CN104047055B - 一种n型磷化铟单晶生长制备配方 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
本发明涉及一种N型磷化铟单晶生长制备配方,该配方按原料重量百分比组成为:InP多晶料96.50~97.50%,三氧化二硼1.40~2.00%,红磷1.00~1.50%,硫0.01~0.02%。本发明可以获得高质量、大直径InP单晶,且生产效率高,降低消耗、提高劳动生产率,制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其平均EPD小于5.0×104cm‑2,载流子浓度小于3.8×1018cm‑3。
Description
技术领域:
本发明属于半导体材料制备领域,具体涉及一种N型磷化铟单晶生长制备配方。
背景技术
磷化铟(InP)是重要的III-V族化合物半导体材料之一,是继硅、砷化镓之后的新一代电子功能材料。与砷化镓(GaAs)相比,其优越性主要在于高的饱和电场飘移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等,因此InP晶片通常用于新型微电子、光电子元器件制造。
InP单晶材料按电学性质主要分掺硫N型InP;掺锌P型InP;掺铁或非掺杂退火半绝缘InP单晶。n型InP单晶用于光电器件,InP基的长波长(1.3-1.55μm)发光二极管、激光器和探测器已用于光纤通信系统。半绝缘InP衬底上可以制作高速、高频、宽带、低噪声微波、毫米波电子器件。
InP的熔点是1062℃,低于GaAs。但是P在熔点处的离解压(25~27.5atm)很高。由于其高离解压,使得In和P难以象Ga和As那样在单晶炉内直接合成多晶。因此,一般要在高压炉内用高纯铟和高纯红磷首先合成InP多晶料,然后再进行晶体生长工作。
与其它的半导体材料一样,InP材料在生长过程中难以避免热应力作用、化学配比偏离、组份偏析、杂质沾污等,由此造成缺陷的产生和晶格完整性的破坏。为避免缺陷,提高材料完整性和电学性质,进而提高光电子和微电子器件性能和可靠性,需要严格控制化学配比。
发明内容
根据以上情况,本发明的目的在于提供一种N型磷化铟单晶生长制备配方,由该配方生成的InP晶体得到的InP基板用于诸如光通讯用半导体激光器、光电探测器等的光电子器件以及诸如晶体管等的电子器件,可以获得晶片上的性能均匀和稳定且寿命长的化合物半导体器件。
本发明的技术方案是通过以下措施来实现的:一种N型磷化铟单晶生长制备配方,其特征在于按原料重量百分比组成为:InP多晶料96.50~97.50%,三氧化二硼1.40~2.00%,红磷1.00~1.50%,硫0.01~0.02%。
所述InP多晶料经去离子水多次煮沸清洗,以去除表面的氧化物和残余杂质,确保实验所需的纯净度。
所述三氧化二硼为高纯脱水三氧化二硼,脱水后的三氧化二硼含水量一般在500ppm量级。
所述红磷达到6N纯净度。
所述硫达到6N纯净度。
按照本发明提供的上述配方,可以获得高质量、大直径InP单晶,且生产效率高,降低消耗、提高劳动生产率。
具体实施方式
该N型磷化铟单晶生长制备配方按原料重量百分比组成:InP多晶料96.50~97.50%,三氧化二硼1.40~2.00%,红磷1.00~1.50%,硫0.01~0.02%。
按照本发明提供的上述配方,可以获得高质量、大直径InP单晶,且生产效率高,降低消耗、提高劳动生产率。
实施例1,该N型磷化铟单晶生长制备配方由以下原料重量百分比组成:InP多晶料97.06%,三氧化二硼1.46%,红磷1.46%,硫0.02%。
将实施例1制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其平均EPD为3.5×104cm-2,载流子浓度为3.6×1018cm-3。
实施例2,该N型磷化铟单晶生长制备配方由以下原料重量百分比组成:InP多晶料96.86%,三氧化二硼1.82%,红磷1.31%,硫0.01%。
将实施例2制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其平均EPD为4.5×104cm-2,载流子浓度为2.7×1018cm-3。
实施例3,该N型磷化铟单晶生长制备配方由以下原料重量百分比组成:InP多晶料97.17%,三氧化二硼1.75%,红磷1.07%,硫0.01%。
将实施例3制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其平均EPD为4.0×104cm-2,载流子浓度为3.8×1018cm-3。
实施例4,该N型磷化铟单晶生长制备配方由以下原料重量百分比组成:InP多晶料96.50%,三氧化二硼1.98%,红磷1.50%,硫0.02%。
将实施例4制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其平均EPD为3.8×104cm-2,载流子浓度为4.2×1018cm-3。
Claims (1)
1.一种N型磷化铟单晶生长制备配方,其特征在于按原料重量百分比组成为:InP多晶料96.50~97.50%,三氧化二硼1.40~2.00%,红磷1.00~1.50%,硫0.01~0.02%,所述InP多晶料经去离子水多次煮沸清洗,以去除表面的氧化物和残余杂质,所述三氧化二硼为高纯脱水三氧化二硼,脱水后的三氧化二硼含水量一般在500ppm量级,所述红磷达到6N纯净度,所述硫达到6N纯净度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310079859.1A CN104047055B (zh) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 一种n型磷化铟单晶生长制备配方 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310079859.1A CN104047055B (zh) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 一种n型磷化铟单晶生长制备配方 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104047055A CN104047055A (zh) | 2014-09-17 |
CN104047055B true CN104047055B (zh) | 2018-08-17 |
Family
ID=51500434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310079859.1A Active CN104047055B (zh) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 一种n型磷化铟单晶生长制备配方 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104047055B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104911690B (zh) * | 2015-07-01 | 2017-09-19 | 清远先导材料有限公司 | 一种磷化铟单晶的生长方法及生长装置 |
CN107313110B (zh) * | 2017-06-27 | 2020-06-09 | 台山市华兴光电科技有限公司 | 一种p型磷化铟单晶制备配方及制备方法 |
CN109576777A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-05 | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 | 晶体生长用双层坩埚及晶体生长工艺 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63274690A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | InP単結晶の製造方法と装置 |
CN1784514A (zh) * | 2003-05-07 | 2006-06-07 | 住友电气工业株式会社 | 磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法 |
-
2013
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63274690A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | InP単結晶の製造方法と装置 |
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---|
富磷熔体中生长的Φ100 mm掺硫InP单晶研究;周晓龙等;《固体电子学研究与进展》;20040229;第24卷(第1期);第134-137页 * |
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---|---|
CN104047055A (zh) | 2014-09-17 |
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