JP2953236B2 - ＩｎＰ単結晶基板材料 - Google Patents
ＩｎＰ単結晶基板材料Info
- Publication number
- JP2953236B2 JP2953236B2 JP5019095A JP1909593A JP2953236B2 JP 2953236 B2 JP2953236 B2 JP 2953236B2 JP 5019095 A JP5019095 A JP 5019095A JP 1909593 A JP1909593 A JP 1909593A JP 2953236 B2 JP2953236 B2 JP 2953236B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- zinc
- single crystal
- dislocation density
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩｎＰ（インジウム・
リン）単結晶基板材料に関し、特にレーザなどの光デバ
イスや太陽電池などのデバイスを作成するときに使用さ
れる、亜鉛が添加されたｐ型のＩｎＰ単結晶基板材料に
関するものである。
リン）単結晶基板材料に関し、特にレーザなどの光デバ
イスや太陽電池などのデバイスを作成するときに使用さ
れる、亜鉛が添加されたｐ型のＩｎＰ単結晶基板材料に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】亜鉛が添加されたｐ型のＩｎＰ単結晶基
板は、主にレーザなどのデバイスとして用いられてい
る。通常、基板の転位密度がデバイスの特性に影響を与
えるため、転位密度が最大でも２０００ｃｍ-2以下の基
板が用いられている。
板は、主にレーザなどのデバイスとして用いられてい
る。通常、基板の転位密度がデバイスの特性に影響を与
えるため、転位密度が最大でも２０００ｃｍ-2以下の基
板が用いられている。
【０００３】従来、ＩｎＰ基板を製造するためにはＬＥ
Ｃ法が用いられている。このＬＥＣ法で製造された亜鉛
添加ＩｎＰ単結晶の場合、図４の○印で示すように不純
物硬化作用によりキャリア濃度が高くなると転位密度が
低くなる傾向がある。なお、図４においては、便宜上、
基板の転位密度分布をエッチピット密度（ＥＰＤ）の分
布で示している。以下、転位密度はこれに従う。また、
転位密度は、図２に示すように、直径５０ｍｍ内の基板
面において５ｍｍ間隔で測定した６９点の転位密度の平
均値である。
Ｃ法が用いられている。このＬＥＣ法で製造された亜鉛
添加ＩｎＰ単結晶の場合、図４の○印で示すように不純
物硬化作用によりキャリア濃度が高くなると転位密度が
低くなる傾向がある。なお、図４においては、便宜上、
基板の転位密度分布をエッチピット密度（ＥＰＤ）の分
布で示している。以下、転位密度はこれに従う。また、
転位密度は、図２に示すように、直径５０ｍｍ内の基板
面において５ｍｍ間隔で測定した６９点の転位密度の平
均値である。
【０００４】従来、上記の２０００ｃｍ-2以下の転位密
度を満足するため、図４よりキャリア濃度として４．５
×１０18ｃｍ-3以上の基板が使用されていた。
度を満足するため、図４よりキャリア濃度として４．５
×１０18ｃｍ-3以上の基板が使用されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】また従来、デバイスを
作成するために使われていた成長法は液相エピタキシャ
ル法（ＬＰＥ）であったが、デバイス特性の向上を考慮
して最近では有機金属気相エピタキシャル法（ＭＯＣＶ
Ｄ）が使われるようになってきた。このＭＯＣＶＤ法の
採用とともに、ＬＰＥ法では問題とならなかった基板か
らエピタキシャル層への亜鉛の拡散が問題視されるよう
になった。以下、亜鉛の拡散による問題について詳細に
説明する。
作成するために使われていた成長法は液相エピタキシャ
ル法（ＬＰＥ）であったが、デバイス特性の向上を考慮
して最近では有機金属気相エピタキシャル法（ＭＯＣＶ
Ｄ）が使われるようになってきた。このＭＯＣＶＤ法の
採用とともに、ＬＰＥ法では問題とならなかった基板か
らエピタキシャル層への亜鉛の拡散が問題視されるよう
になった。以下、亜鉛の拡散による問題について詳細に
説明する。
【０００６】図５は、ＩＣＰ分析法によって測定した基
板中の亜鉛の濃度とホール測定法によって測定した基板
中のキャリア濃度との関係を示した図である。図５に示
すように亜鉛濃度が増加するとキャリア濃度が飽和し、
電気的に活性化していない亜鉛が増加する。この電気的
に活性化している亜鉛の比率（キャリア濃度／亜鉛濃
度）が８０％以下となると基板からエピタキシャル層へ
の亜鉛の拡散が原因でデバイス特性が悪化することを、
