之旋轉頭，其更包含一耦接至該旋轉桿與該主體的彈性構件，該彈性構件轉動該旋轉桿，以於該等待位置至該支撐位置之間施力於該卡盤插梢。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之旋轉頭，其中該彈性構件包含一彈簧，其中該彈簧具有一耦接至該旋轉桿的該第二部分之末端，以及另一末端在該旋轉桿的一上側耦接至該主體。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之旋轉頭，其中該第二部分之一重量與該被驅動磁鐵之一重量的一總和係大於該第一部分之一重量與該卡盤插梢之一重量的一總和。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之旋轉頭，其中該些卡盤插梢的其中一部分係被歸類為一第一組，而該些卡盤插梢的另一部分係被歸類為一第二組， 其中該旋轉桿包括：複數個第一桿，其與構成該第一組的該些卡盤插梢耦接；以及複數個第二桿，其與構成該第二組的該些卡盤插梢耦接，其中該驅動構件包括：複數個第一被驅動磁鐵，其連接至該些第一桿；複數個第二被驅動磁鐵，其連接至該些第二桿；一第一驅動磁鐵，其面對該些第一被驅動磁鐵；以及一第二驅動磁鐵，其面對該些第二被驅動磁鐵。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之旋轉頭，其中該些第一被驅動磁鐵係比該些第二被驅動磁鐵距離該主體的該中心要遠，以及該些第一與第二驅動磁鐵分別為環形。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之旋轉頭，其中該第一被驅動磁鐵、該第二被驅動磁鐵，該第一驅動磁鐵，以及該第二驅動磁鐵分別包含永久磁鐵，以及該驅動構件更包含：一第一驅動器，其垂直地移動該第一驅動磁鐵；以及一第二驅動器，其垂直地移動該第二驅動磁鐵。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之旋轉頭，其中該第一驅動磁鐵與該第一被驅動磁鐵的相同磁極彼此相對；該第二驅動磁鐵與該第二被驅動磁鐵的相同磁極彼此相對，以及該第一驅動磁鐵的一上表面與該第二驅動磁鐵的一上表面具有彼此不同的磁極。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之旋轉頭，其中該第一桿與該第二桿具有彼此不同的長度，該第一被驅動磁鐵係提供至該第一桿的一末端，以及該第二被驅動磁鐵係提供至該第二桿的一末端。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之旋轉頭，其中提供給該第一組與該第二組的每一組之該些卡盤插梢的數目為大於或等於五個，以及被納入該第一組的該些卡盤插梢與被納入該第二組的該些卡盤插梢係被交替地設置。
  22. 如申請專利範圍第1項至第7項任一項所述之旋轉頭，其中該些卡盤插梢的每一個包含：一基座；以及一接點，其固定於該基座並從該基座突出至該主體的該中心，使得該接點適於與該基板接觸，其中該接點有複數個。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之旋轉頭，其中該些接點在一垂直方向以及該些接點的個別長度方向彼此相間隔。
  24. 如申請專利範圍第1項至第7項任一項所述之旋轉頭，其中該主體包含：一下板，其安裝有該卡盤插梢移動單元；一上板，其安裝於該下板的一上部，該上板並於一上表面具有一凹下空間；以及一導板，其設置於該凹下空間內，其中一通孔垂直地通過該下板的一中心，一被設置於該上板的一中心之通孔並與該下板的該通 孔連通，以及一導管，在該導管中流經該上板的該通孔與該下板的該通孔之氣體係被提供至該導板的一底表面。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之旋轉頭，其中該導管包含：一環狀緩衝空間，其設置於該導板的一邊緣；一通道，其作為一凹部，該通道係被設置於該導板的該底表面並將該緩衝空間連接至該上板的該通孔；以及一環狀凹面，其設置於該導板的該底表面，並從該緩衝空間延伸至該導板的一外端。
  26. 一種旋轉頭，包含：一主體；複數個從該主體向上突出的第一插梢與第二插梢；以及一卡盤插梢移動單元，其被設定用以在介於被支撐在該旋轉頭上的一基板的一橫向部分之支撐位置，與比該些支撐位置距離該主體的一中心要遠以便讓該基板能被放置在該主體上的等待位置之間，移動該些第一插梢與第二插梢；其中該卡盤插梢移動單元包括：複數個第一桿，其與該些第一插梢耦接並透過樞栓耦接至該主體；複數個第二桿，其與該些第二插梢耦接並透過樞栓耦接至該主體；一第一被驅動磁鐵，其連接至該第一桿；一第二被驅動磁鐵，其連接至該第二桿； 一第一驅動磁鐵，其面對該第一被驅動磁鐵；一第二驅動磁鐵，其面對該第二被驅動磁鐵；一第一驅動器，其垂直地移動該第一驅動磁鐵；以及一第二驅動器，其垂直地移動該第二驅動磁鐵，其中磁斥力與磁吸力的其中之一係被施加於該第一驅動磁鐵與該第一被驅動磁鐵之間，其中該磁斥力與該磁吸力的另一個係被施加於該第一驅動磁鐵與該第二被驅動磁鐵之間，以及其中該些第一桿與第二桿的每一根包含：一第一部分，其為相對於該樞栓而與該卡盤插梢耦接的一區域；以及一第二部分，其為相對於該樞栓而與該第一部分相對的一相對區域，其中該第二部分包括：一第一線段部份，一第二線段部分，其比該第一線段部分距離該第一部分要遠，該第二線段部分係與該第一線段部分平行，並且比該第一線段部分要低；以及一第三線段部分，其將該第一線段部分連接至該第二線段部分。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之旋轉頭，其中磁斥力與磁吸力的其中之一係被施加於該第二驅動磁鐵與該第二被驅動磁鐵之間，以及其中該磁斥力與該磁吸力的另一個係被施加於該第二驅動磁鐵與該第一被驅動磁鐵之間。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之旋轉頭，其中該第 一與第二驅動磁鐵係分別比該第一與第二被驅動磁鐵要低；該第一被驅動磁鐵與該第一驅動磁鐵的相同磁極彼此面對；該第二被驅動磁鐵與該第二驅動磁鐵的相同磁極彼此面對；以及該第一驅動磁鐵的一上表面與該第二驅動磁鐵的一上表面具有彼此不同的磁極。
  29. 如申請專利範圍第26項至第28項任一項所述之旋轉頭，其中該第一驅動磁鐵與該第二驅動磁鐵分別為環形，以及該第一驅動磁鐵具有比該第二驅動磁鐵要大的一直徑，並圍繞該第二驅動磁鐵。
  30. 如申請專利範圍第26項至第28項任一項所述之旋轉頭，其中該第一桿係與一彈性構件耦接，該彈性構件旋轉該第一桿以於該等待位置至該支撐位置之間施力於該第一插梢；以及該第二桿係與一彈性構件耦接，該彈性構件旋轉該第二桿以於該等待位置至該支撐位置之間施力於該第二插梢。
  31. 如申請專利範圍第26項至第28項任一項所述之旋轉頭，其中，當該主體轉動時，該些第一與第二桿的每一根係利用反離心力於該等待位置至該支撐位置之間施力於該第一或第二插梢。
  32. 一種基板處理方法，其利用被提供於一旋轉頭上的卡盤插梢來支撐一基板的一橫向部分，該方法包含： 轉動一旋轉桿以變動與該卡盤插梢耦接的旋轉桿之二端的高度，以及在介於該些卡盤插梢與該基板的該橫向部分接觸之支撐位置，與該些卡盤插梢和該基板的該橫向部分有間隔的等待位置之間，移動該些卡盤插梢，其中，當該基板被轉動時，一維持該些卡盤插梢於該些支撐位置的力量包括一反離心力；其中，該旋轉桿包含：一第一部分，其為相對於該樞栓而與該卡盤插梢耦接的一區域；以及一第二部分，其為相對於該樞栓而與該第一部分相對的一相對區域，其中該第二部分包括：一第一線段部份；以及一第二線段部分，其比該第一線段部分距離該第一部分要遠，並且比該第一線段部分要低。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中一將該些卡盤插梢從該些支撐位置移動至該些等待位置的一力量包含一磁力。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之方法，其中一將該些卡盤插梢從該些等待位置移動至該些支撐位置的一力量包含一彈力。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之方法，其中一被驅動磁鐵，其係被安裝於該旋轉桿，一驅動磁鐵，其係被設置於該被驅動磁鐵之下，該被驅動磁鐵與該驅動磁鐵的相同磁極彼此相對，該卡盤插梢係藉由將該驅動磁鐵移向該被驅動磁鐵， 而從該支撐位置移動至該等待位置，該卡盤插梢係藉由移動該驅動磁鐵遠離該被驅動磁鐵，而從該等待位置移動至該支撐位置，以及該驅動磁鐵移動遠離該被驅動磁鐵的一速度係低於該驅動磁鐵移向被驅動磁鐵的一速度。
  36. 如申請專利範圍第32項至34項任一項所述之方法，其中一將該些卡盤插梢從該些等待位置移動至該些支撐位置的一力量包含一重力。
  37. 一種基板處理裝置，包含：一外殼；一旋轉頭，其設置於該外殼內並支撐一基板；以及一溶液供應單元，其供應製程溶液或製程氣體至位於該旋轉頭上的基板上，其中該旋轉頭包括：一主體；複數個卡盤插梢，其從該主體向上突出；以及一卡盤插梢移動單元，其被設定用以在介於被支撐在該旋轉頭上的該基板的一橫向部分之支撐位置，與比該些支撐位置距離該主體的一中心要遠以便讓該基板能被放置在該主體上的等待位置之間，移動該卡盤插梢；其中該卡盤插梢移動單元包括：一透過一樞栓固定至該主體之旋轉桿，該旋轉桿具有一第一部分，該第一部分為相對於該樞栓而與該卡盤插梢耦接的一區域，該旋轉桿具有一第二部分，該第二部分為相對於該樞栓而與該第一部分相對的一相對區域；以及一驅動構件，其被設定用以轉動該旋轉桿以變動該旋 轉桿的二端的高度，以及將該卡盤插梢在該支撐位置與該等待位置之間移動；其中該旋轉桿的該第二部分包含：一第一線段部分；一第二線段部分，其比該第一線段部分距離該第一部分要遠，並且低於該第一線段部分。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之基板處理裝置，其中該些卡盤插梢的其中一部分係被歸類為一第一組，而該些卡盤插梢的另一部分係被歸類為一第二組，其中該旋轉桿包括：複數個第一桿，其與構成該第一組的該些卡盤插梢耦接；以及複數個第二桿，其與構成該第二組的該些卡盤插梢耦接，其中該驅動構件包括：複數個第一被驅動磁鐵，其連接至該些第一桿；複數個第二被驅動磁鐵，其比該些第一被驅動磁鐵距離該主體的該中心要近，並被連接至該些第二桿；一第一驅動磁鐵，其面對該些第一被驅動磁鐵；以及一第二驅動磁鐵，其面對該些第二被驅動磁鐵。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之基板處理裝置，其中該第一與第二驅動磁鐵係分別比該第一與第二被驅動磁鐵要低並且為環形；該第一被驅動磁鐵與該第一驅動磁鐵的相同磁極彼此面對；該第二被驅動磁鐵與該第二驅動磁鐵的相同磁極彼此 面對；以及該第一驅動磁鐵的一上表面與該第二驅動磁鐵的一上表面具有彼此不同的磁極。
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Families Citing this family (327)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873153B1 (ko) * 2007-10-05 2008-12-10 세메스 주식회사 스핀 헤드
