TWI634164B - 機能層形成用墨水之製造方法、有機ｅｌ元件之製造方法 - Google Patents

機能層形成用墨水之製造方法、有機ｅｌ元件之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可使包含低分子材料與高分子材料之混合物迅速溶解之機能層形成用墨水之製造方法、及使用其之有機EL元件之製造方法。
本發明之機能層形成用墨水之製造方法之特徵在於：包含使混合有低分子材料與高分子材料之混合物分散於不良溶劑之步驟、及向分散有混合物之不良溶劑添加良溶劑，使混合物溶解之步驟，且相對於不良溶劑加上良溶劑之總體積，不良溶劑之體積比為10%~70%，且可將不良溶劑與良溶劑進行混合。

Description

機能層形成用墨水之製造方法、有機EL元件之製造方法
本發明係關於一種形成具有發光機能之機能層時所使用之機能層形成用墨水之製造方法、有機EL元件之製造方法。
作為發光元件之有機電致發光(Electro-Luminescence；EL)元件係於陽極與陰極之間具有含有包含有機化合物之發光材料之機能層。作為形成此種機能層之方法，已知有真空蒸鍍法等氣相法(亦稱為乾式法)、或使用使機能層形成材料溶解或分散於溶劑而成之溶液之液相法(亦稱為濕式法或塗佈法)。通常而言，於氣相法中適合使用低分子材料，於液相法中，就成膜性之觀點而言，可使用高分子材料。已知高分子材料與低分子材料相比，有時於發光效率或發光壽命方面較差。另一方面，液相法與氣相法相比，可於大型基板上相對容易地形成有機EL元件，因此繼續進行開發。
例如，於專利文獻1中揭示有如下有機EL元件，該有機EL元件具有：藉由濕式法將高分子材料成膜而成之電洞注入-傳輸層、與積層於電洞注入-傳輸層且藉由濕式法將低分子發光材料成膜而成之低分子發光層。又，揭示有作為低分子發光材料之具有蒽骨架或芘骨架之有機化合物。
又，例如於專利文獻2中，關於有機EL元件之製造方法，使作為高分子材料之三苯胺系聚合物於作為主溶劑之環己基苯與作為副溶劑之二甲苯中溶解並進行塗佈、乾燥，藉此形成電洞注入傳輸層。又，揭示有如下方法：使於作為高分子材料之聚烯烴系材料中摻雜有作為低分子材料之發光材料之混合物溶解於同樣包含環己基苯與二甲苯的溶劑中，塗佈於電洞注入傳輸層上並進行乾燥，從而形成發光層。
進而，例如於專利文獻3中，關於電洞注入層及電洞傳輸層之形成方法，揭示有利用由低分子之層形成材料與高分子黏合劑之混合溶液之成膜之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-190759號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-226686號公報
[專利文獻3]日本專利特開2009-245657號公報
於上述專利文獻1~專利文獻3中，於以液相法形成具有發光機能之機能層中包含有機化合物之電洞注入層、電洞傳輸層、發光層中之任一者的情形時，作為使低分子材料或高分子材料之有機化合物、或者作為低分子材料與高分子材料之混合物之有機化合物溶解之溶劑，揭示有下述之有機溶劑。
例如可列舉：甲醇、乙醇等醇系溶劑；二氯甲烷、二氯乙烷等鹵素系烴系溶劑；苯、甲苯等芳香族系溶劑；己烷、辛烷等烷烴系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶劑；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺系溶劑；丙酮、甲基乙基酮等酮系溶劑；吡啶、喹啉等胺系溶劑；乙腈、戊腈等腈系溶劑；噻吩、二硫化碳等硫系溶劑 等。
然而，低分子材料或高分子材料對上述有機溶劑之溶解度亦取決於所使用之材料，但未必較大。尤其是於使用低分子材料與高分子材料之混合物之情形時，存在如下課題：於有機溶劑中由於相互之分子間力，故而低分子材料與高分子材料凝集而容易凝膠化，從而需要充分之時間直至使凝膠狀之混合物完全溶解於上述有機溶劑(例如24小時以上)、或者有無法使凝膠狀之混合物完全溶解之虞。
本發明係為了解決上述課題之至少一部分而完成者，且可以下述之形態或應用例之方式實現。
[應用例]本應用例之機能層形成用墨水之製造方法係形成具有發光機能之機能層時所使用之機能層形成用墨水之製造方法，其特徵在於：包含使低分子材料、高分子材料、或混合有上述低分子材料與上述高分子材料之混合物中之任一種固形物成分分散於不良溶劑之步驟、及向分散有上述固形物成分之上述不良溶劑添加良溶劑，使上述混合物溶解之步驟，且相對於上述不良溶劑加上上述良溶劑之總體積，上述不良溶劑之體積比為10%~70%，且可將上述不良溶劑與上述良溶劑進行混合。
根據本應用例，因向分散有固形物成分之狀態之不良溶劑添加有良溶劑，故抑制不良溶劑與良溶劑之混合溶劑中之該固形物成分之凝膠化。因此，與使該固形物成分僅溶解於良溶劑之情形相比，可迅速地使該固形物成分溶解。即，可提供一種可使固形物成分迅速溶解於混合溶劑之機能層形成用墨水之製造方法。
又，於機能層形成用墨水包含低分子材料與高分子材料之情形時，與不包含低分子材料之情形相比，可形成具有優異光學特性之機能層。
如上述應用例之機能層形成用墨水之製造方法，其中上述不良溶劑之沸點為150℃以上且為300℃以下，上述良溶劑之沸點為250℃以上且300℃以下。
根據該方法，於藉由噴墨法等液滴噴出法而形成機能層之情形時，難以產生由機能層形成用墨水之乾燥引起之噴嘴之堵塞等，而可製造適合液滴噴出法之機能層形成用墨水。
如上述應用例之機能層形成用墨水之製造方法，其中上述不良溶劑係自直鏈烷烴系溶劑、脂肪族醇系溶劑、脂肪族醚系溶劑、芳香族烴系溶劑中選擇至少1種，上述良溶劑係自3-苯氧基甲苯、2-異丙基萘、二苄醚、異丙基聯苯中選擇至少1種。
根據該方法，相對於使低分子材料與高分子材料之混合物僅溶解於良溶劑之情形之溶解時間，可將混合溶劑中之上述混合物之溶解時間縮短20%以上。
如上述應用例之機能層形成用墨水之製造方法，其中上述不良溶劑係自直鏈烷烴系溶劑、脂肪族醇系溶劑中選擇至少1種，上述良溶劑係自3-苯氧基甲苯、2-異丙基萘、二苄醚、異丙基聯苯中選擇至少1種。
根據該方法，相對於使低分子材料與高分子材料之混合物僅溶解於良溶劑之情形之溶解時間，可將混合溶劑中之上述混合物之溶解時間縮短至上述溶解時間之1/10以下。
如上述應用例之機能層形成用墨水之製造方法，其中上述不良溶劑係自4種直鏈烷烴系溶劑(壬烷、癸烷、十一烷、十二烷)、5種脂肪族醇系溶劑(己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇)、14種脂肪族醚系溶劑(二戊醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、二乙二醇異丙基甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇甲基丙基醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基 甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚)、8種芳香族烴系溶劑(1,3-二異丙基苯、1,4-二異丙基苯、三異丙基苯、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯)中選擇至少1種，上述良溶劑係自3-苯氧基甲苯、2-異丙基萘、二苄醚、異丙基聯苯中選擇至少1種。
根據該方法，於使用液滴噴出法之情形時，可提供更適合液滴噴出法之機能層形成用墨水。
[應用例]本應用例之有機EL元件之製造方法係於陽極與陰極之間具備具有發光機能之機能層之有機EL元件的製造方法，其特徵在於：上述機能層包含自上述陽極側依序積層之電洞注入層、電洞傳輸層、發光層，且該製造方法具有如下機能層形成步驟：使用包含低分子材料、高分子材料、或混合有上述低分子材料與上述高分子材料之混合物中之任一種固形物成分之機能層形成用墨水，而形成上述電洞注入層、上述電洞傳輸層、上述發光層中之至少1層，且上述機能層形成用墨水係使用上述應用例所記載之機能層形成用墨水之製造方法而製造者。
根據本應用例，可縮短機能層形成用墨水之製造所需之時間，因此可提供一種就生產性而言可高效率地製造有機EL元件之有機EL元件之製造方法。又，於機能層形成用墨水包含低分子材料與高分子材料之情形時，與不包含低分子材料之情形相比，可形成具備具有優異光學特性之機能層之有機EL元件。
如上述應用例之有機EL元件之製造方法，其中於上述機能層形成步驟中，使用上述機能層形成用墨水而形成上述電洞注入層。
根據該方法，可有效率地形成具有優異電洞注入性能之電洞注入層。
如上述應用例之有機EL元件之製造方法，其中於上述機能層形 成步驟中，使用上述機能層形成用墨水而形成上述電洞傳輸層。
根據該方法，可有效率地形成具有優異電洞傳輸性能之電洞傳輸層。
如上述應用例之有機EL元件之製造方法，其中於上述機能層形成步驟中，使用上述機能層形成用墨水而形成上述發光層。
根據該方法，可有效率地形成具有優異發光性能之發光層。
50‧‧‧噴墨頭
60、70、80‧‧‧機能層形成用墨水
100‧‧‧有機EL裝置
101‧‧‧元件基板
102‧‧‧密封基板
103‧‧‧掃描線驅動電路
104‧‧‧資料線驅動電路
107‧‧‧發光像素
107B‧‧‧藍色之發光像素
107G‧‧‧綠色之發光像素
107R‧‧‧紅色之發光像素
108‧‧‧顯示像素單元
111‧‧‧像素電路
112‧‧‧掃描線
113‧‧‧資料線
114‧‧‧電源線
115‧‧‧底層絕緣膜
116‧‧‧閘極絕緣膜
117‧‧‧第1層間絕緣膜
118‧‧‧第2層間絕緣膜
118a‧‧‧設置於第2層間絕緣膜之接觸孔
121‧‧‧開關用電晶體
122‧‧‧驅動用電晶體
122a‧‧‧半導體層
122b‧‧‧半導體層之高濃度汲極區域
122c‧‧‧半導體層之高濃度源極區域
123‧‧‧儲存電容
124‧‧‧汲極電極
124a‧‧‧穿過閘極絕緣膜與第1層間絕緣膜開孔之接觸孔
125‧‧‧源極電極
125a‧‧‧穿過閘極絕緣膜與第1層間絕緣膜開孔之接觸孔
126‧‧‧閘極電極
130‧‧‧有機EL元件
131‧‧‧作為陽極之像素電極
132‧‧‧機能層
132a‧‧‧電洞注入層
132b‧‧‧電洞傳輸層
132c‧‧‧發光層
132d‧‧‧電子傳輸層
132e‧‧‧電子注入層
132B‧‧‧藍色發光之機能層
132G‧‧‧綠色發光之機能層
132R‧‧‧紅色發光之機能層
133‧‧‧間隔壁
133a‧‧‧下層觸排
133b‧‧‧上層觸排
134‧‧‧作為陰極之對向電極
135‧‧‧密封層
E‧‧‧顯示區域
圖1係表示有機EL裝置之電氣構成之等效電路圖。
圖2係表示有機EL裝置之構成之概略俯視圖。
圖3係表示有機EL裝置之像素之構造之概略剖面圖。
圖4係表示有機EL元件之構成之模式剖面圖。
圖5係表示有機EL元件之製造方法之流程圖。
圖6(a)~(e)係表示有機EL元件之製造方法之概略剖面圖。