水落らは、’９２秋季応用物理学会学術講演会１８ｐ−
ＺＥ−５にて報告している。
板中の亜鉛の濃度とホール測定法によって測定した基板
中のキャリア濃度との関係を示した図である。図５に示
すように亜鉛濃度が増加するとキャリア濃度が飽和し、
電気的に活性化していない亜鉛が増加する。この電気的
に活性化している亜鉛の比率（キャリア濃度／亜鉛濃
度）が８０％以下となると基板からエピタキシャル層へ
の亜鉛の拡散が原因でデバイス特性が悪化することを、
水落らは、’９２秋季応用物理学会学術講演会１８ｐ−
ＺＥ−５にて報告している。
【０００７】上記の現象を避けるため、亜鉛濃度の低い
基板を用いると亜鉛の拡散による問題は解消される。し
かしながら、図４に示すように亜鉛濃度が低くなること
により基板の転位密度が高くなり、これに伴って寿命な
どのデバイス特性が悪化してしまう。
基板を用いると亜鉛の拡散による問題は解消される。し
かしながら、図４に示すように亜鉛濃度が低くなること
により基板の転位密度が高くなり、これに伴って寿命な
どのデバイス特性が悪化してしまう。
【０００８】このように従来では、基板からエピタキシ
ャル層への亜鉛の拡散による問題および基板中の転位密
度による問題の双方を満足できる基板は存在しなかっ
た。
ャル層への亜鉛の拡散による問題および基板中の転位密
度による問題の双方を満足できる基板は存在しなかっ
た。
【０００９】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたもので、亜鉛の拡散による問題を解消でき、かつ
転位密度の少ないＩｎＰ単結晶基板材料を得ることを目
的とする。
されたもので、亜鉛の拡散による問題を解消でき、かつ
転位密度の少ないＩｎＰ単結晶基板材料を得ることを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は以下
の知見に基づいてなされている。
の知見に基づいてなされている。
【００１１】すなわち、本発明者は、ＶＣＺ法（Vapour
pressure controlled Czochralski）を用いて基板を製
造することにより、低い亜鉛濃度で、かつ転位密度の少
ない基板が得られることを見出した。
pressure controlled Czochralski）を用いて基板を製
造することにより、低い亜鉛濃度で、かつ転位密度の少
ない基板が得られることを見出した。
【００１２】図４において、●印は、ＶＣＺ法を用いて
製造された基板のキャリア濃度とＥＰＤの関係を示して
いる。図４より明らかなように、ＶＣＺ法により製造さ
れた基板は、比較的低い亜鉛濃度においても低い転位密
度を有している。
製造された基板のキャリア濃度とＥＰＤの関係を示して
いる。図４より明らかなように、ＶＣＺ法により製造さ
れた基板は、比較的低い亜鉛濃度においても低い転位密
度を有している。
【００１３】ここでＶＣＺ法とは、図６（ａ）を参照し
て、制御された燐ガスを含む雰囲気中で、ヒータ６１に
より溶融状態とされかつ液体封止剤５５により覆われた
原料融液５３中に種結晶５１をつけて引上げることによ
りＩｎＰ単結晶５７を成長させる方法である。このＶＣ
Ｚ法は、図６（ｂ）に示すＬＥＣ法と比較して、制御さ
れた燐圧が印加されている点で異なる。このようにＶＣ
Ｚ法は、燐圧を印加した環境下で成長を行なうため、低
温度勾配下での成長が可能で結晶の転位密度を低減でき
る手法であり、住友電気 第１３５号（１９８９） ｐ
ｐ．１５６〜１６２に示されている。
て、制御された燐ガスを含む雰囲気中で、ヒータ６１に
より溶融状態とされかつ液体封止剤５５により覆われた
原料融液５３中に種結晶５１をつけて引上げることによ
りＩｎＰ単結晶５７を成長させる方法である。このＶＣ
Ｚ法は、図６（ｂ）に示すＬＥＣ法と比較して、制御さ
れた燐圧が印加されている点で異なる。このようにＶＣ
Ｚ法は、燐圧を印加した環境下で成長を行なうため、低
温度勾配下での成長が可能で結晶の転位密度を低減でき
る手法であり、住友電気 第１３５号（１９８９） ｐ
ｐ．１５６〜１６２に示されている。
【００１４】本発明のＩｎＰ単結晶基板材料は、亜鉛の
濃度が３．０×１０ 18 ｃｍ -3 以上４．３×１０18ｃｍ-3
以下であり、転位密度が２０００ｃｍ-2以下であり、直
径が４５ｍｍ以上である。
濃度が３．０×１０ 18 ｃｍ -3 以上４．３×１０18ｃｍ-3
以下であり、転位密度が２０００ｃｍ-2以下であり、直
径が４５ｍｍ以上である。
【００１５】本発明のＩｎＰ単結晶基板材料では、亜鉛
濃度が４．３×１０ 18 ｃｍ -3 以下であるため、ＩｎＰ単
結晶基板中の亜鉛の活性化率は９５％以上となり、不活
性な亜鉛の濃度が３．０×１０ 17 ｃｍ -3 以下となる。こ
のため、この基板上にＭＯＣＶＤ法で成長されたエピタ
