KR101233878B1 - 유기 반도체의 용액 - Google Patents

유기 반도체의 용액 Download PDF

Info

Publication number
KR101233878B1
KR101233878B1 KR1020067023464A KR20067023464A KR101233878B1 KR 101233878 B1 KR101233878 B1 KR 101233878B1 KR 1020067023464 A KR1020067023464 A KR 1020067023464A KR 20067023464 A KR20067023464 A KR 20067023464A KR 101233878 B1 KR101233878 B1 KR 101233878B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solvent
organic
solution
organic semiconductor
solution according
Prior art date
Application number
KR1020067023464A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070004958A (ko
Inventor
위르겐 슈타이거
후베르트 슈프라이처
Original Assignee
메르크 파텐트 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 메르크 파텐트 게엠베하 filed Critical 메르크 파텐트 게엠베하
Publication of KR20070004958A publication Critical patent/KR20070004958A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101233878B1 publication Critical patent/KR101233878B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

본 발명은 2 개 이상의 상이한 유기 용매 A 및 B 의 용매 혼합물 중에 하나 이상의 고분자량 성분을 함유한 하나 이상의 유기 반도체의 용액으로서, 용매 A 가 유기 반도체에 대해 양용매 (good solvent)이고, 용매 B 가 유기 반도체에 대해 빈용매 (poor solvent)이며, 용매의 비등점 (b.p.) 에 대해 b.p. (A) > b.p. (B) 인 것을 특징으로 하는 용액 및, 특히 전자공학 산업에서, 기판 상에 유기 반도체의 층을 제조하기 위한 상기 용액의 용도에 관한 것이다.

