CN101657874A - 电路保护元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种电路保护元件及其制造方法。本发明的电路保护元件具有：绝缘基板(11)；设于绝缘基板(11)的两端部的一对上面电极(12)；以将一对上面电极(12)跨接的方式形成且与一对上面电极(12)电连接的元件部(13)；设于元件部(13)与绝缘基板(11)之间的基底层(14)；覆盖元件部(13)设置的绝缘层(15)，通过由硅藻土和硅树脂的混合物构成基底层(14)，实现熔断特性的稳定化。

Description

电路保护元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及过电流流过时熔断而保护各种电子设备的电路保护元件以及制造方法。
背景技术
如图9所示，现有的这种电路保护元件具有绝缘基板1、设于该绝缘基板的上表面两端部的一对上面电极2、形成于绝缘基板1的上表面的由环氧树脂构成的基底层3。另外，在该基底层3的上表面设有与一对上面电极2电连接的元件部4、覆盖该元件部4而设置的绝缘层5、形成于绝缘基板1的两端面的一对端面电极层6(专利文献1)。
但是，在上述现有的电路保护元件的构成中，由于基底层3由耐热性低的环氧树脂形成，故而利用激光在元件部4形成切槽时，由于激光的热量而使基底层3的形状变得不稳定。由此，元件部4的形状也有不稳定的情况，故而具有熔断特性波动的问题。
专利文献1：(日本)特开平5-225892号公报
发明内容
本发明为了解决上述现有课题而作出的，提供一种能够使熔断特性稳定化的电路保护元件。
本发明的电路保护元件，包括：绝缘基板；一对上面电极，其设置在所述绝缘基板的两端部；基底层，其在绝缘基板的上表面与一对上面电极连接而设置；元件部，其覆盖基底层并且将一对上面电极跨接而形成，与一对上面电极电连接；绝缘层，其覆盖元件部而设置，由硅藻土和硅树脂的混合物构成基底层。
根据该结构，由于构成基底层的硅藻土以及硅树脂的耐热性优良，故而即使利用激光在元件部形成切槽，也不会由于激光的热量而使得基底层的形状变得不稳定。由于元件部的形状稳定，故而能够使熔断特性稳定化。
附图说明
图1是本发明一实施方式的电路保护元件的剖面图；
图2是本发明一实施方式的电路保护元件的主要部分的俯视图；
图3A是表示本发明一实施方式的电路保护元件的制造方法的一部分的俯视图；
图3B是表示本发明一实施方式的电路保护元件的制造方法的一部分的俯视图；
图4A是表示本发明一实施方式的电路保护元件的制造方法的一部分的俯视图；
图4B是表示本发明一实施方式的电路保护元件的制造方法的一部分的俯视图；
图5是表示本发明一实施方式的电路保护元件的其他例的部分剖切俯视图；
图6是本发明一实施方式的图5的6-6线剖面图；
图7A是表示本发明一实施方式的电路保护元件的制造方法的一部分的局部剖切俯视图；
图7B是表示本发明一实施方式的电路保护元件的制造方法的一部分的局部剖切俯视图；
图8A是表示本发明一实施方式的电路保护元件的制造方法的一部分的局部剖切俯视图；
图8B是表示本发明一实施方式的电路保护元件的制造方法的一部分的局部剖切俯视图；
图9是现有的电路保护元件的剖面图。
附图标记说明
11  绝缘基板
12  上面电极
13  元件部
13a 第一元件部
13b 第二元件部
14  基底层
15  绝缘层
15a 第一绝缘层
15b 第二绝缘层
16  端面电极
17  切槽(トリミング溝)
18  熔断部
21  片状绝缘基板
22a、22b  分割槽
23  虚设电极
23a 横向虚设部
23b 纵向虚设部
24  部分
25a、25b  熔断部形成用切槽
26a、26b、26c、26d、26e、26f  电阻值调节用切槽
27  贯通槽(ォ一プンカッド溝)
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明一实施方式的电路保护元件。
图1是本发明一实施方式的电路保护元件的剖面图。图2是同一电路保护元件的主要部分的俯视图。
如图1、图2所示，本发明一实施方式的电路保护元件包括绝缘基板11、设于该绝缘基板11上表面的两端部的一对上面电极12。在绝缘基板11的上表面设有基底层14，该基底层14与一对上面电极12连接。基底层14由将硅藻土和硅树脂混合的混合物构成。元件部13覆盖基底层14，将该一对上面电极12跨接而形成，并且与一对上面电极12电连接。元件部13由第一元件部13a(薄膜层)和第二元件部13b(镀敷层)构成。在元件部13形成有切槽(トリミング溝)17。由此，元件部13形成曲折形状。另外，覆盖元件部13而设有绝缘层15。
在上述构成中，绝缘基板11的形状为方形，并且含有55％～96％的Al2O3而构成。一对上面电极12设置在绝缘基板11上表面的两端部，并且通过印刷Ag等而形成。元件部13覆盖绝缘基板11整个面而设于基底层14以及一对上面电极12的上表面。
第一元件部13a通过依次溅射Ti、Cu或Cr、CuNi而形成。第二元件部13b设于第一元件部13a的上表面。第二元件部13b以第一元件部13a为镀核，通过依次电解镀敷或无电解镀敷Ni、Cu、Ag而形成。
另外，在元件部13的中心部，从相互相对的元件部13的侧面(纸面上下方向的边)朝向元件部13的中心方向，利用激光在两处形成切槽17。并且，在施加有过电流时，由该一对切槽17包围的区域成为熔化并断线的熔断部18。通过这样形成熔断部18而能够提高熔断部18的电流密度。因此，能够使熔断部18中的元件部13快速熔化。由此，能够制造响应性优良的电路保护元件。另外，通过形成切槽17而能够调节电阻值。
另外，如图2所示，元件部13以其侧部(纸面的上下方向的边)不突出到基底层14外侧的方式形成。通过该构成，能够防止元件部13接触绝缘基板11。因此，能够抑制元件13的热量向绝缘基板11内扩散。由此，能够制造响应性优良的电路保护元件。
另外，也可以至少覆盖熔断部18而形成融点比元件部13的融点低的Sn、Zn、Al等低融点金属。通过该构成，在施加有过电流时能够使低融点金属先熔化。因此，能够使熔断部18的元件部13早早地熔化。由此，能够制造响应性优良的电路保护元件。
在绝缘基板11的中央部设有基底层14。基底层14以其两端部与一对上面电极12的上表面重合的方式形成在绝缘基板11的大致整个上表面。此时，上面电极12的至少一部分露出。另外，无需使基底层14一定重合在上面电极12的上表面。但是，需要使元件部13不与绝缘基板11相接。即，基底层14设置在位于一对上面电极12之间的元件部13与绝缘基板11之间。
另外，基底层14由混合有硅藻土和硅树脂的混合物构成。硅藻土以及硅树脂的热传导率为0.2W/m·k以下。因此，能够抑制元件部13的热量向绝缘基板11内扩散。由此，能够制造响应性优良的电路保护元件。另外，该基底层14中硅藻土的混合比例为50～90体积％，理想的是，硅藻土的混合比例为55～70体积％。
硅藻土是墙面材料和隔热砖等的原料，是具有耐火性、具有超多孔、超细微构造的轻土。由于硅藻土具有耐火性，故而过电流流过时，即使元件部13成为高温，也能够使熔断特性稳定化。另外，由于过电流流过时元件部13成为高温，故而与硅藻土混合的树脂也需要具有耐火性。因此，硅树脂最为合适，耐火性差的环氧树脂等不适合。另外，由于硅藻土、硅树脂都能够低成本地获得，故而能够提高生产性。
另外，在构成基底层14的硅树脂中混合约1重量％的蓝色、红色等白色以外的颜料而进行着色处理。通常，由于含有氧化铝的绝缘基板为白色，在元件部13产生印刷不清(印刷かすれ)、缺损不良等形成不良时，不能够直接地识别。但是，如上述所述，在本实施方式中，由于对硅树脂实施着色处理，故而能够容易地识别、挑选出肉眼看到或外观自身上的形成不良。
另外，基底层14不仅形成在绝缘基板11的中央部，还可以形成在绝缘基板11的大致整个上表面，还可以在基底层14的两端部形成一对上面电极12。
另外，基底层14也可以在硅树脂中混合有氧化铝粉末而构成。根据该构成，由于硅树脂的热传导率为0.2W/m·k以下，故而能够抑制元件部13的热量向绝缘基板11内扩散。由此，能够制造响应性优良的电路保护元件。
此时，基底层14中的氧化铝粉末的混合比例为50～80体积％。并且，氧化铝粉末通过加热而能够牢固地与绝缘基板11中的氧化铝或二氧化硅结合。另外，硅树脂和构成绝缘基板11的氧化铝的粘接强度也强。由此，基底层14与绝缘基板11的紧密贴合性提高。
另外，在氧化铝粉末的混合比例大于80体积％时，通过氧化铝粉末增大基底层14的热传导率。因此，即使在元件部13流过过电流，元件部13的温度也不易增高。由此，熔断特性变差，另外，基底层14的触变性(チクソ性)变差。因此，从作业性来看不理想。另一方面，在小于50体积％的情况下，基底层14中的树脂比例增加。因此，由于由溅射形成第一元件部13a时的热量和应力而使基底层14的位置变动。由此，在第一元件部13a产生裂痕，不理想。