キシャル層への亜鉛の拡散は無視できるレベルになる。
また基板中の亜鉛濃度が３．０×１０ 18 ｃｍ -3 未満であ
ると、基板材料の製造条件によっては転位密度の最大値
が２０００ｃｍ -2 を超えることも考えられるため、亜鉛
濃度は３．０×１０ 18 ｃｍ -3 以上である。
濃度が４．３×１０ 18 ｃｍ -3 以下であるため、ＩｎＰ単
結晶基板中の亜鉛の活性化率は９５％以上となり、不活
性な亜鉛の濃度が３．０×１０ 17 ｃｍ -3 以下となる。こ
のため、この基板上にＭＯＣＶＤ法で成長されたエピタ
キシャル層への亜鉛の拡散は無視できるレベルになる。
また基板中の亜鉛濃度が３．０×１０ 18 ｃｍ -3 未満であ
ると、基板材料の製造条件によっては転位密度の最大値
が２０００ｃｍ -2 を超えることも考えられるため、亜鉛
濃度は３．０×１０ 18 ｃｍ -3 以上である。
【００１６】また基板中の転位密度が２０００ｃｍ -2 以
下であるため、基板中の転位密度が高いことが原因で生
じるデバイス特性の悪化を抑制することも可能となる。
また基板材料の直径が４５ｍｍ以上であるため、直径を
４５ｍｍ以上と大口径にすることにより多数のチップを
一括で製造可能となるため、コスト面において好まし
い。
下であるため、基板中の転位密度が高いことが原因で生
じるデバイス特性の悪化を抑制することも可能となる。
また基板材料の直径が４５ｍｍ以上であるため、直径を
４５ｍｍ以上と大口径にすることにより多数のチップを
一括で製造可能となるため、コスト面において好まし
い。
【００１７】本発明の好ましい局面によれば、ＩｎＰ単
結晶基板材料中のキャリア濃度は亜鉛濃度の９５％以上
である。
結晶基板材料中のキャリア濃度は亜鉛濃度の９５％以上
である。
【００１８】本発明のＩｎＰ単結晶基板材料は、燐ガス
を含む雰囲気中で液体封止剤で覆われた原料融液中に種
結晶を付けて引き上げて単結晶を成長させることで製造
される。従来のＬＥＣ法によって製造された基板では、
亜鉛濃度が４．３×１０18ｃｍ-3以下となると、基板中
の転位密度が平均値でも２０００〜１００００ｃｍ-2と
高くなり、それが原因でデバイス特性が悪化してしま
う。これに対してこの製造方法によれば、ＶＣＺ法を用
いている。このため、４．３×１０18ｃｍ-3の亜鉛濃度
でも基板中の転位密度を２０００ｃｍ-2以下とすること
ができ、これにより転位密度が高いことに起因するデバ
イス特性の悪化を抑制することができるようになった。
を含む雰囲気中で液体封止剤で覆われた原料融液中に種
結晶を付けて引き上げて単結晶を成長させることで製造
される。従来のＬＥＣ法によって製造された基板では、
亜鉛濃度が４．３×１０18ｃｍ-3以下となると、基板中
の転位密度が平均値でも２０００〜１００００ｃｍ-2と
高くなり、それが原因でデバイス特性が悪化してしま
う。これに対してこの製造方法によれば、ＶＣＺ法を用
いている。このため、４．３×１０18ｃｍ-3の亜鉛濃度
でも基板中の転位密度を２０００ｃｍ-2以下とすること
ができ、これにより転位密度が高いことに起因するデバ
イス特性の悪化を抑制することができるようになった。
【００１９】またデバイス特性に影響を与える基板の転
位密度と基板からエピタキシャル層への拡散との両方の
作用を抑制することができるようになるため、特性の優
れたデバイスを高い歩留で製造することができるように
なる。
位密度と基板からエピタキシャル層への拡散との両方の
作用を抑制することができるようになるため、特性の優
れたデバイスを高い歩留で製造することができるように
なる。
【００２０】
（１） 実施例 レーザを作製するためＶＣＺ法で作製した直径５０ｍｍ
の基板を用い、ＭＯＣＶＤ法で図１に示す構造のエピタ
キシャル層を成長させた。
の基板を用い、ＭＯＣＶＤ法で図１に示す構造のエピタ
キシャル層を成長させた。
【００２１】すなわち図１を参照して、ｐ型のＩｎＰ単
結晶基板１の表面上に亜鉛が１×１０18ｃｍ-3の濃度で
ドープされたｐ型のＩｎＰエピタキシャル層３を形成し
た。またこのエピタキシャル層３の表面上には、アンド
ープＩｎＧａＡｓＰ層５と、不純物が１×１０18ｃｍ-3
の濃度でドープされたｎ型のＩｎＰ層７とを順次積層し
て形成した。
結晶基板１の表面上に亜鉛が１×１０18ｃｍ-3の濃度で
ドープされたｐ型のＩｎＰエピタキシャル層３を形成し
た。またこのエピタキシャル層３の表面上には、アンド
ープＩｎＧａＡｓＰ層５と、不純物が１×１０18ｃｍ-3
の濃度でドープされたｎ型のＩｎＰ層７とを順次積層し
て形成した。
【００２２】用いた基板１のキャリア濃度は３．５×１
０18ｃｍ-3であり、亜鉛濃度も３．５×１０18ｃｍ-3で
あった。また基板１中の転位密度は図２（ａ）に示すよ
うに基板面内全面で２０００ｃｍ-2以下となっている。
なお、図２（ａ）〜（ｃ）は、基板の転位密度の面内分
布を示す基板の平面図である。
０18ｃｍ-3であり、亜鉛濃度も３．５×１０18ｃｍ-3で
あった。また基板１中の転位密度は図２（ａ）に示すよ
うに基板面内全面で２０００ｃｍ-2以下となっている。
なお、図２（ａ）〜（ｃ）は、基板の転位密度の面内分
布を示す基板の平面図である。
【００２３】エピタキシャル層を成長させた後、ＳＩＭ
Ｓ法を用いて図１に示す試料の深さ方向の亜鉛濃度の分
布を測定した結果は、図３（ａ）に示すようにＩｎＰ基
板１からＩｎＰエピタキシャル層３への亜鉛の拡散はほ
とんど見られなかった。
Ｓ法を用いて図１に示す試料の深さ方向の亜鉛濃度の分
布を測定した結果は、図３（ａ）に示すようにＩｎＰ基
板１からＩｎＰエピタキシャル層３への亜鉛の拡散はほ
とんど見られなかった。
【００２４】この基板から作製したレーザについて、寿
命試験としきい値電流の絶対値の測定とを行なった。寿
命試験は、たとえば１００℃でしきい値電流より高い電
流１５０ｍＡを２４時間通電し、通電前後のしきい値電
流の変化で判断した。判断基準としては、通電前後のし
きい値電流の変化が±１０％を超えた場合を不良とし
た。この寿命試験において本実施例のレーザに問題は全
くなく、かつしきい値電流も規格値の一例である１０ｍ
Ａよりも低く、良好な値を示した。また基板のほぼ全面
から製品を作製することができた。
命試験としきい値電流の絶対値の測定とを行なった。寿
命試験は、たとえば１００℃でしきい値電流より高い電
流１５０ｍＡを２４時間通電し、通電前後のしきい値電
流の変化で判断した。判断基準としては、通電前後のし
きい値電流の変化が±１０％を超えた場合を不良とし
た。この寿命試験において本実施例のレーザに問題は全
くなく、かつしきい値電流も規格値の一例である１０ｍ
Ａよりも低く、良好な値を示した。また基板のほぼ全面
から製品を作製することができた。
【００２５】なお、ここで言うしきい値電流とは、レー
ザ発振するために必要な最低の電流のことである。
ザ発振するために必要な最低の電流のことである。
【００２６】（２） 比較例．１ ＬＥＣ法で作製した直径５０ｍｍの基板を用い、上記の
実施例と同様の評価を行なった。用いた基板のキャリア
濃度は４．０×１０18ｃｍ-3であり、亜鉛濃度は４．１
×１０18ｃｍ-3であった。転位密度は図２（ｂ）に示す
ように中心より直径３０ｍｍの範囲内は転位密度が最大
でも２０００ｃｍ-2以下となっているが、それより外周
部では１００００ｃｍ-2を超える部分もあった。また図
１に示す試料を作製してその亜鉛濃度の深さ方向分布を
測定した結果は、図３（ｂ）に示すようにＩｎＰ基板１
からＩｎＰエピタキシャル層３への亜鉛の拡散はあまり
見られなかった。しかし、この基板から作製したレーザ
は、しきい値電流の点においては規格値を満足していた
が、基板外周部の高転位部分から作製したレーザは寿命
試験で不合格となった。
実施例と同様の評価を行なった。用いた基板のキャリア
濃度は４．０×１０18ｃｍ-3であり、亜鉛濃度は４．１
×１０18ｃｍ-3であった。転位密度は図２（ｂ）に示す
ように中心より直径３０ｍｍの範囲内は転位密度が最大
でも２０００ｃｍ-2以下となっているが、それより外周
部では１００００ｃｍ-2を超える部分もあった。また図
１に示す試料を作製してその亜鉛濃度の深さ方向分布を
測定した結果は、図３（ｂ）に示すようにＩｎＰ基板１
からＩｎＰエピタキシャル層３への亜鉛の拡散はあまり
見られなかった。しかし、この基板から作製したレーザ
は、しきい値電流の点においては規格値を満足していた
が、基板外周部の高転位部分から作製したレーザは寿命
試験で不合格となった。
【００２７】（３） 比較例．２ ＬＥＣ法で作製した直径５０ｍｍの基板を用い、上記の
実施例と同様の評価を行なった。用いた基板のキャリア
濃度は４．９×１０18ｃｍ-3であり、亜鉛濃度は５．３
×１０18ｃｍ-3であった。基板中の転位密度は図２
（ｃ）に示すように、実施例に比較すれば高いものの基
板面内全面で２０００ｃｍ-2以下であった。また図１に
示す試料を作製し亜鉛濃度の深さ方向分布を測定した結
果は、図３（ｃ）に示すようにＩｎＰ基板１からＩｎＰ
エピタキシャル層３へ大幅に亜鉛が拡散していた。この
基板から作製したレーザのしきい値電流は、上記の実施
例、比較例．１の約２倍となり、１８ｍＡでＮＧとな
り、すべての仕様を満足することはできなかった。
実施例と同様の評価を行なった。用いた基板のキャリア
濃度は４．９×１０18ｃｍ-3であり、亜鉛濃度は５．３
×１０18ｃｍ-3であった。基板中の転位密度は図２
（ｃ）に示すように、実施例に比較すれば高いものの基
板面内全面で２０００ｃｍ-2以下であった。また図１に
示す試料を作製し亜鉛濃度の深さ方向分布を測定した結
果は、図３（ｃ）に示すようにＩｎＰ基板１からＩｎＰ
エピタキシャル層３へ大幅に亜鉛が拡散していた。この
基板から作製したレーザのしきい値電流は、上記の実施
例、比較例．１の約２倍となり、１８ｍＡでＮＧとな
り、すべての仕様を満足することはできなかった。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＩｎＰ単
結晶基板材料を使用することにより、しきい値電流が低
く、かつ寿命の長いレーザを歩留よく製造することがで
きることが判明した。このことによって、高品質のレー
ザを安価で製造できるようになる。
結晶基板材料を使用することにより、しきい値電流が低
く、かつ寿命の長いレーザを歩留よく製造することがで
きることが判明した。このことによって、高品質のレー
ザを安価で製造できるようになる。
【図１】評価に用いたレーザ用エピタキシャル構造の概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】実施例、比較例．１、２で使用した基板の転位
密度の面内分布を示す基板の平面図である。
密度の面内分布を示す基板の平面図である。
【図３】実施例、比較例．１、２で評価した図１に示す
試料における亜鉛濃度の深さ方向分布を示す図である。
試料における亜鉛濃度の深さ方向分布を示す図である。
【図４】ＬＥＣ法、ＶＣＺ法で製造した基板のキャリア
濃度と転位密度との関係を示す図である。
濃度と転位密度との関係を示す図である。
【図５】基板中の亜鉛濃度とキャリア濃度との相関関係
を示す図である。
を示す図である。
【図６】ＶＣＺ法とＬＥＣ法との引上炉の概略構造図で
ある。
ある。
１ ＩｎＰ単結晶基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−237088（ＪＰ，Ａ) Ｐ．Ｊ．Ｒｏｋｓｎｏｅｒ ｅｔ ａ ｌ．，”Ｔｈｅ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙ ｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ａｎｄ ｃｈ ａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｉｎｄｉｕｍ ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ”, Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖｏｌ．66，1984，ｐ ｐ．317−326 Ｙ．Ｓｅｋｉ ｅｔ ａｌ．，”Ｉｍ ｐｕｒｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ ｏｎ ｔ ｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｄｉｓｌｏ ｃａｔｉｏｎ−ｆｒｅｅ ＩｎＰ ｓｉ ｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ”，Ｊｏｕ ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ ｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．47，Ｎｏ．７，Ｊ ｕｌｙ 1976．ｐｐ．3374−3376 Ｆ．Ｄｕｎ−ｆｕ ｅｔ ａｌ．，" Ｇｒｏｗｔｈ ａｎｄ ｐｒｏｐｅｒｔ ｉｅｓ ｏｆ ＩｎＰ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ”，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ, Ｖｏｌ．66，1984，ｐｐ．327−332 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 28/00 - 35/00
Claims (2)
- 【請求項１】 亜鉛の濃度が３．０×１０ 18 ｃｍ -3 以上
４．３×１０18ｃｍ-3以下であり、転位密度が２０００
ｃｍ-2以下であり、直径が４５ｍｍ以上であることを特
徴とする、ＩｎＰ単結晶基板材料。 - 【請求項２】 当該ＩｎＰ単結晶基板材料中のキャリア
濃度が前記亜鉛濃度の９５％以上であることを特徴とす
る、請求項１に記載のＩｎＰ単結晶基板材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019095A JP2953236B2 (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | ＩｎＰ単結晶基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019095A JP2953236B2 (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | ＩｎＰ単結晶基板材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06227898A JPH06227898A (ja) | 1994-08-16 |
| JP2953236B2 true JP2953236B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=11989922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5019095A Expired - Lifetime JP2953236B2 (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | ＩｎＰ単結晶基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2953236B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7442355B2 (en) * | 2003-05-07 | 2008-10-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Indium phosphide substrate and indium phosphide monocrystal and method of manufacturing thereof |
| JP5370393B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2013-12-18 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体単結晶基板 |
| JP5370394B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2013-12-18 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体単結晶基板 |
| EP3828319A1 (en) * | 2013-03-26 | 2021-06-02 | JX Nippon Mining & Metals Corp. | Compound semiconductor wafer, photoelectric conversion element, and method for producing group iii-v compound semiconductor single crystals |
| JP6454981B2 (ja) * | 2014-04-24 | 2019-01-23 | 住友電気工業株式会社 | 半導体積層体および受光素子 |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP5019095A patent/JP2953236B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｆ．Ｄｕｎ−ｆｕ ｅｔ ａｌ．，"Ｇｒｏｗｔｈ ａｎｄ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＩｎＰ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ"，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖｏｌ．６６，１９８４，ｐｐ．３２７−３３２ |
| Ｐ．Ｊ．Ｒｏｋｓｎｏｅｒ ｅｔ ａｌ．，"Ｔｈｅ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｉｎｄｉｕｍ ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ"，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖｏｌ．６６，１９８４，ｐｐ．３１７−３２６ |
| Ｙ．Ｓｅｋｉ ｅｔ ａｌ．，"Ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ ｏｎ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ−ｆｒｅｅ ＩｎＰ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ"，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４７，Ｎｏ．７，Ｊｕｌｙ １９７６．ｐｐ．３３７４−３３７６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06227898A (ja) | 1994-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7442355B2 (en) | Indium phosphide substrate and indium phosphide monocrystal and method of manufacturing thereof | |
| US20090072205A1 (en) | Indium phosphide substrate, indium phosphide single crystal and process for producing them | |
| JP2953236B2 (ja) | ＩｎＰ単結晶基板材料 | |
| EP0102192B1 (en) | Method for manufacturing green light emitting diodes | |
| DE3514294A1 (de) | Mit indium dotierte halbisolierende galliumarsenideinkristalle und verfahren zu ihrer herstellung | |
| US7214269B2 (en) | Si-doped GaAs single crystal substrate | |
| US7081422B2 (en) | Manufacturing process for annealed wafer and annealed wafer | |
| JP3412531B2 (ja) | リンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法 | |
| EP0151000B1 (en) | A liquid-phase epitaxial growth method of a iiib-vb group compound | |
| Monberg et al. | The growth of low dislocation density p-lnP single crystals | |
| JP2705016B2 (ja) | ＩｎＰ系化合物半導体装置 | |
| JPH02229796A (ja) | ｐ型低転位密度ＩｎＰ単結晶基板材料 | |
| Holmes et al. | Dislocation reduction in large-diameter LEC GaAs growth: I. Low gradient growth and indium doping | |
| KR930007856B1 (ko) | 화합물 반도체 웨이퍼 | |
| WO2024171429A1 (ja) | 半絶縁性ヒ化ガリウム単結晶基板、エピタキシャル層付基板および半絶縁性ヒ化ガリウム単結晶の製造方法 | |
| JPH0242771A (ja) | 発光半導体素子基板及びその製造方法 | |
| Kato et al. | Single crystal growth of compositionally graded InXGa1− XAs | |
| JP2736343B2 (ja) | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| CA1271393A (en) | Method of manufacturing a semi-insulating single crystal of gallium indium arsenide | |
| Tatsumi et al. | Growth of low-dislocation-density InP single crystals by the VCZ method | |
| JPS60211912A (ja) | 低転位半絶縁性基板 | |
| JPH07193331A (ja) | 発光素子用ＧａＡｓ基板 | |
| JPS589578B2 (ja) | 光半導体素子およびその製法 | |
| JPS60176999A (ja) | 半絶縁性３−５族化合物半導体基板結晶材料及びその製造方法 | |
| JPS606320B2 (ja) | ＧａＳｂ単結晶の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990615 |