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
KR101160172B1 (ko) * 2008-11-26 2012-06-28 세메스 주식회사 스핀 헤드
KR101017654B1 (ko) * 2008-11-26 2011-02-25 세메스 주식회사 기판 척킹 부재, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101149764B1 (ko) 2010-10-12 2012-06-01 주식회사 티더블유티 전자석을 이용한 교차 고정용 웨이퍼 척
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9378988B2 (en) * 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
CN102270597B (zh) * 2011-08-16 2014-04-09 清华大学 用于晶圆交换装置的晶圆托架组件和晶圆交换装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9385020B2 (en) 2011-12-19 2016-07-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method
CN102569150B (zh) * 2012-02-23 2014-12-10 北京七星华创电子股份有限公司 一种易清洗的薄壁盘状物夹持装置及方法
JP5975563B2 (ja) * 2012-03-30 2016-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
CN103456666B (zh) * 2013-08-29 2016-07-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种多组卡销式晶圆清洗设备和清洗方法
US20150059808A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate and method of cleaning same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
JP6302665B2 (ja) * 2013-12-24 2018-03-28 株式会社ディスコ スピンナー装置
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9947572B2 (en) 2014-03-26 2018-04-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6294121B2 (ja) * 2014-03-26 2018-03-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6391524B2 (ja) * 2015-03-31 2018-09-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 脱酸素装置および基板処理装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) * 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10192771B2 (en) 2015-09-29 2019-01-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
JP6674679B2 (ja) * 2015-09-29 2020-04-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
JP6402087B2 (ja) * 2015-11-16 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP6634154B2 (ja) * 2016-05-24 2020-01-22 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
SG11201908117VA (en) * 2017-03-06 2019-10-30 Acm Res Shanghai Inc Apparatus for cleaning semiconductor substrates
JP6892774B2 (ja) * 2017-03-24 2021-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10083852B1 (en) * 2017-05-12 2018-09-25 Kla-Tencor Corporation Floating wafer chuck
CN108987298B (zh) 2017-05-31 2020-10-16 上海微电子装备（集团）股份有限公司 旋转涂胶装置和方法
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
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KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
