CN101331625A - 用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆 - Google Patents
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- 239000002966 varnish Substances 0.000 title claims abstract description 242
- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 182
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 149
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 153
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 144
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 133
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 62
- -1 phenylene vinylidene, fluorenes Chemical class 0.000 claims description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 45
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 28
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 18
- CFQPVBJOKYSPKG-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylimidazol-2-one Chemical compound CN1C=CN(C)C1=O CFQPVBJOKYSPKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 16
- WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N isobutyramide Chemical compound CC(C)C(N)=O WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 14
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 14
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 14
- 125000004646 sulfenyl group Chemical group S(*)* 0.000 claims description 14
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 14
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 11
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 claims description 10
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- VIGMAPZYSWAUDT-UHFFFAOYSA-N N[SiH2]O Chemical group N[SiH2]O VIGMAPZYSWAUDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 7
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 5
- 150000000182 1,3,5-triazines Chemical class 0.000 claims description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 claims description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 claims description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 3
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RIYVKHUVXPAOPS-UHFFFAOYSA-N dithiine Chemical compound S1SC=CC=C1 RIYVKHUVXPAOPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 claims description 2
- PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[3-(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenylsilol-1-yl)propyl]azanium;iodide Chemical compound [I-].C[N+](C)(C)CCC[Si]1(C)C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 194
- 239000002585 base Substances 0.000 description 118
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 81
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 71
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 42
- YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 5-sulfosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(S(O)(=O)=O)=CC=C1O YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 41
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 37
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 37
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 description 23
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 18
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 5
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 5
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 5
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WWUVJRULCWHUSA-UHFFFAOYSA-N 2MP Natural products CCCC(C)=C WWUVJRULCWHUSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical class C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHBDYSQFYXPXCB-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexyl-2H-pyrrol-3-one Chemical compound C1=CC(=O)CN1C1CCCCC1 GHBDYSQFYXPXCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBJVOEYQTFVUPC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxine-3-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(S(=O)(=O)O)COC2=C1 HBJVOEYQTFVUPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHNNAWXXUZQSNM-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-1-ene Chemical compound CCC(C)=C MHNNAWXXUZQSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical class CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZMINLSVARCSL-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-3,6-dioxocyclohexa-1,4-diene-1,2-dicarbonitrile Chemical class ClC1=CC(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O AQZMINLSVARCSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 4-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n-bis[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 description 1
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDDYZBALTSRZPD-UHFFFAOYSA-N NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 HDDYZBALTSRZPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- YENIOYBTCIZCBJ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;1-methoxypropan-2-ol Chemical class CC(O)=O.COCC(C)O YENIOYBTCIZCBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMNXWYXIJAUZIW-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,4-dimethylpentan-3-one Chemical class CC(O)=O.CC(C)C(=O)C(C)C ZMNXWYXIJAUZIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STWHDNSRIOHYPG-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-methoxyethanol Chemical compound CC(O)=O.COCCO STWHDNSRIOHYPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 125000004647 alkyl sulfenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- MVIOINXPSFUJEN-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;hydrate Chemical compound O.OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 MVIOINXPSFUJEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005205 dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229960001760 dimethyl sulfoxide Drugs 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N europium(3+) Chemical compound [Eu+3] LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- ZKYQRJXGGLVQML-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-phenylpyridine Chemical compound [Ir+3].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ZKYQRJXGGLVQML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M lithium acetate Chemical compound [Li+].CC([O-])=O XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229940031993 lithium benzoate Drugs 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LDJNSLOKTFFLSL-UHFFFAOYSA-M lithium;benzoate Chemical compound [Li+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 LDJNSLOKTFFLSL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000007433 macroscopic evaluation Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGGAOQTXQHKQOW-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenylnaphthalen-1-amine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 FGGAOQTXQHKQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZMHQCWXYHARLS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-disulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(S(=O)(=O)O)=CC=C21 YZMHQCWXYHARLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical class O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 125000003774 valeryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
公开了包含电荷传输性有机材料,良溶剂,至少一种具有高流平性能的不良溶剂和至少一种挥发性不良溶剂的电荷传输性清漆。该电荷传输性有机材料由电荷传输性材料组成,该电荷传输性材料由电荷传输性单体或数均分子量为200-5000的电荷传输性低聚物构成,或者该电荷传输性有机材料由此种电荷传输性材料和电子接受性掺杂材料或空穴接受性掺杂材料组成。这种电荷传输性清漆能够通过喷雾法或喷墨法在其上预先形成了简单或复杂图案结构的基材的暴露电极部分例如ITO或IZO上形成均匀且光滑的电荷传输性薄膜。
Description
技术领域
[0001]
本发明涉及用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆。
背景技术
[0002]
当使用有机化合物,尤其是聚合物和低聚物作为电子设备材料时,它们多数用作薄膜。例如,提及绝缘膜、电荷传输性膜、保护膜和平坦化膜。
在有机电致发光(下面简称EL)设备中,使用由聚合物或低聚物制成的电荷传输性薄膜作为空穴传输层(缓冲层)、电荷注入层(例如,参见专利文献1)。
据要求,可以在扁平电极例如氧化铟锡(在下文中简称ITO)、氧化铟锌(在下文中简称IZO)等的扁平电极上以均匀、无凹凸的薄膜形式形成电荷传输性薄膜。然而,当实际在电子设备中形成电荷传输性薄膜时,在大多数情况下在电极上形成结构。更具体地说,有时可以形成至少一种具有数μm厚度的简单或复杂图案的结构。一类用来选择性,平坦地在基材的暴露ITO或IZO电极部分上形成电荷传输性薄膜的电荷传输性清漆通常可以在液体物理性能方面与用来均匀地在扁平电极上形成电荷传输性薄膜的那类电荷传输性清漆不同,所述基材上已经形成由简单或复杂图案构成的结构。因此,需要详细地研究为该基材上的结构调整的电荷传输性清漆的液体物理性能。
[0003]
在电子设备当中,另一方面,有机EL设备最近已经注意作为正付诸于实践的下一代薄显示器,并且是目前被研究用于实际使用的电子设备之一。因为该设备进入实际使用变得更加可能,因此在生产线中廉价地且良好产率和高效率地制造高度可靠的设备是被要求的。特别地,廉价是不言而喻的要求,且倾向于经由电荷输送性薄膜的制造方法的反复试验途径满足该要求。
电荷传输性薄膜的制造方法可以广泛地分为干法,典型的干法是真空淀积法,和湿法,典型代表是旋涂法。根据干法和湿法之间的对比,通过湿法而不是干法形成的电荷传输性薄膜在覆盖电极例如ITO或IZO的电极的能力方面更高并且能够以均匀厚度均匀地涂覆电极表面上的异物,因此显著地改进正在制造的电子设备的电短路特性。在这一方面,湿法是更有利的并且优越性更高。
因此,我们对湿法适用的电荷传输性薄膜的制造进行了持续研究,所述电荷传输性薄膜决定电子设备(例如,参见专利文献2)。
[0004]
湿法需要非常大量为形成电荷传输性薄膜(例如,通过旋涂方法或印刷方法形成)所必要的电荷传输性清漆。更具体地说,除了促进形成电荷传输性薄膜的电荷传输性清漆以外,将浪费的电荷传输性清漆的比例变得非常大,导致差的价格性能。
对于高效率地制造电荷传输性薄膜的方法,可以提及喷雾法或喷墨法。具体地说,出于设备的一般通用性考虑,喷雾法是有效的(作为能够制造大面积设备的湿法)。
因此,提供电荷传输性清漆变得必要,该电荷传输性清漆对于根据喷雾法或喷墨法在基材的暴露ITO或IZO电极部分上形成均匀、无凹凸电荷传输性薄膜是最佳的,所述基材在其上形成了简单或复杂图案的结构。
在其上形成了简单或复杂图案结构的基材上形成电荷传输性薄膜的这种问题不但对于用于电子设备的薄膜,而且对于使用薄膜的其它技术领域都是重要的。
由于上面提出的理由,仍需要开发适合于喷雾或喷墨方法的电荷传输性清漆。
[0005]
专利文献1:
JP-A 2002-151272
专利文献2:
PCT专利公开号WO 2004/043117
发明内容
待由本发明解决的问题
[0006]
本发明是根据本领域中的这些情况作出的并且其目的是提供电荷传输性清漆,该电荷传输性清漆用于在通过喷雾法或喷墨法在其上形成了简单或复杂图案结构的基材的暴露ITO或IZO电极部分上形成均匀、无凹凸的电荷传输性薄膜。
本发明还有的另一个目的是提供配备有由所述清漆形成的电荷传输性薄膜的适合用作电子设备的有机EL设备。
解决问题的手段
[0007]
为了达到上述目的我们作出了深入的研究,结果,惊奇地发现包含良溶剂,至少一种具有高流平性能的不良溶剂和至少一种挥发性不良溶剂的清漆能够在其上形成了简单或复杂图案结构的基材的暴露ITO或IZO电极部分上选择性和平坦地形成电荷传输性薄膜,从而完成了本发明。
[0008]
更具体地说,本发明提供了以下发明[1]-[21]。
[1]用于喷雾或喷墨涂覆的清漆,包括:由分子量200-1000的有机化合物或分子量200-5000的低聚物制成的基础材料,良溶剂,至少一种具有高流平性能的不良溶剂和至少一种挥发性不良溶剂。
[2]用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,包括:由电荷传输性单体或数均分子量200-5000的电荷传输性低聚物,或所述传输性有机材料和电子接受性掺杂材料或空穴接受性掺杂材料制成的电荷传输性材料,良溶剂,至少一种具有高流平性能的不良溶剂和至少一种挥发性不良溶剂。
[3].[2]的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中该良溶剂是选自以下物质中的至少一种:N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑啉酮。
[4].[2]或[3]的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述具有高流平性能的不良溶剂是选自环己醇、2,3-丁二醇和丙二醇中的至少一种。
[5].[2]-[4]中任一项的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述挥发性不良溶剂是选自乙醇、异丙醇、异丁醇和乙二醇单丁醚中的至少一种。
[6].[2]的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述良溶剂、所述至少一种具有高流平性能的不良溶剂和所述至少一种挥发性不良溶剂的组合是1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、环己醇和异丁醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、环己醇和乙二醇一丁醚,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、环己醇和乙醇,N-甲基吡咯烷酮、环己醇和异丁醇,N-甲基吡咯烷酮、环己醇和乙醇,N,N-二甲基乙酰胺、环己醇和异丁醇,N,N-二甲基乙酰胺、环己醇和乙醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、2,3-丁二醇和异丁醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、2,3-丁二醇和乙醇,N-甲基吡咯烷酮、2,3-丁二醇和异丁醇,N-甲基吡咯烷酮、2,3-丁二醇和乙醇,N,N-二甲基乙酰胺、2,3-丁二醇和异丁醇,N,N-二甲基乙酰胺、2,3-丁二醇和乙醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、二丙二醇和异丁醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、二丙二醇和乙醇,N-甲基吡咯烷酮、二丙二醇和异丁醇,N-甲基吡咯烷酮、二丙二醇和乙醇,N,N-二甲基乙酰胺、二丙二醇和异丁醇,或N,N-二甲基乙酰胺、二丙二醇和乙醇。
[7].[2]-[6]中任一项的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述电荷传输性材料是具有共轭单元的电荷传输性单体或具有共轭单元且数均分子量为200-5000的电荷传输性低聚物,其中单一共轭单元连续地键接或两种或更多种不同类型的共轭单元按任意顺序连续地结合。
[8].[7]的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述共轭单元是选自取代或未取代的且二价至四价的苯胺、噻吩、dithiine、呋喃、吡咯、亚乙炔基、亚乙烯基、亚苯基、萘、蒽、咪唑、噁唑、噁二唑、喹啉、喹喔啉、silole、硅、吡啶、嘧啶、吡嗪、亚苯基亚乙烯基、芴、咔唑、三芳基胺、金属或无金属酞菁或金属或无金属卟啉中的至少一种。
[9].[7]的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述电荷传输性材料是由通式(1)表示的低聚苯胺衍生物或是通式(1)的氧化产物的醌二亚胺衍生物
[化学通式1]
[其中R1、R2及R3独立地表示氢、羟基、卤基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酯基、酰胺基、硝基、一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基或砜基,A和B独立地表示由通式(2)或(3)表示的二价基
[化学通式2]
(其中R4-R11独立地表示氢、羟基、卤基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酯基、酰胺基、硝基、一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基或砜基,m和n独立地是1或以上的整数,条件是m+n≤20]。
[10].[9]的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述电荷传输性材料是由通式(4)表示的低聚苯胺衍生物或是通式(4)的氧化产物的醌二亚胺衍生物
[化学通式3]
(其中R1-R7,m和n分别具有如上面所限定的相同意义。).
[11].[2]]-[10]中任一项的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述电子接受性掺杂材料是由通式(5)表示的磺酸衍生物
[化学通式4]
(其中D表示苯环、萘环、蒽环、菲环或杂环,R12和R13独立地表示羧基或羟基)。
[12].[2]-[10]中任一项的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述电子接受性掺杂材料是由通式(6)表示的磺酸衍生物
[化学通式5]
(其中R14~R18独立地表示氢原子、未取代或取代的一价烃基或卤原子,X表示单键、O、S或NH,A表示氢原子、卤原子、O、S、S(O)基、S(O2)基、或与未取代或取代的基团键接的N、Si、P、P(O)基,或一价或更高价的未取代或取代的烃基,y等于A的化合价并且是满足1≤y的整数,x表示与1,4-苯并二噁烷骨架中的苯环结构部分键接的砜基的数目并且1≤x≤4)。
[13].[2]-[10]中任一项的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述电子接受性掺杂材料是由通式(7)表示的芳基磺酸衍生物
[化学通式6]
[其中X表示O、S或NH,A表示可含有除X和n个(SO3H)基以外的取代基的萘环或蒽环,B表示未取代或取代的烃基、1,3,5-三嗪基或未取代或取代的由下述通式(3)或(4)表示的基团,
[化学通式7]
(其中W1和W2独立地表示O、S、S(O)基、S(O2)基,或与未取代或取代的基团键接的N、Si、P、P(O)基),n表示与A键接的砜基的数目,且是满足1≤n≤4的整数;q是B和X之间的键的数目,且是满足1≤q的整数)]。
[14].薄膜,其特征在于是通过利用[1]所限定的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆形成的。
[15].电荷传输性薄膜,其特征在于是通过利用[2]-[13]中任一项限定的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆形成的。
[16].[15]的电荷传输性薄膜,其特征在于是通过喷雾法形成的。
[17].包含[15]或[16]所限定的电荷传输性薄膜的有机电致发光装置。
[18].[17]的有机电致发光装置,其中所述电荷传输性薄膜是空穴注入层或空穴传输层。
[19].薄膜的制造方法,其特征在于通过喷雾或喷墨方法将[1]所限定的清漆涂覆在基材上并蒸发溶剂。
[20].电荷传输性薄膜的制造方法,其特征在于通过喷雾或喷墨方法将[2]-[13]中任一项所限定的电荷传输性清漆涂覆在基材上并蒸发溶剂。
[21].[20]的电荷传输性薄膜的制造方法,其中通过喷雾法进行该涂覆。
本发明的效果
[0009]
使用本发明的清漆,可以在基材的暴露ITO或IZO电极部分上以可再现方式选择性、平坦地形成电荷传输性薄膜,所述基材上已经形成了由简单或复杂图案构成的结构。
这已经由本发明人通过利用高精度薄翼型测量仪器SUREFCORDERET4000A测量结构附着的基材的结构之间的薄膜厚度分布进行了验证。
根据该测量,已经证实由本发明清漆获得的薄膜是在该结构之间具有均匀薄膜厚度分布且平坦性和均匀性高的薄膜。
[0010]
本发明的清漆可以通过利用无水有机溶剂简单地制备。这种清漆能够根据许多湿法成膜并且特别地,优选通过喷雾法或喷墨法形成薄膜。可以以高产率在基材上廉价地形成薄膜。
至于用于有机EL设备的电荷传输性清漆的涂覆法,出于设备产率和生产效率的考虑,作为工业方法,喷墨法或喷雾法比旋涂和印刷方法更实际。本发明的电荷传输性清漆适应于这些工业方法并且能够以可再现方式提供具有高可靠性的电荷传输性薄膜。
[0011]
当将电荷传输性清漆涂覆到有机EL设备上时,显示出防止电短路的优异效果,以及在像素内还显示均匀的光发射效果,这归因于在像素内的优异厚度均匀性和成膜性,所述电荷传输性清漆能够在其上形成了简单或复杂图案结构的基材的暴露ITO或IZO电极部分上选择性地形成平坦薄膜。特别是当涂覆其上形成了由简单或复杂图案例如无源矩阵或有源矩阵构成的结构的基材时,这种效果变得显著。
在涂覆其上已经形成了简单或复杂图案结构的基材的情况下,当基材尺寸增加时,旋涂方法易于在结构内在该基材的中心部和边缘部引起厚度分布。此外,该厚度分布可以在一种结构内产生,但是取决于烘烤条件和流平条件。这是因为旋涂方法是湿法,其中滴下的清漆在旋转基材的向外施加的应力作用下形成为薄膜并干燥。
采用用于在其上已经形成了简单或复杂图案结构的基材上涂覆的印刷方法,因为主要用作印刷板的APR板与该结构直接接触,所以存在由精细图案形成的结构可能被破坏的可能性。当已经预先在基材上形成结构时,不通过直接接触破坏该结构是优选的,因此,印刷方法是不利的。
[0012]
当已经试图根据喷雾法或喷墨法由本发明的电荷传输性清漆形成薄膜时,没有发现起因于方法例如旋涂方法或印刷方法的缺点并因此,可以在其上已经形成了简单或复杂图案结构的基材的暴露ITO或IZO电极部分上选择性地形成平坦薄膜。由此,在有机EL设备的工业化中,以高产率和高效率制造稳定的有机EL设备变得可能。
当将本发明的电荷传输性薄膜用作空穴注入层或空穴传输层时,该薄膜在平坦性和均匀性方面比常规电荷传输性薄膜更优异并且可以显著地抑制由ITO电极的不规则性和电极上存在的异物所引起的电极短路。
因此,通过利用本发明的电荷传输性薄膜实现了EL设备的发光开始电压的降低、电流效率的改进、设备的长寿命化并能够高产率地廉价制造生产效率高的EL设备。
[0013]
此外,本发明的电荷传输性薄膜可以通过各种涂覆法通过在各种型式的基材上涂覆而形成为薄膜并因此可用于涂覆为电容器电极保护膜、静电防止膜和用于气敏传感器、温度传感器、湿度传感器、压力传感器、光传感器、辐射传感器、离子传感器、生物传感器、或场发射晶体管传感器的有机薄膜;用于一次电池、二次电池、燃料电池、太阳能电池或聚合物电池的有机薄膜;和电磁屏蔽薄膜、紫外线吸收薄膜、气体阻隔薄膜和光信息记录介质或用于光学集成电路的有机薄膜。
附图简述
[0014]
图1是显示具有结构的基材的轮廓测量结果的曲线图。
图2是显示结构附着的基材的ITO部分测量结果的曲线图。
图3是显示实施例1的电荷传输性薄膜的厚度分布测量结果的曲线图。
图4是显示对比实施例1的电荷传输性薄膜的厚度分布测量结果的曲线图。
本发明的最佳实施方式
[0015]
现将更详细地描述本发明。
本发明涉及的清漆包括由分子量200-1000的有机化合物或分子量200-5000的低聚物制成的基础材料,良溶剂,至少一种具有高流平性能的不良溶剂和至少一种挥发性不良溶剂。
其中基础材料由以下材料制成的一类清漆是电荷传输性清漆:由电荷传输性单体或数均分子量200-5000的电荷传输性低聚物组成的电荷传输性材料,或由上述电荷传输性材料和电子接受性掺杂材料或空穴接受性掺杂材料组成的电荷传输性有机材料。
本文所使用的术语“电荷传输”具有与“导电”相同的意义并且是指空穴传输、电子传输和空穴及电子这两种电荷传输的任何一种。本发明的电荷传输性清漆可以是其本身具有电荷可传输性的电荷传输性清漆,或其中由该清漆而得到的固体膜具有电荷可传输性的电荷传输性清漆。
[0016]
虽然本发明的清漆的涂覆方法不是决定性的,但是以雾形式涂覆该清漆的方法是优选的。更具体地说,所提及的是喷雾法、喷墨法等,其中喷雾法是最适合的。
在喷雾法的过程中,在将电荷传输性清漆喷雾在基材上并到达或附着到该基材上之前,该电荷传输性清漆应优选取得三种最佳液体物理性能。在喷雾法中的这三种液体物理性能包括1)在喷雾之前加入槽中的清漆的液体物理性能,2)正被喷雾的雾的液体物理性能和3)在到达基材后清漆的液体物理性能。
更具体地说,动态粘度(在下文中简称粘度)较低使得确保良好的可喷涂性在1)中是优选的。术语可喷涂性是指稳定、不断地调节从喷头排出的喷雾的尺寸的特性,但是这取决于喷雾条件。可喷涂性的降低是采用不太可能在给定量氮气的作用下被雾化的清漆而观察到的倾向,并且具有高粘度的清漆不提供均匀雾化的在用氮气雾化后具有窄尺寸分布的喷雾。另一方面,将具有低粘度的电荷传输性清漆转变成在用给定量氮气雾化后具有窄尺寸分布的均匀喷雾。至于3),在到达或附着到基材后精细雾化的清漆的流平性能优选应该是良好的。为此,清漆应该具有合适的粘度。特别地,当在其上形成有简单或复杂图案结构的基材的暴露ITO或IZO电极部分上形成电荷传输性薄膜时,该清漆的低粘度时常可能引起结构之间的液体流,从而使得难以获得具有结构与结构均匀性和平坦性的电荷传输性薄膜。另一方面,如果该清漆是高粘度清漆,则清漆在附着到基材后的流平性能变得恶化,具有雾度不均匀性和表层不均匀性而不会形成均匀的薄膜表面的倾向。此外,如果清漆的粘度较高,则它必须花费流平所要求的长静置时间并因此,降低出于生产节拍时间考虑的优点。
[0017]
为了通过相同的清漆达到1)和3)的液体物理性能,必须在喷雾中增加浓缩该清漆的步骤。因此,2)的液体物理性能随时间的流逝而变化并且优选清漆浓缩的步骤是基本上饱和的并当获得3)的液体物理性能时会聚,从而提供某种液体性能。
更具体地说,对于1)的液体物理性能,包含至少一类挥发性不良溶剂,对于2)的液体物理性能,包括至少一类挥发性不良溶剂的蒸发步骤,对于3)的液体物理性能,包含至少一类具有高流平性能的不良溶剂,并且不包含挥发性不良溶剂。这些是与为什么在本发明实践中采用三类有机溶剂的混合物有关的构思。
[0018]
良溶剂是能够溶解基础材料的有机溶剂(具有高溶解性的溶剂)。优选地,良溶剂抑制基础材料沉淀并且可以保持溶解状态。相反,当在喷涂过程中蒸发喷雾中的良溶剂以允许基础材料沉淀时,此种良溶剂是不优选的。基础材料的沉淀引起异物,以致形成均匀、平坦有机薄膜的本发明效果不能令人满意地显现。采用其中异物沉积并均匀性和平坦性较低的有机薄膜,当安装在有机EL设备中时,该薄膜可能是低效率、短寿命、不均匀平面发射或电短路特性的因素。
虽然在喷涂过程中喷雾中的良溶剂的蒸发时常可能取决于喷涂条件例如,1)增加氮气的量,2)降低化学物质的量,3)增加间隙,4)加速和5)增宽XY扫描范围的那些条件,但是优选根本上选择喷涂条件以致不允许喷雾中的良溶剂蒸发。
[0019]
良溶剂的具体实例包括N,N-二甲基甲酰胺(在下文中简称DMF)、N,N-二甲基乙酰胺(在下文中简称DMAc)、N-甲基吡咯烷酮(在下文中简称NMP)、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(在下文中简称DMI)、二甲亚砜、N-环己基-2-吡咯啉酮等,但不限于它们。在这些良溶剂中,优选NMP和DMI,其中DMI是更优选的。
良溶剂相对于清漆中使用的全部溶剂的含量不是决定性的,只要基础材料溶于该良溶剂并一般在1-90wt%的范围内。
[0020]
具有高流平性能的不良溶剂是不溶解基础材料,可与良溶剂和挥发性不良溶剂任意混溶,并且在喷涂期间保留下来不从喷雾中蒸发和附着于基材的有机溶剂,在所述基材上显示出流平效果。流平效果是确定在烘烤之前薄膜在湿润条件下的均匀性的效果,并且如果该流平效果较低,则不能获得均匀性和平坦性高的有机薄膜。更具体地说,不良溶剂是具有扩展细液滴的前进角和后掠角之间差异(滞后)效果的溶剂,所述细液滴是附着到基材的喷雾中的细液滴,尺寸上分为大约0.1-50μm。
[0021]
具有高流平性能的不良溶剂的具体实例包括苯乙烯、丙二醇一甲醚、丙二醇、丙二醇一乙醚、丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇一丁基醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二丙二醇一甲醚、二乙二醇一甲醚、二丙二醇一乙醚、二乙二醇一乙醚、三乙二醇二甲醚、二乙二醇一乙醚乙酸酯、二乙二醇、1-辛醇、乙二醇、己二醇、丙二醇、环己醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、苯甲醇、糠醇、四氢糠醇、γ-丁基内酯等,但不限于它们。
在这些具有高流平性能的不良溶剂中,优选丙二醇、二乙二醇、环己醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇和γ-丁基内酯,其中丙二醇、环己醇和2,3-丁二醇是更优选的。
具有高流平性能的不良溶剂对清漆中使用的全部溶剂的含量不受限制并通常在1-90wt%的范围。
[0022]
挥发性不良溶剂是不溶解基础材料,可与良溶剂和具有高流平性能的不良溶剂任意混溶,并且在喷涂过程中从喷雾中蒸发的有机溶剂。
挥发性不良溶剂通过降低电荷传输性清漆在喷涂之前的粘度并通过从喷雾中蒸发而使清漆浓缩而具有赋予良好可喷涂性的效果。术语“可喷涂性”是指稳定、不断地调节从喷头排出的喷雾的尺寸的特性,但是这取决于喷雾条件。虽然清漆的浓缩取决于所添加的挥发性不良溶剂的量和蒸发的量,但是它是在给定含量下限定或改变均匀平坦有机薄膜的厚度的参数。
用于本发明的挥发性不良溶剂在含义上与普通挥发性溶剂不同。普通的挥发性溶剂在任意温度和压力条件下主要通过蒸气压或相对蒸气压限定。采用本发明中使用的挥发性不良溶剂,即使调节温度和压力,则该溶剂有时可以在类型上取决于颗粒尺寸和潜在能量和运动能量例如与基材附着的距离,附着速度等。
[0023]
挥发性不良溶剂的具体实例包括甲苯、对二甲苯、邻二甲苯、乙二醇二甲醚、乙二醇一甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇一异丙基醚、乙二醇甲基醚乙酸酯、乙二醇乙醚乙酸酯、乙二醇一丁醚、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丙酮、二乙基甲酮、甲基异丁基酮、甲基正丁基甲酮、环己酮、乙酸乙酯、异丙基甲酮乙酸酯、乙酸正丙酯、乙酸异丁酯、乙酸正丁酯、甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇、烯丙醇、正丙醇、2-甲基-2-丁醇、异丁醇、正丁醇、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-1-丁醇、1-戊醇、2-甲基-1-戊醇、2-乙基己醇、1-甲氧基-2-丁醇、二丙酮醇、异丙醚、1,4-二噁烷等,但不限于它们。
在这些挥发性不良溶剂中,甲基乙基酮、甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇、正丙醇、异丁醇、正丁醇和乙二醇一丁醚是优选的,其中乙醇、异丙醇、异丁醇和乙二醇一丁醚是更优选的。
挥发性不良溶剂对清漆中使用的全部溶剂的含量不受限制并通常为1-90wt%,优选1-50wt%。
[0024]
应指出的是,当将具有高流平性能的不良溶剂和挥发性不良溶剂与良溶剂混合时,良溶剂和不良溶剂的此种组合以致不提供均匀溶液而制备分散体或乳液是不利的。
[0025]
优选的溶剂组合物包括DMI、环己醇和异丁醇,DMI、环己醇和乙醇,NMP、环己醇和异丁醇,NMP、环己醇和乙醇,DMAc、环己醇和异丁醇,DMAc、环己醇和乙醇,DMI、2,3-丁二醇和异丁醇,DMI、2,3-丁二醇和乙醇,NMP、2,3-丁二醇和异丁醇,NMP、2,3-丁二醇和乙醇,DMAc、2,3-丁二醇和异丁醇,DMAc、2,3-丁二醇和乙醇,DMI、二丙二醇和异丁醇,DMI、二丙二醇和乙醇,NMP、二丙二醇和异丁醇,NMP、二丙二醇和乙醇,DMAc、二丙二醇和异丁醇,DMAc、二丙二醇和乙醇,DMI、环己醇和乙二醇一丁醚等,但不限于它们。
在这些溶剂组合物中,DMI、环己醇和异丁醇,DMI、环己醇和乙醇,DMI、2,3-丁二醇和异丁醇,DMI、2,3-丁二醇和乙醇,NMP、环己醇和异丁醇,NMP、环己醇和乙醇,和DMI、环己醇和乙二醇一丁醚是优选的,其中DMI、环己醇和异丁醇,DMI、2,3-丁二醇和乙醇,DMI、2,3-丁二醇和异丁醇,和DMI、环己醇和乙二醇一丁醚是更优选的。
[0026]
电荷传输性清漆的制备方法不受限制。一般而言,将相应的材料混合来制备清漆。
[0027]
用于本发明的有机化合物和低聚物不限于具体的那些,只要它们溶于溶剂。
虽然用于本发明的电荷传输性单体和电荷传输性低聚物不受特别限制,只要它们溶于溶剂,但是优选它们具有此种结构,即其中至少一类共轭单元是重复的。
[0028]
共轭单元可以是能够输送电荷的原子、芳环或共轭基团并且不受特别限制。优选的那些包括取代的或未取代的2-4价苯胺基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、亚乙炔基、亚乙烯基、亚苯基、萘基、噁二唑基、喹啉基、silol基、硅原子、吡啶基、亚苯基亚乙烯基、芴基、咔唑基、三芳基胺基、金属-或无金属-酞菁基、金属-或无金属-卟啉基等。
对于共轭单元的取代基的具体实例,可以独立地提及,氢、羟基、卤基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酯基、酰胺基、硝基、一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基、砜基等。可以进一步将任何官能团连接到这些官能团上。
[0029]
一价烃基的具体实例包括:烷基例如甲基、乙基、丙基、丁基、叔丁基、己基、辛基、癸基等;环烷基例如环戊基、环己基等;双环烷基例如双环己基等;链烯基例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、异丙烯基、1-甲基-2-丙烯基,1、2或3-丁烯基及己烯基等;芳基例如苯基、二甲苯基、甲苯基、联苯基、萘基等;芳烷基例如苄基、苯乙基、苯基环己基等;和其中这些一价烃基的一部分或全部氢原子被卤原子、羟基、烷氧基等取代的那些基团。
有机氧基的具体实例包括烷氧基、链烯氧基、芳氧基等,其中所述烷基、链烯基及芳基是上面特别指出的那些。
有机氨基的具体实例包括:烃基氨基例如苯基氨基、甲基氨基、乙基氨基、丙基氨基、丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、壬基氨基、癸基氨基、月桂基氨基等;二烷基氨基例如二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二戊基氨基、二己基氨基、二庚基氨基、二辛基氨基、二壬基氨基、二癸基氨基等;和环己基氨基、吗啉基等。
有机甲硅烷基的具体实例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、三戊基甲硅烷基、三己基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基等。
有机硫基的具体实例包括烷基硫基例如甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基、壬硫基、癸硫基、月桂硫基等。
酰基的具体实例包括甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、异戊酰基、苯甲酰基等。
对烷基、烷氧基、硫代烷基、烷基氨基、有机甲硅烷氧基、有机甲硅烷基等中的碳原子数不作特别限定并通常各自含1-20个碳原子,优选1-8个碳原子。
[0030]
优选的取代基包括氟原子、砜基和取代或未取代的有机氧基、烷基、有机甲硅烷基等。
通过连接共轭单元形成的共轭链可以包含环状部分。
[0031]
电荷传输性单体的分子量为200-1000。
电荷传输性低聚体的数均分子量,考虑到抑制材料的挥发和呈现电荷传输性,作为下限通常不小于200,优选不小于400并且考虑到提高溶解性,作为上限通常不大于5000,优选不大于2000。优选地,该电荷传输性低聚物没有分子量分布,并且考虑到抑制材料的挥发和呈现电荷传输性,分子量作为下限通常不小于200,优选不小于400并且考虑到提高溶解性,作为上限通常不大于5000,优选不大于2000。
应指出的是,数均分子量是通过凝胶渗透色谱法(换算成聚苯乙烯)测量的值。
[0032]
因为高的溶解性和高的电荷传输性以及合适的离子化势能,由通式(1)表示的低聚苯胺衍生物或是其氧化产物的醌二亚胺衍生物优选作为电荷传输性材料。至于低聚苯胺衍生物,更优选使用肼实施还原操作。
[0033]
[化学式8]
(其中R1、R2及R3独立地表示氢、羟基、卤基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酯基、酰胺基、硝基、一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基或砜基,A和B独立地表示由通式(2)或(3)表示的二价基。
[0034]
[化学式9]
(其中R4-R11独立地表示氢、羟基、卤基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酯基、酰胺基、硝基、一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基或砜基,m和n独立地是1或以上的整数,条件是m+n≤20)。
[0035]
将应指出的是,醌二亚胺产物是指具有由以下通式表示的部分结构的化合物。
[0036]
[化学式10]
(其中R4-R7具有与上面所限定的相同的意义)。
[0037]
在这方面,R1-R11的具体实例包括相对于所述共轭单元上的取代基给出的类似取代基并且这些取代基还可以进一步被其它任选的基团取代。
当分子内的π共轭体系被尽量扩展时,所得的电荷传输性薄膜在电荷可传输性方面得到改进。因此,优选使用由通式(4)表示的低聚苯胺衍生物或是其氧化产物的醌二亚胺衍生物。
[0038]
[化学式11]
(其中R1-R7,m和n分别具有与上面所限定的相同的意义)。
[0039]
在通式(1)和(4)中,从发挥良好的电荷可传输性的观点考虑,m+n优选为4或以上,从改进在溶剂中的溶解性的观点考虑,优选为16或以下。
这些电荷传输性材料可以独自地使用或以两种或更多种的结合物使用。
此类化合物的具体实例包括可溶于有机溶剂例如苯基四苯胺、苯基五苯胺、四苯胺(苯胺四聚体)、八苯胺(苯胺八聚体)等的低聚苯胺衍生物。
[0040]
应指出的是,这些电荷传输性低聚物的合成不受限制,可以提及Process of Synthesizing Oligoaniline(参见Bulletin of ChemicalSociety of Japan,1994年,第67卷,p.1749-1752和SyntheticMetals,U.S.A.,1997年,第84卷,p.119-120)和Process ofSynthesizing Oligothiophene(例如,参见Heterocycles,1987年,第26卷,p.939-942和Heterocycles,1987年,第26卷,p.1793-1796)。
[0041]
除了使用电荷传输性材料的实施方案之外,本发明的电荷传输性清漆还可以采用由上面给出的那类电荷传输性材料和电荷接受掺杂材料构成的电荷传输性有机材料。该电荷传输性有机材料不受精确限制,只要它溶于溶剂。
所使用的电荷接受掺杂材料包括用于空穴传输材料的电子接受性掺杂材料和用于电子传输材料的空穴接受性掺杂材料,它们都优选应该具有高的电荷可接受性。
另外,电荷传输性低聚苯胺通常显示空穴可传输性,故优选使用电子接受性掺杂材料作为电荷传输性材料。
电子接受性掺杂材料的具体实例包括有机强酸例如苯磺酸、甲苯磺酸、樟脑磺酸、羟基苯磺酸、5-磺基水杨酸、十二烷基苯磺酸和聚苯乙烯磺酸,和氧化剂例如7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌(DDQ),但不限于它们。
这些电子接受性掺杂材料可以独自地使用或以两种或更多种的组合物使用。
[0042]
在本发明的实践中,优选电荷传输性材料和电荷接受掺杂材料均呈非晶形固体,并且如果该材料中的至少一种必须以结晶固体形式使用,则在电荷传输性清漆成膜后,优选使用显示无定形固态的材料。
特别地,如果电荷传输性材料和电荷接受掺杂材料中的至少一种呈结晶固体,则该至少一种材料优选是具有分子间相互作用的材料。当使用低分子量化合物作为电荷接受掺杂材料时,例如,优选在一分子内具有三类或更多类不同极性官能团的化合物。
[0043]
此种化合物不受限制,例如,可以提及试钛灵、二羟基苯磺酸和以通式(5)表示的磺酸衍生物,其中优选以通式(5)表示的磺酸衍生物。该磺酸衍生物的具体实例包括磺基水杨酸衍生物,例如5-磺基水杨酸。
[0044]
[化学式12]
(其中D表示苯环、萘环、蒽环、菲环或杂环,R12和R13独立地表示羧基或羟基)。
[0045]
还可以有利地使用由通式(6)或(7)表示的磺酸衍生物。这些磺酸衍生物可以基于PCT专利公开号WO2005/000832和PCT专利公开号WO2006/025342的描述进行合成。
[0046]
[化学式13]
[0047]
(其中R14-R18独立地表示氢原子、未取代或取代的一价烃基或卤原子,X表示单键、O、S或NH,A表示氢原子、卤原子、O、S、S(O)基、S(O2)基、或与未取代或取代的基团键接的N、Si、P、P(O)基,或一价或更高价的未取代或取代的烃基,y等于A的化合价并且是满足1≤y的整数,x表示与1,4-苯并二噁烷骨架中的苯环结构部分键接的砜基的数目并且1≤x≤4)。
[0048]
[化学式14]
[其中X表示O、S或NH,A表示可含有除X和n个(SO3H)基以外的取代基的萘环或蒽环,B表示未取代或取代的烃基、1,3,5-三嗪基或未取代或取代的由下述通式(3)或(4)表示的基团