Description

유기 반도체의 용액 {SOLUTIONS OF ORGANIC SEMICONDUCTORS}
본 발명은 유기 반도체의 용액, 및 전자공학 산업에서의 이의 용도에 관한 것이다.
기능성 재료로서의 유기 반도체의 용도는 한동안 실재해 왔거나, 가까운 미래에 최광의의 전자공학 산업에 속할 수 있는 다수의 상이한 적용에서 예상된다. 유기 트랜지스터 (O-TFT, O-FET), 유기 집적 회로 (O-IC) 및 유기 태양 전지 (O-SC) 의 개발은 이미 연구 단계에서 매우 진전되어 있기 때문에, 향후 수년 내에 시장 진입을 예상할 수 있다. 유기 전계발광 장치 (OLED) 의 경우에는, 예를 들면, "유기 디스플레이" 를 갖춘 Pioneer 의 자동차 오디오 또는 Kodak 의 디지털 카메라에 의해 확인되는 바와 같이, 시장 진입이 이미 이루어졌다. Philips N. V. 의 면도기에 소형 디스플레이의 형태로 존재하는 중합체성 발광 다이오드 (PLED) 의 경우에는 최초의 제품도 시판중이다. 이러한 PLED 의 일반적인 구조는 WO 90/13148 에 나타나 있다. 이 모든 진보에도 불구하고, 이들 디스플레이를 현재 시장을 지배하고 있는 액정 디스플레이 (LCD) 에 대한 진정한 경쟁상대로 만들기 위해서는, 여전히 유의적인 개선이 필요하다.
전색 (full-colour) 디스플레이 장치를 획득하기 위해서는, 삼원색 (적색, 녹색, 청색) 이 공간적으로 분리된 방식으로 적용되도록 하는 코팅 방법의 개발이 필요하다. 일반적으로는 용액으로부터 중합체가 적용되기 때문에, 여기서 선택 수단은 인쇄 방법이다. 양호한 조절성, 달성가능한 해상도 및 큰 변화성에 기인하여, 이는 대체로 현재 운용중인 잉크-젯 인쇄 (IJP) 방법이다. 그러나 대체로, 예를 들면, 오프셋 (offset) 인쇄, 전사 인쇄 또는 그라비어 (gravure) 인쇄 방법과 같은 기타 인쇄 방법도 적절하다. 한편, 상응하는 색상 디스플레이를 또한 사진식각 방법 (photolithographic process)으로 제조할 수 있고; 이 경우, 단색 디스플레이에 관해 하기에도 기술되는 바와 같이, 면적-코팅 (area-coating) 방법을 이때에 사용할 수 있다. 이러한 모든 가능성을 위해, 한편으로는 인쇄에 적합하고 다른 한편으로는 PLED 의 특성을 훼손하지 않는 적합한 중합체 용액이 요구된다. 적합한 중합체 용액은, 예를 들면, 스핀 코팅으로 제조될 수 있는 단색 디스플레이 장치에 또한 요구된다. 용매 선택 및 상기 용매 또는 용매 혼합물에서의 중합체 용해도가 형성된 필름의 형태에 중대한 영향을 미친다는 것이 일반적으로 알려져 있기 때문에, 이로써 전계발광 작용을 또한 제어할 수 있다.
WO 02/069119 에는 상대적으로 비등점이 높은 빈용매 (poor slovent)와 상대적으로 비등점이 낮은 양용매 (good solvent)를 포함한 용매 혼합물을 이용하는 잉크-젯 인쇄 방법에서 사용하기 위한 유기 반도체의 용액이 기재되어 있다. 더 휘발성인 용매의 증발은 건조 중 재료의 포화 용액을 급속하게 유발하고, 그 결과 침전된다. 이는 재료가 픽셀의 가장자리를 향해 방사상으로 흐르는 것을 방지하여, 비교적 일정한 재료 분포를 촉진한다. 그러나, 상기 방법은 재료가 일정 하게 건조되지 않고, 그 대신 필름의 명확한 불균일성을 초래하는 침전물이 형성되는 중대한 결점을 갖는다. US 2003/0127977 은, 예를 들면 SEM (주사 전자 현미경법)으로, 재료가 건조 동안 침전되는 경우에 필름이 불량한 성질을 나타내는 것을 보여준다. 이는 픽셀로부터의 일정하고 균일한 전계발광이 불가능하게 한다. 또한, 필름의 불규칙성은 일정한 전류 흐름이 불가능함을 의미한다. 이로써 우선적인 전류 채널이 형성되고, 이는 궁극적으로는 단락을 초래함으로써, 장치의 안정성을 유의적으로 저하시키는 것으로 추정된다. 상기 실험으로 재현된 몇몇 경험을 통해 이러한 불균질 픽셀이 시감 효율 (luminous efficiency)의 저하를 초래한다는 것이 또한 제시되었다. 따라서, 이러한 용액이 가능하게는 잉크-젯 인쇄의 적용성을 향상시키나, 상기 용액이 전계발광성의 훼손을 수반하는 경우, 이는 널리 사용될 수 없다.
WO 02/072714 는 2 개 (또는 3 개) 의 용매의 혼합물인 용액을 제안하는데, 여기서 모든 용매는 비등점이 200 ℃ 미만이고 하나의 용매는 비등점이 140 ℃ 내지 200 ℃ 이며, 이는 또한 벤질성 CH2 및 CH 기를 함유하지 않고 방향족 용매 상 치환기에 대한 특정한 제한을 갖는다. 용액이 빠르게 농화되는 경우가 특히 유리한 것으로 기재되어 있다. 이는 유기 반도체가 최고 비등점을 갖는 용매에서 최저 용해도를 갖거나, 이 용매 내에서 매우 진하거나 젤라틴성인, 2원 또는 3원 용매 혼합물을 사용함으로써 달성된다. 이때, 농화하는 동안 점도가 급속히 증가한다. 그러나, 유기 반도체가 침전 없이 급속히 농화되는, 그러한 조성물을 갖는 적합한 용매계를 발견하는 것이 언제나 가능한 것을 아니다.
EP 1134269 는 빈용매의 함량이 10,000 ppm 이하, 바람직하게는 5,000 ppm 이하 (기체 크로마토그래피로 측정되고, 하한은 정의되지 않음)인 것이 하나 이상의 아릴렌-비닐렌 단위를 갖는 중합체성 형광 물질의 용액에 특히 유리하다고 기재하고 있다. 다른 곳의 설명에서, 바람직한 상한을 1,000 ppm (동일한 농도에서 약 0.1 중량% 에 해당) 이하의 빈용매 함량으로서 또한 제시한다. 빈용매는 특별하게는 알코올, 특히 메탄올, 에탄올 및 이소프로판올로 기재되어 있다. 상기 용액의 잇점은 더욱 높은 시감 효율인 것으로 기재되고, 이는 (폴리-파라-페닐렌비닐렌 유도체를 이용한) 하나의 실시예에서 확인된다.
그러나, 상기 실시예의 반복 시, 이러한 결과를 재현할 수 없었다. 반대로, 특히 중합체 용액 중 빈용매의 보다 높은 비율이 유의적으로 더욱 경사진 전류/전압/휘도 곡선 및 더욱 높은 시감 효율을 초래한다는 것을 발견하였다. 이는 전술한 설명에 모순되는 놀라운 결과이다. 따라서, 본 발명은 이러한 유형의 중합체 용액에 관한 것이다.
본 발명은, 하기를 포함하고, 하기 용매 A 및 B 의 비등점 (b.p.)이 b.p. (A) > b.p. (B) 인 것을 특징으로 하는 단일-상, 액체 조성물 (용액)에 관한 것이다:
· 하나 이상의 고분자량 성분을 포함한 하나 이상의 유기 반도체,
· 및 유기 반도체에 대해 양용매인 하나 이상의 유기 용매 A,
· 및 유기 반도체에 대해 빈용매인 하나 이상의 유기 용매 B.
본 출원 본문의 목적에서, 용액은 고체가 분자적으로 분산 용해된 형태인, 즉 고체 분자의 다수가 실제로 용해되어 있고 응집물, 또는 나노- 또는 마이크로입자의 형태가 아닌, 액체 용매 중 고체 물질의 균일한 액체 혼합물이다.
본 발명의 목적에서, 유기 용매는, 용해 공정 동안 용해하거나 용해된 물질을 화학적으로 변화시키지 않고, 물리적 수단에 의해서 다른 물질을 용액으로 끌어들일 수 있는 유기 물질을 의미하는 것으로 의도된다.
본 발명의 목적에서, 양용매는 유기 반도체가 실온 및 대기압에서 5 g/l 이상의 농도로 용해되어 투명한 유동성 용액을 형성하는 유기 용매를 의미하는 것으로 의도된다.
본 발명의 목적에서, 빈용매는 유기 반도체가 실온 및 대기압에서 앞서 언급한 농도로 투명한 용액을 형성하지 않는, 즉 응집되거나 겔을 형성하는 유기 용매를 의미하는 것으로 의도된다. 실온 및 대기압에서 유기 반도체의 용해도는 바람직하게는 3 g/l 미만, 특히 바람직하게는 1 g/l 미만, 특히 0.3 g/l 미만이다.
본 발명의 목적에서, 실온은 20 ℃ 이고, 대기압은 1013 mbar 를 의미한다.
본 발명은 또한 기판 상에 유기 반도체의 층을 제조하기 위한, 본 발명에 따른 용액의 용도에 관한 것이다.
본원에서 바람직한 구현예는 유기 반도체 층의 제조를 위해 인쇄 방법을 사용하는 것이다. 본원에서는 잉크-젯 인쇄 (IJP) 방법을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
더욱 바람직한 구현예는 유기 반도체 층을 제조하기 위하여 면적-코팅 방법을 사용하는 것이고, 특히 스핀-코팅을 사용하는 것이다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 용액을 사용하여 제조한 유기 반도체의 층에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 본 발명에 따른 층을 하나 이상 포함하는, 예를 들면 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 태양 전지 (O-SC) 또는 유기 레이저 다이오드 (O-레이저)와 같은 유기 전자 장치, 특히 유기 및 중합체성 발광 다이오드 (OLED, PLED)에 관한 것이다.
그 자체로 공지된 유기 반도체의 층은 이미 문헌에 기재되어 있다. 본 발명에 따른 용액으로 제조된 층은 데이터에 기재된 것에 비해 개선된 전자공학적 성질을 나타낸다 (이는 특히 실시예 1 내지 4 에서 확인된다). 특히, 본 발명에 따른 용액으로부터 제조된 층을 사용하여, 더욱 경사진 전류/전압/휘도 곡선 및 더 높은 시감 효율이 수득된다.
본 출원의 목적에서, 유기 반도체는, 고체 또는 층으로서 반도성 (semiconducting property)을 갖는, 즉, 전도대와 원자가 전자대 사이의 에너지 갭이 0.1 내지 4 eV, 바람직하게는 1.0 내지 3.5 eV 인, 저분자량의, 올리고머성, 수지상, 약하게 내지는 강하게 분지된, 특히 중합체성인, 유기 또는 유기금속성 화합물 또는 화합물들의 혼합물이다.
본원에서 사용되는 유기 반도체는, 오직 하나의 고분자량 성분만을 포함하는 순수한 성분, 또는 하나 이상은 반도성을 가져야 하는 둘 이상의 성분의 혼합물이다. 그러나, 혼합물을 사용하는 경우에, 각각의 성분이 반도성을 가져야 할 필요는 없다. 따라서, 예를 들면, 불활성 저분자량 화합물을 반도성 중합체와 함께 사용할 수 있다. 마찬가지로 불활성 매트릭스 또는 결합제로 작용하는 부도성 중합체를, 반도성을 갖는 하나 이상의 저분자량 화합물 또는 추가 중합체와 함께 사용하는 것이 가능하다.
올리고머성, 수지상, 약하게 내지는 강하게 분지된, 특히 중합체성일 수 있는 고분자량 성분의 분자량 Mw 은 3,000 g/mol 초과, 바람직하게는 10,000 g/mol 초과, 특히 바람직하게는 50,000 g/mol 초과이다.
본 출원의 목적에서, 가능하게는 혼합된 부도성 성분은 전기-광학적으로 비활성, 불활성, 수동적인 화합물을 의미한다. 상기 성분은, 통상적으로 표면-코팅 제형물의 경우에서와 같이, 결합제로서 지칭된다.
중합체성 유기 반도체의 용액 (이는 혼합된 물질을 추가로 포함할 수 있다) 이 바람직한 것으로 주어진다. 본 기재의 목적에서, 중합체성 유기 반도체는 특히 하기를 의미한다:
(i) 유기 용매 중에 용해되는, EP 0443861, WO 94/20589, WO 98/27136, EP 1025183, WO 99/24526, DE 19953806 및 EP 0964045 에 개시된 치환 폴리-p-아릴렌비닐렌 (PAV),
(ii) 유기 용매 중에 용해되는, EP 0842208, WO 00/22027, WO 00/22026, DE 19846767, WO 00/46321, WO 99/54385 및 WO 00/55927 에 개시된 치환 폴리플루오렌 (PF),
(iii) 유기 용매 중에 용해되는, EP 0707020, WO 96/17036, WO 97/20877, WO 97/31048, WO 97/39045 및 WO 03/020790 에 개시된 치환 폴리스피로비플루오렌 (PSF),
(iv) 유기 용매 중에 용해되는, WO 92/18552, WO 95/07955, EP 0690086, EP 0699699 및 WO 03/099901 에 개시된 치환 폴리-파라-페닐렌 (PPP) 또는 -비페닐렌,
(v) 유기 용매 중에 용해되는, WO 05/014689 에 개시된 치환 폴리디히드로페난트렌 (PDHP),
(vi) 유기 용매 중에 용해되는, WO 04/041901 및 WO 04/113412 에 개시된 치환 폴리-트랜스-인데노플루오렌 및 폴리-시스-인데노플루오렌 (PIF),
(vii) 유기 용매 중에 용해되는, 비공개 특허 출원 DE 102004020298.2 에 개시된 치환 폴리페난트렌.
(viii) 유기 용매 중에 용해되는, EP 1028136 및 WO 95/05937 에 개시된 치환 폴리티오펜 (PT),
(ix) 유기 용매 중에 용해되는, 문헌 [T. Yamamoto 등, J. Am . Chem. Soc. 1994, 116, 4832] 에 개시된 폴리피리딘 (PPy),
(x) 유기 용매 중에 용해되는, 문헌 [V. Gelling 등, Polym . Prepr . 2000, 41, 1770] 에 개시된 폴리피롤,
(xi) 예를 들면, WO 02/077060 에 기재된 바와 같은, (i) 내지 (ix) 부류 중 둘 이상으로부터의 구조 단위를 함유한 치환된 가용성 공중합체,
(xii) 유기 용매 중에 용해되는, 문헌 [Proc . of ICSM '98, Part I & II (Synth. Met . 1999, 101/102)] 에 개시된 공액 중합체,
(xiii) 예를 들면, 문헌 [R. C. Penwell 등, J. Polym . Sci ., Macromol. Rev. 1978, 13, 63-160] 에 개시된 바와 같은, 치환 및 비치환 폴리비닐카르바졸 (PVK),
(xiv) 예를 들면, JP 2000/072722 에 개시된 바와 같은, 치환 및 비치환 트리아릴아민 중합체, 및
(xv) 예를 들면, EP 1245659, WO 03/001616, WO 03/018653, WO 03/022908, WO 03/080687, EP 1311138, WO 03/102109, WO 04/003105, WO 04/015025 및 앞서 이미 언급된 명세서 중 일부에 개시된 바와 같은, 인광성 단위를 함유한 가용성 중합체.
또한 혼합된 저분자량의, 올리고머성, 수지상, 약하게 내지는 강하게 분지된 및/또는 중합체성인 유기 및/또는 유기 금속성 반도체를 포함한 부도성 중합체 (매트릭스 중합체)의 용액도 바람직한 것으로 주어진다.
본 발명에 따른 용액은 0.01 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 15 중량%, 특히 바람직하게는 0.2 내지 10 중량%, 매우 특히 바람직하게는 0.25 내지 5 중량% 의 유기 반도체 또는 상응하는 블렌드 (blend)를 포함한다. 상기 % 데이타는 용매 혼합물 전체를 100 % 로 하는 것과 관련된다.
본 발명에 따른 용액의 점도는 변동적이다. 그러나, 특정 코팅 기술은 특정한 점도 범위를 사용하는 것이 요구된다. 즉, 약 4 내지 25 mPa·s 범위가 IJP 에 의한 코팅에 유리하다. 면적 코팅 (예컨대, 스핀 코팅)에 대하여는, 5 내지 40 mPa*s 범위의 점도가 유리할 수 있다. 그러나, 다른 인쇄 방법, 예를 들면 그라비어 인쇄 방법에 대해서는, 이점을 유발시키기 위해서 유의적으로 더 높은 점도, 예를 들면 20 내지 500 mPa·s 범위가 또한 전적으로 가능하다. 점도는 유기 반도체 또는 매트릭스 중합체의 적절한 분자량 범위를 선택하고, 적절한 농도 범위를 선택하고 용매를 선택하여 조정할 수 있다.
본 발명에 따른 용액의 표면 장력은 초기에는 제한되지 않는다. 그러나, 상응하는 용매 혼합물의 사용 및 적용을 통해서, 이는 일반적으로 20 내지 60 dyn/cm 범위, 바람직하게는 25 내지 50 dyn/cm 범위, 매우 특히 바람직하게는 25 내지 40 dyn/cm 범위가 될 것이다.
본 발명에 따른 용액은, 앞서 기재된 바와 같이, 2 개 이상의 상이한 유기 용매 A 및 B 를 포함하는데, 이들 중 용매 A 는 유기 반도체에 대해 양용매이고, 용매 B 는 유기 반도체에 대해 빈용매이며, 여기서 용매의 비등점 (b.p.)은 또한 b.p. (A) > b.p. (B) 이다.
바람직하게는, 본원에서 용매 A 의 비등점은 80 ℃ 초과, 바람직하게는 100 ℃ 초과, 특히 바람직하게는 110 ℃ 초과, 잉크-젯 인쇄에 대해서 매우 특히 바람직하게는 140 ℃ 초과이다. 상기의 선택에 의해서 이미 달성된 추가적인 기술적 제한은 유독하거나 발암성임이 증명된 일부 용매를 피하는 것이고, 이는 예를 들면, 클로로포름 (b.p. 61 ℃), 테트라클로로메탄 (b.p. 77 ℃) 및 벤젠 (b.p. 80 ℃) 에 적용된다. 상기 비등점 제한이 기술적으로 적절한데, 이는 더 낮은 비등점을 갖는 양용매를 잉크-젯 인쇄에 사용시에는 인쇄 작업의 완료 후 수 초 내에 노즐의 건조가 발생하는 것으로 나타났기 때문이다. 상기 값이 약 10 초 이상이 되면 바로, 적절한 기술적 수단 (예를 들면, 인쇄 헤드를 대기 위치로 이동시키고, 노즐을 캡으로 기계적 밀봉한다)에 의해서 완전한 건조를 방지할 수 있다. 스핀 코팅에 대해서도, 과도하게 낮은 비등점을 갖는 용매는 바람직하지 않은데, 이는 형태적으로 덜 유리한 층을 초래하기 때문이다.
용매 A 의 비등점은 또한 바람직하게는 300 ℃ 미만, 바람직하게는 270 ℃ 이하, 특히 바람직하게는 250 ℃ 이하이다. 더 고-비등성인 용매의 경우에는, 필름 형성 후 잔류 용매를 완전히 제거하기가 어렵고 상당한 기술적 노력을 가해야 완전히 제거할 수 있다.
용매 B 의 비등점에 대한 적절한 하한은 50 ℃ 이다. 더 낮은 비등점은 용액 또는 층의 재현가능한 제조를 어렵게 하는데, 이는 하나의 용액 성분이 이때에 너무 휘발성이기 때문이다. 또한, 용매 B 의 비등점은 바람직하게는 250 ℃ 미만, 특히 바람직하게는 200 ℃ 이하, 매우 특히 바람직하게는 150 ℃ 이하이다.
용매 A 및 B 의 용융점은 바람직하게는 15 ℃ 이하이다. 이러한 용융점은 용액이 특정 상황 (제조에서 사용 사이) 하에 수 일에서 수 개월 동안 저장되거나 가능하게는 또한 수송되어야 하기 때문에 적당하다. 본원에서 용액은 또한 그 자체로 안정성을 유지하고, 저장, 수송 및/또는 상대적으로 작은 온도 변화 동안 동결되거나 기타 불리한 저장 및/또는 수송 손상을 받지 않는 것이 보장되어야 한다.
또한 용매 A 와 용매 B 의 비등점 차이는 5 K 초과, 바람직하게는 10 K 초과, 특히 바람직하게는 20 K 초과, 매우 특히 바람직하게는 30 K 초과인 것이 바람직하다.
용매 A 와 B 의 서로에 대한 비율은 광범위하게 변동될 수 있다. 그러나, 최상의 효과를 달성하기 위해서, 용매 A 는 50 내지 99.9 부피%, 바람직하게는 70 내지 99.8 부피%, 특히 바람직하게는 85 내지 99.5 부피%, 매우 특히 바람직하게는 90 내지 99 부피% 의 비율로 사용되어야 한다. 결과적으로, 용매 B 는 0.1 내지 50 부피%, 바람직하게는 0.2 내지 30 부피%, 특히 바람직하게는 0.5 내지 15 부피%, 매우 특히 바람직하게는 1 내지 10 부피% 의 비율로 사용되어야 한다. 본원에서 각 용매 혼합물의 비율의 전체 백분율은 항상 합해서 100% 이다.
용매 A 및 B 외에 추가적인 양용매 및/또는 빈용매를 사용하는 것이 또한 적절할 수 있다. 즉, 유형 A 및/또는 유형 B 의 둘 이상의 용매를 사용하는 것이 각 경우에 있어서 전적으로 적절하고 바람직할 수 있는데, 이는 일부 경우에 있어서 추가적인 필수 매개변수와 관련된 최적화 (예를 들면, 표면 장력, 점도 등의 적합화)를, 각 유형 중 정확하게 하나의 용매만을 사용하는 경우에 비해, 이로써 보다 간단하게 달성할 수 있기 때문이다. 용매 비율에 관하여, 모든 용매 A 또는 모든 용매 B 의 비율은 바람직하게는 전술한 범위 내이다.
또한, 유기 반도체 또는 블렌드 외에, 예를 들면 WO 03/019693 에 기재된 바와 같은 추가적인 첨가제를 첨가하는 것도 적절할 수 있다.
예를 들어, 알데히드-함유 용매, 질산화 방향족 화합물 및 인-함유 용매의 사용 (용액의 불량한 안정성), 및 스티렌 유도체 또는 기타 반응성 올레핀의 사용 (용매의 중합 경향)은 그다지 유리하지 않은 것으로 증명되어 있다. 마찬가지로, 예를 들면, 디에틸 에테르 또는 테트라히드로푸란과 같은 과산화물을 형성하는 경향이 있는 화합물도 그다지 적합하지 않은 것으로 증명되어 있다.
광범위한 유기 반도체 또는 불활성 매트릭스 중합체에 대해 양용매로 증명되어 있는 바람직한 용매 A 는 단일- 또는 다중치환 방향족 용매, 특히 치환 벤젠, 나프탈렌, 비페닐 및 피리딘이다. 바람직한 치환기는 알킬기 (이는 또한 불화될 수 있다), 할로겐 원자, 바람직하게는 염소 및 불소, 시아노기, 알콕시기, 디알킬아미노기, 바람직하게는 탄소수 4 이하의 것, 또는 에스테르기이다. 특히 바람직한 치환기는 불소, 염소, 시아노, 메톡시, 에톡시, 메틸, 트리플루오로메틸, 메틸 카르복실레이트 및/또는 에틸 카르복실레이트인데, 여기서 복수의 상이한 치환기가 또한 존재할 수 있다. 그러나, 예를 들면, 포름산 유도체, N-알킬피롤리돈 또는 고-비등성 에테르와 같은 비-방향족 용매가 또한 양용매로 적절하다.
하기 표 1 에 열거된 비등점 100 내지 300 ℃ 의 용매가 특히 바람직하다. 그러나, 특히 적합한 용매는 각 유기 반도체에 대해 개별적으로 결정되어야 하고, 결과적으로 이 표는 일반적인 판단 기준만을 제공할 수 있다.
Figure 112006082004565-pct00001
Figure 112006082004565-pct00002
Figure 112006082004565-pct00003
표 1 에 열거된 용매가 완전하다고 주장할 수는 없다. 당업자는 본원에 명백하게 언급되지 않은 다른 용매를 사용하여 진보적인 단계 없이 본 발명에 따른 용액을 또한 쉽게 제조할 수 있다.
따라서, 용매 A 로서, 3-플루오로벤조트리플루오라이드, 벤조트리플루오라이드, 디옥산, 트리플루오로메톡시벤젠, 4-플루오로벤조트리플루오라이드, 3-플루오로피리딘, 톨루엔, 2-플루오로톨루엔, 2-플루오로벤조트리플루오라이드, 3-플루오로톨루엔, 피리딘, 4-플루오로톨루엔, 2,5-디플루오로톨루엔, 1-클로로-2,4-디플루오로벤젠, 2-플루오로피리딘, 3-클로로플루오로벤젠, 1-클로로-2,5-디플루오로벤젠, 4-클로로플루오로벤젠, 클로로벤젠, 2-클로로플루오로벤젠, p-자일렌, m-자일렌, o-자일렌, 2,6-루티딘, 2-플루오로-m-자일렌, 3-플루오로-o-자일렌, 2-클로로벤조트리플루오라이드, 디메틸포름아미드, 2-클로로-6-플루오로톨루엔, 2-플루오로아니솔, 아니솔, 2,3-디메틸피라진, 브로모벤젠, 4-플루오로아니솔, 3-플루오로아니솔, 3-트리플루오로메틸아니솔, 2-메틸아니솔, 페네톨, 벤조디옥솔, 4-메틸아니솔, 3-메틸아니솔, 4-플루오로-3-메틸아니솔, 1,2-디클로로벤젠, 2-플루오로벤조니트릴, 4-플루오로베라트롤, 2,6-디메틸아니솔, 아닐린, 3-플루오로벤조니트릴, 2,5-디메틸아니솔, 2,4-디메틸아니솔, 벤조니트릴, 3,5-디메틸아니솔, N,N-디메틸아닐린, 1-플루오로-3,5-디메톡시벤젠, 페닐 아세테이트, N-메틸아닐린, 메틸 벤조에이트, N-메틸피롤리돈, 3,4-디메틸아니솔, o-톨루니트릴, 베라트롤, 에틸 벤조에이트, N,N-디에틸아닐린, 프로필 벤조에이트, 1-메틸나프탈렌, 부틸 벤조에이트, 2-메틸비페닐, 2-페닐피리딘 또는 2,2'-비톨릴에서 선택되는 하나 이상의 용매를 포함한 본 발명에 따른 용액이 바람직하다.
광범위한 유기 또는 유기금속성인, 올리고머성, 분지형 또는 비분지형, 중합체성 또는 수지상 반도체, 또는 불활성 매트릭스 중합체에 대해 빈용매로 증명된 바람직한 용매 B 는 바람직하게는 탄소수 5 초과의 직쇄형, 분지형 또는 환형 알칸이다. 상응하는 산업적 증류 분획 또한 본원에서 선택될 수 있다. 테르펜, (시클로)지방족 알코올, 에테르, 케톤, 카르복실산 에스테르 또는 단일- 또는 다중치환 방향족 용매, 특히 장쇄 알킬 또는 알콕시 치환기에 의해서 치환된 치환 벤젠, 나프탈렌 및 피리딘이 또한 적합하다.
하기 표 2 에 열거된 비등점 50 내지 250 ℃ 의 용매 B 가 특히 바람직한데, 여기서 다시 각 유기 반도체에 대해 특히 적절한 용매는 본원에서 개별적으로 결정되어야 하고, 결과적으로 이 표는 다시 한번 일반적인 판단 기준으로만 취해질 수 있다.
Figure 112006082004565-pct00004
Figure 112006082004565-pct00005
표 2 에 열거된 용매가 완전하다고 주장할 수는 없다. 당업자는 본원에 명백하게 언급되지 않은 다른 용매를 사용하여 진보적인 단계 없이 본 발명에 따른 용액을 또한 쉽게 제조할 수 있다.
따라서, 용매 B 로서, tert-부틸 메틸 에테르, 아세톤, 메탄올, 헥산, 에틸 아세테이트, 에탄올, 2-부타논, 시클로헥산, 2-프로판올, tert-부탄올, 1-프로판올, 2-부탄올, 헵탄, 2-펜타논, 메틸시클로헥산, 3-펜타논, 3-펜탄올, 1-부탄올, 1,4-디메틸시클로헥산, 1,3-디메틸시클로헥산, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 1,2-디메틸시클로헥산, 옥탄, 시클로펜타논, 2-헥산올, 1-펜탄올, 1,2,4-트리메틸시클로헥산, 4-헵타논, 3-헵타논, 2-헵타논, 노난, 3-헵탄올, 1-헥산올, 2-헵탄올, 디글림, 부틸 부티레이트, tert-부틸벤젠, 데칸, 1-헵탄올, 2-옥탄올, 부틸시클로헥산, 2-에틸-1-헥산올, 데칼린, 프로필렌 글리콜, 디메틸 술폭시드, 글리콜, 3,7-디메틸-1-옥탄올, 3,7-디메틸-3-옥탄올, 디메틸 숙시네이트, 벤질 알코올, DBE, 도데칸, 디에틸 숙시네이트, 트리글림, 디메틸 아디페이트, 1-데칸올, 비시클로헥실 또는 2-피롤리돈으로부터 선택되는 하나 이상의 용매를 포함한 본 발명에 따른 용액이 바람직하다.
본 발명을 더 상세하게 설명하기 위해서, 용이하게 사용가능한 본 발명에 따른 용매 혼합물 일부를 표 3 에 제시하였다. 이는 단지 판단 기준을 나타낸 것이다.
본 발명에 따른 용매 혼합물의 예
용매 A 용매 B
톨루엔 메탄올
톨루엔 에탄올
o-자일렌 메탄올
o-자일렌 에탄올
o-자일렌 2-프로판올
o-자일렌 헥산
아니솔 메탄올
아니솔 에탄올
아니솔 메탄올/헥산
메틸아니솔 에탄올
아니솔/o-자일렌 메탄올
아니솔/o-자일렌 에탄올
아니솔/o-자일렌 메탄올/에탄올
용액의 제조를 위해서, 유기 반도체 또는 블렌드를 원하는 농도로 원하는 용매 혼합물에 용해시킨다. 또한 먼저 유기 반도체 또는 블렌드를 용매 중 일부, 예를 들면 용매 A 에 용해시킨 다음, 나머지 용매(들), 예를 들면 용매 B 를 이 용액에 첨가하는 것도 적절할 수 있다. 유기 반도체 및 이의 용액은 일부 경우에 산소 또는 다른 공기 구성물에 대해 불안정하기 때문에, 상기 작업을 불활성 대기 하에, 예를 들면 질소 또는 아르곤 하에 수행하는 것이 적절할 수 있다. 또한 예를 들면 가열 및/또는 교반에 의해서 용해 공정을 가속화하는 것이 적절할 수 있다. 본원에서는 유기 반도체 또는 매트릭스 중합체의 응집물을, 예를 들면 외부의 기계적 작용, 예를 들면 WO 03/019694 에 기재된 바와 같은 초음파에 의해 분쇄할 수도 있다. 예를 들면 WO 03/019693 에 기재된 바와 같이 추가 첨가제를 첨가하는 것도 마찬가지로 적용에 유리한 것으로 증명될 수 있다. 또한, 예를 들면, 상대적으로 소량의 가교 구성물 및/또는 먼지 입자를 용액으로부터 제거하기 위해, 용액을 사용하기 전에 여과하는 것이 유리한 것으로 증명되었다.
본 발명에 따른 용액으로부터 제조된 전계발광 장치가 더욱 양호한 전계발광 결과, 특히 더욱 경사진 전류/전압/휘도 곡선 및 더욱 높은 효율성을 나타낸다는 것이 발견되었다. 이는 문헌에 기재된 결과에 모순되는 예상외의 놀라운 결과이다. 따라서, 상기 용액은 효율적인 전계발광 장치의 제조에 관하여 선행기술에 따른 용액보다 더 적합하다. 또한, 본 발명에 따른 용액으로부터 제조된 필름 또는 픽셀 내 중합체 및 블렌드 재료는 전계발광에서 불균일성을 전혀 나타내지 않는다.
본 발명에 따른 용액을 건조하는 동안, 유기 반도체는 용액으로부터 침전되어 나오지 않는다. 이는 유기 반도체 또는 다른 블렌드 구성물이 최고-비등성 용매에서 최저 용해도를 갖는 2원 또는 3원 용매 시스템의 경우보다 유의적으로 더욱 균일한 필름을 형성한다.
본 출원의 본문 및 이하 실시예는, 특히, 중합체성 발광 다이오드 및 상응하는 디스플레이의 제조를 위한 본 발명에 따른 용액에 관한 것이다. 이러한 설명의 제한에도 불구하고, 당업자라면 추가의 진보적인 단계 없이도 다른 장치, 예로서 몇몇 적용을 언급하자면, 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 태양 전지 (O-SC) 또는 유기 레이저 다이오드 (O-레이저)의 제조에 본 발명에 따른 상응하는 용액을 또한 사용할 수 있다.
본 발명은 하기 실시예에 의해서 더 상세하게 설명되지만, 이에 제한되지는 않는다. 당업자라면 주어진 설명 및 실시예로부터 진보적인 단계 없이도 본 발명에 따른 추가의 용액을 제조하고, 이들을 사용하여 그로부터 층을 제조할 수 있을 것이다.
실시예 1: 톨루엔 (용매 A)과 메탄올 (용매 B)의 혼합물 중 중합체 POLY1 의 용액:
1.1 사용된 재료:
· 중합체 POLY1 은 단량체 Z5, E3, E5 및 Z1 을 49% 대 35% 대 15% 대 1% 의 비율로 중합 (WO 99/24526 의 실시예에서와 같이 숫자화함; 상기에 기재된 실시예와 유사한 중합을 실시)하여 수득된 PPV 중합체이다. 여기서 사용된 배치 POLY1-B64 는 1200 kg/mol 의 Mw, 370 kg/mol 의 Mn 및 910 kg/mol 의 Mp 를 가졌다. 톨루엔 중 5 g/l 용액의 점도는 약 9.9 mPas (40 s- 1 에서) 및 약 9.1 mPs (500 s- 1 에서)였다.
· 용매:
· 톨루엔; 비등점 111 ℃; POLY1-B64 의 용해도 > 20 g/l.
· 메탄올; 비등점 65 ℃; POLY1-B64 의 용해도 < 0.05 g/l.
1.2 EL (전계발광)에서의 사용에 관한 조사:
4 개의 상이한 용액을 제조하였다. 이들 모두는 5 g/l 의 POLY1-B64 를 포함하였다. 용액은 하기 용매 조성을 가졌다:
·용액 1: 100% 톨루엔
·용액 2: 99.8% 톨루엔; 0.2% 메탄올 (0.15%)
·용액 3: 99.4% 톨루엔; 0.6% 메탄올 (0.45%)
·용액 4: 98.0% 톨루엔; 2.0% 메탄올 (1.71%)
(H-NMR 로 측정된 용매 조성을 괄호 안에 제시하였다; 즉, 실제 메탄올 함량은 칭량된 양보다 다소 적은데, 이는 용액의 N2 포화 도중 우선되는 증발에 의한 것으로 추측된다).
PLED (중합체성 발광 다이오드)를 상기 용액을 사용하여 제조하였다. 상기 PLED 를 각각의 경우에 스핀 코팅 (이에 관한 일반 방법이, 예를 들면, 전술한 WO 02/072714 에 기재되어 있다)으로 제조하였다. 상기 PLED 는 하기 구조를 갖는다: ITO/PEDOT (20 nm)/LEP (80 nm)/Ba (5 nm), Ag (200 nm).
(ITO = 인듐 주석 옥시드; PEDOT = H. C. Starck 사로부터 분산액으로서 수득가능한 폴리티오펜 유도체; LEP = 발광 중합체).
모든 용액은 결함이 전혀 없는 광학적으로 균일한 층을 제공하였다. 상기 PLED 는 황색 광 (CIE-1931: X ~ 0.51, Y ~ 0.48)을 발산하였다.
EL 평가를 표 4 에서 비교하였고, 도 1 에 도시하였다.
Figure 112006082004565-pct00006
PLED 를 작동 수명에 관해서도 조사하였다. 각 PLED 는 동일한 전류 밀도에서 (측정 정확도 한계 내에서) 동일한 수명을 제공하였다.
실시예 1 의 결과는 하기를 제시한다:
· 0.2 내지 2% 로 제시된 범위의 메탄올 함량은 전류/전압 곡선의 경사도를 증가시키고 (즉, 동일 전압에서 더 높은 전류), 각 PLED 의 효율을 또한 다소 증가시켰다.
· 이러한 이익은 어떠한 불이익 (예를 들면, 수명)의 대가로 수득되는 것이 아니다. 이는 적용에 있어서 중요한 것이다.
· 특히, 전술한 EP 1134269 에 언급된 결과 때문에, 본원에 나타난 결과가 전체적으로 놀라운 것이다.
실시예 2: 아니솔 (용매 A)와 1-부탄올 (용매 B)의 혼합물 중 중합체 POLY1 의 용액:
2.1 사용된 재료:
· 중합체 POLY1: 실시예 1 에 기재된 바와 같음.
· 용매:
· 아니솔; 비등점 154 ℃; POLY1-B64 의 용해도 > 20 g/l.
· 1-부탄올; 비등점 118 ℃; POLY1-B64 의 용해도 < 0.05 g/l.
2.2 EL 에서의 사용에 관한 조사:
4 개의 상이한 용액을 제조하였다. 이들 모두는 5 g/l 의 POLY1-B64 를 포함하였다. 용액은 하기 용매 조성을 가졌다:
·용액 5: 100% 아니솔
·용액 6: 99.5% 아니솔; 0.5% 1-부탄올 (0.50%)
·용액 7: 98.0% 아니솔; 2.0% 1-부탄올 (1.97%)
·용액 8: 90% 아니솔; 10% 부탄올 (9.84%)
(H-NMR 로 측정된 용매 조성을 괄호 안에 제시하였다; 이 경우에, 1-부탄올 함량은 칭량된 양과 매우 일치한다).
PLED 를 상기 용액을 사용하여 실시예 1 의 상세한 설명과 유사하게 제조하였다. EL 평가를 표 5 에서 비교하였다.
Figure 112006082004565-pct00007
실시예 2 의 결과는 하기를 제시한다:
· 실시예 1 의 결과와 유사하게, 부탄올의 혼합물은 여기서 다시 더욱 경사진 IV (및 LV) 곡선을 제공하였다. 원하는 효과가 이미 10% 부탄올에서 과잉보상되었음을 용액 8 의 결과로부터 초기에 결론내릴 수 있었다. 높은 시감 농도 (luminous density) (5,000 Cd/m2 값 참조)에서, 본 발명에 따른 효과가 다시 발생하였다.
실시예 3: 톨루엔 (용매 A)과 시클로헥산 또는 n-헵탄 또는 t-부틸 메틸 에테르 (용매 B)의 혼합물 중 중합체 POLY1 의 용액:
3.1 사용된 재료:
· 중합체 POLY1: 실시예 1 에 기재된 바와 같다.
· 용매:
· 톨루엔; 비등점 111 ℃; POLY1-B64 의 용해도 > 20 g/l.
· 시클로헥산; 비등점 81 ℃; POLY1-B64 의 용해도 < 0.05 g/l.
· n-헵탄; 비등점 98 ℃; POLY1-B64 의 용해도 < 0.05 g/l.
· t-부틸 메틸 에테르; 비등점 55 ℃; POLY1-B64 의 용해도 < 0.05 g/l.
3.2 EL 에서의 사용에 관한 조사:
4 개의 상이한 용액을 제조하였다. 이들 모두는 5 g/l 의 POLY1-B64 를 포함하였다. 용액은 하기 용매 조성을 가졌다:
·용액 9: 100% 톨루엔
·용액 10: 98.0% 톨루엔; 2.0% 시클로헥산 (1.79%)
·용액 11: 98.0% 톨루엔; 2.0% n-헵탄 (1.92%)
·용액 12: 98.0% 톨루엔; 2.0% t-부틸 메틸 에테르 (1.64%)
(H-NMR 로 측정된 용매 조성을 괄호 안에 제시하였다).
PLED 를 상기 용액을 사용하여 실시예 1 의 상세한 설명과 유사하게 제조하였다. 그러나, 이 경우에 두께가 80 nm 인 PEDOT 필름을 사용하였다 (실시예 1 및 2: 이 경우 20 nm; 위를 참조).
EL 평가를 표 6 에서 비교하였다.
Figure 112006082004565-pct00008
실시예 3 의 결과는 하기를 제시한다:
· 실시예 1 및 2 에 나타난 결과에 비하여, 상기 용액의 경우에는 IV 특징선의 경사도 증가가 분명하지 않았다. 그러나, 여기서도 효율이 일반적으로 향상되었다. 이러한 결과 또한 놀라운 것이다.
실시예 4: 톨루엔 (용액 A)과 메탄올 (용액 B)의 혼합물 중 중합체 POLY2 의 용액:
4.1 사용된 재료:
· 중합체 POLY2 는 WO 03/020790 의 실시예 P27 과 유사한 SPIRO 중합체로서, 이는 상기 출원에 기재된 바와 유사하게 스즈끼 (SUZUKI) 중합에 의해 수득되었다. 여기서 사용된 배치 POLY2-B10 은 380 kg/mol 의 Mw, 100 kg/mol 의 Mn 및 320 kg/mol 의 Mp 를 가졌다. 아니솔/o-자일렌 (1:1) 중 14 g/l 용액의 점도는 약 6.3 mPas (40 s- 1 에서) 및 약 6.4 mPs (500 s- 1 에서)였다.
· 용매:
· 톨루엔; 비등점 111 ℃; POLY2-B10 의 용해도 > 35 g/l.
· 메탄올; 비등점 65 ℃; POLY2-B10 의 용해도 < 0.05 g/l.
4.2 EL 에서의 사용에 관한 조사:
4 개의 상이한 용액을 제조하였다. 이들 모두는 11 g/l 의 POLY2-B10 을 포함하였다. 용액은 하기 용매 조성을 가졌다:
·용액 13: 100% 톨루엔
·용액 14: 99.8% 톨루엔; 0.2% 메탄올 (0.17%)
·용액 15: 99.4% 톨루엔; 0.6% 메탄올 (0.52%)
·용액 16: 98.0% 톨루엔; 2.0% 메탄올 (1.77%)
(H-NMR 로 측정된 용매 조성을 괄호 안에 제시하였다; 즉, 실제 메탄올 함량은 칭량된 양보다 다소 적은데, 이는 용액의 N2 포화 도중 우선되는 증발에 의한 것으로 추측된다).
PLED 를 상기 용액을 사용하여 실시예 1 의 상세한 설명과 유사하게 제조하였다 (즉, 여기서 또다시 20 nm 의 PEDOT 를 사용).
모든 용액은 결함이 전혀 없는 광학적으로 균일한 층을 제공하였다. 상기 PLED 는 적색 광 (CIE-1931: X ~ 0.67, Y ~ 0.33)을 발산하였다.
EL 평가를 표 7 에서 비교하였다.
Figure 112006082004565-pct00009
이 경우에, 작동 수명의 조사를 통해, 4 개의 용액 모두로부터 제조된 PLED 가 측정 정확도 한계 내에서 유사한 값을 갖는다는 것이 다시 제시되었다.
실시예 4 의 결과는 하기를 제시한다:
· 여기에서, 실시예 1 과 유사하게, 완전히 상이한 중합체에 대하여, 증가된 메탄올 함량에서 LV (따라서 IV 도 또한) 곡선의 경사도가 여기서 또한 증가된다는 것이 제시되었다. 효율은 (측정 정확도 한계 내에서) 실질적으로 변하지 않았다.

Claims (28)

  1. 하기를 포함하고, 하기 용매 A 및 B 의 비등점 (b.p.)이 b.p. (A) > b.p. (B) 인 것을 특징으로 하는 단일-상, 액체 조성물인 용액:
    · 3,000 g/mol 초과의 분자량 Mw를 가지는 하나 이상의 고분자량 성분을 포함한 하나 이상의 유기 반도체,
    · 및 실온 및 대기압에서 순수 용매 A 에 대한 유기 반도체의 용해도가 5 g/l 이상인 것을 특징으로 하는 하나 이상의 유기 용매 A,
    · 및 실온 및 대기압에서 순수 용매 B 에 대한 유기 반도체의 용해도가 3 g/l 미만인 것을 특징으로 하는 하나 이상의 유기 용매 B.
  2. 제 1 항에 있어서, 실온에서 순수 용매 B 에 대한 유기 반도체의 용해도가 0.3 g/l 미만인 것을 특징으로 하는 용액.
  3. 삭제
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 하나의 고분자량 유기 반도체가 사용되는 것을 특징으로 하는 용액.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 유기 반도체가 둘 이상의 성분 (그 중 하나 이상은 반도성 (semiconducting property)을 갖는다)의 혼합물인 것을 특징으로 하는 용액.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 고분자량 성분이 50,000 g/mol 초과의 분자량 Mw 를 갖는 것을 특징으로 하는 용액.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 중합체성 유기 반도체가 유기 용매 중에 용해되는 하기 부류로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 용액: 치환된 폴리-p-아릴렌비닐렌 (PAV), 폴리플루오렌 (PF), 폴리스피로비플루오렌 (PSF), 폴리-파라-페닐렌 (PPP) 또는 -비페닐렌, 폴리디히드로페난트렌 (PDHP), 트랜스- 및 시스-폴리인데노플루오렌 (PIF), 폴리페난트렌, 폴리티오펜 (PT), 폴리피리딘 (PPy), 폴리피롤, 앞서 언급된 부류 중 둘 이상으로부터의 구조 단위를 갖는 공중합체, 폴리비닐카르바졸 (PVK), 트리아릴아민 중합체 및 인광성 단위를 갖는 중합체.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 혼합된 저분자량의, 올리고머성, 수지상, 또는 중합체성 중 어느 하나 이상인 유기, 유기금속성, 또는 유기 및 유기금속성 반도체를 포함한 부도성 중합체 (매트릭스 중합체)가 사용되는 것을 특징으로 하는 용액.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 0.01 내지 20 중량%의 유기 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 용매 A 의 비등점이 100 ℃ 초과 300 ℃ 미만인 것을 특징으로 하는 용액.
  11. 삭제
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 용매 B 의 비등점이 50 ℃ 초과 250 ℃ 미만인 것을 특징으로 하는 용액.
  13. 삭제
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 용매 A 와 용매 B 의 비등점 차이가 10 ℃ 초과인 것을 특징으로 하는 용액.
  15. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 용매 A 가 70 내지 99.8 부피% 의 비율로 사용되고, 용매 B 가 0.2 내지 30 부피% 의 비율로 사용되는 것을 특징으로 하는 용액.
  16. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 용매 A 및 B 외에 추가의 양용매, 빈용매, 또는 양용매 및 빈용매가 사용되는 것을 특징으로 하는 용액.
  17. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 용매 A 로서 단일- 또는 다중치환 방향족 용매, 포름산 유도체, N-알킬피롤리돈 또는 고-비등성 에테르를 사용하는 것을 특징으로 하는 용액.
  18. 제 17 항에 있어서, 용매 A 로서 하나 이상의 용매가 3-플루오로벤조트리플루오라이드, 벤조트리플루오라이드, 디옥산, 트리플루오로메톡시벤젠, 4-플루오로벤조트리플루오라이드, 3-플루오로피리딘, 톨루엔, 2-플루오로톨루엔, 2-플루오로벤조트리플루오라이드, 3-플루오로톨루엔, 피리딘, 4-플루오로톨루엔, 2,5-디플루오로톨루엔, 1-클로로-2,4-디플루오로벤젠, 2-플루오로피리딘, 3-클로로플루오로벤젠, 1-클로로-2,5-디플루오로벤젠, 4-클로로플루오로벤젠, 클로로벤젠, 2-클로로플루오로벤젠, p-자일렌, m-자일렌, o-자일렌, 2,6-루티딘, 2-플루오로-m-자일렌, 3-플루오로-o-자일렌, 2-클로로벤조트리플루오라이드, 디메틸포름아미드, 2-클로로-6-플루오로톨루엔, 2-플루오로아니솔, 아니솔, 2,3-디메틸피라진, 브로모벤젠, 4-플루오로아니솔, 3-플루오로아니솔, 3-트리플루오로메틸아니솔, 2-메틸아니솔, 페네톨, 벤조디옥솔, 4-메틸아니솔, 3-메틸아니솔, 4-플루오로-3-메틸아니솔, 1,2-디클로로벤젠, 2-플루오로벤조니트릴, 4-플루오로베라트롤, 2,6-디메틸아니솔, 아닐린, 3-플루오로벤조니트릴, 2,5-디메틸아니솔, 2,4-디메틸아니솔, 벤조니트릴, 3,5-디메틸아니솔, N,N-디메틸아닐린, 1-플루오로-3,5-디메톡시벤젠, 페닐 아세테이트, N-메틸아닐린, 메틸 벤조에이트, N-메틸피롤리돈, 3,4-디메틸아니솔, o-톨루니트릴, 베라트롤, 에틸 벤조에이트, N,N-디에틸아닐린, 프로필 벤조에이트, 1-메틸나프탈렌, 부틸 벤조에이트, 2-메틸비페닐, 2-페닐피리딘 또는 2,2'-비톨릴로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 용액.
  19. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 용매 B 로서 직쇄형, 분지형 또는 환형 알칸, 테르펜, (시클로)지방족 알코올, 에테르, 케톤, 카르복실산 에스테르, 또는 장쇄 알킬 또는 알콕시 치환기로 치환된 단일- 또는 다중치환 방향족 용매를 사용하는 것을 특징으로 하는 용액.
  20. 제 19 항에 있어서, 용매 B 로서 하나 이상의 용매가 tert-부틸 메틸 에테르, 아세톤, 메탄올, 헥산, 에틸 아세테이트, 에탄올, 2-부타논, 시클로헥산, 2-프로판올, tert-부탄올, 1-프로판올, 2-부탄올, 헵탄, 2-펜타논, 메틸시클로헥산, 3-펜타논, 3-펜탄올, 1-부탄올, 1,4-디메틸시클로헥산, 1,3-디메틸시클로헥산, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 1,2-디메틸시클로헥산, 옥탄, 시클로펜타논, 2-헥산올, 1-펜탄올, 1,2,4-트리메틸시클로헥산, 4-헵타논, 3-헵타논, 2-헵타논, 노난, 3-헵탄올, 1-헥산올, 2-헵탄올, 디글림, 부틸 부티레이트, tert-부틸벤젠, 데칸, 1-헵탄올, 2-옥탄올, 부틸시클로헥산, 2-에틸-1-헥산올, 데칼린, 프로필렌 글리콜, 디메틸 술폭시드, 글리콜, 3,7-디메틸-1-옥탄올, 3,7-디메틸-3-옥탄올, 디메틸 숙시네이트, 벤질 알코올, DBE, 도데칸, 디에틸 숙시네이트, 트리글림, 비시클로헥실, 디메틸 아디페이트, 1-데칸올 또는 2-피롤리돈으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 용액.
  21. 삭제
  22. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 용액을 인쇄 방법에 의해서 처리하는 것을 특징으로 하는, 기판 상 유기 반도체 층의 제조 방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 인쇄 방법이 잉크-젯 인쇄 방법 (IJP) 인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 층의 제조 방법.
  24. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 용액을 면적-코팅 (area-coating) 방법으로 처리하는 것을 특징으로 하는, 기판 상 유기 반도체 층의 제조 방법.
  25. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 용액을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체의 층.
  26. 제 25 항에 따른 하나 이상의 층을 포함한, 유기 또는 중합체성 발광 다이오드 (OLED, PLED), 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 태양 전지 (O-SC) 또는 유기 레이저 다이오드 (O-레이저)로부터 선택되는 유기 전자 장치.
  27. 제 22 항에 따른 인쇄 방법에 의해서 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체의 층.
  28. 제 24 항에 따른 면적-코팅 방법에 의해서 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체의 층.
KR1020067023464A 2004-05-11 2005-05-10 유기 반도체의 용액 KR101233878B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004023276A DE102004023276A1 (de) 2004-05-11 2004-05-11 Lösungen organischer Halbleiter
DE102004023276.8 2004-05-11
PCT/EP2005/005022 WO2005112145A1 (de) 2004-05-11 2005-05-10 Lösungen organischer halbleiter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070004958A KR20070004958A (ko) 2007-01-09
KR101233878B1 true KR101233878B1 (ko) 2013-02-15

Family

ID=34969612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067023464A KR101233878B1 (ko) 2004-05-11 2005-05-10 유기 반도체의 용액

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7704785B2 (ko)
EP (1) EP1745520B1 (ko)
JP (1) JP5019454B2 (ko)
KR (1) KR101233878B1 (ko)
CN (1) CN1950959B (ko)
DE (1) DE102004023276A1 (ko)
WO (1) WO2005112145A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150110366A (ko) * 2014-03-24 2015-10-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 기능층 형성용 잉크, 발광 소자의 제조 방법, 발광 장치 및, 전자 기기

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000059267A1 (fr) * 1999-03-29 2000-10-05 Seiko Epson Corporation Composition, procede de preparation d'un film, et element fonctionnel et son procede de preparation
JP4616596B2 (ja) * 2004-08-27 2011-01-19 株式会社 日立ディスプレイズ 電子装置の製造方法
US7736540B1 (en) * 2004-12-30 2010-06-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic compositions for depositing onto fluorinated surfaces
DE102005022903A1 (de) * 2005-05-18 2006-11-23 Merck Patent Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
JP2007227795A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Dainippon Printing Co Ltd 有機電子デバイス用有機組成物および有機電子デバイス
US8318532B2 (en) * 2006-12-01 2012-11-27 The Regents Of The University Of California Enhancing performance characteristics of organic semiconducting films by improved solution processing
JP2008244362A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体回路、電気光学装置および電子機器
US9000423B2 (en) 2007-10-31 2015-04-07 The Regents Of The University Of California Processing additive for single-component solution processed organic field-effect transistors
KR100925316B1 (ko) * 2007-12-20 2009-11-04 노운섭 접합필름인쇄용 잉크조성물
KR20100138930A (ko) * 2008-03-25 2010-12-31 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 조성물 및 그것을 이용한 광전 변환 소자
US8232550B2 (en) 2008-06-11 2012-07-31 3M Innovative Properties Company Mixed solvent systems for deposition of organic semiconductors
US8455373B2 (en) 2008-07-03 2013-06-04 Postech Academy-Industry Foundation Ink-jet print ink and organic thin film transistor using thereof
GB2462410B (en) * 2008-07-21 2011-04-27 Cambridge Display Tech Ltd Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices
KR20110058808A (ko) * 2008-08-20 2011-06-01 플렉스트로닉스, 인크 유기 태양 전지 제조를 위한 개선된 용매계
US8174000B2 (en) * 2009-02-11 2012-05-08 Universal Display Corporation Liquid compositions for inkjet printing of organic layers or other uses
KR20120001734A (ko) * 2009-03-27 2012-01-04 후지필름 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자용 도포액
US8187916B2 (en) * 2009-06-17 2012-05-29 Universal Display Corporation Liquid compositions for inkjet printing of organic layers or other uses
FR2950736B1 (fr) * 2009-09-25 2011-12-09 Rhodia Chimie Sa Revetements photovoltaiques organiques de morphologie controlee
WO2011087601A1 (en) * 2009-12-22 2011-07-21 Universal Display Corporation Aromatic solvent comprising compositions for inkjet printing of layers comprising organic semiconductive material
KR20120123361A (ko) * 2009-12-23 2012-11-08 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도성 화합물을 포함하는 조성물
JP5543440B2 (ja) 2010-07-01 2014-07-09 パナソニック株式会社 有機発光素子用インク、有機発光素子の製造方法、有機表示パネル、有機表示装置、有機発光装置、インク、機能層の形成方法、および有機発光素子
JP2012212704A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 液状組成物及びそれを用いた積層膜の製造方法
EP2748877B1 (en) 2011-08-26 2016-02-10 Merck Patent GmbH Organic semiconductor formulation
CN102504804A (zh) * 2011-09-29 2012-06-20 中国科学院长春应用化学研究所 一种利用抑制边缘流动改善喷墨打印薄膜均匀性的有机发光材料溶液及其制备方法
EP2822050B1 (en) * 2012-03-02 2017-06-14 Nissan Chemical Industries, Ltd. Charge-transporting varnish
US9293711B2 (en) 2012-08-09 2016-03-22 Polyera Corporation Organic semiconductor formulations
CN104641482B (zh) * 2012-09-04 2017-12-29 默克专利股份有限公司 有机电子器件中介电结构的表面改性方法
DE102012018583B4 (de) 2012-09-20 2018-10-31 Heidelberger Druckmaschinen Ag Verfahren zum Drucken einer funktionalen Schicht für elektronische Bauteile
JP6225413B2 (ja) * 2012-11-16 2017-11-08 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、インク容器、吐出装置、機能層の形成方法、有機el素子の製造方法
DE112013005942T5 (de) * 2012-12-12 2015-09-24 Daicel Corporation Lösungsmittel oder Lösungsmittelzusammensetzung zur Herstellung organischer Transistoren
KR20150100913A (ko) * 2012-12-28 2015-09-02 메르크 파텐트 게엠베하 중합체성 유기 반도성 화합물을 포함하는 조성물
JP6201538B2 (ja) * 2013-09-03 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インクの製造方法、有機el素子の製造方法
KR102145424B1 (ko) * 2013-11-11 2020-08-18 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 제조용 잉크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법
JP2015165529A (ja) * 2014-02-28 2015-09-17 セイコーエプソン株式会社 有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器
JP6638186B2 (ja) * 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
JP6638187B2 (ja) * 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
JP6060993B2 (ja) * 2015-03-13 2017-01-18 セイコーエプソン株式会社 成膜方法
JP6550830B2 (ja) * 2015-03-25 2019-07-31 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用組成物、機能層形成用組成物の製造方法、有機el素子の製造方法、有機el装置、電子機器
WO2016155866A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material comprising a siloxane solvent
WO2017036572A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-09 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material comprising an epoxy group containing solvent
KR20180066145A (ko) * 2015-10-06 2018-06-18 메르크 파텐트 게엠베하 적어도 2종의 유기 반도체 화합물 및 적어도 2종의 용매를 포함하는 제형
JP6645132B2 (ja) 2015-11-13 2020-02-12 セイコーエプソン株式会社 インク組成物
TW201815998A (zh) 2016-06-28 2018-05-01 德商麥克專利有限公司 有機功能材料之調配物
KR102451842B1 (ko) 2016-10-31 2022-10-07 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
US10950792B2 (en) 2016-10-31 2021-03-16 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
CN108461654B (zh) * 2017-02-17 2019-09-20 纳晶科技股份有限公司 膜层、发光器件、膜层处理方法、装置及系统
CN107177239B (zh) * 2017-02-17 2019-03-08 纳晶科技股份有限公司 墨水配方、光电器件以及光电器件的功能层的制备方法
US11495744B2 (en) 2017-03-21 2022-11-08 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Organic semiconductor composition, organic thin film, and organic thin film transistor
WO2018174117A1 (ja) * 2017-03-23 2018-09-27 コニカミノルタ株式会社 有機膜形成用塗布液、有機膜、有機電子デバイス、及び有機膜形成用塗布液の製造方法
US10305054B2 (en) 2017-04-25 2019-05-28 International Business Machines Corporation Memristive device based on tunable schottky barrier
CN109810571A (zh) * 2017-11-21 2019-05-28 Tcl集团股份有限公司 无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用
CN107880650B (zh) * 2017-11-22 2021-02-19 华南理工大学 一种混合溶剂的喷墨打印墨水及其制备方法
KR102285565B1 (ko) 2017-12-12 2021-08-04 주식회사 엘지화학 잉크 조성물 및 유기 발광 소자 제조방법
JP7158157B2 (ja) * 2018-02-23 2022-10-21 東ソー株式会社 有機半導体インキ、それを用いた有機薄膜の製造方法
EP3807367B1 (en) 2018-06-15 2023-07-19 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material
JP7156769B2 (ja) * 2018-09-21 2022-10-19 日本化薬株式会社 有機半導体組成物、有機薄膜及び有機薄膜トランジスタ
US20230151235A1 (en) 2020-04-21 2023-05-18 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
KR20240000559A (ko) 2021-04-23 2024-01-02 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 포뮬레이션

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002069119A1 (en) * 2001-02-27 2002-09-06 Cambridge Display Tech Ltd Formulation for depositing a material on a substrate using ink jet printing
WO2003019693A2 (de) * 2001-07-21 2003-03-06 Covion Organic Semiconductors Gmbh Lösungen organischer halbleiter

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5091004A (en) * 1987-09-22 1992-02-25 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Ink composition
JP3317697B2 (ja) 1990-11-15 2002-08-26 日立化成工業株式会社 シリカ系被膜形成用塗布液の製造方法、シリカ系被膜形成用塗布液,シリカ系被膜の製造方法,シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成された半導体デバイス
CA2115334A1 (en) * 1993-02-10 1994-08-11 Isao Tomioka Film forming solution, porous film obtained therefrom and coated material with the porous film
US6445128B1 (en) * 1999-08-23 2002-09-03 Durel Corporation EL panel made with low molecular weight PVDF/HFP resin
CN1245769C (zh) * 1999-12-21 2006-03-15 造型逻辑有限公司 溶液加工
EP1370619B1 (de) * 2001-03-10 2006-06-21 MERCK PATENT GmbH Lösung und dispersionen organischer halbleiter
DE60219197T2 (de) 2001-12-04 2008-01-03 Agfa-Gevaert Verfahren zur herstellung von lösungen oder dispersionen von polythiophenepolymeren
US6856088B2 (en) 2001-12-31 2005-02-15 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same
JP4180977B2 (ja) 2003-06-03 2008-11-12 本田技研工業株式会社 グローブボックスのシャッタ構造

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002069119A1 (en) * 2001-02-27 2002-09-06 Cambridge Display Tech Ltd Formulation for depositing a material on a substrate using ink jet printing
WO2003019693A2 (de) * 2001-07-21 2003-03-06 Covion Organic Semiconductors Gmbh Lösungen organischer halbleiter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150110366A (ko) * 2014-03-24 2015-10-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 기능층 형성용 잉크, 발광 소자의 제조 방법, 발광 장치 및, 전자 기기
KR102236734B1 (ko) 2014-03-24 2021-04-05 세이코 엡슨 가부시키가이샤 기능층 형성용 잉크, 발광 소자의 제조 방법, 발광 장치 및, 전자 기기

Also Published As

Publication number Publication date
US7704785B2 (en) 2010-04-27
CN1950959A (zh) 2007-04-18
JP5019454B2 (ja) 2012-09-05
EP1745520A1 (de) 2007-01-24
CN1950959B (zh) 2010-09-01
DE102004023276A1 (de) 2005-12-01
WO2005112145A1 (de) 2005-11-24
JP2008503870A (ja) 2008-02-07
EP1745520B1 (de) 2015-10-21
US20080265214A1 (en) 2008-10-30
KR20070004958A (ko) 2007-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101233878B1 (ko) 유기 반도체의 용액
KR101213010B1 (ko) 유기 반도체의 용액
KR100939468B1 (ko) 유기 반도체 용액 및 분산액
KR101287328B1 (ko) 유기 반도체의 용액
KR101315643B1 (ko) 유기 반도체에 대한 용매 혼합물
EP3584292B1 (en) Ink formulation, optoelectronic devices, and preparation methods of functional layer of optoelectronic devices
KR101586280B1 (ko) 정공수송 랜덤 공중합체 및 이를 이용한 고분자발광다이오드
JP7439312B2 (ja) 組成物及びそれを用いた発光素子の製造方法
Wang et al. P‐167: High‐Efficiency Solution‐Processed 3.5‐inch White Backlight Panel Based on a Blue Dendrimer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160119

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170119

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180119

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190117

Year of fee payment: 7