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US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
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US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
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CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN111048466B (zh) * 2019-12-26 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆夹持装置
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036517A (ko) * 2020-09-16 2022-03-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 방법
JP7461842B2 (ja) 2020-09-18 2024-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
KR102561219B1 (ko) * 2021-08-24 2023-07-28 (주)디바이스이엔지 기판 처리장치용 기판 지지 조립체
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN113808974B (zh) * 2021-09-07 2024-02-20 江苏芯梦半导体设备有限公司 一种基片旋转式处理设备及方法
JP7376555B2 (ja) * 2021-11-09 2023-11-08 三益半導体工業株式会社 ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持構造並びに保持方法
WO2024063049A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2855046B2 (ja) * 1993-03-31 1999-02-10 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置用の基板回転保持装置
JP3354367B2 (ja) 1995-12-19 2002-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JPH09213772A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置
JPH1092912A (ja) 1996-09-11 1998-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
JP3647576B2 (ja) * 1996-11-01 2005-05-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置
JP3831043B2 (ja) * 1997-01-24 2006-10-11 東京エレクトロン株式会社 回転処理装置
JPH10335287A (ja) * 1997-06-05 1998-12-18 Toshiba Corp 基板処理装置
JP3026077B2 (ja) 1997-12-26 2000-03-27 株式会社エンヤシステム ブラシスクラバ用チャック
KR100340154B1 (ko) 1999-12-06 2002-06-10 김광교 웨이퍼를 스피닝하기 위한 웨이퍼 척
KR100897431B1 (ko) 2001-11-27 2009-05-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리장치 및 액처리방법
JP2004115872A (ja) 2002-09-26 2004-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2006013107A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2006253210A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置、基板処理装置および基板処理方法
KR100695229B1 (ko) * 2005-10-26 2007-03-14 세메스 주식회사 스핀 척
KR100865941B1 (ko) 2006-11-28 2008-10-30 세메스 주식회사 스핀헤드 및 상기 스핀헤드의 기판 척킹/언척킹방법,그리고 상기 스핀헤드를 구비하는 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20100126539A1 (en) 2010-05-27
US8714169B2 (en) 2014-05-06
JP5234665B2 (ja) 2013-07-10
TW201027667A (en) 2010-07-16
CN101901776A (zh) 2010-12-01
CN101901776B (zh) 2012-09-26
JP2010130021A (ja) 2010-06-10

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