另外，混合在构成基底层14的硅树脂中的物质既可以是氧化铝粉末以外的二氧化硅粉末，也可以是氧化铝粉末和二氧化硅粉末二者。
绝缘层15覆盖元件部13而设置。绝缘层15包括：覆盖熔断部18的由硅等的树脂构成的第一绝缘层15a、设于第一绝缘层15a上表面的由环氧树脂等树脂构成的第二绝缘层15b。
另外，如图2所示，绝缘层15的一部分(绝缘层15的侧部)突出到基底层14的外侧而形成。即，在绝缘层15中央部的下方形成有元件部13、基底层4。在绝缘层15侧部的下方不形成元件部13、基底层14。通过该结构，由于绝缘层15的一部分与绝缘基板11直接相接，故而能够提高绝缘层15的紧密贴合性。
在绝缘基板11的两端部以与元件部13的一部分重合的方式形成有由银类的材料构成的端面电极层16。在该端面电极层16的表面形成有镀膜(未图示)。
接着，对本发明一实施方式的电路保护元件的制造方法进行说明。
在图3A中，首先，准备含有55％～96％的Al2O3的方形的片状绝缘基板21。在片状绝缘基板21的上表面具有多个纵向的分割槽22a以及多个横向的分割槽22b。被纵向的分割槽22a和横向的分割槽22b包围的部分为单片状的电路保护元件。另外，在图3A中，为了便于说明，分别形成有五个纵向的分割槽22a、多个横向的分割槽22b，但也可以是其他个数。
接着，跨越横向的分割槽22b而印刷银膏或以银为主要成分的银钯合金导体膏并进行烧成，由此形成多个上面电极12。在单片状的电路保护元件中，在绝缘基板11上表面的两端部形成一对上面电极12。
另外，形成四边框状的虚设电极23，该虚设电极23包围形成有上面电极12的区域而连续。该虚设电极23通过利用与上面电极12相同的材料、与上面电极12同时印刷而形成。并且，虚设电极23由一对横向虚设部23a和一对纵向虚设部23b构成。一对横向虚设部23a与多个上面电极12连接。另外，虚设电极23也可以在上面电极12形成之前或之后形成。
接着，如图3B所示，在绝缘基板11的上表面，以与上面电极12连接的方式印刷由有机溶剂、和将50～90体积％的硅藻土与硅树脂混合的混合物构成的膏。然后，在150℃～200℃左右的温度下固化并使有机溶剂蒸发，由此形成基底层14。此时，使上面电极12的至少一部分露出。
另外，由于混合有50～90体积％的硅藻土，故而通过溅射形成的元件部13的第一元件部13a(薄膜层)和基底层14的热收缩率的差异变小。其结果，不会由于溅射时产生的热量在第一元件部13a产生裂痕。其结果，元件部13和基底层14的位置稳定。因此，在利用激光形成有切槽17时，能够使切槽17的形成位置稳定。
另外，若对硅树脂着色蓝色等，即使元件部13的形成不良，也能够容易容易地识别、挑选出肉眼看到或外观自身上的形成不良。
另外，为了确保安装时的稳定性，在片状绝缘基板21的背面与上面电极12相对的位置，印刷银膏或以银为主要成分的银钯合金导体膏并进行烧成，由此形成背面电极(未图示)。
接着，如图4A所示，在基底层14以及一对上面电极12的上表面形成元件部13。另外，元件部13将一对上面电极12间跨接并与一对上面电极12电连接而构成。
元件部13由第一元件部13a和第二元件部13b构成。在图1中，按照Ti、Cu或Cr、CuNi的顺序在基底层14上以及上面电极12上进行溅射。由此，以不超过基底层14的宽度的方式设置第一元件部13a。然后，将第一元件部13a作为镀核而在第一元件部13a的上表面依次无电解镀敷或电极镀敷Ni、Cu、Ag，设置第二元件部13b。由此，形成元件部13。
另外，第一元件部13a一边自绝缘基板11(片状绝缘基板21)的基底层14侧加热一边进行溅射。由此，加热产生的热量蓄积在基底层14，故而溅射第一元件部13a的基底层14的温度能够保持在高温。由此，能够快速地形成第一元件部13a。另外，在电解镀敷形成第二元件部13b的情况下，虚设电极23的任意一处与供电部连接。由此，能够容易地形成第二元件部13b。另外，若无电解镀敷形成第二元件部13b，则能够同时在大量的单片状电路保护元件上形成第二元件部13b。
接着，如图4B所示，切削一对横向虚设部23a与多个上面电极12之间的部分24，使一对横向虚设部23a和多个上面电极12不导通而成为非导通状态。然后，测定一对上面电极12间的电阻值，在元件部13形成切槽17。其结果，在测定电阻值的一对电极12之外的电极上不流过电阻值测定时的电流，故而能够可靠地测定电阻值。此时，从相互相对的元件部13的侧面朝向元件部13的中心方向照射激光并切削，形成两处切槽17。由此，能够构成熔断部18，在被这两个切槽17包围的区域施加过电流时，熔断部18熔化而断线。
此时，如图5、图6所示，作为切槽17，也可以在元件部13形成熔断部形成用切槽25a、25b、电阻值调节用切槽26a～26f。
以下，对形成熔断部形成用切槽25a、25b、电阻值调节用切槽26a～26f时的切槽17的形成方法进行说明。
首先，测定一对上面电极12间的元件部13的电阻值。在该电阻值处于规定的电阻值范围内时，如图7A所示，从相互相对的元件部13的侧面朝向元件部13的中心方向利用激光切削元件部13的中心部的两处而形成一对熔断部形成用切槽(第一、第二熔断部形成用切槽)25a、25b。由此，在被这两个第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b包围的区域设置施加过电流时熔化并断线的熔断部18。
另外，该第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b相互搭接而形成。此时，由该搭接的距离与第一熔断部形成用切槽25a与第二熔断部形成用切槽26b的间隔、即由熔断部18的面积(体积)决定熔点特性。因此，若先形成第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b，熔断特性波动的可能性减少。并且，电阻值的调节只要通过在后续工序中进行的形成第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f而进行则没有问题。
另外，先测定元件部13的电阻值，仅在该电阻值处于规定的电阻值范围内的情况下，基于以下理由形成第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b。即，电路保护元件根据所希望的熔断特性、额定电流来决定熔断部18的面积。通过该面积自动地决定形成第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b的位置。另外，也自动地决定形成熔断部形成用切槽25a、25b后的元件部13的电阻值。即，并不是一边确认电阻值一边形成第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b。
在初始的元件部13的电阻值处于规定的电阻值范围外时，不能够在规定的位置形成第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b，不能够满足所希望的熔断特性、额定电流。
并且，在规定的电阻值范围外的情况下，如图7B所示，相对于元件部13的宽度方向大致平行地切入元件部13而形成贯通槽(ォ一プンカッド溝)27，元件部13成为开放状态。这是为了防止如下情况的发生，即，在规定电阻值的范围外且不形成第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b时的元件部13的电阻值接近完成品的规定电阻值时，虽然未形成熔断部18，但也判断为良品。
接着，测定形成熔断部形成用切槽25a、25b后的元件部13的电阻值。仅在该电阻值处于规定的电阻值的范围内的情况下，如图8A所示，在第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b两侧的元件部13，利用激光从相互相对的元件部13的侧面朝向元件部13的中心方向进行切削。然后，依次形成第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f。通过第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b和第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f将元件部13形成曲折形。