圖7(f)~(h)係表示有機EL元件之製造方法之概略剖面圖。
以下，針對將本發明具體化之實施形態，依據圖式進行說明。再者，所使用之圖式係以說明之部分成為可識別之狀態之方式適當擴大或縮小而進行表示。
再者，於以下之形態中，例如於記載為「於基板上」之情形時，設為表示如下情形：以接觸於基板上之方式進行配置之情形、或於基板上介隔其他構成物而進行配置之情形、或以一部分接觸於基板上之方式進行配置，另一部分介隔其他構成物而進行配置之情形。
<有機EL裝置>
首先，針對具備有機EL元件之有機EL裝置，參照圖1~圖3進行說明。圖1係表示有機EL裝置之電氣構成之等效電路圖，圖2係表示有機EL裝置之構成之概略俯視圖，圖3係表示有機EL裝置之像素之構 造之概略剖面圖。
如圖1所示，有機EL裝置100具有：相互交叉之複數根掃描線112及複數根資料線113、與分別並列於複數根資料線113之電源線114。又，具有連接複數根掃描線112之掃描線驅動電路103、與連接複數根資料線113之資料線驅動電路104。又，具有對應於複數根掃描線112與複數根資料線113之各交叉部且矩陣狀配置之複數個發光像素107。
發光像素107具有作為發光元件之有機EL元件130、與控制有機EL元件130之驅動之像素電路111。
有機EL元件130具有作為陽極之像素電極131、作為陰極之對向電極134、及設置於像素電極131與對向電極134之間之包含發光層之機能層132。此種有機EL元件130可記載為電氣二極體。再者，對向電極134係作為遍佈複數個發光像素107之共通電極而形成。
像素電路111包含開關用電晶體121、驅動用電晶體122、及儲存電容123。2個電晶體121、122例如可使用n通道型或p通道型之薄膜電晶體(TFT；Thin Film transistor)或MOS電晶體而構成。
開關用電晶體121之閘極連接於掃描線112，源極或汲極中之一者連接於資料線113，源極或汲極中之另一者連接於驅動用電晶體122之閘極。
驅動用電晶體122之源極或汲極中之一者連接於有機EL元件130之像素電極131，源極或汲極中之另一者連接於電源線114。驅動用電晶體122之閘極與電源線114之間連接有儲存電容123。
若驅動掃描線112而使開關用電晶體121成為導通狀態，則此時基於自資料線113供給之圖像信號之電位經由開關用電晶體121而被保持於儲存電容123。根據該儲存電容123之電位，即驅動用電晶體122之閘極電位，而決定驅動用電晶體122之導通、斷開狀態。並且，若驅動用電晶體122成為導通狀態，則自電源線114經由驅動用電晶體122 向被像素電極131與對向電極134所夾持之機能層132流過閘極電位所相應大小之電流。有機EL元件130係根據流過機能層132之電流之大小而進行發光。
再者，像素電路111之構成並不限定於上述情況。例如亦可於驅動用電晶體122與像素電極131之間具備控制驅動用電晶體122與像素電極131之間之導通的發光控制用電晶體。
如圖2所示，有機EL裝置100具有可獲得紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之發光(發光色)之發光像素107R、107G、107B。各發光像素107R、107G、107B係大致矩形狀，且於顯示區域E中矩陣狀地配置。於發光像素107R、107G、107B分別設置有可獲得對應之顏色之發光之有機EL元件130。可獲得同色發光之發光像素107於圖式上於垂直方向(行方向或發光像素107之長度方向)排列，不同發光色之發光像素107於圖式上於水平方向(列方向或發光像素107之短邊方向)以R、G、B之順序排列。即，不同發光色之發光像素107R、107G、107B以所謂條紋方式進行配置。
若使用此種有機EL裝置100作為顯示裝置，則將可獲得不同發光色之3個發光像素107R、107G、107B設為1個顯示像素單元108，而可電性控制各發光像素107R、107G、107B。藉此變得可實現全彩顯示。
再者，不同發光色之發光像素107R、107G、107B之平面形狀與配置並不限定於上述情況，例如亦可為三角形方式、馬賽克方式之配置。又，發光像素107並不限定於對應於紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之3色而進行設置之情況，亦可包括可獲得除紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)以外之例如黃色(Y)發光之發光像素107。
如圖3所示，於有機EL裝置100中，有機EL元件130具有：作為陽極之像素電極131、將像素電極131劃分之間隔壁133、及形成於像素 電極131上之包含發光層之機能層132。又，具有以隔著機能層132並與像素電極131對向之方式形成之作為共通電極之對向電極134。
間隔壁133係將像素電極131之周圍之一部分覆蓋，且由分別劃分複數個像素電極131之包含無機絕緣材料之下層觸排133a、與形成於下層觸排133a上且包含多官能丙烯酸系樹脂等具有絕緣性之感光性樹脂材料之上層觸排133b所構成。
像素電極131係連接於元件基板101上所形成之驅動用電晶體122之3個端子中之1個。對向電極134例如提供GND等固定電位。藉由對像素電極131與對向電極134之間施加驅動電位，而將電洞自像素電極131向機能層132注入，將電子自對向電極134向機能層132注入。於機能層132所包含之發光層中，被注入之電洞與電子形成激子(exciton)，於激子(exciton)湮滅時(電子與電洞再結合時)能量之一部分成為螢光或磷光而發射。以下，亦有使對應於紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之發光像素107R、107G、107B而設置之有機EL元件130的機能層132對應於發光色而稱為機能層132R、132G、132B之情況。
本實施形態之有機EL裝置100係成為底部發光型之構造，於像素電極131與對向電極134之間流過驅動電流，使於機能層132R、132G、132B發光之光於對向電極134進行反射，並自元件基板101側提取。因此，元件基板101係使用玻璃等透明基板。又，介隔密封層135而與元件基板101對向配置之密封基板102可使用透明基板及不透明基板中之任一者。作為不透明基板，例如可列舉：氧化鋁等陶瓷、對不鏽鋼絲等金屬片材實施有表面氧化等絕緣處理者，除此以外，亦可列舉熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂等。
於元件基板101設置有驅動有機EL元件130之像素電路111。即，於元件基板101之表面例如形成有以氧化矽(SiO2)為主體之底層絕緣膜115，於其上形成有驅動用電晶體122之半導體層122a。半導體層122a 例如包含多晶矽。於該半導體層122a之表面例如形成有以SiO2及/或SiN為主體之閘極絕緣膜116。
又，將半導體層122a中夾著閘極絕緣膜116並與閘極電極126重疊之區域設為通道區域。再者，該閘極電極126係電性連接於圖示省略之掃描線112。形成有覆蓋半導體層122a及閘極電極126，且以SiO2為主體之第1層間絕緣膜117。
又，於半導體層122a中通道區域之源極側設置有低濃度源極區域及高濃度源極區域122c，另一方面，於通道區域之汲極側設置有低濃度汲極區域及高濃度汲極區域122b，而成為所謂LDD(Light Doped Drain，輕摻雜漏)構造。該等中，高濃度源極區域122c係經由穿過閘極絕緣膜116與第1層間絕緣膜117開孔之接觸孔125a而連接於源極電極125。該源極電極125係構成電源線114(未作圖示)之一部分。另一方面，高濃度汲極區域122b係經由穿過閘極絕緣膜116與第1層間絕緣膜117開孔之接觸孔124a而連接於設置在與源極電極125同一配線層之汲極電極124。
於形成有源極電極125及汲極電極124之第1層間絕緣膜117之上層形成有第2層間絕緣膜118。該第2層間絕緣膜118係為了使由構成像素電路111之驅動用電晶體122等、或源極電極125、汲極電極124等導致之表面凹凸消失而形成者，且與第1層間絕緣膜117同樣地以SiO2為主體而構成，且實施有CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光)等平坦化處理。
並且，像素電極131形成於該第2層間絕緣膜118之表面上，並且經由設置於第2層間絕緣膜118之接觸孔118a而連接於汲極電極124。即，像素電極131經由汲極電極124而連接於半導體層122a之高濃度汲極區域122b。對向電極134係連接於GND。因此，藉由驅動用電晶體122，而控制自上述電源線114向像素電極131供給且於與對向電極134 之間流過之驅動電流。藉此，像素電路111使所需之有機EL元件130發光而可實現彩色顯示。
機能層132R、132G、132B各自包含含有電洞注入層、電洞傳輸層、發光層之複數層薄膜層，且自像素電極131側以上述順序進行積層。於本實施形態中，電洞注入層、電洞傳輸層、發光層係使用液滴噴出法(噴墨法)成膜。關於機能層132之詳細構成，於下文進行說明，但電洞注入層、電洞傳輸層、發光層中之至少1層薄膜層包含低分子材料與高分子材料。於本實施形態中，所謂低分子材料，係指分子量為1萬以下之單體，所謂高分子材料，係指重量平均分子量為1萬以上之聚合物。
具有此種有機EL元件130之元件基板101係介隔使用熱硬化型環氧樹脂等作為密封構件之密封層135而與密封基板102沒有間隙地被整體密封。
本實施形態之有機EL元件130係使用下述之製造方法而製造，且電洞注入層、電洞傳輸層、發光層各自具有大致固定之膜厚與穩定之膜形狀(截面形狀)，因此可獲得不同發光色之機能層132R、132G、132B可獲得各自所需之發光效率與發光壽命。
再者，具備本實施形態之有機EL元件130之有機EL裝置100並不限定於底部發光型，例如亦可設為如下頂部發光型之構造，即使用光反射性之導電材料形成像素電極131，使用透明之導電材料形成作為陰極之對向電極134，使有機EL元件130之發光於像素電極131進行反射，並自密封基板102側提取。又，於設為頂部發光型之情形時，亦可設為如下構成：使對應於有機EL元件130之發光色之濾色器對應於各有機EL元件130而設置。進而，於有機EL裝置100具有濾色器之情形時，亦可設為自有機EL元件130獲得白色發光之構成。
繼而，針對有機EL元件130之構成，參照圖4進行說明。圖4係表 示有機EL元件之構成之模式剖面圖。
如圖4所示，有機EL元件130具有：形成於元件基板101上之作為陽極之像素電極131、與像素電極131對向配置之作為陰極之對向電極134、及夾持於像素電極131與對向電極134之間之機能層132。機能層132包含自像素電極131側依序積層之電洞注入層132a、電洞傳輸層132b、發光層132c、電子傳輸層132d、電子注入層132e。以下，對有機EL元件130之各構成詳細地進行說明。
[像素電極]
像素電極131係用以向機能層132注入電洞之電極，較佳為使用功函數較大，導電性優異之透明電極材料。作為該透明電極材料，例如可列舉：ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、In2O3、SnO2、添加氟之SnO2、添加Sb之SnO2、ZnO、添加Al之ZnO、添加Ga之ZnO等金屬氧化物、Au、Pt、Ag、Cu或包含該等之合金等。又，亦可組合該等中之2種以上使用。利用蒸鍍或各種濺鍍(RF磁控濺鍍)將該等透明電極材料成膜後，利用光微影法進行圖案形成。像素電極131之厚度並無特別限定，但較佳為10nm以上且200nm以下左右，更佳為30nm以上且150nm以下左右。
[電洞注入層]
電洞注入層132a係具有使自像素電極131之電洞注入變容易之機能者。作為此種電洞注入層132a之材料，為了可使用液相製程而形成，可較佳地使用於導電性高分子材料(或導電性低聚物材料)中添加有電子接受性摻雜劑之離子傳導性電洞注入材料。作為此種離子傳導性電洞注入材料，例如可使用如聚(3,4-乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)之聚噻吩系電洞注入材料、或如聚苯胺-聚(苯乙烯磺酸)(PANI/PSS)之聚苯胺系電洞注入材料。該等電洞注入材料係使用液滴噴出法(噴墨法等)、網版印刷等液相法而進行塗佈。塗佈後，進 行乾燥、焙燒而成膜。此種電洞注入層132a之厚度並無特別限定，較佳為5nm以上且150nm以下左右，更佳為10nm以上且100nm以下左右。
再者，電洞注入層132a亦可藉由構成有機EL元件130之像素電極131、電洞傳輸層132b及發光層132c之構成材料之種類及其膜厚等之組合而省略。
[電洞傳輸層]
電洞傳輸層132b係設置於電洞注入層132a與發光層132c之間，且係為了提高電洞向發光層132c之傳輸性(注入性)，並且抑制電子自發光層132c向電洞注入層132a侵入而設置。即，係改善藉由發光層132c中之電洞與電子之結合而發光之效率者。於本實施形態中，電洞傳輸層132b含有作為低分子材料之電洞傳輸材料與高分子材料。上述電洞傳輸材料並無特別限定，但可使用胺化合物。例如可使用TPD(N,N'-二苯基-N,N'-雙(3-甲基苯基)-1,1'聯苯-4,4'-二胺)、α-NPD(N,N'-二苯基-N,N'雙(1-萘基)-1,1'聯苯-4,4'-二胺)、m-MTDATA(4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基胺基)三苯胺)、2-TNATA(4,4',4"-三(N,N-(2-萘基)苯基胺基)三苯胺)、TCTA(三-(4-咔唑-9-基-苯基)-胺等。
作為上述高分子材料，可使用聚對苯乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚苯胺衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚乙烯碸(PES)、聚烯烴(PO)、聚醯亞胺(PI)、聚乙烯、聚丙烯、賽璐凡、二乙酸纖維素、三乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、乙酸丙酸纖維素、鄰苯二甲酸乙酸纖維素、硝酸纖維素等纖維素酯類與該等衍生物、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯-乙烯醇、間規聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基戊烯、聚醚酮、聚醚碸、聚碸類、聚醚酮醯亞胺、聚醯胺、尼龍、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、丙烯酸樹脂、聚芳酯、有機無機混合樹脂等。
低分子材料與高分子材料之混合物可於低分子材料之混合比例以重量比計為0.1wt%~99.9wt%之範圍內使用。
該等包含電洞傳輸材料(低分子材料)及高分子材料之混合物亦使用液滴噴出法(噴墨法)、網版印刷等液相法而進行塗佈。於塗佈後進行乾燥、焙燒而成膜。於本實施形態中，因使用作為液相法之液滴噴出法(噴墨法)，故高分子材料之重量平均分子量較佳為1萬以上且30萬以下。
又，雖詳細內容於下文進行說明，但於本實施形態中，使混合有低分子材料與高分子材料之混合物(電洞傳輸層形成材料)首先分散於不良溶劑後添加良溶劑，使上述混合物溶解於不良溶劑與良溶劑之混合溶劑而製成機能層形成用墨水(電洞傳輸層形成用墨水)。藉此，與使上述混合物僅溶解於良溶劑之情形相比，可抑制低分子材料與高分子材料由於分子間力而凝集從而凝膠化，而可使上述混合物迅速地溶解於上述混合溶劑。若使用此種機能層形成用墨水(電洞傳輸層形成用墨水)，則上述混合物充分溶解，而不含有凝膠狀之上述混合物，因此可藉由液滴噴出法(噴墨法)而進行穩定之成膜。電洞傳輸層132b之厚度並無特別限定，較佳為5nm以上且100nm以下左右，更佳為10nm以上且50nm以下左右。
[發光層]
發光層之材料並無特別限定，例如較佳為含有可獲得紅色、綠色、藍色之發光之發光材料(客體材料)、與可有效地促進注入之電洞與電子之再結合的主體材料。
作為客體材料，例如可使用Ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)銥)、Ppy2Ir(acac)(雙(2-苯基-吡啶根-N,C2)(乙醯丙酮酸)銥)、Bt2Ir(acac)(雙(2-苯基苯并噻唑根-N,C2')(乙醯丙酮酸)銥(III))、Btp2Ir(acac)(雙(2,2'-苯并噻吩基)-吡啶根-N,C3)(乙醯丙酮酸)銥)、FIrpic(雙(4,6-二氟苯基- 吡啶根-N,C.2.)-吡啶甲酸)銥)、Ir(pmb)3(銥-三(1-苯基-3-甲基苯并咪唑啉-2-吡啶-C,C(2)'))、FIrN4(((雙(4,6-二氟苯基吡啶根)(5-(吡啶-2-基)-四嗪酯)銥(III))、Firtaz((雙(4,6-二氟苯基吡啶根)(5-(吡啶-2-基)-1,2,4-三嗪酯)銥(III))、PtOEP(2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉鉑(II))之類之磷光材料、或Alq3(8-羥基喹啉)鋁、紅螢烯、苝、9,10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼祿紅、香豆素6、喹吖啶酮之類之螢光材料。
作為主體材料，例如可使用CBP(4,4'-雙(9-二咔唑基)-2,2'-聯苯)、BAlq(雙-(2-甲基-8-喹啉根)-4-(苯基苯酚)鋁)、mCP(N,N-二咔唑基-3,5-苯：CBP衍生物)、CDBP(4,4'-雙(9-咔唑基)2,2'-二甲基-聯苯)、DCB(N,N'-二咔唑基-1,4-二亞甲基苯)、P06(2,7-雙(二苯基氧化膦)-9,9-二甲基芴)、SimCP(3,5-雙(9-咔唑基-)四苯基矽烷)、UGH3(w-雙(三苯基矽烷基)苯)等。
若使用此種客體材料與主體材料，則不僅可藉由液相法，亦可藉由氣相法而形成發光層132c。發光層132c之厚度並無特別限定，但較佳為5nm以上且100nm以下左右。
[電子傳輸層]
電子傳輸層132d係具有將自對向電極134向電子傳輸層132d注入之電子向發光層132c進行傳輸之機能者。又，電子傳輸層132d亦有時具有如下機能：阻擋自發光層132c欲通過電子傳輸層132d之電洞。作為此種電子傳輸層132d之材料，並無特別限定，但為了可使用氣相法而形成，例如可較佳地使用以三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)或8-羥基喹啉鋰(Liq)等8-羥基喹啉或其衍生物為配位子之有機金屬錯合物等喹啉衍生物、2-(4-第三丁基苯基)-5-(4-聯苯)-1,3,4-二唑(tBu-PBD)、2,5-雙(1-萘基)-1,3,4-二唑(BND)之類之二唑衍生物、矽羅衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹啉衍生物、咪唑衍生物等。又，亦可組合 該等材料中之2種以上而使用。
電子傳輸層132d之厚度並無特別限定，但較佳為1nm以上且100nm以下左右，更佳為5nm以上且50nm以下左右。
[電子注入層]
電子注入層132e係具有使電子自對向電極134向電子傳輸層132d之注入效率提高之機能者。作為此種電子注入層132e之材料，並無特別限定，但為了可使用氣相法而形成，例如可使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土類金屬、鹼金屬鹽(氧化物、氟化物、氯化物等)、鹼土金屬鹽(氧化物、氟化物、氯化物等)、稀土類金屬鹽(氧化物、氯化物、氯化物等)。電子注入層132e之厚度並無特別限定，較佳為0.01nm以上且100nm以下左右，更佳為0.1nm以上且10nm以下左右。
再者，機能層132並不限定於上述構成，亦可包含用以控制載子(電洞或電子)之流動之有機層或無機層。
[對向電極]
對向電極134係用以向機能層132注入電子之電極，較佳為使用功函數較小之材料。又，於下述之陰極形成步驟中，為了可使用氣相法而形成，例如可使用Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb、Au或包含該等之合金等。又，亦可組合該等材料中之2種以上(例如複數層之積層體等)而使用。對向電極134之厚度並無特別限定，例如為100nm~1000nm。
再者，有機EL元件130中之機能層132只要包含電洞注入層132a、電洞傳輸層132b、發光層132c即可。為了改善發光效率或發光壽命，例如亦可包含改善作為載子之電洞或電子之注入性或傳輸性，或者防止電洞或電子向發光層132c以外洩露之中間層。
繼而，針對更具體之有機EL元件130之製造方法，參照圖5~圖7進行說明。圖5係表示有機EL元件之製造方法之流程圖，圖6(a)~(e) 及圖7(f)~(h)係表示有機EL元件之製造方法之概略剖面圖。再者，以下之有機EL元件130之製造方法之說明係自形成像素電極131後之步驟依序進行說明。又，設置於元件基板101上之像素電極131及連接像素電極131之像素電路111等可如上述般使用公知之方法而形成。
如圖5所示，本實施形態之有機EL元件130之製造方法具有：間隔壁形成步驟(步驟S1)、電洞注入層形成步驟(步驟S2)、電洞傳輸層形成步驟(步驟S3)、發光層形成步驟(步驟S4)、電子傳輸層形成步驟(步驟S5)、電子注入層形成步驟(步驟S6)、及陰極形成步驟(步驟S7)。
於圖5之步驟S1中，如圖6(a)所示，首先，以覆蓋像素電極131之外緣並將像素電極131劃分之方式形成下層觸排133a。關於下層觸排133a之形成方法，可列舉如下方法：藉由蒸鍍法或濺鍍法等氣相法，而將作為無機絕緣材料之例如氧化矽遍佈形成有像素電極131之元件基板101之整面而進行成膜。然後，藉由光微影法，以像素電極131之表面露出之方式對成膜之無機絕緣膜進行圖案化。下層觸排133a之厚度大約為100nm~200nm。繼而，於下層觸排133a上形成上層觸排133b。關於上層觸排133b之形成方法，例如於形成有下層觸排133a之元件基板101之表面，將多官能丙烯酸系樹脂等具有絕緣性之感光性樹脂材料以大約1μm~3μm左右之厚度進行塗佈並進行乾燥，藉此形成感光性樹脂層。作為感光性樹脂材料之塗佈方法，可列舉：轉印法、狹縫式塗佈法等。然後，使用對應於發光像素107(參照圖2)之形狀之曝光用光罩，對感光性樹脂層進行曝光，進行顯影，藉此形成截面為梯形狀之上層觸排133b。上層觸排133b係以覆蓋像素電極131之外緣之下層觸排133a之一部分露出的方式形成。
又，以下述方式對元件基板101實施表面處理，即像素電極131之表面及露出之下層觸排133a之一部分對下述作為含有機能層形成材 料之溶液的機能層形成用墨水顯示較佳之親液性，並且上層觸排133b之表面對相同之機能層形成用墨水顯示斥液性。具體而言，首先，實施以氧氣(O2)為處理氣體之電漿處理而使像素電極131之表面及露出之下層觸排133a之一部分親液化。繼而，實施使用例如CF4等氟系處理氣體之電漿處理而使上層觸排133b之表面斥液化。再者，亦可塗佈包含氟系化合物等斥液材料之感光性樹脂材料而形成上層觸排133b。於使用包含斥液材料之感光性樹脂材料之情形時，於形成上層觸排133b後，為了去除像素電極131上之殘渣，較佳為實施UV臭氧處理。以下，將由間隔壁133劃分之包含像素電極131之區域稱為膜形成區域。然後，向步驟S2進展。
於圖5之步驟S2中，藉由液相法而形成電洞注入層132a。具體而言，首先如圖6(b)所示，將包含上述之電洞注入材料與作為溶劑之例如水之溶液，即機能層形成用墨水60自例如噴墨頭50之噴嘴向膜形成區域噴出。藉由使用噴墨頭50，而可將特定量之機能層形成用墨水60以液滴之形態精度良好地向膜形成區域噴出。噴出之機能層形成用墨水60一面於經親液化之像素電極131之表面濕潤擴展，一面於經斥液化之被間隔壁133包圍之膜形成區域由於界面張力而湧起。將塗佈有機能層形成用墨水60之元件基板101於例如大氣環境下進行加熱乾燥，藉此如圖6(c)所示般於像素電極131上形成電洞注入層132a。因將露出之像素電極131之表面及下層觸排133a之一部分親液化，故於膜形成區域形成有電洞注入層132a並無不均。再者，於本實施形態中，於元件基板101上之各膜形成區域形成有包含相同材料之電洞注入層132a，但亦可對應於之後所形成之發光層132c，而每種發光色變更電洞注入層132a之材料。然後，向步驟S3進展。
於圖5之步驟S3中，藉由液相法而形成電洞傳輸層132b。具體而言，首先使包含作為低分子材料之電洞傳輸材料與高分子材料之混合 物分散於不良溶劑。然後，向分散有上述混合物之不良溶劑添加良溶劑並進行攪拌，使上述混合物溶解於不良溶劑與良溶劑之混合溶劑。將如上述般溶解有上述混合物之機能層形成用墨水70如圖6(d)所示般自噴墨頭50之噴嘴向膜形成區域噴出。以液滴之形態噴出之特定量之機能層形成用墨水70於被間隔壁133包圍之膜形成區域由於界面張力而湧起。將塗佈有機能層形成用墨水70之元件基板101於例如氮氣環境下進行加熱、乾燥，藉此如圖6(e)所示般於電洞注入層132a上形成電洞傳輸層132b。因使用溶解有包含作為低分子材料之電洞傳輸材料與高分子材料之上述混合物的機能層形成用墨水70，故抑制上述混合物之凝膠化。又，於機能層形成用墨水70之加熱、乾燥過程中，機能層形成用墨水70之黏度上升，從而即便包含高分子材料之電洞注入層132a之表面未對機能層形成用墨水70顯示親液性，亦於膜形成區域形成電洞傳輸層132b並無不均。然後，向步驟S4進展。
再者，作為使上述混合物分散之不良溶劑，可列舉：壬烷、癸烷、十一烷、十二烷等直鏈烷烴系溶劑、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇等脂肪族醇系溶劑、二丁醚、二戊醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、二乙二醇異丙基甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇甲基丙基醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等脂肪族醚系溶劑、1,3-二異丙基苯、1,4-二異丙基苯、三異丙基苯、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯等芳香族烴系溶劑。
又，作為可使上述混合物0.1g/L以上溶解之良溶劑，可列舉：3-苯氧基甲苯、2-異丙基萘、二苄醚、異丙基聯苯、雙二甲基苯乙烷等。再者，自上述良溶劑中選擇可與分散有上述混合物之不良溶劑混合之良溶劑。良溶劑更佳為可使上述混合物20g/L以上溶解。又，於 使上述混合物之溶解迅速進行之方面上，較佳為不良溶劑相對於不良溶劑與良溶劑之總體積之體積比例(體積比)為10%~70%之範圍。又，為了自噴墨頭50之噴嘴將機能層形成用墨水70以液滴之形態穩定地噴出，上述機能層形成用墨水70之黏度較佳為低於20cp，更佳為10cp以下。又，就防止由上述機能層形成用墨水70之乾燥引起之噴嘴之堵塞的觀點而言，較佳為不良溶劑之沸點(bp)為150℃以上，良溶劑之沸點(bp)為250℃以上。進而，若考慮塗佈於膜形成區域之上述機能層形成用墨水70之乾燥性，則不良溶劑及良溶劑之沸點(bp)較佳為300℃以下。
於圖5之步驟S4中，藉由液相法而形成發光層132c。具體而言，首先如圖7(f)所示，將包含上述發光層形成材料與作為溶劑之例如環己基苯之機能層形成用墨水80自噴墨頭50之噴嘴向膜形成區域噴出。以液滴形態噴出之特定量之機能層形成用墨水80於被間隔壁133包圍之膜形成區域由於界面張力而湧起。作為所塗佈之機能層形成用墨水80之乾燥方法，較佳為使用與通常之加熱乾燥相比，可將溶劑成分相對均勻地進行乾燥之減壓乾燥法。於膜形成區域整體塗佈有特定量之機能層形成用墨水80。因此，如圖7(g)所示般，於乾燥後形成之發光層132c於膜形成區域具有大致固定之膜厚與穩定之膜形狀(截面形狀)。然後，向步驟S5~步驟S7進展。
於圖5之步驟S5~步驟S7中，藉由氣相法而形成電子傳輸層132d、電子注入層132e、及作為陰極之對向電極134。具體而言，例如藉由真空蒸鍍法，而將上述之各層之材料逐次成膜，並如圖7(h)所示般將各層積層形成。尤其是就可防止機能層132之由熱導致之損傷之方面而言，較佳為利用真空蒸鍍法形成對向電極134。又，為了防止水分或氧氣等氣體自外部向機能層132浸入，而機能層132之發光機能或發光壽命降低之情況，亦可以覆蓋對向電極134之表面之方式， 將具有阻氣性之例如矽之氧化物或氮化物或矽之氮氧化物等無機材料進行成膜。藉此，可完成有機EL元件130。
上述實施形態之效果係如下所述。
(1)根據上述有機EL元件130與其製造方法，利用液相法(液滴噴出法；噴墨法)形成有機能層132中之電洞注入層132a、電洞傳輸層132b、發光層132c，利用氣相法(真空蒸鍍法)形成有電子傳輸層132d、電子注入層132e。因此，由於發光層132c等必需分塗之層可使用液相法，故而與全部使用氣相法而形成機能層132所包含之各薄膜層之情形相比，可高效率地製造有機EL元件130。
(2)形成於電洞注入層132a上之電洞傳輸層132b係使用機能層形成用墨水70而形成，該機能層形成用墨水70係使包含作為低分子材料之電洞傳輸材料與高分子材料之混合物分散於不良溶劑後添加良溶劑並進行攪拌，使上述混合物充分溶解於包含不良溶劑與良溶劑之混合溶劑中而成。因此，抑制低分子材料與高分子材料之混合物之凝膠化，於機能層形成用墨水70之加熱、乾燥過程中，機能層形成用墨水70之黏度上升，從而即便包含高分子材料之電洞注入層132a之表面未對機能層形成用墨水70顯示親液性，亦可將電洞傳輸層132b成膜並無不均。因此，具備此種機能層132之有機EL元件130可實現所需之發光效率與發光壽命。
(3)機能層形成用墨水70係使混合有低分子材料(電洞傳輸材料)與高分子材料之混合物首先分散於不良溶劑後添加良溶劑。良溶劑係選擇可與不良溶劑混合者，混合溶劑中之不良溶劑之體積比例成為10%~70%之範圍。因此，可抑制混合溶劑中之低分子材料與高分子材料之混合物之凝膠化，而使分散於不良溶劑之狀態之上述混合物迅速地溶解於混合溶劑。即，就生產性而言，可高效率地製造有機EL元件130。
(4)藉由於發光像素107具備上述有機EL元件130，而可提供兼顧有優異之顯示品質(發光特性)與可靠性品質(發光壽命)之有機EL裝置100。
於上述實施形態之有機EL元件130之製造方法中，使用溶解有包含低分子材料與高分子材料之混合物之機能層形成用墨水70而形成電洞傳輸層132b，但電洞注入層132a、發光層132c亦可使用溶解有包含低分子材料與高分子材料之混合物之機能層形成用墨水而形成。
作為電洞注入層132a之形成所使用之低分子材料，可列舉：4,4,N,N'-Dipheylcarbazole(4,4,N,N'-二苯基咔唑)、N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine(N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺)等。作為相同之電洞注入層132a之形成所使用之高分子材料，可列舉：Polyvinylcarbazole(聚乙烯咔唑)、Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine](聚[N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)-聯苯胺])等。再者，低分子材料與高分子材料之組合較佳為具有相互相同之基本骨架者。
作為可獲得紅色發光之發光層132c之形成所使用之低分子材料，可列舉：雙(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶根-N,C3')(乙醯丙酮酸)銥(III)(Iridium(III)bis(2-(2'-benzothienyl)pridinato-N,C3')(acetylacetonate))。作為相同之可獲得紅色發光之發光層132c之形成所使用之高分子材料，可列舉：聚[{9,9-二己基-2,7-雙(1-氰基伸乙烯基)茀基}-鄰-共聚-{2,5-雙(N,N'-二苯胺基)-1,4-伸苯基}](Poly[{9,9-dihexyl-2,7-bis(1-cyanovinylene)fluorenylene}-alt-co-{2,5-bis(N,N'-diphenylamino)-1,4-phenylene}])。
作為可獲得綠色發光之發光層132c之形成所使用之低分子材料，可列舉：Alq3(Tris(8-hydroxyquinolato)aluminium(III))(三(8-羥基喹啉)鋁(III))。作為相同之可獲得綠色發光之發光層132c之形成所使用 之高分子材料，可列舉：Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-diphenyl)-N,N'-di(p-butylphenyl)-1,4-diaminobenzene)](聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共聚-(N,N'-二苯基)-N,N'-二(對丁基苯基)-1,4-苯二胺)])。
作為可獲得藍色發光之發光層132c之形成所使用之低分子材料，可列舉：雙(2-(4,6-二氟苯基)吡啶根-N,C2')(吡啶甲酸)銥(III)(Iridium(III)bis(2-(4,6-diflurophenyl)pyridinato-N,C2')picolinate)。作為相同之可獲得藍色發光之發光層132c之形成所使用之高分子材料，可列舉：封端聚(9,9-二己基茀-2,7-二基)(Poly(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-End capped with)。
繼而，列舉溶解有包含低分子材料與高分子材料之混合物之機能層形成用墨水的更具體實施例，而對機能層形成用墨水之製造方法之效果進行說明。
表1係表示實施例1之電洞注入層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表，表2係表示實施例2之電洞注入層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表，表3係表示實施例3之電洞注入層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表，表4係表示實施例4之電洞注入層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表。
表5係表示實施例5之電洞傳輸層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表，表6係表示實施例6之電洞傳輸層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表，表7係表示實施例7之電洞傳輸層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表，表8係表示實施例8之電洞傳輸層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表。
表9係表示實施例9之發光層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表，表10係表示實施例10之發光層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表，表11係表示實施例11之發光層形成用墨水之構 成與溶解時間之評價結果的表，表12係表示實施例12之發光層形成用墨水之構成與溶解時間之評價結果的表。
再者，關於各實施例中之包含低分子材料與高分子材料之混合物於混合溶劑中之溶解時間的評價，係將使該混合物僅溶解於該實施例之良溶劑之比較例中之該混合物的溶解時間設為「1」，進行比較並數值化者。
(實施例1)
關於實施例1之作為機能層形成用墨水之電洞注入層形成用墨水，係使作為低分子材料之N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine)與作為高分子材料之聚[N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)-聯苯胺](Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine])之混合物分散於10L(升)之不良溶劑後添加良溶劑90L(升)並進行攪拌，對上述混合物於混合溶劑(100L)中之溶解時間進行測定。又，上述混合物相對於上述混合溶劑之重量比設為5wt%。即，測定相當於5wt%之上述混合物於添加良溶劑後完全溶解於上述混合溶劑為止之時間。
作為實施例1中之不良溶劑，使用4種直鏈烷烴系溶劑(壬烷、癸烷、十一烷、十二烷)、5種脂肪族醇系溶劑(己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇)、14種脂肪族醚系溶劑(二戊醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、二乙二醇異丙基甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇甲基丙基醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚)、8種芳香族烴系溶劑(1,3-二異丙基苯、1,4-二異丙基苯、三異丙基苯、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯)之合計31種。作為與該等不良溶劑組合之良溶劑，使用沸點(bp)為272℃之3-苯氧基甲苯。即，實施例1係表示上述混合物於31種混合溶 劑中之溶解時間者。
如表1所示，根據實施例1之電洞注入層形成用墨水之製造方法，可使上述混合物以比較例(溶解時間之指數1.0)之0.1(1/10)以下之時間溶解於上述混合溶劑。溶解時間係視不良溶劑之選擇而不同，大致成為直鏈烷烴系溶劑=脂肪族醇系溶劑>脂肪族醚系溶劑>芳香族烴系溶劑之順序。具體而言，於使用直鏈烷烴系溶劑或脂肪族醇系溶劑之情形時，溶解時間可縮短至比較例(1.0)之0.02(1/50)。於使用脂肪族醚系溶劑之情形時，溶解時間大致可縮短至比較例(1.0)之0.06。於使用芳香族烴系溶劑之情形時，溶解時間可縮短至比較例(1.0)之0.1(1/10)以下。於芳香族烴系溶劑中選擇三異丙基苯或壬基苯之情形時，可獲得與選擇直鏈烷烴系溶劑或脂肪族醇系溶劑之情形大致相同之溶解時間。
實施例2~實施例4之作為機能層形成用墨水之電洞注入層形成用墨水係使混合溶劑中之不良溶劑之體積比例(體積比)及良溶劑與實施例1不同者，其他構成要素及製造方法係與實施例1相同。具體而言，如下所述。
(實施例2)
實施例2之電洞注入層形成用墨水係將30L之不良溶劑與70L之良溶劑進行混合而構成100L之混合溶劑。即，關於混合溶劑中之不良溶劑之體積比例，相對於實施例1為10%，實施例2為30%。又，使用沸點(bp)為268℃之2-異丙基萘作為良溶劑。
(實施例3)
實施例3之電洞注入層形成用墨水係將50L之不良溶劑與50L之良溶劑進行混合而構成100L之混合溶劑。即，混合溶劑中之不良溶劑之體積比例為50%。又，使用沸點(bp)為298℃之二苄醚作為良溶劑。
(實施例4)
實施例4之電洞注入層形成用墨水係將70L之不良溶劑與30L之良溶劑進行混合而構成100L之混合溶劑。即，混合溶劑中之不良溶劑之體積比例為70%。又，使用沸點(bp)為291℃之異丙基聯苯作為良溶劑。
如表2、表3、表4所示，根據實施例2~實施例4之電洞注入層形成用墨水之製造方法，可與實施例1同樣地，使上述混合物以比較例之1/10以下之時間溶解於上述混合溶劑。又，原因在於不良溶劑之選擇之溶解時間之傾向亦與實施例1相同。
(實施例5)
關於實施例5之作為機能層形成用墨水之電洞傳輸層形成用墨水，係使作為低分子材料之4,4',4"-三(N,N'-苯基-3-甲苯胺基)三苯胺)(4,4',4"-tris(N,N'-phenyl-3-methylphenylamino)triphenylamine)與作為高分子材料之聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共聚-(4,4'-(N-(4-第二丁基苯基))二苯胺)](Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)])之混合物分散於10L(升)之不良溶劑後添加良溶劑90L(升)並進行攪拌，對上述混合物於混合溶劑(100L)中之溶解時間進行測定。又，上述混合物相對於上述混合溶劑之重量比設為5wt%。即，測定相當於5wt%之上述混合物於添加良溶劑後完全溶解於上述混合溶劑為止之時間。不良溶劑係選自與實施例1相同之31種，溶劑係使用沸點(bp)為272℃之3-苯氧基甲苯。
如表5所示，根據實施例5之電洞傳輸層形成用墨水之製造方法，與比較例(溶解時間之指數1.0)相比，可將上述混合溶劑中之上述混合物之溶解時間縮短20%以上。具體而言，溶解時間係視不良溶劑之選擇而不同，於使用直鏈烷烴系溶劑或脂肪族醇系溶劑之情形時，溶解時間可縮短至比較例之0.02(1/50)。於使用脂肪族醚系溶劑之情 形時，溶解時間大致可縮短至比較例之0.1(1/10)以下。於使用芳香族烴系溶劑之情形時，溶解時間可縮短至比較例之0.8(4/5)~0.1(1/10)左右。於芳香族烴系溶劑中選擇三異丙基苯之情形時，可獲得與選擇直鏈烷烴系溶劑或脂肪族醇系溶劑之情形大致相同之溶解時間。
實施例6~實施例8之作為機能層形成用墨水之電洞傳輸層形成用墨水係使混合溶劑中之不良溶劑之體積比例(體積比)及良溶劑與實施例5不同者，其他構成要素及製造方法係與實施例5相同。具體而言，如下所述。
(實施例6)
實施例6之電洞傳輸層形成用墨水係將30L之不良溶劑與70L之良溶劑進行混合而構成100L之混合溶劑。即，關於混合溶劑中之不良溶劑之體積比例，相對於實施例5為10%，實施例6為30%。又，使用沸點(bp)為268℃之2-異丙基萘作為良溶劑。
(實施例7)
實施例7之電洞傳輸層形成用墨水係將50L之不良溶劑與50L之良溶劑進行混合而構成100L之混合溶劑。即，混合溶劑中之不良溶劑之體積比例為50%。又，使用沸點(bp)為298℃之二苄醚作為良溶劑。
(實施例8)
實施例8之電洞傳輸層形成用墨水係將70L之不良溶劑與30L之良溶劑進行混合而構成100L之混合溶劑。即，混合溶劑中之不良溶劑之體積比例為70%。又，使用沸點(bp)為291℃之異丙基聯苯作為良溶劑。
如表6、表7、表8所示，根據實施例6~實施例8之電洞傳輸層形成用墨水之製造方法，可與實施例5同樣地，將上述混合溶劑中之上述混合物之溶解時間縮短至比較例(1.0)之0.02~0.8左右。又，視不良 溶劑之種類之溶解時間之縮短程度亦與實施例5相同。
(實施例9)
關於實施例9之作為機能層形成用墨水之發光層形成用墨水，係使作為低分子材料之三(8-羥基喹啉)鋁(III)(Tris(8-hydroxyquinolato)aluminium(III))與作為高分子材料之(聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共聚-(N,N'-二苯基)-N,N'-二(對丁基苯基)-1,4-二胺基-苯](Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-diphenyl)-N,N'-di(p-butylphenyl)-1,4-diamino-benzene])之混合物分散於10L(升)之不良溶劑後添加良溶劑90L(升)並進行攪拌，對上述混合物於混合溶劑(100L)中之溶解時間進行測定。又，上述混合物相對於上述混合溶劑之重量比設為5wt%。即，測定相當於5wt%之上述混合物於添加良溶劑後完全溶解於上述混合溶劑為止之時間。不良溶劑係選自與實施例1相同之31種，良溶劑係使用沸點(bp)為272℃之3-苯氧基甲苯。
如表9所示，根據實施例9之發光層形成用墨水之製造方法，與比較例(溶解時間之指數1.0)相比，可將上述混合溶劑中之上述混合物之溶解時間縮短20%以上。具體而言，溶解時間係視不良溶劑之選擇而不同，於使用直鏈烷烴系溶劑、或脂肪族醇系溶劑之情形時，溶解時間可縮短至比較例(1.0)之0.02(1/50)。於使用脂肪族醚系溶劑之情形時，溶解時間大致可縮短至比較例(1.0)之0.04~0.2(1/5)。於使用芳香族烴系溶劑之情形時，溶解時間可縮短至比較例(1.0)之0.1~0.8左右。於芳香族烴系溶劑中選擇三異丙基苯之情形時，可獲得與選擇直鏈烷烴系溶劑或脂肪族醇系溶劑之情形大致相同之溶解時間。
實施例10~實施例12之作為機能層形成用墨水之發光層形成用墨水係使混合溶劑中之不良溶劑之體積比例(體積比)及良溶劑與實施例9不同者，其他構成要素及製造方法係與實施例9相同。具體而言，係如下所述。
(實施例10)
實施例10之發光層形成用墨水係將30L之不良溶劑與70L之良溶劑進行混合而構成100L之混合溶劑。即，關於混合溶劑中之不良溶劑之體積比例，相對於實施例9為10%，實施例10為30%。又，使用沸點(bp)為268℃之2-異丙基萘作為良溶劑。
(實施例11)
實施例11之發光層形成用墨水係將50L之不良溶劑與50L之良溶劑進行混合而構成100L之混合溶劑。即，混合溶劑中之不良溶劑之體積比例為50%。又，使用沸點(bp)為298℃之二苄醚作為良溶劑。
(實施例12)
實施例12之發光層形成用墨水係將70L之不良溶劑與30L之良溶劑進行混合而構成100L之混合溶劑。即，混合溶劑中之不良溶劑之體積比例為70%。又，使用沸點(bp)為291℃之異丙基聯苯作為良溶劑。
如表10、表11、表12所示，根據實施例10~實施例12之發光層形成用墨水之製造方法，可與實施例9同樣地，將上述混合溶劑中之上述混合物之溶解時間縮短至比較例(1.0)之0.02~0.8左右。又，視不良溶劑之種類之溶解時間之縮短程度亦與實施例9相同。
再者，於上述電洞注入層形成用墨水中，於使用4,4',N,N'-Diphenylcarbazole(4,4',N,N'-二苯基咔唑)作為低分子材料，使用Polyvinylcarbazole(聚乙烯咔唑)作為高分子材料之情形時，亦可獲得與實施例1~實施例4相同之評價結果。
又，於上述發光層形成用墨水中，於使用雙(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶根-N,C3')(乙醯丙酮酸)銥(III)(Iridium(III)bis(2-(2'-benzothienyl)pyridinato-N,C3')(acetylacetonate))作為低分子材料，使用聚[{9,9-二己基-2,7-雙(1-氰基伸乙烯基)茀基}-鄰-共聚-{2,5-雙 (N,N'-二苯胺基)-1,4-伸苯基}](Poly[{9,9-dihexyl-2,7-bis(1-cyanovinylene)fluorenylene}-alt-co-{2,5-bis(N,N'-diphenylamino)-1,4-phenylene}])作為高分子材料之情形，或使用雙(2-(4,6-二氟苯基)吡啶根-N,C2')(吡啶甲酸)銥(III)(Iridium(III)bis(2-(4,6-diflurophenyl)pyridinato-N,C2')picolinate)作為低分子材料，使用(聚(9,9-二己基茀-2,7-二基)(Poly(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl))作為高分子材料之情形時，亦可獲得與上述實施例9~實施例12相同之評價結果。
進而，若於上述電洞注入層形成用墨水、上述電洞傳輸層形成用墨水、上述發光層形成用墨水各自中，將混合溶劑中之不良溶劑之體積比例(體積比)設為超過70%之值，例如90%，則良溶劑之體積比例降低，因此無法使5wt%之混合物充分溶解，而產生上述混合物之凝膠化從而各墨水懸浮。
若將實施例1~實施例12之評價結果進行總結，則如下所述。
於使包含低分子材料與高分子材料之混合物首先分散於不良溶劑後添加良溶劑，而將混合溶劑中之上述混合物之溶解時間較比較例(溶解時間之指數1.0)縮短時，較佳為將不良溶劑之體積比例(體積比)設為10%~70%。
又，不管電洞注入層、電洞傳輸層、發光層各自中之低分子材料與高分子材料之選擇，於自3-苯氧基甲苯、2-異丙基萘、二苄醚、異丙基聯苯中選擇良溶劑之情形時，較佳為選擇直鏈烷烴系溶劑或脂肪族醇系溶劑、或者三異丙基苯作為不良溶劑。藉此，可將上述混合溶劑中之上述混合物之溶解時間縮短至比較例之1/50左右。
又，不管電洞注入層、電洞傳輸層、發光層各自中之低分子材料與高分子材料之選擇，於自芳香族烴系溶劑中選擇不良溶劑之情形時，可將不良溶劑之沸點(bp)設為200℃以上，因此於使用液滴噴出 法(噴墨法)之情形時，可製成更適合液滴噴出法之機能層形成用墨水。
再者，於上述實施例1~實施例12中，將上述混合溶劑所含有之上述混合物之含量設為5wt%，但並不限定於其。只要根據上述混合溶劑中之每單位體積之上述混合物之溶解度設定含量即可。
本發明並不限定於上述之實施形態，可於不違反自申請專利範圍及說明書整體理解之發明之主旨或思想的範圍內適當進行變更，使用伴隨著此種變更之機能層形成用墨水之製造方法及有機EL元件之製造方法而製造之有機EL元件、及應用該有機EL元件之有機EL裝置亦包含於本發明之技術範圍內。除上述實施形態以外，可認為有各種變化例。以下，列舉變化例進行說明。
(變化例1)不良溶劑、良溶劑並不限定於上述實施例中所使用之溶劑，亦可應用其他衍生物。
作為具體例，可列舉：鹵化溶劑、烴溶劑、芳香族烴溶劑、醚溶劑、醇溶劑、酮溶劑、腈溶劑、亞碸溶劑、醯胺溶劑。該等有機溶劑亦可組合2種以上使用。
作為鹵化溶劑之具體例，可列舉：四氯化碳、二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷、四氯乙烯、氯苯、雙(2-氯乙基)醚、氯甲基乙醚、氯甲基甲醚、2-氯乙基乙醚、2-氯乙基甲醚。
作為烴溶劑之具體例，可列舉：戊烷、己烷、環己烷、庚烷、辛烷、十氫化萘、石油醚、石油英、聯環己烷。
作為芳香族烴溶劑之具體例，可列舉：苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、異丙苯、偏三甲苯、均三甲苯、丁基苯、四甲基苯、第三丁基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、十甲基苯、萘滿、環己基苯、十氫萘、甲基萘。
作為醚溶劑，可列舉：二乙醚、乙基丙基醚、二丙醚、二異丙 醚、二丁醚、甲基第三丁基醚、苯甲醚、甲基苯甲醚、二苯醚、苯氧基甲苯、苯氧基二甲苯、二甲苯基醚、四氫呋喃、二氫呋喃、二烷、四氫吡喃、4-甲基-1,3-二烷、4-苯基-1,3-二烷。
作為醇溶劑之具體例，可列舉：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-2-丙醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2,2-二甲基-1-丙醇、1-己醇、環戊醇、3-甲基-1-丁醇、3-甲基-2-丁醇、2-甲基-1-丁醇、2,2-二甲基-1-丙醇、3-己醇、2-己醇、4-甲基-2-戊醇、2-甲基-1-戊醇、2-乙基丁醇、2,4-二甲基-3-戊醇、3-庚醇、4-庚醇、2-庚醇、1-庚醇、2-乙基-1-己醇、2,6-二甲基-4-庚醇、2-甲基環己醇、3-甲基環己醇、4-甲基環己醇。
作為酮溶劑之具體例，可列舉：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、異丙基甲基酮、2-戊酮、3-戊酮、3-己酮、二異丙基酮、2-己酮、環戊酮、4-庚酮、異戊基甲基酮、3-庚酮、2-庚酮、4-甲氧基-4-甲基-2-戊酮、5-甲基-3-庚酮、2-甲基環己酮、二異丁基酮、5-甲基-2-辛酮、3-甲基環己酮、2-環己烯-1-酮、4-甲基環己酮、環庚酮、4-第三丁基環己酮、苄基丙酮。
作為腈溶劑之具體例，可列舉：乙腈、丙烯腈、三氯乙腈、丙腈、特戊腈、異丁腈、正丁腈、甲氧基乙腈、2-甲基丁腈、異戊腈、N-戊腈、正己腈、3-甲氧基丙腈、3-乙氧基丙腈、3,3'-氧二丙腈、正庚腈、羥乙腈(glycolonitrile)、苯甲腈、氰乙醇、丁二腈、丙酮氰醇、3-正丁氧基丙腈。
作為亞碸溶劑之具體例，可列舉：二甲基亞碸、二-正丁基亞碸、四亞甲基亞碸、甲基苯基亞碸。
作為醯胺溶劑之具體例，可列舉：二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、醯基醯胺、2-乙醯胺乙醇、N,N-二甲基-間甲苯醯胺、三氟乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基十二烷醯胺、ε-己內醯胺、N,N- 二乙基乙醯胺、N-第三丁基甲醯胺、甲醯胺、新戊醯胺、N-丁基醯胺、N,N-二甲基乙醯乙醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N-甲醯基乙基胺、乙醯胺、N,N-二異丙基甲醯胺、1-甲醯基哌啶、N-甲基甲醯苯胺。
再者，不良溶劑及良溶劑較佳為選擇即便混合亦不分離，容易混在一起之溶劑。
(變化例2)電洞注入層、電洞傳輸層、發光層所含有之低分子材料與高分子材料並不限定於上述實施例所使用之材料。
例如，作為電洞注入層形成材料，可列舉：聚噻吩及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、N,N,N',N'-四苯基-對二胺基苯及其衍生物等，可使用該等中之1種或組合2種以上使用。
又，作為電洞傳輸層形成材料，可將各種p型高分子材料、或各種p型低分子材料單獨或組合使用。
作為p型之高分子材料(有機聚合物)，例如可列舉：聚(2,7-(9,9-二正辛基茀)-(1,4-伸苯基-((4-第二丁基苯基)亞胺基)-1,4-伸苯基(TFB)等多芳基胺之類之具有芳基胺骨架者、茀-聯噻吩共聚物之類之具有茀骨架者、茀-芳基胺共聚物之類之具有芳基胺骨架及茀骨架兩者者、聚(N-乙烯基咔唑)、聚乙烯芘、聚乙烯蒽、聚噻吩、聚烷基噻吩、聚己基噻吩、聚(對苯乙炔)、聚苯乙炔、芘甲醛樹脂、乙基咔唑甲醛樹脂或其衍生物等。
此種p型高分子材料亦可以與其他化合物之混合物之形態使用。作為一例，作為含有聚噻吩之混合物，可列舉聚(3,4-乙二氧基噻吩/苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等。
另一方面，作為p型低分子材料，例如可列舉：1,1-雙(4-二-對甲苯基胺基苯基)環己烷、1,1'-雙(4-二-對甲苯基胺基苯基)-4-苯基-環己烷之類之芳基環烷烴系化合物；4,4',4"-三甲基三苯胺、N,N,N',N'-四 苯基-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-雙(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(TPD1)、N,N'-二苯基-N,N'-雙(4-甲氧基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(TPD2)、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(TPD3)、N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(α-NPD)、TPTE之類之芳基胺系化合物；N,N,N',N'-四苯基-對苯二胺、N,N,N',N'-四(對甲苯基)-對苯二胺、N,N,N',N'-四(間甲苯基)-間苯二胺(PDA)之類之苯二胺系化合物；咔唑、N-異丙基咔唑、N-苯基咔唑之類之咔唑系化合物；茋、4-二-對甲苯基胺基茋之類之茋系化合物；OxZ之類之唑系化合物；三苯甲烷、m-MTDATA之類之三苯甲烷系化合物；1-苯基-3-(對二甲基胺基苯基)吡唑啉之類之吡唑啉系化合物；苯炔(環己二烯)系化合物；三唑之類之三唑系化合物；咪唑之類之咪唑系化合物；1,3,4-二唑、2,5-二(4-二甲基胺基苯基)-1,3,4,-二唑之類之二唑系化合物；蒽、9-(4-二乙基胺基苯乙烯基)蒽之類之蒽系化合物；茀酮、2,4,7,-三硝基-9-茀酮、2,7-雙(2-羥基-3-(2-氯苯基胺甲醯基)-1-萘基偶氮)茀酮之類之茀酮系化合物；聚苯胺之類之苯胺系化合物；矽烷系化合物；1,4-二硫酮-3,6-二苯基-吡咯并-(3,4-c)吡咯并吡咯之類之吡咯系化合物；Flowlen之類之Flowlen系化合物；卟啉、金屬四苯基卟啉之類之卟啉系化合物；喹吖啶酮之類之喹吖啶酮系化合物；酞菁、酞菁銅、四(第三丁基)酞菁銅、酞菁鐵之類之金屬或無金屬之酞菁系化合物；萘酚菁銅、萘酚菁氧釩、萘酚菁單氯鎵之類之金屬或無金屬之萘酚菁系化合物；N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺、N,N,N',N'-四苯基聯苯胺之類之聯苯胺系化合物等。
又，作為可獲得紅色發光之發光材料(以下，稱為紅色發光材料)，並無特別限定，可使用各種可獲得紅色發光之螢光材料、磷光材料1種或組合2種以上使用。
作為上述螢光材料，只要為發出紅色螢光者，則無特別限定， 例如可列舉：苝衍生物、銪錯合物、苯并吡喃衍生物、玫瑰紅衍生物、苯并硫衍生物、卟啉衍生物、尼祿紅、2-(1,1-二甲基乙基)-6-(2-(2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H-苯并(ij)喹嗪-9-基)乙烯基)-4H-吡喃-4H-亞基)丙烷二腈(DCJTB)、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(對二甲基胺基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-(1-氰基伸乙烯基伸苯基)]、聚[{9,9-二己基-2,7-雙(1-氰基伸乙烯基)伸茀基}鄰-共聚-{2,5-雙(N,N'-二苯基胺基)-1,4-伸苯基}]、聚[{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-(1-氰基伸乙烯基伸苯基)}-共聚-{2,5-雙(N,N'-二苯基胺基)-1,4-伸苯基}]等。
作為上述磷光材料，只要為發出紅色磷光者，則無特別限定，例如可列舉：銥、釕、鉑、鋨、錸、鈀等之金屬錯合物，亦可列舉該等金屬錯合物之配位子中之至少1個具有苯基吡啶骨架、聯吡啶骨架、卟啉骨架等者。更具體而言，可列舉：三(1-苯基異喹啉)銥、雙[2-(2'-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶根-N,C3'](乙醯丙酮酸)銥(btp2Ir(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-12H,23H-卟啉-鉑(II)、雙[2-(2'-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶根-N,C3']銥、雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮酸)銥。
又，除上述之紅色發光材料外，亦可含有添加有紅色發光材料作為客體材料之主體材料。
主體材料具有如下機能：一面使電洞與電子再結合而產生激子，一面使該激子之能量向紅色發光材料轉移(Foerster轉移或Dexter轉移)而激發紅色發光材料。於使用此種主體材料之情形時，例如可將作為客體材料之紅色發光材料設為摻雜劑而摻雜於主體材料中使用。
作為此種主體材料，只要為對所使用之紅色發光材料發揮如上述之機能者，則無特別限定，於紅色發光材料包含紅色螢光材料之情 形時，例如可列舉：稠四苯衍生物、萘衍生物、蒽衍生物之類之并苯衍生物(并苯系材料)、二苯乙烯基芳烴衍生物、苝衍生物、二苯乙烯苯衍生物、二苯乙烯胺衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(Alq3)等羥基喹啉系金屬錯合物、三苯胺之四聚體等三芳基胺衍生物、二唑衍生物、矽羅衍生物、二咔唑衍生物、寡聚噻吩衍生物、苯并吡喃衍生物、三唑衍生物、苯并唑衍生物、苯并噻唑衍生物、喹啉衍生物、4,4'-雙(2,2'-二苯基乙烯基)聯苯(DPVBi)等，可使用該等中之1種或組合2種以上使用。
於使用如上述之紅色發光材料(客體材料)及主體材料之情形時，紅色發光層中之紅色發光材料之含量(摻雜量)較佳為0.01wt%~10wt%，更佳為0.1wt%~5wt%。藉由將紅色發光材料之含量設為如上述之範圍內，而可使發光效率最佳化。
又，作為可獲得綠色發光之發光材料(以下，稱為綠色發光材料)，並無特別限定，例如可列舉各種可獲得綠色發光之螢光材料、磷光材料，可使用該等中之1種或組合2種以上使用。
作為上述螢光材料，只要為發出綠色螢光者，則無特別限定，例如可列舉：香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、9,10-雙[(9-乙基-3-咔唑基)-乙烯基]-蒽、聚(9,9-二己基-2,7-伸乙烯基伸茀基)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共聚-(1,4-二伸苯基-伸乙烯基-2-甲氧基-5-{2-乙基己基氧基}苯)]、聚[(9,9-二辛基-2,7-二伸乙烯基伸茀基)-鄰-共聚-(2-甲氧基-5-(2-乙氧基己基氧基)-1,4-伸苯基)]等。
作為上述磷光材料，只要為發出綠色磷光者，則無特別限定，例如可列舉：銥、釕、鉑、鋨、錸、鈀等之金屬錯合物，具體而言，可列舉：面式-三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶根-N,C2')(乙醯丙酮酸)銥、面式-三[5-氟-2-(5-三氟甲基-2-吡啶)苯基-C,N]銥等。
又，於綠色發光層9中，除上述之綠色發光材料外，亦可含有添加有綠色發光材料作為客體材料之主體材料。
作為此種主體材料，可使用與上述紅色發光層中所說明之主體材料相同者。
又，作為可獲得藍色發光之發光材料(以下，稱為藍色發光材料)，例如可列舉各種可獲得藍色發光之螢光材料、磷光材料，可使用該等中之1種或組合2種以上使用。
作為上述螢光材料，只要為發出藍色螢光者，則無特別限定，例如可列舉：二苯乙烯二胺系化合物等二苯乙烯胺衍生物、螢蒽衍生物、芘衍生物、苝及苝衍生物、蒽衍生物、苯并唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、衍生物、菲衍生物、二苯乙烯苯衍生物、四苯基丁二烯、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑伸乙烯基)-1,1'-聯苯(BCzVBi)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共聚-(2,5-二甲氧基苯-1,4-二基)]、聚[(9,9-二己基氧基茀-2,7-二基)-鄰-共聚-(2-甲氧基-5-{2-乙氧基己基氧基}伸苯基-1,4-二基)]、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共聚-(乙炔基苯)]等。
作為上述磷光材料，只要為發出藍色磷光者，則無特別限定，例如可列舉：銥、釕、鉑、鋨、錸、鈀等之金屬錯合物，具體而言，可列舉：雙[4,6-二氟苯基吡啶根-N,C2']-吡啶甲酸-銥、三[2-(2,4-二氟苯基)吡啶根-N,C2']銥、雙[2-(3,5-三氟甲基)吡啶根-N,C2']-吡啶甲酸-銥、雙(4,6-二氟苯基吡啶根-N,C2')(乙醯丙酮酸)銥等。
又，於藍色發光層中，除上述之藍色發光材料外，亦可含有添加有藍色發光材料作為客體材料之主體材料。
作為此種主體材料，可使用與上述紅色發光層中所說明之主體材料相同者。
(變化例3)機能層形成用墨水並不限定於包含混合有低分子材料 與高分子材料之混合物作為固形物成分之情況。即便該固形物成分為低分子材料或高分子材料，亦可應用本發明。
(變化例4)具備應用本發明之有機EL元件130之有機EL裝置100並不限定於用作顯示裝置。例如可應用於照明裝置、電氣調光玻璃、對感光體進行曝光之曝光裝置(印表機頭)等。

Claims (7)

  1. 一種機能層(132a,132b,132c)形成用墨水(60,70,80)之製造方法，其係形成具有發光機能之機能層時所使用之機能層形成用墨水之製造方法，其特徵在於：包含使重量平均分子量為1萬以下之單體之低分子材料、重量平均分子量為1萬以上之聚合物之高分子材料、或混合有上述低分子材料與上述高分子材料之混合物中之任一種固形物成分分散於不良溶劑之步驟、及向分散有上述固形物成分之上述不良溶劑添加良溶劑，使上述固形物成分溶解；且相對於上述不良溶劑加上上述良溶劑之總體積，上述不良溶劑之體積比為10%~70%，且可將上述不良溶劑與上述良溶劑進行混合，上述不良溶劑係選自直鏈烷烴系溶劑、脂肪族醇系溶劑、脂肪族醚系溶劑、芳香族烴系溶劑中之至少1種，上述良溶劑係選自3-苯氧基甲苯、2-異丙基萘、二苄醚、異丙基聯苯中之至少1種。
  2. 如請求項1之機能層形成用墨水之製造方法，其中上述不良溶劑係選自4種直鏈烷烴系溶劑、5種脂肪族醇系溶劑、14種脂肪族醚系溶劑、8種芳香族烴系溶劑中之至少1種，上述良溶劑係選自3-苯氧基甲苯、2-異丙基萘、二苄醚、異丙基聯苯中之至少1種，上述4種直鏈烷烴系溶劑係壬烷、癸烷、十一烷、十二烷，上述5種脂肪族醇系溶劑係己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇，上述14種脂肪族醚系溶劑係二戊醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、二乙二醇異丙基甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇甲基丙醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚，上述8種芳香族烴系溶劑係1,3-二異丙基苯、1,4-二異丙基苯、三異丙基苯、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯。
  3. 如請求項1或2之機能層形成用墨水之製造方法，其中上述不良溶劑之沸點為150℃以上且300℃以下，上述良溶劑之沸點為250℃以上且300℃以下。
  4. 一種有機EL元件(130)之製造方法，其係於陽極(131)與陰極(134)之間包含具有發光機能之機能層(132)之有機EL元件的製造方法，其特徵在於：上述機能層包含自上述陽極側依序積層之電洞注入層(132a)、電洞傳輸層(132b)、發光層(132c)，且上述製造方法包含如下機能層形成步驟：使用包含低分子材料、高分子材料、或混合有上述低分子材料與上述高分子材料之混合物中之任一種固形物成分之之機能層形成用墨水(60,70,80)，而形成上述電洞注入層、上述電洞傳輸層、上述發光層中之至少1層，上述機能層形成用墨水係使用如請求項1至3中任一項之機能層形成用墨水之製造方法所製造者。
  5. 如請求項4之有機EL元件之製造方法，其中於上述機能層形成步驟中，使用上述機能層形成用墨水而形成上述電洞注入層。
  6. 如請求項4之有機EL元件之製造方法，其中於上述機能層形成步驟中，使用上述機能層形成用墨水而形成上述電洞傳輸層。
  7. 如請求項4之有機EL元件之製造方法，其中於上述機能層形成步驟中，使用上述機能層形成用墨水而形成上述發光層。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6331349B2 (ja) * 2013-11-19 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6578629B2 (ja) 2014-03-24 2019-09-25 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、発光素子の製造方法
JP6638187B2 (ja) * 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
JP6638186B2 (ja) 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
JP6507727B2 (ja) * 2015-03-09 2019-05-08 セイコーエプソン株式会社 機能性インク、吐出検査方法および成膜方法
JP6550830B2 (ja) * 2015-03-25 2019-07-31 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用組成物、機能層形成用組成物の製造方法、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
WO2016186012A1 (ja) * 2015-05-19 2016-11-24 住友化学株式会社 組成物及びそれを用いた発光素子
JP7019559B2 (ja) * 2015-07-15 2022-02-15 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機半導体化合物を含む組成物
JP6645132B2 (ja) * 2015-11-13 2020-02-12 セイコーエプソン株式会社 インク組成物
JP2017203095A (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 セイコーエプソン株式会社 機能性インク、吐出検査方法、吐出検査装置および成膜方法
JP6897021B2 (ja) * 2016-07-26 2021-06-30 セイコーエプソン株式会社 インク組成物、有機半導体素子の製造方法、有機半導体装置、および光学素子の製造方法
JP7013459B2 (ja) * 2016-10-31 2022-01-31 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
CN109863223B (zh) 2016-10-31 2023-06-20 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
WO2018095380A1 (zh) * 2016-11-23 2018-05-31 广州华睿光电材料有限公司 用于印刷电子器件的组合物及其制备方法和用途
JP6933248B2 (ja) * 2017-03-23 2021-09-08 コニカミノルタ株式会社 有機膜形成用塗布液、有機膜、有機電子デバイス、及び有機膜形成用塗布液の製造方法
CN107057454B (zh) * 2017-04-19 2021-04-13 上海幂方电子科技有限公司 一种用于制作发光层的墨水、制备方法以及应用
CN112042275A (zh) * 2018-05-01 2020-12-04 三菱化学株式会社 组合物和有机场致发光元件的制造方法
CN110105812A (zh) * 2018-10-24 2019-08-09 重庆理工大学 一种无油墨喷墨墨水及其制备方法和应用
KR20230039585A (ko) * 2021-09-14 2023-03-21 주식회사 엘지화학 잉크 조성물, 이를 포함하는 유기물층 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1950959A (zh) * 2004-05-11 2007-04-18 默克专利有限公司 有机半导体的溶液
CN101331625A (zh) * 2005-10-28 2008-12-24 日产化学工业株式会社 用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08143708A (ja) 1994-11-16 1996-06-04 Daicel Chem Ind Ltd セルロースエステル溶液および成形品の製造方法
JP3758297B2 (ja) 1997-04-23 2006-03-22 株式会社クレハ ポリフッ化ビニリデン系樹脂の溶解方法
CN100377380C (zh) * 2001-02-28 2008-03-26 剑桥显示技术有限公司 供沉积在基材上的材料配方和方法
JP2006190759A (ja) 2005-01-05 2006-07-20 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5228341B2 (ja) 2007-03-14 2013-07-03 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機トランジスタの製造方法
WO2008146838A1 (ja) * 2007-05-30 2008-12-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR101672553B1 (ko) * 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
JP2009224604A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜の形成方法
JP5184938B2 (ja) 2008-03-28 2013-04-17 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5347351B2 (ja) 2008-07-08 2013-11-20 セイコーエプソン株式会社 インクセット、インクジェット記録方法およびその記録物、並びにインクジェット記録装置
JP5543440B2 (ja) * 2010-07-01 2014-07-09 パナソニック株式会社 有機発光素子用インク、有機発光素子の製造方法、有機表示パネル、有機表示装置、有機発光装置、インク、機能層の形成方法、および有機発光素子
JP5186020B2 (ja) * 2010-07-13 2013-04-17 パナソニック株式会社 インクジェット用インク組成物およびそれを用いた有機薄膜の製造方法
JP6331349B2 (ja) * 2013-11-19 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1950959A (zh) * 2004-05-11 2007-04-18 默克专利有限公司 有机半导体的溶液
CN101331625A (zh) * 2005-10-28 2008-12-24 日产化学工业株式会社 用于喷雾或喷墨涂覆的电荷传输性清漆

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Publication number Publication date
TW201512319A (zh) 2015-04-01
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JP6201538B2 (ja) 2017-09-27
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