CN101307500B - 含有掺杂剂的磷化铟单晶及其制造方法 - Google Patents
含有掺杂剂的磷化铟单晶及其制造方法 Download PDFInfo
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| InP Single Crystals by the Vertical Freezing Method.《Jpn.J.Appl.Phys.》.1999,第38卷(第2B期),977-980. * |
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| P.Rudolph等.Studies on interface curvature during vertical Bridgman growth of InP in a flat-bottom container.《Journal of Crystal Growth》.1996,第158卷43-48. * |
| Toshiaki AsAHI等.Growth of 100-mm-Diameter < * |
| Toshiaki AsAHI等.Growth of 100-mm-Diameter <100> InP Single Crystals by the Vertical Freezing Method.《Jpn.J.Appl.Phys.》.1999,第38卷(第2B期),977-980. |
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