此时，从形成有第一熔断部形成用切槽25的相同的元件部13的侧面开始形成第一、第三、第五电阻值调节用切槽26a、26c、26e。另外，从形成有第二熔断部形成用切槽25b的相同的元件部13的侧面开始，形成第二、第四、第六电阻值调节用切槽26b、26d、26f。即，在第一熔断部形成用切槽25a的左侧，从接近第一熔断部形成用切槽25a开始，依次形成第二、第三、第六电阻值调节用切槽26b、26c、26f这三条。在第二熔断部形成用切槽26b的右侧，从接近第二熔断部形成用切槽25b开始，依次形成第一、第四、第五电阻值调节用切槽26a、26d、26e这三条。
另外，先测定形成熔断部形成用切槽25a、26b后的元件部13的电阻值，仅在该电阻值处于规定的电阻值的范围内的情况下，基于以下理由形成第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f。即，在元件部13的电阻值比规定的电阻值范围高时，元件部13的厚度变薄，因此不能够得到规定的熔断特性。需要将这样的、元件部13的厚度变薄、熔断特性差的元件部排除掉。另外，形成熔断部形成用切槽25a、25b后的元件部13的电阻值超过能够由第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f调节电阻值的范围时，无需形成第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f。
另外，在形成熔断部形成用切槽25a、25b后的元件部13的电阻值处于规定电阻值的范围外时，如图8B所示，也可以形成贯通槽27。
在此，长度方向的第一熔断部形成用切槽25a与第二熔断部形成用切槽25b之间的距离t1比第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f的前端部与相对的元件部13的侧面的距离t2短。另外，相邻的第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f各自间的距离、以及第一熔断部形成用切槽25a与第二电阻值调节用切槽26b的距离、以及第二熔断部形成用切槽25b与第一电阻值调节用切槽26a的距离设为t3时，所述距离t1与t3大致相同或距离t1比t3短。
通过形成上述的t1、t2、t3的关系，能够利用第一熔断部形成用切槽25a与第二熔断部形成用切槽25b之间的熔断部18可靠地熔断。
另外，在图8A中，将第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f的前端部设置在比元件部13的短边方向的中央部(图5的A-A线)更靠近相对的元件部13的侧面侧，但无需一定这样。另外，第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f的长度大致相同，但也可以使各自的长度不同。
如上所述，在形成切槽17(熔断部形成用切槽25a、25b、电阻值调节用切槽26a～26f)之后，至少覆盖熔断部18而形成硅树脂等，设置第一绝缘层15a。然后，在该第一绝缘层15a的上表面形成环氧树脂等而设置第二绝缘层15b，由此形成双层结构的绝缘层15。
接着，在绝缘基板11的两端部，以与元件部13的一部分重合的方式通过涂敷树脂银膏并使之固化而形成端面电极层16。另外，也可以通过溅射等薄膜工艺形成该端面电极层16。
最后，在所述端面电极层16的表面形成由镍和锡双层构造构成的镀膜(未图示)，制造本发明一实施方式的电路保护元件。
另外，也可以在形成第二元件部13b之前，在绝缘基板11(片状绝缘基板21)的背面、特别是背面电极贴附防止镀层附着的防镀层附着片(未图示)。由此，能够防止在绝缘基板11(片状绝缘基板21)的背面导通。此时，若利用镀液的温度贴附防镀层附着片，则能够不增加工序而提高防镀层附着片的紧密贴合性。即，形成第二元件部13b时，浸渍在镀敷液中。此时，通常将镀液加热到比常温高的温度进行镀敷(无电解、电解二者)，故而也同时将防镀层附着片加热。防镀层附着片通过加热而提高紧密贴合性。因此，若利用镀液的温度，则能够不另外使用加热装置即可提高紧密贴合性。
作为防镀层附着片，能够使用在聚氯乙烯膜等支承体形成粘接剂的片材，紧密贴合在绝缘基板11上且剥离操作容易，故而理想。
在上述本发明的一实施方式中，利用混合有耐热性优良的硅藻土和硅树脂的混合物构成基底层14。因此，即使利用激光在元件部13形成切槽17，也不会由于激光的热量而使基底层14的形状不稳定。由于元件部13的形状稳定，故而能够使熔断特性稳定化。
另外，硅树脂能够进入到硅藻土的粒子间，因此能够将基底层14牢固地固定。另外，由于大气中的水分、镀液不会浸入到基底层14，故而能够提高耐湿性。
另外，基底层14由将混合有50～90体积％(硅树脂为50～10体积％)的硅藻土、和硅树脂的混合物构成。因此，能够增强基底层14与绝缘基板11的粘接强度，并且能够提高成品率。
在此，对硅藻土的混合体积比例、基底层14与绝缘基板11的粘接强度以及第一元件部13a有无裂痕进行确认。首先，如下地确认基底层14与绝缘基板11的粘接强度。在印刷、固化后的基底层14之上一旦粘贴玻璃胶带纸，在之后剥下玻璃胶带纸时，确认基底层14是否与玻璃胶带纸一起被剥离。结果，判断基底层14未被剥离时、基底层14与绝缘基板11的粘接强度高。另外，在基底层14之上溅射Ti以及Cu而形成第一元件部13a。观察在第一元件部13a上是否产生裂痕。
结果，在构成基底层14的硅藻土和硅树脂的混合物中，硅藻土的混合玻璃为90体积％以下时，基底层14不从绝缘基板11剥离。但是，在大于90体积％时，基底层14被从绝缘基板11剥离。
另外，在硅藻土的混合比例为50体积％以上时，在第一元件部13a不产生裂痕。但是，在小于50体积％时，在第一元件部13a产生有裂痕。
若构成基底层14的硅藻土和硅树脂的混合物中硅树脂的混合比例提高，则硅树脂与构成绝缘基板11的氧化铝的粘接强度强，因此，能够提高基底层14与绝缘基板11的粘接强度。由此，即使不在1000℃以上的高温下烧成基底层14，也能够将基底层14与绝缘基板11粘接。
另外，若构成基底层14的硅藻土和硅树脂的混合物中硅树脂的混合比例提高，则通过溅射形成的第一元件部13a与基底层14的热收缩率的差异变小。因此，不会由于溅射时的发热、由于第一元件部13a与基底层14的热收缩率的不同、而在第一元件部13a上产生裂痕。由此，能够提高成品率。
另外，若由耐热性优良、且与含有氧化铝的绝缘基板11的紧密粘合性优良的硅树脂与氧化铝粉末、二氧化硅粉末构成基底层14，则即使利用激光在元件部13形成切槽17，也不会由于激光的热量而使基底层14的形状不稳定。由于元件部13的形状稳定，故而能够使熔断特性稳定化。
另外，由于硅树脂能够进入到氧化铝粉末、二氧化硅粉末的粒子之间，故而能够将基底层14牢固地固定。另外，由于大气中的水分、镀液不浸入到基底层14中，故而能够提高耐湿性。
另外，由于基底层14与绝缘基板11的粘接强度良好，故而即使不在1000℃以上的高温下烧成基底层14，也能够将基底层14与绝缘基板11粘接，在生产率方面是有利的。
在本实施方式中，在形成第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b之后，形成第一～第六电阻值调节用切槽26a～26f。因此，在调节元件部13的电阻值之前，能够对应于规定的熔断特性而形成第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b。由此，能够使熔断特性稳定化。
另外，元件部13由金属构成。因此，在利用激光形成第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b时，由于此时的热量，使得在熔断特性上具有重要意义的第一、第二熔断部形成用切槽25a、25b之间的熔断部的电阻值高于理论值。但是，如本实施方式那样，若在之后形成电阻值调节用切槽26a～26f来进行电阻值调节，则随着时间的经过，热量下降，熔断部18的电阻值接近理论值。因此，能够使熔断特性稳定化。
另外，由于电阻值由多个切槽25a、25b、26a～26f来调节，故而能够使电阻值稳定。
另外，在上述实施方式的电路保护元件的制造方法中，在第一熔断部形成用切槽25a的左侧和第二熔断部形成用切槽25b的右侧分别形成三个电阻值调节用切槽。但是，不必一定是三个。另外，也并不一定要左右形成相同数量。但是，在相同数量的情况下，由于能够提高熔断部18的温度，故而理想。
产业上的可利用性
本发明具有能够使熔断特性稳定化的效果，特别是在过电流流过时熔断而保护各种电子设备的电路保护元件等中是有用的。

Claims (20)

1.一种电路保护元件，包括：
绝缘基板；
一对上面电极，其设置在所述绝缘基板的两端部；
基底层，其在所述绝缘基板的上表面与所述一对上面电极连接而设置；
元件部，其覆盖所述基底层并且将所述一对上面电极跨接而形成，与所述一对上面电极电连接；
绝缘层，其覆盖所述元件部而设置，
由硅藻土和硅树脂的混合物构成所述基底层。
2.如权利要求1所述的电路保护元件，其中，构成所述基底层的硅藻土和硅树脂的混合物中，所述硅藻土的混合比例为50～90体积％。
3.如权利要求1所述的电路保护元件，其中，对构成所述基底层的硅树脂进行着色处理。
4.如权利要求1所述的电路保护元件，其中，使所述绝缘基板中含有氧化铝，并且利用在所述硅树脂中混合有氧化铝粉末以及二氧化硅粉末中的至少一种的混合物构成所述基底层。
5.如权利要求1所述的电路保护元件，其中，所述元件部的侧部不伸出到所述基底层的外侧。
6.如权利要求1所述的电路保护元件，其中，所述绝缘层的至少一部分向所述基底层的外侧伸出。
7.如权利要求1所述的电路保护元件，其中，通过在所述元件部形成多个切槽而在所述元件部设有熔断部。
8.如权利要求7所述的电路保护元件，其中，以至少覆盖所述熔断部的方式形成融点比所述元件部的融点低的低融点金属。
9.一种电路保护元件的制造方法，包括如下的步骤：
在绝缘基板的上表面的两端部形成一对上面电极；
以使所述上面电极的至少一部分露出的方式，在所述绝缘基板的上表面形成基底层，所述基底层由硅藻土和硅树脂的混合物构成；
在所述基底层的上表面形成将所述一对上面电极跨接并且与所述一对上面电极电连接的元件部；
通过激光在所述元件部形成一对熔断部形成用切槽以及多个电阻值调节用切槽，将所述元件部形成曲折形状；
以覆盖所述元件部的方式形成绝缘层，
在形成所述熔断部形成用切槽之后，形成电阻值调节用切槽。
10.如权利要求9所述的电路保护元件的制造方法，其中，使所述一对熔断部形成用切槽间的距离等于或小于相邻的所述电阻值调节用切槽间的距离以及所述熔断部形成用切槽与所述电阻值调节用切槽之间的距离。
11.如权利要求9所述的电路保护元件的制造方法，其中，仅在形成所述熔断部形成用切槽之前的所述元件部的电阻值处于规定电阻值的范围内的情况下，形成所述熔断部形成用切槽。
12.如权利要求9所述的电路保护元件的制造方法，其中，仅在形成所述熔断部形成用切槽之后的所述元件部的电阻值处于规定电阻值的范围内的情况下，形成所述电阻值调节用切槽。
13.如权利要求11所述的电路保护元件的制造方法，其中，在形成所述熔断部形成用切槽之前的所述元件部的电阻值处于规定电阻值的范围外的情况下，在所述元件部形成贯通槽。
14.一种电路保护元件的制造方法，包括如下的步骤：
在绝缘基板的上表面的两端部形成一对上面电极；
以使所述上面电极的至少一部分露出的方式，在所述绝缘基板的上表面形成基底层，所述基底层由硅藻土和硅树脂的混合物构成；
在所述基底层的上表面形成将所述一对上面电极跨接并且与所述一对上面电极电连接的元件部，
所述形成元件部的步骤包括：通过溅射法形成第一元件部的工序、和通过镀敷法在第一元件部的上表面形成第二元件部的工序。
15.一种电路保护元件的制造方法，包括如下的步骤：
以跨越具有多个纵向及横向的分割槽的片状绝缘基板的所述横向分割槽的方式形成多个上面电极；
以使所述上面电极的至少一部分露出的方式在所述片状绝缘基板的上表面形成基底层，所述基底层由硅藻土和硅树脂的混合物构成；
形成多个将所述一对上面电极跨接的第一元件部；
形成四边框形的虚设电极，所述虚设电极由一对横向虚设部和一对纵向虚设部构成，并且包围形成有所述上面电极及所述第一元件部的区域而连续；
通过电镀法在所述第一元件部的上表面形成第二元件部，
所述形成虚设电极的步骤中，将所述一对横向虚设部与所述多个上面电极连接，并且将所述虚设电极的任意一处与供电部连接。
16.如权利要求15所述的电路保护元件的制造方法，其中，使所述一对横向虚设部与多个上面电极之间非导通之后，测定所述一对上面电极间的电阻值，在所述第一元件部以及第二元件部形成切槽。
17.如权利要求14所述的电路保护元件的制造方法，其中，通过无电解镀敷法形成所述第二元件部。
18.如权利要求14所述的电路保护元件的制造方法，其中，一边从所述绝缘基板的基底层侧进行加热一边形成多个所述第一元件部。
19.如权利要求14所述的电路保护元件的制造方法，其中，在形成所述第二元件部之前，在所述绝缘基板的背面贴附用于防止镀层附着的防镀层附着片。
20.如权利要求19所述的电路保护元件的制造方法，其中，利用电镀液的温度贴附所述防镀层附着片。
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