[化学式15]
(其中W1和W2独立地表示O、S、S(O)基、S(O2)基,或与未取代或取代的基团键接的N、Si、P、P(O)基),n表示与A键接的砜基的数目,且是满足1≤n≤4的整数;q是B和X之间的键的数目,且是满足1≤q的整数]。
[0049]
考虑到要改进耐久性和电荷可传输性,B优选为含有至少一个芳环的二价或更高价的未取代或取代烃基,二价或三价1,3,5-三嗪基或取代或未取代的二价二苯砜基。特别地,更优选提及二价或三价取代或未取代的苄基、二价取代或未取代的对苯二甲基、二价或三价取代或未取代的萘基、二价或三价的1,3,5-三嗪基、二价取代或未取代的二苯砜基,二至四价全氟联苯基、二价取代或未取代的2,2-双(羟基丙氧基)苯基)丙基或取代或未取代聚乙烯基苄基。
[0050]
所述电荷接受掺杂材料通常相对于电荷传输性材料中的一种作为下限以0.01,优选0.2的重量比添加。上限不受限制,只要电荷传输性材料和电荷接受掺杂材料完全溶于溶剂并且该掺杂材料优选以10的重量比添加。
[0051]
通过从涂覆到基材上的清漆中蒸发溶剂来形成本发明的传导性薄膜。
蒸发溶剂的方法不受限制并通过利用热板、趋近热板(proximityhot plate)或烘箱在适当的气氛中,即在空气或惰性气体例如氮气等中或真空中进行蒸发,从而获得具有均匀膜形成的表面的薄膜。
特别地,作为在专门用于喷雾法时的蒸发法,当选择性、平坦地在其上已经形成了简单或复杂图案构成的基材的暴露ITO或IZO电极部分上形成薄膜时,其中在自然滴下的过程中将细分散的喷雾小液滴蒸发然后它们在喷涂时到达基材的程序是非常重要的因素。
烘烤温度不受限制,只要它允许蒸发溶剂,并优选为40-250℃。为了呈现薄膜的高平坦性和高均匀性或允许在基材上进行反应,当成膜时可以采用二段或更多的温度变化。
[0052]
对于薄膜厚度分布的测量,可以使用例如,由Kosaka LaboratoryLtd.制造的高精度薄翼型测量仪器SUREFCORDER ET4000A。根据该测量,可以评价结构与结构平坦性和均匀性。
[0053]
至于使用本发明的电荷传输性清漆(电荷传输性薄膜)制造低分子量化合物基有机EL(以下简称OLED)设备的方法以及至于所使用的材料,提及下面说明的那些,但不限于它们。
通过液体清洗例如采用清洁剂、醇、纯水等预先清洁所使用的电极基材,并且对于阳极基材,优选在即将使用前进行表面处理,例如臭氧处理、氧-等离子体处理等。在这方面,然而,如果阳极材料主要由有机物组成,则可以不进行表面处理。
[0054]
在OLED设备中使用空穴传输清漆时,根据以下程序形成薄膜。
更具体地说,通过上述涂覆方法将空穴传输清漆涂覆到阳极基材上以在该阳极上提供空穴传输薄膜。将其导入真空蒸镀装置内,其中依次真空沉积空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极金属以提供OLED设备。为了控制发光区域,可在任意层间设置载流子块(Carrier Block)层。
作为阳极材料,可举出以ITO、IZO为代表的透明电极。优选进行了平坦化处理后的材料。也可以使用具有高可传输性的聚噻吩衍生物和聚苯胺类。
[0055]
用来形成空穴传输层的材料包括:例如,三芳胺例如(三苯胺)二聚体衍生物(TPD)、(α-萘基二苯胺)二聚体(α-NPD)、[(三苯胺)二聚体]螺二聚体(Spiro-TAD)等,星型胺例如4,4′,4″-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4′,4″-三[1-萘基(苯基)氨基]三苯胺(1-TNATA),低聚噻吩例如5,5″-双-{4-[双(4-甲基苯基)氨基]苯基}-2,2′:5′2″-三噻吩(BMA-3T)等。
[0056]
用于形成发光层的材料包括例如,三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq3)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(Znq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(III)(BAlq)、4,4′-双(2,2-二苯乙烯基)联苯(DPVBi)等。用来形成上述空穴传输层的材料或用来形成以下电子传输层的材料和发光掺杂剂可以通过共沉积形成为发射层。在这种情况下,发光掺杂剂包括例如,喹吖啶酮、红荧烯、香豆素540、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)、(1,10-菲绕啉)-三(4,4,4-三氟-1-(2-噻吩基)-丁-1,3-二酮)铕(III)(Eu(TTA)3phen)等。
[0057]
用于形成电子传输层的材料包括例如,Alq3、BAlq、DPVBi、(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)(PBD)、三唑衍生物(TAZ)、浴铜灵(BCP)、噻咯(silole)衍生物等。
用来形成电子注入层的材料包括例如,氧化锂(Li2O)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)、氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化锶(SrF2)、Liq、Li(acac)、乙酸锂、苯甲酸锂等。
对于阴极材料,可举出铝、镁-银合金、铝-锂合金、锂、钠、钾、铯等。
用来形成载流子块层的材料包括例如,PBD、TAZ、BCP等。
[0058]
在OLED设备中使用电子传输清漆时,可以根据以下程序形成薄膜。
更具体地说,通过上文中给出的那种涂覆方法将电子传输清漆涂覆到阴极基材上,从而在该阴极基材上形成电子传输薄膜。将其导入真空沉积装置内,接着使用与上述同样的材料分别形成电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层后并且根据溅镀方法等形成阳极材料的薄膜以提供OLED设备。
[0059]
以下方法可以用于使用本发明的电荷传输性清漆制造聚合物基有机EL(在下文中简称PLED)设备,但不限于它们。
替代用于空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的真空沉积程序(进行它们以便制造OLED设备),形成发光电荷传输性聚合物层,采用该聚合物层可以制造包括由本发明电荷传输性清漆形成的电荷传输性薄膜的PLED设备。
更具体地说,采用与OLED设备同样的方法,在阳极基板上形成空穴传输薄膜,在其上部形成发光电荷传输性聚合物层,接着真空沉积阴极电极以提供PLED设备。
或者,采用与OLED设备同样的方法,可以在阴极基材上制成电子传输薄膜,在其上部形成发光电荷传输性聚合物层,接着通过溅镀、真空沉积、旋涂等形成阳极电极的方法形成阳极电极,从而提供PLED设备。
[0060]
用于阴极和阳极的材料包括相对于OLED设备列举的那些材料。清洗处理和表面处理可以用与OLED设备中说明的相同方式进行。
发光电荷传输性聚合物层可以如下形成:在溶剂中溶解或分散发光电荷传输性聚合物材料或通过向该聚合物材料中添加发光掺杂剂而获得的材料并将所得的分散体或溶液涂覆到其上已经预先形成了空穴注入层的电极基材上,接着蒸发溶剂而形成薄膜。
该发光电荷传输性聚合物材料包括例如,聚芴衍生物例如聚(9,9-二烷基芴)(PDAF)等,聚亚苯基亚乙烯衍生物例如聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯)(MEH-PPV)等,聚噻吩衍生物例如聚(3-烷基噻吩)(PAT)等,聚乙烯咔唑(PVCz)等。
[0061]
溶剂包括甲苯、二甲苯、氯仿等。为了溶解或均匀分散,使用例如,搅拌、加热搅拌、超声分散等方法。
涂覆方法不受限制并且包括例如,浸渍法、旋涂法、转印法、辊涂法、喷墨法、喷雾法、刷涂法等,优选在惰性气氛例如氮气、氩气等下进行。
为了溶剂的蒸发,提及例如,在惰性气体下或真空中,用烘箱或热板加热的方法。
实施例
[0062]
举出实施例及比较例更具体地说明本发明,但本发明不应该理解为限于以下实施例。
[0063]
参考1
由通式(10)表示的苯基四苯胺(在下文中简称PTA)按照Bulletinof Chemical Society of Japan,1994年第67卷p.1749~1752描述的程序从对-羟基二苯胺与对-亚苯基二胺合成(产率:85%)。
[0064]
[化学式16]
[0065]
参考2
用下列方式使用正型、光敏聚酰亚胺清漆制造结构附着的ITO基材。
根据PCT专利公开号WO2003/029899的实施例1中描述的程序制备正型、光敏聚酰亚胺清漆。
所得的聚酰亚胺具有46400的数均分子量(n=70,计算为重复单元),其中分子量分布为1.66。将应指出的是,使用Senshu ScientificCo.,Ltd.制备的GPC系统SSC-7200测量数均分子量。
通过在ITO的尺寸为50×50mm且厚为0.7mm的固体基材上旋涂滴下所得的正型光敏聚酰亚胺清漆而形成薄膜。使用的旋涂机是MikasaCo.,Ltd.制造的Spin Coater 1H-DX2。在成膜后,在80℃下预烘烤该薄膜五分钟。接下来,使用Toppan Printing Co.,Ltd.制造的光掩膜并且利用UV照射器(PLA-501,由Canon Inc.制造)辐射该薄膜28秒(150mJ/cm2)。此后,在用碱液显影剂(NMD-3,由Tokyo Ohka Kogyo Co.,Ltd.制造)显影30秒后,使用纯水在流水下清洗2分钟。此外,在热板上在空气中在200℃下烘烤该薄膜10分钟。所得的图案是聚酰亚胺结构,其具有700±10nm的厚度,具有30μm的线(聚酰亚胺的宽度)和50μm的间隔(结构之间)并且其中水的接触角是85.5°。应指出的是,制造该光敏聚酰亚胺结构的所有步骤在1000级清洁室内进行。
该光敏聚酰亚胺结构(结构附着ITO基材)的轮廓和ITO的通过显影除去的部分的平坦性使用由Kosaka Laboratory Ltd.制造的高精度薄翼型测量仪器SUREFCORDER ET4000A测量。测量条件包括0.4mm的测量范围,0.01mm/秒的给进速度和10μN的接触针端压力(充当测量力)。
图1示出了该结构附着的ITO基材的轮廓的测量结果。图2示出了该结构附着的基材的ITO部分的测量结果。该ITO的在通过显影除去的部分处的平坦性发现具有10nm的最大粗糙度。
[0066]
实施例1
在氮气气氛下,将0.0637g(0.1439mmol)参考1中制备的PTA和0.1256g(0.5757mmol)由通式(11)表示的5-磺基水杨酸(5-SSA)(由Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制造)完全地溶于1.2410g1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)。
[0067]
[化学式17]
[0068]
向所得的溶液中添加6.2050g环己醇(CHA)和4.9640g异丁醇(IBA)并搅拌来制备电荷传输性清漆(固体含量1.5%)。
使用喷涂器NVD-200(由Fujimori Technical Research Co.,Ltd.制造)在该结构附着的ITO基材(由参考2制造)上喷涂所得的清漆。该喷涂器的涂覆条件包括目标在30nm的薄膜厚度,240mm的X和Y扫描方向,0mm的X和Y偏移,10mm的扫描节距,150mm的间隙,500mm/sec的喷嘴速度,10L/min的氮气量,1mL/min的化学物质量,15秒的涂覆空闲时间和60秒的生产节拍时间。在涂覆后,在空气中在热板上在180℃下烘烤该薄膜2小时以提供电荷传输性薄膜。
图3示出了实施例1的电荷传输性薄膜的厚度分布的测量结果。
[0069]
对比实施例1
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。
向所得的溶液中添加9.9280g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
图4示出了对比实施例1的电荷传输性薄膜的厚度分布的测量结果。
[0070]
对比实施例2
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。
向所得的溶液中添加9.9280g CHA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0071]
对比实施例3
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于12.4100g DMI以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0072]
实施例2
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加1.2410g环己醇(CHA)然后添加9.9280g异丁醇(IBA)并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0073]
实施例3
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加2.4820g CHA然后添加8.6870g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0074]
实施例4
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加3.7230g CHA然后添加7.4460g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0075]
实施例5
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加4.9640g CHA然后添加6.2050g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0076]
实施例6
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加7.4460g CHA然后添加3.7230g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0077]
实施例7
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加8.6870g CHA然后添加2.4820g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0078]
实施例8
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加9.9280g CHA然后添加1.2410g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0079]
实施例9
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.8720g DMI。向所得溶液中首先添加9.3600g CHA然后添加7.4880g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.0%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0080]
实施例10
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于0.9255g DMI。向所得溶液中首先添加4.6275g CHA然后添加3.7020g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:2.0%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0081]
实施例11
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于0.7362g DMI。向所得溶液中首先添加3.6810g CHA然后添加2.9448g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:2.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0082]
实施例12
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于0.6100g DMI。向所得溶液中首先添加3.0500g CHA然后添加2.4400g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:3.0%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0083]
实施例13
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于1.2410g NMP。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0084]
实施例14
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.1256g(0.5757mmol)5-SSA完全地溶于2.4820g DMI。向所得溶液中首先添加3.7230g CHA然后添加6.2050g乙醇(EtOH)并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0085]
实施例15
用下列方式制备清漆,其中将用作受体的5-SSA改变成由通式(12)限定的萘二磺酸低聚物(NSO-2)。
在氮气气氛下,将0.0637g(0.1439mmol)PTA和0.5601g(0.5757mmol)由通式(12)表示的NSO-2完全地溶于8.1926g DMI。向所得溶液中首先添加12.2889g CHA然后添加20.4814g乙醇(EtOH)并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0086]
[化学式18]
[0087]
实施例6
用下列方式制备清漆,其中将用作受体的5-SSA改变成由通式(13)限定的苯并二噁烷磺酸低聚物(BDSO-3)。
在氮气气氛下,将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.5647g(0.5757mmols)由通式(13)表示的BDSO-3完全地溶于8.2530g DMI。向所得溶液中首先添加12.3795g CHA然后添加20.6324g乙醇(EtOH)并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0088]
[化学式19]
[0089]
对比实施例4
用下列方式制备清漆,其中将充当主体的PTA改变成聚苯胺(Pani)。
在氮气气氛下,将0.0637 Pani和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA溶解在2.4820g DMI中,但是没有完全溶解从而提供有机溶剂分散体。向所得分散体中首先添加3.7230g CHA然后添加6.2050g乙醇(EtOH)以制备电荷传输性清漆(理想固体含量:1.5%)。应指出的是,使用的聚苯胺是由Aldrich Corp.制造的Mw大约50000的Emeraldine Base。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂从而获得电荷传输性薄膜。
[0090]
对比实施例5
根据实施例1中描述的程序喷涂聚亚乙基二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)的水溶液(由Bayer AG制造)以提供电荷传输性薄膜。
[0091]
实施例17
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g丙二醇然后添加4.9640g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0092]
实施例18
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g 2,3-丁二醇然后添加4.9640g IBA并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0093]
对比实施例6
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于2.0683g DMI。向所得的溶液中添加10.3417g丙二醇并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0094]
对比实施例7
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于2.0683g DMAc。向所得的溶液中添加10.3417g 2,3-丁二醇并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0095]
实施例19
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g丙酮并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0096]
实施例20
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g乙醇并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0097]
实施例21
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g甲基乙基酮并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0098]
实施例22
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g异丙醇并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0099]
实施例23
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g丁醇并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0100]
实施例24
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g 2-甲基-1-丙醇并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0101]
实施例25
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g环己酮并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0102]
实施例26
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g乙二醇一丁醚(丁基溶纤剂)并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
使用喷涂器NVD-200(由Fujimori Technical Research Co.Ltd.制造)将所得的清漆喷涂到由参考2制造的那种结构附着的ITO基材上。该喷涂器的涂覆条件包括目标在30nm的薄膜厚度,240mm的X和Y扫描方向,0mm的X和Y偏移,10mm的扫描节距,150mm的间隙,500mm/sec的喷嘴速度,10L/min的氮气量,0.8mL/min的化学物质量,15秒的涂覆空闲时间和60秒的生产节拍时间。在涂覆后,在空气中在热板上在180℃下烘烤该薄膜两小时以提供电荷传输性薄膜。
[0103]
对比实施例8
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640gγ-丁基内酯并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0104]
对比实施例9
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g邻苯二甲酸二甲酯并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
根据实施例26中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0105]
对比实施例10
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g DMI。向所得溶液中首先添加6.2050g CHA然后添加4.9640g丙二醇并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)
根据实施例1中描述的程序,将该清漆喷涂以提供电荷传输性薄膜。
[0106]
对比实施例11
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g 1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)。
向所得溶液中首先添加6.2050g环己醇(CHA)然后添加4.9640g异丁醇(IBA)并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
通过以30nm的厚度为目标的旋涂方法涂覆所得的清漆。
在涂覆后,通过在空气中在热板上在180℃下烘烤2小时形成电荷传输性薄膜。
[0107]
对比实施例12
用和实施例1一样的方法,在氮气气氛下将0.0637g(0.1439mmols)PTA和0.1256g(0.5757mmols)5-SSA完全地溶于1.2410g 1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)。
向所得溶液中首先添加6.2050g环己醇(CHA)然后添加4.9640g异丁醇(IBA)并搅拌以制备电荷传输性清漆(固体含量:1.5%)。
通过以30nm的厚度为目标的胶版印刷方法涂覆所得的清漆。
所使用的印刷机是由Nakan Corporation制造的简单印刷机S-15,其中APR板(400目)用于印刷。在两次空印和三次涂覆到废ITO基材后以0.25mm的推入压力印刷该结构附着的基材。
在印刷后,在空气中在热板上将基材在180℃下烘烤数小时以提供电荷传输性薄膜。
[0108]
在表1中,示出了在喷涂并附着到实施例1和对比实施例1-3中制备的电荷传输性清漆的基材的时候粘度、表面张力和固体含量的测量结果以及在其通过喷雾法形成的ITO固体部分处电荷传输性薄膜的目测和厚度分布的结果。将指出的是,在粘度、表面张力和固体含量栏中显示的在箭头(→)之前和之后的数值分别是在喷雾之前清漆的物理值和在附着到基材后清漆的物理值。
通过利用Funatech Co.,Ltd.制造的干涉条纹检查灯FNA-35进行目测。使用该干涉条纹检查灯,可以视觉上、可靠地观察到精细涂覆不均匀性。评价为○、△和×的标准如下:○表示其中获得均匀薄膜表面的情况,△表示其中因为包括涂覆不均匀性而略劣于○的薄膜表面的情况,×表示其中没有获得均匀薄膜表面的情况。
通过利用Kyowa Interface Science Co.,Ltd.制造的自动表面张力计CBVP-Z测量表面张力。
用下列方式测量固体含量。将大约2g待测量的清漆重量加入具有23mL的容量,51mm的上部直径φ,45mm的下部直径φ和12mm的深度的Al标准盘并放入预先保持在160℃下的减压干燥机中,接着在10分钟内将压力降低到23mmHg并干燥60分钟。将该干燥物质从干燥机转移到其中湿度保持在50 RH%的干燥器并允许静置5分钟以称量所得的固体物质。
通过利用Toki Sangyo Co.,Ltd.制造的E-型粘度计测量粘度。在喷涂中,测量在附着到基材的时候清漆的粘度,以致在实际成膜条件下进行喷涂,在该条件下将陪氏培养皿放置在收集用于测量粘度的清漆的位置上。
[0109]
实施例1涉及基于三类有机溶剂的混合物的清漆,该有机溶剂的混合物由作为良溶剂的DMI,作为具有高流平性能的不良溶剂的CHA和作为挥发性不良溶剂的IBA组成。这种电荷传输性清漆在喷涂的时间和附着到基材的时间之间液体物理性能方面发生改变。CHA在喷涂过程中保留,IBA在该喷涂过程中蒸发。
如表1所示,在喷涂之前实施例1中的粘度为8.8mPa·s并且因为IBA在喷雾期间蒸发,所以到达基材的清漆的粘度增加至高达17.6mPa·s。因此,清漆粘度增加到两倍。据发现,虽然表面张力由于IBA的蒸发略微增加,但是可以控制喷涂的时间(29.6mN/m)和附着到基材的时间(33.8mN/m)之间的表面张力。还发现,附着到基材的清漆中的固体物质由于IBA的蒸发从1.5wt%增加到2.4wt%。
通过两种评价方法评价电荷传输性薄膜的表面。一种方法涉及厚度不均匀性,并且如由50μm厚度结构之间的厚度分布证实的那样对薄膜表面作出微观评价。另一种方法涉及涂覆不均匀性,其是通过视觉上观察电荷传输性薄膜的表面进行的薄膜表面膜的宏观评价。
[0110]
已经从图3发现,在30±5nm的厚度分布内形成实施例1的电荷传输性薄膜以覆盖ITO。这种厚度分布优选在想要的厚度±5nm的范围内。如果该范围变得±10nm或更大,则当将该电荷传输性薄膜装配到EL设备中并发射光时,可以视觉上观察到厚度不均匀性成为发光不均匀性。
当将电荷传输性薄膜装配到EL设备中并发光时,在薄膜表面的观察中用干涉条纹检查灯视觉上观察的这种涂覆不均匀性(在薄膜表面的观察中,△或×)视觉上观察为发光不均匀性。
对比实施例1涉及基于两类有机溶剂的混合物的清漆,该有机溶剂由作为良溶剂的DMI和作为挥发性不良溶剂的IBA组成,其中未使用具有高流平性能的不良溶剂。这是液体物理性能在喷涂的时间和清漆附着于基材的时间之间发生改变的电荷传输性清漆。因为除去了具有高流平性能的不良溶剂(该不良溶剂将保留在喷雾中以致改进流平性能),所以产生了涂覆不均匀性。
[0111]
已经从图4发现,对比实施例1的电荷传输性薄膜在30±11nm的厚度分布内覆盖ITO并且可以这样形成为薄膜。还发现,与使用实施例1的清漆的情况不同,结构至结构厚度不均匀性较大。这认为是由于以下原因:在附着到基材的时候的粘度为7.2mPa·s,并因此,粘度如此低以致结构至结构流动容易发生,导致厚度不均匀性。
对比实施例2涉及基于两类有机溶剂的混合物的清漆,该有机溶剂的混合物由作为良溶剂的DMI和作为具有高流平性能的不良溶剂的CHA组成,其中未使用挥发性不良溶剂。在喷涂的时间和附着到基材的时间之间液体物理性能方面没有发生变化。在喷涂时候的粘度如此高(25.4mPa·s)以致该清漆不太可能利用氮气雾化,从而导致不大可能形成均匀的雾。这认为是涂覆不均匀性发生的原因。
对比实施例3涉及仅使用良溶剂DMI的清漆,其中不包含挥发性不良溶剂和具有高流平性能的不良溶剂。在喷涂的时间和附着到基材的时间之间液体物理性能没有改变。在清漆附着时候的粘度如此低(7.2mPa·s)并且不包含用于改进流平性能的具有高流平性能的不良溶剂,因此认为涂覆不均匀性发生。
[0112]
表1
[0113]
在表2中,示出了在喷涂并附着到实施例2-8中制备的电荷传输性清漆的基材的时候粘度、表面张力和固体含量的测量结果以及在其通过喷雾法形成的ITO固体部分处电荷传输性薄膜的目测和厚度分布的结果。
实施例2-8的清漆分别具有设置在1.5wt%的固体含量并且设置DMI作为良溶剂,设置CHA作为具有高流平性能的不良溶剂和设置IBA作为挥发性不良溶剂,但是其中仅改变溶剂组成比率。
[0114]
已经发现,当实施例2-8的清漆的固体含量被固定在1.5wt%且改变IBA的比例时,可以改变并从而控制粘度和表面张力。
还发现,在喷涂和附着到基材的时期过程中粘度可以对于实施例2从4.8mPa·s增加到11.2mPa·s(2.3倍大),对于实施例3从5.0mPa·s增加到12.5mPa·s(2.5倍大),对于实施例4从5.4mPa·s增加到14.5mPa·s(2.7倍大),对于实施例5从6.7mPa·s增加到16.6mPa·s(2.5倍大),对于实施例1从8.8mPa·s增加到17.6mPa·s(2.0倍大),对于实施例6从11.7mPa·s增加到22.5mPa·s(1.9倍大),对于实施例7从15.2mPa·s增加到26.0mPa·s(1.7倍大),对于实施例8从19.5mPa·s增加到31.8mPa·s(1.6倍大),因此增加到1.6-2.7倍。
[0115]
已经发现,在喷涂和附着到基材的时候的表面张力可以对于实施例2从28.8mN/m控制到34.6mN/m,对于实施例3从29.1mN/m控制到34.4mN/m,对于实施例4从29.3mN/m控制到34.2mN/m,对于实施例5从29.4mN/m控制到34.0mN/m,对于实施例1从29.6mN/m控制到33.8mN/m,对于实施例6从30.3mN/m控制到33.7mN/m,对于实施例7从31.1mN/m控制到33.4mN/m,对于实施例8从32.0mN/m控制到33.3mN/m。控制表面张力的能力是非常有利的,因为可以依照基材的表面能选择最佳液体物理性能。
[0116]
至于在喷涂和附着到基材的时候的固体含量,已经发现实施例1-8的清漆可以浓缩到1.5wt%-7.0wt%。在喷涂和附着到基材的时期将清漆的固体内容物浓缩的能力在控制薄膜厚度方面是有利的并且当选择喷涂的参数时变成指数。
已经发现,实施例1-8的电荷传输性薄膜的厚度分布各自在30±6nm内,并因此可以将厚度不均匀性抑制到不影响发光不均匀性的程度。
此外,薄膜表面的观察结果揭示对于实施例1-8的所有电荷传输性薄膜而言不能看出涂覆不均匀性。
[0117]
表2
粘度[mPa·s] | 表面张力[mN/m] | 固体含量[wt%] | 厚度分布[nm] | 薄膜表面的观察 | |
实施例2 | 4.8→11.2 | 28.8→34.6 | 1.5→7.0 | 30±6 | ○ |
实施例3 | 5.0→12.5 | 29.1→34.4 | 1.5→4.8 | 30±6 | ○ |
实施例4 | 5.4→14.5 | 29.3→34.2 | 1.5→3.6 | 30±5 | ○ |
实施例5 | 6.7→16.6 | 29.4→34.0 | 1.5→2.9 | 30±4 | ○ |
实施例1 | 8.8→17.6 | 29.6→33.8 | 1.5→2.4 | 30±5 | ○ |
实施例6 | 11.7→22.5 | 30.3→33.7 | 1.5→2.1 | 30±5 | ○ |
实施例7 | 15.2→26.0 | 31.1→33.4 | 1.5→1.8 | 30±4 | ○ |
实施例8 | 19.5→31.8 | 32.0→33.3 | 1.5→1.6 | 30±4 | ○ |
[0118]
在表3中,示出了在喷涂并附着到实施例1和9-12中制备的电荷传输性清漆的基材的时候粘度、表面张力和固体含量的测量结果以及在其通过喷雾法形成的ITO固体部分处电荷传输性薄膜的目测和厚度分布的结果。
实施例1和实施例9-12的清漆设置DMI作为良溶剂,设置CHA作为具有高流平性能的不良溶剂和设置IBA作为挥发性不良溶剂,其中溶剂组成比固定在10∶50∶40,并改变固体含量。
[0119]
各自地,实施例的清漆的固体含量对于实施例9在1.0wt%,对于实施例1在1.5wt%,对于实施例10在2.0wt%,对于实施例11在2.5wt%,对于实施例12在3.0wt%。
在喷涂和附着到基材期间的粘度可以对于实施例9从8.4mPa·s增加到16.7mPa·s(2.0倍大),对于实施例1从8.8mPa·s增加到17.6mPa·s(2.0倍大),对于实施例10从9.2mPa·s增加到18.4mPa·s(2.0倍大),对于实施例11从9.7mPa·s增加到19.3mPa·s(2.0倍大),对于实施例12从10.0mPa·s增加到20.0mPa·s(2.0倍大),因此增加到大约2.0倍。
[0120]
在喷涂和附着到基材的时候的表面张力可以对于实施例9从29.4mN/m控制到33.7mN/m,对于实施例1从29.6mN/m控制到33.8mN/m,对于实施例10从29.6mN/m控制到33.9mN/m,对于实施例11从29.7mN/m控制到34.1mN/m,对于实施例12从29.8mN/m控制到34.2mN/m。控制表面张力的能力是非常有利的,因为可以依照基材的表面能选择最佳液体物理性能。
实施例9-12的电荷传输性薄膜的厚度分布各自在30±5nm内,并因此可以将厚度不均匀性抑制到不影响发光不均匀性的程度。
此外,薄膜表面的观察结果揭示对于实施例9-12的所有电荷传输性薄膜而言不能看出涂覆不均匀性,因此提供均匀的薄膜表面。
清漆的固体含量的改变变成控制薄膜厚度的指数。
[0121]
表3
粘度[mPa·s] | 表面张力[mN/m] | 固体含量[wt%] | 厚度分布[nm] | 薄膜表面的观察 | |
实施例9 | 8.4→16.7 | 29.4→33.7 | 1.0→1.6 | 30±5 | ○ |
实施例1 | 8.8→17.6 | 29.6→33.8 | 1.5→2.4 | 29±5 | ○ |
实施例10 | 9.2→18.4 | 29.6→33.9 | 2.0→3.3 | 30±5 | ○ |
实施例11 | 9.7→19.3 | 29.7→34.1 | 2.5→4.1 | 30±5 | ○ |
实施例12 | 10.0→20.0 | 29.8→34.2 | 3.0→4.9 | 31±5 | ○ |
[0122]
在表4中,示出了在喷涂并附着到实施例1和13中制备的电荷传输性清漆的基材的时候粘度、表面张力和固体含量的测量结果,和在通过喷雾法形成的电荷传输性薄膜的ITO固体部分处的目测和厚度分布结果。
实施例1和13的清漆设置CHA作为具有高流平性能的不良溶剂并设置IBA作为挥发性不良溶剂,并且溶剂组成比如此设置以致良溶剂∶CHA∶IBA=10∶50∶40,其中将固体含量固定在1.5wt%,其中改变彼此的良溶剂。
对于使用NMP作为良溶剂的实施例13的电荷传输性清漆而言,可以在结构之间形成非常优质的电荷传输性薄膜。
[0123]
表4
粘度[mPa·s] | 表面张力[mN/m] | 固体含量[wt%] | 厚度分布[nm] | 薄膜表面的观察 | |
实施例1 | 8.8→17.6 | 29.6→33.8 | 1.5→2.4 | 30±5 | ○ |
实施例13 | 8.2→15.5 | 29.5→33.6 | 1.5→2.4 | 29±5 | ○ |
[0124]
在表5中,示出了在喷涂并附着到实施例14-16和对比实施例4和5中制备的电荷传输性清漆的基材的时候粘度、表面张力和固体含量的测量结果,和在通过喷雾法形成的电荷传输性薄膜的ITO固体部分处的目测和厚度分布结果。
实施例14的清漆是包含实施例1中使用的那种溶质并且其中溶剂组成比固定在良溶剂∶CHA∶EtOH=20∶30∶50的清漆。
实施例15和16的清漆的溶剂组成比固定在良溶剂∶CHA∶EtOH=20∶30∶50,其固体含量固定在1.5wt%,并改变掺杂剂的类型。
对比实施例4和5的清漆使用聚合物作为主体。对比实施例4的清漆是在有机溶剂中的分散体的清漆,对比实施例5的清漆是水性分散体的清漆。
[0125]
喷涂和附着到基材的期间的粘度可以对于实施例14从7.2mPa·s增加到14.2mPa·s(2.0倍大),对于实施例15从4.4mPa·s增加到8.6mPa·s(2.0倍大),对于实施例16从4.1mPa·s增加到7.8mPa·s(1.9倍大)。
在喷涂和附着到基材期间表面张力对于实施例14从30.1mN/m变化到35.1mN/m,对于实施例15从29.8mN/m变化到34.9mN/m,对于实施例16从29.2mN/m变化到34.5mN/m,因此使表面张力能够被控制。控制表面张力的能力是非常有利的,因为可以依照基材的表面能选择最佳液体物理性能。
[0126]
喷涂和附着到基材期间固体含量对于实施例14从1.5wt%增加到3.0wt%(2.0倍大),对于实施例15从1.5wt%增加到3.0wt%(2.0倍大),对于实施例16从1.5wt%增加到3.0wt%(2.0倍大),因此显示清漆的浓缩。
此外,实施例14-16中薄膜厚度分布各自在30±6nm内,这显示厚度不均匀性被抑制到不影响发光不均匀性的程度。
另一方面,已经发现,在对比实施例4和5中,虽然在喷涂和附着到基材期间粘度和表面张力各自地改变(然而,在这方面,在喷涂和附着到基材的时候对比实施例5中的表面张力在误差范围之内),但是厚度分布对于对比实施例4为15±30nm,对于对比实施例5为10±30nm,因此显示厚度不均匀性非常大。此外,已经证实,对比实施例4和5的薄膜在薄膜表面的粗糙度方面非常大并且除了涂覆不均匀性以外还包括归因于异物的橙皮,在基材中心附近的海-岛状结构,和基材边缘部分的收缩等。
[0127]
表5
粘度[mPa·s] | 表面张力[mN/m] | 固体含量[wt%] | 厚度分布[nm] | 薄膜表面的观察 | |
实施例14 | 7.2→14.2 | 30.1→35.1 | 1.5→3.0 | 30±5 | ○ |
实施例15 | 4.4→8.6 | 29.8→34.9 | 1.5→3.0 | 30±6 | ○ |
实施例16 | 4.1→7.8 | 29.2→34.5 | 1.5→3.0 | 30±6 | ○ |
对比实施例4 | 5.1→9.9 | 30.9→35.4 | - | 15±30 | × |
对比实施例5 | 3.9→3.8 | 75.5→75.5 | - | 10±30 | × |
[0128]
在表6中,示出了在喷涂并附着到实施例1、17和18和对比实施例2、6和7中制备的电荷传输性清漆的基材的时候粘度、表面张力和固体含量的测量结果以及在其通过喷雾法形成的ITO固体部分处电荷传输性薄膜的目测和厚度分布的结果。
包含在相应清漆中的具有高流平性能的不良溶剂对于实施例1和对比实施例2是CHA,对于实施例17和对比实施例6是丙二醇(PG),对于实施例18和对比实施例7是2,3-丁二醇(2,3-BD)。
对比实施例2、6和7的清漆是不含挥发性不良溶剂的那些。
[0129]
在喷涂和附着到基材的时候的粘度对于实施例1从8.8mPa·s变化到17.6mPa·s(2.0倍大),对于实施例17从11.1mPa·s变化到30.6mPa·s(2.8倍大),对于实施例18从12.2mPa·s变化到44.0mPa·s(3.6倍大),使粘度能够增加到2.0-3.6倍。已经发现,可以通过改变具有高流平性能的不良溶剂的类型控制粘度。
另一方面,在附着到基材的时候对比实施例2、6和7的清漆的粘度与在喷涂时候的那些相同并且分别在17.6mPa·s、30.6mPa·s和44.0mPa·s。
[0130]
在喷涂和附着到基材期间的表面张力对于实施例1从29.6mN/m变化到33.8mN/m,对于实施例17从28.1mN/m变化到33.2mN/m,对于实施例18从28.6mN/m变化到33.5mN/m,因此使表面张力能够被控制。控制表面张力的能力是非常有利的,因为可以依照基材的表面能选择最佳液体物理性能。可以通过改变具有高流平性能的不良溶剂的类型改变在附着到基材的时候的表面张力。
另一方面,在对比实施例2、6和7中在附着到基材的时候的表面张力与在喷涂时候的那些表面张力相同并且分别在33.8mN/m,33.2mN/m和33.5mN/m。
[0131]
分别地,喷涂和附着到基材期间固体含量对于实施例1从1.5wt%增加到2.4wt%(1.6倍大),对于实施例17从1.5wt%增加到2.4wt%(1.6倍大),对于实施例18从1.5wt%增加到2.4wt%(1.6倍大),这显示可以浓缩该清漆。
另一方面,在对比实施例2、6和7中在附着到基材的时候的固体含量与在喷涂时候的那些相同并且分别在2.4wt%、2.4wt%和2.4wt%。
实施例1、17和18的厚度分布各自在大约30±6nm,由此发现厚度不均匀性被抑制到不影响发光不均匀性的程度。
此外,薄膜表面的观察结果证实在所有实施例1、17和18中没有看出涂覆不均匀性而提供均匀的薄膜表面。
另一方面,对比实施例6和7的厚度分布分别在25±12nm和25±11nm,因此厚度不均匀性非常大。
此外,由薄膜表面的观察结果证实在薄膜表面上的涂覆不均匀性在对比实施例2、6和7中出现。
[0132]
表6
粘度[mPa·s] | 表面张力[mN/m] | 固体含量[wt%] | 厚度分布[nm] | 薄膜表面的观察 | |
实施例1 | 8.8→17.6 | 29.6→33.8 | 1.5→2.4 | 30±5 | ○ |
实施例17 | 11.1→30.6 | 28.1→33.2 | 1.5→2.4 | 30±5 | ○ |
实施例18 | 12.2→44.0 | 28.6→33.5 | 1.5→2.4 | 30±6 | ○ |
对比实施例2 | 17.6 | 33.8 | 1.5→1.5 | - | △ |
对比实施例6 | 30.6 | 33.2 | 1.5→1.5 | 25±12 | △ |
对比实施例7 | 44.0 | 33.5 | 1.5→1.5 | 25±11 | △ |
[0133]
在表7中,示出了在喷涂并附着到实施例1、19-26和对比实施例8-10中制备的电荷传输性清漆的基材的时候粘度、表面张力和固体含量的测量结果以及在其通过喷雾法形成的ITO固体部分处电荷传输性薄膜的目测和厚度分布的结果。
包含在实施例1、19-26的相应清漆中的具有高流平性能的不良溶剂对于实施例1是异丁醇(IBA),对于实施例19是丙酮(ACE),对于实施例20是乙醇(EtOH),对于实施例21是甲基乙基酮(MEK),对于实施例22是异丙醇(IPA),对于实施例23是丁醇(BuOH),对于实施例24是2-甲基-1-戊醇(2MelPeOH),对于实施例25是环己酮(CHN),对于实施例26是乙二醇一丁基醚(丁基溶纤剂)。
在对比实施例8-10的清漆中,使用γ-丁基内酯(γ-BL)(对比实施例8)、邻苯二甲酸二甲酯(对比实施例9)和丙二醇(对比实施例10)代替挥发性不良溶剂。
(对比实施例10)
[0134]
考虑到在喷涂和附着到基材的时候的固体含量,已经证实实施例1、19-26的清漆是浓缩的,但是对于对比实施例8-10的清漆没有被证实。
实施例1、19-26的厚度分布在大约30±6nm,这显示厚度不均匀性被抑制到不影响发光不均匀性的程度。
另一方面,对比实施例8-10的厚度分布分别在30±18nm、30±19nm和30±15nm,因此显示非常大的厚度不均匀性。
此外,作为薄膜表面的观察结果,在所有实施例1、19-26中没有证实涂覆不均匀性,其中均匀的薄膜表面得到证实。
另一方面,在对比实施例8-10中已经证实在薄膜表面上的涂覆不均匀性。
[0135]
表7
粘度[mPa·s] | 表面张力[mN/m] | 固体含量[wt%] | 厚度分布[nm] | 薄膜表面的观察 | |
实施例19 | 1.4→17.6 | 31.1→33.8 | 1.5→2.4 | 30±5 | ○ |
实施例20 | 3.9→17.6 | 31.7→33.8 | 1.5→2.4 | 31±4 | ○ |
实施例21 | 1.8→17.6 | 32.0→33.8 | 1.5→2.4 | 30±5 | ○ |
实施例22 | 6.0→17.6 | 30.0→33.8 | 1.5→2.4 | 31±5 | ○ |
实施例1 | 8.8→17.6 | 29.6→33.8 | 1.5→2.4 | 30±5 | ○ |
实施例23 | 7.0→17.6 | 31.6→33.8 | 1.5→2.4 | 30±6 | ○ |
实施例24 | 10.5→17.3 | 32.0→32.6 | 1.5→2.2 | 30±6 | ○ |
实施例25 | 6.0→7.6 | 35.3→35.0 | 1.5→1.7 | 30±6 | ○ |
实施例26 | 8.0→9.4 | 32.7→33.3 | 1.5→1.8 | 30±5 | ○ |
对比实施例8 | 5.7→5.7 | 34.1→34.1 | 1.5→1.5 | 32±18 | × |
对比实施例9 | 19.9→19.9 | 34.1→34.1 | 1.5→1.5 | 32±19 | × |
对比实施例10 | 29.8→29.8 | 34.1→34.1 | 1.5→1.5 | 32±15 | × |
[0136]
在表8中,示出了当改变涂覆方法时厚度分布和薄膜表面的观察的结果。
作出评价以致使用实施例1的清漆并通过实施例1中的喷雾法,对比实施例11中的旋涂法和对比实施例12中的胶版印刷法进行涂覆。
使用对比实施例11的旋涂法,厚度分布变成30±10nm。虽然获得了好的薄膜成型性,但是得到大的厚度不均匀性。可以认为,当通过旋涂法使用粘度为大约8.8mPa·s的清漆进行成膜时,这种厚度不均匀性归因于清漆在结构之间的流动。
根据对比实施例12中的胶版印刷法,厚度分布变成28±12nm,以致厚度不均匀性较大并且涂覆不均匀性观察为反映在薄膜成型性上。认为大约8.8mPa·s的粘度对于用作该印刷方法中的最佳粘度较低并且不允许对APR板的良好亲合性,因此不确保良好的转移。此外,该印刷方法中的APR板与结构直接接触,显示在容易遭受摩擦的部分例如印刷面上的边缘部分处精细结构被破坏。
[0137]
表8
粘度[mPa·s] | 表面张力[mN/m] | 固体含量[wt%] | 厚度分布[nm] | 薄膜表面的观察 | |
实施例1 | 8.8→17.6 | 29.6→33.8 | 1.5→2.4 | 30±5 | ○ |
对比实施例11 | 8.8 | 29.6 | 1.5 | 30±10 | ○ |
对比实施例12 | 8.8 | 29.6 | 1.5 | 28±12 | △ |
[0138]
实施例27
将在实施例1中制造的电荷传输性薄膜引入真空沉积设备,接着分别按40nm、60nm、0.5nm和100nm的厚度连续沉积α-NPD、Alq3、LiF和Al。在压力各自达到8×10-4Pa以下后,进行该真空沉积操作。沉积速率各自在0.3-0.4nm/s(除了LiF),并且LiF的沉积速率在0.02-0.04nm/s。在真空中进行一系列沉积操作直到沉积了所有层。
[0139]
对比实施例13
用和实施例27一样的方法,除了使用对比实施例2的电荷传输性清漆,制造OLED设备以评价其特性。
在表9中,示出了实施例27和对比实施例13的OLED设备的特性和Ip。
发光开始电压或当将10mA/cm2和50mA/cm2取作阈值时的电压,亮度和发光效率显示作为OLED设备的特性。
将指出的是,通过利用有机EL发光效率测量设备(EL1003,由Precise Gauges Co.,Ltd.制造)测量该OLED设备的特性。通过利用由Riken Keiki Co.,Ltd.制造的光电子光谱分析仪AC-2测量Ip。
[0140]
表9
[0141]
对于表9中的OLED设备特性而言,实施例27的OLED设备和对比实施例13的OLED设备之间的对比揭示,在10mA/cm2的电流通过下,电压是8.23V对8.32V,亮度是714cd/m2对689cd/m2,发光效率是7.11cd/A对3.32cd/A,并且在50mA/cm2的电流通过下,电压是10.27V对10.71V,亮度是4005cd/m2对3155cd/m2,发光效率是8.00cd/A对4.44cd/A。因此,实施例27的OLED设备的所有特性优于对比实施例13的OLED设备的那些。
实施例27的OLED设备的发光表面满足平面发光是均匀的,而对比实施例13的OLED设备被如此对照以致平面发光在边缘部分处变亮并在中心部分处变暗,因此导致不均匀的发光。
[0142]
认为,表9的结果可归因于结构之间的厚度不均匀性,这是实施例27的厚度分布为30±5nm的OLED设备和对比实施例13的厚度分布为30±10nm的OLED设备之间的差异。特别地,因为来自对比实施例13的OLED设备的荧光在薄膜的厚部变暗而不是在薄部变亮,因此认为发生了荧光的局部化,因此当平面发光时降低了效率。可以容易地断定,在对比实施例13的经历不均匀发光的OLED设备中,电荷是偏置的,由此寿命变短且短路特性降低将是显而易见的。
因此,使用本发明的电荷传输性清漆,所得的EL设备的发光开始电压降低,电流效率得到改进并且具有延长的寿命,因此使该EL设备能够以好的产率制造,同时是廉价且生产效率高的。
Claims (21)
1.用于喷雾或喷墨涂覆的清漆,包含:由分子量200-1000的有机化合物或分子量200-5000的低聚物制成的基础材料,良溶剂,至少一种具有高流平性能的不良溶剂,和至少一种挥发性不良溶剂。
2.用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,包含:由电荷传输性单体或数均分子量200-5000的电荷传输性低聚物,或所述传输性有机材料和电子接受性掺杂材料或空穴接受性掺杂材料制成的电荷传输性材料,良溶剂,至少一种具有高流平性能的不良溶剂和至少一种挥发性不良溶剂。
3.根据权利要求2的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述良溶剂是选自以下物质中的至少一种:N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑啉酮。
4.根据权利要求2或3的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述具有高流平性能的不良溶剂是选自环己醇、2,3-丁二醇和丙二醇中的至少一种。
5.根据权利要求2-4中任一项的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述挥发性不良溶剂是选自乙醇、异丙醇、异丁醇和乙二醇单丁醚中的至少一种。
6.根据权利要求2的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述良溶剂、所述至少一种具有高流平性能的不良溶剂和所述至少一种挥发性不良溶剂的组合是1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、环己醇和异丁醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、环己醇和乙二醇一丁醚,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、环己醇和乙醇,N-甲基吡咯烷酮、环己醇和异丁醇,N-甲基吡咯烷酮、环己醇和乙醇,N,N-二甲基乙酰胺、环己醇和异丁醇,N,N-二甲基乙酰胺、环己醇和乙醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、2,3-丁二醇和异丁醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、2,3-丁二醇和乙醇,N-甲基吡咯烷酮、2,3-丁二醇和异丁醇,N-甲基吡咯烷酮、2,3-丁二醇和乙醇,N,N-二甲基乙酰胺、2,3-丁二醇和异丁醇,N,N-二甲基乙酰胺、2,3-丁二醇和乙醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、二丙二醇和异丁醇,1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、二丙二醇和乙醇,N-甲基吡咯烷酮、二丙二醇和异丁醇,N-甲基吡咯烷酮、二丙二醇和乙醇,N,N-二甲基乙酰胺、二丙二醇和异丁醇,或N,N-二甲基乙酰胺、二丙二醇和乙醇。
7.根据权利要求2-6中任一项的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述电荷传输性材料是具有共轭单元的电荷传输性单体或具有共轭单元且数均分子量为200-5000的电荷传输性低聚物,其中单一共轭单元连续地键接或两种或更多种不同类型的共轭单元按任意顺序连续地结合。
8.根据权利要求7的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述共轭单元是选自取代或未取代的且二价至四价的苯胺、噻吩、dithiine、呋喃、吡咯、亚乙炔基、亚乙烯基、亚苯基、萘、蒽、咪唑、噁唑、噁二唑、喹啉、喹喔啉、silole、硅、吡啶、嘧啶、吡嗪、亚苯基亚乙烯基、芴、咔唑、三芳基胺、金属或无金属酞菁或金属或无金属卟啉中的至少一种。
9.根据权利要求7的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述电荷传输性材料是由通式(1)表示的低聚苯胺衍生物或是通式(1)的氧化产物的醌二亚胺衍生物,
其中R1、R2及R3独立地表示氢、羟基、卤基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酯基、酰胺基、硝基、一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基或砜基,A和B独立地表示由通式(2)或(3)表示的二价基
其中R4-R11独立地表示氢、羟基、卤基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酯基、酰胺基、硝基、一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基或砜基,m和n独立地是1或更大的整数,条件是m+n≤20。
12.根据权利要求2-10中任一项的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆,其中所述电子接受性掺杂材料是由通式(6)表示的磺酸衍生物,
其中R14~R18独立地表示氢原子、未取代或取代的一价烃基或卤原子,X表示单键、O、S或NH,A表示氢原子、卤原子、O、S、S(O)基、S(O2)基、或与未取代或取代的基团键接的N、Si、P、P(O)基,或一价或更高价的未取代或取代的烃基,y等于A的化合价并且是满足1≤y的整数,x表示与1,4-苯并二噁烷骨架中的苯环结构部分键接的砜基的数目并且1≤x≤4。
14.薄膜,其特征在于是通过利用权利要求1所限定的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆形成的。
15.电荷传输性薄膜,其特征在于是通过利用权利要求2-13中任一项限定的用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆形成的。
16.根据权利要求15的电荷传输性薄膜,其特征在于是通过喷雾法形成的。
17.包含权利要求15或16所限定的电荷传输性薄膜的有机电致发光装置。
18.根据权利要求17的有机电致发光装置,其中所述电荷传输性薄膜是空穴注入层或空穴传输层。
19.薄膜的制造方法,其特征在于通过喷雾或喷墨方法将权利要求1所限定的清漆涂覆在基材上并蒸发溶剂。
20.电荷传输性薄膜的制造方法,其特征在于通过喷雾或喷墨方法将权利要求2-13中任一项所限定的电荷传输性清漆涂覆在基材上并蒸发溶剂。
21.根据权利要求20的电荷传输性薄膜的制造方法,其中通过喷雾法进行该涂覆。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP313599/2005 | 2005-10-28 | ||
JP2005313599 | 2005-10-28 | ||
JP2006093058 | 2006-03-30 | ||
JP093058/2006 | 2006-03-30 | ||
PCT/JP2006/321218 WO2007049631A1 (ja) | 2005-10-28 | 2006-10-25 | スプレー又はインクジェット塗布用電荷輸送性ワニス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101331625A true CN101331625A (zh) | 2008-12-24 |
CN101331625B CN101331625B (zh) | 2016-03-09 |
Family
ID=37967741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200680043223.XA Active CN101331625B (zh) | 2005-10-28 | 2006-10-25 | 用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9172043B2 (zh) |
EP (1) | EP1950816A4 (zh) |
JP (2) | JP5401791B2 (zh) |
KR (1) | KR101413129B1 (zh) |
CN (1) | CN101331625B (zh) |
TW (1) | TWI418241B (zh) |
WO (1) | WO2007049631A1 (zh) |
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GB0814971D0 (en) | 2008-08-15 | 2008-09-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same |
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TW200733806A (en) | 2007-09-01 |
EP1950816A1 (en) | 2008-07-30 |
CN101331625B (zh) | 2016-03-09 |
KR101413129B1 (ko) | 2014-07-01 |
KR20080064974A (ko) | 2008-07-10 |
JPWO2007049631A1 (ja) | 2009-04-30 |
TWI418241B (zh) | 2013-12-01 |
JP5401791B2 (ja) | 2014-01-29 |
JP2013136784A (ja) | 2013-07-11 |
JP5720709B2 (ja) | 2015-05-20 |
US20090239045A1 (en) | 2009-09-24 |
EP1950816A4 (en) | 2012-02-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |