CN1950959A - 有机半导体的溶液 - Google Patents

有机半导体的溶液 Download PDF

Info

Publication number
CN1950959A
CN1950959A CNA2005800149903A CN200580014990A CN1950959A CN 1950959 A CN1950959 A CN 1950959A CN A2005800149903 A CNA2005800149903 A CN A2005800149903A CN 200580014990 A CN200580014990 A CN 200580014990A CN 1950959 A CN1950959 A CN 1950959A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solvent
solution
organic
dimethyl
methyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800149903A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1950959B (zh
Inventor
于尔根·施泰格尔
赫伯特·施普赖策
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Merck Patent GmbH
Original Assignee
Merck Patent GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merck Patent GmbH filed Critical Merck Patent GmbH
Publication of CN1950959A publication Critical patent/CN1950959A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1950959B publication Critical patent/CN1950959B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及包括至少一种有机半导体的溶液，所述的溶液在至少两种不同的有机溶剂A和B的溶剂混合物中至少包括一种高分子量组份，其中溶剂A是有机半导体的良好溶剂，溶剂B是有机半导体的差的溶剂，其特征在于溶剂的沸点(b.p.)适用以下条件：b.p.(A)＞b.p.(B)，并涉及其用于在基材上制造有机半导体层的用途，特别是用于电子工业。

Description

有机半导体的溶液
本发明涉及有机半导体的溶液，及其在电子工业中的用途。
在许多最广义上可归于电子工业的不同应用中，有机半导体用作功能材料已经实现有一段时间了，或者可预期在不久的将来实现。有机晶体管(O-TFTs，O-FETs)，有机集成电路(O-ICs)和有机太阳能电池(O-SCs)研究阶段的开发已经取得了长足的进步，因此可以预期在今后几年中将会引入市场。在有机电致发光器件(OLEDs)方面，已经引入了市场，例如具有“有机显示器”的先锋的汽车收音机，或者柯达的数字式摄像机所证实的那样。以Philips N.V.提供的刮胡刀小显示器形式出现的聚合物发光二极管(PLEDs)，作为第一个产品也可以在市场上获得。这样的PLEDs的一般结构公开于WO 90/13148中。虽然取得了这些进展，但仍有必要进行重大改进以使这些显示器成为目前主宰市场的液晶显示器(LCDs)真正的竞争者。
为了得到全色显示器，有必要开发涂覆方法，所述的涂覆方法可以空间分离的方式施加三原色(红色，绿色，蓝色)。因为所述聚合物通常以溶液施加，因此在本发明中印刷方法是一种可选择的途径。由于良好的可控性，可达到的分辨率和大的可变性，因此喷墨印刷(IJP)是目前采用的主要方法。然而，原则上，其它的印刷方法，如平板印刷，转印法或者照相凹版印刷方法也是适当的。另一方面，相应的彩色显示器也可以通过光刻(蚀)工艺而制造；在这种情况下，则可与如下所述的用于单色显示器的那样使用表面涂覆工艺。对于所有这些可能的方法，一方面要求适当的聚合物溶液适于印刷，但另一方面也要求不损害PLEDs的性能。还要求适当的聚合物溶液可用于例如通过旋涂制造的单色显示器。因为通常已知溶剂的选择以及聚合物在该溶剂或者溶剂混合物中的溶解度对形成薄膜的形态具有关键的影响，电致发光行为也会因此而受到影响。
WO 02/069119描述了用于喷墨印刷方法的有机半导体溶液，其中使用包括具有相对高沸点的差的溶剂和具有相对低沸点的好的溶剂的溶剂混合物。在干燥期间更多的挥发性溶剂的迅速蒸发形成所述材料的饱和溶液，结果发生沉淀。这阻止了该材料朝向像素(pixel)边缘的径向流动，并促进了相对均匀的材料分布。然而，该方法的重大缺陷在于该材料不能均匀干燥，相反形成的沉淀导致了明显的薄膜不均匀性。US2003/0127977例如通过SEM(扫描电子显微术)表明，如果该材料在干燥期间沉淀，则薄膜呈现差的性能。这使得由像素不可能产生均匀一致的电致发光。而且，薄膜的不规则性意味着不可能产生一致的电流是。从而认为，所形成的优选电流通道将最终导致短路，并因此显著降低器件的稳定性。再现这些试验的一些经验进一步表明这些不均匀的像素会导致发光效率的减少。因此，尽管这些溶液可能改进喷墨印刷的应用性能，但如果它们伴随对电致发光性能的损害，那么这样的溶液不能被广泛使用。
WO 02/072714提出在两种(或者也可为三种)溶剂混合物中的溶液，其中两种溶剂的沸点均在200℃以下，且一种溶剂的沸点为140℃-200℃，此外，其不包含苯甲基CH2和CH基团，并且对于芳香族溶剂上的取代基有特定的限制。如果所述溶液迅速变浓，则是特别有利的。这可以通过使用二元的或者三元的溶剂混合物实现，其中所述有机半导体在具有最高沸点的溶剂中具有最低的溶解度，或者在该溶剂中非常浓或者为胶质状。则在变浓期间，粘度迅速增加。然而，并不总是可以发现具有这样组成的适当的溶剂体系，在其中有机半导体迅速变浓而没有沉淀。
EP1134269记载，对于具有至少一个亚芳基-亚乙烯基单元的聚合物荧光物质的溶液，特别有利的是使差的溶剂含量不超过10,000ppm，优选不超过5000ppm(通过气相色谱法确定)，其中没有定义下限。在说明书的其它地方，优选的上限甚至限定为差的溶剂的含量不超过1000ppm，这相应于约0.1wt％(以可比较的密度)。描述为差的溶剂尤其是醇，特别是甲醇，乙醇和异丙醇。据称这些溶液的优点在于更高的发光效率，这在一个实施例中(用聚对亚苯基亚乙烯基衍生物)证实。
然而在重复该实施例时，我们不能再现这些结果。相反我们特别发现，聚合物溶液中更高比例的差的溶剂导致明显更陡的电流/电压/亮度曲线，并导致更高的发光效率。这是意想不到的结果，它与上述描述是矛盾的。因此，本发明涉及这类型的聚合物溶液。
本发明涉及一种单相的液态组合物(溶液)，包括：
·至少一种有机半导体，它包括至少一种高分子量组份，
·和至少一种有机溶剂A，它是有机半导体的良好溶剂，
·和至少一种有机溶剂B，它是有机半导体的差的溶液，
其特征在于溶剂A和B的沸点(b.p.)适用如下条件：b.p.(A)＞b.p.(B)。
用于本申请本文的目的，溶液是固态物质在液态溶剂中的液态均匀的混合物，其中所述的固体是溶解的分子分散体的形式，即大多数固体分子实际上是溶解的，且没有集合体或者纳米或者微颗粒的形式。
用于本发明目的，有机溶剂是指在溶解期间，能将其它的物质通过物理方法引入溶液，而不发生该溶解或者已溶解物质的化学变化的有机物质。
用于本发明目的，良好溶剂是指，在室温和大气压力下，有机半导体在该有机溶剂中可溶且溶解浓度至少为5克/升，并形成清澈可流动的溶液。
用于本发明目的，差的溶剂是指，在室温和大气压力下，在上述提到浓度下，有机半导体在其中不能得到透明溶液的有机溶剂，即产生絮凝或者形成凝胶。在室温和大气压力下，有机半导体的溶解度优选小于3克/升，特别优选小于1克/升，特别小于0.3克/升。
用于本发明目的，室温是20℃，大气压力是指1013毫巴。
本发明进一步涉及本发明的溶液在基材上产生有机半导体层的用途。
本发明的优选实施方式是使用印刷方法制造有机半导体层。在本发明中特别优选使用喷墨印刷(IJP)方法。
另外优选的实施方式是使用表面涂覆工艺用于制造有机半导体层，特别是使用旋涂。
本发明进一步涉及使用本发明溶液制得的有机半导体层。
此外，本发明涉及包括至少一个本发明的层的有机电子器件，如有机场效应晶体管(O-FETs)，有机薄膜晶体管(O-TFTs)，有机集成电路(O-ICs)，有机太阳能电池(O-SCs)，或者有机激光器二极管(O-lasers)，但是特别涉及有机和聚合物发光二极管(OLEDs，PLEDs)。
已知的有机半导体层本身已经在文献中有记载。由本发明溶液制得的层与迄今为止记载的那些相比较，显示出改进的电子性能(这特别在实施例1-4中得以证实)。特别是，由本发明溶液制得的层得到了更陡削的电流/电压/亮度曲线和更高的发光效率。
用于本发明的目的，有机半导体是低分子量的、低聚的、树枝状的、轻微支化到强烈支化的，特别是聚合的，有机或有机金属化合物，或固态或者层状化合物的混合物，所述化合物具有半导体性能，即其中传导和价带之间的能隙为0.1-4eV，优选为1.0-3.5eV。
本发明中使用的有机半导体或者是纯组份，从而其仅仅包含一种高分子量组份，或者是两种或多种组分的混合物，至少其中之一必须具有半导体性质。然而在使用混合物情况下，无需每一组份都具有半导体性质。因此，例如惰性低分子量化合物可以与半导体聚合物一起使用。同样，作为惰性基质或者粘结剂的非导电聚合物，可与具有半导体性质的一种或多种低分子量化合物或另外的聚合物一起使用。
所述高分子量组份的分子量Mw大于3000g/mol，优选大于10,000g/mol，特别优选大于50,000g/mol，该高分子组分可以是低聚，树枝状，轻微支化到强烈支化的，特别可以是聚合物
用于本发明的目的，可能的混合非导电组份认为是指无光电活性的，惰性的，不活泼的化合物。该组份可以像通常在表面涂覆制剂的情况下那样，称为粘结剂。
优选聚合的有机半导体溶液(其可以包括另外的混合物质)。用于本说明书的目的，聚合的有机半导体认为是指，特别是，
(i)取代的聚对亚芳基亚乙烯基(PAVs)(poly-p-arylenevinylenes)，公开在EP 0443861，WO 94/20589，WO 98/27136，EP 1025183，WO 99/24526，DE 19953806和EP 0964045中，它们可溶于有机溶剂，
(ii)取代的聚芴(PFs)，公开在EP 0842208，WO 00/22027，WO 00/22026，DE 19846767，WO 00/46321，WO 99/54385和WO 00/55927，它们可溶于有机溶剂，
(iii)取代的聚螺二芴(PSFs)，公开在EP 0707020，WO 96/17036，WO 97/20877，WO 97/31048，WO 97/39045和WO 03/020790，它们可溶于有机溶剂，
(iv)取代的聚对亚苯基(PPPs)或者聚对联苯(poly-para-biphenylenes)，公开在WO 92/18552，WO 95/07955，EP 0690086，EP 0699699和WO 03/099901，它们可溶于有机溶剂，
(v)公开在WO 05/014689中的取代的聚二氢菲(PDHPs)，可溶于有机溶剂
(vi)取代的聚反式茚并芴和聚顺式茚并芴(PIFs)，公开在WO04/041901和WO 04/113412中，它们可溶于有机溶剂，
(vii)公开在未公布的申请DE 102004020298.2中的取代的聚菲，可溶于有机溶剂
(viii)取代的聚噻吩(PTs)，公开在EP 1028136和WO 95/05937，它们可溶于有机溶剂，
(ix)聚吡啶(PPys)，公开在T.Yamamoto et al.，J.Am.Chem.Soc.1994，116，4832中，它们可溶于有机溶剂，
(x)聚吡咯，公开在V.Gelling et al.，Polym.Prepr.2000，41，1770中，可溶于有机溶剂，
(xi)具有类别(i)-(ix)的两种或多种结构单元的取代的可溶解的共聚物，例如公开在WO02/077060中，
(xii)共轭聚合物，公开在Proc.of ICSM′98，Part I & II(见：Synth.Met.1999，101/102)中，其可溶于有机溶剂，
(xiii)取代和未取代的聚乙烯咔唑(PVKs)，例如公开在R.C.Penwell et al.，J.Polym.Sci.，Macromol.Rev.1978，13，63-160中，和
(xiv)取代和未取代的三芳胺聚合物，例如公开在JP2000/072722中，和
(xv)含发磷光单元的可溶性聚合物，例如公开在EP 1245659，WO 03/001616，WO 03/018653，WO 03/022908，WO 03/080687，EP 1311138，WO 03/102109，WO 04/003105，WO 04/015025，和上述列举的一些说明书。
此外，同样优选包括混合的低分子量，低聚，树枝状，轻微支化到强烈支化的，和/或聚合的，有机的和/或有机金属半导体的非导电聚合物(母体聚合物)的溶液。
本发明溶液包括0.01-20wt％，优选0.1-15wt％，特别优选0.2-10wt％，尤其特别优选0.25-5wt％的有机半导体或者相应的共混物。所述的百分数数据涉及100％的整个溶剂混合物。
本发明溶液的粘度是可变的。然而，特定的涂覆技术要求使用特定的粘度范围。因此，对于通过IJP涂覆，约4-25mPa·s的范围是有利的。对于表面涂覆(如旋涂)，约5-40mPa·s的粘度范围是有利的。然而，对于其它的印刷方法，例如照相凹版印刷方法，明显更高的粘度，例如在20-500mPa·s的范围也完全可以带来优点。可通过选择有机半导体或者母体聚合物的适当分子量范围，及通过选择适当的浓度范围和选择溶剂调节该粘度。
起初不必限制本发明溶液的表面张力。通过使用相应的溶剂混合物和应用，其通常在20-60dyn/cm的范围，优选为25-50dyn/cm，尤其特别优选为25-40dyn/cm。
本发明溶液包括-如上所述-至少两种不同的有机溶剂A和B，其中溶剂A是有机半导体的良好溶剂，溶剂B是有机半导体的差的溶剂，其中另外所述溶剂的沸点(b.p.)适用以下条件：b.p.(A)＞b.p.(B)。
对于溶剂A的沸点优选为大于80℃，优选大于100℃，特别优选大于110℃，对于喷墨印刷尤其特别优选大于140℃。已经获得的该优选另外的技术限制是避免使用一些有毒的或者已经证明致癌的溶剂，例如，这适用于氯仿(b.p.61℃)，四氯甲烷(b.p.77℃)和苯(b.p.80℃)。该沸点的限定在技术上是适当的，因为已经表明：在喷墨印刷中使用具有更低沸点的良好溶剂时，在印刷操作完成之后几秒内就发生管嘴干燥。该值一旦达到至少约10秒，就可以通过适当的技术辅助方式来防止干燥(例如将打印头移到等待位，用帽机械密封管嘴)。对于旋涂，同样，具有过低沸点的溶剂不是优选的，因为这导致形态上不太有利的层。
溶剂A的沸点进一步优选为小于300℃，优选小于或者等于270℃，特别优选小于或等于250℃。在高沸点溶剂情况下，在薄膜形成之后，完全除去剩余溶剂非常困难，需要相当大的技术努力。
溶剂B的沸点的有利下限是50℃。更低的沸点使溶液或者层的可重复制备变得困难，因为这样的话溶液组份太易于挥发。溶剂B的沸点进一步优选小于250℃，特别优选小于或者等于200℃，尤其特别优选小于或等于150℃。
溶剂A和B的熔点优选小于或者等于15℃。这样的熔点是有利的，因为在某种情况下(在制备和使用之间)溶液必须要贮藏几天到几个月，或者还可能要输送。在本发明中必须保证所述溶液也保持稳定，并在储藏、输送和/或相对小的温度变化期间不冻结，或者不会受到其它不利的储藏和/或输送损害。
另外，优选溶剂A和溶剂B的沸点差大于5K，优选大于10K，特别优选大于20K，尤其特别优选大于30K。
溶剂A和B彼此的比例可以在宽泛的范围变化。然而，为实现最好的效果，应该使用的溶剂A比例为50-99.9vol％，优选70-99.8vol％，特别优选85-99.5vol％，尤其特别优选90-99vol％。相应地，应该使用的溶剂B比例为0.1-50vol％，优选0.2-30vol％，特别优选0.5-15vol％，尤其特别优选1-10vol％。在本发明中各个溶剂混合物的比例的总百分比总是加起来高达100％。
同样适当的是除溶剂A和B之外，也可以使用另外的良好和/或差的溶剂。因此，在每一情况下，完全适当的和优选的是使用两种或多种的类型A和/或类型B的溶剂，因为与仅仅只使用每一类型的一种溶剂的情况相比较，有时可从而更简单地实现其他必要参数的最佳化(例如表面张力，粘度的匹配等)。对于所述溶剂的比例，它也适用所有的溶剂A或者所有的溶剂B的比例优选在如上所述的范围内。
此外，除所述有机半导体或者掺合物之外，加入另外的添加剂也是适当的，例如公开在WO03/019693。
已证明，使用例如含醛溶剂，硝化芳烃，含磷溶剂(溶液的稳定性差)和苯乙烯衍生物或者其它的反应性烯烃(溶剂有聚合倾向)不是非常有利的。易于形成过氧化物，如二乙醚或者四氢呋喃的化合物同样已经证明不是非常适当的。
已经证明是广泛的各种有机半导体或者惰性母体聚合物的良好溶剂的，优选的溶剂A是单或者多取代的芳香族溶剂，特别是取代的苯，萘，联苯和吡啶。优选的取代基是烷基，所述的烷基也可以是氟化的，卤素原子，优选氯和氟，氰基，烷氧基，二烷基胺，优选具有不超过4个碳原子的那些，或者酯基。特别优选的取代基是氟，氯，氰基，甲氧基，乙氧基，甲基，三氟甲基，羧酸甲酯和/或羧酸乙酯，其中也可以含有多个不同的取代基。然而，非芳烃熔剂，如蚁酸衍生物，N-烷基吡咯烷酮或者高沸点醚，同样是适当的良好溶剂。
特别优选以下表1列出的沸点为100-300℃的溶剂。然而，必须对各有机半导体单独确定适当的溶剂，因此该表仅给出一般的参考。
表1：特别优选的良好溶剂A
  溶剂   CAS编号  沸点[℃]   熔点[℃]
  3-氟代三氟甲苯   401-80-9  102   -81
  三氟甲苯   98-08-8  102   -29
  二噁烷   123-91-1  102   12
  三氟甲氧基苯   456-55-3   102   -50
  4-氟代三氟甲苯   402-44-8   103   -41
  3-氟吡啶   372-47-4   108   n.s.
  甲苯   108-88-3   111   -93
  2-氟代甲苯   95-52-3   113   -62
  2-甲基噻吩   554-14-3   113   -63
  2-氟代三氟甲苯   392-85-8   115   -51
  3-氟代甲苯   352-70-5   115   -87
  吡啶   110-86-1   115   -42
  4-氟代甲苯   352-32-9   116   -56
  2，5-二氟甲苯   452-67-5   120   -35
  1-氯代-2，4-二氟苯   1435-44-5   127   -26
  2-氟吡啶   372-48-5   127   n.s.
  3-氯氟苯   625-98-9   127   n.s.
  1-氯代-2，5-二氟苯   2367-91-1   128   -25
  4-氯氟苯   352-33-0   130   -27
  氯苯   108-90-7   132   -45
  2-氯氟苯   348-51-6   138   -42
  对二甲苯   106-42-3   138   12
  间二甲苯   108-38-3   139   -47
  邻二甲苯   95-47-6   144   -24
  2，6-二甲基吡啶   108-48-5   145   -6
  2-氟代间二甲苯   443-88-9   147   n.s.
  3-氟代邻二甲苯   443-82-3   150   n.s.
  2-氯代三氟甲苯   88-16-4   152   -7
  二甲基甲酰胺   68-12-2   153   -61
  2-氯代-6-氟代甲苯   443-83-4   154   -27
  2-氟茴香醚   321-28-8   154   -39
  茴香醚   100-66-3   154   -37
  2，3-二甲基吡嗪   5910-89-4   156   n.s.
  溴化苯   106-86-1   156   -31
  4-氟茴香醚   459-60-9   157   -45
  3-氟茴香醚   456-49-5   160   -35
  3-三氟甲基茴香醚   454-80-0   160   -65
  2-甲基茴香醚   578-58-5   170   -34
  苯乙醚   103-73-1   170   -30
  1，3-苯并间二氧杂环戊烯   274-09-9   173   -18
  4-甲基茴香醚   104-93-8   174   -32
  3-甲基茴香醚   100-84-5   175   -55
  4-氟代-3-甲基茴香醚   2338-54-7   175   n.s.
  1，2-二氯苯   95-50-1   180   -17
  2-氟代苄腈   394-47-8   ～180   n.s.
  4-氟代邻二甲氧基苯   398-62-9   ～180   n.s.
  2，6-二甲基茴香醚   1004-66-6   182   n.s.
  苯胺   62-53-3   184   -6
  3-氟代苄腈   403-54-3   185   -16
  2，5-二甲基茴香醚   1706-11-2   190   ～5
  2，4-二甲基茴香醚   6738-23-4   191   n.s.
  苄腈   100-47-0   191   -13
  3，5-二甲基茴香醚   874-63-5   193   n.s.
  N，N-二甲基苯胺   121-69-7   194   2
  1-氟代-3，5-二甲氧基苯   52189-63-6   ～195   n.s.
  乙酸苯酯   122-79-2   196   -30
  N-甲基苯胺   100-61-8   196   -57
  苯甲酸甲酯   93-58-3   198   -12
  N-甲基吡咯烷酮   872-50-4   199   -24
  3，4-二甲基茴香醚   4685-47-6   200   n.s.
  邻苄基腈   529-19-1   205   -13
  邻二甲氧基苯   91-16-7   207   15
  苯甲酸乙酯   93-89-0   212   -34
  N，N-二乙苯胺   91-66-7   217   -38
  苯甲酸丙酯   2315-68-6   231   -51
  1-甲基萘   90-12-0   243   -22
  苯甲酸丁酯   136-60-7   250   -22
  2-甲基联苯基   643-58-3   255   n.s.
  2-苯基吡啶   1008-89-5   ～270   n.s.
  2，2′-联甲苯   605-39-0   ～300   n.s.
在表1中列出的溶剂不可能穷尽主张。对于本领域普通技术人员而言，不需要创造性劳动，用其它的在本发明中没有明确提到的溶剂同样可以容易地制备本发明的溶液。
因此，优选本发明溶液包括选自如下的一种或多种溶剂作为溶剂A：3-氟代三氟甲苯，三氟甲苯，二噁烷，三氟甲氧基苯，4-氟代三氟甲苯，3-氟吡啶，甲苯，2-氟代甲苯，2-氟代三氟甲苯，3-氟代甲苯，吡啶，4-氟代甲苯，2，5-二氟甲苯，1-氯代-2，4-二氟苯，2-氟吡啶，3-氯氟苯，1-氯代-2，5-二氟苯，4-氯氟苯，氯苯，2-氯氟苯，对二甲苯，间二甲苯，邻二甲苯，2，6-二甲基吡啶，2-氟代间二甲苯，3-氟代邻二甲苯，2-氯代三氟甲苯，二甲基甲酰胺，2-氯代-6-氟代甲苯，2-氟茴香醚，茴香醚，2，3-二甲基吡嗪，溴化苯，4-氟茴香醚，3-氟茴香醚，3-三氟甲基茴香醚，2-甲基茴香醚，苯乙醚，苯并间二氧杂环戊烯，4-甲基茴香醚，3-甲基茴香醚，4-氟代-3-甲基茴香醚，1，2-二氯苯，2-氟代苄腈，4-氟代邻二甲氧基苯，2，6-二甲基茴香醚，苯胺，3-氟代苄腈，2，5-二甲基茴香醚，2，4-二甲基茴香醚，苄腈，3，5-二甲基茴香醚，N，N-二甲基苯胺，1-氟代-3，5-二甲氧基苯，醋乙酸苯酯，N-甲基苯胺，苯甲酸甲酯，N-甲基吡咯烷酮，3，4-二甲基茴香醚，邻苄基腈，邻二甲氧基苯，苯甲酸乙酯，N，N-二乙苯胺，苯甲酸丙酯，1-甲基萘，苯甲酸丁酯，2-甲基联苯基，2-苯基吡啶或者2，2′-联甲苯。
证明是广泛的各种有机的或者有机金属，低聚，支化或者非支化的，聚合的或者树枝状半导体，或者惰性母体聚合物差的溶剂的优选溶剂B，是直链，支链或者环状的烷烃，优选具有大于五个的碳原子。在本发明中也可以选择相应的工业蒸馏馏份。萜烯，(环)脂族醇，醚，酮，羧酸酯类，或单或者多取代的芳烃溶剂，特别是取代苯，可被非常长的烷基或者烷氧基取代基取代的萘和吡啶也是适当的。
特别优选以下表2列出的沸点为50-250℃的溶剂B，其中再次说明，本发明中对各有机半导体必须单独确定特别适当的溶剂，因此该表也仅作为一般的参考。
表2：特别优选的差的溶剂B
  溶剂   CAS编号   沸点[℃]   熔点[℃]
  叔丁基甲醚   1634-04-4   55   -109
  丙酮   67-64-1   57   -95
  甲醇   67-56-1   65   -98
  己烷   110-54-3   69   -96
  乙酸乙酯   141-78-6   77   -84
  乙醇   64-17-5   78   -130
  2-丁酮   78-93-3   80   -87
  环己烷   110-82-7   81   7
  2-丙醇   67-63-0   82   -89
  叔丁醇   75-65-0   82   26
  1-丙醇   71-23-8   97   -127
  2-丁醇   78-92-2   98   -115
  庚烷   142-82-5   98   -91
  2-戊酮   107-87-9   100-110   -78
  甲基环己烷   108-87-2   101   -127
  3-戊酮   96-22-0   102   -40
  3-戊醇   584-02-1   116   -8
  1-丁醇   71-36-3   118   -89
  顺式的/反式的-1，4-二甲基环己烷   589-90-2   120   -87
  顺式的/反式的-1，3-二甲基环己烷   591-21-9   121-124   n.s.
  乙二醇单甲醚   109-86-4   124   -85
  顺式的/反式的-1，2-二甲基环己烷   583-57-3   124   n.s.
  辛烷   111-65-9   126   -57
  环戊酮   120-92-3   130-131   -51
  2-己醇   626-93-7   136   n.s.
  1-戊醇   71-41-0   138   -79
  1，2，4-三甲基环己烷   2234-75-5   142   n.s.
  4-庚酮   123-19-3   145   -33
  3-庚酮   106-35-4   148   -39
  2-庚酮   110-43-0   150   -35
  壬烷   111-84-2   151   -51
  3-庚醇   589-82-2   156   -70
  1-己醇   111-27-3   157   -52
  2-庚醇   543-49-7   161   n.s.
  二甘醇二甲醚   111-96-6   162   -64
  丁酸丁酯   109-21-7   165   n.s.
  叔丁苯   98-06-6   169   -58
  癸烷   124-18-5   174   -30
  1-庚醇   111-70-6   176   -36
  2-辛醇   123-96-6   179   -39
  丁基环己烷   1678-93-9   180   -78
  2-乙基-1-己醇   104-76-7   185   -76
  十氢化萘   91-17-8   187   -31
  丙二醇   57-55-6   187   -60
  二甲亚砜   867-68-5   189   19
  乙二醇   107-21-1   198   -13
  3，7-二甲基-1-辛醇   106-21-8   约200   n.s.
  3，7-二甲基-3-辛醇   78-69-3   约200   n.s.
  琥珀酸二甲酯   106-65-0   200   18
  苯甲醇   100-51-6   205   -15
  DBE(琥珀酸二甲酯和戊二酸二甲酯的工业混合物)   ″106-65-0″   196-215   n.s.
  十二烷   112-40-3   215   -12
  琥珀酸二乙酯   123-25-1   218   -20
  三甘醇二甲醚   112-49-2   220   -40
  己二酸二甲酯   627-93-0   230   8
  1-癸醇   112-30-1   233   n.s.
  双环己烷   92-51-3   239   3
  2-吡咯烷酮   616-45-5   245   25
在表2中列出的溶剂不可能穷尽主张。对于本领域普通技术人员而言，不需要创造性劳动，用其它的在本发明中没有明确提到的溶剂同样可以容易地制备本发明的溶液。
因此，优选本发明溶液包括选自如下的至少一种溶剂作为溶剂B：叔丁基甲醚，丙酮，甲醇，己烷，乙酸乙酯，乙醇，2-丁酮，环己烷，2-丙醇，叔丁醇，1-丙醇，2-丁醇，庚烷，2-戊酮，甲基环己烷，3-戊酮，3-戊醇，1-丁醇，1，4-二甲基环己烷，1，3-二甲基环己烷，乙二醇单甲醚，1，2-二甲基环己烷，辛烷，环戊酮，2-己醇，1-戊醇，1，2，4-三甲基环己烷，4-庚酮，3-庚酮，2-庚酮，壬烷，3-庚醇，1-己醇，2-庚醇，二甘醇二甲醚，丁酸丁酯，叔丁苯，癸烷，1-庚醇，2-辛醇，丁基环己烷，2-乙基-1-己醇，十氢化萘，丙二醇，二甲亚砜，乙二醇，3，7-二甲基-1-辛醇，3，7-二甲基-3-辛醇，琥珀酸二甲酯，苯甲醇，DBE，十二烷，琥珀酸二乙酯，三甘醇二甲醚，己二酸二甲酯，1-癸醇，双环己烷或者2-吡咯烷酮。
为更详细地说明本发明，将一些有用的本发明溶剂混合物列于表3中。该表仅仅表示参考。
表3：本发明溶剂混合物的例子
  溶剂A   溶剂B
  甲苯   甲醇
  甲苯   乙醇
  邻二甲苯   甲醇
  邻二甲苯   乙醇
  邻二甲苯   2-丙醇
  邻二甲苯   己烷
  茴香醚   甲醇
  茴香醚   乙醇
  茴香醚   甲醇/己烷
  甲基茴香醚   乙醇
  茴香醚/邻二甲苯   甲醇
  茴香醚/邻二甲苯   乙醇
  茴香醚/邻二甲苯   甲醇/乙醇
为制备所述溶液，所述有机半导体或者掺合物以所需的浓度溶解在所需的溶剂混合物中。首先在一部分溶剂，例如溶剂A中溶解有机半导体或者共混物也可以是适当的，然后向该溶液中加入剩余的溶剂，例如溶剂B。因为有机半导体和其溶液有时对氧或者其它的大气成分不稳定，因此在惰性气氛下进行该操作是适当的，例如在氮或者氩气下进行。此外，例如通过加热和/或搅拌促进溶解过程同样是适当的。本发明中，所述有机半导体或者母体聚合物的聚集体也可以例如通过外部机械作用，例如借助于超声进行粉碎，如WO 03/019694中所述。例如在WO 03/019693中公开的，同样可证明加入另外的添加剂对于本发明是适当的。进一步已证明，在使用以前过滤所述溶液是有利的，以除去例如相对小量的交联成分和/或尘粒。
已经发现由本发明溶液制造的电致发光器件显示出更好的电致发光结果，特别是更陡削的电流/电压/亮度曲线和更高的效率。这是意想不到的和出乎意料的结果，其与文献中的结果是矛盾的。因此，这样的溶液比现有技术的溶液更适合于制造高效的电致发光器件。另外，由本发明的溶液制造的薄膜或者像素中的聚合物和共混物材料的绝对没有显示出电致发光的不均匀性。
所述有机半导体在本发明溶液的干燥期间不会从所述溶液中沉淀析出。这产生比二元或者三元溶剂体系情况下明显更均匀的薄膜，在所述的溶剂体系中有机半导体或者其它的混合成分在最高沸点的溶剂中具有最低的溶解度。
本发明申请文本以及以下的实施例特别涉及本发明用于制造聚合物发光二极管和相应的显示器的溶液。尽管受说明书所限，但对于本领域普通技术人员而言，不需要另外创造性的劳动，还可以使用相应的本发明溶液用于制造其它的器件，例如有机场效应晶体管(O-FETs)，有机薄膜晶体管(O-TFTs)，有机集成电路(O-ICs)，有机太阳能电池(O-SCs)，或者还有有机激光二极管(O-lasers)，这里仅仅提及了几个应用。
通过以下实施例更详细地说明本发明，但并非意为限于此。本领域普通技术人员根据本发明，从给出的说明书和实施例不需要创造性劳动就可以制备另外的溶液，并据此使用这些溶液制造层。
实施例
实施例1：聚合物POLY1在甲苯(溶剂A)和甲醇(溶剂B)混合物中的溶液：
1.1使用的材料：
·聚合物POLY1是PPV聚合物，其通过比例为49％∶35％∶15％∶1％的Z5，E3，E5和Z1单体(如WO 99/24526中实施例的编号；聚合特性类似于其描述的实施例)聚合而得。本发明中使用的一批POLY1-B64的Mw为1200kg/mol，Mn为370kg/mol，Mp为910kg/mol。甲苯中的5g/l溶液的粘度(在40s-1)为约9.9mPas，并(在500s-1)为约9.1mPas。
·溶剂：
·甲苯；沸点111℃；POLY 1-B64的溶解度＞20g/l。
·甲醇：沸点65℃；POLY 1-B64的溶解度＜0.05g/l。
1.2在EL(电致发光)中应用的研究
制备4种不同的溶液。这些都包含5g/l的POLY 1-B64。所述溶液具有以下的溶剂组成：
·溶液1：100％甲苯
·溶液2：99.8％甲苯；0.2％甲醇(0.15％)
·溶液3：99.4％甲苯；0.6％甲醇(0.45％)
·溶液4：98.0％甲苯；2.0％甲醇(1.71％)
(通过H-核磁共振确定的溶剂组成注明在括弧中；即实际的甲醇含量比称量量稍低，估计可能由于在所述溶液N2饱和期间优先蒸发的缘故)。
使用所述溶液制造PLEDs(聚合物发光二极管)。在各情况下通过旋涂制造所述PLEDs(关于此常用方法的描述例如见上述提到的WO02/072714)。所述PLEDs具有以下结构：ITO/PEDOT(20nm)/LEP(80nm)/Ba(5nm)，Ag(200nm)。
(ITO＝氧化锡铟；PEDOT＝聚噻吩衍生物，从H.C.Starck以分散液得到；LEP＝发光聚合物)。
所有溶液给出绝对没有缺陷的光学均匀层。所述的PLEDs发黄色光(CIE-1931：X～0.51，Y～0.48)。
EL的评价比较列于表4中并在图1中图示说明。
  在最大下   在100Cd/m2下   在800Cd/m2下   在5000Cd/m2下
  效率[Cd/A]   效率[Cd/A]   效率[Cd/A]   效率[Cd/A]
  U[V]   U[V]   U[V]   U[V]
  溶液1   13.72   11.98   13.71   12.37
  3.64   2.80   3.59   4.95
  溶液2   14.11   12.17   14.08   12.85
  3.64   2.77   3.53   4.92
  溶液3   14.66   12.55   14.63   13.46
  3.44   2.72   3.39   4.52
  溶液4   14.58   12.51   14.60   13.44
  3.50   2.69   3.34   4.47
表4：在特定明亮度下的效率和需要的电压
同样研究了制得的PLEDs的使用寿命。每一PLEDs在同样的电流密度下给出了相同的寿命(在测量精度范围之内)。
实施例1的结果说明了以下内容：
·在指明范围0.2-2％内的甲醇含量增加了所述电流/电压曲线的陡度(即在相同的电压下的更高电流)，并少量增加各个PLED的效率。
·得到的这种优点并没有以产生任何缺点(例如使用寿命)为代价。这对于应用是重要的。
·尤其是相对于上述EP1134269所引用的结果，本发明中指出的结果是完全意想不到的。
实施例2：在茴香醚(溶剂A)和1-丁醇(溶剂B)混合物中的聚合物POLY1的溶液：
2.1使用的材料
·聚合物POLY1：如实施例1所述。
·溶剂：
·茴香醚；沸点154℃；POLY 1-B64的溶解度＞20g/l。
·1-丁醇：沸点118℃；POLY 1-B64的溶解度＜0.05g/l。
2.2关于在EL中应用的研究
制备4种不同的溶液。这些都包含5g/l的POLY 1-B64。所述溶液具有以下的溶剂组成：
·溶液5：100％茴香醚
·溶液6：99.5％茴香醚；0.5％的1-丁醇(0.50％)
·溶液7：98.0％的茴香醚；2.0％的1-丁醇(1.97％)
·溶液8：90％的茴香醚；10％的1-丁醇(9.84％)
(通过H-核磁共振确定的溶剂组成注明在括弧中；在该情况下，1-丁醇的含量与称量量非常一致)。
类似于实施例1的详细描述使用所述溶液制造PLEDs。EL的评价比较列于表5中。
  在最大下   在100Cd/m2下   在800Cd/m2下   在5000Cd/m2下
  效率[Cd/A]   效率[Cd/A]   效率[Cd/A]   效率[Cd/A]
  U[V]   U[V]   U[V]   U[V]
  溶液5   13.79   10.43   13.34   12.67
  3.84   2.84   3.74   5.31
  溶液6   14.39   12.31   14.36   13.13
  3.64   2.76   3.53   4.96
  溶液7   14.56   12.32   14.51   13.41
  3.66   2.74   3.49   4.97
  溶液8   13.56   9.42   13.45   12.75
  4.18   2.78   3.53   4.90
表5：在特定明亮度下的效率和需要的电压
实施例2的结果说明以下内容：
·类似于实施例1的结果，在本发明中丁醇的混合物也产生了更陡削的IV(和LV)特性曲线。从溶液8的结果可初步得出结论，10％的丁醇对所需的效果已经补偿过度(overcompensated)。在高发光密度(参照5000cd/m2值)下，也可产生本发明的效果。
实施例3：在甲苯(溶剂A)和环己烷或正庚烷或叔丁基甲基醚(溶剂B)混合物中的聚合物POLY1的溶液：
3.1使用的材料
·聚合物POLY1：如实施例1描述。
·溶剂：
·甲苯；沸点111℃；POLY 1-B64的溶解度＞20g/l。
·环己烷：沸点81℃；POLY 1-B64的溶解度＜0.05g/l。
·正庚烷：沸点98℃；POLY1-B64的溶解度＜0.05g/l。
·叔丁基甲基醚：沸点55℃；POLY1-B64的溶解度＜0.05g/l。
3.2关于在EL应用中的研究
制备4种不同的溶液。这些都包含5g/l的POLY 1-B64。所述溶液具有以下的溶剂组成：
·溶液9：100％的甲苯
·溶液10：98.0％的甲苯；2.0％的环己烷(1.79％)
·溶液11：98.0％的甲苯；2.0％的正庚烷(1.92％)
·溶液12：98.0％的甲苯；2.0％的叔丁基甲基醚(1.64％)
(通过H-核磁共振确定的溶剂组成注明在括弧中)。
类似于实施例1的详细描述使用所述溶液制造PLEDs。然而，在该情况下使用厚度为80纳米的PEDOT薄膜(实施例1和2：在每一情况下为20纳米；参见上面)。
EL的评价比较列于表6中。
  在最大下   在100Cd/m2下   在800Cd/m2下   在5000Cd/m2下
  效率[Cd/A]   效率[Cd/A]   效率[Cd/A]   效率[Cd/A]
  U[V]   U[V]   U[V]   U[V]
  溶液9   12.13   10.42   12.11   10.85
  3.79   2.87   3.71   5.14
  溶液10   12.66   10.74   12.63   11.58
  3.78   2.88   3.73   5.13
  溶液11   13.00   11.17   12.98   11.86
  3.81   2.93   3.88   5.51
  溶液12   12.00   10.35   11.99   10.91
  3.80   2.90   3.82   5.25
表6：在特定明亮度下的效率和需要的电压
实施例3的结果说明以下内容：
·与实施例1和2所示的结果相反，在这些溶液的情况下，IV特性线没有明显的陡度增加。然而，这里的效率也基本得到改善。该结果同样是意想不到的。
实施例4：聚合物POLY2在甲苯(溶剂A)和甲醇(溶剂B)混合物中的溶液：
4.1使用的材料：
·聚合物POLY2是类似于WO 03/020790中实施例P27的螺聚合物，其同样通过其所描述的SUZUKI聚合获得。在本发明中使用的一批POLY2-B10的Mw为380kg/mol，Mn为100kg/mol，Mp为320kg/mol。茴香醚/邻二甲苯(1∶1)中的14g/l的溶液粘度(在40s-1下)为约6.3mPas，并(在500s-1下)为约6.4mPas。
·溶剂：
·甲苯；沸点111℃；POLY2-B10的溶解度＞35g/l。
·甲醇：沸点65℃；POLY2-B10溶解度＜0.05g/l。
4.2关于在EL中应用的研究
制备4种不同的溶液。这些都包含11g/l的POLY2-B10。所述溶液具有以下的溶剂组成：
·溶液13：100％甲苯
·溶液14：99.8％的甲苯；0.2％的甲醇(0.17％)
·溶液15：99.4％的甲苯；0.6％的甲醇(0.52％)
·溶液16：98.0％的甲苯；2.0％的甲醇(1.77％)
(通过H-核磁共振确定的溶剂组成注明在括弧中；即实际的甲醇含量稍低于称量量，估计可能由于在所述溶液的N2饱和期间优先蒸发的缘故)。
类似于实施例1中的详细描述使用所述溶液制造PLEDs(即这里同样也用20纳米的PEDOT)。
所有的溶液均给出绝对没有缺陷的光学均匀层。所述PLEDs发红色光(CIE-1931：X～0.67，y～0.33)。
EL的评价比较列于表7中。
  在最大下   在100Cd/m2下   在800Cd/m2下
  效率[Cd/A]   效率[Cd/A]   效率[Cd/A]
  U[V]   U[V]   U[V]
  溶液13   2.04   1.88   1.59
  2.84   3.38   5.75
  溶液14   2.02   1.92   1.58
  2.93   3.47   5.60
  溶液15   2.01   1.94   1.62
  2.84   3.28   5.12
  溶液16   2.05   1.97   1.63
  2.76   3.23   5.10
表7：在特定明亮度下的效率和需要的电压
对使用寿命的研究也显示出：在这种情况下，由所有的4种溶液制得的PLEDs在测量精度范围之内具有相似的值。
实施例4的结果说明以下内容：
·类似于实施例1，在本发明中对于完全不同的聚合物，随甲醇含量的增加LV(且从而同样IV)特性曲线的陡度也显示为增加。效率实际上没有变化(在测量精度范围之内)。

Claims (26)

1.一种单相液态组合物(溶液)，包括：
·至少一种有机半导体，它包括至少一种高分子量组份，
·和至少一种有机溶剂A，它是有机半导体的良好溶剂，
·和至少一种有机溶剂B，它是有机半导体的差的溶剂，
其特征在于溶剂A和B的沸点(b.p.)适用以下条件：b.p.(A)＞b.p.(B)。
2.根据权利要求1的溶液，其特征在于所述的有机半导体在室温下在纯溶剂A中是可溶的，其浓度至少为5g/l。
3.权利要求1和/或2的溶液，其特征在于在室温下所述的有机半导体在纯溶剂B中的溶解度小于0.3g/l。
4.根据权利要求1-3的一项或多项的溶液，其特征在于所述有机半导体用作纯组份。
5.根据权利要求1-3的一项或多项的溶液，其特征在于所述有机半导体是两种或多种组分的混合物，其中至少一种具有半导体特性。
6.根据权利要求1-5的一项或多项的溶液，其特征在于所述高分子量组份的分子量Mw大于50,000g/mol。
7.根据权利要求1-6的一项或多项的溶液，其特征在于所述聚合有机半导体选自下组：取代的聚对亚芳基亚乙烯基(PAVs)、聚芴(PFs)、聚螺二芴(PSFs)、聚对亚苯基(PPPs)或者聚联亚苯、聚二氢菲(PDHPs)、顺式的和反式的聚茚并芴(PIFs)、聚菲，聚噻吩(PTs)、聚吡啶(PPys)、聚吡咯，具有上述提到的这些类别的两种或多种结构单元的共聚物、聚乙烯咔唑(PVKs)和，三芳胺聚合物和/或含发磷光单元的聚合物，在各情况下它们可溶于有机溶剂。
8.根据权利要求1-7的一项或多项的溶液，其特征在于使用非导电聚合物(母体聚合物)，其包括混合的低分子量，低聚，树枝状，轻微到强烈支化和/或聚合的，有机的和/或有机金属半导体。
9.根据权利要求1-8的一项或多项的溶液，其特征在于它们包括0.01-20wt％的有机半导体。
10.根据权利要求1-9的一项或多项的溶液，其特征在于溶剂A的沸点大于110℃。
11.根据权利要求1-10的一项或多项的溶液，其特征在于溶剂A的沸点小于300℃。
12.根据权利要求1-11的一项或多项的溶液，其特征在于溶剂B的沸点大于50℃。
13.根据权利要求1-12的一项或多项的溶液，其特征在于溶剂B的沸点小于250℃。
14.根据权利要求1-13的一项或多项的溶液，其特征在于溶剂A和溶剂B的沸点差大于10K。
15.根据权利要求1-14的一项或多项的溶液，其特征在于使用的溶剂A的比例为70-99.8vol％，使用的溶剂B的比例为0.2-30vol％。
16.根据权利要求1-15的一项或多项的溶液，其特征在于除溶剂A和B之外，还使用其他良好和/或差的溶剂。
17.根据权利要求1-16的一项或多项的溶液，其特征在于使用单或者多取代芳烃溶剂，蚁酸衍生物，N-烷基吡咯烷酮或者高沸点醚作为溶剂A。
18.根据权利要求17的溶液，其特征在于，将选自下组的一种或多种溶剂作为溶剂A：3-氟代三氟甲苯，三氟甲苯，二噁烷，三氟甲氧基苯，4-氟代三氟甲苯，3-氟吡啶，甲苯，2-氟代甲苯，2-氟代三氟甲苯，3-氟代甲苯，吡啶，4-氟代甲苯，2，5-二氟甲苯，1-氯代-2，4-二氟苯，2-氟代吡啶，3-氯氟苯，1-氯代-2，5-二氟苯，4-氯氟苯，氯苯，2-氯氟苯，对二甲苯，间二甲苯，邻二甲苯，2，6-二甲基吡啶，2-氟代-间二甲苯，3-氟代-邻二甲苯，2-氯代三氟甲苯，二甲基甲酰胺，2-氯代-6-氟代甲苯，2-氟茴香醚，茴香醚，2，3-二甲基吡嗪，溴化苯，4-氟茴香醚，3-氟茴香醚，3-三氟甲基茴香醚，2-甲基茴香醚，苯乙醚，苯并间二氧杂环戊烯，4-甲基茴香醚，3-甲基茴香醚，4-氟代-3-甲基茴香醚，1，2-二氯苯，2-氟代苄腈，4-氟代邻二甲氧基苯，2，6-二甲基茴香醚，苯胺，3-氟代苄腈，2，5-二甲基茴香醚，2，4-二甲基茴香醚，苄腈，3，5-二甲基茴香醚，N，N-二甲基苯胺，1-氟代-3，5-二甲氧基苯，乙酸苯酯，N-甲基苯胺，苯甲酸甲酯，N-甲基吡咯烷酮，3，4-二甲基茴香醚，邻苄基腈，邻二甲氧基苯，苯甲酸乙酯，N，N-二乙苯胺，苯甲酸丙酯，1-甲基萘，苯甲酸丁酯，2-甲基联苯基，2-苯基吡啶或者2，2′-联甲苯。
19.根据权利要求1-18的一项或多项的溶液，其特征在于，使用直链，支链或者环状的烷烃，萜烯，(环)脂族醇，醚，酮，羧酸酯，或者由非常长的烷基或者烷氧基取代基取代的单或者多取代的芳烃溶剂作为溶剂B。
20.根据权利要求19的溶液，其特征在于将选自下组的一种或多种溶剂作为溶剂B：叔丁基甲基醚，丙酮，甲醇，己烷，乙酸乙酯，乙醇，2-丁酮，环己烷，2-丙醇，叔丁醇，1-丙醇，2-丁醇，庚烷，2-戊酮，甲基环己烷，3-戊酮，3-戊醇，1-丁醇，1，4-二甲基环己烷，1，3-二甲基环己烷，乙二醇单甲醚，1，2-二甲基环己烷，辛烷，环戊酮，2-己醇，1-戊醇，1，2，4-三甲基环己烷，4-庚酮，3-庚酮，2-庚酮，壬烷，3-庚醇，1-己醇，2-庚醇，二甘醇二甲醚，丁酸丁酯，叔丁苯，癸烷，1-庚醇，2-辛醇，丁基环己烷，2-乙基-1-己醇，十氢化萘，丙二醇，二甲亚砜，乙二醇，3，7-二甲基-1-辛醇，3，7-二甲基-3-辛醇，琥珀酸二甲酯，苯甲醇，DBE，十二烷，琥珀酸二乙酯，三甘醇二甲醚，双环己烷，己二酸二甲酯，1-癸醇或者2-吡咯烷酮。
21.权利要求1-20的一项或多项的溶液用于在基材上制备有机半导体层的用途。
22.一种在基材上制备有机半导体层的方法，其特征在于通过印刷方法处理权利要求1-20的一项或多项的溶液。
23.权利要求22的方法，其特征在于所述的印刷方法是喷墨印刷方法(IJP)方法。
24.一种在基材上制备有机半导体层的方法，其特征在于通过表面涂覆方法处理权利要求1-20的一项或多项的溶液。
25.一种有机半导体层，其特征在于是利用权利要求1-20的一项或多项的溶液制备的，或者是通过根据权利要求22和/或23的印刷方法制备的，或者通过权利要求24的表面涂覆方法制备的。
26.包括权利要求25的至少一个层的有机或者聚合物发光二极管(OLEDs，PLEDs)，有机场效应晶体管(O-FETs)，有机薄膜晶体管(O-TFTs)，有机集成电路(O-Cs)，有机太阳能电池(O-SCs)，或者有机激光二极管(O-lasers)。
CN2005800149903A 2004-05-11 2005-05-10 有机半导体的溶液 Active CN1950959B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004023276A DE102004023276A1 (de) 2004-05-11 2004-05-11 Lösungen organischer Halbleiter
DE102004023276.8 2004-05-11
PCT/EP2005/005022 WO2005112145A1 (de) 2004-05-11 2005-05-10 Lösungen organischer halbleiter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1950959A true CN1950959A (zh) 2007-04-18
CN1950959B CN1950959B (zh) 2010-09-01

Family

ID=34969612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800149903A Active CN1950959B (zh) 2004-05-11 2005-05-10 有机半导体的溶液

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7704785B2 (zh)
EP (1) EP1745520B1 (zh)
JP (1) JP5019454B2 (zh)
KR (1) KR101233878B1 (zh)
CN (1) CN1950959B (zh)
DE (1) DE102004023276A1 (zh)
WO (1) WO2005112145A1 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102504804A (zh) * 2011-09-29 2012-06-20 中国科学院长春应用化学研究所 一种利用抑制边缘流动改善喷墨打印薄膜均匀性的有机发光材料溶液及其制备方法
CN103824959A (zh) * 2012-11-16 2014-05-28 精工爱普生株式会社 功能层形成用油墨、油墨容器、喷出装置、功能层的形成方法、有机el 元件的制造方法、发光装置、电子设备
CN104419257A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 精工爱普生株式会社 功能层形成用油墨的制造方法、有机el 元件的制造方法
CN104641482A (zh) * 2012-09-04 2015-05-20 默克专利股份有限公司 有机电子器件中介电结构的表面改性方法
CN104882539A (zh) * 2014-02-28 2015-09-02 精工爱普生株式会社 有机半导体膜及其制造方法、薄膜晶体管、有源矩阵装置、电光学装置及电子设备
CN107177239A (zh) * 2017-02-17 2017-09-19 纳晶科技股份有限公司 墨水配方、光电器件以及光电器件的功能层的制备方法
CN107880650A (zh) * 2017-11-22 2018-04-06 华南理工大学 一种混合溶剂的喷墨打印墨水及其制备方法
CN108461654A (zh) * 2017-02-17 2018-08-28 纳晶科技股份有限公司 膜层、发光器件、膜层处理方法、装置及系统
CN104916778B (zh) * 2009-02-11 2019-03-22 通用显示公司 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物
CN109810571A (zh) * 2017-11-21 2019-05-28 Tcl集团股份有限公司 无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用
TWI665267B (zh) * 2014-03-24 2019-07-11 日商精工愛普生股份有限公司 機能層形成用墨水、發光元件之製造方法、發光裝置、電子機器

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60045092D1 (de) * 1999-03-29 2010-11-25 Cambridge Display Tech Ltd Zusammensetzung mit einem organischen elektrolumineszierenden Material
JP4616596B2 (ja) * 2004-08-27 2011-01-19 株式会社 日立ディスプレイズ 電子装置の製造方法
US7736540B1 (en) * 2004-12-30 2010-06-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic compositions for depositing onto fluorinated surfaces
DE102005022903A1 (de) * 2005-05-18 2006-11-23 Merck Patent Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
JP2007227795A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Dainippon Printing Co Ltd 有機電子デバイス用有機組成物および有機電子デバイス
WO2008066933A2 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 The Regents Of The University Of California Enhancing performance characteristics of organic semiconducting films by improved solution processing
JP2008244362A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体回路、電気光学装置および電子機器
US9000423B2 (en) 2007-10-31 2015-04-07 The Regents Of The University Of California Processing additive for single-component solution processed organic field-effect transistors
KR100925316B1 (ko) * 2007-12-20 2009-11-04 노운섭 접합필름인쇄용 잉크조성물
WO2009119557A1 (ja) * 2008-03-25 2009-10-01 住友化学株式会社 組成物及びそれを用いた光電変換素子
JP5406284B2 (ja) 2008-06-11 2014-02-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 有機半導体の堆積のための混合溶媒系
US8455373B2 (en) 2008-07-03 2013-06-04 Postech Academy-Industry Foundation Ink-jet print ink and organic thin film transistor using thereof
GB2462410B (en) * 2008-07-21 2011-04-27 Cambridge Display Tech Ltd Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices
WO2010021921A1 (en) * 2008-08-20 2010-02-25 Plextronics, Inc. Improved solvent system for fabrication of organic solar cells
JP2011066388A (ja) * 2009-03-27 2011-03-31 Fujifilm Corp 有機電界発光素子用塗布液
JP5684250B2 (ja) * 2009-06-17 2015-03-11 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機層のインクジェット印刷または他の用途向けの液体組成物
FR2950736B1 (fr) * 2009-09-25 2011-12-09 Rhodia Chimie Sa Revetements photovoltaiques organiques de morphologie controlee
WO2011087601A1 (en) * 2009-12-22 2011-07-21 Universal Display Corporation Aromatic solvent comprising compositions for inkjet printing of layers comprising organic semiconductive material
KR20120123361A (ko) * 2009-12-23 2012-11-08 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도성 화합물을 포함하는 조성물
EP2590481B1 (en) * 2010-07-01 2021-11-24 Joled Inc. Ink for organic light emitting element and method for manufacturing an organic light emitting element
JP2012212704A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 液状組成物及びそれを用いた積層膜の製造方法
EP2748877B1 (en) 2011-08-26 2016-02-10 Merck Patent GmbH Organic semiconductor formulation
EP2822050B1 (en) * 2012-03-02 2017-06-14 Nissan Chemical Industries, Ltd. Charge-transporting varnish
US9293711B2 (en) 2012-08-09 2016-03-22 Polyera Corporation Organic semiconductor formulations
DE102012018583B4 (de) 2012-09-20 2018-10-31 Heidelberger Druckmaschinen Ag Verfahren zum Drucken einer funktionalen Schicht für elektronische Bauteile
KR102118354B1 (ko) * 2012-12-12 2020-06-03 주식회사 다이셀 유기 트랜지스터 제조용 용제 또는 용제 조성물
KR20150100913A (ko) * 2012-12-28 2015-09-02 메르크 파텐트 게엠베하 중합체성 유기 반도성 화합물을 포함하는 조성물
KR102145424B1 (ko) 2013-11-11 2020-08-18 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 제조용 잉크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법
JP6638186B2 (ja) * 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
JP6638187B2 (ja) * 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
JP6060993B2 (ja) * 2015-03-13 2017-01-18 セイコーエプソン株式会社 成膜方法
JP6550830B2 (ja) * 2015-03-25 2019-07-31 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用組成物、機能層形成用組成物の製造方法、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
KR102570137B1 (ko) * 2015-03-30 2023-08-23 메르크 파텐트 게엠베하 실록산 용매를 포함하는 유기 기능성 재료의 제형
EP3341981B1 (en) * 2015-08-28 2020-08-19 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material comprising an epoxy group containing solvent
KR20180066145A (ko) * 2015-10-06 2018-06-18 메르크 파텐트 게엠베하 적어도 2종의 유기 반도체 화합물 및 적어도 2종의 용매를 포함하는 제형
JP6645132B2 (ja) 2015-11-13 2020-02-12 セイコーエプソン株式会社 インク組成物
TW201815998A (zh) * 2016-06-28 2018-05-01 德商麥克專利有限公司 有機功能材料之調配物
US10950792B2 (en) 2016-10-31 2021-03-16 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
EP3532565B1 (en) 2016-10-31 2021-04-21 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material
EP3608981A4 (en) 2017-03-21 2020-12-23 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN-FILM AND ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR
WO2018174117A1 (ja) * 2017-03-23 2018-09-27 コニカミノルタ株式会社 有機膜形成用塗布液、有機膜、有機電子デバイス、及び有機膜形成用塗布液の製造方法
US10305054B2 (en) 2017-04-25 2019-05-28 International Business Machines Corporation Memristive device based on tunable schottky barrier
KR102285565B1 (ko) 2017-12-12 2021-08-04 주식회사 엘지화학 잉크 조성물 및 유기 발광 소자 제조방법
JP7158157B2 (ja) * 2018-02-23 2022-10-21 東ソー株式会社 有機半導体インキ、それを用いた有機薄膜の製造方法
EP3807367B1 (en) 2018-06-15 2023-07-19 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material
JP7156769B2 (ja) * 2018-09-21 2022-10-19 日本化薬株式会社 有機半導体組成物、有機薄膜及び有機薄膜トランジスタ
JP2023522243A (ja) 2020-04-21 2023-05-29 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
WO2022223675A1 (en) 2021-04-23 2022-10-27 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
WO2024126635A1 (en) 2022-12-16 2024-06-20 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5091004A (en) 1987-09-22 1992-02-25 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Ink composition
JP3317697B2 (ja) * 1990-11-15 2002-08-26 日立化成工業株式会社 シリカ系被膜形成用塗布液の製造方法、シリカ系被膜形成用塗布液，シリカ系被膜の製造方法，シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成された半導体デバイス
CA2115334A1 (en) * 1993-02-10 1994-08-11 Isao Tomioka Film forming solution, porous film obtained therefrom and coated material with the porous film
US6445128B1 (en) * 1999-08-23 2002-09-03 Durel Corporation EL panel made with low molecular weight PVDF/HFP resin
CN1245769C (zh) * 1999-12-21 2006-03-15 造型逻辑有限公司 溶液加工
JP4347569B2 (ja) * 2001-02-27 2009-10-21 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 基板に材料を蒸着する方法
JP4307839B2 (ja) * 2001-03-10 2009-08-05 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機半導体の溶液および分散液
DE10135640A1 (de) * 2001-07-21 2003-02-06 Covion Organic Semiconductors Lösungen organischer Halbleiter
JP4049744B2 (ja) * 2001-12-04 2008-02-20 アグフア−ゲヴエルト，ナームローゼ・フエンノートシヤツプ ポリチオフェンまたはチオフェン共重合体の水性もしくは非水性溶液または分散液の製造方法
US6856088B2 (en) * 2001-12-31 2005-02-15 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same
JP4180977B2 (ja) 2003-06-03 2008-11-12 本田技研工業株式会社 グローブボックスのシャッタ構造

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916778B (zh) * 2009-02-11 2019-03-22 通用显示公司 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物
CN102504804A (zh) * 2011-09-29 2012-06-20 中国科学院长春应用化学研究所 一种利用抑制边缘流动改善喷墨打印薄膜均匀性的有机发光材料溶液及其制备方法
CN104641482A (zh) * 2012-09-04 2015-05-20 默克专利股份有限公司 有机电子器件中介电结构的表面改性方法
CN104641482B (zh) * 2012-09-04 2017-12-29 默克专利股份有限公司 有机电子器件中介电结构的表面改性方法
CN103824959A (zh) * 2012-11-16 2014-05-28 精工爱普生株式会社 功能层形成用油墨、油墨容器、喷出装置、功能层的形成方法、有机el 元件的制造方法、发光装置、电子设备
TWI616499B (zh) * 2012-11-16 2018-03-01 精工愛普生股份有限公司 機能層形成用墨水、墨水容器、噴出裝置、機能層之形成方法、有機ｅｌ元件之製造方法、發光裝置、電子機器
CN104419257A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 精工爱普生株式会社 功能层形成用油墨的制造方法、有机el 元件的制造方法
CN104419257B (zh) * 2013-09-03 2019-12-06 精工爱普生株式会社 功能层形成用油墨的制造方法、有机el元件的制造方法
TWI634164B (zh) * 2013-09-03 2018-09-01 精工愛普生股份有限公司 機能層形成用墨水之製造方法、有機ｅｌ元件之製造方法
CN104882539A (zh) * 2014-02-28 2015-09-02 精工爱普生株式会社 有机半导体膜及其制造方法、薄膜晶体管、有源矩阵装置、电光学装置及电子设备
CN104882539B (zh) * 2014-02-28 2019-11-29 伊英克公司 有机半导体膜及其制造方法、薄膜晶体管、有源矩阵装置、电光学装置及电子设备
TWI665267B (zh) * 2014-03-24 2019-07-11 日商精工愛普生股份有限公司 機能層形成用墨水、發光元件之製造方法、發光裝置、電子機器
CN107177239A (zh) * 2017-02-17 2017-09-19 纳晶科技股份有限公司 墨水配方、光电器件以及光电器件的功能层的制备方法
CN107177239B (zh) * 2017-02-17 2019-03-08 纳晶科技股份有限公司 墨水配方、光电器件以及光电器件的功能层的制备方法
CN108461654A (zh) * 2017-02-17 2018-08-28 纳晶科技股份有限公司 膜层、发光器件、膜层处理方法、装置及系统
CN108461654B (zh) * 2017-02-17 2019-09-20 纳晶科技股份有限公司 膜层、发光器件、膜层处理方法、装置及系统
KR20190120268A (ko) * 2017-02-17 2019-10-23 나징 테크놀로지 코포레이션 리미티드 잉크 배합, 광전 소자 및 광전 소자의 기능층 제조 방법
WO2018149305A1 (zh) * 2017-02-17 2018-08-23 纳晶科技股份有限公司 墨水配方、光电器件以及光电器件的功能层的制备方法
KR102202388B1 (ko) 2017-02-17 2021-01-12 나징 테크놀로지 코포레이션 리미티드 잉크 배합, 광전 소자 및 광전 소자의 기능층 제조 방법
US11453795B2 (en) 2017-02-17 2022-09-27 Najing Technology Corporation Limited Ink formulation, optoelectronic devices, and preparation methods of functional layer of optoelectronic devices
CN109810571A (zh) * 2017-11-21 2019-05-28 Tcl集团股份有限公司 无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用
CN107880650A (zh) * 2017-11-22 2018-04-06 华南理工大学 一种混合溶剂的喷墨打印墨水及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1950959B (zh) 2010-09-01
JP5019454B2 (ja) 2012-09-05
US20080265214A1 (en) 2008-10-30
US7704785B2 (en) 2010-04-27
EP1745520B1 (de) 2015-10-21
DE102004023276A1 (de) 2005-12-01
KR20070004958A (ko) 2007-01-09
JP2008503870A (ja) 2008-02-07
KR101233878B1 (ko) 2013-02-15
WO2005112145A1 (de) 2005-11-24
EP1745520A1 (de) 2007-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1950959A (zh) 有机半导体的溶液
CN1922744A (zh) 有机半导体溶液
JP5631543B2 (ja) 有機半導体溶液
CN1947274A (zh) 包含平面芳基胺单元的电致发光聚合物，其制备和用途
CN1852934A (zh) 共轭聚合物,其制备和用途
CN1950480A (zh) 新型电致发光材料混合物
CN1749295A (zh) 蓝色发光聚合物及使用它的有机电致发光器件
CN101243559B (zh) 有机半导体的溶剂混合物
CN1513044A (zh) 取代的芴聚合物,其制备方法和在光学设备中的用途
CN1654506A (zh) 用于改进有机发光二极管的聚噻吩制剂
CN1726741A (zh) 电荷传输清漆
CN1947275A (zh) 电致发光聚合物和其用途
CN1910261A (zh) 具有9,9－二(芴基)－2,7－芴基单元的有机场致发光聚合物及使用该聚合物制得的有机场致发光装置
CN1835985A (zh) 共轭共聚物、它们的制备及用途
CN1729229A (zh) 三环芳基胺单体及其聚合物和器件
CN1487937A (zh) 用来制备用于光学器件中的聚合物的单体
CN1731901A (zh) 一种有机/高分子顶发射发光器件及其应用
TWI518057B (zh) 用於有機層噴墨印刷之腈溶劑組合物
CN1116376C (zh) 含有杂螺原子的共轭聚合物以及将其用于场致发光材料的用途
CN1875054A (zh) 电荷输送性化合物、电荷输送性材料、电荷输送性清漆、电荷输送性薄膜及有机电致发光元件
CN1800298A (zh) 蓝光发射聚合物和使用其的有机电致发光器件
CN1879237A (zh) 具有包含客体材料的区域的有机层的形成方法及结合了该层的有机电子器件
CN1639805A (zh) 有机导电性材料及导电性漆
CN1402886A (zh) 用于高效聚合物像点电子显示器中的高电阻聚苯胺
CN1789369A (zh) 发光聚合物组合物和使用该组合物的有机场致发光显示器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant