CN101826548A - 有机发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents
有机发光二极管显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101826548A CN101826548A CN201010123974A CN201010123974A CN101826548A CN 101826548 A CN101826548 A CN 101826548A CN 201010123974 A CN201010123974 A CN 201010123974A CN 201010123974 A CN201010123974 A CN 201010123974A CN 101826548 A CN101826548 A CN 101826548A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- resilient coating
- capacitors
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 201
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 26
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 24
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N alumane;neodymium Chemical compound [AlH3].[Nd] VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 239000012297 crystallization seed Substances 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000003863 metallic catalyst Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007715 excimer laser crystallization Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100373011 Drosophila melanogaster wapl gene Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 210000004483 pasc Anatomy 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括：基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；缓冲层，设置在所述基底上；栅极绝缘层，设置在基底上；下电容器电极，设置在电容器区域中的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在基底上；上电容器电极，设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极，其中，缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有这样的表面，在这些表面中形成形状与半导体层的晶界的形状相同的突起。所得电容器具有增加的表面面积，因此增大了电容。
Description
技术领域
本发明的方面涉及一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法，更具体地讲，本发明的方面涉及这样一种OLED显示装置及其制造方法，其中，该OLED显示装置包括通过利用金属催化剂制造多晶硅层的方法增加了电容的电容器。
背景技术
通常，多晶硅由于其场效应迁移率高并且适应于高速操作电路和互补金属氧化物半导体(CMOS)电路而被广泛用作薄膜晶体管的半导体层。具有多晶硅层的薄膜晶体管通常用作有源矩阵液晶显示器(AMLCD)的有源元件以及有机发光二极管(OLED)的开关元件和驱动元件。
这里，使非晶硅层结晶为用于薄膜晶体管的多晶硅层的方法包括固相晶化(SPC)法、准分子激光晶化(ELC)法、金属诱导晶化(MIC)法和金属诱导横向晶化(MILC)法。在SPC法中，在大约700℃或更低的温度(即，显示装置的玻璃基底的转变温度)下将非晶硅层退火几小时至几十小时。在ELC法中，将准分子激光照射到非晶硅层上，从而在非常短的时间段内将被照射的部分局部加热到高温，从而非晶硅层被晶化。在MIC法中，将金属例如镍、钯、金、铝等放置为与非晶硅层接触或者注入到非晶硅层中，从而非晶硅层被转变为多晶硅层，即，通过金属来诱导非晶硅的相变。在MILC法中，通过金属与硅反应产生的硅化物横向地并且连续地扩散，从而诱导非晶硅层的晶化。
然而，SPC法需要长时间，并且长时间在高温下执行退火工艺，这会使基底变形。另外，在ELC法中，需要价格昂贵的激光装置，并且在多晶表面上会形成突起，从而半导体层和栅极绝缘层之间的界面特性会劣化。
当前，由于可以在低温下并且利用比SPC法所需时间短的时间实现晶化，所以对利用金属晶化非晶硅层的方法进行了积极的研究。利用金属晶化非晶硅层的方法包括MIC法、MILC法和超颗粒硅晶化法。
同时，在OLED中形成电容器，并且具有高电容的电容器会对OLED的操作有利。因此，需要研究如何提高电容器的电容。
发明内容
本发明的方面提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法，其中，通过以简单的方式增加电容器的表面面积来增加电容器的电容。
根据本发明的方面，OLED显示装置包括：基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；缓冲层，设置在所述基底上；图案化的半导体层，设置在薄膜晶体管区域中的缓冲层上；栅极绝缘层，设置在基底上，以覆盖图案化的半导体层；栅电极，设置在栅极绝缘层上并且面对图案化的半导体层的预定区域；下电容器电极，设置在电容器区域中的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在基底上，以覆盖栅电极和下电容器电极；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上并且电连接到图案化的半导体层；上电容器电极，设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极；第一电极，设置在层间绝缘层上并且电连接到源电极和漏电极中的一个；包括发光层的有机层，设置在第一电极上；第二电极，设置在有机层上，其中，设置在基底的电容器区域中的缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有形成有突起的表面，所述突起跟随图案化的半导体层的晶界的形状。
根据本发明的方面，一种制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有薄膜晶体管区域和电容器区域的基底；在基底上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；在非晶硅层上形成金属催化剂层；将基底退火，以将非晶硅层晶化为多晶硅层；去除金属催化剂层；在将多晶硅层图案化以在薄膜晶体管区域中形成半导体层的同时，在半导体层中形成突起；在基底上形成栅极绝缘层，以覆盖半导体层；在栅极绝缘层上形成栅电极，并面对半导体层的预定区域；在电容器区域中的栅极绝缘层上形成下电容器电极；在基底上形成层间绝缘层，以覆盖栅电极和下电容器电极；在层间绝缘层上形成电连接到半导体层的源电极和漏电极；在层间绝缘层上形成上电容器电极，并面对下电容器电极；在层间绝缘层上形成第一电极，第一电极电连接到半导体层的源区和漏区中的一个；在第一电极上形成包括发光层的有机层；在有机层上形成第二电极。
根据本发明的方面，OLED显示装置包括：基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；缓冲层，设置在基底上，缓冲层在电容器区域中具有远离基底从缓冲层延伸的突起；电容器，设置在电容器区域中的缓冲层上，其中，电容器跟随缓冲层的突起的形状。
根据本发明的方面，一种制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有薄膜晶体管区域和电容器区域的基底；在基底上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；将非晶硅层晶化，从而形成具有晶界的多晶硅层；在将多晶硅层图案化来形成半导体层的同时，在缓冲层的邻近多晶硅层的晶界的部分中形成突起，所述半导体层设置在薄膜晶体管区域中；在电容器区域中的栅极绝缘层上形成下电容器电极，下电容器电极具有与缓冲层的突起对应的突起；在基底上形成层间绝缘层，以至少覆盖下电容器电极，层间绝缘层具有与下电容器电极的突起对应的突起；在层间绝缘层上形成上电容器电极，并面对下电容器电极，上电容器电极具有与层间绝缘层的突起对应的突起。
根据本发明的方面，一种制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上形成缓冲层；在缓冲层的部分中形成突起；在栅极绝缘层上形成下电容器电极，下电容器电极具有与缓冲层的突起对应的突起；在基底上形成层间绝缘层，以至少覆盖下电容器电极，层间绝缘层具有与下电容器电极的突起对应的突起；在层间绝缘层上形成上电容器电极，并面对下电容器电极，上电容器电极具有与层间绝缘层的突起对应的突起。
本发明的其它方面和/或优点将在下面的描述中提到，部分将通过描述而明显，或者可以通过本发明的实践而获知。
附图说明
下面通过结合附图对实施例进行描述，本发明的这些和/或其它方面及优点将变得清楚和更容易理解，在附图中：
图1A至图1G示出了根据本发明示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示装置的制造；
图2是示出根据本发明示例性实施例的从缓冲层去除了多晶硅层的缓冲层的表面的照片。
具体实施方式
现在将对本发明的实施例进行详细地描述，附图中示出了本发明实施例的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。为了解释本发明，下面通过参照附图来描述实施例。在附图中，可以夸大层/区域的尺寸和比例，相同的标号表示相同的元件。将理解的是，当元件例如层、膜、区域或基底被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
图1A至图1G示出了根据本发明示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示装置的制造。参照图1A，制备包括薄膜晶体管区域a和电容器区域b的基底100，并且在基底100上形成缓冲层110。基底100可以由玻璃或塑料形成，可以利用化学气相沉积(CVD)法或物理气相沉积(PVD)法由单个绝缘层(例如氧化硅层和氮化硅层之一)或者氧化硅层和氮化硅层的堆叠的层形成缓冲层110。这里，缓冲层110可以用来防止潮气或杂质扩散进入基底100或者用来调节晶化过程中的传热速率，从而有助于随后形成的非晶硅层的晶化。
接着，参照图1B，在缓冲层110上形成非晶硅层120a。然后，在非晶硅层120a上形成扩散层123和金属催化剂层125。这里，可以通过CVD法或PVD法形成非晶硅层120a。另外，当形成非晶硅层120a时或者在形成非晶硅层120a之后，可执行脱氢工艺来降低氢的浓度。扩散层123可以由氮化硅层形成，并且扩散层123可以由氮化硅层和氧化硅层的堆叠的层形成其中，将在后续工艺中形成的金属催化剂在退火工艺中可以扩散穿过氮化硅层。扩散层123可以通过CVD法或PVD法形成。这里，扩散层123可以形成为
至
的厚度。当扩散层123形成为小于
的厚度时，扩散层123不能充分地控制扩散穿过扩散层123的金属催化剂的量。当扩散层123的厚度超过
时，扩散到非晶硅层120a的金属催化剂的量少，从而会难以将非晶硅层晶化为多晶硅层。
在扩散层123上沉积金属催化剂，从而形成金属催化剂层125。这里，金属催化剂从由Ni、Pd、Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cu、Tb和Cd组成的组中选择。例如，镍(Ni)可以用作金属催化剂。这里，可以采用1011原子/cm2至1015原子/cm2的面密度在扩散层123上形成金属催化剂层125。当采用小于1011原子/cm2的面密度来形成金属催化剂时，作为晶核的种子的量少，从而不能利用超颗粒硅(SGS)法将非晶硅层晶化为多晶硅层。另外，当采用大于1015原子/cm2的面密度来形成金属催化剂时，扩散到非晶硅层中的金属催化剂的量大，从而所得多晶硅层的晶粒小。此外，随着所得多晶硅层中剩余金属催化剂的量的增加，通过将多晶硅层图案化形成的半导体层的特性劣化。
如上所述，对其上形成有缓冲层110、非晶硅层120a、扩散层123和金属催化剂层125的基底100执行退火工艺，从而将金属催化剂层125的至少一部分金属催化剂移动到非晶硅层120a的表面。即，仅少量的金属催化剂穿过扩散层123扩散到非晶硅层120a的表面，大部分金属催化剂没有到达非晶硅层120a或者穿过扩散层123。
因此，根据扩散层123的扩散阻挡能力来确定到达非晶硅层120a的表面的金属催化剂的量，扩散层123的扩散阻挡能力与扩散层123的厚度密切相关。例如，随着扩散层123变厚，将被扩散的金属催化剂的量减少，从而颗粒尺寸增加。此外，随着扩散层变薄，将被扩散的金属催化剂的量增加，从而颗粒尺寸下降。
这里，在200℃至900℃(例如350℃至500℃)的温度下执行几秒至几个小时的退火工艺，从而使金属催化剂层125的金属催化剂扩散到非晶硅层120a。当在这种温度下执行这么长时间的退火工艺时，可以防止由于过度的退火工艺导致的基底变形，从而增加制造产率并且降低制造成本。可以利用炉子工艺、快速热退火(RTA)工艺、UV工艺以及激光工艺中的一种(即，这些工艺中的任何一种)来执行退火工艺。
在将非晶硅层120a晶化为多晶硅层之后，去除扩散层123和金属催化剂层125。参照图1C，将被晶化为多晶硅层的非晶硅层120a图案化，从而形成半导体层120。这里，可以利用干蚀刻来将多晶硅层图案化。
当利用干蚀刻将多晶硅层图案化为半导体层120时，不能从被蚀刻的缓冲层的表面完全去除晶界(通过金属催化剂晶化的多晶硅层的金属硅化物聚集在晶界上)和种子区域，而是留下突起A。因此，保留在缓冲层110上的突起A形成为与通过将非晶硅层晶化为多晶硅层而形成的晶界的形状相同的形状。另外，当由多晶硅层形成的半导体层120的晶粒尺寸大时，缓冲层上的突起A的频率降低，而当晶粒尺寸小时，突起A的频率增加。
图2是示出通过干蚀刻去除了由金属催化剂晶化的多晶硅层之后的缓冲层的表面的照片。参照图2，在缓冲层110上观察到形成厚度为
或更小的突起，突起的台阶差可以根据晶化条件和去除的多晶硅层的厚度而改变。
参照图1D，在其上形成有半导体层120的基底100的表面上形成栅极绝缘层130。栅极绝缘层130形成为覆盖半导体层120的至少一部分，以将半导体层120与随后形成的栅电极绝缘，或者栅极绝缘层130可以形成在基底100的整个表面上以覆盖半导体层120。栅极绝缘层130可以由氧化硅层、氮化硅层或者它们的组合形成，缓冲层的突起A导致栅极绝缘层130和下电容器电极145具有相同形状的突起A。
此后，铝(Al)或铝合金(例如铝-钕(Al-Nd))的单层或者铝合金堆叠在铬(Cr)或钼(Mo)合金上的多层被用来形成栅电极的金属层(未示出)。接着，利用光刻和蚀刻来蚀刻栅电极的金属层，从而在薄膜晶体管区域a中在半导体层120的预定区域处(即，半导体层120的沟道区)形成面对半导体层120的栅电极140，并且在电容器区域b中形成下电容器电极145。
因此，在下电容器电极145上形成突起，从而增加了电极的表面面积。结果，表面面积增加使得当完全形成电容器时电容器的电容增加。
参照图1E，在其上形成有栅电极140和下电容器电极145的基底100的表面上形成层间绝缘层150。层间绝缘层150可以形成为覆盖基底100的包括栅电极140和下电容器电极145的整个表面，或者可以形成为覆盖栅电极140和下电容器电极145中的每个的至少一部分。此后，在层间绝缘层的表面上形成用于源电极和漏电极(未示出)的金属层，然后图案化，从而形成设置在薄膜晶体管区域a中并且电连接到半导体层120的源电极160a和漏电极160b以及设置在电容器区域b上并且面对下电容器电极145的上电容器电极163。源电极160a和漏电极160b通过形成在层间绝缘层150和栅极绝缘层130中的通孔电连接到半导体层120的源区和漏区。此外，因为下电容器电极145和上电容器电极163跟随(follow)缓冲层110的突起A的形状并且具有增加的面积，所以所得电容器的电容增加。
层间绝缘层150可以由氮化硅层、氧化硅层或者它们的组合形成。此外，源电极160a、漏电极160b和上电容器电极163可以由从由钼(Mo)、铬(Cr)、钨(W)、钼-钨(MoW)、铝(Al)、铝-钕(Al-Nd)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铜(Cu)、Mo合金、Al合金和Cu合金组成的组中选择的一种形成。
随后，参照图1F，在基底的整个表面上形成保护层170之后，在保护层170上形成连接到薄膜晶体管区域a的源电极160a和漏电极160b之一的第一电极180。第一电极180通过形成在保护层170中的通孔连接到源电极160a和漏电极160b之一。
第一电极180可以形成为阳极或阴极。当第一电极180形成为阳极时，阳极可以由ITO、IZO或ITZO制成的透明导电层形成；当第一电极180形成为阴极时，阴极可以由Mg、Ca、Al、Ag、Ba或它们的合金形成。
参照图1G，在保护层170上形成具有至少部分暴露第一电极180的开口的像素限定层185。像素限定层185也可以形成为覆盖第一电极180的至少一部分。在暴露的第一电极180上形成包括发光层的有机层190。有机层190可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子注入层和电子传输层。在有机层190上形成第二电极195。结果，完成了根据本发明示例实施例的OLED显示装置。
尽管描述了利用SGS法晶化的多晶硅层，但是利用金属催化剂执行晶化的MILC法和MIC法也可以用作晶化非晶硅层的方法，并且这些方法可以单独使用或者组合使用。
根据本发明的方面，利用金属催化剂将非晶硅晶化，从而形成由多晶硅层形成的半导体层。另外，由在晶化过程中留在硅层中的剩余金属以金属硅化物形式在缓冲层上形成的突起使缓冲层的表面面积增加。结果，OLED显示装置可以具有形成在缓冲层上的增加了电容的电容器。
尽管已经示出和描述了本发明的几个实施例，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以对这个实施例进行改变，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (30)
1.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：
基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；
缓冲层，设置在所述基底上；
图案化的半导体层，设置在基底的薄膜晶体管区域中的缓冲层上；
栅极绝缘层，设置在基底上，以覆盖图案化的半导体层；
栅电极，设置在栅极绝缘层上并且面对图案化的半导体层的预定区域；
下电容器电极，设置在电容器区域中的栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设置在基底上，以覆盖栅电极和下电容器电极；
源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上并且电连接到图案化的半导体层；
上电容器电极，设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极；
第一电极，设置在层间绝缘层上并且电连接到源电极和漏电极中的一个；
有机层，设置在第一电极上，所述有机层包括发光层；
第二电极，设置在有机层上，
其中，设置在基底的电容器区域中的缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有形成有突起的表面，所述突起跟随图案化的半导体层的晶界的形状。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，栅电极由单层铝、单层铝合金、铬合金和铝合金的多层、钼合金和铝合金的多层中的一种形成。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，下电容器电极由与栅电极相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述突起设置在缓冲层中除了缓冲层上形成有半导体层的部分之外的部分中。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，缓冲层由氧化硅层、氮化硅层或者它们的堆叠层形成。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，靠近所述突起，缓冲层具有较高浓度的金属硅化物。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，上电容器电极由与源电极和漏电极相同的材料形成。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，上电容器电极由从钼、铬、钨、钼-钨、铝、铝-钕、钛、氮化钛、铜、钼合金、铝合金和铜合金组成的组中选择的一种形成。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，当半导体层的晶粒尺寸减小时，缓冲层具有更多的突起。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述突起还形成在将图案化的半导体层图案化之前设置图案化的半导体层的晶化种子的位置。
11.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
形成具有薄膜晶体管区域和电容器区域的基底；
在基底上形成缓冲层；
在缓冲层上形成非晶硅层；
在非晶硅层上形成金属催化剂层；
将基底退火，以将非晶硅层晶化为多晶硅层；
去除金属催化剂层；
在将多晶硅层图案化以在薄膜晶体管区域中形成半导体层的同时，在半导体层中形成突起；
在基底上形成栅极绝缘层，以覆盖半导体层；
在栅极绝缘层上形成栅电极，以面对半导体层的预定区域；
在电容器区域中在栅极绝缘层上形成下电容器电极；
在基底上形成层间绝缘层，以覆盖栅电极和下电容器电极；
在层间绝缘层上形成电连接到半导体层的源电极和漏电极；
在层间绝缘层上形成上电容器电极，以面对下电容器电极；
在层间绝缘层上形成第一电极，第一电极电连接到半导体层的源区和漏区中的一个；
在第一电极上形成有机层，有机层包括发光层；
在有机层上形成第二电极。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，缓冲层由氧化硅层或氮化硅层形成。
13.根据权利要求11所述的方法，还包括以下步骤：
在非晶硅层上形成扩散层，
其中，在形成金属催化剂层之后执行退火。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，栅电极和下电容器电极由相同的材料形成。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，通过干蚀刻将半导体层图案化。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，下电容器电极和栅电极通过同时进行图案化来形成。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，上电容器电极和源电极、漏电极通过同时进行图案化来形成。
18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述突起形成在缓冲层中除了缓冲层上形成有半导体层的部分之外的部分中。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述突起跟随多晶硅层的晶界的形状。
20.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：
基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；
缓冲层，设置在基底上，缓冲层在电容器区域中具有远离基底从缓冲层延伸的突起；
电容器，设置在电容器区域中的缓冲层上，
其中，电容器跟随缓冲层的突起的形状。
21.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述突起从缓冲层的表面延伸
或更小的高度。
22.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示装置，还包括：
半导体层，设置在薄膜晶体管区域中的缓冲层上，
其中，所述突起形成在缓冲层中除了缓冲层上形成有半导体层的部分之外的部分中。
23.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述电容器包括：
第一电极，设置在缓冲层上；
层间绝缘层，设置在第一电极上；
第二电极，设置在层间绝缘层上，
其中，第一电极和第二电极跟随缓冲层的突起的形状。
24.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示装置，还包括在缓冲层和电容器之间设置在缓冲层上的栅极绝缘层。
25.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示装置，其中，靠近所述突起，缓冲层具有较高浓度的金属硅化物。
26.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
形成具有薄膜晶体管区域和电容器区域的基底；
在基底上形成缓冲层；
在缓冲层上形成非晶硅层；
将非晶硅层晶化，从而形成具有晶界的多晶硅层；
在将多晶硅层图案化来形成半导体层的同时，在缓冲层的邻近多晶硅层的晶界的部分中形成突起，所述半导体层设置在薄膜晶体管区域中；
在电容器区域中的栅极绝缘层上形成下电容器电极，下电容器电极具有与缓冲层的突起对应的突起；
在基底上形成层间绝缘层，以至少覆盖下电容器电极，层间绝缘层具有与下电容器电极的突起对应的突起；
在层间绝缘层上形成上电容器电极，以面对下电容器电极，上电容器电极具有与层间绝缘层的突起对应的突起。
27.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成缓冲层；
在缓冲层的部分中形成突起；
在栅极绝缘层上形成下电容器电极，下电容器电极具有与缓冲层的突起对应的突起；
在基底上形成层间绝缘层，以至少覆盖下电容器电极，层间绝缘层具有与下电容器电极的突起对应的突起；
在层间绝缘层上形成上电容器电极，以面对下电容器电极，上电容器电极具有与层间绝缘层的突起对应的突起。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，形成所述突起的步骤包括：
将设置在缓冲层上的多晶硅层图案化。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，通过干蚀刻方法将多晶硅层图案化。
30.根据权利要求28所述的方法，其中，在将多晶硅层图案化之后在多晶硅层的晶界的位置附近形成突起。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090018200A KR101041141B1 (ko) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR10-2009-0018200 | 2009-03-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101826548A true CN101826548A (zh) | 2010-09-08 |
| CN101826548B CN101826548B (zh) | 2012-10-24 |
Family
ID=42235340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010101239740A Active CN101826548B (zh) | 2009-03-03 | 2010-02-26 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8409887B2 (zh) |
| EP (1) | EP2226845B1 (zh) |
| JP (1) | JP5399298B2 (zh) |
| KR (1) | KR101041141B1 (zh) |
| CN (1) | CN101826548B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105097835A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-11-25 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN105789319A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-20 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN109473456A (zh) * | 2017-09-08 | 2019-03-15 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| US11063105B2 (en) | 2019-10-31 | 2021-07-13 | Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Display panel and fabrication method, and display device |
| CN113690253A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板 |
| CN113764497A (zh) * | 2015-05-12 | 2021-12-07 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120042143A (ko) * | 2010-10-22 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101781532B1 (ko) * | 2011-03-14 | 2017-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 그 제조방법 |
| JP6019329B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-11-02 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および電子機器 |
| KR101847910B1 (ko) | 2011-05-26 | 2018-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 픽셀부 요철간 간격 조절방법 및 이를 이용한 표시장치 제조방법 |
| KR101860859B1 (ko) | 2011-06-13 | 2018-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조된 박막트랜지스터, 유기발광표시장치의 제조방법, 및 상기 방법에 의해 제조된 유기발광표시장치 |
| KR20120138168A (ko) * | 2011-06-14 | 2012-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
| KR101901361B1 (ko) * | 2011-12-02 | 2018-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 다결정 실리콘층의 제조 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 형성방법 |
| KR101903445B1 (ko) * | 2012-01-10 | 2018-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101887082B1 (ko) * | 2012-04-05 | 2018-08-13 | 한국전자통신연구원 | 유기발광다이오드 소자 및 그 제조 방법 |
| US8658444B2 (en) * | 2012-05-16 | 2014-02-25 | International Business Machines Corporation | Semiconductor active matrix on buried insulator |
| KR20150043890A (ko) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102253966B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2021-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치, 이의 제조방법 및 검사방법 |
| KR102257978B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2021-05-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102441558B1 (ko) * | 2015-04-07 | 2022-09-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102716398B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2024-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20180038600A (ko) * | 2016-10-06 | 2018-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102531126B1 (ko) | 2017-06-14 | 2023-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 단위 화소 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| KR20200050093A (ko) | 2018-10-31 | 2020-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102711211B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2024-09-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 트랜지스터, 패널 및 전자장치 |
| KR20220060007A (ko) * | 2020-11-02 | 2022-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 잉크, 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713196A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-17 | Toshiba Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
| CN1779985A (zh) * | 2004-10-29 | 2006-05-31 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法 |
| KR20060058934A (ko) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (84)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333868A (ja) | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Nec Corp | Ｍｉｓ型電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS63304668A (ja) | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Fujitsu Ltd | 絶縁ゲ−ト型トランジスタの製造方法 |
| JP2617950B2 (ja) | 1987-10-16 | 1997-06-11 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH04135161A (ja) | 1990-09-21 | 1992-05-08 | Ietatsu Ono | 研磨方法とその研磨加工装置 |
| JP3076119B2 (ja) | 1991-12-25 | 2000-08-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の製造方法 |
| EP0589049B1 (en) * | 1992-03-25 | 2000-01-12 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Thin polysilicon film and production thereof |
| JPH0669515A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP3139154B2 (ja) * | 1992-08-19 | 2001-02-26 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及びその製造方法 |
| JP3107941B2 (ja) | 1993-03-05 | 2000-11-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタおよびその作製方法 |
| KR100294026B1 (ko) * | 1993-06-24 | 2001-09-17 | 야마자끼 순페이 | 전기광학장치 |
| US7081938B1 (en) | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
| JPH0845850A (ja) | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドープト多結晶半導体薄膜の成長方法 |
| JP3295679B2 (ja) | 1995-08-04 | 2002-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP3143591B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| JP3476320B2 (ja) | 1996-02-23 | 2003-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法 |
| TW317643B (zh) | 1996-02-23 | 1997-10-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| KR100205523B1 (ko) | 1996-04-08 | 1999-07-01 | 구자홍 | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JPH1174536A (ja) * | 1997-01-09 | 1999-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000031488A (ja) * | 1997-08-26 | 2000-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR20000055877A (ko) | 1999-02-10 | 2000-09-15 | 장진 | 니켈이 포함된 다결정 실리콘 |
| KR100317638B1 (ko) | 1999-03-19 | 2001-12-22 | 구본준, 론 위라하디락사 | 폴리실리콘 박막트랜지스터 소자 및 그 제조방법 |
| US6878968B1 (en) * | 1999-05-10 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP3706527B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2005-10-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | 電子線描画用マスクブランクス、電子線描画用マスクおよび電子線描画用マスクの製造方法 |
| JP3715848B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2005-11-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6294442B1 (en) * | 1999-12-10 | 2001-09-25 | National Semiconductor Corporation | Method for the formation of a polysilicon layer with a controlled, small silicon grain size during semiconductor device fabrication |
| JP4200618B2 (ja) | 1999-12-27 | 2008-12-24 | ソニー株式会社 | 半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法 |
| GB2358081B (en) * | 2000-01-07 | 2004-02-18 | Seiko Epson Corp | A thin-film transistor and a method for maufacturing thereof |
| KR100450595B1 (ko) | 2000-02-09 | 2004-09-30 | 히다찌 케이블 리미티드 | 결정실리콘 반도체장치 및 그 장치의 제조방법 |
| JP4769997B2 (ja) | 2000-04-06 | 2011-09-07 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法 |
| JP2001337348A (ja) | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | アレイ基板およびその製造方法 |
| KR100387122B1 (ko) | 2000-09-15 | 2003-06-12 | 피티플러스(주) | 백 바이어스 효과를 갖는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| JP4267266B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2009-05-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2003060209A (ja) | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2003100629A (ja) | 2001-09-19 | 2003-04-04 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4135347B2 (ja) | 2001-10-02 | 2008-08-20 | 株式会社日立製作所 | ポリシリコン膜生成方法 |
| JP2003188098A (ja) | 2001-12-13 | 2003-07-04 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6933527B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device production system |
| TW536716B (en) * | 2002-07-04 | 2003-06-11 | Ind Tech Res Inst | Capacitor structure of low temperature polysilicon |
| JP4092261B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2008-05-28 | 三星エスディアイ株式会社 | 基板の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| KR100603284B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 캐페시턴스가 증가된 전계발광 디스플레이 패널 |
| KR20040036761A (ko) | 2002-10-24 | 2004-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학기상증착법에 의한 실리콘 증착방법 |
| KR100470274B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2005-02-05 | 진 장 | 덮개층을 이용한 비정질 물질의 상 변화 방법 |
| JP4115252B2 (ja) | 2002-11-08 | 2008-07-09 | シャープ株式会社 | 半導体膜およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法 |
| TWI305681B (en) | 2002-11-22 | 2009-01-21 | Toppoly Optoelectronics Corp | Method for fabricating thin film transistor array and driving circuits |
| JP3904512B2 (ja) | 2002-12-24 | 2007-04-11 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置を備えた電子機器 |
| JP4059095B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 相補型薄膜トランジスタ回路、電気光学装置、電子機器 |
| TW200520229A (en) | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Toppoly Optoelectronics Corp | Thin film transistor of multi-gate structure and its manufacturing method |
| US7238963B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-07-03 | Tpo Displays Corp. | Self-aligned LDD thin-film transistor and method of fabricating the same |
| KR20040098958A (ko) | 2003-05-16 | 2004-11-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| US7358165B2 (en) * | 2003-07-31 | 2008-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP4578877B2 (ja) | 2003-07-31 | 2010-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| KR100623228B1 (ko) | 2003-11-27 | 2006-09-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터를 구비하는유기전계발광표시장치 및 상기 박막트랜지스터의 제조방법 |
| KR100579188B1 (ko) | 2004-02-12 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 엘디디 구조를 갖는 박막트랜지스터 |
| US8114719B2 (en) | 2004-06-03 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and manufacturing method of the same |
| KR100600874B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2006-07-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| KR100626007B1 (ko) | 2004-06-30 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치, 및 이평판표시장치의 제조방법 |
| KR100611659B1 (ko) | 2004-07-07 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| KR100611764B1 (ko) | 2004-08-20 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| KR100611766B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 제조 방법 |
| US7416928B2 (en) * | 2004-09-08 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| KR100628989B1 (ko) | 2004-09-17 | 2006-09-27 | 진 장 | 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
| KR20060026776A (ko) * | 2004-09-21 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| CN101156233B (zh) * | 2005-03-31 | 2010-12-08 | 东京毅力科创株式会社 | 氧化硅膜的制造方法和等离子体处理装置 |
| US7341907B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-03-11 | Applied Materials, Inc. | Single wafer thermal CVD processes for hemispherical grained silicon and nano-crystalline grain-sized polysilicon |
| US7652291B2 (en) | 2005-05-28 | 2010-01-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display |
| TWI401802B (zh) | 2005-06-30 | 2013-07-11 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜電晶體板及其製造方法 |
| JP2007027202A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Sharp Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| JP2007035812A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 多結晶シリコン膜の製造方法および薄膜トランジスタ |
| JP4815600B2 (ja) | 2005-09-06 | 2011-11-16 | 株式会社テラセミコン | 多結晶シリコン薄膜製造方法及びその製造装置 |
| KR100778781B1 (ko) | 2005-12-16 | 2007-11-27 | 주식회사 테라세미콘 | 다결정 실리콘 박막 제조방법 및 그 제조장치 |
| EP1966820A2 (en) * | 2005-12-19 | 2008-09-10 | Nxp B.V. | Source and drain formation in silicon on insulator device |
| KR20070076860A (ko) * | 2006-01-20 | 2007-07-25 | 삼성전자주식회사 | 유기발광 디스플레이 및 그 제조방법 |
| TWI296855B (en) | 2006-03-07 | 2008-05-11 | Au Optronics Corp | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| KR100770269B1 (ko) | 2006-05-18 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
| KR101270168B1 (ko) | 2006-09-19 | 2013-05-31 | 삼성전자주식회사 | 유기 전자발광디스플레이 및 그 제조방법 |
| KR100770266B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100864883B1 (ko) | 2006-12-28 | 2008-10-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치. |
| KR100864884B1 (ko) | 2006-12-28 | 2008-10-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 |
| KR100839735B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 평판 표시장치 |
| KR100889626B1 (ko) * | 2007-08-22 | 2009-03-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 이를 구비한유기전계발광표시장치, 및 그의 제조방법 |
| JP2009059940A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び、電子装置 |
| KR20080086967A (ko) | 2008-08-28 | 2008-09-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계발광표시장치 |
| KR101049799B1 (ko) | 2009-03-03 | 2011-07-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 |
| KR101015849B1 (ko) | 2009-03-03 | 2011-02-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 |
-
2009
- 2009-03-03 KR KR1020090018200A patent/KR101041141B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-02-24 EP EP10154502.8A patent/EP2226845B1/en active Active
- 2010-02-26 CN CN2010101239740A patent/CN101826548B/zh active Active
- 2010-02-26 US US12/713,846 patent/US8409887B2/en active Active
- 2010-03-01 JP JP2010044020A patent/JP5399298B2/ja active Active
-
2013
- 2013-03-15 US US13/841,121 patent/US9035311B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713196A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-17 | Toshiba Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
| CN1779985A (zh) * | 2004-10-29 | 2006-05-31 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法 |
| KR20060058934A (ko) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105789319A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-20 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN105789319B (zh) * | 2014-12-26 | 2020-05-01 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN113764497A (zh) * | 2015-05-12 | 2021-12-07 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN105097835A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-11-25 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN109473456A (zh) * | 2017-09-08 | 2019-03-15 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| CN109473456B (zh) * | 2017-09-08 | 2023-08-01 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| US11063105B2 (en) | 2019-10-31 | 2021-07-13 | Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Display panel and fabrication method, and display device |
| CN113690253A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8409887B2 (en) | 2013-04-02 |
| US20130228760A1 (en) | 2013-09-05 |
| EP2226845B1 (en) | 2018-04-11 |
| JP2010206200A (ja) | 2010-09-16 |
| JP5399298B2 (ja) | 2014-01-29 |
| US20100224881A1 (en) | 2010-09-09 |
| EP2226845A2 (en) | 2010-09-08 |
| KR20100099617A (ko) | 2010-09-13 |
| CN101826548B (zh) | 2012-10-24 |
| EP2226845A3 (en) | 2014-04-02 |
| US9035311B2 (en) | 2015-05-19 |
| KR101041141B1 (ko) | 2011-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101826548B (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
| JP5090253B2 (ja) | 多結晶シリコン層の製造方法、これを利用して形成された薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機電界発光表示装置 | |
| CN101373792B (zh) | 薄膜晶体管、有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
| KR100864884B1 (ko) | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 | |
| CN101826555B (zh) | 薄膜晶体管、制造方法及有机发光二极管显示装置 | |
| JP2009004770A (ja) | 多結晶シリコン層の製造方法、これを用いて形成した薄膜トランジスタ、その製造方法、並びに、これを備えた有機電界発光表示装置 | |
| CN101556968B (zh) | 薄膜晶体管和其制造方法以及有机发光二极管显示装置 | |
| KR20090020287A (ko) | 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 | |
| CN101771087B (zh) | 薄膜晶体管、其制备方法及有机发光二极管显示设备 | |
| KR20090081965A (ko) | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 | |
| US8623720B2 (en) | Method of fabricating a thin film transistor from amorphous silicon and organic light emitting diode display device having the thin film transistor | |
| CN101771086B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法和有机发光二极管显示装置 | |
| KR20100078861A (ko) | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20121105 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20121105 Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin Patentee after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |